НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
bsz-200-03Hitek Technology (HK) Co. LTDbsz-200-03 Одностороння друкована плата FR4
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
bsz-300-01Hitek Technology (HK) Co. LTDОдностороння друкована плата на Al основі
на замовлення 200 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
BSZ009NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 39A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 12 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+70.53 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ009NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 5127 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+212.07 грн
10+ 163.76 грн
100+ 118.12 грн
500+ 103.03 грн
1000+ 89.9 грн
5000+ 84.65 грн
10000+ 77.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSZ009NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 39A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 12 V
на замовлення 9540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+168.23 грн
10+ 146.28 грн
25+ 130.61 грн
100+ 110.31 грн
250+ 98.06 грн
500+ 85.8 грн
1000+ 69.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSZ010NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 32A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 12 V
на замовлення 6093 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+158.3 грн
10+ 137.81 грн
25+ 122.99 грн
100+ 103.89 грн
250+ 92.35 грн
500+ 80.81 грн
1000+ 65.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSZ010NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 32A T/R
товар відсутній
BSZ010NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 32A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 12 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+66.42 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ010NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 2189 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+169.96 грн
10+ 134.33 грн
100+ 100.4 грн
250+ 91.87 грн
500+ 82.03 грн
1000+ 68.9 грн
2500+ 66.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSZ011NE2LS5IATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 35A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 12 V
товар відсутній
BSZ011NE2LS5IATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ011NE2LS5IATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 820 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 69W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 820µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 820µohm
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+116.31 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSZ011NE2LS5IATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 4513 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+181.44 грн
10+ 147.91 грн
100+ 114.84 грн
250+ 103.68 грн
500+ 91.87 грн
1000+ 78.09 грн
2500+ 77.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSZ011NE2LS5IATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 35A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 12 V
на замовлення 5715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+188.82 грн
10+ 163.92 грн
25+ 146.39 грн
100+ 123.65 грн
250+ 109.91 грн
500+ 96.17 грн
1000+ 78.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSZ011NE2LS5IATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ011NE2LS5IATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 820 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 820µohm
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+197.29 грн
10+ 144.28 грн
100+ 116.31 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSZ013NE2LS5IATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 3734 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+107.18 грн
10+ 95.09 грн
100+ 72.84 грн
500+ 66.93 грн
1000+ 55.52 грн
5000+ 53.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSZ013NE2LS5IATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 32A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 12 V
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+57.38 грн
10000+ 53.42 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ013NE2LS5IATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 32A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 12 V
на замовлення 42066 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+132.74 грн
10+ 105.75 грн
100+ 84.17 грн
500+ 66.84 грн
1000+ 56.71 грн
2000+ 53.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSZ014NE2LS5IFATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 31A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 20A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 12 V
на замовлення 47261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+144.1 грн
10+ 115.25 грн
100+ 91.74 грн
500+ 72.85 грн
1000+ 61.81 грн
2000+ 58.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSZ014NE2LS5IFATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 31A 8-Pin TSDSON EP T/R
товар відсутній
BSZ014NE2LS5IFATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 1.45mΩ
Gate-source voltage: ±16V
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Drain current: 40A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 25V
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TSDSON-8
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSZ014NE2LS5IFATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 1.45mΩ
Gate-source voltage: ±16V
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Drain current: 40A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 25V
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TSDSON-8
товар відсутній
BSZ014NE2LS5IFATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 31A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 20A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 12 V
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+62.53 грн
10000+ 58.22 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ014NE2LS5IFATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 932 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+153.88 грн
10+ 126.78 грн
100+ 89.9 грн
250+ 87.28 грн
500+ 74.81 грн
1000+ 61.62 грн
5000+ 59.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSZ014NE2LS5IFATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 31A 8-Pin TSDSON EP T/R
товар відсутній
BSZ017NE2LS5IATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 27A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 12 V
товар відсутній
BSZ017NE2LS5IATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 940-949 дні (днів)
3+114.84 грн
10+ 99.61 грн
100+ 70.22 грн
500+ 57.22 грн
1000+ 46.39 грн
2500+ 45.41 грн
5000+ 42.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSZ017NE2LS5IATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 27A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 12 V
товар відсутній
BSZ018N04LS6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ018N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0016 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TSDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0016ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 9795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+112.63 грн
500+ 90.91 грн
1000+ 72.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSZ018N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 27A 8-Pin TSDSON EP T/R
товар відсутній
BSZ018N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 27A 8-Pin TSDSON EP T/R
товар відсутній
BSZ018N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 27A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 20 V
на замовлення 18188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+152.62 грн
10+ 133.09 грн
25+ 118.83 грн
100+ 100.35 грн
250+ 89.2 грн
500+ 78.05 грн
1000+ 63.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSZ018N04LS6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ018N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0016 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 9795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+205.38 грн
10+ 141.34 грн
100+ 112.63 грн
500+ 90.91 грн
1000+ 72.56 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSZ018N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 27A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+64.16 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ018N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 55378 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+134.74 грн
10+ 110.93 грн
100+ 89.25 грн
250+ 81.37 грн
500+ 74.15 грн
1000+ 64.11 грн
5000+ 59.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSZ018N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 27A 8-Pin TSDSON EP T/R
товар відсутній
BSZ018NE2LSInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 23A TSDSON-8
на замовлення 22633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BSZ018NE2LSInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 25V 40A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 3887 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+93.4 грн
10+ 80.75 грн
100+ 60.04 грн
250+ 59.65 грн
500+ 53.22 грн
1000+ 46.26 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSZ018NE2LSInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 23A TSDSON-8
на замовлення 22633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BSZ018NE2LSInfineon technologies
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSZ018NE2LSInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 23A TSDSON-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BSZ018NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 23A 8-Pin TSDSON EP T/R
товар відсутній
BSZ018NE2LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ018NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 153 A, 0.0018 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 153A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 13068 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+85.39 грн
500+ 65.21 грн
1000+ 46.19 грн
5000+ 45.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSZ018NE2LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 23A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 12 V
на замовлення 13131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.29 грн
10+ 90.98 грн
100+ 72.4 грн
500+ 57.49 грн
1000+ 48.78 грн
2000+ 46.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSZ018NE2LSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 1.8mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Drain current: 40A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 25V
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TSDSON-8
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4974 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+106.89 грн
17+ 58.56 грн
45+ 53.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSZ018NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 23A 8-Pin TSDSON EP T/R
товар відсутній
BSZ018NE2LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ018NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 153 A, 0.0018 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 153A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 13068 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+117.78 грн
10+ 106 грн
100+ 85.39 грн
500+ 65.21 грн
1000+ 46.19 грн
5000+ 45.24 грн
Мінімальне замовлення: 7
BSZ018NE2LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 23A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 12 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+49.35 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ018NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 23A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+37.59 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ018NE2LSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 1.8mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Drain current: 40A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 25V
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TSDSON-8
на замовлення 4974 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+89.07 грн
17+ 46.99 грн
45+ 44.43 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSZ018NE2LSIInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 25V 40A TSDSON-8 OptiMOS
на замовлення 65729 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+110.24 грн
10+ 103.39 грн
100+ 72.18 грн
250+ 70.22 грн
500+ 64.11 грн
1000+ 54.47 грн
2500+ 53.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSZ018NE2LSIATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Technology: OptiMOS™
Case: PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 1.8mΩ
Power dissipation: 69W
Drain current: 40A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 25V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BSZ018NE2LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 22A 8-Pin TSDSON EP T/R
товар відсутній
BSZ018NE2LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 22A 8-Pin TSDSON EP T/R
товар відсутній
BSZ018NE2LSIATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Technology: OptiMOS™
Case: PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 1.8mΩ
Power dissipation: 69W
Drain current: 40A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 25V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
товар відсутній
BSZ018NE2LSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 22A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 12 V
на замовлення 24986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+134.16 грн
10+ 107.39 грн
100+ 85.5 грн
500+ 67.9 грн
1000+ 57.61 грн
2000+ 54.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSZ018NE2LSIATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
товар відсутній
BSZ018NE2LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 22A 8-Pin TSDSON EP T/R
товар відсутній
BSZ018NE2LSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 22A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 12 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+59.19 грн
10000+ 54.81 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ018NE2LSIXTInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 25V 40A TSDSON-8 OptiMOS
на замовлення 1478 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+142.4 грн
10+ 116.97 грн
100+ 81.37 грн
250+ 74.15 грн
500+ 67.59 грн
1000+ 57.94 грн
2500+ 55.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSZ019N03LSInfineon technologies
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSZ019N03LSInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 20568 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+114.84 грн
10+ 94.33 грн
100+ 64.7 грн
250+ 59.72 грн
500+ 54.2 грн
1000+ 48.36 грн
5000+ 42.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSZ019N03LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin TSDSON EP T/R
товар відсутній
BSZ019N03LSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
BSZ019N03LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 22A . 40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta). 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+45.14 грн
10000+ 42.03 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ019N03LSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BSZ019N03LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 21182 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+114.07 грн
10+ 93.58 грн
100+ 64.11 грн
250+ 59.72 грн
500+ 54.14 грн
1000+ 46.39 грн
2500+ 44.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSZ019N03LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ019N03LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 149 A, 0.0019 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 149A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 4969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+52.56 грн
500+ 40.12 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSZ019N03LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin TSDSON EP T/R
товар відсутній
BSZ019N03LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 22A . 40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta). 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V
на замовлення 89383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+103.64 грн
10+ 83.19 грн
100+ 66.22 грн
500+ 52.59 грн
1000+ 44.62 грн
2000+ 42.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSZ019N03LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ019N03LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 149 A, 0.0019 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 149A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 69W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0016ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 4969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+72.88 грн
12+ 65.37 грн
100+ 52.56 грн
500+ 40.12 грн
Мінімальне замовлення: 11
BSZ021N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 12501 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+137.04 грн
10+ 110.93 грн
100+ 82.03 грн
250+ 74.15 грн
500+ 65.62 грн
1000+ 55.25 грн
2500+ 53.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSZ021N04LS6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ021N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 147 A, 0.0018 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 147A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 16325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+168.58 грн
10+ 127.35 грн
100+ 101.59 грн
500+ 79.98 грн
1000+ 62.91 грн
2500+ 60.26 грн
5000+ 59.06 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSZ021N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 25A 8-Pin TSDSON EP T/R
товар відсутній
BSZ021N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 25A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+54.21 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ021N04LS6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ021N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 147 A, 0.0018 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 147A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 16325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+101.59 грн
500+ 79.98 грн
1000+ 62.91 грн
2500+ 60.26 грн
5000+ 59.06 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSZ021N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 25A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 20 V
на замовлення 12243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+129.19 грн
10+ 112.45 грн
25+ 100.37 грн
100+ 84.79 грн
250+ 75.37 грн
500+ 65.95 грн
1000+ 53.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSZ023N04LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 22A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2630 pF @ 20 V
товар відсутній
BSZ023N04LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 22A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2630 pF @ 20 V
товар відсутній
BSZ023N04LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 40A TSDSON-8 FL
товар відсутній
BSZ023N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin TSDSON EP T/R
товар відсутній
BSZ024N04LS6Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
товар відсутній
BSZ024N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 24A 8-Pin TSDSON EP T/R
товар відсутній
BSZ024N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 24A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 20 V
на замовлення 89861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+112.16 грн
10+ 97.75 грн
25+ 87.28 грн
100+ 73.73 грн
250+ 65.54 грн
500+ 57.34 грн
1000+ 46.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSZ024N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 24A 8-Pin TSDSON EP T/R
товар відсутній
BSZ024N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 24A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 200000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+66.89 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ024N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 24A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 20 V
на замовлення 85000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+47.14 грн
10000+ 43.65 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ024N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 9917 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+115.6 грн
10+ 95.09 грн
100+ 65.29 грн
250+ 60.7 грн
500+ 55.12 грн
1000+ 47.25 грн
2500+ 44.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSZ024N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 24A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 4818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+271.75 грн
86+ 132.5 грн
95+ 120.89 грн
117+ 94.19 грн
200+ 82.2 грн
500+ 78.67 грн
1000+ 69.88 грн
2000+ 65.24 грн
Мінімальне замовлення: 42
BSZ025N04LSInfineon TechnologiesMOSFET MV POWER MOS
на замовлення 5713 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+104.12 грн
10+ 84.52 грн
100+ 57.09 грн
500+ 48.36 грн
1000+ 39.44 грн
2500+ 37.08 грн
5000+ 35.3 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSZ025N04LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFET MV POWER MOS
на замовлення 20214 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+94.17 грн
10+ 69.96 грн
100+ 52.63 грн
500+ 44.95 грн
1000+ 36.09 грн
2500+ 35.7 грн
5000+ 35.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSZ025N04LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 22A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3680 pF @ 20 V
на замовлення 8148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+96.54 грн
10+ 76.01 грн
100+ 59.09 грн
500+ 47.01 грн
1000+ 38.29 грн
2000+ 36.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSZ025N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 22A 8-Pin TSDSON EP T/R
товар відсутній
BSZ025N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 22A 8-Pin TSDSON EP T/R
товар відсутній
BSZ025N04LSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
BSZ025N04LSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BSZ025N04LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 22A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3680 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+37.99 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ025N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 22A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+33.69 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ028N04LSInfineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 14203 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+86.51 грн
10+ 69.96 грн
100+ 47.38 грн
500+ 40.16 грн
1000+ 32.68 грн
2500+ 30.78 грн
5000+ 29.27 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSZ028N04LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 21A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 63W (Tc)
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 20 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+31.52 грн
10000+ 28.95 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ028N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+27.94 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ028N04LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 3411 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+86.51 грн
10+ 69.96 грн
100+ 47.38 грн
500+ 40.16 грн
1000+ 32.68 грн
2500+ 30.78 грн
5000+ 29.27 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSZ028N04LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ028N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0022 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 63W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0022ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+123.67 грн
10+ 101.59 грн
100+ 75.82 грн
500+ 58.31 грн
1000+ 39.63 грн
5000+ 38.81 грн
Мінімальне замовлення: 6
BSZ028N04LSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 20A; 50W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 20A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
BSZ028N04LSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 20A; 50W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 20A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BSZ028N04LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 21A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 63W (Tc)
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 20 V
на замовлення 16312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+80.21 грн
10+ 63.02 грн
100+ 49.02 грн
500+ 39 грн
1000+ 31.77 грн
2000+ 29.91 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSZ028N04LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ028N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0022 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 63W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+75.82 грн
500+ 58.31 грн
1000+ 39.63 грн
5000+ 38.81 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSZ031NE2LS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ031NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 0.0026 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 30W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 14001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+60 грн
500+ 46.07 грн
1000+ 31.99 грн
5000+ 29.85 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSZ031NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 19A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 12 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+32.46 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ031NE2LS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ031NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 0.0026 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 30W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0026ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 14001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+86.13 грн
10+ 77.29 грн
100+ 60 грн
500+ 46.07 грн
1000+ 31.99 грн
5000+ 29.85 грн
Мінімальне замовлення: 9
BSZ031NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+109.48 грн
10+ 96.6 грн
100+ 66.28 грн
500+ 54.2 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSZ031NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 19A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 12 V
на замовлення 9145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+82.34 грн
10+ 64.94 грн
100+ 50.49 грн
500+ 40.16 грн
1000+ 32.71 грн
2000+ 30.8 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSZ033NE2LS5Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
товар відсутній
BSZ033NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 18A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 12 V
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.44 грн
10+ 77.11 грн
100+ 60.14 грн
500+ 46.62 грн
1000+ 36.81 грн
2000+ 34.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSZ033NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R
товар відсутній
BSZ033NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
111+102.95 грн
Мінімальне замовлення: 111
BSZ033NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 18A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 12 V
товар відсутній
BSZ033NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+95.6 грн
Мінімальне замовлення: 6
BSZ033NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R
товар відсутній
BSZ033NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 28976 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+90.34 грн
10+ 79.24 грн
100+ 53.81 грн
500+ 44.49 грн
1000+ 32.75 грн
5000+ 31.17 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSZ034N04LSInfineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 297 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+78.86 грн
10+ 64.45 грн
100+ 43.57 грн
500+ 36.95 грн
1000+ 30.05 грн
2500+ 28.35 грн
5000+ 26.97 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSZ034N04LSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 52W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Power dissipation: 52W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BSZ034N04LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 297 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+78.86 грн
10+ 64.45 грн
100+ 43.57 грн
500+ 36.95 грн
1000+ 30.05 грн
2500+ 28.35 грн
5000+ 26.97 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSZ034N04LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 19A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
BSZ034N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R
товар відсутній
BSZ034N04LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 19A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
BSZ034N04LSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 52W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Power dissipation: 52W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
BSZ035N03LSINFINEONQFN
на замовлення 158 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSZ035N03LS GInfineonQFN
на замовлення 365 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSZ035N03LS GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+117.13 грн
10+ 95.09 грн
100+ 64.11 грн
500+ 53.94 грн
1000+ 43.05 грн
2500+ 41.41 грн
5000+ 38.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSZ035N03LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 20A/40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 15 V
товар відсутній
BSZ035N03LSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
On-state resistance: 3.5mΩ
товар відсутній
BSZ035N03LSGATMA1
Код товару: 129555
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
BSZ035N03LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 20A/40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 15 V
товар відсутній
BSZ035N03LSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
On-state resistance: 3.5mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BSZ035N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+24.96 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ035N03MS
на замовлення 2080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSZ035N03MS GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M
на замовлення 10044 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+83.45 грн
10+ 67.92 грн
100+ 45.94 грн
500+ 38.98 грн
1000+ 29.99 грн
2500+ 29.92 грн
5000+ 28.22 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSZ035N03MSGInfineon technologies
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSZ035N03MSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 18A/40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 15 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+30.28 грн
10000+ 27.82 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ035N03MSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
On-state resistance: 3.5mΩ
товар відсутній
BSZ035N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+26.49 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ035N03MSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 18A/40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 15 V
на замовлення 11725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+76.66 грн
10+ 60.56 грн
100+ 47.11 грн
500+ 37.47 грн
1000+ 30.53 грн
2000+ 28.74 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSZ035N03MSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
On-state resistance: 3.5mΩ
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSZ036NE2LSInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 25V 40A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 2695 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+67.68 грн
10+ 59.99 грн
100+ 40.69 грн
500+ 33.6 грн
1000+ 26.58 грн
5000+ 24.74 грн
10000+ 22.64 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSZ036NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 16A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+17 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ036NE2LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 16A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 12 V
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+23.51 грн
10000+ 21.6 грн
25000+ 21.56 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ036NE2LSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESBSZ036NE2LSATMA1 SMD N channel transistors
товар відсутній
BSZ036NE2LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 25V 40A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 13362 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+43.41 грн
10+ 36.83 грн
100+ 26.71 грн
500+ 23.95 грн
1000+ 21.66 грн
Мінімальне замовлення: 8
BSZ036NE2LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 16A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 12 V
на замовлення 63837 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+59.63 грн
10+ 47.03 грн
100+ 36.58 грн
500+ 29.09 грн
1000+ 23.7 грн
2000+ 22.31 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSZ037N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
на замовлення 14051 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+133.98 грн
10+ 101.12 грн
100+ 74.81 грн
500+ 65.36 грн
1000+ 56.3 грн
5000+ 48.89 грн
10000+ 48.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSZ037N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 18A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 30 V
на замовлення 9960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+63.59 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ037N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 18A T/R
товар відсутній
BSZ037N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 18A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 30 V
на замовлення 9960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+129.19 грн
10+ 112.65 грн
25+ 100.59 грн
100+ 84.97 грн
250+ 75.53 грн
500+ 66.09 грн
1000+ 56.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSZ039N06NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 18A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 30 V
на замовлення 4120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.58 грн
10+ 98.98 грн
25+ 88.34 грн
100+ 74.63 грн
250+ 66.33 грн
500+ 58.04 грн
1000+ 48.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSZ039N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 18A T/R
товар відсутній
BSZ039N06NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 18A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 30 V
товар відсутній
BSZ039N06NSATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
на замовлення 11612 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
BSZ040N04LS GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 12825 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+90.34 грн
10+ 72.97 грн
100+ 49.81 грн
500+ 42.26 грн
1000+ 34.39 грн
2500+ 32.35 грн
5000+ 30.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSZ040N04LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 18A/40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 20 V
на замовлення 8889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.76 грн
10+ 66.31 грн
100+ 51.54 грн
500+ 41 грн
1000+ 33.4 грн
2000+ 31.44 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSZ040N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 25302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+24.65 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ040N04LSGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ040N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0033 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 69
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2761 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+105.27 грн
10+ 87.6 грн
100+ 64.34 грн
500+ 49.35 грн
1000+ 33.57 грн
Мінімальне замовлення: 7
BSZ040N04LSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
на замовлення 3655 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+64.34 грн
7+ 51.34 грн
22+ 36.84 грн
60+ 34.79 грн
1000+ 33.49 грн
Мінімальне замовлення: 6
BSZ040N04LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 18A/40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+33.13 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ040N04LSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3655 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+77.21 грн
5+ 63.97 грн
22+ 44.21 грн
60+ 41.75 грн
1000+ 40.19 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSZ040N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R
товар відсутній
BSZ040N04LSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 8414 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+91.1 грн
10+ 73.73 грн
100+ 49.81 грн
500+ 42.26 грн
1000+ 32.42 грн
2500+ 32.35 грн
5000+ 30.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSZ040N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 17A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+34.6 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ040N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET MV POWER MOS
на замовлення 22311 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+114.84 грн
10+ 94.33 грн
100+ 65.29 грн
500+ 54.93 грн
1000+ 44.29 грн
5000+ 42.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSZ040N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 30 V
на замовлення 111851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+105.77 грн
10+ 84.35 грн
100+ 67.13 грн
500+ 53.31 грн
1000+ 45.23 грн
2000+ 42.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSZ040N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 30 V
на замовлення 105000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+45.76 грн
10000+ 42.61 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ042N04NSInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
товар відсутній
BSZ042N04NS GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
товар відсутній
BSZ042N04NS GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8
товар відсутній
BSZ042N04NSGInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 40A TO220AB
на замовлення 47574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BSZ042N04NSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8
на замовлення 41363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BSZ042N04NSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8
товар відсутній
BSZ042N04NSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8
товар відсутній
BSZ042N06NSInfineon
на замовлення 4850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSZ042N06NSInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 40A TDSON-8
на замовлення 13254 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+128.62 грн
10+ 105.65 грн
100+ 73.5 грн
250+ 67.59 грн
500+ 61.03 грн
1000+ 54.4 грн
5000+ 48.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSZ042N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 6405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+95.83 грн
10+ 86.51 грн
25+ 82.7 грн
100+ 58.8 грн
250+ 49.74 грн
500+ 46.72 грн
1000+ 37.84 грн
3000+ 35.72 грн
6000+ 34.03 грн
Мінімальне замовлення: 6
BSZ042N06NSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; 50W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 20A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
BSZ042N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R
товар відсутній
BSZ042N06NSATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 40A TDSON-8
на замовлення 48010 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+127.85 грн
10+ 102.63 грн
100+ 73.5 грн
250+ 72.18 грн
500+ 61.62 грн
1000+ 49.68 грн
2500+ 49.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSZ042N06NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 17A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+51.33 грн
10000+ 47.79 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ042N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+39.43 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ042N06NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 17A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V
на замовлення 12299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.84 грн
10+ 94.6 грн
100+ 75.29 грн
500+ 59.79 грн
1000+ 50.73 грн
2000+ 48.2 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSZ042N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R
товар відсутній
BSZ042N06NSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; 50W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 20A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BSZ049N03LSCGATMA1Rochester Electronics, LLCDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BSZ0500NSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 30A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 15 V
на замовлення 9990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+144.1 грн
10+ 115.25 грн
100+ 91.71 грн
500+ 72.83 грн
1000+ 61.79 грн
2000+ 58.7 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSZ0500NSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 30A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 15 V
на замовлення 9990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+62.52 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ0500NSIATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 310-319 дні (днів)
2+167.66 грн
10+ 145.65 грн
100+ 106.31 грн
250+ 103.03 грн
500+ 89.25 грн
1000+ 73.5 грн
2500+ 69.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSZ0501NSIATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ0501NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0017 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
на замовлення 9635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+80.24 грн
500+ 63.43 грн
1000+ 45.18 грн
5000+ 42.59 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSZ0501NSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 25A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 15 V
на замовлення 4850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.61 грн
10+ 86.81 грн
100+ 69.11 грн
500+ 54.88 грн
1000+ 46.57 грн
2000+ 44.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSZ0501NSIATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 1496 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+117.9 грн
10+ 95.84 грн
100+ 73.5 грн
250+ 70.22 грн
500+ 59.72 грн
1000+ 46.79 грн
2500+ 46.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSZ0501NSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 25A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 15 V
на замовлення 4850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BSZ0501NSIATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ0501NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0017 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
на замовлення 9635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+131.77 грн
10+ 99.38 грн
100+ 80.24 грн
500+ 63.43 грн
1000+ 45.18 грн
5000+ 42.59 грн
Мінімальне замовлення: 6
BSZ0501NSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin TSDSON EP T/R
товар відсутній
BSZ0502NSIATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
товар відсутній
BSZ0502NSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin TSDSON EP T/R
товар відсутній
BSZ0502NSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 22A 8SON
товар відсутній
BSZ0503NSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin TSDSON EP T/R
товар відсутній
BSZ0503NSIATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ0503NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 82 A, 0.0028 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 36W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TSDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0028ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+58.89 грн
500+ 45.32 грн
1000+ 30.85 грн
2500+ 29.66 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSZ0503NSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 20A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V
на замовлення 4548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+92.99 грн
10+ 73.14 грн
100+ 56.85 грн
500+ 45.22 грн
1000+ 36.84 грн
2000+ 34.68 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSZ0503NSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin TSDSON EP T/R
товар відсутній
BSZ0503NSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
119+96.32 грн
130+ 87.72 грн
160+ 71.37 грн
200+ 64.44 грн
1000+ 52.85 грн
2000+ 47.33 грн
5000+ 46.09 грн
Мінімальне замовлення: 119
BSZ0503NSIATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ0503NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 82 A, 0.0028 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 36W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TSDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0028ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+84.66 грн
11+ 73.54 грн
100+ 58.89 грн
500+ 45.32 грн
1000+ 30.85 грн
2500+ 29.66 грн
Мінімальне замовлення: 9
BSZ0503NSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 20A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V
товар відсутній
BSZ0503NSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin TSDSON EP T/R
товар відсутній
BSZ0503NSIATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 12499 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+98 грн
10+ 76.97 грн
100+ 53.61 грн
500+ 45.48 грн
1000+ 34.91 грн
5000+ 32.88 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSZ0506NSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ0506NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0035 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
на замовлення 10706 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+44.83 грн
500+ 35.27 грн
1000+ 24.99 грн
5000+ 24.29 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSZ0506NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 15A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 15 V
на замовлення 71426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.44 грн
10+ 53.18 грн
100+ 41.31 грн
500+ 32.86 грн
1000+ 26.77 грн
2000+ 25.2 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSZ0506NSATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 14516 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+88.04 грн
10+ 76.97 грн
100+ 52.56 грн
500+ 43.44 грн
1000+ 34.32 грн
2500+ 33.34 грн
5000+ 31.37 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSZ0506NSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 27W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 27W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BSZ0506NSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ0506NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0035 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
на замовлення 10706 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+80.24 грн
12+ 62.28 грн
100+ 44.83 грн
500+ 35.27 грн
1000+ 24.99 грн
5000+ 24.29 грн
Мінімальне замовлення: 10
BSZ0506NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 15A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 15 V
на замовлення 65000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+26.56 грн
10000+ 24.4 грн
25000+ 24.35 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ0506NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+23.2 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ0506NSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 27W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 27W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
BSZ050N03LS GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 8982 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+61.25 грн
10+ 53.28 грн
100+ 31.63 грн
500+ 26.45 грн
1000+ 22.44 грн
2500+ 20.41 грн
5000+ 18.83 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSZ050N03LSGInfineon TechnologiesDescription: BSZ050N03 - 12V-300V N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V
товар відсутній
BSZ050N03LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 16A/40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V
на замовлення 4582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.08 грн
10+ 47.17 грн
100+ 32.66 грн
500+ 25.61 грн
1000+ 21.8 грн
2000+ 19.41 грн
Мінімальне замовлення: 6
BSZ050N03LSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 50W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BSZ050N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+16.61 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ050N03LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 16A/40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V
товар відсутній
BSZ050N03LSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+47.7 грн
10+ 40.6 грн
100+ 27.56 грн
500+ 23.69 грн
1000+ 19.1 грн
2500+ 18.7 грн
5000+ 18.18 грн
Мінімальне замовлення: 7
BSZ050N03LSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 50W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
BSZ050N03LSGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ050N03LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0042 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 19100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+53.52 грн
17+ 44.54 грн
100+ 31.51 грн
500+ 25.16 грн
1000+ 18.36 грн
5000+ 18.05 грн
Мінімальне замовлення: 14
BSZ050N03MS GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M
на замовлення 9748 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+61.25 грн
10+ 52.45 грн
100+ 31.56 грн
500+ 26.38 грн
1000+ 20.01 грн
2500+ 19.95 грн
5000+ 18.11 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSZ050N03MSGInfineon TechnologiesDescription: BSZ050N03 - 12V-300V N-CHANNEL P
товар відсутній
BSZ050N03MSGInfineon technologies
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSZ050N03MSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 48W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 48W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
BSZ050N03MSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 15A/40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+20.35 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ050N03MSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 48W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 48W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BSZ050N03MSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 15A/40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 15 V
на замовлення 9673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.08 грн
10+ 47.17 грн
100+ 32.66 грн
500+ 25.61 грн
1000+ 21.8 грн
2000+ 19.41 грн
Мінімальне замовлення: 6
BSZ050N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+16.61 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ0589NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 17A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 15 V
товар відсутній
BSZ0589NSATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 6958 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+77.32 грн
10+ 67.92 грн
100+ 46.07 грн
500+ 38.06 грн
1000+ 30.05 грн
5000+ 28.02 грн
10000+ 25.59 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSZ0589NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 17A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 15 V
на замовлення 5555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.5 грн
10+ 68.56 грн
100+ 53.45 грн
500+ 41.44 грн
1000+ 32.72 грн
2000+ 30.54 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSZ058N03LS GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 157 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+59.79 грн
10+ 48.45 грн
100+ 32.75 грн
500+ 27.76 грн
1000+ 22.64 грн
5000+ 20.08 грн
Мінімальне замовлення: 6
BSZ058N03LSGInfineon technologies
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSZ058N03LSGINFINEON0950+ TSDSON-8
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSZ058N03LSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 48W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 48W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSZ058N03LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 15A/40A 8TSDSON
на замовлення 414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BSZ058N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+18.45 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ058N03LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 15A/40A 8TSDSON
товар відсутній
BSZ058N03LSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 48W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 48W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
BSZ058N03LSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 2989 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+47.01 грн
10+ 46.03 грн
100+ 32.68 грн
500+ 27.69 грн
1000+ 22.57 грн
2500+ 21.72 грн
5000+ 20.28 грн
Мінімальне замовлення: 7
BSZ058N03MS GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M
на замовлення 1159 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
BSZ058N03MS GInfineonQFN
на замовлення 92 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSZ058N03MSGinfineon08+
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSZ058N03MSGInfineon TechnologiesDescription: BSZ058N03 - 12V-300V N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 15 V
на замовлення 11233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
886+24.13 грн
Мінімальне замовлення: 886
BSZ058N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin TSDSON EP T/R
товар відсутній
BSZ058N03MSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 14A/40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 15 V
товар відсутній
BSZ058N03MSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 14A/40A 8TSDSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 15 V
на замовлення 45081 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
959+20.58 грн
Мінімальне замовлення: 959
BSZ058N03MSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 14A/40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 15 V
товар відсутній
BSZ058N03MSGXTInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M
товар відсутній
BSZ0602LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 13A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 40 V
товар відсутній
BSZ0602LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
на замовлення 4411 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+147.76 грн
10+ 130.55 грн
100+ 88.59 грн
500+ 73.5 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSZ0602LSATMA1Infineon TechnologiesSP001589450
товар відсутній
BSZ0602LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 13A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 40 V
товар відсутній
BSZ060NE2LSInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+25.68 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ060NE2LSInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 25V 40A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 44848 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+56.96 грн
10+ 49.58 грн
100+ 29.4 грн
500+ 24.61 грн
1000+ 20.93 грн
2500+ 19.75 грн
5000+ 16.8 грн
Мінімальне замовлення: 6
BSZ060NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+12.79 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ060NE2LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 12A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 12 V
на замовлення 50767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+18.93 грн
10000+ 16.88 грн
25000+ 16.71 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ060NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+17.29 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ060NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R
товар відсутній
BSZ060NE2LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 25V 40A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 71015 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+56.27 грн
10+ 46.86 грн
100+ 27.3 грн
500+ 23.16 грн
1000+ 17.91 грн
2500+ 17.78 грн
5000+ 16.8 грн
Мінімальне замовлення: 6
BSZ060NE2LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 12A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 12 V
на замовлення 54892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+52.53 грн
10+ 43.88 грн
100+ 30.38 грн
500+ 23.82 грн
1000+ 20.27 грн
2000+ 18.06 грн
Мінімальне замовлення: 6
BSZ060NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+15.18 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ063N04LS6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ063N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0051 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0051ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 28529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+40.19 грн
500+ 31.65 грн
1000+ 23.79 грн
2500+ 22.4 грн
5000+ 21.33 грн
10000+ 21.14 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSZ063N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 15A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 20 V
на замовлення 10922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+71.69 грн
10+ 60.77 грн
25+ 54.88 грн
100+ 45.07 грн
250+ 39.55 грн
500+ 34.96 грн
1000+ 27.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSZ063N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 179224 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+58.41 грн
10+ 48.83 грн
100+ 35.96 грн
500+ 33.6 грн
1000+ 28.41 грн
2500+ 27.04 грн
5000+ 24.61 грн
Мінімальне замовлення: 6
BSZ063N04LS6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ063N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0051 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0051ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 28529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+62.87 грн
15+ 51.6 грн
100+ 40.19 грн
500+ 31.65 грн
1000+ 23.79 грн
2500+ 22.4 грн
5000+ 21.33 грн
10000+ 21.14 грн
Мінімальне замовлення: 12
BSZ063N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 15A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+27.08 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ063N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 15A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+23.66 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ065N03LS
Код товару: 148978
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
BSZ065N03LSInfineonQFN
на замовлення 792 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSZ065N03LSInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 4869 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+65.53 грн
10+ 56.83 грн
100+ 33.66 грн
500+ 28.22 грн
1000+ 23.95 грн
2500+ 21.72 грн
5000+ 20.15 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSZ065N03LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R
товар відсутній
BSZ065N03LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R
товар відсутній
BSZ065N03LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ065N03LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0054 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 26W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+37.76 грн
500+ 29.32 грн
Мінімальне замовлення: 150
BSZ065N03LSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 26W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 26W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
BSZ065N03LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 12A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 15 V
на замовлення 26046 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+60.34 грн
10+ 50.31 грн
100+ 34.84 грн
500+ 27.32 грн
1000+ 23.25 грн
2000+ 20.71 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSZ065N03LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+15.85 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ065N03LSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 26W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 26W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSZ065N03LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 2557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+44.29 грн
16+ 37.51 грн
25+ 37.18 грн
100+ 26.03 грн
250+ 23.88 грн
500+ 19.95 грн
1000+ 14.74 грн
Мінімальне замовлення: 13
BSZ065N03LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 297 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+64.08 грн
10+ 55.39 грн
100+ 36.95 грн
500+ 28.74 грн
1000+ 22.18 грн
5000+ 19.82 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSZ065N03LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ065N03LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0054 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 26W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+70.45 грн
13+ 57.86 грн
100+ 37.76 грн
500+ 29.32 грн
Мінімальне замовлення: 11
BSZ065N03LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 12A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 15 V
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+21.71 грн
10000+ 19.36 грн
25000+ 19.16 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ065N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET MV POWER MOS
на замовлення 137043 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+98.76 грн
10+ 78.48 грн
100+ 53.68 грн
500+ 47.38 грн
1000+ 37.73 грн
2500+ 34.91 грн
5000+ 33.27 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSZ065N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 30 V
на замовлення 1755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.31 грн
10+ 69.24 грн
100+ 53.86 грн
500+ 42.84 грн
1000+ 34.9 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSZ065N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+26.03 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ065N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 30 V
товар відсутній
BSZ067N06LS3 GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 20A TSDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 16892 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+101.06 грн
10+ 82.26 грн
100+ 55.38 грн
500+ 46.92 грн
1000+ 38.19 грн
5000+ 33.86 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSZ067N06LS3GInfineon technologies
на замовлення 650 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSZ067N06LS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 14A/20A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 30 V
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+36.78 грн
10000+ 33.79 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ067N06LS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+29.55 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ067N06LS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TSDSON EP T/R
товар відсутній
BSZ067N06LS3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 20A TSDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 9757 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+101.06 грн
10+ 82.26 грн
100+ 55.38 грн
500+ 46.92 грн
1000+ 36.03 грн
2500+ 35.5 грн
5000+ 34.58 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSZ067N06LS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 14A/20A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 30 V
на замовлення 14475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+92.99 грн
10+ 73.62 грн
100+ 57.22 грн
500+ 45.52 грн
1000+ 37.08 грн
2000+ 34.9 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSZ067N06LS3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; 69W; PG-TSDSON-8
Power dissipation: 69W
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 20A
On-state resistance: 6.7mΩ
Case: PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BSZ067N06LS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TSDSON EP T/R
товар відсутній
BSZ067N06LS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ067N06LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.005 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 16028 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+116.31 грн
10+ 95.7 грн
100+ 71.7 грн
500+ 55.09 грн
1000+ 40.26 грн
2500+ 38.87 грн
5000+ 37.42 грн
Мінімальне замовлення: 7
BSZ067N06LS3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; 69W; PG-TSDSON-8
Power dissipation: 69W
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 20A
On-state resistance: 6.7mΩ
Case: PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Technology: OptiMOS™ 3
товар відсутній
BSZ068N06NSInfineon
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSZ068N06NSInfineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
на замовлення 3794 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+86.51 грн
10+ 76.97 грн
100+ 51.78 грн
500+ 42.79 грн
1000+ 37.08 грн
5000+ 31.56 грн
10000+ 28.81 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSZ068N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 63A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+31.21 грн
10000+ 29.95 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ068N06NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 30 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+30.91 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ068N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 63A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+31.29 грн
10000+ 30.03 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ068N06NSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ068N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0056 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 46W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0056ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 11281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+61.03 грн
500+ 46.82 грн
1000+ 33.44 грн
2500+ 32.37 грн
5000+ 31.23 грн
10000+ 28.52 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSZ068N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 63A 8-Pin TSDSON EP T/R
товар відсутній
BSZ068N06NSATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
на замовлення 276 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+91.1 грн
10+ 72.67 грн
100+ 51.97 грн
500+ 45.21 грн
1000+ 33.8 грн
5000+ 31.5 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSZ068N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 63A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 30990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
132+86.84 грн
144+ 79.11 грн
177+ 64.31 грн
200+ 58.01 грн
1000+ 47.58 грн
2000+ 42.6 грн
5000+ 41.53 грн
10000+ 39.96 грн
Мінімальне замовлення: 132
BSZ068N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 63A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+20.67 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ068N06NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 30 V
на замовлення 7792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+78.79 грн
10+ 61.86 грн
100+ 48.09 грн
500+ 38.25 грн
1000+ 31.16 грн
2000+ 29.33 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSZ068N06NSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESBSZ068N06NSATMA1 SMD N channel transistors
товар відсутній
BSZ068N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 63A 8-Pin TSDSON EP T/R
товар відсутній
BSZ068N06NSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ068N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0056 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 46W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0056ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0056ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 11281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+97.91 грн
10+ 81.71 грн
100+ 61.03 грн
500+ 46.82 грн
1000+ 33.44 грн
2500+ 32.37 грн
5000+ 31.23 грн
10000+ 28.52 грн
Мінімальне замовлення: 8
BSZ0702LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 17A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 30 V
товар відсутній
BSZ0702LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
на замовлення 20117 шт:
термін постачання 322-331 дні (днів)
4+91.87 грн
10+ 79.99 грн
100+ 54.4 грн
500+ 45.54 грн
1000+ 35.83 грн
2500+ 34.45 грн
5000+ 33.47 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSZ0702LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 17A 8-Pin TSDSON EP T/R
товар відсутній
BSZ0702LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 17A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 30 V
товар відсутній
BSZ0703LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-26
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 30 V
товар відсутній
BSZ0703LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-26
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 30 V
товар відсутній
BSZ0703LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS
на замовлення 3960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+88.81 грн
10+ 77.73 грн
100+ 53.09 грн
500+ 43.84 грн
1000+ 34.58 грн
2500+ 32.35 грн
5000+ 30.65 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSZ0703LSATMA1Infineon TechnologiesDIFFERENTIATED MOSFETS
товар відсутній
BSZ0703LSATMA1Infineon TechnologiesBSZ0703LSATMA1
товар відсутній
BSZ0704LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
на замовлення 44915 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+63.31 грн
10+ 55.54 грн
100+ 37.01 грн
500+ 29.33 грн
1000+ 23.43 грн
2500+ 21.2 грн
5000+ 19.69 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSZ0704LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 11A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 30 V
на замовлення 13998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+58.21 грн
10+ 49.08 грн
100+ 37.64 грн
500+ 27.93 грн
1000+ 22.34 грн
2000+ 20.25 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSZ0704LSATMA1Infineon TechnologiesSP001614102
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+16.54 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ0704LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 11A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 30 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+20.86 грн
10000+ 19.34 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ070N08LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 40 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+44.9 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ070N08LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+66.05 грн
10+ 60.86 грн
25+ 59.08 грн
100+ 51.82 грн
250+ 47.48 грн
500+ 41.92 грн
1000+ 36.17 грн
3000+ 35.93 грн
Мінімальне замовлення: 9
BSZ070N08LS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ070N08LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 74 A, 0.007 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 74A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+96.43 грн
50+ 73.39 грн
250+ 61.76 грн
1000+ 46.14 грн
Мінімальне замовлення: 8
BSZ070N08LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+33.99 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ070N08LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 6290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
74+153.77 грн
81+ 142.16 грн
100+ 118.95 грн
200+ 109.11 грн
500+ 92.39 грн
1000+ 73.7 грн
2000+ 71.37 грн
5000+ 67.23 грн
Мінімальне замовлення: 74
BSZ070N08LS5ATMA1Infineon
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSZ070N08LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R
товар відсутній
BSZ070N08LS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ070N08LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 74 A, 0.007 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 74A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 69W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0059ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+73.39 грн
250+ 61.76 грн
1000+ 46.14 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSZ070N08LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 40 V
на замовлення 7108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+103.64 грн
10+ 82.78 грн
100+ 65.87 грн
500+ 52.31 грн
1000+ 44.38 грн
2000+ 42.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSZ070N08LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
174+65.54 грн
179+ 63.62 грн
197+ 57.88 грн
250+ 55.22 грн
500+ 47.02 грн
1000+ 38.95 грн
3000+ 38.7 грн
Мінімальне замовлення: 174
BSZ070N08LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+46.66 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ070N08LS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
на замовлення 29448 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+112.54 грн
10+ 92.82 грн
100+ 64.11 грн
250+ 63.46 грн
500+ 53.94 грн
1000+ 43.44 грн
5000+ 42.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSZ075N08NS5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 40A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSZ075N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 40 V
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+43.06 грн
10000+ 40.09 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ075N08NS5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 40A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
BSZ075N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 80V 40A TSDSON-8
на замовлення 17163 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+107.18 грн
10+ 89.05 грн
100+ 62.28 грн
500+ 52.23 грн
1000+ 41.8 грн
2500+ 41.47 грн
5000+ 40.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSZ075N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 40A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+32.92 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ075N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 40 V
на замовлення 61276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+99.38 грн
10+ 79.36 грн
100+ 63.17 грн
500+ 50.16 грн
1000+ 42.56 грн
2000+ 40.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSZ076N06NS3 GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 20A TDSON-8 OptiMOS 3
товар відсутній
BSZ076N06NS3GInfineon TechnologiesDescription: OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 30 V
товар відсутній
BSZ076N06NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 20A 8-Pin TSDSON EP T/R
товар відсутній
BSZ076N06NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 20A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 30 V
товар відсутній
BSZ076N06NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 20A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 30 V
товар відсутній
BSZ0803LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 9A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 50 V
товар відсутній
BSZ0803LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ0803LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.0124 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+72.36 грн
500+ 55.44 грн
1000+ 38.55 грн
2500+ 37.29 грн
5000+ 36.03 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSZ0803LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH >=100V
на замовлення 4953 шт:
термін постачання 301-310 дні (днів)
3+111.01 грн
10+ 96.6 грн
100+ 65.36 грн
500+ 54.53 грн
1000+ 42.59 грн
2500+ 40.88 грн
5000+ 38.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSZ0803LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 9A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 50 V
товар відсутній
BSZ0803LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ0803LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.0124 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+118.52 грн
10+ 96.43 грн
100+ 72.36 грн
500+ 55.44 грн
1000+ 38.55 грн
2500+ 37.29 грн
5000+ 36.03 грн
Мінімальне замовлення: 7
BSZ0803LSATMA1Infineon TechnologiesSP001614108
товар відсутній
BSZ0804LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 11A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 50 V
товар відсутній
BSZ0804LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH >=100V
на замовлення 4884 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+122.49 грн
10+ 108.67 грн
100+ 76.12 грн
500+ 62.28 грн
1000+ 48.04 грн
5000+ 46.26 грн
10000+ 46.2 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSZ0804LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 11A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 50 V
товар відсутній
BSZ0804LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R
товар відсутній
BSZ084N08NS5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; 63W; PG-TSDSON-8
Technology: OptiMOS™ 5
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Power dissipation: 63W
Polarisation: unipolar
Drain current: 40A
Drain-source voltage: 80V
Kind of channel: enhanced
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.4mΩ
товар відсутній
BSZ084N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 40A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+29.93 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ084N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 31µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 40 V
на замовлення 37320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+102.22 грн
10+ 80.32 грн
100+ 62.48 грн
500+ 49.7 грн
1000+ 40.49 грн
2000+ 38.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSZ084N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 31µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 40 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+40.17 грн
10000+ 36.89 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ084N08NS5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; 63W; PG-TSDSON-8
Technology: OptiMOS™ 5
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Power dissipation: 63W
Polarisation: unipolar
Drain current: 40A
Drain-source voltage: 80V
Kind of channel: enhanced
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.4mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BSZ084N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 80V 40A TSDSON-8
на замовлення 21314 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+86.51 грн
10+ 72.3 грн
100+ 50.99 грн
500+ 46 грн
1000+ 37.01 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSZ086P03NS3 GInfineon TechnologiesMOSFET P-Ch -30V 13.5A TSDSON-8 OptiMOS P3
на замовлення 8325 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+61.25 грн
10+ 49.43 грн
100+ 33.47 грн
500+ 28.35 грн
1000+ 23.1 грн
5000+ 20.47 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSZ086P03NS3E GInfineon TechnologiesMOSFET P-Ch -30V 13.5A TSDSON-8 OptiMOS P3
на замовлення 3422 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+65.53 грн
10+ 57.5 грн
100+ 34.06 грн
500+ 28.41 грн
1000+ 24.21 грн
2500+ 21.98 грн
5000+ 20.41 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSZ086P03NS3EGInfineon technologies
на замовлення 409 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSZ086P03NS3EGATMAINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -40A; 69W; PG-TSDSON-8
Technology: OptiMOS™ P3
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Drain current: -40A
Drain-source voltage: -30V
Kind of channel: enhanced
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 8.6mΩ
товар відсутній
BSZ086P03NS3EGATMAINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -40A; 69W; PG-TSDSON-8
Technology: OptiMOS™ P3
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Drain current: -40A
Drain-source voltage: -30V
Kind of channel: enhanced
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 8.6mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BSZ086P03NS3EGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 13.5A 8-Pin TSDSON EP T/R
товар відсутній
BSZ086P03NS3EGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 13.5A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+76.33 грн
Мінімальне замовлення: 150
BSZ086P03NS3EGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 13.5A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 105µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4785 pF @ 15 V
на замовлення 14654 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+61.05 грн
10+ 50.93 грн
100+ 35.27 грн
500+ 27.66 грн
1000+ 23.54 грн
2000+ 20.96 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSZ086P03NS3EGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 13.5A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+33.6 грн
Мінімальне замовлення: 17
BSZ086P03NS3EGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ086P03NS3EGATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0065 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 32831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+38.28 грн
500+ 29.67 грн
1000+ 21.2 грн
5000+ 19.81 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSZ086P03NS3EGATMA1Infineon TechnologiesMOSFET P-Ch -30V 13.5A TSDSON-8 OptiMOS P3
на замовлення 4758 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+65.53 грн
10+ 57.5 грн
100+ 34.06 грн
500+ 28.41 грн
1000+ 24.21 грн
2500+ 21.98 грн
5000+ 20.41 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSZ086P03NS3EGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 13.5A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BSZ086P03NS3EGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 13.5A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+19.83 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ086P03NS3EGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 13.5A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 105µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4785 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+21.98 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ086P03NS3EGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ086P03NS3EGATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0065 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 32831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+72.73 грн
13+ 59.92 грн
100+ 38.28 грн
500+ 29.67 грн
1000+ 21.2 грн
5000+ 19.81 грн
Мінімальне замовлення: 11
BSZ086P03NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 13.5A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 105µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4785 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+22.21 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ086P03NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 13.5A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+28.87 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ086P03NS3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -40A; 52W; PG-TSDSON-8
Technology: OptiMOS™ P3
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Power dissipation: 52W
Polarisation: unipolar
Drain current: -40A
Drain-source voltage: -30V
Kind of channel: enhanced
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 8.6mΩ
товар відсутній
BSZ086P03NS3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFET P-Ch -30V 13.5A TSDSON-8 OptiMOS P3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 418-427 дні (днів)
6+60.56 грн
10+ 48.83 грн
100+ 33.47 грн
500+ 28.35 грн
1000+ 21.72 грн
5000+ 21.66 грн
Мінімальне замовлення: 6
BSZ086P03NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 13.5A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+20.98 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ086P03NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 13.5A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
154+73.99 грн
172+ 66.15 грн
210+ 54.26 грн
224+ 49.14 грн
500+ 40.41 грн
1000+ 32.08 грн
5000+ 28.02 грн
Мінімальне замовлення: 154
BSZ086P03NS3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -40A; 52W; PG-TSDSON-8
Technology: OptiMOS™ P3
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Power dissipation: 52W
Polarisation: unipolar
Drain current: -40A
Drain-source voltage: -30V
Kind of channel: enhanced
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 8.6mΩ
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSZ086P03NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 13.5A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 105µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4785 pF @ 15 V
на замовлення 6059 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.08 грн
10+ 44.43 грн
100+ 34.55 грн
500+ 27.49 грн
1000+ 22.39 грн
2000+ 21.08 грн
Мінімальне замовлення: 6
BSZ086P03NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 13.5A 8-Pin TSDSON EP T/R
товар відсутній
BSZ086P03NS3GXTInfineon TechnologiesMOSFET P-Ch -30V 13.5A TSDSON-8 OptiMOS P3
на замовлення 2539 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+60.56 грн
10+ 49.35 грн
100+ 33.4 грн
500+ 28.28 грн
1000+ 23.03 грн
2500+ 21.66 грн
5000+ 20.61 грн
Мінімальне замовлення: 6
BSZ088N03LS GInfineon
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSZ088N03LS GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 4942 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+61.25 грн
10+ 52.45 грн
100+ 31.63 грн
500+ 26.45 грн
1000+ 20.01 грн
5000+ 18.83 грн
10000+ 18.11 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSZ088N03LS G
Код товару: 177892
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товар відсутній
BSZ088N03LSGInfineon TechnologiesDescription: BSZ088N03 - 12V-300V N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V
товар відсутній
BSZ088N03LSGInfineon technologies
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSZ088N03LSGinfineon08+
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSZ088N03LSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
товар відсутній
BSZ088N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R
товар відсутній
BSZ088N03LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 12A/40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V
на замовлення 7180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.08 грн
10+ 47.17 грн
100+ 32.66 грн
500+ 25.61 грн
1000+ 21.8 грн
2000+ 19.41 грн
Мінімальне замовлення: 6
BSZ088N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R
товар відсутній
BSZ088N03LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 12A/40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+20.35 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ088N03LSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 35W; PG-TSDSON-8
Technology: OptiMOS™ 3
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Power dissipation: 35W
Polarisation: unipolar
Drain current: 40A
Drain-source voltage: 30V
Kind of channel: enhanced
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.8mΩ
товар відсутній
BSZ088N03LSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 35W; PG-TSDSON-8
Technology: OptiMOS™ 3
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Power dissipation: 35W
Polarisation: unipolar
Drain current: 40A
Drain-source voltage: 30V
Kind of channel: enhanced
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.8mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BSZ088N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+16.61 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ088N03MS GInfineonQFN
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSZ088N03MS GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
BSZ088N03MSGInfineon technologies
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSZ088N03MSGInfineon TechnologiesDescription: BSZ088N03 - 12V-300V N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V
товар відсутній
BSZ088N03MSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 11A/40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V
товар відсутній
BSZ088N03MSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 35W; PG-TSDSON-8
Technology: OptiMOS™ 3
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Power dissipation: 35W
Polarisation: unipolar
Drain current: 40A
Drain-source voltage: 30V
Kind of channel: enhanced
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.8mΩ
товар відсутній
BSZ088N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R
товар відсутній
BSZ088N03MSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 11A/40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V
товар відсутній
BSZ088N03MSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 35W; PG-TSDSON-8
Technology: OptiMOS™ 3
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Power dissipation: 35W
Polarisation: unipolar
Drain current: 40A
Drain-source voltage: 30V
Kind of channel: enhanced
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.8mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BSZ0901NSInfineon technologies
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSZ0901NSInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 7741 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+80.39 грн
10+ 65.5 грн
100+ 47.05 грн
500+ 41.54 грн
1000+ 33.34 грн
2500+ 32.48 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSZ0901NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin TSDSON EP T/R
товар відсутній
BSZ0901NSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ0901NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0017 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
на замовлення 4970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+101.59 грн
10+ 78.03 грн
100+ 58.89 грн
500+ 46.82 грн
1000+ 32.24 грн
Мінімальне замовлення: 8
BSZ0901NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 22A/40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 15 V
на замовлення 4698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.44 грн
10+ 76.9 грн
100+ 59.95 грн
500+ 46.47 грн
1000+ 36.69 грн
2000+ 34.24 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSZ0901NSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ0901NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0017 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
на замовлення 4970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+58.89 грн
500+ 46.82 грн
1000+ 32.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSZ0901NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 22A/40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 15 V
товар відсутній
BSZ0901NSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 50W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BSZ0901NSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 50W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
BSZ0901NSIInfineon technologies
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSZ0901NSIInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 3750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+104.89 грн
10+ 84.52 грн
100+ 57.03 грн
500+ 48.36 грн
1000+ 37.08 грн
5000+ 35.3 грн
10000+ 34.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSZ0901NSIATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ0901NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0018 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
на замовлення 4278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+114.84 грн
10+ 86.86 грн
100+ 63.97 грн
500+ 50.38 грн
1000+ 35.65 грн
Мінімальне замовлення: 7
BSZ0901NSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 25A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 20A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 15 V
на замовлення 5318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+95.12 грн
10+ 75.19 грн
100+ 58.46 грн
500+ 46.51 грн
1000+ 37.88 грн
2000+ 35.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSZ0901NSIATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
BSZ0901NSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+29.17 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ0901NSIATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ0901NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0018 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
на замовлення 4278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+63.97 грн
500+ 50.38 грн
1000+ 35.65 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSZ0901NSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 25A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 20A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+37.58 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ0901NSIATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BSZ0902NSInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 16526 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+57.65 грн
10+ 49.51 грн
100+ 37.34 грн
500+ 33.99 грн
1000+ 26.84 грн
2500+ 26.77 грн
5000+ 25.26 грн
Мінімальне замовлення: 6
BSZ0902NSInfineon technologies
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSZ0902NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 4017 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+83.59 грн
10+ 71.13 грн
25+ 68.27 грн
100+ 55.32 грн
250+ 47.92 грн
500+ 41.44 грн
1000+ 36.54 грн
3000+ 34.7 грн
Мінімальне замовлення: 7
BSZ0902NSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ0902NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0022 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
на замовлення 9115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+51.97 грн
18+ 42.84 грн
100+ 32.39 грн
500+ 27.62 грн
1000+ 20.63 грн
Мінімальне замовлення: 15
BSZ0902NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 19A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V
на замовлення 95000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+27.18 грн
10000+ 24.97 грн
25000+ 24.92 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ0902NSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 48W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 48W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSZ0902NSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 48W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 48W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
BSZ0902NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+21.28 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ0902NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R
товар відсутній
BSZ0902NSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ0902NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0022 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
на замовлення 9115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+32.39 грн
500+ 27.62 грн
1000+ 20.63 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSZ0902NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 19A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V
на замовлення 99855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.86 грн
10+ 54.34 грн
100+ 42.29 грн
500+ 33.63 грн
1000+ 27.4 грн
2000+ 25.79 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSZ0902NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 4017 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
149+76.6 грн
155+ 73.52 грн
185+ 61.78 грн
250+ 55.73 грн
500+ 46.49 грн
1000+ 39.35 грн
3000+ 37.37 грн
Мінімальне замовлення: 149
BSZ0902NSIInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 11458 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+84.21 грн
10+ 67.92 грн
100+ 46 грн
500+ 38.98 грн
1000+ 31.76 грн
2500+ 29.92 грн
5000+ 28.41 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSZ0902NSI
Код товару: 153067
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
BSZ0902NSIInfineon technologies
на замовлення 6349 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSZ0902NSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R
товар відсутній
BSZ0902NSIATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ0902NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0023 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
на замовлення 3478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+51.6 грн
500+ 40.6 грн
1000+ 28.77 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSZ0902NSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 21A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
товар відсутній
BSZ0902NSIATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 48W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 48W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSZ0902NSIATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 4677 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+84.21 грн
10+ 65.43 грн
100+ 46 грн
500+ 38.98 грн
1000+ 30.25 грн
2500+ 29.92 грн
5000+ 28.41 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSZ0902NSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+36.14 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ0902NSIATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ0902NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0023 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
на замовлення 3478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+92.02 грн
11+ 68.53 грн
100+ 51.6 грн
500+ 40.6 грн
1000+ 28.77 грн
Мінімальне замовлення: 8
BSZ0902NSIATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 48W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 48W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
BSZ0902NSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R
товар відсутній
BSZ0902NSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+26.41 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ0902NSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 21A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
товар відсутній
BSZ0904NSIInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 4860 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+67.68 грн
10+ 55.09 грн
100+ 37.27 грн
500+ 31.63 грн
1000+ 25.72 грн
2500+ 24.21 грн
5000+ 23.1 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSZ0904NSIInfineon technologies
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSZ0904NSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 18A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1463 pF @ 15 V
на замовлення 14986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.18 грн
10+ 49.63 грн
100+ 38.61 грн
500+ 30.71 грн
1000+ 25.02 грн
2000+ 23.55 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSZ0904NSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R
товар відсутній
BSZ0904NSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+37.92 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ0904NSIATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ0904NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0033 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
на замовлення 4202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+41 грн
500+ 32.95 грн
1000+ 23.28 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSZ0904NSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+16.38 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ0904NSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 18A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1463 pF @ 15 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+24.82 грн
10000+ 22.8 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ0904NSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R
товар відсутній
BSZ0904NSIATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 16484 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+68.37 грн
10+ 52.6 грн
100+ 36.55 грн
500+ 31.7 грн
1000+ 24.28 грн
5000+ 23.1 грн
10000+ 22.84 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSZ0904NSIATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ0904NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0033 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
на замовлення 4202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+74.35 грн
14+ 54.92 грн
100+ 41 грн
500+ 32.95 грн
1000+ 23.28 грн
Мінімальне замовлення: 10
BSZ0904NSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+18.31 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ0905PNSATMA1Infineon TechnologiesAMPMODU (BREAK AWAY)
товар відсутній
BSZ0905PNSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 40A TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 105µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3190 pF @ 15 V
товар відсутній
BSZ0905PNSATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 5260 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+83.45 грн
10+ 65.88 грн
100+ 45.41 грн
500+ 42.39 грн
5000+ 36.03 грн
10000+ 27.56 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSZ0905PNSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 40A TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 105µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3190 pF @ 15 V
товар відсутній
BSZ0907NDXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 11.1A/13.8A 8-Pin WISON EP T/R
товар відсутній
BSZ0909LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ0909LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0023 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: -mW
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+38.57 грн
22+ 33.79 грн
100+ 27.97 грн
500+ 23.31 грн
1000+ 19.88 грн
5000+ 18.55 грн
Мінімальне замовлення: 20
BSZ0909LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 19A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.18 грн
10+ 53.59 грн
100+ 41.09 грн
500+ 30.48 грн
1000+ 24.39 грн
2000+ 22.1 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSZ0909LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ0909LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0023 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: -mW
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+27.97 грн
500+ 23.31 грн
1000+ 19.88 грн
5000+ 18.55 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSZ0909LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 19A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+21.73 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ0909NDXTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 20A WISON-8
товар відсутній
BSZ0909NDXTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 20A WISON-8
товар відсутній
BSZ0909NDXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 8.1A 8-Pin WISON EP T/R
на замовлення 361 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+29.89 грн
20+ 29.53 грн
25+ 29.19 грн
100+ 26.5 грн
250+ 24.29 грн
Мінімальне замовлення: 19
BSZ0909NDXTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2 N-CH 30V 20A WISON-8
товар відсутній
BSZ0909NDXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 8.1A 8-Pin WISON EP T/R
товар відсутній
BSZ0909NDXTMA1Infineon TechnologiesMOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS
на замовлення 276 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+117.13 грн
10+ 104.14 грн
100+ 70.87 грн
500+ 58.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSZ0909NSInfineon technologies
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSZ0909NSInfineonQFN
на замовлення 217 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSZ0909NSInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 36A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 2667 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+56.12 грн
10+ 48.9 грн
100+ 32.55 грн
500+ 25.79 грн
1000+ 18.7 грн
5000+ 17.39 грн
10000+ 17 грн
Мінімальне замовлення: 6
BSZ0909NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 34V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+13.24 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ0909NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 34V 9A/36A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 34 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 15 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15
на замовлення 42043 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.46 грн
10+ 33.77 грн
100+ 23.38 грн
500+ 18.33 грн
1000+ 15.6 грн
2000+ 13.89 грн
Мінімальне замовлення: 8
BSZ0909NSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESBSZ0909NSATMA1 SMD N channel transistors
товар відсутній
BSZ0909NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 34V 9A/36A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 34 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 15 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+14.57 грн
10000+ 12.99 грн
25000+ 12.86 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ0910LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 18A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+13.54 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ0910LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 4910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+17.78 грн
33+ 17.33 грн
100+ 15.02 грн
250+ 13.77 грн
500+ 12.77 грн
1000+ 12.31 грн
3000+ 11.84 грн
Мінімальне замовлення: 32
BSZ0910LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 6867 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+45.32 грн
10+ 39.39 грн
100+ 26.25 грн
500+ 20.8 грн
1000+ 15.03 грн
5000+ 13.98 грн
10000+ 13.45 грн
Мінімальне замовлення: 7
BSZ0910LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ0910LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0036 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
на замовлення 4743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+39.97 грн
22+ 34.08 грн
100+ 22.31 грн
500+ 17.84 грн
1000+ 12.75 грн
Мінімальне замовлення: 19
BSZ0910LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 4910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
609+18.71 грн
675+ 16.86 грн
682+ 16.69 грн
707+ 15.52 грн
1000+ 13.83 грн
3000+ 12.76 грн
Мінімальне замовлення: 609
BSZ0910LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 18A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V
на замовлення 14362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+37.62 грн
10+ 31.38 грн
100+ 21.72 грн
500+ 17.03 грн
1000+ 14.5 грн
2000+ 12.91 грн
Мінімальне замовлення: 8
BSZ0910LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+14.18 грн
10000+ 13.28 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ0910LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ0910LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0036 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
на замовлення 4743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+22.31 грн
500+ 17.84 грн
1000+ 12.75 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSZ0910LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R
товар відсутній
BSZ0910LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+15.52 грн
10000+ 14.46 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ0910NDXTMA1Infineon TechnologiesDescription: DIFFERENTIATED MOSFETS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W (Ta), 31W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 25A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-WISON-8
Part Status: Obsolete
товар відсутній
BSZ0910NDXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 11.1A 8-Pin WISON EP T/R
товар відсутній
BSZ0910NDXTMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 4791 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
BSZ0910NDXTMA1Infineon TechnologiesDescription: DIFFERENTIATED MOSFETS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W (Ta), 31W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 25A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-WISON-8
Part Status: Obsolete
товар відсутній
BSZ0911LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 12A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 15 V
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+12.86 грн
10000+ 11.5 грн
25000+ 11.24 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ0911LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ0911LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0055 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: -mW
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+23.92 грн
500+ 18.32 грн
1000+ 12.24 грн
5000+ 11.61 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSZ0911LSATMA1Infineon TechnologiesSP005424280
товар відсутній
BSZ0911LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 13215 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+46.09 грн
10+ 39.17 грн
100+ 25.46 грн
500+ 20.01 грн
1000+ 14.11 грн
5000+ 13.12 грн
10000+ 12.21 грн
Мінімальне замовлення: 7
BSZ0911LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 12A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 15 V
на замовлення 29980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.46 грн
10+ 33.08 грн
100+ 23 грн
500+ 16.85 грн
1000+ 13.7 грн
2000+ 12.25 грн
Мінімальне замовлення: 8
BSZ0911LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ0911LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0055 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: -mW
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+48.66 грн
21+ 35.26 грн
100+ 23.92 грн
500+ 18.32 грн
1000+ 12.24 грн
5000+ 11.61 грн
Мінімальне замовлення: 16
BSZ0945NDXTMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
товар відсутній
BSZ0945NDXTMA1Infineon TechnologiesBSZ0945NDXTMA1
товар відсутній
BSZ096N10LS5Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH >=100V
товар відсутній
BSZ096N10LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
86+133.46 грн
95+ 120.89 грн
116+ 98.65 грн
200+ 89.25 грн
1000+ 73.22 грн
2000+ 65.57 грн
Мінімальне замовлення: 86
BSZ096N10LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 20A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+50.84 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ096N10LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+38.82 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ096N10LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R
товар відсутній
BSZ096N10LS5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 39A; Idm: 160A; 69W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 39A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TSDSON-8FL
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSZ096N10LS5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 39A; Idm: 160A; 69W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 39A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TSDSON-8FL
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
BSZ096N10LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+61.69 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ096N10LS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH >=100V
на замовлення 38058 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+128.62 грн
10+ 98.86 грн
100+ 73.5 грн
250+ 70.87 грн
500+ 61.62 грн
1000+ 49.74 грн
2500+ 49.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSZ096N10LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 20A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 50 V
на замовлення 10669 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.13 грн
10+ 93.72 грн
100+ 74.58 грн
500+ 59.22 грн
1000+ 50.25 грн
2000+ 47.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSZ096N10LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R
товар відсутній
BSZ097N04LS GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 203864 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+66.91 грн
10+ 58.18 грн
100+ 34.45 грн
500+ 28.81 грн
1000+ 24.54 грн
2500+ 22.25 грн
5000+ 20.61 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSZ097N04LS GInfineon
на замовлення 4970 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSZ097N04LSGATMA1
Код товару: 170565
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
BSZ097N04LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 12A/40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+22.22 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ097N04LSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 35W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Power dissipation: 35W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4975 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+70.23 грн
7+ 40.29 грн
25+ 34.29 грн
34+ 28.22 грн
93+ 26.66 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSZ097N04LSGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ097N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0081 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 35W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0081ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0081ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 12739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+75.82 грн
12+ 63.97 грн
100+ 46.08 грн
500+ 35.34 грн
1000+ 25.24 грн
2500+ 24.36 грн
5000+ 23.54 грн
10000+ 23.09 грн
Мінімальне замовлення: 10
BSZ097N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 3596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+50.16 грн
14+ 42.77 грн
25+ 42.6 грн
100+ 30.2 грн
250+ 27.69 грн
500+ 22.74 грн
1000+ 20.12 грн
3000+ 18.91 грн
Мінімальне замовлення: 12
BSZ097N04LSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 38846 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+66.91 грн
10+ 57.28 грн
100+ 34.25 грн
500+ 28.81 грн
1000+ 21.66 грн
2500+ 21.39 грн
5000+ 20.61 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSZ097N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+19.6 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ097N04LSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 35W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Power dissipation: 35W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
на замовлення 4975 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+58.52 грн
11+ 32.33 грн
25+ 28.57 грн
34+ 23.51 грн
93+ 22.22 грн
Мінімальне замовлення: 7
BSZ097N04LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 12A/40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 20 V
на замовлення 8312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+61.76 грн
10+ 51.47 грн
100+ 35.65 грн
500+ 27.96 грн
1000+ 23.8 грн
2000+ 21.19 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSZ097N10NS5Infineon technologies
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSZ097N10NS5Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 100V 40A TSDSON-8
на замовлення 24826 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+127.85 грн
10+ 104.9 грн
100+ 72.84 грн
250+ 66.93 грн
500+ 61.03 грн
1000+ 52.23 грн
2500+ 49.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSZ097N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 8A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 50 V
на замовлення 19672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+118.55 грн
10+ 94.67 грн
100+ 75.35 грн
500+ 59.83 грн
1000+ 50.77 грн
2000+ 48.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSZ097N10NS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ097N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.0083 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0083ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 13869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+145.76 грн
10+ 117.78 грн
100+ 92.75 грн
500+ 71.09 грн
1000+ 50.29 грн
2500+ 49.41 грн
5000+ 48.4 грн
Мінімальне замовлення: 6
BSZ097N10NS5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSZ097N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 11A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 85000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+38.82 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ097N10NS5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
BSZ097N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 8A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 50 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+51.36 грн
10000+ 47.82 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ097N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesN-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 40; Ciss, пФ @ Uds, В = 2080 @ 50; Qg, нКл = 28; Rds = 9.7 мОм; Ugs(th) = 2,2 В; Р, Вт = 69 @ 25°C; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = SMD; TSDSON-8
на замовлення 4 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
4+156 грн
10+ 128.45 грн
100+ 119.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSZ097N10NS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ097N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.0083 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0083ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 13869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+92.75 грн
500+ 71.09 грн
1000+ 50.29 грн
2500+ 49.41 грн
5000+ 48.4 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSZ097N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 100V 40A TSDSON-8
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+128.62 грн
10+ 104.9 грн
100+ 73.5 грн
250+ 72.84 грн
500+ 61.62 грн
1000+ 49.28 грн
5000+ 48.1 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSZ0994NSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; 2.1W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13A
Power dissipation: 2.1W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.2nC
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
BSZ0994NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R
товар відсутній
BSZ0994NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 13A 8TSDSON-25
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-25
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+61.76 грн
10+ 51.47 грн
100+ 35.67 грн
500+ 27.97 грн
1000+ 23.81 грн
2000+ 21.2 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSZ0994NSATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 4670 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+66.91 грн
10+ 57.28 грн
100+ 34.45 грн
500+ 28.81 грн
1000+ 21.85 грн
2500+ 21.79 грн
5000+ 20.61 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSZ0994NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 13A 8TSDSON-25
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-25
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+22.23 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ0994NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R
товар відсутній
BSZ0994NSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; 2.1W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13A
Power dissipation: 2.1W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.2nC
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
BSZ099N06LS5Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
товар відсутній
BSZ099N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+20.13 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ099N06LS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ099N06LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0083 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 36W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0083ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0083ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 167930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+41.81 грн
500+ 32.81 грн
1000+ 23.28 грн
5000+ 22.08 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSZ099N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+21.86 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ099N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+24.34 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ099N06LS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ099N06LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0083 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0083ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 167930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+75.09 грн
13+ 58.45 грн
100+ 41.81 грн
500+ 32.81 грн
1000+ 23.28 грн
5000+ 22.08 грн
Мінімальне замовлення: 10
BSZ099N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R
товар відсутній
BSZ099N06LS5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 29A; 36W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 29A
Power dissipation: 36W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.9nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSZ099N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 46A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 20A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 30 V
на замовлення 24381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+60.34 грн
10+ 47.58 грн
100+ 37 грн
500+ 29.44 грн
1000+ 23.98 грн
2000+ 22.57 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSZ099N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 12950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
198+57.54 грн
233+ 48.94 грн
272+ 41.88 грн
287+ 38.33 грн
500+ 33.16 грн
1000+ 29.93 грн
5000+ 26.28 грн
10000+ 24.71 грн
Мінімальне замовлення: 198
BSZ099N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
на замовлення 54496 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+65.53 грн
10+ 51.24 грн
100+ 35.3 грн
500+ 30.32 грн
1000+ 23.3 грн
5000+ 22.11 грн
10000+ 21.92 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSZ099N06LS5ATMA1
Код товару: 165964
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товар відсутній
BSZ099N06LS5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 29A; 36W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 29A
Power dissipation: 36W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.9nC
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
BSZ099N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 46A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 20A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 30 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+23.79 грн
10000+ 21.85 грн
Мінімальне замовлення: 5000
Bsz100HBEFuse: time-lag; glass type; current: 100mA; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: BK1/S506-100-R; 0218.100MXP; 179120.0,1; 0034.3107 Fuse: time-lag; 100mA Bsz100
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+2.65 грн
Мінімальне замовлення: 500
BSZ100N03LSINFINEONQFN
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSZ100N03LS GInfineonQFN
на замовлення 365 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSZ100N03LS GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 3551 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+54.82 грн
10+ 47.84 грн
100+ 28.35 грн
500+ 23.76 грн
1000+ 20.21 грн
2500+ 18.31 грн
5000+ 17 грн
Мінімальне замовлення: 6
BSZ100N03LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 12A/40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
товар відсутній
BSZ100N03LSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 36A; 30W; PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 36A
On-state resistance: 10mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 30W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
товар відсутній
BSZ100N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+14.24 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ100N03LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 12A/40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
на замовлення 4186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+51.11 грн
10+ 42.45 грн
100+ 29.39 грн
500+ 23.05 грн
1000+ 19.61 грн
2000+ 17.47 грн
Мінімальне замовлення: 6
BSZ100N03LSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 36A; 30W; PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 36A
On-state resistance: 10mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 30W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BSZ100N03MS GInfineonQFN
на замовлення 91 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSZ100N03MS GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+58.41 грн
10+ 50.64 грн
100+ 30.05 грн
500+ 25.07 грн
1000+ 21.39 грн
2500+ 21.2 грн
5000+ 17.98 грн
Мінімальне замовлення: 6
BSZ100N03MSGInfineon technologies
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSZ100N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+15.85 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ100N03MSGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ100N03MSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0091 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0091ohm
на замовлення 9893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+32.76 грн
500+ 25.57 грн
1000+ 17.98 грн
5000+ 17.23 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSZ100N03MSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 10A/40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+19.34 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ100N03MSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M
на замовлення 14179 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+55.51 грн
10+ 48.07 грн
100+ 29.2 грн
500+ 24.54 грн
1000+ 19.03 грн
2500+ 18.7 грн
5000+ 17.91 грн
Мінімальне замовлення: 6
BSZ100N03MSGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ100N03MSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0091 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0091ohm
на замовлення 9893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+61.03 грн
15+ 51.31 грн
100+ 32.76 грн
500+ 25.57 грн
1000+ 17.98 грн
5000+ 17.23 грн
Мінімальне замовлення: 13
BSZ100N03MSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; 30W; PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 39A
On-state resistance: 10mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 30W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BSZ100N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R
товар відсутній
BSZ100N03MSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; 30W; PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 39A
On-state resistance: 10mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 30W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
товар відсутній
BSZ100N03MSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 10A/40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V
на замовлення 9997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.95 грн
10+ 44.84 грн
100+ 31.04 грн
500+ 24.34 грн
1000+ 20.71 грн
2000+ 18.45 грн
Мінімальне замовлення: 6
BSZ100N06LS3 GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 20A TSDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 9716 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+78.09 грн
10+ 63.84 грн
100+ 43.18 грн
500+ 36.62 грн
1000+ 29.86 грн
2500+ 28.09 грн
5000+ 26.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSZ100N06LS3 GInfineon TechnologiesN-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 11 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 3500 @ 30; Qg, нКл = 45 @ 10 В; Rds = 10 мОм @ 20 A, 10 В; Ugs(th) = 2,2 В @ 23 мкА; Р, Вт = 2,1 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; Id2 = 20 A; Ptot2, Вт = 50; PG-TSDSON-8
на замовлення 2617 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
24+26.47 грн
26+ 24.69 грн
100+ 22.93 грн
Мінімальне замовлення: 24
BSZ100N06LS3GInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
185+61.68 грн
250+ 59.21 грн
500+ 57.07 грн
1000+ 53.24 грн
2500+ 47.84 грн
5000+ 44.69 грн
Мінімальне замовлення: 185
BSZ100N06LS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+28.87 грн
10000+ 23.49 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ100N06LS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 11A/20A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 30 V
на замовлення 99398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+72.4 грн
10+ 57.49 грн
100+ 44.73 грн
500+ 35.58 грн
1000+ 28.98 грн
2000+ 27.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSZ100N06LS3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; 50W; PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 20A
On-state resistance: 10mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
товар відсутній
BSZ100N06LS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 11A/20A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 30 V
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+28.75 грн
10000+ 26.41 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ100N06LS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+33.03 грн
10000+ 30.66 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ100N06LS3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 20A TSDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 15841 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+78.86 грн
10+ 63.92 грн
100+ 43.24 грн
500+ 36.68 грн
1000+ 28.15 грн
5000+ 26.71 грн
10000+ 26.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSZ100N06LS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R
товар відсутній
BSZ100N06LS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ100N06LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.008 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 154908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+89.07 грн
11+ 69.64 грн
100+ 50.35 грн
500+ 39.65 грн
1000+ 28.08 грн
5000+ 26.69 грн
Мінімальне замовлення: 9
BSZ100N06LS3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; 50W; PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 20A
On-state resistance: 10mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSZ100N06NSInfineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
на замовлення 20877 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+59.79 грн
10+ 48.37 грн
100+ 32.75 грн
500+ 27.76 грн
1000+ 22.64 грн
5000+ 20.08 грн
Мінімальне замовлення: 6
BSZ100N06NSInfineon technologies
на замовлення 3650 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSZ100N06NSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 40A; 36W; PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 40A
On-state resistance: 10mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 36W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSZ100N06NSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 40A; 36W; PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 40A
On-state resistance: 10mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 36W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
товар відсутній
BSZ100N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R
товар відсутній
BSZ100N06NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1075 pF @ 30 V
на замовлення 28942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.37 грн
10+ 43.47 грн
100+ 33.84 грн
500+ 26.92 грн
1000+ 21.93 грн
2000+ 20.65 грн
Мінімальне замовлення: 6
BSZ100N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R
товар відсутній
BSZ100N06NSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ100N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0085 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 36W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0085ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 8149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+74.35 грн
12+ 61.62 грн
100+ 44.32 грн
500+ 34.38 грн
1000+ 23.79 грн
5000+ 23.28 грн
Мінімальне замовлення: 10
BSZ100N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 52235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
265+42.94 грн
310+ 36.75 грн
327+ 34.82 грн
500+ 31.43 грн
1000+ 27.29 грн
5000+ 23.04 грн
10000+ 21.64 грн
20000+ 21.55 грн
Мінімальне замовлення: 265
BSZ100N06NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1075 pF @ 30 V
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+21.76 грн
10000+ 19.98 грн
25000+ 19.95 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ100N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R
товар відсутній
BSZ100N06NSATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
на замовлення 62253 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+59.79 грн
10+ 45.66 грн
100+ 32.09 грн
500+ 27.76 грн
1000+ 21.33 грн
2500+ 21.26 грн
5000+ 20.08 грн
Мінімальне замовлення: 6
BSZ100N06NSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ100N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0085 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 36W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 8149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+44.32 грн
500+ 34.38 грн
1000+ 23.79 грн
5000+ 23.28 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSZ105N04NS GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 4338 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
BSZ105N04NS GInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R
товар відсутній
BSZ105N04NSGInfineon TechnologiesDescription: OPTLMOS POWER-MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 20 V
товар відсутній
BSZ105N04NSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 11A/40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 20 V
товар відсутній
BSZ105N04NSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 11A/40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 20 V
товар відсутній
BSZ105N04NSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 29A; 35W; PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 29A
On-state resistance: 10.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 35W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 13nC
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BSZ105N04NSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 29A; 35W; PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 29A
On-state resistance: 10.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 35W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 13nC
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
товар відсутній
BSZ110N06NS3 GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 20A TSDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+60.56 грн
10+ 49.35 грн
100+ 33.4 грн
500+ 28.28 грн
1000+ 21.72 грн
2500+ 21.66 грн
5000+ 20.61 грн
Мінімальне замовлення: 6
BSZ110N06NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 20A 8-Pin TSDSON EP T/R
товар відсутній
BSZ110N06NS3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; Idm: 80A; 50W; PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 20A
On-state resistance: 11mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 80A
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSZ110N06NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 20A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 30 V
на замовлення 11585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.08 грн
10+ 44.43 грн
100+ 34.55 грн
500+ 27.49 грн
1000+ 22.39 грн
2000+ 21.08 грн
Мінімальне замовлення: 6
BSZ110N06NS3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; Idm: 80A; 50W; PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 20A
On-state resistance: 11mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 80A
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
товар відсутній
BSZ110N06NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 20A 8-Pin TSDSON EP T/R
товар відсутній
BSZ110N06NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ110N06NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.009 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 50
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 9684 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+71.18 грн
13+ 60.14 грн
100+ 43.21 грн
500+ 33.08 грн
1000+ 24.17 грн
5000+ 23.66 грн
Мінімальне замовлення: 11
BSZ110N06NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 20A 8-Pin TSDSON EP T/R
товар відсутній
BSZ110N06NS3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
товар відсутній
BSZ110N06NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 20A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 30 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+22.21 грн
10000+ 20.4 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ110N08NS5Infineon
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSZ110N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 40A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R
товар відсутній
BSZ110N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 80V 40A TSDSON-8
на замовлення 4704 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+79.62 грн
10+ 64.22 грн
100+ 44.23 грн
500+ 37.8 грн
1000+ 29.27 грн
2500+ 28.41 грн
5000+ 26.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSZ110N08NS5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; 50W; PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 40A
On-state resistance: 11mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BSZ110N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 22µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 40 V
на замовлення 56681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+72.4 грн
10+ 57.49 грн
100+ 44.71 грн
500+ 35.57 грн
1000+ 28.97 грн
2000+ 27.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSZ110N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 22µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 40 V
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+28.75 грн
10000+ 26.4 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ110N08NS5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; 50W; PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 40A
On-state resistance: 11mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
товар відсутній
BSZ115N03MSCGATMA1Infineon TechnologiesOld Part BSZ115N03MSCGXT^INFINEON
товар відсутній
BSZ120P03NS3 GInfineon TechnologiesMOSFET P-Ch -30V -40A TSDSON-8 OptiMOS P3
на замовлення 14791 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+60.56 грн
10+ 53.43 грн
100+ 31.7 грн
500+ 26.45 грн
1000+ 22.51 грн
2500+ 21.33 грн
5000+ 18.18 грн
Мінімальне замовлення: 6
BSZ120P03NS3 GInfineon
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSZ120P03NS3E GInfineon TechnologiesMOSFET P-Ch -30V -40A TSDSON-8 OptiMOS P3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
BSZ120P03NS3EGInfineon technologies
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSZ120P03NS3EGATMA1Infineon TechnologiesMOSFET P-Ch -30V -40A TSDSON-8 OptiMOS P3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
BSZ120P03NS3EGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 11A/40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 73µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3360 pF @ 15 V
товар відсутній
BSZ120P03NS3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -40A; 52W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -40A
Power dissipation: 52W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSZ120P03NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ120P03NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 40 A, 0.009 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+70.01 грн
13+ 59.04 грн
100+ 37.03 грн
500+ 28.71 грн
1000+ 20.44 грн
Мінімальне замовлення: 11
BSZ120P03NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R
товар відсутній
BSZ120P03NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 11A/40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 73µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3360 pF @ 15 V
на замовлення 19962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+56.79 грн
10+ 47.37 грн
100+ 32.78 грн
500+ 25.7 грн
1000+ 21.87 грн
2000+ 19.48 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSZ120P03NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+15.31 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ120P03NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+21.55 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ120P03NS3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -40A; 52W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -40A
Power dissipation: 52W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
BSZ120P03NS3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFET P-Ch -30V -40A TSDSON-8 OptiMOS P3
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+57.65 грн
10+ 48.9 грн
100+ 31.7 грн
500+ 26.45 грн
1000+ 20.08 грн
2500+ 20.01 грн
5000+ 18.9 грн
Мінімальне замовлення: 6
BSZ120P03NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 11A/40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 73µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3360 pF @ 15 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+20.42 грн
10000+ 18.21 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ120P03NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ120P03NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 40 A, 0.009 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+37.03 грн
500+ 28.71 грн
1000+ 20.44 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSZ120P03NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
208+54.93 грн
244+ 46.81 грн
285+ 40.04 грн
300+ 36.65 грн
500+ 31.69 грн
1000+ 28.6 грн
5000+ 25.12 грн
10000+ 23.63 грн
Мінімальне замовлення: 208
BSZ120P03NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+22.09 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ123N08NS3 GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 80V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 32012 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+107.18 грн
10+ 87.54 грн
100+ 58.93 грн
500+ 50 грн
1000+ 40.69 грн
5000+ 36.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSZ123N08NS3 GInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 10A Automotive 8-Pin TSDSON EP
на замовлення 4432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
67+171.48 грн
69+ 164.95 грн
100+ 159.35 грн
250+ 149 грн
500+ 134.21 грн
1000+ 125.69 грн
2500+ 122.91 грн
Мінімальне замовлення: 67
BSZ123N08NS3 GInfineon
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSZ123N08NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 10A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R
товар відсутній
BSZ123N08NS3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESBSZ123N08NS3GATMA1 SMD N channel transistors
товар відсутній
BSZ123N08NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ123N08NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 0.0103 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 66
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8
euEccn: NLR
Verlustleistung: 66
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0103
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 4225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+125.14 грн
10+ 101.59 грн
100+ 75.82 грн
500+ 58.38 грн
1000+ 42.59 грн
Мінімальне замовлення: 6
BSZ123N08NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 10A/40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 40 V
товар відсутній
BSZ123N08NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 10A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R
товар відсутній
BSZ123N08NS3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 80V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 28346 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+107.95 грн
10+ 87.54 грн
100+ 58.86 грн
500+ 49.94 грн
1000+ 38.32 грн
2500+ 38.26 грн
5000+ 36.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSZ123N08NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 10A/40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 40 V
товар відсутній
BSZ123N08NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 10A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+30.55 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ12DN20NS3 GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 200V 11.3A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 10256 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+106.42 грн
10+ 86.03 грн
100+ 58.47 грн
500+ 49.48 грн
1000+ 40.36 грн
2500+ 37.93 грн
5000+ 36.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSZ12DN20NS3GInfineon TechnologiesDescription: BSZ12DN20 - 12V-300V N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V
товар відсутній
BSZ12DN20NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V
на замовлення 3883 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.45 грн
10+ 95.63 грн
100+ 74.57 грн
500+ 57.81 грн
1000+ 45.64 грн
2000+ 42.6 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSZ12DN20NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 11.3A 8-Pin TSDSON EP T/R
товар відсутній
BSZ12DN20NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 11.3A 8-Pin TSDSON EP T/R
товар відсутній
BSZ12DN20NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V
товар відсутній
BSZ12DN20NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 11.3A 8-Pin TSDSON EP T/R
товар відсутній
BSZ12DN20NS3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESBSZ12DN20NS3GATMA1 SMD N channel transistors
товар відсутній
BSZ130N03LS GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 35A TSDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 518 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+51.98 грн
10+ 44.6 грн
100+ 26.84 грн
500+ 22.38 грн
1000+ 17 грн
5000+ 16.08 грн
Мінімальне замовлення: 6
BSZ130N03LSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 28A; 25W; PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 28A
On-state resistance: 13mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 25W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
товар відсутній
BSZ130N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R
товар відсутній
BSZ130N03LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 10A/35A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970 pF @ 15 V
на замовлення 28879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+47.56 грн
10+ 40.06 грн
100+ 27.73 грн
500+ 21.74 грн
1000+ 18.5 грн
2000+ 16.48 грн
Мінімальне замовлення: 6
BSZ130N03LSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 28A; 25W; PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 28A
On-state resistance: 13mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 25W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BSZ130N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+14.09 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ130N03LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 10A/35A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970 pF @ 15 V
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+17.28 грн
10000+ 15.4 грн
25000+ 15.25 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ130N03LSGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ130N03LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 35 A, 0.0108 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+57.2 грн
16+ 47.78 грн
100+ 30.11 грн
Мінімальне замовлення: 13
BSZ130N03MS GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 35A TSDSON-8 OptiMOS 3M
на замовлення 4985 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+47.01 грн
10+ 40.6 грн
100+ 26.31 грн
500+ 21.85 грн
1000+ 17.32 грн
2500+ 16.47 грн
5000+ 16.14 грн
Мінімальне замовлення: 7
BSZ130N03MSGInfineon technologies
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSZ130N03MSGInfineon TechnologiesDescription: BSZ130N03 - 12V-300V N-CHANNEL P
товар відсутній
BSZ130N03MSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 9A/35A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V
на замовлення 16290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+48.98 грн
10+ 40.54 грн
100+ 28.04 грн
500+ 21.99 грн
1000+ 18.71 грн
2000+ 16.66 грн
Мінімальне замовлення: 6
BSZ130N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+14.39 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ130N03MSGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ130N03MSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 35 A, 0.0092 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0092ohm
на замовлення 3129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+51.75 грн
17+ 43.65 грн
100+ 29.52 грн
500+ 22.76 грн
1000+ 15.84 грн
Мінімальне замовлення: 15
BSZ130N03MSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 9A/35A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+17.47 грн
10000+ 15.58 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ130N03MSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 31A; 25W; PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 31A
On-state resistance: 11.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 25W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
товар відсутній
BSZ130N03MSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 31A; 25W; PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 31A
On-state resistance: 11.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 25W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BSZ146N10LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
товар відсутній
BSZ146N10LS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ146N10LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.0124 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+92.02 грн
50+ 71.92 грн
250+ 62.28 грн
1000+ 44.29 грн
3000+ 38.55 грн
Мінімальне замовлення: 8
BSZ146N10LS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET MV POWER MOS
на замовлення 135312 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+117.13 грн
10+ 89.05 грн
100+ 62.87 грн
500+ 54.4 грн
1000+ 41.74 грн
2500+ 41.67 грн
5000+ 39.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSZ146N10LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 50 V
на замовлення 17191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+107.9 грн
10+ 85.31 грн
100+ 66.37 грн
500+ 52.8 грн
1000+ 43.01 грн
2000+ 40.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSZ146N10LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
78+146.03 грн
85+ 135.4 грн
101+ 113.15 грн
200+ 103.51 грн
500+ 87.21 грн
1000+ 69.88 грн
2000+ 67.64 грн
5000+ 63.75 грн
Мінімальне замовлення: 78
BSZ146N10LS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ146N10LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.0124 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+71.92 грн
250+ 62.28 грн
1000+ 44.29 грн
3000+ 38.55 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSZ146N10LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 50 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+42.67 грн
10000+ 39.19 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ146N10LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
товар відсутній
BSZ150N10LS3 GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 100V 40A TSDSON-8
на замовлення 9486 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+113.31 грн
10+ 92.82 грн
100+ 64.11 грн
250+ 58.99 грн
500+ 53.61 грн
1000+ 45.87 грн
2500+ 43.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSZ150N10LS3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; 63W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Power dissipation: 63W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
BSZ150N10LS3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; 63W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Power dissipation: 63W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSZ150N10LS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ150N10LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.013 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 22234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+97.17 грн
10+ 81.71 грн
100+ 59.55 грн
500+ 50.24 грн
1000+ 38.3 грн
2500+ 37.8 грн
5000+ 36.47 грн
Мінімальне замовлення: 8
BSZ150N10LS3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 100V 40A TSDSON-8
на замовлення 40604 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+112.54 грн
10+ 92.82 грн
100+ 64.11 грн
500+ 54.14 грн
1000+ 43.64 грн
5000+ 42.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSZ150N10LS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 8A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+34.07 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ150N10LS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V
на замовлення 7556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+103.64 грн
10+ 83.05 грн
100+ 66.1 грн
500+ 52.49 грн
1000+ 44.53 грн
2000+ 42.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSZ150N10LS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ150N10LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.013 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 22234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+59.55 грн
500+ 50.24 грн
1000+ 38.3 грн
2500+ 37.8 грн
5000+ 36.47 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSZ150N10LS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+45.06 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ15DC02KD HInfineon TechnologiesMOSFET SMALL SIGNAL+P-CH
на замовлення 17072 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+88.81 грн
10+ 72.3 грн
100+ 49.09 грн
500+ 41.6 грн
1000+ 33.86 грн
2500+ 31.89 грн
5000+ 30.38 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSZ15DC02KDHXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH 20V 5.1A/3.2A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+29.17 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ15DC02KDHXTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N/P-CH 20V 5.1A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A, 3.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 419pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 5.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 22724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+34.25 грн
10000+ 31.74 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ15DC02KDHXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ15DC02KDHXTMA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.041 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.1A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.041ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.041ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 18983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+106 грн
10+ 87.6 грн
100+ 65.37 грн
500+ 50.17 грн
1000+ 36.53 грн
2500+ 35.84 грн
5000+ 35.08 грн
Мінімальне замовлення: 7
BSZ15DC02KDHXTMA1Infineon TechnologiesMOSFET SMALL SIGNAL+P-CH
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+88.04 грн
10+ 71.62 грн
100+ 48.76 грн
500+ 41.28 грн
1000+ 31.89 грн
2500+ 31.7 грн
5000+ 30.38 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSZ15DC02KDHXTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N/P-CH 20V 5.1A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A, 3.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 419pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 5.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 22724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.47 грн
10+ 66.99 грн
100+ 52.07 грн
500+ 41.43 грн
1000+ 33.75 грн
2000+ 31.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSZ15DC02KDHXTMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 5.1/-3.2A; 2.5W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 5.1/-3.2A
Power dissipation: 2.5W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 63/164mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
BSZ15DC02KDHXTMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 5.1/-3.2A; 2.5W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 5.1/-3.2A
Power dissipation: 2.5W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 63/164mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
Bsz160HBEFuse: time-lag; glass type; current: 160mA; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: 0218.160MXP; 179120.0.16; 0034.3109 Fuse: time-lag; 160mA Bsz160
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+2.65 грн
Мінімальне замовлення: 500
Bsz160HBEFuse: time-lag; glass type; current: 160mA; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: 0218.160MXP; 179120.0.16; 0034.3109 Fuse: time-lag; 160mA Bsz160
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 240 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+2.65 грн
Мінімальне замовлення: 500
BSZ160N10NS3 GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 100V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 38872 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+107.18 грн
10+ 88.29 грн
100+ 60.77 грн
250+ 56.11 грн
500+ 50.92 грн
1000+ 45.41 грн
5000+ 40.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSZ160N10NS3 G
Код товару: 66694
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товар відсутній
BSZ160N10NS3GInfineon technologies
на замовлення 695 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSZ160N10NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ160N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.014 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 8606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+121.46 грн
10+ 100.12 грн
100+ 78.03 грн
500+ 58.85 грн
1000+ 47.07 грн
2500+ 44.67 грн
5000+ 40.38 грн
Мінімальне замовлення: 7
BSZ160N10NS3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; 63W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Power dissipation: 63W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BSZ160N10NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 8A/40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 12µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 50 V
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+42.83 грн
10000+ 39.88 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ160N10NS3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; 63W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Power dissipation: 63W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
BSZ160N10NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 8A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R
товар відсутній
BSZ160N10NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ160N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.014 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 8606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+78.03 грн
500+ 58.85 грн
1000+ 47.07 грн
2500+ 44.67 грн
5000+ 40.38 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSZ160N10NS3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 100V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 9312 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+107.18 грн
10+ 88.29 грн
100+ 60.77 грн
250+ 59.72 грн
500+ 51.45 грн
1000+ 41.41 грн
5000+ 40.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSZ160N10NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 8A/40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 12µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 50 V
на замовлення 59376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+98.67 грн
10+ 78.95 грн
100+ 62.83 грн
500+ 49.89 грн
1000+ 42.33 грн
2000+ 40.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSZ165N04NS GInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 8.9A 8-Pin TSDSON EP T/R
товар відсутній
BSZ165N04NS GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 31A TSDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 2646 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
BSZ165N04NSG
на замовлення 10080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSZ165N04NSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 8.9A/31A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta), 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 20 V
товар відсутній
BSZ165N04NSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 8.9A/31A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta), 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 20 V
товар відсутній
BSZ165N04NSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 31A TSDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 1598 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
BSZ16DN25NS3 GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 250V 10.9A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+150.82 грн
10+ 124.52 грн
100+ 85.31 грн
250+ 79.4 грн
500+ 72.18 грн
1000+ 61.62 грн
2500+ 58.6 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSZ16DN25NS3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 10.9A; 62.5W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Drain current: 10.9A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 250V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TSDSON-8
On-state resistance: 0.165Ω
Power dissipation: 62.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
товар відсутній
BSZ16DN25NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 10.9A 8-Pin TSDSON EP T/R
товар відсутній
BSZ16DN25NS3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 250V 10.9A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 161-170 дні (днів)
3+151.59 грн
10+ 124.52 грн
100+ 85.96 грн
250+ 82.68 грн
500+ 73.5 грн
1000+ 58.67 грн
5000+ 56.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSZ16DN25NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 32µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 100 V
на замовлення 1098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+138.42 грн
10+ 110.6 грн
100+ 88.03 грн
500+ 69.9 грн
1000+ 59.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSZ16DN25NS3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 10.9A; 62.5W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Drain current: 10.9A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 250V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TSDSON-8
On-state resistance: 0.165Ω
Power dissipation: 62.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSZ16DN25NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 10.9A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+55.05 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ16DN25NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 32µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 100 V
товар відсутній
BSZ180P03NS3 GInfineon
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSZ180P03NS3 GInfineon TechnologiesMOSFET P-Ch -30V -39.6A TSDSON-8 OptiMOS P3
на замовлення 14619 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+56.27 грн
10+ 48.98 грн
100+ 29.14 грн
500+ 24.28 грн
1000+ 20.67 грн
2500+ 18.77 грн
5000+ 17.39 грн
Мінімальне замовлення: 6
BSZ180P03NS3E GInfineon TechnologiesMOSFET P-Ch -30V -39.6A TSDSON-8 OptiMOS P3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+59.03 грн
10+ 51.47 грн
100+ 34.39 грн
500+ 27.17 грн
1000+ 23.16 грн
5000+ 19.69 грн
10000+ 17.65 грн
Мінімальне замовлення: 6
BSZ180P03NS3EGATMAINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -39.6A; 40W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -39.6A
Power dissipation: 40W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
BSZ180P03NS3EGATMAINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -39.6A; 40W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -39.6A
Power dissipation: 40W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSZ180P03NS3EGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+15.77 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ180P03NS3EGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ180P03NS3EGATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 39.6 A, 0.0135 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39.6
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 40
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: OptiMOS P3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0135
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 28382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+52.34 грн
17+ 45.2 грн
100+ 34.75 грн
500+ 25.98 грн
1000+ 18.8 грн
5000+ 18.42 грн
Мінімальне замовлення: 15
BSZ180P03NS3EGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
товар відсутній
BSZ180P03NS3EGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 9A/39.5A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 39.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2220 pF @ 15 V
на замовлення 7928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+51.82 грн
10+ 43.41 грн
100+ 30.05 грн
500+ 23.56 грн
1000+ 20.05 грн
2000+ 17.86 грн
Мінімальне замовлення: 6
BSZ180P03NS3EGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
товар відсутній
BSZ180P03NS3EGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 9A/39.5A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 39.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2220 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+18.72 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ180P03NS3EGATMA1Infineon TechnologiesMOSFET P-Ch -30V -39.6A TSDSON-8 OptiMOS P3
на замовлення 34930 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+60.48 грн
10+ 51.47 грн
100+ 34.39 грн
500+ 27.69 грн
1000+ 21.72 грн
5000+ 19.69 грн
10000+ 17.98 грн
Мінімальне замовлення: 6
BSZ180P03NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 9A/39.6A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 39.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2220 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+18.72 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ180P03NS3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -39.6A; 40W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -39.6A
Power dissipation: 40W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
BSZ180P03NS3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -39.6A; 40W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -39.6A
Power dissipation: 40W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BSZ180P03NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
товар відсутній
BSZ180P03NS3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFET P-Ch -30V -39.6A TSDSON-8 OptiMOS P3
на замовлення 7753 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+56.27 грн
10+ 44.6 грн
100+ 29.14 грн
500+ 24.28 грн
1000+ 18.44 грн
5000+ 16.67 грн
Мінімальне замовлення: 6
BSZ180P03NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
товар відсутній
BSZ180P03NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 9A/39.6A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 39.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2220 pF @ 15 V
на замовлення 14176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+51.82 грн
10+ 43.41 грн
100+ 30.05 грн
500+ 23.56 грн
1000+ 20.05 грн
2000+ 17.86 грн
Мінімальне замовлення: 6
BSZ180P03NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 4999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BSZ180P03NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
товар відсутній
BSZ180P03NS3GATMA1 (BSZ180P03NS3 G)
Код товару: 191392
Транзистори > Польові P-канальні
товар відсутній
Bsz200HBEFuse: time-lag; glass type; current: 200mA; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: 0218.200MXP; 179120.0,2 Fuse: time-lag; 200mA Bsz200
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+2.65 грн
Мінімальне замовлення: 500
Bsz200HBEFuse: time-lag; glass type; current: 200mA; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: 0218.200MXP; 179120.0,2 Fuse: time-lag; 200mA Bsz200
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+2.65 грн
Мінімальне замовлення: 500
Bsz200HBEFuse: time-lag; glass type; current: 200mA; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: 0218.200MXP; 179120.0,2 Fuse: time-lag; 200mA Bsz200
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 475 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+2.65 грн
Мінімальне замовлення: 500
BSZ215CHXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH 20V 5.1A/3.2A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R
товар відсутній
BSZ215CHXTMA1Infineon TechnologiesMOSFET SMALL SIGNAL+P-CH
на замовлення 2945 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+104.12 грн
10+ 84.52 грн
100+ 57.22 грн
500+ 48.49 грн
1000+ 39.57 грн
2500+ 37.21 грн
5000+ 35.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSZ215CHXTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N/P-CH 20V 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A, 3.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 419pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 5.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
BSZ215CHXTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N/P-CH 20V 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A, 3.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 419pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 5.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2913 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+99.38 грн
10+ 78.06 грн
100+ 60.75 грн
500+ 48.32 грн
1000+ 39.36 грн
2000+ 37.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSZ22DN20NS3 GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 200V 7A TSDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 277 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+86.51 грн
10+ 76.22 грн
100+ 51.58 грн
500+ 42.59 грн
1000+ 33.66 грн
5000+ 31.37 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSZ22DN20NS3GInfineon TechnologiesDescription: BSZ22DN20 - 12V-300V N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 100 V
товар відсутній
BSZ22DN20NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 7A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 100 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+31.1 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ22DN20NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 7A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+28.1 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ22DN20NS3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 200V 7A TSDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 13711 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+85.75 грн
10+ 69.13 грн
100+ 46.72 грн
500+ 39.64 грн
1000+ 30.45 грн
2500+ 30.38 грн
5000+ 28.68 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSZ22DN20NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 7A 8-Pin TSDSON EP T/R
товар відсутній
BSZ22DN20NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 7A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 100 V
на замовлення 9226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+78.79 грн
10+ 62.2 грн
100+ 48.38 грн
500+ 38.49 грн
1000+ 31.35 грн
2000+ 29.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSZ22DN20NS3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESBSZ22DN20NS3GATMA1 SMD N channel transistors
товар відсутній
BSZ240N12NS3 GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 120V 37A TSDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 2884 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+112.54 грн
10+ 92.82 грн
100+ 64.11 грн
250+ 59.26 грн
500+ 53.74 грн
1000+ 46.07 грн
2500+ 43.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSZ240N12NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 120V 37A 8TSDSON
товар відсутній
BSZ240N12NS3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESBSZ240N12NS3GATMA1 SMD N channel transistors
товар відсутній
BSZ240N12NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 37A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R
товар відсутній
BSZ240N12NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 120V 37A 8TSDSON
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+129.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSZ300N15NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 32A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 32µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 75 V
на замовлення 2796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+169.65 грн
10+ 135.55 грн
100+ 107.87 грн
500+ 85.66 грн
1000+ 72.68 грн
2000+ 69.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSZ300N15NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 32A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+55.43 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ300N15NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 32A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 32µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 75 V
товар відсутній
BSZ300N15NS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET MV POWER MOS
товар відсутній
Bsz315HBEFuse: time-lag; glass type; current: 315mA; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: 0218.315MXP; 179120.0,315; 0034.3112 Fuse: time-lag; 315mA Bsz315
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 174 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+2.65 грн
Мінімальне замовлення: 500
Bsz315HBEFuse: time-lag; glass type; current: 315mA; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: 0218.315MXP; 179120.0,315; 0034.3112 Fuse: time-lag; 315mA Bsz315
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+2.65 грн
Мінімальне замовлення: 500
BSZ340N08NS3 GInfineon
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSZ340N08NS3 GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 80V 23A TSDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 70222 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+56.27 грн
10+ 48.67 грн
100+ 28.94 грн
500+ 24.15 грн
1000+ 20.54 грн
2500+ 19.49 грн
5000+ 16.54 грн
Мінімальне замовлення: 6
BSZ340N08NS3 GInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 6A 8-Pin TSDSON EP
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
264+43.11 грн
275+ 41.38 грн
500+ 39.88 грн
1000+ 37.2 грн
2500+ 33.43 грн
5000+ 31.23 грн
Мінімальне замовлення: 264
BSZ340N08NS3 G
Код товару: 194005
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
BSZ340N08NS3GInfineon technologies
на замовлення 792 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSZ340N08NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 6A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BSZ340N08NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 6A/23A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 12µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 40 V
на замовлення 46598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+51.82 грн
10+ 43.13 грн
100+ 29.86 грн
500+ 23.42 грн
1000+ 19.93 грн
2000+ 17.75 грн
Мінімальне замовлення: 6
BSZ340N08NS3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 23A; 32W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Power dissipation: 32W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Drain current: 23A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 80V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSZ340N08NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 6A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+54.57 грн
12+ 48.16 грн
25+ 47.68 грн
100+ 35.54 грн
Мінімальне замовлення: 11
BSZ340N08NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 6A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+41.09 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ340N08NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 6A/23A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 12µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 40 V
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+18.61 грн
10000+ 16.59 грн
25000+ 16.43 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ340N08NS3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 80V 23A TSDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 27268 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+56.27 грн
10+ 47.62 грн
100+ 29.6 грн
500+ 24.15 грн
1000+ 18.64 грн
5000+ 17.26 грн
10000+ 16.54 грн
Мінімальне замовлення: 6
BSZ340N08NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 6A 8-Pin TSDSON EP T/R
товар відсутній
BSZ340N08NS3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 23A; 32W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Power dissipation: 32W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Drain current: 23A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 80V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
товар відсутній
BSZ340N08NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 6A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
288+39.56 грн
315+ 36.17 грн
317+ 35.98 грн
500+ 28.26 грн
1000+ 24.44 грн
5000+ 20.81 грн
Мінімальне замовлення: 288
BSZ340N08NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ340N08NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 23 A, 0.027 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 32W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.027ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 75723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+63.97 грн
14+ 53.15 грн
100+ 37.18 грн
500+ 27.21 грн
1000+ 23.66 грн
2500+ 22.15 грн
5000+ 20.76 грн
10000+ 19.24 грн
Мінімальне замовлення: 12
BSZ340N08NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 6A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+18.22 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ340N08NS3GATMA2Infineon TechnologiesSP001171262
товар відсутній
Bsz400HBEFuse: time-lag; glass type; current: 400mA; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: 0218.400MXP; 179120.0,4; 0034.3113 Fuse: time-lag; 400mA Bsz400
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 5853 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+2.65 грн
Мінімальне замовлення: 500
BSZ42DN25NS3 GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 250V 5A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 13949 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+100.29 грн
10+ 81.5 грн
100+ 54.93 грн
500+ 46.53 грн
1000+ 37.93 грн
2500+ 35.7 грн
5000+ 33.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSZ42DN25NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 5A 8-Pin TSDSON EP T/R
товар відсутній
BSZ42DN25NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 5A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+82.25 грн
10+ 68.27 грн
25+ 67.71 грн
100+ 51.43 грн
Мінімальне замовлення: 7
BSZ42DN25NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 250V 5A TSDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 425mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 100 V
на замовлення 23031 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+92.28 грн
10+ 72.94 грн
100+ 56.75 грн
500+ 45.14 грн
1000+ 36.77 грн
2000+ 34.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSZ42DN25NS3GATMA1Infineon TechnologiesN-канальний ПТ; Udss, В = 250; Id = 5 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 430 @ 100; Qg, нКл = 5,5 @ 10 В; Rds = 425 мОм @ 2,5 A, 10 В; Ugs(th) = 4 В @ 13 мкА; Р, Вт = 33,8; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; PG-TSDSON-8
на замовлення 5 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
5+124.8 грн
10+ 108.97 грн
100+ 101.18 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSZ42DN25NS3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 5A; 33.8W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Drain current: 5A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 250V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TSDSON-8
On-state resistance: 0.425Ω
Power dissipation: 33.8W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
товар відсутній
BSZ42DN25NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ42DN25NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 5 A, 0.371 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 33.8W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33.8W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.371ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.371ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 9465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+117.78 грн
10+ 94.23 грн
100+ 70.3 грн
500+ 54.82 грн
1000+ 39.06 грн
2500+ 37.8 грн
5000+ 36.53 грн
Мінімальне замовлення: 7
BSZ42DN25NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 5A 8-Pin TSDSON EP T/R
товар відсутній
BSZ42DN25NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 250V 5A TSDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 425mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 100 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+36.48 грн
10000+ 33.51 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ42DN25NS3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 250V 5A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 28481 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+100.29 грн
10+ 76.97 грн
100+ 53.35 грн
500+ 45.02 грн
1000+ 35.63 грн
2500+ 34.65 грн
5000+ 33.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSZ42DN25NS3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 5A; 33.8W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Drain current: 5A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 250V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TSDSON-8
On-state resistance: 0.425Ω
Power dissipation: 33.8W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BSZ440N10NS3 GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 100V 18A TSDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 85006 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+61.25 грн
10+ 49.43 грн
100+ 33.47 грн
500+ 28.35 грн
1000+ 24.35 грн
5000+ 20.67 грн
10000+ 20.47 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSZ440N10NS3 GInfineon
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSZ440N10NS3G
Код товару: 155825
Транзистори > Польові P-канальні
товар відсутній
BSZ440N10NS3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 100V 18A TSDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 59295 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+46.32 грн
10+ 38.49 грн
100+ 27.69 грн
500+ 23.62 грн
1000+ 20.61 грн
2500+ 20.54 грн
5000+ 20.47 грн
Мінімальне замовлення: 7
BSZ440N10NS3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 18A; 29W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 18A
Power dissipation: 29W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
на замовлення 4919 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+100.12 грн
7+ 52.91 грн
23+ 35.61 грн
62+ 33.63 грн
1000+ 33.22 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSZ440N10NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ440N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 18 A, 0.038 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 59898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+65.74 грн
15+ 50.13 грн
100+ 36.73 грн
500+ 29.53 грн
1000+ 24.42 грн
5000+ 21.58 грн
Мінімальне замовлення: 12
BSZ440N10NS3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 18A; 29W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 18A
Power dissipation: 29W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4919 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+120.14 грн
5+ 65.93 грн
23+ 42.74 грн
62+ 40.36 грн
1000+ 39.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSZ440N10NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 5.3A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BSZ440N10NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 5.3A/18A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 12µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 50 V
на замовлення 23927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.08 грн
10+ 44.43 грн
100+ 34.55 грн
500+ 27.49 грн
1000+ 22.39 грн
2000+ 21.08 грн
Мінімальне замовлення: 6
BSZ440N10NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 5.3A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+20.36 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ440N10NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 5.3A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R
товар відсутній
BSZ440N10NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 5.3A/18A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 12µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+22.21 грн
Мінімальне замовлення: 5000
Bsz500HBEFuse: time-lag; glass type; current: 500mA; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: BK1/S506-500-R; 0213.500MXP; 179120.0,5; 0034.3114 Fuse: time-lag; 500mA Bsz500
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 2180 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+2.65 грн
Мінімальне замовлення: 500
Bsz500HBEFuse: time-lag; glass type; current: 500mA; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: BK1/S506-500-R; 0213.500MXP; 179120.0,5; 0034.3114 Fuse: time-lag; 500mA Bsz500
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 73 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+2.65 грн
Мінімальне замовлення: 500
BSZ520N15NS3 GInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 1040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
98+116.7 грн
103+ 111.48 грн
250+ 107 грн
500+ 99.46 грн
1000+ 89.09 грн
Мінімальне замовлення: 98
BSZ520N15NS3 GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 150V 21A TSDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 45582 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+115.6 грн
10+ 93.58 грн
100+ 63.46 грн
500+ 53.42 грн
1000+ 43.51 грн
5000+ 38.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSZ520N15NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+33.1 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ520N15NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 21A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 75 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+41.88 грн
10000+ 38.47 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ520N15NS3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 150V 21A TSDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 60318 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+114.84 грн
10+ 92.82 грн
100+ 62.28 грн
500+ 50.99 грн
1000+ 39.31 грн
2500+ 38.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSZ520N15NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
102+111.81 грн
103+ 110.72 грн
133+ 86.06 грн
250+ 82.15 грн
500+ 45.64 грн
Мінімальне замовлення: 102
BSZ520N15NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 21A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 10010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+32.08 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ520N15NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+73.36 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ520N15NS3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 21A; 57W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 21A
Power dissipation: 57W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
BSZ520N15NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R
товар відсутній
BSZ520N15NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+117.12 грн
10+ 103.82 грн
25+ 102.81 грн
100+ 77.06 грн
250+ 70.64 грн
500+ 40.68 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSZ520N15NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ520N15NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 21 A, 0.042 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 6846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+128.82 грн
10+ 97.17 грн
100+ 72.58 грн
500+ 56.12 грн
1000+ 40.64 грн
5000+ 37.92 грн
Мінімальне замовлення: 6
BSZ520N15NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 21A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 75 V
на замовлення 15560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+106.48 грн
10+ 83.74 грн
100+ 65.14 грн
500+ 51.82 грн
1000+ 42.21 грн
2000+ 39.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSZ520N15NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 24890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
99+115.08 грн
Мінімальне замовлення: 99
BSZ520N15NS3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 21A; 57W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 21A
Power dissipation: 57W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BSZ6-SS-112LNingbo KLS electronic co.,ltdРеле 12В, SPDT
на замовлення 393 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
Bsz630HBEFuse: time-lag; glass type; current: 630mA; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: 0213.630MXP; 179120.0,63; 0034.3115 Fuse: time-lag; 630mA Bsz630
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+2.65 грн
Мінімальне замовлення: 500
Bsz630HBEFuse: time-lag; glass type; current: 630mA; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: 0213.630MXP; 179120.0,63; 0034.3115 Fuse: time-lag; 630mA Bsz630
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+2.65 грн
Мінімальне замовлення: 500
Bsz630HBEFuse: time-lag; glass type; current: 630mA; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: 0213.630MXP; 179120.0,63; 0034.3115 Fuse: time-lag; 630mA Bsz630
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+2.65 грн
Мінімальне замовлення: 500
Bsz630HBEFuse: time-lag; glass type; current: 630mA; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: 0213.630MXP; 179120.0,63; 0034.3115 Fuse: time-lag; 630mA Bsz630
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 1624 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+2.65 грн
Мінімальне замовлення: 500
Bsz800HBEFuse: time-lag; glass type; current: 800mA; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: 0218.800MXP; 179120.0,8; 0034.2515 Fuse: time-lag; 800mA Bsz800
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+2.65 грн
Мінімальне замовлення: 500
Bsz800HBEFuse: time-lag; glass type; current: 800mA; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: 0218.800MXP; 179120.0,8; 0034.2515 Fuse: time-lag; 800mA Bsz800
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+2.65 грн
Мінімальне замовлення: 500
Bsz800HBEFuse: time-lag; glass type; current: 800mA; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: 0218.800MXP; 179120.0,8; 0034.2515 Fuse: time-lag; 800mA Bsz800
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 790 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+2.65 грн
Мінімальне замовлення: 500
BSZ900N15NS3 GInfineon
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSZ900N15NS3 GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 13A TDSON-8
на замовлення 15211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BSZ900N15NS3 GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 150V 13A TSDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 12348 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+98 грн
10+ 79.24 грн
100+ 53.61 грн
500+ 45.48 грн
1000+ 37.08 грн
5000+ 32.88 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSZ900N15NS3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 13A; 38W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 13A
Power dissipation: 38W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
на замовлення 4060 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+59.26 грн
8+ 45.25 грн
24+ 32.81 грн
65+ 31.44 грн
Мінімальне замовлення: 7
BSZ900N15NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 1906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
113+101.32 грн
118+ 96.78 грн
148+ 77.38 грн
250+ 71.07 грн
500+ 56.46 грн
1000+ 44.97 грн
Мінімальне замовлення: 113
BSZ900N15NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ900N15NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 13 A, 0.074 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.074ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 19751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+86.13 грн
12+ 65.37 грн
100+ 48.14 грн
500+ 37.87 грн
1000+ 26.69 грн
5000+ 25.3 грн
Мінімальне замовлення: 9
BSZ900N15NS3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 150V 13A TSDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 18466 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+84.21 грн
10+ 61.88 грн
100+ 45.87 грн
500+ 41.41 грн
1000+ 32.88 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSZ900N15NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 1906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+105.12 грн
10+ 94.09 грн
25+ 89.87 грн
100+ 69.29 грн
250+ 61.11 грн
500+ 50.33 грн
1000+ 41.76 грн
Мінімальне замовлення: 6
BSZ900N15NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 13A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R
товар відсутній
BSZ900N15NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 13A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 75 V
на замовлення 13785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.15 грн
10+ 71.3 грн
100+ 55.48 грн
500+ 44.13 грн
1000+ 35.95 грн
2000+ 33.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSZ900N15NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
158+72.34 грн
167+ 68.18 грн
192+ 59.29 грн
202+ 54.56 грн
1000+ 46.2 грн
2000+ 42.2 грн
5000+ 41.36 грн
10000+ 40.12 грн
Мінімальне замовлення: 158
BSZ900N15NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ900N15NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 13 A, 0.074 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.074ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 19751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+48.14 грн
500+ 37.87 грн
1000+ 26.69 грн
5000+ 25.3 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSZ900N15NS3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 13A; 38W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 13A
Power dissipation: 38W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4060 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+71.11 грн
5+ 56.39 грн
24+ 39.37 грн
65+ 37.73 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSZ900N15NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 13A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+26.57 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ900N15NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 13A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 75 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+35.67 грн
10000+ 32.76 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ900N15NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R
товар відсутній
BSZ900N20NS3 GInfineon TechnologiesMOSFET 200V 15.2A PG-TSDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 15991 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+140.87 грн
10+ 115.46 грн
100+ 80.06 грн
250+ 74.15 грн
500+ 66.93 грн
1000+ 57.29 грн
2500+ 54.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSZ900N20NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ900N20NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 15.2 A, 0.077 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 62.5W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 19700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+103.06 грн
500+ 78.61 грн
1000+ 55.84 грн
5000+ 54.71 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSZ900N20NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 15.2A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+51.06 грн
Мінімальне замовлення: 6
BSZ900N20NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 7.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 100 V
товар відсутній
BSZ900N20NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 15.2A 8-Pin TSDSON EP T/R
товар відсутній
BSZ900N20NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ900N20NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 15.2 A, 0.077 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 62.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.077ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 10847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+159.01 грн
10+ 127.35 грн
100+ 101.59 грн
500+ 77.24 грн
1000+ 55.02 грн
2500+ 54.01 грн
5000+ 52.94 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSZ900N20NS3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESBSZ900N20NS3GATMA1 SMD N channel transistors
товар відсутній
BSZ900N20NS3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 200V 15.2A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 2006 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+140.87 грн
10+ 115.46 грн
100+ 80.06 грн
500+ 67.59 грн
1000+ 54.47 грн
5000+ 52.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSZ900N20NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 15.2A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+69.86 грн
10000+ 67.08 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ900N20NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 7.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 100 V
на замовлення 12318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+129.9 грн
10+ 103.7 грн
100+ 82.53 грн
500+ 65.53 грн
1000+ 55.6 грн
2000+ 52.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSZ900N20NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 15.2A 8-Pin TSDSON EP T/R
товар відсутній
BSZ900N20NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 15.2A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+64.87 грн
10000+ 62.29 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BszA01.00HBEFuse: time-lag; glass type; current: 1A; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: S506-1-R/BK1; 179120.1; 0034.3117; 0213001.MXP; 0218001.MXP Fuse: time-lag; 1A BszA01.00
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 634 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+2.65 грн
Мінімальне замовлення: 500
BszA01.00HBEFuse: time-lag; glass type; current: 1A; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: S506-1-R/BK1; 179120.1; 0034.3117; 0213001.MXP; 0218001.MXP Fuse: time-lag; 1A BszA01.00
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+2.65 грн
Мінімальне замовлення: 500
BszA01.25HBEFuse: time-lag; glass type; current: 1,25A; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: BK1/S506-1.25-R; 02181.25MXP; 179120.1,25; 0034.3118 Fuse: time-lag; 1,25A BszA01.25
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+2.65 грн
Мінімальне замовлення: 500
BszA01.25HBEFuse: time-lag; glass type; current: 1,25A; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: BK1/S506-1.25-R; 02181.25MXP; 179120.1,25; 0034.3118 Fuse: time-lag; 1,25A BszA01.25
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 8230 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+2.65 грн
Мінімальне замовлення: 500
BszA01.60HBEFuse: time-lag; glass type; current: 1,60A; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: S506-1.6-R/BK1; 021301.6MXP; 021801.6MXP; 179120.1,6; 0034.3119 Fuse: time-lag; 1,6A BszA01.60
кількість в упаковці: 200 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+2.65 грн
Мінімальне замовлення: 200
BszA01.60HBEFuse: time-lag; glass type; current: 1,60A; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: S506-1.6-R/BK1; 021301.6MXP; 021801.6MXP; 179120.1,6; 0034.3119 Fuse: time-lag; 1,6A BszA01.60
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+2.65 грн
Мінімальне замовлення: 500
BszA01.60HBEFuse: time-lag; glass type; current: 1,60A; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: S506-1.6-R/BK1; 021301.6MXP; 021801.6MXP; 179120.1,6; 0034.3119 Fuse: time-lag; 1,6A BszA01.60
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+2.65 грн
Мінімальне замовлення: 500
BszA02.00HBEFuse: time-lag; glass type; current: 2A; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: 0213002.MXP; 0218002.MXP; 179120.2; 0034.3120 Fuse: time-lag; 2A BszA02.00
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+2.65 грн
Мінімальне замовлення: 500
BszA02.00HBEFuse: time-lag; glass type; current: 2A; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: 0213002.MXP; 0218002.MXP; 179120.2; 0034.3120 Fuse: time-lag; 2A BszA02.00
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 1475 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+2.65 грн
Мінімальне замовлення: 500
BszA02.50HBEFuse: time-lag; glass type; current: 2,5A; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: S506-2.5-R/BK1; 021302.5MXP; 179120.2,5; 0034.3121 Fuse: time-lag; 2,5A BszA02.50
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 6590 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+2.65 грн
Мінімальне замовлення: 500
BszA03.15HBEFuse: time-lag; glass type; current: 3,15A; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: S506-3.15-R/BK1; 02183.15MXP; 02133.15MXP; 179120.3,15; 0034.3122 Fuse: time-lag; 3,15A BszA03.15
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+2.65 грн
Мінімальне замовлення: 500
BszA03.15HBEFuse: time-lag; glass type; current: 3,15A; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: S506-3.15-R/BK1; 02183.15MXP; 02133.15MXP; 179120.3,15; 0034.3122 Fuse: time-lag; 3,15A BszA03.15
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 1840 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+2.65 грн
Мінімальне замовлення: 500
BszA03.15HBEFuse: time-lag; glass type; current: 3,15A; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: S506-3.15-R/BK1; 02183.15MXP; 02133.15MXP; 179120.3,15; 0034.3122 Fuse: time-lag; 3,15A BszA03.15
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+2.65 грн
Мінімальне замовлення: 500
BszA04.00HBEFuse: time-lag; glass type; current: 4A; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: S506-4-R/BK1; 0218004.MXP; 0218004.MXP; 179120.4; 0034.3123 Fuse: time-lag; 4A BszA04.00
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 4343 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+2.65 грн
Мінімальне замовлення: 500
BszA05.00HBEFuse: time-lag; glass type; current: 5A; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: S506-5-R/BK1; 0213005.MXP; 0218005.MXP; 179120.5; 0034.3124 Fuse: time-lag; 5A BszA05.00
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+2.65 грн
Мінімальне замовлення: 500
BszA05.00HBEFuse: time-lag; glass type; current: 5A; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: S506-5-R/BK1; 0213005.MXP; 0218005.MXP; 179120.5; 0034.3124 Fuse: time-lag; 5A BszA05.00
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+2.65 грн
Мінімальне замовлення: 500
BszA05.00HBEFuse: time-lag; glass type; current: 5A; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: S506-5-R/BK1; 0213005.MXP; 0218005.MXP; 179120.5; 0034.3124 Fuse: time-lag; 5A BszA05.00
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 13325 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+2.65 грн
Мінімальне замовлення: 500
BszA06.30HBEFuse: time-lag; glass type; current: 6,3A; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: 021806.3MXP; 179120.6,3; 0034.3125 Fuse: time-lag; 6,3A BszA06.30
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 2860 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+2.65 грн
Мінімальне замовлення: 500
BszA08.00HBEFuse: time-lag; glass type; current: 8A; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: 0218008.MXP; 179120.8; 0034.3126 Fuse: time-lag; 8A BszA08.00
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+2.65 грн
Мінімальне замовлення: 500
BszA08.00HBEFuse: time-lag; glass type; current: 8A; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: 0218008.MXP; 179120.8; 0034.3126 Fuse: time-lag; 8A BszA08.00
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+2.65 грн
Мінімальне замовлення: 500
BszA08.00HBEFuse: time-lag; glass type; current: 8A; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: 0218008.MXP; 179120.8; 0034.3126 Fuse: time-lag; 8A BszA08.00
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+2.65 грн
Мінімальне замовлення: 500
BszA10.00HBEFuse: time-lag; glass type; current: 10A; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: 0213010.MXP; 179120.10; 0034.3127 Fuse: time-lag; 10A BszA10.00
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 6009 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+2.65 грн
Мінімальне замовлення: 500
BszA15.00HBEFuse: time-lag; glass type; current: 15A; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalent: 0213015.MXP Fuse: time-lag; 15A BszA15.00
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+2.65 грн
Мінімальне замовлення: 500