Продукція > BSZ

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
BSZ-1NeutrikPhone Connectors Colored boot - Easycon -Brown
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ009NE2LS5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Case: PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ009NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 39A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 12 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+79.98 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ009NE2LS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ009NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 700 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 69W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 700µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+101.01 грн
500+78.29 грн
1000+62.46 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ009NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 3865 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+144.11 грн
10+123.23 грн
25+101.20 грн
100+90.04 грн
250+87.81 грн
500+75.16 грн
1000+64.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ009NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 39A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 12 V
на замовлення 9540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+190.77 грн
10+165.88 грн
25+148.11 грн
100+125.09 грн
250+111.20 грн
500+97.30 грн
1000+79.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ009NE2LS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ009NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 700 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+148.59 грн
10+126.89 грн
100+101.01 грн
500+78.29 грн
1000+62.46 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ010NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 32A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 12 V
на замовлення 3638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+190.77 грн
10+138.83 грн
25+125.29 грн
100+102.00 грн
250+93.72 грн
500+88.37 грн
1000+82.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ010NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 32A T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ010NE2LS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ010NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 800 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 69W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 800µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 10721 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+112.69 грн
500+93.79 грн
1000+75.13 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ010NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 32A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ010NE2LS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ010NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 800 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 10721 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+178.64 грн
10+124.38 грн
100+107.69 грн
500+79.84 грн
1000+65.40 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ010NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 2090 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+147.59 грн
10+116.38 грн
100+94.51 грн
250+87.81 грн
500+82.60 грн
1000+75.16 грн
5000+74.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ011NE2LS5IATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 8886 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+122.41 грн
10+106.11 грн
25+80.37 грн
100+76.65 грн
250+74.26 грн
500+72.85 грн
1000+70.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ011NE2LS5IATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 35A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 12 V
на замовлення 14374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+146.50 грн
10+121.78 грн
25+114.94 грн
100+99.06 грн
250+93.77 грн
500+90.04 грн
1000+85.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ011NE2LS5IATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ011NE2LS5IATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 820 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 820µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+195.34 грн
10+136.07 грн
100+120.21 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ011NE2LS5IATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 35A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 12 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+87.52 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ011NE2LS5IATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ011NE2LS5IATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 820 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 69W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 820µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 820µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+120.21 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ013NE2LS5IATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 32A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 12 V
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+49.43 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ013NE2LS5IATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ013NE2LS5IATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 0.0011 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+101.01 грн
11+78.89 грн
100+56.35 грн
500+42.79 грн
1000+36.28 грн
5000+36.21 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ013NE2LS5IATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 32A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 12 V
на замовлення 34638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+144.09 грн
10+95.73 грн
100+73.15 грн
500+55.73 грн
1000+50.13 грн
2000+47.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ013NE2LS5IATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ013NE2LS5IATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 0.0011 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 69W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0011ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+56.35 грн
500+42.79 грн
1000+36.28 грн
5000+36.21 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ013NE2LS5IATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 3060 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+145.85 грн
10+110.39 грн
100+69.87 грн
500+57.08 грн
1000+54.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ014NE2LS5IFATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 40A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 1.45mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ014NE2LS5IFATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 31A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 20A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 12 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+53.55 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ014NE2LS5IFATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 31A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ014NE2LS5IFATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 5469 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+141.51 грн
10+102.69 грн
100+70.10 грн
250+68.76 грн
500+58.41 грн
1000+54.55 грн
10000+50.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ014NE2LS5IFATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 40A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 1.45mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ014NE2LS5IFATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 31A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 20A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 12 V
на замовлення 26590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.94 грн
10+86.82 грн
100+72.48 грн
500+54.45 грн
1000+50.09 грн
2000+48.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ014NE2LS5IFATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 31A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ017NE2LS5IATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 27A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 12 V
на замовлення 9200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+110.28 грн
10+80.23 грн
100+56.62 грн
500+41.08 грн
1000+37.60 грн
2000+35.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ017NE2LS5IATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 4965 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+111.99 грн
10+83.78 грн
25+70.02 грн
100+56.33 грн
250+56.26 грн
500+44.57 грн
1000+39.36 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ017NE2LS5IATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Case: PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ017NE2LS5IATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 27A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 12 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+39.22 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ018N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 27A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ018N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 27A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 20 V
на замовлення 10518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+168.24 грн
10+122.47 грн
25+110.47 грн
100+89.77 грн
250+82.39 грн
500+77.61 грн
1000+72.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ018N04LS6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ018N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0016 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 9795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+232.90 грн
10+160.28 грн
100+127.72 грн
500+103.09 грн
1000+82.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ018N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 27A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+72.73 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ018N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 27A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ018N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 53858 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+138.04 грн
10+105.26 грн
100+81.86 грн
250+75.90 грн
500+73.37 грн
1000+68.24 грн
2500+66.60 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ018N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 27A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ018N04LS6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ018N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0016 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TSDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0016ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 9795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+127.72 грн
500+103.09 грн
1000+82.28 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ018NE2LSInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 25V 40A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 7543 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+99.84 грн
10+69.32 грн
100+46.96 грн
500+37.28 грн
1000+31.33 грн
2500+30.44 грн
5000+28.80 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ018NE2LSInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 23A TSDSON-8
на замовлення 22633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ018NE2LSInfineon technologies
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ018NE2LSInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 23A TSDSON-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ018NE2LSInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 23A TSDSON-8
на замовлення 22633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ018NE2LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ018NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 153 A, 0.0018 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 153A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 12173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+68.87 грн
500+48.60 грн
1000+37.42 грн
5000+33.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ018NE2LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 23A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 12 V
на замовлення 5982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.52 грн
10+71.62 грн
100+47.88 грн
500+35.36 грн
1000+32.28 грн
2000+29.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ018NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 23A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ018NE2LSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 40A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4971 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+66.11 грн
10+62.79 грн
49+58.60 грн
50+57.67 грн
100+55.81 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ018NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 23A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+34.90 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ018NE2LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ018NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 153 A, 0.0018 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 153A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 12173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+116.03 грн
10+88.49 грн
100+68.87 грн
500+48.60 грн
1000+37.42 грн
5000+33.56 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ018NE2LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 23A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 12 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+29.76 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ018NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 23A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ018NE2LSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 40A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4971 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+55.09 грн
10+50.38 грн
49+48.83 грн
50+48.06 грн
100+46.51 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ018NE2LSIInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 25V 40A TSDSON-8 OptiMOS
на замовлення 65537 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+119.81 грн
10+80.53 грн
100+56.48 грн
250+55.96 грн
500+49.04 грн
1000+46.43 грн
2500+46.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ018NE2LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 22A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+42.71 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ018NE2LSIATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ018NE2LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 0.0015 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 11861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+134.40 грн
10+105.18 грн
100+86.82 грн
500+61.31 грн
1000+51.59 грн
5000+51.52 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ018NE2LSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 22A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 12 V
на замовлення 24323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+156.16 грн
10+96.74 грн
100+65.85 грн
500+49.37 грн
1000+45.38 грн
2000+42.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ018NE2LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 22A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ018NE2LSIATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 40A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ018NE2LSIATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ018NE2LSIATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ018NE2LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 0.0015 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 11861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+86.82 грн
500+61.31 грн
1000+51.59 грн
5000+51.52 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ018NE2LSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 22A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 12 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+44.59 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ018NE2LSIATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 40A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ018NE2LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 22A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ018NE2LSIXTInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 25V 40A TSDSON-8 OptiMOS
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+160.61 грн
10+131.79 грн
100+91.53 грн
250+84.09 грн
500+75.90 грн
1000+68.31 грн
5000+60.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ019N03LSInfineon technologies
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ019N03LSInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 14625 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+158.87 грн
10+106.11 грн
100+70.47 грн
250+60.80 грн
500+58.41 грн
1000+55.96 грн
5000+47.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ019N03LSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ019N03LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ019N03LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 6038 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+116.33 грн
10+82.75 грн
100+53.80 грн
250+53.58 грн
500+48.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ019N03LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ019N03LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 149 A, 0.0019 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 149A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 4969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+59.60 грн
500+45.50 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ019N03LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 22A . 40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta). 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V
на замовлення 32745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+139.26 грн
10+90.92 грн
100+64.58 грн
500+49.61 грн
1000+46.02 грн
2000+44.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ019N03LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+34.90 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ019N03LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ019N03LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 149 A, 0.0019 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 149A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 69W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0016ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 4969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+82.64 грн
12+74.13 грн
100+59.60 грн
500+45.50 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ019N03LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 22A . 40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta). 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+49.51 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ019N03LSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ021N04LS6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ021N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 147 A, 0.0018 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 147A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 16325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+191.16 грн
10+144.42 грн
100+115.20 грн
500+90.69 грн
1000+71.34 грн
2500+68.33 грн
5000+66.97 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ021N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 25A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+52.10 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ021N04LS6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ021N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 147 A, 0.0018 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 147A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 16325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+115.20 грн
500+90.69 грн
1000+71.34 грн
2500+68.33 грн
5000+66.97 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ021N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 25A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 20 V
на замовлення 12086 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.47 грн
10+91.00 грн
25+85.85 грн
100+73.92 грн
250+69.94 грн
500+67.12 грн
1000+63.40 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ021N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 25A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ021N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 10945 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+110.26 грн
10+94.13 грн
25+77.39 грн
100+70.54 грн
250+66.75 грн
500+61.02 грн
1000+49.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ023N04LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 22A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2630 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ023N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ023N04LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 40A TSDSON-8 FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ023N04LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 22A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2630 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ024N04LS6Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ024N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 24A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ024N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 24A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 20 V
на замовлення 83163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.96 грн
10+75.42 грн
25+71.19 грн
100+61.26 грн
250+57.93 грн
500+55.58 грн
1000+52.48 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ024N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 24A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 200000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+71.73 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ024N04LS6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ024N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 130 A, 0.0021 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 37186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+70.96 грн
500+50.31 грн
1000+40.64 грн
5000+32.20 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ024N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 24A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 20 V
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+43.09 грн
10000+39.94 грн
15000+39.07 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ024N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 24A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 4818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+291.42 грн
86+142.08 грн
95+129.64 грн
117+101.00 грн
200+88.15 грн
500+84.36 грн
1000+74.94 грн
2000+69.96 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ024N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 4552 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+91.16 грн
10+77.70 грн
25+63.77 грн
100+58.49 грн
250+55.29 грн
500+51.12 грн
1000+45.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ024N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 24A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ024N04LS6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ024N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 130 A, 0.0021 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 37186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+119.37 грн
10+91.82 грн
100+70.96 грн
500+50.31 грн
1000+40.64 грн
5000+32.20 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ025N04LSInfineon TechnologiesMOSFETs MV POWER MOS
на замовлення 5917 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+120.67 грн
10+97.56 грн
100+66.15 грн
500+56.03 грн
1000+45.69 грн
2500+43.01 грн
5000+40.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ025N04LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ025N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.002 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 23114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+55.68 грн
500+42.32 грн
1000+35.85 грн
5000+35.78 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ025N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 22A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ025N04LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 22A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3680 pF @ 20 V
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.52 грн
10+83.64 грн
100+58.42 грн
500+47.23 грн
1000+41.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ025N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 22A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ025N04LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ025N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.002 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 23114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+101.84 грн
11+80.56 грн
100+55.68 грн
500+42.32 грн
1000+35.85 грн
5000+35.78 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ025N04LSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ025N04LSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ025N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 22A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+38.03 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ025N04LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 22A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3680 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ025N04LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MV POWER MOS
на замовлення 16649 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+105.92 грн
10+82.15 грн
100+49.34 грн
500+42.56 грн
1000+40.56 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ028N04LSInfineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 1157 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+87.68 грн
10+71.54 грн
100+48.37 грн
500+41.00 грн
1000+33.41 грн
2500+31.40 грн
5000+29.99 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ028N04LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 7214 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+92.03 грн
10+63.84 грн
25+52.39 грн
100+42.04 грн
250+40.85 грн
500+33.78 грн
1000+28.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ028N04LSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 20A; 50W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 20A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ028N04LSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 20A; 50W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 20A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ028N04LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ028N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0022 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+54.59 грн
500+43.02 грн
1000+35.35 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ028N04LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 21A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 63W (Tc)
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 20 V
на замовлення 7414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.08 грн
10+67.59 грн
100+44.98 грн
500+33.10 грн
1000+29.35 грн
2000+27.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ028N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
167+73.21 грн
177+68.94 грн
209+58.56 грн
213+55.30 грн
500+51.11 грн
1000+48.89 грн
5000+46.19 грн
Мінімальне замовлення: 167
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ028N04LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ028N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0022 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+97.67 грн
12+75.63 грн
100+54.59 грн
500+43.02 грн
1000+35.35 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ028N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+27.78 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ028N04LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 21A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 63W (Tc)
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+28.73 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ028N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+36.73 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ031NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 19A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ031NE2LS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ031NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 0.0026 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 30W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 14001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+68.03 грн
500+52.24 грн
1000+36.28 грн
5000+33.84 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ031NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 19A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 12 V
на замовлення 2008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+79.69 грн
10+51.62 грн
100+39.05 грн
500+29.56 грн
1000+26.10 грн
2000+25.44 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ031NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 7989 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+91.16 грн
10+60.67 грн
100+39.89 грн
500+32.30 грн
1000+27.38 грн
2500+27.01 грн
5000+24.85 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ031NE2LS5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Case: PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ031NE2LS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ031NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 0.0026 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 30W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0026ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 14001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+97.67 грн
10+87.65 грн
100+68.03 грн
500+52.24 грн
1000+36.28 грн
5000+33.84 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ033NE2LS5Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ033NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ033NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 18A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ033NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
181+67.43 грн
260+47.10 грн
275+44.49 грн
500+35.61 грн
1000+30.14 грн
Мінімальне замовлення: 181
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ033NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ033NE2LS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ033NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 0.0027 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 30W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0027ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4079 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+49.59 грн
500+36.66 грн
1000+28.84 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ033NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ033NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 18A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ033NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+115.47 грн
10+74.54 грн
100+44.57 грн
250+43.98 грн
500+34.97 грн
1000+29.32 грн
2500+29.24 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ033NE2LS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ033NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 0.0027 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4079 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+106.85 грн
12+69.79 грн
100+49.59 грн
500+36.66 грн
1000+28.84 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ034N04LSInfineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 7758 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+93.76 грн
10+62.81 грн
100+41.45 грн
500+35.05 грн
1000+28.57 грн
2500+26.94 грн
5000+25.60 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ034N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+26.48 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ034N04LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 19A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 33510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+75.67 грн
10+44.88 грн
100+34.06 грн
500+29.46 грн
1000+27.05 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ034N04LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 6357 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+86.64 грн
10+53.40 грн
25+45.09 грн
100+35.05 грн
250+34.83 грн
500+31.48 грн
1000+27.46 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ034N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+28.59 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ034N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 4407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
235+52.14 грн
247+49.51 грн
319+38.35 грн
323+36.53 грн
500+29.64 грн
1000+25.32 грн
3000+24.14 грн
Мінімальне замовлення: 235
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ034N04LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ034N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0027 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4654 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+83.48 грн
50+48.33 грн
250+38.07 грн
1000+27.83 грн
3000+25.19 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ034N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+26.62 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ034N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+27.89 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ034N04LSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 52W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Power dissipation: 52W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ034N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 4407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+78.41 грн
13+48.41 грн
25+45.98 грн
100+34.34 грн
250+31.41 грн
500+26.42 грн
1000+23.51 грн
3000+22.42 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ034N04LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 19A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+25.21 грн
10000+23.78 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ034N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
713+42.83 грн
1000+39.50 грн
Мінімальне замовлення: 713
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ034N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 6490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
713+42.83 грн
1000+39.50 грн
Мінімальне замовлення: 713
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ034N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 7419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
246+49.78 грн
320+38.23 грн
342+35.71 грн
500+32.94 грн
1000+28.47 грн
Мінімальне замовлення: 246
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ034N04LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ034N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0027 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4654 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+48.33 грн
250+38.07 грн
1000+27.83 грн
3000+25.19 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ034N04LSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 52W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Power dissipation: 52W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ034N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+25.90 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ034N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
713+42.83 грн
1000+39.50 грн
10000+35.22 грн
Мінімальне замовлення: 713
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ035N03LSINFINEONQFN
на замовлення 158 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ035N03LS GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 2928 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+146.72 грн
10+98.41 грн
100+65.78 грн
500+52.61 грн
1000+45.84 грн
5000+38.92 грн
10000+36.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ035N03LS GInfineonQFN
на замовлення 365 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ035N03LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 20A/40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 15 V
на замовлення 1770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+110.28 грн
10+67.52 грн
100+45.09 грн
500+33.28 грн
1000+30.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ035N03LSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ035N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+28.30 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ035N03LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 20A/40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ035N03LSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ035N03LSGATMA1
Код товару: 129555
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ035N03MS
на замовлення 2080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ035N03MS GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M
на замовлення 8205 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+112.86 грн
10+74.62 грн
25+64.81 грн
100+43.31 грн
250+43.23 грн
500+36.17 грн
1000+31.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ035N03MSGInfineon technologies
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ035N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+30.04 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ035N03MSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ035N03MSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 18A/40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 15 V
на замовлення 11581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+101.42 грн
10+61.62 грн
100+40.75 грн
500+29.86 грн
1000+27.16 грн
2000+24.89 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ035N03MSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ035N03MSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 18A/40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+23.68 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ036NE2LSInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 25V 40A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 2863 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+73.45 грн
10+59.30 грн
100+40.11 грн
500+34.08 грн
1000+27.76 грн
5000+24.56 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ036NE2LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 16A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 12 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+22.79 грн
10000+21.55 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ036NE2LSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 40A; 37W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 40A
Power dissipation: 37W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.1Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ036NE2LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ036NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 0.003 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9632 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+40.40 грн
100+33.31 грн
500+24.42 грн
1000+20.96 грн
5000+20.54 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ036NE2LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 25V 40A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 12437 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+42.02 грн
10+40.39 грн
100+28.95 грн
500+25.38 грн
1000+24.56 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ036NE2LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 16A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 12 V
на замовлення 14557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.35 грн
10+46.66 грн
100+33.68 грн
500+28.41 грн
1000+25.25 грн
2000+23.74 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ036NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 16A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+19.27 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ036NE2LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ036NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 0.003 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9632 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+33.31 грн
500+24.42 грн
1000+20.96 грн
5000+20.54 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ036NE2LSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 40A; 37W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 40A
Power dissipation: 37W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.1Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ037N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH 40<-<100V
на замовлення 3210 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+144.11 грн
10+100.98 грн
100+76.65 грн
250+68.83 грн
500+64.67 грн
1000+60.20 грн
2500+60.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ037N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 18A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 30 V
на замовлення 9960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+72.11 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ037N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 18A T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+32.47 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ037N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 18A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 30 V
на замовлення 9960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+146.50 грн
10+127.74 грн
25+114.07 грн
100+96.35 грн
250+85.65 грн
500+74.94 грн
1000+64.10 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ039N06NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 18A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ039N06NSATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH 40<-<100V
на замовлення 5171 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+105.05 грн
10+89.85 грн
25+73.52 грн
100+67.05 грн
250+63.33 грн
500+59.83 грн
1000+56.18 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ039N06NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 18A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 30 V
на замовлення 1118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.16 грн
10+74.65 грн
25+70.38 грн
100+60.58 грн
250+57.30 грн
500+54.97 грн
1000+51.92 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ039N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 18A T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+32.47 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ040N04LS GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 27298 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+108.52 грн
10+72.23 грн
100+44.13 грн
500+39.51 грн
1000+34.16 грн
2500+31.85 грн
5000+30.81 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ040N04LSGInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 4950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
140+87.18 грн
147+83.28 грн
250+79.94 грн
500+74.30 грн
1000+66.55 грн
2500+62.00 грн
Мінімальне замовлення: 140
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ040N04LSGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ040N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0033 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+49.33 грн
500+35.97 грн
1000+27.83 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ040N04LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 18A/40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 20 V
на замовлення 14280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+102.23 грн
10+61.70 грн
100+41.34 грн
500+30.08 грн
1000+27.39 грн
2000+25.97 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ040N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 20302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+25.09 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ040N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ040N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+21.50 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ040N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
666+45.82 грн
Мінімальне замовлення: 666
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ040N04LSGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ040N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0033 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+89.32 грн
12+73.13 грн
100+49.33 грн
500+35.97 грн
1000+27.83 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ040N04LSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1947 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+93.16 грн
10+74.47 грн
22+50.60 грн
60+47.90 грн
500+46.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ040N04LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 18A/40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 20 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+25.45 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ040N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ040N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 26435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
666+45.82 грн
Мінімальне замовлення: 666
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ040N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 4750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
105+116.32 грн
162+75.65 грн
200+68.33 грн
500+48.63 грн
1000+42.12 грн
Мінімальне замовлення: 105
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ040N04LSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1947 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+77.63 грн
10+59.76 грн
22+42.17 грн
60+39.92 грн
500+38.37 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ040N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+23.63 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ040N04LSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 10360 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+121.54 грн
10+78.05 грн
100+46.66 грн
500+39.22 грн
1000+33.04 грн
2500+32.30 грн
5000+29.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ040N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+21.94 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ040N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+23.35 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ040N06LS5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5000+36.56 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ040N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 30 V
на замовлення 62173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+127.99 грн
10+87.59 грн
100+62.28 грн
500+48.00 грн
1000+45.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ040N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MV POWER MOS
на замовлення 23655 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+142.38 грн
10+103.55 грн
100+63.33 грн
500+52.31 грн
1000+47.48 грн
5000+44.28 грн
10000+43.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ040N06LS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ040N06LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0033 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+143.58 грн
50+101.84 грн
250+72.79 грн
1000+51.70 грн
3000+46.79 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ040N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 30 V
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+45.84 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ040N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 17A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+30.99 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ042N04NSInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ042N04NS GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ042N04NS GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ042N04NSGInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 40A TO220AB
на замовлення 47574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ042N04NSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ042N04NSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ042N04NSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8
на замовлення 41363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ042N06NSInfineon
на замовлення 4850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ042N06NSInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 40A TDSON-8
на замовлення 3664 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+131.09 грн
10+106.97 грн
100+74.04 грн
250+68.16 грн
500+61.84 грн
1000+55.14 грн
5000+48.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ042N06NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 17A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+46.54 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ042N06NSATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 40A TDSON-8
на замовлення 45159 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+83.34 грн
10+66.66 грн
25+57.67 грн
100+50.75 грн
250+49.93 грн
500+45.69 грн
1000+43.98 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ042N06NSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ042N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0034 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 103330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+99.34 грн
50+75.71 грн
250+63.28 грн
1000+51.78 грн
3000+46.79 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ042N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+35.33 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ042N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 6405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+102.76 грн
10+92.77 грн
25+88.69 грн
100+63.06 грн
250+53.34 грн
500+50.10 грн
1000+40.57 грн
3000+38.30 грн
6000+36.49 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ042N06NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 17A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V
на замовлення 7823 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.33 грн
10+63.48 грн
100+53.94 грн
500+44.23 грн
1000+41.61 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ042N06NSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESBSZ042N06NSATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ042N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ042N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ049N03LSCGATMA1Rochester Electronics, LLCDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0500NSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 30A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 15 V
на замовлення 9817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+53.17 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0500NSIATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 4916 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+157.14 грн
10+118.95 грн
100+82.60 грн
250+81.86 грн
500+68.31 грн
1000+67.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0500NSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 30A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 15 V
на замовлення 9817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+182.73 грн
10+112.86 грн
100+77.09 грн
500+57.97 грн
1000+53.35 грн
2000+49.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0501NSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 25A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 15 V
на замовлення 4876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+160.19 грн
10+98.83 грн
100+67.04 грн
500+50.14 грн
1000+46.03 грн
2000+42.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0501NSIATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 7920 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+139.77 грн
10+89.85 грн
100+55.66 грн
500+44.80 грн
1000+41.08 грн
5000+41.00 грн
10000+36.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0501NSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 25A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 15 V
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0501NSIATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ0501NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0017 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
на замовлення 9635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+149.42 грн
10+112.69 грн
100+90.99 грн
500+71.93 грн
1000+51.23 грн
5000+48.30 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0501NSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0501NSIATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ0501NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0017 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
на замовлення 9635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+90.99 грн
500+71.93 грн
1000+51.23 грн
5000+48.30 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0502NSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0502NSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 22A 8SON
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0502NSIATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Case: PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0502NSIATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0503NSIATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ0503NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 82 A, 0.0028 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+86.82 грн
15+58.85 грн
100+44.58 грн
500+33.64 грн
1000+25.97 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0503NSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0503NSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 20A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0503NSIATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 12436 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+92.89 грн
10+61.87 грн
100+40.33 грн
500+33.56 грн
1000+33.49 грн
5000+27.98 грн
25000+24.26 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0503NSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
140+87.55 грн
148+82.46 грн
180+68.12 грн
200+62.65 грн
500+51.56 грн
1000+44.62 грн
2000+44.45 грн
5000+42.10 грн
Мінімальне замовлення: 140
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0503NSIATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ0503NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 82 A, 0.0028 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 36W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TSDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0028ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+44.58 грн
500+33.64 грн
1000+25.97 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0503NSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0503NSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0503NSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 20A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V
на замовлення 3716 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+107.06 грн
10+64.96 грн
100+43.08 грн
500+31.64 грн
1000+28.81 грн
2000+26.42 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0506NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 15A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 15 V
на замовлення 71426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.47 грн
10+60.31 грн
100+46.85 грн
500+37.27 грн
1000+30.36 грн
2000+28.58 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0506NSATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N
на замовлення 29724 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+75.88 грн
10+61.02 грн
100+41.23 грн
500+35.05 грн
1000+26.86 грн
5000+25.38 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0506NSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ0506NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0035 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+56.76 грн
50+42.99 грн
250+38.48 грн
1000+29.92 грн
3000+26.19 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0506NSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 27W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 27W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0506NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+26.22 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0506NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 15A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 15 V
на замовлення 65000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+30.12 грн
10000+27.66 грн
25000+27.61 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0506NSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 27W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 27W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0506NSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ0506NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0035 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+42.99 грн
250+38.48 грн
1000+29.92 грн
3000+26.19 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ050N03LS GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 8531 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+63.55 грн
10+43.99 грн
100+26.12 грн
500+21.80 грн
1000+19.87 грн
5000+16.82 грн
10000+14.96 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ050N03LSGInfineon TechnologiesDescription: BSZ050N03 - 12V-300V N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ050N03LSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 50W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ050N03LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 16A/40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+15.90 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ050N03LSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 6337 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+45.40 грн
11+32.09 грн
100+20.98 грн
250+20.91 грн
500+19.42 грн
1000+16.74 грн
2500+16.59 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ050N03LSGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ050N03LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0042 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 19069 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+57.35 грн
19+45.49 грн
100+31.39 грн
500+21.78 грн
1000+16.60 грн
5000+14.95 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ050N03LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 16A/40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V
на замовлення 7257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+45.88 грн
11+30.23 грн
100+22.32 грн
500+19.73 грн
1000+17.01 грн
2000+16.79 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ050N03LSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 50W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ050N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+15.28 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ050N03MS GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M
на замовлення 9658 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+58.60 грн
10+41.16 грн
100+24.41 грн
500+20.39 грн
1000+16.97 грн
2500+15.70 грн
5000+13.92 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ050N03MSGInfineon TechnologiesDescription: BSZ050N03 - 12V-300V N-CHANNEL P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ050N03MSGInfineon technologies
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ050N03MSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 15A/40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ050N03MSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 48W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 48W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ050N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+14.76 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ050N03MSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 15A/40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 15 V
на замовлення 1267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.23 грн
10+41.63 грн
100+27.15 грн
500+19.62 грн
1000+17.73 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ050N03MSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 48W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 48W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0589NSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ0589NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 17 A, 0.0035 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7074 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+90.16 грн
16+52.92 грн
100+40.24 грн
500+30.15 грн
1000+23.25 грн
5000+20.82 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0589NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 17A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+26.91 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0589NSATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 5962 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+83.17 грн
10+59.73 грн
100+43.83 грн
500+38.40 грн
1000+29.47 грн
5000+28.05 грн
10000+26.79 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0589NSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ0589NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 17 A, 0.0035 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7074 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+40.24 грн
500+30.15 грн
1000+23.25 грн
5000+20.82 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0589NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 17A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 15 V
на замовлення 9792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.67 грн
10+65.96 грн
100+43.83 грн
500+32.22 грн
1000+29.35 грн
2000+26.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ058N03LS GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 4717 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+67.02 грн
10+54.85 грн
100+37.06 грн
500+31.40 грн
1000+25.60 грн
2500+24.11 грн
5000+22.99 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ058N03LSGInfineon technologies
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ058N03LSGINFINEON0950+ TSDSON-8
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ058N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+20.84 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ058N03LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 15A/40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ058N03LSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 2532 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+29.01 грн
5000+22.77 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ058N03LSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESBSZ058N03LSGATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ058N03LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 15A/40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ058N03MS GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M
на замовлення 1159 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ058N03MS GInfineonQFN
на замовлення 92 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ058N03MSGinfineon08+
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ058N03MSGInfineon TechnologiesDescription: BSZ058N03 - 12V-300V N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 15 V
на замовлення 11233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
886+27.37 грн
Мінімальне замовлення: 886
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ058N03MSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 14A/40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ058N03MSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 14A/40A 8TSDSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 15 V
на замовлення 14327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
886+26.09 грн
Мінімальне замовлення: 886
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ058N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ058N03MSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 14A/40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ058N03MSGXTInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0602LSATMA1Infineon TechnologiesSP001589450
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0602LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
на замовлення 4411 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+167.56 грн
10+148.05 грн
100+100.46 грн
500+83.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0602LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 13A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0602LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 13A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ060NE2LSInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 25V 40A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 40761 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+64.59 грн
10+56.22 грн
100+33.34 грн
500+27.91 грн
1000+23.74 грн
2500+22.40 грн
5000+19.05 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ060NE2LSInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+27.53 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ060NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+16.28 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ060NE2LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 12A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 12 V
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+13.50 грн
10000+12.90 грн
15000+12.49 грн
25000+11.55 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ060NE2LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ060NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 0.005 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 26W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 26965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+60.69 грн
21+40.07 грн
100+27.88 грн
500+19.15 грн
1000+15.46 грн
5000+15.38 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ060NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+18.54 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ060NE2LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 25V 40A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 57827 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+42.89 грн
11+31.32 грн
100+20.84 грн
500+16.67 грн
1000+14.88 грн
2500+14.36 грн
5000+13.25 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ060NE2LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 12A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 12 V
на замовлення 36553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.83 грн
12+26.20 грн
100+20.09 грн
500+15.08 грн
1000+14.09 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ060NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+13.63 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ060NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ063N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 166191 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+80.04 грн
10+56.57 грн
100+40.93 грн
500+37.43 грн
1000+30.44 грн
2500+28.72 грн
5000+28.57 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ063N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 15A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+30.29 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ063N04LS6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ063N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0051 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0051ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 28529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+45.58 грн
500+35.89 грн
1000+26.98 грн
2500+25.40 грн
5000+24.18 грн
10000+23.97 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ063N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 15A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+26.74 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ063N04LS6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ063N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0051 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0051ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 28529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+71.29 грн
15+58.52 грн
100+45.58 грн
500+35.89 грн
1000+26.98 грн
2500+25.40 грн
5000+24.18 грн
10000+23.97 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ063N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 15A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 20 V
на замовлення 9426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.52 грн
10+42.71 грн
25+40.28 грн
100+34.61 грн
250+32.70 грн
500+31.35 грн
1000+29.58 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ065N03LS
Код товару: 148978
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ065N03LSInfineonQFN
на замовлення 792 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ065N03LSInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 5883 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+67.02 грн
10+58.28 грн
100+34.53 грн
500+28.87 грн
1000+24.56 грн
2500+23.22 грн
5000+19.72 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ065N03LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ065N03LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0054 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 26W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+79.89 грн
13+65.61 грн
100+42.82 грн
500+33.25 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ065N03LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ065N03LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 12A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 15 V
на замовлення 14115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.23 грн
10+45.58 грн
100+29.68 грн
500+20.73 грн
1000+18.70 грн
2000+17.99 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ065N03LSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 26W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 26W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ065N03LSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 26W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 26W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ065N03LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ065N03LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 4725 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+66.24 грн
10+56.39 грн
100+33.64 грн
500+27.31 грн
1000+21.95 грн
5000+20.61 грн
10000+19.72 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ065N03LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 12A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 15 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+17.82 грн
10000+16.96 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ065N03LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ065N03LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0054 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 26W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+42.82 грн
500+33.25 грн
Мінімальне замовлення: 150
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ065N03LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ065N03LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 2557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+47.49 грн
16+40.22 грн
25+39.87 грн
100+27.91 грн
250+25.61 грн
500+21.40 грн
1000+15.81 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ065N06LS5Infineon / IRMOSFET TRENCH 40<-<100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ065N06LS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ065N06LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0054 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 46W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0054ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 11272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+62.44 грн
500+51.24 грн
1000+38.07 грн
5000+36.28 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ065N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ065N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 30 V
на замовлення 2052 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.47 грн
10+73.10 грн
100+53.57 грн
500+38.32 грн
1000+33.04 грн
2000+32.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ065N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ065N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MV POWER MOS
на замовлення 9810 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+120.67 грн
10+83.78 грн
100+54.32 грн
500+43.90 грн
1000+37.88 грн
2500+37.80 грн
5000+37.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ065N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ065N06LS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ065N06LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0054 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 11272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+102.68 грн
11+80.30 грн
100+62.44 грн
500+51.24 грн
1000+38.07 грн
5000+36.28 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ065N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 14900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
182+67.31 грн
193+63.45 грн
221+55.21 грн
232+50.79 грн
500+46.84 грн
1000+41.31 грн
5000+38.35 грн
10000+37.57 грн
Мінімальне замовлення: 182
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ067N06LS3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 20A TSDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 3764 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+111.99 грн
10+89.85 грн
100+61.47 грн
500+52.09 грн
1000+42.42 грн
2500+39.96 грн
5000+38.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ067N06LS3GInfineon technologies
на замовлення 650 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ067N06LS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+41.92 грн
10000+37.27 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ067N06LS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 30390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
152+80.32 грн
164+74.63 грн
194+62.93 грн
206+57.36 грн
1000+47.85 грн
2000+43.23 грн
5000+42.79 грн
10000+37.82 грн
Мінімальне замовлення: 152
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ067N06LS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ067N06LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.005 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 37110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+114.36 грн
10+85.15 грн
100+62.19 грн
500+47.44 грн
1000+36.99 грн
5000+34.27 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ067N06LS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 10001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
135+90.39 грн
146+83.98 грн
173+70.77 грн
200+64.51 грн
1000+53.84 грн
2000+48.63 грн
5000+42.79 грн
10000+42.53 грн
Мінімальне замовлення: 135
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ067N06LS3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; 69W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 20A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ067N06LS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 14A/79A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 30 V
на замовлення 9628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.94 грн
10+77.28 грн
100+55.72 грн
500+42.47 грн
1000+38.27 грн
2000+35.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ067N06LS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ067N06LS3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 20A TSDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 8040 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+118.94 грн
10+79.33 грн
100+54.77 грн
500+45.62 грн
1000+39.44 грн
2500+37.65 грн
5000+36.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ067N06LS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+45.14 грн
10000+40.13 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ067N06LS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ067N06LS3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; 69W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 20A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ067N06LS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 14A/79A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 30 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+36.96 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ068N06NSInfineon
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ068N06NSInfineon TechnologiesMOSFETs TRENCH 40<-<100V
на замовлення 5202 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+97.23 грн
10+78.64 грн
100+53.21 грн
500+45.09 грн
1000+36.76 грн
2500+34.60 грн
5000+32.97 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ068N06NSATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH 40<-<100V
на замовлення 8960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+131.09 грн
10+86.43 грн
25+69.87 грн
100+51.72 грн
500+41.45 грн
1000+36.17 грн
5000+32.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ068N06NSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ068N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0056 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0056ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5511 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+59.10 грн
250+50.92 грн
1000+36.20 грн
3000+30.77 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ068N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 63A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ068N06NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ068N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 63A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+33.47 грн
10000+32.11 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ068N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 63A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+33.56 грн
10000+32.20 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ068N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 63A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+18.49 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ068N06NSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 40A; 46W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 40A
Power dissipation: 46W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ068N06NSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ068N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0056 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0056ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5511 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+78.13 грн
50+59.10 грн
250+50.92 грн
1000+36.20 грн
3000+30.77 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ068N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 63A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ068N06NSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 40A; 46W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 40A
Power dissipation: 46W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ068N06NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 30 V
на замовлення 2007 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+118.33 грн
10+75.03 грн
100+54.18 грн
500+40.17 грн
1000+35.58 грн
2000+33.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ068N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 63A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 30990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
132+93.13 грн
144+84.84 грн
177+68.97 грн
200+62.21 грн
1000+51.02 грн
2000+45.69 грн
5000+44.54 грн
10000+42.85 грн
Мінімальне замовлення: 132
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0702LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 17A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0702LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 17A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0702LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
на замовлення 20117 шт:
термін постачання 322-331 дні (днів)
4+104.18 грн
10+90.71 грн
100+61.69 грн
500+51.64 грн
1000+40.63 грн
2500+39.07 грн
5000+37.95 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0702LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 17A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0703LSATMA1Infineon TechnologiesDIFFERENTIATED MOSFETS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0703LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-26
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0703LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS
на замовлення 3960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+100.71 грн
10+88.14 грн
100+60.20 грн
500+49.71 грн
1000+39.22 грн
2500+36.69 грн
5000+34.75 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0703LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-26
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0703LSATMA1Infineon TechnologiesBSZ0703LSATMA1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0704LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 11A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0704LSATMA1Infineon TechnologiesSP001614102
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0704LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 11A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0704LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
на замовлення 44915 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+71.80 грн
10+62.98 грн
100+41.97 грн
500+33.26 грн
1000+26.57 грн
2500+24.04 грн
5000+22.32 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ070N08LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+70.83 грн
10+65.27 грн
25+63.35 грн
100+55.57 грн
250+50.92 грн
500+44.95 грн
1000+38.79 грн
3000+38.53 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ070N08LS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ070N08LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 74 A, 0.007 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 74A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 69W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0059ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+83.23 грн
250+70.04 грн
1000+52.32 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ070N08LS5ATMA1Infineon
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ070N08LS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH 40<-<100V
на замовлення 23029 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+77.53 грн
10+62.90 грн
25+54.32 грн
100+44.35 грн
5000+44.28 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ070N08LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 6290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
74+164.89 грн
81+152.45 грн
100+127.56 грн
200+117.00 грн
500+99.08 грн
1000+79.03 грн
2000+76.54 грн
5000+72.09 грн
Мінімальне замовлення: 74
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ070N08LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 40 V
на замовлення 7796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.72 грн
10+62.17 грн
100+50.42 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ070N08LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ070N08LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
174+70.29 грн
179+68.23 грн
197+62.06 грн
250+59.22 грн
500+50.42 грн
1000+41.77 грн
3000+41.50 грн
Мінімальне замовлення: 174
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ070N08LS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ070N08LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 74 A, 0.007 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 74A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+109.35 грн
50+83.23 грн
250+70.04 грн
1000+52.32 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ070N08LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 40 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+43.42 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ070N08LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+30.47 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ070N08LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+50.03 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ075N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 40 V
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+45.30 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ075N08NS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ075N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 0.0062 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 22973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+91.82 грн
12+71.96 грн
100+55.43 грн
500+46.51 грн
1000+42.86 грн
5000+42.79 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ075N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 40A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+29.52 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ075N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 40 V
на замовлення 63986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+102.23 грн
10+67.05 грн
100+53.97 грн
500+47.28 грн
1000+44.00 грн
2000+43.11 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ075N08NS5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESBSZ075N08NS5ATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ075N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 80V 40A TSDSON-8
на замовлення 71709 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+59.38 грн
10+54.00 грн
25+46.51 грн
100+45.02 грн
250+44.57 грн
500+44.35 грн
1000+43.68 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ076N06NS3 GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 20A TDSON-8 OptiMOS 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ076N06NS3GInfineon TechnologiesDescription: OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ076N06NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 20A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ076N06NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 20A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ076N06NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 20A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0803LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH >=100V
на замовлення 4953 шт:
термін постачання 301-310 дні (днів)
3+125.88 грн
10+109.54 грн
100+74.12 грн
500+61.84 грн
1000+48.29 грн
2500+46.36 грн
5000+43.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0803LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ0803LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.0124 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+82.06 грн
500+62.86 грн
1000+43.72 грн
2500+42.29 грн
5000+40.86 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0803LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 9A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0803LSATMA1Infineon TechnologiesSP001614108
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0803LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ0803LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.0124 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+134.40 грн
10+109.35 грн
100+82.06 грн
500+62.86 грн
1000+43.72 грн
2500+42.29 грн
5000+40.86 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0803LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 9A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0804LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 11A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0804LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0804LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH >=100V
на замовлення 4884 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+138.91 грн
10+123.23 грн
100+86.32 грн
500+70.62 грн
1000+54.47 грн
5000+52.46 грн
10000+52.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0804LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 11A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ084N08NS5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; 63W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 40A
Power dissipation: 63W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ084N08NS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ084N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 0.0071 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 127438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+74.71 грн
15+56.85 грн
100+50.25 грн
500+41.32 грн
1000+35.63 грн
5000+34.06 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ084N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 80V 40A TSDSON-8
на замовлення 11291 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+79.18 грн
10+59.30 грн
100+47.10 грн
1000+44.95 грн
2500+44.13 грн
5000+39.96 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ084N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 31µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 40 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+41.99 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ084N08NS5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; 63W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 40A
Power dissipation: 63W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ084N08NS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ084N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 0.0071 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 127604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+62.44 грн
500+48.45 грн
1000+38.07 грн
5000+35.99 грн
10000+34.20 грн
25000+32.41 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ084N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 40A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+30.56 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ084N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 31µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 40 V
на замовлення 34017 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+153.75 грн
10+94.49 грн
100+63.93 грн
500+47.70 грн
1000+43.75 грн
2000+40.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ086P03NS3 GInfineon TechnologiesMOSFET P-Ch -30V 13.5A TSDSON-8 OptiMOS P3
на замовлення 8551 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+69.45 грн
10+56.05 грн
100+37.95 грн
500+32.15 грн
1000+26.19 грн
5000+23.22 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ086P03NS3E GInfineon TechnologiesMOSFETs P-Ch -30V 13.5A TSDSON-8 OptiMOS P3
на замовлення 1422 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+83.34 грн
10+55.20 грн
100+33.26 грн
500+29.10 грн
1000+25.67 грн
2500+23.07 грн
5000+21.88 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ086P03NS3EGInfineon technologies
на замовлення 409 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ086P03NS3EGATMAINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -40A; 69W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -40A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 8.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ086P03NS3EGATMAINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -40A; 69W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -40A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 8.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ086P03NS3EGATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs P-Ch -30V 13.5A TSDSON-8 OptiMOS P3
на замовлення 4841 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+75.10 грн
10+55.88 грн
25+44.57 грн
100+34.30 грн
250+33.19 грн
500+27.24 грн
1000+23.37 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ086P03NS3EGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 13.5A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 105µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4785 pF @ 15 V
на замовлення 19418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.62 грн
10+48.91 грн
100+34.57 грн
500+25.76 грн
1000+22.07 грн
2000+21.64 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ086P03NS3EGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 13.5A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ086P03NS3EGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 13.5A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+81.85 грн
Мінімальне замовлення: 150
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ086P03NS3EGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ086P03NS3EGATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0065 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 32831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+82.48 грн
13+67.95 грн
100+43.41 грн
500+33.64 грн
1000+24.04 грн
5000+22.47 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ086P03NS3EGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 13.5A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+19.10 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ086P03NS3EGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 13.5A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 105µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4785 pF @ 15 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+21.46 грн
10000+19.48 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ086P03NS3EGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 13.5A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+36.04 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ086P03NS3EGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 13.5A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ086P03NS3EGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ086P03NS3EGATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0065 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 32831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+43.41 грн
500+33.64 грн
1000+24.04 грн
5000+22.47 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ086P03NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 13.5A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+30.96 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ086P03NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ086P03NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0065 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+34.48 грн
500+27.67 грн
1000+21.68 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ086P03NS3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -40A; 52W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Drain current: -40A
Power dissipation: 52W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Technology: OptiMOS™ P3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 8.6mΩ
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ086P03NS3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -40A; 52W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Drain current: -40A
Power dissipation: 52W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Technology: OptiMOS™ P3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 8.6mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ086P03NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 13.5A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 105µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4785 pF @ 15 V
на замовлення 3694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+92.57 грн
10+56.28 грн
100+37.03 грн
500+27.00 грн
1000+23.52 грн
2000+22.40 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ086P03NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 13.5A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
154+79.34 грн
172+70.94 грн
210+58.18 грн
224+52.70 грн
500+43.34 грн
1000+34.40 грн
5000+30.04 грн
Мінімальне замовлення: 154
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ086P03NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ086P03NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0065 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+74.13 грн
17+50.00 грн
100+34.48 грн
500+27.67 грн
1000+21.68 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ086P03NS3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs P-Ch -30V 13.5A TSDSON-8 OptiMOS P3
на замовлення 4948 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+71.88 грн
10+62.04 грн
100+36.83 грн
500+29.32 грн
1000+24.41 грн
2500+23.74 грн
5000+21.88 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ086P03NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 13.5A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 105µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4785 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ086P03NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 13.5A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ086P03NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 13.5A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+19.62 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ086P03NS3GXTInfineon TechnologiesMOSFET P-Ch -30V 13.5A TSDSON-8 OptiMOS P3
на замовлення 2539 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+68.67 грн
10+55.97 грн
100+37.88 грн
500+32.07 грн
1000+26.12 грн
2500+24.56 грн
5000+23.37 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ088N03LS G
Код товару: 177892
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ088N03LS GInfineon
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ088N03LS GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 4935 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+69.45 грн
10+59.48 грн
100+35.87 грн
500+29.99 грн
1000+22.70 грн
5000+21.36 грн
10000+20.54 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ088N03LSGinfineon08+
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ088N03LSGInfineon TechnologiesDescription: BSZ088N03 - 12V-300V N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ088N03LSGInfineon technologies
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ088N03LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 12A/40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ088N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ088N03LSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ088N03LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 12A/40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ088N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+18.84 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ088N03LSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 35W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Drain current: 40A
Power dissipation: 35W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.8mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ088N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ088N03LSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 35W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Drain current: 40A
Power dissipation: 35W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.8mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ088N03MS GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ088N03MS GInfineonQFN
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ088N03MSGInfineon TechnologiesDescription: BSZ088N03 - 12V-300V N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ088N03MSGInfineon technologies
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ088N03MSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 11A/40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ088N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ088N03MSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 11A/40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ088N03MSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 35W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Drain current: 40A
Power dissipation: 35W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.8mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ088N03MSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 35W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Drain current: 40A
Power dissipation: 35W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.8mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0901NSInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 7700 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+74.23 грн
10+67.35 грн
100+45.69 грн
500+39.81 грн
1000+37.65 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0901NSInfineon technologies
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0901NSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 50W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0901NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 22A/40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 15 V
на замовлення 3466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+101.42 грн
10+79.99 грн
100+62.21 грн
500+49.49 грн
1000+40.31 грн
2000+37.95 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0901NSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ0901NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0017 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+48.92 грн
500+29.84 грн
1000+24.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0901NSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 50W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0901NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 22A/40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0901NSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ0901NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0017 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+102.68 грн
13+68.79 грн
100+48.92 грн
500+29.84 грн
1000+24.04 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0901NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0901NSIInfineon technologies
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0901NSIInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 515 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+157.14 грн
10+100.98 грн
100+59.38 грн
500+47.55 грн
1000+40.70 грн
5000+40.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0901NSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+33.08 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0901NSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 25A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 20A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 15 V
на замовлення 13470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+121.55 грн
10+74.41 грн
100+49.89 грн
500+36.93 грн
1000+33.75 грн
2000+33.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0901NSIATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ0901NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0018 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
на замовлення 4278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+72.54 грн
500+57.13 грн
1000+40.43 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0901NSIATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0901NSIATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0901NSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 25A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 20A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+30.25 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0901NSIATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ0901NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0018 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
на замовлення 4278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+130.22 грн
10+98.50 грн
100+72.54 грн
500+57.13 грн
1000+40.43 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0902NSInfineon technologies
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0902NSInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 12152 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+92.03 грн
10+66.66 грн
100+38.84 грн
250+38.77 грн
500+30.29 грн
1000+25.45 грн
2500+25.38 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0902NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 19A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+21.29 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0902NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 4017 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+89.64 грн
10+76.28 грн
25+73.21 грн
100+59.32 грн
250+51.39 грн
500+44.44 грн
1000+39.18 грн
3000+37.21 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0902NSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ0902NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0022 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+34.39 грн
500+25.66 грн
1000+23.25 грн
5000+23.18 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0902NSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 48W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 48W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0902NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0902NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 19A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V
на замовлення 48896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.98 грн
10+57.36 грн
100+37.96 грн
500+27.80 грн
1000+25.27 грн
2000+23.55 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0902NSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ0902NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0022 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+73.38 грн
17+51.76 грн
100+34.39 грн
500+25.66 грн
1000+23.25 грн
5000+23.18 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0902NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 4017 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
149+82.15 грн
155+78.84 грн
185+66.25 грн
250+59.77 грн
500+49.85 грн
1000+42.19 грн
3000+40.08 грн
Мінімальне замовлення: 149
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0902NSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 48W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 48W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0902NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+24.13 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0902NSIInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 10758 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+97.23 грн
10+78.73 грн
100+53.28 грн
500+45.17 грн
1000+36.76 грн
2500+34.68 грн
5000+32.97 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0902NSIInfineon technologies
на замовлення 6349 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0902NSI
Код товару: 153067
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0902NSIATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ0902NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0023 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
на замовлення 3478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+58.52 грн
500+46.04 грн
1000+32.63 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0902NSIATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 4513 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+97.23 грн
10+69.66 грн
100+47.40 грн
500+38.25 грн
1000+32.67 грн
2500+32.59 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0902NSIATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 48W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 48W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0902NSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 21A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0902NSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0902NSIATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ0902NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0023 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
на замовлення 3478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+104.35 грн
11+77.72 грн
100+58.52 грн
500+46.04 грн
1000+32.63 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0902NSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+29.95 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0902NSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+38.75 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0902NSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 21A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0902NSIATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 48W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 48W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0902NSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0904NSIInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 3966 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+75.10 грн
10+64.95 грн
100+38.55 грн
500+32.15 грн
1000+27.38 грн
2500+25.97 грн
5000+22.03 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0904NSIInfineon technologies
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0904NSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+19.63 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0904NSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+16.58 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0904NSIATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ0904NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0033 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
на замовлення 4202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+46.50 грн
500+37.36 грн
1000+26.40 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0904NSIATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 16472 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+75.10 грн
10+54.51 грн
100+33.34 грн
500+26.71 грн
1000+22.70 грн
2500+22.62 грн
5000+22.03 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0904NSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0904NSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 18A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1463 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+21.39 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0904NSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+40.66 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0904NSIATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ0904NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0033 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+63.36 грн
50+46.50 грн
250+40.24 грн
1000+28.60 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0904NSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0904NSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 18A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1463 pF @ 15 V
на замовлення 5610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+78.08 грн
10+46.66 грн
100+30.85 грн
500+22.39 грн
1000+20.28 грн
2000+18.71 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0905PNSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 40A TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 105µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3190 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0905PNSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 40A TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 105µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3190 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0905PNSATMA1Infineon TechnologiesAMPMODU (BREAK AWAY)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0905PNSATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 5260 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+94.63 грн
10+74.71 грн
100+51.49 грн
500+48.07 грн
5000+40.85 грн
10000+31.25 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0907NDXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 11.1A/13.8A 8-Pin WISON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0909LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 19A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0909LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ0909LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0023 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 14978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+23.29 грн
500+20.85 грн
1000+18.89 грн
5000+18.46 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0909LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFET Power-Transistor
на замовлення 881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
844+36.16 грн
Мінімальне замовлення: 844
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0909LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 19A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0909LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ0909LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0023 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 14978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+24.96 грн
35+24.12 грн
100+23.29 грн
500+20.85 грн
1000+18.89 грн
5000+18.46 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0909LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFET Power-Transistor
на замовлення 4678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
844+36.16 грн
Мінімальне замовлення: 844
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0909LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFET Power-Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0909NDXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 8.1A 8-Pin WISON EP T/R
на замовлення 6670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
456+66.95 грн
Мінімальне замовлення: 456
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0909NDXTMA1Infineon TechnologiesMOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS
на замовлення 276 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+132.83 грн
10+118.09 грн
100+80.37 грн
500+66.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0909NDXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 8.1A 8-Pin WISON EP T/R
на замовлення 547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
456+66.95 грн
Мінімальне замовлення: 456
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0909NDXTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 20A WISON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 17W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-WISON-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0909NSInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 36A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 6730 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+55.74 грн
10+35.77 грн
100+21.28 грн
500+16.82 грн
1000+14.59 грн
2500+14.51 грн
5000+13.77 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0909NSInfineonQFN
на замовлення 217 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0909NSInfineon technologies
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0909NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 34V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+14.23 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0909NSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ0909NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 34 V, 36 A, 0.01 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 34V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+52.51 грн
26+33.31 грн
100+22.79 грн
500+15.50 грн
1000+12.02 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0909NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 34V 9A/36A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 34 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 15 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15
на замовлення 41067 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.18 грн
10+36.35 грн
100+23.56 грн
500+16.93 грн
1000+15.26 грн
2000+13.86 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0909NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 34V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 3715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+15.22 грн
42+14.39 грн
43+14.21 грн
100+12.80 грн
250+11.82 грн
500+10.77 грн
1000+10.47 грн
3000+10.16 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0909NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 34V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 9796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
811+15.05 грн
816+14.97 грн
975+12.53 грн
1095+10.75 грн
Мінімальне замовлення: 811
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0909NSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 34V; 32A; 25W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 34V
Drain current: 32A
Power dissipation: 25W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0909NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 34V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 3715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
798+15.30 грн
854+14.29 грн
856+14.26 грн
902+13.05 грн
1000+11.74 грн
3000+10.94 грн
Мінімальне замовлення: 798
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0909NSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 34V; 32A; 25W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 34V
Drain current: 32A
Power dissipation: 25W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0909NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 34V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+12.50 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0909NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 34V 9A/36A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 34 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 15 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+11.60 грн
10000+11.03 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0909NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 34V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+14.07 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0909NSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ0909NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 34 V, 36 A, 0.01 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 34V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+22.79 грн
500+15.50 грн
1000+12.02 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0909NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 34V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0909NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 34V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+19.89 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0910LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0910LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+15.20 грн
10000+14.24 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0910LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ0910LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0036 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
на замовлення 4743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+45.33 грн
22+38.65 грн
100+25.29 грн
500+20.23 грн
1000+14.45 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0910LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 18A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0910LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+16.64 грн
10000+15.51 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0910LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 4910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+19.06 грн
33+18.59 грн
100+16.10 грн
250+14.76 грн
500+13.70 грн
1000+13.20 грн
3000+12.70 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0910LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 3290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+64.33 грн
10+39.88 грн
100+23.59 грн
500+19.05 грн
1000+15.78 грн
2500+15.70 грн
5000+14.06 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0910LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 18A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0910LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ0910LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0036 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
на замовлення 4743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+25.29 грн
500+20.23 грн
1000+14.45 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0910LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 4910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
609+20.06 грн
675+18.08 грн
682+17.89 грн
707+16.64 грн
1000+14.83 грн
3000+13.68 грн
Мінімальне замовлення: 609
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0910NDXTMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 4791 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0910NDXTMA1Infineon TechnologiesDescription: DIFFERENTIATED MOSFETS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W (Ta), 31W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 25A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-WISON-8
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0910NDXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 11.1A 8-Pin WISON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0910NDXTMA1Infineon TechnologiesDescription: DIFFERENTIATED MOSFETS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W (Ta), 31W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 25A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-WISON-8
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0911LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 12A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 15 V
на замовлення 29980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+45.88 грн
10+37.52 грн
100+26.08 грн
500+19.11 грн
1000+15.53 грн
2000+13.89 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0911LSATMA1Infineon TechnologiesSP005424280
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0911LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ0911LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0055 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+40.74 грн
33+26.04 грн
100+17.20 грн
500+12.32 грн
1000+10.66 грн
5000+9.95 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0911LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 12A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 15 V
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+14.59 грн
10000+13.04 грн
25000+12.74 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0911LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 2765 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+65.20 грн
10+40.56 грн
100+23.14 грн
500+17.78 грн
1000+14.81 грн
5000+12.50 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0911LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ0911LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0055 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+14.94 грн
500+12.87 грн
1000+10.88 грн
5000+9.95 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0945NDXTMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0945NDXTMA1Infineon TechnologiesBSZ0945NDXTMA1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ096N10LS5Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH >=100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ096N10LS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH >=100V
на замовлення 35945 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+145.85 грн
10+113.82 грн
100+83.34 грн
250+81.11 грн
500+69.87 грн
1000+56.41 грн
2500+56.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ096N10LS5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESBSZ096N10LS5ATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ096N10LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ096N10LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 50 V
на замовлення 5672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+129.60 грн
10+88.91 грн
100+62.21 грн
500+51.39 грн
1000+49.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ096N10LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+37.94 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ096N10LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
86+143.12 грн
95+129.64 грн
116+105.78 грн
200+95.71 грн
1000+78.52 грн
2000+70.31 грн
Мінімальне замовлення: 86
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ096N10LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ096N10LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ096N10LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+66.15 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ097N04LS GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 184439 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+73.45 грн
10+54.60 грн
100+32.37 грн
500+27.09 грн
1000+23.07 грн
2500+20.84 грн
5000+19.35 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ097N04LS GInfineon
на замовлення 4970 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ097N04LSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 35W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Power dissipation: 35W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4919 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+70.96 грн
10+43.95 грн
25+36.90 грн
35+26.66 грн
94+25.19 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ097N04LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 12A/40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+19.84 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ097N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+22.22 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ097N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 3596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+53.78 грн
14+45.86 грн
25+45.68 грн
100+32.39 грн
250+29.69 грн
500+24.39 грн
1000+21.58 грн
3000+20.28 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ097N04LSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 38846 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+75.88 грн
10+64.95 грн
100+38.84 грн
500+32.67 грн
1000+24.56 грн
2500+24.26 грн
5000+23.37 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ097N04LSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 35W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Power dissipation: 35W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4919 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+85.15 грн
10+54.77 грн
25+44.28 грн
35+32.00 грн
94+30.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ097N04LSGATMA1
Код товару: 170565
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ097N04LSGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ097N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0081 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0081ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 19892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+73.38 грн
16+54.09 грн
100+37.90 грн
500+28.45 грн
1000+22.11 грн
5000+21.47 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ097N04LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 12A/40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 20 V
на замовлення 9382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.98 грн
10+41.94 грн
100+30.17 грн
500+24.54 грн
1000+20.77 грн
2000+20.35 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ097N10NS5Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 40A TSDSON-8
на замовлення 21109 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+125.88 грн
10+102.69 грн
100+69.06 грн
500+58.56 грн
1000+47.70 грн
5000+42.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ097N10NS5Infineon technologies
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ097N10NS5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESBSZ097N10NS5ATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ097N10NS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ097N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.0083 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0083ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 11876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+62.02 грн
50+52.17 грн
250+49.08 грн
1000+45.11 грн
3000+40.78 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ097N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 8A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+43.66 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ097N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 40A TSDSON-8
на замовлення 3826 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+138.91 грн
10+114.67 грн
100+80.37 грн
250+76.65 грн
500+67.57 грн
1000+56.41 грн
5000+47.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ097N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesN-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 40; Ciss, пФ @ Uds, В = 2080 @ 50; Qg, нКл = 28; Rds = 9.7 мОм; Ugs(th) = 2,2 В; Р, Вт = 69 @ 25°C; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = SMD; TSDSON-8
на замовлення 4 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ097N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 11A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+36.98 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ097N10NS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ097N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.0083 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0083ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 11876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+52.17 грн
250+49.08 грн
1000+45.11 грн
3000+40.78 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ097N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 8A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 50 V
на замовлення 6747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.74 грн
10+63.33 грн
100+51.46 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0994NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 13A 8TSDSON-25
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-25
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 15 V
на замовлення 4962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.96 грн
10+55.04 грн
100+36.24 грн
500+26.43 грн
1000+23.99 грн
2000+21.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0994NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0994NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 13A 8TSDSON-25
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-25
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0994NSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESBSZ0994NS SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0994NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0994NSATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 4645 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+75.88 грн
10+55.97 грн
100+33.78 грн
500+27.09 грн
1000+22.99 грн
5000+22.32 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ099N06LS5Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ099N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+16.65 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ099N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH 40<-<100V
на замовлення 31721 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+83.34 грн
10+59.39 грн
25+47.55 грн
100+38.77 грн
250+36.61 грн
500+30.73 грн
1000+26.04 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ099N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 46A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 30 V
на замовлення 15820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.30 грн
10+52.71 грн
100+39.97 грн
500+29.84 грн
1000+26.85 грн
2000+25.42 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ099N06LS5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 29A; 36W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 29A
Power dissipation: 36W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 6.9nC
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ099N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+22.83 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ099N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ099N06LS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ099N06LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0083 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0083ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 158218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+88.49 грн
14+59.85 грн
100+43.66 грн
500+30.77 грн
1000+23.40 грн
5000+21.54 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ099N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 12740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
174+70.25 грн
205+59.78 грн
216+56.53 грн
228+51.67 грн
500+43.58 грн
1000+31.72 грн
5000+27.54 грн
10000+26.84 грн
Мінімальне замовлення: 174
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ099N06LS5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 29A; 36W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 29A
Power dissipation: 36W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 6.9nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ099N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 46A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 30 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+24.45 грн
10000+22.13 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ099N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+18.08 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ099N06LS5ATMA1
Код товару: 165964
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ099N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ099N06LS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ099N06LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0083 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 36W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0083ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0083ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 158218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+43.66 грн
500+30.77 грн
1000+23.40 грн
5000+21.54 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Bsz100HBEFuse: time-lag; glass type; current: 100mA; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: BK1/S506-100-R; 0218.100MXP; 179120.0,1; 0034.3107 Fuse: time-lag; 100mA Bsz100
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 400 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+2.82 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
Bsz100HBEFuse: time-lag; glass type; current: 100mA; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: BK1/S506-100-R; 0218.100MXP; 179120.0,1; 0034.3107 Fuse: time-lag; 100mA Bsz100
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+2.82 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N03LSINFINEONQFN
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N03LS GInfineonQFN
на замовлення 365 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N03LS GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 4093 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+21.53 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+17.67 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N03LSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 36A; 30W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 36A
Power dissipation: 30W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N03LSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 36A; 30W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 36A
Power dissipation: 30W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N03LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 12A/40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+18.98 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N03LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 12A/40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+16.15 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+22.37 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N03MS GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+59.38 грн
10+45.44 грн
100+29.54 грн
500+23.22 грн
1000+17.86 грн
2500+16.30 грн
5000+15.18 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N03MS GInfineonQFN
на замовлення 91 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N03MSGInfineon technologies
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N03MSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 10A/40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+23.75 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N03MSGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ100N03MSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0091 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 M
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0091ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 9893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+15.78 грн
500+14.03 грн
1000+12.45 грн
5000+11.88 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+19.92 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+14.24 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+21.42 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N03MSGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ100N03MSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0091 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 M
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0091ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 9308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+52.67 грн
22+38.23 грн
100+26.96 грн
500+20.39 грн
1000+16.03 грн
5000+14.02 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N03MSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 10A/40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.86 грн
11+29.61 грн
100+22.75 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 4995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
483+25.26 грн
529+23.08 грн
534+22.86 грн
573+20.55 грн
1000+17.02 грн
3000+16.12 грн
Мінімальне замовлення: 483
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N03MSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; 30W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 39A
Power dissipation: 30W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 4995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+24.55 грн
26+23.46 грн
100+20.67 грн
250+18.95 грн
500+16.96 грн
1000+15.18 грн
3000+14.97 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N03MSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M
на замовлення 14755 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+24.74 грн
18+19.68 грн
100+14.88 грн
500+13.62 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N03MSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; 30W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 39A
Power dissipation: 30W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N06LS3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 20A TSDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 12667 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+102.44 грн
10+68.55 грн
100+41.82 грн
500+37.50 грн
1000+32.37 грн
2500+30.14 грн
5000+29.39 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N06LS3 GInfineon TechnologiesN-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 11 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 3500 @ 30; Qg, нКл = 45 @ 10 В; Rds = 10 мОм @ 20 A, 10 В; Ugs(th) = 2,2 В @ 23 мкА; Р, Вт = 2,1 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; Id2 = 20 A; Ptot2, Вт = 50; PG-TSDSON-8
на замовлення 2618 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N06LS3GInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N06LS3GInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
136+89.82 грн
143+85.81 грн
250+82.36 грн
500+76.55 грн
1000+68.57 грн
2500+63.88 грн
5000+62.17 грн
Мінімальне замовлення: 136
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N06LS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+19.19 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N06LS3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 20A TSDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 30032 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+101.57 грн
10+68.72 грн
100+42.12 грн
500+34.16 грн
1000+30.88 грн
5000+29.39 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N06LS3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; 50W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 20A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N06LS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+23.41 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N06LS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 11A/20A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 30 V
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+27.78 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N06LS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+25.35 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N06LS3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; 50W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 20A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N06LS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N06LS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ100N06LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.008 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 182354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+98.50 грн
13+69.45 грн
100+54.09 грн
500+42.56 грн
1000+31.98 грн
5000+28.69 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N06LS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N06LS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 11A/20A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 30 V
на замовлення 77558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.35 грн
10+60.00 грн
100+44.00 грн
500+34.49 грн
1000+31.41 грн
2000+30.73 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N06NSInfineon TechnologiesMOSFETs TRENCH 40<-<100V
на замовлення 16059 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+85.77 грн
10+65.64 грн
100+38.92 грн
500+32.52 грн
1000+27.61 грн
2500+25.08 грн
5000+23.29 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N06NSInfineon technologies
на замовлення 3650 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N06NSATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH 40<-<100V
на замовлення 43797 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+91.16 грн
10+65.64 грн
100+38.77 грн
500+30.66 грн
1000+25.82 грн
2500+25.75 грн
5000+22.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N06NSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ100N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0085 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6093 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+86.82 грн
13+65.78 грн
100+44.49 грн
500+32.56 грн
1000+25.11 грн
5000+22.54 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N06NSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 40A; 36W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 40A
Power dissipation: 36W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N06NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1075 pF @ 30 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+22.70 грн
10000+21.77 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 8261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
148+82.97 грн
200+63.04 грн
500+53.60 грн
1000+41.26 грн
5000+36.17 грн
Мінімальне замовлення: 148
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N06NSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ100N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0085 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6093 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+44.49 грн
500+32.56 грн
1000+25.11 грн
5000+22.54 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N06NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1075 pF @ 30 V
на замовлення 17351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+82.11 грн
10+56.12 грн
100+38.10 грн
500+28.16 грн
1000+24.79 грн
2000+23.94 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N06NSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 40A; 36W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 40A
Power dissipation: 36W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ105N04NS GInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ105N04NS GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 4338 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ105N04NSGInfineon TechnologiesDescription: OPTLMOS POWER-MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ105N04NSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 11A/40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ105N04NSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 29A; 35W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 29A
Power dissipation: 35W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 13nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ105N04NSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 11A/40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ105N04NSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 29A; 35W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 29A
Power dissipation: 35W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 13nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ105N04NSGATMA2Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ105N04NSGATMA2Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 4947 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+52.00 грн
10+40.22 грн
100+26.12 грн
500+20.54 грн
1000+15.85 грн
2500+14.44 грн
5000+13.39 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ105N04NSGATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ105N04NSGATMA2Infineon TechnologiesOptiMOS 3 Power-Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ110N06NS3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 20A TSDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 81393 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+33.89 грн
100+27.16 грн
500+23.14 грн
1000+20.39 грн
5000+20.31 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ110N06NS3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; Idm: 80A; 50W; PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 20A
On-state resistance: 11mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 80A
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ110N06NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 20A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 3873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+35.33 грн
19+32.59 грн
25+31.95 грн
100+27.04 грн
250+24.89 грн
500+22.29 грн
1000+18.83 грн
3000+18.77 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ110N06NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 20A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ110N06NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ110N06NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.009 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4774 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+39.90 грн
22+39.40 грн
100+31.39 грн
500+24.80 грн
1000+19.53 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ110N06NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 20A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 3873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
348+35.10 грн
355+34.41 грн
405+30.19 грн
407+28.95 грн
500+25.00 грн
1000+20.28 грн
3000+20.21 грн
Мінімальне замовлення: 348
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ110N06NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 20A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 30 V
на замовлення 6247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.16 грн
10+54.18 грн
100+35.76 грн
500+26.12 грн
1000+23.73 грн
2000+21.81 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ110N06NS3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; Idm: 80A; 50W; PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 20A
On-state resistance: 11mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 80A
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ110N06NS3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ110N06NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 20A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ110N06NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 20A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 30 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+20.96 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ110N08NS5Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 51A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 14891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
173+70.91 грн
181+67.74 грн
250+65.02 грн
500+60.43 грн
1000+54.13 грн
2500+50.44 грн
5000+49.08 грн
10000+47.88 грн
Мінімальне замовлення: 173
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ110N08NS5Infineon
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ110N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 40A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+20.49 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ110N08NS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ110N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 0.0096 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0096ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 13858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+72.37 грн
50+54.43 грн
250+46.75 грн
1000+33.25 грн
3000+29.26 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ110N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 22µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 40 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+28.91 грн
10000+27.59 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ110N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 80V 40A TSDSON-8
на замовлення 12238 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+107.65 грн
10+64.44 грн
100+44.87 грн
500+38.55 грн
1000+33.26 грн
5000+29.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ110N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 51A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+36.44 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ110N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 51A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ110N08NS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ110N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 0.0096 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0096ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 15293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+57.35 грн
250+49.00 грн
1000+34.26 грн
3000+29.48 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ110N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 51A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 25952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
198+61.82 грн
225+54.40 грн
256+47.79 грн
267+44.12 грн
500+38.59 грн
1000+35.12 грн
5000+31.37 грн
10000+29.72 грн
Мінімальне замовлення: 198
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ110N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 22µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 40 V
на замовлення 24680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.67 грн
10+58.68 грн
100+45.25 грн
500+35.38 грн
1000+31.70 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ110N08NS5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; 50W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 40A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ110N08NS5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; 50W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 40A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ110N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 51A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 2220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
634+19.25 грн
658+18.55 грн
1000+17.95 грн
Мінімальне замовлення: 634
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ115N03MSCGATMA1Infineon TechnologiesOld Part BSZ115N03MSCGXT^INFINEON
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ120P03NS3 GInfineon
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ120P03NS3 GInfineon TechnologiesMOSFETs P-Ch -30V -40A TSDSON-8 OptiMOS P3
на замовлення 6681 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+61.38 грн
10+53.48 грн
100+31.77 грн
500+26.49 грн
1000+22.55 грн
2500+21.36 грн
5000+18.08 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ120P03NS3E GInfineon TechnologiesMOSFET P-Ch -30V -40A TSDSON-8 OptiMOS P3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ120P03NS3EGInfineon technologies
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ120P03NS3EGATMA1Infineon TechnologiesMOSFET P-Ch -30V -40A TSDSON-8 OptiMOS P3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ120P03NS3EGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 11A/40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 73µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3360 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ120P03NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ120P03NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+21.13 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ120P03NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+14.76 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ120P03NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+23.13 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ120P03NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ120P03NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 40 A, 0.009 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+75.71 грн
14+63.61 грн
100+40.40 грн
500+31.32 грн
1000+21.97 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ120P03NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+21.28 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ120P03NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 11A/40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 73µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3360 pF @ 15 V
на замовлення 32634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.81 грн
10+41.94 грн
100+29.28 грн
500+22.20 грн
1000+19.23 грн
2000+18.31 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ120P03NS3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESBSZ120P03NS3GATMA1 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ120P03NS3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs P-Ch -30V -40A TSDSON-8 OptiMOS P3
на замовлення 9777 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+69.28 грн
10+46.38 грн
100+27.61 грн
500+23.07 грн
1000+19.27 грн
2500+17.71 грн
5000+16.00 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ120P03NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 9770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
197+62.12 грн
232+52.77 грн
273+44.74 грн
288+40.89 грн
500+32.68 грн
1000+27.19 грн
5000+24.14 грн
Мінімальне замовлення: 197
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ120P03NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+21.83 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ120P03NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ120P03NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 40 A, 0.009 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+40.40 грн
500+31.32 грн
1000+21.97 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ120P03NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 11A/40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 73µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3360 pF @ 15 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+17.23 грн
10000+16.20 грн
15000+15.55 грн
25000+14.38 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ123N08NS3 GInfineon
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ123N08NS3 GInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 10A 8-Pin TSDSON EP
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
116+105.95 грн
121+101.21 грн
250+97.15 грн
500+90.30 грн
1000+80.88 грн
2500+75.35 грн
5000+73.33 грн
Мінімальне замовлення: 116
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ123N08NS3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 80V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 17389 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+124.15 грн
10+85.40 грн
100+57.82 грн
500+48.96 грн
1000+39.89 грн
2500+37.50 грн
5000+35.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ123N08NS3 GInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 10A 8-Pin TSDSON EP
на замовлення 2331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
67+183.89 грн
69+176.88 грн
100+170.88 грн
250+159.78 грн
500+143.92 грн
1000+134.78 грн
Мінімальне замовлення: 67
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ123N08NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 630000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+42.10 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ123N08NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ123N08NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 0.0103 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 66W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 18682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+65.11 грн
500+51.16 грн
1000+38.42 грн
5000+34.49 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ123N08NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 10A/40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 40 V
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+35.81 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ123N08NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ123N08NS3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; 66W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 40A
Power dissipation: 66W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ123N08NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+32.92 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ123N08NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ123N08NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 0.0103 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 66W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 18682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+119.37 грн
10+83.48 грн
100+65.11 грн
500+51.16 грн
1000+38.42 грн
5000+34.49 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ123N08NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+35.42 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ123N08NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 10A/40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 40 V
на замовлення 42466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.08 грн
10+80.92 грн
100+61.03 грн
500+46.73 грн
1000+39.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ123N08NS3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; 66W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 40A
Power dissipation: 66W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ123N08NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 10A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+25.26 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ123N08NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ123N08NS3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 80V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 23544 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+124.15 грн
10+85.40 грн
100+57.82 грн
500+48.96 грн
1000+39.89 грн
2500+37.50 грн
5000+35.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ12DN20NS3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 200V 11.3A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 5866 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+131.96 грн
10+89.00 грн
100+54.47 грн
500+44.50 грн
1000+38.92 грн
2500+38.40 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ12DN20NS3GInfineon TechnologiesDescription: BSZ12DN20 - 12V-300V N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ12DN20NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 11.3A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+43.00 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ12DN20NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 11.3A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 4192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
147+83.37 грн
158+77.48 грн
187+65.28 грн
200+59.52 грн
500+54.93 грн
1000+47.67 грн
2000+44.89 грн
Мінімальне замовлення: 147
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ12DN20NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ12DN20NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 11.3 A, 0.108 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.108ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 9216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+71.79 грн
500+56.51 грн
1000+40.07 грн
5000+39.21 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ12DN20NS3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESBSZ12DN20NS3GATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ12DN20NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 11.3A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ12DN20NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 11.3A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+111.74 грн
10+91.68 грн
25+84.83 грн
100+68.39 грн
250+59.09 грн
500+37.50 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ12DN20NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V
на замовлення 3429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+143.28 грн
10+88.06 грн
100+59.48 грн
500+44.33 грн
1000+40.63 грн
2000+37.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ12DN20NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 11.3A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+59.16 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ12DN20NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ12DN20NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 11.3 A, 0.108 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.108ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 9216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+128.55 грн
10+98.50 грн
100+71.79 грн
500+56.51 грн
1000+40.07 грн
5000+39.21 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ12DN20NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 11.3A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
124+98.73 грн
134+91.35 грн
160+76.38 грн
250+68.72 грн
500+42.07 грн
Мінімальне замовлення: 124
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ12DN20NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 11.3A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+39.93 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ12DN20NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ130N03LS GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 35A TSDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 4943 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+73.45 грн
10+45.53 грн
100+25.67 грн
500+19.72 грн
1000+16.22 грн
5000+14.14 грн
10000+13.10 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ130N03LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 10A/35A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970 pF @ 15 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+15.46 грн
10000+13.77 грн
15000+13.20 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ130N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ130N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 260000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+21.10 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ130N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+13.63 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ130N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+18.21 грн
10000+17.08 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ130N03LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 10A/35A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970 pF @ 15 V
на замовлення 27529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.62 грн
10+40.85 грн
100+26.52 грн
500+19.11 грн
1000+17.24 грн
2000+15.67 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ130N03LSGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ130N03LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 35 A, 0.0108 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+49.17 грн
20+42.49 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ130N03LSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 28A; 25W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 28A
Power dissipation: 25W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ130N03LSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 28A; 25W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 28A
Power dissipation: 25W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ130N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ130N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+19.57 грн
10000+18.35 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ130N03MS GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 35A TSDSON-8 OptiMOS 3M
на замовлення 3709 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+50.35 грн
10+40.05 грн
100+24.63 грн
500+20.02 грн
1000+17.71 грн
2500+15.85 грн
5000+15.78 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ130N03MSGInfineon TechnologiesDescription: BSZ130N03 - 12V-300V N-CHANNEL P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ130N03MSGInfineon technologies
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ130N03MSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 31A; 25W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 31A
Power dissipation: 25W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ130N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ130N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+16.32 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ130N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 4085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
657+18.59 грн
663+18.41 грн
670+18.22 грн
677+17.40 грн
1000+15.72 грн
3000+14.70 грн
Мінімальне замовлення: 657
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ130N03MSGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ130N03MSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 35 A, 0.0092 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0092ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+38.23 грн
23+37.73 грн
100+29.05 грн
500+22.87 грн
1000+18.60 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ130N03MSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 9A/35A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V
на замовлення 13775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.13 грн
10+52.40 грн
100+34.45 грн
500+25.07 грн
1000+22.73 грн
2000+20.76 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ130N03MSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 31A; 25W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 31A
Power dissipation: 25W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ130N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+18.00 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ130N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 4085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+19.46 грн
35+17.27 грн
100+16.48 грн
250+15.11 грн
500+14.36 грн
1000+14.01 грн
3000+13.65 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ130N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+19.34 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ130N03MSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 9A/35A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+19.05 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ130N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 9870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
498+24.51 грн
500+24.40 грн
561+21.76 грн
1000+20.20 грн
2000+18.61 грн
5000+16.73 грн
Мінімальне замовлення: 498
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ146N10LS5Infineon / IRMOSFETs TRENCH >=100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ146N10LS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ146N10LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.0124 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+66.95 грн
100+56.93 грн
500+46.28 грн
1000+38.42 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ146N10LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+35.11 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ146N10LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 4684 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
605+50.46 грн
1000+47.65 грн
Мінімальне замовлення: 605
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ146N10LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ146N10LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 4965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+81.34 грн
160+76.66 грн
173+70.87 грн
200+65.10 грн
500+54.38 грн
1000+52.12 грн
2000+52.03 грн
Мінімальне замовлення: 150
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ146N10LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 41743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
605+50.46 грн
1000+47.65 грн
Мінімальне замовлення: 605
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ146N10LS5ATMA1
Код товару: 208437
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ146N10LS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ146N10LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.0124 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+56.93 грн
500+46.28 грн
1000+38.42 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ146N10LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 50 V
на замовлення 12929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.38 грн
10+66.82 грн
100+52.42 грн
500+41.79 грн
1000+38.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ146N10LS5ATMA1InfineonN-Channel 100 V 40A (Tc) 52W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-FL
на замовлення 14 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
2+268.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ146N10LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
605+50.46 грн
Мінімальне замовлення: 605
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ146N10LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ146N10LS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MV POWER MOS
на замовлення 119529 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+120.67 грн
10+82.92 грн
100+53.50 грн
500+44.80 грн
1000+37.88 грн
5000+37.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ146N10LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ150N10LS3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 40A TSDSON-8
на замовлення 7032 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+130.22 грн
10+97.56 грн
100+65.86 грн
500+55.88 грн
1000+45.54 грн
2500+42.86 грн
5000+40.70 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ150N10LS3GInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
112+109.84 грн
117+104.93 грн
250+100.72 грн
500+93.62 грн
1000+83.86 грн
2500+78.12 грн
5000+76.02 грн
Мінімальне замовлення: 112
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ150N10LS3GInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
104+117.92 грн
108+113.92 грн
250+110.47 грн
500+103.62 грн
1000+93.60 грн
2500+87.88 грн
Мінімальне замовлення: 104
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ150N10LS3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 40A TSDSON-8
на замовлення 34053 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+145.85 грн
10+98.41 грн
100+61.32 грн
250+60.80 грн
500+48.82 грн
1000+45.17 грн
5000+45.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ150N10LS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
189+64.57 грн
223+54.81 грн
Мінімальне замовлення: 189
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ150N10LS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ150N10LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.013 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 19784 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+103.51 грн
50+78.72 грн
250+65.78 грн
1000+49.69 грн
3000+44.08 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ150N10LS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+44.25 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ150N10LS3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESBSZ150N10LS3GATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ150N10LS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+64.09 грн
11+60.29 грн
25+59.99 грн
100+41.38 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ150N10LS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 8A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ150N10LS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ150N10LS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ150N10LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.013 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 19784 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+78.72 грн
250+65.78 грн
1000+49.69 грн
3000+44.08 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ150N10LS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V
на замовлення 8919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+151.33 грн
10+93.33 грн
100+63.23 грн
500+47.27 грн
1000+45.10 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ150N10LS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ15DC02KD HInfineon TechnologiesMOSFETs SMALL SIGNAL+P-CH
на замовлення 14558 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+106.78 грн
10+74.02 грн
100+50.08 грн
500+42.42 грн
1000+34.60 грн
2500+32.52 грн
5000+30.96 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ15DC02KDHXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ15DC02KDHXTMA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.041 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.041ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.041ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 19882 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+62.02 грн
500+48.76 грн
1000+34.56 грн
5000+33.13 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ15DC02KDHXTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N/P-CH 20V 5.1A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A, 3.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 419pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 5.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.79 грн
10+62.55 грн
100+46.64 грн
500+36.28 грн
1000+32.68 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ15DC02KDHXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH 20V 5.1A/3.2A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
154+79.41 грн
162+75.75 грн
181+67.62 грн
200+62.65 грн
500+57.83 грн
1000+51.77 грн
2000+49.58 грн
5000+48.63 грн
Мінімальне замовлення: 154
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ15DC02KDHXTMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 5.1/-3.2A; 2.5W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 5.1/-3.2A
Power dissipation: 2.5W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 63/164mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ15DC02KDHXTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs SMALL SIGNAL+P-CH
на замовлення 4224 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+96.37 грн
10+66.92 грн
25+58.04 грн
100+45.02 грн
250+44.95 грн
500+38.03 грн
1000+34.01 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ15DC02KDHXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH 20V 5.1A/3.2A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+30.08 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ15DC02KDHXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ15DC02KDHXTMA1 - Dual-MOSFET, 25W, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 5.1 A, 3.2 A, 0.055 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.15ohm
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2 + OptiMOS P 2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.055ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 16251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+100.17 грн
12+70.04 грн
100+55.01 грн
500+43.41 грн
1000+33.20 грн
5000+32.99 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ15DC02KDHXTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N/P-CH 20V 5.1A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A, 3.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 419pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 5.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ15DC02KDHXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH 20V 5.1A/3.2A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ15DC02KDHXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH 20V 5.1A/3.2A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 1651 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
163+75.01 грн
171+71.64 грн
201+60.72 грн
250+56.90 грн
500+45.38 грн
1000+34.97 грн
Мінімальне замовлення: 163
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ15DC02KDHXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH 20V 5.1A/3.2A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+32.33 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ15DC02KDHXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH 20V 5.1A/3.2A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 1651 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+85.75 грн
10+69.65 грн
25+66.53 грн
100+54.37 грн
250+48.93 грн
500+40.46 грн
1000+32.47 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ15DC02KDHXTMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 5.1/-3.2A; 2.5W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 5.1/-3.2A
Power dissipation: 2.5W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 63/164mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 2
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ15DC02KDHXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH 20V 5.1A/3.2A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+33.08 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Bsz160HBEFuse: time-lag; glass type; current: 160mA; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: 0218.160MXP; 179120.0.16; 0034.3109 Fuse: time-lag; 160mA Bsz160
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 800 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+2.82 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ160N10NS3 G
Код товару: 66694
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ160N10NS3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 28151 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+131.09 грн
10+98.41 грн
100+66.30 грн
500+56.18 грн
1000+45.84 грн
2500+43.16 грн
5000+41.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ160N10NS3GInfineon technologies
на замовлення 695 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ160N10NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 2177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
120+102.18 грн
122+100.28 грн
166+73.83 грн
250+70.49 грн
500+52.74 грн
1000+38.85 грн
Мінімальне замовлення: 120
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ160N10NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ160N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.014 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+77.30 грн
500+60.85 грн
1000+43.93 грн
5000+43.86 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ160N10NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 8A/40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 12µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 50 V
на замовлення 9938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.30 грн
10+83.41 грн
100+62.59 грн
500+47.96 грн
1000+43.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ160N10NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 2177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+115.07 грн
10+94.88 грн
25+93.11 грн
100+66.11 грн
250+60.61 грн
500+47.01 грн
1000+36.07 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ160N10NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+42.46 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ160N10NS3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 4578 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+114.60 грн
10+89.00 грн
25+75.90 грн
100+59.23 грн
250+58.12 грн
500+48.82 грн
1000+44.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ160N10NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 8A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+32.64 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ160N10NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ160N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.014 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+138.57 грн
10+104.35 грн
100+77.30 грн
500+60.85 грн
1000+43.93 грн
5000+43.86 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ160N10NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 8A/40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 12µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+40.23 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ160N10NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+39.29 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ160N10NS3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; 63W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Power dissipation: 63W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ160N10NS3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; 63W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Power dissipation: 63W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ160N10NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+46.21 грн
10000+44.09 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ160N10NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+49.76 грн
10000+47.49 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ165N04NS GInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 8.9A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ165N04NS GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 31A TSDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 2646 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ165N04NSG
на замовлення 10080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ165N04NSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 8.9A/31A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta), 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ165N04NSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 31A TSDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 1598 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ165N04NSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 8.9A/31A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta), 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ16DN25NS3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 250V 10.9A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 9868 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+152.80 грн
10+125.80 грн
100+86.32 грн
250+80.37 грн
500+72.70 грн
1000+62.14 грн
2500+59.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ16DN25NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 10.9A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ16DN25NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 10.9A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+59.90 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ16DN25NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ16DN25NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 10.9 A, 0.146 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.146ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 33097 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+89.32 грн
500+63.95 грн
1000+50.44 грн
5000+49.59 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ16DN25NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 10.9A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 20768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
95+129.13 грн
102+119.98 грн
120+101.68 грн
200+92.84 грн
500+85.70 грн
1000+74.34 грн
2000+70.07 грн
5000+68.33 грн
10000+66.23 грн
Мінімальне замовлення: 95
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ16DN25NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 32µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 100 V
на замовлення 4801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+167.43 грн
10+105.03 грн
100+79.40 грн
500+59.88 грн
1000+53.84 грн
2000+51.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ16DN25NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 10.9A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ16DN25NS3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 250V 10.9A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 4949 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+175.37 грн
10+119.81 грн
25+96.74 грн
100+79.62 грн
250+78.13 грн
500+63.10 грн
1000+55.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ16DN25NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ16DN25NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 10.9 A, 0.146 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.146ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 33097 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+162.78 грн
10+116.87 грн
100+89.32 грн
500+63.95 грн
1000+50.44 грн
5000+49.59 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ16DN25NS3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESBSZ16DN25NS3GATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ16DN25NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 32µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ180P03NS3 GInfineon TechnologiesMOSFETs P-Ch -30V -39.6A TSDSON-8 OptiMOS P3
на замовлення 14495 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+75.10 грн
10+49.38 грн
100+29.62 грн
500+25.23 грн
1000+21.65 грн
2500+19.87 грн
5000+18.75 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ180P03NS3 GInfineon
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ180P03NS3E GInfineon TechnologiesMOSFETs P-Ch -30V -39.6A TSDSON-8 OptiMOS P3
на замовлення 4704 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+56.08 грн
10+42.96 грн
100+27.83 грн
500+21.95 грн
1000+16.89 грн
2500+15.92 грн
5000+13.47 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ180P03NS3EGATMAINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -39.6A; 40W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -39.6A
On-state resistance: 18mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 40W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ P3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Case: PG-TSDSON-8
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ180P03NS3EGATMAINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -39.6A; 40W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -39.6A
On-state resistance: 18mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 40W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ P3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Case: PG-TSDSON-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ180P03NS3EGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+14.34 грн
10000+14.27 грн
15000+14.25 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ180P03NS3EGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 9A/39.5A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 39.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2220 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ180P03NS3EGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+13.22 грн
10000+13.14 грн
15000+13.13 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ180P03NS3EGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ180P03NS3EGATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs P-Ch -30V -39.6A TSDSON-8 OptiMOS P3
на замовлення 13440 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+52.00 грн
10+36.54 грн
100+22.25 грн
500+17.78 грн
1000+14.96 грн
10000+14.66 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ180P03NS3EGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 4960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
751+16.25 грн
789+15.48 грн
790+15.45 грн
792+14.86 грн
1000+13.72 грн
3000+13.14 грн
Мінімальне замовлення: 751
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ180P03NS3EGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ180P03NS3EGATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 39.6 A, 0.0135 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 26519 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+31.30 грн
500+21.01 грн
1000+15.03 грн
5000+11.95 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ180P03NS3EGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 475000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+20.16 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ180P03NS3EGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 4960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+15.85 грн
40+15.23 грн
41+15.09 грн
100+13.86 грн
250+12.81 грн
500+12.26 грн
1000+12.23 грн
3000+12.20 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ180P03NS3EGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 9A/39.5A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 39.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2220 pF @ 15 V
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.96 грн
10+38.76 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ180P03NS3EGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+15.28 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ180P03NS3EGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
564+21.66 грн
567+21.56 грн
Мінімальне замовлення: 564
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ180P03NS3EGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ180P03NS3EGATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 39.6 A, 0.0135 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 26519 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+54.09 грн
20+41.99 грн
100+31.30 грн
500+21.01 грн
1000+15.03 грн
5000+11.95 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ180P03NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+21.11 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ180P03NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ180P03NS3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs P-Ch -30V -39.6A TSDSON-8 OptiMOS P3
на замовлення 6633 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+65.98 грн
10+45.61 грн
25+36.69 грн
100+27.09 грн
500+22.62 грн
1000+19.05 грн
2500+17.49 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ180P03NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ180P03NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 39.6 A, 0.0135 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+58.43 грн
50+36.98 грн
250+30.80 грн
1000+21.78 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ180P03NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 9A/39.6A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 39.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2220 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ180P03NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
174+70.25 грн
273+44.74 грн
319+38.34 грн
337+35.01 грн
500+30.32 грн
1000+27.37 грн
2000+25.80 грн
5000+24.05 грн
Мінімальне замовлення: 174
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ180P03NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+14.76 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ180P03NS3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -39.6A; 40W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -39.6A
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 40W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ P3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Case: PG-TSDSON-8
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ180P03NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+19.64 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ180P03NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ180P03NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 39.6 A, 0.0135 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 40W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TSDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0135ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+36.98 грн
250+30.80 грн
1000+21.78 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ180P03NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ180P03NS3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -39.6A; 40W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -39.6A
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 40W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ P3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Case: PG-TSDSON-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ180P03NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 9A/39.6A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 39.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2220 pF @ 15 V
на замовлення 7639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.03 грн
10+43.56 грн
100+29.72 грн
500+22.61 грн
1000+19.59 грн
2000+18.64 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ180P03NS3GATMA1 (BSZ180P03NS3 G)
Код товару: 191392
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Bsz200HBEFuse: time-lag; glass type; current: 200mA; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: 0218.200MXP; 179120.0,2 Fuse: time-lag; 200mA Bsz200
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 525 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+2.82 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
Bsz200HBEFuse: time-lag; glass type; current: 200mA; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: 0218.200MXP; 179120.0,2 Fuse: time-lag; 200mA Bsz200
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+2.82 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ215CHXTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N/P-CH 20V 5.1A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A, 3.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 419pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 5.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+139.26 грн
10+85.27 грн
100+57.47 грн
500+43.19 грн
1000+40.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ215CHXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ215CHXTMA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.041 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.041ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.041ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 25615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+67.12 грн
500+45.89 грн
1000+36.28 грн
5000+34.77 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ215CHXTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N/P-CH 20V 5.1A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A, 3.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 419pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 5.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+36.17 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ215CHXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH 20V 5.1A/3.2A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ215CHXTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs SMALL SIGNAL+P-CH
на замовлення 4689 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+153.66 грн
10+96.70 грн
25+78.13 грн
100+55.74 грн
250+54.84 грн
500+44.72 грн
1000+39.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ215CHXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ215CHXTMA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.041 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.041ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.041ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 25615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+151.93 грн
10+98.50 грн
100+67.12 грн
500+45.89 грн
1000+36.28 грн
5000+34.77 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ22DN20NS3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 200V 7A TSDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 13702 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+89.42 грн
10+72.40 грн
100+49.04 грн
500+41.60 грн
1000+33.86 грн
2500+31.92 грн
5000+30.29 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ22DN20NS3GInfineon TechnologiesDescription: BSZ22DN20 - 12V-300V N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ22DN20NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 7A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ22DN20NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 7A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 100 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+28.44 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ22DN20NS3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESBSZ22DN20NS3GATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ22DN20NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 7A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+31.86 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ22DN20NS3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 200V 7A TSDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 6424 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+118.07 грн
10+75.99 грн
100+45.32 грн
500+36.17 грн
1000+30.73 грн
5000+30.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ22DN20NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 7A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 100 V
на замовлення 6471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.94 грн
10+59.14 грн
100+46.01 грн
500+34.36 грн
1000+30.87 грн
2000+30.58 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ240N12NS3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 120V 37A TSDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 4230 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+158.87 грн
10+102.69 грн
100+60.05 грн
250+59.98 грн
500+47.62 грн
1000+42.34 грн
5000+38.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ240N12NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 120V 37A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 60 V
на замовлення 2555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+140.87 грн
10+86.66 грн
100+58.52 грн
500+43.61 грн
1000+40.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ240N12NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 37A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ240N12NS3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 37A; 66W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 66W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 37A
On-state resistance: 24mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ240N12NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 120V 37A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ240N12NS3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 37A; 66W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 66W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 37A
On-state resistance: 24mΩ
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Bsz250HBEFuse: time-lag; glass type; current: 250mA; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: 0218.250MXP; 179120.0,25; 0034.3111 Fuse: time-lag; 250mA Bsz250
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+2.82 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
Bsz250HBEFuse: time-lag; glass type; current: 250mA; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: 0218.250MXP; 179120.0,25; 0034.3111 Fuse: time-lag; 250mA Bsz250
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 450 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+2.82 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ300N15NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 32A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+62.85 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ300N15NS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MV POWER MOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ300N15NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 32A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 32µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 75 V
на замовлення 8161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+197.21 грн
10+123.02 грн
100+84.65 грн
500+64.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ300N15NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 32A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 32µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 75 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+58.75 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Bsz315HBEFuse: time-lag; glass type; current: 315mA; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: 0218.315MXP; 179120.0,315; 0034.3112 Fuse: time-lag; 315mA Bsz315
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+2.82 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
Bsz315HBEFuse: time-lag; glass type; current: 315mA; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: 0218.315MXP; 179120.0,315; 0034.3112 Fuse: time-lag; 315mA Bsz315
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+2.82 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
Bsz315HBEFuse: time-lag; glass type; current: 315mA; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: 0218.315MXP; 179120.0,315; 0034.3112 Fuse: time-lag; 315mA Bsz315
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+2.82 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ340N08NS3 GInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 6A 8-Pin TSDSON EP
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
264+46.23 грн
275+44.37 грн
500+42.77 грн
1000+39.89 грн
2500+35.85 грн
5000+33.49 грн
Мінімальне замовлення: 264
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ340N08NS3 G
Код товару: 194005
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ340N08NS3 GInfineon
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ340N08NS3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 80V 23A TSDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 47105 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+74.23 грн
10+49.55 грн
100+29.77 грн
500+25.67 грн
1000+21.80 грн
2500+20.31 грн
5000+19.20 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ340N08NS3GInfineon technologies
на замовлення 792 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ340N08NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 6A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
288+42.42 грн
315+38.78 грн
317+38.58 грн
500+30.30 грн
1000+26.20 грн
5000+22.31 грн
Мінімальне замовлення: 288
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ340N08NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 6A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ340N08NS3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 80V 23A TSDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 17503 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+37.16 грн
100+30.12 грн
500+21.95 грн
1000+19.12 грн
2500+18.75 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ340N08NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 6A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+58.51 грн
12+51.65 грн
25+51.13 грн
100+38.11 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ340N08NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 6A/23A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 12µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 40 V
на замовлення 38558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.42 грн
10+49.53 грн
100+33.77 грн
500+25.52 грн
1000+23.15 грн
2000+21.16 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ340N08NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ340N08NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 23 A, 0.027 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 77601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+50.17 грн
18+48.33 грн
100+33.64 грн
500+24.03 грн
1000+18.75 грн
5000+16.89 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ340N08NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 6A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+44.06 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ340N08NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 6A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+20.66 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ340N08NS3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESBSZ340N08NS3GATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ340N08NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 6A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ340N08NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 6A/23A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 12µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 40 V
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+18.93 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ340N08NS3GATMA2Infineon TechnologiesSP001171262
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Bsz400HBEFuse: time-lag; glass type; current: 400mA; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: 0218.400MXP; 179120.0,4; 0034.3113 Fuse: time-lag; 400mA Bsz400
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 1923 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+2.82 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ42DN25NS3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 250V 5A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 5455 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+100.71 грн
10+81.98 грн
100+55.14 грн
500+46.73 грн
1000+38.10 грн
5000+33.78 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ42DN25NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 250V 5A TSDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 425mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 100 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+34.80 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ42DN25NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ42DN25NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 5 A, 0.371 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 33.8W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33.8W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.371ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.371ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 9465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+133.56 грн
10+106.85 грн
100+79.72 грн
500+62.17 грн
1000+44.29 грн
2500+42.86 грн
5000+41.43 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ42DN25NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 5A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+88.20 грн
10+73.21 грн
25+72.61 грн
100+55.16 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ42DN25NS3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 250V 5A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 26417 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+94.63 грн
10+68.03 грн
100+43.01 грн
500+37.43 грн
1000+33.78 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ42DN25NS3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESBSZ42DN25NS3GATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ42DN25NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 250V 5A TSDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 425mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 100 V
на замовлення 16612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.72 грн
10+59.14 грн
100+45.80 грн
500+40.28 грн
1000+36.17 грн
2000+34.25 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ42DN25NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 5A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ42DN25NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 5A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ42DN25NS3GATMA1Infineon TechnologiesN-канальний ПТ; Udss, В = 250; Id = 5 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 430 @ 100; Qg, нКл = 5,5 @ 10 В; Rds = 425 мОм @ 2,5 A, 10 В; Ugs(th) = 4 В @ 13 мкА; Р, Вт = 33,8; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; PG-TSDSON-8
на замовлення 5 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ440N10NS3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 18A TSDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 82368 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+73.45 грн
10+54.43 грн
100+32.22 грн
500+26.94 грн
1000+22.92 грн
2500+20.76 грн
5000+19.27 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ440N10NS3 GInfineon
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ440N10NS3G
Код товару: 155825
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ440N10NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 5.3A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ440N10NS3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 18A; 29W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 18A
Power dissipation: 29W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
на замовлення 5899 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+107.69 грн
7+57.05 грн
24+38.37 грн
66+36.28 грн
1000+35.81 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ440N10NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 5.3A/18A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 12µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 50 V
на замовлення 9985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+18.77 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ440N10NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 5.3A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+21.79 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ440N10NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 5.3A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ440N10NS3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 18A TSDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 54278 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+53.65 грн
10+41.68 грн
100+26.94 грн
500+23.14 грн
1000+20.69 грн
2500+20.54 грн
5000+18.45 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ440N10NS3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 18A; 29W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 18A
Power dissipation: 29W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5899 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+129.22 грн
5+71.09 грн
24+46.04 грн
66+43.53 грн
1000+42.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ440N10NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ440N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 18 A, 0.038 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 111958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+68.62 грн
15+56.18 грн
100+37.48 грн
500+24.88 грн
1000+19.10 грн
5000+18.32 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ440N10NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 5.3A/18A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 12µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 50 V
на замовлення 15628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.91 грн
10+38.14 грн
100+27.91 грн
500+23.04 грн
1000+19.96 грн
2000+19.76 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
Bsz500HBEFuse: time-lag; glass type; current: 500mA; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: BK1/S506-500-R; 0213.500MXP; 179120.0,5; 0034.3114; 522.514 Fuse: time-lag; 500mA Bsz500
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3670 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+2.82 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ520N15NS3 GInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 1040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
98+125.14 грн
103+119.55 грн
250+114.75 грн
500+106.66 грн
1000+95.53 грн
Мінімальне замовлення: 98
В кошику  од. на суму  грн.