НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IPP-2011Innovative Power ProductsIPP-2011
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+28293.83 грн
IPP-2014Innovative Power ProductsOutline Coup. 90 Degree, .8-2.5 Ghz 200 W
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+5472.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP-2031Innovative Power ProductsIPP-2031
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+5030.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP-2254Innovative Power ProductsIPP-2254
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+20277.18 грн
IPP-3175Innovative Power ProductsDirectional Couplers With Connectors
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+111209.07 грн
IPP011N03LF2SAKSA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Ta), 210A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 336 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15100 pF @ 15 V
товар відсутній
IPP011N03LF2SAKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+172.44 грн
10+ 140.81 грн
100+ 97.81 грн
250+ 90.57 грн
500+ 81.87 грн
1000+ 70.06 грн
2500+ 66.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP011N04NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP011N04NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+150.29 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IPP011N04NF2SAKMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH PG-TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Ta), 201A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 249µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 315 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 20 V
на замовлення 768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+256.29 грн
50+ 195.62 грн
100+ 167.68 грн
500+ 139.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP011N04NF2SAKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+163.14 грн
25+ 127.48 грн
100+ 105.06 грн
500+ 103.61 грн
1000+ 96.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP011N04NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+138.3 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IPP011N04NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP011N04NF2SAKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP011N04NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 201 A, 940 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
Dauer-Drainstrom Id: 201A
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 940µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+302.35 грн
10+ 213.76 грн
100+ 173.12 грн
500+ 151.7 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP011N04NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 44A Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+88.76 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IPP011N04NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
83+148.46 грн
Мінімальне замовлення: 83
IPP013N04NF2SAKMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 906 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+198.64 грн
10+ 163.31 грн
100+ 113.03 грн
250+ 104.33 грн
500+ 94.91 грн
1000+ 80.42 грн
2000+ 76.8 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP013N04NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 41A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP013N04NF2SAKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP013N04NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 197 A, 0.00102 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
Dauer-Drainstrom Id: 197A
hazardous: true
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00102ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 816 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+215.39 грн
10+ 159.3 грн
100+ 117.04 грн
500+ 98.87 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPP013N04NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 41A Tube
товар відсутній
IPP013N04NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 41A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP013N04NF2SAKMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH PG-TO220-3
Packaging: Tube
Part Status: Active
на замовлення 997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+185.75 грн
50+ 143.79 грн
100+ 118.31 грн
500+ 93.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP013N06NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTRENCH 40<-<100V
товар відсутній
IPP013N06NF2SAKMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
товар відсутній
IPP013N06NF2SAKMA1Infineon TechnologiesMOSFET
товар відсутній
IPP014N06NF2SAKMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 198A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 246µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 30 V
товар відсутній
IPP014N06NF2SAKMA1Infineon TechnologiesMOSFET
товар відсутній
IPP014N06NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTRENCH 40<-<100V
товар відсутній
IPP014N06NF2SAKMA2INFINEONDescription: INFINEON - IPP014N06NF2SAKMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 198 A, 0.00123 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 198A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00123ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1062 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+310.48 грн
10+ 220.26 грн
100+ 178 грн
500+ 155.47 грн
1000+ 121.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP014N06NF2SAKMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+298.88 грн
10+ 250.82 грн
25+ 236.98 грн
100+ 195.54 грн
250+ 170.87 грн
500+ 154.97 грн
1000+ 131.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP014N06NF2SAKMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
64+194.58 грн
71+ 174.1 грн
100+ 173.07 грн
200+ 163.93 грн
500+ 146.3 грн
Мінімальне замовлення: 64
IPP014N06NF2SAKMA2Infineon TechnologiesSP005742469
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.59 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPP014N06NF2SAKMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP014N06NF2SAKMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
63+196.09 грн
Мінімальне замовлення: 63
IPP014N06NF2SAKMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 31000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+150.44 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IPP014N06NF2SAKMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IPP014N06NF2SAKMA2Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V PG-TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 198A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 246µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 30 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+326.82 грн
10+ 208.45 грн
100+ 148.06 грн
500+ 114.7 грн
1000+ 108.83 грн
IPP014N06NF2SAKMA2Infineon TechnologiesMOSFETs N
на замовлення 811 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+288.24 грн
10+ 238.3 грн
25+ 196.35 грн
100+ 168.09 грн
250+ 158.67 грн
500+ 149.25 грн
1000+ 126.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP014N06NF2SAKMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+175.89 грн
10+ 161.59 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPP014N08NM6AKSA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
товар відсутній
IPP014N08NM6AKSA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
товар відсутній
IPP014N08NM6AKSA1Infineon TechnologiesTRENCH 40<-<100V
товар відсутній
IPP015N04N GINFINEONDescription: INFINEON - IPP015N04N G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0012 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 250W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+356 грн
10+ 320.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP015N04N GInfineon
на замовлення 3550 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPP015N04N GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 120A TO220-3 OptiMOS 3
товар відсутній
IPP015N04NF2SAKMA1
Код товару: 202345
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IPP015N04NF2SAKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP015N04NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 193 A, 0.00123 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
Dauer-Drainstrom Id: 193A
hazardous: true
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00123ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 732 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+173.12 грн
10+ 128.42 грн
100+ 93.47 грн
500+ 79.25 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPP015N04NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP015N04NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP015N04NF2SAKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N
на замовлення 1018 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+113.27 грн
10+ 89.99 грн
100+ 63.98 грн
500+ 60.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP015N04NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP015N04NF2SAKMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH PG-TO220-3
Packaging: Tube
Part Status: Active
на замовлення 910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+143.43 грн
10+ 89.59 грн
100+ 61.79 грн
500+ 55.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP015N04NGInfineon technologies
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPP015N04NGHKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP015N04NGHKSA1Infineon TechnologiesMOSFET MV POWER MOS
товар відсутній
IPP015N04NGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+288.61 грн
10+ 254.06 грн
25+ 203.46 грн
50+ 194.24 грн
100+ 170.14 грн
250+ 162.06 грн
500+ 136.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP015N04NGXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 250W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+346.24 грн
5+ 255.82 грн
12+ 232.76 грн
500+ 224.61 грн
IPP015N04NGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+196.31 грн
Мінімальне замовлення: 500
IPP015N04NGXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20000 pF @ 20 V
на замовлення 297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+398.14 грн
10+ 256.68 грн
100+ 184.49 грн
IPP015N04NGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+125.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP015N04NGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP015N04NGXKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 120A TO220-3
на замовлення 678 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+375.31 грн
10+ 310.79 грн
25+ 202.87 грн
100+ 186.93 грн
500+ 159.4 грн
1000+ 156.5 грн
IPP015N04NGXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP015N04NGXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0012 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+400.7 грн
10+ 230.83 грн
100+ 208.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP015N04NGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+310.34 грн
45+ 273.18 грн
57+ 208.86 грн
100+ 182.95 грн
250+ 174.27 грн
500+ 147.17 грн
Мінімальне замовлення: 40
IPP015N04NGXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 250W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+288.54 грн
5+ 205.28 грн
12+ 193.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP016N06NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP016N06NF2SAKMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V PG-TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 194A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 186µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 233 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 30 V
на замовлення 1781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+226.5 грн
10+ 142.19 грн
100+ 98.78 грн
500+ 75.27 грн
1000+ 69.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP016N06NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 36A Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+61.45 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IPP016N06NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
109+113.1 грн
119+ 103.96 грн
134+ 92.06 грн
500+ 84.05 грн
Мінімальне замовлення: 109
IPP016N06NF2SAKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N
товар відсутній
IPP016N06NF2SAKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP016N06NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 194 A, 0.00142 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 194A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00142ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+212.14 грн
10+ 156.87 грн
100+ 143.05 грн
500+ 120.76 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPP016N06NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+105.02 грн
10+ 96.53 грн
100+ 85.49 грн
500+ 78.05 грн
Мінімальне замовлення: 6
IPP016N06NF2SAKMA1
Код товару: 202346
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IPP016N06NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
127+97.26 грн
Мінімальне замовлення: 127
IPP016N06NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+90.68 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IPP016N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesN Channel Power Mosfet
на замовлення 1384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
72+171.31 грн
73+ 170.27 грн
100+ 166.08 грн
1000+ 159.15 грн
Мінімальне замовлення: 72
IPP016N08NF2SAKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP016N08NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 196 A, 0.0014 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 196A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+269.03 грн
10+ 242.21 грн
25+ 216.2 грн
100+ 176.6 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPP016N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesN Channel Power Mosfet
на замовлення 1396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
93+133.54 грн
95+ 129.86 грн
96+ 129.2 грн
100+ 119.29 грн
Мінімальне замовлення: 93
IPP016N08NF2SAKMA1
Код товару: 183516
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 80 V
Idd,A: 196 A
Rds(on), Ohm: 1,6 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 12000/170
Монтаж: THT
товар відсутній
IPP016N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesN Channel Power Mosfet
на замовлення 1396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+124 грн
10+ 120.58 грн
25+ 119.97 грн
100+ 110.77 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPP016N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesN Channel Power Mosfet
на замовлення 267000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+148.37 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IPP016N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesN Channel Power Mosfet
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
106+116 грн
Мінімальне замовлення: 106
IPP016N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 196A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 267µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 40 V
на замовлення 577 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+260.99 грн
50+ 199.5 грн
100+ 170.99 грн
500+ 142.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP016N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesSP005548844
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+103.97 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPP016N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesN Channel Power Mosfet
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+115.26 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IPP016N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesN Channel Power Mosfet
товар відсутній
IPP016N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N
на замовлення 1498 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+208.79 грн
10+ 176.64 грн
25+ 134.76 грн
100+ 118.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP017N06NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTRENCH 40<-<100V
товар відсутній
IPP018N03LF2SAKSA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 128A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 15 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+170.07 грн
10+ 105.06 грн
25+ 89.69 грн
100+ 67.91 грн
250+ 59.99 грн
500+ 55.15 грн
1000+ 50.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP018N10N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+312.31 грн
41+ 304.2 грн
42+ 299.61 грн
50+ 268.61 грн
100+ 237.88 грн
250+ 224.44 грн
Мінімальне замовлення: 40
IPP018N10N5AKSA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH >=100V
товар відсутній
IPP018N10N5AKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP018N10N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 205 A, 0.0017 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 205A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+451.09 грн
10+ 395.01 грн
100+ 327.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP018N10N5AKSA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 205A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.83mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 50 V
на замовлення 474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+449.09 грн
50+ 342.72 грн
100+ 293.77 грн
IPP018N10N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP018N10N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+290 грн
10+ 282.47 грн
25+ 278.21 грн
50+ 249.42 грн
100+ 220.89 грн
250+ 208.4 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP018N10N5XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs Y
на замовлення 326 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+540.14 грн
10+ 370.78 грн
100+ 234.75 грн
500+ 210.11 грн
IPP018N10N5XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+331.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP018N10N5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP018N10N5XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 205 A, 0.0017 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 205A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+529.12 грн
10+ 381.19 грн
100+ 322.67 грн
500+ 254.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP018N10N5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 205A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.83mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 50 V
на замовлення 569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+449.09 грн
50+ 342.72 грн
100+ 293.77 грн
500+ 245.06 грн
IPP018N10N5XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP018N10N5XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IPP018N10N5XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+315.99 грн
Мінімальне замовлення: 500
IPP019N06NF2SAKMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V PG-TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 185A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 129µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 30 V
на замовлення 656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+199.86 грн
10+ 124.91 грн
100+ 86.21 грн
500+ 65.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP019N06NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP019N06NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 33A Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+51.9 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IPP019N06NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
149+82.71 грн
Мінімальне замовлення: 149
IPP019N06NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
178+69.26 грн
184+ 66.94 грн
194+ 63.63 грн
500+ 59.85 грн
Мінімальне замовлення: 178
IPP019N06NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+77.12 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IPP019N06NF2SAKMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
на замовлення 533 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+164.83 грн
10+ 135.81 грн
100+ 93.46 грн
250+ 86.94 грн
500+ 78.97 грн
1000+ 67.02 грн
2000+ 63.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP019N06NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+62.16 грн
100+ 59.09 грн
500+ 55.58 грн
Мінімальне замовлення: 10
IPP019N06NF2SAKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP019N06NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 185 A, 0.0017 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 185A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+179.62 грн
10+ 133.3 грн
100+ 97.53 грн
500+ 82.26 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPP019N06NF2SAKMA1
Код товару: 202347
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IPP019N06NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+77.4 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IPP019N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
114+108.01 грн
750+ 98.69 грн
1500+ 91.83 грн
2250+ 83.51 грн
Мінімальне замовлення: 114
IPP019N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
177+69.5 грн
Мінімальне замовлення: 177
IPP019N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N
на замовлення 842 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+254.43 грн
10+ 167.48 грн
25+ 133.31 грн
100+ 106.51 грн
250+ 105.78 грн
500+ 92.74 грн
1000+ 92.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP019N08NF2SAKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP019N08NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 191 A, 0.0017 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 191A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+192.63 грн
10+ 117.85 грн
100+ 101.6 грн
500+ 86.04 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPP019N08NF2SAKMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 147A; Idm: 764A; 250W
Case: PG-TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 764A
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 147A
On-state resistance: 1.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 124nC
Technology: StrongIRFET™ 2
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
товар відсутній
IPP019N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP019N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
62+200.56 грн
67+ 185.94 грн
100+ 174.44 грн
200+ 167.21 грн
500+ 141.76 грн
1000+ 128.04 грн
Мінімальне замовлення: 62
IPP019N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 191A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 194µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8700 pF @ 40 V
на замовлення 912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+268.04 грн
10+ 169.59 грн
100+ 119.05 грн
500+ 91.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP019N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+115.28 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IPP019N08NF2SAKMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 147A; Idm: 764A; 250W
Case: PG-TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 764A
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 147A
On-state resistance: 1.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 124nC
Technology: StrongIRFET™ 2
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IPP019N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 32A Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+80.64 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IPP019N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+103.97 грн
2000+ 102.94 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IPP019N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+85.52 грн
10+ 64.54 грн
Мінімальне замовлення: 8
IPP020N03LF2SAKSA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 125A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.05mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+152.05 грн
10+ 93.66 грн
25+ 79.73 грн
100+ 60.11 грн
250+ 52.93 грн
500+ 48.54 грн
1000+ 44.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP020N03LF2SAKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+101.43 грн
10+ 82.15 грн
100+ 55.64 грн
500+ 47.17 грн
1000+ 38.4 грн
2500+ 36.08 грн
5000+ 34.42 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPP020N06NInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 120A TO220-3
на замовлення 864 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+278.95 грн
10+ 230.8 грн
25+ 189.1 грн
100+ 162.3 грн
250+ 152.88 грн
500+ 144.18 грн
1000+ 123.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP020N06NAKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 136W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IPP020N06NAKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP020N06NAKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 120A TO220-3
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+287.4 грн
10+ 239.97 грн
25+ 178.24 грн
100+ 148.53 грн
250+ 147.8 грн
500+ 131.87 грн
1000+ 127.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP020N06NAKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+336.93 грн
44+ 284.7 грн
57+ 217.11 грн
100+ 208.37 грн
200+ 181.96 грн
500+ 153.62 грн
1000+ 150.1 грн
Мінімальне замовлення: 37
IPP020N06NAKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 136W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IPP020N06NAKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IPP020N06NAKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
53+234.37 грн
57+ 217 грн
63+ 196.72 грн
100+ 161.42 грн
250+ 146.94 грн
Мінімальне замовлення: 53
IPP020N06NAKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+220.4 грн
10+ 204.07 грн
25+ 184.99 грн
100+ 151.8 грн
250+ 138.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP020N06NAKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 29A/120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 143µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 30 V
на замовлення 398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+257.07 грн
50+ 196.11 грн
100+ 168.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP020N06NAKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP020N06NAKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP020N06NAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0018 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 120
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 214
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товар відсутній
IPP020N06NXKSA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 143µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9750 pF @ 30 V
товар відсутній
IPP020N06NXKSA1Infineon TechnologiesSP005573707
товар відсутній
IPP020N06NXKSA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
товар відсутній
IPP020N08N5Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 80V 120A TO220-3
на замовлення 860 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+471.67 грн
10+ 390.78 грн
25+ 320.24 грн
100+ 274.6 грн
250+ 259.38 грн
500+ 244.17 грн
1000+ 208.67 грн
IPP020N08N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+377.72 грн
34+ 362.01 грн
42+ 299 грн
100+ 265.91 грн
250+ 236.67 грн
500+ 208.52 грн
Мінімальне замовлення: 33
IPP020N08N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+247.02 грн
10+ 243.6 грн
25+ 226.02 грн
100+ 211.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP020N08N5AKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16900 pF @ 40 V
на замовлення 572 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+434.2 грн
50+ 331.52 грн
100+ 284.16 грн
500+ 237.04 грн
IPP020N08N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+190.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP020N08N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+494.64 грн
33+ 381.99 грн
50+ 346.15 грн
100+ 316.01 грн
200+ 277.97 грн
500+ 251.05 грн
Мінімальне замовлення: 25
IPP020N08N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+351.81 грн
10+ 337.18 грн
25+ 278.49 грн
100+ 247.67 грн
250+ 220.44 грн
500+ 194.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP020N08N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP020N08N5AKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP020N08N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 0.0018 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+364.12 грн
10+ 249.52 грн
100+ 218.64 грн
500+ 185.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP020N08N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
47+262.33 грн
51+ 243.41 грн
100+ 227.29 грн
Мінімальне замовлення: 47
IPP020N08N5AKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 375W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+554.31 грн
3+ 356.23 грн
7+ 336.61 грн
IPP020N08N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
93+133.47 грн
100+ 127.5 грн
Мінімальне замовлення: 93
IPP020N08N5AKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 80V 120A TO220-3
на замовлення 221 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+426.03 грн
10+ 403.28 грн
25+ 276.77 грн
100+ 253.59 грн
250+ 242.72 грн
500+ 222.43 грн
1000+ 197.07 грн
IPP020N08N5AKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 375W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+665.18 грн
3+ 443.92 грн
7+ 403.93 грн
250+ 397.59 грн
IPP020N08N5XKSA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
товар відсутній
IPP020N08N5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16900 pF @ 40 V
товар відсутній
IPP020N08N5XKSA1Infineon TechnologiesIPP020N08N5XKSA1
товар відсутній
IPP022N12NM6AKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N
на замовлення 551 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+508.02 грн
10+ 429.1 грн
25+ 338.36 грн
100+ 310.82 грн
250+ 292.71 грн
500+ 274.6 грн
1000+ 246.34 грн
IPP022N12NM6AKSA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 203A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 60 V
товар відсутній
IPP022N12NM6AKSA1Infineon TechnologiesTRENCH >=100V
товар відсутній
IPP022N12NM6AKSA1Infineon TechnologiesN-channel MOSFET
товар відсутній
IPP023N04NGInfineon technologies
на замовлення 405 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPP023N04NGinfineon08+
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPP023N04NGHKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 90A TO220-3
Packaging: Tube
Part Status: Active
товар відсутній
IPP023N04NGHKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP023N04NGXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP023N04NGXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 0.0019 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+210.51 грн
10+ 86.15 грн
100+ 84.53 грн
500+ 76.98 грн
1000+ 69.39 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPP023N04NGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 206000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+90.78 грн
Мінімальне замовлення: 500
IPP023N04NGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP023N04NGXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 90A; 167W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 90A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IPP023N04NGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
114+108.07 грн
168+ 73.21 грн
Мінімальне замовлення: 114
IPP023N04NGXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 90A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 20 V
товар відсутній
IPP023N04NGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+60.44 грн
Мінімальне замовлення: 6
IPP023N04NGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
77+160.78 грн
89+ 139.28 грн
100+ 133.13 грн
200+ 127.39 грн
500+ 108.81 грн
Мінімальне замовлення: 77
IPP023N04NGXKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 90A TO220-3
на замовлення 3812 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+206.25 грн
10+ 168.31 грн
100+ 117.37 грн
500+ 94.91 грн
1000+ 83.32 грн
2500+ 79.7 грн
5000+ 75.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP023N04NGXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 90A; 167W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 90A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IPP023N04NGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP023N04NGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+100.82 грн
10+ 68.3 грн
Мінімальне замовлення: 7
IPP023N08N5Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
товар відсутній
IPP023N08N5Infineon
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPP023N08N5AKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 208µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12100 pF @ 40 V
на замовлення 368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+186.53 грн
50+ 142.27 грн
100+ 121.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP023N08N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP023N08N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
60+206.38 грн
61+ 204.33 грн
76+ 162.14 грн
77+ 154.76 грн
100+ 121.72 грн
250+ 115.66 грн
500+ 114.54 грн
Мінімальне замовлення: 60
IPP023N08N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+191.64 грн
10+ 189.73 грн
25+ 150.55 грн
50+ 143.71 грн
100+ 113.03 грн
250+ 107.4 грн
500+ 106.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPP023N08N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
60+207.89 грн
Мінімальне замовлення: 60
IPP023N08N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+146.83 грн
10+ 145.38 грн
25+ 127.88 грн
50+ 122.07 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPP023N08N5AKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP023N08N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 0.002 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+218.64 грн
10+ 154.43 грн
100+ 151.99 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPP023N08N5AKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 80V 120A TO220-3
на замовлення 824 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+200.33 грн
25+ 157.48 грн
100+ 118.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP023N08N5AKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 375W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IPP023N08N5AKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 375W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IPP023N08N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IPP023N08N5XKSA1Infineon TechnologiesMOSFET
товар відсутній
IPP023N08N5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 208µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12100 pF @ 40 V
товар відсутній
IPP023N08N5XKSA1Infineon TechnologiesSP005573709
товар відсутній
IPP023N10N5Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 120A TO220-3
на замовлення 488 шт:
термін постачання 161-170 дні (днів)
1+411.66 грн
10+ 340.78 грн
25+ 280.39 грн
100+ 239.82 грн
250+ 236.92 грн
500+ 200.7 грн
1000+ 181.86 грн
IPP023N10N5Infineon
на замовлення 21500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPP023N10N5AKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 375W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IPP023N10N5AKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15600 pF @ 50 V
товар відсутній
IPP023N10N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP023N10N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+670.79 грн
21+ 589.88 грн
50+ 555.06 грн
100+ 507.59 грн
200+ 437.07 грн
500+ 386.23 грн
Мінімальне замовлення: 19
IPP023N10N5AKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP023N10N5AKSA1 - MOSFET, N-KANAL, 100V, 120A, TO-220-3
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+639.66 грн
10+ 574.63 грн
100+ 471.41 грн
500+ 372.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP023N10N5AKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 375W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IPP023N10N5AKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 120A TO220-3
на замовлення 750 шт:
термін постачання 161-170 дні (днів)
1+521.54 грн
10+ 431.6 грн
25+ 336.91 грн
100+ 291.26 грн
250+ 275.32 грн
500+ 260.11 грн
1000+ 224.61 грн
IPP023N10N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP023N10N5XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs Y
товар відсутній
IPP023N10N5XKSA1Infineon TechnologiesIPP023N10N5XKSA1
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+258.24 грн
Мінімальне замовлення: 500
IPP023N10N5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15600 pF @ 50 V
на замовлення 413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+426.36 грн
10+ 275.85 грн
100+ 199.13 грн
IPP023N10N5XKSA1Infineon TechnologiesTRENCH >=100V
товар відсутній
IPP023N10N5XKSA1Infineon TechnologiesIPP023N10N5XKSA1
товар відсутній
IPP023NE7N3 GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 120A TO220
товар відсутній
IPP023NE7N3 GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 75V 100A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 302 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+502.95 грн
10+ 416.61 грн
25+ 341.98 грн
100+ 293.44 грн
250+ 276.77 грн
500+ 260.11 грн
1000+ 231.13 грн
IPP023NE7N3GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 273µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14400 pF @ 37.5 V
товар відсутній
IPP023NE7N3GInfineon technologies
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPP023NE7N3GXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IPP023NE7N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IPP023NE7N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP023NE7N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+441.16 грн
10+ 402.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP023NE7N3GXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 50 шт
товар відсутній
IPP023NE7N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IPP023NE7N3GXKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 75V 100A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+464.91 грн
10+ 429.94 грн
25+ 352.12 грн
100+ 302.85 грн
250+ 285.47 грн
500+ 264.45 грн
IPP023NE7N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 4568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+362.43 грн
10+ 338.54 грн
100+ 294.72 грн
500+ 254.5 грн
1000+ 213.35 грн
2500+ 202.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP023NE7N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+108.2 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPP023NE7N3GXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 273µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14400 pF @ 37.5 V
на замовлення 460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+470.25 грн
50+ 358.83 грн
100+ 307.56 грн
IPP023NE7N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+304 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP023NE7N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 4568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+561.12 грн
25+ 504.2 грн
100+ 413.08 грн
500+ 339.08 грн
1000+ 275.83 грн
Мінімальне замовлення: 22
IPP023NE7N3GXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP023NE7N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 120 A, 0.0021 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0021ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+108.1 грн
Мінімальне замовлення: 8
IPP024N06N3GInfineon TechnologiesDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 196µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 30 V
на замовлення 1151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
201+107.18 грн
Мінімальне замовлення: 201
IPP024N06N3GInfineon technologies
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPP024N06N3GHKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP024N06N3GHKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 196µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 30 V
товар відсутній
IPP024N06N3GXKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 120A TO220-3
товар відсутній
IPP024N06N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 7248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
71+174.02 грн
500+ 172.27 грн
1000+ 170.55 грн
2500+ 162.81 грн
Мінімальне замовлення: 71
IPP024N06N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 12250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+144.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP024N06N3GXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 196µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 30 V
товар відсутній
IPP024N06N3GXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 250W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO220-3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
On-state resistance: 2.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+459.38 грн
3+ 380.9 грн
5+ 255.4 грн
12+ 240.91 грн
250+ 238.19 грн
IPP024N06N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP024N06N3GXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 250W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO220-3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
On-state resistance: 2.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+382.82 грн
3+ 305.66 грн
5+ 212.83 грн
12+ 200.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP024N06N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+224.15 грн
Мінімальне замовлення: 500
IPP024N06N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 7250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+162.34 грн
500+ 160.71 грн
1000+ 159.11 грн
2500+ 151.88 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPP024N06N3GXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 196µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 30 V
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
102+206.96 грн
Мінімальне замовлення: 102
IPP024N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 28A Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+61.08 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IPP024N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 28A Tube
товар відсутній
IPP024N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 28A Tube
на замовлення 996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
74+166.2 грн
85+ 146.12 грн
88+ 140.17 грн
102+ 116.81 грн
250+ 102.91 грн
500+ 94.28 грн
Мінімальне замовлення: 74
IPP024N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 28A Tube
на замовлення 1360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
60+207.87 грн
74+ 168.18 грн
100+ 156.69 грн
500+ 133.97 грн
1000+ 115.65 грн
Мінімальне замовлення: 60
IPP024N08NF2SAKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP024N08NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 182 A, 0.0021 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 182A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 214W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0021ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+199.13 грн
10+ 179.62 грн
25+ 164.18 грн
100+ 136.6 грн
500+ 110.07 грн
1000+ 86.39 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPP024N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 182A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 139µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200 pF @ 40 V
на замовлення 258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+194.37 грн
50+ 148.33 грн
100+ 127.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP024N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N
на замовлення 978 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+243.44 грн
10+ 187.47 грн
25+ 152.15 грн
100+ 114.48 грн
500+ 111.58 грн
1000+ 87.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP024N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 28A Tube
товар відсутній
IPP024N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 28A Tube
на замовлення 256000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+110.33 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IPP024N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 28A Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+77.17 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPP026N04NF2SAKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP026N04NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 121 A, 0.0021 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
Dauer-Drainstrom Id: 121A
hazardous: true
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+135.73 грн
10+ 102.41 грн
100+ 76.32 грн
500+ 59.77 грн
Мінімальне замовлення: 6
IPP026N04NF2SAKMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH PG-TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 121A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 81µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 20 V
на замовлення 994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116 грн
50+ 89.59 грн
100+ 71 грн
500+ 56.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP026N04NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP026N04NF2SAKMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 164 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+124.26 грн
10+ 100.82 грн
100+ 68.03 грн
500+ 57.38 грн
1000+ 46.66 грн
2000+ 43.98 грн
5000+ 41.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP026N04NF2SAKMA1Infineon TechnologiesSP005632915
товар відсутній
IPP026N04NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP026N10NF2SInfineon TechnologiesIPP026N10NF2S
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+502.92 грн
26+ 481.31 грн
50+ 462.98 грн
100+ 431.3 грн
250+ 387.23 грн
500+ 361.63 грн
1000+ 352.78 грн
Мінімальне замовлення: 25
IPP026N10NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 27A Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+104.82 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IPP026N10NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
66+188.84 грн
Мінімальне замовлення: 66
IPP026N10NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+171.56 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IPP026N10NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP026N10NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IPP026N10NF2SAKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP026N10NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 184 A, 0.0023 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 184A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+216.2 грн
10+ 154.43 грн
100+ 144.67 грн
500+ 133.59 грн
1000+ 122.61 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPP026N10NF2SAKMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 184A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 169µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 50 V
на замовлення 191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+236.69 грн
10+ 150.94 грн
100+ 115.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP026N10NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
67+186.07 грн
Мінімальне замовлення: 67
IPP026N10NF2SAKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N
на замовлення 1014 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+202.02 грн
25+ 189.97 грн
2000+ 119.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP026N10NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+228.05 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IPP026N10NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+208.37 грн
10+ 207.69 грн
25+ 175.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP027N08N5AKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 214W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IPP027N08N5AKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 214W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IPP027N08N5AKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 154µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8970 pF @ 40 V
на замовлення 470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+252.37 грн
10+ 203.78 грн
100+ 164.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP027N08N5AKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 80V 120A TO220-3
товар відсутній
IPP027N08N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP027N08N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP027N08N5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 154µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8970 pF @ 40 V
товар відсутній
IPP027N08N5XKSA1Infineon TechnologiesMOSFET
товар відсутній
IPP028N08N3 GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 80V 100A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+493.65 грн
25+ 385.78 грн
100+ 281.84 грн
500+ 249.96 грн
1000+ 201.42 грн
IPP028N08N3 GInfineon
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPP028N08N3GIFX
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPP028N08N3GHKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP028N08N3GHKSA1Rochester Electronics, LLCDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IPP028N08N3GXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14200 pF @ 40 V
товар відсутній
IPP028N08N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP028N08N3GXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP028N08N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0024 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+521.8 грн
10+ 369 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP028N08N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+504.38 грн
10+ 452.2 грн
25+ 422.37 грн
50+ 378.83 грн
100+ 324.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP028N08N3GXKSA1Infineon
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPP028N08N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 12895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+128.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP029N06NInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 100A TO220-3
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+213.01 грн
10+ 174.97 грн
100+ 121 грн
250+ 111.58 грн
500+ 84.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP029N06NInfineon technologies
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPP029N06NAK5A1Infineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 75µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 30 V
товар відсутній
IPP029N06NAKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 24A/100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 75µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 30 V
товар відсутній
IPP029N06NAKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP029N06NAKSA1
Код товару: 178126
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IPP029N06NAKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP029N06NAKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 100A TO220-3
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+218.93 грн
10+ 179.97 грн
100+ 124.62 грн
250+ 123.17 грн
500+ 101.43 грн
1000+ 81.87 грн
5000+ 79.7 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP029N06NAKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 136W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.9mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IPP029N06NAKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP029N06NAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0027 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 136W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0027ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1083 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+191.82 грн
10+ 172.31 грн
25+ 156.05 грн
100+ 129.06 грн
500+ 97.53 грн
1000+ 75.94 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPP029N06NAKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 136W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.9mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IPP029N06NXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+55.2 грн
Мінімальне замовлення: 500
IPP029N06NXKSA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
товар відсутній
IPP029N06NXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP029N06NXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0029 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+238.96 грн
10+ 176.37 грн
100+ 129.23 грн
500+ 110.19 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPP029N06NXKSA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 75µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5125 pF @ 30 V
товар відсутній
IPP030N06NF2SAKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP030N06NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 119 A, 0.0026 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 119A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+130.04 грн
10+ 99.16 грн
100+ 73.48 грн
500+ 57.81 грн
1000+ 40.89 грн
Мінімальне замовлення: 7
IPP030N06NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+50.39 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IPP030N06NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP030N06NF2SAKMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V PG-TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 119A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.05mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 30 V
на замовлення 676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+106.59 грн
10+ 65.36 грн
100+ 44.32 грн
500+ 36.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP030N06NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
353+34.89 грн
364+ 33.82 грн
500+ 32.55 грн
1000+ 29.9 грн
Мінімальне замовлення: 353
IPP030N06NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTRENCH 40<-<100V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+33.81 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IPP030N06NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+46.29 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IPP030N06NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
248+49.65 грн
Мінімальне замовлення: 248
IPP030N06NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+32.4 грн
100+ 31.4 грн
500+ 29.15 грн
1000+ 25.71 грн
Мінімальне замовлення: 19
IPP030N06NF2SAKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N
на замовлення 883 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+84.11 грн
10+ 66.91 грн
100+ 46.08 грн
500+ 40.14 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPP030N06NF2SAKMA1
Код товару: 202348
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IPP030N10NINFINEON
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPP030N10N3 GInfineon
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPP030N10N3 GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 100V 100A TO220-3 OptiMOS 3
товар відсутній
IPP030N10N3GHKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14800 pF @ 50 V
товар відсутній
IPP030N10N3GHKSA1Infineon TechnologiesMOSFET MV POWER MOS
товар відсутній
IPP030N10N3GHKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP030N10N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IPP030N10N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+547.89 грн
31+ 399.4 грн
50+ 354.34 грн
100+ 320.95 грн
200+ 279.8 грн
500+ 250.17 грн
1000+ 235.25 грн
2000+ 234.37 грн
Мінімальне замовлення: 23
IPP030N10N3GXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+454.34 грн
4+ 283.02 грн
9+ 267.93 грн
IPP030N10N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+247.4 грн
10+ 243.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP030N10N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+333.21 грн
10+ 319.25 грн
25+ 283.21 грн
50+ 271.89 грн
100+ 228.98 грн
250+ 209.12 грн
500+ 181.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP030N10N3GXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP030N10N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0026 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 507 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+399.07 грн
10+ 285.28 грн
100+ 230.83 грн
500+ 203.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP030N10N3GXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14800 pF @ 50 V
на замовлення 1078 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+395.79 грн
10+ 254.72 грн
100+ 183.04 грн
500+ 143.02 грн
1000+ 140.67 грн
IPP030N10N3GXKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 100A TO220-3
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+295.01 грн
10+ 238.3 грн
25+ 196.35 грн
100+ 168.82 грн
250+ 167.37 грн
500+ 155.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP030N10N3GXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+545.21 грн
4+ 352.69 грн
9+ 321.51 грн
IPP030N10N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+135.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP030N10N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+358.38 грн
36+ 343.36 грн
41+ 304.6 грн
50+ 292.43 грн
100+ 246.27 грн
250+ 224.92 грн
500+ 195.72 грн
Мінімальне замовлення: 35
IPP030N10N5Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
товар відсутній
IPP030N10N5AKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 250W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IPP030N10N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+532.53 грн
29+ 438.31 грн
50+ 397.35 грн
100+ 363.41 грн
200+ 312.72 грн
Мінімальне замовлення: 24
IPP030N10N5AKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP030N10N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0027 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 120
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 250
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: OptiMOS 5
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0027
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товар відсутній
IPP030N10N5AKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 184µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 50 V
товар відсутній
IPP030N10N5AKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 250W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IPP030N10N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP030N10N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP030N10N5AKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 120A TO220-3
товар відсутній
IPP030N10N5XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs Y
товар відсутній
IPP030N10N5XKSA1Infineon TechnologiesIPP030N10N5XKSA1
товар відсутній
IPP030N10N5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 184µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 50 V
товар відсутній
IPP030N10N5XKSA1Infineon TechnologiesIPP030N10N5XKSA1
товар відсутній
IPP032N06N3GHKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 118µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V
товар відсутній
IPP032N06N3GHKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP032N06N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+104.91 грн
10+ 87.02 грн
100+ 77.89 грн
Мінімальне замовлення: 6
IPP032N06N3GXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 118µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V
на замовлення 1707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+213.18 грн
10+ 133.51 грн
100+ 92.46 грн
500+ 70.26 грн
1000+ 64.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP032N06N3GXKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 120A TO220-3
на замовлення 1208 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+129.33 грн
10+ 100.82 грн
100+ 69.41 грн
500+ 67.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP032N06N3GXKSA1InfineonTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube IPP032N06N3GXKSA1 IPP032N06N3G TIPP032n06n3g
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 92 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+75.58 грн
Мінімальне замовлення: 10
IPP032N06N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+45.22 грн
Мінімальне замовлення: 8
IPP032N06N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
132+93.44 грн
147+ 83.65 грн
Мінімальне замовлення: 132
IPP032N06N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP032N06N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
180+68.28 грн
193+ 63.81 грн
202+ 61.09 грн
Мінімальне замовлення: 180
IPP032N06N3GXKSA1InfineonN-Channel 60 V 120A (Tc) 188W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
на замовлення 1 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+380.38 грн
IPP032N06N3GXKSA1
Код товару: 192070
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IPP032N06N3GXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 188W; PG-TO220-3
Case: PG-TO220-3
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
On-state resistance: 3.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 188W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+154.43 грн
16+ 57.36 грн
43+ 54.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP032N06N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
131+94.53 грн
Мінімальне замовлення: 131
IPP032N06N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 47000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+84.42 грн
Мінімальне замовлення: 500
IPP032N06N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+63.4 грн
11+ 59.26 грн
100+ 56.72 грн
Мінімальне замовлення: 10
IPP032N06N3GXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP032N06N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0026 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 120
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 188
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 188
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0026
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товар відсутній
IPP032N06N3GXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 188W; PG-TO220-3
Case: PG-TO220-3
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
On-state resistance: 3.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 188W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 43 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+185.31 грн
16+ 71.48 грн
43+ 65.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP032N06N3GXKSA1; 120A; 60V; 188W; 0.0029R; N-канальний; HEXFET; Корпус: TO-220; INFINEON (IRF)
на замовлення 16 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
7+106.51 грн
Мінімальне замовлення: 7
IPP033N03LF2SAKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+80.22 грн
10+ 65.57 грн
100+ 44.34 грн
500+ 37.6 грн
1000+ 30.58 грн
2500+ 28.84 грн
5000+ 27.46 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPP033N04NF2SAKMA1
Код товару: 202349
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IPP033N04NF2SAKMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+84.11 грн
10+ 67.74 грн
100+ 45.86 грн
500+ 38.91 грн
1000+ 31.59 грн
2000+ 29.78 грн
5000+ 28.4 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPP033N04NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP033N04NF2SAKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP033N04NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 113 A, 0.0026 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
Dauer-Drainstrom Id: 113A
hazardous: true
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+92.66 грн
12+ 71.28 грн
100+ 51.45 грн
500+ 40.53 грн
Мінімальне замовлення: 9
IPP033N04NF2SAKMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH PG-TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 113A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 53µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 20 V
на замовлення 803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+77.59 грн
50+ 59.8 грн
100+ 47.4 грн
500+ 37.7 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPP033N04NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 25A Tube
товар відсутній
IPP033N04NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP034N03L G
Код товару: 202350
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IPP034N03L GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 80A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+120.88 грн
10+ 94.15 грн
100+ 68.03 грн
250+ 59.85 грн
500+ 56.08 грн
1000+ 55.79 грн
2500+ 55.5 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP034N03LGInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
437+50.96 грн
Мінімальне замовлення: 437
IPP034N03LGHKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 80A TO220-3
товар відсутній
IPP034N03LGHKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP034N03LGHKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 15 V
товар відсутній
IPP034N03LGXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP034N03LGXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 0.0028 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+133.3 грн
10+ 97.53 грн
100+ 67.38 грн
Мінімальне замовлення: 7
IPP034N03LGXKSA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
товар відсутній
IPP034N03LGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
156+79.21 грн
178+ 69.25 грн
500+ 68.37 грн
Мінімальне замовлення: 156
IPP034N03LGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+77.18 грн
Мінімальне замовлення: 8
IPP034N03LGXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 80A; 94W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 80A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IPP034N03LGXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 80A; 94W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 80A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IPP034N03LGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+41.5 грн
Мінімальне замовлення: 9
IPP034N03LGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
138+89.1 грн
149+ 82.75 грн
158+ 77.83 грн
200+ 70.9 грн
500+ 65.47 грн
Мінімальне замовлення: 138
IPP034N03LGXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 15 V
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+112.86 грн
50+ 86.94 грн
100+ 71.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP034N03LGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+56.73 грн
Мінімальне замовлення: 500
IPP034N03LGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+93.05 грн
10+ 66.4 грн
100+ 59.45 грн
Мінімальне замовлення: 7
IPP034N03LGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
173+71.06 грн
194+ 63.63 грн
Мінімальне замовлення: 173
IPP034N08N5Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
товар відсутній
IPP034N08N5AKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 40 V
на замовлення 414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+247.66 грн
10+ 156.15 грн
100+ 109.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP034N08N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
78+157.71 грн
Мінімальне замовлення: 78
IPP034N08N5AKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 80V 120A TO220-3
на замовлення 488 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+202.02 грн
10+ 160.81 грн
100+ 108.68 грн
500+ 107.23 грн
1000+ 99.99 грн
2500+ 99.26 грн
5000+ 96.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP034N08N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP034N08N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IPP034N08N5AKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP034N08N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 0.003 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+218.64 грн
10+ 159.3 грн
100+ 140.61 грн
500+ 113.21 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPP034N08N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+120.88 грн
10+ 110.48 грн
Мінімальне замовлення: 6
IPP034N08N5AKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 167W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IPP034N08N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+103.58 грн
Мінімальне замовлення: 500
IPP034N08N5AKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 167W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IPP034N08N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP034N08N5XKSA1Infineon TechnologiesSP005573713
товар відсутній
IPP034N08N5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 40 V
товар відсутній
IPP034N08N5XKSA1Infineon TechnologiesIPP034N08N5XKSA1
товар відсутній
IPP034N08N5XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs Y
товар відсутній
IPP034NE7N3 G
Код товару: 182613
InfineonТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220-3
Uds,V: 75 V
Idd,A: 100 A
Rds(on), Ohm: 3,4 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 6110/88
Монтаж: THT
у наявності 28 шт:
27 шт - склад
1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+124 грн
10+ 113 грн
IPP034NE7N3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 75V 100A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 560 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+200.33 грн
25+ 136.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP034NE7N3 GInfineon
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPP034NE7N3GInfineon technologies
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPP034NE7N3GInfineon TechnologiesDescription: IPP034NE7 - 12V-300V N-CHANNEL P
товар відсутній
IPP034NE7N3GHKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 75V 100A TO220-3
товар відсутній
IPP034NE7N3GHKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP034NE7N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
66+187.41 грн
78+ 158.74 грн
Мінімальне замовлення: 66
IPP034NE7N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
72+172.84 грн
90+ 136.6 грн
100+ 126.98 грн
500+ 116.89 грн
Мінімальне замовлення: 72
IPP034NE7N3GXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP034NE7N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 100 A, 0.003 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+218.64 грн
10+ 130.04 грн
100+ 129.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPP034NE7N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP034NE7N3GXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 100A; 214W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Case: PG-TO220-3
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 100A
On-state resistance: 3.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 214W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+219.45 грн
3+ 179.62 грн
6+ 155.47 грн
16+ 147.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP034NE7N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP034NE7N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+159.65 грн
50+ 126.18 грн
100+ 117.29 грн
500+ 107.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPP034NE7N3GXKSA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
товар відсутній
IPP034NE7N3GXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 100A; 214W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Case: PG-TO220-3
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 100A
On-state resistance: 3.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 214W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+263.34 грн
3+ 223.84 грн
6+ 186.57 грн
16+ 176.6 грн
250+ 170.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP034NE7N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+75.91 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPP034NE7N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 666500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+149.23 грн
Мінімальне замовлення: 500
IPP034NE7N3GXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 155µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8130 pF @ 37.5 V
на замовлення 1425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+186.53 грн
50+ 142.46 грн
100+ 122.11 грн
500+ 112.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP037N06L3 GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 90A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 608 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+154.69 грн
10+ 127.48 грн
100+ 88.39 грн
500+ 81.15 грн
1000+ 59.92 грн
5000+ 58.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP037N06L3GHKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V
товар відсутній
IPP037N06L3GHKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 90A TO220-3
товар відсутній
IPP037N06L3GHKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP037N06L3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP037N06L3GXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V
товар відсутній
IPP037N06L3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 5130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
105+117.37 грн
114+ 108.64 грн
133+ 92.64 грн
500+ 74.06 грн
1000+ 57.84 грн
2500+ 53.48 грн
5000+ 50.59 грн
Мінімальне замовлення: 105
IPP037N06L3GXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 167W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IPP037N06L3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP037N06L3GXKSA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
товар відсутній
IPP037N06L3GXKSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP037N06L3GXKSA1 - IPP037N06 - 90A, 60V, N-CHANNEL, MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
252+99.16 грн
Мінімальне замовлення: 252
IPP037N06L3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP037N06L3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 5130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+116.62 грн
10+ 107.94 грн
100+ 92.05 грн
500+ 73.59 грн
1000+ 57.47 грн
2500+ 53.14 грн
5000+ 50.27 грн
Мінімальне замовлення: 6
IPP037N06L3GXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP037N06L3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 0.003 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 167W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.003ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+180.44 грн
10+ 113.79 грн
100+ 96.72 грн
500+ 76.23 грн
1000+ 62.7 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPP037N06L3GXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 167W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IPP037N08N3 GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 80V 100A TO220-3 OptiMOS 3
товар відсутній
IPP037N08N3 GRochester Electronics, LLCDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IPP037N08N3 G E8181Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 80V 100A TO220-3
товар відсутній
IPP037N08N3GRochester Electronics, LLCDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
на замовлення 144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IPP037N08N3GInfineon technologies
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPP037N08N3GE8181XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.75mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 155µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8110 pF @ 40 V
товар відсутній
IPP037N08N3GHKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.75mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 155µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8110 pF @ 40 V
товар відсутній
IPP037N08N3GXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP037N08N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0028 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1361 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+220.26 грн
10+ 165.81 грн
100+ 141.42 грн
500+ 116.98 грн
1000+ 89.87 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPP037N08N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.09 грн
Мінімальне замовлення: 6
IPP037N08N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
80+155.2 грн
81+ 152.33 грн
91+ 136.18 грн
101+ 117.7 грн
Мінімальне замовлення: 80
IPP037N08N3GXKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 80V 100A TO220-3
на замовлення 3210 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+202.87 грн
10+ 195.81 грн
25+ 144.91 грн
100+ 123.9 грн
500+ 110.13 грн
1000+ 88.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP037N08N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
70+176.15 грн
83+ 148.49 грн
100+ 140.3 грн
200+ 134.3 грн
500+ 112.47 грн
Мінімальне замовлення: 70
IPP037N08N3GXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 214W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+228.23 грн
3+ 197.5 грн
8+ 145.81 грн
20+ 137.66 грн
250+ 135.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP037N08N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
60+207.22 грн
Мінімальне замовлення: 60
IPP037N08N3GXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 214W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+158.49 грн
8+ 121.51 грн
20+ 114.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP037N08N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+142.76 грн
10+ 140.12 грн
25+ 125.27 грн
100+ 108.26 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPP037N08N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+192.42 грн
10+ 188.65 грн
25+ 161.14 грн
50+ 155.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPP037N08N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
72+171.02 грн
83+ 148.49 грн
100+ 141.33 грн
200+ 135.29 грн
500+ 116.13 грн
1000+ 105.34 грн
Мінімальне замовлення: 72
IPP037N08N3GXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.75mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 155µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8110 pF @ 40 V
на замовлення 1865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+260.99 грн
10+ 164.91 грн
100+ 115.61 грн
500+ 88.67 грн
1000+ 82.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP039N04L GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 80A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 255 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+113.27 грн
10+ 89.99 грн
100+ 61.88 грн
500+ 57.96 грн
1000+ 47.53 грн
5000+ 45.28 грн
10000+ 43.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP039N04LGHKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V
товар відсутній
IPP039N04LGHKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP039N04LGXKSA1
Код товару: 202351
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IPP039N04LGXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; 94W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Case: PG-TO220-3
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 80A
On-state resistance: 3.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 94W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+99.48 грн
10+ 75.24 грн
18+ 59.77 грн
49+ 56.15 грн
500+ 54.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP039N04LGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 31000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+50.04 грн
Мінімальне замовлення: 500
IPP039N04LGXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; 94W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Case: PG-TO220-3
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 80A
On-state resistance: 3.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 94W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+82.9 грн
10+ 60.38 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPP039N04LGXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V
на замовлення 426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+105.81 грн
50+ 81.81 грн
100+ 64.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP039N04LGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+36.43 грн
Мінімальне замовлення: 10
IPP039N04LGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP039N04LGXKSA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
товар відсутній
IPP039N04LGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IPP039N04LGXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP039N04LGXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 0.0031 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1782 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+129.23 грн
10+ 96.72 грн
100+ 72.42 грн
500+ 63.02 грн
1000+ 47.65 грн
Мінімальне замовлення: 7
IPP039N04LGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP039N04LGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+85.94 грн
10+ 73.4 грн
100+ 61.55 грн
Мінімальне замовлення: 8
IPP039N10N5Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH >=100V
товар відсутній
IPP039N10N5AKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP039N10N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0032 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+296.66 грн
10+ 212.95 грн
100+ 173.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP039N10N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP039N10N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP039N10N5AKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs DIFFERENTIATED MOSFETS
на замовлення 126 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+347.41 грн
10+ 320.79 грн
25+ 189.1 грн
100+ 162.3 грн
250+ 153.6 грн
500+ 140.56 грн
1000+ 120.27 грн
IPP039N10N5AKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 125µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 50 V
товар відсутній
IPP039N10N5AKSA1Infineon TechnologiesOptiMOS 5 Power-Transistor, 100 V
товар відсутній
IPP039N10N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 138000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+189.69 грн
Мінімальне замовлення: 500
IPP039N10N5XKSA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH >=100V
товар відсутній
IPP039N10N5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MV POWER MOS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 125µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 50 V
товар відсутній
IPP039N10N5XKSA1Infineon TechnologiesIPP039N10N5XKSA1
товар відсутній
IPP03N03LAInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 80A TO220-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7027 pF @ 15 V
товар відсутній
IPP03N03LAGINFINEON08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPP03N03LB GInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товар відсутній
IPP03N03LB GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7624 pF @ 15 V
товар відсутній
IPP03N03LBGinfineon08+
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPP0400NInfineon TechnologiesDescription: IPP0400N
Packaging: Bulk
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
544+40.8 грн
Мінімальне замовлення: 544
IPP0400NXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IPP0400 - N-Channel MOSFET
Packaging: Bulk
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
544+40.8 грн
Мінімальне замовлення: 544
IPP0400NXKSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP0400NXKSA1 - IPP0400 - N-CHANNEL MOSFET
tariffCode: 85412900
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
524+46.98 грн
Мінімальне замовлення: 524
IPP040N06N
Код товару: 202352
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IPP040N06NInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 80A TO220-3
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+157.22 грн
10+ 129.15 грн
100+ 89.84 грн
250+ 84.77 грн
500+ 71.44 грн
1000+ 63.9 грн
2500+ 60.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP040N06N3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 90A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 155 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+166.52 грн
10+ 136.65 грн
100+ 94.19 грн
250+ 86.94 грн
500+ 78.97 грн
1000+ 67.38 грн
2500+ 64.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP040N06N3 GInfineon
на замовлення 147000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPP040N06N3GInfineon TechnologiesDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V
товар відсутній
IPP040N06N3GInfineon technologies
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPP040N06N3GHKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP040N06N3GHKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V
товар відсутній
IPP040N06N3GXKInfineon technologies
на замовлення 424 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPP040N06N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 111000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+79.06 грн
Мінімальне замовлення: 500
IPP040N06N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP040N06N3GXKSA1InfineonТранзистор польовий OptiMOS N-HEXFET TO220AB Udss=60В; Id=90A; Pdmax=188W; Rds=0,0037 Ohm; Ugs=+-20В; -55C...+175C
на замовлення 80 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
3+117.04 грн
10+ 97.81 грн
100+ 86.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP040N06N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.78 грн
Мінімальне замовлення: 9
IPP040N06N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
174+70.76 грн
183+ 67.49 грн
205+ 60.22 грн
213+ 55.79 грн
500+ 51.57 грн
1000+ 46.09 грн
Мінімальне замовлення: 174
IPP040N06N3GXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP040N06N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 0.0033 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+119.48 грн
10+ 97.53 грн
100+ 70.06 грн
Мінімальне замовлення: 7
IPP040N06N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+86.67 грн
10+ 78 грн
100+ 61.59 грн
Мінімальне замовлення: 8
IPP040N06N3GXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+202.21 грн
10+ 126.19 грн
100+ 87.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP040N06N3GXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 188W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 188W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 567 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+102.51 грн
10+ 90.57 грн
13+ 86.04 грн
34+ 81.51 грн
250+ 77.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP040N06N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP040N06N3GXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 188W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 188W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 567 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+82.26 грн
10+ 75.47 грн
13+ 71.7 грн
34+ 67.92 грн
250+ 64.91 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPP040N06N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
132+93.49 грн
147+ 84.13 грн
185+ 66.44 грн
Мінімальне замовлення: 132
IPP040N06N3GXKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 90A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 673 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+151.31 грн
10+ 114.98 грн
100+ 86.94 грн
250+ 81.87 грн
500+ 78.97 грн
1000+ 62.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP040N06N3GXKSA1 транзистор
Код товару: 202066
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IPP040N06NAKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP040N06NAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0036 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+174.75 грн
10+ 129.23 грн
100+ 96.72 грн
500+ 76.23 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPP040N06NAKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
95+130.06 грн
102+ 120.84 грн
120+ 102.41 грн
200+ 93.42 грн
Мінімальне замовлення: 95
IPP040N06NAKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 20A/80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 30 V
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+193.59 грн
10+ 120.38 грн
100+ 82.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP040N06NAKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
132+93.15 грн
145+ 85.04 грн
159+ 77.65 грн
500+ 67.69 грн
Мінімальне замовлення: 132
IPP040N06NAKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 107W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 107W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IPP040N06NAKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+86.86 грн
10+ 79.29 грн
100+ 72.4 грн
500+ 63.11 грн
Мінімальне замовлення: 8
IPP040N06NAKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 80A TO220-3
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+160.6 грн
10+ 129.15 грн
100+ 91.29 грн
500+ 77.53 грн
1000+ 60.72 грн
5000+ 58.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP040N06NAKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP040N06NAKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 107W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 107W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IPP040N06NAKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+73.75 грн
Мінімальне замовлення: 500
IPP040N06NAKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.55 грн
Мінімальне замовлення: 8
IPP040N06NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
183+67.24 грн
217+ 56.69 грн
500+ 49.66 грн
1000+ 39.09 грн
Мінімальне замовлення: 183
IPP040N06NF2SAKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N
на замовлення 1119 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+99.74 грн
10+ 81.4 грн
100+ 55.14 грн
500+ 46.66 грн
1000+ 38.04 грн
2000+ 35.79 грн
5000+ 34.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPP040N06NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 49000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+42.41 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IPP040N06NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP040N06NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTRENCH 40<-<100V
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+28.4 грн
Мінімальне замовлення: 50
IPP040N06NF2SAKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP040N06NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 109 A, 0.0035 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 109A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+109.72 грн
10+ 84.53 грн
100+ 61.85 грн
500+ 48.6 грн
Мінімальне замовлення: 8
IPP040N06NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+62.77 грн
100+ 52.93 грн
500+ 46.37 грн
1000+ 36.5 грн
Мінімальне замовлення: 50
IPP040N06NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+50.36 грн
14+ 46.72 грн
100+ 42.29 грн
500+ 37.57 грн
Мінімальне замовлення: 13
IPP040N06NF2SAKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 109A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 52µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 30 V
на замовлення 305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+129.32 грн
10+ 79.25 грн
100+ 53.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP040N06NF2SAKMA1
Код товару: 202353
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IPP040N06NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
245+50.31 грн
270+ 45.54 грн
500+ 41.96 грн
Мінімальне замовлення: 245
IPP040N06NXKSA1Infineon TechnologiesIPP040N06NXKSA1
товар відсутній
IPP040N06NXKSA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3375 pF @ 30 V
товар відсутній
IPP040N06NXKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs Y
товар відсутній
IPP040N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 22A Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+85.49 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IPP040N08NF2SAKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP040N08NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 115 A, 0.0036 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+131.67 грн
10+ 108.1 грн
25+ 96.72 грн
100+ 78.49 грн
500+ 64.09 грн
Мінімальне замовлення: 7
IPP040N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 22A Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+68.06 грн
Мінімальне замовлення: 9
IPP040N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N
на замовлення 1105 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+86.22 грн
10+ 80.57 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPP040N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 22A Tube
на замовлення 377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
132+93.28 грн
134+ 91.72 грн
200+ 86.12 грн
Мінімальне замовлення: 132
IPP040N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 22A Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
121+101.75 грн
200+ 98.81 грн
750+ 96.59 грн
Мінімальне замовлення: 121
IPP040N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 22A Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+62.72 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IPP040N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 22A Tube
товар відсутній
IPP040N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 22A Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
168+73.29 грн
Мінімальне замовлення: 168
IPP040N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 115A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 40 V
на замовлення 809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+121.48 грн
50+ 93.77 грн
100+ 77.16 грн
500+ 65.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP040N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 22A Tube
на замовлення 208000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+87.92 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IPP041N04N GInfineon
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPP041N04N GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 80A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 886 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+98.9 грн
10+ 79.07 грн
100+ 54.27 грн
500+ 50.07 грн
1000+ 35.14 грн
5000+ 33.47 грн
10000+ 33.26 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPP041N04NGInfineon technologies
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPP041N04NGHKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP041N04NGHKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
товар відсутній
IPP041N04NGHKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 80A TO220-3
товар відсутній
IPP041N04NGXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 20 V
на замовлення 415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+127.75 грн
10+ 78.26 грн
100+ 52.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP041N04NGXKSA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
товар відсутній
IPP041N04NGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 773500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+45.49 грн
Мінімальне замовлення: 500
IPP041N04NGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP041N04NGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
176+70.13 грн
207+ 59.38 грн
500+ 52.6 грн
Мінімальне замовлення: 176
IPP041N04NGXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; 94W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 80A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.1mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IPP041N04NGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP041N04NGXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP041N04NGXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 0.0033 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+111.35 грн
10+ 84.53 грн
100+ 62.34 грн
Мінімальне замовлення: 8
IPP041N04NGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+29.16 грн
Мінімальне замовлення: 12
IPP041N04NGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+75.98 грн
10+ 65.43 грн
100+ 55.4 грн
500+ 47.32 грн
Мінімальне замовлення: 9
IPP041N04NGXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; 94W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 80A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.1mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IPP041N12N3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 120V 120A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 5007 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+349.1 грн
10+ 289.13 грн
25+ 236.92 грн
100+ 203.59 грн
250+ 192 грн
500+ 179.68 грн
1000+ 154.33 грн
IPP041N12N3GInfineon technologies
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPP041N12N3GXKInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 120V 120A TO220-3 OptiMOS 3
товар відсутній
IPP041N12N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IPP041N12N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+273.33 грн
48+ 259.03 грн
49+ 254.68 грн
100+ 220.6 грн
500+ 195.79 грн
1000+ 177.05 грн
Мінімальне замовлення: 45
IPP041N12N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+308.18 грн
10+ 289.47 грн
25+ 283.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP041N12N3GXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP041N12N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 120 A, 0.0035 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1527 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+375.5 грн
10+ 267.4 грн
100+ 234.89 грн
500+ 217.36 грн
1000+ 199.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP041N12N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1069 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+126.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP041N12N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+305.18 грн
Мінімальне замовлення: 41
IPP041N12N3GXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 120A; 300W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Drain current: 120A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 120V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: PG-TO220-3
On-state resistance: 4.1mΩ
Power dissipation: 300W
товар відсутній
IPP041N12N3GXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 120V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 60 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+376.98 грн
10+ 242.11 грн
100+ 173.5 грн
500+ 135.28 грн
IPP041N12N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+630.93 грн
28+ 441.86 грн
50+ 391.71 грн
100+ 361.62 грн
200+ 315.24 грн
500+ 273.08 грн
1000+ 248.02 грн
Мінімальне замовлення: 20
IPP041N12N3GXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 120A; 300W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Drain current: 120A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 120V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: PG-TO220-3
On-state resistance: 4.1mΩ
Power dissipation: 300W
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IPP041N12N3GXKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 120V 120A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 841 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+388.83 грн
10+ 274.96 грн
25+ 170.99 грн
100+ 144.91 грн
IPP041N12N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+271.59 грн
10+ 257.39 грн
25+ 253.07 грн
100+ 219.2 грн
500+ 194.54 грн
1000+ 175.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP041N12N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP042N03L GInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IPP042N03L GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 80A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 11433 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+111.58 грн
10+ 89.99 грн
100+ 61.22 грн
500+ 37.6 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPP042N03LGINFINEONTO-220 0741+
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPP042N03LGInfineon TechnologiesDescription: IPP042N03 - 12V-300V N-CHANNEL P
на замовлення 71180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IPP042N03LGHKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 70A TO220-3
товар відсутній
IPP042N03LGHKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 70A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 15 V
товар відсутній
IPP042N03LGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+32.97 грн
Мінімальне замовлення: 11
IPP042N03LGXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 70A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 15 V
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+105.81 грн
10+ 83.55 грн
100+ 65 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP042N03LGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP042N03LGXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 70A; 79W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 70A
Power dissipation: 79W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+84.53 грн
6+ 70.19 грн
17+ 53.59 грн
45+ 50.57 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPP042N03LGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
161+76.37 грн
165+ 74.91 грн
197+ 62.48 грн
Мінімальне замовлення: 161
IPP042N03LGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+83.25 грн
10+ 71.3 грн
50+ 69.93 грн
100+ 56.24 грн
Мінімальне замовлення: 8
IPP042N03LGXKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 80A TO220-3 OptiMOS 3
товар відсутній
IPP042N03LGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP042N03LGXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP042N03LGXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 0.0035 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+122.73 грн
10+ 92.66 грн
100+ 69 грн
500+ 33.96 грн
1000+ 30.58 грн
2000+ 29.82 грн
Мінімальне замовлення: 7
IPP042N03LGXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 70A; 79W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 70A
Power dissipation: 79W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 51 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+101.43 грн
5+ 87.47 грн
17+ 64.3 грн
45+ 60.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP044N03LF2SAKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N
на замовлення 2958 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+68.38 грн
10+ 55.74 грн
100+ 37.68 грн
500+ 31.95 грн
1000+ 26.01 грн
2500+ 24.49 грн
5000+ 23.33 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPP045N10N3 GInfineon
на замовлення 86450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPP045N10N3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 100A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 4883 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+233.3 грн
10+ 193.31 грн
25+ 158.67 грн
100+ 136.21 грн
250+ 133.31 грн
500+ 113.03 грн
1000+ 102.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP045N10N3 GInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
63+195.1 грн
66+ 187.66 грн
100+ 181.29 грн
250+ 169.51 грн
500+ 152.69 грн
Мінімальне замовлення: 63
IPP045N10N3GInfineon technologies
на замовлення 254 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPP045N10N3GInfineon TechnologiesDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 137A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8410 pF @ 50 V
товар відсутній
IPP045N10N3GHKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8410 pF @ 50 V
товар відсутній
IPP045N10N3GHKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP045N10N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 3795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+154.89 грн
10+ 152.19 грн
25+ 122.67 грн
100+ 115.06 грн
500+ 98.7 грн
1000+ 63.3 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPP045N10N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP045N10N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.53 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPP045N10N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
103+119.82 грн
106+ 116.75 грн
Мінімальне замовлення: 103
IPP045N10N3GXKSA1InfineonTrans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive IPP045N10N3GXKSA1 IPP045N10N3G TIPP045n10n3g
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+136.75 грн
Мінімальне замовлення: 10
IPP045N10N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 3795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
154+80.09 грн
Мінімальне замовлення: 154
IPP045N10N3GXKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 100A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 6695 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+215.55 грн
10+ 159.14 грн
25+ 129.69 грн
100+ 108.68 грн
500+ 97.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP045N10N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+96.46 грн
10+ 96.16 грн
25+ 90.68 грн
Мінімальне замовлення: 7
IPP045N10N3GXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP045N10N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0039 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+221.89 грн
10+ 130.04 грн
100+ 121.92 грн
500+ 103.4 грн
1000+ 94.75 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPP045N10N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+121.64 грн
Мінімальне замовлення: 500
IPP045N10N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IPP045N10N3GXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 214W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+143.4 грн
9+ 110.19 грн
23+ 104.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP045N10N3GXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 214W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+207.75 грн
3+ 178.7 грн
9+ 132.23 грн
23+ 124.98 грн
250+ 123.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP045N10N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
97+126.99 грн
100+ 123.92 грн
Мінімальне замовлення: 97
IPP045N10N3GXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8410 pF @ 50 V
на замовлення 2509 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+245.31 грн
10+ 155.1 грн
100+ 109.15 грн
500+ 88 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP048N04N GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 70A TO220-3 OptiMOS 3
товар відсутній
IPP048N04N G
Код товару: 83952
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IPP048N04NGInfineon TechnologiesDescription: IPP048N04 - 12V-300V N-CHANNEL P
товар відсутній
IPP048N04NGXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 70A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
товар відсутній
IPP048N04NGXKSA1
Код товару: 202354
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IPP048N04NGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP048N04NGXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 70A; 79W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 70A
Power dissipation: 79W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.8mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IPP048N04NGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
189+65.31 грн
Мінімальне замовлення: 189
IPP048N04NGXKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 70A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+121.72 грн
10+ 99.99 грн
100+ 69.41 грн
250+ 63.83 грн
500+ 56.01 грн
1000+ 54.92 грн
2500+ 54.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP048N04NGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 6500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+57.23 грн
Мінімальне замовлення: 500
IPP048N04NGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+36.85 грн
Мінімальне замовлення: 10
IPP048N04NGXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 70A; 79W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 70A
Power dissipation: 79W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.8mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IPP048N04NGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+60.94 грн
500+ 60.34 грн
Мінімальне замовлення: 10
IPP048N06L GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 30 V
товар відсутній
IPP048N06LGinfineon08+
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPP048N06LGINFINEON
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPP048N12N3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 120V 100A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 417 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+248.51 грн
10+ 243.3 грн
25+ 160.85 грн
100+ 150.7 грн
500+ 149.98 грн
1000+ 127.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP048N12N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IPP048N12N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+146.6 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPP048N12N3GXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP048N12N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 100 A, 0.0041 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+310.48 грн
10+ 216.2 грн
100+ 202.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP048N12N3GXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 120V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 182 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 60 V
на замовлення 1405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+341.72 грн
10+ 276.53 грн
100+ 223.68 грн
500+ 186.59 грн
1000+ 159.77 грн
IPP048N12N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 24500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+189.32 грн
Мінімальне замовлення: 500
IPP048N12N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+213.01 грн
10+ 202.29 грн
25+ 201.3 грн
50+ 189.63 грн
100+ 164.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP048N12N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+110.73 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPP048N12N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+461.83 грн
30+ 412.28 грн
31+ 402.91 грн
50+ 379.57 грн
100+ 294.42 грн
500+ 225.88 грн
Мінімальне замовлення: 27
IPP048N12N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP048N12N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+274.26 грн
10+ 251.81 грн
25+ 248.82 грн
50+ 230.63 грн
100+ 194.2 грн
250+ 171.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP048N12N3GXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 120A; 300W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Case: PG-TO220-3
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 120A
On-state resistance: 4.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 64 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+237.98 грн
3+ 212.55 грн
7+ 169.36 грн
18+ 160.3 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP048N12N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP048N12N3GXKSA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH >=100V
товар відсутній
IPP048N12N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+276.02 грн
49+ 253.42 грн
50+ 250.41 грн
52+ 232.1 грн
100+ 195.43 грн
250+ 172.65 грн
Мінімальне замовлення: 45
IPP048N12N3GXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 120A; 300W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Case: PG-TO220-3
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 120A
On-state resistance: 4.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+170.57 грн
7+ 141.13 грн
18+ 133.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP048N12N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
54+229.4 грн
57+ 216.78 грн
59+ 204.22 грн
100+ 177.68 грн
Мінімальне замовлення: 54
IPP04CN10NGINFINEON07+ DIP
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPP04CN10NGInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
товар відсутній
IPP04CN10NGHKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP04CN10NGXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MV POWER MOS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 50 V
товар відсутній
IPP04CN10NGXKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 100V 100A TO220-3
на замовлення 501 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+454.77 грн
10+ 402.44 грн
100+ 286.92 грн
500+ 233.3 грн
IPP04CN10NGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP04CN10NGXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 158nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IPP04CN10NGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP04CN10NGXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 158nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IPP04N03LAINFINEON09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPP04N03LAInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3877 pF @ 15 V
товар відсутній
IPP04N03LB GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5203 pF @ 15 V
товар відсутній
IPP04N03LBGINF07+;
на замовлення 17600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPP04N03LBGXKInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
IPP050N03LF2SAKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N
на замовлення 4970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+68.38 грн
10+ 60.07 грн
100+ 35.65 грн
500+ 29.78 грн
1000+ 25.36 грн
2500+ 22.97 грн
5000+ 21.3 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPP050N03LF2SAKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 50A TO220-3
Packaging: Tube
товар відсутній
IPP050N03LF2SAKSA1Infineon TechnologiesIPP050N03LF2SAKSA1
товар відсутній
IPP050N06N GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 30 V
товар відсутній
IPP050N10NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 19.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP050N10NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 19.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
163+75.42 грн
Мінімальне замовлення: 163
IPP050N10NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 19.4A Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+61.37 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IPP050N10NF2SAKMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.4A (Ta), 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 84µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 50 V
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+159.88 грн
10+ 99.93 грн
100+ 69.34 грн
500+ 63.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP050N10NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 19.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
98+125.96 грн
Мінімальне замовлення: 98
IPP050N10NF2SAKMA1
Код товару: 188954
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IPP050N10NF2SAKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N
на замовлення 782 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+131.87 грн
10+ 104.98 грн
100+ 74.63 грн
500+ 70.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP050N10NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 19.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP050N10NF2SAKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP050N10NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 0.0045 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: StrongIRFET 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+144.67 грн
10+ 104.85 грн
100+ 104.04 грн
Мінімальне замовлення: 6
IPP050N10NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 19.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+70.29 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IPP051N15N5Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
товар відсутній
IPP051N15N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1761 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+368.54 грн
Мінімальне замовлення: 34
IPP051N15N5AKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 115A; Idm: 480A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 115A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.1mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IPP051N15N5AKSA1
Код товару: 197743
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IPP051N15N5AKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP051N15N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 120 A, 0.004 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 120
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: OptiMOS 5
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.004
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товар відсутній
IPP051N15N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1763 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+557.83 грн
10+ 451.3 грн
25+ 392.57 грн
100+ 302.53 грн
250+ 279.36 грн
500+ 232.96 грн
1000+ 207.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP051N15N5AKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 115A; Idm: 480A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 115A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.1mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IPP051N15N5AKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N
на замовлення 8500 шт:
термін постачання 203-212 дні (днів)
1+522.39 грн
10+ 416.61 грн
25+ 315.17 грн
100+ 252.14 грн
250+ 251.41 грн
500+ 218.08 грн
1000+ 194.17 грн
IPP051N15N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1613 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+194.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP051N15N5AKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 264µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 75 V
товар відсутній
IPP051N15N5XKSA1Infineon TechnologiesIPP051N15N5XKSA1
товар відсутній
IPP051N15N5XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs Y
товар відсутній
IPP051N15N5XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP051N15N5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 264µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 75 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+453.79 грн
10+ 294.57 грн
IPP051N15N5XKSA1Infineon TechnologiesIPP051N15N5XKSA1
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+409.64 грн
50+ 403.5 грн
500+ 387.11 грн
Мінімальне замовлення: 30
IPP051N15N5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP051N15N5XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 120 A, 0.0051 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0051ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+417.77 грн
10+ 364.94 грн
100+ 302.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP052N06L3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 80A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 435 шт:
термін постачання 161-170 дні (днів)
3+129.33 грн
10+ 106.65 грн
100+ 73.18 грн
250+ 68.03 грн
500+ 62.02 грн
1000+ 53.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP052N06L3GInfineon technologies
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPP052N06L3GHKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP052N06L3GHKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 58µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 30 V
товар відсутній
IPP052N06L3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP052N06L3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
112+110.6 грн
122+ 100.98 грн
150+ 82.13 грн
200+ 74.06 грн
500+ 68.4 грн
1000+ 58.38 грн
Мінімальне замовлення: 112
IPP052N06L3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP052N06L3GXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP052N06L3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0042 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+141.42 грн
10+ 108.1 грн
100+ 77.13 грн
500+ 64.6 грн
1000+ 48.56 грн
Мінімальне замовлення: 6
IPP052N06L3GXKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 80A TO220-3 OptiMOS 3
товар відсутній
IPP052N06L3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
114+108.19 грн
115+ 107.75 грн
139+ 88.61 грн
500+ 72.2 грн
Мінімальне замовлення: 114
IPP052N06L3GXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 115W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Case: PG-TO220-3
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
On-state resistance: 5.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 115W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+79.25 грн
10+ 70.19 грн
15+ 61.13 грн
40+ 58.11 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPP052N06L3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+29.5 грн
Мінімальне замовлення: 12
IPP052N06L3GXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 58µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 30 V
товар відсутній
IPP052N06L3GXKSA1
Код товару: 202355
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IPP052N06L3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+122.98 грн
10+ 100.87 грн
50+ 100.46 грн
100+ 79.67 грн
500+ 62.33 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPP052N06L3GXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 115W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Case: PG-TO220-3
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
On-state resistance: 5.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 115W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+98.75 грн
10+ 84.23 грн
15+ 73.36 грн
40+ 69.74 грн
250+ 67.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP052N08N5Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
товар відсутній
IPP052N08N5Infineon
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPP052N08N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP052N08N5AKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 80A; 125W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 80A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IPP052N08N5AKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP052N08N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 A, 0.0046 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+133.3 грн
10+ 99.16 грн
100+ 77.46 грн
Мінімальне замовлення: 7
IPP052N08N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+123.29 грн
107+ 115.9 грн
120+ 103.2 грн
250+ 98.66 грн
Мінімальне замовлення: 100
IPP052N08N5AKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 80A; 125W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 80A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IPP052N08N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.06 грн
Мінімальне замовлення: 7
IPP052N08N5AKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 66µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3770 pF @ 40 V
на замовлення 4313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+152.83 грн
10+ 95.7 грн
100+ 66.11 грн
500+ 59.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP052N08N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
58+215.18 грн
71+ 174.44 грн
100+ 162.95 грн
Мінімальне замовлення: 58
IPP052N08N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+114.48 грн
10+ 107.62 грн
100+ 95.83 грн
250+ 91.61 грн
Мінімальне замовлення: 6
IPP052N08N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
64+193.92 грн
100+ 155.84 грн
500+ 128.04 грн
Мінімальне замовлення: 64
IPP052N08N5AKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 80V 80A TO220-3
на замовлення 534 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+120.88 грн
10+ 95.82 грн
100+ 68.76 грн
500+ 64.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP052N08N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IPP052NE7N3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 75V 80A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 184 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+218.93 грн
10+ 214.14 грн
25+ 149.25 грн
100+ 128.24 грн
500+ 112.3 грн
1000+ 91.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP052NE7N3 GInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
товар відсутній
IPP052NE7N3GInfineon TechnologiesDescription: IPP052NE7 - 12V-300V N-CHANNEL P
товар відсутній
IPP052NE7N3GInfineon technologies
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPP052NE7N3GHKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 91µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 37.5 V
товар відсутній
IPP052NE7N3GHKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP052NE7N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+107.34 грн
Мінімальне замовлення: 6
IPP052NE7N3GXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 150W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 98 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+230.18 грн
8+ 145.78 грн
21+ 133.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP052NE7N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
107+115.58 грн
Мінімальне замовлення: 107
IPP052NE7N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+53.08 грн
Мінімальне замовлення: 7
IPP052NE7N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP052NE7N3GXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 91µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 37.5 V
на замовлення 4982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+204.56 грн
50+ 156.41 грн
100+ 134.07 грн
500+ 111.84 грн
1000+ 95.76 грн
2000+ 90.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP052NE7N3GXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP052NE7N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 0.0052 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 8882 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+238.96 грн
10+ 167.43 грн
100+ 143.05 грн
500+ 99.62 грн
1000+ 74.54 грн
2000+ 71.06 грн
5000+ 67.16 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPP052NE7N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 6500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+114.72 грн
Мінімальне замовлення: 500
IPP052NE7N3GXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 150W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+191.82 грн
8+ 116.98 грн
21+ 110.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP052NE7N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IPP052NE7N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP054NE8NGHKSA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 85V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12100 pF @ 40 V
товар відсутній
IPP055N03L GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 50A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 605 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+93.83 грн
10+ 75.32 грн
100+ 51.01 грн
500+ 43.11 грн
1000+ 35.14 грн
2500+ 33.11 грн
5000+ 31.52 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPP055N03LGinfineon08+
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPP055N03LGHKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP055N03LGHKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 50A TO220-3
товар відсутній
IPP055N03LGHKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP055N03LGHKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 50A TO-220-3
товар відсутній
IPP055N03LGXKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 50A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 369 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+106.51 грн
10+ 83.32 грн
100+ 56.37 грн
500+ 38.26 грн
1000+ 37.97 грн
25000+ 37.75 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPP055N03LGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IPP055N03LGXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP055N03LGXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 0.0046 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+103.22 грн
11+ 75.51 грн
100+ 55.27 грн
500+ 43.77 грн
Мінімальне замовлення: 8
IPP055N03LGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP055N03LGXKSA1
Код товару: 202356
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IPP055N03LGXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; 68W; PG-TO220-3-1
Mounting: THT
Case: PG-TO220-3-1
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 5.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 68W
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+93.63 грн
10+ 70.54 грн
24+ 44.74 грн
65+ 42.39 грн
500+ 40.76 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPP055N03LGXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 15 V
товар відсутній
IPP055N03LGXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; 68W; PG-TO220-3-1
Mounting: THT
Case: PG-TO220-3-1
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 5.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 68W
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+78.03 грн
Мінімальне замовлення: 6
IPP055N03LGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+27.39 грн
Мінімальне замовлення: 13
IPP055N03LGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP055N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 55µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 40 V
на замовлення 363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+134.8 грн
10+ 83.55 грн
100+ 57.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP055N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 18.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
194+63.35 грн
207+ 59.51 грн
221+ 55.83 грн
500+ 53.54 грн
Мінімальне замовлення: 194
IPP055N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 18.5A Tube
товар відсутній
IPP055N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 18.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 272000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+69.7 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IPP055N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 18.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
125+98.62 грн
135+ 91.55 грн
152+ 80.9 грн
200+ 73.67 грн
500+ 68.03 грн
1000+ 60.13 грн
Мінімальне замовлення: 125
IPP055N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 18.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP055N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 105-114 дні (днів)
3+113.27 грн
10+ 81.4 грн
100+ 55.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP055N08NF2SAKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP055N08NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 99 A, 0.0048 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: StrongIRFET 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+91.84 грн
12+ 68.92 грн
Мінімальне замовлення: 9
IPP055N08NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 18.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+58.83 грн
12+ 55.26 грн
100+ 51.85 грн
500+ 49.72 грн
Мінімальне замовлення: 11
IPP057N06N3
Код товару: 113416
InfineonТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 60 V
Idd,A: 80 A
Rds(on), Ohm: 5,4 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 5000/61
Монтаж: THT
товар відсутній
IPP057N06N3 GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 80A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 1266 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+134.4 грн
10+ 109.98 грн
100+ 76.08 грн
250+ 73.9 грн
500+ 63.98 грн
1000+ 54.77 грн
2500+ 52.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP057N06N3GHKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 58µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 30 V
товар відсутній
IPP057N06N3GHKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP057N06N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IPP057N06N3GXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 115W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 115W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 233 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+105.34 грн
10+ 89.66 грн
15+ 73.36 грн
40+ 69.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP057N06N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP057N06N3GXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 115W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 115W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 233 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+84.53 грн
10+ 74.72 грн
15+ 61.13 грн
40+ 58.11 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPP057N06N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
189+65.17 грн
204+ 60.47 грн
250+ 60.12 грн
Мінімальне замовлення: 189
IPP057N06N3GXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 58µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 30 V
на замовлення 494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+123.83 грн
50+ 95.99 грн
100+ 78.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP057N06N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+57.5 грн
Мінімальне замовлення: 500
IPP057N06N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IPP057N06N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+41.08 грн
Мінімальне замовлення: 9
IPP057N06N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP057N06N3GXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP057N06N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0047 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+147.11 грн
10+ 108.91 грн
100+ 85.34 грн
500+ 66.87 грн
Мінімальне замовлення: 6
IPP057N06N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+74.67 грн
10+ 64.76 грн
100+ 60.08 грн
250+ 57.6 грн
Мінімальне замовлення: 9
IPP057N06N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP057N06N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
272+45.34 грн
285+ 43.25 грн
289+ 42.62 грн
Мінімальне замовлення: 272
IPP057N06N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP057N06N3GXKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 80A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+134.4 грн
10+ 110.82 грн
100+ 76.8 грн
250+ 72.45 грн
500+ 63.98 грн
1000+ 52.02 грн
2500+ 51.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP057N08N3 GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 80V 80A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+210.48 грн
10+ 172.48 грн
100+ 120.27 грн
250+ 110.85 грн
500+ 99.99 грн
1000+ 86.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP057N08N3GHKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP057N08N3GHKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 80A TO220-3
товар відсутній
IPP057N08N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
93+132.72 грн
120+ 103.23 грн
500+ 87.74 грн
Мінімальне замовлення: 93
IPP057N08N3GXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP057N08N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 A, 0.0049 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0049ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 511 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+167.43 грн
10+ 116.23 грн
100+ 102.41 грн
500+ 87.55 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPP057N08N3GXKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 80V 80A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 1989 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+154.69 грн
10+ 116.65 грн
100+ 91.29 грн
500+ 83.32 грн
1000+ 78.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP057N08N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+160.78 грн
10+ 145.51 грн
100+ 94.64 грн
250+ 90.35 грн
500+ 82.82 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPP057N08N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+101.38 грн
10+ 87.84 грн
100+ 83.4 грн
Мінімальне замовлення: 7
IPP057N08N3GXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 40 V
на замовлення 730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+192.02 грн
50+ 148.57 грн
100+ 122.25 грн
500+ 97.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP057N08N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
113+109.18 грн
130+ 94.6 грн
137+ 89.82 грн
Мінімальне замовлення: 113
IPP057N08N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+46.15 грн
Мінімальне замовлення: 8
IPP057N08N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 3490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
71+173.4 грн
88+ 139.97 грн
100+ 131.62 грн
500+ 111.8 грн
1000+ 97 грн
2000+ 90.43 грн
Мінімальне замовлення: 71
IPP057N08N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP05CN10L GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
товар відсутній
IPP05CN10LGXKInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP05CN10NINFINEON
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPP05CN10N GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 100V 100A TO220-3 OptiMOS 2
на замовлення 687 шт:
термін постачання 325-334 дні (днів)
2+271.34 грн
10+ 240.8 грн
100+ 171.71 грн
500+ 166.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP05CN10NGInfineon technologies
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPP05CN10NGHKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 100A TO-220
товар відсутній
IPP05CN10NGHKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP05CN10NGXKInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
товар відсутній
IPP05CN10NGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP05CN10NGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP05CN10NGXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; Idm: 400A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IPP05CN10NGXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
товар відсутній
IPP05CN10NGXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; Idm: 400A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IPP05N03LINFINEON09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPP05N03LAInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 80A TO220-3
товар відсутній
IPP05N03LB GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3209 pF @ 15 V
товар відсутній
IPP05N03LBGinfineon07+
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPP05N03LBGXKInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
IPP060N06NInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 45A TO220-3
на замовлення 915 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+121.72 грн
10+ 99.99 грн
100+ 68.76 грн
250+ 64.05 грн
500+ 58.11 грн
1000+ 49.78 грн
2500+ 47.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP060N06NInfineon TechnologiesDescription: IPP060N06 - 12V-300V N-CHANNEL P
товар відсутній
IPP060N06NAKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1031 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
124+99.85 грн
136+ 90.94 грн
167+ 73.94 грн
200+ 66.76 грн
500+ 61.63 грн
1000+ 52.49 грн
Мінімальне замовлення: 124
IPP060N06NAKSA1InfineonTrans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube IPP060N06NAKSA1 IPP060N06N TIPP060n06n
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+46.2 грн
Мінімальне замовлення: 20
IPP060N06NAKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 17A/45A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V
на замовлення 494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+161.45 грн
10+ 99.62 грн
100+ 67.9 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP060N06NAKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 107W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 107W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IPP060N06NAKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP060N06NAKSA1
Код товару: 202357
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IPP060N06NAKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 107W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 107W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IPP060N06NAKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+37.36 грн
Мінімальне замовлення: 10
IPP060N06NAKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP060N06NAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 45 A, 0.0052 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+133.3 грн
10+ 101.6 грн
Мінімальне замовлення: 7
IPP060N06NAKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 45A TO220-3
на замовлення 436 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+141.16 грн
10+ 104.98 грн
100+ 68.03 грн
250+ 66.44 грн
500+ 61.15 грн
1000+ 57.38 грн
2500+ 57.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP060N06NAKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+57.46 грн
Мінімальне замовлення: 500
IPP060N06NXKSA1Infineon TechnologiesSP005573716
товар відсутній
IPP062NE7N3 GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 75V 80A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 578 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+198.64 грн
10+ 162.48 грн
100+ 112.3 грн
250+ 103.61 грн
500+ 94.19 грн
1000+ 81.15 грн
2500+ 76.8 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP062NE7N3GInfineon TechnologiesDescription: IPP062NE7 - 12V-300V N-CHANNEL P
товар відсутній
IPP062NE7N3GHKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 75V 80A TO220-3
товар відсутній
IPP062NE7N3GHKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP062NE7N3GXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 73A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3840 pF @ 37.5 V
товар відсутній
IPP062NE7N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+60.27 грн
Мінімальне замовлення: 6
IPP062NE7N3GXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 136W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IPP062NE7N3GXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 136W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IPP065N03LGInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V
на замовлення 2285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
866+25.96 грн
Мінімальне замовлення: 866
IPP065N03LGHKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP065N03LGXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V
товар відсутній
IPP065N03LGXKSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP065N03LGXKSA1 - IPP065N03 - N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
715+34.95 грн
Мінімальне замовлення: 715
IPP065N03LGXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
742+28.16 грн
Мінімальне замовлення: 742
IPP065N03LGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP065N04N GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 50A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 194 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
IPP065N04N GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 20 V
товар відсутній
IPP065N04NGInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 20 V
на замовлення 952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
952+28.19 грн
Мінімальне замовлення: 952
IPP065N04NGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP065N04NGXKSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP065N04NGXKSA1 - IPP065N04 - N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IPP065N06L GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 80A TO220-3
товар відсутній
IPP065N06LGINF
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPP065N06LGAKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 157 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 30 V
товар відсутній
IPP065N06LGXKInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
IPP069N20NM6AKSA1Infineon TechnologiesTRENCH >=100V
товар відсутній
IPP069N20NM6AKSA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta), 136A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 100A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 258µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 100 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+608.97 грн
10+ 502.49 грн
100+ 418.73 грн
500+ 346.74 грн
IPP069N20NM6AKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N
на замовлення 711 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+649.18 грн
10+ 548.25 грн
25+ 446.31 грн
100+ 397.77 грн
250+ 390.52 грн
500+ 357.92 грн
1000+ 301.41 грн
IPP06CN10LINFINEON
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPP06CN10L GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 100V 100A TO220-3
товар відсутній
IPP06CN10LGInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11900 pF @ 50 V
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
208+104.92 грн
Мінімальне замовлення: 208
IPP06CN10LGHKSA1Infineon TechnologiesMOSFET
товар відсутній
IPP06CN10LGXKInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP06CN10LGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP06CN10LGXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
товар відсутній
IPP06CN10LGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+69.47 грн
10+ 61.07 грн
25+ 53.52 грн
50+ 48.39 грн
100+ 41.13 грн
Мінімальне замовлення: 9
IPP06CN10N GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 50 V
товар відсутній
IPP06CN10NGXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
товар відсутній
IPP06CNE8N GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 85V 100A TO-220
товар відсутній
IPP06N03LAInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2653 pF @ 15 V
товар відсутній
IPP06N03LAInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 25V 50A TO220-3
товар відсутній
IPP06N03LAHKSA1Infineon TechnologiesMOSFET
товар відсутній
IPP070N06
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPP070N06L GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 30 V
товар відсутній
IPP070N06L GInfineon TechnologiesMOSFET Discrete Semiconductor Products MOSFETs, GaNFETs - Single - MOSFET N-CH 60V 80A TO-220
товар відсутній
IPP070N06LGINF
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPP070N06LGinfineon08+
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPP070N06LGAKSA1Infineon TechnologiesMOSFET
товар відсутній
IPP070N06LGXKInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
IPP070N06N GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 80A TO220-3
товар відсутній
IPP070N06N GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 30 V
товар відсутній
IPP070N06NGAKSA1Infineon TechnologiesMOSFET
товар відсутній
IPP070N06NGINInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товар відсутній
IPP070N06NGXKInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP070N08N3 GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 80V 80A TO220-3 OptiMOS 3
товар відсутній
IPP070N08N3 GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 73A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 73µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3840 pF @ 40 V
товар відсутній
IPP070N08N3GInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 73A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 73µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3840 pF @ 40 V
на замовлення 609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
400+54.81 грн
Мінімальне замовлення: 400
IPP070N08N3GHKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP070N08N3GHKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 80V 80A TO220-3
товар відсутній
IPP070N08N3GXKSA1Infineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 73A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 73µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3840 pF @ 40 V
на замовлення 7700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
310+70.89 грн
Мінімальне замовлення: 310
IPP070N08N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP072N10N3 GInfineon
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPP072N10N3 GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 100V 80A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 221 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+169.9 грн
10+ 139.15 грн
100+ 96.36 грн
250+ 89.12 грн
500+ 81.15 грн
1000+ 70.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP072N10N3GHKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4910 pF @ 50 V
товар відсутній
IPP072N10N3GHKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP072N10N3GHKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 80V 80A TO220-3
товар відсутній
IPP072N10N3GXKInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 100V 80A TO220-3 OptiMOS 3
товар відсутній
IPP072N10N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 218000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+101.77 грн
Мінімальне замовлення: 500
IPP072N10N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.8 грн
Мінімальне замовлення: 7
IPP072N10N3GXKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 100V 80A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+170.75 грн
10+ 139.98 грн
100+ 97.09 грн
500+ 81.15 грн
1000+ 65.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP072N10N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+127.25 грн
10+ 110.84 грн
100+ 92.93 грн
500+ 71.8 грн
1000+ 58.16 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPP072N10N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP072N10N3GXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 150W; PG-TO220-3
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Drain current: 80A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: PG-TO220-3
On-state resistance: 7.2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+136.6 грн
9+ 98.55 грн
24+ 93.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP072N10N3GXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP072N10N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0062 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IPP072N10N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
65+191.16 грн
80+ 154.6 грн
100+ 145.2 грн
500+ 123.89 грн
1000+ 107.26 грн
2000+ 100.28 грн
Мінімальне замовлення: 65
IPP072N10N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
96+128.06 грн
111+ 111.55 грн
132+ 93.52 грн
500+ 72.26 грн
1000+ 58.53 грн
Мінімальне замовлення: 96
IPP072N10N3GXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4910 pF @ 50 V
на замовлення 2247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+159.1 грн
50+ 123.31 грн
100+ 101.46 грн
500+ 80.57 грн
1000+ 68.36 грн
2000+ 64.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP072N10N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP072N10N3GXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 150W; PG-TO220-3
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Drain current: 80A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: PG-TO220-3
On-state resistance: 7.2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 140 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+195.07 грн
3+ 170.23 грн
9+ 118.26 грн
24+ 111.8 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP073N13NM6AKSA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+256.29 грн
10+ 161.66 грн
100+ 113.16 грн
500+ 86.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP073N13NM6AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 135V 15A Tube
товар відсутній
IPP073N13NM6AKSA1Infineon TechnologiesTRENCH >=100V
товар відсутній
IPP073N13NM6AKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N
на замовлення 337 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+258.66 грн
10+ 184.97 грн
100+ 112.3 грн
500+ 91.29 грн
1000+ 86.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP073N13NM6AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 135V 15A Tube
товар відсутній
IPP075N15N3 GInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+448.74 грн
29+ 429.45 грн
50+ 413.09 грн
100+ 384.83 грн
250+ 345.51 грн
Мінімальне замовлення: 28
IPP075N15N3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 150V 100A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 392 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+342.34 грн
10+ 283.29 грн
25+ 232.58 грн
100+ 199.25 грн
250+ 187.65 грн
500+ 177.51 грн
1000+ 151.43 грн
IPP075N15N3 GInfineon
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPP075N15N3GINFINEON
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPP075N15N3GInfineon technologies
на замовлення 24500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPP075N15N3GHKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5470 pF @ 75 V
товар відсутній
IPP075N15N3GHKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP075N15N3GHKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 150V 100A TO220-3
товар відсутній
IPP075N15N3GXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 100A; 300W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Case: PG-TO220-3
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 100A
On-state resistance: 7.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
товар відсутній
IPP075N15N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 3794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+465.24 грн
32+ 385.93 грн
100+ 305.13 грн
500+ 250.4 грн
1000+ 209.55 грн
2500+ 193.43 грн
Мінімальне замовлення: 27
IPP075N15N3GXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP075N15N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 100 A, 0.0062 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+369 грн
10+ 262.53 грн
100+ 222.7 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP075N15N3GXKSA1
Код товару: 122947
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IPP075N15N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP075N15N3GXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 100A; 300W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Case: PG-TO220-3
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 100A
On-state resistance: 7.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IPP075N15N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 3794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+471.78 грн
10+ 396.33 грн
25+ 391.36 грн
100+ 309.42 грн
500+ 253.92 грн
1000+ 212.49 грн
2500+ 196.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP075N15N3GXKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 150V 100A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 2673 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+342.34 грн
25+ 268.29 грн
100+ 199.97 грн
500+ 177.51 грн
1000+ 170.99 грн
5000+ 143.46 грн
IPP075N15N3GXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5470 pF @ 75 V
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+372.28 грн
10+ 239.02 грн
100+ 171.1 грн
500+ 133.33 грн
IPP075N15N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+553.01 грн
Мінімальне замовлення: 23
IPP075N15N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP075N15N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP075N15N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+125.1 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP076N12N3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 120V 100A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 435 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+230.76 грн
10+ 199.14 грн
25+ 129.69 грн
100+ 120.27 грн
1000+ 97.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP076N12N3 GInfineon
на замовлення 3800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPP076N12N3GInfineon TechnologiesDescription: IPP076N12 - 12V-300V N-CHANNEL P
товар відсутній
IPP076N12N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+444.99 грн
44+ 283.08 грн
54+ 228.77 грн
100+ 206.5 грн
500+ 152.96 грн
Мінімальне замовлення: 28
IPP076N12N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
51+242.67 грн
57+ 219.4 грн
100+ 182.37 грн
Мінімальне замовлення: 51
IPP076N12N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+225.34 грн
10+ 203.73 грн
100+ 169.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP076N12N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+199.3 грн
10+ 182.68 грн
100+ 156.14 грн
500+ 148.95 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPP076N12N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.53 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPP076N12N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
62+200.57 грн
67+ 183.85 грн
100+ 157.14 грн
500+ 149.9 грн
Мінімальне замовлення: 62
IPP076N12N3GXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP076N12N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 100 A, 0.0065 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120
Dauer-Drainstrom Id: 100
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 188
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 188
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: OptiMOS 3
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0065
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товар відсутній
IPP076N12N3GXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 120V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6640 pF @ 60 V
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+242.96 грн
10+ 196.98 грн
100+ 159.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP076N12N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
52+237.87 грн
56+ 220.56 грн
100+ 188.88 грн
500+ 163.94 грн
Мінімальне замовлення: 52
IPP076N15N5Infineon
на замовлення 38500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPP076N15N5Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH >=100V
товар відсутній
IPP076N15N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+304.12 грн
44+ 279.78 грн
45+ 277.08 грн
100+ 244.2 грн
Мінімальне замовлення: 41
IPP076N15N5AKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 79A; 214W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 79A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 49nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IPP076N15N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+143.7 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP076N15N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+411.57 грн
36+ 348.89 грн
50+ 265.32 грн
200+ 240.74 грн
500+ 195.86 грн
1000+ 183.55 грн
Мінімальне замовлення: 30
IPP076N15N5AKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP076N15N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 112 A, 0.0059 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 112A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0059ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+354.37 грн
10+ 251.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP076N15N5AKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N
на замовлення 2454 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+353.33 грн
10+ 259.96 грн
25+ 215.91 грн
100+ 163.74 грн
500+ 136.94 грн
IPP076N15N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+255.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP076N15N5AKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 112A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 112A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 56A, 10
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 75 V
на замовлення 366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+360.52 грн
50+ 181.33 грн
100+ 165.25 грн
IPP076N15N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP076N15N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+576.61 грн
24+ 519.42 грн
25+ 517.34 грн
50+ 472.8 грн
100+ 361.65 грн
Мінімальне замовлення: 22
IPP076N15N5AKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 79A; 214W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 79A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 49nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IPP076N15N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+289.78 грн
Мінімальне замовлення: 43
IPP076N15N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+282.39 грн
10+ 259.8 грн
25+ 257.29 грн
100+ 226.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP076N15N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+469.02 грн
31+ 397.99 грн
50+ 302.93 грн
200+ 273.98 грн
500+ 222.91 грн
Мінімальне замовлення: 27
IPP07N03LINFINEON09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPP07N03LB GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2782 pF @ 15 V
товар відсутній
IPP080N03L GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 15 V
товар відсутній
IPP080N03L GInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP080N03LGinfineon07+
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPP080N06N GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 30 V
товар відсутній
IPP080N06NGXKInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
IPP082N10NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 266000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+61.19 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IPP082N10NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
224+55 грн
Мінімальне замовлення: 224
IPP082N10NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+49.79 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IPP082N10NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
230+53.56 грн
Мінімальне замовлення: 230
IPP082N10NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+45.39 грн
18+ 34.26 грн
Мінімальне замовлення: 14
IPP082N10NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
334+36.89 грн
Мінімальне замовлення: 334
IPP082N10NF2SAKMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 50 V
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.64 грн
50+ 88.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP082N10NF2SAKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP082N10NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 77 A, 0.0073 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 100W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0073ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0073ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
товар відсутній
IPP082N10NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 15A Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+40.24 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IPP082N10NF2SAKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N
на замовлення 1083 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+122.57 грн
10+ 65.49 грн
100+ 45.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP082N10NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP083N10N5AKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 73A; 100W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 73A
Power dissipation: 100W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IPP083N10N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 73A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP083N10N5AKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 73A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 73A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 50 V
товар відсутній
IPP083N10N5AKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP083N10N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 73 A, 0.0073 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 73
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 100
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 100
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: OptiMOS 5
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0073
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0073
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товар відсутній
IPP083N10N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 73A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP083N10N5AKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 73A TO220-3
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 161-170 дні (днів)
4+110.73 грн
10+ 101.65 грн
100+ 61.37 грн
500+ 61.3 грн
1000+ 55.79 грн
2500+ 54.2 грн
5000+ 53.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPP083N10N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 73A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
133+92.58 грн
143+ 86.02 грн
170+ 72.51 грн
200+ 66.07 грн
500+ 60.99 грн
Мінімальне замовлення: 133
IPP083N10N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 73A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+92.11 грн
10+ 82.79 грн
100+ 73.44 грн
Мінімальне замовлення: 7
IPP083N10N5AKSA1
Код товару: 166075
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IPP083N10N5AKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 73A; 100W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 73A
Power dissipation: 100W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IPP083N10N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 73A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
124+99.19 грн
138+ 89.16 грн
156+ 79.09 грн
Мінімальне замовлення: 124
IPP084N06L3 GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 50A TO220-3
товар відсутній