Продукція > IPP

IPP-2011

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	28226.15 грн

IPP-2014

Outline Coup. 90 Degree, .8-2.5 Ghz 200 W

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	5459.7 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP-2031

IPP-2031

на замовлення 21 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	5018.34 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP-2254

IPP-2254

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	20228.67 грн

IPP-3175

Directional Couplers With Connectors

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	110943.02 грн

IPP011N03LF2SAKSA1

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Ta), 210A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 336 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15100 pF @ 15 V

товар відсутній

IPP011N03LF2SAKSA1

MOSFETs N

на замовлення 970 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	172.03 грн
10+	140.48 грн
100+	97.58 грн
250+	90.35 грн
500+	81.68 грн
1000+	69.89 грн
2500+	66.57 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP011N04NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP011N04NF2SAKMA1

Description: INFINEON - IPP011N04NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 201 A, 940 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
Dauer-Drainstrom Id: 201A
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 940µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 964 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	301.63 грн
10+	213.25 грн
100+	172.71 грн
500+	151.34 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP011N04NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 44A Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	88.54 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPP011N04NF2SAKMA1

Description: TRENCH PG-TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Ta), 201A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 249µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 315 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 20 V

на замовлення 311 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	274.44 грн
50+	134.71 грн
100+	122.15 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP011N04NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 50000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	149.93 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPP011N04NF2SAKMA1

MOSFETs N

на замовлення 880 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	162.75 грн
25+	127.18 грн
100+	104.81 грн
500+	103.36 грн
1000+	96.13 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP011N04NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	137.97 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPP011N04NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP011N04NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

83+	148.11 грн

Мінімальне замовлення: 83

IPP013N04NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 41A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP013N04NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 41A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP013N04NF2SAKMA1

Description: INFINEON - IPP013N04NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 197 A, 0.00102 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
Dauer-Drainstrom Id: 197A
hazardous: true
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00102ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 816 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	214.87 грн
10+	158.92 грн
100+	116.76 грн
500+	98.63 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPP013N04NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 41A Tube

товар відсутній

IPP013N04NF2SAKMA1

Description: TRENCH PG-TO220-3
Packaging: Tube
Part Status: Active

на замовлення 997 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	185.3 грн
50+	143.45 грн
100+	118.03 грн
500+	93.73 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP013N04NF2SAKMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 906 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	198.17 грн
10+	162.92 грн
100+	112.76 грн
250+	104.08 грн
500+	94.69 грн
1000+	80.23 грн
2000+	76.62 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP013N06NF2SAKMA1

TRENCH 40<-<100V

товар відсутній

IPP013N06NF2SAKMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)

товар відсутній

IPP013N06NF2SAKMA1

MOSFET

товар відсутній

IPP014N06NF2SAKMA1

TRENCH 40<-<100V

товар відсутній

IPP014N06NF2SAKMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 198A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 246µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 30 V

товар відсутній

IPP014N06NF2SAKMA1

MOSFET

товар відсутній

IPP014N06NF2SAKMA2

Trans MOSFET N-CH 60V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	298.16 грн
10+	250.22 грн
25+	236.42 грн
100+	195.07 грн
250+	170.46 грн
500+	154.6 грн
1000+	130.91 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP014N06NF2SAKMA2

Trans MOSFET N-CH 60V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 991 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

64+	194.11 грн
71+	173.68 грн
100+	172.66 грн
200+	163.54 грн
500+	145.95 грн

Мінімальне замовлення: 64

IPP014N06NF2SAKMA2

Trans MOSFET N-CH 60V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP014N06NF2SAKMA2

Trans MOSFET N-CH 60V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

63+	195.63 грн

Мінімальне замовлення: 63

IPP014N06NF2SAKMA2

Trans MOSFET N-CH 60V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 31000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	150.08 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPP014N06NF2SAKMA2

Description: INFINEON - IPP014N06NF2SAKMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 198 A, 0.00123 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 198A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00123ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1062 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	309.74 грн
10+	219.74 грн
100+	177.57 грн
500+	155.1 грн
1000+	121.62 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP014N06NF2SAKMA2

Trans MOSFET N-CH 60V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 17 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPP014N06NF2SAKMA2

SP005742469

на замовлення 480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	100.35 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPP014N06NF2SAKMA2

Description: TRENCH 40<-<100V PG-TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 198A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 246µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 30 V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	326.04 грн
10+	207.96 грн
100+	147.71 грн
500+	114.43 грн
1000+	108.57 грн

IPP014N06NF2SAKMA2

MOSFETs N

на замовлення 811 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	287.55 грн
10+	237.73 грн
25+	195.88 грн
100+	167.69 грн
250+	158.29 грн
500+	148.9 грн
1000+	126.49 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP014N06NF2SAKMA2

Trans MOSFET N-CH 60V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 17 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	175.47 грн
10+	161.2 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPP014N08NM6AKSA1

TRENCH 40<-<100V

товар відсутній

IPP014N08NM6AKSA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube

товар відсутній

IPP014N08NM6AKSA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

товар відсутній

IPP015N04N G

Description: INFINEON - IPP015N04N G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0012 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 250W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 55 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	355.14 грн
10+	319.47 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP015N04N G

на замовлення 3550 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP015N04N G

MOSFETs N-Ch 40V 120A TO220-3 OptiMOS 3

товар відсутній

IPP015N04NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP015N04NF2SAKMA1
Код товару: 202345

товар відсутній

IPP015N04NF2SAKMA1

MOSFETs N

на замовлення 1018 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	113 грн
10+	89.77 грн
100+	63.82 грн
500+	60.72 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP015N04NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP015N04NF2SAKMA1

Description: INFINEON - IPP015N04NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 193 A, 0.00123 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
Dauer-Drainstrom Id: 193A
hazardous: true
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00123ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 732 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	172.71 грн
10+	128.11 грн
100+	93.25 грн
500+	79.06 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPP015N04NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP015N04NF2SAKMA1

Description: TRENCH PG-TO220-3
Packaging: Tube
Part Status: Active

на замовлення 910 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	143.08 грн
10+	89.37 грн
100+	61.64 грн
500+	55.12 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP015N04NG

на замовлення 30 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP015N04NGHKSA1

MOSFET MV POWER MOS

товар відсутній

IPP015N04NGHKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP015N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 4500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	287.92 грн
10+	253.45 грн
25+	202.97 грн
50+	193.78 грн
100+	169.73 грн
250+	161.67 грн
500+	136.54 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP015N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 4500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	125.65 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP015N04NGXKSA1

Description: INFINEON - IPP015N04NGXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0012 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 326 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	399.74 грн
10+	230.28 грн
100+	208.38 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP015N04NGXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 250W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

на замовлення 24 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	287.85 грн
5+	204.79 грн
12+	193.5 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP015N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 4500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	195.84 грн

Мінімальне замовлення: 500

IPP015N04NGXKSA1

на замовлення 24 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	345.42 грн
5+	255.2 грн
12+	232.2 грн
500+	224.07 грн

IPP015N04NGXKSA1

Description: MOSFET N-CH 40V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20000 pF @ 20 V

на замовлення 297 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	397.19 грн
10+	256.07 грн
100+	184.05 грн

IPP015N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP015N04NGXKSA1

MOSFETs N-Ch 40V 120A TO220-3

на замовлення 678 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	374.41 грн
10+	310.05 грн
25+	202.38 грн
100+	186.48 грн
500+	159.02 грн
1000+	156.12 грн

IPP015N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 4500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

40+	309.6 грн
45+	272.53 грн
57+	208.36 грн
100+	182.51 грн
250+	173.85 грн
500+	146.82 грн

Мінімальне замовлення: 40

IPP016N06NF2SAKMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 194A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 186µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 233 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 30 V

на замовлення 1781 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	225.96 грн
10+	141.85 грн
100+	98.54 грн
500+	75.09 грн
1000+	69.5 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP016N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 855 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

109+	112.83 грн
119+	103.71 грн
134+	91.84 грн
500+	83.85 грн

Мінімальне замовлення: 109

IPP016N06NF2SAKMA1

MOSFETs N

товар відсутній

IPP016N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 855 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	104.77 грн
10+	96.3 грн
100+	85.28 грн
500+	77.86 грн

Мінімальне замовлення: 6

IPP016N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

127+	97.02 грн

Мінімальне замовлення: 127

IPP016N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 36A Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	61.31 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPP016N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	90.47 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPP016N06NF2SAKMA1

Description: INFINEON - IPP016N06NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 194 A, 0.00142 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 194A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00142ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 920 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	211.63 грн
10+	156.49 грн
100+	142.71 грн
500+	120.47 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPP016N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP016N06NF2SAKMA1
Код товару: 202346

товар відсутній

IPP016N08NF2SAKMA1

N Channel Power Mosfet

на замовлення 1396 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

93+	133.22 грн
95+	129.55 грн
96+	128.89 грн
100+	119.01 грн

Мінімальне замовлення: 93

IPP016N08NF2SAKMA1

N Channel Power Mosfet

на замовлення 1396 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	123.71 грн
10+	120.29 грн
25+	119.68 грн
100+	110.51 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPP016N08NF2SAKMA1

SP005548844

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	103.72 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPP016N08NF2SAKMA1

N Channel Power Mosfet

на замовлення 267000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	148.02 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPP016N08NF2SAKMA1

Description: INFINEON - IPP016N08NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 196 A, 0.0014 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 196A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 180 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	268.39 грн
10+	241.63 грн
25+	215.68 грн
100+	176.18 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPP016N08NF2SAKMA1

N Channel Power Mosfet

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

106+	115.72 грн

Мінімальне замовлення: 106

IPP016N08NF2SAKMA1
Код товару: 183516

Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 80 V
Idd,A: 196 A
Rds(on), Ohm: 1,6 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 12000/170
Монтаж: THT

товар відсутній

IPP016N08NF2SAKMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 196A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 267µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 40 V

на замовлення 577 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	260.36 грн
50+	199.03 грн
100+	170.58 грн
500+	142.3 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP016N08NF2SAKMA1

N Channel Power Mosfet

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	114.99 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPP016N08NF2SAKMA1

N Channel Power Mosfet

товар відсутній

IPP016N08NF2SAKMA1

MOSFETs N

на замовлення 1498 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	208.29 грн
10+	176.22 грн
25+	134.44 грн
100+	118.54 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP016N08NF2SAKMA1

N Channel Power Mosfet

на замовлення 1384 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

72+	170.9 грн
73+	169.86 грн
100+	165.69 грн
1000+	158.77 грн

Мінімальне замовлення: 72

IPP017N06NF2SAKMA1

TRENCH 40<-<100V

товар відсутній

IPP018N03LF2SAKSA1

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 128A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 15 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	169.67 грн
10+	104.81 грн
25+	89.48 грн
100+	67.75 грн
250+	59.84 грн
500+	55.02 грн
1000+	50.16 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP018N10N5AKSA1

Description: INFINEON - IPP018N10N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 205 A, 0.0017 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 205A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 247 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	450.01 грн
10+	394.06 грн
100+	326.77 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP018N10N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 426 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

40+	311.56 грн
41+	303.47 грн
42+	298.89 грн
50+	267.96 грн
100+	237.31 грн
250+	223.9 грн

Мінімальне замовлення: 40

IPP018N10N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP018N10N5AKSA1

MOSFET TRENCH >=100V

товар відсутній

IPP018N10N5AKSA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 205A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.83mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 50 V

на замовлення 474 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	448.01 грн
50+	341.9 грн
100+	293.07 грн

IPP018N10N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 426 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	289.31 грн
10+	281.79 грн
25+	277.54 грн
50+	248.82 грн
100+	220.36 грн
250+	207.91 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP018N10N5XKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP018N10N5XKSA1

MOSFETs Y

на замовлення 326 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	538.85 грн
10+	369.89 грн
100+	234.19 грн
500+	209.61 грн

IPP018N10N5XKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	330.9 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP018N10N5XKSA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 205A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.83mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 50 V

на замовлення 569 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	448.01 грн
50+	341.9 грн
100+	293.07 грн
500+	244.47 грн

IPP018N10N5XKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPP018N10N5XKSA1

Description: INFINEON - IPP018N10N5XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 205 A, 0.0017 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 205A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 798 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	527.85 грн
10+	380.28 грн
100+	321.9 грн
500+	253.73 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP018N10N5XKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	315.23 грн

Мінімальне замовлення: 500

IPP019N06NF2SAKMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 185A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 129µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 30 V

на замовлення 656 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	199.38 грн
10+	124.61 грн
100+	86.01 грн
500+	65.18 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP019N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP019N06NF2SAKMA1
Код товару: 202347

товар відсутній

IPP019N06NF2SAKMA1

Description: INFINEON - IPP019N06NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 185 A, 0.0017 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 185A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 559 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	179.19 грн
10+	132.98 грн
100+	97.3 грн
500+	82.07 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPP019N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

149+	82.51 грн

Мінімальне замовлення: 149

IPP019N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 970 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

178+	69.1 грн
184+	66.78 грн
194+	63.48 грн
500+	59.71 грн

Мінімальне замовлення: 178

IPP019N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	76.93 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPP019N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 33A Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	51.78 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPP019N06NF2SAKMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

на замовлення 533 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	164.44 грн
10+	135.49 грн
100+	93.24 грн
250+	86.74 грн
500+	78.79 грн
1000+	66.86 грн
2000+	63.53 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP019N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 970 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	62.01 грн
100+	58.95 грн
500+	55.44 грн

Мінімальне замовлення: 10

IPP019N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 41000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	77.21 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPP019N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

114+	107.75 грн
750+	98.45 грн
1500+	91.61 грн
2250+	83.31 грн

Мінімальне замовлення: 114

IPP019N08NF2SAKMA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 147A; Idm: 764A; 250W
Case: PG-TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 764A
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 147A
On-state resistance: 1.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 124nC
Technology: StrongIRFET™ 2
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPP019N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 32A Tube

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	80.45 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPP019N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1640 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

177+	69.33 грн

Мінімальне замовлення: 177

IPP019N08NF2SAKMA1

MOSFETs N

на замовлення 842 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	253.82 грн
10+	167.08 грн
25+	133 грн
100+	106.25 грн
250+	105.53 грн
500+	92.52 грн
1000+	91.8 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP019N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP019N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1390 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

62+	200.08 грн
67+	185.49 грн
100+	174.02 грн
200+	166.81 грн
500+	141.43 грн
1000+	127.73 грн

Мінімальне замовлення: 62

IPP019N08NF2SAKMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 191A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 194µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8700 pF @ 40 V

на замовлення 912 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	267.4 грн
10+	169.18 грн
100+	118.77 грн
500+	91.2 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP019N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 26000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	115.01 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPP019N08NF2SAKMA1

Description: INFINEON - IPP019N08NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 191 A, 0.0017 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 191A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 1873 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	192.17 грн
10+	117.57 грн
100+	101.35 грн
500+	85.83 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPP019N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	103.72 грн
2000+	102.69 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPP019N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1640 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	85.32 грн
10+	64.38 грн

Мінімальне замовлення: 8

IPP019N08NF2SAKMA1

товар відсутній

IPP020N03LF2SAKSA1

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 125A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.05mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	151.68 грн
10+	93.44 грн
25+	79.54 грн
100+	59.97 грн
250+	52.8 грн
500+	48.42 грн
1000+	44.05 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP020N03LF2SAKSA1

MOSFETs N

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	101.19 грн
10+	81.96 грн
100+	55.51 грн
500+	47.05 грн
1000+	38.31 грн
2500+	36 грн
5000+	34.33 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPP020N06N

MOSFETs N-Ch 60V 120A TO220-3

на замовлення 864 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	278.28 грн
10+	230.25 грн
25+	188.65 грн
100+	161.91 грн
250+	152.51 грн
500+	143.84 грн
1000+	122.88 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP020N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP020N06NAKSA1

MOSFETs N-Ch 60V 120A TO220-3

на замовлення 296 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	286.71 грн
10+	239.39 грн
25+	177.81 грн
100+	148.17 грн
250+	147.45 грн
500+	131.55 грн
1000+	127.21 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP020N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1392 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

37+	336.12 грн
44+	284.02 грн
57+	216.59 грн
100+	207.87 грн
200+	181.53 грн
500+	153.25 грн
1000+	149.74 грн

Мінімальне замовлення: 37

IPP020N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP020N06NAKSA1

Description: INFINEON - IPP020N06NAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0018 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 120
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 214
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

товар відсутній

IPP020N06NAKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 136W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPP020N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 252 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

53+	233.81 грн
57+	216.48 грн
63+	196.25 грн
100+	161.04 грн
250+	146.58 грн

Мінімальне замовлення: 53

IPP020N06NAKSA1

товар відсутній

IPP020N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPP020N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 252 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	219.87 грн
10+	203.58 грн
25+	184.54 грн
100+	151.44 грн
250+	137.85 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP020N06NAKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 29A/120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 143µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 30 V

на замовлення 398 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	256.46 грн
50+	195.64 грн
100+	167.69 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP020N06NXKSA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 143µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9750 pF @ 30 V

товар відсутній

IPP020N06NXKSA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

товар відсутній

IPP020N06NXKSA1

SP005573707

товар відсутній

IPP020N08N5

MOSFET N-Ch 80V 120A TO220-3

на замовлення 860 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	470.54 грн
10+	389.84 грн
25+	319.48 грн
100+	273.94 грн
250+	258.76 грн
500+	243.58 грн
1000+	208.17 грн

IPP020N08N5AKSA1

Description: INFINEON - IPP020N08N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 0.0018 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1213 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	363.25 грн
10+	248.93 грн
100+	218.11 грн
500+	185.22 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP020N08N5AKSA1

Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16900 pF @ 40 V

на замовлення 572 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	433.16 грн
50+	330.73 грн
100+	283.48 грн
500+	236.48 грн

IPP020N08N5AKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 375W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

на замовлення 11 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	552.99 грн
3+	355.38 грн
7+	335.8 грн

IPP020N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	493.46 грн
33+	381.08 грн
50+	345.32 грн
100+	315.25 грн
200+	277.3 грн
500+	250.45 грн

Мінімальне замовлення: 25

IPP020N08N5AKSA1

на замовлення 11 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	663.59 грн
3+	442.85 грн
7+	402.96 грн
250+	396.64 грн

IPP020N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 650 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	350.96 грн
10+	336.37 грн
25+	277.83 грн
100+	247.08 грн
250+	219.91 грн
500+	193.74 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP020N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP020N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 650 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	189.74 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP020N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

47+	261.71 грн
51+	242.83 грн
100+	226.75 грн

Мінімальне замовлення: 47

IPP020N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 220 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

93+	133.15 грн
100+	127.19 грн

Мінімальне замовлення: 93

IPP020N08N5AKSA1

MOSFET N-Ch 80V 120A TO220-3

на замовлення 221 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	425.01 грн
10+	402.31 грн
25+	276.11 грн
100+	252.98 грн
250+	242.14 грн
500+	221.9 грн
1000+	196.6 грн

IPP020N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 648 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

33+	376.82 грн
34+	361.14 грн
42+	298.29 грн
100+	265.28 грн
250+	236.1 грн
500+	208.02 грн

Мінімальне замовлення: 33

IPP020N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	246.43 грн
10+	243.01 грн
25+	225.48 грн
100+	210.55 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP020N08N5XKSA1

IPP020N08N5XKSA1

товар відсутній

IPP020N08N5XKSA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

товар відсутній

IPP020N08N5XKSA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16900 pF @ 40 V

товар відсутній

IPP022N12NM6AKSA1

MOSFETs N

на замовлення 551 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	506.8 грн
10+	428.08 грн
25+	337.55 грн
100+	310.08 грн
250+	292.01 грн
500+	273.94 грн
1000+	245.75 грн

IPP022N12NM6AKSA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 203A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 60 V

товар відсутній

IPP022N12NM6AKSA1

N-channel MOSFET

товар відсутній

IPP022N12NM6AKSA1

TRENCH >=100V

товар відсутній

IPP023N04NG

на замовлення 405 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP023N04NG

08+

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP023N04NGHKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP023N04NGHKSA1

Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO220-3
Packaging: Tube
Part Status: Active

товар відсутній

IPP023N04NGXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 90A; 167W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 90A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPP023N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 206000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	90.57 грн

Мінімальне замовлення: 500

IPP023N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP023N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 470 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

114+	107.81 грн
168+	73.04 грн

Мінімальне замовлення: 114

IPP023N04NGXKSA1

Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 20 V

товар відсутній

IPP023N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

77+	160.4 грн
89+	138.94 грн
100+	132.81 грн
200+	127.09 грн
500+	108.55 грн

Мінімальне замовлення: 77

IPP023N04NGXKSA1

Description: INFINEON - IPP023N04NGXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 0.0019 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1447 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	210.01 грн
10+	85.95 грн
100+	84.33 грн
500+	76.8 грн
1000+	69.22 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPP023N04NGXKSA1

MOSFETs N-Ch 40V 90A TO220-3

на замовлення 3812 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	205.76 грн
10+	167.91 грн
100+	117.09 грн
500+	94.69 грн
1000+	83.12 грн
2500+	79.51 грн
5000+	75.17 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP023N04NGXKSA1

товар відсутній

IPP023N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP023N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 470 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	100.57 грн
10+	68.14 грн

Мінімальне замовлення: 7

IPP023N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 70 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	60.29 грн

Мінімальне замовлення: 6

IPP023N08N5

MOSFET TRENCH 40<-<100V

товар відсутній

IPP023N08N5

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP023N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

60+	205.88 грн
61+	203.84 грн
76+	161.75 грн
77+	154.39 грн
100+	121.43 грн
250+	115.38 грн
500+	114.26 грн

Мінімальне замовлення: 60

IPP023N08N5AKSA1

Description: INFINEON - IPP023N08N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 0.002 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 203 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	218.11 грн
10+	154.06 грн
100+	151.63 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPP023N08N5AKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 375W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPP023N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	191.18 грн
10+	189.28 грн
25+	150.19 грн
50+	143.37 грн
100+	112.76 грн
250+	107.14 грн
500+	106.1 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPP023N08N5AKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 375W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPP023N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

60+	207.39 грн

Мінімальне замовлення: 60

IPP023N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP023N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 54 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	146.48 грн
10+	145.03 грн
25+	127.58 грн
50+	121.78 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPP023N08N5AKSA1

MOSFET N-Ch 80V 120A TO220-3

на замовлення 824 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	199.85 грн
25+	157.1 грн
100+	118.54 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP023N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 54 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPP023N08N5AKSA1

Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 208µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12100 pF @ 40 V

на замовлення 368 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	186.09 грн
50+	141.92 грн
100+	121.65 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP023N08N5XKSA1

SP005573709

товар відсутній

IPP023N08N5XKSA1

MOSFET

товар відсутній

IPP023N08N5XKSA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 208µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12100 pF @ 40 V

товар відсутній

IPP023N10N5

на замовлення 21500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP023N10N5

MOSFETs N-Ch 100V 120A TO220-3

на замовлення 488 шт:

термін постачання 161-170 дні (днів)

1+	410.67 грн
10+	339.97 грн
25+	279.72 грн
100+	239.25 грн
250+	236.36 грн
500+	200.22 грн
1000+	181.42 грн

IPP023N10N5AKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15600 pF @ 50 V

товар відсутній

IPP023N10N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 889 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	669.18 грн
21+	588.47 грн
50+	553.73 грн
100+	506.37 грн
200+	436.03 грн
500+	385.31 грн

Мінімальне замовлення: 19

IPP023N10N5AKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 375W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPP023N10N5AKSA1

MOSFETs N-Ch 100V 120A TO220-3

на замовлення 750 шт:

термін постачання 161-170 дні (днів)

1+	520.3 грн
10+	430.57 грн
25+	336.1 грн
100+	290.57 грн
250+	274.66 грн
500+	259.49 грн
1000+	224.07 грн

IPP023N10N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP023N10N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP023N10N5AKSA1

Description: INFINEON - IPP023N10N5AKSA1 - MOSFET, N-KANAL, 100V, 120A, TO-220-3

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	638.13 грн
10+	573.26 грн
100+	470.28 грн
500+	371.94 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP023N10N5AKSA1

товар відсутній

IPP023N10N5XKSA1

MOSFETs Y

товар відсутній

IPP023N10N5XKSA1

TRENCH >=100V

товар відсутній

IPP023N10N5XKSA1

IPP023N10N5XKSA1

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	257.62 грн

Мінімальне замовлення: 500

IPP023N10N5XKSA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15600 pF @ 50 V

на замовлення 413 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	425.34 грн
10+	275.19 грн
100+	198.66 грн

IPP023N10N5XKSA1

IPP023N10N5XKSA1

товар відсутній

IPP023NE7N3 G

Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO220

товар відсутній

IPP023NE7N3 G

MOSFET N-Ch 75V 100A TO220-3 OptiMOS 3

на замовлення 302 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	501.74 грн
10+	415.61 грн
25+	341.16 грн
100+	292.73 грн
250+	276.11 грн
500+	259.49 грн
1000+	230.57 грн

IPP023NE7N3G

на замовлення 14 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP023NE7N3G

Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 273µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14400 pF @ 37.5 V

товар відсутній

IPP023NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 24 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPP023NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 24 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	440.11 грн
10+	401.71 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP023NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 8 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPP023NE7N3GXKSA1

MOSFET N-Ch 75V 100A TO220-3 OptiMOS 3

на замовлення 8 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	463.8 грн
10+	428.91 грн
25+	351.28 грн
100+	302.13 грн
250+	284.78 грн
500+	263.82 грн

IPP023NE7N3GXKSA1

Description: INFINEON - IPP023NE7N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 120 A, 0.0021 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0021ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 665 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	107.84 грн

Мінімальне замовлення: 8

IPP023NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 4568 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	361.56 грн
10+	337.73 грн
100+	294.01 грн
500+	253.9 грн
1000+	212.84 грн
2500+	201.8 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP023NE7N3GXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPP023NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP023NE7N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 273µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14400 pF @ 37.5 V

на замовлення 460 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	469.12 грн
50+	357.97 грн
100+	306.83 грн

IPP023NE7N3GXKSA1

товар відсутній

IPP023NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 8 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	303.27 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP023NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 4568 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	559.78 грн
25+	503 грн
100+	412.09 грн
500+	338.27 грн
1000+	275.17 грн

Мінімальне замовлення: 22

IPP023NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1988 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	107.94 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPP024N06N3G

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 196µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 30 V

на замовлення 1151 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

201+	106.93 грн

Мінімальне замовлення: 201

IPP024N06N3G

на замовлення 24 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP024N06N3GHKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP024N06N3GHKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 196µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 30 V

товар відсутній

IPP024N06N3GXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 250W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO220-3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
On-state resistance: 2.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET

на замовлення 42 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	381.9 грн
3+	304.93 грн
5+	212.32 грн
12+	200.28 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP024N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 7248 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

71+	173.6 грн
500+	171.86 грн
1000+	170.14 грн
2500+	162.42 грн

Мінімальне замовлення: 71

IPP024N06N3GXKSA1

товар відсутній

IPP024N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP024N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	223.61 грн

Мінімальне замовлення: 500

IPP024N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 12250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	144.2 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP024N06N3GXKSA1

на замовлення 42 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	458.28 грн
3+	379.99 грн
5+	254.79 грн
12+	240.33 грн
250+	237.62 грн

IPP024N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 7250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	161.95 грн
500+	160.33 грн
1000+	158.72 грн
2500+	151.52 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPP024N06N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 196µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 30 V

на замовлення 400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

102+	206.47 грн

Мінімальне замовлення: 102

IPP024N06N3GXKSA1

MOSFET N-Ch 60V 120A TO220-3

товар відсутній

IPP024N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 28A Tube

на замовлення 996 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

74+	165.8 грн
85+	145.77 грн
88+	139.84 грн
102+	116.53 грн
250+	102.66 грн
500+	94.05 грн

Мінімальне замовлення: 74

IPP024N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 28A Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	76.99 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPP024N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 28A Tube

на замовлення 1360 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

60+	207.37 грн
74+	167.78 грн
100+	156.31 грн
500+	133.65 грн
1000+	115.37 грн

Мінімальне замовлення: 60

IPP024N08NF2SAKMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 182A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 139µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200 pF @ 40 V

на замовлення 258 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	193.9 грн
50+	147.98 грн
100+	126.84 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP024N08NF2SAKMA1

MOSFETs N

на замовлення 978 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	242.86 грн
10+	187.02 грн
25+	151.79 грн
100+	114.2 грн
500+	111.31 грн
1000+	87.46 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP024N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 28A Tube

товар відсутній

IPP024N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 28A Tube

на замовлення 256000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	110.07 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPP024N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 28A Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	60.93 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPP024N08NF2SAKMA1

Description: INFINEON - IPP024N08NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 182 A, 0.0021 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 182A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 214W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0021ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 1677 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	198.65 грн
10+	179.19 грн
25+	163.79 грн
100+	136.28 грн
500+	109.81 грн
1000+	86.18 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPP024N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 28A Tube

товар відсутній

IPP026N04NF2SAKMA1

Description: TRENCH PG-TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 121A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 81µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 20 V

на замовлення 994 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	115.72 грн
50+	89.37 грн
100+	70.83 грн
500+	56.34 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP026N04NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP026N04NF2SAKMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 164 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	123.96 грн
10+	100.58 грн
100+	67.87 грн
500+	57.25 грн
1000+	46.55 грн
2000+	43.87 грн
5000+	41.78 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP026N04NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP026N04NF2SAKMA1

Description: INFINEON - IPP026N04NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 121 A, 0.0021 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
Dauer-Drainstrom Id: 121A
hazardous: true
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 790 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	135.41 грн
10+	102.16 грн
100+	76.14 грн
500+	59.63 грн

Мінімальне замовлення: 6

IPP026N04NF2SAKMA1

SP005632915

товар відсутній

IPP026N10NF2S

IPP026N10NF2S

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	501.72 грн
26+	480.16 грн
50+	461.87 грн
100+	430.26 грн
250+	386.31 грн
500+	360.77 грн
1000+	351.94 грн

Мінімальне замовлення: 25

IPP026N10NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 168 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

66+	188.39 грн

Мінімальне замовлення: 66

IPP026N10NF2SAKMA1

Description: INFINEON - IPP026N10NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 184 A, 0.0023 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 184A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 1160 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	215.68 грн
10+	154.06 грн
100+	144.33 грн
500+	133.27 грн
1000+	122.32 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPP026N10NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	171.15 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPP026N10NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP026N10NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 27A Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	104.57 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPP026N10NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 29 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPP026N10NF2SAKMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 184A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 169µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 50 V

на замовлення 191 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	236.13 грн
10+	150.58 грн
100+	115.66 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP026N10NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

67+	185.63 грн

Мінімальне замовлення: 67

IPP026N10NF2SAKMA1

MOSFETs N

на замовлення 1014 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	201.54 грн
25+	189.52 грн
2000+	119.26 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP026N10NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	227.5 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPP026N10NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 168 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	207.87 грн
10+	207.19 грн
25+	174.94 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP027N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP027N08N5AKSA1

Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 154µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8970 pF @ 40 V

на замовлення 470 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	251.76 грн
10+	203.29 грн
100+	164.41 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP027N08N5AKSA1

MOSFETs N-Ch 80V 120A TO220-3

товар відсутній

IPP027N08N5AKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 214W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPP027N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP027N08N5AKSA1

товар відсутній

IPP027N08N5XKSA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 154µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8970 pF @ 40 V

товар відсутній

IPP027N08N5XKSA1

MOSFET

товар відсутній

IPP028N08N3 G

MOSFET N-Ch 80V 100A TO220-3 OptiMOS 3

на замовлення 35 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	492.47 грн
25+	384.85 грн
100+	281.17 грн
500+	249.37 грн
1000+	200.94 грн

IPP028N08N3 G

Rochester Electronics, LLC

на замовлення 3500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP028N08N3G

IFX

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP028N08N3GHKSA1

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

на замовлення 20 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPP028N08N3GHKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP028N08N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14200 pF @ 40 V

товар відсутній

IPP028N08N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP028N08N3GXKSA1

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP028N08N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 12895 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	128.18 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP028N08N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	503.18 грн
10+	451.11 грн
25+	421.36 грн
50+	377.92 грн
100+	323.84 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP028N08N3GXKSA1

Description: INFINEON - IPP028N08N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0024 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 24 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	520.56 грн
10+	368.12 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP029N06N

MOSFETs N-Ch 60V 100A TO220-3

на замовлення 19 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	212.5 грн
10+	174.56 грн
100+	120.71 грн
250+	111.31 грн
500+	84.57 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP029N06N

на замовлення 8 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP029N06NAK5A1

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 75µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 30 V

товар відсутній

IPP029N06NAKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 136W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.9mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPP029N06NAKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 24A/100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 75µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 30 V

товар відсутній

IPP029N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP029N06NAKSA1

Description: INFINEON - IPP029N06NAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0027 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 136W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0027ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 1083 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	191.36 грн
10+	171.9 грн
25+	155.68 грн
100+	128.75 грн
500+	97.3 грн
1000+	75.76 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPP029N06NAKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 136W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.9mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPP029N06NAKSA1

MOSFETs N-Ch 60V 100A TO220-3

на замовлення 108 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	218.41 грн
10+	179.54 грн
100+	124.32 грн
250+	122.88 грн
500+	101.19 грн
1000+	81.68 грн
5000+	79.51 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP029N06NAKSA1
Код товару: 178126

товар відсутній

IPP029N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP029N06NXKSA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

товар відсутній

IPP029N06NXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	55.07 грн

Мінімальне замовлення: 500

IPP029N06NXKSA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 75µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5125 pF @ 30 V

товар відсутній

IPP029N06NXKSA1

Description: INFINEON - IPP029N06NXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0029 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	238.38 грн
10+	175.95 грн
100+	128.92 грн
500+	109.93 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPP030N06NF2SAKMA1

TRENCH 40<-<100V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	33.73 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPP030N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	50.27 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPP030N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP030N06NF2SAKMA1
Код товару: 202348

товар відсутній

IPP030N06NF2SAKMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 119A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.05mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 30 V

на замовлення 676 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	106.34 грн
10+	65.2 грн
100+	44.21 грн
500+	36.36 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP030N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

353+	34.81 грн
364+	33.74 грн
500+	32.47 грн
1000+	29.83 грн

Мінімальне замовлення: 353

IPP030N06NF2SAKMA1

Description: INFINEON - IPP030N06NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 119 A, 0.0026 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 119A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1298 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	129.73 грн
10+	98.92 грн
100+	73.3 грн
500+	57.67 грн
1000+	40.8 грн

Мінімальне замовлення: 7

IPP030N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	46.18 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPP030N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

248+	49.53 грн

Мінімальне замовлення: 248

IPP030N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	32.32 грн
100+	31.33 грн
500+	29.08 грн
1000+	25.65 грн

Мінімальне замовлення: 19

IPP030N06NF2SAKMA1

MOSFETs N

на замовлення 883 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	83.91 грн
10+	66.75 грн
100+	45.97 грн
500+	40.04 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPP030N10N

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP030N10N3 G

MOSFET N-Ch 100V 100A TO220-3 OptiMOS 3

товар відсутній

IPP030N10N3 G

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP030N10N3GHKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14800 pF @ 50 V

товар відсутній

IPP030N10N3GHKSA1

MOSFET MV POWER MOS

товар відсутній

IPP030N10N3GHKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP030N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPP030N10N3GXKSA1

Description: INFINEON - IPP030N10N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0026 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 507 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	398.12 грн
10+	284.6 грн
100+	230.28 грн
500+	202.53 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP030N10N3GXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 29 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	543.91 грн
4+	351.84 грн
9+	320.74 грн

IPP030N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 2976 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	546.58 грн
31+	398.44 грн
50+	353.49 грн
100+	320.18 грн
200+	279.13 грн
500+	249.57 грн
1000+	234.69 грн
2000+	233.81 грн

Мінімальне замовлення: 23

IPP030N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 150 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	134.92 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP030N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	246.81 грн
10+	242.48 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP030N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 550 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	332.41 грн
10+	318.48 грн
25+	282.53 грн
50+	271.24 грн
100+	228.43 грн
250+	208.62 грн
500+	181.54 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP030N10N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14800 pF @ 50 V

на замовлення 1078 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	394.85 грн
10+	254.11 грн
100+	182.6 грн
500+	142.67 грн
1000+	140.34 грн

IPP030N10N3GXKSA1

MOSFETs N-Ch 100V 100A TO220-3

на замовлення 988 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	294.3 грн
10+	237.73 грн
25+	195.88 грн
100+	168.41 грн
250+	166.97 грн
500+	155.4 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP030N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 549 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

35+	357.52 грн
36+	342.54 грн
41+	303.87 грн
50+	291.73 грн
100+	245.68 грн
250+	224.38 грн
500+	195.25 грн

Мінімальне замовлення: 35

IPP030N10N3GXKSA1

на замовлення 29 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	453.26 грн
4+	282.34 грн
9+	267.29 грн

IPP030N10N5

MOSFETs TRENCH >=100V

товар відсутній

IPP030N10N5AKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 184µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 50 V

товар відсутній

IPP030N10N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP030N10N5AKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 250W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPP030N10N5AKSA1

Description: INFINEON - IPP030N10N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0027 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 120
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 250
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: OptiMOS 5
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0027
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

товар відсутній

IPP030N10N5AKSA1

товар відсутній

IPP030N10N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP030N10N5AKSA1

MOSFETs N-Ch 100V 120A TO220-3

товар відсутній

IPP030N10N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 430 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

24+	531.26 грн
29+	437.27 грн
50+	396.4 грн
100+	362.54 грн
200+	311.97 грн

Мінімальне замовлення: 24

IPP030N10N5XKSA1

IPP030N10N5XKSA1

товар відсутній

IPP030N10N5XKSA1

MOSFETs Y

товар відсутній

IPP030N10N5XKSA1

IPP030N10N5XKSA1

товар відсутній

IPP030N10N5XKSA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 184µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 50 V

товар відсутній

IPP032N06N3GHKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP032N06N3GHKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 118µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V

товар відсутній

IPP032N06N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 118µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V

на замовлення 1707 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	212.67 грн
10+	133.19 грн
100+	92.24 грн
500+	70.1 грн
1000+	64.8 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP032N06N3GXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 188W; PG-TO220-3
Case: PG-TO220-3
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
On-state resistance: 3.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 188W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT

на замовлення 43 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	154.06 грн
16+	57.22 грн
43+	54.21 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP032N06N3GXKSA1

MOSFETs N-Ch 60V 120A TO220-3

на замовлення 1208 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	129.02 грн
10+	100.58 грн
100+	69.24 грн
500+	67.08 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP032N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

132+	93.22 грн
147+	83.45 грн

Мінімальне замовлення: 132

IPP032N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP032N06N3GXKSA1

Description: INFINEON - IPP032N06N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0026 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 120
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 188
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 188
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0026
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

товар відсутній

IPP032N06N3GXKSA1

на замовлення 43 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

2+	184.87 грн
16+	71.31 грн
43+	65.05 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP032N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 366 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

180+	68.12 грн
193+	63.66 грн
202+	60.94 грн

Мінімальне замовлення: 180

IPP032N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube IPP032N06N3GXKSA1 IPP032N06N3G TIPP032n06n3g
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 92 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

10+	75.4 грн

Мінімальне замовлення: 10

IPP032N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

131+	94.3 грн

Мінімальне замовлення: 131

IPP032N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	45.11 грн

Мінімальне замовлення: 8

IPP032N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 47000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	84.22 грн

Мінімальне замовлення: 500

IPP032N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 366 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	63.25 грн
11+	59.11 грн
100+	56.59 грн

Мінімальне замовлення: 10

IPP032N06N3GXKSA1

N-Channel 60 V 120A (Tc) 188W (Tc) Through Hole PG-TO220-3

на замовлення 1 шт:

термін постачання 2-3 дні (днів)

1+	379.47 грн

IPP032N06N3GXKSA1
Код товару: 192070

товар відсутній

IPP032N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	104.66 грн
10+	86.81 грн
100+	77.71 грн

Мінімальне замовлення: 6

IPP032N06N3GXKSA1; 120A; 60V; 188W; 0.0029R; N-канальний; HEXFET; Корпус: TO-220; INFINEON (IRF)

на замовлення 16 шт:

термін постачання 2-3 дні (днів)

7+	106.25 грн

Мінімальне замовлення: 7

IPP033N03LF2SAKSA1

MOSFETs N

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	80.03 грн
10+	65.42 грн
100+	44.24 грн
500+	37.51 грн
1000+	30.5 грн
2500+	28.77 грн
5000+	27.39 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPP033N04NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 25A Tube

товар відсутній

IPP033N04NF2SAKMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 180 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	83.91 грн
10+	67.58 грн
100+	45.75 грн
500+	38.81 грн
1000+	31.51 грн
2000+	29.71 грн
5000+	28.33 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPP033N04NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP033N04NF2SAKMA1
Код товару: 202349

товар відсутній

IPP033N04NF2SAKMA1

Description: TRENCH PG-TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 113A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 53µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 20 V

на замовлення 803 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	77.41 грн
50+	59.66 грн
100+	47.28 грн
500+	37.61 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPP033N04NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP033N04NF2SAKMA1

Description: INFINEON - IPP033N04NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 113 A, 0.0026 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
Dauer-Drainstrom Id: 113A
hazardous: true
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 944 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	92.44 грн
12+	71.11 грн
100+	51.33 грн
500+	40.43 грн

Мінімальне замовлення: 9

IPP034N03L G
Код товару: 202350

товар відсутній

IPP034N03L G

MOSFETs N-Ch 30V 80A TO220-3 OptiMOS 3

на замовлення 444 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	120.59 грн
10+	93.93 грн
100+	67.87 грн
250+	59.7 грн
500+	55.94 грн
1000+	55.66 грн
2500+	55.37 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP034N03LG

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

на замовлення 1250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

437+	50.84 грн

Мінімальне замовлення: 437

IPP034N03LGHKSA1

MOSFET N-Ch 30V 80A TO220-3

товар відсутній

IPP034N03LGHKSA1

Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP034N03LGHKSA1

Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 15 V

товар відсутній

IPP034N03LGXKSA1

MOSFET TRENCH <= 40V

товар відсутній

IPP034N03LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

156+	79.02 грн
178+	69.09 грн
500+	68.21 грн

Мінімальне замовлення: 156

IPP034N03LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	76.99 грн

Мінімальне замовлення: 8

IPP034N03LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

138+	88.88 грн
149+	82.55 грн
158+	77.65 грн
200+	70.73 грн
500+	65.31 грн

Мінімальне замовлення: 138

IPP034N03LGXKSA1

Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 15 V

на замовлення 199 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	112.59 грн
50+	86.74 грн
100+	71.37 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP034N03LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	56.59 грн

Мінімальне замовлення: 500

IPP034N03LGXKSA1

Description: INFINEON - IPP034N03LGXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 0.0028 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 414 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	132.98 грн
10+	97.3 грн
100+	67.22 грн

Мінімальне замовлення: 7

IPP034N03LGXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 80A; 94W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 80A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPP034N03LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 247 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	92.83 грн
10+	66.24 грн
100+	59.31 грн

Мінімальне замовлення: 7

IPP034N03LGXKSA1

товар відсутній

IPP034N03LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 247 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	41.4 грн

Мінімальне замовлення: 9

IPP034N03LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 242 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

173+	70.89 грн
194+	63.48 грн

Мінімальне замовлення: 173

IPP034N08N5

MOSFET TRENCH 40<-<100V

товар відсутній

IPP034N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 972 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

78+	157.33 грн

Мінімальне замовлення: 78

IPP034N08N5AKSA1

Description: INFINEON - IPP034N08N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 0.003 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 503 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	218.11 грн
10+	158.92 грн
100+	140.27 грн
500+	112.94 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPP034N08N5AKSA1

MOSFETs N-Ch 80V 120A TO220-3

на замовлення 488 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	201.54 грн
10+	160.43 грн
100+	108.42 грн
500+	106.97 грн
1000+	99.75 грн
2500+	99.02 грн
5000+	96.13 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP034N08N5AKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 167W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPP034N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP034N08N5AKSA1

товар відсутній

IPP034N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP034N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPP034N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	120.59 грн
10+	110.21 грн

Мінімальне замовлення: 6

IPP034N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 3500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	103.33 грн

Мінімальне замовлення: 500

IPP034N08N5AKSA1

Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 40 V

на замовлення 414 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	247.07 грн
10+	155.78 грн
100+	108.86 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP034N08N5XKSA1

IPP034N08N5XKSA1

товар відсутній

IPP034N08N5XKSA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 40 V

товар відсутній

IPP034N08N5XKSA1

MOSFETs Y

товар відсутній

IPP034N08N5XKSA1

SP005573713

товар відсутній

IPP034NE7N3 G

MOSFETs N-Ch 75V 100A TO220-3 OptiMOS 3

на замовлення 560 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	199.85 грн
25+	136.32 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP034NE7N3 G
Код товару: 182613

Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220-3
Uds,V: 75 V
Idd,A: 100 A
Rds(on), Ohm: 3,4 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 6110/88
Монтаж: THT

у наявності 28 шт:

27 шт - склад
1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро

1+	124 грн
10+	113 грн

IPP034NE7N3 G

на замовлення 13000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP034NE7N3G

Description: IPP034NE7 - 12V-300V N-CHANNEL P

товар відсутній

IPP034NE7N3G

на замовлення 50 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP034NE7N3GHKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP034NE7N3GHKSA1

MOSFET N-Ch 75V 100A TO220-3

товар відсутній

IPP034NE7N3GXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 100A; 214W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Case: PG-TO220-3
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 100A
On-state resistance: 3.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 214W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 50 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

2+	262.71 грн
3+	223.3 грн
6+	186.12 грн
16+	176.18 грн
250+	169.86 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP034NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP034NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1659 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	75.73 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPP034NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1659 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	159.27 грн
50+	125.88 грн
100+	117.01 грн
500+	107.72 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPP034NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 666500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	148.87 грн

Мінімальне замовлення: 500

IPP034NE7N3GXKSA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

товар відсутній

IPP034NE7N3GXKSA1

Description: INFINEON - IPP034NE7N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 100 A, 0.003 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 305 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	218.11 грн
10+	129.73 грн
100+	128.92 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPP034NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 495 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

66+	186.96 грн
78+	158.36 грн

Мінімальне замовлення: 66

IPP034NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP034NE7N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 75V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 155µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8130 pF @ 37.5 V

на замовлення 1425 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	186.09 грн
50+	142.12 грн
100+	121.81 грн
500+	111.81 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP034NE7N3GXKSA1

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	218.92 грн
3+	179.19 грн
6+	155.1 грн
16+	146.82 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP034NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1656 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

72+	172.42 грн
90+	136.27 грн
100+	126.68 грн
500+	116.61 грн

Мінімальне замовлення: 72

IPP037N06L3 G

MOSFET N-Ch 60V 90A TO220-3 OptiMOS 3

на замовлення 608 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	154.32 грн
10+	127.18 грн
100+	88.18 грн
500+	80.95 грн
1000+	59.78 грн
5000+	57.9 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP037N06L3GHKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP037N06L3GHKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V

товар відсутній

IPP037N06L3GHKSA1

MOSFET N-Ch 60V 90A TO220-3

товар відсутній

IPP037N06L3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP037N06L3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 5130 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	116.35 грн
10+	107.69 грн
100+	91.83 грн
500+	73.42 грн
1000+	57.33 грн
2500+	53.02 грн
5000+	50.15 грн

Мінімальне замовлення: 6

IPP037N06L3GXKSA1

Description: INFINEON - IPP037N06L3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 0.003 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 167W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.003ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 1765 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	180 грн
10+	113.52 грн
100+	96.49 грн
500+	76.04 грн
1000+	62.55 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPP037N06L3GXKSA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

товар відсутній

IPP037N06L3GXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 167W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPP037N06L3GXKSA1

товар відсутній

IPP037N06L3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP037N06L3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 5130 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

105+	117.09 грн
114+	108.38 грн
133+	92.41 грн
500+	73.89 грн
1000+	57.7 грн
2500+	53.35 грн
5000+	50.47 грн

Мінімальне замовлення: 105

IPP037N06L3GXKSA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP037N06L3GXKSA1 - IPP037N06 - 90A, 60V, N-CHANNEL, MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

252+	98.92 грн

Мінімальне замовлення: 252

IPP037N06L3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP037N06L3GXKSA1

Rochester Electronics, LLC

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V

товар відсутній

IPP037N08N3 G

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPP037N08N3 G

MOSFET N-Ch 80V 100A TO220-3 OptiMOS 3

товар відсутній

IPP037N08N3 G E8181

Rochester Electronics, LLC

MOSFET N-Ch 80V 100A TO220-3

товар відсутній

IPP037N08N3G

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

на замовлення 144 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPP037N08N3G

на замовлення 50 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP037N08N3GE8181XKSA1

Description: MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.75mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 155µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8110 pF @ 40 V

товар відсутній

IPP037N08N3GHKSA1

Description: MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.75mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 155µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8110 pF @ 40 V

товар відсутній

IPP037N08N3GXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 214W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

на замовлення 32 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	158.11 грн
8+	121.22 грн
20+	114.44 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP037N08N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

70+	175.72 грн
83+	148.14 грн
100+	139.97 грн
200+	133.98 грн
500+	112.2 грн

Мінімальне замовлення: 70

IPP037N08N3GXKSA1

MOSFET N-Ch 80V 100A TO220-3

на замовлення 3210 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	202.38 грн
10+	195.34 грн
25+	144.56 грн
100+	123.6 грн
500+	109.87 грн
1000+	88.18 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP037N08N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 88 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

60+	206.72 грн

Мінімальне замовлення: 60

IPP037N08N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 150 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	142.42 грн
10+	139.78 грн
25+	124.97 грн
100+	108 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPP037N08N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 88 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	191.96 грн
10+	188.2 грн
25+	160.75 грн
50+	154.72 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPP037N08N3GXKSA1

Description: INFINEON - IPP037N08N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0028 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1361 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	219.74 грн
10+	165.41 грн
100+	141.08 грн
500+	116.7 грн
1000+	89.66 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPP037N08N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 550 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	58.94 грн

Мінімальне замовлення: 6

IPP037N08N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

72+	170.62 грн
83+	148.14 грн
100+	140.99 грн
200+	134.97 грн
500+	115.85 грн
1000+	105.08 грн

Мінімальне замовлення: 72

IPP037N08N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 150 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

80+	154.83 грн
81+	151.96 грн
91+	135.85 грн
101+	117.42 грн

Мінімальне замовлення: 80

IPP037N08N3GXKSA1

на замовлення 32 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

2+	227.68 грн
3+	197.03 грн
8+	145.46 грн
20+	137.33 грн
250+	135.52 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP037N08N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.75mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 155µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8110 pF @ 40 V

на замовлення 1865 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	260.36 грн
10+	164.51 грн
100+	115.33 грн
500+	88.45 грн
1000+	82.09 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP039N04L G

MOSFET N-Ch 40V 80A TO220-3 OptiMOS 3

на замовлення 255 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	113 грн
10+	89.77 грн
100+	61.73 грн
500+	57.82 грн
1000+	47.42 грн
5000+	45.18 грн
10000+	43.01 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP039N04LGHKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP039N04LGHKSA1

Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V

товар відсутній

IPP039N04LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP039N04LGXKSA1

Description: INFINEON - IPP039N04LGXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 0.0031 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1782 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	128.92 грн
10+	96.49 грн
100+	72.25 грн
500+	62.87 грн
1000+	47.54 грн

Мінімальне замовлення: 7

IPP039N04LGXKSA1

Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V

на замовлення 426 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	105.55 грн
50+	81.62 грн
100+	64.68 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP039N04LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 156 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPP039N04LGXKSA1

MOSFET TRENCH <= 40V

товар відсутній

IPP039N04LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP039N04LGXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; 94W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Case: PG-TO220-3
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 80A
On-state resistance: 3.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 94W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 16 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

3+	99.25 грн
10+	75.06 грн
18+	59.63 грн
49+	56.02 грн
500+	54.21 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP039N04LGXKSA1

на замовлення 16 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	82.7 грн
10+	60.23 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPP039N04LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 156 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	85.74 грн
10+	73.22 грн
100+	61.4 грн

Мінімальне замовлення: 8

IPP039N04LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 656 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	36.34 грн

Мінімальне замовлення: 10

IPP039N04LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 31000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	49.92 грн

Мінімальне замовлення: 500

IPP039N04LGXKSA1
Код товару: 202351

товар відсутній

IPP039N10N5

MOSFET TRENCH >=100V

товар відсутній

IPP039N10N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP039N10N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP039N10N5AKSA1

OptiMOS 5 Power-Transistor, 100 V

товар відсутній

IPP039N10N5AKSA1

MOSFETs DIFFERENTIATED MOSFETS

на замовлення 126 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	346.58 грн
10+	320.02 грн
25+	188.65 грн
100+	161.91 грн
250+	153.23 грн
500+	140.22 грн
1000+	119.98 грн

IPP039N10N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 138000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	189.23 грн

Мінімальне замовлення: 500

IPP039N10N5AKSA1

Description: INFINEON - IPP039N10N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0032 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 110 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	295.95 грн
10+	212.44 грн
100+	172.71 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP039N10N5AKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 125µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 50 V

товар відсутній

IPP039N10N5XKSA1

MOSFET TRENCH >=100V

товар відсутній

IPP039N10N5XKSA1

Description: MV POWER MOS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 125µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 50 V

товар відсутній

IPP039N10N5XKSA1

IPP039N10N5XKSA1

товар відсутній

IPP03N03LA

Description: MOSFET N-CH 25V 80A TO220-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7027 pF @ 15 V

товар відсутній

IPP03N03LAG

08+

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP03N03LB G

Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7624 pF @ 15 V

товар відсутній

IPP03N03LB G

Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB

товар відсутній

IPP03N03LBG

08+

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP0400N

Description: IPP0400N
Packaging: Bulk

на замовлення 72000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

544+	40.7 грн

Мінімальне замовлення: 544

IPP0400NXKSA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP0400NXKSA1 - IPP0400 - N-CHANNEL MOSFET
tariffCode: 85412900
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 99000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

524+	46.87 грн

Мінімальне замовлення: 524

IPP0400NXKSA1

Description: IPP0400 - N-Channel MOSFET
Packaging: Bulk

на замовлення 27000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

544+	40.7 грн

Мінімальне замовлення: 544

IPP040N06N
Код товару: 202352

товар відсутній

IPP040N06N

MOSFETs N-Ch 60V 80A TO220-3

на замовлення 490 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	156.85 грн
10+	128.84 грн
100+	89.63 грн
250+	84.57 грн
500+	71.27 грн
1000+	63.75 грн
2500+	60.57 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP040N06N3 G

на замовлення 147000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP040N06N3 G

MOSFETs N-Ch 60V 90A TO220-3 OptiMOS 3

на замовлення 155 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	166.12 грн
10+	136.32 грн
100+	93.96 грн
250+	86.74 грн
500+	78.79 грн
1000+	67.22 грн
2500+	64.33 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP040N06N3G

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V

товар відсутній

IPP040N06N3G

на замовлення 30 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP040N06N3GHKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP040N06N3GHKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V

товар відсутній

IPP040N06N3GXK

на замовлення 424 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP040N06N3GXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 188W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 188W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 563 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

3+	102.27 грн
10+	90.35 грн
13+	85.83 грн
34+	81.32 грн
250+	77.7 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP040N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 390 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	86.47 грн
10+	77.81 грн
100+	61.44 грн

Мінімальне замовлення: 8

IPP040N06N3GXKSA1

на замовлення 563 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	82.07 грн
10+	75.29 грн
13+	71.53 грн
34+	67.76 грн
250+	64.75 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPP040N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP040N06N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V

на замовлення 105 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	201.72 грн
10+	125.89 грн
100+	86.87 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP040N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 390 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

132+	93.26 грн
147+	83.93 грн
185+	66.28 грн

Мінімальне замовлення: 132

IPP040N06N3GXKSA1

Транзистор польовий OptiMOS N-HEXFET TO220AB Udss=60В; Id=90A; Pdmax=188W; Rds=0,0037 Ohm; Ugs=+-20В; -55C...+175C

на замовлення 80 шт:

термін постачання 2-3 дні (днів)

3+	116.76 грн
10+	97.58 грн
100+	86.74 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP040N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 370 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	37.69 грн

Мінімальне замовлення: 9

IPP040N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 111000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	78.87 грн

Мінімальне замовлення: 500

IPP040N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP040N06N3GXKSA1

Description: INFINEON - IPP040N06N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 0.0033 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm

на замовлення 188 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	119.19 грн
10+	97.3 грн
100+	69.89 грн

Мінімальне замовлення: 7

IPP040N06N3GXKSA1

MOSFETs N-Ch 60V 90A TO220-3 OptiMOS 3

на замовлення 673 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	150.94 грн
10+	114.71 грн
100+	86.74 грн
250+	81.68 грн
500+	78.79 грн
1000+	62.31 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP040N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1440 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

174+	70.59 грн
183+	67.33 грн
205+	60.07 грн
213+	55.66 грн
500+	51.45 грн
1000+	45.98 грн

Мінімальне замовлення: 174

IPP040N06N3GXKSA1 транзистор
Код товару: 202066

товар відсутній

IPP040N06NAKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 20A/80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 30 V

на замовлення 250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	193.12 грн
10+	120.09 грн
100+	82.73 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP040N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 850 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	86.65 грн
10+	79.1 грн
100+	72.23 грн
500+	62.96 грн

Мінімальне замовлення: 8

IPP040N06NAKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 107W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 107W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPP040N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 750 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	44.44 грн

Мінімальне замовлення: 8

IPP040N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP040N06NAKSA1

Description: INFINEON - IPP040N06NAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0036 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 545 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	174.33 грн
10+	128.92 грн
100+	96.49 грн
500+	76.04 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPP040N06NAKSA1

MOSFETs N-Ch 60V 80A TO220-3

на замовлення 444 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	184.68 грн
10+	133 грн
100+	82.4 грн
500+	75.89 грн
1000+	67.22 грн
2500+	66.93 грн
5000+	65.7 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP040N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	73.58 грн

Мінімальне замовлення: 500

IPP040N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 418 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

95+	129.75 грн
102+	120.55 грн
120+	102.16 грн
200+	93.2 грн

Мінімальне замовлення: 95

IPP040N06NAKSA1

товар відсутній

IPP040N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 850 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

132+	92.93 грн
145+	84.84 грн
159+	77.47 грн
500+	67.53 грн

Мінімальне замовлення: 132

IPP040N06NF2SAKMA1

Description: INFINEON - IPP040N06NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 109 A, 0.0035 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 109A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 876 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	109.46 грн
10+	84.33 грн
100+	61.7 грн
500+	48.49 грн

Мінімальне замовлення: 8

IPP040N06NF2SAKMA1

MOSFETs N

на замовлення 1119 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	115.53 грн
10+	85.62 грн
100+	52.98 грн
500+	46.55 грн
1000+	39.18 грн
2000+	35.34 грн
5000+	33.75 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP040N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP040N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

50+	62.62 грн
100+	52.8 грн
500+	46.26 грн
1000+	36.41 грн

Мінімальне замовлення: 50

IPP040N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 820 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	50.24 грн
14+	46.61 грн
100+	42.19 грн
500+	37.48 грн

Мінімальне замовлення: 13

IPP040N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 820 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

245+	50.19 грн
270+	45.43 грн
500+	41.85 грн

Мінімальне замовлення: 245

IPP040N06NF2SAKMA1

Description: MOSFET N-CH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 109A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 52µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 30 V

на замовлення 305 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	129.01 грн
10+	79.06 грн
100+	53.25 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP040N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

183+	67.08 грн
217+	56.56 грн
500+	49.55 грн
1000+	39 грн

Мінімальне замовлення: 183

IPP040N06NF2SAKMA1
Код товару: 202353

товар відсутній

IPP040N06NF2SAKMA1

TRENCH 40<-<100V

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

50+	28.33 грн

Мінімальне замовлення: 50

IPP040N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 49000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	42.3 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPP040N06NXKSA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3375 pF @ 30 V

товар відсутній

IPP040N06NXKSA1

IPP040N06NXKSA1

товар відсутній

IPP040N06NXKSA1

MOSFETs Y

товар відсутній

IPP040N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 22A Tube

на замовлення 377 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

132+	93.06 грн
134+	91.5 грн
200+	85.91 грн

Мінімальне замовлення: 132

IPP040N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 22A Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	62.57 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPP040N08NF2SAKMA1

MOSFETs N

на замовлення 1105 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	86.01 грн
10+	80.38 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPP040N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 22A Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

121+	101.51 грн
200+	98.57 грн
750+	96.36 грн

Мінімальне замовлення: 121

IPP040N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 22A Tube

товар відсутній

IPP040N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 22A Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

168+	73.12 грн

Мінімальне замовлення: 168

IPP040N08NF2SAKMA1

Description: INFINEON - IPP040N08NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 115 A, 0.0036 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 1160 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	131.36 грн
10+	107.84 грн
25+	96.49 грн
100+	78.3 грн
500+	63.94 грн

Мінімальне замовлення: 7

IPP040N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 22A Tube

на замовлення 208000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	87.71 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPP040N08NF2SAKMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 115A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 40 V

на замовлення 809 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	121.19 грн
50+	93.54 грн
100+	76.97 грн
500+	65.22 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP040N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 22A Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	85.28 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPP040N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 22A Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	67.89 грн

Мінімальне замовлення: 9

IPP041N04N G

на замовлення 13000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP041N04N G

MOSFETs N-Ch 40V 80A TO220-3 OptiMOS 3

на замовлення 886 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	98.66 грн
10+	78.88 грн
100+	54.14 грн
500+	49.95 грн
1000+	35.06 грн
5000+	33.39 грн
10000+	33.18 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPP041N04NG

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP041N04NGHKSA1

Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)

товар відсутній

IPP041N04NGHKSA1

MOSFET N-Ch 40V 80A TO220-3

товар відсутній

IPP041N04NGHKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP041N04NGXKSA1

Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 20 V

на замовлення 415 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	127.45 грн
10+	78.08 грн
100+	52.52 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP041N04NGXKSA1

MOSFET TRENCH <= 40V

товар відсутній

IPP041N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP041N04NGXKSA1

Description: INFINEON - IPP041N04NGXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 0.0033 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 257 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	111.08 грн
10+	84.33 грн
100+	62.19 грн

Мінімальне замовлення: 8

IPP041N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

176+	69.96 грн
207+	59.24 грн
500+	52.47 грн

Мінімальне замовлення: 176

IPP041N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	29.09 грн

Мінімальне замовлення: 12

IPP041N04NGXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; 94W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 80A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.1mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPP041N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP041N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	75.8 грн
10+	65.27 грн
100+	55.27 грн
500+	47.2 грн

Мінімальне замовлення: 9

IPP041N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 773500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	45.38 грн

Мінімальне замовлення: 500

IPP041N04NGXKSA1

товар відсутній

IPP041N12N3 G

MOSFETs N-Ch 120V 120A TO220-3 OptiMOS 3

на замовлення 5007 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	348.27 грн
10+	288.43 грн
25+	236.36 грн
100+	203.11 грн
250+	191.54 грн
500+	179.25 грн
1000+	153.96 грн

IPP041N12N3G

на замовлення 9 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP041N12N3GXK

MOSFET N-Ch 120V 120A TO220-3 OptiMOS 3

товар відсутній

IPP041N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 29 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	307.45 грн
10+	288.78 грн
25+	283.16 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP041N12N3GXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 120A; 300W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Drain current: 120A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 120V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: PG-TO220-3
On-state resistance: 4.1mΩ
Power dissipation: 300W
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPP041N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 44 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

41+	304.45 грн

Мінімальне замовлення: 41

IPP041N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 4500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	629.42 грн
28+	440.81 грн
50+	390.78 грн
100+	360.75 грн
200+	314.49 грн
500+	272.43 грн
1000+	247.42 грн

Мінімальне замовлення: 20

IPP041N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 2225 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	270.94 грн
10+	256.77 грн
25+	252.46 грн
100+	218.67 грн
500+	194.08 грн
1000+	175.5 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP041N12N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 120V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 60 V

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	376.08 грн
10+	241.54 грн
100+	173.09 грн
500+	134.95 грн

IPP041N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP041N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 29 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPP041N12N3GXKSA1

MOSFETs N-Ch 120V 120A TO220-3 OptiMOS 3

на замовлення 841 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	387.9 грн
10+	274.3 грн
25+	170.58 грн
100+	144.56 грн

IPP041N12N3GXKSA1

Description: INFINEON - IPP041N12N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 120 A, 0.0035 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1527 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	374.6 грн
10+	266.76 грн
100+	234.33 грн
500+	216.84 грн
1000+	199.46 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP041N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1069 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	126.49 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP041N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 2223 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

45+	272.67 грн
48+	258.41 грн
49+	254.07 грн
100+	220.07 грн
500+	195.32 грн
1000+	176.63 грн

Мінімальне замовлення: 45

IPP041N12N3GXKSA1

товар відсутній

IPP042N03L G

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPP042N03L G

MOSFETs N-Ch 30V 80A TO220-3 OptiMOS 3

на замовлення 11433 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	111.31 грн
10+	89.77 грн
100+	61.08 грн
500+	37.51 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPP042N03LG

TO-220 0741+

на замовлення 20 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP042N03LG

Description: IPP042N03 - 12V-300V N-CHANNEL P

на замовлення 71180 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPP042N03LGHKSA1

MOSFET N-Ch 30V 70A TO220-3

товар відсутній

IPP042N03LGHKSA1

Description: MOSFET N-CH 30V 70A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 15 V

товар відсутній

IPP042N03LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 340 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	83.05 грн
10+	71.13 грн
50+	69.76 грн
100+	56.11 грн

Мінімальне замовлення: 8

IPP042N03LGXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 70A; 79W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 70A
Power dissipation: 79W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 51 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

3+	101.19 грн
5+	87.26 грн
17+	64.15 грн
45+	60.53 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP042N03LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP042N03LGXKSA1

Description: INFINEON - IPP042N03LGXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 0.0035 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 3739 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	122.44 грн
10+	92.44 грн
100+	68.84 грн
500+	33.88 грн
1000+	30.51 грн
2000+	29.75 грн

Мінімальне замовлення: 7

IPP042N03LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 340 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	32.89 грн

Мінімальне замовлення: 11

IPP042N03LGXKSA1

на замовлення 51 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	84.33 грн
6+	70.02 грн
17+	53.46 грн
45+	50.45 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPP042N03LGXKSA1

MOSFET N-Ch 30V 80A TO220-3 OptiMOS 3

товар відсутній

IPP042N03LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP042N03LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 338 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

161+	76.19 грн
165+	74.73 грн
197+	62.33 грн

Мінімальне замовлення: 161

IPP042N03LGXKSA1

Description: MOSFET N-CH 30V 70A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 15 V

на замовлення 238 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	105.55 грн
10+	83.35 грн
100+	64.84 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP044N03LF2SAKSA1

MOSFETs N

на замовлення 2958 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	68.22 грн
10+	55.61 грн
100+	37.59 грн
500+	31.88 грн
1000+	25.95 грн
2500+	24.43 грн
5000+	23.27 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPP045N10N3 G

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

63+	194.63 грн
66+	187.22 грн
100+	180.86 грн
250+	169.11 грн
500+	152.32 грн

Мінімальне замовлення: 63

IPP045N10N3 G

MOSFETs N-Ch 100V 100A TO220-3 OptiMOS 3

на замовлення 4883 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	232.74 грн
10+	192.84 грн
25+	158.29 грн
100+	135.89 грн
250+	133 грн
500+	112.76 грн
1000+	102.64 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP045N10N3 G

на замовлення 86450 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP045N10N3G

на замовлення 254 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP045N10N3G

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 137A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8410 pF @ 50 V

товар відсутній

IPP045N10N3GHKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP045N10N3GHKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8410 pF @ 50 V

товар відсутній

IPP045N10N3GXKSA1

Description: INFINEON - IPP045N10N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0039 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1363 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	221.36 грн
10+	129.73 грн
100+	121.62 грн
500+	103.15 грн
1000+	94.52 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPP045N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 3795 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

154+	79.9 грн

Мінімальне замовлення: 154

IPP045N10N3GXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 214W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 42 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

2+	207.25 грн
3+	178.27 грн
9+	131.91 грн
23+	124.68 грн
250+	122.88 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP045N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 39 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	96.23 грн
10+	95.93 грн
25+	90.47 грн

Мінімальне замовлення: 7

IPP045N10N3GXKSA1

на замовлення 42 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	143.05 грн
9+	109.93 грн
23+	103.9 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP045N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	121.35 грн

Мінімальне замовлення: 500

IPP045N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 39 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPP045N10N3GXKSA1

MOSFETs N-Ch 100V 100A TO220-3 OptiMOS 3

на замовлення 6695 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	215.03 грн
10+	158.76 грн
25+	129.38 грн
100+	108.42 грн
500+	96.86 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP045N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 407 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

97+	126.68 грн
100+	123.62 грн

Мінімальне замовлення: 97

IPP045N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1730 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	84.33 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPP045N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 3795 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	154.52 грн
10+	151.83 грн
25+	122.38 грн
100+	114.79 грн
500+	98.46 грн
1000+	63.15 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPP045N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive IPP045N10N3GXKSA1 IPP045N10N3G TIPP045n10n3g
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 70 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

10+	136.43 грн

Мінімальне замовлення: 10

IPP045N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP045N10N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8410 pF @ 50 V

на замовлення 2509 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	244.73 грн
10+	154.72 грн
100+	108.89 грн
500+	87.79 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP045N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

103+	119.53 грн
106+	116.47 грн

Мінімальне замовлення: 103

IPP048N04N G
Код товару: 83952

товар відсутній

IPP048N04N G

MOSFET N-Ch 40V 70A TO220-3 OptiMOS 3

товар відсутній

IPP048N04NG

Description: IPP048N04 - 12V-300V N-CHANNEL P

товар відсутній

IPP048N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 492 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

189+	65.16 грн

Мінімальне замовлення: 189

IPP048N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	36.77 грн

Мінімальне замовлення: 10

IPP048N04NGXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 70A; 79W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 70A
Power dissipation: 79W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.8mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPP048N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 6500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	57.1 грн

Мінімальне замовлення: 500

IPP048N04NGXKSA1

MOSFET N-Ch 40V 70A TO220-3 OptiMOS 3

на замовлення 188 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	121.43 грн
10+	99.75 грн
100+	69.24 грн
250+	63.68 грн
500+	55.87 грн
1000+	54.79 грн
2500+	54.35 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP048N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	60.8 грн
500+	60.19 грн

Мінімальне замовлення: 10

IPP048N04NGXKSA1

товар відсутній

IPP048N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP048N04NGXKSA1

Description: MOSFET N-CH 40V 70A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V

товар відсутній

IPP048N04NGXKSA1
Код товару: 202354

товар відсутній

IPP048N06L G

Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 30 V

товар відсутній

IPP048N06LG

08+

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP048N06LG

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP048N12N3 G

MOSFETs N-Ch 120V 100A TO220-3 OptiMOS 3

на замовлення 417 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	247.92 грн
10+	242.72 грн
25+	160.46 грн
100+	150.34 грн
500+	149.62 грн
1000+	127.21 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP048N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 24500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	188.87 грн

Мінімальне замовлення: 500

IPP048N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 143 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	212.5 грн
10+	201.8 грн
25+	200.82 грн
50+	189.18 грн
100+	164.6 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP048N12N3GXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 120A; 300W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Case: PG-TO220-3
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 120A
On-state resistance: 4.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 64 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

2+	237.41 грн
3+	212.04 грн
7+	168.95 грн
18+	159.92 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP048N12N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 120V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 182 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 60 V

на замовлення 1405 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	340.9 грн
10+	275.87 грн
100+	223.15 грн
500+	186.15 грн
1000+	159.39 грн

IPP048N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

27+	460.72 грн
30+	411.29 грн
31+	401.94 грн
50+	378.66 грн
100+	293.72 грн
500+	225.34 грн

Мінімальне замовлення: 27

IPP048N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP048N12N3GXKSA1

на замовлення 64 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	170.16 грн
7+	140.8 грн
18+	133.27 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP048N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	273.61 грн
10+	251.21 грн
25+	248.23 грн
50+	230.07 грн
100+	193.73 грн
250+	171.14 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP048N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP048N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

45+	275.36 грн
49+	252.81 грн
50+	249.81 грн
52+	231.54 грн
100+	194.97 грн
250+	172.23 грн

Мінімальне замовлення: 45

IPP048N12N3GXKSA1

Description: INFINEON - IPP048N12N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 100 A, 0.0041 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 296 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	309.74 грн
10+	215.68 грн
100+	201.9 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP048N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 143 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

54+	228.85 грн
57+	216.26 грн
59+	203.73 грн
100+	177.26 грн

Мінімальне замовлення: 54

IPP048N12N3GXKSA1

MOSFET TRENCH >=100V

товар відсутній

IPP048N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 8 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPP048N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 2675 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	110.47 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPP048N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 8 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	146.25 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPP04CN10NG

07+ DIP

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP04CN10NG

Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3

товар відсутній

IPP04CN10NGHKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP04CN10NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP04CN10NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP04CN10NGXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 158nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPP04CN10NGXKSA1

Description: MV POWER MOS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 50 V

товар відсутній

IPP04CN10NGXKSA1

MOSFET N-Ch 100V 100A TO220-3

на замовлення 501 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	453.68 грн
10+	401.48 грн
100+	286.23 грн
500+	232.74 грн

IPP04CN10NGXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 158nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPP04N03LA

09+

на замовлення 5030 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP04N03LA

Description: MOSFET N-CH 25V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3877 pF @ 15 V

товар відсутній

IPP04N03LB G

Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5203 pF @ 15 V

товар відсутній

IPP04N03LBG

INF

07+;

на замовлення 17600 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP04N03LBGXK

Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

товар відсутній

IPP050N03LF2SAKSA1

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO220-3
Packaging: Tube

товар відсутній

IPP050N03LF2SAKSA1

IPP050N03LF2SAKSA1

товар відсутній

IPP050N03LF2SAKSA1

MOSFETs N

на замовлення 4970 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	68.22 грн
10+	59.93 грн
100+	35.56 грн
500+	29.71 грн
1000+	25.3 грн
2500+	22.91 грн
5000+	21.25 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPP050N06N G

Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 30 V

товар відсутній

IPP050N10NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 19.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

98+	125.66 грн

Мінімальне замовлення: 98

IPP050N10NF2SAKMA1

Description: INFINEON - IPP050N10NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 0.0045 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: StrongIRFET 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 349 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	144.33 грн
10+	104.6 грн
100+	103.79 грн

Мінімальне замовлення: 6

IPP050N10NF2SAKMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.4A (Ta), 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 84µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 50 V

на замовлення 980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	159.5 грн
10+	99.69 грн
100+	69.18 грн
500+	63.59 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP050N10NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 19.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP050N10NF2SAKMA1
Код товару: 188954

товар відсутній

IPP050N10NF2SAKMA1

MOSFETs N

на замовлення 782 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	131.55 грн
10+	104.73 грн
100+	74.45 грн
500+	70.04 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP050N10NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 19.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	70.13 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPP050N10NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 19.4A Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	61.22 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPP050N10NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 19.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP050N10NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 19.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

163+	75.24 грн

Мінімальне замовлення: 163

IPP051N15N5

MOSFETs TRENCH >=100V

товар відсутній

IPP051N15N5AKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 115A; Idm: 480A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 115A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.1mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPP051N15N5AKSA1
Код товару: 197743

товар відсутній

IPP051N15N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1763 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	556.5 грн
10+	450.22 грн
25+	391.64 грн
100+	301.8 грн
250+	278.69 грн
500+	232.4 грн
1000+	206.58 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP051N15N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1613 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	193.95 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP051N15N5AKSA1

товар відсутній

IPP051N15N5AKSA1

MOSFETs N

на замовлення 8500 шт:

термін постачання 203-212 дні (днів)

1+	521.14 грн
10+	415.61 грн
25+	314.42 грн
100+	251.53 грн
250+	250.81 грн
500+	217.56 грн
1000+	193.71 грн

IPP051N15N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1761 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

34+	367.66 грн

Мінімальне замовлення: 34

IPP051N15N5AKSA1

Description: INFINEON - IPP051N15N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 120 A, 0.004 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 120
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: OptiMOS 5
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.004
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

товар відсутній

IPP051N15N5AKSA1

Description: MOSFET N-CH 150V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 264µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 75 V

товар відсутній

IPP051N15N5XKSA1

MOSFETs Y

товар відсутній

IPP051N15N5XKSA1

Description: INFINEON - IPP051N15N5XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 120 A, 0.0051 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0051ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 340 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	416.77 грн
10+	364.06 грн
100+	301.63 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP051N15N5XKSA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 264µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 75 V

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	452.71 грн
10+	293.86 грн

IPP051N15N5XKSA1

IPP051N15N5XKSA1

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

30+	408.66 грн
50+	402.53 грн
500+	386.18 грн

Мінімальне замовлення: 30

IPP051N15N5XKSA1

IPP051N15N5XKSA1

товар відсутній

IPP051N15N5XKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP052N06L3 G

MOSFETs N-Ch 60V 80A TO220-3 OptiMOS 3

на замовлення 435 шт:

термін постачання 161-170 дні (днів)

3+	129.02 грн
10+	106.4 грн
100+	73 грн
250+	67.87 грн
500+	61.87 грн
1000+	53.56 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP052N06L3G

на замовлення 17 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP052N06L3GHKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 58µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 30 V

товар відсутній

IPP052N06L3GHKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP052N06L3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP052N06L3GXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 115W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Case: PG-TO220-3
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
On-state resistance: 5.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 115W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V

на замовлення 90 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	79.06 грн
10+	70.02 грн
15+	60.99 грн
40+	57.97 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPP052N06L3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	29.43 грн

Мінімальне замовлення: 12

IPP052N06L3GXKSA1

на замовлення 90 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

3+	98.52 грн
10+	84.03 грн
15+	73.18 грн
40+	69.57 грн
250+	67.76 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP052N06L3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 739 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

114+	107.93 грн
115+	107.49 грн
139+	88.4 грн
500+	72.03 грн

Мінімальне замовлення: 114

IPP052N06L3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 739 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	122.68 грн
10+	100.63 грн
50+	100.22 грн
100+	79.48 грн
500+	62.18 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPP052N06L3GXKSA1

MOSFETs N-Ch 60V 80A TO220-3 OptiMOS 3

товар відсутній

IPP052N06L3GXKSA1

товар відсутній

IPP052N06L3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP052N06L3GXKSA1
Код товару: 202355

товар відсутній

IPP052N06L3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1330 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

112+	110.34 грн
122+	100.73 грн
150+	81.94 грн
200+	73.89 грн
500+	68.23 грн
1000+	58.24 грн

Мінімальне замовлення: 112

IPP052N06L3GXKSA1

Description: INFINEON - IPP052N06L3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0042 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	141.08 грн
10+	107.84 грн
100+	76.95 грн
500+	64.45 грн
1000+	48.44 грн

Мінімальне замовлення: 6

IPP052N08N5

MOSFET TRENCH 40<-<100V

товар відсутній

IPP052N08N5

на замовлення 5500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP052N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 490 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

58+	214.67 грн
71+	174.02 грн
100+	162.56 грн

Мінімальне замовлення: 58

IPP052N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 314 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	114.21 грн
10+	107.37 грн
100+	95.6 грн
250+	91.39 грн

Мінімальне замовлення: 6

IPP052N08N5AKSA1

Description: MOSFET N-CH 80V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 66µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3770 pF @ 40 V

на замовлення 4313 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	152.47 грн
10+	95.47 грн
100+	65.96 грн
500+	59.61 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP052N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 942 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

64+	193.46 грн
100+	155.47 грн
500+	127.73 грн

Мінімальне замовлення: 64

IPP052N08N5AKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 80A; 125W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 80A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPP052N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPP052N08N5AKSA1

Description: INFINEON - IPP052N08N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 A, 0.0046 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 366 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	132.98 грн
10+	98.92 грн
100+	77.27 грн

Мінімальне замовлення: 7

IPP052N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP052N08N5AKSA1

MOSFETs N-Ch 80V 80A TO220-3

на замовлення 534 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	120.59 грн
10+	95.59 грн
100+	68.59 грн
500+	64.11 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP052N08N5AKSA1

товар відсутній

IPP052N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 601 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	50.93 грн

Мінімальне замовлення: 7

IPP052N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 314 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	122.99 грн
107+	115.63 грн
120+	102.96 грн
250+	98.42 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPP052NE7N3 G

MOSFETs N-Ch 75V 80A TO220-3 OptiMOS 3

на замовлення 184 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	218.41 грн
10+	213.62 грн
25+	148.9 грн
100+	127.94 грн
500+	112.03 грн
1000+	91.07 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP052NE7N3 G

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

товар відсутній

IPP052NE7N3G

на замовлення 50 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP052NE7N3G

Description: IPP052NE7 - 12V-300V N-CHANNEL P

товар відсутній

IPP052NE7N3GHKSA1

Description: MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 91µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 37.5 V

товар відсутній

IPP052NE7N3GHKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP052NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 498 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

107+	115.31 грн

Мінімальне замовлення: 107

IPP052NE7N3GXKSA1

Description: INFINEON - IPP052NE7N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 0.0052 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 8882 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	238.38 грн
10+	167.03 грн
100+	142.71 грн
500+	99.38 грн
1000+	74.36 грн
2000+	70.89 грн
5000+	67 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPP052NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP052NE7N3GXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 150W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

на замовлення 98 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	191.36 грн
8+	116.7 грн
21+	110.68 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP052NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 6500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	114.45 грн

Мінімальне замовлення: 500

IPP052NE7N3GXKSA1

на замовлення 98 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

2+	229.63 грн
8+	145.43 грн
21+	132.81 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP052NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 39 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPP052NE7N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 91µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 37.5 V

на замовлення 4982 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	204.07 грн
50+	156.03 грн
100+	133.75 грн
500+	111.57 грн
1000+	95.53 грн
2000+	89.95 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP052NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP052NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	107.09 грн

Мінімальне замовлення: 6

IPP052NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	52.96 грн

Мінімальне замовлення: 7

IPP054NE8NGHKSA2

Description: MOSFET N-CH 85V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12100 pF @ 40 V

товар відсутній

IPP055N03L G

MOSFETs N-Ch 30V 50A TO220-3 OptiMOS 3

на замовлення 605 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	93.6 грн
10+	75.14 грн
100+	50.89 грн
500+	43.01 грн
1000+	35.06 грн
2500+	33.03 грн
5000+	31.44 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPP055N03LG

08+

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP055N03LGHKSA1

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP055N03LGHKSA1

MOSFET N-Ch 30V 50A TO220-3

товар відсутній

IPP055N03LGHKSA1

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP055N03LGHKSA1

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO-220-3

товар відсутній

IPP055N03LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP055N03LGXKSA1

MOSFETs N-Ch 30V 50A TO220-3 OptiMOS 3

на замовлення 369 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	106.25 грн
10+	83.12 грн
100+	56.23 грн
500+	38.16 грн
1000+	37.87 грн
25000+	37.66 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPP055N03LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 972 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	27.32 грн

Мінімальне замовлення: 13

IPP055N03LGXKSA1
Код товару: 202356

товар відсутній

IPP055N03LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP055N03LGXKSA1

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 15 V

товар відсутній

IPP055N03LGXKSA1

Description: INFINEON - IPP055N03LGXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 0.0046 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 621 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	102.98 грн
11+	75.33 грн
100+	55.14 грн
500+	43.67 грн

Мінімальне замовлення: 8

IPP055N03LGXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; 68W; PG-TO220-3-1
Mounting: THT
Case: PG-TO220-3-1
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 5.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 68W
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 6 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

4+	93.41 грн
10+	70.37 грн
24+	44.63 грн
65+	42.28 грн
500+	40.66 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPP055N03LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 165 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPP055N03LGXKSA1

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	77.84 грн

Мінімальне замовлення: 6

IPP055N08NF2SAKMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 55µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 40 V

на замовлення 363 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	134.48 грн
10+	83.35 грн
100+	57.28 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP055N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 18.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1210 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

125+	98.38 грн
135+	91.34 грн
152+	80.71 грн
200+	73.49 грн
500+	67.87 грн
1000+	59.99 грн

Мінімальне замовлення: 125

IPP055N08NF2SAKMA1

Description: INFINEON - IPP055N08NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 99 A, 0.0048 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: StrongIRFET 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 348 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	91.62 грн
12+	68.76 грн

Мінімальне замовлення: 9

IPP055N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 18.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP055N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 18.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 563 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	58.69 грн
12+	55.13 грн
100+	51.72 грн
500+	49.6 грн

Мінімальне замовлення: 11

IPP055N08NF2SAKMA1

MOSFETs N

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 105-114 дні (днів)

3+	113 грн
10+	81.21 грн
100+	55.44 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP055N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 18.5A Tube

товар відсутній

IPP055N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 18.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 563 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

194+	63.2 грн
207+	59.37 грн
221+	55.7 грн
500+	53.41 грн

Мінімальне замовлення: 194

IPP055N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 18.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 272000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	69.54 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPP057N06N3
Код товару: 113416

Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 60 V
Idd,A: 80 A
Rds(on), Ohm: 5,4 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 5000/61
Монтаж: THT

товар відсутній

1+	22.5 грн
10+	20.9 грн

IPP057N06N3 G

MOSFET N-Ch 60V 80A TO220-3 OptiMOS 3

на замовлення 1266 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	134.08 грн
10+	109.72 грн
100+	75.89 грн
250+	73.73 грн
500+	63.82 грн
1000+	54.64 грн
2500+	51.9 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP057N06N3GHKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP057N06N3GHKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 58µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 30 V

товар відсутній

IPP057N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 25 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPP057N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP057N06N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 58µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 30 V

на замовлення 494 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	123.54 грн
50+	95.76 грн
100+	78.79 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP057N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 350 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	74.49 грн
10+	64.61 грн
100+	59.94 грн
250+	57.46 грн

Мінімальне замовлення: 9

IPP057N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP057N06N3GXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 115W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 115W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 233 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

3+	105.08 грн
10+	89.45 грн
15+	73.18 грн
40+	69.57 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP057N06N3GXKSA1

на замовлення 233 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	84.33 грн
10+	74.54 грн
15+	60.99 грн
40+	57.97 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPP057N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 460 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

272+	45.23 грн
285+	43.15 грн
289+	42.52 грн

Мінімальне замовлення: 272

IPP057N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP057N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 35 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPP057N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP057N06N3GXKSA1

MOSFET N-Ch 60V 80A TO220-3 OptiMOS 3

на замовлення 425 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	134.08 грн
10+	110.55 грн
100+	76.62 грн
250+	72.28 грн
500+	63.82 грн
1000+	51.9 грн
2500+	50.96 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP057N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 350 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	40.98 грн

Мінімальне замовлення: 9

IPP057N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 348 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

189+	65.02 грн
204+	60.33 грн
250+	59.97 грн

Мінімальне замовлення: 189

IPP057N06N3GXKSA1

Description: INFINEON - IPP057N06N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0047 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 513 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	146.76 грн
10+	108.65 грн
100+	85.14 грн
500+	66.71 грн

Мінімальне замовлення: 6

IPP057N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	57.36 грн

Мінімальне замовлення: 500

IPP057N08N3 G

MOSFET N-Ch 80V 80A TO220-3 OptiMOS 3

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	209.97 грн
10+	172.06 грн
100+	119.98 грн
250+	110.59 грн
500+	99.75 грн
1000+	86.74 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP057N08N3GHKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP057N08N3GHKSA1

Description: MOSFET N-CH 80V 80A TO220-3

товар відсутній

IPP057N08N3GXKSA1

MOSFETs N-Ch 80V 80A TO220-3 OptiMOS 3

на замовлення 1989 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	154.32 грн
10+	116.37 грн
100+	91.07 грн
500+	83.12 грн
1000+	78.79 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP057N08N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 138 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	46.04 грн

Мінімальне замовлення: 8

IPP057N08N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 165 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	101.14 грн
10+	87.63 грн
100+	83.2 грн

Мінімальне замовлення: 7

IPP057N08N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 165 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

113+	108.92 грн
130+	94.38 грн
137+	89.6 грн

Мінімальне замовлення: 113

IPP057N08N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 80V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 40 V

на замовлення 730 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	191.56 грн
50+	148.22 грн
100+	121.96 грн
500+	96.84 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP057N08N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 3490 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

71+	172.99 грн
88+	139.64 грн
100+	131.3 грн
500+	111.54 грн
1000+	96.76 грн
2000+	90.21 грн

Мінімальне замовлення: 71

IPP057N08N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP057N08N3GXKSA1

Description: INFINEON - IPP057N08N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 A, 0.0049 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0049ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 511 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	167.03 грн
10+	115.95 грн
100+	102.16 грн
500+	87.34 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPP057N08N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 650 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

93+	132.41 грн
120+	102.98 грн
500+	87.53 грн

Мінімальне замовлення: 93

IPP057N08N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 650 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	160.39 грн
10+	145.16 грн
100+	94.41 грн
250+	90.13 грн
500+	82.62 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPP05CN10L G

Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3

товар відсутній

IPP05CN10LGXK

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP05CN10N

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP05CN10N G

MOSFET N-Ch 100V 100A TO220-3 OptiMOS 2

на замовлення 687 шт:

термін постачання 325-334 дні (днів)

2+	270.69 грн
10+	240.22 грн
100+	171.3 грн
500+	166.24 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP05CN10NG

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP05CN10NGHKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP05CN10NGHKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO-220

товар відсутній

IPP05CN10NGXK

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

товар відсутній

IPP05CN10NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP05CN10NGXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; Idm: 400A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPP05CN10NGXKSA1

товар відсутній

IPP05CN10NGXKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3

товар відсутній

IPP05CN10NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP05N03L

09+

на замовлення 5030 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP05N03LA

Description: MOSFET N-CH 25V 80A TO220-3

товар відсутній

IPP05N03LB G

Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3209 pF @ 15 V

товар відсутній

IPP05N03LBG

07+

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP05N03LBGXK

Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

товар відсутній

IPP060N06N

MOSFETs N-Ch 60V 45A TO220-3

на замовлення 915 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	121.43 грн
10+	99.75 грн
100+	68.59 грн
250+	63.9 грн
500+	57.97 грн
1000+	49.66 грн
2500+	47.2 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP060N06N

Description: IPP060N06 - 12V-300V N-CHANNEL P

товар відсутній

IPP060N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	37.27 грн

Мінімальне замовлення: 10

IPP060N06NAKSA1

Description: INFINEON - IPP060N06NAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 45 A, 0.0052 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 32 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	132.98 грн
10+	101.35 грн

Мінімальне замовлення: 7

IPP060N06NAKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 17A/45A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V

на замовлення 494 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	161.07 грн
10+	99.38 грн
100+	67.74 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP060N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP060N06NAKSA1
Код товару: 202357

товар відсутній

IPP060N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube IPP060N06NAKSA1 IPP060N06N TIPP060n06n
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 30 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

20+	46.09 грн

Мінімальне замовлення: 20

IPP060N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	57.32 грн

Мінімальне замовлення: 500

IPP060N06NAKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 107W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 107W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPP060N06NAKSA1

MOSFETs N-Ch 60V 45A TO220-3

на замовлення 436 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	140.83 грн
10+	104.73 грн
100+	67.87 грн
250+	66.28 грн
500+	61 грн
1000+	57.25 грн
2500+	57.17 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP060N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1031 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

124+	99.61 грн
136+	90.72 грн
167+	73.76 грн
200+	66.6 грн
500+	61.48 грн
1000+	52.37 грн

Мінімальне замовлення: 124

IPP060N06NAKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 107W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 107W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPP060N06NXKSA1

SP005573716

товар відсутній

IPP062NE7N3 G

MOSFET N-Ch 75V 80A TO220-3 OptiMOS 3

на замовлення 578 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	198.17 грн
10+	162.09 грн
100+	112.03 грн
250+	103.36 грн
500+	93.96 грн
1000+	80.95 грн
2500+	76.62 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP062NE7N3G

Description: IPP062NE7 - 12V-300V N-CHANNEL P

товар відсутній

IPP062NE7N3GHKSA1

MOSFET N-Ch 75V 80A TO220-3

товар відсутній

IPP062NE7N3GHKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP062NE7N3GXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 136W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPP062NE7N3GXKSA1

товар відсутній

IPP062NE7N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 73A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3840 pF @ 37.5 V

товар відсутній

IPP062NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	60.12 грн

Мінімальне замовлення: 6

IPP065N03LG

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V

на замовлення 2285 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

866+	25.9 грн

Мінімальне замовлення: 866

IPP065N03LGHKSA1

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP065N03LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP065N03LGXKSA1

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V

товар відсутній

IPP065N03LGXKSA1

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

742+	28.09 грн

Мінімальне замовлення: 742

IPP065N03LGXKSA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP065N03LGXKSA1 - IPP065N03 - N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 16000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

715+	34.87 грн

Мінімальне замовлення: 715

IPP065N04N G

MOSFET N-Ch 40V 50A TO220-3 OptiMOS 3

на замовлення 194 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IPP065N04N G

Description: MOSFET N-CH 40V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 20 V

товар відсутній

IPP065N04NG

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 20 V

на замовлення 952 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

952+	28.12 грн

Мінімальне замовлення: 952

IPP065N04NGXKSA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP065N04NGXKSA1 - IPP065N04 - N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPP065N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP065N06L G

MOSFET N-Ch 60V 80A TO220-3

товар відсутній

IPP065N06LG

INF

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP065N06LGAKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 157 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 30 V

товар відсутній

IPP065N06LGXK

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

товар відсутній

IPP069N20NM6AKSA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta), 136A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 100A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 258µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 100 V

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	607.52 грн
10+	501.29 грн
100+	417.73 грн
500+	345.91 грн

IPP069N20NM6AKSA1

MOSFETs N

на замовлення 711 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	647.63 грн
10+	546.94 грн
25+	445.24 грн
100+	396.82 грн
250+	389.59 грн
500+	357.06 грн
1000+	300.68 грн

IPP069N20NM6AKSA1

TRENCH >=100V

товар відсутній

IPP06CN10L

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP06CN10L G

MOSFET N-Ch 100V 100A TO220-3

товар відсутній

IPP06CN10LG

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11900 pF @ 50 V

на замовлення 490 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

208+	104.67 грн

Мінімальне замовлення: 208

IPP06CN10LGHKSA1

MOSFET

товар відсутній

IPP06CN10LGXK

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP06CN10LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP06CN10LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 279 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	69.31 грн
10+	60.92 грн
25+	53.39 грн
50+	48.27 грн
100+	41.03 грн

Мінімальне замовлення: 9

IPP06CN10LGXKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3

товар відсутній

IPP06CN10N G

Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 50 V

товар відсутній

IPP06CN10NGXKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3

товар відсутній

IPP06CNE8N G

Description: MOSFET N-CH 85V 100A TO-220

товар відсутній

IPP06N03LA

Description: MOSFET N-CH 25V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2653 pF @ 15 V

товар відсутній

IPP06N03LA

MOSFET N-Ch 25V 50A TO220-3

товар відсутній

IPP06N03LAHKSA1

MOSFET

товар відсутній

IPP070N06

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP070N06L G

Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 30 V

товар відсутній

IPP070N06L G

MOSFET Discrete Semiconductor Products MOSFETs, GaNFETs - Single - MOSFET N-CH 60V 80A TO-220

товар відсутній

IPP070N06LG

08+

на замовлення 100000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP070N06LG

INF

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP070N06LGAKSA1

MOSFET

товар відсутній

IPP070N06LGXK

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

товар відсутній

IPP070N06N G

Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 30 V

товар відсутній

IPP070N06N G

MOSFET N-Ch 60V 80A TO220-3

товар відсутній

IPP070N06NGAKSA1

MOSFET

товар відсутній

IPP070N06NGIN

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

товар відсутній

IPP070N06NGXK

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP070N08N3 G

MOSFET N-Ch 80V 80A TO220-3 OptiMOS 3

товар відсутній

IPP070N08N3 G

Description: MOSFET N-CH 80V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 73A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 73µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3840 pF @ 40 V

товар відсутній

IPP070N08N3G

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 73A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 73µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3840 pF @ 40 V

на замовлення 609 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

400+	54.68 грн

Мінімальне замовлення: 400

IPP070N08N3GHKSA1

MOSFET N-Ch 80V 80A TO220-3

товар відсутній

IPP070N08N3GHKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP070N08N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP070N08N3GXKSA1

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 73A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 73µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3840 pF @ 40 V

на замовлення 7700 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

310+	70.72 грн

Мінімальне замовлення: 310

IPP072N10N3 G

MOSFETs N-Ch 100V 80A TO220-3 OptiMOS 3

на замовлення 380 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	155.16 грн
10+	127.18 грн
100+	88.18 грн
250+	81.68 грн
500+	73 грн
1000+	63.75 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP072N10N3 G

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP072N10N3GHKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4910 pF @ 50 V

товар відсутній

IPP072N10N3GHKSA1

MOSFET N-Ch 80V 80A TO220-3

товар відсутній

IPP072N10N3GHKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP072N10N3GXK

MOSFETs N-Ch 100V 80A TO220-3 OptiMOS 3

товар відсутній

IPP072N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1364 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	126.95 грн
10+	110.58 грн
100+	92.7 грн
500+	71.63 грн
1000+	58.03 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPP072N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP072N10N3GXKSA1

MOSFETs N-Ch 100V 80A TO220-3 OptiMOS 3

на замовлення 892 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	208.29 грн
10+	136.32 грн
100+	81.68 грн
500+	65.63 грн
1000+	57.97 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP072N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 2498 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

65+	190.71 грн
80+	154.23 грн
100+	144.85 грн
500+	123.59 грн
1000+	107 грн
2000+	100.04 грн

Мінімальне замовлення: 65

IPP072N10N3GXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 150W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 45 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

2+	191.68 грн
10+	140.74 грн
14+	75.89 грн
39+	72.28 грн
2000+	68.67 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP072N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1359 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

96+	127.76 грн
111+	111.29 грн
132+	93.3 грн
500+	72.09 грн
1000+	58.39 грн

Мінімальне замовлення: 96

IPP072N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 2750 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	50.68 грн

Мінімальне замовлення: 7

IPP072N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP072N10N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4910 pF @ 50 V

на замовлення 2247 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	158.72 грн
50+	123.01 грн
100+	101.21 грн
500+	80.37 грн
1000+	68.2 грн
2000+	64.79 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP072N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 218000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	101.53 грн

Мінімальне замовлення: 500

IPP072N10N3GXKSA1

на замовлення 45 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	159.73 грн
10+	112.94 грн
14+	63.24 грн
39+	60.23 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP072N10N3GXKSA1

Description: INFINEON - IPP072N10N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0062 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPP073N13NM6AKSA1

TRENCH >=100V

товар відсутній

IPP073N13NM6AKSA1

Trans MOSFET N-CH 135V 15A Tube

товар відсутній

IPP073N13NM6AKSA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	255.67 грн
10+	161.27 грн
100+	112.88 грн
500+	86.5 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP073N13NM6AKSA1

Trans MOSFET N-CH 135V 15A Tube

товар відсутній

IPP073N13NM6AKSA1

MOSFETs N

на замовлення 337 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	258.04 грн
10+	184.53 грн
100+	112.03 грн
500+	91.07 грн
1000+	86.01 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP075N15N3 G

MOSFETs N-Ch 150V 100A TO220-3 OptiMOS 3

на замовлення 392 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	341.52 грн
10+	282.61 грн
25+	232.02 грн
100+	198.77 грн
250+	187.21 грн
500+	177.09 грн
1000+	151.07 грн

IPP075N15N3 G

Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

28+	447.66 грн
29+	428.42 грн
50+	412.1 грн
100+	383.91 грн
250+	344.68 грн

Мінімальне замовлення: 28

IPP075N15N3 G

на замовлення 45000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP075N15N3G

на замовлення 24500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP075N15N3G

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP075N15N3GHKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP075N15N3GHKSA1

MOSFET N-Ch 150V 100A TO220-3

товар відсутній

IPP075N15N3GHKSA1

Description: MOSFET N-CH 150V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5470 pF @ 75 V

товар відсутній

IPP075N15N3GXKSA1
Код товару: 122947

товар відсутній

IPP075N15N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 3794 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	470.65 грн
10+	395.38 грн
25+	390.42 грн
100+	308.68 грн
500+	253.31 грн
1000+	211.98 грн
2500+	195.68 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP075N15N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	551.69 грн

Мінімальне замовлення: 23

IPP075N15N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 20 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	124.8 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP075N15N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP075N15N3GXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 100A; 300W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Case: PG-TO220-3
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 100A
On-state resistance: 7.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V

товар відсутній

IPP075N15N3GXKSA1

MOSFETs N-Ch 150V 100A TO220-3 OptiMOS 3

на замовлення 2673 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	341.52 грн
25+	267.65 грн
100+	199.49 грн
500+	177.09 грн
1000+	170.58 грн
5000+	143.11 грн

IPP075N15N3GXKSA1

Description: INFINEON - IPP075N15N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 100 A, 0.0062 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 349 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	368.12 грн
10+	261.9 грн
100+	222.17 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP075N15N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP075N15N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 150V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5470 pF @ 75 V

на замовлення 600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	371.39 грн
10+	238.45 грн
100+	170.69 грн
500+	133.01 грн

IPP075N15N3GXKSA1

товар відсутній

IPP075N15N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 3794 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

27+	464.12 грн
32+	385.01 грн
100+	304.4 грн
500+	249.8 грн
1000+	209.05 грн
2500+	192.97 грн

Мінімальне замовлення: 27

IPP075N15N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP076N12N3 G

MOSFETs N-Ch 120V 100A TO220-3 OptiMOS 3

на замовлення 435 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	230.21 грн
10+	198.66 грн
25+	129.38 грн
100+	119.98 грн
1000+	96.86 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP076N12N3 G

на замовлення 3800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP076N12N3G

Description: IPP076N12 - 12V-300V N-CHANNEL P

товар відсутній

IPP076N12N3GXKSA1

Description: INFINEON - IPP076N12N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 100 A, 0.0065 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120
Dauer-Drainstrom Id: 100
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 188
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 188
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: OptiMOS 3
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0065
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

товар відсутній

IPP076N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	198.82 грн
10+	182.24 грн
100+	155.76 грн
500+	148.59 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPP076N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

62+	200.09 грн
67+	183.41 грн
100+	156.76 грн
500+	149.54 грн

Мінімальне замовлення: 62

IPP076N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

52+	237.3 грн
56+	220.03 грн
100+	188.42 грн
500+	163.55 грн

Мінімальне замовлення: 52

IPP076N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

28+	443.93 грн
44+	282.4 грн
54+	228.22 грн
100+	206 грн
500+	152.59 грн

Мінімальне замовлення: 28

IPP076N12N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 120V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6640 pF @ 60 V

на замовлення 274 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	242.38 грн
10+	196.51 грн
100+	158.97 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP076N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

51+	242.09 грн
57+	218.88 грн
100+	181.94 грн

Мінімальне замовлення: 51

IPP076N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	224.8 грн
10+	203.24 грн
100+	168.94 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP076N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	84.33 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPP076N15N5

MOSFET TRENCH >=100V

товар відсутній

IPP076N15N5

на замовлення 38500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP076N15N5AKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 79A; 214W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 79A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 49nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPP076N15N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 533 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	255.07 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP076N15N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP076N15N5AKSA1

MOSFETs N

на замовлення 2454 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	352.49 грн
10+	259.34 грн
25+	215.39 грн
100+	163.35 грн
500+	136.61 грн

IPP076N15N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	575.23 грн
24+	518.17 грн
25+	516.1 грн
50+	471.66 грн
100+	360.78 грн

Мінімальне замовлення: 22

IPP076N15N5AKSA1

Description: MOSFET N-CH 150V 112A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 112A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 56A, 10
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 75 V

на замовлення 366 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	359.66 грн
50+	180.9 грн
100+	164.85 грн

IPP076N15N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 533 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

43+	289.09 грн

Мінімальне замовлення: 43

IPP076N15N5AKSA1

товар відсутній

IPP076N15N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 176 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	281.72 грн
10+	259.18 грн
25+	256.67 грн
100+	226.21 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP076N15N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1283 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	143.36 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP076N15N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 642 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

27+	467.9 грн
31+	397.04 грн
50+	302.2 грн
200+	273.32 грн
500+	222.38 грн

Мінімальне замовлення: 27

IPP076N15N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 176 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

41+	303.39 грн
44+	279.11 грн
45+	276.42 грн
100+	243.61 грн

Мінімальне замовлення: 41

IPP076N15N5AKSA1

Description: INFINEON - IPP076N15N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 112 A, 0.0059 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 112A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0059ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 21 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	353.52 грн
10+	251.36 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP076N15N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1333 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

30+	410.58 грн
36+	348.06 грн
50+	264.69 грн
200+	240.17 грн
500+	195.39 грн
1000+	183.11 грн

Мінімальне замовлення: 30

IPP07N03L

09+

на замовлення 5030 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP07N03LB G

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2782 pF @ 15 V

товар відсутній

IPP080N03L G

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP080N03L G

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 15 V

товар відсутній

IPP080N03LG

07+

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP080N06N G

Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 30 V

товар відсутній

IPP080N06NGXK

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

товар відсутній

IPP082N10NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	49.67 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPP082N10NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

230+	53.43 грн

Мінімальне замовлення: 230

IPP082N10NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 982 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	45.29 грн
18+	34.18 грн

Мінімальне замовлення: 14

IPP082N10NF2SAKMA1

Description: INFINEON - IPP082N10NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 77 A, 0.0073 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 100W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0073ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0073ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

товар відсутній

IPP082N10NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 15A Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	40.14 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPP082N10NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 982 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

334+	36.8 грн

Мінімальне замовлення: 334

IPP082N10NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP082N10NF2SAKMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 50 V

на замовлення 70 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	113.37 грн
50+	88.27 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP082N10NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 266000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	61.05 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPP082N10NF2SAKMA1

MOSFETs N

на замовлення 1083 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	122.27 грн
10+	65.33 грн
100+	45.83 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP082N10NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

224+	54.87 грн

Мінімальне замовлення: 224

IPP083N10N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 73A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP083N10N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 73A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 903 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

133+	92.36 грн
143+	85.82 грн
170+	72.33 грн
200+	65.91 грн
500+	60.85 грн

Мінімальне замовлення: 133

IPP083N10N5AKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 73A; 100W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 73A
Power dissipation: 100W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPP083N10N5AKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 73A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 73A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 50 V

товар відсутній

IPP083N10N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 73A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 435 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	91.88 грн
10+	82.6 грн
100+	73.27 грн

Мінімальне замовлення: 7

IPP083N10N5AKSA1

MOSFETs N-Ch 100V 73A TO220-3

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 161-170 дні (днів)

4+	110.47 грн
10+	101.41 грн
100+	61.22 грн
500+	61.15 грн
1000+	55.66 грн
2500+	54.07 грн
5000+	52.91 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPP083N10N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 73A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 435 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

124+	98.95 грн
138+	88.95 грн
156+	78.9 грн

Мінімальне замовлення: 124

IPP083N10N5AKSA1

товар відсутній

IPP083N10N5AKSA1
Код товару: 166075

товар відсутній

IPP083N10N5AKSA1

Description: INFINEON - IPP083N10N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 73 A, 0.0073 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 73
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 100
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 100
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: OptiMOS 5
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0073
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0073
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

товар відсутній

IPP083N10N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 73A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP084N06L3 G