Продукція > BSZ

Description: MOSFET N-CH 25V 39A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 12 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	81.14 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ009NE2LS5ATMA1

Description: INFINEON - BSZ009NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 700 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 3574 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	150.74 грн
10+	128.72 грн
100+	102.47 грн
500+	79.42 грн
1000+	63.37 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

BSZ009NE2LS5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 25V 39A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 12 V

на замовлення 9540 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	193.53 грн
10+	168.28 грн
25+	150.26 грн
100+	126.90 грн
250+	112.80 грн
500+	98.70 грн
1000+	80.44 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

BSZ009NE2LS5ATMA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 3863 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	132.99 грн
10+	107.65 грн
100+	80.02 грн
500+	73.38 грн
1000+	66.20 грн
2500+	64.39 грн
5000+	54.65 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ009NE2LS5ATMA1

Description: INFINEON - BSZ009NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 700 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 69W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 700µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 3574 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	102.47 грн
500+	79.42 грн
1000+	63.37 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ010NE2LS5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 25V 32A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 12 V

на замовлення 3638 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	193.53 грн
10+	140.84 грн
25+	127.11 грн
100+	103.48 грн
250+	95.08 грн
500+	89.65 грн
1000+	83.51 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

BSZ010NE2LS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 25V 32A T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ010NE2LS5ATMA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 2090 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	141.79 грн
10+	111.99 грн
100+	91.34 грн
250+	84.55 грн
500+	79.26 грн
1000+	72.02 грн
5000+	71.34 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ010NE2LS5ATMA1

Description: INFINEON - BSZ010NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 0.001 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 9223 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	143.96 грн
10+	117.71 грн
100+	108.40 грн
500+	84.93 грн
1000+	71.13 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

BSZ010NE2LS5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 25V 32A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 12 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ010NE2LS5ATMA1

Description: INFINEON - BSZ010NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 800 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 69W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 800µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 9485 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	108.40 грн
500+	84.93 грн
1000+	71.13 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ011NE2LS5IATMA1

Description: INFINEON - BSZ011NE2LS5IATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 820 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 820µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 5002 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	136.34 грн
10+	95.69 грн
100+	83.67 грн
500+	72.34 грн
1000+	64.38 грн
5000+	57.56 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

BSZ011NE2LS5IATMA1

Description: MOSFET N-CH 25V 35A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 12 V

на замовлення 6901 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	124.94 грн
10+	103.64 грн
25+	97.82 грн
100+	84.30 грн
250+	79.80 грн
500+	76.61 грн
1000+	72.39 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ011NE2LS5IATMA1

Description: INFINEON - BSZ011NE2LS5IATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 820 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 69W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 820µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 820µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 5002 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	83.67 грн
500+	72.34 грн
1000+	64.38 грн
5000+	57.56 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ011NE2LS5IATMA1

Description: MOSFET N-CH 25V 35A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 12 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	74.43 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ011NE2LS5IATMA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 8319 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	126.82 грн
10+	87.68 грн
100+	66.88 грн
500+	62.28 грн
1000+	60.09 грн
2500+	58.96 грн
5000+	55.71 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ013NE2LS5IATMA1

Description: INFINEON - BSZ013NE2LS5IATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 0.0011 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 69W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0011ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	57.16 грн
500+	43.41 грн
1000+	36.80 грн
5000+	36.73 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ013NE2LS5IATMA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 2230 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	142.68 грн
10+	102.44 грн
100+	65.98 грн
500+	51.63 грн
1000+	46.73 грн
5000+	42.27 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ013NE2LS5IATMA1

Description: MOSFET N-CH 25V 32A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 12 V

на замовлення 34638 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	146.17 грн
10+	97.11 грн
100+	74.21 грн
500+	56.53 грн
1000+	50.86 грн
2000+	47.81 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ013NE2LS5IATMA1

Description: INFINEON - BSZ013NE2LS5IATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 0.0011 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	102.47 грн
11+	80.03 грн
100+	57.16 грн
500+	43.41 грн
1000+	36.80 грн
5000+	36.73 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

BSZ013NE2LS5IATMA1

Description: MOSFET N-CH 25V 32A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 12 V

на замовлення 25000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	50.15 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ014NE2LS5IFATMA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 9976 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	95.12 грн
10+	78.91 грн
100+	60.24 грн
250+	60.09 грн
500+	54.05 грн
1000+	52.16 грн
2500+	52.09 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ014NE2LS5IFATMA1

Description: MOSFET N-CH 25V 31A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 20A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 12 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ014NE2LS5IFATMA1

Description: INFINEON - BSZ014NE2LS5IFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 1450 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 69W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00125ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1450µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4178 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	80.37 грн
500+	61.73 грн
1000+	54.80 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ014NE2LS5IFATMA1

Trans MOSFET N-CH 25V 31A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ014NE2LS5IFATMA1

Description: MOSFET N-CH 25V 31A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 20A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 12 V

на замовлення 5949 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	108.61 грн
10+	78.40 грн
100+	68.00 грн
500+	52.93 грн
1000+	51.82 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ014NE2LS5IFATMA1

Description: INFINEON - BSZ014NE2LS5IFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 1450 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1450µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4178 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	123.64 грн
10+	92.31 грн
100+	80.37 грн
500+	61.73 грн
1000+	54.80 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

BSZ014NE2LS5IFATMA1

Trans MOSFET N-CH 25V 31A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ017NE2LS5IATMA1

Description: INFINEON - BSZ017NE2LS5IATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 1450 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1450µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4970 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	112.63 грн
10+	85.53 грн
100+	64.61 грн
500+	47.57 грн
1000+	40.50 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

BSZ017NE2LS5IATMA1

Description: MOSFET N-CH 25V 27A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 12 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	32.87 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ017NE2LS5IATMA1

Description: INFINEON - BSZ017NE2LS5IATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 1450 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1450µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4970 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	64.61 грн
500+	47.57 грн
1000+	40.50 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ017NE2LS5IATMA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 4965 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	105.69 грн
10+	79.17 грн
100+	51.79 грн
500+	41.07 грн
1000+	37.82 грн
2500+	35.78 грн
5000+	32.08 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ017NE2LS5IATMA1

Description: MOSFET N-CH 25V 27A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 12 V

на замовлення 9175 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	97.99 грн
10+	71.95 грн
100+	53.06 грн
500+	39.42 грн
1000+	36.36 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ018N04LS6ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 27A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 20 V

на замовлення 18358 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	104.52 грн
10+	86.50 грн
25+	81.59 грн
100+	70.28 грн
250+	66.49 грн
500+	63.82 грн
1000+	60.29 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ018N04LS6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 27A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ018N04LS6ATMA1

Description: INFINEON - BSZ018N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0016 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 9795 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	236.27 грн
10+	162.59 грн
100+	129.57 грн
500+	104.58 грн
1000+	83.47 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ018N04LS6ATMA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 40290 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	118.90 грн
10+	96.36 грн
25+	81.53 грн
100+	69.98 грн
250+	68.62 грн
500+	61.75 грн
1000+	53.07 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ018N04LS6ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 27A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 20 V

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	61.94 грн
10000+	57.43 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ018N04LS6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 27A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ018N04LS6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 27A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ018N04LS6ATMA1

Description: INFINEON - BSZ018N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0016 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TSDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0016ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 9795 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	129.57 грн
500+	104.58 грн
1000+	83.47 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ018NE2LS

Description: MOSFET N-CH 25V 23A TSDSON-8

на замовлення 22633 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ018NE2LS

на замовлення 30 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ018NE2LS

Description: MOSFET N-CH 25V 23A TSDSON-8

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ018NE2LS

MOSFETs N-Ch 25V 40A TDSON-8 OptiMOS

на замовлення 7443 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	111.85 грн
10+	68.06 грн
100+	42.58 грн
500+	35.25 грн
1000+	31.33 грн
2500+	29.44 грн
5000+	26.42 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ018NE2LS

Description: MOSFET N-CH 25V 23A TSDSON-8

на замовлення 22633 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ018NE2LSATMA1

Description: INFINEON - BSZ018NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 153 A, 1800 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 153A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 12073 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	48.10 грн
500+	34.05 грн
1000+	27.87 грн
5000+	25.33 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ018NE2LSATMA1

Description: MOSFET N-CH 25V 23A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 12 V

на замовлення 897 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	114.32 грн
10+	69.67 грн
100+	46.57 грн
500+	34.39 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ018NE2LSATMA1

BSZ018NE2LSATMA1 SMD N channel transistors

на замовлення 4970 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

5+	69.10 грн
18+	63.22 грн
49+	59.45 грн
500+	58.79 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

BSZ018NE2LSATMA1

Trans MOSFET N-CH 25V 23A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ018NE2LSATMA1

Trans MOSFET N-CH 25V 23A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	35.40 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ018NE2LSATMA1

на замовлення 12073 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	108.40 грн
13+	67.66 грн
100+	48.10 грн
500+	34.05 грн
1000+	27.87 грн
5000+	25.33 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

BSZ018NE2LSATMA1

Description: MOSFET N-CH 25V 23A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 12 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ018NE2LSATMA1

Trans MOSFET N-CH 25V 23A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ018NE2LSI

MOSFETs N-Ch 25V 40A TSDSON-8 OptiMOS

на замовлення 65471 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	145.32 грн
10+	72.14 грн
100+	50.50 грн
500+	44.84 грн
1000+	43.18 грн
2500+	42.88 грн
5000+	42.50 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ018NE2LSIATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ018NE2LSIATMA1

Trans MOSFET N-CH 25V 22A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ018NE2LSIATMA1

Description: INFINEON - BSZ018NE2LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 0.0015 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 11861 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	136.34 грн
10+	106.70 грн
100+	88.07 грн
500+	62.20 грн
1000+	52.33 грн
5000+	52.26 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

BSZ018NE2LSIATMA1

Description: MOSFET N-CH 25V 22A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 12 V

на замовлення 24323 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	158.42 грн
10+	98.14 грн
100+	66.80 грн
500+	50.08 грн
1000+	46.03 грн
2000+	42.62 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ018NE2LSIATMA1

Trans MOSFET N-CH 25V 22A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ018NE2LSIATMA1

на замовлення 11861 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	88.07 грн
500+	62.20 грн
1000+	52.33 грн
5000+	52.26 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ018NE2LSIATMA1

Description: MOSFET N-CH 25V 22A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 12 V

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	45.23 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ018NE2LSIATMA1

Trans MOSFET N-CH 25V 22A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	43.33 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ018NE2LSIXT

MOSFETs N-Ch 25V 40A TSDSON-8 OptiMOS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ019N03LS

MOSFETs N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS

на замовлення 11560 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	148.84 грн
10+	93.76 грн
100+	56.24 грн
500+	47.63 грн
1000+	39.78 грн
2500+	36.76 грн
5000+	34.73 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ019N03LS

на замовлення 3 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ019N03LSATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ019N03LSATMA1

Description: INFINEON - BSZ019N03LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 149 A, 0.0019 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 149A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 4969 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	60.46 грн
500+	46.16 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ019N03LSATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 22A . 40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta). 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V

на замовлення 25733 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	77.58 грн
10+	49.23 грн
100+	41.83 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

BSZ019N03LSATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	35.40 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ019N03LSATMA1

Description: INFINEON - BSZ019N03LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 149 A, 0.0019 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 149A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 69W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0016ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 4969 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	83.84 грн
12+	75.20 грн
100+	60.46 грн
500+	46.16 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

BSZ019N03LSATMA1

MOSFETs N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS

на замовлення 13572 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	68.96 грн
10+	48.62 грн
100+	36.16 грн
500+	34.95 грн
1000+	34.73 грн
2500+	34.57 грн
5000+	34.42 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

BSZ019N03LSATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 22A . 40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta). 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	35.49 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ021N04LS6ATMA1

Description: INFINEON - BSZ021N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 147 A, 0.0018 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 147A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 16325 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	193.93 грн
10+	146.50 грн
100+	116.86 грн
500+	92.00 грн
1000+	72.37 грн
2500+	69.32 грн
5000+	67.94 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

BSZ021N04LS6ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 25A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 20 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	52.85 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ021N04LS6ATMA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 10337 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	101.28 грн
10+	81.34 грн
100+	61.37 грн
500+	56.09 грн
1000+	46.88 грн
2500+	43.26 грн
5000+	40.54 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ021N04LS6ATMA1

Description: INFINEON - BSZ021N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 147 A, 0.0018 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 147A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 16325 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	116.86 грн
500+	92.00 грн
1000+	72.37 грн
2500+	69.32 грн
5000+	67.94 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ021N04LS6ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 25A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 20 V

на замовлення 12086 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	111.06 грн
10+	92.32 грн
25+	87.10 грн
100+	74.99 грн
250+	70.95 грн
500+	68.09 грн
1000+	64.32 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ021N04LS6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 25A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ023N04LSATMA1

MOSFET N-Ch 40V 40A TSDSON-8 FL

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ023N04LSATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 22A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2630 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ023N04LSATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ023N04LSATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 22A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2630 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ024N04LS6

MOSFET TRENCH <= 40V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ024N04LS6ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 24A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 20 V

на замовлення 82155 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	76.76 грн
10+	63.62 грн
25+	60.01 грн
100+	51.64 грн
250+	48.83 грн
500+	46.84 грн
1000+	44.23 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

BSZ024N04LS6ATMA1

Description: INFINEON - BSZ024N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 130 A, 2400 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 35704 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	58.52 грн
500+	40.50 грн
1000+	34.62 грн
5000+	28.24 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ024N04LS6ATMA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ024N04LS6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 24A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 200000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	72.77 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ024N04LS6ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 24A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 20 V

на замовлення 80000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	38.57 грн
10000+	35.74 грн
15000+	34.96 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ024N04LS6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 24A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 4818 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

42+	295.63 грн
86+	144.14 грн
95+	131.51 грн
117+	102.46 грн
200+	89.43 грн
500+	85.58 грн
1000+	76.02 грн
2000+	70.97 грн

Мінімальне замовлення: 42

В кошику од. на суму грн.

BSZ024N04LS6ATMA1

на замовлення 35704 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	94.00 грн
12+	76.47 грн
100+	58.52 грн
500+	40.50 грн
1000+	34.62 грн
5000+	28.24 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

BSZ024N04LS6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 24A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ024N04LS6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 24A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ025N04LS

MOSFETs MV POWER MOS

на замовлення 5917 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	122.42 грн
10+	98.97 грн
100+	67.11 грн
500+	56.84 грн
1000+	46.35 грн
2500+	43.63 грн
5000+	41.52 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ025N04LSATMA1

Description: INFINEON - BSZ025N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.002 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 23114 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	56.48 грн
500+	42.93 грн
1000+	36.37 грн
5000+	36.29 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ025N04LSATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 22A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ025N04LSATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 22A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3680 pF @ 20 V

на замовлення 1950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	119.22 грн
10+	84.85 грн
100+	59.27 грн
500+	47.92 грн
1000+	42.11 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ025N04LSATMA1

Description: INFINEON - BSZ025N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 2500 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 20743 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	106.70 грн
11+	82.82 грн
100+	57.25 грн
500+	42.70 грн
1000+	34.62 грн
5000+	33.90 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

BSZ025N04LSATMA1

MOSFETs MV POWER MOS

на замовлення 16649 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	107.45 грн
10+	83.34 грн
100+	50.05 грн
500+	43.18 грн
1000+	41.14 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ025N04LSATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 22A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ025N04LSATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 22A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	38.58 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ025N04LSATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 22A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3680 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ028N04LS

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 2246 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	116.25 грн
10+	71.88 грн
100+	41.52 грн
500+	32.76 грн
1000+	29.52 грн
2500+	27.86 грн
5000+	23.63 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ028N04LSATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	37.26 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ028N04LSATMA1

Description: INFINEON - BSZ028N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0022 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 4095 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	55.38 грн
500+	43.64 грн
1000+	35.86 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ028N04LSATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 21A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 63W (Tc)
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 20 V

на замовлення 12159 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	81.66 грн
10+	52.21 грн
100+	41.35 грн
500+	31.14 грн
1000+	28.05 грн
2000+	27.17 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ028N04LSATMA1

на замовлення 4095 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	99.08 грн
12+	76.72 грн
100+	55.38 грн
500+	43.64 грн
1000+	35.86 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

BSZ028N04LSATMA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 5952 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	87.90 грн
10+	57.82 грн
100+	39.03 грн
500+	31.63 грн
1000+	27.55 грн
2500+	27.40 грн
5000+	23.63 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

BSZ028N04LSATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

167+	74.26 грн
177+	69.93 грн
209+	59.41 грн
213+	56.10 грн
500+	51.85 грн
1000+	49.60 грн
5000+	46.86 грн

Мінімальне замовлення: 167

В кошику од. на суму грн.

BSZ028N04LSATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	28.18 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ028N04LSATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 21A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 63W (Tc)
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 20 V

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	25.27 грн
10000+	23.65 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ031NE2LS5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 25V 19A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 12 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	23.74 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ031NE2LS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 25V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 4620 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

134+	92.42 грн
198+	62.63 грн
218+	57.02 грн
500+	43.92 грн
1000+	39.86 грн
2000+	35.72 грн

Мінімальне замовлення: 134

В кошику од. на суму грн.

BSZ031NE2LS5ATMA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 7793 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	86.31 грн
10+	54.69 грн
100+	36.24 грн
500+	30.12 грн
1000+	25.97 грн
2500+	25.52 грн
5000+	22.04 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

BSZ031NE2LS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 25V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ031NE2LS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 25V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	25.72 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ031NE2LS5ATMA1

Description: INFINEON - BSZ031NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 0.0031 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 12124 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	44.63 грн
500+	32.00 грн
1000+	24.39 грн
5000+	22.94 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ031NE2LS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 25V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 930 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

307+	40.42 грн
320+	38.80 грн
500+	37.40 грн

Мінімальне замовлення: 307

В кошику од. на суму грн.

BSZ031NE2LS5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 25V 19A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 12 V

на замовлення 5657 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	90.64 грн
10+	53.00 грн
100+	38.37 грн
500+	29.36 грн
1000+	26.73 грн
2000+	25.26 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ031NE2LS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 25V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	27.48 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ031NE2LS5ATMA1

на замовлення 12124 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	88.07 грн
15+	58.94 грн
100+	44.63 грн
500+	32.00 грн
1000+	24.39 грн
5000+	22.94 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

BSZ031NE2LS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 25V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ031NE2LS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 25V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	35.28 грн
20000+	32.24 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ033NE2LS5

MOSFETs TRENCH <= 40V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ033NE2LS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ033NE2LS5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 25V 18A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 12 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	26.23 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ033NE2LS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ033NE2LS5ATMA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 4990 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	117.13 грн
10+	75.61 грн
100+	45.22 грн
250+	44.61 грн
500+	35.48 грн
1000+	29.74 грн
2500+	29.67 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ033NE2LS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ033NE2LS5ATMA1

Description: INFINEON - BSZ033NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 0.0027 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 30W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0027ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4079 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	50.30 грн
500+	37.19 грн
1000+	29.25 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ033NE2LS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

181+	68.41 грн
260+	47.78 грн
275+	45.14 грн
500+	36.12 грн
1000+	30.58 грн

Мінімальне замовлення: 181

В кошику од. на суму грн.

BSZ033NE2LS5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 25V 18A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 12 V

на замовлення 8435 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	104.52 грн
10+	63.77 грн
100+	42.48 грн
500+	31.29 грн
1000+	28.53 грн
2000+	26.21 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ033NE2LS5ATMA1

Description: INFINEON - BSZ033NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 0.0027 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4079 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	108.40 грн
12+	70.80 грн
100+	50.30 грн
500+	37.19 грн
1000+	29.25 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

BSZ034N04LS

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 7743 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	114.49 грн
10+	70.84 грн
100+	40.92 грн
500+	32.23 грн
1000+	29.06 грн
2500+	27.48 грн
5000+	23.33 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ034N04LSATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	29.00 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ034N04LSATMA1

Description: INFINEON - BSZ034N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 3400 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 3969 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	94.00 грн
50+	56.15 грн
250+	42.60 грн
1000+	31.14 грн
3000+	27.07 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

BSZ034N04LSATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

713+	43.45 грн
1000+	40.07 грн
10000+	35.73 грн

Мінімальне замовлення: 713

В кошику од. на суму грн.

BSZ034N04LSATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	31.16 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ034N04LSATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 4407 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

235+	52.89 грн
247+	50.23 грн
319+	38.91 грн
323+	37.06 грн
500+	30.07 грн
1000+	25.68 грн
3000+	24.49 грн

Мінімальне замовлення: 235

В кошику од. на суму грн.

BSZ034N04LSATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 19A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 25000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	24.79 грн
10000+	23.16 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ034N04LSATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 4407 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	91.78 грн
13+	56.67 грн
25+	53.82 грн
100+	40.20 грн
250+	36.76 грн
500+	30.93 грн
1000+	27.52 грн
3000+	26.24 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

BSZ034N04LSATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	28.29 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ034N04LSATMA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 3583 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	78.74 грн
10+	48.62 грн
100+	32.69 грн
500+	30.42 грн
1000+	26.95 грн
2500+	26.19 грн
5000+	23.33 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

BSZ034N04LSATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 6490 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

713+	43.45 грн
1000+	40.07 грн

Мінімальне замовлення: 713

В кошику од. на суму грн.

BSZ034N04LSATMA1

на замовлення 3969 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	56.15 грн
250+	42.60 грн
1000+	31.14 грн
3000+	27.07 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ034N04LSATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 2700 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

713+	43.45 грн
1000+	40.07 грн

Мінімальне замовлення: 713

В кошику од. на суму грн.

BSZ034N04LSATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	26.86 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ034N04LSATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	30.32 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ034N04LSATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 7419 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

246+	50.50 грн
320+	38.78 грн
342+	36.22 грн
500+	33.42 грн
1000+	28.88 грн

Мінімальне замовлення: 246

В кошику од. на суму грн.

BSZ034N04LSATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 19A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 25370 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	84.93 грн
10+	46.32 грн
100+	35.14 грн
500+	30.58 грн
1000+	27.86 грн
2000+	26.60 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ035N03LS

QFN

на замовлення 158 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ035N03LS G

MOSFETs N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 2928 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	148.84 грн
10+	99.84 грн
100+	66.73 грн
500+	53.37 грн
1000+	46.50 грн
5000+	39.48 грн
10000+	36.99 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ035N03LS G

QFN

на замовлення 365 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ035N03LSGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 20A/40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 15 V

на замовлення 1770 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	111.87 грн
10+	68.49 грн
100+	45.74 грн
500+	33.77 грн
1000+	30.82 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ035N03LSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5012 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	28.71 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ035N03LSGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 20A/40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ035N03LSGATMA1
Код товару: 129555

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ035N03MS

на замовлення 2080 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ035N03MS G

MOSFETs N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M

на замовлення 8064 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	109.21 грн
10+	70.06 грн
25+	60.84 грн
100+	40.61 грн
500+	33.22 грн
1000+	29.14 грн
5000+	21.67 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ035N03MSG

на замовлення 18 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ035N03MSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	30.47 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ035N03MSGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 18A/40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 15 V

на замовлення 11581 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	102.89 грн
10+	62.51 грн
100+	41.34 грн
500+	30.29 грн
1000+	27.55 грн
2000+	25.25 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ035N03MSGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 18A/40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 15 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	24.02 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ036NE2LS

MOSFETs N-Ch 25V 40A TDSON-8 OptiMOS

на замовлення 2863 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	74.51 грн
10+	60.16 грн
100+	40.69 грн
500+	34.57 грн
1000+	28.16 грн
5000+	24.91 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

BSZ036NE2LSATMA1

Description: INFINEON - BSZ036NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 0.003 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 9632 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	47.59 грн
28+	30.99 грн
100+	24.90 грн
500+	19.82 грн
1000+	17.93 грн
5000+	17.86 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

BSZ036NE2LSATMA1

Description: MOSFET N-CH 25V 16A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 12 V

на замовлення 14557 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	90.64 грн
10+	47.34 грн
100+	34.17 грн
500+	28.82 грн
1000+	25.61 грн
2000+	24.08 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ036NE2LSATMA1

Trans MOSFET N-CH 25V 16A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	19.55 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ036NE2LSATMA1

на замовлення 9632 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	24.90 грн
500+	19.82 грн
1000+	17.93 грн
5000+	17.86 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ036NE2LSATMA1

Description: MOSFET N-CH 25V 16A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 12 V

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	23.12 грн
10000+	21.86 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ036NE2LSATMA1

MOSFETs N-Ch 25V 40A TDSON-8 OptiMOS

на замовлення 12437 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	42.63 грн
10+	40.98 грн
100+	29.37 грн
500+	25.74 грн
1000+	24.91 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

BSZ037N06LS5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 18A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 30 V

на замовлення 9960 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	73.15 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ037N06LS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 18A T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	32.94 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ037N06LS5ATMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 3210 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	146.20 грн
10+	102.44 грн
100+	77.75 грн
250+	69.83 грн
500+	65.60 грн
1000+	61.07 грн
2500+	61.00 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ037N06LS5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 18A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 30 V

на замовлення 9960 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	148.62 грн
10+	129.59 грн
25+	115.72 грн
100+	97.74 грн
250+	86.88 грн
500+	76.02 грн
1000+	65.02 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ039N06NSATMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 3521 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	96.00 грн
10+	76.92 грн
100+	58.20 грн
500+	54.96 грн
1000+	54.65 грн
2500+	54.05 грн
5000+	45.67 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ039N06NSATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 18A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ039N06NSATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 18A T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	32.94 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ039N06NSATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 18A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 30 V

на замовлення 1118 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	91.46 грн
10+	75.73 грн
25+	71.40 грн
100+	61.46 грн
250+	58.12 грн
500+	55.77 грн
1000+	52.67 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ040N04LS G

MOSFETs N-Ch 40V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 27298 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	110.09 грн
10+	73.27 грн
100+	44.77 грн
500+	40.09 грн
1000+	34.65 грн
2500+	32.31 грн
5000+	31.25 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ040N04LSG

Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 4950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

140+	88.44 грн
147+	84.49 грн
250+	81.10 грн
500+	75.38 грн
1000+	67.52 грн
2500+	62.90 грн

Мінімальне замовлення: 140

В кошику од. на суму грн.

BSZ040N04LSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 20302 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	25.45 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ040N04LSGATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 18A/40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 20 V

на замовлення 9875 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	101.26 грн
10+	61.10 грн
100+	40.60 грн
500+	29.82 грн
1000+	27.15 грн
2000+	25.74 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ040N04LSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	23.69 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ040N04LSGATMA1

Description: INFINEON - BSZ040N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 3300 µohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 3922 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	45.56 грн
500+	35.46 грн
1000+	26.93 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ040N04LSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ040N04LSGATMA1

MOSFETs N-Ch 40V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 10360 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	123.30 грн
10+	79.17 грн
100+	47.33 грн
500+	39.78 грн
1000+	33.52 грн
2500+	32.76 грн
5000+	30.27 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ040N04LSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	25.17 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ040N04LSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ040N04LSGATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 18A/40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 20 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	24.88 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ040N04LSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 1250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

666+	46.48 грн

Мінімальне замовлення: 666

В кошику од. на суму грн.

BSZ040N04LSGATMA1

Description: INFINEON - BSZ040N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 3300 µohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 3922 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	88.07 грн
15+	60.13 грн
100+	45.56 грн
500+	35.46 грн
1000+	26.93 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

BSZ040N04LSGATMA1

BSZ040N04LSGATMA1 SMD N channel transistors

на замовлення 1938 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

4+	100.30 грн
22+	51.71 грн
60+	48.88 грн
200+	48.80 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ040N04LSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 26435 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

666+	46.48 грн

Мінімальне замовлення: 666

В кошику од. на суму грн.

BSZ040N04LSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 4750 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

105+	118.00 грн
162+	76.74 грн
200+	69.31 грн
500+	49.33 грн
1000+	42.73 грн

Мінімальне замовлення: 105

В кошику од. на суму грн.

BSZ040N04LSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	23.97 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ040N04LSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	25.68 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ040N06LS5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 101A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 101A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 30 V

на замовлення 47623 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	126.57 грн
10+	89.41 грн
100+	62.85 грн
500+	47.49 грн
1000+	45.46 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ040N06LS5ATMA1

Description: INFINEON - BSZ040N06LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.004 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 69W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 10929 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	103.31 грн
250+	73.76 грн
1000+	49.78 грн
3000+	45.00 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ040N06LS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 17A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	31.44 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ040N06LS5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 101A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 101A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 30 V

на замовлення 45000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	41.09 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ040N06LS5ATMA1

Description: INFINEON - BSZ040N06LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.004 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 10929 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	142.27 грн
50+	103.31 грн
250+	73.76 грн
1000+	49.78 грн
3000+	45.00 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

BSZ040N06LS5ATMA1

MOSFETs MV POWER MOS

на замовлення 18189 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	135.63 грн
10+	98.97 грн
100+	59.33 грн
500+	47.56 грн
1000+	45.82 грн
2500+	45.75 грн
5000+	39.63 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ040N06LS5ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 60V; 40A; 69W; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 40A
Power dissipation: 69W
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 4.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.6nC
Kind of channel: enhancement
Electrical mounting: SMT
Polarisation: N

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5000+	37.01 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ042N04NS

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ042N04NS G

Description: MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ042N04NS G

MOSFET N-Ch 40V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ042N04NSG

Description: MOSFET N-CH 40V 40A TO220AB

на замовлення 47574 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ042N04NSGATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ042N04NSGATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ042N04NSGATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8

на замовлення 41363 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ042N06NS

MOSFETs N-Ch 60V 40A TDSON-8

на замовлення 9023 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	154.12 грн
10+	98.10 грн
100+	58.58 грн
500+	49.67 грн
1000+	42.20 грн
5000+	35.93 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ042N06NS

на замовлення 4850 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ042N06NSATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 17A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	37.23 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ042N06NSATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ042N06NSATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	35.85 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ042N06NSATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 17A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V

на замовлення 7412 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	65.33 грн
10+	51.58 грн
100+	46.10 грн
500+	42.45 грн
1000+	41.18 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

BSZ042N06NSATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 6405 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	120.28 грн
10+	108.59 грн
25+	103.81 грн
100+	73.81 грн
250+	62.43 грн
500+	58.64 грн
1000+	47.49 грн
3000+	44.83 грн
6000+	42.72 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

BSZ042N06NSATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; 50W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 4.2mΩ
Power dissipation: 50W
Drain current: 20A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ042N06NSATMA1

Description: INFINEON - BSZ042N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 4200 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 134113 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	46.91 грн
500+	38.30 грн
1000+	33.32 грн
5000+	30.92 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ042N06NSATMA1

MOSFETs N-Ch 60V 40A TDSON-8

на замовлення 44039 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	62.88 грн
10+	51.48 грн
100+	40.99 грн
500+	39.25 грн
1000+	37.90 грн
2500+	36.39 грн
5000+	35.93 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

BSZ042N06NSATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ042N06NSATMA1

Rochester Electronics, LLC

на замовлення 134113 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	62.33 грн
17+	51.57 грн
100+	46.91 грн
500+	38.30 грн
1000+	33.32 грн
5000+	30.92 грн

Мінімальне замовлення: 14

В кошику од. на суму грн.

BSZ049N03LSCGATMA1

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ0500NSIATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 30A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 15 V

на замовлення 9817 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	53.94 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ0500NSIATMA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 4916 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	159.41 грн
10+	120.67 грн
100+	83.79 грн
250+	83.04 грн
500+	69.30 грн
1000+	68.24 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ0500NSIATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 30A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 15 V

на замовлення 9817 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	185.37 грн
10+	114.49 грн
100+	78.20 грн
500+	58.81 грн
1000+	54.12 грн
2000+	50.18 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

BSZ0501NSIATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 25A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 15 V

на замовлення 4876 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	162.50 грн
10+	100.26 грн
100+	68.01 грн
500+	50.86 грн
1000+	46.69 грн
2000+	43.19 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ0501NSIATMA1

Description: INFINEON - BSZ0501NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0017 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm

на замовлення 9635 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	92.31 грн
500+	72.97 грн
1000+	51.97 грн
5000+	49.00 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ0501NSIATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 25A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 15 V

на замовлення 4500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ0501NSIATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0501NSIATMA1

на замовлення 9635 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	151.58 грн
10+	114.32 грн
100+	92.31 грн
500+	72.97 грн
1000+	51.97 грн
5000+	49.00 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

BSZ0501NSIATMA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 7622 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	118.90 грн
10+	79.87 грн
100+	52.69 грн
500+	41.75 грн
1000+	38.05 грн
2500+	36.61 грн
5000+	32.91 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ0502NSIATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0502NSIATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0502NSIATMA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0502NSIATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 22A 8SON

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0503NSIATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	30.24 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ0503NSIATMA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 9657 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	88.95 грн
10+	58.25 грн
100+	34.50 грн
500+	26.87 грн
1000+	22.50 грн
2500+	22.04 грн
5000+	19.93 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ0503NSIATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 20A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0503NSIATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0503NSIATMA1

Description: INFINEON - BSZ0503NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 82 A, 0.0028 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 2672 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	88.07 грн
15+	59.70 грн
100+	45.22 грн
500+	34.13 грн
1000+	26.35 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

BSZ0503NSIATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

113+	109.75 грн
169+	73.52 грн
200+	68.32 грн
1000+	55.54 грн
2000+	48.63 грн
5000+	42.08 грн

Мінімальне замовлення: 113

В кошику од. на суму грн.

BSZ0503NSIATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0503NSIATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0503NSIATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 20A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V

на замовлення 3716 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	108.61 грн
10+	65.90 грн
100+	43.71 грн
500+	32.09 грн
1000+	29.22 грн
2000+	26.81 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ0503NSIATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	28.92 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ0503NSIATMA1

Description: INFINEON - BSZ0503NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 82 A, 0.0028 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 36W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TSDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0028ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 2672 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	45.22 грн
500+	34.13 грн
1000+	26.35 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ0506NSATMA1

Description: INFINEON - BSZ0506NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 4400 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 2931 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	38.45 грн
250+	31.67 грн
1000+	24.93 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ0506NSATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	26.60 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ0506NSATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 15A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 15 V

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	18.79 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ0506NSATMA1

на замовлення 2931 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	49.79 грн
50+	38.45 грн
250+	31.67 грн
1000+	24.93 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

BSZ0506NSATMA1

MOSFETs N

на замовлення 29724 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	76.97 грн
10+	61.90 грн
100+	41.82 грн
500+	35.56 грн
1000+	27.25 грн
5000+	25.74 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

BSZ0506NSATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 27W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 4.4mΩ
Drain current: 40A
Power dissipation: 27W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0506NSATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 15A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 15 V

на замовлення 42406 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	42.46 грн
10+	31.69 грн
100+	26.19 грн
500+	24.54 грн
1000+	21.62 грн
2000+	20.80 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

BSZ050N03LS G

MOSFETs N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 6251 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	78.03 грн
10+	47.66 грн
100+	27.03 грн
500+	20.76 грн
1000+	18.80 грн
2500+	17.44 грн
5000+	14.80 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

BSZ050N03LSG

Description: BSZ050N03 - 12V-300V N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ050N03LSGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 16A/40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	15.00 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ050N03LSGATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 50W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ050N03LSGATMA1

Description: INFINEON - BSZ050N03LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 5000 µohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 18009 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

38+	22.78 грн
41+	20.92 грн
100+	18.97 грн
500+	14.78 грн
1000+	12.85 грн
5000+	12.12 грн

Мінімальне замовлення: 38

В кошику од. на суму грн.

BSZ050N03LSGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 16A/40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V

на замовлення 6537 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	22.05 грн
17+	19.58 грн
100+	17.74 грн
500+	15.99 грн
1000+	15.70 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

BSZ050N03LSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	15.50 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ050N03LSGATMA1

MOSFETs N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 6321 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

15+	23.52 грн
17+	21.62 грн
100+	16.76 грн
500+	15.25 грн
1000+	14.34 грн
2500+	14.27 грн
5000+	13.66 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

BSZ050N03MS G

MOSFETs N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M

на замовлення 7158 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	72.75 грн
10+	44.62 грн
100+	25.29 грн
500+	19.48 грн
1000+	16.46 грн
2500+	16.00 грн
5000+	12.83 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

BSZ050N03MSG

Description: BSZ050N03 - 12V-300V N-CHANNEL P

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ050N03MSG

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ050N03MSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	14.97 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ050N03MSGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 15A/40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 15 V

на замовлення 253 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	68.59 грн
10+	41.20 грн
100+	26.85 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

BSZ050N03MSGATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 48W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 48W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ050N03MSGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 15A/40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0589NSATMA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 5962 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	84.37 грн
10+	60.60 грн
100+	44.46 грн
500+	38.95 грн
1000+	29.89 грн
5000+	28.46 грн
10000+	27.18 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

BSZ0589NSATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 17A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 15 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	27.30 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ0589NSATMA1

Description: INFINEON - BSZ0589NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 17 A, 0.0035 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 7074 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	91.46 грн
16+	53.69 грн
100+	40.82 грн
500+	30.59 грн
1000+	23.59 грн
5000+	21.12 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

BSZ0589NSATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 17A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 15 V

на замовлення 9792 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	110.24 грн
10+	66.92 грн
100+	44.47 грн
500+	32.68 грн
1000+	29.77 грн
2000+	27.32 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ0589NSATMA1

на замовлення 7074 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	40.82 грн
500+	30.59 грн
1000+	23.59 грн
5000+	21.12 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ058N03LS G

MOSFETs N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 4717 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	67.99 грн
10+	55.65 грн
100+	37.59 грн
500+	31.86 грн
1000+	25.97 грн
2500+	24.46 грн
5000+	23.33 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

BSZ058N03LSG

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ058N03LSG

0950+ TSDSON-8

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ058N03LSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 35000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	21.14 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ058N03LSGATMA1

MOSFETs N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 2532 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	29.43 грн
5000+	23.10 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

BSZ058N03LSGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 15A/40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ058N03LSGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 15A/40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ058N03MS G

QFN

на замовлення 92 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ058N03MS G

MOSFET N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M

на замовлення 1159 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ058N03MSG

infineon

08+

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ058N03MSG

Description: BSZ058N03 - 12V-300V N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 15 V

на замовлення 11233 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

886+	27.76 грн

Мінімальне замовлення: 886

В кошику од. на суму грн.

BSZ058N03MSGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 14A/40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ058N03MSGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 14A/40A 8TSDSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 15 V

на замовлення 14327 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

886+	26.47 грн

Мінімальне замовлення: 886

В кошику од. на суму грн.

BSZ058N03MSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ058N03MSGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 14A/40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ058N03MSGXT

MOSFET N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0602LSATMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

на замовлення 4411 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	169.98 грн
10+	150.19 грн
100+	101.91 грн
500+	84.55 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ0602LSATMA1

SP001589450

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0602LSATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 13A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 40 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0602LSATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 13A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 40 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ060NE2LS

MOSFET N-Ch 25V 40A TDSON-8 OptiMOS

на замовлення 40761 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	65.53 грн
10+	57.04 грн
100+	33.82 грн
500+	28.31 грн
1000+	24.08 грн
2500+	22.72 грн
5000+	19.33 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

BSZ060NE2LS

Trans MOSFET N-CH 25V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	27.93 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ060NE2LSATMA1

Description: MOSFET N-CH 25V 12A/44A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 12 V

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	13.35 грн
10000+	12.62 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ060NE2LSATMA1

MOSFETs N-Ch 25V 40A TDSON-8 OptiMOS

на замовлення 50771 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	32.59 грн
15+	24.05 грн
100+	17.36 грн
500+	14.34 грн
1000+	14.04 грн
2500+	13.14 грн
5000+	12.15 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

BSZ060NE2LSATMA1

Trans MOSFET N-CH 25V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ060NE2LSATMA1

Trans MOSFET N-CH 25V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	16.51 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ060NE2LSATMA1

Description: INFINEON - BSZ060NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 0.005 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 26W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 26965 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	61.57 грн
21+	40.65 грн
100+	28.28 грн
500+	19.42 грн
1000+	15.68 грн
5000+	15.61 грн

Мінімальне замовлення: 14

В кошику од. на суму грн.

BSZ060NE2LSATMA1

Description: MOSFET N-CH 25V 12A/44A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 12 V

на замовлення 11490 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	31.03 грн
15+	22.10 грн
100+	18.35 грн
500+	15.05 грн
1000+	14.57 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

BSZ060NE2LSATMA1

Trans MOSFET N-CH 25V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	13.83 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ060NE2LSATMA1

Trans MOSFET N-CH 25V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	21.70 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ063N04LS6ATMA1

Description: INFINEON - BSZ063N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 6300 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 23769 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	59.79 грн
50+	48.44 грн
250+	41.16 грн
1000+	33.58 грн
3000+	29.18 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

BSZ063N04LS6ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 15A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 20 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	30.61 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ063N04LS6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 15A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	27.13 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ063N04LS6ATMA1

на замовлення 23769 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	48.44 грн
250+	41.16 грн
1000+	33.58 грн
3000+	29.18 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ063N04LS6ATMA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 166191 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	81.20 грн
10+	57.38 грн
100+	41.52 грн
500+	37.97 грн
1000+	30.88 грн
2500+	29.14 грн
5000+	28.99 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

BSZ063N04LS6ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 15A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 20 V

на замовлення 9266 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	52.26 грн
10+	43.17 грн
25+	40.70 грн
100+	34.98 грн
250+	33.05 грн
500+	31.68 грн
1000+	29.89 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

BSZ065N03LS

MOSFETs N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS

на замовлення 5499 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	83.32 грн
10+	51.05 грн
100+	28.99 грн
500+	22.34 грн
1000+	20.16 грн
2500+	18.80 грн
5000+	15.93 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

BSZ065N03LS
Код товару: 148978

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ065N03LS

QFN

на замовлення 792 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ065N03LSATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 2557 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	55.59 грн
16+	47.08 грн
25+	46.67 грн
100+	32.67 грн
250+	29.97 грн
500+	25.05 грн
1000+	18.51 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

BSZ065N03LSATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 12A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 15 V

на замовлення 5618 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	58.79 грн
10+	37.90 грн
100+	25.64 грн
500+	21.06 грн
1000+	18.45 грн
2000+	17.38 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

BSZ065N03LSATMA1

Description: INFINEON - BSZ065N03LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 5400 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 26W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4935 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	49.20 грн
24+	35.99 грн
100+	27.52 грн
500+	20.76 грн
1000+	15.97 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

BSZ065N03LSATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 12A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 15 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	16.70 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ065N03LSATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 26W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 26W
Case: PG-TSDSON-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ065N03LSATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ065N03LSATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ065N03LSATMA1

на замовлення 4935 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	27.52 грн
500+	20.76 грн
1000+	15.97 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ065N03LSATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ065N03LSATMA1

MOSFETs N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS

на замовлення 8584 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	62.09 грн
10+	41.32 грн
25+	35.03 грн
100+	24.38 грн
250+	23.10 грн
500+	21.51 грн
1000+	17.89 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

BSZ065N06LS5

Infineon / IR

MOSFET TRENCH 40<-<100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ065N06LS5ATMA1

Description: INFINEON - BSZ065N06LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0054 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 11272 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	104.16 грн
11+	81.47 грн
100+	63.34 грн
500+	51.98 грн
1000+	38.62 грн
5000+	36.80 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

BSZ065N06LS5ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 60V; 40A; 46W; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 40A
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 5.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhancement
Electrical mounting: SMT
Power dissipation: 46W

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5000+	27.61 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ065N06LS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ065N06LS5ATMA1

MOSFETs MV POWER MOS

на замовлення 17424 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	94.24 грн
10+	64.85 грн
100+	42.50 грн
500+	35.10 грн
1000+	29.21 грн
2500+	29.14 грн
5000+	28.08 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ065N06LS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 14900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

182+	68.28 грн
193+	64.36 грн
221+	56.01 грн
232+	51.52 грн
500+	47.52 грн
1000+	41.91 грн
5000+	38.90 грн
10000+	38.11 грн

Мінімальне замовлення: 182

В кошику од. на суму грн.

BSZ065N06LS5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 30 V

на замовлення 7842 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	95.54 грн
10+	62.83 грн
100+	46.14 грн
500+	35.57 грн
1000+	32.40 грн
2000+	32.03 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ065N06LS5ATMA1

Description: INFINEON - BSZ065N06LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0054 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 46W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0054ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 11272 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	63.34 грн
500+	51.98 грн
1000+	38.62 грн
5000+	36.80 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ065N06LS5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 30 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	33.28 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ065N06LS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ067N06LS3 G

MOSFETs N-Ch 60V 20A TSDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 1753 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	155.89 грн
10+	98.10 грн
100+	56.47 грн
500+	46.28 грн
1000+	40.54 грн
2500+	39.33 грн
5000+	33.44 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ067N06LS3G

на замовлення 650 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ067N06LS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	45.80 грн
10000+	40.71 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ067N06LS3GATMA1

MOSFETs N-Ch 60V 20A TSDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 8040 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	120.66 грн
10+	80.48 грн
100+	55.56 грн
500+	46.28 грн
1000+	40.01 грн
2500+	38.20 грн
5000+	37.52 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ067N06LS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	49.07 грн
10000+	43.62 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ067N06LS3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 14A/79A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 30 V

на замовлення 6308 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	134.74 грн
10+	82.49 грн
100+	55.60 грн
500+	41.36 грн
1000+	38.43 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ067N06LS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 30390 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

152+	81.48 грн
164+	75.71 грн
194+	63.84 грн
206+	58.19 грн
1000+	48.54 грн
2000+	43.85 грн
5000+	43.41 грн
10000+	38.37 грн

Мінімальне замовлення: 152

В кошику од. на суму грн.

BSZ067N06LS3GATMA1

Description: INFINEON - BSZ067N06LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.0067 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ067N06LS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ067N06LS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 10001 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

135+	91.70 грн
146+	85.20 грн
173+	71.79 грн
200+	65.45 грн
1000+	54.62 грн
2000+	49.33 грн
5000+	43.41 грн
10000+	43.14 грн

Мінімальне замовлення: 135

В кошику од. на суму грн.

BSZ067N06LS3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 14A/79A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 30 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	35.18 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ067N06LS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ068N06NS

на замовлення 400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ068N06NS

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 5202 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	98.64 грн
10+	79.78 грн
100+	53.98 грн
500+	45.75 грн
1000+	37.29 грн
2500+	35.10 грн
5000+	33.44 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ068N06NSATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ068N06NSATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 63A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ068N06NSATMA1

Description: INFINEON - BSZ068N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 6800 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 206 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	77.57 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ068N06NSATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 63A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 30990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

132+	94.47 грн
144+	86.06 грн
177+	69.97 грн
200+	63.11 грн
1000+	51.76 грн
2000+	46.35 грн
5000+	45.18 грн
10000+	43.47 грн

Мінімальне замовлення: 132

В кошику од. на суму грн.

BSZ068N06NSATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 63A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	18.76 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ068N06NSATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 63A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ068N06NSATMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 8620 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	122.42 грн
10+	70.41 грн
100+	45.90 грн
500+	38.50 грн
1000+	34.50 грн
2500+	33.89 грн
5000+	29.97 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ068N06NSATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 30 V

на замовлення 2007 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	120.04 грн
10+	76.12 грн
100+	54.97 грн
500+	40.75 грн
1000+	36.09 грн
2000+	34.33 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ068N06NSATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 63A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	33.96 грн
10000+	32.58 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ068N06NSATMA1

на замовлення 206 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	132.95 грн
50+	77.57 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

BSZ068N06NSATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 63A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	39.28 грн
10000+	37.69 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ0702LSATMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

на замовлення 20117 шт:

термін постачання 322-331 дні (днів)

4+	105.69 грн
10+	92.02 грн
100+	62.58 грн
500+	52.39 грн
1000+	41.22 грн
2500+	39.63 грн
5000+	38.50 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ0702LSATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 17A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0702LSATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 17A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0702LSATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 17A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ0703LSATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-26
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0703LSATMA1

DIFFERENTIATED MOSFETS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0703LSATMA1

BSZ0703LSATMA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0703LSATMA1

MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS

на замовлення 3960 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	102.16 грн
10+	89.42 грн
100+	61.07 грн
500+	50.43 грн
1000+	39.78 грн
2500+	37.22 грн
5000+	35.25 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ0703LSATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-26
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0704LSATMA1

SP001614102

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0704LSATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 11A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0704LSATMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

на замовлення 44915 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	72.83 грн
10+	63.89 грн
100+	42.58 грн
500+	33.74 грн
1000+	26.95 грн
2500+	24.38 грн
5000+	22.65 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

BSZ0704LSATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 11A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ070N08LS5

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ070N08LS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	43.83 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ070N08LS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ070N08LS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5908 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

227+	54.63 грн
228+	54.30 грн
233+	51.24 грн
2000+	47.30 грн

Мінімальне замовлення: 227

В кошику од. на суму грн.

BSZ070N08LS5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 74A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 40 V

на замовлення 9312 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	91.46 грн
10+	58.66 грн
100+	49.63 грн
500+	46.47 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ070N08LS5ATMA1

Description: INFINEON - BSZ070N08LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 74 A, 7000 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 74A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 69W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0059ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 3532 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	65.38 грн
250+	58.94 грн
1000+	54.49 грн
3000+	50.01 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ070N08LS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 760 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

367+	84.45 грн
500+	76.00 грн

Мінімальне замовлення: 367

В кошику од. на суму грн.

BSZ070N08LS5ATMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 13225 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	85.61 грн
10+	62.51 грн
100+	47.11 грн
500+	46.95 грн
5000+	40.76 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

BSZ070N08LS5ATMA1

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ070N08LS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	46.94 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ070N08LS5ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 80V; 40A; 69W; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 40A
Power dissipation: 69W
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 7.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Electrical mounting: SMT
Gate charge: 14.1nC
Technology: MOSFET

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5000+	40.39 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ070N08LS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ070N08LS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	30.91 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ070N08LS5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 74A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 40 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	42.01 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ070N08LS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	65.18 грн
20000+	59.56 грн
30000+	55.42 грн
40000+	50.40 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ070N08LS5ATMA1

Description: INFINEON - BSZ070N08LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 74 A, 7000 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 74A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 3532 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	79.52 грн
50+	65.38 грн
250+	58.94 грн
1000+	54.49 грн
3000+	50.01 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

BSZ075N08NS5ATMA1

MOSFETs N-Ch 80V 40A TSDSON-8

на замовлення 70504 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	54.52 грн
10+	51.13 грн
100+	42.35 грн
500+	41.90 грн
1000+	41.22 грн
2500+	41.07 грн
5000+	39.63 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

BSZ075N08NS5ATMA1

Description: INFINEON - BSZ075N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 7500 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 17679 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	53.01 грн
500+	48.68 грн
1000+	44.20 грн
5000+	40.87 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ075N08NS5ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 40A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ075N08NS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 40A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	29.94 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ075N08NS5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 40 V

на замовлення 63986 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	103.71 грн
10+	68.02 грн
100+	54.75 грн
500+	47.96 грн
1000+	44.64 грн
2000+	43.74 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ075N08NS5ATMA1

на замовлення 17679 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	65.04 грн
16+	55.64 грн
100+	53.01 грн
500+	48.68 грн
1000+	44.20 грн
5000+	40.87 грн

Мінімальне замовлення: 14

В кошику од. на суму грн.

BSZ075N08NS5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 40 V

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	45.96 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ076N06NS3 G

MOSFET N-Ch 60V 20A TDSON-8 OptiMOS 3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ076N06NS3G

Description: OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ076N06NS3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 20A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ076N06NS3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 20A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ076N06NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 20A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0803LSATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 4953 шт:

термін постачання 301-310 дні (днів)

3+	127.70 грн
10+	111.12 грн
100+	75.19 грн
500+	62.73 грн
1000+	48.99 грн
2500+	47.03 грн
5000+	43.78 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ0803LSATMA1

Description: INFINEON - BSZ0803LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.0124 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	83.24 грн
500+	63.77 грн
1000+	44.35 грн
2500+	42.90 грн
5000+	41.45 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ0803LSATMA1

SP001614108

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0803LSATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 9A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0803LSATMA1

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	136.34 грн
10+	110.94 грн
100+	83.24 грн
500+	63.77 грн
1000+	44.35 грн
2500+	42.90 грн
5000+	41.45 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

BSZ0803LSATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 9A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0804LSATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0804LSATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 11A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0804LSATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 11A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0804LSATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 4884 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	140.91 грн
10+	125.01 грн
100+	87.57 грн
500+	71.64 грн
1000+	55.26 грн
5000+	53.22 грн
10000+	53.14 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ084N08NS5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 31µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 40 V

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	42.60 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ084N08NS5ATMA1

MOSFETs N-Ch 80V 40A TSDSON-8

на замовлення 11197 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	110.97 грн
10+	76.14 грн
100+	52.31 грн
500+	45.14 грн
1000+	42.88 грн
2500+	42.50 грн
5000+	36.69 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ084N08NS5ATMA1

Description: INFINEON - BSZ084N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 0.0084 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0084ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 127438 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	59.45 грн
500+	44.11 грн
1000+	38.18 грн
5000+	32.30 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ084N08NS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 40A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	31.00 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ084N08NS5ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; 63W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 40A
Power dissipation: 63W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ084N08NS5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 31µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 40 V

на замовлення 34017 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	155.97 грн
10+	95.86 грн
100+	64.85 грн
500+	48.39 грн
1000+	44.38 грн
2000+	41.01 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ084N08NS5ATMA1

на замовлення 127438 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	105.85 грн
12+	76.22 грн
100+	59.45 грн
500+	44.11 грн
1000+	38.18 грн
5000+	32.30 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

BSZ086P03NS3 G

MOSFETs P-Ch -30V 13.5A TSDSON-8 OptiMOS P3

на замовлення 6120 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	90.71 грн
10+	55.82 грн
100+	32.01 грн
500+	25.36 грн
1000+	22.50 грн
2500+	21.14 грн
5000+	17.89 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ086P03NS3E G

MOSFETs P-Ch -30V 13.5A TSDSON-8 OptiMOS P3

на замовлення 1422 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	97.76 грн
10+	60.25 грн
100+	34.57 грн
500+	27.40 грн
1000+	24.38 грн
2500+	22.80 грн
5000+	19.25 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ086P03NS3EG

на замовлення 409 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ086P03NS3EGATMA

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -40A; 69W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Power dissipation: 69W
Technology: OptiMOS™ P3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: -40A
Drain-source voltage: -30V
On-state resistance: 8.6mΩ
Gate-source voltage: ±25V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ086P03NS3EGATMA1

Trans MOSFET P-CH 30V 13.5A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

150+	83.04 грн

Мінімальне замовлення: 150

В кошику од. на суму грн.

BSZ086P03NS3EGATMA1

Description: MOSFET P-CH 30V 13.5A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 105µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4785 pF @ 15 V

на замовлення 16133 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	76.76 грн
10+	46.63 грн
100+	33.47 грн
500+	25.11 грн
1000+	22.59 грн
2000+	21.49 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

BSZ086P03NS3EGATMA1

Description: INFINEON - BSZ086P03NS3EGATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0065 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 32831 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	83.67 грн
13+	68.93 грн
100+	44.04 грн
500+	34.13 грн
1000+	24.39 грн
5000+	22.79 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

BSZ086P03NS3EGATMA1

Trans MOSFET P-CH 30V 13.5A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 24 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	42.18 грн

Мінімальне замовлення: 17

В кошику од. на суму грн.

BSZ086P03NS3EGATMA1

MOSFETs P-Ch -30V 13.5A TSDSON-8 OptiMOS P3

на замовлення 1731 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	79.53 грн
10+	49.22 грн
100+	30.72 грн
500+	24.53 грн
1000+	22.04 грн
5000+	19.70 грн
10000+	18.72 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

BSZ086P03NS3EGATMA1

Trans MOSFET P-CH 30V 13.5A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	19.38 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ086P03NS3EGATMA1

Trans MOSFET P-CH 30V 13.5A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 24 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ086P03NS3EGATMA1

Description: MOSFET P-CH 30V 13.5A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 105µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4785 pF @ 15 V

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	21.31 грн
10000+	19.10 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ086P03NS3EGATMA1

на замовлення 32831 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	44.04 грн
500+	34.13 грн
1000+	24.39 грн
5000+	22.79 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ086P03NS3EGATMA1

Trans MOSFET P-CH 30V 13.5A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ086P03NS3GATMA1

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -40A; 52W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Power dissipation: 52W
Technology: OptiMOS™ P3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: -40A
Drain-source voltage: -30V
On-state resistance: 8.6mΩ
Gate-source voltage: ±25V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ086P03NS3GATMA1

Trans MOSFET P-CH 30V 13.5A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

154+	80.49 грн
172+	71.96 грн
210+	59.02 грн
224+	53.46 грн
500+	43.96 грн
1000+	34.90 грн
5000+	30.48 грн

Мінімальне замовлення: 154

В кошику од. на суму грн.

BSZ086P03NS3GATMA1

на замовлення 3694 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	93.91 грн
10+	57.09 грн
100+	37.56 грн
500+	27.39 грн
1000+	23.86 грн
2000+	22.73 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ086P03NS3GATMA1

Description: INFINEON - BSZ086P03NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0065 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1430 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	75.20 грн
17+	50.73 грн
100+	34.97 грн
500+	28.07 грн
1000+	21.99 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

BSZ086P03NS3GATMA1

Trans MOSFET P-CH 30V 13.5A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ086P03NS3GATMA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ086P03NS3GATMA1

Trans MOSFET P-CH 30V 13.5A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	31.41 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ086P03NS3GATMA1

MOSFETs P-Ch -30V 13.5A TSDSON-8 OptiMOS P3

на замовлення 6700 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	72.75 грн
10+	53.65 грн
100+	31.86 грн
500+	24.84 грн
1000+	20.61 грн
5000+	17.36 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

BSZ086P03NS3GATMA1

Trans MOSFET P-CH 30V 13.5A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	19.90 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ086P03NS3GATMA1

на замовлення 1430 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	34.97 грн
500+	28.07 грн
1000+	21.99 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ086P03NS3GXT

MOSFETs P-Ch -30V 13.5A TSDSON-8 OptiMOS P3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ088N03LS G

MOSFETs N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 4935 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	70.46 грн
10+	60.34 грн
100+	36.39 грн
500+	30.42 грн
1000+	23.02 грн
5000+	21.67 грн
10000+	20.84 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

BSZ088N03LS G
Код товару: 177892

Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ088N03LS G

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ088N03LSG

infineon

08+

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ088N03LSG

Description: BSZ088N03 - 12V-300V N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ088N03LSG

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ088N03LSGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 12A/40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ088N03LSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ088N03LSGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 12A/40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ088N03LSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	19.11 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ088N03LSGATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 35W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Power dissipation: 35W
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 40A
Drain-source voltage: 30V
On-state resistance: 8.8mΩ
Gate-source voltage: ±20V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ088N03LSGATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ088N03LSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ088N03MS G

MOSFET N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ088N03MS G

QFN

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ088N03MSG

на замовлення 50 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ088N03MSG

Description: BSZ088N03 - 12V-300V N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ088N03MSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ088N03MSGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 11A/40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ088N03MSGATMA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ088N03MSGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 11A/40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0901NS

на замовлення 90 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ0901NS

MOSFETs N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS

на замовлення 7700 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	75.30 грн
10+	68.32 грн
100+	46.35 грн
500+	40.39 грн
1000+	38.20 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

BSZ0901NSATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 22A/40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 15 V

на замовлення 3466 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	102.89 грн
10+	81.15 грн
100+	63.11 грн
500+	50.20 грн
1000+	40.90 грн
2000+	38.50 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ0901NSATMA1

Description: INFINEON - BSZ0901NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.002 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4845 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	40.65 грн
500+	28.54 грн
1000+	24.03 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ0901NSATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 22A/40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0901NSATMA1

на замовлення 4845 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	119.40 грн
16+	55.21 грн
100+	40.65 грн
500+	28.54 грн
1000+	24.03 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

BSZ0901NSATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0901NSI

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ0901NSI

MOSFETs N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS

на замовлення 4026 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	129.46 грн
10+	81.34 грн
100+	46.80 грн
500+	36.99 грн
1000+	33.52 грн
2500+	32.99 грн
5000+	27.70 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ0901NSIATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 25A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 20A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 15 V

на замовлення 13206 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	123.31 грн
10+	75.18 грн
100+	50.41 грн
500+	37.32 грн
1000+	34.11 грн
2000+	33.76 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ0901NSIATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	33.56 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ0901NSIATMA1

Description: INFINEON - BSZ0901NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0018 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm

на замовлення 4278 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	73.59 грн
500+	57.95 грн
1000+	41.01 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ0901NSIATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 25A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 20A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 15 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	30.57 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ0901NSIATMA1

на замовлення 4278 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	132.11 грн
10+	99.93 грн
100+	73.59 грн
500+	57.95 грн
1000+	41.01 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

BSZ0902NS

MOSFETs N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS

на замовлення 12152 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	93.36 грн
10+	67.63 грн
100+	39.41 грн
250+	39.33 грн
500+	30.72 грн
1000+	25.82 грн
2500+	25.74 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ0902NS

на замовлення 50 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ0902NSATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0902NSATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 19A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V

на замовлення 44925 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	93.09 грн
10+	56.46 грн
100+	37.33 грн
500+	27.33 грн
1000+	24.86 грн
2000+	23.16 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ0902NSATMA1

Description: INFINEON - BSZ0902NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0022 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 7530 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	74.44 грн
17+	52.50 грн
100+	34.89 грн
500+	26.03 грн
1000+	23.59 грн
5000+	23.52 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

BSZ0902NSATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 4017 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

149+	83.33 грн
155+	79.98 грн
185+	67.21 грн
250+	60.63 грн
500+	50.57 грн
1000+	42.80 грн
3000+	40.65 грн

Мінімальне замовлення: 149

В кошику од. на суму грн.

BSZ0902NSATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 4017 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	104.92 грн
10+	89.29 грн
25+	85.70 грн
100+	69.44 грн
250+	60.15 грн
500+	52.02 грн
1000+	45.86 грн
3000+	43.56 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

BSZ0902NSATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 19A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	20.94 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ0902NSATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	24.48 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ0902NSATMA1

на замовлення 7530 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	34.89 грн
500+	26.03 грн
1000+	23.59 грн
5000+	23.52 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ0902NSI

на замовлення 6349 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ0902NSI

MOSFETs N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS

на замовлення 10758 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	98.64 грн
10+	79.87 грн
100+	54.05 грн
500+	45.82 грн
1000+	37.29 грн
2500+	35.18 грн
5000+	33.44 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ0902NSI
Код товару: 153067

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0902NSIATMA1

Description: INFINEON - BSZ0902NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 2300 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 3055 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	83.84 грн
16+	55.47 грн
100+	41.50 грн
500+	29.49 грн
1000+	23.66 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

BSZ0902NSIATMA1

MOSFETs N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS

на замовлення 4513 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	98.64 грн
10+	70.67 грн
100+	48.09 грн
500+	38.80 грн
1000+	33.14 грн
2500+	33.06 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ0902NSIATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	39.31 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ0902NSIATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	30.38 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ0902NSIATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0902NSIATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 21A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0902NSIATMA1

на замовлення 3055 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	41.50 грн
500+	29.49 грн
1000+	23.66 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ0902NSIATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0902NSIATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 21A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0904NSI

на замовлення 80 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ0904NSI

MOSFETs N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS

на замовлення 1871 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	83.32 грн
10+	50.96 грн
100+	28.99 грн
500+	22.42 грн
1000+	20.31 грн
2500+	18.95 грн
5000+	16.00 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

BSZ0904NSIATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	16.82 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ0904NSIATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	20.83 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ0904NSIATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	22.22 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ0904NSIATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 18A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1463 pF @ 15 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	21.70 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ0904NSIATMA1

Description: INFINEON - BSZ0904NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.004 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1297 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	75.62 грн
21+	40.56 грн
100+	29.89 грн
500+	22.10 грн
1000+	16.84 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

BSZ0904NSIATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0904NSIATMA1

MOSFETs N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS

на замовлення 4406 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	82.52 грн
10+	42.80 грн
100+	28.08 грн
500+	22.34 грн
1000+	18.49 грн
5000+	16.00 грн
10000+	15.25 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

BSZ0904NSIATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 7440 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

142+	87.47 грн
249+	49.76 грн
500+	42.33 грн
1000+	33.66 грн
5000+	30.58 грн

Мінімальне замовлення: 142

В кошику од. на суму грн.

BSZ0904NSIATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0904NSIATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 18A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1463 pF @ 15 V

на замовлення 5610 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	79.21 грн
10+	47.34 грн
100+	31.30 грн
500+	22.71 грн
1000+	20.57 грн
2000+	18.99 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

BSZ0904NSIATMA1

на замовлення 1297 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	29.89 грн
500+	22.10 грн
1000+	16.84 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ0904NSIATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 2821 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1183+	26.16 грн

Мінімальне замовлення: 1183

В кошику од. на суму грн.

BSZ0905PNSATMA1

Description: MOSFET P-CH 30V 40A TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 105µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3190 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0905PNSATMA1

AMPMODU (BREAK AWAY)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0905PNSATMA1

Description: MOSFET P-CH 30V 40A TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 105µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3190 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0905PNSATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 5260 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	96.00 грн
10+	75.79 грн
100+	52.24 грн
500+	48.77 грн
5000+	41.44 грн
10000+	31.71 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ0907NDXTMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 11.1A/13.8A 8-Pin WISON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0909LSATMA1

Description: INFINEON - BSZ0909LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 2300 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 14958 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	32.18 грн
500+	24.93 грн
1000+	22.57 грн
5000+	19.09 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ0909LSATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 19A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0909LSATMA1

MOSFET Power-Transistor

на замовлення 881 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

844+	36.68 грн

Мінімальне замовлення: 844

В кошику од. на суму грн.

BSZ0909LSATMA1

на замовлення 14958 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	49.88 грн
21+	40.48 грн
100+	32.18 грн
500+	24.93 грн
1000+	22.57 грн
5000+	19.09 грн

Мінімальне замовлення: 17

В кошику од. на суму грн.

BSZ0909LSATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 19A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0909LSATMA1

MOSFET Power-Transistor

на замовлення 4678 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

844+	36.68 грн

Мінімальне замовлення: 844

В кошику од. на суму грн.

BSZ0909LSATMA1

MOSFET Power-Transistor

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0909NDXTMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 8.1A 8-Pin WISON EP T/R

на замовлення 547 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

456+	67.92 грн

Мінімальне замовлення: 456

В кошику од. на суму грн.

BSZ0909NDXTMA1

MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS

на замовлення 276 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	134.75 грн
10+	119.80 грн
100+	81.53 грн
500+	66.96 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ0909NDXTMA1

Description: MOSFET 2N-CH 30V 20A WISON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 17W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-WISON-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0909NDXTMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 8.1A 8-Pin WISON EP T/R

на замовлення 6670 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

456+	67.92 грн

Мінімальне замовлення: 456

В кошику од. на суму грн.

BSZ0909NS

MOSFETs N-Ch 30V 36A TDSON-8 OptiMOS

на замовлення 12142 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	55.31 грн
11+	34.38 грн
100+	20.84 грн
500+	16.23 грн
1000+	13.51 грн
2500+	13.21 грн
5000+	10.87 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

BSZ0909NS

на замовлення 25 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ0909NS

QFN

на замовлення 217 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ0909NSATMA1

Trans MOSFET N-CH 34V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 3715 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

40+	17.81 грн
42+	16.84 грн
43+	16.63 грн
100+	14.98 грн
250+	13.84 грн
500+	12.61 грн
1000+	12.25 грн
3000+	11.89 грн

Мінімальне замовлення: 40

В кошику од. на суму грн.

BSZ0909NSATMA1

Trans MOSFET N-CH 34V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 9796 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

811+	15.27 грн
816+	15.18 грн
975+	12.71 грн
1095+	10.90 грн

Мінімальне замовлення: 811

В кошику од. на суму грн.

BSZ0909NSATMA1

Description: INFINEON - BSZ0909NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 34 V, 36 A, 0.01 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 34V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 2781 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	23.12 грн
500+	15.73 грн
1000+	12.12 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ0909NSATMA1

Trans MOSFET N-CH 34V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 3715 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

798+	15.52 грн
854+	14.50 грн
856+	14.47 грн
902+	13.24 грн
1000+	11.91 грн
3000+	11.10 грн

Мінімальне замовлення: 798

В кошику од. на суму грн.

BSZ0909NSATMA1

Description: MOSFET N-CH 34V 9A/36A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 34 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 15 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15

на замовлення 35000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	11.77 грн
10000+	11.19 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ0909NSATMA1

Trans MOSFET N-CH 34V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	12.68 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ0909NSATMA1

Trans MOSFET N-CH 34V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	16.47 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ0909NSATMA1

Trans MOSFET N-CH 34V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0909NSATMA1

на замовлення 2781 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	53.69 грн
25+	33.87 грн
100+	23.12 грн
500+	15.73 грн
1000+	12.12 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

BSZ0909NSATMA1

Trans MOSFET N-CH 34V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	20.18 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ0909NSATMA1

Trans MOSFET N-CH 34V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 35000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	14.44 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ0909NSATMA1

Description: MOSFET N-CH 34V 9A/36A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 34 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 15 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15

на замовлення 41067 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	62.06 грн
10+	36.88 грн
100+	23.90 грн
500+	17.17 грн
1000+	15.48 грн
2000+	14.06 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

BSZ0910LSATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	17.80 грн
10000+	16.67 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ0910LSATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0910LSATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 18A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0910LSATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	16.88 грн
10000+	15.74 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ0910LSATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 4910 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

32+	22.31 грн
33+	21.76 грн
100+	18.85 грн
250+	17.28 грн
500+	16.04 грн
1000+	15.45 грн
3000+	14.87 грн

Мінімальне замовлення: 32

В кошику од. на суму грн.

BSZ0910LSATMA1

Description: INFINEON - BSZ0910LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0036 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm

на замовлення 4743 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	25.66 грн
500+	20.52 грн
1000+	14.66 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ0910LSATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 18A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0910LSATMA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 3290 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	65.26 грн
10+	40.45 грн
100+	23.93 грн
500+	19.33 грн
1000+	16.00 грн
2500+	15.93 грн
5000+	14.27 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

BSZ0910LSATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 4910 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

609+	20.35 грн
675+	18.34 грн
682+	18.15 грн
707+	16.88 грн
1000+	15.04 грн
3000+	13.88 грн

Мінімальне замовлення: 609

В кошику од. на суму грн.

BSZ0910LSATMA1

на замовлення 4743 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	45.98 грн
22+	39.21 грн
100+	25.66 грн
500+	20.52 грн
1000+	14.66 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

BSZ0910NDXTMA1

Description: DIFFERENTIATED MOSFETS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W (Ta), 31W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 25A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-WISON-8
Part Status: Obsolete

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0910NDXTMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 4791 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ0910NDXTMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 11.1A 8-Pin WISON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0910NDXTMA1

Description: DIFFERENTIATED MOSFETS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W (Ta), 31W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 25A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-WISON-8
Part Status: Obsolete

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0911LSATMA1

Description: INFINEON - BSZ0911LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 5500 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 14855 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	57.16 грн
23+	37.85 грн
100+	28.28 грн
500+	18.95 грн
1000+	13.57 грн
5000+	12.92 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

BSZ0911LSATMA1

SP005424280

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0911LSATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 12A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 15 V

на замовлення 25000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	14.80 грн
10000+	13.23 грн
25000+	12.93 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ0911LSATMA1

на замовлення 14855 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	28.28 грн
500+	18.95 грн
1000+	13.57 грн
5000+	12.92 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ0911LSATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 12A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 15 V

на замовлення 29980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	46.55 грн
10+	38.06 грн
100+	26.46 грн
500+	19.39 грн
1000+	15.76 грн
2000+	14.09 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

BSZ0911LSATMA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 2765 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	66.14 грн
10+	41.15 грн
100+	23.48 грн
500+	18.04 грн
1000+	15.02 грн
5000+	12.68 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

BSZ0945NDXTMA1

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0945NDXTMA1

BSZ0945NDXTMA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ096N10LS5

MOSFET TRENCH >=100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ096N10LS5ATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 20996 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	126.82 грн
10+	86.64 грн
100+	54.20 грн
500+	47.56 грн
1000+	45.37 грн
2500+	43.63 грн
5000+	40.84 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ096N10LS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ096N10LS5ATMA1

Description: INFINEON - BSZ096N10LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.0082 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 69W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0082ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 5441 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	65.38 грн
500+	54.02 грн
1000+	46.75 грн
5000+	42.39 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ096N10LS5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 50 V

на замовлення 4718 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	120.04 грн
10+	79.81 грн
100+	57.45 грн
500+	48.73 грн
1000+	46.90 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ096N10LS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 4800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

86+	145.19 грн
95+	131.51 грн
116+	107.31 грн
200+	97.09 грн
1000+	79.66 грн
2000+	71.33 грн

Мінімальне замовлення: 86

В кошику од. на суму грн.

BSZ096N10LS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	38.49 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ096N10LS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ096N10LS5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ096N10LS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 100000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	67.11 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ096N10LS5ATMA1

Description: INFINEON - BSZ096N10LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.0082 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 5441 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	119.40 грн
10+	88.92 грн
100+	65.38 грн
500+	54.02 грн
1000+	46.75 грн
5000+	42.39 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

BSZ097N04LS G

MOSFETs N-Ch 40V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 183799 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	88.95 грн
10+	54.78 грн
100+	31.40 грн
500+	24.91 грн
1000+	22.12 грн
2500+	20.23 грн
5000+	18.12 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ097N04LS G

на замовлення 4970 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ097N04LSGATMA1
Код товару: 170565

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ097N04LSGATMA1

MOSFETs N-Ch 40V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 25798 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	41.66 грн
11+	32.03 грн
100+	22.12 грн
500+	20.38 грн
1000+	18.27 грн
2500+	17.97 грн
5000+	17.06 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

BSZ097N04LSGATMA1

Description: INFINEON - BSZ097N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 9700 µohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 24511 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	33.96 грн
26+	33.53 грн
100+	27.78 грн
500+	23.67 грн
1000+	19.53 грн
5000+	18.58 грн

Мінімальне замовлення: 25

В кошику од. на суму грн.

BSZ097N04LSGATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 12A/40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 20 V

на замовлення 7630 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	48.18 грн
10+	34.36 грн
100+	26.48 грн
500+	23.37 грн
1000+	20.39 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

BSZ097N04LSGATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 35W; PG-TSDSON-8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Case: PG-TSDSON-8
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 9.7mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 35W
Drain current: 40A
Drain-source voltage: 40V
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 4919 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

6+	52.84 грн
10+	39.10 грн
35+	32.46 грн
94+	30.67 грн
100+	29.54 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

BSZ097N04LSGATMA1

на замовлення 4919 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	44.04 грн
13+	31.38 грн
35+	27.05 грн
94+	25.56 грн
100+	24.61 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

BSZ097N04LSGATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 12A/40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 20 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	19.11 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ097N04LSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 3596 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	62.96 грн
14+	53.68 грн
25+	53.47 грн
100+	37.91 грн
250+	34.76 грн
500+	28.55 грн
1000+	25.26 грн
3000+	23.74 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

BSZ097N04LSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	22.55 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ097N10NS5

на замовлення 13 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ097N10NS5

MOSFETs OptiMOS5 power MOSFET 100 V in a PQFN 3x3

на замовлення 14192 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	170.86 грн
10+	107.65 грн
100+	64.77 грн
500+	54.96 грн
1000+	46.65 грн
5000+	39.78 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ097N10NS5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 8A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 50 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	40.92 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ097N10NS5ATMA1

MOSFETs N-Ch 100V 40A TSDSON-8

на замовлення 6730 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	59.10 грн
10+	53.74 грн
500+	45.22 грн
1000+	41.97 грн
2500+	40.69 грн
5000+	39.78 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

BSZ097N10NS5ATMA1

Description: INFINEON - BSZ097N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 9700 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 10741 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	60.29 грн
250+	57.67 грн
1000+	51.11 грн
3000+	45.95 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ097N10NS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 11A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	37.52 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ097N10NS5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 8A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 50 V

на замовлення 6333 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	55.53 грн
10+	49.23 грн
100+	48.23 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

BSZ097N10NS5ATMA1

N-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 40; Ciss, пФ @ Uds, В = 2080 @ 50; Qg, нКл = 28; Rds = 9.7 мОм; Ugs(th) = 2,2 В; Р, Вт = 69 @ 25°C; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = SMD; TSDSON-8

на замовлення 4 шт:

термін постачання 3 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ097N10NS5ATMA1

на замовлення 10741 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	67.41 грн
50+	60.29 грн
250+	57.67 грн
1000+	51.11 грн
3000+	45.95 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

BSZ0994NSATMA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 4635 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	74.24 грн
10+	54.61 грн
100+	31.78 грн
500+	24.69 грн
1000+	20.46 грн
5000+	18.12 грн
10000+	17.89 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

BSZ0994NSATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0994NSATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8TSDSON-25
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-25
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0994NSATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0994NSATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8TSDSON-25
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-25
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 15 V

на замовлення 4962 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	92.28 грн
10+	55.83 грн
100+	36.76 грн
500+	26.81 грн
1000+	24.33 грн
2000+	22.25 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ099N06LS5

MOSFET TRENCH 40<-<100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ099N06LS5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 46A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 30 V

на замовлення 20477 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	74.31 грн
10+	47.18 грн
100+	37.05 грн
500+	27.97 грн
1000+	25.04 грн
2000+	23.83 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

BSZ099N06LS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ099N06LS5ATMA1

Description: INFINEON - BSZ099N06LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0099 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0099ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 151414 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	80.62 грн
15+	58.94 грн
100+	44.20 грн
500+	29.96 грн
1000+	23.37 грн
5000+	20.47 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

BSZ099N06LS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	23.16 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ099N06LS5ATMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 28555 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	80.32 грн
10+	51.48 грн
100+	35.18 грн
500+	28.69 грн
1000+	24.38 грн
2500+	24.23 грн
5000+	20.91 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

BSZ099N06LS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 12740 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

174+	71.27 грн
205+	60.65 грн
216+	57.35 грн
228+	52.42 грн
500+	44.20 грн
1000+	32.18 грн
5000+	27.94 грн
10000+	27.23 грн

Мінімальне замовлення: 174

В кошику од. на суму грн.

BSZ099N06LS5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 46A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 30 V

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	22.56 грн
10000+	20.74 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ099N06LS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	18.34 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ099N06LS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ099N06LS5ATMA1

Description: INFINEON - BSZ099N06LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0099 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 36W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0083ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0099ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 151414 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	44.20 грн
500+	29.96 грн
1000+	23.37 грн
5000+	20.47 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ099N06LS5ATMA1
Код товару: 165964

Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ099N06LS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	19.49 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

Bsz100

Fuse: time-lag; glass type; current: 100mA; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: BK1/S506-100-R; 0218.100MXP; 179120.0,1; 0034.3107 Fuse: time-lag; 100mA Bsz100
кількість в упаковці: 500 шт

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

500+	2.75 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

Bsz100

на замовлення 400 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

500+	2.75 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

Bsz100

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

500+	2.75 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

Bsz100

на замовлення 500 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

500+	2.75 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

Bsz100

на замовлення 100 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

500+	2.75 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N03LS

QFN

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N03LS G

QFN

на замовлення 365 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N03LS G

MOSFETs N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 4093 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

17+	21.84 грн

Мінімальне замовлення: 17

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N03LSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N03LSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	19.26 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N03LSGATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 36A; 30W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 36A
Power dissipation: 30W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N03LSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N03LSGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 12A/40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N03LSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	22.69 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N03LSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	16.38 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N03LSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	20.68 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N03MS G

QFN

на замовлення 91 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N03MS G

MOSFETs N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M

на замовлення 1180 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	74.95 грн
10+	45.66 грн
100+	27.18 грн
500+	21.36 грн
1000+	17.82 грн
2500+	16.46 грн
5000+	13.97 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N03MSG

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N03MSGATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; 30W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 39A
Power dissipation: 30W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N03MSGATMA1

Description: INFINEON - BSZ100N03MSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0091 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 M
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0091ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 7305 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	18.38 грн
500+	16.75 грн
1000+	15.17 грн
5000+	14.88 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N03MSGATMA1

MOSFETs N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M

на замовлення 310 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

14+	25.72 грн
18+	19.53 грн
100+	14.64 грн
5000+	12.46 грн

Мінімальне замовлення: 14

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N03MSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	23.32 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N03MSGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 10A/40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N03MSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	21.73 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N03MSGATMA1

на замовлення 7305 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

34+	25.15 грн
43+	19.99 грн
100+	18.38 грн
500+	16.75 грн
1000+	15.17 грн
5000+	14.88 грн

Мінімальне замовлення: 34

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N03MSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	14.44 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N03MSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 4995 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

483+	25.63 грн
529+	23.42 грн
534+	23.19 грн
573+	20.85 грн
1000+	17.27 грн
3000+	16.35 грн

Мінімальне замовлення: 483

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N03MSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N03MSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 4995 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	28.74 грн
26+	27.46 грн
100+	24.19 грн
250+	22.18 грн
500+	19.85 грн
1000+	17.76 грн
3000+	17.52 грн

Мінімальне замовлення: 25

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N03MSGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 10A/40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V

на замовлення 188 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	26.95 грн
17+	19.34 грн
100+	15.54 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N03MSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	24.09 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N06LS3 G

N-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 11 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 3500 @ 30; Qg, нКл = 45 @ 10 В; Rds = 10 мОм @ 20 A, 10 В; Ugs(th) = 2,2 В @ 23 мкА; Р, Вт = 2,1 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; Id2 = 20 A; Ptot2, Вт = 50; PG-TSDSON-8

на замовлення 2618 шт:

термін постачання 3 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N06LS3 G

MOSFETs N-Ch 60V 20A TSDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 8953 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	123.30 грн
10+	77.61 грн
100+	44.77 грн
500+	36.69 грн
1000+	32.16 грн
2500+	31.18 грн
5000+	26.50 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N06LS3G

Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

136+	91.12 грн
143+	87.05 грн
250+	83.56 грн
500+	77.66 грн
1000+	69.56 грн
2500+	64.81 грн
5000+	63.07 грн

Мінімальне замовлення: 136

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N06LS3G

Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N06LS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	27.40 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N06LS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	25.71 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N06LS3GATMA1

MOSFETs N-Ch 60V 20A TSDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 21431 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	81.82 грн
10+	59.38 грн
100+	38.73 грн
500+	32.46 грн
1000+	30.35 грн
2500+	30.12 грн
5000+	26.50 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N06LS3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 11A/20A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 30 V

на замовлення 70000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	27.48 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N06LS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N06LS3GATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; 50W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 20A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N06LS3GATMA1

Description: INFINEON - BSZ100N06LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.01 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 180128 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	101.62 грн
13+	68.00 грн
100+	48.27 грн
500+	33.66 грн
1000+	27.66 грн
5000+	22.72 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N06LS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N06LS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	19.46 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N06LS3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 11A/20A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 30 V

на замовлення 72017 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	98.81 грн
10+	63.62 грн
100+	45.11 грн
500+	34.12 грн
1000+	31.14 грн
2000+	30.39 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N06NS

на замовлення 3650 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N06NS

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 8094 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	102.16 грн
10+	63.20 грн
100+	36.39 грн
500+	29.89 грн
1000+	25.82 грн
2500+	24.76 грн
5000+	20.99 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N06NSATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N06NSATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1075 pF @ 30 V

на замовлення 11153 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	82.48 грн
10+	51.03 грн
100+	36.98 грн
500+	27.61 грн
1000+	24.78 грн
2000+	23.45 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N06NSATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 40A; 36W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 40A
Power dissipation: 36W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N06NSATMA1

Description: INFINEON - BSZ100N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.01 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4566 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	96.54 грн
14+	61.90 грн
100+	44.80 грн
500+	33.73 грн
1000+	26.42 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N06NSATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 27671 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

146+	84.99 грн
208+	59.66 грн
500+	41.59 грн
1000+	36.68 грн
5000+	33.82 грн
10000+	30.41 грн
20000+	25.25 грн

Мінімальне замовлення: 146

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N06NSATMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 11577 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	88.95 грн
10+	55.73 грн
100+	35.10 грн
500+	28.54 грн
1000+	24.16 грн
2500+	24.01 грн
5000+	20.76 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N06NSATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N06NSATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1075 pF @ 30 V

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	22.25 грн
10000+	20.62 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N06NSATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	28.55 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N06NSATMA1

на замовлення 4566 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	44.80 грн
500+	33.73 грн
1000+	26.42 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N06NSATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ105N04NS G

MOSFET N-Ch 40V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 4338 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ105N04NS G

Trans MOSFET N-CH 40V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ105N04NSG

Description: OPTLMOS POWER-MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ105N04NSGATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 11A/40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ105N04NSGATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 11A/40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ105N04NSGATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 29A; 35W; PG-TSDSON-8
Polarisation: unipolar
Case: PG-TSDSON-8
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: 29A
Drain-source voltage: 40V
Gate charge: 13nC
On-state resistance: 10.5mΩ
Power dissipation: 35W
Gate-source voltage: ±20V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ105N04NSGATMA2

Trans MOSFET N-CH 40V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ105N04NSGATMA2

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 4325 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	66.67 грн
10+	40.45 грн
100+	24.01 грн
500+	18.87 грн
1000+	15.70 грн
2500+	14.27 грн
5000+	12.61 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

BSZ105N04NSGATMA2

OptiMOS 3 Power-Transistor

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ105N04NSGATMA2

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ110N06NS3 G

MOSFETs N-Ch 60V 20A TSDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 66493 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	29.52 грн
100+	24.53 грн
500+	21.21 грн
1000+	18.72 грн
5000+	18.65 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

BSZ110N06NS3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 20A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 30 V

на замовлення 6247 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	91.46 грн
10+	54.97 грн
100+	36.27 грн
500+	26.50 грн
1000+	24.07 грн
2000+	22.12 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ110N06NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 20A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ110N06NS3GATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; Idm: 80A; 50W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 11mΩ
Power dissipation: 50W
Drain current: 20A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Pulsed drain current: 80A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ110N06NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 20A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ110N06NS3GATMA1

Description: INFINEON - BSZ110N06NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.011 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 15593 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

26+	33.11 грн
27+	31.67 грн
100+	30.23 грн
500+	23.91 грн
1000+	19.89 грн
5000+	19.53 грн

Мінімальне замовлення: 26

В кошику од. на суму грн.

BSZ110N06NS3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 20A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 30 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	21.27 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ110N06NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 20A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 3873 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	41.35 грн
19+	38.15 грн
25+	37.40 грн
100+	31.65 грн
250+	29.14 грн
500+	26.09 грн
1000+	22.04 грн
3000+	21.97 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

BSZ110N06NS3GATMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ110N06NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 20A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 3873 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

348+	35.61 грн
355+	34.90 грн
405+	30.63 грн
407+	29.37 грн
500+	25.37 грн
1000+	20.57 грн
3000+	20.50 грн

Мінімальне замовлення: 348

В кошику од. на суму грн.

BSZ110N08NS5

Trans MOSFET N-CH 80V 51A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 14891 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

173+	71.94 грн
181+	68.72 грн
250+	65.96 грн
500+	61.31 грн
1000+	54.92 грн
2500+	51.16 грн
5000+	49.79 грн
10000+	48.57 грн

Мінімальне замовлення: 173

В кошику од. на суму грн.

BSZ110N08NS5

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ110N08NS5ATMA1

Description: INFINEON - BSZ110N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 0.0096 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0096ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 13858 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	73.42 грн
50+	55.21 грн
250+	47.42 грн
1000+	33.73 грн
3000+	29.69 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

BSZ110N08NS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 51A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 25952 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

198+	62.71 грн
225+	55.19 грн
256+	48.48 грн
267+	44.76 грн
500+	39.14 грн
1000+	35.63 грн
5000+	31.83 грн
10000+	30.15 грн

Мінімальне замовлення: 198

В кошику од. на суму грн.

BSZ110N08NS5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 22µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 40 V

на замовлення 24680 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	110.24 грн
10+	59.53 грн
100+	45.91 грн
500+	35.89 грн
1000+	32.15 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ110N08NS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 51A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 2220 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

634+	19.53 грн
658+	18.82 грн
1000+	18.21 грн

Мінімальне замовлення: 634

В кошику од. на суму грн.

BSZ110N08NS5ATMA1

MOSFETs N-Ch 80V 40A TSDSON-8

на замовлення 12796 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	103.92 грн
10+	56.86 грн
100+	42.27 грн
500+	35.93 грн
1000+	32.23 грн
2500+	31.71 грн
5000+	27.40 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ110N08NS5ATMA1

на замовлення 15293 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	58.18 грн
250+	49.71 грн
1000+	34.76 грн
3000+	29.91 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ110N08NS5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 22µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 40 V

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	29.32 грн
10000+	27.99 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ110N08NS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 51A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	36.97 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ110N08NS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 40A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	20.78 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ110N08NS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 51A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ110N08NS5ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; 50W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 40A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ115N03MSCGATMA1

Old Part BSZ115N03MSCGXT^INFINEON

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ120P03NS3 G

MOSFETs P-Ch -30V -40A TSDSON-8 OptiMOS P3

на замовлення 6621 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	82.52 грн
10+	50.35 грн
100+	28.54 грн
500+	22.04 грн
1000+	19.85 грн
2500+	18.12 грн
5000+	15.93 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

BSZ120P03NS3 G

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ120P03NS3E G

MOSFET P-Ch -30V -40A TSDSON-8 OptiMOS P3

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ120P03NS3EG

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ120P03NS3EGATMA1

MOSFET P-Ch -30V -40A TSDSON-8 OptiMOS P3

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ120P03NS3EGATMA1

Description: MOSFET P-CH 30V 11A/40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 73µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3360 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ120P03NS3GATMA1

Description: MOSFET P-CH 30V 11A/40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 73µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3360 pF @ 15 V

на замовлення 32180 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	72.68 грн
10+	43.88 грн
100+	28.71 грн
500+	20.81 грн
1000+	17.83 грн
2000+	17.16 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

BSZ120P03NS3GATMA1

Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	14.97 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ120P03NS3GATMA1

Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 9770 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

197+	63.02 грн
232+	53.54 грн
273+	45.38 грн
288+	41.48 грн
500+	33.15 грн
1000+	27.58 грн
5000+	24.49 грн

Мінімальне замовлення: 197

В кошику од. на суму грн.

BSZ120P03NS3GATMA1

Description: INFINEON - BSZ120P03NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 40 A, 0.009 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1159 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	76.81 грн
14+	64.53 грн
100+	40.99 грн
500+	31.77 грн
1000+	22.28 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

BSZ120P03NS3GATMA1

Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	22.15 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ120P03NS3GATMA1

Description: MOSFET P-CH 30V 11A/40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 73µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3360 pF @ 15 V

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	16.59 грн
10000+	15.18 грн
15000+	14.58 грн
25000+	13.48 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ120P03NS3GATMA1

Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ120P03NS3GATMA1

Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	24.74 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ120P03NS3GATMA1

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -40A; 52W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -40A
Power dissipation: 52W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ120P03NS3GATMA1

Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	23.47 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ120P03NS3GATMA1

MOSFETs P-Ch -30V -40A TSDSON-8 OptiMOS P3

на замовлення 6850 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	65.88 грн
10+	40.45 грн
100+	26.04 грн
500+	20.61 грн
1000+	17.36 грн
2500+	16.68 грн
5000+	14.72 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

BSZ120P03NS3GATMA1

на замовлення 1159 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	40.99 грн
500+	31.77 грн
1000+	22.28 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ120P03NS3GATMA1

Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	24.91 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ123N08NS3 G

Trans MOSFET N-CH 80V 10A 8-Pin TSDSON EP

на замовлення 2331 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

67+	186.54 грн
69+	179.44 грн
100+	173.35 грн
250+	162.09 грн
500+	146.00 грн
1000+	136.73 грн

Мінімальне замовлення: 67

В кошику од. на суму грн.

BSZ123N08NS3 G

MOSFETs N-Ch 80V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 10129 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	151.48 грн
10+	94.63 грн
100+	54.96 грн
500+	45.07 грн
1000+	39.48 грн
2500+	38.27 грн
5000+	32.61 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ123N08NS3 G

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ123N08NS3 G

Trans MOSFET N-CH 80V 10A 8-Pin TSDSON EP

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

116+	107.49 грн
121+	102.67 грн
250+	98.56 грн
500+	91.61 грн
1000+	82.05 грн
2500+	76.44 грн
5000+	74.39 грн

Мінімальне замовлення: 116

В кошику од. на суму грн.

BSZ123N08NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	35.93 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ123N08NS3GATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; 66W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 40A
Power dissipation: 66W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ123N08NS3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 10A/40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 40 V

на замовлення 36366 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	105.34 грн
10+	71.24 грн
100+	53.64 грн
500+	40.81 грн
1000+	36.86 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ123N08NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ123N08NS3GATMA1

Description: INFINEON - BSZ123N08NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 0.0123 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 66W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 17876 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	121.10 грн
10+	92.31 грн
100+	68.59 грн
500+	52.21 грн
1000+	41.01 грн
5000+	33.46 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

BSZ123N08NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 630000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	42.71 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ123N08NS3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 10A/40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 40 V

на замовлення 35000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	33.33 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ123N08NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ123N08NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 10A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	25.63 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ123N08NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	38.53 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ123N08NS3GATMA1

MOSFETs N-Ch 80V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 23331 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	113.61 грн
10+	87.68 грн
100+	52.31 грн
500+	41.44 грн
1000+	38.27 грн
2500+	36.31 грн
5000+	32.61 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ123N08NS3GATMA1

на замовлення 17876 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	68.59 грн
500+	52.21 грн
1000+	41.01 грн
5000+	33.46 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ12DN20NS3 G

MOSFETs N-Ch 200V 11.3A TDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 5866 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	133.87 грн
10+	90.29 грн
100+	55.26 грн
500+	45.14 грн
1000+	39.48 грн
2500+	38.95 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ12DN20NS3G

Description: BSZ12DN20 - 12V-300V N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ12DN20NS3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V

на замовлення 3429 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	145.35 грн
10+	89.33 грн
100+	60.34 грн
500+	44.97 грн
1000+	41.21 грн
2000+	38.06 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ12DN20NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 200V 11.3A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	60.01 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ12DN20NS3GATMA1

Description: INFINEON - BSZ12DN20NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 11.3 A, 0.108 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.108ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 9216 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	72.83 грн
500+	57.32 грн
1000+	40.65 грн
5000+	39.78 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ12DN20NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 200V 11.3A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 531 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

124+	100.16 грн
134+	92.67 грн
160+	77.48 грн
250+	69.72 грн
500+	42.68 грн

Мінімальне замовлення: 124

В кошику од. на суму грн.

BSZ12DN20NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 200V 11.3A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 45000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	46.73 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ12DN20NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 200V 11.3A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ12DN20NS3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ12DN20NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 200V 11.3A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 45000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	43.62 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ12DN20NS3GATMA1

на замовлення 9216 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	130.41 грн
10+	99.93 грн
100+	72.83 грн
500+	57.32 грн
1000+	40.65 грн
5000+	39.78 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

BSZ12DN20NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 200V 11.3A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 4192 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

147+	84.58 грн
158+	78.60 грн
187+	66.22 грн
200+	60.38 грн
500+	55.72 грн
1000+	48.36 грн
2000+	45.53 грн

Мінімальне замовлення: 147

В кошику од. на суму грн.

BSZ12DN20NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 200V 11.3A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 531 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	130.79 грн
10+	107.31 грн
25+	99.29 грн
100+	80.05 грн
250+	69.17 грн
500+	43.90 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

BSZ130N03LS G

MOSFETs N-Ch 30V 35A TSDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 3923 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	68.96 грн
10+	42.36 грн
100+	23.93 грн
500+	18.34 грн
1000+	15.10 грн
5000+	12.98 грн
10000+	11.85 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

BSZ130N03LSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	21.32 грн
10000+	19.99 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ130N03LSGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 10A/35A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970 pF @ 15 V

на замовлення 27529 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	68.59 грн
10+	41.44 грн
100+	26.90 грн
500+	19.38 грн
1000+	17.49 грн
2000+	15.90 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

BSZ130N03LSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	19.85 грн
10000+	18.62 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ130N03LSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	13.83 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ130N03LSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ130N03LSGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 10A/35A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970 pF @ 15 V

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	15.69 грн
10000+	13.97 грн
15000+	13.40 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ130N03LSGATMA1

Description: INFINEON - BSZ130N03LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 35 A, 0.0108 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ130N03LSGATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 28A; 25W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 28A
Power dissipation: 25W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ130N03LSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 260000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	21.40 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ130N03LSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ130N03MS G

MOSFETs N-Ch 30V 35A TSDSON-8 OptiMOS 3M

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ130N03MSG

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ130N03MSG

Description: BSZ130N03 - 12V-300V N-CHANNEL P

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ130N03MSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	16.56 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ130N03MSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 4085 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

32+	22.77 грн
35+	20.21 грн
100+	19.29 грн
250+	17.68 грн
500+	16.81 грн
1000+	16.40 грн
3000+	15.98 грн

Мінімальне замовлення: 32

В кошику од. на суму грн.

BSZ130N03MSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	19.62 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ130N03MSGATMA1

Description: INFINEON - BSZ130N03MSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 35 A, 0.0092 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0092ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 2119 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	38.79 грн
23+	38.28 грн
100+	29.47 грн
500+	23.20 грн
1000+	18.87 грн

Мінімальне замовлення: 22

В кошику од. на суму грн.

BSZ130N03MSGATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 31A; 25W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 31A
Power dissipation: 25W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ130N03MSGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 9A/35A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	19.32 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ130N03MSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 9870 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

498+	24.86 грн
500+	24.75 грн
561+	22.07 грн
1000+	20.49 грн
2000+	18.88 грн
5000+	16.97 грн

Мінімальне замовлення: 498

В кошику од. на суму грн.

BSZ130N03MSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ130N03MSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 4085 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

657+	18.86 грн
663+	18.67 грн
670+	18.48 грн
677+	17.65 грн
1000+	15.94 грн
3000+	14.92 грн

Мінімальне замовлення: 657

В кошику од. на суму грн.

BSZ130N03MSGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 9A/35A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V

на замовлення 13775 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	87.38 грн
10+	53.16 грн
100+	34.95 грн
500+	25.43 грн
1000+	23.06 грн
2000+	21.06 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ130N03MSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	21.07 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ146N10LS5

Infineon / IR

MOSFETs TRENCH >=100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ146N10LS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 640 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

605+	51.18 грн

Мінімальне замовлення: 605

В кошику од. на суму грн.

BSZ146N10LS5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 44A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 50 V

на замовлення 10054 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	83.29 грн
10+	60.94 грн
100+	51.73 грн
500+	41.36 грн
1000+	38.44 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ146N10LS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ146N10LS5ATMA1
Код товару: 208437

Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ146N10LS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 4684 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

605+	51.18 грн
1000+	48.34 грн

Мінімальне замовлення: 605

В кошику од. на суму грн.

BSZ146N10LS5ATMA1

Description: INFINEON - BSZ146N10LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.0124 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 4960 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	57.75 грн
500+	46.95 грн
1000+	38.98 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ146N10LS5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 44A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 50 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	35.35 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ146N10LS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ146N10LS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ146N10LS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 4965 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

150+	82.52 грн
160+	77.77 грн
173+	71.90 грн
200+	66.04 грн
500+	55.17 грн
1000+	52.87 грн
2000+	52.78 грн

Мінімальне замовлення: 150

В кошику од. на суму грн.

BSZ146N10LS5ATMA1

MOSFETs MV POWER MOS

на замовлення 108042 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	87.90 грн
10+	64.76 грн
100+	48.09 грн
500+	42.20 грн
1000+	37.37 грн
2500+	36.91 грн
5000+	33.44 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

BSZ146N10LS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 41743 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

605+	51.18 грн
1000+	48.34 грн

Мінімальне замовлення: 605

В кошику од. на суму грн.

BSZ146N10LS5ATMA1

на замовлення 4960 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	67.92 грн
100+	57.75 грн
500+	46.95 грн
1000+	38.98 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

BSZ150N10LS3 G

MOSFETs N-Ch 100V 40A TSDSON-8

на замовлення 6804 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	159.41 грн
10+	100.70 грн
100+	60.54 грн
500+	51.26 грн
1000+	42.88 грн
2500+	39.63 грн
5000+	37.37 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ150N10LS3G

Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 4900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

104+	119.62 грн
108+	115.56 грн
250+	112.06 грн
500+	105.12 грн
1000+	94.95 грн
2500+	89.15 грн

Мінімальне замовлення: 104

В кошику од. на суму грн.

BSZ150N10LS3G

Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ150N10LS3G

Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

89+	139.92 грн
100+	133.67 грн
250+	128.30 грн
500+	119.26 грн
1000+	106.82 грн
2500+	99.51 грн
5000+	96.84 грн

Мінімальне замовлення: 89

В кошику од. на суму грн.

BSZ150N10LS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 2613 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

403+	76.95 грн
500+	69.26 грн
1000+	63.87 грн

Мінімальне замовлення: 403

В кошику од. на суму грн.

BSZ150N10LS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5569 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

146+	84.99 грн
182+	68.08 грн
200+	67.50 грн
500+	55.38 грн
1000+	50.17 грн
2000+	40.81 грн
5000+	40.63 грн

Мінімальне замовлення: 146

В кошику од. на суму грн.

BSZ150N10LS3GATMA1

MOSFETs N-Ch 100V 40A TSDSON-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ150N10LS3GATMA1

Description: INFINEON - BSZ150N10LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.015 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 10864 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	145.66 грн
50+	99.93 грн
250+	70.37 грн
1000+	49.62 грн
3000+	42.32 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

BSZ150N10LS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 48440 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

403+	76.95 грн
500+	69.26 грн
1000+	63.87 грн
10000+	54.90 грн

Мінімальне замовлення: 403

В кошику од. на суму грн.

BSZ150N10LS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 8A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ150N10LS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 3654 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	76.91 грн
11+	66.46 грн
25+	66.08 грн
100+	53.57 грн
250+	48.95 грн
500+	42.17 грн
1000+	40.98 грн
3000+	35.57 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

BSZ150N10LS3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V

на замовлення 6123 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	126.57 грн
10+	83.35 грн
100+	58.71 грн
500+	46.85 грн
1000+	44.70 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ150N10LS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	45.14 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ150N10LS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 4160 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

403+	76.95 грн
500+	69.26 грн
1000+	63.87 грн

Мінімальне замовлення: 403

В кошику од. на суму грн.

BSZ150N10LS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 3654 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

200+	62.03 грн
201+	61.67 грн
239+	51.85 грн
250+	49.34 грн
500+	41.00 грн
1000+	38.25 грн
3000+	33.20 грн

Мінімальне замовлення: 200

В кошику од. на суму грн.

BSZ150N10LS3GATMA1

на замовлення 10864 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	99.93 грн
250+	70.37 грн
1000+	49.62 грн
3000+	42.32 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ150N10LS3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	40.42 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ150N10LS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	48.22 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ150N10LS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ150N10LS3GATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; 63W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 15mΩ
Power dissipation: 63W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 40A
Drain-source voltage: 100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ15DC02KD H

MOSFETs SMALL SIGNAL+P-CH

на замовлення 14558 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	108.33 грн
10+	75.09 грн
100+	50.80 грн
500+	43.03 грн
1000+	35.10 грн
2500+	32.99 грн
5000+	31.40 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ15DC02KDHXTMA1

Trans MOSFET N/P-CH 20V 5.1A/3.2A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

154+	80.56 грн
162+	76.85 грн
181+	68.60 грн
200+	63.56 грн
500+	58.67 грн
1000+	52.52 грн
2000+	50.30 грн
5000+	49.33 грн

Мінімальне замовлення: 154

В кошику од. на суму грн.

BSZ15DC02KDHXTMA1

Trans MOSFET N/P-CH 20V 5.1A/3.2A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	35.21 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ15DC02KDHXTMA1

MOSFETs SMALL SIGNAL+P-CH

на замовлення 4224 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	97.76 грн
10+	67.89 грн
25+	58.88 грн
100+	45.67 грн
250+	45.60 грн
500+	38.58 грн
1000+	34.50 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ15DC02KDHXTMA1

Description: INFINEON - BSZ15DC02KDHXTMA1 - Dual-MOSFET, 25W, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 5.1 A, 3.2 A, 0.055 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.15ohm
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2 + OptiMOS P 2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.055ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 11025 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	98.23 грн
14+	64.61 грн
100+	56.65 грн
500+	44.04 грн
1000+	36.51 грн
5000+	30.34 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

BSZ15DC02KDHXTMA1

Trans MOSFET N/P-CH 20V 5.1A/3.2A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ15DC02KDHXTMA1

Trans MOSFET N/P-CH 20V 5.1A/3.2A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 1651 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

163+	76.10 грн
171+	72.68 грн
201+	61.60 грн
250+	57.73 грн
500+	46.04 грн
1000+	35.48 грн

Мінімальне замовлення: 163

В кошику од. на суму грн.

BSZ15DC02KDHXTMA1

Description: MOSFET N/P-CH 20V 5.1A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A, 3.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 419pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 5.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 7559 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	97.17 грн
10+	63.46 грн
100+	47.31 грн
500+	36.80 грн
1000+	33.16 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ15DC02KDHXTMA1

Trans MOSFET N/P-CH 20V 5.1A/3.2A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	32.80 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ15DC02KDHXTMA1

Trans MOSFET N/P-CH 20V 5.1A/3.2A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 1651 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	100.37 грн
10+	81.53 грн
25+	77.87 грн
100+	63.64 грн
250+	57.27 грн
500+	47.35 грн
1000+	38.01 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

BSZ15DC02KDHXTMA1

Trans MOSFET N/P-CH 20V 5.1A/3.2A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	33.56 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ15DC02KDHXTMA1

Description: INFINEON - BSZ15DC02KDHXTMA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.041 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.041ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.041ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 19882 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	62.92 грн
500+	49.46 грн
1000+	35.06 грн
5000+	33.61 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ15DC02KDHXTMA1

Description: MOSFET N/P-CH 20V 5.1A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A, 3.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 419pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 5.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

Bsz160

Fuse: time-lag; glass type; current: 160mA; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: 0218.160MXP; 179120.0.16; 0034.3109 Fuse: time-lag; 160mA Bsz160
кількість в упаковці: 500 шт

на замовлення 1990 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

500+	2.75 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

BSZ160N10NS3 G
Код товару: 66694

Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ160N10NS3 G

MOSFETs N-Ch 100V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 672 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	160.29 грн
10+	101.57 грн
100+	60.92 грн
500+	51.63 грн
1000+	43.86 грн
5000+	37.29 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ160N10NS3G

на замовлення 695 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ160N10NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 2177 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

120+	103.66 грн
122+	101.73 грн
166+	74.90 грн
250+	71.51 грн
500+	53.50 грн
1000+	39.41 грн

Мінімальне замовлення: 120

В кошику од. на суму грн.

BSZ160N10NS3GATMA1

Description: INFINEON - BSZ160N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.014 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 5766 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	78.42 грн
500+	61.73 грн
1000+	44.57 грн
5000+	44.50 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ160N10NS3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 8A/40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 12µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 50 V

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	39.06 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ160N10NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 2177 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	134.69 грн
10+	111.06 грн
25+	108.99 грн
100+	77.38 грн
250+	70.94 грн
500+	55.03 грн
1000+	42.22 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

BSZ160N10NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	43.07 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ160N10NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 8A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	33.11 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ160N10NS3GATMA1

MOSFETs N-Ch 100V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 2126 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	116.25 грн
10+	80.65 грн
100+	51.71 грн
500+	45.22 грн
1000+	42.43 грн
2500+	41.97 грн
5000+	37.29 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ160N10NS3GATMA1

на замовлення 5766 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	140.58 грн
10+	105.85 грн
100+	78.42 грн
500+	61.73 грн
1000+	44.57 грн
5000+	44.50 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

BSZ160N10NS3GATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; 63W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 16mΩ
Power dissipation: 63W
Technology: OptiMOS™ 3
Case: PG-TSDSON-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ160N10NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	45.99 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ160N10NS3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 8A/40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 12µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 50 V

на замовлення 12328 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	99.62 грн
10+	75.18 грн
100+	57.76 грн
500+	45.26 грн
1000+	42.87 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ160N10NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 45000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	54.09 грн
10000+	51.61 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ160N10NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 45000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	50.48 грн
10000+	48.17 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ165N04NS G

Trans MOSFET N-CH 40V 8.9A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ165N04NS G

MOSFET N-Ch 40V 31A TSDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 2646 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ165N04NSG

на замовлення 10080 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ165N04NSGATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 8.9A/31A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta), 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ165N04NSGATMA1

MOSFET N-Ch 40V 31A TSDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 1598 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ165N04NSGATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 8.9A/31A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta), 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ16DN25NS3 G

MOSFETs N-Ch 250V 10.9A TDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 4573 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	194.64 грн
10+	124.14 грн
100+	77.00 грн
500+	64.24 грн
1000+	59.56 грн
5000+	50.65 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

BSZ16DN25NS3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 32µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 100 V

на замовлення 3724 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	164.14 грн
10+	103.17 грн
100+	77.02 грн
500+	58.20 грн
1000+	58.08 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

BSZ16DN25NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 250V 10.9A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ16DN25NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 250V 10.9A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	60.77 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ16DN25NS3GATMA1

Description: INFINEON - BSZ16DN25NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 10.9 A, 0.146 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.146ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 33097 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	90.61 грн
500+	64.87 грн
1000+	51.17 грн
5000+	50.30 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ16DN25NS3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 32µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ16DN25NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 250V 10.9A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 20768 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

95+	130.99 грн
102+	121.71 грн
120+	103.14 грн
200+	94.19 грн
500+	86.94 грн
1000+	75.42 грн
2000+	71.08 грн
5000+	69.31 грн
10000+	67.19 грн

Мінімальне замовлення: 95

В кошику од. на суму грн.

BSZ16DN25NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 250V 10.9A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ16DN25NS3GATMA1

на замовлення 33097 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	165.13 грн
10+	118.56 грн
100+	90.61 грн
500+	64.87 грн
1000+	51.17 грн
5000+	50.30 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

BSZ16DN25NS3GATMA1

MOSFETs N-Ch 250V 10.9A TDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 739 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	173.50 грн
10+	108.52 грн
100+	72.09 грн
500+	59.71 грн
1000+	59.56 грн
5000+	50.65 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ180P03NS3 G

MOSFETs P-Ch -30V -39.6A TSDSON-8 OptiMOS P3

на замовлення 12531 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	81.03 грн
10+	49.40 грн
100+	28.08 грн
500+	21.59 грн
1000+	19.48 грн
2500+	18.12 грн
5000+	15.32 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

BSZ180P03NS3 G

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ180P03NS3E G

MOSFETs P-Ch -30V -39.6A TSDSON-8 OptiMOS P3

на замовлення 4697 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	71.16 грн
10+	43.15 грн
100+	25.67 грн
500+	20.16 грн
1000+	16.83 грн
2500+	15.25 грн
5000+	13.36 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

BSZ180P03NS3EGATMA

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -39.6A; 40W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -39.6A
Power dissipation: 40W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ180P03NS3EGATMA1

Description: MOSFET P-CH 30V 9A/39.5A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 39.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2220 pF @ 15 V

на замовлення 38 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	58.79 грн
10+	39.32 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

BSZ180P03NS3EGATMA1

Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ180P03NS3EGATMA1

Description: INFINEON - BSZ180P03NS3EGATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 39.6 A, 0.0135 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 25959 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	25.32 грн
500+	17.30 грн
1000+	13.28 грн
5000+	13.14 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ180P03NS3EGATMA1

MOSFETs P-Ch -30V -39.6A TSDSON-8 OptiMOS P3

на замовлення 11937 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	54.52 грн
10+	34.90 грн
100+	20.68 грн
500+	16.00 грн
1000+	13.36 грн
5000+	13.06 грн
10000+	12.68 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

BSZ180P03NS3EGATMA1

Description: MOSFET P-CH 30V 9A/39.5A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 39.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2220 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ180P03NS3EGATMA1

Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 4960 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

26+	27.65 грн
38+	18.90 грн
100+	12.56 грн
250+	11.15 грн
500+	8.24 грн
1000+	6.87 грн
3000+	6.16 грн

Мінімальне замовлення: 26

В кошику од. на суму грн.

BSZ180P03NS3EGATMA1

Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	15.50 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ180P03NS3EGATMA1

на замовлення 25959 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	51.15 грн
24+	35.99 грн
100+	25.32 грн
500+	17.30 грн
1000+	13.28 грн
5000+	13.14 грн

Мінімальне замовлення: 17

В кошику од. на суму грн.

BSZ180P03NS3EGATMA1

Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 4960 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

702+	17.64 грн
1019+	12.15 грн
1062+	11.66 грн
1379+	8.66 грн
1656+	6.67 грн
3000+	5.75 грн

Мінімальне замовлення: 702

В кошику од. на суму грн.

BSZ180P03NS3GATMA1

Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ180P03NS3GATMA1

Description: INFINEON - BSZ180P03NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 39.6 A, 0.0135 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1101 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	59.28 грн
50+	37.51 грн
250+	31.25 грн
1000+	22.10 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

BSZ180P03NS3GATMA1

Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	19.48 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ180P03NS3GATMA1

MOSFETs P-Ch -30V -39.6A TSDSON-8 OptiMOS P3

на замовлення 6560 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	69.66 грн
10+	40.45 грн
100+	26.19 грн
500+	21.14 грн
1000+	17.44 грн
5000+	14.27 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

BSZ180P03NS3GATMA1

Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ180P03NS3GATMA1

Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	14.97 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ180P03NS3GATMA1

Description: MOSFET P-CH 30V 9A/39.6A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 39.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2220 pF @ 15 V

на замовлення 7639 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	71.04 грн
10+	44.19 грн
100+	30.15 грн
500+	22.94 грн
1000+	19.87 грн
2000+	18.91 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

BSZ180P03NS3GATMA1

Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ180P03NS3GATMA1

Description: INFINEON - BSZ180P03NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 39.6 A, 0.0135 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 40W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TSDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0135ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1101 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	37.51 грн
250+	31.25 грн
1000+	22.10 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ180P03NS3GATMA1

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -39.6A; 40W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -39.6A
Power dissipation: 40W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ180P03NS3GATMA1

Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	18.27 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ180P03NS3GATMA1

Description: MOSFET P-CH 30V 9A/39.6A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 39.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2220 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ180P03NS3GATMA1 (BSZ180P03NS3 G)
Код товару: 191392

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові P-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

Bsz200

Fuse: time-lag; glass type; current: 200mA; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: 0218.200MXP; 179120.0,2 Fuse: time-lag; 200mA Bsz200
кількість в упаковці: 500 шт

на замовлення 1397 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

500+	2.75 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

Bsz200

Fuse: time-lag; glass type; current: 200mA; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: 0218.200MXP; 179120.0,2 Fuse: time-lag; 200mA Bsz200
кількість в упаковці: 500 шт

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

500+	2.75 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

BSZ215CHXTMA1

Description: MOSFET N/P-CH 20V 5.1A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A, 3.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 419pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 5.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	36.69 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ215CHXTMA1

Description: INFINEON - BSZ215CHXTMA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.041 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.041ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.041ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 24378 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	58.94 грн
500+	40.26 грн
1000+	34.55 грн
5000+	28.16 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ215CHXTMA1

Trans MOSFET N/P-CH 20V 5.1A/3.2A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ215CHXTMA1

Description: MOSFET N/P-CH 20V 5.1A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A, 3.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 419pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 5.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5463 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	141.27 грн
10+	86.50 грн
100+	58.30 грн
500+	43.81 грн
1000+	40.59 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ215CHXTMA1

MOSFETs SMALL SIGNAL+P-CH

на замовлення 1257 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	143.56 грн
10+	90.29 грн
100+	52.16 грн
500+	41.82 грн
1000+	38.73 грн
2500+	38.12 грн
5000+	32.91 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ215CHXTMA1

на замовлення 24378 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	138.88 грн
10+	88.92 грн
100+	58.94 грн
500+	40.26 грн
1000+	34.55 грн
5000+	28.16 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

BSZ22DN20NS3 G

MOSFETs N-Ch 200V 7A TSDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 12916 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	96.00 грн
10+	66.50 грн
100+	44.99 грн
500+	38.12 грн
1000+	31.03 грн
2500+	29.21 грн
5000+	27.86 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ22DN20NS3G

Description: BSZ22DN20 - 12V-300V N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ22DN20NS3GATMA1

MOSFETs N-Ch 200V 7A TSDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 4270 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	96.88 грн
10+	66.50 грн
100+	44.99 грн
500+	36.54 грн
1000+	31.71 грн
2500+	30.72 грн
5000+	27.55 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ22DN20NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 200V 7A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ22DN20NS3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 200V 7A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 100 V

на замовлення 163 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	104.52 грн
10+	66.37 грн
100+	46.04 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ22DN20NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 200V 7A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	32.32 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ22DN20NS3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 200V 7A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ240N12NS3 G

MOSFETs N-Ch 120V 37A TSDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 3698 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	151.48 грн
10+	85.08 грн
100+	53.22 грн
500+	44.39 грн
1000+	40.99 грн
2500+	39.56 грн
5000+	35.40 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ240N12NS3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 120V 37A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 60 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ240N12NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 120V 37A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ240N12NS3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 120V 37A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 60 V

на замовлення 2555 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	142.90 грн
10+	87.91 грн
100+	59.36 грн
500+	44.24 грн
1000+	41.53 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

Bsz250

Fuse: time-lag; glass type; current: 250mA; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: 0218.250MXP; 179120.0,25; 0034.3111 Fuse: time-lag; 250mA Bsz250
кількість в упаковці: 500 шт

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

500+	2.75 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

Bsz250

на замовлення 450 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

500+	2.75 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

Bsz250

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

500+	2.75 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

BSZ300N15NS5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 150V 32A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 32µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 75 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ300N15NS5ATMA1

MOSFETs MV POWER MOS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ300N15NS5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 150V 32A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 32µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 75 V

на замовлення 4699 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	195.17 грн
10+	121.73 грн
100+	83.78 грн
500+	64.32 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

BSZ300N15NS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 32A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	63.76 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ340N08NS3 G

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ340N08NS3 G
Код товару: 194005

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ340N08NS3 G

MOSFETs N-Ch 80V 23A TSDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 19369 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	89.83 грн
10+	55.39 грн
100+	31.78 грн
500+	25.21 грн
1000+	22.42 грн
2500+	20.91 грн
5000+	17.74 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ340N08NS3 G

Trans MOSFET N-CH 80V 6A 8-Pin TSDSON EP

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

264+	46.89 грн
275+	45.01 грн
500+	43.39 грн
1000+	40.47 грн
2500+	36.37 грн
5000+	33.97 грн

Мінімальне замовлення: 264

В кошику од. на суму грн.

BSZ340N08NS3G

на замовлення 792 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ340N08NS3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 6A/23A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 12µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 40 V

на замовлення 27442 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	30.21 грн
12+	26.42 грн
100+	23.35 грн
500+	20.74 грн
1000+	19.69 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

BSZ340N08NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 6A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 161 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	68.49 грн
12+	60.45 грн
25+	59.85 грн
100+	44.61 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

BSZ340N08NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 6A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	44.70 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ340N08NS3GATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 23A; 32W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 23A
Power dissipation: 32W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ340N08NS3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 6A/23A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 12µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 40 V

на замовлення 25000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	17.62 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ340N08NS3GATMA1

MOSFETs N-Ch 80V 23A TSDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 8071 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	37.08 грн
12+	30.73 грн
100+	22.12 грн
500+	21.44 грн
1000+	19.78 грн
2500+	19.70 грн
5000+	17.21 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

BSZ340N08NS3GATMA1

Description: INFINEON - BSZ340N08NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 23 A, 0.027 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 77601 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	50.90 грн
18+	49.03 грн
100+	34.13 грн
500+	24.38 грн
1000+	19.02 грн
5000+	17.13 грн

Мінімальне замовлення: 17

В кошику од. на суму грн.

BSZ340N08NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 6A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ340N08NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 6A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	20.96 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ340N08NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 6A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

288+	43.03 грн
315+	39.34 грн
317+	39.14 грн
500+	30.74 грн
1000+	26.58 грн
5000+	22.63 грн

Мінімальне замовлення: 288

В кошику од. на суму грн.

BSZ340N08NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 6A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 161 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ340N08NS3GATMA2

SP001171262

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

Bsz400

Fuse: time-lag; glass type; current: 400mA; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: 0218.400MXP; 179120.0,4; 0034.3113 Fuse: time-lag; 400mA Bsz400
кількість в упаковці: 500 шт

на замовлення 923 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

500+	2.75 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

Bsz400

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

500+	2.75 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

Bsz400

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

500+	2.75 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

BSZ42DN25NS3 G

MOSFETs N-Ch 250V 5A TDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 1688 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	147.96 грн
10+	92.89 грн
100+	53.45 грн
500+	43.86 грн
1000+	38.35 грн
2500+	37.22 грн
5000+	31.63 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ42DN25NS3GATMA1

Description: INFINEON - BSZ42DN25NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 5 A, 0.371 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 33.8W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33.8W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.371ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.371ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 9465 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	135.49 грн
10+	108.40 грн
100+	80.87 грн
500+	63.07 грн
1000+	44.93 грн
2500+	43.48 грн
5000+	42.03 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

BSZ42DN25NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 250V 5A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 187 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	103.24 грн
10+	85.70 грн
25+	84.99 грн
100+	64.56 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

BSZ42DN25NS3GATMA1

N-канальний ПТ; Udss, В = 250; Id = 5 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 430 @ 100; Qg, нКл = 5,5 @ 10 В; Rds = 425 мОм @ 2,5 A, 10 В; Ugs(th) = 4 В @ 13 мкА; Р, Вт = 33,8; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; PG-TSDSON-8

на замовлення 5 шт:

термін постачання 3 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ42DN25NS3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 250V 5A TSDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 425mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 100 V

на замовлення 10958 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	86.56 грн
10+	55.52 грн
100+	43.62 грн
500+	38.39 грн
1000+	35.12 грн
2000+	35.11 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ42DN25NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 250V 5A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ42DN25NS3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 250V 5A TSDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 425mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 100 V

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	32.81 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ42DN25NS3GATMA1

MOSFETs N-Ch 250V 5A TDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 13488 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	92.47 грн
10+	60.25 грн
100+	41.14 грн
500+	39.10 грн
1000+	36.61 грн
5000+	31.03 грн
10000+	30.65 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ42DN25NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 250V 5A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ440N10NS3 G

MOSFETs N-Ch 100V 18A TSDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 79111 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	88.95 грн
10+	54.69 грн
100+	31.33 грн
500+	24.84 грн
1000+	22.04 грн
2500+	20.16 грн
5000+	17.06 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ440N10NS3 G

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ440N10NS3G
Код товару: 155825

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові P-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ440N10NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 5.3A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ440N10NS3GATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 18A; 29W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 18A
Power dissipation: 29W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 5899 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

5+	66.05 грн
10+	54.88 грн
25+	51.90 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

BSZ440N10NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 5.3A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	22.11 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ440N10NS3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 5.3A/18A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 12µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 50 V

на замовлення 14309 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	48.18 грн
10+	40.42 грн
100+	28.34 грн
500+	23.80 грн
1000+	20.89 грн
2000+	19.72 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

BSZ440N10NS3GATMA1

Description: INFINEON - BSZ440N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 18 A, 0.044 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 97764 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	57.67 грн
19+	45.64 грн
100+	33.45 грн
500+	25.95 грн
1000+	20.54 грн
5000+	17.28 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

BSZ440N10NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 5.3A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ440N10NS3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 5.3A/18A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 12µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 50 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	18.65 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ440N10NS3GATMA1

MOSFETs N-Ch 100V 18A TSDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 52447 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	51.52 грн
10+	41.84 грн
100+	26.35 грн
500+	23.48 грн
1000+	20.16 грн
2500+	19.78 грн
5000+	16.99 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

BSZ440N10NS3GATMA1

на замовлення 5899 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	55.04 грн
10+	44.04 грн
25+	43.25 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

Bsz500

Fuse: time-lag; glass type; current: 500mA; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: BK1/S506-500-R; 0213.500MXP; 179120.0,5; 0034.3114; 522.514 Fuse: time-lag; 500mA Bsz500
кількість в упаковці: 500 шт

на замовлення 820 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

500+	2.75 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

Bsz500

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

500+	2.75 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

Bsz500

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

500+	2.75 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

BSZ520N15NS3 G

MOSFETs N-Ch 150V 21A TSDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 38820 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	159.41 грн
10+	100.70 грн
100+	60.32 грн
500+	51.18 грн
1000+	42.73 грн
2500+	39.41 грн
5000+	37.29 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ520N15NS3 G

Trans MOSFET N-CH 150V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 1040 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

98+	126.95 грн
103+	121.27 грн
250+	116.41 грн
500+	108.20 грн
1000+	96.91 грн

Мінімальне замовлення: 98

В кошику од. на суму грн.

BSZ520N15NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

102+	121.63 грн
103+	120.45 грн
133+	93.62 грн
250+	89.37 грн
500+	49.65 грн

Мінімальне замовлення: 102

В кошику од. на суму грн.

BSZ520N15NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	79.80 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ520N15NS3GATMA1

Description: INFINEON - BSZ520N15NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 21 A, 0.052 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 7948 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	107.55 грн
11+	81.21 грн
100+	62.84 грн
500+	48.36 грн
1000+	42.10 грн
5000+	37.67 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

BSZ520N15NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ520N15NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	147.01 грн
10+	130.32 грн
25+	129.05 грн
100+	96.73 грн
250+	88.66 грн
500+	51.07 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

BSZ520N15NS3GATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 21A; 57W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 52mΩ
Drain current: 21A
Power dissipation: 57W
Drain-source voltage: 150V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ520N15NS3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 150V 21A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 75 V

на замовлення 11607 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	112.69 грн
10+	75.65 грн
100+	54.01 грн
500+	44.85 грн
1000+	42.41 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ520N15NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 24890 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

99+	125.19 грн

Мінімальне замовлення: 99

В кошику од. на суму грн.

BSZ520N15NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	41.55 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ520N15NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 21A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 15010 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	32.06 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ520N15NS3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 150V 21A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 75 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	38.34 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ520N15NS3GATMA1

MOSFETs N-Ch 150V 21A TSDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 25616 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	121.54 грн
10+	82.91 грн
100+	50.96 грн
500+	45.52 грн
1000+	42.88 грн
5000+	36.99 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

Bsz630

Fuse: time-lag; glass type; current: 630mA; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: 0213.630MXP; 179120.0,63; 0034.3115 Fuse: time-lag; 630mA Bsz630
кількість в упаковці: 500 шт

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

500+	2.75 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

Bsz630

на замовлення 1820 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

500+	2.75 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

Bsz630

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

500+	2.75 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

Bsz800

Fuse: time-lag; glass type; current: 800mA; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: 0218.800MXP; 179120.0,8; 0034.2515 Fuse: time-lag; 800mA Bsz800
кількість в упаковці: 500 шт

на замовлення 3400 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

500+	2.75 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

BSZ900N15NS3 G

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ900N15NS3 G

Description: MOSFET N-CH 150V 13A TDSON-8

на замовлення 15211 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ900N15NS3 G

MOSFETs N-Ch 150V 13A TSDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 5814 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	147.08 грн
10+	92.89 грн
100+	53.30 грн
500+	43.71 грн
1000+	38.27 грн
2500+	35.18 грн
5000+	31.86 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ900N15NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 1906 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

113+	110.22 грн
118+	105.28 грн
148+	84.18 грн
250+	77.32 грн
500+	61.42 грн
1000+	48.92 грн

Мінімальне замовлення: 113

В кошику од. на суму грн.

BSZ900N15NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 13A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ900N15NS3GATMA1

MOSFETs N-Ch 150V 13A TSDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 16356 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	100.40 грн
10+	68.67 грн
100+	46.20 грн
500+	39.63 грн
1000+	36.08 грн
5000+	35.18 грн
25000+	34.88 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ900N15NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 1906 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	131.95 грн
10+	118.10 грн
25+	112.80 грн
100+	86.97 грн
250+	76.70 грн
500+	63.17 грн
1000+	52.42 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

BSZ900N15NS3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 150V 13A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 75 V

на замовлення 11953 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	84.11 грн
10+	51.74 грн
100+	45.59 грн
500+	39.38 грн
1000+	36.22 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ900N15NS3GATMA1

Description: INFINEON - BSZ900N15NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 13 A, 0.09 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 17523 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	52.93 грн
500+	42.46 грн
1000+	36.66 грн
5000+	29.91 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ900N15NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 13A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	23.07 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ900N15NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

158+	78.70 грн
167+	74.17 грн
192+	64.49 грн
202+	59.35 грн
1000+	50.25 грн
2000+	45.90 грн
5000+	45.00 грн
10000+	43.65 грн

Мінімальне замовлення: 158

В кошику од. на суму грн.

BSZ900N15NS3GATMA1

BSZ900N15NS3GATMA1 SMD N channel transistors

на замовлення 3006 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

4+	85.36 грн
24+	47.75 грн
65+	45.11 грн
1000+	45.08 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ900N15NS3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 150V 13A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 75 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	32.75 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ900N15NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ900N15NS3GATMA1

на замовлення 17523 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	82.82 грн
15+	59.70 грн
100+	52.93 грн
500+	42.46 грн
1000+	36.66 грн
5000+	29.91 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

BSZ900N20NS3 G

MOSFETs 200V 15.2A PG-TSDSON-8 OptiMOS 3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ900N20NS3GATMA1

Description: INFINEON - BSZ900N20NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 15.2 A, 0.09 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4645 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	144.81 грн
10+	94.00 грн
100+	70.54 грн
500+	52.76 грн
1000+	45.44 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

BSZ900N20NS3GATMA1

BSZ900N20NS3GATMA1 SMD N channel transistors

на замовлення 868 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

3+	150.40 грн
13+	86.81 грн
36+	82.10 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ900N20NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 200V 15.2A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	52.23 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ900N20NS3GATMA1

MOSFETs N-Ch 200V 15.2A TDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 20037 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	133.87 грн
10+	74.05 грн
100+	52.69 грн
500+	44.92 грн
1000+	41.67 грн
2500+	41.52 грн
5000+	36.39 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ900N20NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 200V 15.2A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	76.00 грн
10000+	72.98 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ900N20NS3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 7.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 100 V

на замовлення 29992 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	126.57 грн
10+	70.85 грн
100+	58.10 грн
500+	43.31 грн
1000+	40.65 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ900N20NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 200V 15.2A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	81.43 грн
10000+	78.19 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ900N20NS3GATMA1