Продукція > BSZ

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 3865 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	134.79 грн
10+	106.47 грн
100+	81.87 грн
500+	74.37 грн
1000+	67.10 грн
2500+	65.27 грн
5000+	56.70 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ009NE2LS5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 25V 39A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 12 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	82.24 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ009NE2LS5ATMA1

Description: INFINEON - BSZ009NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 700 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 69W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 700µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 3574 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	103.86 грн
500+	80.50 грн
1000+	64.23 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ009NE2LS5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 25V 39A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 12 V

на замовлення 9540 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	196.16 грн
10+	170.56 грн
25+	152.30 грн
100+	128.62 грн
250+	114.34 грн
500+	100.04 грн
1000+	81.53 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

BSZ009NE2LS5ATMA1

Description: INFINEON - BSZ009NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 700 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 3574 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	152.78 грн
10+	130.47 грн
100+	103.86 грн
500+	80.50 грн
1000+	64.23 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

BSZ010NE2LS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 25V 32A T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ010NE2LS5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 25V 32A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 12 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ010NE2LS5ATMA1

Description: INFINEON - BSZ010NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 0.001 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 9223 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	145.92 грн
10+	119.31 грн
100+	109.87 грн
500+	86.08 грн
1000+	72.10 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

BSZ010NE2LS5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 25V 32A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 12 V

на замовлення 3638 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	196.16 грн
10+	142.75 грн
25+	128.83 грн
100+	104.88 грн
250+	96.37 грн
500+	90.86 грн
1000+	84.65 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

BSZ010NE2LS5ATMA1

Description: INFINEON - BSZ010NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 800 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 69W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 800µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 9485 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	109.87 грн
500+	86.08 грн
1000+	72.10 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ010NE2LS5ATMA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 2090 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	143.72 грн
10+	113.51 грн
100+	92.58 грн
250+	85.70 грн
500+	80.34 грн
1000+	72.99 грн
5000+	72.31 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ011NE2LS5IATMA1

Description: MOSFET N-CH 25V 35A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 12 V

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	89.99 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ011NE2LS5IATMA1

Description: INFINEON - BSZ011NE2LS5IATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 820 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 69W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 820µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 820µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ011NE2LS5IATMA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 8569 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	131.22 грн
10+	94.15 грн
100+	69.78 грн
500+	64.50 грн
1000+	60.91 грн
2500+	59.76 грн
5000+	56.47 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ011NE2LS5IATMA1

Description: MOSFET N-CH 25V 35A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 12 V

на замовлення 14374 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	150.64 грн
10+	125.21 грн
25+	118.18 грн
100+	101.86 грн
250+	96.42 грн
500+	92.58 грн
1000+	87.49 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ011NE2LS5IATMA1

Description: INFINEON - BSZ011NE2LS5IATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 820 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 820µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ013NE2LS5IATMA1

Description: MOSFET N-CH 25V 32A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 12 V

на замовлення 34638 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	148.15 грн
10+	98.43 грн
100+	75.22 грн
500+	57.30 грн
1000+	51.55 грн
2000+	48.45 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ013NE2LS5IATMA1

Description: INFINEON - BSZ013NE2LS5IATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 0.0011 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 69W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0011ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	57.94 грн
500+	44.00 грн
1000+	37.30 грн
5000+	37.23 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ013NE2LS5IATMA1

Description: MOSFET N-CH 25V 32A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 12 V

на замовлення 25000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	50.83 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ013NE2LS5IATMA1

Description: INFINEON - BSZ013NE2LS5IATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 0.0011 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	103.86 грн
11+	81.11 грн
100+	57.94 грн
500+	44.00 грн
1000+	37.30 грн
5000+	37.23 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

BSZ013NE2LS5IATMA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 2230 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	144.61 грн
10+	103.83 грн
100+	66.87 грн
500+	52.34 грн
1000+	47.36 грн
5000+	42.85 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ014NE2LS5IFATMA1

Description: MOSFET N-CH 25V 31A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 20A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 12 V

на замовлення 26590 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	123.32 грн
10+	89.27 грн
100+	74.53 грн
500+	55.99 грн
1000+	51.50 грн
2000+	50.01 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ014NE2LS5IFATMA1

Trans MOSFET N-CH 25V 31A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ014NE2LS5IFATMA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 9976 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	96.41 грн
10+	79.98 грн
100+	61.06 грн
250+	60.91 грн
500+	54.78 грн
1000+	52.87 грн
2500+	52.79 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ014NE2LS5IFATMA1

Description: MOSFET N-CH 25V 31A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 20A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 12 V

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	55.07 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ014NE2LS5IFATMA1

BSZ014NE2LS5IFATMA SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ014NE2LS5IFATMA1

Trans MOSFET N-CH 25V 31A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ017NE2LS5IATMA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 4965 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	107.12 грн
10+	80.25 грн
100+	52.49 грн
500+	41.62 грн
1000+	38.33 грн
2500+	36.27 грн
5000+	32.52 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ017NE2LS5IATMA1

Description: MOSFET N-CH 25V 27A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 12 V

на замовлення 9175 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	99.32 грн
10+	72.93 грн
100+	53.78 грн
500+	39.95 грн
1000+	36.85 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ017NE2LS5IATMA1

Description: MOSFET N-CH 25V 27A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 12 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	33.32 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ018N04LS6ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 27A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 20 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	74.78 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ018N04LS6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 27A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ018N04LS6ATMA1

Description: INFINEON - BSZ018N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0016 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TSDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0016ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 9795 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	131.32 грн
500+	106.00 грн
1000+	84.61 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ018N04LS6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 27A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ018N04LS6ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 27A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 20 V

на замовлення 10518 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	172.98 грн
10+	125.93 грн
25+	113.59 грн
100+	92.31 грн
250+	84.72 грн
500+	79.80 грн
1000+	74.28 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

BSZ018N04LS6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 27A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ018N04LS6ATMA1

Description: INFINEON - BSZ018N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0016 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 9795 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	239.48 грн
10+	164.80 грн
100+	131.32 грн
500+	106.00 грн
1000+	84.61 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ018N04LS6ATMA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 40290 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	120.51 грн
10+	97.67 грн
25+	82.64 грн
100+	70.93 грн
250+	69.55 грн
500+	62.59 грн
1000+	53.79 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ018NE2LS

Description: MOSFET N-CH 25V 23A TSDSON-8

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ018NE2LS

MOSFETs N-Ch 25V 40A TDSON-8 OptiMOS

на замовлення 7443 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	113.37 грн
10+	68.99 грн
100+	43.15 грн
500+	35.73 грн
1000+	31.75 грн
2500+	29.84 грн
5000+	26.78 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ018NE2LS

Description: MOSFET N-CH 25V 23A TSDSON-8

на замовлення 22633 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ018NE2LS

на замовлення 30 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ018NE2LS

Description: MOSFET N-CH 25V 23A TSDSON-8

на замовлення 22633 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ018NE2LSATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 40A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 4971 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

3+	100.31 грн
10+	76.51 грн
18+	63.12 грн
49+	60.26 грн
100+	57.39 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ018NE2LSATMA1

Trans MOSFET N-CH 25V 23A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	35.89 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ018NE2LSATMA1

Trans MOSFET N-CH 25V 23A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ018NE2LSATMA1

Description: INFINEON - BSZ018NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 153 A, 0.0018 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 153A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 12073 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	53.99 грн
500+	38.26 грн
1000+	31.27 грн
5000+	25.97 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ018NE2LSATMA1

Description: MOSFET N-CH 25V 23A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 12 V

на замовлення 5982 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	120.84 грн
10+	73.64 грн
100+	49.23 грн
500+	36.36 грн
1000+	33.20 грн
2000+	30.53 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ018NE2LSATMA1

Trans MOSFET N-CH 25V 23A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ018NE2LSATMA1

на замовлення 4971 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	80.50 грн
10+	63.76 грн
18+	52.60 грн
49+	50.21 грн
100+	47.82 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

BSZ018NE2LSATMA1

на замовлення 12073 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	121.88 грн
12+	75.96 грн
100+	53.99 грн
500+	38.26 грн
1000+	31.27 грн
5000+	25.97 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

BSZ018NE2LSATMA1

Description: MOSFET N-CH 25V 23A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 12 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	30.60 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ018NE2LSI

MOSFETs N-Ch 25V 40A TSDSON-8 OptiMOS

на замовлення 65471 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	147.29 грн
10+	73.12 грн
100+	51.19 грн
500+	45.45 грн
1000+	43.77 грн
2500+	43.46 грн
5000+	43.08 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ018NE2LSIATMA1

Description: INFINEON - BSZ018NE2LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 0.0015 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 11861 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	89.27 грн
500+	63.04 грн
1000+	53.04 грн
5000+	52.97 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ018NE2LSIATMA1

Description: MOSFET N-CH 25V 22A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 12 V

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	45.85 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ018NE2LSIATMA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ018NE2LSIATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ018NE2LSIATMA1

Trans MOSFET N-CH 25V 22A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ018NE2LSIATMA1

на замовлення 11861 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	138.19 грн
10+	108.15 грн
100+	89.27 грн
500+	63.04 грн
1000+	53.04 грн
5000+	52.97 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

BSZ018NE2LSIATMA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ018NE2LSIATMA1

Description: MOSFET N-CH 25V 22A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 12 V

на замовлення 24323 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	160.57 грн
10+	99.47 грн
100+	67.71 грн
500+	50.76 грн
1000+	46.66 грн
2000+	43.20 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ018NE2LSIATMA1

Trans MOSFET N-CH 25V 22A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	43.92 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ018NE2LSIATMA1

Trans MOSFET N-CH 25V 22A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ018NE2LSIXT

MOSFETs N-Ch 25V 40A TSDSON-8 OptiMOS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ019N03LS

на замовлення 3 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ019N03LS

MOSFETs N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS

на замовлення 12605 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	150.86 грн
10+	95.03 грн
100+	57.00 грн
500+	48.28 грн
1000+	40.32 грн
2500+	37.26 грн
5000+	35.20 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ019N03LSATMA1

Description: INFINEON - BSZ019N03LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 149 A, 0.0019 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 149A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 69W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0016ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 4969 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	84.98 грн
12+	76.22 грн
100+	61.28 грн
500+	46.79 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

BSZ019N03LSATMA1

MOSFETs N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS

на замовлення 13663 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	80.61 грн
10+	61.07 грн
100+	42.77 грн
500+	39.86 грн
1000+	36.88 грн
2500+	35.81 грн
5000+	34.89 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

BSZ019N03LSATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 22A . 40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta). 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V

на замовлення 25000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	50.90 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ019N03LSATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	35.89 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ019N03LSATMA1

Description: INFINEON - BSZ019N03LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 149 A, 0.0019 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 149A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 4969 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	61.28 грн
500+	46.79 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ019N03LSATMA1

BSZ019N03LSATMA1 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ019N03LSATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 22A . 40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta). 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V

на замовлення 32745 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	143.19 грн
10+	93.49 грн
100+	66.40 грн
500+	51.01 грн
1000+	47.32 грн
2000+	46.00 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ019N03LSATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ021N04LS6ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 25A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 20 V

на замовлення 12086 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	112.56 грн
10+	93.57 грн
25+	88.28 грн
100+	76.01 грн
250+	71.91 грн
500+	69.01 грн
1000+	65.19 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ021N04LS6ATMA1

Description: INFINEON - BSZ021N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 147 A, 0.0018 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 147A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 16325 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	196.56 грн
10+	148.49 грн
100+	118.45 грн
500+	93.25 грн
1000+	73.35 грн
2500+	70.26 грн
5000+	68.86 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

BSZ021N04LS6ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 25A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 20 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	53.57 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ021N04LS6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 25A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ021N04LS6ATMA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 10342 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	102.66 грн
10+	82.45 грн
100+	62.21 грн
500+	56.85 грн
1000+	47.52 грн
2500+	43.84 грн
5000+	41.09 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ021N04LS6ATMA1

Description: INFINEON - BSZ021N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 147 A, 0.0018 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 147A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 16325 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	118.45 грн
500+	93.25 грн
1000+	73.35 грн
2500+	70.26 грн
5000+	68.86 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ023N04LSATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ023N04LSATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 22A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2630 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ023N04LSATMA1

MOSFET N-Ch 40V 40A TSDSON-8 FL

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ023N04LSATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 22A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2630 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ024N04LS6

MOSFET TRENCH <= 40V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ024N04LS6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 24A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 4818 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

42+	289.31 грн
86+	141.06 грн
95+	128.70 грн
117+	100.27 грн
200+	87.51 грн
500+	83.75 грн
1000+	74.39 грн
2000+	69.45 грн

Мінімальне замовлення: 42

В кошику од. на суму грн.

BSZ024N04LS6ATMA1

Description: INFINEON - BSZ024N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 130 A, 0.0024 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 36156 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	90.98 грн
11+	78.11 грн
100+	67.64 грн
500+	50.53 грн
1000+	41.13 грн
5000+	34.28 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

BSZ024N04LS6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 24A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ024N04LS6ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 24A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 20 V

на замовлення 82155 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	77.80 грн
10+	64.48 грн
25+	60.83 грн
100+	52.34 грн
250+	49.49 грн
500+	47.48 грн
1000+	44.83 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

BSZ024N04LS6ATMA1

на замовлення 36156 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	67.64 грн
500+	50.53 грн
1000+	41.13 грн
5000+	34.28 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ024N04LS6ATMA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ024N04LS6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 24A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 200000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	71.22 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ024N04LS6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 24A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ024N04LS6ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 24A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 20 V

на замовлення 80000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	39.09 грн
10000+	36.23 грн
15000+	35.44 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ025N04LS

MOSFETs MV POWER MOS

на замовлення 5917 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	124.08 грн
10+	100.31 грн
100+	68.02 грн
500+	57.62 грн
1000+	46.98 грн
2500+	44.23 грн
5000+	42.08 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ025N04LSATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 22A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3680 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ025N04LSATMA1

Description: INFINEON - BSZ025N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.002 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 23114 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	57.25 грн
500+	43.52 грн
1000+	36.86 грн
5000+	36.79 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ025N04LSATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 22A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	39.10 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ025N04LSATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ025N04LSATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 22A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3680 pF @ 20 V

на замовлення 1950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	120.84 грн
10+	86.00 грн
100+	60.07 грн
500+	48.57 грн
1000+	42.68 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ025N04LSATMA1

на замовлення 23114 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	104.72 грн
11+	82.83 грн
100+	57.25 грн
500+	43.52 грн
1000+	36.86 грн
5000+	36.79 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

BSZ025N04LSATMA1

MOSFETs MV POWER MOS

на замовлення 16649 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	108.91 грн
10+	84.47 грн
100+	50.73 грн
500+	43.77 грн
1000+	41.70 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ025N04LSATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 22A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ025N04LSATMA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ025N04LSATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 22A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ028N04LS

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 2246 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	103.55 грн
10+	68.81 грн
100+	42.08 грн
500+	37.65 грн
1000+	33.44 грн
5000+	28.39 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ028N04LSATMA1

BSZ028N04LSATMA1 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ028N04LSATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

167+	72.68 грн
177+	68.44 грн
209+	58.14 грн
213+	54.90 грн
500+	50.74 грн
1000+	48.54 грн
5000+	45.86 грн

Мінімальне замовлення: 167

В кошику од. на суму грн.

BSZ028N04LSATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 21A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 63W (Tc)
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 20 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	29.54 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ028N04LSATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	36.47 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ028N04LSATMA1

Description: INFINEON - BSZ028N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0022 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 4095 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	56.14 грн
500+	44.23 грн
1000+	36.34 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ028N04LSATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	28.57 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ028N04LSATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 21A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 63W (Tc)
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 20 V

на замовлення 7414 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	114.22 грн
10+	69.50 грн
100+	46.25 грн
500+	34.03 грн
1000+	30.18 грн
2000+	28.47 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ028N04LSATMA1

на замовлення 4095 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	100.42 грн
12+	77.76 грн
100+	56.14 грн
500+	44.23 грн
1000+	36.34 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

BSZ028N04LSATMA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 6499 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	88.28 грн
10+	60.63 грн
100+	39.94 грн
500+	32.37 грн
1000+	28.16 грн
2500+	27.85 грн
5000+	23.95 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

BSZ031NE2LS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 25V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	26.89 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ031NE2LS5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 25V 19A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 12 V

на замовлення 2008 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	81.94 грн
10+	53.08 грн
100+	40.15 грн
500+	30.40 грн
1000+	26.83 грн
2000+	26.16 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

BSZ031NE2LS5ATMA1

Description: INFINEON - BSZ031NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 0.0031 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 12124 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	89.27 грн
15+	59.74 грн
100+	45.23 грн
500+	32.44 грн
1000+	24.72 грн
5000+	23.25 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

BSZ031NE2LS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 25V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	34.52 грн
20000+	31.55 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ031NE2LS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 25V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 4620 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

134+	90.44 грн
198+	61.29 грн
218+	55.80 грн
500+	42.98 грн
1000+	39.01 грн
2000+	34.95 грн

Мінімальне замовлення: 134

В кошику од. на суму грн.

BSZ031NE2LS5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 25V 19A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 12 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ031NE2LS5ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Case: PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ031NE2LS5ATMA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 7793 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	87.48 грн
10+	55.43 грн
100+	36.73 грн
500+	30.53 грн
1000+	26.32 грн
2500+	25.86 грн
5000+	22.34 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

BSZ031NE2LS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 25V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ031NE2LS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 25V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	25.17 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ031NE2LS5ATMA1

на замовлення 12124 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	45.23 грн
500+	32.44 грн
1000+	24.72 грн
5000+	23.25 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ031NE2LS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 25V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ031NE2LS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 25V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 930 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

307+	39.56 грн
320+	37.97 грн
500+	36.60 грн

Мінімальне замовлення: 307

В кошику од. на суму грн.

BSZ033NE2LS5

MOSFETs TRENCH <= 40V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ033NE2LS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ033NE2LS5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 25V 18A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 12 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ033NE2LS5ATMA1

Description: INFINEON - BSZ033NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 0.0027 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4079 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	109.87 грн
12+	71.76 грн
100+	50.98 грн
500+	37.70 грн
1000+	29.65 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

BSZ033NE2LS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ033NE2LS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

181+	66.94 грн
260+	46.76 грн
275+	44.17 грн
500+	35.35 грн
1000+	29.92 грн

Мінімальне замовлення: 181

В кошику од. на суму грн.

BSZ033NE2LS5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 25V 18A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 12 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ033NE2LS5ATMA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 4990 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	118.72 грн
10+	76.64 грн
100+	45.83 грн
250+	45.22 грн
500+	35.96 грн
1000+	30.15 грн
2500+	30.07 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ033NE2LS5ATMA1

Description: INFINEON - BSZ033NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 0.0027 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 30W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0027ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4079 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	50.98 грн
500+	37.70 грн
1000+	29.65 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ033NE2LS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ034N04LS

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 7743 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	116.05 грн
10+	71.80 грн
100+	41.47 грн
500+	32.67 грн
1000+	29.46 грн
2500+	27.85 грн
5000+	23.64 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ034N04LSATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	28.38 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ034N04LSATMA1

Description: INFINEON - BSZ034N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0027 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4654 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	49.70 грн
250+	39.14 грн
1000+	28.61 грн
3000+	25.90 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ034N04LSATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 52W; PG-TSDSON-8
On-state resistance: 3.4mΩ
Power dissipation: 52W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 40A
Drain-source voltage: 40V
Case: PG-TSDSON-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ034N04LSATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

713+	42.52 грн
1000+	39.21 грн
10000+	34.97 грн

Мінімальне замовлення: 713

В кошику од. на суму грн.

BSZ034N04LSATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	30.50 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ034N04LSATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 4407 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

235+	51.76 грн
247+	49.15 грн
319+	38.07 грн
323+	36.26 грн
500+	29.42 грн
1000+	25.13 грн
3000+	23.97 грн

Мінімальне замовлення: 235

В кошику од. на суму грн.

BSZ034N04LSATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 19A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 27760 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	76.15 грн
10+	46.07 грн
100+	35.08 грн
500+	30.77 грн
1000+	28.04 грн
2000+	26.77 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

BSZ034N04LSATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 4407 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	89.82 грн
13+	55.46 грн
25+	52.66 грн
100+	39.34 грн
250+	35.98 грн
500+	30.26 грн
1000+	26.93 грн
3000+	25.68 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

BSZ034N04LSATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	27.69 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ034N04LSATMA1

на замовлення 4654 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	85.83 грн
50+	49.70 грн
250+	39.14 грн
1000+	28.61 грн
3000+	25.90 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

BSZ034N04LSATMA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ034N04LSATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 6490 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

713+	42.52 грн
1000+	39.21 грн

Мінімальне замовлення: 713

В кошику од. на суму грн.

BSZ034N04LSATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 2700 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

713+	42.52 грн
1000+	39.21 грн

Мінімальне замовлення: 713

В кошику од. на суму грн.

BSZ034N04LSATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	27.23 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ034N04LSATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 19A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 27750 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	24.95 грн
10000+	23.30 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ034N04LSATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	29.67 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ034N04LSATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 7419 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

246+	49.42 грн
320+	37.95 грн
342+	35.45 грн
500+	32.70 грн
1000+	28.26 грн

Мінімальне замовлення: 246

В кошику од. на суму грн.

BSZ034N04LSATMA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 3583 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	79.80 грн
10+	49.28 грн
100+	33.13 грн
500+	30.84 грн
1000+	27.32 грн
2500+	26.55 грн
5000+	23.64 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

BSZ035N03LS

QFN

на замовлення 158 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ035N03LS G

MOSFETs N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 2928 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	150.86 грн
10+	101.19 грн
100+	67.64 грн
500+	54.10 грн
1000+	47.13 грн
5000+	40.02 грн
10000+	37.49 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ035N03LS G

QFN

на замовлення 365 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ035N03LSGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 20A/40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ035N03LSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5012 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	29.10 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ035N03LSGATMA1
Код товару: 129555

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ035N03LSGATMA1

BSZ035N03LSGATMA1 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ035N03LSGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 20A/40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 15 V

на замовлення 1770 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	113.39 грн
10+	69.42 грн
100+	46.36 грн
500+	34.22 грн
1000+	31.24 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ035N03MS

на замовлення 2080 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ035N03MS G

MOSFETs N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M

на замовлення 8064 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	110.69 грн
10+	71.01 грн
25+	61.67 грн
100+	41.16 грн
500+	33.67 грн
1000+	29.53 грн
5000+	21.96 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ035N03MSG

на замовлення 18 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ035N03MSGATMA1

BSZ035N03MSGATMA1 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ035N03MSGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 18A/40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 15 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	24.34 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ035N03MSGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 18A/40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 15 V

на замовлення 11581 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	104.29 грн
10+	63.36 грн
100+	41.90 грн
500+	30.70 грн
1000+	27.93 грн
2000+	25.59 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ035N03MSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	30.89 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ036NE2LS

MOSFETs N-Ch 25V 40A TDSON-8 OptiMOS

на замовлення 2863 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	75.52 грн
10+	60.98 грн
100+	41.24 грн
500+	35.04 грн
1000+	28.54 грн
5000+	25.25 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

BSZ036NE2LSATMA1

Description: MOSFET N-CH 25V 16A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 12 V

на замовлення 14557 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	91.87 грн
10+	47.98 грн
100+	34.63 грн
500+	29.22 грн
1000+	25.96 грн
2000+	24.41 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ036NE2LSATMA1

Description: INFINEON - BSZ036NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 0.003 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 9632 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	25.24 грн
500+	20.08 грн
1000+	18.17 грн
5000+	18.10 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ036NE2LSATMA1

MOSFETs N-Ch 25V 40A TDSON-8 OptiMOS

на замовлення 12437 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	43.21 грн
10+	41.53 грн
100+	29.76 грн
500+	26.09 грн
1000+	25.25 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

BSZ036NE2LSATMA1

Description: MOSFET N-CH 25V 16A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 12 V

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	23.44 грн
10000+	22.16 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ036NE2LSATMA1

Trans MOSFET N-CH 25V 16A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	19.82 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ036NE2LSATMA1

на замовлення 9632 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	48.24 грн
28+	31.42 грн
100+	25.24 грн
500+	20.08 грн
1000+	18.17 грн
5000+	18.10 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

BSZ036NE2LSATMA1

BSZ036NE2LSATMA1 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ037N06LS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 18A T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	33.39 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ037N06LS5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 18A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 30 V

на замовлення 9960 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	150.64 грн
10+	131.35 грн
25+	117.29 грн
100+	99.07 грн
250+	88.06 грн
500+	77.06 грн
1000+	65.91 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ037N06LS5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 18A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 30 V

на замовлення 9960 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	74.15 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ037N06LS5ATMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 3210 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	148.18 грн
10+	103.83 грн
100+	78.81 грн
250+	70.78 грн
500+	66.49 грн
1000+	61.90 грн
2500+	61.82 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ039N06NSATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 18A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 30 V

на замовлення 1118 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	92.70 грн
10+	76.75 грн
25+	72.37 грн
100+	62.29 грн
250+	58.91 грн
500+	56.52 грн
1000+	53.38 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ039N06NSATMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 5171 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	108.01 грн
10+	92.39 грн
25+	75.60 грн
100+	68.94 грн
250+	65.11 грн
500+	61.52 грн
1000+	57.77 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ039N06NSATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 18A T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	33.39 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ039N06NSATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 18A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ040N04LS G

MOSFETs N-Ch 40V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 27298 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	111.58 грн
10+	74.26 грн
100+	45.37 грн
500+	40.63 грн
1000+	35.12 грн
2500+	32.75 грн
5000+	31.68 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ040N04LSG

Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 4950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

140+	86.55 грн
147+	82.68 грн
250+	79.36 грн
500+	73.76 грн
1000+	66.07 грн
2500+	61.55 грн

Мінімальне замовлення: 140

В кошику од. на суму грн.

BSZ040N04LSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	23.18 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ040N04LSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ040N04LSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	24.63 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ040N04LSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ040N04LSGATMA1

BSZ040N04LSGATMA1 SMD N channel transistors

на замовлення 2444 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

4+	100.63 грн
22+	51.93 грн
60+	49.16 грн
5000+	49.06 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ040N04LSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 1250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

666+	45.49 грн

Мінімальне замовлення: 666

В кошику од. на суму грн.

BSZ040N04LSGATMA1

Description: INFINEON - BSZ040N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0033 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1152 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	50.73 грн
500+	36.98 грн
1000+	28.62 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ040N04LSGATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 18A/40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 20 V

на замовлення 9875 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	102.63 грн
10+	61.93 грн
100+	41.15 грн
500+	30.23 грн
1000+	27.52 грн
2000+	26.09 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ040N04LSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 26435 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

666+	45.49 грн

Мінімальне замовлення: 666

В кошику од. на суму грн.

BSZ040N04LSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 4750 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

105+	115.48 грн
162+	75.10 грн
200+	67.83 грн
500+	48.28 грн
1000+	41.82 грн

Мінімальне замовлення: 105

В кошику од. на суму грн.

BSZ040N04LSGATMA1

MOSFETs N-Ch 40V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 10360 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	124.97 грн
10+	80.25 грн
100+	47.97 грн
500+	40.32 грн
1000+	33.97 грн
2500+	33.21 грн
5000+	30.68 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ040N04LSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	23.46 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ040N04LSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	25.13 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ040N04LSGATMA1

Description: INFINEON - BSZ040N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0033 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1152 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	91.84 грн
12+	75.19 грн
100+	50.73 грн
500+	36.98 грн
1000+	28.62 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

BSZ040N04LSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 20302 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	25.80 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ040N04LSGATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 18A/40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 20 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	25.22 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ040N06LS5ATMA1

Description: INFINEON - BSZ040N06LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.004 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 10929 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	144.20 грн
50+	104.72 грн
250+	74.76 грн
1000+	50.45 грн
3000+	45.61 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

BSZ040N06LS5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 30 V

на замовлення 55000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	47.14 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ040N06LS5ATMA1

MOSFETs MV POWER MOS

на замовлення 26177 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	135.69 грн
10+	98.55 грн
100+	60.14 грн
500+	47.21 грн
1000+	46.44 грн
2500+	46.37 грн
5000+	40.17 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ040N06LS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 17A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	31.87 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ040N06LS5ATMA1

Description: INFINEON - BSZ040N06LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.004 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 69W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 10929 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	104.72 грн
250+	74.76 грн
1000+	50.45 грн
3000+	45.61 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ040N06LS5ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 60V; 40A; 69W; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 40A
Power dissipation: 69W
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 4.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.6nC
Kind of channel: enhancement
Electrical mounting: SMT
Polarisation: N

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5000+	37.51 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ040N06LS5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 30 V

на замовлення 62173 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	131.60 грн
10+	90.06 грн
100+	64.04 грн
500+	49.36 грн
1000+	47.25 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ042N04NS

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ042N04NS G

MOSFET N-Ch 40V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ042N04NS G

Description: MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ042N04NSG

Description: MOSFET N-CH 40V 40A TO220AB

на замовлення 47574 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ042N04NSGATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ042N04NSGATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8

на замовлення 41363 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ042N04NSGATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ042N06NS

MOSFETs N-Ch 60V 40A TDSON-8

на замовлення 9023 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	156.22 грн
10+	99.43 грн
100+	59.38 грн
500+	50.35 грн
1000+	42.77 грн
5000+	36.42 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ042N06NS

на замовлення 4850 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ042N06NSATMA1

MOSFETs N-Ch 60V 40A TDSON-8

на замовлення 44571 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	66.06 грн
10+	53.76 грн
100+	42.08 грн
500+	39.79 грн
1000+	38.41 грн
2500+	36.88 грн
5000+	36.42 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

BSZ042N06NSATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	36.33 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ042N06NSATMA1

Description: INFINEON - BSZ042N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0042 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 134698 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	63.17 грн
17+	52.27 грн
100+	47.55 грн
500+	38.82 грн
1000+	33.77 грн
5000+	31.34 грн

Мінімальне замовлення: 14

В кошику од. на суму грн.

BSZ042N06NSATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; 50W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 4.2mΩ
Power dissipation: 50W
Drain current: 20A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ042N06NSATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 6405 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	117.71 грн
10+	106.27 грн
25+	101.59 грн
100+	72.23 грн
250+	61.10 грн
500+	57.39 грн
1000+	46.48 грн
3000+	43.87 грн
6000+	41.80 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

BSZ042N06NSATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 17A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	39.64 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ042N06NSATMA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ042N06NSATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ042N06NSATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 17A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V

на замовлення 7703 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	75.32 грн
10+	59.14 грн
100+	51.12 грн
500+	45.30 грн
1000+	42.62 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

BSZ042N06NSATMA1

Rochester Electronics, LLC

Trans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ049N03LSCGATMA1

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ0500NSIATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 30A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 15 V

на замовлення 9817 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	187.88 грн
10+	116.05 грн
100+	79.26 грн
500+	59.61 грн
1000+	54.86 грн
2000+	50.86 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

BSZ0500NSIATMA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 4916 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	161.57 грн
10+	122.31 грн
100+	84.93 грн
250+	84.17 грн
500+	70.24 грн
1000+	69.17 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ0500NSIATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 30A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 15 V

на замовлення 9817 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	54.67 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ0501NSIATMA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 7622 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	120.51 грн
10+	80.95 грн
100+	53.41 грн
500+	42.31 грн
1000+	38.56 грн
2500+	37.11 грн
5000+	33.36 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ0501NSIATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0501NSIATMA1

Description: INFINEON - BSZ0501NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0017 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm

на замовлення 9635 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	153.64 грн
10+	115.88 грн
100+	93.56 грн
500+	73.96 грн
1000+	52.68 грн
5000+	49.66 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

BSZ0501NSIATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 25A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 15 V

на замовлення 4876 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	164.71 грн
10+	101.62 грн
100+	68.93 грн
500+	51.55 грн
1000+	47.33 грн
2000+	43.77 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ0501NSIATMA1

на замовлення 9635 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	93.56 грн
500+	73.96 грн
1000+	52.68 грн
5000+	49.66 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ0501NSIATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 25A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 15 V

на замовлення 4500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ0502NSIATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 22A 8SON

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0502NSIATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0502NSIATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0503NSIATMA1

Description: INFINEON - BSZ0503NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 82 A, 0.0028 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 2672 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	89.27 грн
15+	60.51 грн
100+	45.84 грн
500+	34.59 грн
1000+	26.71 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

BSZ0503NSIATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0503NSIATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 20A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V

на замовлення 3716 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	110.08 грн
10+	66.79 грн
100+	44.30 грн
500+	32.53 грн
1000+	29.62 грн
2000+	27.17 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ0503NSIATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

113+	107.40 грн
169+	71.95 грн
200+	66.86 грн
1000+	54.35 грн
2000+	47.59 грн
5000+	41.18 грн

Мінімальне замовлення: 113

В кошику од. на суму грн.

BSZ0503NSIATMA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 9657 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	90.16 грн
10+	59.04 грн
100+	34.97 грн
500+	27.24 грн
1000+	22.80 грн
2500+	22.34 грн
5000+	20.20 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ0503NSIATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0503NSIATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0503NSIATMA1

Description: INFINEON - BSZ0503NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 82 A, 0.0028 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 36W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TSDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0028ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 2672 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	45.84 грн
500+	34.59 грн
1000+	26.71 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ0503NSIATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 20A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0503NSIATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	28.30 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ0503NSIATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5000+	28.58 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ0503NSIATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	29.59 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ0506NSATMA1

MOSFETs N

на замовлення 29724 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	78.02 грн
10+	62.74 грн
100+	42.39 грн
500+	36.04 грн
1000+	27.62 грн
5000+	26.09 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

BSZ0506NSATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	26.96 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ0506NSATMA1

BSZ0506NSATMA1 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0506NSATMA1

Description: INFINEON - BSZ0506NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0035 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 7501 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	58.37 грн
50+	44.20 грн
250+	39.57 грн
1000+	30.77 грн
3000+	26.93 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

BSZ0506NSATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 15A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 15 V

на замовлення 71426 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	78.63 грн
10+	62.01 грн
100+	48.17 грн
500+	38.32 грн
1000+	31.21 грн
2000+	29.38 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

BSZ0506NSATMA1

на замовлення 7501 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	44.20 грн
250+	39.57 грн
1000+	30.77 грн
3000+	26.93 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ0506NSATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 15A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 15 V

на замовлення 65000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	30.97 грн
10000+	28.44 грн
25000+	28.39 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ050N03LS G

MOSFETs N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 6251 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	79.09 грн
10+	48.31 грн
100+	27.39 грн
500+	21.04 грн
1000+	19.05 грн
2500+	17.37 грн
5000+	15.30 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

BSZ050N03LSG

Description: BSZ050N03 - 12V-300V N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ050N03LSGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 16A/40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V

на замовлення 7237 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	40.56 грн
12+	27.58 грн
100+	20.88 грн
500+	18.35 грн
1000+	16.56 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

BSZ050N03LSGATMA1

MOSFETs N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 6327 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

15+	23.83 грн
100+	19.53 грн
500+	15.46 грн
1000+	14.54 грн
2500+	14.46 грн
5000+	13.85 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

BSZ050N03LSGATMA1

Description: INFINEON - BSZ050N03LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.005 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 19069 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

24+	36.22 грн
32+	27.04 грн
100+	21.72 грн
500+	17.22 грн
1000+	14.79 грн
5000+	13.61 грн

Мінімальне замовлення: 24

В кошику од. на суму грн.

BSZ050N03LSGATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 50W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ050N03LSGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 16A/40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	15.23 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ050N03LSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	15.71 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ050N03LSGATMA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ050N03MS G

MOSFETs N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M

на замовлення 9458 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	73.73 грн
10+	45.23 грн
100+	25.63 грн
500+	19.74 грн
1000+	16.68 грн
2500+	16.22 грн
5000+	13.01 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

BSZ050N03MSG

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ050N03MSG

Description: BSZ050N03 - 12V-300V N-CHANNEL P

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ050N03MSGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 15A/40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 15 V

на замовлення 1253 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	69.52 грн
10+	41.84 грн
100+	27.28 грн
500+	19.71 грн
1000+	17.81 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

BSZ050N03MSGATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 48W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 48W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ050N03MSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	15.18 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ050N03MSGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 15A/40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ050N03MSGATMA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0589NSATMA1

Description: INFINEON - BSZ0589NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 17 A, 0.0035 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 7074 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	92.70 грн
16+	54.42 грн
100+	41.37 грн
500+	31.00 грн
1000+	23.91 грн
5000+	21.41 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

BSZ0589NSATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 17A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 15 V

на замовлення 9792 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	111.74 грн
10+	67.83 грн
100+	45.07 грн
500+	33.13 грн
1000+	30.17 грн
2000+	27.69 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ0589NSATMA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 5962 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	85.52 грн
10+	61.42 грн
100+	45.07 грн
500+	39.48 грн
1000+	30.30 грн
5000+	28.85 грн
10000+	27.55 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

BSZ0589NSATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 17A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 15 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	27.67 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ0589NSATMA1

на замовлення 7074 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	41.37 грн
500+	31.00 грн
1000+	23.91 грн
5000+	21.41 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ058N03LS G

MOSFETs N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 4717 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	68.91 грн
10+	56.40 грн
100+	38.10 грн
500+	32.29 грн
1000+	26.32 грн
2500+	24.79 грн
5000+	23.64 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

BSZ058N03LSG

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ058N03LSG

0950+ TSDSON-8

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ058N03LSGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 15A/40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ058N03LSGATMA1

MOSFETs N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 2532 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	29.83 грн
5000+	23.41 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

BSZ058N03LSGATMA1

BSZ058N03LSGATMA1 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ058N03LSGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 15A/40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ058N03LSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 35000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	21.42 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ058N03MS G

MOSFET N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M

на замовлення 1159 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ058N03MS G

QFN

на замовлення 92 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ058N03MSG

infineon

08+

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ058N03MSG

Description: BSZ058N03 - 12V-300V N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 15 V

на замовлення 11233 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

886+	28.14 грн

Мінімальне замовлення: 886

В кошику од. на суму грн.

BSZ058N03MSGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 14A/40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ058N03MSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ058N03MSGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 14A/40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ058N03MSGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 14A/40A 8TSDSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 15 V

на замовлення 14327 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

886+	26.83 грн

Мінімальне замовлення: 886

В кошику од. на суму грн.

BSZ058N03MSGXT

MOSFET N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0602LSATMA1

SP001589450

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0602LSATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 13A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 40 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0602LSATMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

на замовлення 4411 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	172.28 грн
10+	152.23 грн
100+	103.29 грн
500+	85.70 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ0602LSATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 13A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 40 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ060NE2LS

Trans MOSFET N-CH 25V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	27.33 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ060NE2LS

MOSFET N-Ch 25V 40A TDSON-8 OptiMOS

на замовлення 40761 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	66.41 грн
10+	57.81 грн
100+	34.28 грн
500+	28.69 грн
1000+	24.41 грн
2500+	23.03 грн
5000+	19.59 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

BSZ060NE2LSATMA1

Description: MOSFET N-CH 25V 12A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 12 V

на замовлення 28141 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	33.93 грн
14+	24.15 грн
100+	19.27 грн
500+	15.29 грн
1000+	14.73 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

BSZ060NE2LSATMA1

Trans MOSFET N-CH 25V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ060NE2LSATMA1

Description: INFINEON - BSZ060NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 0.005 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 26W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 26965 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	62.40 грн
21+	41.20 грн
100+	28.67 грн
500+	19.69 грн
1000+	15.89 грн
5000+	15.82 грн

Мінімальне замовлення: 14

В кошику од. на суму грн.

BSZ060NE2LSATMA1

Trans MOSFET N-CH 25V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	16.16 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ060NE2LSATMA1

Description: MOSFET N-CH 25V 12A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 12 V

на замовлення 25000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	13.56 грн
10000+	12.64 грн
15000+	12.42 грн
25000+	11.57 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ060NE2LSATMA1

MOSFETs N-Ch 25V 40A TDSON-8 OptiMOS

на замовлення 50771 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	33.03 грн
15+	24.37 грн
100+	17.60 грн
500+	14.54 грн
1000+	14.23 грн
2500+	13.31 грн
5000+	12.32 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

BSZ060NE2LSATMA1

Trans MOSFET N-CH 25V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	14.01 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ060NE2LSATMA1

Trans MOSFET N-CH 25V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	21.24 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ063N04LS6ATMA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 166191 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	82.30 грн
10+	58.16 грн
100+	42.08 грн
500+	38.49 грн
1000+	31.29 грн
2500+	29.53 грн
5000+	29.38 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

BSZ063N04LS6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 15A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	27.49 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ063N04LS6ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 15A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 20 V

на замовлення 9266 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	52.97 грн
10+	43.76 грн
25+	41.25 грн
100+	35.45 грн
250+	33.49 грн
500+	32.11 грн
1000+	30.29 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

BSZ063N04LS6ATMA1

Description: INFINEON - BSZ063N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0051 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0051ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 28529 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	46.86 грн
500+	36.90 грн
1000+	27.74 грн
2500+	26.12 грн
5000+	24.87 грн
10000+	24.65 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ063N04LS6ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 15A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 20 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	31.03 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ063N04LS6ATMA1

на замовлення 28529 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	73.30 грн
15+	60.17 грн
100+	46.86 грн
500+	36.90 грн
1000+	27.74 грн
2500+	26.12 грн
5000+	24.87 грн
10000+	24.65 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

BSZ065N03LS

QFN

на замовлення 792 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ065N03LS

MOSFETs N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS

на замовлення 5499 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	84.45 грн
10+	51.74 грн
100+	29.38 грн
500+	22.65 грн
1000+	20.43 грн
2500+	19.05 грн
5000+	16.14 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

BSZ065N03LS
Код товару: 148978

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ065N03LSATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 26W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 26W
Case: PG-TSDSON-8
кількість в упаковці: 5000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ065N03LSATMA1

MOSFETs N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS

на замовлення 8584 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	62.93 грн
10+	41.88 грн
25+	35.50 грн
100+	24.71 грн
250+	23.41 грн
500+	21.81 грн
1000+	18.13 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

BSZ065N03LSATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ065N03LSATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 12A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 15 V

на замовлення 6690 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	52.14 грн
10+	36.66 грн
100+	25.46 грн
500+	21.19 грн
1000+	18.57 грн
2000+	17.49 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

BSZ065N03LSATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ065N03LSATMA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ065N03LSATMA1

Description: INFINEON - BSZ065N03LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0054 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 26W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 794 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

150+	44.03 грн
500+	34.19 грн

Мінімальне замовлення: 150

В кошику од. на суму грн.

BSZ065N03LSATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ065N03LSATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 12A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 15 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	16.81 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ065N03LSATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 2557 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	54.40 грн
16+	46.07 грн
25+	45.67 грн
100+	31.97 грн
250+	29.33 грн
500+	24.51 грн
1000+	18.11 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

BSZ065N03LSATMA1

на замовлення 794 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	82.14 грн
13+	67.46 грн
100+	44.03 грн
500+	34.19 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

BSZ065N06LS5

Infineon / IR

MOSFET TRENCH 40<-<100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ065N06LS5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ065N06LS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 14900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

182+	66.82 грн
193+	62.99 грн
221+	54.81 грн
232+	50.42 грн
500+	46.50 грн
1000+	41.01 грн
5000+	38.07 грн
10000+	37.29 грн

Мінімальне замовлення: 182

В кошику од. на суму грн.

BSZ065N06LS5ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 60V; 40A; 46W; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 40A
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 5.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhancement
Electrical mounting: SMT
Power dissipation: 46W

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5000+	27.98 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ065N06LS5ATMA1

Description: INFINEON - BSZ065N06LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0054 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 46W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0054ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 11272 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	64.20 грн
500+	52.68 грн
1000+	39.14 грн
5000+	37.30 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ065N06LS5ATMA1

MOSFETs MV POWER MOS

на замовлення 19724 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	102.66 грн
10+	69.51 грн
100+	44.45 грн
500+	36.27 грн
1000+	32.14 грн
10000+	31.06 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ065N06LS5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 30 V

на замовлення 2052 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	112.56 грн
10+	75.16 грн
100+	55.08 грн
500+	39.40 грн
1000+	33.98 грн
2000+	33.77 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ065N06LS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ065N06LS5ATMA1

Description: INFINEON - BSZ065N06LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0054 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 11272 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	105.58 грн
11+	82.57 грн
100+	64.20 грн
500+	52.68 грн
1000+	39.14 грн
5000+	37.30 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

BSZ065N06LS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ067N06LS3 G

MOSFETs N-Ch 60V 20A TSDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 2455 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	165.14 грн
10+	103.83 грн
100+	59.91 грн
500+	49.12 грн
1000+	43.00 грн
2500+	41.70 грн
5000+	35.50 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ067N06LS3G

на замовлення 650 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ067N06LS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	44.82 грн
10000+	39.84 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ067N06LS3GATMA1

BSZ067N06LS3GATMA1 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ067N06LS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	48.02 грн
10000+	42.69 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ067N06LS3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 14A/79A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 30 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	35.66 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ067N06LS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 30390 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

152+	79.74 грн
164+	74.09 грн
194+	62.48 грн
206+	56.94 грн
1000+	47.50 грн
2000+	42.91 грн
5000+	42.48 грн
10000+	37.55 грн

Мінімальне замовлення: 152

В кошику од. на суму грн.

BSZ067N06LS3GATMA1

Description: INFINEON - BSZ067N06LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.0067 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ067N06LS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ067N06LS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 10001 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

135+	89.74 грн
146+	83.38 грн
173+	70.25 грн
200+	64.05 грн
1000+	53.45 грн
2000+	48.28 грн
5000+	42.48 грн
10000+	42.22 грн

Мінімальне замовлення: 135

В кошику од. на суму грн.

BSZ067N06LS3GATMA1

MOSFETs N-Ch 60V 20A TSDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 8040 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	122.30 грн
10+	81.57 грн
100+	56.31 грн
500+	46.90 грн
1000+	40.55 грн
2500+	38.72 грн
5000+	38.03 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ067N06LS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ067N06LS3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 14A/79A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 30 V

на замовлення 6308 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	136.57 грн
10+	83.61 грн
100+	56.36 грн
500+	41.93 грн
1000+	38.95 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ068N06NS

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 5202 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	99.98 грн
10+	80.86 грн
100+	54.71 грн
500+	46.37 грн
1000+	37.80 грн
2500+	35.58 грн
5000+	33.90 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ068N06NS

на замовлення 400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ068N06NSATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 63A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 30990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

132+	92.45 грн
144+	84.22 грн
177+	68.47 грн
200+	61.76 грн
1000+	50.65 грн
2000+	45.36 грн
5000+	44.22 грн
10000+	42.54 грн

Мінімальне замовлення: 132

В кошику од. на суму грн.

BSZ068N06NSATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 30 V

на замовлення 2007 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	121.67 грн
10+	77.15 грн
100+	55.71 грн
500+	41.30 грн
1000+	36.58 грн
2000+	34.79 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ068N06NSATMA1

Description: INFINEON - BSZ068N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0056 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0056ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 5511 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	60.77 грн
250+	52.36 грн
1000+	37.22 грн
3000+	31.64 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ068N06NSATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 63A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	19.01 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ068N06NSATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 63A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ068N06NSATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 63A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	33.23 грн
10000+	31.88 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ068N06NSATMA1

BSZ068N06NSATMA1 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ068N06NSATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ068N06NSATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 63A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	38.44 грн
10000+	36.88 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ068N06NSATMA1

на замовлення 5511 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	80.34 грн
50+	60.77 грн
250+	52.36 грн
1000+	37.22 грн
3000+	31.64 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

BSZ068N06NSATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 63A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ068N06NSATMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 8620 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	124.08 грн
10+	71.36 грн
100+	46.52 грн
500+	39.02 грн
1000+	34.97 грн
2500+	34.35 грн
5000+	30.38 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ0702LSATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 17A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0702LSATMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

на замовлення 20117 шт:

термін постачання 322-331 дні (днів)

4+	107.12 грн
10+	93.27 грн
100+	63.43 грн
500+	53.10 грн
1000+	41.78 грн
2500+	40.17 грн
5000+	39.02 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ0702LSATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 17A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0702LSATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 17A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ0703LSATMA1

MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS

на замовлення 3960 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	103.55 грн
10+	90.63 грн
100+	61.90 грн
500+	51.11 грн
1000+	40.32 грн
2500+	37.72 грн
5000+	35.73 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ0703LSATMA1

DIFFERENTIATED MOSFETS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0703LSATMA1

BSZ0703LSATMA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0703LSATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-26
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0703LSATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-26
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0704LSATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 11A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0704LSATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 11A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0704LSATMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

на замовлення 44915 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	73.82 грн
10+	64.76 грн
100+	43.15 грн
500+	34.20 грн
1000+	27.32 грн
2500+	24.71 грн
5000+	22.95 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

BSZ0704LSATMA1

SP001614102

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ070N08LS5

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ070N08LS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5908 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

227+	53.46 грн
228+	53.13 грн
233+	50.15 грн
2000+	46.29 грн

Мінімальне замовлення: 227

В кошику од. на суму грн.

BSZ070N08LS5ATMA1

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ070N08LS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 760 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

367+	82.64 грн
500+	74.37 грн

Мінімальне замовлення: 367

В кошику од. на суму грн.

BSZ070N08LS5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 40 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	43.82 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ070N08LS5ATMA1

Description: INFINEON - BSZ070N08LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 74 A, 0.007 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 74A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 69W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0059ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 5372 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	65.06 грн
250+	53.13 грн
1000+	48.30 грн
3000+	43.70 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ070N08LS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	45.93 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ070N08LS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ070N08LS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	31.33 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ070N08LS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	63.79 грн
20000+	58.29 грн
30000+	54.23 грн
40000+	49.32 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ070N08LS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	42.90 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ070N08LS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ070N08LS5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 40 V

на замовлення 6816 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	72.84 грн
10+	56.75 грн
100+	51.65 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

BSZ070N08LS5ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 80V; 40A; 69W; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 40A
Power dissipation: 69W
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 7.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Electrical mounting: SMT
Gate charge: 14.1nC
Technology: MOSFET

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5000+	40.94 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ070N08LS5ATMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 18280 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	98.19 грн
10+	64.94 грн
100+	47.74 грн
2500+	47.29 грн
5000+	41.32 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ070N08LS5ATMA1

Description: INFINEON - BSZ070N08LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 74 A, 0.007 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 74A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 5372 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	79.74 грн
50+	65.06 грн
250+	53.13 грн
1000+	48.30 грн
3000+	43.70 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

BSZ075N08NS5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 40 V

на замовлення 63986 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	105.12 грн
10+	68.94 грн
100+	55.49 грн
500+	48.62 грн
1000+	45.24 грн
2000+	44.33 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ075N08NS5ATMA1

Description: INFINEON - BSZ075N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 0.0075 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 19088 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	51.24 грн
500+	47.02 грн
1000+	43.19 грн
5000+	40.98 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ075N08NS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 40A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	30.35 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ075N08NS5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 40 V

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	46.58 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ075N08NS5ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 40A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ075N08NS5ATMA1

MOSFETs N-Ch 80V 40A TSDSON-8

на замовлення 71267 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	54.54 грн
10+	50.16 грн
100+	43.00 грн
500+	42.08 грн
1000+	40.94 грн
2500+	40.63 грн
5000+	40.17 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

BSZ075N08NS5ATMA1

на замовлення 19088 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	55.45 грн
17+	52.53 грн
100+	51.24 грн
500+	47.02 грн
1000+	43.19 грн
5000+	40.98 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

BSZ075N08NS5ATMA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ076N06NS3 G

MOSFET N-Ch 60V 20A TDSON-8 OptiMOS 3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ076N06NS3G

Description: OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ076N06NS3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 20A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ076N06NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 20A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ076N06NS3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 20A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0803LSATMA1

Description: INFINEON - BSZ0803LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.0124 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	84.37 грн
500+	64.64 грн
1000+	44.95 грн
2500+	43.48 грн
5000+	42.01 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ0803LSATMA1

SP001614108

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0803LSATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 9A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0803LSATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 4953 шт:

термін постачання 301-310 дні (днів)

3+	129.44 грн
10+	112.63 грн
100+	76.21 грн
500+	63.58 грн
1000+	49.66 грн
2500+	47.67 грн
5000+	44.38 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ0803LSATMA1

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	138.19 грн
10+	112.44 грн
100+	84.37 грн
500+	64.64 грн
1000+	44.95 грн
2500+	43.48 грн
5000+	42.01 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

BSZ0803LSATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 9A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0804LSATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 11A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0804LSATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 4884 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	142.83 грн
10+	126.71 грн
100+	88.76 грн
500+	72.61 грн
1000+	56.01 грн
5000+	53.94 грн
10000+	53.87 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ0804LSATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 11A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0804LSATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ084N08NS5ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; 63W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Power dissipation: 63W
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 40A
Drain-source voltage: 80V
On-state resistance: 8.4mΩ
Gate-source voltage: ±20V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ084N08NS5ATMA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ084N08NS5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 31µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 40 V

на замовлення 34017 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	158.09 грн
10+	97.16 грн
100+	65.73 грн
500+	49.05 грн
1000+	44.98 грн
2000+	41.56 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ084N08NS5ATMA1

Description: INFINEON - BSZ084N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 0.0084 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0084ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 127438 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	54.42 грн
500+	46.47 грн
1000+	41.05 грн
5000+	36.34 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ084N08NS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 40A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	31.42 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ084N08NS5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 31µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 40 V

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	43.18 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ084N08NS5ATMA1

MOSFETs N-Ch 80V 40A TSDSON-8

на замовлення 11259 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	117.83 грн
10+	79.46 грн
100+	52.64 грн
500+	45.76 грн
1000+	43.46 грн
2500+	43.08 грн
5000+	37.19 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ084N08NS5ATMA1

на замовлення 127438 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	78.45 грн
15+	59.57 грн
100+	54.42 грн
500+	46.47 грн
1000+	41.05 грн
5000+	36.34 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

BSZ086P03NS3 G

MOSFETs P-Ch -30V 13.5A TSDSON-8 OptiMOS P3

на замовлення 6120 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	91.94 грн
10+	56.58 грн
100+	32.44 грн
500+	25.71 грн
1000+	22.80 грн
2500+	21.42 грн
5000+	18.13 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ086P03NS3E G

MOSFETs P-Ch -30V 13.5A TSDSON-8 OptiMOS P3

на замовлення 1422 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	99.09 грн
10+	61.07 грн
100+	35.04 грн
500+	27.77 грн
1000+	24.71 грн
2500+	23.11 грн
5000+	19.51 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ086P03NS3EG

на замовлення 409 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ086P03NS3EGATMA

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -40A; 69W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Power dissipation: 69W
Technology: OptiMOS™ P3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: -40A
Drain-source voltage: -30V
On-state resistance: 8.6mΩ
Gate-source voltage: ±25V
кількість в упаковці: 5000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ086P03NS3EGATMA

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ086P03NS3EGATMA1

Description: INFINEON - BSZ086P03NS3EGATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0065 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 32831 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	84.80 грн
13+	69.87 грн
100+	44.63 грн
500+	34.59 грн
1000+	24.72 грн
5000+	23.10 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

BSZ086P03NS3EGATMA1

Trans MOSFET P-CH 30V 13.5A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	19.64 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ086P03NS3EGATMA1

Trans MOSFET P-CH 30V 13.5A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 24 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ086P03NS3EGATMA1

Description: MOSFET P-CH 30V 13.5A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 105µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4785 pF @ 15 V

на замовлення 17031 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	67.87 грн
10+	49.42 грн
100+	34.88 грн
500+	25.98 грн
1000+	22.27 грн
2000+	21.83 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

BSZ086P03NS3EGATMA1

Trans MOSFET P-CH 30V 13.5A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ086P03NS3EGATMA1

MOSFETs P-Ch -30V 13.5A TSDSON-8 OptiMOS P3

на замовлення 1741 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	73.73 грн
10+	51.12 грн
100+	32.21 грн
500+	26.09 грн
1000+	22.34 грн
5000+	19.97 грн
10000+	18.98 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

BSZ086P03NS3EGATMA1

на замовлення 32831 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	44.63 грн
500+	34.59 грн
1000+	24.72 грн
5000+	23.10 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ086P03NS3EGATMA1

Trans MOSFET P-CH 30V 13.5A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

150+	81.26 грн

Мінімальне замовлення: 150

В кошику од. на суму грн.

BSZ086P03NS3EGATMA1

Description: MOSFET P-CH 30V 13.5A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 105µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4785 pF @ 15 V

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	21.65 грн
10000+	19.65 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ086P03NS3EGATMA1

Trans MOSFET P-CH 30V 13.5A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 24 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	41.28 грн

Мінімальне замовлення: 17

В кошику од. на суму грн.

BSZ086P03NS3GATMA1

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -40A; 52W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Power dissipation: 52W
Technology: OptiMOS™ P3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: -40A
Drain-source voltage: -30V
On-state resistance: 8.6mΩ
Gate-source voltage: ±25V
кількість в упаковці: 5000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ086P03NS3GATMA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ086P03NS3GATMA1

MOSFETs P-Ch -30V 13.5A TSDSON-8 OptiMOS P3

на замовлення 6700 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	73.73 грн
10+	54.38 грн
100+	32.29 грн
500+	25.17 грн
1000+	20.89 грн
5000+	17.60 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

BSZ086P03NS3GATMA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ086P03NS3GATMA1

Description: INFINEON - BSZ086P03NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0065 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1430 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	76.22 грн
17+	51.41 грн
100+	35.45 грн
500+	28.45 грн
1000+	22.29 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

BSZ086P03NS3GATMA1

Trans MOSFET P-CH 30V 13.5A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ086P03NS3GATMA1

Trans MOSFET P-CH 30V 13.5A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	30.73 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ086P03NS3GATMA1

Trans MOSFET P-CH 30V 13.5A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	20.17 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ086P03NS3GATMA1

на замовлення 3694 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	95.18 грн
10+	57.86 грн
100+	38.07 грн
500+	27.76 грн
1000+	24.19 грн
2000+	23.04 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ086P03NS3GATMA1

на замовлення 1430 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	35.45 грн
500+	28.45 грн
1000+	22.29 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ086P03NS3GATMA1

Trans MOSFET P-CH 30V 13.5A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

154+	78.77 грн
172+	70.42 грн
210+	57.76 грн
224+	52.32 грн
500+	43.02 грн
1000+	34.15 грн
5000+	29.83 грн

Мінімальне замовлення: 154

В кошику од. на суму грн.

BSZ086P03NS3GXT

MOSFETs P-Ch -30V 13.5A TSDSON-8 OptiMOS P3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ088N03LS G

MOSFETs N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 4935 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	71.41 грн
10+	61.15 грн
100+	36.88 грн
500+	30.84 грн
1000+	23.34 грн
5000+	21.96 грн
10000+	21.12 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

BSZ088N03LS G
Код товару: 177892

Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ088N03LS G

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ088N03LSG

infineon

08+

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ088N03LSG

Description: BSZ088N03 - 12V-300V N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ088N03LSG

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ088N03LSGATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ088N03LSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ088N03LSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	19.37 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ088N03LSGATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 35W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Power dissipation: 35W
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 40A
Drain-source voltage: 30V
On-state resistance: 8.8mΩ
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ088N03LSGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 12A/40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ088N03LSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ088N03LSGATMA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ088N03LSGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 12A/40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ088N03MS G

MOSFET N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ088N03MS G

QFN

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ088N03MSG

Description: BSZ088N03 - 12V-300V N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ088N03MSG

на замовлення 50 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ088N03MSGATMA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ088N03MSGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 11A/40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ088N03MSGATMA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ088N03MSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ088N03MSGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 11A/40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0901NS

MOSFETs N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS

на замовлення 7700 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	76.32 грн
10+	69.25 грн
100+	46.98 грн
500+	40.94 грн
1000+	38.72 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

BSZ0901NS

на замовлення 90 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ0901NSATMA1

Description: INFINEON - BSZ0901NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.002 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4845 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	41.20 грн
500+	28.93 грн
1000+	24.35 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ0901NSATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 22A/40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 15 V

на замовлення 3466 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	104.29 грн
10+	82.25 грн
100+	63.97 грн
500+	50.89 грн
1000+	41.45 грн
2000+	39.02 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ0901NSATMA1

BSZ0901NSATMA1 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0901NSATMA1

на замовлення 4845 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	121.02 грн
16+	55.96 грн
100+	41.20 грн
500+	28.93 грн
1000+	24.35 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

BSZ0901NSATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0901NSATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 22A/40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0901NSI

MOSFETs N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS

на замовлення 515 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	161.57 грн
10+	103.83 грн
100+	61.06 грн
500+	48.89 грн
1000+	41.85 грн
5000+	41.70 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ0901NSI

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ0901NSIATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	34.01 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ0901NSIATMA1

Description: INFINEON - BSZ0901NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0018 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm

на замовлення 4278 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	74.59 грн
500+	58.74 грн
1000+	41.57 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ0901NSIATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 25A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 20A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 15 V

на замовлення 13206 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	124.98 грн
10+	76.20 грн
100+	51.10 грн
500+	37.83 грн
1000+	34.57 грн
2000+	34.22 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ0901NSIATMA1

BSZ0901NSIATMA1 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0901NSIATMA1

на замовлення 4278 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	133.90 грн
10+	101.28 грн
100+	74.59 грн
500+	58.74 грн
1000+	41.57 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

BSZ0901NSIATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 25A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 20A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 15 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	30.98 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ0902NS

на замовлення 50 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ0902NS

MOSFETs N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS

на замовлення 12152 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	94.62 грн
10+	68.55 грн
100+	39.94 грн
250+	39.86 грн
500+	31.14 грн
1000+	26.17 грн
2500+	26.09 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ0902NSATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 4017 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

149+	81.55 грн
155+	78.27 грн
185+	65.77 грн
250+	59.34 грн
500+	49.49 грн
1000+	41.89 грн
3000+	39.79 грн

Мінімальне замовлення: 149

В кошику од. на суму грн.

BSZ0902NSATMA1

Description: INFINEON - BSZ0902NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0022 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 7530 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	75.45 грн
17+	53.22 грн
100+	35.36 грн
500+	26.38 грн
1000+	23.91 грн
5000+	23.84 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

BSZ0902NSATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 4017 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	102.68 грн
10+	87.38 грн
25+	83.86 грн
100+	67.95 грн
250+	58.86 грн
500+	50.90 грн
1000+	44.88 грн
3000+	42.63 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

BSZ0902NSATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 19A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V

на замовлення 48896 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	97.67 грн
10+	58.98 грн
100+	39.03 грн
500+	28.58 грн
1000+	25.99 грн
2000+	24.22 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ0902NSATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	24.82 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ0902NSATMA1

BSZ0902NSATMA1 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0902NSATMA1

на замовлення 7530 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	35.36 грн
500+	26.38 грн
1000+	23.91 грн
5000+	23.84 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ0902NSATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0902NSATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 19A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V

на замовлення 45000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	21.89 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ0902NSI
Код товару: 153067

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0902NSI

на замовлення 6349 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ0902NSI

MOSFETs N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS

на замовлення 10758 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	99.98 грн
10+	80.95 грн
100+	54.78 грн
500+	46.44 грн
1000+	37.80 грн
2500+	35.66 грн
5000+	33.90 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ0902NSIATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	38.47 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ0902NSIATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 21A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0902NSIATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	30.80 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ0902NSIATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0902NSIATMA1

MOSFETs N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS

на замовлення 4513 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	99.98 грн
10+	71.63 грн
100+	48.74 грн
500+	39.33 грн
1000+	33.59 грн
2500+	33.51 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ0902NSIATMA1

Description: INFINEON - BSZ0902NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0023 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm

на замовлення 3478 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	60.17 грн
500+	47.34 грн
1000+	33.55 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ0902NSIATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0902NSIATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 21A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0902NSIATMA1

BSZ0902NSIATMA1 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0902NSIATMA1

на замовлення 3478 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	107.29 грн
11+	79.91 грн
100+	60.17 грн
500+	47.34 грн
1000+	33.55 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

BSZ0904NSI

MOSFETs N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS

на замовлення 1871 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	84.45 грн
10+	51.65 грн
100+	29.38 грн
500+	22.72 грн
1000+	20.58 грн
2500+	19.21 грн
5000+	16.22 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

BSZ0904NSI

на замовлення 80 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ0904NSIATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0904NSIATMA1

Description: INFINEON - BSZ0904NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.004 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1297 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	76.65 грн
21+	41.11 грн
100+	30.30 грн
500+	22.40 грн
1000+	17.07 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

BSZ0904NSIATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 7440 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

142+	85.60 грн
249+	48.69 грн
500+	41.43 грн
1000+	32.94 грн
5000+	29.92 грн

Мінімальне замовлення: 142

В кошику од. на суму грн.

BSZ0904NSIATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 18A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1463 pF @ 15 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	22.00 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ0904NSIATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0904NSIATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 2821 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1183+	25.60 грн

Мінімальне замовлення: 1183

В кошику од. на суму грн.

BSZ0904NSIATMA1

MOSFETs N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS

на замовлення 4406 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	83.64 грн
10+	43.38 грн
100+	28.46 грн
500+	22.65 грн
1000+	18.75 грн
5000+	16.22 грн
10000+	15.46 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

BSZ0904NSIATMA1

на замовлення 1297 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	30.30 грн
500+	22.40 грн
1000+	17.07 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ0904NSIATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	17.05 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ0904NSIATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	20.38 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ0904NSIATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	21.74 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ0904NSIATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 18A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1463 pF @ 15 V

на замовлення 5610 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	80.28 грн
10+	47.98 грн
100+	31.72 грн
500+	23.02 грн
1000+	20.85 грн
2000+	19.24 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

BSZ0905PNSATMA1

Description: MOSFET P-CH 30V 40A TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 105µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3190 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0905PNSATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 5260 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	97.30 грн
10+	76.82 грн
100+	52.95 грн
500+	49.43 грн
5000+	42.01 грн
10000+	32.14 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ0905PNSATMA1

AMPMODU (BREAK AWAY)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0905PNSATMA1

Description: MOSFET P-CH 30V 40A TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 105µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3190 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0907NDXTMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 11.1A/13.8A 8-Pin WISON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0909LSATMA1

MOSFET Power-Transistor

на замовлення 881 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

844+	35.89 грн

Мінімальне замовлення: 844

В кошику од. на суму грн.

BSZ0909LSATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 19A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0909LSATMA1

Description: INFINEON - BSZ0909LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0023 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 14978 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

34+	25.66 грн
35+	24.81 грн
100+	23.95 грн
500+	21.44 грн
1000+	19.42 грн
5000+	18.98 грн

Мінімальне замовлення: 34

В кошику од. на суму грн.

BSZ0909LSATMA1

MOSFET Power-Transistor

на замовлення 4678 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

844+	35.89 грн

Мінімальне замовлення: 844

В кошику од. на суму грн.

BSZ0909LSATMA1

MOSFET Power-Transistor

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0909LSATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 19A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0909LSATMA1

на замовлення 14978 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	23.95 грн
500+	21.44 грн
1000+	19.42 грн
5000+	18.98 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ0909NDXTMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 8.1A 8-Pin WISON EP T/R

на замовлення 547 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

456+	66.47 грн

Мінімальне замовлення: 456

В кошику од. на суму грн.

BSZ0909NDXTMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 8.1A 8-Pin WISON EP T/R

на замовлення 6670 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

456+	66.47 грн

Мінімальне замовлення: 456

В кошику од. на суму грн.

BSZ0909NDXTMA1

Description: MOSFET 2N-CH 30V 20A WISON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 17W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-WISON-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0909NDXTMA1

MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS

на замовлення 276 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	136.58 грн
10+	121.43 грн
100+	82.64 грн
500+	67.87 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ0909NS

QFN

на замовлення 217 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ0909NS

MOSFETs N-Ch 30V 36A TDSON-8 OptiMOS

на замовлення 12142 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	59.09 грн
10+	36.69 грн
100+	21.81 грн
500+	17.22 грн
1000+	14.31 грн
2500+	13.70 грн
5000+	11.02 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

BSZ0909NS

на замовлення 25 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ0909NSATMA1

Trans MOSFET N-CH 34V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 3715 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

798+	15.19 грн
854+	14.19 грн
856+	14.16 грн
902+	12.96 грн
1000+	11.66 грн
3000+	10.86 грн

Мінімальне замовлення: 798

В кошику од. на суму грн.

BSZ0909NSATMA1

Description: MOSFET N-CH 34V 9A/36A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 34 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 15 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15

на замовлення 41067 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	62.90 грн
10+	37.38 грн
100+	24.22 грн
500+	17.41 грн
1000+	15.69 грн
2000+	14.25 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

BSZ0909NSATMA1

Description: INFINEON - BSZ0909NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 34 V, 36 A, 0.01 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 34V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 2821 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	23.43 грн
500+	15.94 грн
1000+	12.36 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ0909NSATMA1

Trans MOSFET N-CH 34V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	16.12 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ0909NSATMA1

Trans MOSFET N-CH 34V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	12.85 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ0909NSATMA1

BSZ0909NSATMA1 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0909NSATMA1

Trans MOSFET N-CH 34V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0909NSATMA1

Trans MOSFET N-CH 34V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	19.74 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ0909NSATMA1

Description: MOSFET N-CH 34V 9A/36A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 34 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 15 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15

на замовлення 35000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	11.93 грн
10000+	11.34 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ0909NSATMA1

на замовлення 2821 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	53.99 грн
26+	34.25 грн
100+	23.43 грн
500+	15.94 грн
1000+	12.36 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

BSZ0909NSATMA1

Trans MOSFET N-CH 34V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 35000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	14.13 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ0909NSATMA1

Trans MOSFET N-CH 34V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 3715 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

40+	17.43 грн
42+	16.48 грн
43+	16.27 грн
100+	14.66 грн
250+	13.54 грн
500+	12.34 грн
1000+	11.99 грн
3000+	11.64 грн

Мінімальне замовлення: 40

В кошику од. на суму грн.

BSZ0909NSATMA1

Trans MOSFET N-CH 34V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 9796 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

811+	14.94 грн
816+	14.86 грн
975+	12.44 грн
1095+	10.67 грн

Мінімальне замовлення: 811

В кошику од. на суму грн.

BSZ0910LSATMA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 3290 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	66.15 грн
10+	41.00 грн
100+	24.26 грн
500+	19.59 грн
1000+	16.22 грн
2500+	16.14 грн
5000+	14.46 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

BSZ0910LSATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 4910 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

32+	21.84 грн
33+	21.29 грн
100+	18.45 грн
250+	16.91 грн
500+	15.69 грн
1000+	15.12 грн
3000+	14.55 грн

Мінімальне замовлення: 32

В кошику од. на суму грн.

BSZ0910LSATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 18A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0910LSATMA1

Description: INFINEON - BSZ0910LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0036 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm

на замовлення 4743 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	26.01 грн
500+	20.80 грн
1000+	14.86 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ0910LSATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 4910 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

609+	19.91 грн
675+	17.95 грн
682+	17.77 грн
707+	16.52 грн
1000+	14.72 грн
3000+	13.58 грн

Мінімальне замовлення: 609

В кошику од. на суму грн.

BSZ0910LSATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 18A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0910LSATMA1

на замовлення 4743 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	46.61 грн
22+	39.74 грн
100+	26.01 грн
500+	20.80 грн
1000+	14.86 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

BSZ0910LSATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	17.42 грн
10000+	16.31 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ0910LSATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0910LSATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	16.52 грн
10000+	15.40 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ0910NDXTMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 11.1A 8-Pin WISON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0910NDXTMA1

Description: DIFFERENTIATED MOSFETS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W (Ta), 31W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 25A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-WISON-8
Part Status: Obsolete

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0910NDXTMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 4791 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ0910NDXTMA1

Description: DIFFERENTIATED MOSFETS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W (Ta), 31W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 25A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-WISON-8
Part Status: Obsolete

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0911LSATMA1

SP005424280

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0911LSATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 12A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 15 V

на замовлення 29980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	47.18 грн
10+	38.58 грн
100+	26.82 грн
500+	19.65 грн
1000+	15.97 грн
2000+	14.28 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

BSZ0911LSATMA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 2765 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	67.04 грн
10+	41.71 грн
100+	23.80 грн
500+	18.29 грн
1000+	15.23 грн
5000+	12.85 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

BSZ0911LSATMA1

Description: INFINEON - BSZ0911LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0055 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	15.36 грн
500+	13.23 грн
1000+	11.18 грн
5000+	10.23 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ0911LSATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 12A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 15 V

на замовлення 25000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	15.00 грн
10000+	13.41 грн
25000+	13.10 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ0911LSATMA1

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	41.89 грн
33+	26.78 грн
100+	17.68 грн
500+	12.67 грн
1000+	10.96 грн
5000+	10.23 грн

Мінімальне замовлення: 21

В кошику од. на суму грн.

BSZ0945NDXTMA1

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0945NDXTMA1

BSZ0945NDXTMA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ096N10LS5

MOSFET TRENCH >=100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ096N10LS5ATMA1

Description: INFINEON - BSZ096N10LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.0082 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 69W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0082ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 5441 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	66.26 грн
500+	54.76 грн
1000+	47.38 грн
5000+	42.97 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ096N10LS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 4800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

86+	142.08 грн
95+	128.70 грн
116+	105.02 грн
200+	95.01 грн
1000+	77.95 грн
2000+	69.80 грн

Мінімальне замовлення: 86

В кошику од. на суму грн.

BSZ096N10LS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	39.01 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ096N10LS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ096N10LS5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 50 V

на замовлення 5040 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	116.70 грн
10+	82.57 грн
100+	59.31 грн
500+	50.17 грн
1000+	48.53 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ096N10LS5ATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 20996 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	128.54 грн
10+	87.82 грн
100+	54.94 грн
500+	48.20 грн
1000+	45.99 грн
2500+	44.23 грн
5000+	41.39 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ096N10LS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 100000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	65.68 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ096N10LS5ATMA1

Description: INFINEON - BSZ096N10LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.0082 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 5441 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	121.02 грн
10+	90.12 грн
100+	66.26 грн
500+	54.76 грн
1000+	47.38 грн
5000+	42.97 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

BSZ096N10LS5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ096N10LS5ATMA1

BSZ096N10LS5ATMA1 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ096N10LS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ097N04LS G

MOSFETs N-Ch 40V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 183799 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	90.16 грн
10+	55.52 грн
100+	31.83 грн
500+	25.25 грн
1000+	22.42 грн
2500+	20.51 грн
5000+	18.36 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ097N04LS G

на замовлення 4970 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ097N04LSGATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 35W; PG-TSDSON-8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Case: PG-TSDSON-8
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 9.7mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 35W
Drain current: 40A
Drain-source voltage: 40V

на замовлення 4919 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	44.63 грн
13+	31.80 грн
35+	27.42 грн
94+	25.90 грн
100+	24.95 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

BSZ097N04LSGATMA1

на замовлення 4919 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

6+	53.56 грн
10+	39.63 грн
35+	32.90 грн
94+	31.08 грн
100+	29.94 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

BSZ097N04LSGATMA1

Description: INFINEON - BSZ097N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0081 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0081ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 19892 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	75.45 грн
16+	55.62 грн
100+	38.97 грн
500+	29.25 грн
1000+	22.73 грн
5000+	22.07 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

BSZ097N04LSGATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 12A/40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 20 V

на замовлення 7630 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	48.83 грн
10+	34.83 грн
100+	26.84 грн
500+	23.69 грн
1000+	20.67 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

BSZ097N04LSGATMA1

MOSFETs N-Ch 40V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 25798 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	42.22 грн
11+	32.47 грн
100+	22.42 грн
500+	20.66 грн
1000+	18.52 грн
2500+	18.21 грн
5000+	17.29 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

BSZ097N04LSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 3596 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	61.61 грн
14+	52.53 грн
25+	52.33 грн
100+	37.10 грн
250+	34.01 грн
500+	27.94 грн
1000+	24.72 грн
3000+	23.23 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

BSZ097N04LSGATMA1
Код товару: 170565

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ097N04LSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	22.85 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ097N04LSGATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 12A/40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 20 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	19.37 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ097N10NS5

MOSFETs OptiMOS5 power MOSFET 100 V in a PQFN 3x3

на замовлення 14192 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	173.18 грн
10+	109.11 грн
100+	65.65 грн
500+	55.70 грн
1000+	47.29 грн
5000+	40.32 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ097N10NS5

на замовлення 13 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ097N10NS5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 8A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 50 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	41.48 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ097N10NS5ATMA1

N-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 40; Ciss, пФ @ Uds, В = 2080 @ 50; Qg, нКл = 28; Rds = 9.7 мОм; Ugs(th) = 2,2 В; Р, Вт = 69 @ 25°C; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = SMD; TSDSON-8

на замовлення 4 шт:

термін постачання 3 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ097N10NS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 11A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	38.03 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ097N10NS5ATMA1

Description: INFINEON - BSZ097N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.0083 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0083ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 11876 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	53.65 грн
250+	50.47 грн
1000+	46.39 грн
3000+	41.94 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ097N10NS5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 8A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 50 V

на замовлення 6333 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	56.28 грн
10+	49.89 грн
100+	48.89 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

BSZ097N10NS5ATMA1

BSZ097N10NS5ATMA1 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ097N10NS5ATMA1

MOSFETs N-Ch 100V 40A TSDSON-8

на замовлення 6730 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	59.90 грн
10+	54.47 грн
500+	45.83 грн
1000+	42.54 грн
2500+	41.24 грн
5000+	40.32 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

BSZ097N10NS5ATMA1

на замовлення 11876 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	63.77 грн
50+	53.65 грн
250+	50.47 грн
1000+	46.39 грн
3000+	41.94 грн

Мінімальне замовлення: 14

В кошику од. на суму грн.

BSZ0994NSATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0994NSATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8TSDSON-25
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-25
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0994NSATMA1

BSZ0994NS SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0994NSATMA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 4635 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	75.25 грн
10+	55.35 грн
100+	32.21 грн
500+	25.02 грн
1000+	20.74 грн
5000+	18.36 грн
10000+	18.13 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

BSZ0994NSATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0994NSATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8TSDSON-25
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-25
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 15 V

на замовлення 4962 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	93.53 грн
10+	56.59 грн
100+	37.26 грн
500+	27.18 грн
1000+	24.66 грн
2000+	22.55 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ099N06LS5

MOSFET TRENCH 40<-<100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ099N06LS5ATMA1

BSZ099N06LS5 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ099N06LS5ATMA1

Description: INFINEON - BSZ099N06LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0099 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0099ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 151414 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	81.71 грн
15+	59.74 грн
100+	44.80 грн
500+	30.37 грн
1000+	23.69 грн
5000+	20.75 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

BSZ099N06LS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 12740 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

174+	69.75 грн
205+	59.35 грн
216+	56.12 грн
228+	51.30 грн
500+	43.26 грн
1000+	31.49 грн
5000+	27.34 грн
10000+	26.65 грн

Мінімальне замовлення: 174

В кошику од. на суму грн.

BSZ099N06LS5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 46A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 30 V

на замовлення 9675 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	74.49 грн
10+	52.05 грн
100+	39.02 грн
500+	29.13 грн
1000+	25.53 грн
2000+	24.82 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

BSZ099N06LS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	17.95 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ099N06LS5ATMA1
Код товару: 165964

Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ099N06LS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ099N06LS5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 46A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 30 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	23.49 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ099N06LS5ATMA1

Description: INFINEON - BSZ099N06LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0099 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 36W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0083ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0099ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 151414 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	44.80 грн
500+	30.37 грн
1000+	23.69 грн
5000+	20.75 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ099N06LS5ATMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 28694 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	79.09 грн
10+	52.88 грн
100+	35.66 грн
500+	29.08 грн
1000+	24.71 грн
2500+	24.56 грн
5000+	21.19 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

BSZ099N06LS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	19.08 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ099N06LS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ099N06LS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	23.48 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

Bsz100

Fuse: time-lag; glass type; current: 100mA; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: BK1/S506-100-R; 0218.100MXP; 179120.0,1; 0034.3107 Fuse: time-lag; 100mA Bsz100
кількість в упаковці: 500 шт

на замовлення 100 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

500+	2.89 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

Bsz100

на замовлення 400 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

500+	2.89 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

Bsz100

на замовлення 500 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

500+	2.89 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

Bsz100

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

500+	2.89 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N03LS

QFN

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N03LS G

MOSFETs N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 4093 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

17+	22.14 грн

Мінімальне замовлення: 17

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N03LS G

QFN

на замовлення 365 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N03LSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	18.85 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N03LSGATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 36A; 30W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 36A
Power dissipation: 30W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N03LSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N03LSGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 12A/40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N03LSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	22.21 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N03LSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	16.60 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N03LSGATMA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N03LSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	20.24 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N03LSGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 12A/40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N03LSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N03MS G

QFN

на замовлення 91 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N03MS G

MOSFETs N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M

на замовлення 1190 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	75.97 грн
10+	46.28 грн
100+	27.55 грн
500+	21.65 грн
1000+	18.06 грн
2500+	16.68 грн
5000+	14.16 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N03MSG

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N03MSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	21.26 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N03MSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	14.64 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N03MSGATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; 30W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 39A
Power dissipation: 30W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N03MSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 4995 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

483+	25.08 грн
529+	22.92 грн
534+	22.69 грн
573+	20.40 грн
1000+	16.90 грн
3000+	16.00 грн

Мінімальне замовлення: 483

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N03MSGATMA1

Description: INFINEON - BSZ100N03MSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0091 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 M
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0091ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 7305 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

34+	25.49 грн
43+	20.26 грн
100+	18.63 грн
500+	16.98 грн
1000+	15.38 грн
5000+	15.08 грн

Мінімальне замовлення: 34

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N03MSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N03MSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 4995 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	28.13 грн
26+	26.87 грн
100+	23.68 грн
250+	21.71 грн
500+	19.43 грн
1000+	17.38 грн
3000+	17.15 грн

Мінімальне замовлення: 25

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N03MSGATMA1

MOSFETs N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M

на замовлення 9657 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

16+	23.03 грн
20+	18.13 грн
100+	14.61 грн
500+	14.16 грн
1000+	14.08 грн
2500+	14.00 грн
5000+	13.70 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N03MSGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 10A/40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V

на замовлення 307 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	43.04 грн
11+	30.45 грн
100+	23.39 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N03MSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	23.58 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N03MSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	22.82 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N03MSGATMA1

на замовлення 7305 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	18.63 грн
500+	16.98 грн
1000+	15.38 грн
5000+	15.08 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N03MSGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 10A/40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N03MSGATMA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N06LS3 G

MOSFETs N-Ch 60V 20A TSDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 8988 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	124.97 грн
10+	78.66 грн
100+	45.37 грн
500+	37.19 грн
1000+	32.60 грн
2500+	31.60 грн
5000+	26.86 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N06LS3 G

N-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 11 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 3500 @ 30; Qg, нКл = 45 @ 10 В; Rds = 10 мОм @ 20 A, 10 В; Ugs(th) = 2,2 В @ 23 мкА; Р, Вт = 2,1 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; Id2 = 20 A; Ptot2, Вт = 50; PG-TSDSON-8

на замовлення 2618 шт:

термін постачання 3 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N06LS3G

Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

136+	89.17 грн
143+	85.19 грн
250+	81.77 грн
500+	76.00 грн
1000+	68.08 грн
2500+	63.42 грн
5000+	61.72 грн

Мінімальне замовлення: 136

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N06LS3G

Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N06LS3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 11A/20A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 30 V

на замовлення 70000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	28.45 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N06LS3GATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; 50W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 20A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 5000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N06LS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N06LS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N06LS3GATMA1

Description: INFINEON - BSZ100N06LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.01 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 180915 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	104.72 грн
12+	72.44 грн
100+	53.13 грн
500+	37.62 грн
1000+	30.90 грн
5000+	25.46 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N06LS3GATMA1

MOSFETs N-Ch 60V 20A TSDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 21981 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	106.23 грн
10+	70.04 грн
100+	43.15 грн
500+	35.20 грн
1000+	31.37 грн
2500+	30.53 грн
5000+	26.86 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N06LS3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 11A/20A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 30 V

на замовлення 76968 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	91.04 грн
10+	61.45 грн
100+	45.07 грн
500+	35.33 грн
1000+	32.17 грн
2000+	31.47 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N06LS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	19.73 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N06LS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	26.81 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N06LS3GATMA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N06LS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	25.16 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N06NS

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 8094 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	103.55 грн
10+	64.06 грн
100+	36.88 грн
500+	30.30 грн
1000+	26.17 грн
2500+	25.10 грн
5000+	21.27 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N06NS

на замовлення 3650 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N06NSATMA1

Description: INFINEON - BSZ100N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.01 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4666 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	94.42 грн
15+	59.65 грн
100+	43.52 грн
500+	34.11 грн
1000+	26.71 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N06NSATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 12671 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

146+	83.17 грн
208+	58.38 грн
500+	40.70 грн
1000+	35.90 грн
5000+	33.09 грн
10000+	29.76 грн

Мінімальне замовлення: 146

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N06NSATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1075 pF @ 30 V

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	23.34 грн
10000+	22.39 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N06NSATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 40A; 36W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 40A
Power dissipation: 36W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
кількість в упаковці: 5000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N06NSATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	25.61 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N06NSATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N06NSATMA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N06NSATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N06NSATMA1

на замовлення 4666 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	43.52 грн
500+	34.11 грн
1000+	26.71 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N06NSATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N06NSATMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 9277 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	90.16 грн
10+	56.49 грн
100+	35.58 грн
500+	28.92 грн
1000+	24.48 грн
2500+	24.33 грн
5000+	21.04 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N06NSATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1075 pF @ 30 V

на замовлення 17351 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	84.42 грн
10+	57.70 грн
100+	39.17 грн
500+	28.96 грн
1000+	25.49 грн
2000+	24.61 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N06NSATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	27.82 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ105N04NS G

MOSFET N-Ch 40V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 4338 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ105N04NS G

Trans MOSFET N-CH 40V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ105N04NSG

Description: OPTLMOS POWER-MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ105N04NSGATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 11A/40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ105N04NSGATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 11A/40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ105N04NSGATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 29A; 35W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 29A
Power dissipation: 35W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ105N04NSGATMA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ105N04NSGATMA2

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 4447 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	67.57 грн
10+	41.00 грн
100+	24.33 грн
500+	19.13 грн
1000+	15.91 грн
2500+	14.46 грн
5000+	12.78 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

BSZ105N04NSGATMA2

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ105N04NSGATMA2

Trans MOSFET N-CH 40V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ105N04NSGATMA2

OptiMOS 3 Power-Transistor

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ110N06NS3 G

MOSFETs N-Ch 60V 20A TSDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 66493 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	29.92 грн
100+	24.87 грн
500+	21.50 грн
1000+	18.98 грн
5000+	18.90 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

BSZ110N06NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 20A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 3873 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	40.47 грн
19+	37.33 грн
25+	36.60 грн
100+	30.97 грн
250+	28.51 грн
500+	25.53 грн
1000+	21.57 грн
3000+	21.50 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

BSZ110N06NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 20A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ110N06NS3GATMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ110N06NS3GATMA1

Description: INFINEON - BSZ110N06NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.011 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 15593 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

26+	33.56 грн
27+	32.10 грн
100+	30.64 грн
500+	24.23 грн
1000+	20.16 грн
5000+	19.79 грн

Мінімальне замовлення: 26

В кошику од. на суму грн.

BSZ110N06NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 20A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 3873 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

348+	34.84 грн
355+	34.16 грн
405+	29.98 грн
407+	28.74 грн
500+	24.82 грн
1000+	20.13 грн
3000+	20.07 грн

Мінімальне замовлення: 348

В кошику од. на суму грн.

BSZ110N06NS3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 20A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 30 V

на замовлення 6247 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	92.70 грн
10+	55.71 грн
100+	36.77 грн
500+	26.86 грн
1000+	24.40 грн
2000+	22.42 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ110N06NS3GATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; Idm: 80A; 50W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 11mΩ
Power dissipation: 50W
Drain current: 20A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Pulsed drain current: 80A
кількість в упаковці: 5000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ110N06NS3GATMA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ110N06NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 20A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ110N06NS3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 20A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 30 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	21.56 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ110N08NS5

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ110N08NS5

Trans MOSFET N-CH 80V 51A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 14891 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

173+	70.40 грн
181+	67.25 грн
250+	64.55 грн
500+	60.00 грн
1000+	53.74 грн
2500+	50.07 грн
5000+	48.72 грн
10000+	47.53 грн

Мінімальне замовлення: 173

В кошику од. на суму грн.

BSZ110N08NS5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 22µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 40 V

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	29.72 грн
10000+	28.37 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ110N08NS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 51A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	36.18 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ110N08NS5ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; 50W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 11mΩ
Power dissipation: 50W
Drain current: 40A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ110N08NS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 51A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ110N08NS5ATMA1

Description: INFINEON - BSZ110N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 0.0096 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0096ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 15293 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	58.97 грн
250+	50.38 грн
1000+	35.23 грн
3000+	30.31 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ110N08NS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 51A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 25952 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

198+	61.37 грн
225+	54.01 грн
256+	47.44 грн
267+	43.80 грн
500+	38.31 грн
1000+	34.87 грн
5000+	31.15 грн
10000+	29.51 грн

Мінімальне замовлення: 198

В кошику од. на суму грн.

BSZ110N08NS5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 22µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 40 V

на замовлення 24680 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	111.74 грн
10+	60.33 грн
100+	46.53 грн
500+	36.38 грн
1000+	32.59 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ110N08NS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 51A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 2220 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

634+	19.11 грн
658+	18.42 грн
1000+	17.82 грн

Мінімальне замовлення: 634

В кошику од. на суму грн.

BSZ110N08NS5ATMA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ110N08NS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 40A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	21.07 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ110N08NS5ATMA1

MOSFETs N-Ch 80V 40A TSDSON-8

на замовлення 14796 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	115.15 грн
10+	63.27 грн
100+	43.92 грн
500+	36.42 грн
1000+	32.67 грн
2500+	32.14 грн
5000+	27.77 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ110N08NS5ATMA1

на замовлення 13858 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	74.42 грн
50+	55.96 грн
250+	48.07 грн
1000+	34.19 грн
3000+	30.09 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

BSZ115N03MSCGATMA1

Old Part BSZ115N03MSCGXT^INFINEON

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ120P03NS3 G

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ120P03NS3 G

MOSFETs P-Ch -30V -40A TSDSON-8 OptiMOS P3

на замовлення 6621 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	83.64 грн
10+	51.04 грн
100+	28.92 грн
500+	22.34 грн
1000+	20.12 грн
2500+	18.36 грн
5000+	16.14 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

BSZ120P03NS3E G

MOSFET P-Ch -30V -40A TSDSON-8 OptiMOS P3

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ120P03NS3EG

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ120P03NS3EGATMA1

Description: MOSFET P-CH 30V 11A/40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 73µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3360 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ120P03NS3EGATMA1

MOSFET P-Ch -30V -40A TSDSON-8 OptiMOS P3

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ120P03NS3GATMA1

Description: INFINEON - BSZ120P03NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 40 A, 0.009 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1159 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	77.85 грн
14+	65.40 грн
100+	41.54 грн
500+	32.20 грн
1000+	22.59 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

BSZ120P03NS3GATMA1

Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	22.97 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ120P03NS3GATMA1

MOSFETs P-Ch -30V -40A TSDSON-8 OptiMOS P3

на замовлення 8996 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	67.57 грн
10+	43.29 грн
100+	27.01 грн
500+	21.81 грн
1000+	17.98 грн
5000+	14.61 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

BSZ120P03NS3GATMA1

Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	24.38 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ120P03NS3GATMA1

Description: MOSFET P-CH 30V 11A/40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 73µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3360 pF @ 15 V

на замовлення 32634 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	68.70 грн
10+	43.12 грн
100+	30.10 грн
500+	22.82 грн
1000+	19.78 грн
2000+	18.83 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

BSZ120P03NS3GATMA1

Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 9770 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

197+	61.67 грн
232+	52.39 грн
273+	44.41 грн
288+	40.59 грн
500+	32.44 грн
1000+	26.99 грн
5000+	23.97 грн

Мінімальне замовлення: 197

В кошику од. на суму грн.

BSZ120P03NS3GATMA1

BSZ120P03NS3GATMA1 SMD P channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ120P03NS3GATMA1

на замовлення 1159 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	41.54 грн
500+	32.20 грн
1000+	22.59 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ120P03NS3GATMA1

Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	21.67 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ120P03NS3GATMA1

Description: MOSFET P-CH 30V 11A/40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 73µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3360 pF @ 15 V

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	17.72 грн
10000+	16.66 грн
15000+	15.99 грн
25000+	14.78 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ120P03NS3GATMA1

Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ120P03NS3GATMA1

Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	24.21 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ120P03NS3GATMA1

Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	15.18 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ123N08NS3 G

Trans MOSFET N-CH 80V 10A 8-Pin TSDSON EP

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

116+	105.19 грн
121+	100.48 грн
250+	96.45 грн
500+	89.65 грн
1000+	80.30 грн
2500+	74.81 грн
5000+	72.80 грн

Мінімальне замовлення: 116

В кошику од. на суму грн.

BSZ123N08NS3 G

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ123N08NS3 G

Trans MOSFET N-CH 80V 10A 8-Pin TSDSON EP

на замовлення 2331 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

67+	182.56 грн
69+	175.60 грн
100+	169.64 грн
250+	158.62 грн
500+	142.88 грн
1000+	133.81 грн

Мінімальне замовлення: 67

В кошику од. на суму грн.

BSZ123N08NS3 G

MOSFETs N-Ch 80V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 17389 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	127.65 грн
10+	87.82 грн
100+	59.45 грн
500+	50.35 грн
1000+	41.01 грн
2500+	38.56 грн
5000+	36.80 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ123N08NS3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 10A/40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 40 V

на замовлення 35000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	33.78 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ123N08NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ123N08NS3GATMA1

Description: INFINEON - BSZ123N08NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 0.0103 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 66W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 18682 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	122.74 грн
10+	85.83 грн
100+	66.95 грн
500+	52.60 грн
1000+	39.51 грн
5000+	35.46 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

BSZ123N08NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	37.71 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ123N08NS3GATMA1

MOSFETs N-Ch 80V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 23351 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	115.15 грн
10+	87.02 грн
100+	54.71 грн
500+	43.08 грн
1000+	38.79 грн
2500+	36.80 грн
5000+	33.05 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ123N08NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	35.16 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ123N08NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 10A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	25.98 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ123N08NS3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 10A/40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 40 V

на замовлення 36366 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	106.77 грн
10+	72.21 грн
100+	54.36 грн
500+	41.37 грн
1000+	37.37 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ123N08NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ123N08NS3GATMA1

BSZ123N08NS3GATMA1 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ123N08NS3GATMA1

на замовлення 18682 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	66.95 грн
500+	52.60 грн
1000+	39.51 грн
5000+	35.46 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ123N08NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 630000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	41.80 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ12DN20NS3 G

MOSFETs N-Ch 200V 11.3A TDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 5866 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	135.69 грн
10+	91.51 грн
100+	56.01 грн
500+	45.76 грн
1000+	40.02 грн
2500+	39.48 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ12DN20NS3G

Description: BSZ12DN20 - 12V-300V N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ12DN20NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 200V 11.3A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ12DN20NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 200V 11.3A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 531 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	128.00 грн
10+	105.02 грн
25+	97.17 грн
100+	78.34 грн
250+	67.69 грн
500+	42.96 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

BSZ12DN20NS3GATMA1

BSZ12DN20NS3GATMA1 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ12DN20NS3GATMA1

Description: INFINEON - BSZ12DN20NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 11.3 A, 0.108 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.108ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 9216 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	132.18 грн
10+	101.28 грн
100+	73.82 грн
500+	58.10 грн
1000+	41.20 грн
5000+	40.32 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

BSZ12DN20NS3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V

на замовлення 3429 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	147.33 грн
10+	90.54 грн
100+	61.16 грн
500+	45.58 грн
1000+	41.77 грн
2000+	38.58 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ12DN20NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 200V 11.3A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	58.73 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ12DN20NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 200V 11.3A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 531 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

124+	98.02 грн
134+	90.69 грн
160+	75.83 грн
250+	68.23 грн
500+	41.77 грн

Мінімальне замовлення: 124

В кошику од. на суму грн.

BSZ12DN20NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 200V 11.3A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 45000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	45.73 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ12DN20NS3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ12DN20NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 200V 11.3A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 45000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	42.69 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ12DN20NS3GATMA1

на замовлення 9216 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	73.82 грн
500+	58.10 грн
1000+	41.20 грн
5000+	40.32 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ12DN20NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 200V 11.3A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 4192 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

147+	82.77 грн
158+	76.92 грн
187+	64.80 грн
200+	59.09 грн
500+	54.53 грн
1000+	47.33 грн
2000+	44.56 грн

Мінімальне замовлення: 147

В кошику од. на суму грн.

BSZ130N03LS G

MOSFETs N-Ch 30V 35A TSDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 4943 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	75.52 грн
10+	46.81 грн
100+	26.40 грн
500+	20.28 грн
1000+	16.68 грн
5000+	14.54 грн
10000+	13.47 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

BSZ130N03LSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 260000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	20.95 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ130N03LSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	14.01 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ130N03LSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	20.86 грн
10000+	19.56 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ130N03LSGATMA1

Description: INFINEON - BSZ130N03LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 35 A, 0.0108 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 70 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	50.56 грн
20+	43.69 грн

Мінімальне замовлення: 17

В кошику од. на суму грн.

BSZ130N03LSGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 10A/35A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970 pF @ 15 V

на замовлення 27529 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	69.52 грн
10+	42.00 грн
100+	27.27 грн
500+	19.64 грн
1000+	17.73 грн
2000+	16.12 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

BSZ130N03LSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ130N03LSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	19.43 грн
10000+	18.22 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ130N03LSGATMA1

BSZ130N03LSGATMA1 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ130N03LSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ130N03LSGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 10A/35A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970 pF @ 15 V

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	15.90 грн
10000+	14.16 грн
15000+	13.58 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ130N03MS G

MOSFETs N-Ch 30V 35A TSDSON-8 OptiMOS 3M

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ130N03MSG

Description: BSZ130N03 - 12V-300V N-CHANNEL P

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ130N03MSG

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ130N03MSGATMA1

BSZ130N03MSGATMA1 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ130N03MSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 4085 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

657+	18.46 грн
663+	18.27 грн
670+	18.09 грн
677+	17.27 грн
1000+	15.60 грн
3000+	14.60 грн

Мінімальне замовлення: 657

В кошику од. на суму грн.

BSZ130N03MSGATMA1

Description: INFINEON - BSZ130N03MSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 35 A, 0.0092 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0092ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 2119 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	39.31 грн
23+	38.80 грн
100+	29.87 грн
500+	23.51 грн
1000+	19.13 грн

Мінімальне замовлення: 22

В кошику од. на суму грн.

BSZ130N03MSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	20.62 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ130N03MSGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 9A/35A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V

на замовлення 13775 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	88.56 грн
10+	53.88 грн
100+	35.42 грн
500+	25.77 грн
1000+	23.37 грн
2000+	21.35 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ130N03MSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 4085 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

32+	22.29 грн
35+	19.78 грн
100+	18.88 грн
250+	17.30 грн
500+	16.45 грн
1000+	16.05 грн
3000+	15.64 грн

Мінімальне замовлення: 32

В кошику од. на суму грн.

BSZ130N03MSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	19.20 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ130N03MSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 9870 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

498+	24.33 грн
500+	24.23 грн
561+	21.60 грн
1000+	20.05 грн
2000+	18.48 грн
5000+	16.61 грн

Мінімальне замовлення: 498

В кошику од. на суму грн.

BSZ130N03MSGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 9A/35A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	19.58 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ130N03MSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	16.78 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ130N03MSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ146N10LS5

Infineon / IR

MOSFETs TRENCH >=100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ146N10LS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ146N10LS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 4965 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

150+	80.75 грн
160+	76.11 грн
173+	70.36 грн
200+	64.63 грн
500+	53.99 грн
1000+	51.74 грн
2000+	51.66 грн

Мінімальне замовлення: 150

В кошику од. на суму грн.

BSZ146N10LS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 41743 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

605+	50.09 грн
1000+	47.30 грн

Мінімальне замовлення: 605

В кошику од. на суму грн.

BSZ146N10LS5ATMA1

MOSFETs MV POWER MOS

на замовлення 109222 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	90.16 грн
10+	67.05 грн
100+	49.50 грн
500+	42.77 грн
1000+	37.87 грн
2500+	37.42 грн
5000+	33.90 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ146N10LS5ATMA1

Description: INFINEON - BSZ146N10LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.0124 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 4960 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	58.54 грн
500+	47.58 грн
1000+	39.51 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ146N10LS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ146N10LS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 640 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

605+	50.09 грн

Мінімальне замовлення: 605

В кошику од. на суму грн.

BSZ146N10LS5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 50 V

на замовлення 12463 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	81.11 грн
10+	65.67 грн
100+	52.97 грн
500+	42.80 грн
1000+	39.78 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

BSZ146N10LS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ146N10LS5ATMA1

на замовлення 4960 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	68.84 грн
100+	58.54 грн
500+	47.58 грн
1000+	39.51 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

BSZ146N10LS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 4684 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

605+	50.09 грн
1000+	47.30 грн

Мінімальне замовлення: 605

В кошику од. на суму грн.

BSZ146N10LS5ATMA1
Код товару: 208437

Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ146N10LS5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 50 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	35.96 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ150N10LS3 G

MOSFETs N-Ch 100V 40A TSDSON-8

на замовлення 6821 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	161.57 грн
10+	102.07 грн
100+	61.36 грн
500+	51.95 грн
1000+	43.46 грн
2500+	40.17 грн
5000+	37.87 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ150N10LS3G

Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

89+	136.93 грн
100+	130.81 грн
250+	125.56 грн
500+	116.71 грн
1000+	104.54 грн
2500+	97.39 грн
5000+	94.77 грн

Мінімальне замовлення: 89

В кошику од. на суму грн.

BSZ150N10LS3G

Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 4900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

104+	117.07 грн
108+	113.09 грн
250+	109.67 грн
500+	102.87 грн
1000+	92.92 грн
2500+	87.24 грн

Мінімальне замовлення: 104

В кошику од. на суму грн.

BSZ150N10LS3G

Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ150N10LS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 4160 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

403+	75.30 грн
500+	67.78 грн
1000+	62.50 грн

Мінімальне замовлення: 403

В кошику од. на суму грн.

BSZ150N10LS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 3654 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

200+	60.70 грн
201+	60.35 грн
239+	50.74 грн
250+	48.29 грн
500+	40.12 грн
1000+	37.43 грн
3000+	32.49 грн

Мінімальне замовлення: 200

В кошику од. на суму грн.

BSZ150N10LS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 8A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ150N10LS3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	40.96 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ150N10LS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	47.19 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ150N10LS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ150N10LS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 2613 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

403+	75.30 грн
500+	67.78 грн
1000+	62.50 грн

Мінімальне замовлення: 403

В кошику од. на суму грн.

BSZ150N10LS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5569 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

146+	83.17 грн
182+	66.62 грн
200+	66.06 грн
500+	54.20 грн
1000+	49.10 грн
2000+	39.94 грн
5000+	39.76 грн

Мінімальне замовлення: 146

В кошику од. на суму грн.

BSZ150N10LS3GATMA1

MOSFETs N-Ch 100V 40A TSDSON-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ150N10LS3GATMA1

Description: INFINEON - BSZ150N10LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.015 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 11339 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	103.00 грн
250+	72.87 грн
1000+	51.49 грн
3000+	44.73 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ150N10LS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 48440 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

403+	75.30 грн
500+	67.78 грн
1000+	62.50 грн
10000+	53.73 грн

Мінімальне замовлення: 403

В кошику од. на суму грн.

BSZ150N10LS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 3654 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	75.26 грн
11+	65.04 грн
25+	64.67 грн
100+	52.43 грн
250+	47.90 грн
500+	41.27 грн
1000+	40.11 грн
3000+	34.81 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

BSZ150N10LS3GATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; 63W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Power dissipation: 63W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 5000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ150N10LS3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V

на замовлення 6123 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	128.29 грн
10+	84.48 грн
100+	59.51 грн
500+	47.49 грн
1000+	45.31 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ150N10LS3GATMA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ150N10LS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	44.17 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ150N10LS3GATMA1

на замовлення 11344 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	136.48 грн
50+	103.00 грн
250+	72.87 грн
1000+	51.49 грн
3000+	44.73 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

BSZ15DC02KD H

MOSFETs SMALL SIGNAL+P-CH

на замовлення 14558 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	109.80 грн
10+	76.11 грн
100+	51.49 грн
500+	43.61 грн
1000+	35.58 грн
2500+	33.44 грн
5000+	31.83 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ15DC02KDHXTMA1

Description: INFINEON - BSZ15DC02KDHXTMA1 - Dual-MOSFET, 25W, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 5.1 A, 3.2 A, 0.055 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.15ohm
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2 + OptiMOS P 2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.055ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 11356 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	97.85 грн
13+	69.01 грн
100+	55.62 грн
500+	43.12 грн
1000+	35.46 грн
5000+	31.86 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

BSZ15DC02KDHXTMA1

Trans MOSFET N/P-CH 20V 5.1A/3.2A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 1651 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	98.23 грн
10+	79.79 грн
25+	76.21 грн
100+	62.28 грн
250+	56.04 грн
500+	46.34 грн
1000+	37.20 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

BSZ15DC02KDHXTMA1

BSZ15DC02KDHXTMA1 Multi channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ15DC02KDHXTMA1

Description: MOSFET N/P-CH 20V 5.1A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A, 3.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 419pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 5.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ15DC02KDHXTMA1

Trans MOSFET N/P-CH 20V 5.1A/3.2A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

154+	78.84 грн
162+	75.20 грн
181+	67.13 грн
200+	62.20 грн
500+	57.41 грн
1000+	51.39 грн
2000+	49.23 грн
5000+	48.28 грн

Мінімальне замовлення: 154

В кошику од. на суму грн.

BSZ15DC02KDHXTMA1

Trans MOSFET N/P-CH 20V 5.1A/3.2A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	34.46 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ15DC02KDHXTMA1

Trans MOSFET N/P-CH 20V 5.1A/3.2A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	34.01 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ15DC02KDHXTMA1

MOSFETs SMALL SIGNAL+P-CH

на замовлення 4224 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	99.09 грн
10+	68.81 грн
25+	59.68 грн
100+	46.29 грн
250+	46.21 грн
500+	39.10 грн
1000+	34.97 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ15DC02KDHXTMA1

Description: INFINEON - BSZ15DC02KDHXTMA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.041 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.041ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.041ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 19882 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	63.77 грн
500+	50.13 грн
1000+	35.54 грн
5000+	34.06 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ15DC02KDHXTMA1

Trans MOSFET N/P-CH 20V 5.1A/3.2A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ15DC02KDHXTMA1

Trans MOSFET N/P-CH 20V 5.1A/3.2A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 1651 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

163+	74.47 грн
171+	71.13 грн
201+	60.28 грн
250+	56.49 грн
500+	45.06 грн
1000+	34.72 грн

Мінімальне замовлення: 163

В кошику од. на суму грн.

BSZ15DC02KDHXTMA1

Description: MOSFET N/P-CH 20V 5.1A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A, 3.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 419pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 5.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 7559 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	98.49 грн
10+	64.32 грн
100+	47.96 грн
500+	37.30 грн
1000+	33.61 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ15DC02KDHXTMA1

Trans MOSFET N/P-CH 20V 5.1A/3.2A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	32.10 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

Bsz160

Fuse: time-lag; glass type; current: 160mA; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: 0218.160MXP; 179120.0.16; 0034.3109 Fuse: time-lag; 160mA Bsz160
кількість в упаковці: 500 шт

на замовлення 300 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

500+	2.89 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

BSZ160N10NS3 G

MOSFETs N-Ch 100V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 26133 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	162.47 грн
10+	102.95 грн
100+	61.75 грн
500+	52.34 грн
1000+	44.45 грн
5000+	37.80 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ160N10NS3 G
Код товару: 66694

Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ160N10NS3G

на замовлення 695 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ160N10NS3GATMA1

BSZ160N10NS3GATMA1 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ160N10NS3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 8A/40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 12µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 50 V

на замовлення 12328 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	100.98 грн
10+	76.20 грн
100+	58.54 грн
500+	45.88 грн
1000+	43.46 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ160N10NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 45000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	52.93 грн
10000+	50.51 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ160N10NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 8A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	33.56 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ160N10NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 45000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	49.40 грн
10000+	47.14 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ160N10NS3GATMA1

Description: INFINEON - BSZ160N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.014 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 5766 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	142.48 грн
10+	107.29 грн
100+	79.48 грн
500+	62.57 грн
1000+	45.17 грн
5000+	45.10 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

BSZ160N10NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 2177 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

120+	101.44 грн
122+	99.55 грн
166+	73.30 грн
250+	69.98 грн
500+	52.36 грн
1000+	38.57 грн

Мінімальне замовлення: 120

В кошику од. на суму грн.

BSZ160N10NS3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 8A/40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 12µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 50 V

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	39.59 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ160N10NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 2177 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	131.81 грн
10+	108.69 грн
25+	106.66 грн
100+	75.73 грн
250+	69.42 грн
500+	53.85 грн
1000+	41.32 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

BSZ160N10NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	42.15 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ160N10NS3GATMA1

MOSFETs N-Ch 100V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 4578 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	117.83 грн
10+	91.51 грн
25+	78.04 грн
100+	60.91 грн
250+	59.76 грн
500+	50.19 грн
1000+	45.30 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ160N10NS3GATMA1

на замовлення 5766 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	79.48 грн
500+	62.57 грн
1000+	45.17 грн
5000+	45.10 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ160N10NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	45.01 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ165N04NS G

MOSFET N-Ch 40V 31A TSDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 2646 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ165N04NS G

Trans MOSFET N-CH 40V 8.9A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ165N04NSG

на замовлення 10080 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ165N04NSGATMA1

MOSFET N-Ch 40V 31A TSDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 1598 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ165N04NSGATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 8.9A/31A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta), 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ165N04NSGATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 8.9A/31A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta), 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ16DN25NS3 G

MOSFETs N-Ch 250V 10.9A TDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 4583 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	197.28 грн
10+	125.83 грн
100+	78.04 грн
500+	65.11 грн
1000+	60.37 грн
5000+	51.34 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

BSZ16DN25NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 250V 10.9A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	61.59 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ16DN25NS3GATMA1

Description: INFINEON - BSZ16DN25NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 10.9 A, 0.146 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.146ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 33097 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	91.84 грн
500+	65.75 грн
1000+	51.87 грн
5000+	50.98 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ16DN25NS3GATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 10.9A; 62.5W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Drain current: 10.9A
On-state resistance: 0.165Ω
Power dissipation: 62.5W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 250V
кількість в упаковці: 5000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ16DN25NS3GATMA1

MOSFETs N-Ch 250V 10.9A TDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 749 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	176.75 грн
10+	113.51 грн
100+	73.68 грн
500+	60.52 грн
1000+	58.84 грн
2500+	57.62 грн
5000+	51.34 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ16DN25NS3GATMA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ16DN25NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 250V 10.9A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ16DN25NS3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 32µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 100 V

на замовлення 4801 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	172.16 грн
10+	108.00 грн
100+	81.64 грн
500+	61.57 грн
1000+	55.36 грн
2000+	52.66 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

BSZ16DN25NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 250V 10.9A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ16DN25NS3GATMA1

на замовлення 33097 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	167.38 грн
10+	120.17 грн
100+	91.84 грн
500+	65.75 грн
1000+	51.87 грн
5000+	50.98 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

BSZ16DN25NS3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 32µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ16DN25NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 250V 10.9A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 20768 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

95+	128.19 грн
102+	119.11 грн
120+	100.94 грн
200+	92.17 грн
500+	85.08 грн
1000+	73.81 грн
2000+	69.56 грн
5000+	67.83 грн
10000+	65.76 грн

Мінімальне замовлення: 95

В кошику од. на суму грн.

BSZ180P03NS3 G

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ180P03NS3 G

MOSFETs P-Ch -30V -39.6A TSDSON-8 OptiMOS P3

на замовлення 12531 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	82.13 грн
10+	50.07 грн
100+	28.46 грн
500+	21.88 грн
1000+	19.74 грн
2500+	17.98 грн
5000+	15.69 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

BSZ180P03NS3E G

MOSFETs P-Ch -30V -39.6A TSDSON-8 OptiMOS P3

на замовлення 4704 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	72.13 грн
10+	43.73 грн
100+	26.01 грн
500+	20.43 грн
1000+	17.06 грн
2500+	15.46 грн
5000+	13.54 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

BSZ180P03NS3EGATMA

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -39.6A; 40W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: -39.6A
Drain-source voltage: -30V
On-state resistance: 18mΩ
Power dissipation: 40W
Gate-source voltage: ±25V
Technology: OptiMOS™ P3
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ180P03NS3EGATMA

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ180P03NS3EGATMA1

MOSFETs P-Ch -30V -39.6A TSDSON-8 OptiMOS P3

на замовлення 11937 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	53.74 грн
11+	34.49 грн
100+	20.51 грн
500+	15.76 грн
1000+	13.08 грн
5000+	13.01 грн
10000+	12.85 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

BSZ180P03NS3EGATMA1

Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 475000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	20.02 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ180P03NS3EGATMA1

Description: MOSFET P-CH 30V 9A/39.5A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 39.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2220 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ180P03NS3EGATMA1

Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 4960 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

39+	18.16 грн
40+	17.45 грн
41+	17.29 грн
100+	15.88 грн
250+	14.67 грн
500+	14.05 грн
1000+	14.01 грн
3000+	13.98 грн

Мінімальне замовлення: 39

В кошику од. на суму грн.

BSZ180P03NS3EGATMA1

Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 4990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

564+	21.50 грн
567+	21.40 грн

Мінімальне замовлення: 564

В кошику од. на суму грн.

BSZ180P03NS3EGATMA1

Description: INFINEON - BSZ180P03NS3EGATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 39.6 A, 0.0135 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 25959 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	25.66 грн
500+	17.53 грн
1000+	13.46 грн
5000+	13.32 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ180P03NS3EGATMA1

Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	14.24 грн
10000+	14.16 грн
15000+	14.15 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ180P03NS3EGATMA1

Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	15.71 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ180P03NS3EGATMA1

Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	15.14 грн
10000+	15.05 грн
15000+	15.04 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ180P03NS3EGATMA1

Description: MOSFET P-CH 30V 9A/39.5A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 39.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2220 pF @ 15 V

на замовлення 38 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	59.59 грн
10+	39.85 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

BSZ180P03NS3EGATMA1

Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ180P03NS3EGATMA1

на замовлення 25959 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	51.84 грн
24+	36.48 грн
100+	25.66 грн
500+	17.53 грн
1000+	13.46 грн
5000+	13.32 грн

Мінімальне замовлення: 17

В кошику од. на суму грн.

BSZ180P03NS3EGATMA1

Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 4960 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

751+	16.13 грн
789+	15.37 грн
790+	15.33 грн
792+	14.75 грн
1000+	13.62 грн
3000+	13.05 грн

Мінімальне замовлення: 751

В кошику од. на суму грн.

BSZ180P03NS3GATMA1

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -39.6A; 40W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: -39.6A
Drain-source voltage: -30V
On-state resistance: 40mΩ
Power dissipation: 40W
Gate-source voltage: ±25V
Technology: OptiMOS™ P3
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ180P03NS3GATMA1

Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	22.50 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ180P03NS3GATMA1

Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	15.18 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ180P03NS3GATMA1

Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ180P03NS3GATMA1

Description: MOSFET P-CH 30V 9A/39.6A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 39.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2220 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ180P03NS3GATMA1

Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	20.96 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ180P03NS3GATMA1

Description: INFINEON - BSZ180P03NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 39.6 A, 0.0135 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 40W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TSDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0135ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1101 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	38.02 грн
250+	31.67 грн
1000+	22.40 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ180P03NS3GATMA1

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -39.6A; 40W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: -39.6A
Drain-source voltage: -30V
On-state resistance: 40mΩ
Power dissipation: 40W
Gate-source voltage: ±25V
Technology: OptiMOS™ P3
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ180P03NS3GATMA1

MOSFETs P-Ch -30V -39.6A TSDSON-8 OptiMOS P3

на замовлення 6623 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	70.61 грн
10+	41.97 грн
100+	26.55 грн
500+	21.42 грн
1000+	17.67 грн
5000+	14.46 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

BSZ180P03NS3GATMA1

Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ180P03NS3GATMA1

Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

174+	69.75 грн
273+	44.41 грн
319+	38.06 грн
337+	34.75 грн
500+	30.10 грн
1000+	27.17 грн
2000+	25.61 грн
5000+	23.88 грн

Мінімальне замовлення: 174

В кошику од. на суму грн.

BSZ180P03NS3GATMA1

Description: MOSFET P-CH 30V 9A/39.6A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 39.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2220 pF @ 15 V

на замовлення 7639 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	72.01 грн
10+	44.79 грн
100+	30.56 грн
500+	23.25 грн
1000+	20.14 грн
2000+	19.17 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

BSZ180P03NS3GATMA1

Description: INFINEON - BSZ180P03NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 39.6 A, 0.0135 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1101 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	60.08 грн
50+	38.02 грн
250+	31.67 грн
1000+	22.40 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

BSZ180P03NS3GATMA1 (BSZ180P03NS3 G)
Код товару: 191392

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові P-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

Bsz200

Fuse: time-lag; glass type; current: 200mA; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: 0218.200MXP; 179120.0,2 Fuse: time-lag; 200mA Bsz200
кількість в упаковці: 500 шт

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

500+	2.89 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

Bsz200

Fuse: time-lag; glass type; current: 200mA; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: 0218.200MXP; 179120.0,2 Fuse: time-lag; 200mA Bsz200
кількість в упаковці: 500 шт

на замовлення 197 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

500+	2.89 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

Bsz200

Fuse: time-lag; glass type; current: 200mA; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: 0218.200MXP; 179120.0,2 Fuse: time-lag; 200mA Bsz200
кількість в упаковці: 500 шт

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

500+	2.89 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

BSZ215CHXTMA1

Description: MOSFET N/P-CH 20V 5.1A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A, 3.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 419pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 5.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5463 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	143.19 грн
10+	87.67 грн
100+	59.09 грн
500+	44.41 грн
1000+	41.14 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ215CHXTMA1

Description: INFINEON - BSZ215CHXTMA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.041 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.041ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.041ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 25615 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	69.01 грн
500+	47.18 грн
1000+	37.30 грн
5000+	35.76 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ215CHXTMA1

MOSFETs SMALL SIGNAL+P-CH

на замовлення 4689 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	158.00 грн
10+	99.43 грн
25+	80.34 грн
100+	57.31 грн
250+	56.39 грн
500+	45.99 грн
1000+	40.63 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ215CHXTMA1

Trans MOSFET N/P-CH 20V 5.1A/3.2A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ215CHXTMA1

Description: MOSFET N/P-CH 20V 5.1A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A, 3.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 419pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 5.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	37.19 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ215CHXTMA1

на замовлення 25615 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	156.22 грн
10+	101.28 грн
100+	69.01 грн
500+	47.18 грн
1000+	37.30 грн
5000+	35.76 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

BSZ22DN20NS3 G

MOSFETs N-Ch 200V 7A TSDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 12916 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	97.30 грн
10+	67.40 грн
100+	45.60 грн
500+	38.64 грн
1000+	31.45 грн
2500+	29.61 грн
5000+	28.23 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ22DN20NS3G

Description: BSZ22DN20 - 12V-300V N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ22DN20NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 200V 7A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ22DN20NS3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 200V 7A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 100 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	29.24 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ22DN20NS3GATMA1

BSZ22DN20NS3GATMA1 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ22DN20NS3GATMA1

MOSFETs N-Ch 200V 7A TSDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 4270 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	98.19 грн
10+	67.40 грн
100+	45.60 грн
500+	37.03 грн
1000+	32.14 грн
2500+	31.14 грн
5000+	27.93 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ22DN20NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 200V 7A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	32.76 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ22DN20NS3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 200V 7A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 100 V

на замовлення 6471 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	89.39 грн
10+	60.81 грн
100+	47.31 грн
500+	35.33 грн
1000+	31.75 грн
2000+	31.44 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ240N12NS3 G

MOSFETs N-Ch 120V 37A TSDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 4130 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	153.54 грн
10+	88.87 грн
100+	54.71 грн
500+	44.99 грн
1000+	41.55 грн
2500+	40.09 грн
5000+	35.89 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ240N12NS3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 120V 37A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 60 V

на замовлення 2555 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	144.84 грн
10+	89.11 грн
100+	60.17 грн
500+	44.84 грн
1000+	42.10 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ240N12NS3GATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 37A; 66W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 37A
Power dissipation: 66W
Case: PG-TSDSON-8
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ240N12NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 120V 37A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ240N12NS3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 120V 37A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 60 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ240N12NS3GATMA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

Bsz250

Fuse: time-lag; glass type; current: 250mA; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: 0218.250MXP; 179120.0,25; 0034.3111 Fuse: time-lag; 250mA Bsz250
кількість в упаковці: 500 шт

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

500+	2.89 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

Bsz250

на замовлення 450 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

500+	2.89 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

BSZ300N15NS5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 150V 32A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 32µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 75 V

на замовлення 6866 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	198.64 грн
10+	123.62 грн
100+	85.07 грн
500+	65.31 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

BSZ300N15NS5ATMA1

MOSFETs MV POWER MOS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ300N15NS5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 150V 32A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 32µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 75 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	59.04 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ300N15NS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 32A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	64.63 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ340N08NS3 G

MOSFETs N-Ch 80V 23A TSDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 19379 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	91.05 грн
10+	56.14 грн
100+	32.21 грн
500+	25.56 грн
1000+	22.72 грн
2500+	21.19 грн
5000+	17.98 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ340N08NS3 G

Trans MOSFET N-CH 80V 6A 8-Pin TSDSON EP

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

264+	45.89 грн
275+	44.05 грн
500+	42.46 грн
1000+	39.60 грн
2500+	35.59 грн
5000+	33.24 грн

Мінімальне замовлення: 264

В кошику од. на суму грн.

BSZ340N08NS3 G
Код товару: 194005

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ340N08NS3 G

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ340N08NS3G

на замовлення 792 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ340N08NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 6A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	43.74 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ340N08NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 6A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ340N08NS3GATMA1

Description: INFINEON - BSZ340N08NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 23 A, 0.027 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 77601 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	51.59 грн
18+	49.70 грн
100+	34.59 грн
500+	24.71 грн
1000+	19.28 грн
5000+	17.36 грн

Мінімальне замовлення: 17

В кошику од. на суму грн.

BSZ340N08NS3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 6A/23A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 12µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 40 V

на замовлення 27442 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	30.62 грн
12+	26.78 грн
100+	23.67 грн
500+	21.03 грн
1000+	19.96 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

BSZ340N08NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 6A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	21.25 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ340N08NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 6A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

288+	42.11 грн
315+	38.50 грн
317+	38.30 грн
500+	30.08 грн
1000+	26.01 грн
5000+	22.15 грн

Мінімальне замовлення: 288

В кошику од. на суму грн.

BSZ340N08NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 6A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 161 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ340N08NS3GATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 23A; 32W; PG-TSDSON-8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Case: PG-TSDSON-8
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 34mΩ
Power dissipation: 32W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 23A
Drain-source voltage: 80V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ340N08NS3GATMA1

MOSFETs N-Ch 80V 23A TSDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 8641 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	37.58 грн
12+	31.15 грн
100+	22.42 грн
500+	21.73 грн
1000+	20.05 грн
2500+	19.97 грн
5000+	17.45 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

BSZ340N08NS3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 6A/23A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 12µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 40 V

на замовлення 25000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	17.86 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ340N08NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 6A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 161 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	67.03 грн
12+	59.16 грн
25+	58.57 грн
100+	43.66 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

BSZ340N08NS3GATMA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ340N08NS3GATMA2

SP001171262

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

Bsz400

Fuse: time-lag; glass type; current: 400mA; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: 0218.400MXP; 179120.0,4; 0034.3113 Fuse: time-lag; 400mA Bsz400
кількість в упаковці: 500 шт

на замовлення 1573 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

500+	2.89 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

BSZ42DN25NS3 G

MOSFETs N-Ch 250V 5A TDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 2010 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	149.97 грн
10+	94.15 грн
100+	54.17 грн
500+	44.45 грн
1000+	38.87 грн
2500+	37.72 грн
5000+	32.14 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ42DN25NS3GATMA1

N-канальний ПТ; Udss, В = 250; Id = 5 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 430 @ 100; Qg, нКл = 5,5 @ 10 В; Rds = 425 мОм @ 2,5 A, 10 В; Ugs(th) = 4 В @ 13 мкА; Р, Вт = 33,8; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; PG-TSDSON-8

на замовлення 5 шт:

термін постачання 3 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ42DN25NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 250V 5A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ42DN25NS3GATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 5A; 33.8W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Drain current: 5A
On-state resistance: 0.425Ω
Power dissipation: 33.8W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 250V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ42DN25NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 250V 5A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ42DN25NS3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 250V 5A TSDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 425mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 100 V

на замовлення 16612 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	86.08 грн
10+	60.81 грн
100+	47.10 грн
500+	41.42 грн
1000+	37.19 грн
2000+	35.21 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ42DN25NS3GATMA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ42DN25NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 250V 5A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 187 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	101.03 грн
10+	83.86 грн
25+	83.17 грн
100+	63.18 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

BSZ42DN25NS3GATMA1

Description: INFINEON - BSZ42DN25NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 5 A, 0.371 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 33.8W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33.8W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.371ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.371ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 9465 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	137.33 грн
10+	109.87 грн
100+	81.97 грн
500+	63.92 грн
1000+	45.54 грн
2500+	44.07 грн
5000+	42.60 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

BSZ42DN25NS3GATMA1

MOSFETs N-Ch 250V 5A TDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 13551 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	93.73 грн
10+	61.07 грн
100+	41.70 грн
500+	39.63 грн
1000+	37.11 грн
5000+	32.14 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ42DN25NS3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 250V 5A TSDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 425mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 100 V

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	35.79 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ440N10NS3 G

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ440N10NS3 G

MOSFETs N-Ch 100V 18A TSDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 79116 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	90.16 грн
10+	55.43 грн
100+	31.75 грн
500+	25.17 грн
1000+	22.34 грн
2500+	20.43 грн
5000+	17.29 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ440N10NS3G
Код товару: 155825

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові P-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ440N10NS3GATMA1