Продукція > BSZ

Description: INFINEON - BSZ009NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 700 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 69W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 700µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 2574 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	105.95 грн
500+	90.05 грн
1000+	75.35 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ009NE2LS5ATMA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 3861 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	141.01 грн
10+	110.46 грн
100+	84.04 грн
500+	77.80 грн
1000+	70.20 грн
2500+	68.28 грн
5000+	57.95 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ009NE2LS5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 25V 39A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 12 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	86.03 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ009NE2LS5ATMA1

Description: INFINEON - BSZ009NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 700 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 2574 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	150.85 грн
10+	123.91 грн
100+	105.95 грн
500+	90.05 грн
1000+	75.35 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

BSZ009NE2LS5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 25V 39A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 12 V

на замовлення 9540 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	205.21 грн
10+	178.43 грн
25+	159.32 грн
100+	134.55 грн
250+	119.61 грн
500+	104.66 грн
1000+	85.29 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

BSZ010NE2LS5ATMA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 2090 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	150.35 грн
10+	118.74 грн
100+	96.85 грн
250+	89.65 грн
500+	84.04 грн
1000+	76.36 грн
5000+	75.64 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ010NE2LS5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 25V 32A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 12 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ010NE2LS5ATMA1

Description: INFINEON - BSZ010NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 800 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 69W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 800µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 9485 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	114.93 грн
500+	90.05 грн
1000+	75.42 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ010NE2LS5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 25V 32A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 12 V

на замовлення 3638 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	205.21 грн
10+	149.33 грн
25+	134.77 грн
100+	109.72 грн
250+	100.81 грн
500+	95.05 грн
1000+	88.55 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

BSZ010NE2LS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 25V 32A T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ010NE2LS5ATMA1

Description: INFINEON - BSZ010NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 1000 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 7393 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	139.18 грн
10+	114.93 грн
100+	98.77 грн
500+	77.21 грн
1000+	60.96 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

BSZ011NE2LS5IATMA1

Description: INFINEON - BSZ011NE2LS5IATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 820 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 69W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 820µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 820µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 5002 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	88.71 грн
500+	76.71 грн
1000+	68.27 грн
5000+	61.03 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ011NE2LS5IATMA1

Description: MOSFET N-CH 25V 35A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 12 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	79.47 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ011NE2LS5IATMA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 8301 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	134.47 грн
10+	92.97 грн
100+	70.92 грн
500+	66.04 грн
1000+	63.71 грн
2500+	62.51 грн
5000+	59.07 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ011NE2LS5IATMA1

Description: INFINEON - BSZ011NE2LS5IATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 820 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 820µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 5002 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	144.56 грн
10+	101.46 грн
100+	88.71 грн
500+	76.71 грн
1000+	68.27 грн
5000+	61.03 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

BSZ011NE2LS5IATMA1

Description: MOSFET N-CH 25V 35A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 12 V

на замовлення 6761 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	133.34 грн
10+	110.73 грн
25+	104.46 грн
100+	90.01 грн
250+	85.19 грн
500+	81.79 грн
1000+	77.29 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ013NE2LS5IATMA1

Description: MOSFET N-CH 25V 32A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 12 V

на замовлення 32870 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	164.51 грн
10+	101.47 грн
100+	68.90 грн
500+	51.57 грн
1000+	49.54 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ013NE2LS5IATMA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	169.02 грн
10+	111.38 грн
100+	65.88 грн
500+	52.51 грн
1000+	49.55 грн
5000+	42.90 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ013NE2LS5IATMA1

Description: INFINEON - BSZ013NE2LS5IATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 0.0011 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	108.65 грн
11+	84.85 грн
100+	60.61 грн
500+	46.02 грн
1000+	39.02 грн
5000+	38.94 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

BSZ013NE2LS5IATMA1

Description: MOSFET N-CH 25V 32A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 12 V

на замовлення 25000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	44.79 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ013NE2LS5IATMA1

Description: INFINEON - BSZ013NE2LS5IATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 0.0011 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 69W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0011ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	60.61 грн
500+	46.02 грн
1000+	39.02 грн
5000+	38.94 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ014NE2LS5IFATMA1

Description: INFINEON - BSZ014NE2LS5IFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 1450 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 69W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00125ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1450µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 9168 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	85.21 грн
500+	65.45 грн
1000+	58.11 грн
5000+	49.41 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ014NE2LS5IFATMA1

Description: MOSFET N-CH 25V 31A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 20A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 12 V

на замовлення 60949 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	175.77 грн
10+	108.31 грн
100+	73.90 грн
500+	55.52 грн
1000+	54.35 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

BSZ014NE2LS5IFATMA1

Trans MOSFET N-CH 25V 31A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ014NE2LS5IFATMA1

Description: INFINEON - BSZ014NE2LS5IFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 1450 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1450µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 9168 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	131.10 грн
10+	97.87 грн
100+	85.21 грн
500+	65.45 грн
1000+	58.11 грн
5000+	49.41 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

BSZ014NE2LS5IFATMA1

Description: MOSFET N-CH 25V 31A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 20A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 12 V

на замовлення 55000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	49.14 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ014NE2LS5IFATMA1

MOSFETs IFX FET 15V-30V

на замовлення 14446 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	124.20 грн
10+	92.97 грн
100+	69.56 грн
500+	56.91 грн
1000+	55.23 грн
2500+	55.15 грн
5000+	47.87 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ014NE2LS5IFATMA1

Trans MOSFET N-CH 25V 31A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ017NE2LS5IATMA1

Description: INFINEON - BSZ017NE2LS5IATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 1450 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1450µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4970 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	68.87 грн
500+	50.61 грн
1000+	43.10 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ017NE2LS5IATMA1

Description: MOSFET N-CH 25V 27A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 12 V

на замовлення 9075 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	139.40 грн
10+	85.30 грн
100+	57.41 грн
500+	42.65 грн
1000+	39.34 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ017NE2LS5IATMA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 4965 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	112.06 грн
10+	83.95 грн
100+	54.91 грн
500+	43.54 грн
1000+	40.10 грн
2500+	37.94 грн
5000+	34.02 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ017NE2LS5IATMA1

Description: INFINEON - BSZ017NE2LS5IATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 1450 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1450µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4970 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	122.12 грн
10+	94.28 грн
100+	68.87 грн
500+	50.61 грн
1000+	43.10 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

BSZ017NE2LS5IATMA1

Description: MOSFET N-CH 25V 27A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 12 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	35.57 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ018N04LS6ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 27A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 20 V

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	65.67 грн
10000+	60.90 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ018N04LS6ATMA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 38436 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	119.53 грн
10+	96.65 грн
100+	70.92 грн
500+	60.99 грн
1000+	53.63 грн
2500+	49.71 грн
5000+	47.95 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ018N04LS6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 27A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ018N04LS6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 27A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ018N04LS6ATMA1

Description: INFINEON - BSZ018N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0016 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TSDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0016ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 9795 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	137.38 грн
500+	110.89 грн
1000+	88.51 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ018N04LS6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 27A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ018N04LS6ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 27A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 20 V

на замовлення 18358 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	110.83 грн
10+	91.72 грн
25+	86.51 грн
100+	74.52 грн
250+	70.50 грн
500+	67.66 грн
1000+	63.92 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ018N04LS6ATMA1

Description: INFINEON - BSZ018N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0016 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 9795 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	250.52 грн
10+	172.40 грн
100+	137.38 грн
500+	110.89 грн
1000+	88.51 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ018NE2LS

на замовлення 30 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ018NE2LS

Description: MOSFET N-CH 25V 23A TSDSON-8

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ018NE2LS

Description: MOSFET N-CH 25V 23A TSDSON-8

на замовлення 22633 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ018NE2LS

MOSFETs N-Ch 25V 40A TDSON-8 OptiMOS

на замовлення 6943 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	118.60 грн
10+	72.17 грн
100+	45.14 грн
500+	37.14 грн
1000+	33.06 грн
2500+	31.22 грн
5000+	28.02 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ018NE2LS

Description: MOSFET N-CH 25V 23A TSDSON-8

на замовлення 22633 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ018NE2LSATMA1

Trans MOSFET N-CH 25V 23A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	37.54 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ018NE2LSATMA1

Description: MOSFET N-CH 25V 23A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 12 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	29.13 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ018NE2LSATMA1

Description: INFINEON - BSZ018NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 153 A, 1800 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 153A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 11973 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	114.93 грн
13+	71.74 грн
100+	51.00 грн
500+	36.10 грн
1000+	29.55 грн
5000+	26.86 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

BSZ018NE2LSATMA1

Trans MOSFET N-CH 25V 23A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ018NE2LSATMA1

Description: MOSFET N-CH 25V 23A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 12 V

на замовлення 5670 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	118.62 грн
10+	72.37 грн
100+	48.38 грн
500+	35.72 грн
1000+	32.61 грн
2000+	31.81 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ018NE2LSATMA1

Description: INFINEON - BSZ018NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 153 A, 1800 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 153A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 11973 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	51.00 грн
500+	36.10 грн
1000+	29.55 грн
5000+	26.86 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ018NE2LSATMA1

Trans MOSFET N-CH 25V 23A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ018NE2LSATMA1

BSZ018NE2LSATMA1 SMD N channel transistors

на замовлення 4970 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

5+	73.27 грн
18+	67.04 грн
49+	64.03 грн
500+	63.38 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

BSZ018NE2LSI

MOSFETs N-Ch 25V 40A TSDSON-8 OptiMOS

на замовлення 65471 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	154.08 грн
10+	76.49 грн
100+	53.55 грн
500+	47.55 грн
1000+	45.78 грн
2500+	45.46 грн
5000+	45.06 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ018NE2LSIATMA1

Description: MOSFET N-CH 25V 22A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 12 V

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	47.96 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ018NE2LSIATMA1

Description: INFINEON - BSZ018NE2LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 0.0015 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 11861 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	93.38 грн
500+	65.95 грн
1000+	55.49 грн
5000+	55.41 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ018NE2LSIATMA1

Trans MOSFET N-CH 25V 22A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ018NE2LSIATMA1

Trans MOSFET N-CH 25V 22A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	45.94 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ018NE2LSIATMA1

Description: MOSFET N-CH 25V 22A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 12 V

на замовлення 24323 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	167.97 грн
10+	104.06 грн
100+	70.83 грн
500+	53.10 грн
1000+	48.81 грн
2000+	45.19 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ018NE2LSIATMA1

на замовлення 11861 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	144.56 грн
10+	113.14 грн
100+	93.38 грн
500+	65.95 грн
1000+	55.49 грн
5000+	55.41 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

BSZ018NE2LSIATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ018NE2LSIATMA1

Trans MOSFET N-CH 25V 22A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ018NE2LSIXT

MOSFETs N-Ch 25V 40A TSDSON-8 OptiMOS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ019N03LS

MOSFETs N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS

на замовлення 11560 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	157.82 грн
10+	99.41 грн
100+	59.63 грн
500+	50.51 грн
1000+	42.18 грн
2500+	38.98 грн
5000+	36.82 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ019N03LS

на замовлення 3 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ019N03LSATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 22A . 40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta). 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V

на замовлення 25733 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	82.26 грн
10+	52.19 грн
100+	44.36 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

BSZ019N03LSATMA1

Description: INFINEON - BSZ019N03LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 149 A, 0.0019 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 149A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 4969 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	64.11 грн
500+	48.94 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ019N03LSATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	37.54 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ019N03LSATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 22A . 40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta). 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	37.64 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ019N03LSATMA1

Description: INFINEON - BSZ019N03LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 149 A, 0.0019 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 149A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 69W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0016ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 4969 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	88.89 грн
12+	79.74 грн
100+	64.11 грн
500+	48.94 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

BSZ019N03LSATMA1

MOSFETs N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS

на замовлення 13572 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	73.12 грн
10+	51.55 грн
100+	38.34 грн
500+	37.06 грн
1000+	36.82 грн
2500+	36.66 грн
5000+	36.50 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

BSZ019N03LSATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ021N04LS6ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 25A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 20 V

на замовлення 12035 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	100.44 грн
10+	83.04 грн
25+	78.34 грн
100+	67.46 грн
250+	63.81 грн
500+	61.23 грн
1000+	57.83 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ021N04LS6ATMA1

Description: INFINEON - BSZ021N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 147 A, 0.0018 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 147A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 16325 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	123.91 грн
500+	97.55 грн
1000+	76.73 грн
2500+	73.50 грн
5000+	72.04 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ021N04LS6ATMA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 10337 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	107.39 грн
10+	86.25 грн
100+	64.99 грн
500+	59.47 грн
1000+	49.71 грн
2500+	45.86 грн
5000+	42.98 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ021N04LS6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 25A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ021N04LS6ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 25A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 20 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	50.48 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ021N04LS6ATMA1

Description: INFINEON - BSZ021N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 147 A, 0.0018 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 147A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 16325 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	205.62 грн
10+	155.34 грн
100+	123.91 грн
500+	97.55 грн
1000+	76.73 грн
2500+	73.50 грн
5000+	72.04 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

BSZ023N04LSATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ023N04LSATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 22A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2630 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ023N04LSATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 22A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2630 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ023N04LSATMA1

MOSFET N-Ch 40V 40A TSDSON-8 FL

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ024N04LS6

MOSFET TRENCH <= 40V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ024N04LS6ATMA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ024N04LS6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 24A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 4818 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

42+	302.65 грн
86+	147.56 грн
95+	134.64 грн
117+	104.89 грн
200+	91.55 грн
500+	87.61 грн
1000+	77.82 грн
2000+	72.65 грн

Мінімальне замовлення: 42

В кошику од. на суму грн.

BSZ024N04LS6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 24A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ024N04LS6ATMA1

Description: INFINEON - BSZ024N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 130 A, 2400 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 25594 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	99.67 грн
12+	81.08 грн
100+	62.05 грн
500+	42.94 грн
1000+	36.71 грн
5000+	29.94 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

BSZ024N04LS6ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 24A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 20 V

на замовлення 82155 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	81.39 грн
10+	67.45 грн
25+	63.63 грн
100+	54.76 грн
250+	51.77 грн
500+	49.66 грн
1000+	46.89 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

BSZ024N04LS6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 24A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ024N04LS6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 24A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 200000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	74.50 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ024N04LS6ATMA1

на замовлення 25594 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	62.05 грн
500+	42.94 грн
1000+	36.71 грн
5000+	29.94 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ024N04LS6ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 24A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 20 V

на замовлення 80000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	40.90 грн
10000+	37.90 грн
15000+	37.07 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ025N04LS

MOSFETs MV POWER MOS

на замовлення 5917 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	129.80 грн
10+	104.94 грн
100+	71.16 грн
500+	60.27 грн
1000+	49.15 грн
2500+	46.26 грн
5000+	44.02 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ025N04LSATMA1

Description: INFINEON - BSZ025N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 2500 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 20743 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	113.14 грн
11+	87.82 грн
100+	60.70 грн
500+	45.27 грн
1000+	36.71 грн
5000+	35.94 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

BSZ025N04LSATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 22A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3680 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ025N04LSATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 22A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	40.90 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ025N04LSATMA1

MOSFETs MV POWER MOS

на замовлення 16649 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	113.93 грн
10+	88.37 грн
100+	53.07 грн
500+	45.78 грн
1000+	43.62 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ025N04LSATMA1

Description: INFINEON - BSZ025N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.002 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 23114 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	59.89 грн
500+	45.52 грн
1000+	38.56 грн
5000+	38.48 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ025N04LSATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 22A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3680 pF @ 20 V

на замовлення 1950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	126.41 грн
10+	89.96 грн
100+	62.84 грн
500+	50.81 грн
1000+	44.65 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ025N04LSATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 22A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ025N04LSATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 22A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ028N04LS

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 2246 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	123.27 грн
10+	76.22 грн
100+	44.02 грн
500+	34.74 грн
1000+	31.30 грн
2500+	29.54 грн
5000+	25.05 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ028N04LSATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

167+	76.03 грн
177+	71.59 грн
209+	60.82 грн
213+	57.43 грн
500+	53.08 грн
1000+	50.78 грн
5000+	47.97 грн

Мінімальне замовлення: 167

В кошику од. на суму грн.

BSZ028N04LSATMA1

Description: INFINEON - BSZ028N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0022 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 4095 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	105.06 грн
12+	81.35 грн
100+	58.72 грн
500+	46.27 грн
1000+	38.02 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

BSZ028N04LSATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 21A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 63W (Tc)
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 20 V

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	26.98 грн
10000+	25.25 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ028N04LSATMA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 5952 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	93.20 грн
10+	61.30 грн
100+	41.38 грн
500+	33.54 грн
1000+	29.22 грн
2500+	29.06 грн
5000+	25.05 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

BSZ028N04LSATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	29.88 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ028N04LSATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	38.15 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ028N04LSATMA1

на замовлення 4095 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	58.72 грн
500+	46.27 грн
1000+	38.02 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ028N04LSATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 21A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 63W (Tc)
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 20 V

на замовлення 12134 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	111.69 грн
10+	67.87 грн
100+	45.20 грн
500+	33.25 грн
1000+	30.30 грн
2000+	29.00 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ031NE2LS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 25V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ031NE2LS5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 25V 19A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 12 V

на замовлення 13047 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	106.50 грн
10+	64.37 грн
100+	42.72 грн
500+	31.36 грн
1000+	28.55 грн
2000+	26.99 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ031NE2LS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 25V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	36.11 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ031NE2LS5ATMA1

Description: INFINEON - BSZ031NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 0.0031 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 12124 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	93.38 грн
15+	62.50 грн
100+	47.32 грн
500+	33.93 грн
1000+	25.86 грн
5000+	24.32 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

BSZ031NE2LS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 25V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	28.57 грн
10000+	25.80 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ031NE2LS5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 25V 19A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 12 V

на замовлення 12400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	25.36 грн
10000+	23.49 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ031NE2LS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 25V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	26.82 грн
10000+	24.22 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ031NE2LS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 25V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 4620 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

120+	106.44 грн
196+	64.96 грн
215+	59.13 грн
500+	44.48 грн

Мінімальне замовлення: 120

В кошику од. на суму грн.

BSZ031NE2LS5ATMA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 7133 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	103.66 грн
10+	61.03 грн
100+	38.42 грн
500+	31.94 грн
1000+	27.53 грн
2500+	27.05 грн
5000+	23.37 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ031NE2LS5ATMA1

на замовлення 12124 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	47.32 грн
500+	33.93 грн
1000+	25.86 грн
5000+	24.32 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ033NE2LS5

MOSFETs TRENCH <= 40V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ033NE2LS5ATMA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 4990 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	124.20 грн
10+	80.17 грн
100+	47.95 грн
250+	47.31 грн
500+	37.62 грн
1000+	31.54 грн
2500+	31.46 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ033NE2LS5ATMA1

Description: INFINEON - BSZ033NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 2700 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 30W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0027ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 3984 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	50.64 грн
500+	35.10 грн
1000+	28.55 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ033NE2LS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ033NE2LS5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 25V 18A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 12 V

на замовлення 8435 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	110.83 грн
10+	67.62 грн
100+	45.04 грн
500+	33.18 грн
1000+	30.25 грн
2000+	27.79 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ033NE2LS5ATMA1

Description: INFINEON - BSZ033NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 2700 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 3984 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	115.83 грн
13+	74.26 грн
100+	50.64 грн
500+	35.10 грн
1000+	28.55 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

BSZ033NE2LS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ033NE2LS5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 25V 18A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 12 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	27.81 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ033NE2LS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

181+	70.03 грн
260+	48.91 грн
275+	46.21 грн
500+	36.98 грн
1000+	31.30 грн

Мінімальне замовлення: 181

В кошику од. на суму грн.

BSZ033NE2LS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ034N04LS

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 7743 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	121.40 грн
10+	75.11 грн
100+	43.38 грн
500+	34.18 грн
1000+	30.82 грн
2500+	29.14 грн
5000+	24.73 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ034N04LSATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	31.04 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ034N04LSATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 7419 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

246+	51.70 грн
320+	39.70 грн
342+	37.08 грн
500+	34.21 грн
1000+	29.57 грн

Мінімальне замовлення: 246

В кошику од. на суму грн.

BSZ034N04LSATMA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 3583 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	83.48 грн
10+	51.55 грн
100+	34.66 грн
500+	32.26 грн
1000+	28.58 грн
2500+	27.77 грн
5000+	24.73 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

BSZ034N04LSATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	29.69 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ034N04LSATMA1

Description: INFINEON - BSZ034N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 3400 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 3969 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	59.53 грн
250+	45.17 грн
1000+	33.02 грн
3000+	28.71 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ034N04LSATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

713+	44.49 грн
1000+	41.02 грн
10000+	36.58 грн

Мінімальне замовлення: 713

В кошику од. на суму грн.

BSZ034N04LSATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 19A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 21110 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	110.83 грн
10+	67.20 грн
100+	44.67 грн
500+	32.85 грн
1000+	29.93 грн
2000+	28.58 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ034N04LSATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	31.90 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ034N04LSATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 4407 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

235+	54.15 грн
247+	51.42 грн
319+	39.83 грн
323+	37.94 грн
500+	30.78 грн
1000+	26.29 грн
3000+	25.07 грн

Мінімальне замовлення: 235

В кошику од. на суму грн.

BSZ034N04LSATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	28.48 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ034N04LSATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 4407 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	93.96 грн
13+	58.02 грн
25+	55.09 грн
100+	41.15 грн
250+	37.63 грн
500+	31.66 грн
1000+	28.17 грн
3000+	26.87 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

BSZ034N04LSATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	28.97 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ034N04LSATMA1

на замовлення 3969 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	99.67 грн
50+	59.53 грн
250+	45.17 грн
1000+	33.02 грн
3000+	28.71 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

BSZ034N04LSATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 19A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	26.64 грн
10000+	24.88 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ034N04LSATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 6490 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

713+	44.49 грн
1000+	41.02 грн

Мінімальне замовлення: 713

В кошику од. на суму грн.

BSZ034N04LSATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 2700 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

713+	44.49 грн
1000+	41.02 грн

Мінімальне замовлення: 713

В кошику од. на суму грн.

BSZ035N03LS

QFN

на замовлення 158 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ035N03LS G

QFN

на замовлення 365 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ035N03LS G

MOSFETs N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 2928 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	157.82 грн
10+	105.86 грн
100+	70.76 грн
500+	56.59 грн
1000+	49.31 грн
5000+	41.86 грн
10000+	39.22 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ035N03LSGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 20A/40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ035N03LSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5012 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	30.44 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ035N03LSGATMA1
Код товару: 129555

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ035N03LSGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 20A/40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 15 V

на замовлення 1770 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	118.62 грн
10+	72.62 грн
100+	48.50 грн
500+	35.80 грн
1000+	32.68 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ035N03MS

на замовлення 2080 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ035N03MS G

MOSFETs N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M

на замовлення 7888 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	115.80 грн
10+	74.28 грн
25+	58.75 грн
100+	43.06 грн
250+	39.70 грн
500+	34.58 грн
1000+	30.26 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ035N03MSG

на замовлення 18 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ035N03MSGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 18A/40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 15 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	25.47 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ035N03MSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	32.31 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ035N03MSGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 18A/40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 15 V

на замовлення 11581 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	109.10 грн
10+	66.29 грн
100+	43.83 грн
500+	32.12 грн
1000+	29.21 грн
2000+	26.77 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ036NE2LS

MOSFETs N-Ch 25V 40A TDSON-8 OptiMOS

на замовлення 2863 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	79.00 грн
10+	63.79 грн
100+	43.14 грн
500+	36.66 грн
1000+	29.86 грн
5000+	26.41 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

BSZ036NE2LSATMA1

Description: MOSFET N-CH 25V 16A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 12 V

на замовлення 14557 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	96.11 грн
10+	50.19 грн
100+	36.23 грн
500+	30.56 грн
1000+	27.15 грн
2000+	25.53 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ036NE2LSATMA1

Trans MOSFET N-CH 25V 16A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	20.73 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ036NE2LSATMA1

Description: MOSFET N-CH 25V 16A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 12 V

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	24.52 грн
10000+	23.18 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ036NE2LSATMA1

Description: INFINEON - BSZ036NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 0.003 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 9632 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	26.40 грн
500+	21.01 грн
1000+	19.01 грн
5000+	18.93 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ036NE2LSATMA1

MOSFETs N-Ch 25V 40A TDSON-8 OptiMOS

на замовлення 12437 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	45.20 грн
10+	43.45 грн
100+	31.14 грн
500+	27.29 грн
1000+	26.41 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

BSZ036NE2LSATMA1

на замовлення 9632 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	50.46 грн
28+	32.86 грн
100+	26.40 грн
500+	21.01 грн
1000+	19.01 грн
5000+	18.93 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

BSZ037N06LS5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 18A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ037N06LS5ATMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 3210 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	155.02 грн
10+	108.62 грн
100+	82.44 грн
250+	74.04 грн
500+	69.56 грн
1000+	64.75 грн
2500+	64.67 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ037N06LS5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 18A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ037N06LS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 18A T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	34.93 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ039N06NSATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 18A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 30 V

на замовлення 5064 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	92.65 грн
10+	77.04 грн
25+	72.67 грн
100+	62.56 грн
250+	59.17 грн
500+	56.77 грн
1000+	53.61 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ039N06NSATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 18A T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	34.93 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ039N06NSATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 18A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 30 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	55.04 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ039N06NSATMA1

MOSFETs IFX FET 60V

на замовлення 1711 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	101.79 грн
10+	82.29 грн
100+	61.71 грн
500+	60.35 грн
1000+	57.95 грн
5000+	45.78 грн
10000+	44.98 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ040N04LS G

MOSFETs N-Ch 40V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ040N04LSG

Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 4950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

140+	90.54 грн
147+	86.49 грн
250+	83.02 грн
500+	77.17 грн
1000+	69.12 грн
2500+	64.39 грн

Мінімальне замовлення: 140

В кошику од. на суму грн.

BSZ040N04LSGATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 18A/40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ040N04LSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	24.54 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ040N04LSGATMA1

MOSFETs N-Ch 40V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ040N04LSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	26.29 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ040N04LSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ040N04LSGATMA1

Description: INFINEON - BSZ040N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 3300 µohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 3922 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	93.38 грн
15+	63.75 грн
100+	48.31 грн
500+	37.60 грн
1000+	28.55 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

BSZ040N04LSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	24.25 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ040N04LSGATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 1266 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

4+	93.74 грн
10+	69.20 грн
40+	52.23 грн
100+	50.13 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ040N04LSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ040N04LSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	25.77 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ040N04LSGATMA1

на замовлення 1266 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	78.12 грн
10+	55.53 грн
40+	43.52 грн
100+	41.77 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

BSZ040N04LSGATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 18A/40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ040N04LSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 1250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

666+	47.59 грн

Мінімальне замовлення: 666

В кошику од. на суму грн.

BSZ040N04LSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 20302 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	26.99 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ040N04LSGATMA1

Description: INFINEON - BSZ040N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 3300 µohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 3922 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	48.31 грн
500+	37.60 грн
1000+	28.55 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ040N04LSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 26435 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

666+	47.59 грн

Мінімальне замовлення: 666

В кошику од. на суму грн.

BSZ040N04LSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 4750 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

105+	120.80 грн
162+	78.56 грн
200+	70.96 грн
500+	50.50 грн
1000+	43.75 грн

Мінімальне замовлення: 105

В кошику од. на суму грн.

BSZ040N06LS5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 101A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 101A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 30 V

на замовлення 45000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	43.90 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ040N06LS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 17A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	33.34 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ040N06LS5ATMA1

Description: INFINEON - BSZ040N06LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.004 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 10929 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	150.85 грн
50+	109.55 грн
250+	78.21 грн
1000+	52.78 грн
3000+	47.72 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

BSZ040N06LS5ATMA1

MOSFETs MV POWER MOS

на замовлення 16736 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	143.81 грн
10+	104.94 грн
100+	62.91 грн
500+	50.43 грн
1000+	48.59 грн
2500+	48.51 грн
5000+	42.02 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ040N06LS5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 101A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 101A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 30 V

на замовлення 45484 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	161.91 грн
10+	99.97 грн
100+	67.81 грн
500+	50.73 грн
1000+	48.56 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ040N06LS5ATMA1

Description: INFINEON - BSZ040N06LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.004 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 69W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 10929 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	109.55 грн
250+	78.21 грн
1000+	52.78 грн
3000+	47.72 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ042N04NS

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ042N04NS G

Description: MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ042N04NS G

MOSFET N-Ch 40V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ042N04NSG

Description: MOSFET N-CH 40V 40A TO220AB

на замовлення 47574 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ042N04NSGATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ042N04NSGATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8

на замовлення 41363 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ042N04NSGATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ042N06NS

MOSFETs N-Ch 60V 40A TDSON-8

на замовлення 7741 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	163.42 грн
10+	104.02 грн
100+	62.11 грн
500+	52.67 грн
1000+	44.74 грн
5000+	38.10 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ042N06NS

на замовлення 4850 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ042N06NSATMA1

Description: INFINEON - BSZ042N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 4200 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 133728 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	62.50 грн
250+	57.20 грн
1000+	45.19 грн
3000+	40.02 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ042N06NSATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ042N06NSATMA1

MOSFETs N-Ch 60V 40A TDSON-8

на замовлення 39357 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	66.68 грн
10+	54.59 грн
100+	43.46 грн
500+	41.62 грн
1000+	40.18 грн
2500+	38.58 грн
5000+	38.10 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

BSZ042N06NSATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ042N06NSATMA1

Description: INFINEON - BSZ042N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 4200 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 133728 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	75.25 грн
50+	62.50 грн
250+	57.20 грн
1000+	45.19 грн
3000+	40.02 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

BSZ042N06NSATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 17A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	39.75 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ042N06NSATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 6405 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	123.14 грн
10+	111.17 грн
25+	106.28 грн
100+	75.56 грн
250+	63.91 грн
500+	60.03 грн
1000+	48.62 грн
3000+	45.90 грн
6000+	43.73 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

BSZ042N06NSATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	38.01 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ042N06NSATMA1

Rochester Electronics, LLC

Description: MOSFET N-CH 60V 17A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V

на замовлення 11667 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	69.27 грн
10+	55.11 грн
100+	49.22 грн
500+	45.32 грн
1000+	43.97 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

BSZ049N03LSCGATMA1

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ0500NSIATMA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 4916 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	169.02 грн
10+	127.95 грн
100+	88.85 грн
250+	88.05 грн
500+	73.48 грн
1000+	72.36 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ0500NSIATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 30A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 15 V

на замовлення 9817 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	196.55 грн
10+	121.40 грн
100+	82.92 грн
500+	62.36 грн
1000+	57.39 грн
2000+	53.21 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

BSZ0500NSIATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 30A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 15 V

на замовлення 9817 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	57.19 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ0501NSIATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0501NSIATMA1

Description: INFINEON - BSZ0501NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0017 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm

на замовлення 9635 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	160.73 грн
10+	121.22 грн
100+	97.87 грн
500+	77.37 грн
1000+	55.11 грн
5000+	51.95 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

BSZ0501NSIATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 25A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 15 V

на замовлення 4876 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	172.30 грн
10+	106.31 грн
100+	72.11 грн
500+	53.93 грн
1000+	49.51 грн
2000+	45.79 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ0501NSIATMA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 7622 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	126.07 грн
10+	84.69 грн
100+	55.87 грн
500+	44.26 грн
1000+	40.34 грн
2500+	38.82 грн
5000+	34.90 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ0501NSIATMA1

на замовлення 9635 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	97.87 грн
500+	77.37 грн
1000+	55.11 грн
5000+	51.95 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ0501NSIATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 25A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 15 V

на замовлення 4500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ0502NSIATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 22A 8SON

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0502NSIATMA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0502NSIATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0503NSIATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	29.61 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ0503NSIATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	30.95 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ0503NSIATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0503NSIATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 20A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V

на замовлення 3716 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	115.16 грн
10+	69.87 грн
100+	46.34 грн
500+	34.03 грн
1000+	30.99 грн
2000+	28.42 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ0503NSIATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0503NSIATMA1

Description: INFINEON - BSZ0503NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 82 A, 2800 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 36W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TSDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0028ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 2652 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	39.96 грн
500+	27.51 грн
1000+	21.24 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ0503NSIATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

113+	112.35 грн
169+	75.27 грн
200+	69.95 грн
1000+	56.86 грн
2000+	49.78 грн
5000+	43.08 грн

Мінімальне замовлення: 113

В кошику од. на суму грн.

BSZ0503NSIATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 20A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0503NSIATMA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 9657 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	94.32 грн
10+	61.77 грн
100+	36.58 грн
500+	28.50 грн
1000+	23.85 грн
2500+	23.37 грн
5000+	21.13 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ0503NSIATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0503NSIATMA1

Description: INFINEON - BSZ0503NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 82 A, 2800 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 2652 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	93.38 грн
16+	57.11 грн
100+	39.96 грн
500+	27.51 грн
1000+	21.24 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

BSZ0506NSATMA1

Description: INFINEON - BSZ0506NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 4400 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 431 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	51.72 грн
50+	39.42 грн
250+	32.86 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

BSZ0506NSATMA1

MOSFETs N

на замовлення 29724 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	81.62 грн
10+	65.63 грн
100+	44.34 грн
500+	37.70 грн
1000+	28.90 грн
5000+	27.29 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

BSZ0506NSATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 15A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 15 V

на замовлення 38611 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	90.91 грн
10+	54.95 грн
100+	36.21 грн
500+	26.43 грн
1000+	23.99 грн
2000+	21.95 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ0506NSATMA1

на замовлення 431 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	39.42 грн
250+	32.86 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ0506NSATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	28.20 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ0506NSATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 15A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 15 V

на замовлення 35000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	21.18 грн
10000+	19.09 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ050N03LS G

MOSFETs N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 6251 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	82.74 грн
10+	50.54 грн
100+	28.66 грн
500+	22.01 грн
1000+	19.93 грн
2500+	18.49 грн
5000+	15.69 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

BSZ050N03LSG

Description: BSZ050N03 - 12V-300V N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ050N03LSGATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 50W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ050N03LSGATMA1

Description: INFINEON - BSZ050N03LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 5000 µohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 18009 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

38+	24.15 грн
41+	22.18 грн
100+	20.11 грн
500+	15.68 грн
1000+	13.62 грн
5000+	12.85 грн

Мінімальне замовлення: 38

В кошику од. на суму грн.

BSZ050N03LSGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 16A/40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V

на замовлення 5812 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	74.46 грн
10+	44.44 грн
100+	29.03 грн
500+	21.01 грн
1000+	19.00 грн
2000+	17.30 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

BSZ050N03LSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	16.44 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ050N03LSGATMA1

MOSFETs N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 6161 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

15+	24.93 грн
17+	22.92 грн
100+	17.77 грн
500+	16.17 грн
1000+	15.21 грн
2500+	15.13 грн
5000+	14.49 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

BSZ050N03LSGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 16A/40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	16.61 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ050N03MS G

MOSFETs N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M

на замовлення 7158 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	77.88 грн
10+	47.77 грн
100+	27.13 грн
500+	21.53 грн
1000+	17.77 грн
2500+	17.61 грн
5000+	13.61 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

BSZ050N03MSG

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ050N03MSG

Description: BSZ050N03 - 12V-300V N-CHANNEL P

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ050N03MSGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 15A/40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 15 V

на замовлення 241 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	71.87 грн
10+	43.19 грн
100+	28.17 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

BSZ050N03MSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	15.88 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ050N03MSGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 15A/40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ050N03MSGATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 48W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 48W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0589NSATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 17A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 15 V

на замовлення 9792 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	116.89 грн
10+	70.95 грн
100+	47.15 грн
500+	34.65 грн
1000+	31.57 грн
2000+	28.97 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ0589NSATMA1

Description: INFINEON - BSZ0589NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 17 A, 3500 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 6874 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	43.10 грн
500+	33.68 грн
1000+	26.17 грн
5000+	22.17 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ0589NSATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 17A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 15 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	28.95 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ0589NSATMA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 5779 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	85.17 грн
10+	51.82 грн
100+	34.42 грн
500+	28.98 грн
1000+	24.33 грн
2500+	23.93 грн
5000+	20.73 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

BSZ0589NSATMA1

Description: INFINEON - BSZ0589NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 17 A, 3500 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 6874 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	91.59 грн
16+	56.48 грн
100+	43.10 грн
500+	33.68 грн
1000+	26.17 грн
5000+	22.17 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

BSZ058N03LS G

MOSFETs N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 4717 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	72.09 грн
10+	59.00 грн
100+	39.86 грн
500+	33.78 грн
1000+	27.53 грн
2500+	25.93 грн
5000+	24.73 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

BSZ058N03LSG

0950+ TSDSON-8

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ058N03LSG

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ058N03LSGATMA1

MOSFETs N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 2532 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	31.20 грн
5000+	24.49 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

BSZ058N03LSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 35000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	22.41 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ058N03LSGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 15A/40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ058N03MS G

QFN

на замовлення 92 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ058N03MS G

MOSFET N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M

на замовлення 1159 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ058N03MSG

Description: BSZ058N03 - 12V-300V N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 15 V

на замовлення 11233 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

886+	29.44 грн

Мінімальне замовлення: 886

В кошику од. на суму грн.

BSZ058N03MSG

infineon

08+

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ058N03MSGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 14A/40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ058N03MSGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 14A/40A 8TSDSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 15 V

на замовлення 14327 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

886+	28.07 грн

Мінімальне замовлення: 886

В кошику од. на суму грн.

BSZ058N03MSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ058N03MSGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 14A/40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ058N03MSGXT

MOSFET N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0602LSATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 13A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 40 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0602LSATMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

на замовлення 4411 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	180.23 грн
10+	159.25 грн
100+	108.06 грн
500+	89.65 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ0602LSATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 13A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 40 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0602LSATMA1

SP001589450

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ060NE2LS

MOSFET N-Ch 25V 40A TDSON-8 OptiMOS

на замовлення 40761 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	69.48 грн
10+	60.48 грн
100+	35.86 грн
500+	30.02 грн
1000+	25.53 грн
2500+	24.09 грн
5000+	20.49 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

BSZ060NE2LS

Trans MOSFET N-CH 25V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	28.60 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ060NE2LSATMA1

Trans MOSFET N-CH 25V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	22.22 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ060NE2LSATMA1

Description: MOSFET N-CH 25V 12A/44A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 12 V

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	15.02 грн
10000+	13.38 грн
15000+	12.83 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ060NE2LSATMA1

Description: INFINEON - BSZ060NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 0.005 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 26W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 26965 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	65.28 грн
21+	43.10 грн
100+	29.99 грн
500+	20.59 грн
1000+	16.62 грн
5000+	16.55 грн

Мінімальне замовлення: 14

В кошику од. на суму грн.

BSZ060NE2LSATMA1

Trans MOSFET N-CH 25V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ060NE2LSATMA1

Trans MOSFET N-CH 25V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	14.66 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ060NE2LSATMA1

Trans MOSFET N-CH 25V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	16.90 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ060NE2LSATMA1

Description: MOSFET N-CH 25V 12A/44A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 12 V

на замовлення 21940 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	68.40 грн
10+	40.77 грн
100+	26.51 грн
500+	19.11 грн
1000+	17.25 грн
2000+	15.69 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

BSZ060NE2LSATMA1

MOSFETs N-Ch 25V 40A TDSON-8 OptiMOS

на замовлення 50771 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	34.55 грн
15+	25.50 грн
100+	18.41 грн
500+	15.21 грн
1000+	14.89 грн
2500+	13.93 грн
5000+	12.89 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

BSZ063N04LS6

MOSFETs TRENCH <= 40V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ063N04LS6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 15A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	28.76 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ063N04LS6ATMA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 122975 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	58.64 грн
10+	46.12 грн
100+	35.14 грн
500+	33.46 грн
1000+	31.94 грн
2500+	30.26 грн
5000+	28.26 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

BSZ063N04LS6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 15A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 1480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

844+	15.02 грн

Мінімальне замовлення: 844

В кошику од. на суму грн.

BSZ063N04LS6ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 15A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 20 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	31.43 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ063N04LS6ATMA1

Description: INFINEON - BSZ063N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 6300 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 20299 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	50.28 грн
250+	44.09 грн
1000+	37.19 грн
3000+	32.48 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ063N04LS6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 15A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ063N04LS6ATMA1

Description: INFINEON - BSZ063N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 6300 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 20299 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	62.94 грн
50+	50.28 грн
250+	44.09 грн
1000+	37.19 грн
3000+	32.48 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

BSZ063N04LS6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 15A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 3825 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

207+	61.50 грн
259+	49.08 грн
294+	43.17 грн
500+	41.46 грн
1000+	37.71 грн

Мінімальне замовлення: 207

В кошику од. на суму грн.

BSZ063N04LS6ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 15A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 20 V

на замовлення 5883 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	53.68 грн
10+	44.36 грн
25+	41.79 грн
100+	35.92 грн
250+	33.93 грн
500+	32.53 грн
1000+	30.69 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

BSZ065N03LS
Код товару: 148978

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ065N03LS

QFN

на замовлення 792 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ065N03LS

MOSFETs N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS

на замовлення 5499 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	88.34 грн
10+	54.12 грн
100+	30.74 грн
500+	23.69 грн
1000+	21.37 грн
2500+	19.93 грн
5000+	16.89 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

BSZ065N03LSATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ065N03LSATMA1

MOSFETs N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS

на замовлення 8584 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	65.84 грн
10+	43.82 грн
25+	37.14 грн
100+	25.85 грн
250+	24.49 грн
500+	22.81 грн
1000+	18.97 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

BSZ065N03LSATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 12A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 15 V

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ065N03LSATMA1

Description: INFINEON - BSZ065N03LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 5400 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 26W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4935 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	29.18 грн
500+	22.01 грн
1000+	16.93 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ065N03LSATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ065N03LSATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ065N03LSATMA1

на замовлення 4935 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	52.17 грн
24+	38.16 грн
100+	29.18 грн
500+	22.01 грн
1000+	16.93 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

BSZ065N03LSATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 2557 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	56.91 грн
16+	48.20 грн
25+	47.78 грн
100+	33.44 грн
250+	30.68 грн
500+	25.64 грн
1000+	18.95 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

BSZ065N03LSATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 12A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 15 V

на замовлення 4577 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	79.66 грн
10+	47.78 грн
100+	31.21 грн
500+	22.63 грн
1000+	20.48 грн
2000+	18.67 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

BSZ065N06LS5

Infineon / IR

MOSFET TRENCH 40<-<100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ065N06LS5ATMA1

Description: INFINEON - BSZ065N06LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0054 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 46W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0054ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 11272 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	67.16 грн
500+	55.11 грн
1000+	40.94 грн
5000+	39.02 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ065N06LS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 14900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

182+	69.90 грн
193+	65.89 грн
221+	57.34 грн
232+	52.74 грн
500+	48.65 грн
1000+	42.90 грн
5000+	39.82 грн
10000+	39.01 грн

Мінімальне замовлення: 182

В кошику од. на суму грн.

BSZ065N06LS5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 30 V

на замовлення 5168 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	123.82 грн
10+	75.79 грн
100+	50.74 грн
500+	37.53 грн
1000+	34.29 грн
2000+	33.79 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ065N06LS5ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 40A; 46W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 40A
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 5.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 46W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ065N06LS5ATMA1

MOSFETs MV POWER MOS

на замовлення 12330 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	110.19 грн
10+	74.19 грн
100+	47.47 грн
500+	38.98 грн
1000+	35.14 грн
2500+	34.02 грн
5000+	32.42 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ065N06LS5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 30 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	30.70 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ065N06LS5ATMA1

Description: INFINEON - BSZ065N06LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0054 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 11272 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	110.44 грн
11+	86.38 грн
100+	67.16 грн
500+	55.11 грн
1000+	40.94 грн
5000+	39.02 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

BSZ065N06LS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ065N06LS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ067N06LS3 G

MOSFETs N-Ch 60V 20A TSDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 1753 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	165.29 грн
10+	104.02 грн
100+	59.87 грн
500+	49.07 грн
1000+	42.98 грн
2500+	41.70 грн
5000+	35.46 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ067N06LS3G

на замовлення 650 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ067N06LS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	46.88 грн
10000+	41.68 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ067N06LS3GATMA1

Description: INFINEON - BSZ067N06LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.0067 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ067N06LS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	50.23 грн
10000+	44.66 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ067N06LS3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 14A/79A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 30 V

на замовлення 6308 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	142.86 грн
10+	87.46 грн
100+	58.96 грн
500+	43.86 грн
1000+	40.75 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ067N06LS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ067N06LS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 30390 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

152+	83.42 грн
164+	77.51 грн
194+	65.36 грн
206+	59.57 грн
1000+	49.69 грн
2000+	44.89 грн
5000+	44.44 грн
10000+	39.28 грн

Мінімальне замовлення: 152

В кошику од. на суму грн.

BSZ067N06LS3GATMA1

MOSFETs N-Ch 60V 20A TSDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 8040 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	127.94 грн
10+	85.33 грн
100+	58.91 грн
500+	49.07 грн
1000+	42.42 грн
2500+	40.50 грн
5000+	39.78 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ067N06LS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 10001 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

135+	93.88 грн
146+	87.22 грн
173+	73.49 грн
200+	67.00 грн
1000+	55.91 грн
2000+	50.50 грн
5000+	44.44 грн
10000+	44.17 грн

Мінімальне замовлення: 135

В кошику од. на суму грн.

BSZ067N06LS3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 14A/79A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 30 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	37.30 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ067N06LS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ068N06NS

MOSFETs IFX FET 60V

на замовлення 2928 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	147.55 грн
10+	92.97 грн
100+	53.63 грн
500+	43.94 грн
1000+	38.50 грн
2500+	37.30 грн
5000+	31.78 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ068N06NS

на замовлення 400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ068N06NSATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 63A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	19.89 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ068N06NSATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 63A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 30990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

132+	96.72 грн
144+	88.11 грн
177+	71.63 грн
200+	64.61 грн
1000+	52.99 грн
2000+	47.45 грн
5000+	46.25 грн
10000+	44.50 грн

Мінімальне замовлення: 132

В кошику од. на суму грн.

BSZ068N06NSATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 63A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ068N06NSATMA1

Description: INFINEON - BSZ068N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 6800 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 206 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	140.97 грн
50+	82.25 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

BSZ068N06NSATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 63A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	34.76 грн
10000+	33.35 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ068N06NSATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 30 V

на замовлення 2900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	129.01 грн
10+	79.13 грн
100+	53.09 грн
500+	39.35 грн
1000+	35.98 грн
2000+	35.84 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ068N06NSATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 63A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	40.21 грн
10000+	38.58 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ068N06NSATMA1

на замовлення 206 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	82.25 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ068N06NSATMA1

MOSFETs IFX FET 60V

на замовлення 1104 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	141.94 грн
10+	89.47 грн
100+	51.95 грн
500+	41.06 грн
1000+	37.38 грн
5000+	31.78 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ068N06NSATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 63A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ068N06NSATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 40A; 46W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 40A
Power dissipation: 46W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ068N06NSATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0702LSATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 17A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0702LSATMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

на замовлення 20117 шт:

термін постачання 322-331 дні (днів)

4+	112.06 грн
10+	97.57 грн
100+	66.36 грн
500+	55.55 грн
1000+	43.70 грн
2500+	42.02 грн
5000+	40.82 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ0702LSATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 17A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ0702LSATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 17A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0703LSATMA1

MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS

на замовлення 3960 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	108.32 грн
10+	94.81 грн
100+	64.75 грн
500+	53.47 грн
1000+	42.18 грн
2500+	39.46 грн
5000+	37.38 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ0703LSATMA1

BSZ0703LSATMA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0703LSATMA1

DIFFERENTIATED MOSFETS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0703LSATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-26
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0704LSATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 11A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0704LSATMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

на замовлення 44915 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	77.23 грн
10+	67.75 грн
100+	45.14 грн
500+	35.78 грн
1000+	28.58 грн
2500+	25.85 грн
5000+	24.01 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

BSZ0704LSATMA1

SP001614102

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0704LSATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 11A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ070N08LS5

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ070N08LS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5908 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

227+	55.92 грн
228+	55.59 грн
233+	52.46 грн
2000+	48.42 грн

Мінімальне замовлення: 227

В кошику од. на суму грн.

BSZ070N08LS5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 74A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 40 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ070N08LS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 760 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

367+	86.45 грн
500+	77.80 грн

Мінімальне замовлення: 367

В кошику од. на суму грн.

BSZ070N08LS5ATMA1

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ070N08LS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	32.78 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ070N08LS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ070N08LS5ATMA1

Description: INFINEON - BSZ070N08LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 74 A, 7000 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 74A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 3552 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	84.31 грн
50+	69.32 грн
250+	62.50 грн
1000+	57.78 грн
3000+	53.03 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

BSZ070N08LS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	48.05 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ070N08LS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	66.73 грн
20000+	60.97 грн
30000+	56.73 грн
40000+	51.60 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ070N08LS5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 74A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 40 V

на замовлення 4998 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	161.91 грн
10+	100.22 грн
100+	68.05 грн
500+	50.95 грн
1000+	49.00 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ070N08LS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	44.87 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ070N08LS5ATMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 13225 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	90.77 грн
10+	66.28 грн
100+	49.95 грн
500+	49.79 грн
5000+	43.22 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

BSZ070N08LS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ070N08LS5ATMA1

Description: INFINEON - BSZ070N08LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 74 A, 7000 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 74A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 69W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0059ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 3552 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	69.32 грн
250+	62.50 грн
1000+	57.78 грн
3000+	53.03 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ075N08NS5ATMA1

Description: INFINEON - BSZ075N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 7500 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 17009 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	61.96 грн
16+	58.99 грн
100+	56.12 грн
500+	51.53 грн
1000+	46.87 грн
5000+	43.33 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

BSZ075N08NS5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 40 V

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	48.73 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ075N08NS5ATMA1

MOSFETs N-Ch 80V 40A TSDSON-8

на замовлення 70504 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	57.80 грн
10+	54.22 грн
100+	44.90 грн
500+	44.42 грн
1000+	43.70 грн
2500+	43.54 грн
5000+	42.02 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

BSZ075N08NS5ATMA1

Description: INFINEON - BSZ075N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 7500 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 17009 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	56.12 грн
500+	51.53 грн
1000+	46.87 грн
5000+	43.33 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ075N08NS5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 40 V

на замовлення 63986 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	109.96 грн
10+	72.12 грн
100+	58.05 грн
500+	50.86 грн
1000+	47.33 грн
2000+	46.38 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ075N08NS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 40A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	31.75 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ076N06NS3 G

MOSFET N-Ch 60V 20A TDSON-8 OptiMOS 3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ076N06NS3G

Description: OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ076N06NS3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 20A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ076N06NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 20A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ076N06NS3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 20A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0803LSATMA1

SP001614108

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0803LSATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 9A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0803LSATMA1

Description: INFINEON - BSZ0803LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.0124 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	144.56 грн
10+	117.63 грн
100+	88.27 грн
500+	67.62 грн
1000+	47.03 грн
2500+	45.49 грн
5000+	43.95 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

BSZ0803LSATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 4953 шт:

термін постачання 301-310 дні (днів)

3+	135.41 грн
10+	117.82 грн
100+	79.72 грн
500+	66.52 грн
1000+	51.95 грн
2500+	49.87 грн
5000+	46.42 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ0803LSATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 9A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0803LSATMA1

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	88.27 грн
500+	67.62 грн
1000+	47.03 грн
2500+	45.49 грн
5000+	43.95 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ0804LSATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 11A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0804LSATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 4884 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	149.41 грн
10+	132.55 грн
100+	92.85 грн
500+	75.96 грн
1000+	58.59 грн
5000+	56.43 грн
10000+	56.35 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ0804LSATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 11A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0804LSATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ084N08NS5ATMA1

Description: INFINEON - BSZ084N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 0.0084 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0084ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 127438 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	63.03 грн
500+	46.78 грн
1000+	40.48 грн
5000+	34.25 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ084N08NS5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 31µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 40 V

на замовлення 7952 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	109.10 грн
10+	72.87 грн
100+	57.60 грн
500+	47.27 грн
1000+	44.65 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ084N08NS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 40A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	32.87 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ084N08NS5ATMA1

на замовлення 127438 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	112.24 грн
12+	80.81 грн
100+	63.03 грн
500+	46.78 грн
1000+	40.48 грн
5000+	34.25 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

BSZ084N08NS5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 31µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 40 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	40.66 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ084N08NS5ATMA1

MOSFETs N-Ch 80V 40A TSDSON-8

на замовлення 11197 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	117.66 грн
10+	80.73 грн
100+	55.47 грн
500+	47.87 грн
1000+	45.46 грн
2500+	45.06 грн
5000+	38.90 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ086P03NS3 G

MOSFETs P-Ch -30V 13.5A TSDSON-8 OptiMOS P3

на замовлення 6120 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	96.18 грн
10+	59.19 грн
100+	33.94 грн
500+	26.89 грн
1000+	23.85 грн
2500+	22.41 грн
5000+	18.97 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ086P03NS3E G

MOSFETs P-Ch -30V 13.5A TSDSON-8 OptiMOS P3

на замовлення 1422 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	103.66 грн
10+	63.88 грн
100+	36.66 грн
500+	29.06 грн
1000+	25.85 грн
2500+	24.17 грн
5000+	20.41 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ086P03NS3EG

на замовлення 409 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ086P03NS3EGATMA1

Trans MOSFET P-CH 30V 13.5A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 24 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	43.18 грн

Мінімальне замовлення: 17

В кошику од. на суму грн.

BSZ086P03NS3EGATMA1

Description: INFINEON - BSZ086P03NS3EGATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0065 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 32831 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	46.69 грн
500+	36.19 грн
1000+	25.86 грн
5000+	24.17 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ086P03NS3EGATMA1

Trans MOSFET P-CH 30V 13.5A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 24 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ086P03NS3EGATMA1

Description: MOSFET P-CH 30V 13.5A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 105µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4785 pF @ 15 V

на замовлення 16133 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	81.39 грн
10+	49.44 грн
100+	35.49 грн
500+	26.62 грн
1000+	23.95 грн
2000+	22.78 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

BSZ086P03NS3EGATMA1

MOSFETs P-Ch -30V 13.5A TSDSON-8 OptiMOS P3

на замовлення 1731 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	84.33 грн
10+	52.19 грн
100+	32.58 грн
500+	26.01 грн
1000+	23.37 грн
5000+	20.89 грн
10000+	19.85 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

BSZ086P03NS3EGATMA1

на замовлення 32831 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	88.71 грн
13+	73.09 грн
100+	46.69 грн
500+	36.19 грн
1000+	25.86 грн
5000+	24.17 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

BSZ086P03NS3EGATMA1

Trans MOSFET P-CH 30V 13.5A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ086P03NS3EGATMA1

Description: MOSFET P-CH 30V 13.5A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 105µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4785 pF @ 15 V

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	22.59 грн
10000+	20.25 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ086P03NS3EGATMA1

Trans MOSFET P-CH 30V 13.5A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	20.54 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ086P03NS3EGATMA1

Trans MOSFET P-CH 30V 13.5A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

150+	85.01 грн

Мінімальне замовлення: 150

В кошику од. на суму грн.

BSZ086P03NS3GATMA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ086P03NS3GATMA1

Trans MOSFET P-CH 30V 13.5A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

154+	82.40 грн
172+	73.67 грн
210+	60.43 грн
224+	54.73 грн
500+	45.01 грн
1000+	35.73 грн
5000+	31.20 грн

Мінімальне замовлення: 154

В кошику од. на суму грн.

BSZ086P03NS3GATMA1

MOSFETs P-Ch -30V 13.5A TSDSON-8 OptiMOS P3

на замовлення 6600 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	77.13 грн
10+	56.89 грн
100+	33.78 грн
500+	26.33 грн
1000+	21.85 грн
5000+	18.41 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

BSZ086P03NS3GATMA1

Description: INFINEON - BSZ086P03NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0065 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1430 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	37.08 грн
500+	29.77 грн
1000+	23.32 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ086P03NS3GATMA1

Trans MOSFET P-CH 30V 13.5A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	21.10 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ086P03NS3GATMA1

Trans MOSFET P-CH 30V 13.5A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ086P03NS3GATMA1

на замовлення 3694 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	99.57 грн
10+	60.53 грн
100+	39.83 грн
500+	29.04 грн
1000+	25.30 грн
2000+	24.10 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ086P03NS3GATMA1

Trans MOSFET P-CH 30V 13.5A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	32.15 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ086P03NS3GATMA1

на замовлення 1430 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	79.74 грн
17+	53.79 грн
100+	37.08 грн
500+	29.77 грн
1000+	23.32 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

BSZ086P03NS3GXT

MOSFETs P-Ch -30V 13.5A TSDSON-8 OptiMOS P3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ088N03LS G

MOSFETs N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 4935 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	74.71 грн
10+	63.97 грн
100+	38.58 грн
500+	32.26 грн
1000+	24.41 грн
5000+	22.97 грн
10000+	22.09 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

BSZ088N03LS G

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ088N03LS G
Код товару: 177892

Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ088N03LSG

infineon

08+

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ088N03LSG

Description: BSZ088N03 - 12V-300V N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ088N03LSG

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ088N03LSGATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ088N03LSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	20.26 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ088N03LSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ088N03LSGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 12A/40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ088N03LSGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 12A/40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ088N03LSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ088N03MS G

QFN

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ088N03MS G

MOSFET N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ088N03MSG

на замовлення 50 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ088N03MSG

Description: BSZ088N03 - 12V-300V N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ088N03MSGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 11A/40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ088N03MSGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 11A/40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ088N03MSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0901NS

MOSFETs N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS

на замовлення 7700 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	79.84 грн
10+	72.44 грн
100+	49.15 грн
500+	42.82 грн
1000+	40.50 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

BSZ0901NS

на замовлення 90 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ0901NSATMA1

Description: INFINEON - BSZ0901NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 2000 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 3845 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	114.93 грн
15+	63.12 грн
100+	44.54 грн
500+	30.85 грн
1000+	25.17 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

BSZ0901NSATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0901NSATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 22A/40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 15 V

на замовлення 3466 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	109.10 грн
10+	86.05 грн
100+	66.92 грн
500+	53.23 грн
1000+	43.36 грн
2000+	40.82 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ0901NSATMA1

на замовлення 3845 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	44.54 грн
500+	30.85 грн
1000+	25.17 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ0901NSATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 22A/40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0901NSI

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ0901NSI

MOSFETs N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS

на замовлення 4026 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	137.27 грн
10+	86.25 грн
100+	49.63 грн
500+	39.22 грн
1000+	35.54 грн
2500+	34.98 грн
5000+	29.38 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ0901NSIATMA1

Description: INFINEON - BSZ0901NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0018 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm

на замовлення 4278 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	140.08 грн
10+	105.95 грн
100+	78.03 грн
500+	61.45 грн
1000+	43.48 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

BSZ0901NSIATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 25A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 20A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 15 V

на замовлення 13206 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	130.74 грн
10+	79.71 грн
100+	53.45 грн
500+	39.57 грн
1000+	36.16 грн
2000+	35.79 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ0901NSIATMA1

на замовлення 4278 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	78.03 грн
500+	61.45 грн
1000+	43.48 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ0901NSIATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	35.58 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ0901NSIATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 25A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 20A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 15 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	32.41 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ0902NS

MOSFETs N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS

на замовлення 12152 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	98.99 грн
10+	71.71 грн
100+	41.78 грн
250+	41.70 грн
500+	32.58 грн
1000+	27.37 грн
2500+	27.29 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ0902NS

на замовлення 50 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ0902NSATMA1

Description: INFINEON - BSZ0902NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 2200 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4332 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	114.93 грн
13+	72.19 грн
100+	47.86 грн
500+	34.69 грн
1000+	27.17 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

BSZ0902NSATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0902NSATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 19A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0902NSATMA1

на замовлення 4332 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	47.86 грн
500+	34.69 грн
1000+	27.17 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ0902NSATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	25.96 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ0902NSATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 4017 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

149+	85.31 грн
155+	81.88 грн
185+	68.81 грн
250+	62.07 грн
500+	51.77 грн
1000+	43.82 грн
3000+	41.62 грн

Мінімальне замовлення: 149

В кошику од. на суму грн.

BSZ0902NSATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 4017 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	107.42 грн
10+	91.41 грн
25+	87.73 грн
100+	71.09 грн
250+	61.58 грн
500+	53.25 грн
1000+	46.95 грн
3000+	44.59 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

BSZ0902NSATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 19A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V

на замовлення 2407 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	98.71 грн
10+	59.53 грн
100+	39.39 грн
500+	28.84 грн
1000+	26.23 грн
2000+	24.44 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ0902NSI
Код товару: 153067

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0902NSI

на замовлення 6349 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ0902NSI

MOSFETs N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS

на замовлення 10758 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	104.59 грн
10+	84.69 грн
100+	57.31 грн
500+	48.59 грн
1000+	39.54 грн
2500+	37.30 грн
5000+	35.46 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ0902NSIATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	32.22 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ0902NSIATMA1

Description: INFINEON - BSZ0902NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 2300 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 3055 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	44.00 грн
500+	31.27 грн
1000+	25.09 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ0902NSIATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	40.24 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ0902NSIATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 21A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0902NSIATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0902NSIATMA1

MOSFETs N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS

на замовлення 4513 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	104.59 грн
10+	74.93 грн
100+	50.99 грн
500+	41.14 грн
1000+	35.14 грн
2500+	35.06 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ0902NSIATMA1

на замовлення 3055 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	88.89 грн
16+	58.81 грн
100+	44.00 грн
500+	31.27 грн
1000+	25.09 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

BSZ0902NSIATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0902NSIATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 21A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0904NSI

MOSFETs N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS

на замовлення 1871 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	88.34 грн
10+	54.03 грн
100+	30.74 грн
500+	23.77 грн
1000+	21.53 грн
2500+	20.09 грн
5000+	16.97 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

BSZ0904NSI

на замовлення 80 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ0904NSIATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	21.32 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ0904NSIATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	22.75 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ0904NSIATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 18A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1463 pF @ 15 V

на замовлення 5610 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	83.99 грн
10+	50.19 грн
100+	33.18 грн
500+	24.08 грн
1000+	21.81 грн
2000+	20.13 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

BSZ0904NSIATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0904NSIATMA1

Description: INFINEON - BSZ0904NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.004 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1297 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	31.70 грн
500+	23.43 грн
1000+	17.86 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ0904NSIATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 7440 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

142+	89.54 грн
249+	50.94 грн
500+	43.34 грн
1000+	34.46 грн
5000+	31.30 грн

Мінімальне замовлення: 142

В кошику од. на суму грн.

BSZ0904NSIATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 18A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1463 pF @ 15 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	23.01 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ0904NSIATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	17.84 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ0904NSIATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0904NSIATMA1

MOSFETs N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS

на замовлення 4406 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	87.50 грн
10+	45.38 грн
100+	29.78 грн
500+	23.69 грн
1000+	19.61 грн
5000+	16.97 грн
10000+	16.17 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

BSZ0904NSIATMA1

на замовлення 1297 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	80.18 грн
21+	43.01 грн
100+	31.70 грн
500+	23.43 грн
1000+	17.86 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

BSZ0904NSIATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 2821 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1183+	26.78 грн

Мінімальне замовлення: 1183

В кошику од. на суму грн.

BSZ0905PNSATMA1

AMPMODU (BREAK AWAY)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0905PNSATMA1

Description: MOSFET P-CH 30V 40A TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 105µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3190 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0905PNSATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 5260 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	101.79 грн
10+	80.36 грн
100+	55.39 грн
500+	51.71 грн
5000+	43.94 грн
10000+	33.62 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ0905PNSATMA1

Description: MOSFET P-CH 30V 40A TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 105µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3190 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0907NDXTMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 11.1A/13.8A 8-Pin WISON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0909LSATMA1

Description: INFINEON - BSZ0909LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 2300 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 14958 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	52.89 грн
21+	42.92 грн
100+	34.12 грн
500+	26.43 грн
1000+	23.94 грн
5000+	20.24 грн

Мінімальне замовлення: 17

В кошику од. на суму грн.

BSZ0909LSATMA1

MOSFET Power-Transistor

на замовлення 881 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

844+	37.55 грн

Мінімальне замовлення: 844

В кошику од. на суму грн.

BSZ0909LSATMA1

MOSFET Power-Transistor

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0909LSATMA1

на замовлення 14958 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	34.12 грн
500+	26.43 грн
1000+	23.94 грн
5000+	20.24 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ0909LSATMA1

MOSFET Power-Transistor

на замовлення 4678 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

844+	37.55 грн

Мінімальне замовлення: 844

В кошику од. на суму грн.

BSZ0909LSATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 19A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0909NDXTMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 8.1A 8-Pin WISON EP T/R

на замовлення 547 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

456+	69.53 грн

Мінімальне замовлення: 456

В кошику од. на суму грн.

BSZ0909NDXTMA1

Description: MOSFET 2N-CH 30V 20A WISON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 17W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-WISON-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0909NDXTMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 8.1A 8-Pin WISON EP T/R

на замовлення 6670 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

456+	69.53 грн

Мінімальне замовлення: 456

В кошику од. на суму грн.

BSZ0909NDXTMA1

MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS

на замовлення 276 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	142.88 грн
10+	127.03 грн
100+	86.45 грн
500+	71.00 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ0909NS

на замовлення 25 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ0909NS

QFN

на замовлення 217 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ0909NS

MOSFETs N-Ch 30V 36A TDSON-8 OptiMOS

на замовлення 12142 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	58.64 грн
11+	36.45 грн
100+	22.09 грн
500+	17.21 грн
1000+	14.33 грн
2500+	14.01 грн
5000+	11.53 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

BSZ0909NSATMA1

Trans MOSFET N-CH 34V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 3715 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

40+	18.24 грн
42+	17.24 грн
43+	17.02 грн
100+	15.33 грн
250+	14.17 грн
500+	12.91 грн
1000+	12.54 грн
3000+	12.17 грн

Мінімальне замовлення: 40

В кошику од. на суму грн.

BSZ0909NSATMA1

Trans MOSFET N-CH 34V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 9796 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

811+	15.63 грн
816+	15.54 грн
975+	13.01 грн
1095+	11.16 грн

Мінімальне замовлення: 811

В кошику од. на суму грн.

BSZ0909NSATMA1

Trans MOSFET N-CH 34V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	13.45 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ0909NSATMA1

Description: MOSFET N-CH 34V 9A/36A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 34 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 15 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15

на замовлення 35000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	12.48 грн
10000+	11.87 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ0909NSATMA1

Trans MOSFET N-CH 34V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 3715 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

798+	15.89 грн
854+	14.84 грн
856+	14.81 грн
902+	13.55 грн
1000+	12.20 грн
3000+	11.36 грн

Мінімальне замовлення: 798

В кошику од. на суму грн.

BSZ0909NSATMA1

Description: INFINEON - BSZ0909NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 34 V, 36 A, 0.01 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 34V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 2781 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	56.93 грн
25+	35.92 грн
100+	24.51 грн
500+	16.68 грн
1000+	12.85 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

BSZ0909NSATMA1

Trans MOSFET N-CH 34V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	16.86 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ0909NSATMA1

Trans MOSFET N-CH 34V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0909NSATMA1

Trans MOSFET N-CH 34V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	20.65 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ0909NSATMA1

Description: MOSFET N-CH 34V 9A/36A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 34 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 15 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15

на замовлення 41067 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	65.80 грн
10+	39.10 грн
100+	25.34 грн
500+	18.21 грн
1000+	16.41 грн
2000+	14.90 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

BSZ0909NSATMA1

Trans MOSFET N-CH 34V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 35000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	14.78 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ0909NSATMA1

на замовлення 2781 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	24.51 грн
500+	16.68 грн
1000+	12.85 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ0910LSATMA1

Description: INFINEON - BSZ0910LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 3600 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4611 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	26.22 грн
500+	17.84 грн
1000+	14.85 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ0910LSATMA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 3290 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	69.20 грн
10+	42.89 грн
100+	25.37 грн
500+	20.49 грн
1000+	16.97 грн
2500+	16.89 грн
5000+	15.13 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

BSZ0910LSATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	17.28 грн
10000+	16.11 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ0910LSATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 18A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0910LSATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 4910 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

32+	22.84 грн
33+	22.27 грн
100+	19.30 грн
250+	17.69 грн
500+	16.42 грн
1000+	15.82 грн
3000+	15.22 грн

Мінімальне замовлення: 32

В кошику од. на суму грн.

BSZ0910LSATMA1

на замовлення 4611 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	56.12 грн
25+	37.17 грн
100+	26.22 грн
500+	17.84 грн
1000+	14.85 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

BSZ0910LSATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0910LSATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 4910 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

609+	20.83 грн
675+	18.78 грн
682+	18.58 грн
707+	17.29 грн
1000+	15.40 грн
3000+	14.21 грн

Мінімальне замовлення: 609

В кошику од. на суму грн.

BSZ0910LSATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	18.22 грн
10000+	17.06 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ0910NDXTMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 11.1A 8-Pin WISON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0910NDXTMA1

Description: DIFFERENTIATED MOSFETS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W (Ta), 31W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 25A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-WISON-8
Part Status: Obsolete

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0910NDXTMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 4791 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ0910NDXTMA1

Description: DIFFERENTIATED MOSFETS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W (Ta), 31W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 25A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-WISON-8
Part Status: Obsolete

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0911LSATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 12A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0911LSATMA1

Description: INFINEON - BSZ0911LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 5500 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 14855 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	29.99 грн
500+	20.09 грн
1000+	14.39 грн
5000+	13.70 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ0911LSATMA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 2765 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	70.13 грн
10+	43.63 грн
100+	24.89 грн
500+	19.13 грн
1000+	15.93 грн
5000+	13.45 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

BSZ0911LSATMA1

на замовлення 14855 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	60.61 грн
23+	40.14 грн
100+	29.99 грн
500+	20.09 грн
1000+	14.39 грн
5000+	13.70 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

BSZ0911LSATMA1

SP005424280

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0945NDXTMA1

BSZ0945NDXTMA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0945NDXTMA1

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ096N10LS5

MOSFET TRENCH >=100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ096N10LS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	40.81 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ096N10LS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ096N10LS5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ096N10LS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 4800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

86+	148.64 грн
95+	134.64 грн
116+	109.86 грн
200+	99.40 грн
1000+	81.55 грн
2000+	73.02 грн

Мінімальне замовлення: 86

В кошику од. на суму грн.

BSZ096N10LS5ATMA1

Description: INFINEON - BSZ096N10LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.0082 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 5441 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	126.61 грн
10+	94.28 грн
100+	69.32 грн
500+	57.28 грн
1000+	49.56 грн
5000+	44.95 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

BSZ096N10LS5ATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 20996 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	134.47 грн
10+	91.87 грн
100+	57.47 грн
500+	50.43 грн
1000+	48.11 грн
2500+	46.26 грн
5000+	43.30 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ096N10LS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ096N10LS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 100000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	68.70 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ096N10LS5ATMA1

Description: INFINEON - BSZ096N10LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.0082 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 69W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0082ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 5441 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	69.32 грн
500+	57.28 грн
1000+	49.56 грн
5000+	44.95 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ096N10LS5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 50 V

на замовлення 4718 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	127.28 грн
10+	84.63 грн
100+	60.92 грн
500+	51.67 грн
1000+	49.72 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ097N04LS G

MOSFETs N-Ch 40V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 183799 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	94.32 грн
10+	58.08 грн
100+	33.30 грн
500+	26.41 грн
1000+	23.45 грн
2500+	21.45 грн
5000+	19.21 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ097N04LS G

на замовлення 4970 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ097N04LSGATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 12A/40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 20 V

на замовлення 7630 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	51.09 грн
10+	36.44 грн
100+	28.07 грн
500+	24.78 грн
1000+	21.62 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

BSZ097N04LSGATMA1

BSZ097N04LSGATMA1 SMD N channel transistors

на замовлення 4907 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

9+	38.57 грн
35+	34.42 грн
96+	32.52 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

BSZ097N04LSGATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 12A/40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 20 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	20.27 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ097N04LSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	23.91 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ097N04LSGATMA1

MOSFETs N-Ch 40V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 25798 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	44.17 грн
11+	33.97 грн
100+	23.45 грн
500+	21.61 грн
1000+	19.37 грн
2500+	19.05 грн
5000+	18.09 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

BSZ097N04LSGATMA1
Код товару: 170565

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ097N04LSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 3596 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	64.45 грн
14+	54.96 грн
25+	54.74 грн
100+	38.81 грн
250+	35.58 грн
500+	29.22 грн
1000+	25.86 грн
3000+	24.31 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

BSZ097N04LSGATMA1

Description: INFINEON - BSZ097N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 9700 µohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 20445 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	36.01 грн
26+	35.56 грн
100+	29.45 грн
500+	25.10 грн
1000+	20.70 грн
5000+	19.70 грн

Мінімальне замовлення: 25

В кошику од. на суму грн.

BSZ097N10NS5

MOSFETs OptiMOS5 power MOSFET 100 V in a PQFN 3x3

на замовлення 14192 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	181.16 грн
10+	114.14 грн
100+	68.68 грн
500+	58.27 грн
1000+	49.47 грн
5000+	42.18 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ097N10NS5

на замовлення 13 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ097N10NS5ATMA1

Description: INFINEON - BSZ097N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 9700 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 10736 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	64.29 грн
250+	62.14 грн
1000+	56.61 грн
3000+	51.18 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ097N10NS5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 8A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 50 V

на замовлення 5313 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	161.91 грн
10+	100.14 грн
100+	67.90 грн
500+	50.80 грн
1000+	48.64 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ097N10NS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 11A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	39.78 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ097N10NS5ATMA1

N-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 40; Ciss, пФ @ Uds, В = 2080 @ 50; Qg, нКл = 28; Rds = 9.7 мОм; Ugs(th) = 2,2 В; Р, Вт = 69 @ 25°C; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = SMD; TSDSON-8

на замовлення 4 шт:

термін постачання 3 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ097N10NS5ATMA1

Description: INFINEON - BSZ097N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 9700 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 10736 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	71.56 грн
50+	64.29 грн
250+	62.14 грн
1000+	56.61 грн
3000+	51.18 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

BSZ097N10NS5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 8A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 50 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	43.97 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ097N10NS5ATMA1

MOSFETs N-Ch 100V 40A TSDSON-8

на замовлення 6730 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	62.66 грн
10+	56.98 грн
500+	47.95 грн
1000+	44.50 грн
2500+	43.14 грн
5000+	42.18 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

BSZ0994NSATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0994NSATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8TSDSON-25
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-25
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 15 V

на замовлення 4962 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	97.84 грн
10+	59.20 грн
100+	38.98 грн
500+	28.43 грн
1000+	25.80 грн
2000+	23.59 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ0994NSATMA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 4635 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	78.72 грн
10+	57.90 грн
100+	33.70 грн
500+	26.17 грн
1000+	21.69 грн
5000+	19.21 грн
10000+	18.97 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

BSZ0994NSATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0994NSATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8TSDSON-25
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-25
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ099N06LS5

MOSFET TRENCH 40<-<100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ099N06LS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ099N06LS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 12740 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

174+	72.96 грн
205+	62.09 грн
216+	58.71 грн
228+	53.67 грн
500+	45.26 грн
1000+	32.95 грн
5000+	28.60 грн
10000+	27.88 грн

Мінімальне замовлення: 174

В кошику од. на суму грн.

BSZ099N06LS5ATMA1

Description: INFINEON - BSZ099N06LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0099 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 36W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0083ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0099ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 151414 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	46.87 грн
500+	31.77 грн
1000+	24.78 грн
5000+	21.70 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ099N06LS5ATMA1
Код товару: 165964

Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ099N06LS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	18.78 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ099N06LS5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 46A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 30 V

на замовлення 13225 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	100.44 грн
10+	60.78 грн
100+	40.26 грн
500+	29.51 грн
1000+	26.84 грн
2000+	25.14 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ099N06LS5ATMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 27774 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	85.17 грн
10+	54.59 грн
100+	37.30 грн
500+	30.42 грн
1000+	25.85 грн
2500+	25.69 грн
5000+	22.17 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

BSZ099N06LS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ099N06LS5ATMA1

Description: INFINEON - BSZ099N06LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0099 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0099ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 151414 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	85.48 грн
15+	62.50 грн
100+	46.87 грн
500+	31.77 грн
1000+	24.78 грн
5000+	21.70 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

BSZ099N06LS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	24.56 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ099N06LS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	19.96 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ099N06LS5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 46A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 30 V

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	23.80 грн
10000+	21.89 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

Bsz100

Fuse: time-lag; glass type; current: 100mA; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: BK1/S506-100-R; 0218.100MXP; 179120.0,1; 0034.3107 Fuse: time-lag; 100mA Bsz100
кількість в упаковці: 500 шт

на замовлення 500 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

500+	3.08 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

Bsz100

на замовлення 100 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

500+	3.08 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

Bsz100

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

500+	3.08 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

Bsz100

на замовлення 1900 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

500+	3.08 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N03LS

QFN

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N03LS G

MOSFETs N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 4093 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

17+	23.16 грн

Мінімальне замовлення: 17

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N03LS G

QFN

на замовлення 365 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N03LSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N03LSGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 12A/40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N03LSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	19.72 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N03LSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	17.37 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N03LSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N03LSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	23.23 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N03LSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	21.17 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N03MS G

QFN

на замовлення 91 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N03MS G

MOSFETs N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M

на замовлення 1180 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	79.47 грн
10+	48.42 грн
100+	28.82 грн
500+	22.65 грн
1000+	18.89 грн
2500+	17.45 грн
5000+	14.81 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N03MSG

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N03MSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	15.31 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N03MSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	23.88 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N03MSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	22.24 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N03MSGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 10A/40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V

на замовлення 178 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	70.13 грн
10+	42.36 грн
100+	27.55 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N03MSGATMA1

MOSFETs N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M

на замовлення 33 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

14+	27.27 грн
18+	20.71 грн
100+	15.53 грн
5000+	13.21 грн

Мінімальне замовлення: 14

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N03MSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 4995 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

483+	26.24 грн
529+	23.97 грн
534+	23.74 грн
573+	21.34 грн
1000+	17.68 грн
3000+	16.74 грн

Мінімальне замовлення: 483

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N03MSGATMA1

Description: INFINEON - BSZ100N03MSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0091 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 M
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0091ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 7305 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	19.48 грн
500+	17.76 грн
1000+	16.09 грн
5000+	15.78 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N03MSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N03MSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 4995 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	29.42 грн
26+	28.11 грн
100+	24.77 грн
250+	22.71 грн
500+	20.33 грн
1000+	18.18 грн
3000+	17.94 грн

Мінімальне замовлення: 25

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N03MSGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 10A/40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N03MSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	24.67 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N03MSGATMA1

на замовлення 7305 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

34+	26.67 грн
43+	21.19 грн
100+	19.48 грн
500+	17.76 грн
1000+	16.09 грн
5000+	15.78 грн

Мінімальне замовлення: 34

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N06LS3 G

MOSFETs N-Ch 60V 20A TSDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 8953 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	130.74 грн
10+	82.29 грн
100+	47.47 грн
500+	38.90 грн
1000+	34.10 грн
2500+	33.06 грн
5000+	28.10 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N06LS3 G

N-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 11 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 3500 @ 30; Qg, нКл = 45 @ 10 В; Rds = 10 мОм @ 20 A, 10 В; Ugs(th) = 2,2 В @ 23 мкА; Р, Вт = 2,1 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; Id2 = 20 A; Ptot2, Вт = 50; PG-TSDSON-8

на замовлення 2618 шт:

термін постачання 3 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N06LS3G

Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

136+	93.29 грн
143+	89.11 грн
250+	85.54 грн
500+	79.50 грн
1000+	71.22 грн
2500+	66.35 грн
5000+	64.57 грн

Мінімальне замовлення: 136

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N06LS3G

Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N06LS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	28.05 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N06LS3GATMA1

Description: INFINEON - BSZ100N06LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.01 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 178789 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	107.75 грн
13+	72.10 грн
100+	51.18 грн
500+	35.69 грн
1000+	29.32 грн
5000+	24.09 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N06LS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	26.32 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N06LS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N06LS3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 11A/20A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 30 V

на замовлення 71493 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	121.22 грн
10+	73.87 грн
100+	49.37 грн
500+	36.45 грн
1000+	33.27 грн
2000+	32.47 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N06LS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	20.64 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N06LS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N06LS3GATMA1

MOSFETs N-Ch 60V 20A TSDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 21431 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	86.75 грн
10+	62.96 грн
100+	41.06 грн
500+	34.42 грн
1000+	32.18 грн
2500+	31.94 грн
5000+	28.10 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N06LS3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 11A/20A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 30 V

на замовлення 70000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	29.35 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N06NS

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 8094 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	108.32 грн
10+	67.01 грн
100+	38.58 грн
500+	31.70 грн
1000+	27.37 грн
2500+	26.25 грн
5000+	22.25 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N06NS

на замовлення 3650 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N06NSATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1075 pF @ 30 V

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	23.59 грн
10000+	21.87 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N06NSATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N06NSATMA1

Description: INFINEON - BSZ100N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.01 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4566 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	47.50 грн
500+	35.77 грн
1000+	28.02 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N06NSATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 27671 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

146+	87.01 грн
208+	61.08 грн
500+	42.58 грн
1000+	37.55 грн
5000+	34.62 грн
10000+	31.14 грн
20000+	25.85 грн

Мінімальне замовлення: 146

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N06NSATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	29.23 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N06NSATMA1

на замовлення 4566 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	102.36 грн
14+	65.64 грн
100+	47.50 грн
500+	35.77 грн
1000+	28.02 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N06NSATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1075 pF @ 30 V

на замовлення 11153 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	87.45 грн
10+	54.11 грн
100+	39.21 грн
500+	29.27 грн
1000+	26.27 грн
2000+	24.87 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N06NSATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N06NSATMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 11577 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	94.32 грн
10+	59.10 грн
100+	37.22 грн
500+	30.26 грн
1000+	25.61 грн
2500+	25.45 грн
5000+	22.01 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ100N06NSATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ105N04NS G

MOSFET N-Ch 40V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 4338 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ105N04NS G

Trans MOSFET N-CH 40V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ105N04NSG

Description: OPTLMOS POWER-MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ105N04NSGATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 11A/40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ105N04NSGATMA2

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 4325 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	70.69 грн
10+	42.89 грн
100+	25.45 грн
500+	20.01 грн
1000+	16.65 грн
2500+	15.13 грн
5000+	13.37 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

BSZ105N04NSGATMA2

Trans MOSFET N-CH 40V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ105N04NSGATMA2

OptiMOS 3 Power-Transistor

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ105N04NSGATMA2

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ110N06NS3 G

MOSFETs N-Ch 60V 20A TSDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 5 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	103.66 грн
10+	62.78 грн
100+	36.10 грн
500+	28.10 грн
1000+	25.69 грн
2500+	23.45 грн
5000+	20.33 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ110N06NS3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 20A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ110N06NS3GATMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ110N06NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 20A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ110N06NS3GATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; Idm: 80A; 50W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 11mΩ
Power dissipation: 50W
Drain current: 20A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Pulsed drain current: 80A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ110N06NS3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 20A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 30 V

на замовлення 867 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	92.65 грн
10+	56.11 грн
100+	36.99 грн
500+	27.02 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ110N06NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 20A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 3873 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	42.33 грн
19+	39.06 грн
25+	38.29 грн
100+	32.40 грн
250+	29.83 грн
500+	26.71 грн
1000+	22.57 грн
3000+	22.49 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

BSZ110N06NS3GATMA1

Description: INFINEON - BSZ110N06NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.011 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 15593 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

26+	35.11 грн
27+	33.58 грн
100+	32.06 грн
500+	25.35 грн
1000+	21.09 грн
5000+	20.70 грн

Мінімальне замовлення: 26

В кошику од. на суму грн.

BSZ110N06NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 20A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 3873 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

348+	36.45 грн
355+	35.73 грн
405+	31.36 грн
407+	30.07 грн
500+	25.97 грн
1000+	21.06 грн
3000+	20.99 грн

Мінімальне замовлення: 348

В кошику од. на суму грн.

BSZ110N06NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 20A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ110N08NS5

Trans MOSFET N-CH 80V 51A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 14891 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

173+	73.65 грн
181+	70.35 грн
250+	67.53 грн
500+	62.76 грн
1000+	56.22 грн
2500+	52.38 грн
5000+	50.97 грн
10000+	49.72 грн

Мінімальне замовлення: 173

В кошику од. на суму грн.

BSZ110N08NS5

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ110N08NS5ATMA1

Description: INFINEON - BSZ110N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 0.0096 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0096ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 15293 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	61.69 грн
250+	52.71 грн
1000+	36.85 грн
3000+	31.71 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ110N08NS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 51A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 25952 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

198+	64.20 грн
225+	56.50 грн
256+	49.63 грн
267+	45.82 грн
500+	40.07 грн
1000+	36.48 грн
5000+	32.58 грн
10000+	30.87 грн

Мінімальне замовлення: 198

В кошику од. на суму грн.

BSZ110N08NS5ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; 50W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 11mΩ
Power dissipation: 50W
Drain current: 40A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ110N08NS5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 22µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 40 V

на замовлення 35000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	29.99 грн
10000+	28.63 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ110N08NS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 51A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 2220 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

634+	20.00 грн
658+	19.27 грн
1000+	18.64 грн

Мінімальне замовлення: 634

В кошику од. на суму грн.

BSZ110N08NS5ATMA1

на замовлення 13858 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	77.85 грн
50+	58.54 грн
250+	50.28 грн
1000+	35.77 грн
3000+	31.48 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

BSZ110N08NS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 40A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	22.04 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ110N08NS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 51A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	37.85 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ110N08NS5ATMA1

MOSFETs N-Ch 80V 40A TSDSON-8

на замовлення 11231 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	120.46 грн
10+	69.41 грн
100+	46.42 грн
500+	38.10 грн
1000+	34.18 грн
2500+	33.62 грн
5000+	29.06 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ110N08NS5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 22µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 40 V

на замовлення 36441 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	122.08 грн
10+	74.29 грн
100+	49.67 грн
500+	36.71 грн
1000+	33.52 грн
2000+	32.89 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ110N08NS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 51A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ115N03MSCGATMA1

Old Part BSZ115N03MSCGXT^INFINEON

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ120P03NS3 G

MOSFETs P-Ch -30V -40A TSDSON-8 OptiMOS P3

на замовлення 6621 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	87.50 грн
10+	53.39 грн
100+	30.26 грн
500+	23.37 грн
1000+	21.05 грн
2500+	19.21 грн
5000+	16.89 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

BSZ120P03NS3 G

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ120P03NS3E G

MOSFET P-Ch -30V -40A TSDSON-8 OptiMOS P3

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ120P03NS3EG

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ120P03NS3EGATMA1

Description: MOSFET P-CH 30V 11A/40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 73µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3360 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ120P03NS3EGATMA1

MOSFET P-Ch -30V -40A TSDSON-8 OptiMOS P3

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ120P03NS3GATMA1

Description: MOSFET P-CH 30V 11A/40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 73µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3360 pF @ 15 V

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	18.27 грн
10000+	16.31 грн
15000+	15.67 грн
25000+	14.48 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ120P03NS3GATMA1

Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 9770 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

197+	64.51 грн
232+	54.81 грн
273+	46.46 грн
288+	42.46 грн
500+	33.94 грн
1000+	28.24 грн
5000+	25.07 грн

Мінімальне замовлення: 197

В кошику од. на суму грн.

BSZ120P03NS3GATMA1

MOSFETs P-Ch -30V -40A TSDSON-8 OptiMOS P3

на замовлення 6850 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	69.85 грн
10+	42.89 грн
100+	27.61 грн
500+	21.85 грн
1000+	18.41 грн
2500+	17.69 грн
5000+	15.61 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

BSZ120P03NS3GATMA1

Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	22.67 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ120P03NS3GATMA1

Description: INFINEON - BSZ120P03NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 40 A, 0.009 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1159 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	43.46 грн
500+	33.68 грн
1000+	23.63 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ120P03NS3GATMA1

Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ120P03NS3GATMA1

Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	25.32 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ120P03NS3GATMA1

Description: MOSFET P-CH 30V 11A/40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 73µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3360 pF @ 15 V

на замовлення 32078 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	78.79 грн
10+	47.19 грн
100+	30.85 грн
500+	22.36 грн
1000+	20.23 грн
2000+	18.44 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

BSZ120P03NS3GATMA1

Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	24.02 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ120P03NS3GATMA1

на замовлення 1159 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	81.44 грн
14+	68.42 грн
100+	43.46 грн
500+	33.68 грн
1000+	23.63 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

BSZ120P03NS3GATMA1

Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	15.88 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ120P03NS3GATMA1

Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	25.51 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ123N08NS3 G

Trans MOSFET N-CH 80V 10A 8-Pin TSDSON EP

на замовлення 2331 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

67+	190.97 грн
69+	183.70 грн
100+	177.47 грн
250+	165.94 грн
500+	149.47 грн
1000+	139.98 грн

Мінімальне замовлення: 67

В кошику од. на суму грн.

BSZ123N08NS3 G

Trans MOSFET N-CH 80V 10A 8-Pin TSDSON EP

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

116+	110.04 грн
121+	105.11 грн
250+	100.90 грн
500+	93.78 грн
1000+	84.00 грн
2500+	78.26 грн
5000+	76.16 грн

Мінімальне замовлення: 116

В кошику од. на суму грн.

BSZ123N08NS3 G

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ123N08NS3 G

MOSFETs N-Ch 80V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 10129 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	160.62 грн
10+	100.33 грн
100+	58.27 грн
500+	47.79 грн
1000+	41.86 грн
2500+	40.58 грн
5000+	34.58 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ123N08NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	36.78 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ123N08NS3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 10A/40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 40 V

на замовлення 35000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	36.06 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ123N08NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ123N08NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 10A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	27.17 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ123N08NS3GATMA1

MOSFETs N-Ch 80V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 23331 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	120.46 грн
10+	92.97 грн
100+	55.47 грн
500+	43.94 грн
1000+	40.58 грн
2500+	38.50 грн
5000+	34.58 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ123N08NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 630000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	43.72 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ123N08NS3GATMA1

Description: INFINEON - BSZ123N08NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 0.0123 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 66W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 17876 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	72.73 грн
500+	55.36 грн
1000+	43.48 грн
5000+	35.48 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ123N08NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ123N08NS3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 10A/40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 40 V

на замовлення 36285 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	140.27 грн
10+	86.21 грн
100+	58.04 грн
500+	43.14 грн
1000+	39.89 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ123N08NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	39.44 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ123N08NS3GATMA1

на замовлення 17876 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	128.40 грн
10+	97.87 грн
100+	72.73 грн
500+	55.36 грн
1000+	43.48 грн
5000+	35.48 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

BSZ12DN20NS3 G

MOSFETs N-Ch 200V 11.3A TDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 5866 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	141.94 грн
10+	95.73 грн
100+	58.59 грн
500+	47.87 грн
1000+	41.86 грн
2500+	41.30 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ12DN20NS3G

Description: BSZ12DN20 - 12V-300V N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ12DN20NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 200V 11.3A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	61.44 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ12DN20NS3GATMA1

Description: INFINEON - BSZ12DN20NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 11.3 A, 0.108 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.108ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 9216 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	138.28 грн
10+	105.95 грн
100+	77.22 грн
500+	60.78 грн
1000+	43.10 грн
5000+	42.18 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

BSZ12DN20NS3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ12DN20NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 200V 11.3A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 531 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

124+	102.54 грн
134+	94.87 грн
160+	79.32 грн
250+	71.37 грн
500+	43.69 грн

Мінімальне замовлення: 124

В кошику од. на суму грн.

BSZ12DN20NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 200V 11.3A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 45000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	47.84 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ12DN20NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 200V 11.3A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 45000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	44.65 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ12DN20NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 200V 11.3A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 4192 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

147+	86.59 грн
158+	80.46 грн
187+	67.79 грн
200+	61.81 грн
500+	57.04 грн
1000+	49.51 грн
2000+	46.62 грн

Мінімальне замовлення: 147

В кошику од. на суму грн.

BSZ12DN20NS3GATMA1

на замовлення 9216 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	77.22 грн
500+	60.78 грн
1000+	43.10 грн
5000+	42.18 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ12DN20NS3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V

на замовлення 3429 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	154.12 грн
10+	94.72 грн
100+	63.98 грн
500+	47.68 грн
1000+	43.70 грн
2000+	40.35 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ12DN20NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 200V 11.3A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 531 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	133.90 грн
10+	109.86 грн
25+	101.65 грн
100+	81.95 грн
250+	70.81 грн
500+	44.94 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

BSZ12DN20NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 200V 11.3A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ130N03LS G

MOSFETs N-Ch 30V 35A TSDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 3923 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	73.12 грн
10+	44.92 грн
100+	25.37 грн
500+	19.45 грн
1000+	16.01 грн
5000+	13.77 грн
10000+	12.57 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

BSZ130N03LSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	14.66 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ130N03LSGATMA1

Description: INFINEON - BSZ130N03LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 35 A, 0.0108 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ130N03LSGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 10A/35A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970 pF @ 15 V

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	16.63 грн
10000+	14.82 грн
15000+	14.20 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ130N03LSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	20.32 грн
10000+	19.06 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ130N03LSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ130N03LSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ130N03LSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 260000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	21.91 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ130N03LSGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 10A/35A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970 pF @ 15 V

на замовлення 27529 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	72.73 грн
10+	43.94 грн
100+	28.52 грн
500+	20.55 грн
1000+	18.55 грн
2000+	16.86 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

BSZ130N03LSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	21.82 грн
10000+	20.46 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ130N03MS G

MOSFETs N-Ch 30V 35A TSDSON-8 OptiMOS 3M

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ130N03MSG

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ130N03MSG

Description: BSZ130N03 - 12V-300V N-CHANNEL P

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ130N03MSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 4085 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

32+	23.32 грн
35+	20.69 грн
100+	19.75 грн
250+	18.10 грн
500+	17.21 грн
1000+	16.79 грн
3000+	16.36 грн

Мінімальне замовлення: 32

В кошику од. на суму грн.

BSZ130N03MSGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 9A/35A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	20.49 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ130N03MSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	20.09 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ130N03MSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 9870 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

498+	25.45 грн
500+	25.34 грн
561+	22.60 грн
1000+	20.98 грн
2000+	19.33 грн
5000+	17.38 грн

Мінімальне замовлення: 498

В кошику од. на суму грн.

BSZ130N03MSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ130N03MSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	17.56 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ130N03MSGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 9A/35A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V

на замовлення 13775 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	92.65 грн
10+	56.36 грн
100+	37.05 грн
500+	26.96 грн
1000+	24.45 грн
2000+	22.33 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ130N03MSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 4085 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

657+	19.31 грн
663+	19.12 грн
670+	18.92 грн
677+	18.07 грн
1000+	16.32 грн
3000+	15.27 грн

Мінімальне замовлення: 657

В кошику од. на суму грн.

BSZ130N03MSGATMA1

Description: INFINEON - BSZ130N03MSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 35 A, 0.0092 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0092ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 2119 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	41.12 грн
23+	40.59 грн
100+	31.25 грн
500+	24.60 грн
1000+	20.01 грн

Мінімальне замовлення: 22

В кошику од. на суму грн.

BSZ130N03MSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	21.57 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ146N10LS5

Infineon / IR

MOSFETs TRENCH >=100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ146N10LS5ATMA1

Description: INFINEON - BSZ146N10LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.0146 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0146ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 3610 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	77.85 грн
250+	66.00 грн
1000+	47.03 грн
3000+	42.87 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ146N10LS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ146N10LS5ATMA1

MOSFETs MV POWER MOS

на замовлення 107283 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	93.20 грн
10+	68.67 грн
100+	50.99 грн
500+	44.74 грн
1000+	39.62 грн
2500+	39.14 грн
5000+	35.46 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

BSZ146N10LS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ146N10LS5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 44A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ146N10LS5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 44A TSDSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 50 V

на замовлення 7963 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

356+	61.68 грн

Мінімальне замовлення: 356

В кошику од. на суму грн.

BSZ146N10LS5ATMA1

на замовлення 3610 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	102.36 грн
50+	77.85 грн
250+	66.00 грн
1000+	47.03 грн
3000+	42.87 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

BSZ146N10LS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 4915 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

131+	97.15 грн

Мінімальне замовлення: 131

В кошику од. на суму грн.

BSZ146N10LS5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 44A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ146N10LS5ATMA1
Код товару: 208437

Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ150N10LS3 G

MOSFETs N-Ch 100V 40A TSDSON-8

на замовлення 4960 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	169.02 грн
10+	105.86 грн
100+	64.11 грн
500+	54.35 грн
1000+	45.38 грн
2500+	41.94 грн
5000+	39.62 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ150N10LS3G

Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ150N10LS3G

Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

89+	143.25 грн
100+	136.84 грн
250+	131.35 грн
500+	122.09 грн
1000+	109.36 грн
2500+	101.88 грн
5000+	99.14 грн

Мінімальне замовлення: 89

В кошику од. на суму грн.

BSZ150N10LS3G

Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 4900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

104+	122.46 грн
108+	118.31 грн
250+	114.73 грн
500+	107.62 грн
1000+	97.21 грн
2500+	91.26 грн

Мінімальне замовлення: 104

В кошику од. на суму грн.

BSZ150N10LS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	46.21 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ150N10LS3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	40.44 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ150N10LS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 4160 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

403+	78.77 грн
500+	70.90 грн
1000+	65.38 грн

Мінімальне замовлення: 403

В кошику од. на суму грн.

BSZ150N10LS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 3654 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

200+	63.50 грн
201+	63.14 грн
239+	53.08 грн
250+	50.51 грн
500+	41.97 грн
1000+	39.16 грн
3000+	33.99 грн

Мінімальне замовлення: 200

В кошику од. на суму грн.

BSZ150N10LS3GATMA1

Description: INFINEON - BSZ150N10LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.015 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 10864 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	105.95 грн
250+	74.62 грн
1000+	52.61 грн
3000+	44.87 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ150N10LS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	49.36 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ150N10LS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ150N10LS3GATMA1

MOSFETs N-Ch 100V 40A TSDSON-8

на замовлення 19617 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	133.54 грн
10+	89.47 грн
100+	55.79 грн
500+	47.07 грн
1000+	41.46 грн
2500+	40.18 грн
5000+	39.30 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ150N10LS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 2613 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

403+	78.77 грн
500+	70.90 грн
1000+	65.38 грн

Мінімальне замовлення: 403

В кошику од. на суму грн.

BSZ150N10LS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5569 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

146+	87.01 грн
182+	69.69 грн
200+	69.10 грн
500+	56.70 грн
1000+	51.36 грн
2000+	41.78 грн
5000+	41.59 грн

Мінімальне замовлення: 146

В кошику од. на суму грн.

BSZ150N10LS3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V

на замовлення 9683 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	152.39 грн
10+	93.55 грн
100+	63.29 грн
500+	47.25 грн
1000+	44.73 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ150N10LS3GATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; 63W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Power dissipation: 63W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ150N10LS3GATMA1

на замовлення 10864 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	154.44 грн
50+	105.95 грн
250+	74.62 грн
1000+	52.61 грн
3000+	44.87 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

BSZ150N10LS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 48440 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

403+	78.77 грн
500+	70.90 грн
1000+	65.38 грн
10000+	56.21 грн

Мінімальне замовлення: 403

В кошику од. на суму грн.

BSZ150N10LS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 3654 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	78.73 грн
11+	68.04 грн
25+	67.65 грн
100+	54.85 грн
250+	50.11 грн
500+	43.17 грн
1000+	41.96 грн
3000+	36.42 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

BSZ150N10LS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 8A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ15DC02KD H

MOSFETs SMALL SIGNAL+P-CH

на замовлення 14558 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	114.86 грн
10+	79.62 грн
100+	53.87 грн
500+	45.62 грн
1000+	37.22 грн
2500+	34.98 грн
5000+	33.30 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ15DC02KDHXTMA1

Trans MOSFET N/P-CH 20V 5.1A/3.2A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ15DC02KDHXTMA1

Trans MOSFET N/P-CH 20V 5.1A/3.2A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 1651 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

163+	77.90 грн
171+	74.41 грн
201+	63.06 грн
250+	59.10 грн
500+	47.13 грн
1000+	36.32 грн

Мінімальне замовлення: 163

В кошику од. на суму грн.

BSZ15DC02KDHXTMA1

Trans MOSFET N/P-CH 20V 5.1A/3.2A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	33.58 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ15DC02KDHXTMA1

Description: MOSFET N/P-CH 20V 5.1A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A, 3.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 419pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 5.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	30.65 грн
10000+	29.38 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ15DC02KDHXTMA1

Trans MOSFET N/P-CH 20V 5.1A/3.2A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 1651 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	102.76 грн
10+	83.47 грн
25+	79.72 грн
100+	65.15 грн
250+	58.63 грн
500+	48.48 грн
1000+	38.91 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

BSZ15DC02KDHXTMA1

Trans MOSFET N/P-CH 20V 5.1A/3.2A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	35.58 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ15DC02KDHXTMA1

Description: INFINEON - BSZ15DC02KDHXTMA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.041 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.041ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.041ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 19882 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	66.72 грн
500+	52.44 грн
1000+	37.17 грн
5000+	35.63 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ15DC02KDHXTMA1

Trans MOSFET N/P-CH 20V 5.1A/3.2A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

154+	82.47 грн
162+	78.67 грн
181+	70.22 грн
200+	65.07 грн
500+	60.06 грн
1000+	53.76 грн
2000+	51.50 грн
5000+	50.50 грн

Мінімальне замовлення: 154

В кошику од. на суму грн.

BSZ15DC02KDHXTMA1

MOSFETs SMALL SIGNAL+P-CH

на замовлення 4224 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	103.66 грн
10+	71.98 грн
25+	62.43 грн
100+	48.43 грн
250+	48.35 грн
500+	40.90 грн
1000+	36.58 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ15DC02KDHXTMA1

Trans MOSFET N/P-CH 20V 5.1A/3.2A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	36.05 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ15DC02KDHXTMA1

Description: MOSFET N/P-CH 20V 5.1A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A, 3.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 419pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 5.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 13765 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	123.82 грн
10+	75.62 грн
100+	50.64 грн
500+	37.46 грн
1000+	34.23 грн
2000+	33.75 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ15DC02KDHXTMA1

Description: INFINEON - BSZ15DC02KDHXTMA1 - Dual-MOSFET, 25W, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 5.1 A, 3.2 A, 0.055 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.15ohm
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2 + OptiMOS P 2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.055ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 11025 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	104.16 грн
14+	68.51 грн
100+	60.07 грн
500+	46.69 грн
1000+	38.71 грн
5000+	32.17 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

Bsz160

Fuse: time-lag; glass type; current: 160mA; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: 0218.160MXP; 179120.0.16; 0034.3109 Fuse: time-lag; 160mA Bsz160
кількість в упаковці: 500 шт

на замовлення 1890 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

500+	3.08 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

BSZ160N10NS3 G

MOSFETs N-Ch 100V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 672 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	169.96 грн
10+	107.70 грн
100+	64.59 грн
500+	54.75 грн
1000+	46.50 грн
5000+	39.54 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ160N10NS3 G
Код товару: 66694

Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ160N10NS3G

на замовлення 695 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ160N10NS3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 8A/40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 12µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 50 V

на замовлення 5038 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	154.99 грн
10+	95.47 грн
100+	64.62 грн
500+	48.24 грн
1000+	45.69 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ160N10NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 8A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	35.11 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ160N10NS3GATMA1

Description: INFINEON - BSZ160N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.014 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 5766 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	149.05 грн
10+	112.24 грн
100+	83.15 грн
500+	65.45 грн
1000+	47.26 грн
5000+	47.18 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

BSZ160N10NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	47.08 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ160N10NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 45000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	55.37 грн
10000+	52.84 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ160N10NS3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 8A/40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 12µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 50 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	41.31 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ160N10NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 45000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	51.68 грн
10000+	49.32 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ160N10NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 2177 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

120+	106.12 грн
122+	104.14 грн
166+	76.68 грн
250+	73.21 грн
500+	54.77 грн
1000+	40.35 грн

Мінімальне замовлення: 120

В кошику од. на суму грн.

BSZ160N10NS3GATMA1

на замовлення 5766 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	83.15 грн
500+	65.45 грн
1000+	47.26 грн
5000+	47.18 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ160N10NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 2177 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	137.89 грн
10+	113.70 грн
25+	111.58 грн
100+	79.22 грн
250+	72.63 грн
500+	56.34 грн
1000+	43.23 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

BSZ160N10NS3GATMA1

MOSFETs N-Ch 100V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 2126 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	123.27 грн
10+	85.51 грн
100+	54.83 грн
500+	47.95 грн
1000+	44.98 грн
2500+	44.50 грн
5000+	39.54 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ160N10NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	44.10 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ165N04NS G

MOSFET N-Ch 40V 31A TSDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 2646 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ165N04NS G

Trans MOSFET N-CH 40V 8.9A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ165N04NSG

на замовлення 10080 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ165N04NSGATMA1

MOSFET N-Ch 40V 31A TSDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 1598 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ165N04NSGATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 8.9A/31A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta), 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ16DN25NS3 G

MOSFETs N-Ch 250V 10.9A TDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 4573 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	206.38 грн
10+	131.63 грн
100+	81.64 грн
500+	68.12 грн
1000+	63.15 грн
5000+	53.71 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

BSZ16DN25NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 250V 10.9A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 20768 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

95+	134.11 грн
102+	124.60 грн
120+	105.60 грн
200+	96.42 грн
500+	89.00 грн
1000+	77.21 грн
2000+	72.77 грн
5000+	70.96 грн
10000+	68.79 грн

Мінімальне замовлення: 95

В кошику од. на суму грн.

BSZ16DN25NS3GATMA1

MOSFETs N-Ch 250V 10.9A TDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 739 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	183.97 грн
10+	115.06 грн
100+	76.44 грн
500+	63.31 грн
1000+	63.15 грн
5000+	53.71 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ16DN25NS3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 32µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ16DN25NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 250V 10.9A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ16DN25NS3GATMA1

Description: INFINEON - BSZ16DN25NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 10.9 A, 0.146 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.146ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 33097 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	175.09 грн
10+	125.71 грн
100+	96.08 грн
500+	68.79 грн
1000+	54.26 грн
5000+	53.34 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

BSZ16DN25NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 250V 10.9A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ16DN25NS3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 32µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 100 V

на замовлення 3724 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	174.04 грн
10+	109.39 грн
100+	81.66 грн
500+	61.71 грн
1000+	61.58 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

BSZ16DN25NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 250V 10.9A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	64.43 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ16DN25NS3GATMA1

на замовлення 33097 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	96.08 грн
500+	68.79 грн
1000+	54.26 грн
5000+	53.34 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ180P03NS3 G

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ180P03NS3 G

MOSFETs P-Ch -30V -39.6A TSDSON-8 OptiMOS P3

на замовлення 12531 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	85.91 грн
10+	52.38 грн
100+	29.78 грн
500+	22.89 грн
1000+	20.65 грн
2500+	19.21 грн
5000+	16.25 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

BSZ180P03NS3E G

MOSFETs P-Ch -30V -39.6A TSDSON-8 OptiMOS P3

на замовлення 4697 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	75.45 грн
10+	45.75 грн
100+	27.21 грн
500+	21.37 грн
1000+	17.85 грн
2500+	16.17 грн
5000+	14.17 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

BSZ180P03NS3EGATMA1

MOSFETs P-Ch -30V -39.6A TSDSON-8 OptiMOS P3

на замовлення 11937 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	57.80 грн
10+	37.00 грн
100+	21.93 грн
500+	16.97 грн
1000+	14.17 грн
5000+	13.85 грн
10000+	13.45 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

BSZ180P03NS3EGATMA1

Description: MOSFET P-CH 30V 9A/39.5A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 39.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2220 pF @ 15 V

на замовлення 38 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	62.34 грн
10+	41.69 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

BSZ180P03NS3EGATMA1

Description: INFINEON - BSZ180P03NS3EGATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 39.6 A, 0.0135 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 25959 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	26.85 грн
500+	18.34 грн
1000+	14.08 грн
5000+	13.93 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ180P03NS3EGATMA1

Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 4960 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

26+	28.31 грн
38+	19.35 грн
100+	12.86 грн
250+	11.42 грн
500+	8.44 грн
1000+	7.03 грн
3000+	6.31 грн

Мінімальне замовлення: 26

В кошику од. на суму грн.

BSZ180P03NS3EGATMA1

Description: MOSFET P-CH 30V 9A/39.5A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 39.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2220 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ180P03NS3EGATMA1

Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	16.44 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ180P03NS3EGATMA1

на замовлення 25959 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	54.23 грн
24+	38.16 грн
100+	26.85 грн
500+	18.34 грн
1000+	14.08 грн
5000+	13.93 грн

Мінімальне замовлення: 17

В кошику од. на суму грн.

BSZ180P03NS3EGATMA1

Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 4960 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

702+	18.06 грн
1019+	12.44 грн
1062+	11.94 грн
1379+	8.86 грн
1656+	6.83 грн
3000+	5.89 грн

Мінімальне замовлення: 702

В кошику од. на суму грн.

BSZ180P03NS3EGATMA1

Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ180P03NS3GATMA1

Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	15.88 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ180P03NS3GATMA1

Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ180P03NS3GATMA1

Description: MOSFET P-CH 30V 9A/39.6A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 39.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2220 pF @ 15 V

на замовлення 7639 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	75.33 грн
10+	46.86 грн
100+	31.97 грн
500+	24.32 грн
1000+	21.07 грн
2000+	20.05 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

BSZ180P03NS3GATMA1

Description: INFINEON - BSZ180P03NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 39.6 A, 0.0135 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 40W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TSDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0135ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1101 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	39.78 грн
250+	33.13 грн
1000+	23.43 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ180P03NS3GATMA1

Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	18.70 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ180P03NS3GATMA1

MOSFETs P-Ch -30V -39.6A TSDSON-8 OptiMOS P3

на замовлення 6560 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	73.87 грн
10+	42.89 грн
100+	27.77 грн
500+	22.41 грн
1000+	18.49 грн
5000+	15.13 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

BSZ180P03NS3GATMA1

Description: MOSFET P-CH 30V 9A/39.6A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 39.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2220 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ180P03NS3GATMA1

Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ180P03NS3GATMA1

Description: INFINEON - BSZ180P03NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 39.6 A, 0.0135 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1101 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	62.85 грн
50+	39.78 грн
250+	33.13 грн
1000+	23.43 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

BSZ180P03NS3GATMA1

Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	19.94 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ180P03NS3GATMA1

Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ180P03NS3GATMA1 (BSZ180P03NS3 G)
Код товару: 191392

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові P-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

Bsz200

Fuse: time-lag; glass type; current: 200mA; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: 0218.200MXP; 179120.0,2 Fuse: time-lag; 200mA Bsz200
кількість в упаковці: 500 шт

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

500+	3.08 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

Bsz200

Fuse: time-lag; glass type; current: 200mA; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: 0218.200MXP; 179120.0,2 Fuse: time-lag; 200mA Bsz200
кількість в упаковці: 500 шт

на замовлення 397 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

500+	3.08 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

BSZ215CHXTMA1

MOSFETs SMALL SIGNAL+P-CH

на замовлення 1257 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	152.21 грн
10+	95.73 грн
100+	55.31 грн
500+	44.34 грн
1000+	41.06 грн
2500+	40.42 грн
5000+	34.90 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ215CHXTMA1

Trans MOSFET N/P-CH 20V 5.1A/3.2A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ215CHXTMA1

Description: MOSFET N/P-CH 20V 5.1A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A, 3.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 419pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 5.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5463 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	149.79 грн
10+	91.72 грн
100+	61.82 грн
500+	46.45 грн
1000+	43.03 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ215CHXTMA1

Description: INFINEON - BSZ215CHXTMA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.041 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.041ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.041ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 24378 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	147.26 грн
10+	94.28 грн
100+	62.50 грн
500+	42.69 грн
1000+	36.64 грн
5000+	29.86 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

BSZ215CHXTMA1

Description: MOSFET N/P-CH 20V 5.1A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A, 3.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 419pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 5.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	38.90 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ215CHXTMA1

Description: INFINEON - BSZ215CHXTMA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.041 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.041ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.041ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 24328 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	94.28 грн
250+	62.76 грн
1000+	39.77 грн
3000+	36.10 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ22DN20NS3 G

MOSFETs N-Ch 200V 7A TSDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 12916 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	101.79 грн
10+	70.51 грн
100+	47.71 грн
500+	40.42 грн
1000+	32.90 грн
2500+	30.98 грн
5000+	29.54 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ22DN20NS3G

Description: BSZ22DN20 - 12V-300V N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ22DN20NS3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 200V 7A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 100 V

на замовлення 153 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	120.35 грн
10+	73.71 грн
100+	49.18 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ22DN20NS3GATMA1

MOSFETs N-Ch 200V 7A TSDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 4270 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	102.72 грн
10+	70.51 грн
100+	47.71 грн
500+	38.74 грн
1000+	33.62 грн
2500+	32.58 грн
5000+	29.22 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ22DN20NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 200V 7A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	34.27 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ22DN20NS3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 200V 7A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ22DN20NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 200V 7A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ240N12NS3 G

MOSFETs N-Ch 120V 37A TSDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 3698 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	160.62 грн
10+	90.21 грн
100+	56.43 грн
500+	47.07 грн
1000+	43.46 грн
2500+	41.94 грн
5000+	37.54 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ240N12NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 120V 37A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ240N12NS3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 120V 37A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 60 V

на замовлення 2555 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	151.52 грн
10+	93.22 грн
100+	62.94 грн
500+	46.91 грн
1000+	44.04 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ240N12NS3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 120V 37A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 60 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

Bsz250

Fuse: time-lag; glass type; current: 250mA; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: 0218.250MXP; 179120.0,25; 0034.3111 Fuse: time-lag; 250mA Bsz250
кількість в упаковці: 500 шт

на замовлення 1450 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

500+	3.08 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

BSZ300N15NS5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 150V 32A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 32µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 75 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ300N15NS5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 150V 32A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 32µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 75 V

на замовлення 4699 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	208.67 грн
10+	129.99 грн
100+	89.44 грн
500+	68.67 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

BSZ300N15NS5ATMA1

MOSFETs MV POWER MOS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ300N15NS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 32A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	67.61 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ340N08NS3 G

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ340N08NS3 G

MOSFETs N-Ch 80V 23A TSDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 19291 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	95.25 грн
10+	58.73 грн
100+	33.70 грн
500+	26.73 грн
1000+	23.77 грн
2500+	22.17 грн
5000+	18.81 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ340N08NS3 G

Trans MOSFET N-CH 80V 6A 8-Pin TSDSON EP

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

264+	48.01 грн
275+	46.08 грн
500+	44.42 грн
1000+	41.43 грн
2500+	37.23 грн
5000+	34.78 грн

Мінімальне замовлення: 264

В кошику од. на суму грн.

BSZ340N08NS3 G
Код товару: 194005

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ340N08NS3G

на замовлення 792 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ340N08NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 6A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ340N08NS3GATMA1

Description: INFINEON - BSZ340N08NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 23 A, 0.027 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 77601 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	53.96 грн
18+	51.99 грн
100+	36.19 грн
500+	25.85 грн
1000+	20.16 грн
5000+	18.16 грн

Мінімальне замовлення: 17

В кошику од. на суму грн.

BSZ340N08NS3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 6A/23A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 12µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 40 V

на замовлення 25000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	18.69 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ340N08NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 6A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	22.23 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ340N08NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 6A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

288+	44.05 грн
315+	40.28 грн
317+	40.07 грн
500+	31.47 грн
1000+	27.21 грн
5000+	23.17 грн

Мінімальне замовлення: 288

В кошику од. на суму грн.

BSZ340N08NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 6A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 161 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ340N08NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 6A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 161 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	70.12 грн
12+	61.89 грн
25+	61.28 грн
100+	45.67 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

BSZ340N08NS3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 6A/23A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 12µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 40 V

на замовлення 27442 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	32.04 грн
12+	28.02 грн
100+	24.76 грн
500+	22.00 грн
1000+	20.88 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

BSZ340N08NS3GATMA1

MOSFETs N-Ch 80V 23A TSDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 6490 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	39.31 грн
12+	32.59 грн
100+	23.45 грн
500+	22.33 грн
1000+	21.37 грн
2500+	21.29 грн
5000+	18.25 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

BSZ340N08NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 6A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	45.76 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ340N08NS3GATMA2

SP001171262

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

Bsz400

Fuse: time-lag; glass type; current: 400mA; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: 0218.400MXP; 179120.0,4; 0034.3113 Fuse: time-lag; 400mA Bsz400
кількість в упаковці: 500 шт

на замовлення 373 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

500+	3.08 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

Bsz400

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

500+	3.08 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

BSZ42DN25NS3 G

MOSFETs N-Ch 250V 5A TDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 1688 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	156.88 грн
10+	98.49 грн
100+	56.67 грн
500+	46.50 грн
1000+	40.66 грн
2500+	39.46 грн
5000+	33.54 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ42DN25NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 250V 5A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ42DN25NS3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 250V 5A TSDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 425mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 100 V

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	34.79 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ42DN25NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 250V 5A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ42DN25NS3GATMA1

N-канальний ПТ; Udss, В = 250; Id = 5 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 430 @ 100; Qg, нКл = 5,5 @ 10 В; Rds = 425 мОм @ 2,5 A, 10 В; Ugs(th) = 4 В @ 13 мкА; Р, Вт = 33,8; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; PG-TSDSON-8

на замовлення 5 шт:

термін постачання 3 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ42DN25NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 250V 5A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 187 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	105.69 грн
10+	87.73 грн
25+	87.01 грн
100+	66.10 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

BSZ42DN25NS3GATMA1

Description: INFINEON - BSZ42DN25NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 5 A, 0.371 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 33.8W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33.8W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.371ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.371ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 9465 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	143.67 грн
10+	114.93 грн
100+	85.75 грн
500+	66.87 грн
1000+	47.64 грн
2500+	46.10 грн
5000+	44.56 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

BSZ42DN25NS3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 250V 5A TSDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 425mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 100 V

на замовлення 10958 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	91.78 грн
10+	58.86 грн
100+	46.25 грн
500+	40.71 грн
1000+	37.24 грн
2000+	37.23 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ42DN25NS3GATMA1

MOSFETs N-Ch 250V 5A TDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 13488 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	98.05 грн
10+	63.88 грн
100+	43.62 грн
500+	41.46 грн
1000+	38.82 грн
5000+	32.90 грн
10000+	32.50 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ440N10NS3 G

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ440N10NS3 G

MOSFETs N-Ch 100V 18A TSDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 78541 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	94.32 грн
10+	57.99 грн
100+	33.22 грн
500+	26.33 грн
1000+	23.37 грн
2500+	21.37 грн
5000+	18.09 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ440N10NS3G
Код товару: 155825

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові P-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ440N10NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 5.3A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	23.44 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ440N10NS3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 5.3A/18A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 12µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 50 V

на замовлення 14258 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	86.58 грн
10+	52.11 грн
100+	34.27 грн
500+	24.95 грн
1000+	22.63 грн
2000+	20.68 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ440N10NS3GATMA1

MOSFETs N-Ch 100V 18A TSDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 51431 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	76.29 грн
10+	52.28 грн
100+	31.22 грн
500+	25.85 грн
1000+	21.45 грн
2500+	21.37 грн
5000+	18.01 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

BSZ440N10NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 5.3A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ440N10NS3GATMA1

Description: INFINEON - BSZ440N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 18 A, 0.044 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 97764 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	61.15 грн
19+	48.40 грн
100+	35.47 грн
500+	27.51 грн
1000+	21.78 грн
5000+	18.32 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

BSZ440N10NS3GATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 18A; 29W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 18A
Power dissipation: 29W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3

на замовлення 5884 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	58.36 грн
10+	46.69 грн
25+	45.86 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

BSZ440N10NS3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 5.3A/18A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 12µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 50 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	19.93 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ440N10NS3GATMA1

на замовлення 5884 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

5+	70.04 грн
10+	58.18 грн
25+	55.03 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

BSZ440N10NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 5.3A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

Bsz500

Fuse: time-lag; glass type; current: 500mA; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: BK1/S506-500-R; 0213.500MXP; 179120.0,5; 0034.3114; 522.514 Fuse: time-lag; 500mA Bsz500
кількість в упаковці: 500 шт

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

500+	3.08 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

Bsz500

на замовлення 415 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

500+	3.08 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

Bsz500

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

500+	3.08 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

BSZ520N15NS3 G

Trans MOSFET N-CH 150V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 1040 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

98+	129.97 грн
103+	124.15 грн
250+	119.17 грн
500+	110.77 грн
1000+	99.21 грн

Мінімальне замовлення: 98

В кошику од. на суму грн.

BSZ520N15NS3 G

MOSFETs N-Ch 150V 21A TSDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 35267 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	169.02 грн
10+	106.78 грн
100+	63.95 грн
500+	54.27 грн
1000+	45.30 грн
2500+	41.78 грн
5000+	39.54 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ520N15NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ520N15NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	150.50 грн
10+	133.41 грн
25+	132.12 грн
100+	99.03 грн
250+	90.77 грн
500+	52.28 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

BSZ520N15NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 24890 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

99+	128.17 грн

Мінімальне замовлення: 99

В кошику од. на суму грн.

BSZ520N15NS3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 150V 21A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 75 V

на замовлення 8606 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	151.52 грн
10+	93.13 грн
100+	63.00 грн
500+	47.02 грн
1000+	44.46 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ520N15NS3GATMA1

MOSFETs N-Ch 150V 21A TSDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 25613 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	128.87 грн
10+	87.91 грн
100+	54.03 грн
500+	48.27 грн
1000+	45.46 грн
5000+	39.22 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ520N15NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	42.54 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ520N15NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 21A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 15010 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	33.99 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ520N15NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

102+	124.52 грн
103+	123.31 грн
133+	95.85 грн
250+	91.49 грн
500+	50.83 грн

Мінімальне замовлення: 102

В кошику од. на суму грн.

BSZ520N15NS3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 150V 21A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 75 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	40.20 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ520N15NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	81.70 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ520N15NS3GATMA1

Description: INFINEON - BSZ520N15NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 21 A, 0.052 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 3909 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	139.18 грн
10+	96.98 грн
100+	68.96 грн
500+	57.20 грн
1000+	49.56 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

Bsz630

Fuse: time-lag; glass type; current: 630mA; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: 0213.630MXP; 179120.0,63; 0034.3115 Fuse: time-lag; 630mA Bsz630
кількість в упаковці: 500 шт

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

500+	3.08 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

Bsz630

на замовлення 1170 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

500+	3.08 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

Bsz800

Fuse: time-lag; glass type; current: 800mA; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: 0218.800MXP; 179120.0,8; 0034.2515 Fuse: time-lag; 800mA Bsz800
кількість в упаковці: 500 шт

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

500+	3.08 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

BSZ900N15NS3 G

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ900N15NS3 G

Description: MOSFET N-CH 150V 13A TDSON-8

на замовлення 15211 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ900N15NS3 G

MOSFETs N-Ch 150V 13A TSDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 5814 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	155.95 грн
10+	98.49 грн
100+	56.51 грн
500+	46.34 грн
1000+	40.58 грн
2500+	37.30 грн
5000+	33.78 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ900N15NS3GATMA1

Description: INFINEON - BSZ900N15NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 13 A, 0.09 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 17523 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	56.12 грн
500+	45.02 грн
1000+	38.87 грн
5000+	31.71 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ900N15NS3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 150V 13A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 75 V

на замовлення 11741 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	135.07 грн
10+	82.71 грн
100+	55.64 грн
500+	41.31 грн
1000+	37.99 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ900N15NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

158+	80.56 грн
167+	75.94 грн
192+	66.03 грн
202+	60.76 грн
1000+	51.45 грн
2000+	46.99 грн
5000+	46.07 грн
10000+	44.68 грн

Мінімальне замовлення: 158

В кошику од. на суму грн.

BSZ900N15NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 13A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	24.47 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ900N15NS3GATMA1

BSZ900N15NS3GATMA1 SMD N channel transistors

на замовлення 3006 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

4+	90.62 грн
24+	51.03 грн
65+	48.33 грн
1000+	48.21 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ900N15NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ900N15NS3GATMA1

на замовлення 17523 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	87.82 грн
15+	63.30 грн
100+	56.12 грн
500+	45.02 грн
1000+	38.87 грн
5000+	31.71 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

BSZ900N15NS3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 150V 13A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 75 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	34.35 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ900N15NS3GATMA1

MOSFETs N-Ch 150V 13A TSDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 16356 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	106.46 грн
10+	72.81 грн
100+	48.99 грн
500+	42.02 грн
1000+	38.26 грн
5000+	37.30 грн
25000+	36.98 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSZ900N15NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 1906 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

113+	112.84 грн
118+	107.78 грн
148+	86.18 грн
250+	79.15 грн
500+	62.87 грн
1000+	50.08 грн

Мінімальне замовлення: 113

В кошику од. на суму грн.

BSZ900N15NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 1906 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	135.09 грн
10+	120.90 грн
25+	115.48 грн
100+	89.04 грн
250+	78.53 грн
500+	64.67 грн
1000+	53.66 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

BSZ900N15NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 13A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ900N20NS3 G

MOSFETs 200V 15.2A PG-TSDSON-8 OptiMOS 3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ900N20NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 200V 15.2A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	83.36 грн
10000+	80.05 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ900N20NS3GATMA1

Description: INFINEON - BSZ900N20NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 15.2 A, 0.09 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4825 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	71.65 грн
500+	53.53 грн
1000+	45.18 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSZ900N20NS3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 7.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 100 V

на замовлення 38588 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	147.19 грн
10+	90.21 грн
100+	60.95 грн
500+	45.43 грн
1000+	42.64 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ900N20NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 200V 15.2A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 4910 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	55.66 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

BSZ900N20NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 200V 15.2A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ900N20NS3GATMA1

на замовлення 4645 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	153.54 грн
10+	99.67 грн
100+	74.80 грн
500+	55.95 грн
1000+	48.18 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

BSZ900N20NS3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 7.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 100 V

на замовлення 35000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	38.55 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ900N20NS3GATMA1

MOSFETs N-Ch 200V 15.2A TDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 20037 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	141.94 грн
10+	78.52 грн
100+	55.87 грн
500+	47.63 грн
1000+	44.18 грн
2500+	44.02 грн
5000+	38.58 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ900N20NS3GATMA1

BSZ900N20NS3GATMA1 SMD N channel transistors

на замовлення 858 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

3+	159.47 грн
13+	92.05 грн
36+	87.05 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSZ900N20NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 200V 15.2A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	77.80 грн
10000+	74.71 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSZ900N20NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 200V 15.2A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	55.38 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BszA01.00

Fuse: time-lag; glass type; current: 1A; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: S506-1-R/BK1; 179120.1; 0034.3117; 0213001.MXP; 0218001.MXP; 522.517 Fuse: time-lag; 1A BszA01.00
кількість в упаковці: 500 шт

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

500+	3.08 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

BszA01.00

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

500+	3.08 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

BszA01.00

на замовлення 2020 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

500+	3.08 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

BszA01.25

Fuse: time-lag; glass type; current: 1,25A; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: BK1/S506-1.25-R; 02181.25MXP; 179120.1,25; 0034.3118 Fuse: time-lag; 1,25A BszA01.25
кількість в упаковці: 500 шт

на замовлення 2029 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

500+	3.08 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

BszA01.60

Fuse: time-lag; glass type; current: 1,60A; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: S506-1.6-R/BK1; 021301.6MXP; 021801.6MXP; 179120.1,6; 0034.3119 Fuse: time-lag; 1,6A BszA01.60
кількість в упаковці: 500 шт

на замовлення 2 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

500+	3.08 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

BszA02.00

Fuse: time-lag; glass type; current: 2A; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: 0213002.MXP; 0218002.MXP; 179120.2; 0034.3120 Fuse: time-lag; 2A BszA02.00
кількість в упаковці: 500 шт

на замовлення 3914 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

500+	3.08 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

BszA02.50

Fuse: time-lag; glass type; current: 2,5A; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: S506-2.5-R/BK1; 021302.5MXP; 179120.2,5; 0034.3121; 522.521 Fuse: time-lag; 2,5A BszA02.50
кількість в упаковці: 500 шт

на замовлення 195 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

500+	3.08 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

BszA02.50

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

500+	3.08 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

BszA03.15

Fuse: time-lag; glass type; current: 3,15A; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: S506-3.15-R/BK1; 02183.15MXP; 02133.15MXP; 179120.3,15; 0034.3122 Fuse: time-lag; 3,15A BszA03.15
кількість в упаковці: 500 шт

на замовлення 1 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

500+	3.08 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

BszA04.00

Fuse: time-lag; glass type; current: 4A; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: S506-4-R/BK1; 0218004.MXP; 0218004.MXP; 179120.4; 0034.3123 Fuse: time-lag; 4A BszA04.00
кількість в упаковці: 500 шт

на замовлення 42 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

500+	3.08 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

BszA04.00

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

500+	3.08 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

BszA05.00

Fuse: time-lag; glass type; current: 5A; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: S506-5-R/BK1; 0213005.MXP; 0218005.MXP; 179120.5; 0034.3124 Fuse: time-lag; 5A BszA05.00
кількість в упаковці: 500 шт

на замовлення 7720 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

500+	3.08 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

BszA05.00

на замовлення 14300 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

500+	3.08 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

BszA06.30

Fuse: time-lag; glass type; current: 6,3A; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: 021806.3MXP; 179120.6,3; 0034.3125 Fuse: time-lag; 6,3A BszA06.30
кількість в упаковці: 500 шт

на замовлення 24895 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

500+	3.08 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

BszA08.00

Fuse: time-lag; glass type; current: 8A; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: 0218008.MXP; 179120.8; 0034.3126 Fuse: time-lag; 8A BszA08.00
кількість в упаковці: 500 шт

на замовлення 445 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

500+	3.08 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

BszA10.00

Fuse: time-lag; glass type; current: 10A; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: 0213010.MXP; 179120.10; 0034.3127 Fuse: time-lag; 10A BszA10.00
кількість в упаковці: 500 шт

на замовлення 1884 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

500+	3.08 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

BszA15.00

Fuse: time-lag; glass type; current: 15A; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalent: 0213015.MXP Fuse: time-lag; 15A BszA15.00
кількість в упаковці: 500 шт

на замовлення 100 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

500+	3.08 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

BszA15.00

Fuse: time-lag; glass type; current: 15A; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalent: 0213015.MXP Fuse: time-lag; 15A BszA15.00
кількість в упаковці: 500 шт

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

500+	3.08 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

BszA16.00

Fuse: time-lag; glass type; current: 16A; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm equivalents: 522.030; 0213016.MXP; 179120.16; 0034.3129 Fuse: time-lag; 16A BszA16.00
кількість в упаковці: 500 шт

на замовлення 400 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

500+	3.08 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

BszA16.00