Продукція > FQP

Обрати Сторінку:   1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FQP10N20onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 10A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 87W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP10N20FAIRCHILDTO-220AB
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQP10N20ON Semiconductor / FairchildMOSFET 200V N-Channel QFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP10N20CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 9.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
161+88.41 грн
168+84.59 грн
289+49.09 грн
Мінімальне замовлення: 161 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP10N20ConsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 9.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 4.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP10N20Consemi / FairchildMOSFET 200V N-Ch MOSFET
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+118.39 грн
10+105.59 грн
100+71.80 грн
500+58.82 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP10N20CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 9.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+94.91 грн
10+93.77 грн
25+89.71 грн
50+50.21 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP10N20CFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 4.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
на замовлення 17045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
378+52.29 грн
Мінімальне замовлення: 378 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP10N20CFairchild
на замовлення 33924 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQP10N20CTSTUonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 9.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 4.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP10N20LFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 87W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP10N60ConsemiMOSFETs 600V N-Ch Q-FET advance C-Series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP10N60ConsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 9.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 730mOhm @ 4.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP10N60CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 9.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
216+164.19 грн
Мінімальне замовлення: 216 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP10N60CFSC09+ SSOP
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQP10N60Consemi / FairchildMOSFETs 600V N-Ch Q-FET advance C-Series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP10N60C_NLonsemi / FairchildMOSFETs N-CH/600V/10A/QFET C-Series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP10N60C_Qonsemi / FairchildMOSFETs 600V N-Ch Q-FET advance C-Series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP11N40ON Semiconductor / FairchildMOSFET 400V N-Channel QFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP11N40Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 400V 11.4A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 1919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
226+87.19 грн
Мінімальне замовлення: 226 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP11N40CONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.6A; 135W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.6A
Power dissipation: 135W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 530mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+113.01 грн
10+95.56 грн
50+90.58 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP11N40CFairchildN-MOSFET 400V 10.5A 530mΩ 135W FQP11N40C Fairchild TFQP11n40c
кількість в упаковці: 48 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
48+33.24 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP11N40CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 400V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
148+96.33 грн
149+95.37 грн
157+90.33 грн
500+79.32 грн
Мінімальне замовлення: 148 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP11N40ConsemiDescription: MOSFET N-CH 400V 10.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 5.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 25 V
на замовлення 3703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+194.16 грн
50+92.87 грн
100+83.72 грн
500+63.52 грн
1000+58.69 грн
2000+54.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP11N40CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 400V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+95.32 грн
50+94.37 грн
100+89.39 грн
500+78.49 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP11N40CONSEMIDescription: ONSEMI - FQP11N40C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 10.5 A, 0.43 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 135W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+99.06 грн
10+91.82 грн
100+89.40 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP11N40Consemi / FairchildMOSFETs 400V N-Channel Advance Q-FET
на замовлення 958 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+89.40 грн
10+77.80 грн
100+63.51 грн
500+59.99 грн
1000+57.99 грн
2500+57.23 грн
5000+55.64 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP11N40C
Код товару: 203650
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP11N40CFairchildN-MOSFET 400V 10.5A 530mΩ 135W FQP11N40C Fairchild TFQP11n40c
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+33.24 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP11N40CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 400V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP11N40ConsemiMOSFETs 400V N-Channel Advance Q-FET
на замовлення 1849 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+146.58 грн
10+92.89 грн
100+73.87 грн
500+61.16 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP11N40C_Qonsemi / FairchildMOSFETs 400V N-Channel Advance Q-FET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP11N50CFON SemiconductorFQP11N50CF
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
181+196.09 грн
500+186.64 грн
Мінімальне замовлення: 181 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP11N50CFON SemiconductorFQP11N50CF
на замовлення 934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
181+196.09 грн
500+186.64 грн
Мінімальне замовлення: 181 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP11N50CFFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 500V 11A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055 pF @ 25 V
на замовлення 2116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
137+144.25 грн
Мінімальне замовлення: 137 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP11P06
Код товару: 34162
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP11P06onsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 11.4A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP11P06onsemi / FairchildMOSFET 60V P-Channel QFET
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQP11P06ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 11.4A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP12N60ON SemiconductorFQP12N60
на замовлення 288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
189+187.82 грн
Мінімальне замовлення: 189 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP12N60Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 10.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
на замовлення 9664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
151+132.40 грн
Мінімальне замовлення: 151 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP12N60ONS/FAIТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP12N60onsemiMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP12N60ON SemiconductorFQP12N60
на замовлення 9376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
189+187.82 грн
500+168.92 грн
1000+155.92 грн
Мінімальне замовлення: 189 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP12N60CONSEMIDescription: ONSEMI - FQP12N60C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.53 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+140.14 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP12N60CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 3340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
213+166.56 грн
500+150.02 грн
1000+138.21 грн
Мінімальне замовлення: 213 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP12N60ConsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 12A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 225W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP12N60CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
213+166.56 грн
500+150.02 грн
Мінімальне замовлення: 213 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP12N60CFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 225W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 25 V
на замовлення 3340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
170+117.10 грн
Мінімальне замовлення: 170 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP12N60C
Код товару: 166497
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP12N60CONS/FAITO-220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP12N60Consemi / FairchildMOSFETs 600V N-Ch Q-FET advance C-Series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP12P10ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP12P10ONS/FAIMOSFET P-CH 100V 11.5A TO-220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP12P10ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 859 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+84.76 грн
10+76.14 грн
100+60.90 грн
500+52.34 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP12P10onsemi / FairchildMOSFET 100V P-Channel QFET
на замовлення 497 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+107.12 грн
10+96.06 грн
25+81.46 грн
100+68.14 грн
250+66.82 грн
500+64.34 грн
1000+57.44 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP12P10ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP12P10onsemiDescription: MOSFET P-CH 100V 11.5A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 5.75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP12P20onsemiMOSFETs 200V P-Channel QFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP12P20
Код товару: 46795
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP12P20onsemiDescription: MOSFET P-CH 200V 11.5A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 5.75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP12P20ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 200V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQP12P20ONSEMIDescription: ONSEMI - FQP12P20 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 11.5 A, 0.36 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 120W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.36ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+205.38 грн
10+179.60 грн
100+149.00 грн
500+113.68 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP13N06FAIR
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQP13N06Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 13A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 6.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 79627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
606+33.54 грн
Мінімальне замовлення: 606 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP13N06onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 13A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP13N06LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 13.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 32442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
645+55.01 грн
1000+50.73 грн
10000+45.23 грн
Мінімальне замовлення: 645 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP13N06LFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 6.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 38438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
443+45.61 грн
Мінімальне замовлення: 443 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP13N06LONSEMIDescription: ONSEMI - FQP13N06L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 13.6 A, 0.088 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.088ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+81.35 грн
13+63.63 грн
100+48.89 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP13N06LonsemiMOSFETs 60V N-Channel QFET Logic Level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP13N06LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 13.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+32.43 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP13N06LonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 13.6A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 6.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP13N06L.ONSEMIDescription: ONSEMI - FQP13N06L. - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 13.6 A, 0.11 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 13.6
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 45
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung: 45
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.11
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP13N06L_Qonsemi / FairchildMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP13N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 12.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 5700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
220+64.66 грн
Мінімальне замовлення: 220 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP13N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 12.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP13N10onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 12.8A TO220-3
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 6.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP13N10ONSEMIDescription: ONSEMI - FQP13N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 12.8 A, 0.142 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 12.8
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: -
Verlustleistung Pd: 65
Bauform - Transistor: TO-220AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.142
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP13N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 12.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 5700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+69.22 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP13N10onsemi / FairchildMOSFETs N-CH/100V/12.8A 0.18OHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP13N10LonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 12.8A TO220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 6.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP13N10LONSEMIDescription: ONSEMI - FQP13N10L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 12.8 A, 0.142 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.142ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+113.56 грн
10+96.65 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP13N10LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 12.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP13N10Lonsemi / FairchildMOSFET 100V N-Ch QFET Logic Level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP13N10LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 12.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP13N50
Код товару: 143458
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP13N50onsemiMOSFETs 500V N-Channel QFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP13N50ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 12.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP13N50ON-SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 12.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB FQP13N50 TFQP13n50
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 27 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+140.99 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP13N50onsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 12.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 6.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP13N50ConsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 13A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP13N50C
Код товару: 152424
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP13N50ConsemiMOSFETs 500V N-Ch Q-FET advance C-Series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP13N50CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
268+132.30 грн
500+119.31 грн
1000+109.81 грн
10000+94.41 грн
Мінімальне замовлення: 268 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP13N50C-GonsemiDescription: N-CHANNEL QFET MOSFET 500V, 13A,
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 6.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 218 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP13N50C_F105onsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 13A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP14N15onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 14.4A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 715 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP14N30ON Semiconductor / FairchildMOSFET 300V N-Channel QFET
на замовлення 1140 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQP14N30ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 300V 14.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP14N30onsemiDescription: MOSFET N-CH 300V 14.4A TO220-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17  [ Наступна Сторінка >> ]