Продукція > IPP
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IPP-2011 | Innovative Power Products | IPP-2011 | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP-2014 | Innovative Power Products | Outline Coup. 90 Degree, .8-2.5 Ghz 200 W | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP-2031 | Innovative Power Products | IPP-2031 | на замовлення 21 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP-2254 | Innovative Power Products | IPP-2254 | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP-3175 | Innovative Power Products | Directional Couplers With Connectors | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP-8063 | --- | Directional coupler that covers 225-2500MHz Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP-RB201-2R0 | ---- | RF Resistor Резистори та cбірки постійні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP-RB203-300 | ---- | RF Resistor Резистори та cбірки постійні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP-RB216-100 | ---- | RF Resistor Резистори та cбірки постійні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP011N03LF2SAKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH <= 40V | на замовлення 695 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP011N03LF2SAKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP011N03LF2SAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 210 A, 1050 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 210A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1050µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 923 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP011N03LF2SAKSA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH <= 40V Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Ta), 210A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 336 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15100 pF @ 15 V | на замовлення 629 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP011N04NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP011N04NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP011N04NF2SAKMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP011N04NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 201 A, 940 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V Dauer-Drainstrom Id: 201A hazardous: false Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET 2 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 940µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP011N04NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH PG-TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Ta), 201A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 249µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 315 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 20 V | на замовлення 520 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP011N04NF2SAKMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 201A; 375W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 201A Power dissipation: 375W Case: TO220-3 On-state resistance: 1.15mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.21µC Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP011N04NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 50000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP011N04NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs IFX FET 40V | на замовлення 3508 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP011N04NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP011N04NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP013N04NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 41A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP013N04NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH <= 40V | на замовлення 1236 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP013N04NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 41A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP013N04NF2SAKMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP013N04NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 197 A, 1020 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V Dauer-Drainstrom Id: 197A hazardous: false Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1020µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 69 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP013N04NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH PG-TO220-3 Part Status: Active Packaging: Tube | на замовлення 462 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP013N06NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH 40<-<100V Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP013N06NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP014N06NF2S | Infineon Technologies | IPP014N06NF2S | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP014N06NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH 40<-<100V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 246µA Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 198A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP014N06NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP014N06NF2SAKMA2 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 198A; 300W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 198A Power dissipation: 300W Case: TO220-3 On-state resistance: 1.4mΩ Mounting: THT Gate charge: 203nC Kind of channel: enhancement | на замовлення 38 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP014N06NF2SAKMA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP014N06NF2SAKMA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 147 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP014N06NF2SAKMA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 947 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP014N06NF2SAKMA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP014N06NF2SAKMA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP014N06NF2SAKMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 198 A, 1230 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 198A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1230µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 819 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP014N06NF2SAKMA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP014N06NF2SAKMA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP014N06NF2SAKMA2 | Infineon Technologies | Description: TRENCH 40<-<100V PG-TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 198A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 246µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 30 V | на замовлення 567 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP014N06NF2SAKMA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP014N06NF2SAKMA2 | Infineon Technologies | MOSFETs IFX FET 60V | на замовлення 1052 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP014N06NF2SAKMA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP014N08NM6AKSA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH 40<-<100V Packaging: Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP014N08NM6AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET TRENCH 40<-<100V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP015N04N G | INFINEON | Description: INFINEON - IPP015N04N G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0012 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 250W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 55 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP015N04N G | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 40V 120A TO220-3 OptiMOS 3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP015N04N G | Infineon | на замовлення 3550 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IPP015N04N G IPP015N04NG | Infineon | N-CH. POWER MOS TO220-3 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP015N04NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP015N04NF2SAKMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 193A; 188W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Mounting: THT Case: TO220-3 Polarisation: unipolar Gate charge: 106nC On-state resistance: 1.5mΩ Drain current: 193A Drain-source voltage: 40V Power dissipation: 188W Kind of channel: enhancement | на замовлення 75 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP015N04NF2SAKMA1 Код товару: 202345
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IPP015N04NF2SAKMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP015N04NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 193 A, 1230 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V Dauer-Drainstrom Id: 193A hazardous: false Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 188W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1230µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP015N04NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs IFX FET 40V | на замовлення 89 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP015N04NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP015N04NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH PG-TO220-3 Packaging: Tube Part Status: Active | на замовлення 2912 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP015N04NG | Infineon technologies | на замовлення 30 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IPP015N04NGHKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET MV POWER MOS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP015N04NGXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP015N04NGXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 250W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 120A Power dissipation: 250W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.5mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 3 | на замовлення 3 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP015N04NGXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP015N04NGXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 1200 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 314 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP015N04NGXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 120A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20000 pF @ 20 V | на замовлення 634 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP015N04NGXKSA1 | Infineon | N-channel, 40V, 120A, 1.5mOhm Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP015N04NGXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP015N04NGXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 40V 120A TO220-3 | на замовлення 76 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP016N06NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP016N06NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH 40<-<100V PG-TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 194A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 186µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 233 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 30 V | на замовлення 706 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP016N06NF2SAKMA1 Код товару: 202346
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IPP016N06NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 855 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP016N06NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 855 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP016N06NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs IFX FET 60V | на замовлення 819 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP016N06NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP016N06NF2SAKMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP016N06NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 194 A, 0.00142 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 194A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET 2 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00142ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 896 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP016N06NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP016N08NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 131000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP016N08NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH 40<-<100V | на замовлення 824 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP016N08NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 1341 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP016N08NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 1341 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP016N08NF2SAKMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP016N08NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 196 A, 1400 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 196A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET 2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 688 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP016N08NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH 40<-<100V Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 196A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 267µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 40 V | на замовлення 260 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP016N08NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP016N08NF2SAKMA1 Код товару: 183516
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220 Напруга сток-витік Uds, V: 80 V Струм стоку Idd, A: 196 A Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 1,6 mOhm Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 12000/170 Монтаж: THT | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IPP018N03LF2SAKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP018N03LF2SAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 128 A, 1800 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 128A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V euEccn: NLR Verlustleistung: 167W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 1986 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP018N03LF2SAKSA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH <= 40V Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 128A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 110µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 15 V | на замовлення 1877 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP018N10N5AKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 426 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP018N10N5AKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 426 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP018N10N5AKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP018N10N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 205 A, 1700 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 205A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V Verlustleistung: 375W SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm | на замовлення 220 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP018N10N5AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET TRENCH >=100V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP018N10N5AKSA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH >=100V Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 205A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.83mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 270µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP018N10N5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP018N10N5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP018N10N5XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 205 A, 0.0017 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 205A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 315 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP018N10N5XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH >=100V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP018N10N5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP018N10N5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH >=100V Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 205A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.83mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 270µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP018N10N5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP019N06NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP019N06NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH 40<-<100V PG-TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 185A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 188W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 129µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 30 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP019N06NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 41000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP019N06NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP019N06NF2SAKMA1 Код товару: 202347
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. |

