НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IPP-2011Innovative Power ProductsIPP-2011
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+28226.15 грн
IPP-2014Innovative Power ProductsOutline Coup. 90 Degree, .8-2.5 Ghz 200 W
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+5459.7 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP-2031Innovative Power ProductsIPP-2031
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+5018.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP-2254Innovative Power ProductsIPP-2254
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+20228.67 грн
IPP-3175Innovative Power ProductsDirectional Couplers With Connectors
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+110943.02 грн
IPP011N03LF2SAKSA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Ta), 210A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 336 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15100 pF @ 15 V
товар відсутній
IPP011N03LF2SAKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+172.03 грн
10+ 140.48 грн
100+ 97.58 грн
250+ 90.35 грн
500+ 81.68 грн
1000+ 69.89 грн
2500+ 66.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP011N04NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP011N04NF2SAKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP011N04NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 201 A, 940 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
Dauer-Drainstrom Id: 201A
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 940µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+301.63 грн
10+ 213.25 грн
100+ 172.71 грн
500+ 151.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP011N04NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 44A Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+88.54 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IPP011N04NF2SAKMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH PG-TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Ta), 201A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 249µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 315 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 20 V
на замовлення 311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+274.44 грн
50+ 134.71 грн
100+ 122.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP011N04NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+149.93 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IPP011N04NF2SAKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+162.75 грн
25+ 127.18 грн
100+ 104.81 грн
500+ 103.36 грн
1000+ 96.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP011N04NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+137.97 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IPP011N04NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP011N04NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
83+148.11 грн
Мінімальне замовлення: 83
IPP013N04NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 41A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP013N04NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 41A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP013N04NF2SAKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP013N04NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 197 A, 0.00102 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
Dauer-Drainstrom Id: 197A
hazardous: true
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00102ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 816 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+214.87 грн
10+ 158.92 грн
100+ 116.76 грн
500+ 98.63 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPP013N04NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 41A Tube
товар відсутній
IPP013N04NF2SAKMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH PG-TO220-3
Packaging: Tube
Part Status: Active
на замовлення 997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+185.3 грн
50+ 143.45 грн
100+ 118.03 грн
500+ 93.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP013N04NF2SAKMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 906 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+198.17 грн
10+ 162.92 грн
100+ 112.76 грн
250+ 104.08 грн
500+ 94.69 грн
1000+ 80.23 грн
2000+ 76.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP013N06NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTRENCH 40<-<100V
товар відсутній
IPP013N06NF2SAKMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
товар відсутній
IPP013N06NF2SAKMA1Infineon TechnologiesMOSFET
товар відсутній
IPP014N06NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTRENCH 40<-<100V
товар відсутній
IPP014N06NF2SAKMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 198A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 246µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 30 V
товар відсутній
IPP014N06NF2SAKMA1Infineon TechnologiesMOSFET
товар відсутній
IPP014N06NF2SAKMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+298.16 грн
10+ 250.22 грн
25+ 236.42 грн
100+ 195.07 грн
250+ 170.46 грн
500+ 154.6 грн
1000+ 130.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP014N06NF2SAKMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
64+194.11 грн
71+ 173.68 грн
100+ 172.66 грн
200+ 163.54 грн
500+ 145.95 грн
Мінімальне замовлення: 64
IPP014N06NF2SAKMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP014N06NF2SAKMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
63+195.63 грн
Мінімальне замовлення: 63
IPP014N06NF2SAKMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 31000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+150.08 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IPP014N06NF2SAKMA2INFINEONDescription: INFINEON - IPP014N06NF2SAKMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 198 A, 0.00123 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 198A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00123ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1062 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+309.74 грн
10+ 219.74 грн
100+ 177.57 грн
500+ 155.1 грн
1000+ 121.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP014N06NF2SAKMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IPP014N06NF2SAKMA2Infineon TechnologiesSP005742469
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPP014N06NF2SAKMA2Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V PG-TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 198A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 246µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 30 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+326.04 грн
10+ 207.96 грн
100+ 147.71 грн
500+ 114.43 грн
1000+ 108.57 грн
IPP014N06NF2SAKMA2Infineon TechnologiesMOSFETs N
на замовлення 811 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+287.55 грн
10+ 237.73 грн
25+ 195.88 грн
100+ 167.69 грн
250+ 158.29 грн
500+ 148.9 грн
1000+ 126.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP014N06NF2SAKMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+175.47 грн
10+ 161.2 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPP014N08NM6AKSA1Infineon TechnologiesTRENCH 40<-<100V
товар відсутній
IPP014N08NM6AKSA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
товар відсутній
IPP014N08NM6AKSA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
товар відсутній
IPP015N04N GINFINEONDescription: INFINEON - IPP015N04N G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0012 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 250W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+355.14 грн
10+ 319.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP015N04N GInfineon
на замовлення 3550 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPP015N04N GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 120A TO220-3 OptiMOS 3
товар відсутній
IPP015N04NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP015N04NF2SAKMA1
Код товару: 202345
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IPP015N04NF2SAKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N
на замовлення 1018 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+113 грн
10+ 89.77 грн
100+ 63.82 грн
500+ 60.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP015N04NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP015N04NF2SAKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP015N04NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 193 A, 0.00123 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
Dauer-Drainstrom Id: 193A
hazardous: true
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00123ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 732 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+172.71 грн
10+ 128.11 грн
100+ 93.25 грн
500+ 79.06 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPP015N04NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP015N04NF2SAKMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH PG-TO220-3
Packaging: Tube
Part Status: Active
на замовлення 910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+143.08 грн
10+ 89.37 грн
100+ 61.64 грн
500+ 55.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP015N04NGInfineon technologies
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPP015N04NGHKSA1Infineon TechnologiesMOSFET MV POWER MOS
товар відсутній
IPP015N04NGHKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP015N04NGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+287.92 грн
10+ 253.45 грн
25+ 202.97 грн
50+ 193.78 грн
100+ 169.73 грн
250+ 161.67 грн
500+ 136.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP015N04NGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+125.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP015N04NGXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP015N04NGXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0012 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+399.74 грн
10+ 230.28 грн
100+ 208.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP015N04NGXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 250W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+287.85 грн
5+ 204.79 грн
12+ 193.5 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP015N04NGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+195.84 грн
Мінімальне замовлення: 500
IPP015N04NGXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 250W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+345.42 грн
5+ 255.2 грн
12+ 232.2 грн
500+ 224.07 грн
IPP015N04NGXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20000 pF @ 20 V
на замовлення 297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+397.19 грн
10+ 256.07 грн
100+ 184.05 грн
IPP015N04NGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP015N04NGXKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 120A TO220-3
на замовлення 678 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+374.41 грн
10+ 310.05 грн
25+ 202.38 грн
100+ 186.48 грн
500+ 159.02 грн
1000+ 156.12 грн
IPP015N04NGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+309.6 грн
45+ 272.53 грн
57+ 208.36 грн
100+ 182.51 грн
250+ 173.85 грн
500+ 146.82 грн
Мінімальне замовлення: 40
IPP016N06NF2SAKMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V PG-TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 194A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 186µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 233 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 30 V
на замовлення 1781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+225.96 грн
10+ 141.85 грн
100+ 98.54 грн
500+ 75.09 грн
1000+ 69.5 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP016N06NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
109+112.83 грн
119+ 103.71 грн
134+ 91.84 грн
500+ 83.85 грн
Мінімальне замовлення: 109
IPP016N06NF2SAKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N
товар відсутній
IPP016N06NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+104.77 грн
10+ 96.3 грн
100+ 85.28 грн
500+ 77.86 грн
Мінімальне замовлення: 6
IPP016N06NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
127+97.02 грн
Мінімальне замовлення: 127
IPP016N06NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 36A Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+61.31 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IPP016N06NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+90.47 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IPP016N06NF2SAKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP016N06NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 194 A, 0.00142 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 194A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00142ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+211.63 грн
10+ 156.49 грн
100+ 142.71 грн
500+ 120.47 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPP016N06NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP016N06NF2SAKMA1
Код товару: 202346
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IPP016N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesN Channel Power Mosfet
на замовлення 1396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
93+133.22 грн
95+ 129.55 грн
96+ 128.89 грн
100+ 119.01 грн
Мінімальне замовлення: 93
IPP016N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesN Channel Power Mosfet
на замовлення 1396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+123.71 грн
10+ 120.29 грн
25+ 119.68 грн
100+ 110.51 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPP016N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesSP005548844
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+103.72 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPP016N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesN Channel Power Mosfet
на замовлення 267000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+148.02 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IPP016N08NF2SAKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP016N08NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 196 A, 0.0014 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 196A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+268.39 грн
10+ 241.63 грн
25+ 215.68 грн
100+ 176.18 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPP016N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesN Channel Power Mosfet
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
106+115.72 грн
Мінімальне замовлення: 106
IPP016N08NF2SAKMA1
Код товару: 183516
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 80 V
Idd,A: 196 A
Rds(on), Ohm: 1,6 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 12000/170
Монтаж: THT
товар відсутній
IPP016N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 196A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 267µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 40 V
на замовлення 577 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+260.36 грн
50+ 199.03 грн
100+ 170.58 грн
500+ 142.3 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP016N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesN Channel Power Mosfet
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+114.99 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IPP016N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesN Channel Power Mosfet
товар відсутній
IPP016N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N
на замовлення 1498 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+208.29 грн
10+ 176.22 грн
25+ 134.44 грн
100+ 118.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP016N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesN Channel Power Mosfet
на замовлення 1384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
72+170.9 грн
73+ 169.86 грн
100+ 165.69 грн
1000+ 158.77 грн
Мінімальне замовлення: 72
IPP017N06NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTRENCH 40<-<100V
товар відсутній
IPP018N03LF2SAKSA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 128A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 15 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+169.67 грн
10+ 104.81 грн
25+ 89.48 грн
100+ 67.75 грн
250+ 59.84 грн
500+ 55.02 грн
1000+ 50.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP018N10N5AKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP018N10N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 205 A, 0.0017 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 205A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+450.01 грн
10+ 394.06 грн
100+ 326.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP018N10N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+311.56 грн
41+ 303.47 грн
42+ 298.89 грн
50+ 267.96 грн
100+ 237.31 грн
250+ 223.9 грн
Мінімальне замовлення: 40
IPP018N10N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP018N10N5AKSA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH >=100V
товар відсутній
IPP018N10N5AKSA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 205A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.83mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 50 V
на замовлення 474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+448.01 грн
50+ 341.9 грн
100+ 293.07 грн
IPP018N10N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+289.31 грн
10+ 281.79 грн
25+ 277.54 грн
50+ 248.82 грн
100+ 220.36 грн
250+ 207.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP018N10N5XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP018N10N5XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs Y
на замовлення 326 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+538.85 грн
10+ 369.89 грн
100+ 234.19 грн
500+ 209.61 грн
IPP018N10N5XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+330.9 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP018N10N5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 205A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.83mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 50 V
на замовлення 569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+448.01 грн
50+ 341.9 грн
100+ 293.07 грн
500+ 244.47 грн
IPP018N10N5XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IPP018N10N5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP018N10N5XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 205 A, 0.0017 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 205A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+527.85 грн
10+ 380.28 грн
100+ 321.9 грн
500+ 253.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP018N10N5XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+315.23 грн
Мінімальне замовлення: 500
IPP019N06NF2SAKMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V PG-TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 185A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 129µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 30 V
на замовлення 656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+199.38 грн
10+ 124.61 грн
100+ 86.01 грн
500+ 65.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP019N06NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP019N06NF2SAKMA1
Код товару: 202347
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IPP019N06NF2SAKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP019N06NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 185 A, 0.0017 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 185A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+179.19 грн
10+ 132.98 грн
100+ 97.3 грн
500+ 82.07 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPP019N06NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
149+82.51 грн
Мінімальне замовлення: 149
IPP019N06NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
178+69.1 грн
184+ 66.78 грн
194+ 63.48 грн
500+ 59.71 грн
Мінімальне замовлення: 178
IPP019N06NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+76.93 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IPP019N06NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 33A Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+51.78 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IPP019N06NF2SAKMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
на замовлення 533 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+164.44 грн
10+ 135.49 грн
100+ 93.24 грн
250+ 86.74 грн
500+ 78.79 грн
1000+ 66.86 грн
2000+ 63.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP019N06NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+62.01 грн
100+ 58.95 грн
500+ 55.44 грн
Мінімальне замовлення: 10
IPP019N06NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+77.21 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IPP019N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
114+107.75 грн
750+ 98.45 грн
1500+ 91.61 грн
2250+ 83.31 грн
Мінімальне замовлення: 114
IPP019N08NF2SAKMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 147A; Idm: 764A; 250W
Case: PG-TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 764A
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 147A
On-state resistance: 1.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 124nC
Technology: StrongIRFET™ 2
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IPP019N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 32A Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+80.45 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IPP019N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
177+69.33 грн
Мінімальне замовлення: 177
IPP019N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N
на замовлення 842 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+253.82 грн
10+ 167.08 грн
25+ 133 грн
100+ 106.25 грн
250+ 105.53 грн
500+ 92.52 грн
1000+ 91.8 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP019N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP019N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
62+200.08 грн
67+ 185.49 грн
100+ 174.02 грн
200+ 166.81 грн
500+ 141.43 грн
1000+ 127.73 грн
Мінімальне замовлення: 62
IPP019N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 191A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 194µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8700 pF @ 40 V
на замовлення 912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+267.4 грн
10+ 169.18 грн
100+ 118.77 грн
500+ 91.2 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP019N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+115.01 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IPP019N08NF2SAKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP019N08NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 191 A, 0.0017 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 191A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+192.17 грн
10+ 117.57 грн
100+ 101.35 грн
500+ 85.83 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPP019N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+103.72 грн
2000+ 102.69 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IPP019N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+85.32 грн
10+ 64.38 грн
Мінімальне замовлення: 8
IPP019N08NF2SAKMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 147A; Idm: 764A; 250W
Case: PG-TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 764A
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 147A
On-state resistance: 1.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 124nC
Technology: StrongIRFET™ 2
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
товар відсутній
IPP020N03LF2SAKSA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 125A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.05mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+151.68 грн
10+ 93.44 грн
25+ 79.54 грн
100+ 59.97 грн
250+ 52.8 грн
500+ 48.42 грн
1000+ 44.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP020N03LF2SAKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+101.19 грн
10+ 81.96 грн
100+ 55.51 грн
500+ 47.05 грн
1000+ 38.31 грн
2500+ 36 грн
5000+ 34.33 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPP020N06NInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 120A TO220-3
на замовлення 864 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+278.28 грн
10+ 230.25 грн
25+ 188.65 грн
100+ 161.91 грн
250+ 152.51 грн
500+ 143.84 грн
1000+ 122.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP020N06NAKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP020N06NAKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 120A TO220-3
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+286.71 грн
10+ 239.39 грн
25+ 177.81 грн
100+ 148.17 грн
250+ 147.45 грн
500+ 131.55 грн
1000+ 127.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP020N06NAKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+336.12 грн
44+ 284.02 грн
57+ 216.59 грн
100+ 207.87 грн
200+ 181.53 грн
500+ 153.25 грн
1000+ 149.74 грн
Мінімальне замовлення: 37
IPP020N06NAKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP020N06NAKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP020N06NAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0018 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 120
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 214
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товар відсутній
IPP020N06NAKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 136W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IPP020N06NAKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
53+233.81 грн
57+ 216.48 грн
63+ 196.25 грн
100+ 161.04 грн
250+ 146.58 грн
Мінімальне замовлення: 53
IPP020N06NAKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 136W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IPP020N06NAKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IPP020N06NAKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+219.87 грн
10+ 203.58 грн
25+ 184.54 грн
100+ 151.44 грн
250+ 137.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP020N06NAKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 29A/120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 143µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 30 V
на замовлення 398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+256.46 грн
50+ 195.64 грн
100+ 167.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP020N06NXKSA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 143µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9750 pF @ 30 V
товар відсутній
IPP020N06NXKSA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
товар відсутній
IPP020N06NXKSA1Infineon TechnologiesSP005573707
товар відсутній
IPP020N08N5Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 80V 120A TO220-3
на замовлення 860 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+470.54 грн
10+ 389.84 грн
25+ 319.48 грн
100+ 273.94 грн
250+ 258.76 грн
500+ 243.58 грн
1000+ 208.17 грн
IPP020N08N5AKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP020N08N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 0.0018 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+363.25 грн
10+ 248.93 грн
100+ 218.11 грн
500+ 185.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP020N08N5AKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16900 pF @ 40 V
на замовлення 572 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+433.16 грн
50+ 330.73 грн
100+ 283.48 грн
500+ 236.48 грн
IPP020N08N5AKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 375W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+552.99 грн
3+ 355.38 грн
7+ 335.8 грн
IPP020N08N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+493.46 грн
33+ 381.08 грн
50+ 345.32 грн
100+ 315.25 грн
200+ 277.3 грн
500+ 250.45 грн
Мінімальне замовлення: 25
IPP020N08N5AKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 375W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+663.59 грн
3+ 442.85 грн
7+ 402.96 грн
250+ 396.64 грн
IPP020N08N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+350.96 грн
10+ 336.37 грн
25+ 277.83 грн
100+ 247.08 грн
250+ 219.91 грн
500+ 193.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP020N08N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP020N08N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+189.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP020N08N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
47+261.71 грн
51+ 242.83 грн
100+ 226.75 грн
Мінімальне замовлення: 47
IPP020N08N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
93+133.15 грн
100+ 127.19 грн
Мінімальне замовлення: 93
IPP020N08N5AKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 80V 120A TO220-3
на замовлення 221 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+425.01 грн
10+ 402.31 грн
25+ 276.11 грн
100+ 252.98 грн
250+ 242.14 грн
500+ 221.9 грн
1000+ 196.6 грн
IPP020N08N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+376.82 грн
34+ 361.14 грн
42+ 298.29 грн
100+ 265.28 грн
250+ 236.1 грн
500+ 208.02 грн
Мінімальне замовлення: 33
IPP020N08N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+246.43 грн
10+ 243.01 грн
25+ 225.48 грн
100+ 210.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP020N08N5XKSA1Infineon TechnologiesIPP020N08N5XKSA1
товар відсутній
IPP020N08N5XKSA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
товар відсутній
IPP020N08N5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16900 pF @ 40 V
товар відсутній
IPP022N12NM6AKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N
на замовлення 551 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+506.8 грн
10+ 428.08 грн
25+ 337.55 грн
100+ 310.08 грн
250+ 292.01 грн
500+ 273.94 грн
1000+ 245.75 грн
IPP022N12NM6AKSA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 203A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 60 V
товар відсутній
IPP022N12NM6AKSA1Infineon TechnologiesN-channel MOSFET
товар відсутній
IPP022N12NM6AKSA1Infineon TechnologiesTRENCH >=100V
товар відсутній
IPP023N04NGInfineon technologies
на замовлення 405 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPP023N04NGinfineon08+
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPP023N04NGHKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP023N04NGHKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 90A TO220-3
Packaging: Tube
Part Status: Active
товар відсутній
IPP023N04NGXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 90A; 167W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 90A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IPP023N04NGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 206000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+90.57 грн
Мінімальне замовлення: 500
IPP023N04NGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP023N04NGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
114+107.81 грн
168+ 73.04 грн
Мінімальне замовлення: 114
IPP023N04NGXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 90A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 20 V
товар відсутній
IPP023N04NGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
77+160.4 грн
89+ 138.94 грн
100+ 132.81 грн
200+ 127.09 грн
500+ 108.55 грн
Мінімальне замовлення: 77
IPP023N04NGXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP023N04NGXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 0.0019 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+210.01 грн
10+ 85.95 грн
100+ 84.33 грн
500+ 76.8 грн
1000+ 69.22 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPP023N04NGXKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 90A TO220-3
на замовлення 3812 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+205.76 грн
10+ 167.91 грн
100+ 117.09 грн
500+ 94.69 грн
1000+ 83.12 грн
2500+ 79.51 грн
5000+ 75.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP023N04NGXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 90A; 167W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 90A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IPP023N04NGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP023N04NGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+100.57 грн
10+ 68.14 грн
Мінімальне замовлення: 7
IPP023N04NGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+60.29 грн
Мінімальне замовлення: 6
IPP023N08N5Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
товар відсутній
IPP023N08N5Infineon
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPP023N08N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
60+205.88 грн
61+ 203.84 грн
76+ 161.75 грн
77+ 154.39 грн
100+ 121.43 грн
250+ 115.38 грн
500+ 114.26 грн
Мінімальне замовлення: 60
IPP023N08N5AKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP023N08N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 0.002 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+218.11 грн
10+ 154.06 грн
100+ 151.63 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPP023N08N5AKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 375W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IPP023N08N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+191.18 грн
10+ 189.28 грн
25+ 150.19 грн
50+ 143.37 грн
100+ 112.76 грн
250+ 107.14 грн
500+ 106.1 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPP023N08N5AKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 375W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IPP023N08N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
60+207.39 грн
Мінімальне замовлення: 60
IPP023N08N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP023N08N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+146.48 грн
10+ 145.03 грн
25+ 127.58 грн
50+ 121.78 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPP023N08N5AKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 80V 120A TO220-3
на замовлення 824 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+199.85 грн
25+ 157.1 грн
100+ 118.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP023N08N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IPP023N08N5AKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 208µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12100 pF @ 40 V
на замовлення 368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+186.09 грн
50+ 141.92 грн
100+ 121.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP023N08N5XKSA1Infineon TechnologiesSP005573709
товар відсутній
IPP023N08N5XKSA1Infineon TechnologiesMOSFET
товар відсутній
IPP023N08N5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 208µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12100 pF @ 40 V
товар відсутній
IPP023N10N5Infineon
на замовлення 21500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPP023N10N5Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 120A TO220-3
на замовлення 488 шт:
термін постачання 161-170 дні (днів)
1+410.67 грн
10+ 339.97 грн
25+ 279.72 грн
100+ 239.25 грн
250+ 236.36 грн
500+ 200.22 грн
1000+ 181.42 грн
IPP023N10N5AKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15600 pF @ 50 V
товар відсутній
IPP023N10N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+669.18 грн
21+ 588.47 грн
50+ 553.73 грн
100+ 506.37 грн
200+ 436.03 грн
500+ 385.31 грн
Мінімальне замовлення: 19
IPP023N10N5AKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 375W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IPP023N10N5AKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 120A TO220-3
на замовлення 750 шт:
термін постачання 161-170 дні (днів)
1+520.3 грн
10+ 430.57 грн
25+ 336.1 грн
100+ 290.57 грн
250+ 274.66 грн
500+ 259.49 грн
1000+ 224.07 грн
IPP023N10N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP023N10N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP023N10N5AKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP023N10N5AKSA1 - MOSFET, N-KANAL, 100V, 120A, TO-220-3
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+638.13 грн
10+ 573.26 грн
100+ 470.28 грн
500+ 371.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP023N10N5AKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 375W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IPP023N10N5XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs Y
товар відсутній
IPP023N10N5XKSA1Infineon TechnologiesTRENCH >=100V
товар відсутній
IPP023N10N5XKSA1Infineon TechnologiesIPP023N10N5XKSA1
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+257.62 грн
Мінімальне замовлення: 500
IPP023N10N5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15600 pF @ 50 V
на замовлення 413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+425.34 грн
10+ 275.19 грн
100+ 198.66 грн
IPP023N10N5XKSA1Infineon TechnologiesIPP023N10N5XKSA1
товар відсутній
IPP023NE7N3 GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 120A TO220
товар відсутній
IPP023NE7N3 GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 75V 100A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 302 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+501.74 грн
10+ 415.61 грн
25+ 341.16 грн
100+ 292.73 грн
250+ 276.11 грн
500+ 259.49 грн
1000+ 230.57 грн
IPP023NE7N3GInfineon technologies
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPP023NE7N3GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 273µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14400 pF @ 37.5 V
товар відсутній
IPP023NE7N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IPP023NE7N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+440.11 грн
10+ 401.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP023NE7N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IPP023NE7N3GXKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 75V 100A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+463.8 грн
10+ 428.91 грн
25+ 351.28 грн
100+ 302.13 грн
250+ 284.78 грн
500+ 263.82 грн
IPP023NE7N3GXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP023NE7N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 120 A, 0.0021 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0021ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+107.84 грн
Мінімальне замовлення: 8
IPP023NE7N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 4568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+361.56 грн
10+ 337.73 грн
100+ 294.01 грн
500+ 253.9 грн
1000+ 212.84 грн
2500+ 201.8 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP023NE7N3GXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IPP023NE7N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP023NE7N3GXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 273µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14400 pF @ 37.5 V
на замовлення 460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+469.12 грн
50+ 357.97 грн
100+ 306.83 грн
IPP023NE7N3GXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 50 шт
товар відсутній
IPP023NE7N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+303.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP023NE7N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 4568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+559.78 грн
25+ 503 грн
100+ 412.09 грн
500+ 338.27 грн
1000+ 275.17 грн
Мінімальне замовлення: 22
IPP023NE7N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+107.94 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPP024N06N3GInfineon TechnologiesDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 196µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 30 V
на замовлення 1151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
201+106.93 грн
Мінімальне замовлення: 201
IPP024N06N3GInfineon technologies
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPP024N06N3GHKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP024N06N3GHKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 196µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 30 V
товар відсутній
IPP024N06N3GXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 250W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO220-3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
On-state resistance: 2.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+381.9 грн
3+ 304.93 грн
5+ 212.32 грн
12+ 200.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP024N06N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 7248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
71+173.6 грн
500+ 171.86 грн
1000+ 170.14 грн
2500+ 162.42 грн
Мінімальне замовлення: 71
IPP024N06N3GXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 196µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 30 V
товар відсутній
IPP024N06N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP024N06N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+223.61 грн
Мінімальне замовлення: 500
IPP024N06N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 12250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+144.2 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP024N06N3GXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 250W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO220-3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
On-state resistance: 2.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+458.28 грн
3+ 379.99 грн
5+ 254.79 грн
12+ 240.33 грн
250+ 237.62 грн
IPP024N06N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 7250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+161.95 грн
500+ 160.33 грн
1000+ 158.72 грн
2500+ 151.52 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPP024N06N3GXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 196µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 30 V
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
102+206.47 грн
Мінімальне замовлення: 102
IPP024N06N3GXKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 120A TO220-3
товар відсутній
IPP024N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 28A Tube
на замовлення 996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
74+165.8 грн
85+ 145.77 грн
88+ 139.84 грн
102+ 116.53 грн
250+ 102.66 грн
500+ 94.05 грн
Мінімальне замовлення: 74
IPP024N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 28A Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.99 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPP024N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 28A Tube
на замовлення 1360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
60+207.37 грн
74+ 167.78 грн
100+ 156.31 грн
500+ 133.65 грн
1000+ 115.37 грн
Мінімальне замовлення: 60
IPP024N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 182A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 139µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200 pF @ 40 V
на замовлення 258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+193.9 грн
50+ 147.98 грн
100+ 126.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP024N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N
на замовлення 978 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+242.86 грн
10+ 187.02 грн
25+ 151.79 грн
100+ 114.2 грн
500+ 111.31 грн
1000+ 87.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP024N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 28A Tube
товар відсутній
IPP024N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 28A Tube
на замовлення 256000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+110.07 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IPP024N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 28A Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+60.93 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IPP024N08NF2SAKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP024N08NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 182 A, 0.0021 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 182A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 214W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0021ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+198.65 грн
10+ 179.19 грн
25+ 163.79 грн
100+ 136.28 грн
500+ 109.81 грн
1000+ 86.18 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPP024N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 28A Tube
товар відсутній
IPP026N04NF2SAKMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH PG-TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 121A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 81µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 20 V
на замовлення 994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+115.72 грн
50+ 89.37 грн
100+ 70.83 грн
500+ 56.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP026N04NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP026N04NF2SAKMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 164 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+123.96 грн
10+ 100.58 грн
100+ 67.87 грн
500+ 57.25 грн
1000+ 46.55 грн
2000+ 43.87 грн
5000+ 41.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP026N04NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP026N04NF2SAKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP026N04NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 121 A, 0.0021 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
Dauer-Drainstrom Id: 121A
hazardous: true
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+135.41 грн
10+ 102.16 грн
100+ 76.14 грн
500+ 59.63 грн
Мінімальне замовлення: 6
IPP026N04NF2SAKMA1Infineon TechnologiesSP005632915
товар відсутній
IPP026N10NF2SInfineon TechnologiesIPP026N10NF2S
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+501.72 грн
26+ 480.16 грн
50+ 461.87 грн
100+ 430.26 грн
250+ 386.31 грн
500+ 360.77 грн
1000+ 351.94 грн
Мінімальне замовлення: 25
IPP026N10NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
66+188.39 грн
Мінімальне замовлення: 66
IPP026N10NF2SAKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP026N10NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 184 A, 0.0023 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 184A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+215.68 грн
10+ 154.06 грн
100+ 144.33 грн
500+ 133.27 грн
1000+ 122.32 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPP026N10NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+171.15 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IPP026N10NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP026N10NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 27A Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+104.57 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IPP026N10NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IPP026N10NF2SAKMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 184A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 169µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 50 V
на замовлення 191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+236.13 грн
10+ 150.58 грн
100+ 115.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP026N10NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
67+185.63 грн
Мінімальне замовлення: 67
IPP026N10NF2SAKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N
на замовлення 1014 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+201.54 грн
25+ 189.52 грн
2000+ 119.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP026N10NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+227.5 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IPP026N10NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+207.87 грн
10+ 207.19 грн
25+ 174.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP027N08N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP027N08N5AKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 154µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8970 pF @ 40 V
на замовлення 470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+251.76 грн
10+ 203.29 грн
100+ 164.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP027N08N5AKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 80V 120A TO220-3
товар відсутній
IPP027N08N5AKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 214W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IPP027N08N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP027N08N5AKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 214W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IPP027N08N5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 154µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8970 pF @ 40 V
товар відсутній
IPP027N08N5XKSA1Infineon TechnologiesMOSFET
товар відсутній
IPP028N08N3 GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 80V 100A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+492.47 грн
25+ 384.85 грн
100+ 281.17 грн
500+ 249.37 грн
1000+ 200.94 грн
IPP028N08N3 GInfineon
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPP028N08N3GIFX
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPP028N08N3GHKSA1Rochester Electronics, LLCDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IPP028N08N3GHKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP028N08N3GXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14200 pF @ 40 V
товар відсутній
IPP028N08N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP028N08N3GXKSA1Infineon
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPP028N08N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 12895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+128.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP028N08N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+503.18 грн
10+ 451.11 грн
25+ 421.36 грн
50+ 377.92 грн
100+ 323.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP028N08N3GXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP028N08N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0024 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+520.56 грн
10+ 368.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP029N06NInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 100A TO220-3
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+212.5 грн
10+ 174.56 грн
100+ 120.71 грн
250+ 111.31 грн
500+ 84.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP029N06NInfineon technologies
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPP029N06NAK5A1Infineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 75µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 30 V
товар відсутній
IPP029N06NAKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 136W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.9mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IPP029N06NAKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 24A/100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 75µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 30 V
товар відсутній
IPP029N06NAKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP029N06NAKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP029N06NAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0027 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 136W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0027ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1083 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+191.36 грн
10+ 171.9 грн
25+ 155.68 грн
100+ 128.75 грн
500+ 97.3 грн
1000+ 75.76 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPP029N06NAKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 136W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.9mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IPP029N06NAKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 100A TO220-3
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+218.41 грн
10+ 179.54 грн
100+ 124.32 грн
250+ 122.88 грн
500+ 101.19 грн
1000+ 81.68 грн
5000+ 79.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP029N06NAKSA1
Код товару: 178126
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IPP029N06NAKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP029N06NXKSA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
товар відсутній
IPP029N06NXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+55.07 грн
Мінімальне замовлення: 500
IPP029N06NXKSA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 75µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5125 pF @ 30 V
товар відсутній
IPP029N06NXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP029N06NXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0029 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+238.38 грн
10+ 175.95 грн
100+ 128.92 грн
500+ 109.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPP030N06NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTRENCH 40<-<100V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+33.73 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IPP030N06NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+50.27 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IPP030N06NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP030N06NF2SAKMA1
Код товару: 202348
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IPP030N06NF2SAKMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V PG-TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 119A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.05mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 30 V
на замовлення 676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+106.34 грн
10+ 65.2 грн
100+ 44.21 грн
500+ 36.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP030N06NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
353+34.81 грн
364+ 33.74 грн
500+ 32.47 грн
1000+ 29.83 грн
Мінімальне замовлення: 353
IPP030N06NF2SAKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP030N06NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 119 A, 0.0026 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 119A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+129.73 грн
10+ 98.92 грн
100+ 73.3 грн
500+ 57.67 грн
1000+ 40.8 грн
Мінімальне замовлення: 7
IPP030N06NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+46.18 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IPP030N06NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
248+49.53 грн
Мінімальне замовлення: 248
IPP030N06NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+32.32 грн
100+ 31.33 грн
500+ 29.08 грн
1000+ 25.65 грн
Мінімальне замовлення: 19
IPP030N06NF2SAKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N
на замовлення 883 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+83.91 грн
10+ 66.75 грн
100+ 45.97 грн
500+ 40.04 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPP030N10NINFINEON
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPP030N10N3 GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 100V 100A TO220-3 OptiMOS 3
товар відсутній
IPP030N10N3 GInfineon
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPP030N10N3GHKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14800 pF @ 50 V
товар відсутній
IPP030N10N3GHKSA1Infineon TechnologiesMOSFET MV POWER MOS
товар відсутній
IPP030N10N3GHKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP030N10N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IPP030N10N3GXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP030N10N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0026 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 507 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+398.12 грн
10+ 284.6 грн
100+ 230.28 грн
500+ 202.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP030N10N3GXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+543.91 грн
4+ 351.84 грн
9+ 320.74 грн
IPP030N10N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+546.58 грн
31+ 398.44 грн
50+ 353.49 грн
100+ 320.18 грн
200+ 279.13 грн
500+ 249.57 грн
1000+ 234.69 грн
2000+ 233.81 грн
Мінімальне замовлення: 23
IPP030N10N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+134.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP030N10N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+246.81 грн
10+ 242.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP030N10N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+332.41 грн
10+ 318.48 грн
25+ 282.53 грн
50+ 271.24 грн
100+ 228.43 грн
250+ 208.62 грн
500+ 181.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP030N10N3GXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14800 pF @ 50 V
на замовлення 1078 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+394.85 грн
10+ 254.11 грн
100+ 182.6 грн
500+ 142.67 грн
1000+ 140.34 грн
IPP030N10N3GXKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 100A TO220-3
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+294.3 грн
10+ 237.73 грн
25+ 195.88 грн
100+ 168.41 грн
250+ 166.97 грн
500+ 155.4 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP030N10N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+357.52 грн
36+ 342.54 грн
41+ 303.87 грн
50+ 291.73 грн
100+ 245.68 грн
250+ 224.38 грн
500+ 195.25 грн
Мінімальне замовлення: 35
IPP030N10N3GXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+453.26 грн
4+ 282.34 грн
9+ 267.29 грн
IPP030N10N5Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
товар відсутній
IPP030N10N5AKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 184µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 50 V
товар відсутній
IPP030N10N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP030N10N5AKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 250W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IPP030N10N5AKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP030N10N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0027 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 120
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 250
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: OptiMOS 5
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0027
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товар відсутній
IPP030N10N5AKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 250W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IPP030N10N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP030N10N5AKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 120A TO220-3
товар відсутній
IPP030N10N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+531.26 грн
29+ 437.27 грн
50+ 396.4 грн
100+ 362.54 грн
200+ 311.97 грн
Мінімальне замовлення: 24
IPP030N10N5XKSA1Infineon TechnologiesIPP030N10N5XKSA1
товар відсутній
IPP030N10N5XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs Y
товар відсутній
IPP030N10N5XKSA1Infineon TechnologiesIPP030N10N5XKSA1
товар відсутній
IPP030N10N5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 184µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 50 V
товар відсутній
IPP032N06N3GHKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP032N06N3GHKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 118µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V
товар відсутній
IPP032N06N3GXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 118µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V
на замовлення 1707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+212.67 грн
10+ 133.19 грн
100+ 92.24 грн
500+ 70.1 грн
1000+ 64.8 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP032N06N3GXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 188W; PG-TO220-3
Case: PG-TO220-3
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
On-state resistance: 3.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 188W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+154.06 грн
16+ 57.22 грн
43+ 54.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP032N06N3GXKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 120A TO220-3
на замовлення 1208 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+129.02 грн
10+ 100.58 грн
100+ 69.24 грн
500+ 67.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP032N06N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
132+93.22 грн
147+ 83.45 грн
Мінімальне замовлення: 132
IPP032N06N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP032N06N3GXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP032N06N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0026 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 120
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 188
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 188
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0026
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товар відсутній
IPP032N06N3GXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 188W; PG-TO220-3
Case: PG-TO220-3
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
On-state resistance: 3.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 188W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 43 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+184.87 грн
16+ 71.31 грн
43+ 65.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP032N06N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
180+68.12 грн
193+ 63.66 грн
202+ 60.94 грн
Мінімальне замовлення: 180
IPP032N06N3GXKSA1InfineonTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube IPP032N06N3GXKSA1 IPP032N06N3G TIPP032n06n3g
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 92 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+75.4 грн
Мінімальне замовлення: 10
IPP032N06N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
131+94.3 грн
Мінімальне замовлення: 131
IPP032N06N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+45.11 грн
Мінімальне замовлення: 8
IPP032N06N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 47000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+84.22 грн
Мінімальне замовлення: 500
IPP032N06N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+63.25 грн
11+ 59.11 грн
100+ 56.59 грн
Мінімальне замовлення: 10
IPP032N06N3GXKSA1InfineonN-Channel 60 V 120A (Tc) 188W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
на замовлення 1 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+379.47 грн
IPP032N06N3GXKSA1
Код товару: 192070
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IPP032N06N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+104.66 грн
10+ 86.81 грн
100+ 77.71 грн
Мінімальне замовлення: 6
IPP032N06N3GXKSA1; 120A; 60V; 188W; 0.0029R; N-канальний; HEXFET; Корпус: TO-220; INFINEON (IRF)
на замовлення 16 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
7+106.25 грн
Мінімальне замовлення: 7
IPP033N03LF2SAKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+80.03 грн
10+ 65.42 грн
100+ 44.24 грн
500+ 37.51 грн
1000+ 30.5 грн
2500+ 28.77 грн
5000+ 27.39 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPP033N04NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 25A Tube
товар відсутній
IPP033N04NF2SAKMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+83.91 грн
10+ 67.58 грн
100+ 45.75 грн
500+ 38.81 грн
1000+ 31.51 грн
2000+ 29.71 грн
5000+ 28.33 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPP033N04NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP033N04NF2SAKMA1
Код товару: 202349
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IPP033N04NF2SAKMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH PG-TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 113A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 53µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 20 V
на замовлення 803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+77.41 грн
50+ 59.66 грн
100+ 47.28 грн
500+ 37.61 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPP033N04NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP033N04NF2SAKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP033N04NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 113 A, 0.0026 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
Dauer-Drainstrom Id: 113A
hazardous: true
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+92.44 грн
12+ 71.11 грн
100+ 51.33 грн
500+ 40.43 грн
Мінімальне замовлення: 9
IPP034N03L G
Код товару: 202350
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IPP034N03L GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 80A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+120.59 грн
10+ 93.93 грн
100+ 67.87 грн
250+ 59.7 грн
500+ 55.94 грн
1000+ 55.66 грн
2500+ 55.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP034N03LGInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
437+50.84 грн
Мінімальне замовлення: 437
IPP034N03LGHKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 80A TO220-3
товар відсутній
IPP034N03LGHKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP034N03LGHKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 15 V
товар відсутній
IPP034N03LGXKSA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
товар відсутній
IPP034N03LGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
156+79.02 грн
178+ 69.09 грн
500+ 68.21 грн
Мінімальне замовлення: 156
IPP034N03LGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+76.99 грн
Мінімальне замовлення: 8
IPP034N03LGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
138+88.88 грн
149+ 82.55 грн
158+ 77.65 грн
200+ 70.73 грн
500+ 65.31 грн
Мінімальне замовлення: 138
IPP034N03LGXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 15 V
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+112.59 грн
50+ 86.74 грн
100+ 71.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP034N03LGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+56.59 грн
Мінімальне замовлення: 500
IPP034N03LGXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP034N03LGXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 0.0028 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+132.98 грн
10+ 97.3 грн
100+ 67.22 грн
Мінімальне замовлення: 7
IPP034N03LGXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 80A; 94W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 80A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IPP034N03LGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+92.83 грн
10+ 66.24 грн
100+ 59.31 грн
Мінімальне замовлення: 7
IPP034N03LGXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 80A; 94W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 80A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IPP034N03LGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+41.4 грн
Мінімальне замовлення: 9
IPP034N03LGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
173+70.89 грн
194+ 63.48 грн
Мінімальне замовлення: 173
IPP034N08N5Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
товар відсутній
IPP034N08N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
78+157.33 грн
Мінімальне замовлення: 78
IPP034N08N5AKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP034N08N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 0.003 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+218.11 грн
10+ 158.92 грн
100+ 140.27 грн
500+ 112.94 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPP034N08N5AKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 80V 120A TO220-3
на замовлення 488 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+201.54 грн
10+ 160.43 грн
100+ 108.42 грн
500+ 106.97 грн
1000+ 99.75 грн
2500+ 99.02 грн
5000+ 96.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP034N08N5AKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 167W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IPP034N08N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP034N08N5AKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 167W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IPP034N08N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP034N08N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IPP034N08N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+120.59 грн
10+ 110.21 грн
Мінімальне замовлення: 6
IPP034N08N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+103.33 грн
Мінімальне замовлення: 500
IPP034N08N5AKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 40 V
на замовлення 414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+247.07 грн
10+ 155.78 грн
100+ 108.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP034N08N5XKSA1Infineon TechnologiesIPP034N08N5XKSA1
товар відсутній
IPP034N08N5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 40 V
товар відсутній
IPP034N08N5XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs Y
товар відсутній
IPP034N08N5XKSA1Infineon TechnologiesSP005573713
товар відсутній
IPP034NE7N3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 75V 100A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 560 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+199.85 грн
25+ 136.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP034NE7N3 G
Код товару: 182613
InfineonТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220-3
Uds,V: 75 V
Idd,A: 100 A
Rds(on), Ohm: 3,4 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 6110/88
Монтаж: THT
у наявності 28 шт:
27 шт - склад
1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+124 грн
10+ 113 грн
IPP034NE7N3 GInfineon
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPP034NE7N3GInfineon TechnologiesDescription: IPP034NE7 - 12V-300V N-CHANNEL P
товар відсутній
IPP034NE7N3GInfineon technologies
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPP034NE7N3GHKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP034NE7N3GHKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 75V 100A TO220-3
товар відсутній
IPP034NE7N3GXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 100A; 214W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Case: PG-TO220-3
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 100A
On-state resistance: 3.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 214W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+262.71 грн
3+ 223.3 грн
6+ 186.12 грн
16+ 176.18 грн
250+ 169.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP034NE7N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP034NE7N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+75.73 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPP034NE7N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+159.27 грн
50+ 125.88 грн
100+ 117.01 грн
500+ 107.72 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPP034NE7N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 666500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+148.87 грн
Мінімальне замовлення: 500
IPP034NE7N3GXKSA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
товар відсутній
IPP034NE7N3GXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP034NE7N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 100 A, 0.003 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+218.11 грн
10+ 129.73 грн
100+ 128.92 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPP034NE7N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
66+186.96 грн
78+ 158.36 грн
Мінімальне замовлення: 66
IPP034NE7N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP034NE7N3GXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 155µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8130 pF @ 37.5 V
на замовлення 1425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+186.09 грн
50+ 142.12 грн
100+ 121.81 грн
500+ 111.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP034NE7N3GXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 100A; 214W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Case: PG-TO220-3
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 100A
On-state resistance: 3.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 214W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+218.92 грн
3+ 179.19 грн
6+ 155.1 грн
16+ 146.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP034NE7N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
72+172.42 грн
90+ 136.27 грн
100+ 126.68 грн
500+ 116.61 грн
Мінімальне замовлення: 72
IPP037N06L3 GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 90A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 608 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+154.32 грн
10+ 127.18 грн
100+ 88.18 грн
500+ 80.95 грн
1000+ 59.78 грн
5000+ 57.9 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP037N06L3GHKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP037N06L3GHKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V
товар відсутній
IPP037N06L3GHKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 90A TO220-3
товар відсутній
IPP037N06L3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP037N06L3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 5130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+116.35 грн
10+ 107.69 грн
100+ 91.83 грн
500+ 73.42 грн
1000+ 57.33 грн
2500+ 53.02 грн
5000+ 50.15 грн
Мінімальне замовлення: 6
IPP037N06L3GXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP037N06L3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 0.003 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 167W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.003ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+180 грн
10+ 113.52 грн
100+ 96.49 грн
500+ 76.04 грн
1000+ 62.55 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPP037N06L3GXKSA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
товар відсутній
IPP037N06L3GXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 167W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IPP037N06L3GXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 167W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IPP037N06L3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP037N06L3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 5130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
105+117.09 грн
114+ 108.38 грн
133+ 92.41 грн
500+ 73.89 грн
1000+ 57.7 грн
2500+ 53.35 грн
5000+ 50.47 грн
Мінімальне замовлення: 105
IPP037N06L3GXKSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP037N06L3GXKSA1 - IPP037N06 - 90A, 60V, N-CHANNEL, MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
252+98.92 грн
Мінімальне замовлення: 252
IPP037N06L3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP037N06L3GXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V
товар відсутній
IPP037N08N3 GRochester Electronics, LLCDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IPP037N08N3 GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 80V 100A TO220-3 OptiMOS 3
товар відсутній
IPP037N08N3 G E8181Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 80V 100A TO220-3
товар відсутній
IPP037N08N3GRochester Electronics, LLCDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
на замовлення 144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IPP037N08N3GInfineon technologies
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPP037N08N3GE8181XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.75mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 155µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8110 pF @ 40 V
товар відсутній
IPP037N08N3GHKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.75mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 155µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8110 pF @ 40 V
товар відсутній
IPP037N08N3GXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 214W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+158.11 грн
8+ 121.22 грн
20+ 114.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP037N08N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
70+175.72 грн
83+ 148.14 грн
100+ 139.97 грн
200+ 133.98 грн
500+ 112.2 грн
Мінімальне замовлення: 70
IPP037N08N3GXKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 80V 100A TO220-3
на замовлення 3210 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+202.38 грн
10+ 195.34 грн
25+ 144.56 грн
100+ 123.6 грн
500+ 109.87 грн
1000+ 88.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP037N08N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
60+206.72 грн
Мінімальне замовлення: 60
IPP037N08N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+142.42 грн
10+ 139.78 грн
25+ 124.97 грн
100+ 108 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPP037N08N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+191.96 грн
10+ 188.2 грн
25+ 160.75 грн
50+ 154.72 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPP037N08N3GXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP037N08N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0028 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1361 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+219.74 грн
10+ 165.41 грн
100+ 141.08 грн
500+ 116.7 грн
1000+ 89.66 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPP037N08N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.94 грн
Мінімальне замовлення: 6
IPP037N08N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
72+170.62 грн
83+ 148.14 грн
100+ 140.99 грн
200+ 134.97 грн
500+ 115.85 грн
1000+ 105.08 грн
Мінімальне замовлення: 72
IPP037N08N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
80+154.83 грн
81+ 151.96 грн
91+ 135.85 грн
101+ 117.42 грн
Мінімальне замовлення: 80
IPP037N08N3GXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 214W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+227.68 грн
3+ 197.03 грн
8+ 145.46 грн
20+ 137.33 грн
250+ 135.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP037N08N3GXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.75mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 155µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8110 pF @ 40 V
на замовлення 1865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+260.36 грн
10+ 164.51 грн
100+ 115.33 грн
500+ 88.45 грн
1000+ 82.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP039N04L GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 80A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 255 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+113 грн
10+ 89.77 грн
100+ 61.73 грн
500+ 57.82 грн
1000+ 47.42 грн
5000+ 45.18 грн
10000+ 43.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP039N04LGHKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP039N04LGHKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V
товар відсутній
IPP039N04LGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP039N04LGXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP039N04LGXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 0.0031 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1782 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+128.92 грн
10+ 96.49 грн
100+ 72.25 грн
500+ 62.87 грн
1000+ 47.54 грн
Мінімальне замовлення: 7
IPP039N04LGXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V
на замовлення 426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+105.55 грн
50+ 81.62 грн
100+ 64.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP039N04LGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IPP039N04LGXKSA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
товар відсутній
IPP039N04LGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP039N04LGXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; 94W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Case: PG-TO220-3
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 80A
On-state resistance: 3.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 94W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+99.25 грн
10+ 75.06 грн
18+ 59.63 грн
49+ 56.02 грн
500+ 54.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP039N04LGXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; 94W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Case: PG-TO220-3
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 80A
On-state resistance: 3.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 94W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+82.7 грн
10+ 60.23 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPP039N04LGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+85.74 грн
10+ 73.22 грн
100+ 61.4 грн
Мінімальне замовлення: 8
IPP039N04LGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+36.34 грн
Мінімальне замовлення: 10
IPP039N04LGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 31000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+49.92 грн
Мінімальне замовлення: 500
IPP039N04LGXKSA1
Код товару: 202351
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IPP039N10N5Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH >=100V
товар відсутній
IPP039N10N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP039N10N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP039N10N5AKSA1Infineon TechnologiesOptiMOS 5 Power-Transistor, 100 V
товар відсутній
IPP039N10N5AKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs DIFFERENTIATED MOSFETS
на замовлення 126 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+346.58 грн
10+ 320.02 грн
25+ 188.65 грн
100+ 161.91 грн
250+ 153.23 грн
500+ 140.22 грн
1000+ 119.98 грн
IPP039N10N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 138000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+189.23 грн
Мінімальне замовлення: 500
IPP039N10N5AKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP039N10N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0032 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+295.95 грн
10+ 212.44 грн
100+ 172.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP039N10N5AKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 125µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 50 V
товар відсутній
IPP039N10N5XKSA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH >=100V
товар відсутній
IPP039N10N5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MV POWER MOS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 125µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 50 V
товар відсутній
IPP039N10N5XKSA1Infineon TechnologiesIPP039N10N5XKSA1
товар відсутній
IPP03N03LAInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 80A TO220-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7027 pF @ 15 V
товар відсутній
IPP03N03LAGINFINEON08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPP03N03LB GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7624 pF @ 15 V
товар відсутній
IPP03N03LB GInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товар відсутній
IPP03N03LBGinfineon08+
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPP0400NInfineon TechnologiesDescription: IPP0400N
Packaging: Bulk
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
544+40.7 грн
Мінімальне замовлення: 544
IPP0400NXKSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP0400NXKSA1 - IPP0400 - N-CHANNEL MOSFET
tariffCode: 85412900
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
524+46.87 грн
Мінімальне замовлення: 524
IPP0400NXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IPP0400 - N-Channel MOSFET
Packaging: Bulk
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
544+40.7 грн
Мінімальне замовлення: 544
IPP040N06N
Код товару: 202352
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IPP040N06NInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 80A TO220-3
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+156.85 грн
10+ 128.84 грн
100+ 89.63 грн
250+ 84.57 грн
500+ 71.27 грн
1000+ 63.75 грн
2500+ 60.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP040N06N3 GInfineon
на замовлення 147000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPP040N06N3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 90A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 155 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+166.12 грн
10+ 136.32 грн
100+ 93.96 грн
250+ 86.74 грн
500+ 78.79 грн
1000+ 67.22 грн
2500+ 64.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP040N06N3GInfineon TechnologiesDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V
товар відсутній
IPP040N06N3GInfineon technologies
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPP040N06N3GHKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP040N06N3GHKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V
товар відсутній
IPP040N06N3GXKInfineon technologies
на замовлення 424 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPP040N06N3GXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 188W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 188W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 563 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+102.27 грн
10+ 90.35 грн
13+ 85.83 грн
34+ 81.32 грн
250+ 77.7 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP040N06N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+86.47 грн
10+ 77.81 грн
100+ 61.44 грн
Мінімальне замовлення: 8
IPP040N06N3GXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 188W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 188W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 563 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+82.07 грн
10+ 75.29 грн
13+ 71.53 грн
34+ 67.76 грн
250+ 64.75 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPP040N06N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP040N06N3GXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+201.72 грн
10+ 125.89 грн
100+ 86.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP040N06N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
132+93.26 грн
147+ 83.93 грн
185+ 66.28 грн
Мінімальне замовлення: 132
IPP040N06N3GXKSA1InfineonТранзистор польовий OptiMOS N-HEXFET TO220AB Udss=60В; Id=90A; Pdmax=188W; Rds=0,0037 Ohm; Ugs=+-20В; -55C...+175C
на замовлення 80 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
3+116.76 грн
10+ 97.58 грн
100+ 86.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP040N06N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.69 грн
Мінімальне замовлення: 9
IPP040N06N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 111000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+78.87 грн
Мінімальне замовлення: 500
IPP040N06N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP040N06N3GXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP040N06N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 0.0033 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+119.19 грн
10+ 97.3 грн
100+ 69.89 грн
Мінімальне замовлення: 7
IPP040N06N3GXKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 90A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 673 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+150.94 грн
10+ 114.71 грн
100+ 86.74 грн
250+ 81.68 грн
500+ 78.79 грн
1000+ 62.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP040N06N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
174+70.59 грн
183+ 67.33 грн
205+ 60.07 грн
213+ 55.66 грн
500+ 51.45 грн
1000+ 45.98 грн
Мінімальне замовлення: 174
IPP040N06N3GXKSA1 транзистор
Код товару: 202066
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IPP040N06NAKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 20A/80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 30 V
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+193.12 грн
10+ 120.09 грн
100+ 82.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP040N06NAKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+86.65 грн
10+ 79.1 грн
100+ 72.23 грн
500+ 62.96 грн
Мінімальне замовлення: 8
IPP040N06NAKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 107W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 107W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IPP040N06NAKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.44 грн
Мінімальне замовлення: 8
IPP040N06NAKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP040N06NAKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP040N06NAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0036 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+174.33 грн
10+ 128.92 грн
100+ 96.49 грн
500+ 76.04 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPP040N06NAKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 80A TO220-3
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+184.68 грн
10+ 133 грн
100+ 82.4 грн
500+ 75.89 грн
1000+ 67.22 грн
2500+ 66.93 грн
5000+ 65.7 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP040N06NAKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+73.58 грн
Мінімальне замовлення: 500
IPP040N06NAKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
95+129.75 грн
102+ 120.55 грн
120+ 102.16 грн
200+ 93.2 грн
Мінімальне замовлення: 95
IPP040N06NAKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 107W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 107W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IPP040N06NAKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
132+92.93 грн
145+ 84.84 грн
159+ 77.47 грн
500+ 67.53 грн
Мінімальне замовлення: 132
IPP040N06NF2SAKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP040N06NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 109 A, 0.0035 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 109A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+109.46 грн
10+ 84.33 грн
100+ 61.7 грн
500+ 48.49 грн
Мінімальне замовлення: 8
IPP040N06NF2SAKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N
на замовлення 1119 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+115.53 грн
10+ 85.62 грн
100+ 52.98 грн
500+ 46.55 грн
1000+ 39.18 грн
2000+ 35.34 грн
5000+ 33.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP040N06NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP040N06NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+62.62 грн
100+ 52.8 грн
500+ 46.26 грн
1000+ 36.41 грн
Мінімальне замовлення: 50
IPP040N06NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+50.24 грн
14+ 46.61 грн
100+ 42.19 грн
500+ 37.48 грн
Мінімальне замовлення: 13
IPP040N06NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
245+50.19 грн
270+ 45.43 грн
500+ 41.85 грн
Мінімальне замовлення: 245
IPP040N06NF2SAKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 109A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 52µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 30 V
на замовлення 305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+129.01 грн
10+ 79.06 грн
100+ 53.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP040N06NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
183+67.08 грн
217+ 56.56 грн
500+ 49.55 грн
1000+ 39 грн
Мінімальне замовлення: 183
IPP040N06NF2SAKMA1
Код товару: 202353
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IPP040N06NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTRENCH 40<-<100V
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+28.33 грн
Мінімальне замовлення: 50
IPP040N06NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 49000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+42.3 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IPP040N06NXKSA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3375 pF @ 30 V
товар відсутній
IPP040N06NXKSA1Infineon TechnologiesIPP040N06NXKSA1
товар відсутній
IPP040N06NXKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs Y
товар відсутній
IPP040N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 22A Tube
на замовлення 377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
132+93.06 грн
134+ 91.5 грн
200+ 85.91 грн
Мінімальне замовлення: 132
IPP040N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 22A Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+62.57 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IPP040N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N
на замовлення 1105 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+86.01 грн
10+ 80.38 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPP040N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 22A Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
121+101.51 грн
200+ 98.57 грн
750+ 96.36 грн
Мінімальне замовлення: 121
IPP040N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 22A Tube
товар відсутній
IPP040N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 22A Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
168+73.12 грн
Мінімальне замовлення: 168
IPP040N08NF2SAKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP040N08NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 115 A, 0.0036 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+131.36 грн
10+ 107.84 грн
25+ 96.49 грн
100+ 78.3 грн
500+ 63.94 грн
Мінімальне замовлення: 7
IPP040N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 22A Tube
на замовлення 208000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+87.71 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IPP040N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 115A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 40 V
на замовлення 809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+121.19 грн
50+ 93.54 грн
100+ 76.97 грн
500+ 65.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP040N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 22A Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+85.28 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IPP040N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 22A Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+67.89 грн
Мінімальне замовлення: 9
IPP041N04N GInfineon
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPP041N04N GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 80A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 886 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+98.66 грн
10+ 78.88 грн
100+ 54.14 грн
500+ 49.95 грн
1000+ 35.06 грн
5000+ 33.39 грн
10000+ 33.18 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPP041N04NGInfineon technologies
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPP041N04NGHKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
товар відсутній
IPP041N04NGHKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 80A TO220-3
товар відсутній
IPP041N04NGHKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP041N04NGXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 20 V
на замовлення 415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+127.45 грн
10+ 78.08 грн
100+ 52.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP041N04NGXKSA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
товар відсутній
IPP041N04NGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP041N04NGXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP041N04NGXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 0.0033 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+111.08 грн
10+ 84.33 грн
100+ 62.19 грн
Мінімальне замовлення: 8
IPP041N04NGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
176+69.96 грн
207+ 59.24 грн
500+ 52.47 грн
Мінімальне замовлення: 176
IPP041N04NGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+29.09 грн
Мінімальне замовлення: 12
IPP041N04NGXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; 94W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 80A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.1mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IPP041N04NGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP041N04NGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+75.8 грн
10+ 65.27 грн
100+ 55.27 грн
500+ 47.2 грн
Мінімальне замовлення: 9
IPP041N04NGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 773500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+45.38 грн
Мінімальне замовлення: 500
IPP041N04NGXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; 94W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 80A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.1mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IPP041N12N3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 120V 120A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 5007 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+348.27 грн
10+ 288.43 грн
25+ 236.36 грн
100+ 203.11 грн
250+ 191.54 грн
500+ 179.25 грн
1000+ 153.96 грн
IPP041N12N3GInfineon technologies
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPP041N12N3GXKInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 120V 120A TO220-3 OptiMOS 3
товар відсутній
IPP041N12N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+307.45 грн
10+ 288.78 грн
25+ 283.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP041N12N3GXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 120A; 300W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Drain current: 120A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 120V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: PG-TO220-3
On-state resistance: 4.1mΩ
Power dissipation: 300W
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IPP041N12N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+304.45 грн
Мінімальне замовлення: 41
IPP041N12N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+629.42 грн
28+ 440.81 грн
50+ 390.78 грн
100+ 360.75 грн
200+ 314.49 грн
500+ 272.43 грн
1000+ 247.42 грн
Мінімальне замовлення: 20
IPP041N12N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+270.94 грн
10+ 256.77 грн
25+ 252.46 грн
100+ 218.67 грн
500+ 194.08 грн
1000+ 175.5 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP041N12N3GXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 120V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 60 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+376.08 грн
10+ 241.54 грн
100+ 173.09 грн
500+ 134.95 грн
IPP041N12N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP041N12N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IPP041N12N3GXKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 120V 120A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 841 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+387.9 грн
10+ 274.3 грн
25+ 170.58 грн
100+ 144.56 грн
IPP041N12N3GXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP041N12N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 120 A, 0.0035 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1527 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+374.6 грн
10+ 266.76 грн
100+ 234.33 грн
500+ 216.84 грн
1000+ 199.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP041N12N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1069 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+126.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP041N12N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+272.67 грн
48+ 258.41 грн
49+ 254.07 грн
100+ 220.07 грн
500+ 195.32 грн
1000+ 176.63 грн
Мінімальне замовлення: 45
IPP041N12N3GXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 120A; 300W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Drain current: 120A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 120V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: PG-TO220-3
On-state resistance: 4.1mΩ
Power dissipation: 300W
товар відсутній
IPP042N03L GInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IPP042N03L GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 80A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 11433 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+111.31 грн
10+ 89.77 грн
100+ 61.08 грн
500+ 37.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPP042N03LGINFINEONTO-220 0741+
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPP042N03LGInfineon TechnologiesDescription: IPP042N03 - 12V-300V N-CHANNEL P
на замовлення 71180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IPP042N03LGHKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 70A TO220-3
товар відсутній
IPP042N03LGHKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 70A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 15 V
товар відсутній
IPP042N03LGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+83.05 грн
10+ 71.13 грн
50+ 69.76 грн
100+ 56.11 грн
Мінімальне замовлення: 8
IPP042N03LGXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 70A; 79W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 70A
Power dissipation: 79W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 51 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+101.19 грн
5+ 87.26 грн
17+ 64.15 грн
45+ 60.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP042N03LGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP042N03LGXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP042N03LGXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 0.0035 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+122.44 грн
10+ 92.44 грн
100+ 68.84 грн
500+ 33.88 грн
1000+ 30.51 грн
2000+ 29.75 грн
Мінімальне замовлення: 7
IPP042N03LGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+32.89 грн
Мінімальне замовлення: 11
IPP042N03LGXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 70A; 79W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 70A
Power dissipation: 79W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+84.33 грн
6+ 70.02 грн
17+ 53.46 грн
45+ 50.45 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPP042N03LGXKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 80A TO220-3 OptiMOS 3
товар відсутній
IPP042N03LGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP042N03LGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
161+76.19 грн
165+ 74.73 грн
197+ 62.33 грн
Мінімальне замовлення: 161
IPP042N03LGXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 70A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 15 V
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+105.55 грн
10+ 83.35 грн
100+ 64.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP044N03LF2SAKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N
на замовлення 2958 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+68.22 грн
10+ 55.61 грн
100+ 37.59 грн
500+ 31.88 грн
1000+ 25.95 грн
2500+ 24.43 грн
5000+ 23.27 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPP045N10N3 GInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
63+194.63 грн
66+ 187.22 грн
100+ 180.86 грн
250+ 169.11 грн
500+ 152.32 грн
Мінімальне замовлення: 63
IPP045N10N3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 100A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 4883 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+232.74 грн
10+ 192.84 грн
25+ 158.29 грн
100+ 135.89 грн
250+ 133 грн
500+ 112.76 грн
1000+ 102.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP045N10N3 GInfineon
на замовлення 86450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPP045N10N3GInfineon technologies
на замовлення 254 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPP045N10N3GInfineon TechnologiesDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 137A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8410 pF @ 50 V
товар відсутній
IPP045N10N3GHKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP045N10N3GHKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8410 pF @ 50 V
товар відсутній
IPP045N10N3GXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP045N10N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0039 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+221.36 грн
10+ 129.73 грн
100+ 121.62 грн
500+ 103.15 грн
1000+ 94.52 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPP045N10N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 3795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
154+79.9 грн
Мінімальне замовлення: 154
IPP045N10N3GXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 214W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+207.25 грн
3+ 178.27 грн
9+ 131.91 грн
23+ 124.68 грн
250+ 122.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP045N10N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+96.23 грн
10+ 95.93 грн
25+ 90.47 грн
Мінімальне замовлення: 7
IPP045N10N3GXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 214W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+143.05 грн
9+ 109.93 грн
23+ 103.9 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP045N10N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+121.35 грн
Мінімальне замовлення: 500
IPP045N10N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IPP045N10N3GXKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 100A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 6695 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+215.03 грн
10+ 158.76 грн
25+ 129.38 грн
100+ 108.42 грн
500+ 96.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP045N10N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
97+126.68 грн
100+ 123.62 грн
Мінімальне замовлення: 97
IPP045N10N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.33 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPP045N10N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 3795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+154.52 грн
10+ 151.83 грн
25+ 122.38 грн
100+ 114.79 грн
500+ 98.46 грн
1000+ 63.15 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPP045N10N3GXKSA1InfineonTrans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive IPP045N10N3GXKSA1 IPP045N10N3G TIPP045n10n3g
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+136.43 грн
Мінімальне замовлення: 10
IPP045N10N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP045N10N3GXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8410 pF @ 50 V
на замовлення 2509 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+244.73 грн
10+ 154.72 грн
100+ 108.89 грн
500+ 87.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP045N10N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
103+119.53 грн
106+ 116.47 грн
Мінімальне замовлення: 103
IPP048N04N G
Код товару: 83952
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IPP048N04N GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 70A TO220-3 OptiMOS 3
товар відсутній
IPP048N04NGInfineon TechnologiesDescription: IPP048N04 - 12V-300V N-CHANNEL P
товар відсутній
IPP048N04NGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
189+65.16 грн
Мінімальне замовлення: 189
IPP048N04NGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+36.77 грн
Мінімальне замовлення: 10
IPP048N04NGXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 70A; 79W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 70A
Power dissipation: 79W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.8mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IPP048N04NGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 6500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+57.1 грн
Мінімальне замовлення: 500
IPP048N04NGXKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 70A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+121.43 грн
10+ 99.75 грн
100+ 69.24 грн
250+ 63.68 грн
500+ 55.87 грн
1000+ 54.79 грн
2500+ 54.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP048N04NGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+60.8 грн
500+ 60.19 грн
Мінімальне замовлення: 10
IPP048N04NGXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 70A; 79W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 70A
Power dissipation: 79W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.8mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IPP048N04NGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP048N04NGXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 70A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
товар відсутній
IPP048N04NGXKSA1
Код товару: 202354
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IPP048N06L GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 30 V
товар відсутній
IPP048N06LGinfineon08+
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPP048N06LGINFINEON
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPP048N12N3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 120V 100A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 417 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+247.92 грн
10+ 242.72 грн
25+ 160.46 грн
100+ 150.34 грн
500+ 149.62 грн
1000+ 127.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP048N12N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 24500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+188.87 грн
Мінімальне замовлення: 500
IPP048N12N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+212.5 грн
10+ 201.8 грн
25+ 200.82 грн
50+ 189.18 грн
100+ 164.6 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP048N12N3GXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 120A; 300W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Case: PG-TO220-3
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 120A
On-state resistance: 4.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 64 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+237.41 грн
3+ 212.04 грн
7+ 168.95 грн
18+ 159.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP048N12N3GXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 120V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 182 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 60 V
на замовлення 1405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+340.9 грн
10+ 275.87 грн
100+ 223.15 грн
500+ 186.15 грн
1000+ 159.39 грн
IPP048N12N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+460.72 грн
30+ 411.29 грн
31+ 401.94 грн
50+ 378.66 грн
100+ 293.72 грн
500+ 225.34 грн
Мінімальне замовлення: 27
IPP048N12N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP048N12N3GXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 120A; 300W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Case: PG-TO220-3
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 120A
On-state resistance: 4.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+170.16 грн
7+ 140.8 грн
18+ 133.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP048N12N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+273.61 грн
10+ 251.21 грн
25+ 248.23 грн
50+ 230.07 грн
100+ 193.73 грн
250+ 171.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP048N12N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP048N12N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+275.36 грн
49+ 252.81 грн
50+ 249.81 грн
52+ 231.54 грн
100+ 194.97 грн
250+ 172.23 грн
Мінімальне замовлення: 45
IPP048N12N3GXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP048N12N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 100 A, 0.0041 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+309.74 грн
10+ 215.68 грн
100+ 201.9 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP048N12N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
54+228.85 грн
57+ 216.26 грн
59+ 203.73 грн
100+ 177.26 грн
Мінімальне замовлення: 54
IPP048N12N3GXKSA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH >=100V
товар відсутній
IPP048N12N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IPP048N12N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+110.47 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPP048N12N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+146.25 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPP04CN10NGINFINEON07+ DIP
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPP04CN10NGInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
товар відсутній
IPP04CN10NGHKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP04CN10NGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP04CN10NGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP04CN10NGXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 158nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IPP04CN10NGXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MV POWER MOS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 50 V
товар відсутній
IPP04CN10NGXKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 100V 100A TO220-3
на замовлення 501 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+453.68 грн
10+ 401.48 грн
100+ 286.23 грн
500+ 232.74 грн
IPP04CN10NGXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 158nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IPP04N03LAINFINEON09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPP04N03LAInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3877 pF @ 15 V
товар відсутній
IPP04N03LB GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5203 pF @ 15 V
товар відсутній
IPP04N03LBGINF07+;
на замовлення 17600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPP04N03LBGXKInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
IPP050N03LF2SAKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 50A TO220-3
Packaging: Tube
товар відсутній
IPP050N03LF2SAKSA1Infineon TechnologiesIPP050N03LF2SAKSA1
товар відсутній
IPP050N03LF2SAKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N
на замовлення 4970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+68.22 грн
10+ 59.93 грн
100+ 35.56 грн
500+ 29.71 грн
1000+ 25.3 грн
2500+ 22.91 грн
5000+ 21.25 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPP050N06N GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 30 V
товар відсутній
IPP050N10NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 19.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
98+125.66 грн
Мінімальне замовлення: 98
IPP050N10NF2SAKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP050N10NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 0.0045 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: StrongIRFET 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+144.33 грн
10+ 104.6 грн
100+ 103.79 грн
Мінімальне замовлення: 6
IPP050N10NF2SAKMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.4A (Ta), 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 84µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 50 V
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+159.5 грн
10+ 99.69 грн
100+ 69.18 грн
500+ 63.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP050N10NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 19.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP050N10NF2SAKMA1
Код товару: 188954
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IPP050N10NF2SAKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N
на замовлення 782 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+131.55 грн
10+ 104.73 грн
100+ 74.45 грн
500+ 70.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP050N10NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 19.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+70.13 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IPP050N10NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 19.4A Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+61.22 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IPP050N10NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 19.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP050N10NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 19.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
163+75.24 грн
Мінімальне замовлення: 163
IPP051N15N5Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
товар відсутній
IPP051N15N5AKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 115A; Idm: 480A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 115A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.1mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IPP051N15N5AKSA1
Код товару: 197743
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IPP051N15N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1763 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+556.5 грн
10+ 450.22 грн
25+ 391.64 грн
100+ 301.8 грн
250+ 278.69 грн
500+ 232.4 грн
1000+ 206.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP051N15N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1613 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+193.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP051N15N5AKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 115A; Idm: 480A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 115A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.1mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IPP051N15N5AKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N
на замовлення 8500 шт:
термін постачання 203-212 дні (днів)
1+521.14 грн
10+ 415.61 грн
25+ 314.42 грн
100+ 251.53 грн
250+ 250.81 грн
500+ 217.56 грн
1000+ 193.71 грн
IPP051N15N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1761 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+367.66 грн
Мінімальне замовлення: 34
IPP051N15N5AKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP051N15N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 120 A, 0.004 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 120
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: OptiMOS 5
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.004
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товар відсутній
IPP051N15N5AKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 264µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 75 V
товар відсутній
IPP051N15N5XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs Y
товар відсутній
IPP051N15N5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP051N15N5XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 120 A, 0.0051 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0051ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+416.77 грн
10+ 364.06 грн
100+ 301.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP051N15N5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 264µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 75 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+452.71 грн
10+ 293.86 грн
IPP051N15N5XKSA1Infineon TechnologiesIPP051N15N5XKSA1
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+408.66 грн
50+ 402.53 грн
500+ 386.18 грн
Мінімальне замовлення: 30
IPP051N15N5XKSA1Infineon TechnologiesIPP051N15N5XKSA1
товар відсутній
IPP051N15N5XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP052N06L3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 80A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 435 шт:
термін постачання 161-170 дні (днів)
3+129.02 грн
10+ 106.4 грн
100+ 73 грн
250+ 67.87 грн
500+ 61.87 грн
1000+ 53.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP052N06L3GInfineon technologies
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPP052N06L3GHKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 58µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 30 V
товар відсутній
IPP052N06L3GHKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP052N06L3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP052N06L3GXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 115W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Case: PG-TO220-3
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
On-state resistance: 5.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 115W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+79.06 грн
10+ 70.02 грн
15+ 60.99 грн
40+ 57.97 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPP052N06L3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+29.43 грн
Мінімальне замовлення: 12
IPP052N06L3GXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 115W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Case: PG-TO220-3
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
On-state resistance: 5.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 115W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+98.52 грн
10+ 84.03 грн
15+ 73.18 грн
40+ 69.57 грн
250+ 67.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP052N06L3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
114+107.93 грн
115+ 107.49 грн
139+ 88.4 грн
500+ 72.03 грн
Мінімальне замовлення: 114
IPP052N06L3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+122.68 грн
10+ 100.63 грн
50+ 100.22 грн
100+ 79.48 грн
500+ 62.18 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPP052N06L3GXKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 80A TO220-3 OptiMOS 3
товар відсутній
IPP052N06L3GXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 58µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 30 V
товар відсутній
IPP052N06L3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP052N06L3GXKSA1
Код товару: 202355
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IPP052N06L3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
112+110.34 грн
122+ 100.73 грн
150+ 81.94 грн
200+ 73.89 грн
500+ 68.23 грн
1000+ 58.24 грн
Мінімальне замовлення: 112
IPP052N06L3GXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP052N06L3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0042 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+141.08 грн
10+ 107.84 грн
100+ 76.95 грн
500+ 64.45 грн
1000+ 48.44 грн
Мінімальне замовлення: 6
IPP052N08N5Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
товар відсутній
IPP052N08N5Infineon
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPP052N08N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
58+214.67 грн
71+ 174.02 грн
100+ 162.56 грн
Мінімальне замовлення: 58
IPP052N08N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+114.21 грн
10+ 107.37 грн
100+ 95.6 грн
250+ 91.39 грн
Мінімальне замовлення: 6
IPP052N08N5AKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 66µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3770 pF @ 40 V
на замовлення 4313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+152.47 грн
10+ 95.47 грн
100+ 65.96 грн
500+ 59.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP052N08N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
64+193.46 грн
100+ 155.47 грн
500+ 127.73 грн
Мінімальне замовлення: 64
IPP052N08N5AKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 80A; 125W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 80A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IPP052N08N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IPP052N08N5AKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP052N08N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 A, 0.0046 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+132.98 грн
10+ 98.92 грн
100+ 77.27 грн
Мінімальне замовлення: 7
IPP052N08N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP052N08N5AKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 80V 80A TO220-3
на замовлення 534 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+120.59 грн
10+ 95.59 грн
100+ 68.59 грн
500+ 64.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP052N08N5AKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 80A; 125W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 80A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IPP052N08N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.93 грн
Мінімальне замовлення: 7
IPP052N08N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+122.99 грн
107+ 115.63 грн
120+ 102.96 грн
250+ 98.42 грн
Мінімальне замовлення: 100
IPP052NE7N3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 75V 80A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 184 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+218.41 грн
10+ 213.62 грн
25+ 148.9 грн
100+ 127.94 грн
500+ 112.03 грн
1000+ 91.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP052NE7N3 GInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
товар відсутній
IPP052NE7N3GInfineon technologies
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPP052NE7N3GInfineon TechnologiesDescription: IPP052NE7 - 12V-300V N-CHANNEL P
товар відсутній
IPP052NE7N3GHKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 91µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 37.5 V
товар відсутній
IPP052NE7N3GHKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP052NE7N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
107+115.31 грн
Мінімальне замовлення: 107
IPP052NE7N3GXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP052NE7N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 0.0052 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 8882 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+238.38 грн
10+ 167.03 грн
100+ 142.71 грн
500+ 99.38 грн
1000+ 74.36 грн
2000+ 70.89 грн
5000+ 67 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPP052NE7N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP052NE7N3GXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 150W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+191.36 грн
8+ 116.7 грн
21+ 110.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP052NE7N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 6500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+114.45 грн
Мінімальне замовлення: 500
IPP052NE7N3GXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 150W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 98 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+229.63 грн
8+ 145.43 грн
21+ 132.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP052NE7N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IPP052NE7N3GXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 91µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 37.5 V
на замовлення 4982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+204.07 грн
50+ 156.03 грн
100+ 133.75 грн
500+ 111.57 грн
1000+ 95.53 грн
2000+ 89.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP052NE7N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP052NE7N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+107.09 грн
Мінімальне замовлення: 6
IPP052NE7N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+52.96 грн
Мінімальне замовлення: 7
IPP054NE8NGHKSA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 85V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12100 pF @ 40 V
товар відсутній
IPP055N03L GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 50A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 605 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+93.6 грн
10+ 75.14 грн
100+ 50.89 грн
500+ 43.01 грн
1000+ 35.06 грн
2500+ 33.03 грн
5000+ 31.44 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPP055N03LGinfineon08+
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPP055N03LGHKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP055N03LGHKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 50A TO220-3
товар відсутній
IPP055N03LGHKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP055N03LGHKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 50A TO-220-3
товар відсутній
IPP055N03LGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP055N03LGXKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 50A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 369 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+106.25 грн
10+ 83.12 грн
100+ 56.23 грн
500+ 38.16 грн
1000+ 37.87 грн
25000+ 37.66 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPP055N03LGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+27.32 грн
Мінімальне замовлення: 13
IPP055N03LGXKSA1
Код товару: 202356
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IPP055N03LGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP055N03LGXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 15 V
товар відсутній
IPP055N03LGXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP055N03LGXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 0.0046 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+102.98 грн
11+ 75.33 грн
100+ 55.14 грн
500+ 43.67 грн
Мінімальне замовлення: 8
IPP055N03LGXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; 68W; PG-TO220-3-1
Mounting: THT
Case: PG-TO220-3-1
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 5.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 68W
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+93.41 грн
10+ 70.37 грн
24+ 44.63 грн
65+ 42.28 грн
500+ 40.66 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPP055N03LGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IPP055N03LGXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; 68W; PG-TO220-3-1
Mounting: THT
Case: PG-TO220-3-1
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 5.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 68W
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+77.84 грн
Мінімальне замовлення: 6
IPP055N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 55µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 40 V
на замовлення 363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+134.48 грн
10+ 83.35 грн
100+ 57.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP055N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 18.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
125+98.38 грн
135+ 91.34 грн
152+ 80.71 грн
200+ 73.49 грн
500+ 67.87 грн
1000+ 59.99 грн
Мінімальне замовлення: 125
IPP055N08NF2SAKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP055N08NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 99 A, 0.0048 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: StrongIRFET 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+91.62 грн
12+ 68.76 грн
Мінімальне замовлення: 9
IPP055N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 18.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP055N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 18.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+58.69 грн
12+ 55.13 грн
100+ 51.72 грн
500+ 49.6 грн
Мінімальне замовлення: 11
IPP055N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 105-114 дні (днів)
3+113 грн
10+ 81.21 грн
100+ 55.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP055N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 18.5A Tube
товар відсутній
IPP055N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 18.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
194+63.2 грн
207+ 59.37 грн
221+ 55.7 грн
500+ 53.41 грн
Мінімальне замовлення: 194
IPP055N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 18.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 272000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+69.54 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IPP057N06N3
Код товару: 113416
InfineonТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 60 V
Idd,A: 80 A
Rds(on), Ohm: 5,4 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 5000/61
Монтаж: THT
товар відсутній
1+22.5 грн
10+ 20.9 грн
IPP057N06N3 GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 80A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 1266 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+134.08 грн
10+ 109.72 грн
100+ 75.89 грн
250+ 73.73 грн
500+ 63.82 грн
1000+ 54.64 грн
2500+ 51.9 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP057N06N3GHKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP057N06N3GHKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 58µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 30 V
товар відсутній
IPP057N06N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IPP057N06N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP057N06N3GXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 58µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 30 V
на замовлення 494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+123.54 грн
50+ 95.76 грн
100+ 78.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP057N06N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+74.49 грн
10+ 64.61 грн
100+ 59.94 грн
250+ 57.46 грн
Мінімальне замовлення: 9
IPP057N06N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP057N06N3GXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 115W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 115W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 233 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+105.08 грн
10+ 89.45 грн
15+ 73.18 грн
40+ 69.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP057N06N3GXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 115W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 115W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 233 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+84.33 грн
10+ 74.54 грн
15+ 60.99 грн
40+ 57.97 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPP057N06N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
272+45.23 грн
285+ 43.15 грн
289+ 42.52 грн
Мінімальне замовлення: 272
IPP057N06N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP057N06N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IPP057N06N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP057N06N3GXKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 80A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+134.08 грн
10+ 110.55 грн
100+ 76.62 грн
250+ 72.28 грн
500+ 63.82 грн
1000+ 51.9 грн
2500+ 50.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP057N06N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+40.98 грн
Мінімальне замовлення: 9
IPP057N06N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
189+65.02 грн
204+ 60.33 грн
250+ 59.97 грн
Мінімальне замовлення: 189
IPP057N06N3GXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP057N06N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0047 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+146.76 грн
10+ 108.65 грн
100+ 85.14 грн
500+ 66.71 грн
Мінімальне замовлення: 6
IPP057N06N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+57.36 грн
Мінімальне замовлення: 500
IPP057N08N3 GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 80V 80A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+209.97 грн
10+ 172.06 грн
100+ 119.98 грн
250+ 110.59 грн
500+ 99.75 грн
1000+ 86.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP057N08N3GHKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP057N08N3GHKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 80A TO220-3
товар відсутній
IPP057N08N3GXKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 80V 80A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 1989 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+154.32 грн
10+ 116.37 грн
100+ 91.07 грн
500+ 83.12 грн
1000+ 78.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP057N08N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+46.04 грн
Мінімальне замовлення: 8
IPP057N08N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+101.14 грн
10+ 87.63 грн
100+ 83.2 грн
Мінімальне замовлення: 7
IPP057N08N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
113+108.92 грн
130+ 94.38 грн
137+ 89.6 грн
Мінімальне замовлення: 113
IPP057N08N3GXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 40 V
на замовлення 730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+191.56 грн
50+ 148.22 грн
100+ 121.96 грн
500+ 96.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP057N08N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 3490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
71+172.99 грн
88+ 139.64 грн
100+ 131.3 грн
500+ 111.54 грн
1000+ 96.76 грн
2000+ 90.21 грн
Мінімальне замовлення: 71
IPP057N08N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP057N08N3GXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP057N08N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 A, 0.0049 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0049ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 511 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+167.03 грн
10+ 115.95 грн
100+ 102.16 грн
500+ 87.34 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPP057N08N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
93+132.41 грн
120+ 102.98 грн
500+ 87.53 грн
Мінімальне замовлення: 93
IPP057N08N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+160.39 грн
10+ 145.16 грн
100+ 94.41 грн
250+ 90.13 грн
500+ 82.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPP05CN10L GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
товар відсутній
IPP05CN10LGXKInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP05CN10NINFINEON
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPP05CN10N GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 100V 100A TO220-3 OptiMOS 2
на замовлення 687 шт:
термін постачання 325-334 дні (днів)
2+270.69 грн
10+ 240.22 грн
100+ 171.3 грн
500+ 166.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP05CN10NGInfineon technologies
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPP05CN10NGHKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP05CN10NGHKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 100A TO-220
товар відсутній
IPP05CN10NGXKInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
товар відсутній
IPP05CN10NGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP05CN10NGXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; Idm: 400A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IPP05CN10NGXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; Idm: 400A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IPP05CN10NGXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
товар відсутній
IPP05CN10NGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP05N03LINFINEON09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPP05N03LAInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 80A TO220-3
товар відсутній
IPP05N03LB GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3209 pF @ 15 V
товар відсутній
IPP05N03LBGinfineon07+
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPP05N03LBGXKInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
IPP060N06NInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 45A TO220-3
на замовлення 915 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+121.43 грн
10+ 99.75 грн
100+ 68.59 грн
250+ 63.9 грн
500+ 57.97 грн
1000+ 49.66 грн
2500+ 47.2 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP060N06NInfineon TechnologiesDescription: IPP060N06 - 12V-300V N-CHANNEL P
товар відсутній
IPP060N06NAKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+37.27 грн
Мінімальне замовлення: 10
IPP060N06NAKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP060N06NAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 45 A, 0.0052 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+132.98 грн
10+ 101.35 грн
Мінімальне замовлення: 7
IPP060N06NAKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 17A/45A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V
на замовлення 494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+161.07 грн
10+ 99.38 грн
100+ 67.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP060N06NAKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP060N06NAKSA1
Код товару: 202357
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IPP060N06NAKSA1InfineonTrans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube IPP060N06NAKSA1 IPP060N06N TIPP060n06n
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+46.09 грн
Мінімальне замовлення: 20
IPP060N06NAKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+57.32 грн
Мінімальне замовлення: 500
IPP060N06NAKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 107W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 107W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IPP060N06NAKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 45A TO220-3
на замовлення 436 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+140.83 грн
10+ 104.73 грн
100+ 67.87 грн
250+ 66.28 грн
500+ 61 грн
1000+ 57.25 грн
2500+ 57.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP060N06NAKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1031 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
124+99.61 грн
136+ 90.72 грн
167+ 73.76 грн
200+ 66.6 грн
500+ 61.48 грн
1000+ 52.37 грн
Мінімальне замовлення: 124
IPP060N06NAKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 107W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 107W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IPP060N06NXKSA1Infineon TechnologiesSP005573716
товар відсутній
IPP062NE7N3 GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 75V 80A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 578 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+198.17 грн
10+ 162.09 грн
100+ 112.03 грн
250+ 103.36 грн
500+ 93.96 грн
1000+ 80.95 грн
2500+ 76.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP062NE7N3GInfineon TechnologiesDescription: IPP062NE7 - 12V-300V N-CHANNEL P
товар відсутній
IPP062NE7N3GHKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 75V 80A TO220-3
товар відсутній
IPP062NE7N3GHKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP062NE7N3GXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 136W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IPP062NE7N3GXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 136W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IPP062NE7N3GXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 73A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3840 pF @ 37.5 V
товар відсутній
IPP062NE7N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+60.12 грн
Мінімальне замовлення: 6
IPP065N03LGInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V
на замовлення 2285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
866+25.9 грн
Мінімальне замовлення: 866
IPP065N03LGHKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP065N03LGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP065N03LGXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V
товар відсутній
IPP065N03LGXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
742+28.09 грн
Мінімальне замовлення: 742
IPP065N03LGXKSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP065N03LGXKSA1 - IPP065N03 - N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
715+34.87 грн
Мінімальне замовлення: 715
IPP065N04N GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 50A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 194 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
IPP065N04N GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 20 V
товар відсутній
IPP065N04NGInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 20 V
на замовлення 952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
952+28.12 грн
Мінімальне замовлення: 952
IPP065N04NGXKSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP065N04NGXKSA1 - IPP065N04 - N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IPP065N04NGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP065N06L GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 80A TO220-3
товар відсутній
IPP065N06LGINF
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPP065N06LGAKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 157 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 30 V
товар відсутній
IPP065N06LGXKInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
IPP069N20NM6AKSA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta), 136A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 100A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 258µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 100 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+607.52 грн
10+ 501.29 грн
100+ 417.73 грн
500+ 345.91 грн
IPP069N20NM6AKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N
на замовлення 711 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+647.63 грн
10+ 546.94 грн
25+ 445.24 грн
100+ 396.82 грн
250+ 389.59 грн
500+ 357.06 грн
1000+ 300.68 грн
IPP069N20NM6AKSA1Infineon TechnologiesTRENCH >=100V
товар відсутній
IPP06CN10LINFINEON
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPP06CN10L GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 100V 100A TO220-3
товар відсутній
IPP06CN10LGInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11900 pF @ 50 V
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
208+104.67 грн
Мінімальне замовлення: 208
IPP06CN10LGHKSA1Infineon TechnologiesMOSFET
товар відсутній
IPP06CN10LGXKInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP06CN10LGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP06CN10LGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+69.31 грн
10+ 60.92 грн
25+ 53.39 грн
50+ 48.27 грн
100+ 41.03 грн
Мінімальне замовлення: 9
IPP06CN10LGXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
товар відсутній
IPP06CN10N GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 50 V
товар відсутній
IPP06CN10NGXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
товар відсутній
IPP06CNE8N GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 85V 100A TO-220
товар відсутній
IPP06N03LAInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2653 pF @ 15 V
товар відсутній
IPP06N03LAInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 25V 50A TO220-3
товар відсутній
IPP06N03LAHKSA1Infineon TechnologiesMOSFET
товар відсутній
IPP070N06
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPP070N06L GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 30 V
товар відсутній
IPP070N06L GInfineon TechnologiesMOSFET Discrete Semiconductor Products MOSFETs, GaNFETs - Single - MOSFET N-CH 60V 80A TO-220
товар відсутній
IPP070N06LGinfineon08+
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPP070N06LGINF
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPP070N06LGAKSA1Infineon TechnologiesMOSFET
товар відсутній
IPP070N06LGXKInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
IPP070N06N GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 30 V
товар відсутній
IPP070N06N GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 80A TO220-3
товар відсутній
IPP070N06NGAKSA1Infineon TechnologiesMOSFET
товар відсутній
IPP070N06NGINInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товар відсутній
IPP070N06NGXKInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP070N08N3 GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 80V 80A TO220-3 OptiMOS 3
товар відсутній
IPP070N08N3 GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 73A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 73µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3840 pF @ 40 V
товар відсутній
IPP070N08N3GInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 73A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 73µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3840 pF @ 40 V
на замовлення 609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
400+54.68 грн
Мінімальне замовлення: 400
IPP070N08N3GHKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 80V 80A TO220-3
товар відсутній
IPP070N08N3GHKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP070N08N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP070N08N3GXKSA1Infineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 73A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 73µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3840 pF @ 40 V
на замовлення 7700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
310+70.72 грн
Мінімальне замовлення: 310
IPP072N10N3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 80A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+155.16 грн
10+ 127.18 грн
100+ 88.18 грн
250+ 81.68 грн
500+ 73 грн
1000+ 63.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP072N10N3 GInfineon
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPP072N10N3GHKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4910 pF @ 50 V
товар відсутній
IPP072N10N3GHKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 80V 80A TO220-3
товар відсутній
IPP072N10N3GHKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP072N10N3GXKInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 80A TO220-3 OptiMOS 3
товар відсутній
IPP072N10N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+126.95 грн
10+ 110.58 грн
100+ 92.7 грн
500+ 71.63 грн
1000+ 58.03 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPP072N10N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP072N10N3GXKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 80A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 892 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+208.29 грн
10+ 136.32 грн
100+ 81.68 грн
500+ 65.63 грн
1000+ 57.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP072N10N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
65+190.71 грн
80+ 154.23 грн
100+ 144.85 грн
500+ 123.59 грн
1000+ 107 грн
2000+ 100.04 грн
Мінімальне замовлення: 65
IPP072N10N3GXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 150W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+191.68 грн
10+ 140.74 грн
14+ 75.89 грн
39+ 72.28 грн
2000+ 68.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP072N10N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
96+127.76 грн
111+ 111.29 грн
132+ 93.3 грн
500+ 72.09 грн
1000+ 58.39 грн
Мінімальне замовлення: 96
IPP072N10N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.68 грн
Мінімальне замовлення: 7
IPP072N10N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP072N10N3GXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4910 pF @ 50 V
на замовлення 2247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+158.72 грн
50+ 123.01 грн
100+ 101.21 грн
500+ 80.37 грн
1000+ 68.2 грн
2000+ 64.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP072N10N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 218000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+101.53 грн
Мінімальне замовлення: 500
IPP072N10N3GXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 150W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+159.73 грн
10+ 112.94 грн
14+ 63.24 грн
39+ 60.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP072N10N3GXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP072N10N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0062 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IPP073N13NM6AKSA1Infineon TechnologiesTRENCH >=100V
товар відсутній
IPP073N13NM6AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 135V 15A Tube
товар відсутній
IPP073N13NM6AKSA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+255.67 грн
10+ 161.27 грн
100+ 112.88 грн
500+ 86.5 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP073N13NM6AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 135V 15A Tube
товар відсутній
IPP073N13NM6AKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N
на замовлення 337 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+258.04 грн
10+ 184.53 грн
100+ 112.03 грн
500+ 91.07 грн
1000+ 86.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP075N15N3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 150V 100A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 392 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+341.52 грн
10+ 282.61 грн
25+ 232.02 грн
100+ 198.77 грн
250+ 187.21 грн
500+ 177.09 грн
1000+ 151.07 грн
IPP075N15N3 GInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+447.66 грн
29+ 428.42 грн
50+ 412.1 грн
100+ 383.91 грн
250+ 344.68 грн
Мінімальне замовлення: 28
IPP075N15N3 GInfineon
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPP075N15N3GInfineon technologies
на замовлення 24500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPP075N15N3GINFINEON
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPP075N15N3GHKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP075N15N3GHKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 150V 100A TO220-3
товар відсутній
IPP075N15N3GHKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5470 pF @ 75 V
товар відсутній
IPP075N15N3GXKSA1
Код товару: 122947
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IPP075N15N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 3794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+470.65 грн
10+ 395.38 грн
25+ 390.42 грн
100+ 308.68 грн
500+ 253.31 грн
1000+ 211.98 грн
2500+ 195.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP075N15N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+551.69 грн
Мінімальне замовлення: 23
IPP075N15N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+124.8 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP075N15N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP075N15N3GXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 100A; 300W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Case: PG-TO220-3
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 100A
On-state resistance: 7.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
товар відсутній
IPP075N15N3GXKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 150V 100A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 2673 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+341.52 грн
25+ 267.65 грн
100+ 199.49 грн
500+ 177.09 грн
1000+ 170.58 грн
5000+ 143.11 грн
IPP075N15N3GXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP075N15N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 100 A, 0.0062 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+368.12 грн
10+ 261.9 грн
100+ 222.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP075N15N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP075N15N3GXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5470 pF @ 75 V
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+371.39 грн
10+ 238.45 грн
100+ 170.69 грн
500+ 133.01 грн
IPP075N15N3GXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 100A; 300W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Case: PG-TO220-3
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 100A
On-state resistance: 7.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IPP075N15N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 3794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+464.12 грн
32+ 385.01 грн
100+ 304.4 грн
500+ 249.8 грн
1000+ 209.05 грн
2500+ 192.97 грн
Мінімальне замовлення: 27
IPP075N15N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP076N12N3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 120V 100A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 435 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+230.21 грн
10+ 198.66 грн
25+ 129.38 грн
100+ 119.98 грн
1000+ 96.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP076N12N3 GInfineon
на замовлення 3800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPP076N12N3GInfineon TechnologiesDescription: IPP076N12 - 12V-300V N-CHANNEL P
товар відсутній
IPP076N12N3GXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP076N12N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 100 A, 0.0065 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120
Dauer-Drainstrom Id: 100
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 188
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 188
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: OptiMOS 3
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0065
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товар відсутній
IPP076N12N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+198.82 грн
10+ 182.24 грн
100+ 155.76 грн
500+ 148.59 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPP076N12N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
62+200.09 грн
67+ 183.41 грн
100+ 156.76 грн
500+ 149.54 грн
Мінімальне замовлення: 62
IPP076N12N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
52+237.3 грн
56+ 220.03 грн
100+ 188.42 грн
500+ 163.55 грн
Мінімальне замовлення: 52
IPP076N12N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+443.93 грн
44+ 282.4 грн
54+ 228.22 грн
100+ 206 грн
500+ 152.59 грн
Мінімальне замовлення: 28
IPP076N12N3GXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 120V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6640 pF @ 60 V
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+242.38 грн
10+ 196.51 грн
100+ 158.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP076N12N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
51+242.09 грн
57+ 218.88 грн
100+ 181.94 грн
Мінімальне замовлення: 51
IPP076N12N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+224.8 грн
10+ 203.24 грн
100+ 168.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP076N12N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.33 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPP076N15N5Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH >=100V
товар відсутній
IPP076N15N5Infineon
на замовлення 38500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPP076N15N5AKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 79A; 214W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 79A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 49nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IPP076N15N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+255.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP076N15N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP076N15N5AKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N
на замовлення 2454 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+352.49 грн
10+ 259.34 грн
25+ 215.39 грн
100+ 163.35 грн
500+ 136.61 грн
IPP076N15N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+575.23 грн
24+ 518.17 грн
25+ 516.1 грн
50+ 471.66 грн
100+ 360.78 грн
Мінімальне замовлення: 22
IPP076N15N5AKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 112A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 112A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 56A, 10
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 75 V
на замовлення 366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+359.66 грн
50+ 180.9 грн
100+ 164.85 грн
IPP076N15N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+289.09 грн
Мінімальне замовлення: 43
IPP076N15N5AKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 79A; 214W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 79A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 49nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IPP076N15N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+281.72 грн
10+ 259.18 грн
25+ 256.67 грн
100+ 226.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP076N15N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+143.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP076N15N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+467.9 грн
31+ 397.04 грн
50+ 302.2 грн
200+ 273.32 грн
500+ 222.38 грн
Мінімальне замовлення: 27
IPP076N15N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+303.39 грн
44+ 279.11 грн
45+ 276.42 грн
100+ 243.61 грн
Мінімальне замовлення: 41
IPP076N15N5AKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP076N15N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 112 A, 0.0059 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 112A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0059ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+353.52 грн
10+ 251.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP076N15N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+410.58 грн
36+ 348.06 грн
50+ 264.69 грн
200+ 240.17 грн
500+ 195.39 грн
1000+ 183.11 грн
Мінімальне замовлення: 30
IPP07N03LINFINEON09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPP07N03LB GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2782 pF @ 15 V
товар відсутній
IPP080N03L GInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP080N03L GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 15 V
товар відсутній
IPP080N03LGinfineon07+
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPP080N06N GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 30 V
товар відсутній
IPP080N06NGXKInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
IPP082N10NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+49.67 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IPP082N10NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
230+53.43 грн
Мінімальне замовлення: 230
IPP082N10NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+45.29 грн
18+ 34.18 грн
Мінімальне замовлення: 14
IPP082N10NF2SAKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP082N10NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 77 A, 0.0073 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 100W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0073ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0073ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
товар відсутній
IPP082N10NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 15A Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+40.14 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IPP082N10NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
334+36.8 грн
Мінімальне замовлення: 334
IPP082N10NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP082N10NF2SAKMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 50 V
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.37 грн
50+ 88.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP082N10NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 266000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+61.05 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IPP082N10NF2SAKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N
на замовлення 1083 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+122.27 грн
10+ 65.33 грн
100+ 45.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP082N10NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
224+54.87 грн
Мінімальне замовлення: 224
IPP083N10N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 73A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP083N10N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 73A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
133+92.36 грн
143+ 85.82 грн
170+ 72.33 грн
200+ 65.91 грн
500+ 60.85 грн
Мінімальне замовлення: 133
IPP083N10N5AKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 73A; 100W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 73A
Power dissipation: 100W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IPP083N10N5AKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 73A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 73A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 50 V
товар відсутній
IPP083N10N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 73A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+91.88 грн
10+ 82.6 грн
100+ 73.27 грн
Мінімальне замовлення: 7
IPP083N10N5AKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 73A TO220-3
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 161-170 дні (днів)
4+110.47 грн
10+ 101.41 грн
100+ 61.22 грн
500+ 61.15 грн
1000+ 55.66 грн
2500+ 54.07 грн
5000+ 52.91 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPP083N10N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 73A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
124+98.95 грн
138+ 88.95 грн
156+ 78.9 грн
Мінімальне замовлення: 124
IPP083N10N5AKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 73A; 100W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 73A
Power dissipation: 100W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IPP083N10N5AKSA1
Код товару: 166075
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IPP083N10N5AKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP083N10N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 73 A, 0.0073 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 73
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 100
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 100
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: OptiMOS 5
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0073
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0073
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товар відсутній
IPP083N10N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 73A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP084N06L3 GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 50A TO220-3
товар відсутній