Продукція > BSZ

Обрати Сторінку:   1 2 3 4 5 6 7 8 9  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
BSZ-1NeutrikPhone Connectors Colored boot - Easycon -Brown
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ-200-01FLingva-S d.o.o.Трафарет сталь 0,13мм Розніми IDC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ009NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 39A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 12 V
на замовлення 9540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+184.06 грн
10+160.04 грн
25+142.90 грн
100+120.69 грн
250+107.28 грн
500+93.87 грн
1000+76.51 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ009NE2LS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ009NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 700 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 69W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 700µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+95.04 грн
500+80.77 грн
1000+67.58 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ009NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET 15V-30V
на замовлення 3537 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+118.39 грн
10+95.27 грн
100+71.80 грн
500+65.93 грн
1000+61.16 грн
2500+59.37 грн
5000+57.44 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ009NE2LS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ009NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 700 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+135.31 грн
10+111.14 грн
100+95.04 грн
500+80.77 грн
1000+67.58 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ009NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 39A/40A TSDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+77.16 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ010NE2LS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ010NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 1000 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+124.84 грн
10+103.09 грн
100+88.59 грн
500+69.25 грн
1000+54.68 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ010NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 32A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 12 V
на замовлення 3638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+184.06 грн
10+133.94 грн
25+120.89 грн
100+98.41 грн
250+90.43 грн
500+85.26 грн
1000+79.43 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ010NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 2090 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+129.67 грн
10+102.41 грн
100+83.53 грн
250+77.32 грн
500+72.49 грн
1000+65.86 грн
5000+65.24 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ010NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 32A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 12 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ010NE2LS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ010NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 800 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 69W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 800µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+103.09 грн
500+80.77 грн
1000+67.65 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ011NE2LS5IATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ011NE2LS5IATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 820 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 69W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 69W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 820µohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 820µohm
на замовлення 4488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+89.40 грн
500+72.24 грн
1000+59.16 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ011NE2LS5IATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 35A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 12 V
на замовлення 6131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+118.05 грн
10+98.42 грн
25+92.89 грн
100+80.04 грн
250+75.76 грн
500+72.73 грн
1000+68.73 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ011NE2LS5IATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 35A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 12 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+70.67 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ011NE2LS5IATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 8301 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+115.98 грн
10+80.18 грн
100+61.16 грн
500+56.95 грн
1000+54.95 грн
2500+53.92 грн
5000+50.95 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ011NE2LS5IATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ011NE2LS5IATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 820 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 69W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 820µohm
на замовлення 4488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+210.21 грн
10+105.51 грн
100+89.40 грн
500+72.24 грн
1000+59.16 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ013NE2LS5IATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+145.78 грн
10+96.06 грн
100+56.82 грн
500+45.29 грн
1000+42.73 грн
5000+37.00 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ013NE2LS5IATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ013NE2LS5IATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 0.0011 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+97.45 грн
11+76.11 грн
100+54.36 грн
500+41.28 грн
1000+35.00 грн
5000+34.93 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ013NE2LS5IATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 32A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 12 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+182.51 грн
10+113.45 грн
100+77.75 грн
500+58.63 грн
1000+54.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ013NE2LS5IATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 32A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 12 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ013NE2LS5IATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ013NE2LS5IATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 0.0011 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 69W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0011ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+54.36 грн
500+41.28 грн
1000+35.00 грн
5000+34.93 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ014NE2LS5IFATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 31A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 20A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 12 V
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+56.26 грн
10000+53.36 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ014NE2LS5IFATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ014NE2LS5IFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 1450 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 69W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 69W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00125ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1450µohm
на замовлення 8968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+93.43 грн
500+70.75 грн
1000+61.16 грн
5000+57.02 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ014NE2LS5IFATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 31A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ014NE2LS5IFATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ014NE2LS5IFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 1450 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 69W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1450µohm
на замовлення 8968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+208.60 грн
10+135.31 грн
100+93.43 грн
500+70.75 грн
1000+61.16 грн
5000+57.02 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ014NE2LS5IFATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 31A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 20A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 12 V
на замовлення 47501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+198.82 грн
10+123.85 грн
100+85.23 грн
500+64.52 грн
1000+61.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ014NE2LS5IFATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 40A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 1.45mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ014NE2LS5IFATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET 15V-30V
на замовлення 3080 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+244.04 грн
10+155.60 грн
100+93.20 грн
500+75.25 грн
1000+64.68 грн
5000+57.02 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ014NE2LS5IFATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 31A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ017NE2LS5IATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 27A/40A TSDSON
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+31.90 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ017NE2LS5IATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ017NE2LS5IATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 1450 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 50W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1450µohm
на замовлення 4950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+59.12 грн
500+40.01 грн
1000+31.82 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ017NE2LS5IATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 4965 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+96.65 грн
10+72.40 грн
100+47.36 грн
500+37.55 грн
1000+34.59 грн
2500+32.72 грн
5000+29.34 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ017NE2LS5IATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ017NE2LS5IATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 1450 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 50W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1450µohm
на замовлення 4950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+137.72 грн
10+87.79 грн
100+59.12 грн
500+40.01 грн
1000+31.82 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ017NE2LS5IATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 27A/40A TSDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 9075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+125.04 грн
10+76.51 грн
100+51.49 грн
500+38.26 грн
1000+35.29 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ018N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 38436 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+103.09 грн
10+83.36 грн
100+61.16 грн
500+52.60 грн
1000+46.25 грн
2500+42.87 грн
5000+41.35 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ018N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 27A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ018N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 27A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+70.64 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ018N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 27A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ018N04LS6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ018N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0016 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TSDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0016ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 9795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+123.23 грн
500+99.47 грн
1000+79.39 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ018N04LS6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ018N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0016 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 9795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+224.71 грн
10+154.64 грн
100+123.23 грн
500+99.47 грн
1000+79.39 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ018N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 27A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 20 V
на замовлення 9477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+118.82 грн
10+98.64 грн
25+93.09 грн
100+80.16 грн
250+75.84 грн
500+72.78 грн
1000+68.76 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ018NE2LSInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 23A TSDSON-8
на замовлення 22633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ018NE2LSInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 23A TSDSON-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ018NE2LSInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 25V 40A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 5950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+116.78 грн
10+67.88 грн
100+41.42 грн
500+34.17 грн
1000+28.72 грн
2500+28.65 грн
5000+26.58 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ018NE2LSInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 23A TSDSON-8
на замовлення 22633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ018NE2LSInfineon technologies
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ018NE2LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ018NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 153 A, 1800 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 153A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 11973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+112.76 грн
12+71.12 грн
100+47.68 грн
500+32.08 грн
1000+26.37 грн
5000+23.89 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ018NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 23A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ018NE2LSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Case: PG-TSDSON-8
On-state resistance: 1.8mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 40A
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
на замовлення 4970 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+60.66 грн
10+52.35 грн
20+50.69 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ018NE2LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 23A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 12 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ018NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 23A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ018NE2LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ018NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 153 A, 1800 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 153A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 11973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+47.68 грн
500+32.08 грн
1000+26.37 грн
5000+23.89 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ018NE2LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 23A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 12 V
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+134.36 грн
10+82.04 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ018NE2LSIInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 25V 40A TSDSON-8 OptiMOS
на замовлення 65471 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+132.89 грн
10+65.97 грн
100+46.18 грн
500+41.01 грн
1000+39.49 грн
2500+39.21 грн
5000+38.87 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ018NE2LSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 22A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 12 V
на замовлення 24323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+150.67 грн
10+93.33 грн
100+63.53 грн
500+47.63 грн
1000+43.78 грн
2000+40.54 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ018NE2LSIATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ018NE2LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 1800 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+74.42 грн
500+55.19 грн
1000+47.50 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ018NE2LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 22A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ018NE2LSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 22A/40A TSDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+43.02 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ018NE2LSIATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ018NE2LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 22A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ018NE2LSIATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ018NE2LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 1800 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+169.94 грн
10+105.51 грн
100+74.42 грн
500+55.19 грн
1000+47.50 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ018NE2LSIXTInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 25V 40A TSDSON-8 OptiMOS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ019N03LSInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 11560 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+136.11 грн
10+85.74 грн
100+51.43 грн
500+43.56 грн
1000+36.38 грн
2500+33.62 грн
5000+31.76 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ019N03LSInfineon technologies
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ019N03LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ019N03LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 149 A, 0.0019 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 149A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 4969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+57.51 грн
500+43.90 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ019N03LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 22A . 40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta). 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V
на замовлення 14145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+166.98 грн
10+102.61 грн
100+69.31 грн
500+51.66 грн
1000+47.36 грн
2000+43.74 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ019N03LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ019N03LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 149 A, 0.0019 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 149A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 69W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0016ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 4969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+79.73 грн
12+71.52 грн
100+57.51 грн
500+43.90 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ019N03LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 13572 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+63.06 грн
10+44.46 грн
100+33.07 грн
500+31.96 грн
1000+31.76 грн
2500+31.62 грн
5000+31.48 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ019N03LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 22A . 40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta). 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+44.07 грн
10000+39.86 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ021N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 10337 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+92.62 грн
10+74.39 грн
100+56.06 грн
500+51.29 грн
1000+42.87 грн
2500+39.56 грн
5000+37.07 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ021N04LS6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ021N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 147 A, 0.0018 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 147A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 16325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+111.14 грн
500+87.50 грн
1000+68.83 грн
2500+65.93 грн
5000+64.62 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ021N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 25A/40A TSDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-34
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 12035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.09 грн
10+74.49 грн
25+70.27 грн
100+60.51 грн
250+57.23 грн
500+54.92 грн
1000+51.87 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ021N04LS6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ021N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 147 A, 0.0018 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 147A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 16325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+184.44 грн
10+139.33 грн
100+111.14 грн
500+87.50 грн
1000+68.83 грн
2500+65.93 грн
5000+64.62 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ021N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 25A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+45.28 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ023N04LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 22A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2630 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ023N04LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 22A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2630 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ023N04LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 40A TSDSON-8 FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ024N04LS6Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ024N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 24A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 4818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+338.57 грн
86+165.07 грн
95+150.61 грн
117+117.34 грн
200+102.41 грн
500+98.01 грн
1000+87.06 грн
2000+81.28 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ024N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 24A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ024N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 24A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ024N04LS6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ024N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 130 A, 2400 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 25594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+89.40 грн
12+72.73 грн
100+55.65 грн
500+38.52 грн
1000+32.93 грн
5000+26.85 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ024N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 24A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 200000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+83.34 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ024N04LS6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ024N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 130 A, 2400 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 25594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+55.65 грн
500+38.52 грн
1000+32.93 грн
5000+26.85 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ024N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 24A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ024N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET 40V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ025N04LSInfineon TechnologiesMOSFETs MV POWER MOS
на замовлення 5917 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+111.95 грн
10+90.50 грн
100+61.37 грн
500+51.98 грн
1000+42.39 грн
2500+39.90 грн
5000+37.97 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ025N04LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ025N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 2500 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 20743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+101.48 грн
11+78.77 грн
100+54.44 грн
500+40.61 грн
1000+32.93 грн
5000+32.24 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ025N04LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 22A/40A TSDSON
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3680 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.39 грн
10+80.70 грн
100+56.37 грн
500+45.57 грн
1000+40.05 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ025N04LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MV POWER MOS
на замовлення 16649 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+98.26 грн
10+76.21 грн
100+45.77 грн
500+39.49 грн
1000+37.62 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ025N04LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 22A/40A TSDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3680 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ025N04LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ025N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.002 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 23114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+53.72 грн
500+40.83 грн
1000+34.59 грн
5000+34.52 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ025N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 22A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ028N04LSInfineon TechnologiesMOSFETs IFX FET 40V
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+136.11 грн
10+82.56 грн
100+47.15 грн
500+37.07 грн
1000+31.62 грн
2500+29.20 грн
5000+24.78 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ028N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
167+85.05 грн
177+80.09 грн
209+68.04 грн
213+64.24 грн
500+59.37 грн
1000+56.81 грн
5000+53.66 грн
Мінімальне замовлення: 167 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ028N04LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ028N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 2200 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 63W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
на замовлення 3252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+110.34 грн
13+62.50 грн
100+44.06 грн
500+34.03 грн
1000+26.79 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ028N04LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 21A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 63W (Tc)
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 20 V
на замовлення 5045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+105.62 грн
10+64.17 грн
100+42.68 грн
500+31.40 грн
1000+28.62 грн
2000+26.27 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ028N04LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET 40V
на замовлення 9815 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+111.14 грн
10+65.42 грн
100+39.28 грн
500+31.27 грн
1000+26.16 грн
5000+23.82 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ028N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+42.68 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2 3 4 5 6 7 8 9  [ Наступна Сторінка >> ]