Продукція > BSZ

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
BSZ-1NeutrikPhone Connectors Colored boot - Easycon -Brown
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ009NE2LS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ009NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 700 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+150.68 грн
10+128.67 грн
100+102.43 грн
500+79.39 грн
1000+63.34 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ009NE2LS5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Case: PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ009NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 39A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 12 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+81.10 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ009NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 3865 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+146.14 грн
10+124.96 грн
25+102.63 грн
100+91.31 грн
250+89.04 грн
500+76.22 грн
1000+65.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ009NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 39A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 12 V
на замовлення 9540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+193.46 грн
10+168.21 грн
25+150.20 грн
100+126.85 грн
250+112.76 грн
500+98.66 грн
1000+80.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ009NE2LS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ009NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 700 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 69W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 700µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+102.43 грн
500+79.39 грн
1000+63.34 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ010NE2LS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ010NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 0.001 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+143.91 грн
10+117.67 грн
100+108.35 грн
500+84.89 грн
1000+71.11 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ010NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 32A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 12 V
на замовлення 3638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+193.46 грн
10+140.78 грн
25+127.06 грн
100+103.44 грн
250+95.04 грн
500+89.61 грн
1000+83.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ010NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 32A T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ010NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 32A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ010NE2LS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ010NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 800 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 69W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 800µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+108.35 грн
500+84.89 грн
1000+71.11 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ010NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 2090 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+141.74 грн
10+111.95 грн
100+91.31 грн
250+84.52 грн
500+79.23 грн
1000+71.99 грн
5000+71.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ011NE2LS5IATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 35A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 12 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+88.75 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ011NE2LS5IATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ011NE2LS5IATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 820 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 820µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ011NE2LS5IATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ011NE2LS5IATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 820 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 69W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 820µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 820µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ011NE2LS5IATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 8839 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+117.09 грн
10+101.53 грн
25+76.97 грн
100+72.67 грн
250+70.63 грн
500+69.27 грн
1000+67.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ011NE2LS5IATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 35A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 12 V
на замовлення 14374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+148.56 грн
10+123.49 грн
25+116.55 грн
100+100.46 грн
250+95.09 грн
500+91.30 грн
1000+86.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ013NE2LS5IATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 2230 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+142.62 грн
10+102.40 грн
100+65.95 грн
500+51.61 грн
1000+46.71 грн
5000+42.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ013NE2LS5IATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 32A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 12 V
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+50.13 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ013NE2LS5IATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ013NE2LS5IATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 0.0011 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 69W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0011ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+57.14 грн
500+43.39 грн
1000+36.79 грн
5000+36.71 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ013NE2LS5IATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ013NE2LS5IATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 0.0011 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+102.43 грн
11+80.00 грн
100+57.14 грн
500+43.39 грн
1000+36.79 грн
5000+36.71 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ013NE2LS5IATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 32A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 12 V
на замовлення 34638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+146.11 грн
10+97.08 грн
100+74.18 грн
500+56.51 грн
1000+50.84 грн
2000+47.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ014NE2LS5IFATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 40A
On-state resistance: 1.45mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ014NE2LS5IFATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 31A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 20A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 12 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+54.31 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ014NE2LS5IFATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 31A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ014NE2LS5IFATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 9976 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+95.08 грн
10+78.88 грн
100+60.22 грн
250+60.07 грн
500+54.03 грн
1000+52.14 грн
2500+52.07 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ014NE2LS5IFATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 40A
On-state resistance: 1.45mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ014NE2LS5IFATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 31A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 20A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 12 V
на замовлення 26590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+121.63 грн
10+88.04 грн
100+73.50 грн
500+55.22 грн
1000+50.79 грн
2000+49.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ014NE2LS5IFATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 31A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ017NE2LS5IATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 27A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 12 V
на замовлення 9175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+97.95 грн
10+71.92 грн
100+53.03 грн
500+39.40 грн
1000+36.34 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ017NE2LS5IATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 4965 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+107.41 грн
10+80.44 грн
25+66.63 грн
100+54.11 грн
250+54.03 грн
500+42.86 грн
1000+37.81 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ017NE2LS5IATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 25V
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ017NE2LS5IATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 27A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 12 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+32.86 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ018N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 27A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ018N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 27A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ018N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 27A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 20 V
на замовлення 10518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+170.60 грн
10+124.20 грн
25+112.03 грн
100+91.04 грн
250+83.55 грн
500+78.70 грн
1000+73.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ018N04LS6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ018N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0016 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TSDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0016ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 9795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+129.52 грн
500+104.54 грн
1000+83.44 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ018N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 27A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+73.75 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ018N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 27A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ018N04LS6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ018N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0016 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 9795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+236.18 грн
10+162.53 грн
100+129.52 грн
500+104.54 грн
1000+83.44 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ018N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 40290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+118.85 грн
10+96.33 грн
25+81.50 грн
100+69.95 грн
250+68.59 грн
500+61.73 грн
1000+53.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ018NE2LSInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 23A TSDSON-8
на замовлення 22633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ018NE2LSInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 25V 40A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 7543 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+95.96 грн
10+66.65 грн
100+45.13 грн
500+35.77 грн
1000+30.11 грн
2500+29.28 грн
5000+27.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ018NE2LSInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 23A TSDSON-8
на замовлення 22633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ018NE2LSInfineon technologies
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ018NE2LSInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 23A TSDSON-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ018NE2LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ018NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 153 A, 0.0018 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 153A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 12073 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+117.67 грн
10+89.73 грн
100+69.84 грн
500+49.29 грн
1000+37.95 грн
5000+34.03 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ018NE2LSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 40A
On-state resistance: 1.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4971 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+67.04 грн
10+63.67 грн
49+59.43 грн
50+58.48 грн
100+56.60 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ018NE2LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 23A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 12 V
на замовлення 5982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.18 грн
10+72.63 грн
100+48.55 грн
500+35.86 грн
1000+32.74 грн
2000+30.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ018NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 23A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ018NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 23A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+35.39 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ018NE2LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ018NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 153 A, 0.0018 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 153A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 12073 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+69.84 грн
500+49.29 грн
1000+37.95 грн
5000+34.03 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ018NE2LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 23A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 12 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+30.17 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ018NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 23A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ018NE2LSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 40A
On-state resistance: 1.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 4971 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+55.87 грн
10+51.09 грн
49+49.52 грн
50+48.73 грн
100+47.16 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ018NE2LSIInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 25V 40A TSDSON-8 OptiMOS
на замовлення 65517 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+115.33 грн
10+77.41 грн
100+54.26 грн
250+53.80 грн
500+47.16 грн
1000+44.60 грн
2500+44.52 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ018NE2LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 22A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ018NE2LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 22A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+43.31 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ018NE2LSIATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ018NE2LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 0.0015 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 11861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+88.04 грн
500+62.18 грн
1000+52.31 грн
5000+52.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ018NE2LSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 22A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 12 V
на замовлення 24323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+158.36 грн
10+98.10 грн
100+66.77 грн
500+50.06 грн
1000+46.01 грн
2000+42.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ018NE2LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 22A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ018NE2LSIATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 40A
On-state resistance: 1.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ018NE2LSIATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ018NE2LSIATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 40A
On-state resistance: 1.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ018NE2LSIATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ018NE2LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 0.0015 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 11861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+136.29 грн
10+106.66 грн
100+88.04 грн
500+62.18 грн
1000+52.31 грн
5000+52.24 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ018NE2LSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 22A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 12 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+45.21 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ018NE2LSIXTInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 25V 40A TSDSON-8 OptiMOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ019N03LSInfineon technologies
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ019N03LSInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 12758 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+153.18 грн
10+102.40 грн
100+67.69 грн
250+58.41 грн
500+56.07 грн
1000+53.80 грн
5000+45.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ019N03LSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
On-state resistance: 1.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ019N03LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ019N03LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 149 A, 0.0019 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 149A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 4969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+60.44 грн
500+46.14 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ019N03LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 22A . 40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta). 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+50.20 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ019N03LSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
On-state resistance: 1.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ019N03LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ019N03LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ019N03LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 149 A, 0.0019 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 149A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 69W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0016ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 4969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+83.80 грн
12+75.17 грн
100+60.44 грн
500+46.14 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ019N03LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 13720 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+83.20 грн
10+63.78 грн
25+55.39 грн
100+44.52 грн
250+44.07 грн
500+39.09 грн
1000+36.67 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ019N03LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 22A . 40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta). 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V
на замовлення 32745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.22 грн
10+92.20 грн
100+65.49 грн
500+50.31 грн
1000+46.67 грн
2000+45.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ019N03LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+35.39 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ021N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 25A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ021N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 10655 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+101.24 грн
10+81.31 грн
100+61.35 грн
500+56.07 грн
1000+46.86 грн
2500+43.24 грн
5000+40.90 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ021N04LS6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ021N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 147 A, 0.0018 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 147A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 16325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+116.82 грн
500+91.97 грн
1000+72.34 грн
2500+69.29 грн
5000+67.91 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ021N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 25A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+52.83 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ021N04LS6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ021N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 147 A, 0.0018 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 147A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 16325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+193.85 грн
10+146.45 грн
100+116.82 грн
500+91.97 грн
1000+72.34 грн
2500+69.29 грн
5000+67.91 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ021N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 25A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 20 V
на замовлення 12086 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.01 грн
10+92.28 грн
25+87.06 грн
100+74.96 грн
250+70.92 грн
500+68.06 грн
1000+64.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ023N04LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 22A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2630 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ023N04LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 22A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2630 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ023N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ023N04LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 40A TSDSON-8 FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ024N04LS6Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ024N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 24A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ024N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 24A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 20 V
на замовлення 83163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+92.24 грн
10+76.48 грн
25+72.19 грн
100+62.12 грн
250+58.75 грн
500+56.36 грн
1000+53.22 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ024N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 24A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 200000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+71.91 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ024N04LS6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ024N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 130 A, 0.0021 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 37186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+121.05 грн
10+93.12 грн
100+71.95 грн
500+51.01 грн
1000+41.21 грн
5000+32.65 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ024N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 24A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 20 V
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+43.70 грн
10000+40.50 грн
15000+39.62 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ024N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 24A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 4818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+292.12 грн
86+142.43 грн
95+129.95 грн
117+101.24 грн
200+88.36 грн
500+84.56 грн
1000+75.12 грн
2000+70.13 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ024N04LS6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ024N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 130 A, 0.0021 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 37186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+71.95 грн
500+51.01 грн
1000+41.21 грн
5000+32.65 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ024N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 3052 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+87.95 грн
10+74.63 грн
25+61.27 грн
100+56.14 грн
250+53.12 грн
500+49.12 грн
1000+43.31 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ024N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 24A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ025N04LSInfineon TechnologiesMOSFETs MV POWER MOS
на замовлення 5917 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+122.37 грн
10+98.93 грн
100+67.08 грн
500+56.82 грн
1000+46.33 грн
2500+43.62 грн
5000+41.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ025N04LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ025N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.002 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 23114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+103.27 грн
11+81.69 грн
100+56.46 грн
500+42.92 грн
1000+36.35 грн
5000+36.28 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ025N04LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MV POWER MOS
на замовлення 16649 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+107.41 грн
10+83.31 грн
100+50.03 грн
500+43.16 грн
1000+41.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ025N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 22A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ025N04LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 22A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3680 pF @ 20 V
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.18 грн
10+84.81 грн
100+59.24 грн
500+47.90 грн
1000+42.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ025N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 22A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ025N04LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ025N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.002 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 23114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+56.46 грн
500+42.92 грн
1000+36.35 грн
5000+36.28 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ025N04LSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ025N04LSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ025N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 22A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+38.56 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ025N04LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 22A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3680 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ028N04LSInfineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 2246 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+102.12 грн
10+67.86 грн
100+41.50 грн
500+37.13 грн
1000+32.98 грн
5000+28.00 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ028N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+28.17 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ028N04LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 21A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 63W (Tc)
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+29.13 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ028N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+36.82 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ028N04LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ028N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0022 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+99.04 грн
12+76.69 грн
100+55.36 грн
500+43.63 грн
1000+35.84 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ028N04LSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 20A; 50W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 20A
On-state resistance: 2.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ028N04LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 7029 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+88.92 грн
10+61.35 грн
25+49.50 грн
100+40.45 грн
250+38.86 грн
500+32.45 грн
1000+27.17 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ028N04LSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 20A; 50W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 20A
On-state resistance: 2.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ028N04LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 21A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 63W (Tc)
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 20 V
на замовлення 7414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+112.65 грн
10+68.54 грн
100+45.61 грн
500+33.56 грн
1000+29.76 грн
2000+28.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ028N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
167+73.38 грн
177+69.10 грн
209+58.71 грн
213+55.43 грн
500+51.23 грн
1000+49.01 грн
5000+46.30 грн
Мінімальне замовлення: 167
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ028N04LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ028N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0022 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+55.36 грн
500+43.63 грн
1000+35.84 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ031NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 19A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ031NE2LS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ031NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 0.0031 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 12124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+88.04 грн
15+58.92 грн
100+44.61 грн
500+31.99 грн
1000+24.38 грн
5000+22.93 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ031NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 19A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 12 V
на замовлення 2008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+80.81 грн
10+52.35 грн
100+39.60 грн
500+29.98 грн
1000+26.46 грн
2000+25.80 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ031NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 7989 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+92.44 грн
10+61.53 грн
100+40.45 грн
500+32.75 грн
1000+27.77 грн
2500+27.39 грн
5000+25.20 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ031NE2LS5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Case: PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ031NE2LS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ031NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 0.0031 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 12124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+44.61 грн
500+31.99 грн
1000+24.38 грн
5000+22.93 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ033NE2LS5Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ033NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 18A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ033NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+117.09 грн
10+75.58 грн
100+45.20 грн
250+44.60 грн
500+35.47 грн
1000+29.73 грн
2500+29.66 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ033NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
181+67.59 грн
260+47.21 грн
275+44.60 грн
500+35.70 грн
1000+30.21 грн
Мінімальне замовлення: 181
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ033NE2LS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ033NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 0.0027 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 30W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0027ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4079 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+50.28 грн
500+37.18 грн
1000+29.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ033NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ033NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 18A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ033NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ033NE2LS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ033NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 0.0027 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4079 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+108.35 грн
12+70.77 грн
100+50.28 грн
500+37.18 грн
1000+29.24 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ033NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ034N04LSInfineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 7758 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+95.08 грн
10+63.70 грн
100+42.03 грн
500+35.54 грн
1000+28.98 грн
2500+27.32 грн
5000+25.96 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ034N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 4407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+90.69 грн
13+56.00 грн
25+53.18 грн
100+39.72 грн
250+36.32 грн
500+30.56 грн
1000+27.19 грн
3000+25.93 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ034N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+27.96 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ034N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+26.85 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ034N04LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 19A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 30680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.73 грн
10+46.14 грн
100+35.11 грн
500+30.64 грн
1000+27.32 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ034N04LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 6357 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+87.86 грн
10+54.15 грн
25+45.73 грн
100+35.54 грн
250+35.32 грн
500+31.92 грн
1000+27.84 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ034N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 6490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
713+42.94 грн
1000+39.59 грн
Мінімальне замовлення: 713
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ034N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
713+42.94 грн
1000+39.59 грн
Мінімальне замовлення: 713
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ034N04LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ034N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0027 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4654 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+49.01 грн
250+38.60 грн
1000+28.22 грн
3000+25.54 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ034N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+29.96 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ034N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 7419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
246+49.90 грн
320+38.32 грн
342+35.79 грн
500+33.02 грн
1000+28.54 грн
Мінімальне замовлення: 246
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ034N04LSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 52W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Power dissipation: 52W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ034N04LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 19A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+25.47 грн
10000+24.02 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ034N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+28.66 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ034N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
713+42.94 грн
1000+39.59 грн
10000+35.31 грн
Мінімальне замовлення: 713
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ034N04LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ034N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0027 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4654 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+84.65 грн
50+49.01 грн
250+38.60 грн
1000+28.22 грн
3000+25.54 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ034N04LSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 52W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Power dissipation: 52W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ034N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+30.79 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ034N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 4407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
235+52.26 грн
247+49.63 грн
319+38.44 грн
323+36.62 грн
500+29.71 грн
1000+25.38 грн
3000+24.20 грн
Мінімальне замовлення: 235
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ035N03LSINFINEONQFN
на замовлення 158 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ035N03LS GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 2928 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+148.78 грн
10+99.80 грн
100+66.71 грн
500+53.35 грн
1000+46.48 грн
5000+39.47 грн
10000+36.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ035N03LS GInfineonQFN
на замовлення 365 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ035N03LSGATMA1
Код товару: 129555
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ035N03LSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ035N03LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 20A/40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 15 V
на замовлення 1770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.83 грн
10+68.46 грн
100+45.72 грн
500+33.75 грн
1000+30.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ035N03LSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ035N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+28.70 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ035N03LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 20A/40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ035N03MS
на замовлення 2080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ035N03MS GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M
на замовлення 8205 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+114.45 грн
10+75.67 грн
25+65.73 грн
100+43.92 грн
250+43.84 грн
500+36.67 грн
1000+32.22 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ035N03MSGInfineon technologies
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ035N03MSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ035N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+30.46 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ035N03MSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 18A/40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 15 V
на замовлення 11581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+102.85 грн
10+62.49 грн
100+41.32 грн
500+30.28 грн
1000+27.54 грн
2000+25.24 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ035N03MSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ035N03MSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 18A/40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+24.01 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ036NE2LSInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 25V 40A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 2863 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+74.48 грн
10+60.14 грн
100+40.67 грн
500+34.56 грн
1000+28.15 грн
5000+24.90 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ036NE2LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 16A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 12 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+23.11 грн
10000+21.85 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ036NE2LSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 40A; 37W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 40A
Power dissipation: 37W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.1Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ036NE2LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ036NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 0.003 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9632 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+24.89 грн
500+19.81 грн
1000+17.92 грн
5000+17.85 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ036NE2LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 25V 40A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 12437 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+42.61 грн
10+40.96 грн
100+29.35 грн
500+25.73 грн
1000+24.90 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ036NE2LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 16A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 12 V
на замовлення 14557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.61 грн
10+47.32 грн
100+34.15 грн
500+28.81 грн
1000+25.60 грн
2000+24.07 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ036NE2LSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 40A; 37W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 40A
Power dissipation: 37W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.1Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ036NE2LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ036NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 0.003 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9632 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+47.57 грн
28+30.98 грн
100+24.89 грн
500+19.81 грн
1000+17.92 грн
5000+17.85 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ036NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 16A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+19.54 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ037N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH 40<-<100V
на замовлення 3210 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+146.14 грн
10+102.40 грн
100+77.72 грн
250+69.80 грн
500+65.58 грн
1000+61.05 грн
2500+60.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ037N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 18A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 30 V
на замовлення 9960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+73.12 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ037N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 18A T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+32.93 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ037N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 18A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 30 V
на замовлення 9960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+148.56 грн
10+129.54 грн
25+115.67 грн
100+97.70 грн
250+86.85 грн
500+76.00 грн
1000+65.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ039N06NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 18A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 30 V
на замовлення 1118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.42 грн
10+75.70 грн
25+71.37 грн
100+61.43 грн
250+58.10 грн
500+55.74 грн
1000+52.65 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ039N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 18A T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+32.93 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ039N06NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 18A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ039N06NSATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH 40<-<100V
на замовлення 5171 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+106.53 грн
10+91.12 грн
25+74.55 грн
100+67.99 грн
250+64.22 грн
500+60.67 грн
1000+56.97 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ040N04LS GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 27298 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+110.05 грн
10+73.24 грн
100+44.75 грн
500+40.07 грн
1000+34.64 грн
2500+32.30 грн
5000+31.24 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ040N04LSGInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 4950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
140+87.39 грн
147+83.48 грн
250+80.13 грн
500+74.48 грн
1000+66.71 грн
2500+62.15 грн
Мінімальне замовлення: 140
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ040N04LSGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ040N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0033 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+90.58 грн
12+74.15 грн
100+50.03 грн
500+36.47 грн
1000+28.23 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ040N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 26435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
666+45.93 грн
Мінімальне замовлення: 666
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ040N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 4750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
105+116.60 грн
162+75.83 грн
200+68.49 грн
500+48.75 грн
1000+42.22 грн
Мінімальне замовлення: 105
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ040N04LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 18A/40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 20 V
на замовлення 14280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+103.67 грн
10+62.57 грн
100+41.92 грн
500+30.51 грн
1000+27.78 грн
2000+26.34 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ040N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 20302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+25.44 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ040N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+23.69 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ040N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+25.38 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ040N04LSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1947 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+94.47 грн
10+75.52 грн
22+51.31 грн
60+48.58 грн
500+46.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ040N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+23.41 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ040N04LSGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ040N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0033 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+50.03 грн
500+36.47 грн
1000+28.23 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ040N04LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 18A/40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 20 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+25.81 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ040N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ040N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ040N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+24.87 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ040N04LSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1947 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+78.73 грн
10+60.60 грн
22+42.76 грн
60+40.48 грн
500+38.91 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ040N04LSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 10360 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+123.25 грн
10+79.14 грн
100+47.31 грн
500+39.77 грн
1000+33.50 грн
2500+32.75 грн
5000+30.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ040N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
666+45.93 грн
Мінімальне замовлення: 666
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ040N06LS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ040N06LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0033 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+145.60 грн
50+103.27 грн
250+73.82 грн
1000+52.43 грн
3000+47.45 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ040N06LS5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 60V; 40A; 69W; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 40A
Power dissipation: 69W
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 4.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.6nC
Kind of channel: enhancement
Electrical mounting: SMT
Polarisation: N
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5000+36.74 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ040N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 30 V
на замовлення 62173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+129.79 грн
10+88.82 грн
100+63.16 грн
500+48.68 грн
1000+46.60 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ040N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MV POWER MOS
на замовлення 16811 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+132.94 грн
10+97.19 грн
100+59.31 грн
500+48.75 грн
1000+45.13 грн
2500+43.54 грн
5000+39.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ040N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 30 V
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+46.49 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ040N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 17A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+31.43 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ042N04NSInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ042N04NS GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ042N04NS GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ042N04NSGInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 40A TO220AB
на замовлення 47574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ042N04NSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8
на замовлення 41363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ042N04NSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ042N04NSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ042N06NSInfineon
на замовлення 4850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ042N06NSInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 40A TDSON-8
на замовлення 9758 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+120.61 грн
10+90.25 грн
100+61.20 грн
500+51.92 грн
1000+42.26 грн
2500+39.77 грн
5000+37.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ042N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ042N06NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 17A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+39.09 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ042N06NSATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 40A TDSON-8
на замовлення 45159 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+84.52 грн
10+67.60 грн
25+58.48 грн
100+51.46 грн
250+50.63 грн
500+46.33 грн
1000+44.60 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ042N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+35.83 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ042N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ042N06NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 17A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V
на замовлення 7703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.28 грн
10+58.32 грн
100+50.42 грн
500+44.68 грн
1000+42.03 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ042N06NSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESBSZ042N06NSATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ042N06NSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ042N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0034 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 103330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+100.73 грн
50+76.78 грн
250+64.17 грн
1000+52.51 грн
3000+47.45 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ042N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 6405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+118.85 грн
10+107.30 грн
25+102.58 грн
100+72.93 грн
250+61.69 грн
500+57.94 грн
1000+46.93 грн
3000+44.30 грн
6000+42.21 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ049N03LSCGATMA1Rochester Electronics, LLCDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0500NSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 30A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 15 V
на замовлення 9817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+185.30 грн
10+114.45 грн
100+78.17 грн
500+58.79 грн
1000+54.10 грн
2000+50.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0500NSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 30A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 15 V
на замовлення 9817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+53.92 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0500NSIATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 4916 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+159.35 грн
10+120.62 грн
100+83.76 грн
250+83.01 грн
500+69.27 грн
1000+68.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0501NSIATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ0501NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0017 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
на замовлення 9635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+151.53 грн
10+114.28 грн
100+92.27 грн
500+72.95 грн
1000+51.95 грн
5000+48.98 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0501NSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 25A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 15 V
на замовлення 4876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+162.44 грн
10+100.22 грн
100+67.99 грн
500+50.84 грн
1000+46.68 грн
2000+43.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0501NSIATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ0501NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0017 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
на замовлення 9635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+92.27 грн
500+72.95 грн
1000+51.95 грн
5000+48.98 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0501NSIATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 7920 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+141.74 грн
10+91.12 грн
100+56.44 грн
500+45.43 грн
1000+41.65 грн
5000+41.58 грн
10000+36.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0501NSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 25A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 15 V
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0501NSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0502NSIATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Case: PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0502NSIATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0502NSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0502NSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 22A 8SON
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0503NSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 20A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V
на замовлення 3716 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+108.57 грн
10+65.87 грн
100+43.69 грн
500+32.08 грн
1000+29.21 грн
2000+26.80 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0503NSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
140+87.76 грн
148+82.66 грн
180+68.29 грн
200+62.80 грн
500+51.69 грн
1000+44.73 грн
2000+44.55 грн
5000+42.20 грн
Мінімальне замовлення: 140
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0503NSIATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ0503NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 82 A, 0.0028 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 36W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TSDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0028ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+45.20 грн
500+34.11 грн
1000+26.34 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0503NSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0503NSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 20A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0503NSIATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ0503NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 82 A, 0.0028 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+88.04 грн
15+59.68 грн
100+45.20 грн
500+34.11 грн
1000+26.34 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0503NSIATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 12436 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+94.20 грн
10+62.74 грн
100+40.90 грн
500+34.03 грн
1000+33.96 грн
5000+28.37 грн
25000+24.60 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0503NSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0503NSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0506NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 15A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 15 V
на замовлення 71426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+77.55 грн
10+61.15 грн
100+47.51 грн
500+37.79 грн
1000+30.78 грн
2000+28.98 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0506NSATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N
на замовлення 29724 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+76.94 грн
10+61.87 грн
100+41.81 грн
500+35.54 грн
1000+27.24 грн
5000+25.73 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0506NSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 27W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 27W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0506NSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ0506NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0035 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+43.60 грн
250+39.02 грн
1000+30.34 грн
3000+26.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0506NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+26.59 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0506NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 15A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 15 V
на замовлення 65000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+30.54 грн
10000+28.05 грн
25000+28.00 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0506NSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 27W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 27W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0506NSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ0506NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0035 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+57.56 грн
50+43.60 грн
250+39.02 грн
1000+30.34 грн
3000+26.56 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ050N03LS GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 8151 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+78.00 грн
10+47.64 грн
100+27.01 грн
500+20.75 грн
1000+18.79 грн
2500+17.13 грн
5000+15.09 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ050N03LSGInfineon TechnologiesDescription: BSZ050N03 - 12V-300V N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ050N03LSGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ050N03LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.005 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 19069 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+33.01 грн
34+25.06 грн
100+20.49 грн
500+16.74 грн
1000+13.93 грн
5000+13.35 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ050N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+15.49 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ050N03LSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 50W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ050N03LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 16A/40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+16.13 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ050N03LSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 6327 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+42.43 грн
12+29.51 грн
100+19.39 грн
500+17.28 грн
1000+15.70 грн
2500+15.09 грн
5000+13.66 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ050N03LSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 50W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ050N03LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 16A/40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V
на замовлення 7257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+46.53 грн
11+30.66 грн
100+22.63 грн
500+20.01 грн
1000+17.25 грн
2000+17.03 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ050N03MS GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M
на замовлення 9558 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+72.72 грн
10+44.60 грн
100+25.28 грн
500+19.47 грн
1000+16.45 грн
2500+16.00 грн
5000+12.83 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ050N03MSGInfineon technologies
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ050N03MSGInfineon TechnologiesDescription: BSZ050N03 - 12V-300V N-CHANNEL P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ050N03MSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 48W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 48W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ050N03MSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 15A/40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ050N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+14.97 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ050N03MSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 15A/40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 15 V
на замовлення 1267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.20 грн
10+42.21 грн
100+27.54 грн
500+19.90 грн
1000+17.98 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ050N03MSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 48W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 48W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0589NSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ0589NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 17 A, 0.0035 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7074 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+40.80 грн
500+30.58 грн
1000+23.58 грн
5000+21.11 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0589NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 17A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+27.29 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0589NSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ0589NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 17 A, 0.0035 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7074 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+91.42 грн
16+53.67 грн
100+40.80 грн
500+30.58 грн
1000+23.58 грн
5000+21.11 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0589NSATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 5962 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+84.34 грн
10+60.57 грн
100+44.45 грн
500+38.94 грн
1000+29.88 грн
5000+28.45 грн
10000+27.17 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0589NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 17A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 15 V
на замовлення 9792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+110.20 грн
10+66.89 грн
100+44.45 грн
500+32.67 грн
1000+29.76 грн
2000+27.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ058N03LS GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 4717 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+67.96 грн
10+55.63 грн
100+37.58 грн
500+31.84 грн
1000+25.96 грн
2500+24.45 грн
5000+23.32 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ058N03LSGInfineon technologies
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ058N03LSGINFINEON0950+ TSDSON-8
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ058N03LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 15A/40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ058N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+21.13 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ058N03LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 15A/40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ058N03LSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 2532 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+29.42 грн
5000+23.09 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ058N03LSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESBSZ058N03LSGATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ058N03MS GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M
на замовлення 1159 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ058N03MS GInfineonQFN
на замовлення 92 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ058N03MSGinfineon08+
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ058N03MSGInfineon TechnologiesDescription: BSZ058N03 - 12V-300V N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 15 V
на замовлення 11233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
886+27.75 грн
Мінімальне замовлення: 886
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ058N03MSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 14A/40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ058N03MSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 14A/40A 8TSDSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 15 V
на замовлення 14327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
886+26.46 грн
Мінімальне замовлення: 886
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ058N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ058N03MSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 14A/40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ058N03MSGXTInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0602LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 13A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0602LSATMA1Infineon TechnologiesSP001589450
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0602LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
на замовлення 4411 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+169.91 грн
10+150.13 грн
100+101.87 грн
500+84.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0602LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 13A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ060NE2LSInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 25V 40A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 40761 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+65.50 грн
10+57.01 грн
100+33.81 грн
500+28.30 грн
1000+24.07 грн
2500+22.71 грн
5000+19.32 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ060NE2LSInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+27.60 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ060NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+13.82 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ060NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+21.45 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ060NE2LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 12A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 12 V
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+13.64 грн
10000+13.03 грн
15000+12.62 грн
25000+11.67 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ060NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ060NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+16.32 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ060NE2LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 25V 40A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 57701 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+34.07 грн
14+24.91 грн
100+18.04 грн
250+17.96 грн
500+14.34 грн
1000+13.81 грн
2500+13.05 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ060NE2LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ060NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 0.005 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 26W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 26965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+61.54 грн
21+40.63 грн
100+28.27 грн
500+19.42 грн
1000+15.67 грн
5000+15.60 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ060NE2LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 12A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 12 V
на замовлення 36323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.47 грн
14+23.82 грн
100+18.96 грн
500+14.23 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ063N04LS6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ063N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0051 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0051ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 28529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+46.22 грн
500+36.39 грн
1000+27.35 грн
2500+25.76 грн
5000+24.52 грн
10000+24.31 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ063N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 15A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 20 V
на замовлення 9266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+52.24 грн
10+43.15 грн
25+40.69 грн
100+34.97 грн
250+33.03 грн
500+31.67 грн
1000+29.88 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ063N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 166191 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+81.17 грн
10+57.36 грн
100+41.50 грн
500+37.96 грн
1000+30.86 грн
2500+29.13 грн
5000+28.98 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ063N04LS6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ063N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0051 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0051ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 28529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+72.29 грн
15+59.34 грн
100+46.22 грн
500+36.39 грн
1000+27.35 грн
2500+25.76 грн
5000+24.52 грн
10000+24.31 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ063N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 15A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+30.60 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ063N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 15A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+27.12 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ065N03LSInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 5883 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+67.96 грн
10+59.10 грн
100+35.01 грн
500+29.28 грн
1000+24.90 грн
2500+23.54 грн
5000+20.00 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ065N03LSInfineonQFN
на замовлення 792 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ065N03LS
Код товару: 148978
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ065N03LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ065N03LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0054 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 26W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+43.43 грн
500+33.72 грн
Мінімальне замовлення: 150
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ065N03LSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 26W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 26W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ065N03LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 12A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 15 V
на замовлення 14115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.20 грн
10+46.22 грн
100+30.10 грн
500+21.02 грн
1000+18.96 грн
2000+18.24 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ065N03LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ065N03LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 2557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+54.93 грн
16+46.52 грн
25+46.12 грн
100+32.28 грн
250+29.62 грн
500+24.75 грн
1000+18.29 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ065N03LSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 26W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 26W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ065N03LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 4725 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+67.17 грн
10+57.19 грн
100+34.11 грн
500+27.69 грн
1000+22.26 грн
5000+20.90 грн
10000+20.00 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ065N03LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ065N03LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0054 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 26W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+81.01 грн
13+66.54 грн
100+43.43 грн
500+33.72 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ065N03LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 12A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 15 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+18.07 грн
10000+17.20 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ065N03LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ065N03LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ065N06LS5Infineon / IRMOSFET TRENCH 40<-<100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ065N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ065N06LS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ065N06LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0054 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 11272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+104.12 грн
11+81.43 грн
100+63.32 грн
500+51.96 грн
1000+38.60 грн
5000+36.79 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ065N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 30 V
на замовлення 2052 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.01 грн
10+74.12 грн
100+54.32 грн
500+38.85 грн
1000+33.51 грн
2000+33.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ065N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ065N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 14900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
182+67.47 грн
193+63.60 грн
221+55.35 грн
232+50.91 грн
500+46.96 грн
1000+41.41 грн
5000+38.44 грн
10000+37.66 грн
Мінімальне замовлення: 182
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ065N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MV POWER MOS
на замовлення 9810 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+122.37 грн
10+84.96 грн
100+55.09 грн
500+44.52 грн
1000+38.41 грн
2500+38.33 грн
5000+37.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ065N06LS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ065N06LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0054 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 46W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0054ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 11272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+63.32 грн
500+51.96 грн
1000+38.60 грн
5000+36.79 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ065N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ067N06LS3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 20A TSDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 2455 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+162.87 грн
10+102.40 грн
100+59.09 грн
500+48.45 грн
1000+42.41 грн
2500+41.13 грн
5000+35.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ067N06LS3GInfineon technologies
на замовлення 650 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ067N06LS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ067N06LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.005 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 39645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+115.97 грн
10+85.50 грн
100+61.71 грн
500+44.02 грн
1000+34.32 грн
5000+32.94 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ067N06LS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 10001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
135+90.61 грн
146+84.19 грн
173+70.94 грн
200+64.67 грн
1000+53.97 грн
2000+48.75 грн
5000+42.90 грн
10000+42.63 грн
Мінімальне замовлення: 135
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ067N06LS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 14A/79A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 30 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+37.48 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ067N06LS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ067N06LS3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; 69W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 20A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ067N06LS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ067N06LS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+45.25 грн
10000+40.23 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ067N06LS3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; 69W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 20A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ067N06LS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 14A/79A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 30 V
на замовлення 9628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+121.63 грн
10+78.37 грн
100+56.50 грн
500+43.06 грн
1000+38.81 грн
2000+36.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ067N06LS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+48.48 грн
10000+43.10 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ067N06LS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 30390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
152+80.52 грн
164+74.81 грн
194+63.08 грн
206+57.50 грн
1000+47.96 грн
2000+43.33 грн
5000+42.90 грн
10000+37.91 грн
Мінімальне замовлення: 152
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ067N06LS3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 20A TSDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 8040 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+120.61 грн
10+80.44 грн
100+55.54 грн
500+46.26 грн
1000+39.99 грн
2500+38.18 грн
5000+37.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ068N06NSInfineon
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ068N06NSInfineon TechnologiesMOSFETs TRENCH 40<-<100V
на замовлення 5202 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+98.60 грн
10+79.75 грн
100+53.95 грн
500+45.73 грн
1000+37.28 грн
2500+35.09 грн
5000+33.43 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ068N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 63A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+38.81 грн
10000+37.24 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ068N06NSATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH 40<-<100V
на замовлення 8960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+132.94 грн
10+87.65 грн
25+70.86 грн
100+52.45 грн
500+42.03 грн
1000+36.67 грн
5000+33.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ068N06NSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ068N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0056 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0056ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5511 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+79.23 грн
50+59.93 грн
250+51.64 грн
1000+36.71 грн
3000+31.20 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ068N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 63A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ068N06NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ068N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 63A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 30990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
132+93.35 грн
144+85.04 грн
177+69.13 грн
200+62.36 грн
1000+51.14 грн
2000+45.80 грн
5000+44.64 грн
10000+42.95 грн
Мінімальне замовлення: 132
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ068N06NSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ068N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0056 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0056ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5511 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+59.93 грн
250+51.64 грн
1000+36.71 грн
3000+31.20 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ068N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 63A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ068N06NSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 40A; 46W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 40A
Power dissipation: 46W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ068N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 63A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+18.75 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ068N06NSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 40A; 46W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 40A
Power dissipation: 46W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ068N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 63A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+33.55 грн
10000+32.19 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ068N06NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 30 V
на замовлення 2007 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.99 грн
10+76.09 грн
100+54.94 грн
500+40.73 грн
1000+36.08 грн
2000+34.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0702LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 17A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0702LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 17A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0702LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 17A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0702LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
на замовлення 20117 шт:
термін постачання 322-331 дні (днів)
4+105.64 грн
10+91.99 грн
100+62.56 грн
500+52.37 грн
1000+41.20 грн
2500+39.62 грн
5000+38.48 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0703LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-26
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0703LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS
на замовлення 3960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+102.12 грн
10+89.38 грн
100+61.05 грн
500+50.41 грн
1000+39.77 грн
2500+37.20 грн
5000+35.24 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0703LSATMA1Infineon TechnologiesDIFFERENTIATED MOSFETS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0703LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-26
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0703LSATMA1Infineon TechnologiesBSZ0703LSATMA1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0704LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 11A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0704LSATMA1Infineon TechnologiesSP001614102
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0704LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 11A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0704LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
на замовлення 44915 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+72.81 грн
10+63.87 грн
100+42.56 грн
500+33.73 грн
1000+26.94 грн
2500+24.37 грн
5000+22.64 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ070N08LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+30.90 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ070N08LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ070N08LS5ATMA1Infineon
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ070N08LS5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5000+40.21 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ070N08LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
174+70.46 грн
179+68.39 грн
197+62.21 грн
250+59.36 грн
500+50.55 грн
1000+41.87 грн
3000+41.60 грн
Мінімальне замовлення: 174
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ070N08LS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ070N08LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 74 A, 0.007 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 74A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+110.89 грн
50+84.40 грн
250+71.02 грн
1000+53.06 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ070N08LS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH 40<-<100V
на замовлення 23029 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+74.48 грн
10+60.49 грн
25+52.14 грн
100+42.56 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ070N08LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+50.15 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ070N08LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 40 V
на замовлення 6816 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.83 грн
10+55.97 грн
100+50.94 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ070N08LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+81.93 грн
10+75.49 грн
25+73.28 грн
100+64.28 грн
250+58.89 грн
500+51.99 грн
1000+44.86 грн
3000+44.57 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ070N08LS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ070N08LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 74 A, 0.007 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 74A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 69W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0059ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+84.40 грн
250+71.02 грн
1000+53.06 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ070N08LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 6290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
74+165.29 грн
81+152.81 грн
100+127.86 грн
200+117.28 грн
500+99.31 грн
1000+79.22 грн
2000+76.72 грн
5000+72.26 грн
Мінімальне замовлення: 74
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ070N08LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 40 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+43.21 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ075N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 80V 40A TSDSON-8
на замовлення 71709 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+60.22 грн
10+54.76 грн
25+47.16 грн
100+45.65 грн
250+45.20 грн
500+44.97 грн
1000+44.30 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ075N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 40 V
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+45.94 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ075N08NS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ075N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 0.0075 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 19108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+50.54 грн
500+46.38 грн
1000+42.59 грн
5000+40.41 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ075N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 40A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+29.93 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ075N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 40 V
на замовлення 63986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+103.67 грн
10+67.99 грн
100+54.72 грн
500+47.95 грн
1000+44.62 грн
2000+43.72 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ075N08NS5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESBSZ075N08NS5ATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ075N08NS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ075N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 0.0075 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 19108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+54.68 грн
17+51.81 грн
100+50.54 грн
500+46.38 грн
1000+42.59 грн
5000+40.41 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ076N06NS3 GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 20A TDSON-8 OptiMOS 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ076N06NS3GInfineon TechnologiesDescription: OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ076N06NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 20A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ076N06NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 20A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ076N06NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 20A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0803LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 9A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0803LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ0803LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.0124 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+136.29 грн
10+110.89 грн
100+83.21 грн
500+63.75 грн
1000+44.33 грн
2500+42.88 грн
5000+41.43 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0803LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH >=100V
на замовлення 4953 шт:
термін постачання 301-310 дні (днів)
3+127.65 грн
10+111.08 грн
100+75.16 грн
500+62.71 грн
1000+48.97 грн
2500+47.01 грн
5000+43.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0803LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 9A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0803LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ0803LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.0124 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+83.21 грн
500+63.75 грн
1000+44.33 грн
2500+42.88 грн
5000+41.43 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0803LSATMA1Infineon TechnologiesSP001614108
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0804LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 11A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0804LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0804LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH >=100V
на замовлення 4884 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+140.86 грн
10+124.96 грн
100+87.53 грн
500+71.61 грн
1000+55.24 грн
5000+53.20 грн
10000+53.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0804LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 11A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ084N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 31µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 40 V
на замовлення 34017 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+155.91 грн
10+95.82 грн
100+64.83 грн
500+48.37 грн
1000+44.36 грн
2000+40.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ084N08NS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ084N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 0.0084 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0084ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 127438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+77.37 грн
15+58.75 грн
100+53.67 грн
500+45.83 грн
1000+40.49 грн
5000+35.84 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ084N08NS5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; 63W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Drain current: 40A
Power dissipation: 63W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.4mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ084N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 80V 40A TSDSON-8
на замовлення 11276 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+119.73 грн
10+85.04 грн
100+55.31 грн
500+47.92 грн
1000+42.86 грн
2500+41.50 грн
5000+37.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ084N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 31µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 40 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+42.58 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ084N08NS5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; 63W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Drain current: 40A
Power dissipation: 63W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.4mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ084N08NS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ084N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 0.0084 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0084ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 127438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+53.67 грн
500+45.83 грн
1000+40.49 грн
5000+35.84 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ084N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 40A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+30.99 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ086P03NS3 GInfineon TechnologiesMOSFETs P-Ch -30V 13.5A TSDSON-8 OptiMOS P3
на замовлення 6154 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+72.10 грн
10+53.54 грн
100+31.69 грн
500+26.49 грн
1000+22.56 грн
2500+20.45 грн
5000+18.94 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ086P03NS3E GInfineon TechnologiesMOSFETs P-Ch -30V 13.5A TSDSON-8 OptiMOS P3
на замовлення 1422 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+80.03 грн
10+53.02 грн
100+32.00 грн
500+28.00 грн
1000+24.68 грн
2500+22.11 грн
5000+20.98 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ086P03NS3EGInfineon technologies
на замовлення 409 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ086P03NS3EGATMAINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -40A; 69W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Drain current: -40A
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Technology: OptiMOS™ P3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 8.6mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ086P03NS3EGATMAINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -40A; 69W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Drain current: -40A
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Technology: OptiMOS™ P3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 8.6mΩ
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ086P03NS3EGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ086P03NS3EGATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0065 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 32831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+44.02 грн
500+34.11 грн
1000+24.38 грн
5000+22.78 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ086P03NS3EGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 13.5A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+41.68 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ086P03NS3EGATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs P-Ch -30V 13.5A TSDSON-8 OptiMOS P3
на замовлення 4841 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+67.35 грн
10+52.94 грн
25+42.26 грн
100+32.98 грн
250+31.84 грн
500+25.81 грн
1000+22.41 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ086P03NS3EGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 13.5A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 105µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4785 pF @ 15 V
на замовлення 17031 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.93 грн
10+48.73 грн
100+34.40 грн
500+25.63 грн
1000+21.96 грн
2000+21.53 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ086P03NS3EGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 13.5A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ086P03NS3EGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ086P03NS3EGATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0065 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 32831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+83.64 грн
13+68.91 грн
100+44.02 грн
500+34.11 грн
1000+24.38 грн
5000+22.78 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ086P03NS3EGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 13.5A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+19.37 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ086P03NS3EGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 13.5A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 105µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4785 pF @ 15 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+21.35 грн
10000+19.38 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ086P03NS3EGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 13.5A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ086P03NS3EGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 13.5A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+82.05 грн
Мінімальне замовлення: 150
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ086P03NS3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -40A; 52W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Drain current: -40A
Power dissipation: 52W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Technology: OptiMOS™ P3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 8.6mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ086P03NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 13.5A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 105µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4785 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ086P03NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 13.5A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
154+79.53 грн
172+71.11 грн
210+58.32 грн
224+52.83 грн
500+43.44 грн
1000+34.48 грн
5000+30.11 грн
Мінімальне замовлення: 154
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ086P03NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 13.5A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+19.90 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ086P03NS3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -40A; 52W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Drain current: -40A
Power dissipation: 52W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Technology: OptiMOS™ P3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 8.6mΩ
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ086P03NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ086P03NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0065 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+34.96 грн
500+28.06 грн
1000+21.99 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ086P03NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 13.5A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ086P03NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 13.5A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 105µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4785 pF @ 15 V
на замовлення 3694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.87 грн
10+57.07 грн
100+37.55 грн
500+27.38 грн
1000+23.85 грн
2000+22.72 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ086P03NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 13.5A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+31.03 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ086P03NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ086P03NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0065 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+75.17 грн
17+50.71 грн
100+34.96 грн
500+28.06 грн
1000+21.99 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ086P03NS3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs P-Ch -30V 13.5A TSDSON-8 OptiMOS P3
на замовлення 7096 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+72.10 грн
10+53.54 грн
100+31.69 грн
500+26.03 грн
1000+21.58 грн
2500+20.45 грн
5000+18.19 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ086P03NS3GXTInfineon TechnologiesMOSFETs P-Ch -30V 13.5A TSDSON-8 OptiMOS P3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ088N03LS GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 4935 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+70.43 грн
10+60.31 грн
100+36.37 грн
500+30.41 грн
1000+23.02 грн
5000+21.66 грн
10000+20.83 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ088N03LS G
Код товару: 177892
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ088N03LS GInfineon
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ088N03LSGInfineon TechnologiesDescription: BSZ088N03 - 12V-300V N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ088N03LSGinfineon08+
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ088N03LSGInfineon technologies
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ088N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ088N03LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 12A/40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ088N03LSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 35W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Drain current: 40A
Power dissipation: 35W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.8mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ088N03LSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 35W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Drain current: 40A
Power dissipation: 35W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.8mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ088N03LSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ088N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+19.10 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ088N03LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 12A/40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ088N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ088N03MS GInfineonQFN
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ088N03MS GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ088N03MSGInfineon TechnologiesDescription: BSZ088N03 - 12V-300V N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ088N03MSGInfineon technologies
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ088N03MSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 11A/40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ088N03MSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 35W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Drain current: 40A
Power dissipation: 35W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.8mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ088N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ088N03MSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 35W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Drain current: 40A
Power dissipation: 35W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.8mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ088N03MSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 11A/40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0901NSInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 7700 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+75.27 грн
10+68.30 грн
100+46.33 грн
500+40.37 грн
1000+38.18 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0901NSInfineon technologies
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0901NSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ0901NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.002 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+117.67 грн
13+69.75 грн
100+48.84 грн
500+30.26 грн
1000+24.38 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0901NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 22A/40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 15 V
на замовлення 3466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+102.85 грн
10+81.12 грн
100+63.09 грн
500+50.19 грн
1000+40.88 грн
2000+38.49 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0901NSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 50W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0901NSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ0901NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.002 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+48.84 грн
500+30.26 грн
1000+24.38 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0901NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 22A/40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0901NSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 50W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0901NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0901NSIInfineon technologies
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0901NSIInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 515 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+159.35 грн
10+102.40 грн
100+60.22 грн
500+48.22 грн
1000+41.28 грн
5000+41.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0901NSIATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ0901NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0018 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
на замовлення 4278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+132.06 грн
10+99.89 грн
100+73.56 грн
500+57.93 грн
1000+41.00 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0901NSIATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0901NSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+33.54 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0901NSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 25A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 20A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 15 V
на замовлення 13206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+123.26 грн
10+75.15 грн
100+50.39 грн
500+37.31 грн
1000+34.09 грн
2000+33.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0901NSIATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0901NSIATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ0901NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0018 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
на замовлення 4278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+73.56 грн
500+57.93 грн
1000+41.00 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0901NSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 25A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 20A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+30.56 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0902NSInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 12152 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+93.32 грн
10+67.60 грн
100+39.39 грн
250+39.31 грн
500+30.71 грн
1000+25.81 грн
2500+25.73 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0902NSInfineon technologies
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0902NSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 48W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 48W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0902NSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ0902NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0022 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+74.41 грн
17+52.48 грн
100+34.88 грн
500+26.02 грн
1000+23.58 грн
5000+23.51 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0902NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0902NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+24.47 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0902NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 19A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+21.59 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0902NSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ0902NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0022 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+34.88 грн
500+26.02 грн
1000+23.58 грн
5000+23.51 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0902NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 4017 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
149+82.34 грн
155+79.03 грн
185+66.41 грн
250+59.91 грн
500+49.97 грн
1000+42.30 грн
3000+40.17 грн
Мінімальне замовлення: 149
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0902NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 4017 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+103.68 грн
10+88.22 грн
25+84.68 грн
100+68.61 грн
250+59.44 грн
500+51.40 грн
1000+45.32 грн
3000+43.04 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0902NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 19A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V
на замовлення 48896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.32 грн
10+58.17 грн
100+38.49 грн
500+28.19 грн
1000+25.63 грн
2000+23.89 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0902NSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 48W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 48W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0902NSIInfineon technologies
на замовлення 6349 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0902NSIInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 10758 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+98.60 грн
10+79.84 грн
100+54.03 грн
500+45.80 грн
1000+37.28 грн
2500+35.16 грн
5000+33.43 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0902NSI
Код товару: 153067
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0902NSIATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 48W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 48W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0902NSIATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 4513 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+98.60 грн
10+70.64 грн
100+48.07 грн
500+38.79 грн
1000+33.13 грн
2500+33.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0902NSIATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ0902NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0023 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
на замовлення 3478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+59.34 грн
500+46.69 грн
1000+33.09 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0902NSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+38.84 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0902NSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 21A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0902NSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0902NSIATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 48W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 48W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0902NSIATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ0902NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0023 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
на замовлення 3478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+105.81 грн
11+78.81 грн
100+59.34 грн
500+46.69 грн
1000+33.09 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0902NSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+30.37 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0902NSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0902NSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 21A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0904NSIInfineon technologies
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0904NSIInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 3966 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+76.15 грн
10+65.87 грн
100+39.09 грн
500+32.60 грн
1000+27.77 грн
2500+26.34 грн
5000+22.34 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0904NSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+40.76 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0904NSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 18A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1463 pF @ 15 V
на замовлення 5610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+79.18 грн
10+47.32 грн
100+31.28 грн
500+22.71 грн
1000+20.56 грн
2000+18.98 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0904NSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0904NSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+16.82 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0904NSIATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 16472 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+76.15 грн
10+55.28 грн
100+33.81 грн
500+27.09 грн
1000+23.02 грн
2500+22.94 грн
5000+22.34 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0904NSIATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ0904NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0033 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
на замовлення 4202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+47.15 грн
500+37.89 грн
1000+26.77 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0904NSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 18A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1463 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+21.69 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0904NSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+22.70 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0904NSIATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ0904NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0033 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+64.25 грн
50+47.15 грн
250+40.80 грн
1000+29.01 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0904NSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0905PNSATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 5260 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+95.96 грн
10+75.76 грн
100+52.22 грн
500+48.75 грн
5000+41.43 грн
10000+31.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0905PNSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 40A TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 105µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3190 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0905PNSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 40A TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 105µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3190 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0905PNSATMA1Infineon TechnologiesAMPMODU (BREAK AWAY)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0907NDXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 11.1A/13.8A 8-Pin WISON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0909LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ0909LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0023 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 14978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+25.31 грн
35+24.46 грн
100+23.62 грн
500+21.14 грн
1000+19.16 грн
5000+18.72 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0909LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFET Power-Transistor
на замовлення 881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
844+36.24 грн
Мінімальне замовлення: 844
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0909LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFET Power-Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0909LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFET Power-Transistor
на замовлення 4678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
844+36.24 грн
Мінімальне замовлення: 844
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0909LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 19A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0909LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ0909LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0023 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 14978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+23.62 грн
500+21.14 грн
1000+19.16 грн
5000+18.72 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0909LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 19A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0909NDXTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 20A WISON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 17W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-WISON-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0909NDXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 8.1A 8-Pin WISON EP T/R
на замовлення 547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
456+67.11 грн
Мінімальне замовлення: 456
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0909NDXTMA1Infineon TechnologiesMOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS
на замовлення 276 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+134.70 грн
10+119.76 грн
100+81.50 грн
500+66.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0909NDXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 8.1A 8-Pin WISON EP T/R
на замовлення 6670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
456+67.11 грн
Мінімальне замовлення: 456
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0909NSInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 36A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 12142 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+53.88 грн
11+34.02 грн
100+20.15 грн
500+15.92 грн
1000+13.43 грн
2500+13.28 грн
5000+11.47 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0909NSInfineonQFN
на замовлення 217 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0909NSInfineon technologies
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0909NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 34V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 3715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
798+15.34 грн
854+14.33 грн
856+14.29 грн
902+13.08 грн
1000+11.77 грн
3000+10.97 грн
Мінімальне замовлення: 798
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0909NSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 34V; 32A; 25W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 34V
Drain current: 32A
Power dissipation: 25W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0909NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 34V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+16.28 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0909NSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ0909NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 34 V, 36 A, 0.01 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 34V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+53.25 грн
26+33.78 грн
100+23.11 грн
500+15.72 грн
1000+12.19 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0909NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 34V 9A/36A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 34 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 15 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15
на замовлення 41067 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+62.04 грн
10+36.87 грн
100+23.89 грн
500+17.17 грн
1000+15.47 грн
2000+14.05 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0909NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 34V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0909NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 34V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+19.94 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0909NSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 34V; 32A; 25W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 34V
Drain current: 32A
Power dissipation: 25W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0909NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 34V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+14.27 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0909NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 34V 9A/36A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 34 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 15 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+11.77 грн
10000+11.19 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0909NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 34V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+12.68 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0909NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 34V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 3715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+17.60 грн
42+16.64 грн
43+16.43 грн
100+14.80 грн
250+13.67 грн
500+12.46 грн
1000+12.11 грн
3000+11.75 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0909NSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ0909NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 34 V, 36 A, 0.01 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 34V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+23.11 грн
500+15.72 грн
1000+12.19 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0909NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 34V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 9796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
811+15.08 грн
816+15.00 грн
975+12.56 грн
1095+10.77 грн
Мінімальне замовлення: 811
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0910LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 4910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+22.05 грн
33+21.50 грн
100+18.63 грн
250+17.07 грн
500+15.84 грн
1000+15.27 грн
3000+14.69 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0910LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0910LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ0910LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0036 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
на замовлення 4743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+45.97 грн
22+39.19 грн
100+25.65 грн
500+20.52 грн
1000+14.66 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0910LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 18A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0910LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 4910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
609+20.11 грн
675+18.13 грн
682+17.94 грн
707+16.68 грн
1000+14.87 грн
3000+13.71 грн
Мінімальне замовлення: 609
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0910LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+17.59 грн
10000+16.47 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0910LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 3290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+65.24 грн
10+40.44 грн
100+23.92 грн
500+19.32 грн
1000+16.00 грн
2500+15.92 грн
5000+14.26 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0910LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 18A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0910LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+16.68 грн
10000+15.55 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0910LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ0910LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0036 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
на замовлення 4743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+25.65 грн
500+20.52 грн
1000+14.66 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0910NDXTMA1Infineon TechnologiesDescription: DIFFERENTIATED MOSFETS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W (Ta), 31W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 25A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-WISON-8
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0910NDXTMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 4791 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0910NDXTMA1Infineon TechnologiesDescription: DIFFERENTIATED MOSFETS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W (Ta), 31W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 25A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-WISON-8
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0910NDXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 11.1A 8-Pin WISON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0911LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ0911LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0055 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+15.15 грн
500+13.05 грн
1000+11.03 грн
5000+10.09 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0911LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 12A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 15 V
на замовлення 29980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+46.53 грн
10+38.04 грн
100+26.45 грн
500+19.38 грн
1000+15.75 грн
2000+14.08 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0911LSATMA1Infineon TechnologiesSP005424280
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0911LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ0911LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0055 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+41.31 грн
33+26.41 грн
100+17.44 грн
500+12.50 грн
1000+10.81 грн
5000+10.09 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0911LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 12A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 15 V
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+14.79 грн
10000+13.23 грн
25000+12.92 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0911LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 2765 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+66.12 грн
10+41.13 грн
100+23.47 грн
500+18.04 грн
1000+15.02 грн
5000+12.68 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0945NDXTMA1Infineon TechnologiesBSZ0945NDXTMA1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0945NDXTMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ096N10LS5Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH >=100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ096N10LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ096N10LS5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESBSZ096N10LS5ATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ096N10LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
86+143.46 грн
95+129.95 грн
116+106.04 грн
200+95.94 грн
1000+78.71 грн
2000+70.48 грн
Мінімальне замовлення: 86
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ096N10LS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 26375 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+117.09 грн
10+86.69 грн
100+55.24 грн
250+54.86 грн
500+49.12 грн
1000+46.03 грн
2500+45.50 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ096N10LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ096N10LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+66.31 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ096N10LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 50 V
на замовлення 5040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+115.10 грн
10+81.43 грн
100+58.50 грн
500+49.48 грн
1000+47.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ096N10LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+38.47 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ096N10LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ097N04LS GInfineon
на замовлення 4970 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ097N04LS GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 184439 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+74.48 грн
10+55.37 грн
100+32.83 грн
500+27.47 грн
1000+23.39 грн
2500+21.13 грн
5000+19.62 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ097N04LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 12A/40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+19.11 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ097N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+22.54 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ097N04LSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 35W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Power dissipation: 35W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4919 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+86.34 грн
10+55.54 грн
25+44.90 грн
35+32.45 грн
94+30.66 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ097N04LSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 38846 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+76.94 грн
10+65.87 грн
100+39.39 грн
500+33.13 грн
1000+24.90 грн
2500+24.60 грн
5000+23.69 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ097N04LSGATMA1
Код товару: 170565
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ097N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 3596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+62.21 грн
14+53.04 грн
25+52.84 грн
100+37.46 грн
250+34.34 грн
500+28.21 грн
1000+24.96 грн
3000+23.46 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ097N04LSGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ097N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0081 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0081ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 19892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+74.41 грн
16+54.85 грн
100+38.43 грн
500+28.85 грн
1000+22.42 грн
5000+21.77 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ097N04LSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 35W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Power dissipation: 35W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4919 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+71.95 грн
10+44.57 грн
25+37.42 грн
35+27.04 грн
94+25.55 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ097N04LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 12A/40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 20 V
на замовлення 7630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.16 грн
10+34.35 грн
100+26.47 грн
500+23.37 грн
1000+20.39 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ097N10NS5Infineon technologies
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ097N10NS5Infineon TechnologiesMOSFETs OptiMOS5 power MOSFET 100 V in a PQFN 3x3
на замовлення 14192 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+170.79 грн
10+107.61 грн
100+64.75 грн
500+54.94 грн
1000+46.63 грн
5000+39.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ097N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 8A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 50 V
на замовлення 6481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.61 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ097N10NS5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESBSZ097N10NS5ATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ097N10NS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ097N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.0083 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0083ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 11876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+62.90 грн
50+52.91 грн
250+49.77 грн
1000+45.75 грн
3000+41.36 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ097N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 8A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+41.24 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ097N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesN-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 40; Ciss, пФ @ Uds, В = 2080 @ 50; Qg, нКл = 28; Rds = 9.7 мОм; Ugs(th) = 2,2 В; Р, Вт = 69 @ 25°C; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = SMD; TSDSON-8
на замовлення 4 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ097N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 40A TSDSON-8
на замовлення 6730 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+59.07 грн
10+53.72 грн
500+45.20 грн
1000+41.96 грн
2500+40.67 грн
5000+39.77 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ097N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 11A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+37.50 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ097N10NS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ097N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.0083 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0083ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 11876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+52.91 грн
250+49.77 грн
1000+45.75 грн
3000+41.36 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0994NSATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 4645 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+76.94 грн
10+56.75 грн
100+34.26 грн
500+27.47 грн
1000+23.32 грн
5000+22.64 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0994NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 13A 8TSDSON-25
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-25
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 15 V
на замовлення 4962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+92.24 грн
10+55.81 грн
100+36.75 грн
500+26.80 грн
1000+24.32 грн
2000+22.24 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0994NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0994NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 13A 8TSDSON-25
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-25
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0994NSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESBSZ0994NS SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0994NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ099N06LS5Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ099N06LS5ATMA1
Код товару: 165964
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ099N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 12740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
174+70.42 грн
205+59.93 грн
216+56.67 грн
228+51.80 грн
500+43.68 грн
1000+31.80 грн
5000+27.61 грн
10000+26.91 грн
Мінімальне замовлення: 174
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ099N06LS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ099N06LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0099 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 36W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0083ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0099ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 151514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+44.19 грн
500+29.95 грн
1000+23.36 грн
5000+20.46 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ099N06LS5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 29A; 36W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 29A
Power dissipation: 36W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 6.9nC
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ099N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+18.13 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ099N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH 40<-<100V
на замовлення 31721 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+84.52 грн
10+60.22 грн
25+48.22 грн
100+39.31 грн
250+37.13 грн
500+31.17 грн
1000+26.41 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ099N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 46A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 30 V
на замовлення 9675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.47 грн
10+51.33 грн
100+38.48 грн
500+28.73 грн
1000+25.18 грн
2000+24.47 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ099N06LS5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 29A; 36W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 29A
Power dissipation: 36W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 6.9nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ099N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+23.15 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ099N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ099N06LS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ099N06LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0099 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0099ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 151514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+80.59 грн
15+58.92 грн
100+44.19 грн
500+29.95 грн
1000+23.36 грн
5000+20.46 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ099N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+19.26 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ099N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 46A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 30 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+23.17 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ099N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Bsz100HBEFuse: time-lag; glass type; current: 100mA; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: BK1/S506-100-R; 0218.100MXP; 179120.0,1; 0034.3107 Fuse: time-lag; 100mA Bsz100
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 400 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+2.91 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
Bsz100HBEFuse: time-lag; glass type; current: 100mA; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: BK1/S506-100-R; 0218.100MXP; 179120.0,1; 0034.3107 Fuse: time-lag; 100mA Bsz100
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+2.91 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
Bsz100HBEFuse: time-lag; glass type; current: 100mA; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: BK1/S506-100-R; 0218.100MXP; 179120.0,1; 0034.3107 Fuse: time-lag; 100mA Bsz100
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+2.91 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
Bsz100HBEFuse: time-lag; glass type; current: 100mA; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: BK1/S506-100-R; 0218.100MXP; 179120.0,1; 0034.3107 Fuse: time-lag; 100mA Bsz100
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+2.91 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N03LSINFINEONQFN
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N03LS GInfineonQFN
на замовлення 365 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N03LS GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 4093 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+21.83 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+16.37 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+19.03 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N03LSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 36A; 30W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 36A
Power dissipation: 30W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+22.42 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N03LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 12A/40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+20.43 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N03LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 12A/40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N03LSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 36A; 30W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 36A
Power dissipation: 30W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N03MS GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M
на замовлення 1805 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+78.44 грн
10+47.82 грн
100+28.45 грн
500+22.34 грн
1000+18.64 грн
2500+17.28 грн
5000+14.64 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N03MS GInfineonQFN
на замовлення 91 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N03MSGInfineon technologies
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+21.47 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N03MSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M
на замовлення 9689 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+24.56 грн
19+19.27 грн
100+15.39 грн
1000+15.02 грн
2500+14.04 грн
5000+13.05 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N03MSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 10A/40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N03MSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; 30W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 39A
Power dissipation: 30W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 4995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
483+25.33 грн
529+23.14 грн
534+22.91 грн
573+20.60 грн
1000+17.06 грн
3000+16.16 грн
Мінімальне замовлення: 483
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N03MSGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ100N03MSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0091 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 M
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0091ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+17.01 грн
500+13.36 грн
1000+12.26 грн
5000+12.19 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 4995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+28.40 грн
26+27.13 грн
100+23.91 грн
250+21.92 грн
500+19.62 грн
1000+17.55 грн
3000+17.31 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N03MSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; 30W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 39A
Power dissipation: 30W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+14.44 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+23.81 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N03MSGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ100N03MSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0091 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 M
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0091ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+24.21 грн
44+19.47 грн
100+17.01 грн
500+13.36 грн
1000+12.26 грн
5000+12.19 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N03MSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 10A/40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.45 грн
11+30.03 грн
100+23.07 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+23.05 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N06LS3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 20A TSDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 9866 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+129.41 грн
10+81.23 грн
100+46.79 грн
500+38.41 грн
1000+33.66 грн
2500+32.60 грн
5000+27.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N06LS3 GInfineon TechnologiesN-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 11 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 3500 @ 30; Qg, нКл = 45 @ 10 В; Rds = 10 мОм @ 20 A, 10 В; Ugs(th) = 2,2 В @ 23 мкА; Р, Вт = 2,1 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; Id2 = 20 A; Ptot2, Вт = 50; PG-TSDSON-8
на замовлення 2618 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N06LS3GInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
136+90.04 грн
143+86.01 грн
250+82.56 грн
500+76.74 грн
1000+68.74 грн
2500+64.04 грн
5000+62.32 грн
Мінімальне замовлення: 136
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N06LS3GInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N06LS3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; 50W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 20A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N06LS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N06LS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+19.46 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N06LS3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 20A TSDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 24732 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+99.48 грн
10+68.73 грн
100+43.84 грн
500+36.67 грн
1000+32.67 грн
2500+31.54 грн
5000+27.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N06LS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 11A/20A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 30 V
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+28.06 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N06LS3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; 50W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 20A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N06LS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N06LS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+27.07 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N06LS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ100N06LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.01 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 181412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+89.73 грн
14+64.93 грн
100+48.93 грн
500+35.53 грн
1000+30.18 грн
5000+25.69 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N06LS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 11A/20A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 30 V
на замовлення 76968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.79 грн
10+60.60 грн
100+44.45 грн
500+34.84 грн
1000+31.73 грн
2000+31.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N06LS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+25.41 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N06NSInfineon TechnologiesMOSFETs TRENCH 40<-<100V
на замовлення 8114 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+102.12 грн
10+63.18 грн
100+36.37 грн
500+29.88 грн
1000+25.81 грн
2500+23.69 грн
5000+21.36 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N06NSInfineon technologies
на замовлення 3650 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N06NSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ100N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0085 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+45.37 грн
500+35.14 грн
1000+27.57 грн
5000+23.22 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N06NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1075 pF @ 30 V
на замовлення 17351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.26 грн
10+56.91 грн
100+38.63 грн
500+28.56 грн
1000+25.14 грн
2000+24.27 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 2771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
228+53.65 грн
286+42.89 грн
302+40.60 грн
500+32.24 грн
1000+24.82 грн
Мінімальне замовлення: 228
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N06NSATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH 40<-<100V
на замовлення 31897 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+88.92 грн
10+61.35 грн
100+36.90 грн
500+29.96 грн
1000+25.51 грн
2500+24.83 грн
5000+21.73 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N06NSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ100N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0085 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+85.50 грн
13+66.37 грн
100+45.37 грн
500+35.14 грн
1000+27.57 грн
5000+23.22 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N06NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1075 pF @ 30 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+23.02 грн
10000+22.08 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N06NSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 40A; 36W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 40A
Power dissipation: 36W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N06NSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 40A; 36W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 40A
Power dissipation: 36W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ105N04NS GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 4338 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ105N04NS GInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ105N04NSGInfineon TechnologiesDescription: OPTLMOS POWER-MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ105N04NSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 29A; 35W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 13nC
On-state resistance: 10.5mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 29A
Power dissipation: 35W
Drain-source voltage: 40V
Case: PG-TSDSON-8
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ105N04NSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 11A/40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ105N04NSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 29A; 35W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 13nC
On-state resistance: 10.5mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 29A
Power dissipation: 35W
Drain-source voltage: 40V
Case: PG-TSDSON-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ105N04NSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 11A/40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ105N04NSGATMA2Infineon TechnologiesOptiMOS 3 Power-Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ105N04NSGATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ105N04NSGATMA2Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ105N04NSGATMA2Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 4447 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+66.64 грн
10+40.44 грн
100+24.00 грн
500+18.87 грн
1000+15.70 грн
2500+14.26 грн
5000+12.60 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ110N06NS3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 20A TSDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 75292 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+95.96 грн
10+45.39 грн
100+28.00 грн
500+23.24 грн
1000+20.45 грн
2500+19.70 грн
5000+18.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ110N06NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 20A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 30 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+21.26 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ110N06NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 20A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 3873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
348+35.18 грн
355+34.49 грн
405+30.27 грн
407+29.02 грн
500+25.07 грн
1000+20.33 грн
3000+20.26 грн
Мінімальне замовлення: 348
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ110N06NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 20A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ110N06NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 20A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ110N06NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 20A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 30 V
на замовлення 6247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.42 грн
10+54.94 грн
100+36.26 грн
500+26.49 грн
1000+24.06 грн
2000+22.12 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ110N06NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ110N06NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.009 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4774 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+40.46 грн
22+39.96 грн
100+31.83 грн
500+25.15 грн
1000+19.81 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ110N06NS3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; Idm: 80A; 50W; PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 20A
On-state resistance: 11mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 80A
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ110N06NS3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ110N06NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 20A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 3873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+40.86 грн
19+37.70 грн
25+36.95 грн
100+31.27 грн
250+28.79 грн
500+25.78 грн
1000+21.78 грн
3000+21.71 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ110N06NS3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; Idm: 80A; 50W; PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 20A
On-state resistance: 11mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 80A
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ110N08NS5Infineon
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ110N08NS5Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 51A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 14891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
173+71.08 грн
181+67.90 грн
250+65.18 грн
500+60.58 грн
1000+54.27 грн
2500+50.56 грн
5000+49.19 грн
10000+47.99 грн
Мінімальне замовлення: 173
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ110N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 51A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ110N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 40A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+20.78 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ110N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 22µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 40 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+29.31 грн
10000+27.98 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ110N08NS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ110N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 0.0096 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0096ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 13858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+73.39 грн
50+55.19 грн
250+47.40 грн
1000+33.72 грн
3000+29.68 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ110N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 51A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 25952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
198+61.97 грн
225+54.53 грн
256+47.90 грн
267+44.23 грн
500+38.68 грн
1000+35.21 грн
5000+31.45 грн
10000+29.79 грн
Мінімальне замовлення: 198
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ110N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 80V 40A TSDSON-8
на замовлення 6275 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+106.53 грн
10+63.18 грн
100+43.99 грн
500+37.65 грн
1000+33.66 грн
2500+32.67 грн
5000+28.67 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ110N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 51A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 2220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
634+19.30 грн
658+18.60 грн
1000+17.99 грн
Мінімальне замовлення: 634
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ110N08NS5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; 50W; PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 40A
On-state resistance: 11mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ110N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 22µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 40 V
на замовлення 24680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+110.20 грн
10+59.50 грн
100+45.89 грн
500+35.87 грн
1000+32.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ110N08NS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ110N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 0.0096 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0096ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 15293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+58.16 грн
250+49.69 грн
1000+34.74 грн
3000+29.89 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ110N08NS5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; 50W; PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 40A
On-state resistance: 11mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ110N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 51A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+36.53 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ115N03MSCGATMA1Infineon TechnologiesOld Part BSZ115N03MSCGXT^INFINEON
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ120P03NS3 GInfineon TechnologiesMOSFETs P-Ch -30V -40A TSDSON-8 OptiMOS P3
на замовлення 6681 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+62.24 грн
10+54.24 грн
100+32.22 грн
500+26.86 грн
1000+22.86 грн
2500+21.66 грн
5000+18.34 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ120P03NS3 GInfineon
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ120P03NS3E GInfineon TechnologiesMOSFET P-Ch -30V -40A TSDSON-8 OptiMOS P3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ120P03NS3EGInfineon technologies
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ120P03NS3EGATMA1Infineon TechnologiesMOSFET P-Ch -30V -40A TSDSON-8 OptiMOS P3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ120P03NS3EGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 11A/40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 73µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3360 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ120P03NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+24.62 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ120P03NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 11A/40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 73µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3360 pF @ 15 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+17.47 грн
10000+16.43 грн
15000+15.77 грн
25000+14.58 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ120P03NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ120P03NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 40 A, 0.009 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+40.97 грн
500+31.76 грн
1000+22.28 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ120P03NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 9770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
197+62.27 грн
232+52.90 грн
273+44.84 грн
288+40.99 грн
500+32.76 грн
1000+27.26 грн
5000+24.20 грн
Мінімальне замовлення: 197
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ120P03NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+14.97 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ120P03NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+21.88 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ120P03NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ120P03NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 40 A, 0.009 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+76.78 грн
14+64.50 грн
100+40.97 грн
500+31.76 грн
1000+22.28 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ120P03NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ120P03NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 11A/40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 73µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3360 pF @ 15 V
на замовлення 32634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.75 грн
10+42.53 грн
100+29.69 грн
500+22.51 грн
1000+19.50 грн
2000+18.57 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ120P03NS3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESBSZ120P03NS3GATMA1 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ120P03NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+24.44 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ120P03NS3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs P-Ch -30V -40A TSDSON-8 OptiMOS P3
на замовлення 9777 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+70.25 грн
10+47.03 грн
100+28.00 грн
500+23.39 грн
1000+19.54 грн
2500+17.96 грн
5000+16.22 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ120P03NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+23.19 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ123N08NS3 GInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 10A 8-Pin TSDSON EP
на замовлення 2331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
67+184.33 грн
69+177.31 грн
100+171.29 грн
250+160.16 грн
500+144.27 грн
1000+135.11 грн
Мінімальне замовлення: 67
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ123N08NS3 GInfineon
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ123N08NS3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 80V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 17389 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+125.89 грн
10+86.61 грн
100+58.63 грн
500+49.65 грн
1000+40.45 грн
2500+38.03 грн
5000+36.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ123N08NS3 GInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 10A 8-Pin TSDSON EP
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
116+106.21 грн
121+101.46 грн
250+97.39 грн
500+90.52 грн
1000+81.08 грн
2500+75.53 грн
5000+73.51 грн
Мінімальне замовлення: 116
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ123N08NS3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 80V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 23544 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+125.89 грн
10+86.61 грн
100+58.63 грн
500+49.65 грн
1000+40.45 грн
2500+38.03 грн
5000+35.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ123N08NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+38.07 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ123N08NS3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; 66W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 40A
Power dissipation: 66W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ123N08NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+35.50 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ123N08NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 10A/40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 40 V
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+33.31 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ123N08NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ123N08NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 0.0103 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 66W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 18682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+66.03 грн
500+51.88 грн
1000+38.96 грн
5000+34.97 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ123N08NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ123N08NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 630000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+42.20 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ123N08NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ123N08NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 0.0103 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 66W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 18682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+121.05 грн
10+84.65 грн
100+66.03 грн
500+51.88 грн
1000+38.96 грн
5000+34.97 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ123N08NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ123N08NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 10A/40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 40 V
на замовлення 36366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+105.30 грн
10+71.22 грн
100+53.62 грн
500+40.80 грн
1000+36.85 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ123N08NS3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; 66W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 40A
Power dissipation: 66W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ123N08NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 10A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+25.62 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ12DN20NS3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 200V 11.3A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 5866 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+133.82 грн
10+90.25 грн
100+55.24 грн
500+45.13 грн
1000+39.47 грн
2500+38.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ12DN20NS3GInfineon TechnologiesDescription: BSZ12DN20 - 12V-300V N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ12DN20NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 11.3A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+129.24 грн
10+106.04 грн
25+98.11 грн
100+79.10 грн
250+68.34 грн
500+43.38 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ12DN20NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ12DN20NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 11.3A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+59.30 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ12DN20NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 11.3A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
124+98.97 грн
134+91.57 грн
160+76.56 грн
250+68.89 грн
500+42.17 грн
Мінімальне замовлення: 124
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ12DN20NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 11.3A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+46.18 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ12DN20NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ12DN20NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 11.3 A, 0.108 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.108ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 9216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+72.80 грн
500+57.30 грн
1000+40.63 грн
5000+39.76 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ12DN20NS3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESBSZ12DN20NS3GATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ12DN20NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 11.3A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ12DN20NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 11.3A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+43.10 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ12DN20NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V
на замовлення 3429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+145.30 грн
10+89.29 грн
100+60.32 грн
500+44.95 грн
1000+41.20 грн
2000+38.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ12DN20NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 11.3A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 4192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
147+83.57 грн
158+77.66 грн
187+65.43 грн
200+59.66 грн
500+55.06 грн
1000+47.79 грн
2000+44.99 грн
Мінімальне замовлення: 147
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ12DN20NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ12DN20NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 11.3 A, 0.108 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.108ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 9216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+130.36 грн
10+99.89 грн
100+72.80 грн
500+57.30 грн
1000+40.63 грн
5000+39.76 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ130N03LS GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 35A TSDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 4943 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+74.48 грн
10+46.17 грн
100+26.03 грн
500+20.00 грн
1000+16.45 грн
5000+14.34 грн
10000+13.28 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ130N03LSGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ130N03LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 35 A, 0.0108 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+49.86 грн
20+43.09 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ130N03LSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 28A; 25W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 28A
Power dissipation: 25W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ130N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ130N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+21.06 грн
10000+19.75 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ130N03LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 10A/35A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970 pF @ 15 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+15.68 грн
10000+13.97 грн
15000+13.39 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ130N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+19.62 грн
10000+18.39 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ130N03LSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 28A; 25W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 28A
Power dissipation: 25W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ130N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+13.82 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ130N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ130N03LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 10A/35A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970 pF @ 15 V
на замовлення 27529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.57 грн
10+41.42 грн
100+26.89 грн
500+19.37 грн
1000+17.49 грн
2000+15.89 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ130N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 260000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+21.15 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ130N03MS GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 35A TSDSON-8 OptiMOS 3M
на замовлення 509 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+81.61 грн
10+46.95 грн
100+27.09 грн
500+21.13 грн
1000+18.26 грн
2500+17.51 грн
5000+15.77 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ130N03MSGInfineon TechnologiesDescription: BSZ130N03 - 12V-300V N-CHANNEL P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ130N03MSGInfineon technologies
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ130N03MSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 9A/35A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+19.31 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ130N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+20.82 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ130N03MSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESBSZ130N03MSGATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ130N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 4085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+22.50 грн
35+19.97 грн
100+19.06 грн
250+17.47 грн
500+16.61 грн
1000+16.20 грн
3000+15.79 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ130N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+16.55 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ130N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+19.39 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ130N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 9870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
498+24.57 грн
500+24.46 грн
561+21.81 грн
1000+20.25 грн
2000+18.66 грн
5000+16.77 грн
Мінімальне замовлення: 498
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ130N03MSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 9A/35A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V
на замовлення 13775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.34 грн
10+53.14 грн
100+34.93 грн
500+25.42 грн
1000+23.05 грн
2000+21.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ130N03MSGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ130N03MSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 35 A, 0.0092 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0092ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+38.77 грн
23+38.26 грн
100+29.46 грн
500+23.19 грн
1000+18.87 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ130N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ130N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 4085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
657+18.64 грн
663+18.45 грн
670+18.26 грн
677+17.44 грн
1000+15.75 грн
3000+14.74 грн
Мінімальне замовлення: 657
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ146N10LS5Infineon / IRMOSFETs TRENCH >=100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ146N10LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 41743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
605+50.58 грн
1000+47.76 грн
Мінімальне замовлення: 605
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ146N10LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+35.47 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ146N10LS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ146N10LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.0124 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+67.89 грн
100+57.73 грн
500+46.93 грн
1000+38.96 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ146N10LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
605+50.58 грн
Мінімальне замовлення: 605
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ146N10LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ146N10LS5ATMA1
Код товару: 208437
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ146N10LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 4684 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
605+50.58 грн
1000+47.76 грн
Мінімальне замовлення: 605
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ146N10LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 50 V
на замовлення 12463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+80.00 грн
10+64.77 грн
100+52.24 грн
500+42.21 грн
1000+39.23 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ146N10LS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ146N10LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.0124 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+57.73 грн
500+46.93 грн
1000+38.96 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ146N10LS5ATMA1InfineonN-Channel 100 V 40A (Tc) 52W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-FL
на замовлення 14 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
2+268.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ146N10LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ146N10LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 4965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+81.54 грн
160+76.85 грн
173+71.04 грн
200+65.26 грн
500+54.51 грн
1000+52.24 грн
2000+52.16 грн
Мінімальне замовлення: 150
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ146N10LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ146N10LS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MV POWER MOS
на замовлення 112233 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+88.92 грн
10+73.50 грн
100+51.54 грн
500+44.45 грн
1000+41.28 грн
2500+39.99 грн
5000+35.01 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ150N10LS3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 40A TSDSON-8
на замовлення 7010 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+125.01 грн
10+93.72 грн
100+63.31 грн
500+53.65 грн
1000+43.77 грн
2500+41.13 грн
5000+39.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ150N10LS3GInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
112+110.11 грн
117+105.18 грн
250+100.97 грн
500+93.85 грн
1000+84.06 грн
2500+78.31 грн
5000+76.21 грн
Мінімальне замовлення: 112
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ150N10LS3GInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
104+118.20 грн
108+114.19 грн
250+110.73 грн
500+103.87 грн
1000+93.82 грн
2500+88.09 грн
Мінімальне замовлення: 104
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ150N10LS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ150N10LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.013 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 19784 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+79.83 грн
250+66.71 грн
1000+50.39 грн
3000+44.70 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ150N10LS3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 40A TSDSON-8
на замовлення 25951 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+139.10 грн
10+94.59 грн
100+57.88 грн
250+57.50 грн
500+47.92 грн
1000+44.90 грн
2500+43.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ150N10LS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ150N10LS3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; 63W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Power dissipation: 63W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ150N10LS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+44.87 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ150N10LS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ150N10LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.013 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 19784 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+104.97 грн
50+79.83 грн
250+66.71 грн
1000+50.39 грн
3000+44.70 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ150N10LS3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; 63W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Power dissipation: 63W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ150N10LS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ150N10LS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 8A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ150N10LS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
189+64.72 грн
223+54.94 грн
Мінімальне замовлення: 189
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ150N10LS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+74.12 грн
11+69.73 грн
25+69.38 грн
100+47.87 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ150N10LS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V
на замовлення 8919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+153.46 грн
10+94.64 грн
100+64.12 грн
500+47.93 грн
1000+45.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ15DC02KD HInfineon TechnologiesMOSFETs SMALL SIGNAL+P-CH
на замовлення 14558 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+108.29 грн
10+75.06 грн
100+50.78 грн
500+43.01 грн
1000+35.09 грн
2500+32.98 грн
5000+31.39 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ15DC02KDHXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH 20V 5.1A/3.2A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ15DC02KDHXTMA1INFINEON TECHNOLOGIESBSZ15DC02KDHXTMA1 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ15DC02KDHXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH 20V 5.1A/3.2A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 1651 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
163+75.19 грн
171+71.82 грн
201+60.87 грн
250+57.04 грн
500+45.49 грн
1000+35.06 грн
Мінімальне замовлення: 163
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ15DC02KDHXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH 20V 5.1A/3.2A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+33.54 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ15DC02KDHXTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N/P-CH 20V 5.1A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A, 3.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 419pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 5.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+97.14 грн
10+63.43 грн
100+47.30 грн
500+36.79 грн
1000+33.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ15DC02KDHXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ15DC02KDHXTMA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.041 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.041ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.041ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 19882 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+62.90 грн
500+49.44 грн
1000+35.05 грн
5000+33.59 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ15DC02KDHXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH 20V 5.1A/3.2A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+32.41 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ15DC02KDHXTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs SMALL SIGNAL+P-CH
на замовлення 4224 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+97.72 грн
10+67.86 грн
25+58.86 грн
100+45.65 грн
250+45.58 грн
500+38.56 грн
1000+34.49 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ15DC02KDHXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH 20V 5.1A/3.2A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 1651 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+99.18 грн
10+80.56 грн
25+76.95 грн
100+62.89 грн
250+56.59 грн
500+46.79 грн
1000+37.56 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ15DC02KDHXTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N/P-CH 20V 5.1A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A, 3.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 419pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 5.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ15DC02KDHXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ15DC02KDHXTMA1 - Dual-MOSFET, 25W, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 5.1 A, 3.2 A, 0.055 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.15ohm
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2 + OptiMOS P 2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.055ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 12789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+99.89 грн
13+69.92 грн
100+53.41 грн
500+41.19 грн
1000+32.72 грн
5000+29.60 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ15DC02KDHXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH 20V 5.1A/3.2A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
154+79.60 грн
162+75.93 грн
181+67.78 грн
200+62.80 грн
500+57.97 грн
1000+51.89 грн
2000+49.70 грн
5000+48.75 грн
Мінімальне замовлення: 154
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ15DC02KDHXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH 20V 5.1A/3.2A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+34.80 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Bsz160HBEFuse: time-lag; glass type; current: 160mA; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: 0218.160MXP; 179120.0.16; 0034.3109 Fuse: time-lag; 160mA Bsz160
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 800 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+2.91 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ160N10NS3 G
Код товару: 66694
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ160N10NS3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 26133 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+160.23 грн
10+101.53 грн
100+60.90 грн
500+51.61 грн
1000+43.84 грн
5000+37.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ160N10NS3GInfineon technologies
на замовлення 695 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ160N10NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+45.44 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ160N10NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 8A/40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 12µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 50 V
на замовлення 12328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.59 грн
10+75.15 грн
100+57.74 грн
500+45.25 грн
1000+42.86 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ160N10NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+53.45 грн
10000+51.00 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ160N10NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ160N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.014 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+78.39 грн
500+61.70 грн
1000+44.55 грн
5000+44.48 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ160N10NS3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 4578 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+116.21 грн
10+90.25 грн
25+76.97 грн
100+60.07 грн
250+58.93 грн
500+49.50 грн
1000+44.67 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ160N10NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+49.88 грн
10000+47.60 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ160N10NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 2177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
120+102.43 грн
122+100.52 грн
166+74.01 грн
250+70.66 грн
500+52.87 грн
1000+38.94 грн
Мінімальне замовлення: 120
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ160N10NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 8A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+33.10 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ160N10NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 8A/40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 12µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 50 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+39.04 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ160N10NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ160N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.014 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+140.52 грн
10+105.81 грн
100+78.39 грн
500+61.70 грн
1000+44.55 грн
5000+44.48 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ160N10NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 2177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+133.09 грн
10+109.74 грн
25+107.70 грн
100+76.46 грн
250+70.10 грн
500+54.38 грн
1000+41.72 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ160N10NS3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; 63W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Power dissipation: 63W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ160N10NS3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; 63W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Power dissipation: 63W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ160N10NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+42.56 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ165N04NS GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 31A TSDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 2646 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ165N04NS GInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 8.9A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ165N04NSG
на замовлення 10080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ165N04NSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 8.9A/31A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta), 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ165N04NSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 31A TSDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 1598 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ165N04NSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 8.9A/31A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta), 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ16DN25NS3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 250V 10.9A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 9868 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+154.95 грн
10+127.57 грн
100+87.53 грн
250+81.50 грн
500+73.72 грн
1000+63.01 грн
2500+59.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ16DN25NS3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESBSZ16DN25NS3GATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ16DN25NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 32µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ16DN25NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 10.9A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 20768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
95+129.44 грн
102+120.27 грн
120+101.92 грн
200+93.07 грн
500+85.90 грн
1000+74.52 грн
2000+70.24 грн
5000+68.49 грн
10000+66.39 грн
Мінімальне замовлення: 95
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ16DN25NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 10.9A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+60.75 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ16DN25NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ16DN25NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 10.9 A, 0.146 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.146ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 33097 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+90.58 грн
500+64.85 грн
1000+51.15 грн
5000+50.28 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ16DN25NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 32µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 100 V
на замовлення 4801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+169.79 грн
10+106.51 грн
100+80.51 грн
500+60.72 грн
1000+54.60 грн
2000+51.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ16DN25NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 10.9A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ16DN25NS3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 250V 10.9A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 4949 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+177.84 грн
10+121.49 грн
25+98.10 грн
100+80.74 грн
250+79.23 грн
500+63.99 грн
1000+55.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ16DN25NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 10.9A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ16DN25NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ16DN25NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 10.9 A, 0.146 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.146ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 33097 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+165.07 грн
10+118.51 грн
100+90.58 грн
500+64.85 грн
1000+51.15 грн
5000+50.28 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ180P03NS3 GInfineon TechnologiesMOSFETs P-Ch -30V -39.6A TSDSON-8 OptiMOS P3
на замовлення 14485 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+72.10 грн
10+47.38 грн
100+28.45 грн
500+24.22 грн
1000+20.75 грн
2500+19.09 грн
5000+18.04 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ180P03NS3 GInfineon
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ180P03NS3E GInfineon TechnologiesMOSFETs P-Ch -30V -39.6A TSDSON-8 OptiMOS P3
на замовлення 4704 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+53.88 грн
10+41.22 грн
100+26.79 грн
500+21.05 грн
1000+16.22 грн
2500+15.32 грн
5000+12.90 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ180P03NS3EGATMAINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -39.6A; 40W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -39.6A
Power dissipation: 40W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P3
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ180P03NS3EGATMAINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -39.6A; 40W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -39.6A
Power dissipation: 40W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ180P03NS3EGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+15.49 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ180P03NS3EGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 4960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
751+16.29 грн
789+15.52 грн
790+15.48 грн
792+14.89 грн
1000+13.75 грн
3000+13.17 грн
Мінімальне замовлення: 751
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ180P03NS3EGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ180P03NS3EGATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 39.6 A, 0.0135 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 26519 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+54.85 грн
20+42.58 грн
100+31.74 грн
500+21.30 грн
1000+15.24 грн
5000+12.12 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ180P03NS3EGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 475000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+20.21 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ180P03NS3EGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 9A/39.5A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 39.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2220 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ180P03NS3EGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 4960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+18.34 грн
40+17.62 грн
41+17.45 грн
100+16.03 грн
250+14.81 грн
500+14.18 грн
1000+14.14 грн
3000+14.11 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ180P03NS3EGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
564+21.71 грн
567+21.61 грн
Мінімальне замовлення: 564
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ180P03NS3EGATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs P-Ch -30V -39.6A TSDSON-8 OptiMOS P3
на замовлення 13440 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+49.92 грн
10+35.06 грн
100+21.43 грн
500+17.13 грн
1000+14.41 грн
10000+14.04 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ180P03NS3EGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+14.37 грн
10000+14.30 грн
15000+14.29 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ180P03NS3EGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ180P03NS3EGATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 39.6 A, 0.0135 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 26519 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+31.74 грн
500+21.30 грн
1000+15.24 грн
5000+12.12 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ180P03NS3EGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+15.29 грн
10000+15.20 грн
15000+15.18 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ180P03NS3EGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 9A/39.5A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 39.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2220 pF @ 15 V
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.77 грн
10+39.30 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ180P03NS3EGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ180P03NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 9A/39.6A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 39.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2220 pF @ 15 V
на замовлення 7639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.02 грн
10+44.18 грн
100+30.14 грн
500+22.93 грн
1000+19.86 грн
2000+18.91 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ180P03NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
174+70.42 грн
273+44.84 грн
319+38.43 грн
337+35.09 грн
500+30.39 грн
1000+27.43 грн
2000+25.86 грн
5000+24.11 грн
Мінімальне замовлення: 174
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ180P03NS3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -39.6A; 40W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -39.6A
Power dissipation: 40W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ180P03NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+22.71 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ180P03NS3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs P-Ch -30V -39.6A TSDSON-8 OptiMOS P3
на замовлення 6633 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+63.39 грн
10+43.82 грн
25+35.24 грн
100+26.03 грн
500+21.73 грн
1000+18.26 грн
2500+16.75 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ180P03NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ180P03NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ180P03NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 39.6 A, 0.0135 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+59.26 грн
50+37.50 грн
250+31.24 грн
1000+22.09 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ180P03NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ180P03NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 9A/39.6A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 39.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2220 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ180P03NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+21.16 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ180P03NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+14.97 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ180P03NS3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -39.6A; 40W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -39.6A
Power dissipation: 40W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P3
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ180P03NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ180P03NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 39.6 A, 0.0135 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 40W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TSDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0135ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+37.50 грн
250+31.24 грн
1000+22.09 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ180P03NS3GATMA1 (BSZ180P03NS3 G)
Код товару: 191392
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Bsz200HBEFuse: time-lag; glass type; current: 200mA; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: 0218.200MXP; 179120.0,2 Fuse: time-lag; 200mA Bsz200
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+2.91 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
Bsz200HBEFuse: time-lag; glass type; current: 200mA; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: 0218.200MXP; 179120.0,2 Fuse: time-lag; 200mA Bsz200
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 297 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+2.91 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
Bsz200HBEFuse: time-lag; glass type; current: 200mA; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: 0218.200MXP; 179120.0,2 Fuse: time-lag; 200mA Bsz200
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+2.91 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ215CHXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ215CHXTMA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.041 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.041ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.041ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 25615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+154.07 грн
10+99.89 грн
100+68.06 грн
500+46.53 грн
1000+36.79 грн
5000+35.26 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ215CHXTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N/P-CH 20V 5.1A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A, 3.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 419pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 5.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.22 грн
10+86.47 грн
100+58.28 грн
500+43.79 грн
1000+40.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ215CHXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ215CHXTMA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.041 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.041ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.041ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 25615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+68.06 грн
500+46.53 грн
1000+36.79 грн
5000+35.26 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ215CHXTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N/P-CH 20V 5.1A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A, 3.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 419pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 5.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+36.68 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ215CHXTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs SMALL SIGNAL+P-CH
на замовлення 4689 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+155.83 грн
10+98.06 грн
25+79.23 грн
100+56.52 грн
250+55.61 грн
500+45.35 грн
1000+40.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ215CHXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH 20V 5.1A/3.2A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ22DN20NS3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 200V 7A TSDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 12916 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+95.96 грн
10+66.47 грн
100+44.97 грн
500+38.11 грн
1000+31.01 грн
2500+29.20 грн
5000+27.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ22DN20NS3GInfineon TechnologiesDescription: BSZ22DN20 - 12V-300V N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ22DN20NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 7A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 100 V
на замовлення 6471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+88.16 грн
10+59.98 грн
100+46.66 грн
500+34.84 грн
1000+31.31 грн
2000+31.01 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ22DN20NS3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 200V 7A TSDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 4270 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+96.84 грн
10+66.47 грн
100+44.97 грн
500+36.52 грн
1000+31.69 грн
2500+30.71 грн
5000+27.54 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ22DN20NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 7A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+32.31 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ22DN20NS3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESBSZ22DN20NS3GATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ22DN20NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 7A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 100 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+28.84 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ22DN20NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 7A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ240N12NS3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 120V 37A TSDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 4230 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+161.11 грн
10+104.14 грн
100+60.90 грн
250+60.82 грн
500+48.29 грн
1000+42.94 грн
5000+39.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ240N12NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 120V 37A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 60 V
на замовлення 2555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+142.85 грн
10+87.88 грн
100+59.34 грн
500+44.22 грн
1000+41.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ240N12NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 120V 37A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ240N12NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 37A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ240N12NS3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESBSZ240N12NS3GATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Bsz250HBEFuse: time-lag; glass type; current: 250mA; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: 0218.250MXP; 179120.0,25; 0034.3111 Fuse: time-lag; 250mA Bsz250
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 450 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+2.91 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
Bsz250HBEFuse: time-lag; glass type; current: 250mA; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: 0218.250MXP; 179120.0,25; 0034.3111 Fuse: time-lag; 250mA Bsz250
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+2.91 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ300N15NS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MV POWER MOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ300N15NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 32A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+63.74 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ300N15NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 32A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 32µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 75 V
на замовлення 6866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+195.91 грн
10+121.92 грн
100+83.89 грн
500+64.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ300N15NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 32A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 32µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 75 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+58.23 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Bsz315HBEFuse: time-lag; glass type; current: 315mA; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: 0218.315MXP; 179120.0,315; 0034.3112 Fuse: time-lag; 315mA Bsz315
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 304 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+2.91 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ340N08NS3 GInfineon
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ340N08NS3 G
Код товару: 194005
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ340N08NS3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 80V 23A TSDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 39500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+72.10 грн
10+53.11 грн
100+31.54 грн
500+26.34 грн
1000+22.41 грн
2500+20.30 грн
5000+18.79 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ340N08NS3 GInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 6A 8-Pin TSDSON EP
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
264+46.34 грн
275+44.48 грн
500+42.87 грн
1000+39.99 грн
2500+35.93 грн
5000+33.57 грн
Мінімальне замовлення: 264
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ340N08NS3GInfineon technologies
на замовлення 792 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ340N08NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 6A/23A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 12µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 40 V
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+17.62 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ340N08NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 6A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+67.68 грн
12+59.74 грн
25+59.14 грн
100+44.08 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ340N08NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 6A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+44.17 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ340N08NS3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESBSZ340N08NS3GATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ340N08NS3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 80V 23A TSDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 14584 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+30.90 грн
13+27.77 грн
100+21.43 грн
500+21.05 грн
1000+19.77 грн
5000+18.04 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ340N08NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 6A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ340N08NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 6A/23A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 12µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 40 V
на замовлення 27442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.20 грн
12+26.41 грн
100+23.35 грн
500+20.74 грн
1000+19.69 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ340N08NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 6A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
288+42.52 грн
315+38.88 грн
317+38.67 грн
500+30.37 грн
1000+26.27 грн
5000+22.36 грн
Мінімальне замовлення: 288
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ340N08NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ340N08NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 23 A, 0.027 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 77601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+50.88 грн
18+49.01 грн
100+34.11 грн
500+24.37 грн
1000+19.01 грн
5000+17.12 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ340N08NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 6A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ340N08NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 6A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+20.95 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ340N08NS3GATMA2Infineon TechnologiesSP001171262
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Bsz400HBEFuse: time-lag; glass type; current: 400mA; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: 0218.400MXP; 179120.0,4; 0034.3113 Fuse: time-lag; 400mA Bsz400
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 1573 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+2.91 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ42DN25NS3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 250V 5A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 3070 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+115.33 грн
10+79.66 грн
100+54.03 грн
500+45.80 грн
1000+37.28 грн
2500+35.01 грн
5000+33.43 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ42DN25NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 5A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+102.01 грн
10+84.68 грн
25+83.98 грн
100+63.79 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ42DN25NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 5A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ42DN25NS3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESBSZ42DN25NS3GATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ42DN25NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 250V 5A TSDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 425mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 100 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+35.29 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ42DN25NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ42DN25NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 5 A, 0.371 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 33.8W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33.8W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.371ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.371ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 9465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+135.44 грн
10+108.35 грн
100+80.84 грн
500+63.04 грн
1000+44.91 грн
2500+43.46 грн
5000+42.01 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ42DN25NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 5A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ42DN25NS3GATMA1Infineon TechnologiesN-канальний ПТ; Udss, В = 250; Id = 5 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 430 @ 100; Qg, нКл = 5,5 @ 10 В; Rds = 425 мОм @ 2,5 A, 10 В; Ugs(th) = 4 В @ 13 мкА; Р, Вт = 33,8; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; PG-TSDSON-8
на замовлення 5 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ42DN25NS3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 250V 5A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 9308 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+83.99 грн
10+61.96 грн
25+51.84 грн
100+41.35 грн
250+41.28 грн
500+40.90 грн
1000+38.64 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ42DN25NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 250V 5A TSDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 425mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 100 V
на замовлення 16612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.89 грн
10+59.98 грн
100+46.45 грн
500+40.85 грн
1000+36.68 грн
2000+34.73 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ440N10NS3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 18A TSDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 79627 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+88.92 грн
10+54.67 грн
100+31.32 грн
500+24.83 грн
1000+22.03 грн
2500+20.15 грн
5000+18.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ440N10NS3 GInfineon
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ440N10NS3G
Код товару: 155825
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ440N10NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 5.3A/18A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 12µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 50 V
на замовлення 15618 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.61 грн
10+38.67 грн
100+28.30 грн
500+23.37 грн
1000+20.24 грн
2000+20.04 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ440N10NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 5.3A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ440N10NS3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 18A; 29W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 18A
Power dissipation: 29W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5899 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+131.04 грн
5+72.09 грн
24+46.69 грн
66+44.14 грн
1000+43.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ440N10NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 5.3A/18A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 12µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 50 V
на замовлення 9985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+19.03 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ440N10NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 5.3A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ440N10NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 5.3A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+22.10 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ440N10NS3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 18A; 29W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 18A
Power dissipation: 29W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 5899 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+109.20 грн
7+57.85 грн
24+38.91 грн
66+36.79 грн
1000+36.32 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ440N10NS3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 18A TSDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 54267 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+53.79 грн
10+41.91 грн
100+26.71 грн
500+23.47 грн
1000+20.15 грн
2500+19.77 грн
5000+16.98 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ440N10NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ440N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 18 A, 0.038 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 111958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+69.58 грн
15+56.97 грн
100+38.01 грн
500+25.23 грн
1000+19.37 грн
5000+18.57 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
Bsz500HBEFuse: time-lag; glass type; current: 500mA; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: BK1/S506-500-R; 0213.500MXP; 179120.0,5; 0034.3114; 522.514 Fuse: time-lag; 500mA Bsz500
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3370 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+2.91 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.