Продукція > FQP

MOSFET 200V N-Channel QFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP10N20

Description: MOSFET N-CH 200V 10A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 87W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP10N20

TO-220AB

на замовлення 13000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQP10N20C

на замовлення 980 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQP10N20C

Trans MOSFET N-CH 200V 9.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 320 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

161+	80.69 грн
168+	77.19 грн
289+	44.80 грн

Мінімальне замовлення: 161

В кошику од. на суму грн.

FQP10N20C

Description: MOSFET N-CH 200V 9.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 4.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP10N20C

на замовлення 33924 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQP10N20C

MOSFET 200V N-Ch MOSFET

на замовлення 99 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	117.09 грн
10+	104.43 грн
100+	71.01 грн
500+	58.17 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FQP10N20C

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 4.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V

на замовлення 17045 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

378+	51.72 грн

Мінімальне замовлення: 378

В кошику од. на суму грн.

FQP10N20C

Trans MOSFET N-CH 200V 9.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 320 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	92.80 грн
10+	91.69 грн
25+	87.72 грн
50+	49.09 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

FQP10N20CTSTU

Description: MOSFET N-CH 200V 9.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 4.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP10N20L

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 87W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP10N60C

Description: MOSFET N-CH 600V 9.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 730mOhm @ 4.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP10N60C

MOSFETs 600V N-Ch Q-FET advance C-Series

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP10N60C

Trans MOSFET N-CH 600V 9.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail

на замовлення 244 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

216+	149.84 грн

Мінімальне замовлення: 216

В кошику од. на суму грн.

FQP10N60C

09+ SSOP

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQP10N60C_NL

MOSFETs N-CH/600V/10A/QFET C-Series

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP10N60C_Q

MOSFETs 600V N-Ch Q-FET advance C-Series

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP11N40

MOSFET 400V N-Channel QFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP11N40

Description: MOSFET N-CH 400V 11.4A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V

на замовлення 1919 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

226+	86.23 грн

Мінімальне замовлення: 226

В кошику од. на суму грн.

FQP11N40C

Trans MOSFET N-CH 400V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP11N40C

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.6A; 135W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.6A
Power dissipation: 135W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 530mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: QFET®

на замовлення 90 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	147.80 грн
4+	127.39 грн
10+	115.88 грн
50+	102.73 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FQP11N40C

Trans MOSFET N-CH 400V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1186 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

148+	87.91 грн
149+	87.03 грн
157+	82.44 грн
500+	72.38 грн

Мінімальне замовлення: 148

В кошику од. на суму грн.

FQP11N40C

MOSFETs 400V N-Channel Advance Q-FET

на замовлення 903 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	156.92 грн
10+	87.15 грн
100+	68.14 грн
500+	60.49 грн
1000+	55.03 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FQP11N40C
Код товару: 203650

Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP11N40C

на замовлення 90 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

2+	177.37 грн
3+	158.74 грн
10+	139.06 грн
50+	123.28 грн
100+	111.44 грн
250+	107.50 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FQP11N40C

Description: MOSFET N-CH 400V 10.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 5.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 25 V

на замовлення 3703 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	192.03 грн
50+	91.85 грн
100+	82.80 грн
500+	62.83 грн
1000+	58.04 грн
2000+	54.02 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FQP11N40C

N-MOSFET 400V 10.5A 530mΩ 135W FQP11N40C Fairchild TFQP11n40c
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 100 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

20+	32.50 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

FQP11N40C

Trans MOSFET N-CH 400V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1186 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	93.20 грн
50+	92.27 грн
100+	87.40 грн
500+	76.74 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

FQP11N40C

MOSFETs 400V N-Channel Advance Q-FET

на замовлення 958 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	88.42 грн
10+	76.95 грн
100+	62.81 грн
500+	59.33 грн
1000+	57.35 грн
2500+	56.60 грн
5000+	55.03 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FQP11N40C

Description: ONSEMI - FQP11N40C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 10.5 A, 0.43 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 135W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)

на замовлення 499 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	97.98 грн
10+	90.81 грн
100+	88.42 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

FQP11N40C

N-MOSFET 400V 10.5A 530mΩ 135W FQP11N40C Fairchild TFQP11n40c
кількість в упаковці: 48 шт

на замовлення 18 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

48+	32.50 грн

Мінімальне замовлення: 48

В кошику од. на суму грн.

FQP11N40C_Q

MOSFETs 400V N-Channel Advance Q-FET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP11N50CF

FQP11N50CF

на замовлення 950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

181+	178.95 грн
500+	170.32 грн

Мінімальне замовлення: 181

В кошику од. на суму грн.

FQP11N50CF

FQP11N50CF

на замовлення 934 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

181+	178.95 грн
500+	170.32 грн

Мінімальне замовлення: 181

В кошику од. на суму грн.

FQP11N50CF

Description: MOSFET N-CH 500V 11A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055 pF @ 25 V

на замовлення 2116 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

137+	142.67 грн

Мінімальне замовлення: 137

В кошику од. на суму грн.

FQP11P06

MOSFET 60V P-Channel QFET

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQP11P06

Description: MOSFET P-CH 60V 11.4A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP11P06
Код товару: 34162

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP11P06

Trans MOSFET P-CH 60V 11.4A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP12N60

Description: MOSFET N-CH 600V 10.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V

на замовлення 9664 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

151+	130.89 грн

Мінімальне замовлення: 151

В кошику од. на суму грн.

FQP12N60

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP12N60C

Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 3340 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

193+	168.17 грн
500+	159.54 грн
1000+	149.84 грн

Мінімальне замовлення: 193

В кошику од. на суму грн.

FQP12N60C

Description: ONSEMI - FQP12N60C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.53 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 4951 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

50+	138.60 грн

Мінімальне замовлення: 50

В кошику од. на суму грн.

FQP12N60C

Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 225W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP12N60C
Код товару: 166497

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP12N60C

Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 817 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

193+	168.17 грн
500+	159.54 грн

Мінімальне замовлення: 193

В кошику од. на суму грн.

FQP12N60C

MOSFETs 600V N-Ch Q-FET advance C-Series

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP12N60C

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 225W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 25 V

на замовлення 3340 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

146+	134.83 грн

Мінімальне замовлення: 146

В кошику од. на суму грн.

FQP12P10

MOSFET 100V P-Channel QFET

на замовлення 497 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	105.94 грн
10+	95.01 грн
25+	80.57 грн
100+	67.39 грн
250+	66.09 грн
500+	63.63 грн
1000+	56.81 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FQP12P10

Trans MOSFET P-CH 100V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 859 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	82.87 грн
10+	74.45 грн
100+	59.54 грн
500+	51.18 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

FQP12P10

Trans MOSFET P-CH 100V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP12P10

Description: MOSFET P-CH 100V 11.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 5.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP12P10

Trans MOSFET P-CH 100V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP12P20
Код товару: 46795

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP12P20

Description: MOSFET P-CH 200V 11.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 5.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP12P20

Trans MOSFET P-CH 200V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQP12P20

MOSFETs 200V P-Channel QFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP12P20

Description: ONSEMI - FQP12P20 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 11.5 A, 0.36 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 120W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.36ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

на замовлення 900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	203.12 грн
10+	177.63 грн
100+	147.36 грн
500+	112.43 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FQP13N06

FAIR

на замовлення 7000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQP13N06

Description: MOSFET N-CH 60V 13A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 25 V

на замовлення 79627 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

606+	33.17 грн

Мінімальне замовлення: 606

В кошику од. на суму грн.

FQP13N06

Description: MOSFET N-CH 60V 13A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP13N06L

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 6.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V

на замовлення 38438 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

443+	45.11 грн

Мінімальне замовлення: 443

В кошику од. на суму грн.

FQP13N06L

Trans MOSFET N-CH 60V 13.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 37962 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

616+	52.57 грн
1000+	48.49 грн
10000+	43.23 грн

Мінімальне замовлення: 616

В кошику од. на суму грн.

FQP13N06L

MOSFETs 60V N-Channel QFET Logic Level

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP13N06L

Description: ONSEMI - FQP13N06L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 13.6 A, 0.088 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.088ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

на замовлення 287 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	80.45 грн
13+	62.93 грн
100+	48.35 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

FQP13N06L

Description: MOSFET N-CH 60V 13.6A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 6.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP13N06L

Trans MOSFET N-CH 60V 13.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 40 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	37.75 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

FQP13N06L.

Description: ONSEMI - FQP13N06L. - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 13.6 A, 0.11 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 13.6
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 45
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung: 45
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.11
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP13N06L_Q

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP13N10

Description: MOSFET N-CH 100V 12.8A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 6.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP13N10

Trans MOSFET N-CH 100V 12.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP13N10

Trans MOSFET N-CH 100V 12.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 5700 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	67.68 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

FQP13N10

MOSFETs N-CH/100V/12.8A 0.18OHM

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP13N10

Description: ONSEMI - FQP13N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 12.8 A, 0.142 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 12.8
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: -
Verlustleistung Pd: 65
Bauform - Transistor: TO-220AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.142
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP13N10

Trans MOSFET N-CH 100V 12.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 5700 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

220+	59.01 грн

Мінімальне замовлення: 220

В кошику од. на суму грн.

FQP13N10L

Trans MOSFET N-CH 100V 12.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP13N10L

MOSFET 100V N-Ch QFET Logic Level

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP13N10L

Description: ONSEMI - FQP13N10L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 12.8 A, 0.142 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.142ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

на замовлення 52 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	112.31 грн
10+	95.59 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

FQP13N10L

Trans MOSFET N-CH 100V 12.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP13N10L

Description: MOSFET N-CH 100V 12.8A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 6.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP13N50

Trans MOSFET N-CH 500V 12.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP13N50

Description: MOSFET N-CH 500V 12.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 6.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP13N50
Код товару: 143458

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP13N50

Trans MOSFET N-CH 500V 12.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB FQP13N50 TFQP13n50
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 27 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

10+	137.85 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

FQP13N50

MOSFETs 500V N-Channel QFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP13N50C

Description: MOSFET N-CH 500V 13A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP13N50C
Код товару: 152424

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP13N50C

MOSFETs 500V N-Ch Q-FET advance C-Series

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP13N50C

Trans MOSFET N-CH 500V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 22000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

268+	120.74 грн
500+	108.88 грн
1000+	100.21 грн
10000+	86.15 грн

Мінімальне замовлення: 268

В кошику од. на суму грн.

FQP13N50C-G

Description: N-CHANNEL QFET MOSFET 500V, 13A,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP13N50C_F105

Description: MOSFET N-CH 500V 13A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP14N15

Description: MOSFET N-CH 150V 14.4A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 715 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP14N30

Description: MOSFET N-CH 300V 14.4A TO220-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP14N30

Trans MOSFET N-CH 300V 14.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP14N30

MOSFET 300V N-Channel QFET

на замовлення 1140 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQP15P12

Description: MOSFET P-CH 120V 15A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP15P12

Trans MOSFET P-CH 120V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP15P12

MOSFETs 120V P-Channel QFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP15P12

Description: ONSEMI - FQP15P12 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP16N15

Description: MOSFET N-CH 150V 16.4A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 108W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V

на замовлення 4866 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

319+	61.90 грн

Мінімальне замовлення: 319

В кошику од. на суму грн.

FQP16N25

MOSFET 250V N-Channel QFET

на замовлення 595 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	140.99 грн
10+	125.63 грн
100+	87.39 грн
500+	72.37 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FQP16N25

на замовлення 100000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQP16N25

Description: MOSFET N-CH 250V 16A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP16N25

Trans MOSFET N-CH 250V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 406 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	106.26 грн
10+	94.76 грн
100+	78.66 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

FQP16N25

Description: ONSEMI - FQP16N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 16 A, 0.18 ohm, TO-220
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 16
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 142
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 142
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.18
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP16N25

Trans MOSFET N-CH 250V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 987 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	118.11 грн
10+	103.46 грн
100+	83.83 грн
500+	70.72 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

FQP16N25C

Description: MOSFET N-CH 250V 15.6A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP16N25C-F105

Description: FQP16N25 - POWER FIELD-EFFECT TR
Packaging: Bulk

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP16N25C-F105

Description: FQP16N25 - POWER FIELD-EFFECT TR
Packaging: Bulk
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP17N08

Description: ONSEMI - FQP17N08 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

на замовлення 2331 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1069+	25.01 грн

Мінімальне замовлення: 1069

В кошику од. на суму грн.

FQP17N08

Description: MOSFET N-CH 80V 16.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 8.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP17N08

на замовлення 2331 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

888+	24.45 грн

Мінімальне замовлення: 888

В кошику од. на суму грн.

FQP17N08L

Description: MOSFET N-CH 80V 16.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 25 V

на замовлення 2957 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

650+	32.51 грн

Мінімальне замовлення: 650

В кошику од. на суму грн.

FQP17N08L

Description: ONSEMI - FQP17N08L - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 2957 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

782+	39.11 грн

Мінімальне замовлення: 782

В кошику од. на суму грн.

FQP17N08L

MOSFETs 80V N-Channel QFET Logic Level

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP17N08L

Description: MOSFET N-CH 80V 16.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP17N40

Description: MOSFET N-CH 400V 16A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25

на замовлення 2174 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	236.58 грн
50+	115.08 грн
100+	104.13 грн
500+	79.71 грн
1000+	73.92 грн
2000+	69.81 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FQP17N40

Description: ONSEMI - FQP17N40 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 16 A, 0.27 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400
Dauer-Drainstrom Id: 16
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 170
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.27
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP17N40

MOSFETs 400V N-Channel QFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP17N40

Trans MOSFET N-CH 400V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP17N40
Код товару: 43558

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP17N40

Trans MOSFET N-CH 400V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP17P06

Trans MOSFET P-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP17P06

Trans MOSFET P-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1608 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

117+	110.78 грн
129+	100.91 грн
133+	97.30 грн
500+	77.24 грн
1000+	64.55 грн

Мінімальне замовлення: 117

В кошику од. на суму грн.

FQP17P06
Код товару: 126278

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP17P06

Description: MOSFET P-CH 60V 17A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V

на замовлення 1195 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	174.36 грн
50+	82.69 грн
100+	74.40 грн
500+	56.19 грн
1000+	51.81 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FQP17P06

Trans MOSFET P-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1612 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	119.84 грн
50+	109.17 грн
100+	105.27 грн
500+	83.56 грн
1000+	69.84 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

FQP17P06

Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -12A; 79W; TO220AB
Technology: QFET®
Mounting: THT
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -12A
Gate charge: 27nC
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.12Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Power dissipation: 79W

на замовлення 80 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	84.08 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

FQP17P06

на замовлення 80 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

4+	100.90 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FQP17P06

Description: ONSEMI - FQP17P06 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 17 A, 0.12 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

на замовлення 5710 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	109.13 грн
10+	82.04 грн
100+	78.06 грн
500+	65.83 грн
1000+	59.95 грн
5000+	58.72 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

FQP17P06

MOSFETs 60V P-Channel QFET

на замовлення 16476 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	163.29 грн
10+	76.95 грн
100+	61.65 грн
500+	53.39 грн
1000+	52.64 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FQP17P06TU

TO-220 04+

на замовлення 10 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQP17P06_Q

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP17P10

MOSFETs 100V P-Channel QFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP17P10

Description: MOSFET P-CH 100V 16.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V

на замовлення 5828 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	148.24 грн
50+	69.25 грн
100+	62.11 грн
500+	46.56 грн
1000+	42.78 грн
2000+	39.61 грн
5000+	36.20 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FQP17P10

Trans MOSFET P-CH 100V 16.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP17P10

Trans MOSFET P-CH 100V 16.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP18N20V2

Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO-220

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP18N50
Код товару: 118942

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP18N50V2

Description: MOSFET N-CH 500V 18A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 265mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V

на замовлення 532 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

60+	322.23 грн

Мінімальне замовлення: 60

В кошику од. на суму грн.

FQP18N50V2

MOSFET 500V N-Ch QFET V2 Series

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP18N50V2

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQP18N50V2_Q

MOSFET 500V N-Ch QFET V2 Series

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP19N10

на замовлення 9080 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQP19N10

Description: MOSFET N-CH 100V 19A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP19N10L

Description: MOSFET N-CH 100V 19A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP19N10L

Description: MOSFET N-CH 100V 19A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V

на замовлення 970 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

970+	30.15 грн

Мінімальне замовлення: 970

В кошику од. на суму грн.

FQP19N20

Trans MOSFET N-CH 200V 19.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP19N20

FAIRCHIL

TO-220-3P 08+

на замовлення 679 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQP19N20
Код товару: 35440

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 200 V
Idd,A: 19,4 A
Rds(on), Ohm: 0,15 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1220/31
Монтаж: THT

у наявності 3 шт:

3 шт - склад

1+	72.00 грн
10+	64.40 грн

В кошику од. на суму грн.

FQP19N20

Trans MOSFET N-CH 200V 19.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP19N20

Description: MOSFET N-CH 200V 19.4A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP19N20

на замовлення 6855 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQP19N20

MOSFETs 200V N-Channel QFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP19N20 /FSC

08+;

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQP19N20-T

Description: MOSFET N-CH 200V 28A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP19N20C

Trans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 860 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

375+	86.44 грн
500+	77.79 грн

Мінімальне замовлення: 375

В кошику од. на суму грн.

FQP19N20C

Description: ONSEMI - FQP19N20C - MOSFET, N-KANAL, 200V, 19A, TO-220-3
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)

на замовлення 836 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	105.14 грн
10+	81.25 грн
100+	70.57 грн
500+	56.81 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

FQP19N20C

MOSFETs 200V N-Channel Advance Q-FET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP19N20C

Description: MOSFET N-CH 200V 19A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP19N20CTSTU

Description: MOSFET N-CH 200V 19A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP19N20C_F080

Description: MOSFET N-CH 200V 19A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP19N20C_Q

MOSFET 200V N-Channel Advance Q-FET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP19N20L

Description: MOSFET N-CH 200V 21A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP1N50

Description: MOSFET N-CH 500V 1.4A TO-220

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP1N60

MOSFET 600V N-Channel QFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP1N60

Description: MOSFET N-CH 600V 1.2A TO-220

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP1N60

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQP1N60C

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP1P50

Description: MOSFET P-CH 500V 1.5A TO-220

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP1P50

на замовлення 1080 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQP20N06

Description: ONSEMI - FQP20N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.048 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

на замовлення 623 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	93.20 грн
11+	76.87 грн
100+	67.47 грн
500+	46.89 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

FQP20N06

Description: MOSFET N-CH 60V 20A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP20N06

на замовлення 1080 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQP20N06

Aptina Imaging

Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 3767 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

196+	66.31 грн
212+	61.03 грн
222+	58.44 грн
236+	52.94 грн
1000+	47.04 грн

Мінімальне замовлення: 196

В кошику од. на суму грн.

FQP20N06

Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 3767 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	83.59 грн
11+	71.05 грн
25+	65.39 грн
50+	60.37 грн
100+	52.52 грн
1000+	48.38 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

FQP20N06

MOSFETs 60V N-Channel QFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP20N06

Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQP20N06L
Код товару: 114280

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP20N06L

Trans MOSFET N-CH 60V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 99 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	135.22 грн
10+	78.08 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

FQP20N06L

MOSFET 60V N-Channel QFET Logic Level

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP20N06L

Trans MOSFET N-CH 60V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 99 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQP20N06L

Description: ONSEMI - FQP20N06L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 21 A, 0.042 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 21
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 53
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.042
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

на замовлення 467 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	132.23 грн
10+	108.33 грн
100+	81.25 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

FQP20N06L

Description: MOSFET N-CH 60V 21A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 25 V

на замовлення 1394 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	130.58 грн
50+	60.67 грн
100+	54.31 грн
500+	40.51 грн
1000+	37.14 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FQP20N06L

Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 70mOhm; 21A; 53W; -55°C ~ 175°C; FQP20N06L TFQP20n06l
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 60 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

20+	29.95 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

FQP20N06TSTU

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP20N06TSTU

Description: MOSFET N-CH 60V 20A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP20N06_Q

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP22N30

Description: ONSEMI - FQP22N30 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 21 A, 0.16 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 170W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.16ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

на замовлення 47 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	265.25 грн
10+	203.92 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FQP22N30

Description: MOSFET N-CH 300V 21A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP22N30

MOSFETs 300V N-Channel QFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP22N30

Trans MOSFET N-CH 300V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP22P10

Description: MOSFET P-CH 100V 22A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP22P10

MOSFETs 100V P-Channel QFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP22P10

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQP22P10_NL

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP24N08

Trans MOSFET N-CH 80V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP24N08

MOSFETs 80V N-Channel QFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP24N08

Description: MOSFET N-CH 80V 24A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP27N25

Description: MOSFET N-CH 250V 25.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP27N25

Description: ONSEMI - FQP27N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 25.5 A, 0.083 ohm, TO-220
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 25.5
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 180
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 180
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.083
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP27N25

Trans MOSFET N-CH 250V 25.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	118.44 грн
2000+	117.79 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

FQP27N25

MOSFETs 250V N-Channel QFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP27N25..

Description: ONSEMI - FQP27N25.. - N CH MOSFET, 250V, 25.5A, TO-220
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 25.5
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 180
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 180
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Kanaltyp: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.11
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11
SVHC: Lead

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP27P06

Trans MOSFET P-CH 60V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	75.62 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

FQP27P06

Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -27A; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -27A
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

на замовлення 288 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	183.21 грн
5+	117.52 грн
10+	86.29 грн
50+	83.01 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FQP27P06

UMW

Description: MOSFET P-CH 60V 27A TO220
Packaging: Tube

на замовлення 2416 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	107.53 грн
10+	65.90 грн
100+	44.06 грн
500+	32.56 грн
1000+	29.72 грн
2000+	27.34 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FQP27P06

P-MOSFET 60V 0.07Ohm FQP27P06 TFQP27p06
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 48 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

10+	152.51 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

FQP27P06

Trans MOSFET P-CH 60V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 2900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	81.02 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

FQP27P06

MOSFETs 60V P-Channel QFET

на замовлення 2764 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	199.93 грн
10+	98.15 грн
100+	75.79 грн
500+	62.27 грн
1000+	59.88 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FQP27P06

Trans MOSFET P-CH 60V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	263.06 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FQP27P06
Код товару: 197511

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP27P06

Description: MOSFET P-CH 60V 27A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V

на замовлення 18116 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	192.03 грн
50+	91.72 грн
100+	82.66 грн
500+	62.68 грн
1000+	57.89 грн
2000+	53.86 грн
5000+	51.62 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FQP27P06

на замовлення 288 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

2+	219.85 грн
5+	146.45 грн
10+	103.55 грн
50+	99.61 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FQP27P06

Description: ONSEMI - FQP27P06 - MOSFET, P-KANAL, -60V, -27A, TO-220
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)

на замовлення 13016 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	201.53 грн
10+	95.59 грн
100+	80.45 грн
500+	67.23 грн
1000+	59.67 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FQP27P06-SW82127

MOSFET 60V 27A 0.07 Ohm P-Channel QFET

на замовлення 542 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQP27P06_SW82127

Description: MOSFET P-CH 60V 27A TO-220

на замовлення 166 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQP2N30

Description: MOSFET N-CH 300V 2.1A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 1.05A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP2N40

Description: MOSFET N-CH 400V 1.8A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8Ohm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP2N40-F080

Trans MOSFET N-CH 400V 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP2N40-F080

MOSFET N-CH 400V 1.8A 5.8OHM

на замовлення 759 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	104.35 грн
10+	93.44 грн
100+	62.81 грн
500+	51.89 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FQP2N40-F080

Description: MOSFET N-CH 400V 1.8A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8Ohm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP2N50

Description: MOSFET N-CH 500V 2.1A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3Ohm @ 1.05A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 25 V

на замовлення 3015 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

466+	41.49 грн

Мінімальне замовлення: 466

В кошику од. на суму грн.

FQP2N60

Description: MOSFET N-CH 600V 2.4A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V

на замовлення 84915 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

209+	95.53 грн

Мінімальне замовлення: 209

В кошику од. на суму грн.

FQP2N60

09+

на замовлення 4618 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQP2N60

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP2N60B

на замовлення 87090 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQP2N60C

N-NOSFET 2A 600V 54W 4.7Ω FQP2N60C TFQP2n60c
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 50 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

20+	31.86 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

FQP2N60C
Код товару: 48426

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 600 V
Idd,A: 2 А
Rds(on), Ohm: 3,6 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 180/8.5

товару немає в наявності

1+	40.00 грн
10+	35.70 грн

В кошику од. на суму грн.

FQP2N60C

Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 960 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	113.47 грн
10+	98.41 грн
25+	90.86 грн
100+	81.41 грн
500+	72.32 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

FQP2N60C

Description: MOSFET N-CH 600V 2A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP2N60C

Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 960 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

141+	91.85 грн
153+	84.80 грн
165+	78.80 грн
500+	72.90 грн

Мінімальне замовлення: 141

В кошику од. на суму грн.

FQP2N60C

MOSFETs 600V N-Channel Advance Q-FET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP2N60C_Q

MOSFETs 600V N-Channel Advance Q-FET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP2N80

Trans MOSFET N-CH 800V 2.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP2N80

MOSFET 800V N-Channel QFET

на замовлення 993 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	125.06 грн
10+	110.71 грн
100+	75.10 грн
500+	61.93 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FQP2N80

Description: MOSFET N-CH 800V 2.4A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V

на замовлення 900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

283+	68.72 грн

Мінімальне замовлення: 283

В кошику од. на суму грн.

FQP2N80

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.52A; Idm: 9.6A; 85W; TO220AB
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 15nC
On-state resistance: 6.3Ω
Drain current: 1.52A
Pulsed drain current: 9.6A
Power dissipation: 85W
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 800V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP2N90

Trans MOSFET N-CH 900V 2.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP2N90

Description: MOSFET N-CH 900V 2.2A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V

на замовлення 1478 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

256+	77.62 грн

Мінімальне замовлення: 256

В кошику од. на суму грн.

FQP2N90

Trans MOSFET N-CH 900V 2.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1132 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	125.72 грн
10+	104.02 грн
100+	93.25 грн
500+	67.17 грн
1000+	59.42 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

FQP2N90

Description: ONSEMI - FQP2N90 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 2.2 A, 5.6 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5.6ohm

на замовлення 233 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	99.57 грн
11+	78.78 грн
100+	70.81 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

FQP2N90

Trans MOSFET N-CH 900V 2.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP2N90

MOSFET 900V N-Channel QFET

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	134.62 грн
10+	120.13 грн
25+	101.05 грн
100+	84.66 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FQP2N90

Description: MOSFET N-CH 900V 2.2A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP2N90

Trans MOSFET N-CH 900V 2.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP2N90
Код товару: 61646

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP2NA90

Description: MOSFET N-CH 900V 2.8A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V

на замовлення 1789 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

523+	43.78 грн

Мінімальне замовлення: 523

В кошику од. на суму грн.

FQP2NA90

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP2P25

Description: MOSFET P-CH 250V 2.3A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 1.15A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP2P25

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP2P40

MOSFET 400V P-Channel QFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP2P40

Description: MOSFET P-CH 400V 2A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP2P40

на замовлення 87090 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQP2P40-F080

MOSFET QF -400V 6.5OHM TO220

на замовлення 1913 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQP2P40-F080

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP2P40_F080

Trans MOSFET P-CH 400V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP2P40_F080

Description: MOSFET P-CH 400V 2A TO-220

на замовлення 8275000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQP30N06

Description: MOSFET N-CH 60V 30A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 945 pF @ 25 V

на замовлення 9 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	137.49 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FQP30N06

Description: ONSEMI - FQP30N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 30 A, 0.031 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 30
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: -
Verlustleistung Pd: 79
Bauform - Transistor: TO-220AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.031
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQP30N06

Trans MOSFET N-CH 60V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1804 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

112+	116.00 грн

Мінімальне замовлення: 112

В кошику од. на суму грн.

FQP30N06

MOSFETs 60V N-Channel QFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP30N06

Trans MOSFET N-CH 60V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1804 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	124.29 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

FQP30N06L

MOSFETs 60V N-Channel QFET Logic Level

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP30N06L

Trans MOSFET N-CH 60V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB FQP30N06L TFQP30n06l
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 43 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

20+	42.06 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

FQP30N06L

Description: MOSFET N-CH 60V 32A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP30N06L

Description: ONSEMI - FQP30N06L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 32 A, 0.027 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm

на замовлення 169 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	168.87 грн
10+	133.82 грн
100+	107.53 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

FQP30N06L

Trans MOSFET N-CH 60V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 25 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQP30N06_Q

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP32N12V2

Description: MOSFET N-CH 120V 32A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1860 pF @ 25 V

на замовлення 1244 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

468+	45.39 грн

Мінімальне замовлення: 468

В кошику од. на суму грн.

FQP32N20C

Trans MOSFET N-CH 200V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 7527 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	90.06 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

FQP32N20C

MOSFETs 200V N-Channel Advance Q-FET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP32N20C

Description: ONSEMI - FQP32N20C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 28 A, 0.068 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 28
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 156
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 156
Bauform - Transistor: TO-220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.068
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

на замовлення 2896 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	267.64 грн
10+	214.27 грн
100+	176.04 грн
500+	139.06 грн
1000+	107.88 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FQP32N20C

Trans MOSFET N-CH 200V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 12150 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

213+	152.00 грн
500+	143.37 грн
1000+	135.83 грн
10000+	122.66 грн

Мінімальне замовлення: 213

В кошику од. на суму грн.

FQP32N20C

Description: MOSFET N-CH 200V 28A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP32N20C_F080

Description: MOSFET N-CH 200V 28A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP32N20C_Q

MOSFET 200V N-Channel Advance Q-FET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP33N10

Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 25V; 52mOhm; 33A; 127W; -55°C ~ 175°C; FQP33N10 TFQP33n10
кількість в упаковці: 5 шт

на замовлення 50 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

10+	92.82 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

FQP33N10

Description: MOSFET N-CH 100V 33A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 127W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP33N10

Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

106+	122.78 грн
138+	94.38 грн

Мінімальне замовлення: 106

В кошику од. на суму грн.

FQP33N10

Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 27096 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

117+	111.22 грн
150+	86.72 грн

Мінімальне замовлення: 117

В кошику од. на суму грн.

FQP33N10

MOSFETs 100V N-Channel QFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP33N10
Код товару: 30515

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 33 A
Rds(on), Ohm: 0,052 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1150/38
Монтаж: THT

у наявності 3 шт:

3 шт - РАДІОМАГ-Львів

1+	45.00 грн
10+	40.50 грн

В кошику од. на суму грн.

FQP33N10

Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	146.44 грн
10+	131.55 грн
100+	101.12 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

FQP33N10

Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 27100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	119.89 грн
10+	110.21 грн
100+	89.61 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

FQP33N10

Description: ONSEMI - FQP33N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.052 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 33
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: -
Verlustleistung Pd: 127
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.052
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

на замовлення 175 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	140.19 грн
10+	125.06 грн
100+	96.38 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

FQP33N10L

MOSFETs 100V N-Ch QFET Logic Level

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP33N10L

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQP33N10L

Description: MOSFET N-CH 100V 33A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 127W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP34N20

Trans MOSFET N-CH 200V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP34N20
Код товару: 100818

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP34N20

Description: MOSFET N-CH 200V 31A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 15.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP34N20

MOSFET 200V N-Channel QFET

на замовлення 996 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	248.52 грн
10+	220.63 грн
100+	154.30 грн
500+	126.99 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FQP34N20(транзистор)
Код товару: 86825

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP34N20L

Description: MOSFET N-CH 200V 31A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 15.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP3652

на замовлення 10005 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQP3N25

MOSFET 250V N-Channel QFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP3N25

Description: MOSFET N-CH 250V 2.8A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V

на замовлення 5900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1025+	20.57 грн

Мінімальне замовлення: 1025

В кошику од. на суму грн.

FQP3N30

Description: MOSFET N-CH 300V 3.2A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP3N30
Код товару: 173281

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP3N30

Description: ONSEMI - FQP3N30 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 3.2 A, 1.65 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.65V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 55W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.65ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

на замовлення 1423 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

250+	51.78 грн

Мінімальне замовлення: 250

В кошику од. на суму грн.

FQP3N30

Trans MOSFET N-CH 300V 3.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 665 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	47.27 грн
100+	43.17 грн
500+	38.71 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

FQP3N30

FAIRCHIL

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQP3N30

MOSFET 300V N-Channel QFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP3N30_NL

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP3N40

Description: MOSFET N-CH 400V 2.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP3N50C

MOSFET N-CH/400V/ .5A/3.4OHM

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP3N50C

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 365 pF @ 25 V

на замовлення 1362 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

740+	29.27 грн

Мінімальне замовлення: 740

В кошику од. на суму грн.

FQP3N50C-F080

Description: ONSEMI - FQP3N50C-F080 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP3N50C-F080

Trans MOSFET N-CH 500V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP3N50C-F080

MOSFET CFET 3A / 500V

на замовлення 690 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	119.48 грн
10+	106.00 грн
100+	71.69 грн
500+	59.26 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FQP3N50C-F080

Description: MOSFET N-CH 500V 1.8A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 365 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP3N50CTF

Description: 21A, 60V, N-CHANNEL, MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP3N60

Description: MOSFET N-CH 600V 3A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V

на замовлення 45287 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

468+	46.87 грн

Мінімальне замовлення: 468

В кошику од. на суму грн.

FQP3N60

на замовлення 87090 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQP3N60

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP3N60C

MOSFET N-CH/600V 3A/3.6OHM

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP3N60C

Description: MOSFET N-CH 600V 3A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 565 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP3N60C

Trans MOSFET N-CH 600V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 7 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQP3N80

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQP3N80

MOSFET 800V N-Channel QFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP3N80

Description: MOSFET N-CH 800V 3A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP3N80C

Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP3N80C

MOSFET 800V N-Ch Q-FET advance C-Series

на замовлення 696 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	134.62 грн
10+	120.13 грн
100+	81.25 грн
500+	67.93 грн
1000+	52.78 грн
2000+	44.86 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FQP3N80C

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 705 pF @ 25 V

на замовлення 40533 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

401+	55.15 грн

Мінімальне замовлення: 401

В кошику од. на суму грн.

FQP3N80C

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.9A; Idm: 12A; 107W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.9A
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.8Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 16.5nC
Power dissipation: 107W
Pulsed drain current: 12A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP3N80C

Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP3N80C

Description: ONSEMI - FQP3N80C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3 A, 4 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

на замовлення 963 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	48.19 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FQP3N80C

Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 103 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	121.46 грн
10+	105.47 грн
100+	86.21 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

FQP3N80C_Q

MOSFET 800V N-Ch Q-FET advance C-Series

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP3N90

Description: MOSFET N-CH 900V 3.6A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.25Ohm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V

на замовлення 22834 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

384+	51.39 грн

Мінімальне замовлення: 384

В кошику од. на суму грн.

FQP3N90

FQP3N90

на замовлення 20245 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

319+	81.19 грн
500+	73.07 грн
1000+	67.39 грн
10000+	57.93 грн

Мінімальне замовлення: 319

В кошику од. на суму грн.

FQP3N90

FQP3N90

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

319+	81.19 грн
500+	73.07 грн
1000+	67.39 грн

Мінімальне замовлення: 319

В кошику од. на суму грн.

FQP3N90

MOSFETs 900V N-Channel QFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP3N90

Description: MOSFET N-CH 900V 3.6A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.25Ohm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP3N90

FQP3N90

на замовлення 716 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

319+	81.19 грн
500+	73.07 грн

Мінімальне замовлення: 319

В кошику од. на суму грн.

FQP3N90

FQP3N90

на замовлення 720 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

319+	81.19 грн
500+	73.07 грн

Мінімальне замовлення: 319

В кошику од. на суму грн.

FQP3P20

Trans MOSFET P-CH 200V 2.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP3P20

MOSFET 200V P-Channel QFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP3P20

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V

на замовлення 2731 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

422+	50.36 грн

Мінімальне замовлення: 422

В кошику од. на суму грн.

FQP3P20

Description: ONSEMI - FQP3P20 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 2.8 A, 2.06 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 2.8
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 52
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.06
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP3P20

Trans MOSFET P-CH 200V 2.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP3P20

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQP3P20
Код товару: 173282

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP3P50

Trans MOSFET P-CH 500V 2.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP3P50
Код товару: 154101

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 500 V
Id,A: 2,7 A
Rds(on),Om: 3,9 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 510/18
Монтаж: THT

товару немає в наявності

1+	23.50 грн
10+	20.90 грн
100+	18.10 грн

В кошику од. на суму грн.

FQP3P50

Trans MOSFET P-CH 500V 2.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP3P50

MOSFETs 500V P-Channel QFET

на замовлення 910 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	164.09 грн
10+	79.30 грн
100+	61.65 грн
500+	49.43 грн
1000+	45.34 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FQP3P50

Description: MOSFET P-CH 500V 2.7A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9Ohm @ 1.35A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V

на замовлення 1645 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	158.23 грн
50+	74.31 грн
100+	66.72 грн
500+	50.14 грн
1000+	46.13 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FQP44N08

Description: MOSFET N-CH 80V 44A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 127W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP44N08

на замовлення 1147 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

308+	63.87 грн

Мінімальне замовлення: 308

В кошику од. на суму грн.

FQP44N10

MOSFETs 100V N-Channel QFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP44N10

Trans MOSFET N-CH 100V 43.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP44N10

Description: MOSFET N-CH 100V 43.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 21.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 146W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V

на замовлення 518 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	185.88 грн
50+	87.68 грн
100+	78.85 грн
500+	59.46 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FQP44N10

Trans MOSFET N-CH 100V 43.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP44N10F

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP45N15V2

Trans MOSFET N-CH 150V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP45N15V2
Код товару: 147581

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP45N15V2

FQP45N15V2 THT N channel transistors

на замовлення 93 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

2+	279.32 грн
9+	134.12 грн
24+	126.23 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FQP45N15V2

MOSFETs N-CH/150V/45A/Q-FETI

на замовлення 13330 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	223.83 грн
10+	110.71 грн
100+	86.71 грн
500+	79.88 грн
1000+	68.96 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FQP45N15V2

Description: MOSFET N-CH 150V 45A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 220W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3030 pF @ 25 V

на замовлення 595 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	198.17 грн
50+	80.21 грн
100+	76.97 грн
500+	71.40 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FQP45N15V2

Description: ONSEMI - FQP45N15V2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 45 A, 0.034 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 220W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)

на замовлення 708 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	249.32 грн
10+	125.06 грн
100+	112.31 грн
500+	95.42 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FQP45N15V2

MOSFETs N-CH/150V/45A/Q-FETI

на замовлення 14735 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	202.32 грн
10+	87.94 грн
100+	69.64 грн
500+	67.52 грн
1000+	62.81 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FQP46N15

MOSFETs 150V N-Channel QFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP46N15

Description: MOSFET N-CH 150V 45.6A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 22.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP46N15

Trans MOSFET N-CH 150V 45.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQP47P06

Trans MOSFET P-CH 60V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 824 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

50+	197.18 грн
100+	180.73 грн
250+	178.89 грн
500+	134.27 грн

Мінімальне замовлення: 50

В кошику од. на суму грн.

FQP47P06

Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 25V; 26mOhm; 47A; 160W; -55°C ~ 175°C; FQP47P06 TFQP47p06
кількість в упаковці: 5 шт

на замовлення 45 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

5+	173.96 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

FQP47P06

Trans MOSFET P-CH 60V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

71+	184.04 грн
100+	168.69 грн
250+	166.96 грн
500+	125.32 грн

Мінімальне замовлення: 71

В кошику од. на суму грн.

FQP47P06

Description: ONSEMI - FQP47P06 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 47 A, 0.026 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

на замовлення 858 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	323.40 грн
10+	166.48 грн
100+	150.55 грн
500+	125.74 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FQP47P06
Код товару: 166999

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP47P06

MOSFETs 60V P-Channel QFET

на замовлення 1576 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	284.37 грн
10+	143.69 грн
100+	113.34 грн
500+	102.41 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FQP47P06

FQP47P06 THT P channel transistors

на замовлення 80 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

2+	263.39 грн
7+	182.45 грн
18+	172.59 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FQP47P06

Trans MOSFET P-CH 60V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 5772 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	348.14 грн
10+	346.44 грн
25+	203.09 грн
50+	189.12 грн
100+	160.30 грн
250+	152.42 грн
500+	125.99 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FQP47P06

Description: MOSFET P-CH 60V 47A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 23.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V

на замовлення 1151 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	286.50 грн
50+	140.15 грн
100+	128.53 грн
500+	99.24 грн
1000+	98.37 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FQP47P06-NW82049

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQP47P06_NW82049

Description: MOSFET P-CH 60V 47A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 23.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP47P06_SW82049

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP4N20

MOSFET 200V N-Channel QFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP4N20

Description: MOSFET N-CH 200V 3.6A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 25 V

на замовлення 10753 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

888+	25.00 грн

Мінімальне замовлення: 888

В кошику од. на суму грн.

FQP4N20L

Trans MOSFET N-CH 200V 3.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 148 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	53.41 грн
100+	49.06 грн

Мінімальне замовлення: 14

В кошику од. на суму грн.

FQP4N20L

09+

на замовлення 1758 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQP4N20L

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 25 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

548+	40.44 грн

Мінімальне замовлення: 548

В кошику од. на суму грн.

FQP4N20L

06+

на замовлення 100000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQP4N20L

Trans MOSFET N-CH 200V 3.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 148 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQP4N20L

Description: MOSFET N-CH 200V 3.8A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 25 V

на замовлення 65 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	128.27 грн
50+	58.85 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FQP4N20L

MOSFET 200V N-Ch QFET Logic Level

на замовлення 466 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	89.21 грн
10+	79.30 грн
100+	53.32 грн
500+	44.11 грн
1000+	34.75 грн
2000+	32.43 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FQP4N25

Description: MOSFET N-CH 250V 3.6A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75Ohm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25

на замовлення 2950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

699+	27.88 грн

Мінімальне замовлення: 699

В кошику од. на суму грн.

FQP4N50

Description: 3.4A, 500V, 2.7OHM, N-CHANNEL MO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V

на замовлення 2116 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1110+	20.74 грн

Мінімальне замовлення: 1110

В кошику од. на суму грн.

FQP4N60

09+

на замовлення 1008 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQP4N60

MOSFET 600V N-Channel QFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP4N60

Description: MOSFET N-CH 600V 4.4A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP4N60

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQP4N60_NL

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP4N80

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.47A; Idm: 15.6A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.47A
Pulsed drain current: 15.6A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	102.73 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FQP4N80

Trans MOSFET N-CH 800V 3.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP4N80

Description: MOSFET N-CH 800V 3.9A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.95A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP4N80
Код товару: 162318

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP4N80

на замовлення 4 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

3+	118.80 грн
10+	101.58 грн
50+	90.73 грн
250+	89.74 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FQP4N80

MOSFET 800V N-Channel QFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP4N80

07+

на замовлення 45 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQP4N80_Q

MOSFET 800V N-Channel QFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP4N90

на замовлення 5080 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQP4N90

FQP4N90

на замовлення 631 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

209+	155.23 грн
500+	148.76 грн

Мінімальне замовлення: 209

В кошику од. на суму грн.

FQP4N90

FQP4N90

на замовлення 1340 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

209+	155.23 грн
500+	148.76 грн
1000+	140.14 грн

Мінімальне замовлення: 209

В кошику од. на суму грн.

FQP4N90

Description: MOSFET N-CH 900V 4.2A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V

на замовлення 2156 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

167+	116.71 грн

Мінімальне замовлення: 167

В кошику од. на суму грн.

FQP4N90

MOSFETs 900V N-Channel QFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP4N90C

Trans MOSFET N-CH 900V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 14000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

292+	111.03 грн
500+	100.37 грн
1000+	92.56 грн
10000+	79.58 грн

Мінімальне замовлення: 292

В кошику од. на суму грн.

FQP4N90C

Description: ONSEMI - FQP4N90C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 4 A, 3.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900
Dauer-Drainstrom Id: 4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 140
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP4N90C

Description: MOSFET N-CH 900V 4A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP4N90C

MOSFETs 900V N-Ch Q-FET advance C-Series

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP4N90C
Код товару: 60621

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 900 V
Idd,A: 2,3 A
Rds(on), Ohm: 3,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 740/15
Монтаж: THT

у наявності 84 шт:

66 шт - склад
7 шт - РАДІОМАГ-Київ
4 шт - РАДІОМАГ-Львів
7 шт - РАДІОМАГ-Харків

1+	56.00 грн
10+	51.20 грн
100+	46.90 грн

В кошику од. на суму грн.

FQP4N90_NL

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP4P25

Description: MOSFET P-CH 250V 4A TO220-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP4P40
Код товару: 77220

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP4P40

Trans MOSFET P-CH 400V 3.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	215.74 грн
2000+	213.55 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

FQP4P40

Description: MOSFET P-CH 400V 3.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1Ohm @ 1.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP4P40

MOSFET 400V P-Channel QFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP50N06
Код товару: 31258

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 60 V
Idd,A: 50 A
Rds(on), Ohm: 0,022 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1180/31
Монтаж: THT

товару немає в наявності

1+	44.00 грн
10+	39.60 грн
100+	35.80 грн

В кошику од. на суму грн.

FQP50N06

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	71.25 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

FQP50N06

Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1540 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP50N06

MOSFETs TO-220 N-CH 60V 50A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP50N06
Код товару: 193976

Додати до обраних Обраний товар

JSMicro

товару немає в наявності

1+	38.00 грн
10+	34.20 грн
100+	30.80 грн

В кошику од. на суму грн.

FQP50N06

Description: ONSEMI - FQP50N06 - MOSFET, N TO-220 TUBE 50
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

600+	47.71 грн

Мінімальне замовлення: 600

В кошику од. на суму грн.

FQP50N06

JSMicro Semiconductor

Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 25V; 22mOhm; 50A; 120W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FQP50N06 Onsemi; FQP50N06 JSMICRO TFQP50n06 JSM
кількість в упаковці: 25 шт

на замовлення 78 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

50+	23.15 грн

Мінімальне замовлення: 50

В кошику од. на суму грн.

FQP50N06C
Код товару: 205802

Додати до обраних Обраний товар

JSMSemi

Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 60 V
Idd,A: 50 A
Монтаж: THT

товару немає в наявності

очікується 200 шт:

200 шт - очікується 17.04.2026

1+	33.00 грн
10+	29.50 грн

В кошику од. на суму грн.

FQP50N06L

Description: ONSEMI - FQP50N06L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 52.4 A, 0.017 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 52.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 121W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

на замовлення 995 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	163.29 грн
10+	146.57 грн
100+	118.69 грн
500+	92.46 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

FQP50N06L

Trans MOSFET N-CH 60V 52,4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB FQP50N06L TFQP50n06l
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 100 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

10+	128.51 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

FQP50N06L

Trans MOSFET N-CH 60V 52.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP50N06L

Description: MOSFET N-CH 60V 52.4A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 26.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 121W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP50N06L
Код товару: 180806

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP50N06L

MOSFETs 60V N-Channel QFET Logic Level

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP50N06L-EPKE0003

Description: MOSFET N-CH 60V 65A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 26.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 121W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP50N06LEPKE0003

на замовлення 77150 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQP50N06L_Q

MOSFETs 60V N-Channel QFET Logic Level

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP50N06_NL/FSC

08+;

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQP55N06

Description: MOSFET N-CH 60V 55A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 27.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 133W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP55N06

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP55N06

00+ TO-22SOP

на замовлення 91 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQP55N06

FQP55N06

на замовлення 2427 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

244+	132.59 грн
500+	125.05 грн
1000+	118.58 грн

Мінімальне замовлення: 244

В кошику од. на суму грн.

FQP55N06

на замовлення 2427 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

186+	104.88 грн

Мінімальне замовлення: 186

В кошику од. на суму грн.

FQP55N10

Trans MOSFET N-CH 100V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 883 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

266+	121.81 грн
500+	116.42 грн

Мінімальне замовлення: 266

В кошику од. на суму грн.

FQP55N10

Description: MOSFET N-CH 100V 55A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 27.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 155W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP55N10

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQP55N10
Код товару: 88644

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP55N10

MOSFETs 100V N-Channel QFET

на замовлення 390 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	164.09 грн
10+	134.26 грн
100+	92.86 грн
250+	86.03 грн
500+	85.34 грн
1000+	72.37 грн
2000+	63.63 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FQP55N10

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQP55N10

Description: ONSEMI - FQP55N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 0.026 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 155W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 74 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	186.39 грн
10+	137.80 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

FQP58N08

MOSFET 80V N-Channel QFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP58N08

Description: MOSFET N-CH 80V 57.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 28.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 146W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP58N08

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQP5N20

Description: MOSFET N-CH 200V 4.5A TO-220

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP5N20L

Description: MOSFET N-CH 200V 4.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V

на замовлення 5950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1025+	21.32 грн

Мінімальне замовлення: 1025

В кошику од. на суму грн.

FQP5N30

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

на замовлення 2635 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQP5N40

Description: MOSFET N-CH 400V 4.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 2.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP5N40

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQP5N40

MOSFET 400V N-Channel QFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP5N50

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP5N50C

MOSFET 500V N-Ch Q-FET advance C-Series

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP5N50C

FQP5N50C

на замовлення 7206 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

733+	44.15 грн
1000+	41.70 грн

Мінімальне замовлення: 733

В кошику од. на суму грн.

FQP5N50C

FQP5N50C

на замовлення 7000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

733+	44.15 грн
1000+	41.70 грн

Мінімальне замовлення: 733

В кошику од. на суму грн.

FQP5N50C

Description: MOSFET N-CH 500V 5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP5N50C

FQP5N50C

на замовлення 35200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

733+	44.15 грн
1000+	41.70 грн

Мінімальне замовлення: 733

В кошику од. на суму грн.

FQP5N50C

FQP5N50C

на замовлення 2572 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

733+	44.15 грн
1000+	41.70 грн

Мінімальне замовлення: 733

В кошику од. на суму грн.

FQP5N50C

Description: MOSFET N-CH 500V 5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V

на замовлення 52325 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

520+	38.28 грн

Мінімальне замовлення: 520

В кошику од. на суму грн.

FQP5N50C-F105

TO-220 06+

на замовлення 50 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQP5N50C_F080

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP5N50C_F105

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP5N50C_NL

MOSFET N-CH/500V/5A/A.QFET C_Series

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP5N50C_Q

MOSFET 500V N-Ch Q-FET advance C-Series

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP5N60C

MOSFETs 600V N-Ch Q-FET advance C-Series

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP5N60C

Description: ONSEMI - FQP5N60C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4.5 A, 2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 4.5
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 100
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 100
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

на замовлення 106 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	125.06 грн
10+	112.31 грн
100+	87.62 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

FQP5N60C

Description: MOSFET N-CH 600V 4.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP5N60C

N-MOSFET 600V 4.5A 2.5Ω 100W FQP5N60C FAI TFQP5n60c
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 120 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

10+	60.75 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

FQP5N60C

Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 540 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

356+	91.03 грн
500+	81.93 грн

Мінімальне замовлення: 356

В кошику од. на суму грн.

FQP5N60C

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V

на замовлення 638 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

284+	69.84 грн

Мінімальне замовлення: 284

В кошику од. на суму грн.

FQP5N60C_Q

MOSFET 600V N-Ch Q-FET advance C-Series

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP5N80

Description: MOSFET N-CH 800V 4.8A TO220-3

на замовлення 8992 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQP5N80

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP5N80

на замовлення 87090 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQP5N90

Description: MOSFET N-CH 900V 5.4A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP5N90

на замовлення 25000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQP5N90C

2002 TO-220

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQP5P10

Description: MOSFET P-CH 100V 4.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 2.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP5P20

MOSFET 200V P-Channel QFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP5P20

Description: P-CHANNEL POWER MOSFET

на замовлення 9123 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQP5P20_NL

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP60N03

04+

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQP60N03L

0122

на замовлення 30 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQP630
Код товару: 116580

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP630

Description: MOSFET N-CH 200V 9A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP630

Description: MOSFET N-CH 200V 9A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V

на замовлення 5961 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

807+	26.00 грн

Мінімальне замовлення: 807

В кошику од. на суму грн.

FQP630

MOSFET 200V N-Channel QFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP630TSTU

MOSFET Short Leads

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP630TSTU

Description: MOSFET N-CH 200V 9A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP630TSTU_NL

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP65N06

Description: ONSEMI - FQP65N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 65 A, 0.016 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP65N06

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQP65N06

Description: MOSFET N-CH 60V 65A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP65N06

Trans MOSFET N-CH 60V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP65N06
Код товару: 57147

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 60 V
Idd,A: 46 A
Rds(on), Ohm: 0,012 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1850/48
Монтаж: THT

товару немає в наявності

1+	20.00 грн
10+	11.90 грн

В кошику од. на суму грн.

FQP65N06

MOSFET TO-220 N-CH 60V 65A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP6N15

Description: MOSFET N-CH 150V 6.4A TO-220

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP6N25

Description: MOSFET N-CH 250V 5.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V

на замовлення 1189 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

888+	23.81 грн

Мінімальне замовлення: 888

В кошику од. на суму грн.

FQP6N40C

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

469+	45.69 грн

Мінімальне замовлення: 469

В кошику од. на суму грн.

FQP6N40C

MOSFET 400V N-Ch Q-FET advance C-Series

на замовлення 958 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	121.87 грн
10+	107.57 грн
100+	73.06 грн
500+	61.45 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FQP6N40C

Description: ONSEMI - FQP6N40C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 6 A, 0.83 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 73W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.83ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 72 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

30+	26.84 грн

Мінімальне замовлення: 30

В кошику од. на суму грн.

FQP6N40C

TO-220

на замовлення 1629 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQP6N40CF

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQP6N40CF

Description: MOSFET N-CH 400V 6A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP6N40CF

MOSFET N-CH/400 /6A/CFET

на замовлення 986 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQP6N50

Description: MOSFET N-CH 500V 5.5A TO-220

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP6N50

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

на замовлення 193 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQP6N50C

Description: MOSFET N-CH 500V 5.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 98W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V

на замовлення 1661 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

398+	54.64 грн

Мінімальне замовлення: 398

В кошику од. на суму грн.

FQP6N60

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQP6N60

Description: MOSFET N-CH 600V 6.2A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP6N60
Код товару: 63524

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP6N60

MOSFETs 600V N-Channel QFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP6N60C

MOSFETs 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP6N60C

Trans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1700 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

391+	82.90 грн
500+	79.38 грн
1000+	74.97 грн

Мінімальне замовлення: 391

В кошику од. на суму грн.

FQP6N60C

Description: MOSFET N-CH 600V 5.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 810 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP6N60C

Trans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

391+	82.90 грн
500+	79.38 грн
1000+	74.97 грн

Мінімальне замовлення: 391

В кошику од. на суму грн.

FQP6N60C_F080

Description: MOSFET N-CH 600V 5.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 810 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP6N70

Description: ONSEMI - FQP6N70 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	89.21 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

FQP6N70

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQP6N70

MOSFET 700V N-Channel QFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP6N70

Description: MOSFET N-CH 700V 6.2A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP6N80

Description: MOSFET N-CH 800V 5.8A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95Ohm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP6N80C

Description: MOSFET N-CH 800V 5.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 25 V

на замовлення 838 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	206.62 грн
50+	90.24 грн
100+	88.61 грн
500+	68.29 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FQP6N80C

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.2A; 158W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 158W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 146 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

2+	182.68 грн
10+	146.45 грн
50+	119.33 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FQP6N80C

MOSFETs 800V N-Ch Q-FET advance C-Series

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP6N80C

Trans MOSFET N-CH 800V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP6N80C

Trans MOSFET N-CH 800V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 25 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	160.54 грн
10+	137.20 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

FQP6N80C

на замовлення 146 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	152.23 грн
10+	117.52 грн
50+	99.44 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FQP6N80C

Trans MOSFET N-CH 60V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB FQP6N80C TFQP6n80c
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 70 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

20+	48.85 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

FQP6N80C
Код товару: 129953

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP6N80C

Description: ONSEMI - FQP6N80C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5.5 A, 2.1 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 5.5
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: -
Verlustleistung Pd: 158
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.1
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

на замовлення 752 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	152.94 грн
10+	133.02 грн
100+	107.53 грн
500+	82.10 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

FQP6N80C

MOSFETs 800V N-Ch Q-FET advance C-Series

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	215.07 грн
10+	104.43 грн
100+	81.93 грн
500+	67.52 грн
1000+	65.75 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FQP6N80C

Trans MOSFET N-CH 800V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	175.66 грн
10+	147.10 грн
100+	100.10 грн
1000+	81.90 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

FQP6N90

09+ SOT23-..

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQP6N90

MOSFET 900V N-Channel QFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP6N90

Description: MOSFET N-CH 900V 5.8A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1880 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP6N90C

Transistor N-Channel MOSFET; 900V; 30V; 2,3Ohm; 6A; 167W; -55°C ~ 150°C; FQP6N90C TFQP6n90c
кількість в упаковці: 5 шт

на замовлення 35 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

5+	120.44 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

FQP6N90C

MOSFETs 900V N-Ch Q-FET advance C-Series

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP6N90C

Trans MOSFET N-CH 900V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 391 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

266+	121.81 грн

Мінімальне замовлення: 266

В кошику од. на суму грн.

FQP6N90C

Description: MOSFET N-CH 900V 6A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP6N90C
Код товару: 128174

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP6N90C

Description: ONSEMI - FQP6N90C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 6 A, 1.93 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900
Dauer-Drainstrom Id: 6
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 167
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 167
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.93
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.93
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP6N90C_Q

MOSFETs 900V N-Ch Q-FET advance C-Series

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP6N90_NL

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP6P25

TO-220 07+

на замовлення 10 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQP6P25

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQP6P25

Description: MOSFET P-CH 250V 6A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 25 V

на замовлення 127041 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

333+	64.73 грн

Мінімальне замовлення: 333

В кошику од. на суму грн.

FQP70N08

Description: MOSFET N-CH 80V 70A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 155W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP70N08

FQP70N08

на замовлення 400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

210+	154.15 грн

Мінімальне замовлення: 210

В кошику од. на суму грн.

FQP70N08

Description: MOSFET N-CH 80V 70A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 155W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V

на замовлення 797 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

202+	100.62 грн

Мінімальне замовлення: 202

В кошику од. на суму грн.

FQP70N08

FQP70N08

на замовлення 397 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

210+	154.15 грн

Мінімальне замовлення: 210

В кошику од. на суму грн.

FQP70N08

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQP70N08

MOSFETs 80V N-Channel QFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP70N10

Description: ONSEMI - FQP70N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 57 A, 0.023 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 57
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 160
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 160
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.023
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

на замовлення 1192 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	80.45 грн
12+	69.86 грн
100+	56.95 грн
500+	40.53 грн
1000+	32.50 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

FQP70N10

MOSFET 100V N-Channel QFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP70N10

Description: MOSFET N-CH 100V 57A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 28.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP70N10

Trans MOSFET N-CH 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP7N10

Description: MOSFET N-CH 100V 7.3A TO-220

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP7N10L

на замовлення 15200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQP7N10L

Description: MOSFET N-CH 100V 7.3A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 3.65A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP7N20

MOSFET 200V N-Channel QFET

на замовлення 2291 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	113.91 грн
10+	101.29 грн
100+	68.96 грн
500+	56.46 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FQP7N20

Description: MOSFET N-CH 200V 6.6A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V

на замовлення 852 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	93.71 грн
10+	80.70 грн
100+	62.92 грн
500+	48.78 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FQP7N20

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQP7N20L

Description: MOSFET N-CH 200V 6.5A TO220-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP7N40

Description: MOSFET N-CH 400V 7A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 98W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP7N40

на замовлення 900 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQP7N40

MOSFETs 400V N-Channel QFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP7N60

Description: MOSFET N-CH 600V 7.4A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP7N60

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQP7N60

MOSFETs 600V N-Channel QFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP7N60C

09+

на замовлення 1018 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQP7N60C

TO-220

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQP7N65C

Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1245 pF @ 25 V

на замовлення 25372 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

252+	77.15 грн

Мінімальне замовлення: 252

В кошику од. на суму грн.

FQP7N80

Description: MOSFET N-CH 800V 6.6A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V

на замовлення 11244 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

151+	141.70 грн

Мінімальне замовлення: 151

В кошику од. на суму грн.

FQP7N80

MOSFET NCh/800V/6.6a/1.5Ohm

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP7N80

на замовлення 7010 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQP7N80C

MOSFET 800V N-Ch Q-FET advance C-Series

на замовлення 697 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	206.31 грн
10+	182.16 грн
100+	114.70 грн
500+	99.00 грн
1000+	94.90 грн
2000+	91.49 грн
5000+	90.81 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FQP7N80C

Trans MOSFET N-CH 800V 6.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 66 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	214.28 грн
10+	184.81 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FQP7N80C

Description: MOSFET N-CH 800V 6.6A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP7P06
Код товару: 205268

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP7P06

MOSFETs 60V P-Channel QFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP7P06

Trans MOSFET P-CH 60V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 10897 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	36.58 грн

Мінімальне замовлення: 21

В кошику од. на суму грн.

FQP7P06

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 410mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 25 V

на замовлення 350 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

312+	63.69 грн

Мінімальне замовлення: 312

В кошику од. на суму грн.

FQP7P06

Trans MOSFET P-CH 60V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 46307 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

390+	83.01 грн
500+	74.71 грн
1000+	68.90 грн
10000+	59.23 грн

Мінімальне замовлення: 390

В кошику од. на суму грн.

FQP7P06

Description: MOSFET P-CH 60V 7A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 410mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP7P06

Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 25V; 410mOhm; 7A; 45W; -55°C ~ 175°C; FQP7P06 TFQP7p06
кількість в упаковці: 25 шт

на замовлення 50 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

25+	25.28 грн

Мінімальне замовлення: 25

В кошику од. на суму грн.

FQP7P06

Description: ONSEMI - FQP7P06 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 7 A, 0.41 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 7
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: -
Verlustleistung Pd: 45
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.41
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

на замовлення 849 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	132.23 грн
10+	118.69 грн
100+	92.40 грн
500+	70.93 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

FQP7P06

Trans MOSFET P-CH 60V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

390+	83.01 грн
500+	74.71 грн
1000+	68.90 грн

Мінімальне замовлення: 390

В кошику од. на суму грн.

FQP7P20

MOSFET 200V P-Channel QFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP7P20

Description: MOSFET P-CH 200V 7.3A TO220-3
Packaging: Tube

на замовлення 2458 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

468+	46.03 грн

Мінімальне замовлення: 468

В кошику од. на суму грн.

FQP85N06

Trans MOSFET N-CH 60V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 5300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

152+	85.41 грн

Мінімальне замовлення: 152

В кошику од. на суму грн.

FQP85N06

Description: ONSEMI - FQP85N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 85 A, 0.01 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 85
Qualifikation: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 160
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 160
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.01
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

на замовлення 1058 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	231.00 грн
10+	203.92 грн
100+	169.67 грн
500+	129.44 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FQP85N06

MOSFETs 60V N-Channel QFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP85N06

Trans MOSFET N-CH 60V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 25 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	244.49 грн
10+	222.92 грн
25+	219.48 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FQP85N06

Description: MOSFET N-CH 60V 85A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 42.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4120 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP85N06

Trans MOSFET N-CH 60V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 25 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQP85N06
Код товару: 163330

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP85N06

Trans MOSFET N-CH 60V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 5300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	124.05 грн
2000+	116.61 грн
5000+	112.98 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

FQP85N06

Trans MOSFET N-CH 60V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP85N06

Trans MOSFET N-CH 60V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP8N60

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQP8N60C

Trans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 4800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

210+	154.15 грн
500+	139.06 грн
1000+	128.28 грн

Мінімальне замовлення: 210

В кошику од. на суму грн.

FQP8N60C

Description: MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1255 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP8N60C

06+

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQP8N60C

Description: ONSEMI - FQP8N60C - MOSFET, N, TO-220
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 5143 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	103.55 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

FQP8N60C

MOSFETs 600V N-Ch Q-FET advance C-Series

на замовлення 495 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	230.20 грн
10+	147.61 грн
100+	98.32 грн
500+	81.93 грн
1000+	71.69 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FQP8N60C

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1255 pF @ 25 V

на замовлення 5143 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

168+	116.61 грн

Мінімальне замовлення: 168

В кошику од. на суму грн.

FQP8N60CLF

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQP8N60C_NL

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP8N60C_Q

MOSFETs 600V N-Ch Q-FET advance C-Series

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP8N80C

Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP8N80C

Description: MOSFET N-CH 800V 8A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55Ohm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 25 V

на замовлення 988 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	268.84 грн
50+	132.29 грн
100+	120.04 грн
500+	92.48 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FQP8N80C

на замовлення 13000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQP8N80C

Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	146.52 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

FQP8N80C

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5.1A; Idm: 32A; 178W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5.1A
Power dissipation: 178W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 32A
Gate charge: 45nC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP8N80C

Description: ONSEMI - FQP8N80C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 1.29 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 178W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.29ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

на замовлення 2502 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	278.79 грн
10+	146.57 грн
100+	140.99 грн
500+	106.51 грн
1000+	96.27 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FQP8N80C

09+

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQP8N80C

MOSFETs 800V N-Ch Q-FET advance C-Series

на замовлення 671 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	284.37 грн
10+	142.90 грн
100+	113.34 грн
500+	95.59 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FQP8N80C

Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 840 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

840+	193.89 грн

Мінімальне замовлення: 840

В кошику од. на суму грн.

FQP8N80C

на замовлення 2800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQP8N90C

MOSFET 900V N-Ch Q-FET advance C-Series

на замовлення 326 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	220.64 грн
10+	196.29 грн
25+	161.81 грн
100+	139.97 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FQP8N90C

Description: MOSFET N-CH 900V 6.3A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 3.15A, 10V
Power Dissipation (Max): 171W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP8N90C

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQP8P10

Description: MOSFET P-CH 100V 8A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP8P10

MOSFET 100V P-Channel QFET

на замовлення 2666 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQP8P10.

Description: ONSEMI - FQP8P10. - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 8 A, 0.41 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 8
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 65
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.41
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (08-Jul-2021)

на замовлення 19 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	109.92 грн
10+	99.57 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

FQP90N08

Description: MOSFET N-CH 80V 71A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 35.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP90N10V2

FAIRCHIL

08+ SSOP-16

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQP90N10V2

Description: MOSFET N-CH 100V 90A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 191 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6150 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP90N10V2

fsc

09+

на замовлення 45200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQP90N10V2

MOSFET 100V N-Channel Adv QFET V2 Series

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP90N10V2

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQP90N10V2_NL

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP95N03L

MOSFETs TO-220

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP9N08

Description: MOSFET N-CH 80V 9.3A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 4.65A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V

на замовлення 3153 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1025+	20.01 грн

Мінімальне замовлення: 1025

В кошику од. на суму грн.

FQP9N08L

Description: MOSFET N-CH 80V 9.3A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 4.65A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V

на замовлення 5169 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1025+	20.01 грн

Мінімальне замовлення: 1025

В кошику од. на суму грн.

FQP9N15

Description: MOSFET N-CH 150V 9A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V

на замовлення 1467 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

952+	22.70 грн

Мінімальне замовлення: 952

В кошику од. на суму грн.

FQP9N25

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP9N25

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 4.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V

на замовлення 132000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

533+	36.40 грн

Мінімальне замовлення: 533

В кошику од. на суму грн.

FQP9N25C

на замовлення 50000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQP9N25C

Description: MOSFET N-CH 250V 8.8A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP9N25C

MOSFET 250V N-Channel Advance Q-FET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP9N25CTSTU

Description: MOSFET N-CH 250V 8.8A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP9N25CTSTU

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP9N25CTSTU_NL

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP9N25C_Q

MOSFET 250V N-Channel Advance Q-FET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP9N30

Description: Power Field-Effect Transistor, 9
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 98W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP9N30

MOSFET 300V N-Channel QFET

на замовлення 749 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQP9N30

Description: MOSFET N-CH 300V 9A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 98W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V

на замовлення 994 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	140.56 грн
10+	121.45 грн
100+	97.60 грн
500+	75.25 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FQP9N30

Trans MOSFET N-CH 300V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP9N50

2004 TO-220

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQP9N50

Description: MOSFET N-CH 500V 9A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 730mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP9N50

MOSFETs 500V N-Channel QFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP9N50C

Description: MOSFET N-CH 500V 9A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP9N50C

Trans MOSFET N-CH 500V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 18 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	85.56 грн
10+	81.32 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

FQP9N50C

MOSFETs 500V N-Ch Q-FET advance C-Series

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP9N50C(микросхема)
Код товару: 60149

Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP9N50C/FSC

08+;

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQP9N50C_Q

MOSFETs 500V N-Ch QFET Advane C-Series

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP9N90C

Description: MOSFET N-CH 900V 8A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 25 V

на замовлення 735 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	325.68 грн
50+	162.71 грн
100+	148.16 грн
500+	115.14 грн

В кошику од. на суму грн.

FQP9N90C

Trans MOSFET N-CH 900V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP9N90C

Trans MOSFET N-CH 900V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP9N90C

Trans MOSFET N-CH 900V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 2824 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

32+	405.92 грн
59+	221.40 грн
100+	193.82 грн
250+	177.67 грн
500+	143.26 грн

Мінімальне замовлення: 32

В кошику од. на суму грн.

FQP9N90C

Description: ONSEMI - FQP9N90C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 8 A, 1.12 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 205W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.12ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)

на замовлення 436 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	381.55 грн
10+	187.99 грн
100+	180.02 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FQP9N90C

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP9N90C

Trans MOSFET N-CH 900V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP9N90C

MOSFETs 900V N-Channel Adv Q-FET C-Series

на замовлення 1533 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	344.11 грн
10+	175.88 грн
100+	139.97 грн
500+	123.58 грн

В кошику од. на суму грн.

FQP9N90C
Код товару: 117719

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP9N90C

Trans MOSFET N-CH 900V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 2825 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	437.30 грн
10+	434.61 грн
50+	237.05 грн
100+	207.52 грн
250+	190.23 грн
500+	153.38 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FQP9N90C

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.8A; 205W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.8A
Power dissipation: 205W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 32 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	378.10 грн
10+	275.49 грн

В кошику од. на суму грн.

FQP9N90C

на замовлення 32 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	315.08 грн
10+	221.07 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FQP9P25

Trans MOSFET P-CH 250V 9.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQP9P25

Description: ONSEMI - FQP9P25 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 9.4 A, 0.48 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 120W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.48ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

на замовлення 54 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	163.29 грн
10+	133.02 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

FQP9P25

Description: MOSFET P-CH 250V 9.4A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 4.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP9P25

MOSFETs 250V P-Channel QFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP9P25
Код товару: 77221

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQP9P25

ONN

на замовлення 840 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQPF1060C

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQPF10N20

FAIR

TO-220

на замовлення 60 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQPF10N20

Description: MOSFET N-CH 200V 6.8A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQPF10N20

MOSFET 200V N-Ch MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQPF10N20C

Trans MOSFET N-CH 200V 9.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

458+	70.75 грн
508+	63.68 грн
1000+	58.72 грн
10000+	50.49 грн

Мінімальне замовлення: 458

В кошику од. на суму грн.

FQPF10N20C

Description: MOSFET N-CH 200V 9.5A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 4.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQPF10N20C

MOSFETs 200V N-Ch MOSFET

на замовлення 2736 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	108.33 грн
10+	74.59 грн
100+	50.73 грн
500+	43.01 грн
1000+	35.03 грн
2000+	32.98 грн
5000+	31.41 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FQPF10N20C

Trans MOSFET N-CH 200V 9.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

458+	70.75 грн
508+	63.68 грн
1000+	58.72 грн

Мінімальне замовлення: 458

В кошику од. на суму грн.

FQPF10N20C

Description: ONSEMI - FQPF10N20C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9.5 A, 0.29 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 9.5
Qualifikation: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 38
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 38
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.29
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

на замовлення 350 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	105.94 грн
10+	95.59 грн
100+	74.40 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

FQPF10N20TU

03+

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQPF10N50CF

MOSFET 500V N-Ch MOSFET

на замовлення 1983 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	218.26 грн
10+	193.15 грн
25+	162.50 грн
100+	135.87 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FQPF10N50CF

Trans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail

на замовлення 871 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

190+	170.32 грн
500+	153.08 грн

Мінімальне замовлення: 190

В кошику од. на суму грн.

FQPF10N50CF

Description: MOSFET N-CH 500V 10A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 610mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2096 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQPF10N50CF

Trans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

246+	131.52 грн
500+	126.13 грн
1000+	119.66 грн

Мінімальне замовлення: 246

В кошику од. на суму грн.

FQPF10N50CF

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 610mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2096 pF @ 25 V

на замовлення 67211 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

152+	130.23 грн

Мінімальне замовлення: 152

В кошику од. на суму грн.

FQPF10N60

на замовлення 8500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQPF10N60C

Trans MOSFET N-CH 600V 9.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQPF10N60C

Description: MOSFET N-CH 600V 9.5A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 730mOhm @ 4.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQPF10N60C

MOSFETs 600V N-Ch Q-FET advance C-Series

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQPF10N60C

Trans MOSFET N-CH 600V 9.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQPF10N60C
Код товару: 82364

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQPF10N60CF

MOSFET 600V N-Ch MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQPF10N60CF

Description: MOSFET N-CH 600V 9A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQPF10N60CT

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQPF10N60CYDTU

MOSFET 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQPF10N60CYDTU

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQPF10N60CYDTUNL

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQPF10N60CYDTU_NL

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQPF10N60C_F105

Description: MOSFET N-CH 600V 9.5A TO220F
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 730mOhm @ 4.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQPF10N60C_F105

MOSFET N-CH/600V/10A/QFET C-Series

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQPF11N40C

Description: MOSFET N-CH 400V 10.5A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 5.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQPF11N40C

MOSFETs 400V N-Channel Advance Q-FET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQPF11N40C

Trans MOSFET N-CH 400V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQPF11N40C

Description: ONSEMI - FQPF11N40C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 10.5 A, 0.43 ohm, TO-220FP
Drain-Source-Spannung Vds: 400
Dauer-Drainstrom Id: 10.5
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 44
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.43
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQPF11N40C

TO-220 06+

на замовлення 10 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQPF11N40C

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.6A; Idm: 42A; 44W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.6A
Pulsed drain current: 42A
Power dissipation: 44W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 530mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQPF11N40C

Trans MOSFET N-CH 400V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQPF11N40CT

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQPF11N40CT

MOSFET N-CH/400V/11A QFET C-Series

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQPF11N40CT_NL

MOSFET N-CH/400V/11A/QFET C-Series

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQPF11N40CYDTU

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQPF11N40C_NL

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQPF11N40T

Description: MOSFET N-CH 400V 6.6A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQPF11N50CF

Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

на замовлення 1835 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

172+	75.38 грн

Мінімальне замовлення: 172

В кошику од. на суму грн.

FQPF11N50CF

MOSFETs 500V N-Ch Adv Q-FET C-series (FRFET)

на замовлення 363 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	266.84 грн
10+	146.83 грн
100+	96.95 грн
500+	87.39 грн
1000+	86.71 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FQPF11N50CF

Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

на замовлення 305 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

223+	145.53 грн

Мінімальне замовлення: 223

В кошику од. на суму грн.

FQPF11N50CF

Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

на замовлення 1835 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	80.77 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

FQPF11N50CF

Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

223+	145.53 грн
500+	137.98 грн
1000+	130.44 грн

Мінімальне замовлення: 223

В кошику од. на суму грн.

FQPF11N50CF

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055 pF @ 25 V

на замовлення 305 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

170+	114.65 грн

Мінімальне замовлення: 170

В кошику од. на суму грн.

FQPF11N50CF

Description: ONSEMI - FQPF11N50CF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 11 A, 0.48 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 1839 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

50+	62.13 грн

Мінімальне замовлення: 50

В кошику од. на суму грн.

FQPF11P06

Trans MOSFET P-CH 60V 8.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

на замовлення 67 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	119.98 грн
10+	109.21 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

FQPF11P06

Trans MOSFET P-CH 60V 8.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	53.71 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

FQPF11P06

Trans MOSFET P-CH 60V 8.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	60.09 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

FQPF11P06

Trans MOSFET P-CH 60V 8.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQPF11P06

Description: MOSFET P-CH 60V 8.6A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQPF11P06

Description: ONSEMI - FQPF11P06 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8.6 A, 0.14 ohm, TO-220F
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 8.6
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 30
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.14
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

на замовлення 788 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	114.70 грн
10+	102.76 грн
100+	82.04 грн
500+	64.87 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

FQPF11P06

Trans MOSFET P-CH 60V 8.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQPF11P06

MOSFET 60V P-Channel QFET

на замовлення 1732 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	114.70 грн
10+	101.29 грн
100+	70.32 грн
500+	59.88 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FQPF11P06

Trans MOSFET P-CH 60V 8.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

на замовлення 67 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQPF11P06

Trans MOSFET P-CH 60V 8.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQPF12N50C

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQPF12N60

FQPF12N60

на замовлення 259 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

121+	267.34 грн

Мінімальне замовлення: 121

В кошику од. на суму грн.

FQPF12N60

Description: MOSFET N-CH 600V 5.8A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V

на замовлення 55453 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

92+	214.42 грн

Мінімальне замовлення: 92

В кошику од. на суму грн.

FQPF12N60

Description: ONSEMI - FQPF12N60 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 55000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

125+	244.54 грн

Мінімальне замовлення: 125

В кошику од. на суму грн.

FQPF12N60

FQPF12N60

на замовлення 55000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

121+	267.34 грн
500+	253.33 грн
1000+	239.32 грн
10000+	217.26 грн

Мінімальне замовлення: 121

В кошику од. на суму грн.

FQPF12N60

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQPF12N60

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQPF12N60

FQPF12N60

на замовлення 194 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

121+	267.34 грн

Мінімальне замовлення: 121

В кошику од. на суму грн.

FQPF12N60C
Код товару: 92801

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQPF12N60C
Код товару: 92799

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQPF12N60C

Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQPF12N60C

Description: ONSEMI - FQPF12N60C - MOSFET, N, TO-220F
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 623 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

230+	129.84 грн

Мінімальне замовлення: 230

В кошику од. на суму грн.

FQPF12N60C

Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

на замовлення 623 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

216+	149.84 грн
500+	141.22 грн

Мінімальне замовлення: 216

В кошику од. на суму грн.

FQPF12N60C

MOSFETs The factory Is currently not accepting orders for this product

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQPF12N60C-FS

Description: 12A, 600V, 0.65OHM, N-CHANNEL,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQPF12N60C51W

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQPF12N60CT

MOSFET N-CH/600V/12A QFET C-Series

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQPF12N60CT

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQPF12N60CT_NL

MOSFET N-CH/600V/12A/QFET C-Series

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQPF12N60C_NL

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQPF12N60T

MOSFET 600V N-Channel QFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQPF12N60T

Description: ONSEMI - FQPF12N60T - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 1336 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

345+	88.42 грн

Мінімальне замовлення: 345

В кошику од. на суму грн.

FQPF12N60T

Trans MOSFET N-CH 600V 5.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220F T/R

на замовлення 683 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

244+	132.59 грн
500+	119.66 грн

Мінімальне замовлення: 244

В кошику од. на суму грн.

FQPF12N60T

на замовлення 1336 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

195+	101.29 грн

Мінімальне замовлення: 195

В кошику од. на суму грн.

FQPF12N60T

Trans MOSFET N-CH 600V 5.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220F T/R

на замовлення 653 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

244+	132.59 грн
500+	119.66 грн

Мінімальне замовлення: 244

В кошику од. на суму грн.

FQPF12N60T_NL

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQPF12N60_NL

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQPF12P10

Description: MOSFET P-CH 100V 8.2A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V

на замовлення 114717 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

356+	55.73 грн

Мінімальне замовлення: 356

В кошику од. на суму грн.

FQPF12P10

MOSFETs 100V P-Channel QFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQPF12P10

FQPF12P10

на замовлення 114007 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

446+	72.62 грн
500+	65.36 грн
1000+	60.28 грн
10000+	51.82 грн
100000+	40.20 грн

Мінімальне замовлення: 446

В кошику од. на суму грн.

FQPF12P10

FQPF12P10

на замовлення 710 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

446+	72.62 грн
500+	65.36 грн

Мінімальне замовлення: 446

В кошику од. на суму грн.

FQPF12P10

Description: ONSEMI - FQPF12P10 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 18205 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

629+	48.67 грн

Мінімальне замовлення: 629

В кошику од. на суму грн.

FQPF12P20

Description: MOSFET P-CH 200V 7.3A TO-220F

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQPF12P20

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQPF12P20XDTU

Description: MOSFET P-CH 200V 7.3A TO-220F
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 3.65A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQPF12P20YDTU

Description: MOSFET P-CH 200V 7.3A TO-220F

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQPF13N06

Description: MOSFET N-CH 60V 9.4A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 4.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQPF13N06

Description: MOSFET N-CH 60V 9.4A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 4.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 25 V

на замовлення 2334 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

606+	33.17 грн

Мінімальне замовлення: 606

В кошику од. на суму грн.

FQPF13N06

Description: ONSEMI - FQPF13N06 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 2334 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1069+	28.60 грн

Мінімальне замовлення: 1069

В кошику од. на суму грн.

FQPF13N06

FQPF13N06

на замовлення 1050 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

842+	38.45 грн
1000+	35.45 грн

Мінімальне замовлення: 842

В кошику од. на суму грн.

FQPF13N06L

Description: ONSEMI - FQPF13N06L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 10 A, 0.088 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 10
Qualifikation: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 24
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung: 24
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.088
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.088
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQPF13N06L

FQPF13N06L

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	78.52 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

FQPF13N06L

FQPF13N06L

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQPF13N06L

Description: MOSFET N-CH 60V 10A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQPF13N06L

MOSFETs 60V N-Channel QFET Logic Level

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQPF13N06L

FQPF13N06L

на замовлення 113 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	70.55 грн
100+	50.85 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

FQPF13N06LTU

03+

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQPF13N10

Description: MOSFET N-CH 100V 8.7A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 4.35A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V

на замовлення 146156 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

308+	64.35 грн

Мінімальне замовлення: 308

В кошику од. на суму грн.

FQPF13N10

MOSFETs 100V N-Channel QFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQPF13N10

Description: ONSEMI - FQPF13N10 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 146156 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

544+	53.85 грн

Мінімальне замовлення: 544

В кошику од. на суму грн.

FQPF13N10L

Description: MOSFET N-CH 100V 8.7A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 4.35A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQPF13N10L

MOSFET 100V N-Ch QFET Logic Level

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQPF13N10_NL

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQPF13N50

MOSFETs 500V N-Channel QFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQPF13N50

FQPF13N50

на замовлення 1839 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

189+	171.40 грн
500+	154.15 грн
1000+	142.30 грн

Мінімальне замовлення: 189

В кошику од. на суму грн.

FQPF13N50

Description: ONSEMI - FQPF13N50 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 2475 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

268+	114.70 грн

Мінімальне замовлення: 268

В кошику од. на суму грн.

FQPF13N50

Description: MOSFET N-CH 500V 12.5A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 6.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQPF13N50

FQPF13N50

на замовлення 636 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

189+	171.40 грн
500+	154.15 грн

Мінімальне замовлення: 189

В кошику од. на суму грн.

FQPF13N50
Код товару: 42632

Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQPF13N50

02+

на замовлення 510 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQPF13N50C

Description: QFC 500V 480MOHM TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25

на замовлення 15735 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

158+	124.97 грн

Мінімальне замовлення: 158

В кошику од. на суму грн.

FQPF13N50C

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQPF13N50C

Trans MOSFET N-CH 500V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

на замовлення 358 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

198+	163.86 грн

Мінімальне замовлення: 198

В кошику од. на суму грн.

FQPF13N50C
Код товару: 130072

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQPF13N50C

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQPF13N50C

Description: MOSFET N-CH 500V 13A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQPF13N50C

MOSFETs 500V N-Ch Q-FET advance C-Series

на замовлення 33 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	232.59 грн
10+	149.18 грн
100+	99.00 грн
500+	83.30 грн
1000+	72.37 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FQPF13N50C

Trans MOSFET N-CH 500V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

на замовлення 15845 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

198+	163.86 грн
500+	147.69 грн
1000+	135.83 грн
10000+	116.42 грн

Мінімальне замовлення: 198

В кошику од. на суму грн.

FQPF13N50C

Description: ONSEMI - FQPF13N50C - QFC 500V 480MOHM TO220F
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 358 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	105.14 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FQPF13N50C-ON

Description: MOSFET N-CH 500V 13A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25

на замовлення 358 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

158+	124.97 грн

Мінімальне замовлення: 158

В кошику од. на суму грн.

FQPF13N50CF

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8A; Idm: 52A; 48W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 52A
Power dissipation: 48W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	253.13 грн
10+	133.96 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FQPF13N50CF

MOSFETs HIGH VOLTAGE

на замовлення 21 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	276.40 грн
10+	134.26 грн
100+	105.83 грн
500+	92.86 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FQPF13N50CF

Trans MOSFET N-CH 500V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQPF13N50CF

на замовлення 10 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

2+	303.75 грн
10+	166.93 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FQPF13N50CF

Description: MOSFET N-CH 500V 13A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25

на замовлення 949 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	265.00 грн
50+	130.06 грн
100+	117.95 грн
500+	90.75 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FQPF13N50CF
Код товару: 161545

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQPF13N50CSDTU

Description: MOSFET N-CH 500V 13A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQPF13N50CT

MOSFET N-CH/500V/13A QFET C-Series

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQPF13N50CT

Description: MOSFET N-CH 500V 13A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQPF13N50CTC003

Description: MOSFET N-CHANNEL 500V, 13A
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQPF13N50CT_NL

MOSFET 500V, NCH, MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQPF13N50C_F105

Description: MOSFET N-CH 500V 13A TO220F
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQPF13N50T

Description: MOSFET N-CH 500V 12.5A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 6.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQPF14N15

FQPF14N15

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

629+	51.49 грн
1000+	48.64 грн

Мінімальне замовлення: 629

В кошику од. на суму грн.

FQPF14N15

Description: MOSFET N-CH 150V 9.8A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 715 pF @ 25 V

на замовлення 1856 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

544+	38.97 грн

Мінімальне замовлення: 544

В кошику од. на суму грн.

FQPF14N15

Description: ONSEMI - FQPF14N15 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 1856 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

655+	46.76 грн

Мінімальне замовлення: 655

В кошику од. на суму грн.

FQPF14N15

FQPF14N15

на замовлення 856 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

629+	51.49 грн

Мінімальне замовлення: 629

В кошику од. на суму грн.

FQPF14N30

на замовлення 8200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQPF14N30

Description: MOSFET N-CH 300V 8.5A TO220F

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQPF15P12

MOSFET 120V P-Channel QFET

на замовлення 4796 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	195.16 грн
10+	173.52 грн
100+	120.85 грн
500+	99.68 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FQPF15P12

Description: ONSEMI - FQPF15P12 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 120 V, 15 A, 0.17 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120
Dauer-Drainstrom Id: 15
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 41
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 41
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.17
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQPF15P12

Trans MOSFET P-CH 120V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQPF15P12

Description: MOSFET P-CH 120V 15A TO220F

на замовлення 984 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	177.43 грн
10+	153.85 грн
100+	123.66 грн
500+	95.34 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FQPF16N15

Trans MOSFET N-CH 150V 11.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail

на замовлення 754 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

491+	65.88 грн
513+	63.08 грн

Мінімальне замовлення: 491

В кошику од. на суму грн.

FQPF16N15

Description: FQPF1611.61500.16OHN-CHANNEMOSFE
Packaging: Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQPF16N15

Trans MOSFET N-CH 150V 11.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

на замовлення 218 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQPF16N15

MOSFET 150V N-Ch QFET

на замовлення 19 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQPF16N15

Description: ONSEMI - FQPF16N15 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 754 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQPF16N15

Trans MOSFET N-CH 150V 11.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

на замовлення 218 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

42+	17.69 грн

Мінімальне замовлення: 42

В кошику од. на суму грн.

FQPF16N25

Description: ONSEMI - FQPF16N25 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 71828 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

391+	78.22 грн

Мінімальне замовлення: 391

В кошику од. на суму грн.

FQPF16N25

Description: MOSFET N-CH 250V 9.5A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 4.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V

на замовлення 79828 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

325+	67.37 грн

Мінімальне замовлення: 325

В кошику од. на суму грн.

FQPF16N25

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQPF16N25C

MOSFET N-CH/250V /16A/QFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQPF16N25C

Description: MOSFET N-CH 250V 15.6A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQPF16N25C

на замовлення 9950 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQPF16N25C

Trans MOSFET N-CH 250V 15.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQPF16N25C

Description: ONSEMI - FQPF16N25C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 15.6 A, 0.22 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 15.6
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 43
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 43
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.22
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQPF16N50

09+

на замовлення 68 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQPF17N08

FQPF17N08

на замовлення 2970 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

933+	34.68 грн
1000+	32.76 грн

Мінімальне замовлення: 933

В кошику од. на суму грн.

FQPF17N08

Description: ONSEMI - FQPF17N08 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 2970 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

972+	31.46 грн

Мінімальне замовлення: 972

В кошику од. на суму грн.

FQPF17N08

Description: MOSFET N-CH 80V 11.2A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V

на замовлення 2970 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

807+	26.21 грн

Мінімальне замовлення: 807

В кошику од. на суму грн.

FQPF17N08L

Description: MOSFET N-CH 80V 11.2A TO220F

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQPF17N40

Description: MOSFET N-CH 400V 9.5A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 4.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQPF17N40

MOSFET 400V N-Channel QFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQPF17N40T

Description: ONSEMI - FQPF17N40T - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQPF17N40T

MOSFET 400V N-Ch QFET

на замовлення 179 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQPF17N40T

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQPF17N40T

Trans MOSFET N-CH 400V 9.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

на замовлення 995 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

168+	192.96 грн
500+	184.34 грн

Мінімальне замовлення: 168

В кошику од. на суму грн.

FQPF17P06

Description: MOSFET P-CH 60V 12A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V

на замовлення 64529 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

412+	49.30 грн

Мінімальне замовлення: 412

В кошику од. на суму грн.

FQPF17P06

Description: ONSEMI - FQPF17P06 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 64529 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

605+	50.58 грн

Мінімальне замовлення: 605

В кошику од. на суму грн.

FQPF17P06

на замовлення 1400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQPF17P06

Description: MOSFET P-CH 60V 12A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQPF17P10

Description: MOSFET P-CH 100V 10.5A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 5.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQPF18N20V2

Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V

на замовлення 1234 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

175+	110.87 грн

Мінімальне замовлення: 175

В кошику од. на суму грн.

FQPF18N20V2

Description: ONSEMI - FQPF18N20V2 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 1234 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

309+	99.57 грн

Мінімальне замовлення: 309

В кошику од. на суму грн.

FQPF18N20V2

FQPF18N20V2

на замовлення 1234 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

284+	114.27 грн
500+	109.96 грн
1000+	103.54 грн

Мінімальне замовлення: 284

В кошику од. на суму грн.

FQPF18N20V2YDTU

FQPF18N20V2YDTU

на замовлення 102400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

323+	100.32 грн
500+	96.05 грн
1000+	90.72 грн

Мінімальне замовлення: 323

В кошику од. на суму грн.

FQPF18N20V2YDTU

Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3 (Y-Forming)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V

на замовлення 102400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

198+	97.90 грн

Мінімальне замовлення: 198

В кошику од. на суму грн.

FQPF18N20V2YDTU

Description: ONSEMI - FQPF18N20V2YDTU - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 84800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

75+	86.03 грн

Мінімальне замовлення: 75

В кошику од. на суму грн.

FQPF18N50

на замовлення 4463 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQPF18N50V2

MOSFET 500V N-Ch QFET V2 Series

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQPF18N50V2

Description: MOSFET N-CH 500V 18A TO220F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 265mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQPF18N50V2

09+

на замовлення 145 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQPF18N50V2

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQPF18N50V2SDTU

Description: ONSEMI - FQPF18N50V2SDTU - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 4950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

236+	129.84 грн

Мінімальне замовлення: 236

В кошику од. на суму грн.

FQPF18N50V2SDTU

MOSFET 500V/18A/.265ohm/NCH

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQPF18N50V2SDTU

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 265mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V

на замовлення 4845 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

173+	112.81 грн

Мінімальне замовлення: 173

В кошику од. на суму грн.

FQPF18N50V2T

MOSFET 200V N-Ch adv QFET V2 Series

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQPF19N10

Description: ONSEMI - FQPF19N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 13.6 A, 0.078 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 13.6
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 38
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.078
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQPF19N10

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQPF19N10

Trans MOSFET N-CH 100V 13.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

565+	57.25 грн
1000+	54.07 грн

Мінімальне замовлення: 565

В кошику од. на суму грн.

FQPF19N10

Trans MOSFET N-CH 100V 13.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail

на замовлення 582 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

417+	77.56 грн
500+	69.81 грн

Мінімальне замовлення: 417

В кошику од. на суму грн.

FQPF19N10

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 6.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 25 V

на замовлення 2860 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

489+	44.85 грн

Мінімальне замовлення: 489

В кошику од. на суму грн.

FQPF19N10

Trans MOSFET N-CH 100V 13.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

на замовлення 150 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	60.06 грн
17+	45.01 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

FQPF19N10

06+

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQPF19N10

MOSFET 100V N-Channel QFET

на замовлення 1880 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	96.38 грн
10+	84.80 грн
100+	57.22 грн
500+	42.13 грн
1000+	39.80 грн
2000+	39.46 грн
10000+	38.78 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FQPF19N10

Trans MOSFET N-CH 100V 13.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

на замовлення 1860 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

565+	57.25 грн
1000+	54.07 грн

Мінімальне замовлення: 565

В кошику од. на суму грн.

FQPF19N10L

FQPF19N10L

на замовлення 980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

446+	72.62 грн
500+	65.36 грн

Мінімальне замовлення: 446

В кошику од. на суму грн.

FQPF19N10L

Description: MOSFET N-CH 100V 13.6A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 6.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V

на замовлення 1448 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

523+	40.38 грн

Мінімальне замовлення: 523

В кошику од. на суму грн.

FQPF19N10L

FQPF19N10L

на замовлення 468 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

446+	72.62 грн

Мінімальне замовлення: 446

В кошику од. на суму грн.

FQPF19N10L

Description: ONSEMI - FQPF19N10L - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 1448 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

629+	48.67 грн

Мінімальне замовлення: 629

В кошику од. на суму грн.

FQPF19N20

Trans MOSFET N-CH 200V 11.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

310+	104.38 грн
500+	99.93 грн
1000+	94.38 грн

Мінімальне замовлення: 310

В кошику од. на суму грн.

FQPF19N20

Trans MOSFET N-CH 200V 11.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQPF19N20

Description: MOSFET N-CH 200V 11.8A TO220F
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 5.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V

на замовлення 10107 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

281+	75.81 грн

Мінімальне замовлення: 281

В кошику од. на суму грн.

FQPF19N20

Trans MOSFET N-CH 200V 11.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

310+	104.38 грн
500+	99.93 грн
1000+	94.38 грн

Мінімальне замовлення: 310

В кошику од. на суму грн.

FQPF19N20

Trans MOSFET N-CH 200V 11.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Rail

на замовлення 250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

239+	135.83 грн

Мінімальне замовлення: 239

В кошику од. на суму грн.

FQPF19N20

MOSFET 200V N-Channel QFET

на замовлення 987 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	174.44 грн
10+	154.68 грн
25+	126.99 грн
100+	108.56 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FQPF19N20

Trans MOSFET N-CH 200V 11.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

на замовлення 905 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

310+	104.38 грн
500+	99.93 грн

Мінімальне замовлення: 310

В кошику од. на суму грн.

FQPF19N20

Description: MOSFET N-CH 200V 11.8A TO220F
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 5.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V

на замовлення 15905 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

281+	75.81 грн

Мінімальне замовлення: 281

В кошику од. на суму грн.

FQPF19N20

Trans MOSFET N-CH 200V 11.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

310+	104.38 грн
500+	99.93 грн
1000+	94.38 грн

Мінімальне замовлення: 310

В кошику од. на суму грн.

FQPF19N20

Trans MOSFET N-CH 200V 11.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Rail

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

239+	135.83 грн
500+	122.89 грн
1000+	113.19 грн

Мінімальне замовлення: 239

В кошику од. на суму грн.

FQPF19N20

Description: MOSFET N-CH 200V 11.8A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 5.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQPF19N20

Trans MOSFET N-CH 200V 11.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Rail

на замовлення 9857 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

239+	135.83 грн
500+	122.89 грн
1000+	113.19 грн

Мінімальне замовлення: 239

В кошику од. на суму грн.

FQPF19N20C

Trans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

на замовлення 680 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	173.52 грн
50+	90.29 грн
100+	84.43 грн
500+	65.52 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

FQPF19N20C

Description: ONSEMI - FQPF19N20C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 19 A, 0.14 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 19
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 43
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.14
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQPF19N20C

FQPF19N20C THT N channel transistors

на замовлення 9 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

2+	195.42 грн
15+	80.87 грн
40+	76.92 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FQPF19N20C

Trans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

на замовлення 680 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

81+	161.64 грн
151+	85.90 грн
164+	79.24 грн
500+	61.48 грн

Мінімальне замовлення: 81

В кошику од. на суму грн.

FQPF19N20C

Description: MOSFET N-CH 200V 19A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V

на замовлення 125 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	149.78 грн
50+	70.05 грн
100+	62.83 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FQPF19N20C

Trans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	61.11 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

FQPF19N20C

Trans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQPF19N20C

Trans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

на замовлення 1107 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

124+	104.80 грн
168+	77.31 грн
500+	67.34 грн
1000+	59.73 грн

Мінімальне замовлення: 124

В кошику од. на суму грн.

FQPF19N20C

Trans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

358+	90.55 грн
500+	81.50 грн
1000+	75.16 грн

Мінімальне замовлення: 358

В кошику од. на суму грн.

FQPF19N20C

Trans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQPF19N20C

MOSFETs 200V N-Channel Advance Q-FET

на замовлення 3238 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	152.94 грн
10+	63.05 грн
100+	51.14 грн
500+	47.11 грн
1000+	43.70 грн
2500+	41.65 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FQPF19N20CYDTU

Description: MOSFET N-CH 200V 19A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3 (Y-Forming)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQPF19N20T

FQPF19N20T

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

483+	66.97 грн
505+	64.11 грн
1000+	60.55 грн

Мінімальне замовлення: 483

В кошику од. на суму грн.

FQPF19N20T

Description: 11.8A, 200V, 0.15OHM, N CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 5.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

437+	48.89 грн

Мінімальне замовлення: 437

В кошику од. на суму грн.

FQPF19N20T

Description: ONSEMI - FQPF19N20T - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

526+	58.15 грн

Мінімальне замовлення: 526

В кошику од. на суму грн.

FQPF1N50

Description: MOSFET N-CH 500V 900MA TO220F

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQPF1N60

Description: MOSFET N-CH 600V 900MA TO220F

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQPF1N60T

Description: MOSFET N-CH 600V 900MA TO220F

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQPF1P50

Description: MOSFET P-CH 500V 1.03A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.03A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5Ohm @ 515mA, 10V
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQPF20N06

Trans MOSFET N-CH 60V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Rail

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

403+	80.34 грн

Мінімальне замовлення: 403

В кошику од. на суму грн.

FQPF20N06

Trans MOSFET N-CH 60V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Rail

на замовлення 29806 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

403+	80.34 грн

Мінімальне замовлення: 403

В кошику од. на суму грн.

FQPF20N06

Description: ONSEMI - FQPF20N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 15 A, 0.048 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 15
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 30
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.048
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQPF20N06

Trans MOSFET N-CH 60V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Rail

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

403+	80.34 грн

Мінімальне замовлення: 403

В кошику од. на суму грн.

FQPF20N06

Description: MOSFET N-CH 60V 15A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQPF20N06

MOSFETs 60V N-Channel QFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQPF20N06

Trans MOSFET N-CH 60V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Rail

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

403+	80.34 грн

Мінімальне замовлення: 403

В кошику од. на суму грн.

FQPF20N06

Trans MOSFET N-CH 60V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Rail

на замовлення 12550 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

403+	80.34 грн

Мінімальне замовлення: 403

В кошику од. на суму грн.

FQPF20N06L

Description: ONSEMI - FQPF20N06L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 15.7 A, 0.042 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 15.7
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 30
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.042
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 1
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQPF20N06L

Description: MOSFET N-CH 60V 15.7A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 7.85A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQPF20N06L

MOSFET 60V N-Channel QFET Logic Level

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 280-289 дні (днів)

3+	147.36 грн
10+	130.34 грн
100+	86.71 грн
500+	72.37 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FQPF20N06L

Trans MOSFET N-CH 60V 15.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQPF20N06L

Trans MOSFET N-CH 60V 15.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQPF20N06L

Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 70mOhm; 15,7A; 30W; -55°C ~ 175°C; OBSOLETE; FQPF20N06L TFQPF20n06l
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 50 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

10+	71.16 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

FQPF20N60

на замовлення 9450 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQPF22N30

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQPF22N30

Description: MOSFET N-CH 300V 12A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQPF22N30

MOSFET 300V N-Channel QFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQPF22N30

Trans MOSFET N-CH 300V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Rail

на замовлення 847 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

176+	184.34 грн
500+	174.64 грн

Мінімальне замовлення: 176

В кошику од. на суму грн.

FQPF22P10

Trans MOSFET P-CH 100V 13.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

на замовлення 1200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	209.79 грн
10+	179.64 грн
100+	152.40 грн
500+	119.01 грн
1000+	91.07 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FQPF22P10

Description: MOSFET P-CH 100V 13.2A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQPF22P10

MOSFET 100V P-Channel QFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQPF22P10

Trans MOSFET P-CH 100V 13.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

на замовлення 1200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

72+	180.36 грн
84+	154.44 грн
100+	131.02 грн
500+	102.31 грн
1000+	78.29 грн

Мінімальне замовлення: 72

В кошику од. на суму грн.

FQPF22P10
Код товару: 197420

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQPF22P10

Description: ONSEMI - FQPF22P10 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13.2 A, 0.096 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 13.2
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 45
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 45
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.096
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQPF27N25

Description: ONSEMI - FQPF27N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 14 A, 0.083 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 14
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 55
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 55
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.083
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQPF27N25

MOSFETs 250V N-Channel QFET

на замовлення 795 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	295.52 грн
10+	151.54 грн
100+	119.48 грн
500+	103.10 грн
1000+	102.41 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FQPF27N25

Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQPF27N25

Description: MOSFET N-CH 250V 14A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 25 V

на замовлення 46 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	281.89 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FQPF27N25

MOSFETs 250V N-Channel QFET

на замовлення 816 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	233.39 грн
10+	126.41 грн
100+	107.19 грн
500+	93.54 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FQPF27N25T

Description: MOSFET N-CH 250V 14A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQPF27P06

Trans MOSFET P-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

на замовлення 427 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

83+	157.54 грн
100+	129.36 грн
121+	107.13 грн
132+	94.75 грн

Мінімальне замовлення: 83

В кошику од. на суму грн.

FQPF27P06

Description: MOSFET P-CH 60V 17A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V

на замовлення 419 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	185.11 грн
50+	82.23 грн
100+	77.23 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FQPF27P06

MOSFETs 60V P-Channel QFET

на замовлення 6140 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	190.38 грн
10+	84.80 грн
100+	65.75 грн
500+	61.65 грн
1000+	57.15 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FQPF27P06

Trans MOSFET P-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQPF27P06

Trans MOSFET P-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

на замовлення 432 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	169.28 грн
10+	139.00 грн
50+	115.11 грн
100+	101.81 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

FQPF27P06

FQPF27P06 THT P channel transistors

на замовлення 139 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

2+	196.48 грн
12+	98.62 грн
33+	93.69 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FQPF27P06

Description: ONSEMI - FQPF27P06 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 17 A, 0.055 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 47W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 905 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	187.99 грн
10+	167.28 грн
100+	90.81 грн
500+	73.97 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

FQPF27P06

Trans MOSFET P-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQPF28N15

Description: ONSEMI - FQPF28N15 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 1904 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

434+	70.57 грн

Мінімальне замовлення: 434

В кошику од. на суму грн.

FQPF28N15

Description: MOSFET N-CH 150V 16.7A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 8.35A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V

на замовлення 1904 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

360+	58.32 грн

Мінімальне замовлення: 360

В кошику од. на суму грн.

FQPF28N15T

Description: MOSFET N-CH 150V 16.7A TO220F

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQPF2N30

FQPF2N30

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

902+	35.88 грн
1000+	33.08 грн

Мінімальне замовлення: 902

В кошику од. на суму грн.

FQPF2N30

FQPF2N30

на замовлення 1111 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

902+	35.88 грн
1000+	33.08 грн

Мінімальне замовлення: 902

В кошику од. на суму грн.

FQPF2N30

FQPF2N30

на замовлення 946 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

902+	35.88 грн

Мінімальне замовлення: 902

В кошику од. на суму грн.

FQPF2N30

Description: MOSFET N-CH 300V 1.34A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 670mA, 10V
Power Dissipation (Max): 16W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 25 V

на замовлення 4057 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

952+	22.67 грн

Мінімальне замовлення: 952

В кошику од. на суму грн.

FQPF2N30

Description: ONSEMI - FQPF2N30 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 4057 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1145+	26.68 грн

Мінімальне замовлення: 1145

В кошику од. на суму грн.

FQPF2N40

Description: MOSFET N-CH 400V 1.1A TO220F

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQPF2N50

Description: MOSFET N-CH 500V 1.3A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3Ohm @ 650mA, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 25 V

на замовлення 1628 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

550+	35.66 грн

Мінімальне замовлення: 550

В кошику од. на суму грн.

FQPF2N50

Description: ONSEMI - FQPF2N50 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 1628 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

972+	31.46 грн

Мінімальне замовлення: 972

В кошику од. на суму грн.

FQPF2N50

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQPF2N50C

на замовлення 87090 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQPF2N60

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQPF2N60

Description: MOSFET N-CH 600V 1.6A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQPF2N60C
Код товару: 180861

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQPF2N60C

Description: ONSEMI - FQPF2N60C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2 A, 4.7 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 23W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 23W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 4.7ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.7ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQPF2N60C

Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

427+	75.80 грн
500+	68.22 грн
1000+	62.92 грн

Мінімальне замовлення: 427

В кошику од. на суму грн.

FQPF2N60C

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 25 V

на замовлення 6620 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

341+	57.33 грн

Мінімальне замовлення: 341

В кошику од. на суму грн.

FQPF2N60C

Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

на замовлення 5240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

427+	75.80 грн
500+	68.22 грн
1000+	62.92 грн

Мінімальне замовлення: 427

В кошику од. на суму грн.

FQPF2N60C

Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 4,7Ohm; 2A; 23W; -55°C ~ 150°C; FQPF2N60C TFQPF2n60c
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 30 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

10+	61.81 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

FQPF2N60C

Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

на замовлення 858 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

427+	75.80 грн
500+	68.22 грн

Мінімальне замовлення: 427

В кошику од. на суму грн.

FQPF2N60C

Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

на замовлення 4432 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

427+	75.80 грн
500+	68.22 грн
1000+	62.92 грн

Мінімальне замовлення: 427

В кошику од. на суму грн.

FQPF2N60C

Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 4,7Ohm; 2A; 23W; -55°C ~ 150°C; FQPF2N60C TFQPF2n60c
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 6 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

10+	61.81 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

FQPF2N60C

Description: MOSFET N-CH 600V 2A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQPF2N60C

MOSFETs 600V N-Channel Advance Q-FET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQPF2N60C

Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

427+	75.80 грн
500+	68.22 грн
1000+	62.92 грн

Мінімальне замовлення: 427

В кошику од. на суму грн.

FQPF2N70

Trans MOSFET N-CH 700V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Rail

на замовлення 29241 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

375+	86.41 грн
500+	77.77 грн
1000+	71.72 грн
10000+	61.66 грн

Мінімальне замовлення: 375

В кошику од. на суму грн.

FQPF2N70

Trans MOSFET N-CH 700V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Rail

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

375+	86.41 грн
500+	77.77 грн
1000+	71.72 грн

Мінімальне замовлення: 375

В кошику од. на суму грн.

FQPF2N70

Trans MOSFET N-CH 700V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQPF2N70

Description: MOSFET N-CH 700V 2A TO220F
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V

на замовлення 42241 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

439+	47.78 грн

Мінімальне замовлення: 439

В кошику од. на суму грн.

FQPF2N70

MOSFET 700V N-Channel Q-FET

на замовлення 1462 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	129.84 грн
10+	115.42 грн
100+	78.52 грн
500+	64.32 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FQPF2N70

Trans MOSFET N-CH 700V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

486+	66.62 грн
508+	63.78 грн
1000+	60.24 грн

Мінімальне замовлення: 486

В кошику од. на суму грн.

FQPF2N70

Trans MOSFET N-CH 700V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Rail

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

375+	86.41 грн
500+	77.77 грн
1000+	71.72 грн

Мінімальне замовлення: 375

В кошику од. на суму грн.

FQPF2N70