Продукція > IXY

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IXYA12N250CHVLittelfuseIGBT Transistors IGBT XPT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA12N250CHVIXYSDescription: DISC IGBT XPT-HI VOLTAGE TO-263D
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 16 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4.5V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-263HV
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/167ns
Switching Energy: 3.56mJ (on), 1.7mJ (off)
Test Condition: 1250V, 12A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 56 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 28 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 310 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA15N65C3D1IXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Power dissipation: 200W
Gate charge: 19nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 102ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 227 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+233.72 грн
3+203.41 грн
7+155.41 грн
20+146.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA15N65C3D1IXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Power dissipation: 200W
Gate charge: 19nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 102ns
на замовлення 227 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+163.23 грн
7+129.51 грн
20+121.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA15N65C3D1IXYSIGBTs Disc IGBT XPT-GenX3 TO-263D2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA15N65C3D1IXYSDescription: IGBT PT 650V 38A TO-263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 20 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-263AA
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/68ns
Switching Energy: 270µJ (on), 230µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 19 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 38 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 200 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA20N120A4HVIXYSIGBTs TO263 1200V 20A XPT
на замовлення 2976 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+535.58 грн
10+430.63 грн
50+298.69 грн
100+294.27 грн
500+289.12 грн
1000+283.24 грн
2500+277.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA20N120A4HVLittelfuse1200V IGBT Chip Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA20N120A4HVIXYSDescription: IGBT PT 1200V 80A TO-263HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 54 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-263HV
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/275ns
Switching Energy: 3.6mJ (on), 2.75mJ (off)
Test Condition: 800mV, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 46 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 135 A
Power - Max: 375 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA20N120A4HV-TRLLittelfuseIGBT Transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA20N120B4HVIXYSDescription: IGBT PT 1200V 76A TO-263HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 47 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-263HV
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/200ns
Switching Energy: 3.9mJ (on), 1.6mJ (off)
Test Condition: 960mV, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 44 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 76 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 130 A
Power - Max: 375 W
на замовлення 345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+966.11 грн
50+530.67 грн
100+492.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA20N120B4HVIXYSIGBTs TO263 1200V 20A XPT
на замовлення 1229 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+914.94 грн
10+791.89 грн
25+670.21 грн
50+484.08 грн
100+478.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA20N120B4HVLittelfuse1200V XPT GenX4 IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA20N120B4HV-TRLLittelfuse Disc. IGBT XPT-GenX4 TO-263HV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA20N120C3HVIXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 278W; TO263-2
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 278W
Case: TO263-2
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 96A
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 215ns
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA20N120C3HVIXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 278W; TO263-2
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 278W
Case: TO263-2
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 96A
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 215ns
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA20N120C3HVLittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 278000mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA20N120C3HVIXYSDescription: IGBT 1200V 40A TO-263HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 29 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-263HV
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/90ns
Switching Energy: 1.3mJ (on), 1mJ (off)
Test Condition: 600V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 53 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 278 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA20N120C3HVIXYSIGBTs TO263 1200V 20A XPT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA20N120C3HV-TRLLittelfuseIXYA20N120C3HV TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA20N120C3HV-TRLIXYSDescription: IGBT 1200V 40A TO-263HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 29 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-263HV
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/90ns
Switching Energy: 1.3mJ (on), 500µJ (off)
Test Condition: 600V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 53 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 278 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA20N120C3HV-TRLIXYSIGBT Transistors IGBT DISCRETE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA20N120C4HVLittelfuse1200V IGBT Chip Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA20N120C4HVIXYSDescription: IGBT PT 1200V 68A TO-263HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 53 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-263HV
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/160ns
Switching Energy: 4.4mJ (on), 1mJ (off)
Test Condition: 960mV, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 44 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 68 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 375 W
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+674.85 грн
50+357.33 грн
100+329.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA20N120C4HVIXYSIGBTs TO263 1200V 20A XPT
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+684.92 грн
10+511.85 грн
50+398.74 грн
100+325.17 грн
500+299.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA20N120C4HV-TRLLittelfuseDisc. IGBT XPT-GenX4 TO-263HV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA20N120C4HV-TRLIXYSDescription: DISC. IGBT XPT-GENX4 TO-263HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA20N120C4HV-TRLLittelfuseIGBTs Disc. IGBT XPT-GenX4 TO-263HV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA20N65B3IXYSDescription: IGBT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-263AA
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/103ns
Switching Energy: 500µJ (on), 700µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 29 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 58 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 108 A
Power - Max: 230 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA20N65C3IXYSIGBTs TO263 650V 20A XPT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA20N65C3IXYSDescription: IGBT 650V 20A TO-263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-263AA
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/80ns
Switching Energy: 430µJ (on), 650µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 30 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 105 A
Power - Max: 230 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA20N65C3IXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 230W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 230W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Gate charge: 30nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 105A
Turn-on time: 51ns
Turn-off time: 132ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA20N65C3IXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 230W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 230W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Gate charge: 30nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 105A
Turn-on time: 51ns
Turn-off time: 132ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA20N65C3-TRLIXYSDescription: IGBT PT 650V 50A TO-263AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-263AA
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/80ns
Switching Energy: 430µJ (on), 350µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 30 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 105 A
Power - Max: 230 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA20N65C3-TRLIXYSIGBTs IXYA20N65C3 TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA20N65C3-TRLLittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 650V 50A 230W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA20N65C3D1IXYSIGBTs Disc IGBT XPT-GenX3 TO-263D2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA20N65C3D1IXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 200W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 105A
Turn-on time: 51ns
Turn-off time: 132ns
Gate charge: 30nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 168 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+333.74 грн
3+289.36 грн
5+222.54 грн
14+210.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA20N65C3D1IXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 200W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 105A
Turn-on time: 51ns
Turn-off time: 132ns
Gate charge: 30nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+278.12 грн
3+232.20 грн
5+185.45 грн
14+175.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA20N65C3D1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 650V 50A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-263AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA20N65C3D1IXYSDescription: IGBT 650V 50A TO-263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-263AA
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/80ns
Switching Energy: 430µJ (on), 650µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 30 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 105 A
Power - Max: 200 W
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+432.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA20N65C3D1TRLLittelfuseIXYA20N65C3D1TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA30N120A3HVIXYSDescription: IGBT DISCRETE TO-263HV
Packaging: Tube
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA30N120A3HVIXYSIGBTs TO263 1200V 30A IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA30N120A4HVLittelfuse1200V IGBT Chip Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA30N120A4HVIXYSIGBTs TO263 1200V 30A XPT
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+689.21 грн
10+598.15 грн
50+425.96 грн
100+425.22 грн
250+415.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA30N120A4HVLittelfuse1200V IGBT Chip Transistor
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+357.05 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA30N120A4HVIXYSDescription: IGBT PT 1200V 106A TO-263HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-263HV
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/235ns
Switching Energy: 4mJ (on), 3.4mJ (off)
Test Condition: 960V, 25A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 57 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 106 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 184 A
Power - Max: 500 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA30N120A4HV-TRLLittelfuse IXYA30N120A4HV-TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA48N65A5IXYSDescription: IGBT TRENCH FS 650V 130A TO-263
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/205ns
Switching Energy: 400µJ (on), 1.25mJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 130 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 236 A
Power - Max: 326 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA48N65A5IXYSIGBTs 650V, 48A, XPT Gen5 A5 IGBT in TO-263
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+390.52 грн
10+323.19 грн
50+265.58 грн
100+227.33 грн
250+214.82 грн
500+202.31 грн
1000+173.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA50N65C3IXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO263-2
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO263-2
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: SMD
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 145ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA50N65C3IXYSDescription: IGBT 650V 130A 600W TO263
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA50N65C3IXYSIGBT Transistors 650V/130A XPT C3-Class TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA50N65C3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 650V 132A 600000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA50N65C3IXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO263-2
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO263-2
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: SMD
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 145ns
кількість в упаковці: 300 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA50N65C3-TRLIXYSDescription: IXYA50N65C3 TRL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 36 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 36A
Supplier Device Package: TO-263AA
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/90ns
Switching Energy: 800µJ (on), 470µJ (off)
Test Condition: 400V, 36A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 86 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 132 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 250 A
Power - Max: 600 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA50N65C3-TRLIXYSDiscrete Semiconductor Modules IXYA50N65C3 TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA50N65C5IXYSIGBTs 650V, 50A, XPT Gen5 C5 IGBT in TO-263
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+478.07 грн
10+395.10 грн
50+324.44 грн
100+278.09 грн
250+262.64 грн
500+246.45 грн
1000+211.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA55N65B5IXYSIGBTs 650V, 55A, XPT Gen5 B5 IGBT in TO-263
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+478.93 грн
10+414.56 грн
50+305.31 грн
100+278.09 грн
250+262.64 грн
500+246.45 грн
1000+211.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA55N65B5IXYSDescription: IGBT TRENCH FS 650V 122A TO-263
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/200ns
Switching Energy: 550µJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 300V, 25A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 130 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 122 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 250 A
Power - Max: 395 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA60N65A5IXYSIGBTs 650V, 60A, XPT Gen5 A5 IGBT in TO-263
на замовлення 300 шт:
термін постачання 343-352 дні (днів)
1+452.32 грн
10+346.87 грн
50+269.26 грн
100+234.68 грн
250+215.55 грн
500+203.78 грн
1000+190.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA60N65A5IXYSDescription: IGBT TRENCH FS 650V 134A TO-263
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 36A
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/230ns
Switching Energy: 600µJ (on), 1.45mJ (off)
Test Condition: 400V, 36A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 128 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 134 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 260 A
Power - Max: 395 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA8N250CHVIXYSIGBTs TO263 2500V 8A XPT
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+904.64 грн
10+832.50 грн
25+713.61 грн
50+626.80 грн
100+590.02 грн
250+579.72 грн
500+522.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA8N250CHVIXYSDescription: IGBT 2500V 29A TO263HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 8A
Supplier Device Package: TO-263HV
Td (on/off) @ 25°C: 11ns/180ns
Switching Energy: 2.6mJ (on), 1.07mJ (off)
Test Condition: 1250V, 8A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 45 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 29 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 70 A
Power - Max: 280 W
на замовлення 1026 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+844.35 грн
50+491.51 грн
100+467.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA8N250CHVIXYSIXYA8N250CHV SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA8N90C3D1IXYSDescription: IGBT 900V 20A 125W C3 TO-263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 114 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 8A
Supplier Device Package: TO-263AA
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/40ns
Switching Energy: 460µJ (on), 180µJ (off)
Test Condition: 450V, 8A, 30Ohm, 15V
Gate Charge: 13.3 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 48 A
Power - Max: 125 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA8N90C3D1IXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 8A; 125W; TO263
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 13.3nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 48A
Collector current: 8A
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 900V
Turn-on time: 39ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-off time: 238ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA8N90C3D1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 900V 20A 125000mW 3-Pin(2+Tab) TO-263AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA8N90C3D1IXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 8A; 125W; TO263
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 13.3nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 48A
Collector current: 8A
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 900V
Turn-on time: 39ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-off time: 238ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA8N90C3D1IXYSIGBTs 900V 8A 2.5V XPT IGBTs GenX3 w/ Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYB82N120C3H1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1200V 164A 1040W 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYB82N120C3H1IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXYB82N120C3H1 - IGBT, 164 A, 2.75 V, 1.04 kW, 1.2 kV, TO-264AA, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.75V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.04kW
Bauform - Transistor: TO-264AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XPT GenX3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 164A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2183.70 грн
5+2062.38 грн
10+1941.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYB82N120C3H1IXYSIGBTs XPT IGBT C3-Class 1200V/160A; Copack
на замовлення 300 шт:
термін постачання 420-429 дні (днів)
1+2259.89 грн
10+1979.72 грн
25+1605.26 грн
50+1291.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYB82N120C3H1IXYSDescription: IGBT 1200V 164A 1040W PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 420 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 82A
Supplier Device Package: PLUS264™
Td (on/off) @ 25°C: 29ns/192ns
Switching Energy: 4.95mJ (on), 2.78mJ (off)
Test Condition: 600V, 80A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 215 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 164 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 320 A
Power - Max: 1040 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYB82N120C3H1IXYSIXYB82N120C3H1 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYF30N450IXYSIGBT Transistors IGBT XPT-HI VOLTAGE
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+9446.40 грн
5+8989.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYF30N450IXYSDescription: IGBT 4500V 23A 230W ISOPLUS
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUSi5-Pak™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Td (on/off) @ 25°C: 38ns/168ns
Test Condition: 960V, 30A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 88 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 23 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 190 A
Power - Max: 230 W
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10081.32 грн
10+9282.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYF30N450IXYSIXYF30N450 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYF40N450IXYSIGBT Transistors IGBT DISCRETE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYF40N450LittelfuseHigh Voltage XPTTM IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYF40N450Ixys CorporationHigh Voltage XPTTM IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYF40N450Littelfuse Inc.Description: IGBT 4500V 32A ISOPLUS I4PAK
Packaging: Tube
Package / Case: i4-Pac™-4, Isolated
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Td (on/off) @ 25°C: 36ns/110ns
Test Condition: 960V, 40A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 170 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 350 A
Power - Max: 290 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH100N65A3IXYSIGBTs TO247 650V 100A GENX3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH100N65A3IXYSDescription: IGBT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 64 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 70A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/174ns
Switching Energy: 3.15mJ (on), 2.2mJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 178 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 240 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 480 A
Power - Max: 470 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH100N65A3IXYSIXYH100N65A3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXyH100N65C3IXYSDescription: IGBT PT 650V 200A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 70A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/106ns
Switching Energy: 2.15mJ (on), 840µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 164 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 420 A
Power - Max: 830 W
на замовлення 464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+763.98 грн
30+545.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH100N65C3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 650V 200A 830000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH100N65C3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 650V 200A 830W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXyH100N65C3IXYSIXYH100N65C3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXyH100N65C3IXYSIGBTs 650V/200A XPT C3-Class TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH100N65C5IXYSIGBTs 650V, 100A, XPT Gen5 C5 IGBT in TO-247AD
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+970.73 грн
10+818.96 грн
30+646.66 грн
120+593.70 грн
270+558.38 грн
510+523.81 грн
1020+470.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH100N65C5IXYSDescription: 650V, 100A, XPT Gen5 C5 IGBT in
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH10N170CIXYSIXYH10N170C THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH10N170CIXYSDescription: IGBT 1700V 36A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 17 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.8V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-247 (IXYH)
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/130ns
Switching Energy: 1.4mJ (on), 700µJ (off)
Test Condition: 850V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 46 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 36 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 84 A
Power - Max: 280 W
на замовлення 815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+631.87 грн
30+378.72 грн
120+326.22 грн
510+300.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH10N170CLittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 900V 165A 830000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH10N170CIXYSIGBTs TO247 1700V 10A IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH10N170CV1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 900V 165A 830000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH10N170CV1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 900V 165A 830000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH10N170CV1IXYSIGBTs 1700V/10A XPT IGBT w/ Diode
на замовлення 438 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+822.25 грн
10+740.28 грн
30+445.09 грн
120+421.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH10N170CV1IXYSIXYH10N170CV1 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH10N170CV1IXYSDescription: IGBT 1700V 36A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 160 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.8V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-247 (IXYH)
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/130ns
Switching Energy: 1.4mJ (on), 700µJ (off)
Test Condition: 850V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 46 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 36 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 84 A
Power - Max: 280 W
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+767.96 грн
30+466.62 грн
120+409.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH10N170CV1LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXYH10N170CV1 - TRANSISTOR, IGBT, 1.7KV, 36A, TO-247AD
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.6
Verlustleistung Pd: 280
Bauform - Transistor: TO-247AD
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: XPT Series
DC-Kollektorstrom: 36
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: To Be Advised
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH120N65A5IXYSIGBTs XPT thin-wafer technology, 5th generation (GenX5 ) Trench IGBT. Disc IGBT XPT-GenX5 TO247
на замовлення 309 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+823.96 грн
10+789.35 грн
30+467.89 грн
120+467.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH120N65A5IXYSDescription: IGBT PT 650V 290A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 45ns/370ns
Switching Energy: 1.25mJ (on), 3.2mJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 314 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 290 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 790 A
Power - Max: 830 W
на замовлення 306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+822.07 грн
30+472.68 грн
120+402.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH120N65A5LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXYH120N65A5 - IGBT, 290 A, 1.22 V, 830 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.22V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: XPT GenX5 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 290A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+893.78 грн
5+840.96 грн
10+787.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH120N65A5LittelfuseExtreme Light Punch Through IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH120N65B3IXYSDescription: DISC IGBT XPT-GENX3 TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 28 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: TO-247 (IXYH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/168ns
Switching Energy: 1.34mJ (on), 1.5mJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 250 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 340 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 760 A
Power - Max: 1360 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH120N65B3IXYSIGBTs TO247 650V 120A GENX3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH120N65C3IXYSIGBTs TO247 650V 120A GENX3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH120N65C3IXYSDescription: IGBT PT 650V 260A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 29 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: TO-247 (IXYH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/127ns
Switching Energy: 1.25mJ (on), 500µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 265 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 260 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 620 A
Power - Max: 1360 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH12N250CIXYSDescription: IGBT 2500V 28A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 16 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4.5V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/167ns
Switching Energy: 3.56mJ (on), 1.7mJ (off)
Test Condition: 1250V, 12A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 56 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 28 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 310 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH12N250CIXYSIXYH12N250C THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH12N250CV1HVIXYSDescription: IGBT 2500V 28A TO247HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 16 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4.5V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-247 (IXYH)
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/167ns
Switching Energy: 3.56mJ (on), 1.7mJ (off)
Test Condition: 1250V, 12A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 56 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 28 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 310 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH12N250CV1HVIXYSIXYH12N250CV1HV THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH12N250CV1HVIXYSIGBT Modules IGBT XPT-HI VOLTAGE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH16N170CIXYSDescription: IGBT 1.7KV 40A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 19 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.8V @ 15V, 16A
Supplier Device Package: TO-247 (IXYH)
Td (on/off) @ 25°C: 11ns/140ns
Switching Energy: 2.1mJ (on), 1.5mJ (off)
Test Condition: 850V, 16A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 56 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 310 W
на замовлення 1219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+781.49 грн
10+663.03 грн
100+573.40 грн
500+487.66 грн
1000+447.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH16N170CIXYSIXYH16N170C THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH16N170CIXYSIGBT Transistors IGBT XPT-HI VOLTAGE
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+864.30 грн
10+783.43 грн
30+665.79 грн
120+581.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH16N170CV1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 900V 165A 830000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH16N170CV1IXYSDescription: IGBT 1.7KV 40A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.8V @ 15V, 16A
Supplier Device Package: TO-247 (IXYH)
Td (on/off) @ 25°C: 11ns/140ns
Switching Energy: 2.1mJ (on), 1.5mJ (off)
Test Condition: 850V, 16A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 56 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 310 W
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1113.34 грн
10+944.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH16N170CV1IXYSIXYH16N170CV1 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH16N170CV1IXYSIGBT Transistors IGBT XPT-HI VOLTAGE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH16N170CV1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 900V 165A 830000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH16N250CIXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; XPT™; 2.5kV; 16A; 500W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: XPT™
Collector-emitter voltage: 2.5kV
Collector current: 16A
Power dissipation: 500W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 64A
Mounting: THT
Gate charge: 97nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 14ns
Turn-off time: 260ns
Features of semiconductor devices: high voltage
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH16N250CIXYSDescription: IGBT 2500V 35A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 19 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 16A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/260ns
Switching Energy: 4.75mJ (on), 3.9mJ (off)
Test Condition: 1250V, 16A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 97 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 126 A
Power - Max: 500 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH16N250CIXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; XPT™; 2.5kV; 16A; 500W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: XPT™
Collector-emitter voltage: 2.5kV
Collector current: 16A
Power dissipation: 500W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 64A
Mounting: THT
Gate charge: 97nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 14ns
Turn-off time: 260ns
Features of semiconductor devices: high voltage
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH16N250CV1HVIXYSDescription: IGBT 2500V 35A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 19 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 16A
Supplier Device Package: TO-247 (IXYH)
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/260ns
Switching Energy: 4.75mJ (on), 3.9mJ (off)
Test Condition: 1250V, 16A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 97 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 126 A
Power - Max: 500 W
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1900.39 грн
30+1172.85 грн
120+1099.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH16N250CV1HVIXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; XPT™; 2.5kV; 16A; 500W; TO247HV
Type of transistor: IGBT
Technology: XPT™
Collector-emitter voltage: 2.5kV
Collector current: 16A
Power dissipation: 500W
Case: TO247HV
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 126A
Mounting: THT
Gate charge: 97nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 39ns
Turn-off time: 541ns
Features of semiconductor devices: high voltage
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH16N250CV1HVIXYSIGBT Transistors IGBT XPT-HI VOLTAGE
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2497.64 грн
10+2230.99 грн
120+1697.22 грн
270+1532.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH16N250CV1HVIXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; XPT™; 2.5kV; 16A; 500W; TO247HV
Type of transistor: IGBT
Technology: XPT™
Collector-emitter voltage: 2.5kV
Collector current: 16A
Power dissipation: 500W
Case: TO247HV
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 126A
Mounting: THT
Gate charge: 97nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 39ns
Turn-off time: 541ns
Features of semiconductor devices: high voltage
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH1982LittelfuseIXYH1982^IXYS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH20N120C3IXYSIGBTs GenX3 1200V XPT IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH20N120C3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 278W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH20N120C3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 278W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 20A
Power dissipation: 278W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 96A
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 0.22µs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH20N120C3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 278000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH20N120C3IXYSDescription: IGBT 1200V 40A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/90ns
Switching Energy: 1.3mJ (on), 500µJ (off)
Test Condition: 600V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 53 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 278 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH20N120C3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 278W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 20A
Power dissipation: 278W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 96A
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 0.22µs
кількість в упаковці: 300 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH20N120C3D1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 230W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 20A
Power dissipation: 230W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 88A
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 0.22µs
на замовлення 282 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+667.65 грн
2+574.75 грн
5+543.33 грн
30+537.20 грн
120+522.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH20N120C3D1IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXYH20N120C3D1 - IGBT, 36 A, 4 V, 230 W, 1.2 kV, TO-247AD, 3 Pin(s)
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 4
Verlustleistung Pd: 230
Bauform - Transistor: TO-247AD
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: XPT GenX3
DC-Kollektorstrom: 36
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (07-Jul-2017)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH20N120C3D1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1200V 36A 230000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH20N120C3D1IXYSDescription: IGBT 1200V 36A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 195 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/90ns
Switching Energy: 1.3mJ (on), 500µJ (off)
Test Condition: 600V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 53 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 36 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 88 A
Power - Max: 230 W
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+799.79 грн
30+459.37 грн
120+391.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH20N120C3D1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 230W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 20A
Power dissipation: 230W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 88A
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 0.22µs
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 282 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+801.19 грн
2+716.23 грн
5+652.00 грн
30+644.64 грн
120+627.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH20N120C3D1IXYSIGBTs XPT 1200V IGBT GenX3 XPT IGBT
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+906.36 грн
30+554.15 грн
120+411.98 грн
510+395.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH20N120C3D1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1200V 36A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH20N120C4IXYSDescription: IGBT DISCRETE TO-247
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH20N120C4IXYSIGBTs TO247 1200V 17A IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH20N65B3IXYSIGBTs TO263 650V 20A XPT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH20N65B3IXYSDescription: DISC IGBT XPT-GENX3 TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/103ns
Switching Energy: 500µJ (on), 450µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 29 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 58 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 108 A
Power - Max: 230 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH20N65C3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 230W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 230W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 30nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 105A
Turn-on time: 51ns
Turn-off time: 132ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH20N65C3IXYSDescription: IGBT PT 650V 50A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/80ns
Switching Energy: 430µJ (on), 350µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 30 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 105 A
Power - Max: 230 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH20N65C3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 230W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 230W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 30nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 105A
Turn-on time: 51ns
Turn-off time: 132ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH20N65C3IXYSIGBTs TO263 650V 20A XPT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH20N65C3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 650V 50A 230000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH20N65C3D1IXYSIGBTs Disc IGBT XPT-GenX4 TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH20N65C3D1IXYSDescription: IGBT PT 650V 50A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247 (IXYH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/80ns
Switching Energy: 430µJ (on), 350µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 30 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 105 A
Power - Max: 230 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH24N170CIxys CorporationTrans IGBT Chip N-CH 900V 165A 830000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+978.06 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH24N170CIXYSDescription: IGBT 1700V 58A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.8V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247 (IXYH)
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/160ns
Switching Energy: 4.9mJ (on), 1.95mJ (off)
Test Condition: 960V, 30A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 96 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 58 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 145 A
Power - Max: 500 W
на замовлення 427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+865.84 грн
30+629.34 грн
120+572.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH24N170CLittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 900V 165A 830000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH24N170CLittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 900V 165A 830000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH24N170CIXYSIXYH24N170C THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH24N170CIXYSIGBT Transistors 1700V/58A High Volt
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1101.19 грн
10+998.32 грн
30+832.06 грн
120+732.74 грн
510+651.81 грн
1020+615.03 грн
2520+593.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH24N170CV1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 900V 165A 830000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH24N170CV1IXYSIXYH24N170CV1 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH24N170CV1IXYSIGBT Transistors IGBT XPT-HI VOLTAGE
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1385.29 грн
10+1203.06 грн
120+928.43 грн
510+893.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH24N170CV1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 900V 165A 830000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH24N170CV1IXYSDescription: IGBT 1700V 58A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 170 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 24A
Supplier Device Package: TO-247 (IXYH)
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/155ns
Switching Energy: 3.6mJ (on), 1.76mJ (off)
Test Condition: 850V, 24A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 96 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 58 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 140 A
Power - Max: 500 W
на замовлення 223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1151.54 грн
30+679.87 грн
120+585.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH24N90C3IXYSIGBTs GenX3 900V XPT IGBTs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH24N90C3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 24A; 240W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 900V
Collector current: 24A
Power dissipation: 240W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 110A
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 215ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH24N90C3IXYSDescription: IGBT 900V 46A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 24A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/73ns
Switching Energy: 1.35mJ (on), 400µJ (off)
Test Condition: 450V, 24A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 40 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 46 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 110 A
Power - Max: 240 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH24N90C3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 900V 46A 240000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH24N90C3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 24A; 240W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 900V
Collector current: 24A
Power dissipation: 240W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 110A
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 215ns
кількість в упаковці: 300 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH24N90C3D1IXYSDescription: IGBT 900V 44A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 340 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 24A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/73ns
Switching Energy: 1.35mJ (on), 400µJ (off)
Test Condition: 450V, 24A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 40 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 44 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 105 A
Power - Max: 200 W
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+787.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH24N90C3D1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 900V 44A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH24N90C3D1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 24A; 200W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 900V
Collector current: 24A
Power dissipation: 200W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 105A
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 215ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH24N90C3D1IXYSIGBTs 900V 24A 2.7V XPT IGBTs GenX3 w/ Diode
на замовлення 281 шт:
термін постачання 294-303 дні (днів)
1+758.73 грн
30+504.24 грн
120+387.70 грн
270+381.82 грн
510+370.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH24N90C3D1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 24A; 200W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 900V
Collector current: 24A
Power dissipation: 200W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 105A
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 215ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH25N250CHVIXYSIXYH25N250CHV THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH25N250CHVIXYSIGBTs 2500V/95A , HV XPT IGBT
на замовлення 277 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1889.11 грн
10+1791.90 грн
30+1288.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH25N250CHVLittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 2500V 95A 937W 3-Pin(3+Tab) TO-247HV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH25N250CHVLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXYH25N250CHV - TRANSISTOR, IGBT, 2.5KV, 95A, TO-247HV
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.4
Verlustleistung Pd: 937
Bauform - Transistor: TO-247HV
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 2.5
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: XPT Series
DC-Kollektorstrom: 95
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: To Be Advised
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH25N250CHVIXYSDescription: IGBT 2500V 235A TO-247HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/230ns
Switching Energy: 8.3mJ (on), 7.3mJ (off)
Test Condition: 1250V, 25A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 147 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 95 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 235 A
Power - Max: 937 W
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1750.78 грн
30+1153.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH25N250CHVLittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 2500V 95A 937000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247HV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH30N120A4IXYSDescription: IGBT PT 1200V 106A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247 (IXYH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/235ns
Switching Energy: 4mJ (on), 3.4mJ (off)
Test Condition: 960V, 25A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 57 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 106 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 184 A
Power - Max: 500 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH30N120A4IXYSIGBTs TO263 1200V 30A XPT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH30N120B4IXYSIGBTs TO247 1200V 30A XPT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH30N120B4IXYSDescription: IGBT PT 1200V 100A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247 (IXYH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/245ns
Switching Energy: 4.4mJ (on), 2.6mJ (off)
Test Condition: 960V, 25A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 58 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 174 A
Power - Max: 500 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH30N120C3IXYSIGBTs 1200V XPT GenX3 IGBT
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+657.45 грн
10+635.37 грн
30+389.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH30N120C3
Код товару: 181016
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH30N120C3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 500000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH30N120C3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 30A; 500W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 500W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 69nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 145A
Turn-on time: 71ns
Turn-off time: 296ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH30N120C3IXYSDescription: IGBT 1200V 75A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.3V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247 (IXYH)
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/130ns
Switching Energy: 2.6mJ (on), 1.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 69 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 145 A
Power - Max: 500 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH30N120C3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 30A; 500W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 500W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 69nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 145A
Turn-on time: 71ns
Turn-off time: 296ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH30N120C3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 500W 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH30N120C3D1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 30A; 416W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 69nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 133A
Turn-on time: 71ns
Turn-off time: 296ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH30N120C3D1IXYSDescription: IGBT 1200V 66A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 195 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.3V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/130ns
Switching Energy: 2.6mJ (on), 1.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 69 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 66 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 133 A
Power - Max: 416 W
на замовлення 476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+751.24 грн
30+434.64 грн
120+414.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH30N120C3D1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 30A; 416W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 69nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 133A
Turn-on time: 71ns
Turn-off time: 296ns
кількість в упаковці: 300 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH30N120C3D1IXYSIGBTs XPT 1200V IGBT GenX4 XPT IGBT
на замовлення 192 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+919.23 грн
10+776.66 грн
30+612.09 грн
120+562.80 грн
270+528.96 грн
510+496.59 грн
1020+446.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH30N120C3D1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1200V 66A 416000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH30N120C4IXYSIGBTs TO247 1200V 30A XPT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH30N120C4LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 900V 165A 830000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH30N120C4IXYSDescription: IGBT PT 1200V 94A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247 (IXYH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/205ns
Switching Energy: 4.8mJ (on), 1.5mJ (off)
Test Condition: 960V, 25A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 57 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 94 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 166 A
Power - Max: 500 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH30N120C4H1IXYSDescription: IGBT TRENCH 1200V 94A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 310 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/205ns
Switching Energy: 4.8mJ (on), 1.5mJ (off)
Test Condition: 960V, 25A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 57 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 94 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 166 A
Power - Max: 500 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH30N120C4H1IXYSIGBTs IXYH30N120C4H1
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+931.25 грн
10+786.81 грн
120+569.42 грн
270+536.31 грн
510+502.47 грн
1020+452.44 грн
2520+431.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH30N170CLittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 900V 165A 830000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH30N170CIXYSIGBT Transistors 1700V/108A High Voltage XPT IGBT
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1464.25 грн
10+1296.12 грн
30+1075.57 грн
60+1015.24 грн
120+993.17 грн
270+965.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH30N170CLittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1700V 100A 937W 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH30N170CIXYSIXYH30N170C THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH30N170CIXYSDescription: 1700V/108A HIGH VOLTAGE XPT IGB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/150ns
Switching Energy: 5.9mJ (on), 3.3mJ (off)
Test Condition: 850V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 140 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 108 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 255 A
Power - Max: 937 W
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+611.26 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH30N450HVIXYSIGBT Transistors IGBT XPT-HI VOLTAGE
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3349.07 грн
10+2941.66 грн
30+2405.68 грн
60+2325.49 грн
120+2245.30 грн
270+2207.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH30N450HVLittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 900V 165A 830000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH30N450HVLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXYH30N450HV - IGBT, 60 A, 3.2 V, 430 W, 4.5 kV, TO-247HV, 3 Pin(s)
MSL: -
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.2
Verlustleistung Pd: 430
Bauform - Transistor: TO-247HV
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 4.5
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
DC-Kollektorstrom: 60
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH30N450HVIXYSIXYH30N450HV THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH30N450HVIXYSDescription: IGBT PT 4500V 60A TO-247HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247HV
IGBT Type: PT
Test Condition: 960V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 88 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 430 W
на замовлення 258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4194.71 грн
30+2969.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH30N450HVLittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 900V 165A 830000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH30N65B3D1IXYSDescription: DISC IGBT XPT-GENX3 TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 38 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247 (IXYH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/87ns
Switching Energy: 830µJ (on), 640µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 45 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 270 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH30N65B3D1IXYSIGBTs Disc IGBT XPT-GenX3 TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH30N65C3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 30A; 270W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 270W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 118A
Turn-on time: 59ns
Turn-off time: 0.12µs
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH30N65C3IXYSIGBTs TO247 650V 30A GENX3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH30N65C3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 30A; 270W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 270W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 118A
Turn-on time: 59ns
Turn-off time: 0.12µs
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH30N65C3IXYSDescription: IGBT 650V 60A 270W TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/75ns
Switching Energy: 1mJ (on), 270µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH30N65C3H1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 30A; 270W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 270W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 118A
Turn-on time: 59ns
Turn-off time: 0.12µs
Technology: GenX3™; Planar; Sonic FRD™; XPT™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH30N65C3H1IXYSDescription: IGBT 650V 60A 270W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/75ns
Switching Energy: 1mJ (on), 270µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH30N65C3H1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 650V 60A 270000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH30N65C3H1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 30A; 270W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 270W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 118A
Turn-on time: 59ns
Turn-off time: 0.12µs
Technology: GenX3™; Planar; Sonic FRD™; XPT™
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH30N65C3H1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 650V 60A 270W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH30N65C3H1IXYSIGBTs 650V/60A XPT C3 Copacked TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH30N65C3H1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 650V 60A 270000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120A4IXYSIGBTs TO247 1200V 40A IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120A4IXYSDescription: IGBT 1200V 40A GENX4 XPT TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 32A
Supplier Device Package: TO-247 (IXYH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/204ns
Switching Energy: 2.3mJ (on), 3.75mJ (off)
Test Condition: 600V, 32A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 140 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 275 A
Power - Max: 600 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120B3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 577W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 577W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 84ns
Pulsed collector current: 200A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-off time: 411ns
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120B3IXYSDescription: IGBT 1200V 96A 577W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/177ns
Switching Energy: 2.7mJ (on), 1.6mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 87 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 96 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 577 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120B3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 577W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 577W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 84ns
Pulsed collector current: 200A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-off time: 411ns
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120B3IXYSIGBTs TO247 1200V 40A GENX3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120B3D1IXYSDescription: IGBT 1200V 86A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247 (IXYH)
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/177ns
Switching Energy: 2.7mJ (on), 1.6mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 87 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 86 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 480 W
на замовлення 568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+997.95 грн
30+583.51 грн
120+500.89 грн
510+455.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120B3D1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1200V 86A 480W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 20634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+516.02 грн
10+504.92 грн
25+466.70 грн
50+446.32 грн
100+388.64 грн
1000+357.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120B3D1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 480W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 84ns
Pulsed collector current: 180A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-off time: 411ns
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120B3D1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1200V 86A 480W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 20634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+555.71 грн
23+543.76 грн
25+502.60 грн
50+480.65 грн
100+418.54 грн
1000+385.13 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120B3D1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1200V 86A 480000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120B3D1IXYSIGBTs TO247 1200V 40A GENX3
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+954.42 грн
10+686.98 грн
30+530.43 грн
60+529.69 грн
120+499.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120B3D1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 480W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 84ns
Pulsed collector current: 180A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-off time: 411ns
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120B3D1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1200V 86A 480W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+897.22 грн
25+855.79 грн
50+821.36 грн
100+764.11 грн
250+685.56 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120B4IXYSIGBT Transistors IGBT DISCRETE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120B4IXYSDescription: IGBT DISCRETE TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120B4H1IXYSDescription: IGBT TRENCH 1200V 112A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 430 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 32A
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/220ns
Switching Energy: 5.9mJ (on), 2.9mJ (off)
Test Condition: 960V, 32A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 94 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 112 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 600 W
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+820.48 грн
30+503.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120B4H1IXYSIGBTs IXYH40N120B4H1
на замовлення 359 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+797.36 грн
30+594.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120B4H1LittelfuseIGBT Transistors IXYH40N120B4H1
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+747.58 грн
10+631.99 грн
30+498.06 грн
120+457.59 грн
270+431.11 грн
510+403.89 грн
1020+363.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120C3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 577W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 577W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 95ns
Pulsed collector current: 175A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-off time: 303ns
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120C3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1200V 90A 577000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120C3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 577W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 577W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 95ns
Pulsed collector current: 175A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-off time: 303ns
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120C3IXYSDescription: IGBT 1200V 70A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/125ns
Switching Energy: 3.9mJ (on), 660µJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 85 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 115 A
Power - Max: 577 W
на замовлення 204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+886.53 грн
30+513.50 грн
120+438.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120C3IXYSIGBTs GenX3 1200V XPT IGBT
на замовлення 156 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+857.44 грн
10+809.65 грн
30+464.95 грн
120+428.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120C3D1IXYSDescription: IGBT 1200V 64A 480W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 195 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/125ns
Switching Energy: 3.9mJ (on), 660µJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 85 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 64 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 105 A
Power - Max: 480 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120C3D1IXYSIGBTs XPT 1200V IGBT GenX5 XPT IGBT
на замовлення 300 шт:
термін постачання 441-450 дні (днів)
1+995.62 грн
10+864.65 грн
30+730.53 грн
60+690.07 грн
120+649.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120C3D1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 480W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 95ns
Pulsed collector current: 160A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-off time: 303ns
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120C3D1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 480000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120C3D1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 480W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 95ns
Pulsed collector current: 160A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-off time: 303ns
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120C4IXYSDescription: IGBT DISCRETE TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 32A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/140ns
Switching Energy: 5.55mJ (on), 1.55mJ (off)
Test Condition: 960V, 32A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 92 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 230 A
Power - Max: 680 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120C4IXYSIGBTs TO247 1200V 40A IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120C4H1IXYSIGBTs IXYH40N120C4H1
на замовлення 379 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+684.92 грн
10+674.29 грн
30+516.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120C4H1IXYSDescription: IGBT TRENCH 1200V 110A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 380 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 32A
Supplier Device Package: TO-247 (IXYH)
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/140ns
Switching Energy: 5.55mJ (on), 1.55mJ (off)
Test Condition: 960V, 32A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 92 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 110 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 230 A
Power - Max: 680 W
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+767.16 грн
30+438.62 грн
120+372.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120C4H1LittelfuseIGBT Transistors IXYH40N120C4H1
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+747.58 грн
10+631.99 грн
30+498.06 грн
120+457.59 грн
270+431.11 грн
510+403.89 грн
1020+363.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N65B3D1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 40A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 195A
Mounting: THT
Gate charge: 68nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 57ns
Turn-off time: 350ns
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N65B3D1IXYSDescription: IGBT 650V 86A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 37 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/140ns
Switching Energy: 800µJ (on), 1.25mJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 68 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 86 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 195 A
Power - Max: 300 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N65B3D1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 40A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 195A
Mounting: THT
Gate charge: 68nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 57ns
Turn-off time: 350ns
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N65B3D1IXYSIGBTs TO247 650V 40A GENX3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N65C3Ixys CorporationTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 300W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N65C3IXYSIGBTs 650V/80A XPT C3-Class TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N65C3IXYSDescription: IGBT PT 650V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/106ns
Switching Energy: 860µJ (on), 400µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 300 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N65C3D1IXYSIGBTs Disc IGBT XPT-GenX3 TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N65C3D1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 40A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 160ns
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N65C3D1IXYSDescription: IGBT PT 650V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 120 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/110ns
Switching Energy: 830µJ (on), 360µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 66 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 300 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N65C3D1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 40A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 160ns
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N65C3H1IXYSDescription: IGBT PT 650V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 120 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247 (IXYH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/106ns
Switching Energy: 860µJ (on), 400µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 300 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N65C3H1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 300000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N65C3H1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 40A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 65ns
Turn-off time: 206ns
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N65C3H1IXYSIGBTs 650V/80A XPT Copacked TO-247
на замовлення 242 шт:
термін постачання 343-352 дні (днів)
1+789.63 грн
10+636.22 грн
30+500.26 грн
120+463.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N65C3H1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 300W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N65C3H1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 40A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 65ns
Turn-off time: 206ns
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N65C3H1IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXYH40N65C3H1 - IGBT, 40 A, 2.35 V, 300 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.35
DC-Kollektorstrom: 40
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650
Verlustleistung Pd: 300
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N90C3IXYSIGBTs GenX3 900V XPT IGBTs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N90C3IXYSIXYH40N90C3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N90C3IXYSDescription: IGBT 900V 105A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/78ns
Switching Energy: 1.9mJ (on), 1mJ (off)
Test Condition: 450V, 40A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 74 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 105 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 600 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N90C3D1IXYSDescription: IGBT 900V 90A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/78ns
Switching Energy: 1.9mJ (on), 1mJ (off)
Test Condition: 450V, 40A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 74 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 90 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 500 W
на замовлення 133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+900.86 грн
30+522.08 грн
120+446.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N90C3D1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 900V 90A 500W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N90C3D1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 900V 90A 500W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N90C3D1LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXYH40N90C3D1 - IGBT, 90 A, 2.2 V, 500 W, 900 V, TO-247AD, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: TO-247AD
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 900V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 90A
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+631.34 грн
5+605.76 грн
10+580.17 грн
50+514.98 грн
100+453.43 грн
250+431.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N90C3D1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 40A; 500W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 900V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 180A
Turn-on time: 81ns
Turn-off time: 237ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 500W
Kind of package: tube
Gate charge: 74nC
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 156 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+863.58 грн
2+614.05 грн
6+559.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N90C3D1IXYSIGBTs XPT 900V IGBT GenX3 XPT IGBT
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+945.84 грн
10+859.57 грн
30+516.45 грн
120+441.41 грн
510+437.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N90C3D1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 900V 90A 500000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N90C3D1IXYS/LittelfuseТранзистор IGBT; Uceb, В = 900; Ic = 90 А; Pmax, Вт = 500; Uce(on), В = 2,5; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = вивідний; TO-247AD
на замовлення 3 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
3+207.99 грн
10+178.12 грн
100+165.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N90C3D1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 40A; 500W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 900V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 180A
Turn-on time: 81ns
Turn-off time: 237ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 500W
Kind of package: tube
Gate charge: 74nC
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
на замовлення 156 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+719.65 грн
2+492.75 грн
6+465.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N90C3D1 транзистор
Код товару: 193543
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH50N120C3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 50A; 750W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 240A
Turn-on time: 96ns
Turn-off time: 0.22µs
Power dissipation: 750W
Gate charge: 142nC
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH50N120C3IXYSIGBTs XPT IGBT C3-Class 1200V/105A
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+866.88 грн
10+752.97 грн
30+637.10 грн
60+601.05 грн
120+566.48 грн
270+548.82 грн
510+524.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH50N120C3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1200V 100A 750000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH50N120C3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 50A; 750W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 240A
Turn-on time: 96ns
Turn-off time: 0.22µs
Power dissipation: 750W
Gate charge: 142nC
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH50N120C3IXYSDescription: IGBT 1200V 100A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247 (IXYH)
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/133ns
Switching Energy: 3mJ (on), 1mJ (off)
Test Condition: 600V, 50A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 142 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 750 W
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+981.23 грн
30+571.33 грн
120+489.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH50N120C3D1IXYSIGBTs XPT 1200V IGBT GenX6 XPT IGBT
на замовлення 539 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+955.28 грн
10+904.41 грн
30+585.60 грн
120+576.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH50N120C3D1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1200V 90A 625000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH50N120C3D1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 50A; 625W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 210A
Turn-on time: 96ns
Turn-off time: 0.22µs
Power dissipation: 625W
Gate charge: 142nC
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
на замовлення 277 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1042.33 грн
2+705.79 грн
3+705.03 грн
4+666.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH50N120C3D1IXYSDescription: IGBT 1200V 90A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 195 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/133ns
Switching Energy: 3mJ (on), 1mJ (off)
Test Condition: 600V, 50A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 142 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 90 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 210 A
Power - Max: 625 W
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1154.72 грн
30+681.96 грн
120+587.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH50N120C3D1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 50A; 625W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 210A
Turn-on time: 96ns
Turn-off time: 0.22µs
Power dissipation: 625W
Gate charge: 142nC
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 277 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1250.80 грн
2+879.53 грн
3+846.03 грн
4+800.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH50N120C3D1Ixys CorporationTrans IGBT Chip N-CH 1200V 90A 625W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH50N170CIXYSIGBT Transistors 1700V/178A High Volt
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH50N65C3IXYSIGBTs 650V/130A XPT C3-Class TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH50N65C3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 145ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH50N65C3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 650V 132A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH50N65C3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 145ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH50N65C3IXYSDescription: IGBT 650V 130A 600W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 36A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/80ns
Switching Energy: 1.3mJ (on), 370µJ (off)
Test Condition: 400V, 36A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 80 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 130 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 250 A
Power - Max: 600 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH50N65C3D1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 900V 165A 830000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+526.29 грн
10+502.27 грн
25+479.92 грн
50+440.49 грн
100+402.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH50N65C3D1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 145ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH50N65C3D1IXYSDescription: IGBT 650V 132A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 36 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 36A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/90ns
Switching Energy: 800µJ (on), 800µJ (off)
Test Condition: 400V, 36A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 86 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 132 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 250 A
Power - Max: 600 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH50N65C3D1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 900V 165A 830000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+566.78 грн
23+540.91 грн
25+516.83 грн
50+474.37 грн
100+433.93 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH50N65C3D1IXYSIGBTs Disc IGBT XPT-GenX3 TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH50N65C3D1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 145ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH50N65C3H1IXYSDescription: IGBT PT 650V 130A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 120 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 36A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/80ns
Switching Energy: 1.3mJ (on), 370µJ (off)
Test Condition: 400V, 36A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 80 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 130 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 250 A
Power - Max: 600 W
на замовлення 518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+999.54 грн
30+584.87 грн
120+502.08 грн
510+456.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH50N65C3H1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 650V 130A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH50N65C3H1IXYSIGBTs 650V/130A XPTI C3-Class TO-247
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+966.44 грн
10+925.56 грн
30+531.90 грн
120+500.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH50N65C3H1
Код товару: 189326
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247AD
Vces: 650 V
Vce: 2,1 V
Ic 25: 130 A
Ic 100: 50 A
td(on)/td(off) 100-150 град: 22/80
у наявності 22 шт:
17 шт - склад
2 шт - РАДІОМАГ-Київ
2 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+490.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH50N65C3H1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 142ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 170 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+905.17 грн
2+625.51 грн
5+569.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH50N65C3H1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 142ns
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+754.31 грн
2+501.95 грн
5+474.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH55N120A4IXYSIGBTs TO247 1200V 55A XPT
на замовлення 1593 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+886.62 грн
10+723.36 грн
30+462.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH55N120A4IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXYH55N120A4 - IGBT, 175 A, 1.5 V, 650 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5
DC-Kollektorstrom: 175
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Verlustleistung Pd: 650
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: XPT GenX4
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH55N120A4LittelfuseDiscrete IGBT XPT Gen 4 1200V TO247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH55N120A4IXYSDescription: IGBT PT 1200V 175A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 55A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/300ns
Switching Energy: 2.3mJ (on), 5.3mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 175 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 350 A
Power - Max: 650 W
на замовлення 598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+941.44 грн
30+547.62 грн
120+469.07 грн
510+422.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH55N120B4LittelfuseIGBTs Disc. IGBT XPT-GenX4 TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH55N120B4H1IXYSIGBTs IXYH55N120B4H1
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1108.06 грн
10+1091.38 грн
30+712.14 грн
60+593.70 грн
120+570.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH55N120B4H1IXYSDescription: IGBT TRENCH 1200V 138A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 420 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 55A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/215ns
Switching Energy: 3.4mJ (on), 2.75mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 138 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 310 A
Power - Max: 650 W
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1105.38 грн
30+652.30 грн
120+562.05 грн
510+520.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH55N120C4LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXYH55N120C4 - IGBT, 140 A, 2.1 V, 650 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.1V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 650W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XPT Gen 4 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 140A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+661.88 грн
10+598.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH55N120C4IXYSIGBTs XPT thin-wafer technology, 4th generation (Gen 4) Trench IGBT. Disc IGBT Gen 4 XPT TO247
на замовлення 930 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+745.00 грн
30+430.63 грн
120+316.34 грн
510+309.72 грн
1020+297.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH55N120C4IXYSDescription: IGBT 1200V 140A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 55A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/180ns
Switching Energy: 3.5mJ (on), 1.34mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 114 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 140 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 290 A
Power - Max: 650 W
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+692.35 грн
30+391.70 грн
120+331.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH55N120C4H1IXYSIGBTs IXYH55N120C4H1
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+974.17 грн
30+600.68 грн
120+490.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH55N120C4H1IXYSDescription: IGBT TRENCH 1200V 126A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 180 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 55A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/180ns
Switching Energy: 3.5mJ (on), 1.34mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 114 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 126 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 290 A
Power - Max: 650 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH60N65A5IXYSIGBTs 650V, 60A, XPT Gen5 A5 IGBT in TO-247AD
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+502.10 грн
10+391.71 грн
30+303.10 грн
120+265.58 грн
270+242.04 грн
510+230.27 грн
1020+217.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH60N65A5IXYSDescription: IGBT TRENCH FS 650V 134A TO-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: TO-247 (IXYH)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 36A
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/230ns
Switching Energy: 600µJ (on), 1.45mJ (off)
Test Condition: 400V, 36A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 128 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 134 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 260 A
Power - Max: 395 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH60N90C3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 60A; 750W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 750W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 107nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 900V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 310A
Turn-on time: 104ns
Turn-off time: 268ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 360 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+962.61 грн
2+577.76 грн
6+526.01 грн
120+521.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH60N90C3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 900V 140A 750000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH60N90C3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 60A; 750W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 750W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 107nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 900V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 310A
Turn-on time: 104ns
Turn-off time: 268ns
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+802.18 грн
2+463.63 грн
6+438.34 грн
120+434.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH60N90C3IXYSIGBTs 900V 60A 2.7V XPT IGBT GenX3
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+780.19 грн
10+629.45 грн
30+424.49 грн
120+384.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH60N90C3IXYSDescription: IGBT 900V 140A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/87ns
Switching Energy: 2.7mJ (on), 1.55mJ (off)
Test Condition: 450V, 60A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 107 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 140 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 310 A
Power - Max: 750 W
на замовлення 334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+737.72 грн
30+446.85 грн
120+389.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH75N120B4IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 1.2kV; 75A; 1.15kW; TO247,TO247-3
Mounting: THT
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 1.15kW
Kind of package: tube
Gate charge: 157nC
Technology: GenX4™; XPT™
Case: TO247; TO247-3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 150A
Turn-on time: 24ns
Turn-off time: 235ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH75N120B4IXYSDescription: IGBT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 66 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/182ns
Switching Energy: 4.5mJ (on), 2.7mJ (off)
Test Condition: 600V, 50A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 157 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 240 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 440 A
Power - Max: 1150 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH75N120B4IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 1.2kV; 75A; 1.15kW; TO247,TO247-3
Mounting: THT
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 1.15kW
Kind of package: tube
Gate charge: 157nC
Technology: GenX4™; XPT™
Case: TO247; TO247-3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 150A
Turn-on time: 24ns
Turn-off time: 235ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH75N65C3IXYSIGBTs 650V/170A XPT C3-Class TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH75N65C3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 75A; 750W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 750W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 360A
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 90ns
Turn-off time: 179ns
кількість в упаковці: 300 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH75N65C3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 75A; 750W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 750W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 360A
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 90ns
Turn-off time: 179ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH75N65C3IXYSDescription: IGBT PT 650V 170A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/93ns
Switching Energy: 2.8mJ (on), 1mJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 123 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 170 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 360 A
Power - Max: 750 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH75N65C3D1IXYSDescription: IGBT PT 650V 175A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247 (IXYH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/93ns
Switching Energy: 2mJ (on), 950µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 122 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 175 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 360 A
Power - Max: 750 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH75N65C3D1IXYSIGBTs Disc IGBT XPT-GenX3 TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH75N65C3H1IXYSDescription: IGBT PT 650V 170A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/93ns
Switching Energy: 2.8mJ (on), 1mJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 123 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 170 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 360 A
Power - Max: 750 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH75N65C3H1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 75A; 750W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 750W
Gate charge: 123nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 360A
Turn-on time: 90ns
Turn-off time: 179ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH75N65C3H1IXYSIGBTs 650V/170A XPT C3-Class TO-247
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1375.85 грн
10+1184.45 грн
30+901.21 грн
60+865.90 грн
120+637.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH75N65C3H1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 75A; 750W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 750W
Gate charge: 123nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 360A
Turn-on time: 90ns
Turn-off time: 179ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH75N65C3H1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 650V 170A 750000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH80N90C3IXYSIXYH80N90C3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH80N90C3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 900V 165A 830000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH80N90C3IXYSDescription: IGBT 900V 165A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 80A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Td (on/off) @ 25°C: 34ns/90ns
Switching Energy: 4.3mJ (on), 1.9mJ (off)
Test Condition: 450V, 80A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 145 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 165 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 360 A
Power - Max: 830 W
на замовлення 1083 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1184.16 грн
30+702.78 грн
120+607.09 грн
510+568.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH80N90C3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 900V 165A 830W 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH80N90C3IXYSIGBTs TO268 900V 80A XPT
на замовлення 504 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+924.38 грн
30+841.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH82N120C3IXYSIXYH82N120C3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH82N120C3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1200V 200A 1250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH82N120C3IXYSDescription: IGBT 1200V 200A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 82A
Supplier Device Package: TO-247 (IXYH)
Td (on/off) @ 25°C: 29ns/192ns
Switching Energy: 4.95mJ (on), 2.78mJ (off)
Test Condition: 600V, 80A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 215 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 380 A
Power - Max: 1250 W
на замовлення 681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1552.62 грн
30+943.97 грн
120+857.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH82N120C3IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXYH82N120C3 - IGBT, 82 A, 3.2 V, 1.25 kW, 1.2 kV, TO-247AD, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.2V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25kW
Bauform - Transistor: TO-247AD
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 82A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1429.39 грн
5+1293.22 грн
10+1157.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH82N120C3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1200V 200A 1250W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH82N120C3IXYSIGBT Transistors XPT IGBT C3-Class 1200V/160A
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1642.78 грн
10+1422.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH85N120A4
Код товару: 197385
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH85N120A4LittelfuseUltra Low-Vsat IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH85N120A4IXYSIGBTs TO247 1200V 85A XPT
на замовлення 1493 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1683.98 грн
10+1462.79 грн
30+1082.19 грн
60+1076.30 грн
120+988.76 грн
270+951.97 грн
510+917.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH85N120A4IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 1.2kV; 85A; 1.15kW; TO247-3
Mounting: THT
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 1.15kW
Kind of package: tube
Gate charge: 200nC
Technology: GenX4™; Trench™; XPT™
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 85A
Pulsed collector current: 520A
Turn-on time: 73ns
Turn-off time: 990ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH85N120A4IXYSDescription: IGBT PT 1200V 300A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 85A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/400ns
Switching Energy: 4.9mJ (on), 8.3mJ (off)
Test Condition: 600V, 60A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 200 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 520 A
Power - Max: 1150 W
на замовлення 208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1555.81 грн
30+946.42 грн
120+860.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH85N120A4IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXYH85N120A4 - IGBT, 300 A, 1.5 V, 1.15 kW, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5
DC-Kollektorstrom: 300
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Verlustleistung Pd: 1.15
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: XPT GenX4
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH85N120A4IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 1.2kV; 85A; 1.15kW; TO247-3
Mounting: THT
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 1.15kW
Kind of package: tube
Gate charge: 200nC
Technology: GenX4™; Trench™; XPT™
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 85A
Pulsed collector current: 520A
Turn-on time: 73ns
Turn-off time: 990ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH85N120C4IXYSDescription: IGBT 1200V 240A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 85A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/280ns
Switching Energy: 4.3mJ (on), 2mJ (off)
Test Condition: 600V, 50A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 192 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 240 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 420 A
Power - Max: 1150 W
на замовлення 282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1195.31 грн
30+710.14 грн
120+613.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH85N120C4LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXYH85N120C4 - IGBT, 240 A, 2 V, 1.15 kW, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.15kW
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XPT Gen 4 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 240A
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+990.34 грн
5+896.26 грн
10+801.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH85N120C4IXYSIGBTs XPT thin-wafer technology, 4th generation (Gen 4) Trench IGBT. Disc IGBT Gen 4 XPT TO247
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1166.42 грн
10+1127.76 грн
30+647.40 грн
120+630.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH8N250CIXYSDescription: IGBT 2500V 29A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 8A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 11ns/180ns
Switching Energy: 2.6mJ (on), 1.07mJ (off)
Test Condition: 1250V, 8A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 45 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 29 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 70 A
Power - Max: 280 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH8N250CIXYSIXYH8N250C THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH8N250CLittelfuseIXYH8N250C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH8N250CHVLittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 900V 165A 830000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 5010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+1220.50 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH8N250CHVIXYSIGBTs TO263 2500V 8A XPT
на замовлення 514 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1579.26 грн
10+1371.42 грн
30+1128.54 грн
60+1095.43 грн
120+1031.43 грн
270+931.37 грн
2520+851.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH8N250CHVIXYSDescription: IGBT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 8A
Supplier Device Package: TO-247HV
Td (on/off) @ 25°C: 11ns/180ns
Switching Energy: 2.6mJ (on), 1.07mJ (off)
Test Condition: 1250V, 8A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 45 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 29 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 70 A
Power - Max: 280 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH8N250CHVLittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 900V 165A 830000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH8N250CHVIXYSIXYH8N250CHV THT IGBT transistors
на замовлення 58 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1611.14 грн
2+1523.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH8N250CV1HVIXYSDescription: IGBT 2500V 29A TO247HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 8A
Supplier Device Package: TO-247 (IXYH)
Td (on/off) @ 25°C: 11ns/180ns
Switching Energy: 2.6mJ (on), 1.07mJ (off)
Test Condition: 1250V, 8A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 45 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 29 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 70 A
Power - Max: 280 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH8N250CV1HVIXYSIXYH8N250CV1HV THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH8N250CV1HVLittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 900V 165A 830000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH8N250CV1HVIXYSIGBT Transistors IGBT XPT-HI VOLTAGE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH90N65A5LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXYH90N65A5 - IGBT, 220 A, 1.22 V, 650 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.22
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.22
Verlustleistung Pd: 650
euEccn: NLR
Verlustleistung: 650
Bauform - Transistor: TO-247
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: XPT GenX5 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
DC-Kollektorstrom: 220
Betriebstemperatur, max.: 175
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 220
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH90N65A5IXYSIGBTs XPT thin-wafer technology, 5th generation (GenX5 ) Trench IGBT. Disc IGBT XPT-GenX5 TO247
на замовлення 305 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+716.68 грн
10+686.13 грн
30+437.00 грн
120+376.67 грн
510+322.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH90N65A5IXYSDescription: IGBT PT 650V 220A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/420ns
Switching Energy: 1.3mJ (on), 3.4mJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 260 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 220 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 600 A
Power - Max: 650 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYJ20N120C3D1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 21A; 105W; TO247
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 105W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Collector current: 21A
Pulsed collector current: 40A
Turn-on time: 20ns
Turn-off time: 90ns
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYJ20N120C3D1IXYSIGBTs XPT 1200V IGBT GenX7 XPT IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYJ20N120C3D1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1200V 21A 105000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 ISO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYJ20N120C3D1IXYSDescription: IGBT 1200V 21A ISO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 195 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: ISO247
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/90ns
Switching Energy: 1.3mJ (on), 500µJ (off)
Test Condition: 600V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 53 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 21 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 84 A
Power - Max: 105 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYJ20N120C3D1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 21A; 105W; TO247
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 105W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Collector current: 21A
Pulsed collector current: 40A
Turn-on time: 20ns
Turn-off time: 90ns
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK100N120B3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1200V 225A 1150000mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK100N120B3IXYSLittelfuse
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK100N120C3IXYSDescription: IGBT 1200V 188A TO-264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: TO-264 (IXYK)
Td (on/off) @ 25°C: 32ns/123ns
Switching Energy: 6.5mJ (on), 2.9mJ (off)
Test Condition: 600V, 100A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 270 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 188 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 490 A
Power - Max: 1150 W
на замовлення 256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2159.03 грн
25+1377.01 грн
100+1302.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK100N120C3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1200V 188A 1150mW 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK100N120C3IXYSIGBT Transistors 1200V 188A XPT IGBT
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2110.55 грн
10+1918.81 грн
25+1592.75 грн
100+1424.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK100N120C3IXYSIXYK100N120C3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK100N120C3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1200V 188A 1150000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK100N65B3D1LittelfuseXPTTM 650V IGBT IXYK100N65B3D1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK100N65B3D1IXYSDescription: IGBT 650V 225A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 37 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 70A
Supplier Device Package: TO-264
Td (on/off) @ 25°C: 29ns/150ns
Switching Energy: 1.27mJ (on), 2mJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 168 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 225 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 460 A
Power - Max: 830 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK100N65B3D1IXYSIGBTs Disc IGBT XPT-GenX3 TO-264(3)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK110N120A4IXYSDescription: IGBT PT 1200V 375A TO-264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 110A
Supplier Device Package: TO-264 (IXYK)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 42ns/550ns
Switching Energy: 2.5mJ (on), 8.4mJ (off)
Test Condition: 600V, 50A, 1.5Ohm, 15V
Gate Charge: 305 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 375 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 900 A
Power - Max: 1360 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK110N120A4IXYSIGBTs TO264 1200V 110A GENX4
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2474.47 грн
10+2437.42 грн
25+1566.27 грн
50+1372.78 грн
100+1358.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK110N120A4LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXYK110N120A4 - IGBT, 375 A, 1.45 V, 1.36 kW, 1.2 kV, TO-264, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.36kW
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XPT GenX4 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 375A
SVHC: To Be Advised
на замовлення 308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2121.81 грн
5+1697.61 грн
10+1645.62 грн
50+1479.79 грн
100+1321.40 грн
200+1276.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK110N120B4IXYSIGBTs XPT thin-wafer technology, 4th generation (Gen 4) Trench IGBT. Disc IGBT Gen 4 XPT TO264
на замовлення 191 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1688.27 грн
10+1639.61 грн
25+998.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK110N120B4LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXYK110N120B4 - IGBT, 340 A, 1.66 V, 1.36 kW, 1.2 kV, TO-264, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.66V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.36kW
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XPT Gen 4 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 340A
SVHC: To Be Advised
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1559.79 грн
5+1426.92 грн
10+1293.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK110N120B4IXYSDescription: IGBT 1200V 340A TO-264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 110A
Supplier Device Package: TO-264 (IXYK)
Td (on/off) @ 25°C: 45ns/390ns
Switching Energy: 3.6mJ (on), 3.85mJ (off)
Test Condition: 600V, 50A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 340 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 340 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 800 A
Power - Max: 1360 W
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1710.99 грн
25+1070.33 грн
100+970.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK110N120C4IXYSDescription: IGBT 1200V 310A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 48 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 110A
Supplier Device Package: PLUS264™
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/320ns
Switching Energy: 3.6mJ (on), 1.9mJ (off)
Test Condition: 600V, 50A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 330 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 310 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 740 A
Power - Max: 1360 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK110N120C4IXYSIGBTs XPT thin-wafer technology, 4th generation (Gen 4) Trench IGBT. Disc IGBT Gen 4 XPT TO264
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1883.96 грн
25+1421.34 грн
50+1055.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK120N120B3IXYSDescription: DISC IGBT XPT-GENX3 TO-264(3)
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 54 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: TO-264 (IXYK)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/340ns
Switching Energy: 9.7mJ (on), 21.5mJ (off)
Test Condition: 960V, 100A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 400 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 320 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 800 A
Power - Max: 1500 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK120N120B3IXYSIGBTs TO264 1200V 120A GENX3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK120N120C3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 120A; 1.5kW; TO264
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 1.5kW
Case: TO264
Mounting: THT
Gate charge: 412nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 120A
Pulsed collector current: 700A
Turn-on time: 105ns
Turn-off time: 346ns
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2154.82 грн
2+1892.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK120N120C3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 120A; 1.5kW; TO264
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 1.5kW
Case: TO264
Mounting: THT
Gate charge: 412nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 120A
Pulsed collector current: 700A
Turn-on time: 105ns
Turn-off time: 346ns
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2585.78 грн
2+2357.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK120N120C3IXYSDescription: IGBT 1200V 240A TO-264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 120A
Supplier Device Package: TO-264 (IXYK)
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/176ns
Switching Energy: 6.75mJ (on), 5.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 100A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 412 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 240 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 700 A
Power - Max: 1500 W
на замовлення 167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2561.71 грн
25+1657.22 грн
100+1614.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK120N120C3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1200V 220A 1500000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK120N120C3LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXYK120N120C3 - TRANSISTOR, IGBT, 1.2KV, 240A, TO-264
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.55V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5kW
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XPT GenX3 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
directShipCharge: 25
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 240A
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK120N120C3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1200V 240A 1500W 3-Pin(3+Tab) TO-264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK120N120C3IXYSIGBTs 1200V 220A XPT IGBT
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2846.11 грн
10+2725.08 грн
25+1692.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK140N120A4IXYSDescription: IGBT PT 1200V 480A TO-264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 47 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 140A
Supplier Device Package: TO-264 (IXYK)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 52ns/590ns
Switching Energy: 4.9mJ (on), 12mJ (off)
Test Condition: 600V, 70A, 1.5Ohm, 15V
Gate Charge: 420 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 480 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 1200 A
Power - Max: 1500 W
на замовлення 643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3559.66 грн
25+2427.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK140N120A4LittelfuseUltra Low-Vsat IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK140N120A4LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXYK140N120A4 - IGBT, 480 A, 1.34 V, 1.5 kW, 1.2 kV, TO-264, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.34V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5kW
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 480A
SVHC: To Be Advised
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3616.39 грн
5+3323.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK140N120A4IXYSIGBTs TO264 1200V 140A GENX4
на замовлення 2088 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4050.30 грн
10+3975.51 грн
25+2908.89 грн
50+2812.51 грн
100+2752.92 грн
500+2627.86 грн
1000+2574.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK140N90C3IXYSIGBTs TO264 900V 140A GENX3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK140N90C3IXYSDescription: IGBT 900V 310A TO-264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 140A
Supplier Device Package: TO-264 (IXYK)
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/145ns
Switching Energy: 4.3mJ (on), 4mJ (off)
Test Condition: 450V, 100A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 330 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 310 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 840 A
Power - Max: 1630 W
на замовлення 367 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2143.12 грн
25+1365.92 грн
100+1290.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK140N90C3IXYSIXYK140N90C3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK180N65A5IXYSDescription: 650V, 180A, XP Gen5 A5 IGBT in
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: TO-264 (IXYK)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 100A
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 70ns/500ns
Switching Energy: 420µJ (on), 4.1mJ (off)
Test Condition: 300V, 100A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 654 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 400 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 1.03 kA
Power - Max: 1150 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK180N65A5IXYSIGBTs 650V, 180A, XPT Gen5 A5 IGBT in TO-264
на замовлення 400 шт:
термін постачання 343-352 дні (днів)
1+1577.55 грн
10+1370.58 грн
25+1158.70 грн
50+1093.96 грн
100+922.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK200N65B3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 200A; 1.56kW; TO264
Turn-off time: 700ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 1.56kW
Kind of package: tube
Gate charge: 340nC
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Mounting: THT
Case: TO264
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 200A
Pulsed collector current: 1.1kA
Turn-on time: 170ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK200N65B3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 200A; 1.56kW; TO264
Turn-off time: 700ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 1.56kW
Kind of package: tube
Gate charge: 340nC
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Mounting: THT
Case: TO264
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 200A
Pulsed collector current: 1.1kA
Turn-on time: 170ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK220N65A5IXYSIGBTs 650V, 220A, XPT Gen5 A5 IGBT in TO-264
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1914.00 грн
10+1553.32 грн
25+1305.84 грн
50+1277.88 грн
100+1250.66 грн
250+1193.28 грн
500+1143.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK220N65A5IXYSDescription: IGBT TRENCH FS 650V 510A TO-264
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: TO-264 (IXYK)
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 64ns/540ns
Switching Energy: 1.3mJ (on), 7.95mJ (off)
Test Condition: 300V, 100A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 750 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 510 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 1.18 kA
Power - Max: 1.16 kW
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1899.60 грн
25+1198.49 грн
100+1108.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK300N65A3IXYSIGBTs TO264 650V 300A IGBT
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2038.45 грн
10+1871.43 грн
25+1382.35 грн
50+1380.87 грн
100+1357.33 грн
250+1246.24 грн
500+1235.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK300N65A3LittelfuseIGBT Transistors IGBT DISC XPT
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2938.80 грн
10+2670.93 грн
25+2070.21 грн
100+1973.10 грн
250+1970.89 грн
500+1895.85 грн
1000+1870.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK30N170CV1IXYSDescription: DISC IGBT XPT-HI VOLTAGE TO-264(
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 33 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-264 (IXYK)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/143ns
Switching Energy: 3.6mJ (on), 1.8mJ (off)
Test Condition: 850V, 30A, 2.7Ohm, 15V
Gate Charge: 150 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 250 A
Power - Max: 937 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK85N120C4H1IXYSIGBTs IXYK85N120C4H1
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1929.45 грн
25+1352.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK85N120C4H1IXYSDescription: IGBT TRENCH 1200V 220A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 265 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 85A
Supplier Device Package: SOT-227B
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/280ns
Switching Energy: 4.3mJ (on), 2mJ (off)
Test Condition: 600V, 50A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 192 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 220 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 420 A
Power - Max: 1150 W
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1873.34 грн
25+1495.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYL40N250CV1IXYSIXYL40N250CV1 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYL40N250CV1IXYSIGBTs ISOPLUS 2500V 40A DIODE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYL40N250CV1IXYSDescription: IGBT 2500V 70A ISOPLUSI5
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUSi5-Pak™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 210 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: ISOPLUSi5-Pak™
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/200ns
Switching Energy: 11.7mJ (on), 6.9mJ (off)
Test Condition: 1250V, 40A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 270 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 400 A
Power - Max: 577 W
на замовлення 725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6312.36 грн
10+5549.42 грн
100+5019.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYL50N170CV1LittelfuseIGBTs Disc IGBT XPT-Hi Voltage ISOPLUS264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYL60N450LittelfuseHigh Voltage IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYL60N450LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXYL60N450 - TRANS, IGBT, 4.5KV, 90A, ISOPLUS I5-PAK
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 417
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 90
Bauform - Transistor: ISOPLUS i5-PAK
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.64
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: XPT Series
SVHC: To Be Advised
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10807.92 грн
5+10571.89 грн
10+10334.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYL60N450IXYSDescription: IGBT 4500V 90A ISOPLUSI5-PAK
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUSi5-Pak™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.3V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: ISOPLUSi5-Pak™
Td (on/off) @ 25°C: 55ns/450ns
Test Condition: 960V, 60A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 366 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 90 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 680 A
Power - Max: 417 W
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9208.31 грн
25+7600.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYL60N450IXYSIXYL60N450 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYL60N450IXYSIGBTs ISOPLUS 4500V 38A IGBT
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+9854.09 грн
10+9244.61 грн
25+7545.15 грн
50+7530.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN100N120B3H1IXYSIXYN100N120B3H1 IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN100N120B3H1IXYSIGBT Transistors IGBT XPT-GENX3 SOT-227UI(
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN100N120B3H1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1200V 165A 690W 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN100N120B3H1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1200V 165A 690000mW 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN100N120B3H1IXYSDescription: IGBT MOD 1200V 165A 690W SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
IGBT Type: PT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 165 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 690 W
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6 nF @ 25 V
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2969.17 грн
10+2668.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN100N120C3IXYSIGBTs XPT 1200V IGBT GenX3 XPT IGBT
на замовлення 263 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2988.58 грн
10+2217.46 грн
20+1873.05 грн
50+1856.13 грн
100+1817.87 грн
200+1733.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN100N120C3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1200V 152A 830000mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN100N120C3LittelfuseTrans IGBT Module N-CH 1200V 152A 830000mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN100N120C3IXYSDescription: IGBT MOD 1200V 152A 830W SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 152 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 830 W
Current - Collector Cutoff (Max): 25 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6 nF @ 25 V
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3644.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN100N120C3IXYSIXYN100N120C3 IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN100N120C3H1IXYSDescription: IGBT MOD 1200V 134A 690W SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 134 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 690 W
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6 nF @ 25 V
на замовлення 141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2949.27 грн
10+2119.68 грн
100+1923.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN100N120C3H1IXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 62A; SOT227B
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: single transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 62A
Pulsed collector current: 440A
Power dissipation: 690W
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
Case: SOT227B
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3235.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN100N120C3H1IXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 62A; SOT227B
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: single transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 62A
Pulsed collector current: 440A
Power dissipation: 690W
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
Case: SOT227B
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+3883.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN100N120C3H1IXYSIGBTs XPT 1200V IGBT GenX3 XPT IGBT
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3140.50 грн
10+2743.69 грн
20+2324.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN100N120C3H1IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXYN100N120C3H1 - IGBT-Modul, Einfach, 134 A, 3.5 V, 690 W, 150 °C, SOT-227B
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: Y-EX
IGBT-Technologie: IGBT 3 High-Speed
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.5V
Dauer-Kollektorstrom: 134A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.5V
Verlustleistung Pd: 690W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 690W
Bauform - Transistor: SOT-227B
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: XPT GenX3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Einfach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 134A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3185.60 грн
5+2867.04 грн
10+2139.14 грн
50+1903.58 грн
100+1680.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN100N120C3H1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1200V 140A 690W 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN100N120C3H1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1200V 134A 690000mW 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN100N65A3IXYSIGBTs SOT227 650V 100A GENX3
на замовлення 347 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2268.47 грн
10+1695.45 грн
100+1380.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN100N65A3LittelfuseIGBT Module, 650V IGBT Gen X3TM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN100N65A3IXYSDescription: IGBT MOD 650V 170A 600W SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 70A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
IGBT Type: PT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 170 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 600 W
Current - Collector Cutoff (Max): 25 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN100N65A3LittelfuseIGBT Module, 650V IGBT Gen X3TM
на замовлення 297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+2827.79 грн
10+2653.08 грн
20+2397.50 грн
50+2252.27 грн
100+2209.12 грн
250+2171.21 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN100N65A3IXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 650V; Ic: 100A; SOT227B
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 650V
Collector current: 100A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 460A
Power dissipation: 600W
Technology: GenX3™; XPT™
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN100N65A3IXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 650V; Ic: 100A; SOT227B
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 650V
Collector current: 100A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 460A
Power dissipation: 600W
Technology: GenX3™; XPT™
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 300 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN100N65B3D1IXYSDescription: DISC IGBT XPT-GENX3 SOT-227UI(MI
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 70A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
IGBT Type: PT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 185 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 600 W
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.74 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN100N65B3D1IXYSIXYN100N65B3D1 IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN100N65B3D1IXYSIGBTs Disc IGBT XPT-GenX3 SOT-227UI(mini
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN100N65C3H1IXYSIXYN100N65C3H1 IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN100N65C3H1LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXYN100N65C3H1 - IGBT-Modul, Einfach, 160 A, 1.8 V, 600 W, 175 °C, SOT-227B
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: -
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
Dauer-Kollektorstrom: 160A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V
Verlustleistung Pd: 600W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: SOT-227B
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Einfach
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 160A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2608.72 грн
10+2406.53 грн
30+2230.74 грн
100+1908.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN100N65C3H1IXYSIGBTs 650V/166A XPT Copacked SOT-227B
на замовлення 479 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2283.92 грн
10+1965.34 грн
20+1695.01 грн
50+1680.30 грн
100+1592.02 грн
500+1382.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN100N65C3H1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 650V 160A 600W 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN100N65C3H1IXYSDescription: IGBT MOD 650V 166A 600W SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 70A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
IGBT Type: PT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 166 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 600 W
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.98 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN110N120A4IXYSDescription: IGBT PT 1200V 275A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 110A
Supplier Device Package: SOT-227B
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 42ns/550ns
Switching Energy: 2.5mJ (on), 8.4mJ (off)
Test Condition: 600V, 50A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 305 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 275 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 950 A
Power - Max: 830 W
на замовлення 303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2813.19 грн
10+2015.84 грн
100+1813.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN110N120A4LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXYN110N120A4 - IGBT-Modul, Einfach, 275 A, 1.7 V, 830 W, 175 °C, SOT-227
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: Y-EX
IGBT-Technologie: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 275A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Schraubanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V
Verlustleistung Pd: 830W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830W
Bauform - Transistor: SOT-227
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Einfach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 275A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 275A
SVHC: To Be Advised
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3031.27 грн
5+2863.74 грн
10+2696.20 грн
50+2348.05 грн
100+2023.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN110N120A4IXYSIGBTs SOT227 1200V 110A GENX4
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2877.01 грн
10+2143.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN110N120B4H1IXYSDescription: 1200V,110A, XPT GEN4 B4 CO-PACK
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 110A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
IGBT Type: Trench
Current - Collector (Ic) (Max): 218 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 830 W
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5460 pF @ 25 V
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2509.98 грн
10+2076.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN110N120B4H1LittelfuseDisc IGBT XPT Gen4 1200V 110A SOT227B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN110N120B4H1IXYSIGBT Modules IXYN110N120B4H1
на замовлення 300 шт:
термін постачання 355-364 дні (днів)
1+3022.06 грн
10+2725.08 грн
20+2285.76 грн
50+2135.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN110N120C4IXYSIGBTs XPT thin-wafer technology, 4th generation (Gen 4) Trench IGBT. Disc IGBT Gen 4 XPT SOT227B
на замовлення 186 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2614.37 грн
10+1967.88 грн
100+1707.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN110N120C4LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXYN110N120C4 - IGBT-Modul, Einfach, 220 A, 1.9 V, 830 W, 175 °C, SOT-227
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.9V
Dauer-Kollektorstrom: 220A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Schraubanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830W
Bauform - Transistor: SOT-227
Produktpalette: XPT Gen4 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Einfach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2761.40 грн
5+2404.05 грн
10+2046.70 грн
50+1895.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN110N120C4IXYSDescription: IGBT 1200V 110A GEN4 XPT SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 110A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 220 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 830 W
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.42 nF @ 25 V
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2620.60 грн
10+1870.39 грн
100+1660.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN110N120C4H1IXYSDescription: 1200V, 110A, XPT GEN4 C4 CO-PACK
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 110A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
IGBT Type: Trench
Current - Collector (Ic) (Max): 210 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 830 W
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5420 pF @ 25 V
на замовлення 226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3204.73 грн
10+2315.10 грн
100+2132.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN110N120C4H1IXYSIGBT Modules IXYN110N120C4H1
на замовлення 252 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3213.46 грн
10+2522.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN120N120C3IXYSIGBTs SOT227 1200V 120A XPT
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3004.89 грн
10+2324.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN120N120C3IXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 120A; SOT227B
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 1.2kW
Case: SOT227B
Collector current: 120A
Pulsed collector current: 700A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN120N120C3IXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 120A; SOT227B
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 1.2kW
Case: SOT227B
Collector current: 120A
Pulsed collector current: 700A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN120N120C3IXYSDescription: IGBT MOD 1200V 240A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 120A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B - miniBLOC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 240 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1200 W
Current - Collector Cutoff (Max): 25 µA
на замовлення 183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3001.79 грн
10+2159.53 грн
100+1965.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN120N120C3LittelfuseTrans IGBT Module N-CH 1200V 240A 1200000mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN120N65B3D1LittelfuseTrans IGBT Module N-CH 650V 250A 830000mW
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4587.05 грн
10+4318.65 грн
25+4119.75 грн
50+3725.53 грн
100+3290.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN120N65B3D1IXYSDescription: IGBT PT 650V 250A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 28 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: SOT-227B
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/168ns
Switching Energy: 1.34mJ (on), 1.5mJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 250 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 250 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 770 A
Power - Max: 830 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN120N65B3D1LittelfuseTrans IGBT Module N-CH 650V 250A 830000mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN120N65B3D1IXYSIGBTs Disc IGBT XPT-GenX3 SOT-227UI(mini
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN120N65C3D1IXYSDescription: IGBT PT 650V 190A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 29 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: SOT-227B
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/127ns
Switching Energy: 1.25mJ (on), 500µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 265 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 190 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 620 A
Power - Max: 830 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN120N65C3D1IXYSIGBTs Disc IGBT XPT-GenX3 SOT-227UI(mini
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN140N120A4LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXYN140N120A4 - IGBT-Modul, Einfach, 380 A, 1.8 V, 1.07 kW, 175 °C, SOT-227
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: Y-EX
IGBT-Technologie: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
Dauer-Kollektorstrom: 380A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Schraubanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.34V
Verlustleistung Pd: 1.07kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.07kW
Bauform - Transistor: SOT-227
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Einfach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 380A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 380A
SVHC: To Be Advised
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4169.34 грн
5+3668.39 грн
10+3166.62 грн
50+2827.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN140N120A4IXYSIGBTs SOT227 1200V 140A XPT
на замовлення 150 шт:
термін постачання 567-576 дні (днів)
1+4119.82 грн
10+3659.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN140N120A4LittelfuseUltra Low-Vsat IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN140N120A4IXYSDescription: IGBT 140A 1200V SOT227B MINIBLOC
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 140A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
IGBT Type: PT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 380 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1070 W
Current - Collector Cutoff (Max): 25 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 8.3 nF @ 25 V
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4089.67 грн
10+2991.08 грн
100+2857.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN150N60B3IXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 140A; SOT227B
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 830W
Case: SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 140A
Pulsed collector current: 750A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN150N60B3IXYSDescription: IGBT 600V 250A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 88 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 150A
Supplier Device Package: SOT-227B
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/167ns
Switching Energy: 4.2mJ (on), 2.6mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 260 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 250 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 750 A
Power - Max: 830 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN150N60B3IXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 140A; SOT227B
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 830W
Case: SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 140A
Pulsed collector current: 750A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN150N60B3IXYSIGBTs SOT227 600V 140A GENX3
на замовлення 267 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2026.44 грн
10+1774.98 грн
20+1439.73 грн
50+1394.85 грн
100+1361.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN180N65A5IXYSIGBTs 650V, 180A, XPT Gen5 A5 IGBT in SOT-227
на замовлення 400 шт:
термін постачання 343-352 дні (днів)
1+2475.32 грн
10+2167.54 грн
20+1758.28 грн
50+1507.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN180N65A5IXYSDescription: 650V, 180A, XP Gen5 A5 IGBT in S
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
Current - Collector (Ic) (Max): 340 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 940 W
Current - Collector Cutoff (Max): 25 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 8640 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN200N65B5IXYSIGBTs 650V, 200A, XPT Gen5 B5 IGBT in SOT-227
на замовлення 365 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2798.04 грн
10+2280.91 грн
20+1926.02 грн
50+1889.97 грн
100+1854.65 грн
200+1771.52 грн
500+1704.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN220N65A5IXYSDescription: 650V, 220A, XP Gen5 A5 IGBT in S
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
Current - Collector (Ic) (Max): 510 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 1.2 kW
Current - Collector Cutoff (Max): 25 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11.7 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN220N65A5IXYSIGBTs 650V, 220A, XPT Gen5 A5 IGBT in SOT-227
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2798.04 грн
10+2280.91 грн
20+1926.02 грн
50+1889.97 грн
100+1854.65 грн
200+1771.52 грн
500+1704.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN300N65A3IXYSDescription: DISC IGBT XPT-GENX3 SOT-227B(MIN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN300N65A3IXYSIGBTs SOT227 650V 270A GENX3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN30N170CV1IXYSDescription: IGBT 1700V 88A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 160 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: SOT-227B
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/150ns
Switching Energy: 5.9mJ (on), 3.3mJ (off)
Test Condition: 850V, 30A, 2.7Ohm, 15V
Gate Charge: 140 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 88 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 275 A
Power - Max: 680 W
на замовлення 161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2862.53 грн
10+2450.20 грн
100+2143.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN30N170CV1IXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.7kV; Ic: 30A; SOT227B
Technology: XPT™
Power dissipation: 680W
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Max. off-state voltage: 1.7kV
Semiconductor structure: single transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 275A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN30N170CV1IXYSIGBT Modules 1700V/85A High Voltage XPT IGBT
на замовлення 322 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2947.39 грн
10+2588.86 грн
20+2116.56 грн
50+2086.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN30N170CV1LittelfuseIGBT Module, High Voltage IGBT w/ Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN30N170CV1IXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.7kV; Ic: 30A; SOT227B
Technology: XPT™
Power dissipation: 680W
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Max. off-state voltage: 1.7kV
Semiconductor structure: single transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 275A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN50N170CV1IXYSDescription: IGBT 1700V 120A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 255 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: SOT-227B
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/236ns
Switching Energy: 8.7mJ (on), 5.6mJ (off)
Test Condition: 850V, 50A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 260 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 485 A
Power - Max: 880 W
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3527.03 грн
10+2556.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN50N170CV1IXYSIGBT Transistors 1700V/120A High Volt
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3743.88 грн
10+3287.69 грн
20+2764.69 грн
50+2714.67 грн
100+2671.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN50N170CV1IXYSIXYN50N170CV1 IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN50N170CV1LittelfuseTrans IGBT Module N-CH 1700V 120A 880000mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN75N65C3D1IXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 650V; Ic: 75A; SOT227B; 600W
Technology: GenX3™; XPT™
Case: SOT227B
Power dissipation: 600W
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: single transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 360A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN75N65C3D1IXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 650V; Ic: 75A; SOT227B; 600W
Technology: GenX3™; XPT™
Case: SOT227B
Power dissipation: 600W
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: single transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 360A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN75N65C3D1IXYSDescription: IGBT 650V 150A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: SOT-227B
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/93ns
Switching Energy: 2mJ (on), 950µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 122 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 360 A
Power - Max: 600 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN75N65C3D1IXYSIGBTs Disc IGBT XPT-GenX3 SOT-227UI(mini
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN75N65C3H1LittelfuseIXYN75N65C3H1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN80N90C3H1IXYSDescription: IGBT MOD 900V 115A 500W SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 80A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 115 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Power - Max: 500 W
Current - Collector Cutoff (Max): 25 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.55 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN80N90C3H1IXYSIGBT Modules 900V 70A 2.7V XPT IGBTs GenX3 w/ Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN80N90C3H1IXYSIXYN80N90C3H1 IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN80N90C3H1LittelfuseTrans IGBT Module N-CH 900V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN82N120C3IXYSDescription: IGBT MOD 1200V 105A 500W SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 82A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 105 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 500 W
Current - Collector Cutoff (Max): 25 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.1 nF @ 25 V
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2334.91 грн
10+1655.21 грн
100+1437.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN82N120C3IXYSIGBT Transistors 1200V XPT IGBT GenX3
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3123.34 грн
10+2743.69 грн
20+2243.09 грн
50+2168.05 грн
100+2093.75 грн
200+2018.71 грн
500+1959.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN82N120C3IXYSIXYN82N120C3 IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN82N120C3LittelfuseIGBT Module, 1200V XPT IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN82N120C3H1LittelfuseTrans IGBT Module N-CH 1200V 105A 500000mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN82N120C3H1LittelfuseTrans IGBT Module N-CH 1200V 105A 500000mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN82N120C3H1IXYSDescription: IGBT MOD 1200V 105A 500W SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 82A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 105 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 500 W
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.06 nF @ 25 V
на замовлення 294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2362.76 грн
10+1736.59 грн
100+1665.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN82N120C3H1IXYSIGBTs XPT IGBT C3-Class 1200V/105A; Copack
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2908.76 грн
10+2547.41 грн
20+2067.27 грн
50+2002.53 грн
100+1938.52 грн
200+1920.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN82N120C3H1IXYSIXYN82N120C3H1 IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN85N120C4H1IXYSDescription: 1200V, 85A, XPT GEN4 C4 CO-PACK
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 85A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
IGBT Type: Trench
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 600 W
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4030 pF @ 25 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2704.96 грн
10+1935.07 грн
100+1724.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN85N120C4H1IXYSIGBT Modules IXYN85N120C4H1
на замовлення 486 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2756.84 грн
10+2093.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP10N65B3D1LittelfuseXPTTM 650V IGBT GenX3TM w/Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP10N65B3D1IXYSDescription: IGBT PT 650V 32A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 29 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-220
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/125ns
Switching Energy: 300µJ (on), 200µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 20 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 32 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 62 A
Power - Max: 160 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP10N65B3D1IXYSIGBTs Disc IGBT XPT-GenX3 TO-220AB/FP
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+363.06 грн
10+313.88 грн
50+231.74 грн
100+211.14 грн
250+199.37 грн
500+187.60 грн
1000+160.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP10N65C3IXYSDescription: IGBT PT 650V 30A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-220-3
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/77ns
Switching Energy: 240µJ (on), 110µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 18 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 54 A
Power - Max: 160 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP10N65C3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 10A; 160W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 54A
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 128ns
Gate charge: 18nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP10N65C3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 10A; 160W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 54A
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 128ns
Gate charge: 18nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP10N65C3D1IXYSIGBTs Disc IGBT XPT-GenX3 TO-220AB/FP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP10N65C3D1IXYSDescription: IGBT PT 650V 30A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 170 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-220
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/77ns
Switching Energy: 240µJ (on), 110µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 18 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 54 A
Power - Max: 160 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP10N65C3D1MIXYSIGBTs Disc IGBT XPT-GenX3 TO-220AB/FP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP10N65C3D1MIXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 7A; 53W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 53W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 50A
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 128ns
Gate charge: 18nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 7A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+216.88 грн
3+189.08 грн
8+144.38 грн
21+137.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP10N65C3D1MIXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 7A; 53W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 53W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 50A
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 128ns
Gate charge: 18nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 7A
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+151.73 грн
8+120.31 грн
21+114.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP10N65C3D1MIXYSDescription: IGBT 650V 15A TO220 ISOLATED TAB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 26 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-220 Isolated Tab
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/77ns
Switching Energy: 240µJ (on), 170µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 18 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 50 A
Power - Max: 53 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP15N65B3D1IXYSDescription: IGBT TO220AB
Packaging: Tube
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP15N65B3D1IXYSIGBTs Disc IGBT XPT-GenX3 TO-220AB/FP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP15N65C3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 15A
Power dissipation: 200W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 122ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP15N65C3IXYSIGBTs TO220 650V 15A GENX3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP15N65C3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 15A
Power dissipation: 200W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 122ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP15N65C3IXYSDescription: IGBT PT 650V 38A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-220-3
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/68ns
Switching Energy: 270µJ (on), 230µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 19 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 38 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 200 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP15N65C3D1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 15A
Power dissipation: 200W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 102ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP15N65C3D1LittelfuseHigh Performance 650V IGBT Chip
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP15N65C3D1IXYSDescription: IGBT PT 650V 38A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 110 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-220-3
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/68ns
Switching Energy: 270µJ (on), 230µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 19 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 38 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 200 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP15N65C3D1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 15A
Power dissipation: 200W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 102ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP15N65C3D1IXYSIGBTs TO220 650V 15A DIODE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP15N65C3D1LittelfuseHigh Performance 650V IGBT Chip
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP15N65C3D1MIXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 9A; 57W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 9A
Power dissipation: 57W
Case: TO220FP
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 122ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP15N65C3D1MIXYSIGBTs 650V/16A XPT IGBT C3 Copacked TO-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP15N65C3D1MIXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 9A; 57W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 9A
Power dissipation: 57W
Case: TO220FP
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 122ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP15N65C3D1MIXYSDescription: IGBT PT 650V 16A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-220-3
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/68ns
Switching Energy: 270µJ (on), 230µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 19 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 48 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N120A4IXYSIGBTs TO263 1200V 20A XPT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N120A4Littelfuse1200V IGBT Chip Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N120A4IXYSDescription: IGBT PT 1200V 80A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 54 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-220 (IXYP)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/275ns
Switching Energy: 3.6mJ (on), 2.75mJ (off)
Test Condition: 960V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 46 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 135 A
Power - Max: 375 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N120B4IXYSDescription: IGBT DISCRETE TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 47 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-220 (IXYP)
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/200ns
Switching Energy: 3.9mJ (on), 1.6mJ (off)
Test Condition: 960V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 44 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 76 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 130 A
Power - Max: 375 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N120B4IXYSIGBTs TO220 1200V 20A IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N120C3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 278000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N120C3IXYSIGBTs GenX3 1200V XPT IGBT
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+484.08 грн
50+378.18 грн
100+282.50 грн
250+266.32 грн
500+258.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N120C3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 278W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+331.70 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N120C3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 278W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 278W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 53nC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 96A
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N120C3IXYSDescription: IGBT 1200V 40A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-220-3
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/90ns
Switching Energy: 1.3mJ (on), 500µJ (off)
Test Condition: 600V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 53 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 278 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N120C3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 278W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+308.01 грн
10+304.99 грн
25+301.89 грн
50+263.80 грн
100+209.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N120C3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 278W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 278W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 53nC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 96A
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 200ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N120C3 транзистор
Код товару: 203199
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N120C4IXYSDescription: IGBT 1200V 68A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 53 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-220 (IXYP)
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/160ns
Switching Energy: 4.4mJ (on), 1mJ (off)
Test Condition: 960V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 44 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 68 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 375 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N120C4IXYSIGBTs TO247 1200V 20A IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N65B3D1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 230W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 230W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 29nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 108A
Turn-on time: 39ns
Turn-off time: 271ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N65B3D1IXYSIGBTs Disc IGBT XPT-GenX3 TO-220AB/FP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N65B3D1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 230W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 230W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 29nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 108A
Turn-on time: 39ns
Turn-off time: 271ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N65B3D1IXYSDescription: IGBT PT 650V 58A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-220
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/103ns
Switching Energy: 500µJ (on), 450µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 29 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 58 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 108 A
Power - Max: 230 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N65C3IXYSDescription: DISC IGBT XPT-GENX3 TO-220AB/FP
Packaging: Tube
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Reverse Recovery Time (trr): 135 ns
Gate Charge: 30 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 105 A
Power - Max: 200 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N65C3IXYSIGBTs TO220 650V 20A GENX3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N65C3D1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 650V 50A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N65C3D1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 200W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 105A
Turn-on time: 51ns
Turn-off time: 132ns
Gate charge: 30nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 288 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+243.46 грн
7+144.84 грн
18+136.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N65C3D1IXYSDescription: IGBT PT 650V 50A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 135 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-220-3
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/80ns
Switching Energy: 430µJ (on), 350µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 30 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 105 A
Power - Max: 200 W
на замовлення 1544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+348.56 грн
50+173.64 грн
100+157.95 грн
500+122.44 грн
1000+114.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N65C3D1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 650V 50A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+156.04 грн
10+138.72 грн
50+127.86 грн
100+117.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N65C3D1IXYSIGBTs Disc IGBT XPT-GenX3 TO-220AB/FP
на замовлення 860 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+325.29 грн
10+258.04 грн
50+154.49 грн
100+141.99 грн
500+127.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N65C3D1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 650V 50A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
72+169.65 грн
81+150.83 грн
88+139.01 грн
100+127.52 грн
Мінімальне замовлення: 72
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N65C3D1LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXYP20N65C3D1 - IGBT, 50 A, 2.27 V, 200 W, 650 V, TO-220AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.27V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A
SVHC: To Be Advised
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+367.25 грн
10+189.82 грн
100+172.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N65C3D1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 200W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 105A
Turn-on time: 51ns
Turn-off time: 132ns
Gate charge: 30nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 288 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+292.15 грн
7+180.49 грн
18+163.69 грн
1000+158.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N65C3D1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 650V 50A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+133.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N65C3D1MIXYSIGBTs 650V/18A XPT IGBT C3 Copacked TO-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N65C3D1MIXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 9A; 50W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 50W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 30nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 9A
Pulsed collector current: 105A
Turn-on time: 51ns
Turn-off time: 132ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N65C3D1MLittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 650V 18A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N65C3D1MIXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 9A; 50W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 50W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 30nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 9A
Pulsed collector current: 105A
Turn-on time: 51ns
Turn-off time: 132ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N65C3D1MIXYSDescription: IGBT PT 650V 18A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-220-3
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/80ns
Switching Energy: 430µJ (on), 350µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 30 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 18 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 105 A
Power - Max: 50 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP24N100A4IXYSDescription: IGBT DISCRETE TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 47 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 24A
Supplier Device Package: TO-220 (IXYP)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/216ns
Switching Energy: 3.5mJ (on), 2.3mJ (off)
Test Condition: 800V, 24A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 44 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 85 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 145 A
Power - Max: 375 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP24N100A4IXYSIGBTs TO263 1KV 24A XPT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP24N100C4IXYSIGBTs TO220 1KV 24A IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP24N100C4IXYSDescription: IGBT DISCRETE TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 24A
Supplier Device Package: TO-220
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/147ns
Switching Energy: 3.6mJ (on), 1mJ (off)
Test Condition: 800V, 24A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 43 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 76 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 132 A
Power - Max: 375 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP30N120A4IXYSDescription: IGBT 1200V 106A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-220 (IXYP)
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/235ns
Switching Energy: 4mJ (on), 3.4mJ (off)
Test Condition: 960V, 25A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 57 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 106 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 184 A
Power - Max: 500 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP30N120A4IXYSIGBTs TO220 1KV 30A IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP30N120B4IXYSDescription: IGBT DISCRETE TO-220
Packaging: Tube
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP30N120B4IXYSIGBTs TO220 1200V 30A IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP30N120C3IXYSIGBTs GenX3 1200V XPT IGBT
на замовлення 285 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+563.04 грн
10+475.47 грн
50+375.20 грн
100+344.30 грн
250+324.44 грн
500+303.84 грн
1000+295.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP30N120C3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 30A; 500W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 500W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 69nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 145A
Turn-on time: 71ns
Turn-off time: 296ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP30N120C3IXYSDescription: IGBT 1200V 75A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.3V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-220-3
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/130ns
Switching Energy: 2.6mJ (on), 1.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 69 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 145 A
Power - Max: 500 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP30N120C3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 30A; 500W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 500W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 69nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 145A
Turn-on time: 71ns
Turn-off time: 296ns
кількість в упаковці: 300 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP30N120C3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 500000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP30N120C4IXYSDescription: IGBT DISCRETE TO-220
Packaging: Tube
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP30N120C4IXYSIGBTs TO220 1200V 30A IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP30N65C3IXYSIGBTs TO220 650V 30A XPT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP30N65C3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 30A; 270W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 270W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 118A
Turn-on time: 59ns
Turn-off time: 0.12µs
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP30N65C3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 30A; 270W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 270W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 118A
Turn-on time: 59ns
Turn-off time: 0.12µs
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP30N65C3IXYSDescription: DISC IGBT XPT-GENX3 TO-220AB/FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-220
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/75ns
Switching Energy: 1mJ (on), 270µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 44 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 118 A
Power - Max: 270 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP35N65C5IXYSDescription: IGBT TRENCH FS 650V 90A TO-220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-220 (IXYP)
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/122ns
Switching Energy: 230µJ (on), 180µJ (off)
Test Condition: 300V, 20A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 96 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 90 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 190 A
Power - Max: 326 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP35N65C5IXYSIGBTs 650V, 35A, XPT Gen5 C5 IGBT in TO-220
на замовлення 272 шт:
термін постачання 343-352 дні (днів)
1+373.36 грн
10+277.50 грн
50+214.82 грн
100+187.60 грн
250+172.15 грн
500+161.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP48N65A5IXYSIGBTs 650V, 48A, XPT Gen5 A5 IGBT in TO-220
на замовлення 400 шт:
термін постачання 343-352 дні (днів)
1+374.22 грн
10+278.35 грн
50+214.82 грн
100+187.60 грн
250+172.15 грн
500+150.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP48N65A5IXYSDescription: IGBT TRENCH FS 650V 130A TO-220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-220 (IXYP)
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/205ns
Switching Energy: 400µJ (on), 1.25mJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 130 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 236 A
Power - Max: 326 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP50N65C3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 145ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP50N65C3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 650V 132A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP50N65C3IXYSIGBTs 650V/130A XPT C3-Class TO-220
на замовлення 599 шт:
термін постачання 343-352 дні (днів)
1+518.41 грн
10+438.25 грн
50+329.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP50N65C3IXYSDescription: IGBT PT 650V 130A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 36A
Supplier Device Package: TO-220-3
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/80ns
Switching Energy: 1.3mJ (on), 370µJ (off)
Test Condition: 400V, 36A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 80 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 130 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 250 A
Power - Max: 600 W
на замовлення 259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+591.29 грн
50+309.34 грн
100+284.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP50N65C3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 145ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP50N65C3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 650V 132A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP60N65A5LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXYP60N65A5 - IGBT, 134 A, 1.23 V, 395 W, 650 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: TBA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.23
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.23
Verlustleistung Pd: 395
euEccn: NLR
Verlustleistung: 395
Bauform - Transistor: TO-220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: XPT GenX5 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 134
Betriebstemperatur, max.: 175
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 134
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+546.34 грн
5+519.93 грн
10+493.52 грн
50+419.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP60N65A5IXYSIGBTs XPT thin-wafer technology, 5th generation (GenX5 ) Trench IGBT. Disc IGBT XPT-GenX5 TO220
на замовлення 315 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+405.97 грн
10+399.33 грн
50+195.69 грн
100+180.24 грн
500+165.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP60N65A5IXYSDescription: IGBT PT 650V 134A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 36A
Supplier Device Package: TO-220 (IXYP)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/230ns
Switching Energy: 600µJ (on), 1.45mJ (off)
Test Condition: 400V, 36A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 128 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 134 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 260 A
Power - Max: 395 W
на замовлення 197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+430.53 грн
50+218.79 грн
100+199.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP8N90C3IXYSIGBTs XPT 900V IGBT GenX3 XPT IGBT
на замовлення 297 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+266.93 грн
10+192.05 грн
50+141.99 грн
100+135.37 грн
250+115.50 грн
500+108.15 грн
1000+105.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP8N90C3IXYSDescription: IGBT 900V 20A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 8A
Supplier Device Package: TO-220-3
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/40ns
Switching Energy: 460µJ (on), 180µJ (off)
Test Condition: 450V, 8A, 30Ohm, 15V
Gate Charge: 13.3 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 48 A
Power - Max: 125 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP8N90C3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 8A; 125W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 13.3nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 48A
Collector current: 8A
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 900V
Turn-on time: 39ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-off time: 238ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP8N90C3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 900V 20A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP8N90C3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 8A; 125W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 13.3nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 48A
Collector current: 8A
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 900V
Turn-on time: 39ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-off time: 238ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP8N90C3D1IXYSDescription: IGBT 900V 20A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 114 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 8A
Supplier Device Package: TO-220-3
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/40ns
Switching Energy: 460µJ (on), 180µJ (off)
Test Condition: 450V, 8A, 30Ohm, 15V
Gate Charge: 13.3 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 48 A
Power - Max: 125 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP8N90C3D1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 8A; 125W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 13.3nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 48A
Collector current: 8A
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 900V
Turn-on time: 39ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-off time: 238ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 147 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+371.38 грн
3+321.83 грн
5+247.37 грн
13+233.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP8N90C3D1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 900V 20A 125mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP8N90C3D1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 8A; 125W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 13.3nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 48A
Collector current: 8A
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 900V
Turn-on time: 39ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-off time: 238ns
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+309.48 грн
3+258.25 грн
5+206.14 грн
13+194.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP8N90C3D1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 900V 20A 125mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP8N90C3D1IXYSIGBTs XPT 900V IGBT GenX3 XPT IGBTs
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+424.00 грн
10+367.18 грн
50+270.73 грн
100+246.45 грн
250+178.04 грн
500+175.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYQ30N65B3D1IXYSIGBTs Disc IGBT XPT-GenX3 TO-3P (3)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYQ40N65B3D1IXYSIGBT Transistors IGBT XPT-GENX3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYQ40N65C3D1IXYSDescription: IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYQ40N65C3D1IXYSIGBT Transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYR100N120C3IXYSDescription: IGBT 1200V 104A 484W ISOPLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Td (on/off) @ 25°C: 32ns/123ns
Switching Energy: 6.5mJ (on), 2.9mJ (off)
Test Condition: 600V, 100A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 270 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 104 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 480 A
Power - Max: 484 W
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2267.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYR100N120C3IXYSIGBT Transistors XPT 1200V IGBT GenX3 XPT IGBTs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYR100N120C3IXYSIXYR100N120C3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYR100N120C3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1200V 104A 484000mW 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYR100N65A3V1IXYSDescription: IGBT
Packaging: Tube
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYR100N65A3V1IXYSIGBT Modules Disc IGBT PT-Low Frequency ISOPLUS247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYR50N120C3D1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 32A; 290W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 32A
Pulsed collector current: 210A
Turn-on time: 96ns
Turn-off time: 0.22µs
Power dissipation: 290W
Gate charge: 142nC
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Case: PLUS247™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYR50N120C3D1IXYSDescription: IGBT 1200V 56A ISOPLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 195 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/133ns
Switching Energy: 3mJ (on), 1mJ (off)
Test Condition: 600V, 50A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 142 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 56 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 210 A
Power - Max: 290 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYR50N120C3D1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 32A; 290W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 32A
Pulsed collector current: 210A
Turn-on time: 96ns
Turn-off time: 0.22µs
Power dissipation: 290W
Gate charge: 142nC
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Case: PLUS247™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYR50N120C3D1IXYSIGBTs ISOPLUS 1200V 32A DIODE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYR50N120C3D1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1200V 56A 290000mW 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYT120N65A5HVIXYSIGBTs 650V, 120A, XPT Gen5 A5 IGBT in TO-268HV
на замовлення 398 шт:
термін постачання 343-352 дні (днів)
1+938.98 грн
10+747.89 грн
30+605.47 грн
60+578.25 грн
120+553.97 грн
270+496.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYT120N65A5HVIXYSDescription: IGBT TRENCH FS 650V 290A TO268HV
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: TO-268HV (IXYT)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.45V @ 15V, 75A
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 46ns/390ns
Switching Energy: 2.46mJ (on), 3.55mJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 314 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 290 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 790 A
Power - Max: 830 W
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+788.65 грн
30+478.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYT12N250CV1HVIXYSDescription: IGBT 2500V 28A TO268HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 16 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4.5V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-268HV (IXYT)
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/167ns
Switching Energy: 3.56mJ (on), 1.7mJ (off)
Test Condition: 1250V, 12A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 56 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 28 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 310 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYT12N250CV1HVIXYSIGBTs TO268 2500V 12A DIODE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYT20N120C3D1HVIXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 17A; 230W; TO268HV
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 230W
Case: TO268HV
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Collector current: 17A
Pulsed collector current: 88A
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 0.22µs
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYT20N120C3D1HVLittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1200V 36A 230000mW 3-Pin(2+Tab) D3PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYT20N120C3D1HVIXYSDescription: IGBT 1200V 36A TO268HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 29 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-268HV (IXYT)
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/90ns
Switching Energy: 1.3mJ (on), 1mJ (off)
Test Condition: 600V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 53 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 36 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 88 A
Power - Max: 230 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYT20N120C3D1HVIXYSIGBTs TO268 1200V 17A DIODE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYT20N120C3D1HVIXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 17A; 230W; TO268HV
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 230W
Case: TO268HV
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Collector current: 17A
Pulsed collector current: 88A
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 0.22µs
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYT25N250CHVIXYSIXYT25N250CHV SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYT25N250CHVLittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 2500V 95A 937000mW 3-Pin(2+Tab) TO-268HV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYT25N250CHVIXYSDescription: IGBT 2500V 95A TO-268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-268
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/230ns
Switching Energy: 8.3mJ (on), 7.3mJ (off)
Test Condition: 1250V, 25A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 147 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 95 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 235 A
Power - Max: 937 W
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2568.08 грн
30+1632.86 грн
120+1619.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYT25N250CHVIXYSIGBT Transistors 2500V/95A , HV XPT IGBT
на замовлення 240 шт:
термін постачання 357-366 дні (днів)
1+3218.61 грн
10+2925.59 грн
30+2429.22 грн
120+2171.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYT30N450HVIXYSIXYT30N450HV SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYT30N450HVLittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 900V 165A 830000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYT30N450HVIXYSDescription: IGBT 4500V 60A TO-268HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-268HV (IXYT)
Td (on/off) @ 25°C: 38ns/168ns
Test Condition: 960V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 88 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 430 W
на замовлення 582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3334.44 грн
30+2239.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYT30N450HVLittelfuseHigh Voltage XPTTMIGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYT30N450HVIXYSIGBTs TO268 4500V 30A XPT
на замовлення 297 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3276.97 грн
30+2629.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYT30N65C3H1HVIXYSIGBTs 650V/60A XPT Copacked TO-268HV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYT30N65C3H1HVIXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 30A; 270W; TO268HV
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 270W
Case: TO268HV
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 118A
Turn-on time: 59ns
Turn-off time: 0.12µs
Technology: GenX3™; Planar; Sonic FRD™; XPT™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYT30N65C3H1HVIXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 30A; 270W; TO268HV
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 270W
Case: TO268HV
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 118A
Turn-on time: 59ns
Turn-off time: 0.12µs
Technology: GenX3™; Planar; Sonic FRD™; XPT™
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYT30N65C3H1HVIXYSDescription: IGBT 650V 60A 270W TO268HV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYT40N120A4HVIXYSDescription: IGBT PT 1200V 140A TO268HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 32A
Supplier Device Package: TO-268HV (IXYT)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/204ns
Switching Energy: 2.3mJ (on), 3.75mJ (off)
Test Condition: 600V, 32A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 140 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 275 A
Power - Max: 600 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYT40N120A4HVIXYSIGBTs TO268 1200V 40A XPT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYT40N120A4HVLittelfuseUltra Low-Vsat IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYT40N120A4HV-TRLLittelfuse Discrete IGBT XPT Gen 4 1200V TO268HV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYT55N120A4HVIXYSDescription: IGBT PT 1200V 175A TO-268HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 55A
Supplier Device Package: TO-268HV (IXYT)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/300ns
Switching Energy: 2.3mJ (on), 5.3mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 175 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 350 A
Power - Max: 650 W
на замовлення 203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1154.72 грн
30+684.01 грн
120+590.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYT55N120A4HVIXYSIGBTs TO268 1200V 55A XPT
на замовлення 405 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1126.08 грн
30+710.67 грн
60+615.77 грн
120+603.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYT80N90C3IXYSIGBTs TO268 900V 80A XPT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYT80N90C3IXYSIXYT80N90C3 SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYT80N90C3IXYSDescription: IGBT 900V 165A TO268AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 80A
Supplier Device Package: TO-268AA
Td (on/off) @ 25°C: 34ns/90ns
Switching Energy: 4.3mJ (on), 1.9mJ (off)
Test Condition: 450V, 80A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 145 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 165 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 360 A
Power - Max: 830 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYT85N120A4HVIXYSDescription: IGBT PT 1200V 300A TO-268HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 85A
Supplier Device Package: TO-268HV (IXYT)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/400ns
Switching Energy: 4.9mJ (on), 8.3mJ (off)
Test Condition: 600V, 60A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 200 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 520 A
Power - Max: 1150 W
на замовлення 267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1681.55 грн
30+1166.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYT85N120A4HVLittelfuseDiscrete IGBT XPT Gen 4 1200V TO268HV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYT85N120A4HVIXYSIGBTs TO268 1200V 85A XPT
на замовлення 564 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1959.49 грн
10+1838.43 грн
30+1199.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYT90N65A5HVIXYSIGBTs 650V, 90A, XPT Gen5 A5 IGBT in TO-268HV
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+794.78 грн
10+641.29 грн
30+503.94 грн
120+445.82 грн
270+423.75 грн
510+403.89 грн
1020+392.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYT90N65A5HVIXYSDescription: 650V, 90A, XP Gen5 A5 IGBT in TO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-268HV (IXYT)
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/436ns
Switching Energy: 1mJ (on), 3mJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 260 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 220 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 600 A
Power - Max: 650 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX100N120B3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1200V 225A 1150000mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX100N120B3IXYSIGBTs PLUS247 1200V 100A GENX3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX100N120B3IXYSDescription: IGBT PT 1200V 225A PLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: PLUS247™-3
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/153ns
Switching Energy: 7.7mJ (on), 7.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 100A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 250 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 225 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 530 A
Power - Max: 1150 W
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1576.50 грн
30+1149.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX100N120B3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 100A; 1.15kW; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 100A
Power dissipation: 1.15kW
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 530A
Mounting: THT
Gate charge: 250nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 125ns
Turn-off time: 450ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX100N120B3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 100A; 1.15kW; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 100A
Power dissipation: 1.15kW
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 530A
Mounting: THT
Gate charge: 250nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 125ns
Turn-off time: 450ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX100N120C3IXYSDescription: IGBT 1200V 188A PLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Td (on/off) @ 25°C: 32ns/123ns
Switching Energy: 6.5mJ (on), 2.9mJ (off)
Test Condition: 600V, 100A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 270 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 188 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 490 A
Power - Max: 1150 W
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2190.07 грн
30+1368.44 грн
120+1313.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX100N120C3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 100A; 1.15kW; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 100A
Power dissipation: 1.15kW
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 490A
Mounting: THT
Gate charge: 260C
Kind of package: tube
Turn-on time: 143ns
Turn-off time: 271ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX100N120C3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 100A; 1.15kW; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 100A
Power dissipation: 1.15kW
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 490A
Mounting: THT
Gate charge: 260C
Kind of package: tube
Turn-on time: 143ns
Turn-off time: 271ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX100N120C3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1200V 188A 1150000mW 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1253.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX100N120C3IXYSIGBTs XPT 1200V IGBT GenX3 XPT IGBT
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2186.94 грн
10+1775.83 грн
30+1302.89 грн
60+1301.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX100N65B3D1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 100A; 830W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 100A
Power dissipation: 830W
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 460A
Mounting: THT
Gate charge: 168nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 65ns
Turn-off time: 358ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX100N65B3D1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 100A; 830W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 100A
Power dissipation: 830W
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 460A
Mounting: THT
Gate charge: 168nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 65ns
Turn-off time: 358ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX100N65B3D1IXYSIGBTs Disc IGBT XPT-GenX3 TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX100N65B3D1IXYSDescription: IGBT PT 650V 225A PLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 156 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 70A
Supplier Device Package: PLUS247™-3
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 29ns/150ns
Switching Energy: 1.27mJ (on), 1.37mJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 168 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 225 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 460 A
Power - Max: 830 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX110N120A4IXYSDescription: IGBT PT 1200V 375A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 110A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 42ns/550ns
Switching Energy: 2.5mJ (on), 8.4mJ (off)
Test Condition: 600V, 50A, 1.5Ohm, 15V
Gate Charge: 305 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 375 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 900 A
Power - Max: 1360 W
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2128.79 грн
30+1331.18 грн
120+1279.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX110N120A4LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXYX110N120A4 - IGBT, 375 A, 1.45 V, 1.36 kW, 1.2 kV, PLUS247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: TBA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45
Verlustleistung Pd: 1.36
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.36
Bauform - Transistor: PLUS247
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: XPT GenX4 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 375
Betriebstemperatur, max.: 175
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 375
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3100.59 грн
5+2980.10 грн
10+2859.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX110N120A4IXYSIGBTs PLUS247 1200V 110A GENX4
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2301.95 грн
10+2016.95 грн
30+1519.92 грн
60+1511.83 грн
120+1501.53 грн
270+1316.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX110N120B4LittelfuseDisc IGBT XPT Gen4 1200V 110A PLUS247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX110N120B4IXYSIGBTs XPT thin-wafer technology, 4th generation (Gen 4) Trench IGBT. Disc IGBT Gen 4 XPT PLUS247
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1883.96 грн
30+1278.36 грн
120+1100.58 грн
270+1099.84 грн
510+954.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX110N120B4IXYSDescription: IGBT 1200V 340A PLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 110A
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Td (on/off) @ 25°C: 45ns/390ns
Switching Energy: 3.6mJ (on), 3.85mJ (off)
Test Condition: 600V, 50A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 340 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 340 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 800 A
Power - Max: 1360 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX110N120C4IXYSIGBTs XPT thin-wafer technology, 4th generation (Gen 4) Trench IGBT. Disc IGBT Gen 4 XPT PLUS247
на замовлення 162 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1959.49 грн
30+1345.19 грн
60+1169.00 грн
120+1166.79 грн
270+1010.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX110N120C4LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXYX110N120C4 - IGBT, 310 A, 1.9 V, 1.36 kW, 1.2 kV, PLUS247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.9V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.36kW
Bauform - Transistor: PLUS247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XPT Gen 4 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 310A
SVHC: To Be Advised
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1828.83 грн
5+1497.89 грн
10+1166.13 грн
50+1056.78 грн
100+952.14 грн
250+928.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX110N120C4IXYSDescription: IGBT 1200V 310A PLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 48 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 110A
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/320ns
Switching Energy: 3.6mJ (on), 1.9mJ (off)
Test Condition: 600V, 50A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 330 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 310 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 740 A
Power - Max: 1360 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX110N120C4LittelfuseXPT thin-wafer technology, 4th generation (Gen 4) Trench IGBT. Disc IGBT Gen 4 XPT PLUS247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX120N120B3IXYSDescription: IGBT 1200V 320A PLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 54 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/340ns
Switching Energy: 9.7mJ (on), 21.5mJ (off)
Test Condition: 960V, 100A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 400 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 320 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 800 A
Power - Max: 1500 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX120N120B3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 120A; 1.5kW; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 1.5kW
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Gate charge: 400nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 120A
Pulsed collector current: 800A
Turn-on time: 84ns
Turn-off time: 826ns
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2044.23 грн
2+1794.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX120N120B3IXYSIGBTs PLUS247 1200V 120A GENX3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX120N120B3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 120A; 1.5kW; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 1.5kW
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Gate charge: 400nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 120A
Pulsed collector current: 800A
Turn-on time: 84ns
Turn-off time: 826ns
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2453.07 грн
2+2236.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX120N120B3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 900V 165A 830000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX120N120C3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1200V 220A 1500W 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2095.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX120N120C3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 120A; 1.5kW; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 1.5kW
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Gate charge: 412nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 120A
Pulsed collector current: 700A
Turn-on time: 105ns
Turn-off time: 346ns
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2041.75 грн
2+1792.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX120N120C3IXYSIGBTs PLUS247 1200V 120A GENX3
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2872.71 грн
10+2818.14 грн
30+2248.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX120N120C3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 120A; 1.5kW; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 1.5kW
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Gate charge: 412nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 120A
Pulsed collector current: 700A
Turn-on time: 105ns
Turn-off time: 346ns
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2450.10 грн
2+2233.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX120N120C3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1200V 220A 1500000mW 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX120N120C3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1200V 220A 1500W 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX120N120C3IXYSDescription: IGBT 1200V 240A PLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 120A
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/176ns
Switching Energy: 6.75mJ (on), 5.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 100A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 412 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 240 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 700 A
Power - Max: 1500 W
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2872.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX120N120C3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1200V 220A 1500W 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX140N120A4IXYSDescription: IGBT PT 1200V 480A PLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 47 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 140A
Supplier Device Package: PLUS247™-3
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 52ns/590ns
Switching Energy: 4.9mJ (on), 12mJ (off)
Test Condition: 600V, 70A, 1.5Ohm, 15V
Gate Charge: 420 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 480 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 1200 A
Power - Max: 1500 W
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3691.76 грн
30+2538.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX140N120A4IXYSIGBTs PLUS247 1200V 140A GENX4
на замовлення 300 шт:
термін постачання 441-450 дні (днів)
1+4003.95 грн
10+3692.94 грн
30+2840.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX140N120A4LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXYX140N120A4 - IGBT, 480 A, 1.34 V, 1.5 kW, 1.2 kV, PLUS247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.34V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5kW
Bauform - Transistor: PLUS247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XPT GenX4 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 480A
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3939.08 грн
5+3619.70 грн
10+3300.31 грн
50+2860.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX140N90C3IXYSIGBTs PLUS247 900V 140A GENX3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX140N90C3LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXYX140N90C3 - IGBT, 310 A, 2.15 V, 1.63 kW, 900 V, PLUS247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.15V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.63kW
Bauform - Transistor: PLUS247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 900V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 310A
SVHC: To Be Advised
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1715.77 грн
5+1620.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX140N90C3IXYSDescription: IGBT 900V 310A PLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 140A
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/145ns
Switching Energy: 4.3mJ (on), 4mJ (off)
Test Condition: 450V, 100A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 330 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 310 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 840 A
Power - Max: 1630 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX140N90C3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 140A; 1.63kW; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 900V
Collector current: 140A
Power dissipation: 1.63kW
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 840A
Mounting: THT
Gate charge: 330nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 122ns
Turn-off time: 0.3µs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX140N90C3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 140A; 1.63kW; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 900V
Collector current: 140A
Power dissipation: 1.63kW
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 840A
Mounting: THT
Gate charge: 330nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 122ns
Turn-off time: 0.3µs
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX140N90C3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 900V 310A 1630000mW 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX180N65A5IXYSIGBTs 650V, 180A, XPT Gen5 A5 IGBT in PLUS247
на замовлення 400 шт:
термін постачання 343-352 дні (днів)
1+1439.36 грн
10+1199.68 грн
30+979.19 грн
60+940.20 грн
120+832.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX180N65A5IXYSDescription: IGBT TRENCH FS 650V 400A PLUS247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 100A
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 70ns/500ns
Switching Energy: 420µJ (on), 4.1mJ (off)
Test Condition: 300V, 100A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 654 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 400 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 1.03 kA
Power - Max: 1150 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX200N65B3IXYSDescription: IGBT 650V 410A PLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 108 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Td (on/off) @ 25°C: 60ns/370ns
Switching Energy: 5mJ (on), 4mJ (off)
Test Condition: 400V, 100A, 0Ohm, 15V
Gate Charge: 340 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 410 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 1100 A
Power - Max: 1560 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX200N65B3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 200A; 1.56kW; PLUS247™
Turn-off time: 700ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 1.56kW
Kind of package: tube
Gate charge: 340nC
Technology: GenX3™; XPT™
Mounting: THT
Case: PLUS247™
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 200A
Pulsed collector current: 1.1kA
Turn-on time: 170ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX200N65B3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 200A; 1.56kW; PLUS247™
Turn-off time: 700ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 1.56kW
Kind of package: tube
Gate charge: 340nC
Technology: GenX3™; XPT™
Mounting: THT
Case: PLUS247™
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 200A
Pulsed collector current: 1.1kA
Turn-on time: 170ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX200N65B3IXYSIGBTs PLUS247 650V 200A GENX3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX200N65B5IXYSIGBTs 650V, 200A, XPT Gen5 B5 IGBT in PLUS247
на замовлення 690 шт:
термін постачання 343-352 дні (днів)
1+1929.45 грн
10+1690.38 грн
30+1371.31 грн
60+1327.91 грн
120+1143.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX200N65B5IXYSDescription: IGBT TRENCH FS 650V 470A PLUS247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.45V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: PLUS247™-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 77ns/470ns
Switching Energy: 600µJ (on), 3.4mJ (off)
Test Condition: 300V, 100A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 790 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 470 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 1.13 kA
Power - Max: 1.61 kW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX220N65A5IXYSDescription: IGBT TRENCH FS 650V 510A PLUS247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 100A
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 64ns/540ns
Switching Energy: 1.3mJ (on), 7.95mJ (off)
Test Condition: 300V, 100A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 750 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 510 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 1.18 kA
Power - Max: 1.61 kW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX220N65A5IXYSIGBTs 650V, 220A, XPT Gen5 A5 IGBT in PLUS247
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1929.45 грн
10+1690.38 грн
30+1371.31 грн
60+1327.91 грн
120+1285.24 грн
270+1199.16 грн
510+1102.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX25N250CV1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; XPT™; 2.5kV; 25A; 937W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: XPT™
Collector-emitter voltage: 2.5kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 937W
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 235A
Mounting: THT
Gate charge: 147nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 51ns
Turn-off time: 575ns
Features of semiconductor devices: high voltage
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX25N250CV1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; XPT™; 2.5kV; 25A; 937W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: XPT™
Collector-emitter voltage: 2.5kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 937W
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 235A
Mounting: THT
Gate charge: 147nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 51ns
Turn-off time: 575ns
Features of semiconductor devices: high voltage
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX25N250CV1IXYSIGBTs 2500V/95A , HV XPT IGBT Copacked
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX25N250CV1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 900V 165A 830000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX25N250CV1IXYSDescription: IGBT 2500V 95A PLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 220 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/230ns
Switching Energy: 8.3mJ (on), 7.3mJ (off)
Test Condition: 1250V, 25A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 147 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 95 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 235 A
Power - Max: 937 W
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2047.62 грн
30+1597.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX25N250CV1HVIXYSIGBTs 2500V/95A , HV XPT IGBT Copacked
на замовлення 299 шт:
термін постачання 294-303 дні (днів)
1+3255.51 грн
10+3207.32 грн
30+2042.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX25N250CV1HVLittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 900V 165A 830000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX25N250CV1HVIXYSDescription: IGBT 2500V 95A PLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 220 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/230ns
Switching Energy: 8.3mJ (on), 7.3mJ (off)
Test Condition: 1250V, 25A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 147 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 95 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 235 A
Power - Max: 937 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX25N250CV1HVIXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; XPT™; 2.5kV; 25A; 937W; TO247HV
Type of transistor: IGBT
Technology: XPT™
Collector-emitter voltage: 2.5kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 937W
Case: TO247HV
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 235A
Mounting: THT
Gate charge: 147nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 51ns
Turn-off time: 575ns
Features of semiconductor devices: high voltage
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX25N250CV1HVIXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; XPT™; 2.5kV; 25A; 937W; TO247HV
Type of transistor: IGBT
Technology: XPT™
Collector-emitter voltage: 2.5kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 937W
Case: TO247HV
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 235A
Mounting: THT
Gate charge: 147nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 51ns
Turn-off time: 575ns
Features of semiconductor devices: high voltage
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX300N65A3IXYSDescription: IGBT PT 650V 600A PLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 125 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: PLUS247™-3
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 42ns/190ns
Switching Energy: 7.8mJ (on), 4.7mJ (off)
Test Condition: 400V, 100A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 565 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 600 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 1460 A
Power - Max: 2300 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX300N65A3IXYSIGBTs TO247 650V 300A IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX30N170CV1IXYSIGBTs 1700V/108A High Voltage XPT IGBT
на замовлення 466 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1963.78 грн
10+1725.06 грн
30+1150.61 грн
60+1149.87 грн
120+1125.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX30N170CV1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; XPT™; 1.7kV; 30A; 937W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: XPT™
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Collector current: 30A
Power dissipation: 937W
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 49ns
Turn-off time: 327ns
Features of semiconductor devices: high voltage
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX30N170CV1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; XPT™; 1.7kV; 30A; 937W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: XPT™
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Collector current: 30A
Power dissipation: 937W
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 49ns
Turn-off time: 327ns
Features of semiconductor devices: high voltage
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX30N170CV1IXYSDescription: IGBT 1700V 108A PLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 160 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/150ns
Switching Energy: 5.9mJ (on), 3.3mJ (off)
Test Condition: 850V, 30A, 2.7Ohm, 15V
Gate Charge: 140 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 108 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 255 A
Power - Max: 937 W
на замовлення 1520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1793.75 грн
30+1163.07 грн
120+1094.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX30N170CV1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 900V 165A 830000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX40N250CHVIXYSDescription: IGBT 2500V 70A TO-247PLUS-HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247PLUS-HV
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/200ns
Switching Energy: 11.7mJ (on), 6.9mJ (off)
Test Condition: 1250V, 40A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 270 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 380 A
Power - Max: 1500 W
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3026.46 грн
30+1970.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX40N250CHVIXYSIGBTs TO247 2500V 40A IGBT
на замовлення 347 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2929.36 грн
30+2467.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX40N250CHVIXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; XPT™; 2.5kV; 40A; 1.5kW; TO247HV
Type of transistor: IGBT
Technology: XPT™
Collector-emitter voltage: 2.5kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 1.5kW
Case: TO247HV
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 380A
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 43ns
Turn-off time: 505ns
Features of semiconductor devices: high voltage
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX40N250CHVIXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; XPT™; 2.5kV; 40A; 1.5kW; TO247HV
Type of transistor: IGBT
Technology: XPT™
Collector-emitter voltage: 2.5kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 1.5kW
Case: TO247HV
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 380A
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 43ns
Turn-off time: 505ns
Features of semiconductor devices: high voltage
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX40N450HVLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXYX40N450HV - TRANSISTOR, IGBT/4.5KV/95A/TO-247PLUS-HV
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.2V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 660W
Bauform - Transistor: TO-247PLUS-HV
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XPT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.5kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
directShipCharge: 25
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 95A
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5572.32 грн
5+5397.36 грн
10+5224.05 грн
25+4688.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX40N450HVLittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 4500V 95A 660mW 3-Pin(3+Tab) TO-247PLUS-HV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX40N450HVIXYSIGBTs High Voltage XPT IGBT
на замовлення 564 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4985.84 грн
30+4270.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX40N450HVIXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; XPT™; 4.5kV; 40A; 660W; TO247HV
Type of transistor: IGBT
Technology: XPT™
Collector-emitter voltage: 4.5kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 660W
Case: TO247HV
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 350A
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 786ns
Turn-off time: 1128ns
Features of semiconductor devices: high voltage
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX40N450HVIXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; XPT™; 4.5kV; 40A; 660W; TO247HV
Type of transistor: IGBT
Technology: XPT™
Collector-emitter voltage: 4.5kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 660W
Case: TO247HV
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 350A
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 786ns
Turn-off time: 1128ns
Features of semiconductor devices: high voltage
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX40N450HVIXYSDescription: IGBT 4500V 95A TO-247PLUS-HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247PLUS-HV
Td (on/off) @ 25°C: 36ns/110ns
Test Condition: 960V, 40A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 170 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 95 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 350 A
Power - Max: 660 W
на замовлення 398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4924.47 грн
30+3611.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX50N170CIXYSIGBTs PLUS247 1700V 50A XPT
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1871.94 грн
10+1770.75 грн
30+1328.64 грн
60+1286.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX50N170CIXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; XPT™; 1.7kV; 50A; 1.5kW; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: XPT™
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 1.5kW
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 460A
Mounting: THT
Gate charge: 260nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 62ns
Turn-off time: 396ns
Features of semiconductor devices: high voltage
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX50N170CIXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; XPT™; 1.7kV; 50A; 1.5kW; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: XPT™
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 1.5kW
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 460A
Mounting: THT
Gate charge: 260nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 62ns
Turn-off time: 396ns
Features of semiconductor devices: high voltage
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX50N170CIXYSDescription: IGBT 1700V 178A PLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 44 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/180ns
Switching Energy: 8.7mJ (on), 5.6mJ (off)
Test Condition: 850V, 50A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 260 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 178 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 460 A
Power - Max: 1500 W
на замовлення 870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1873.34 грн
30+1154.43 грн
120+1078.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX50N170CLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXYX50N170C - IGBT, 178 A, 2.8 V, 1.5 kW, 1.7 kV, PLUS247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.8
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5
Bauform - Transistor: PLUS247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: ARCA IEC Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 178
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2290.99 грн
5+2201.86 грн
10+2112.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX50N170CLittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 900V 165A 830000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYY8N90C3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 900V 20A 125000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYY8N90C3IXYSIGBTs 900V 8A 2.5V XPT IGBTs GenX3
на замовлення 335 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+288.39 грн
10+281.73 грн
25+238.36 грн
70+121.39 грн
560+111.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXYY8N90C3IXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 8A; 125W; TO252
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Case: TO252
Mounting: SMD
Gate charge: 13.3nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 48A
Collector current: 8A
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 900V
Turn-on time: 39ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-off time: 238ns
на замовлення 308 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+164.00 грн
8+130.28 грн
20+123.38 грн
70+121.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXYY8N90C3IXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 8A; 125W; TO252
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Case: TO252
Mounting: SMD
Gate charge: 13.3nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 48A
Collector current: 8A
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 900V
Turn-on time: 39ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-off time: 238ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 308 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+235.70 грн
3+204.36 грн
8+156.33 грн
20+148.06 грн
70+146.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXYY8N90C3IXYSDescription: IGBT 900V 20A TO-252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 8A
Supplier Device Package: TO-252AA
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/40ns
Switching Energy: 460µJ (on), 180µJ (off)
Test Condition: 450V, 8A, 30Ohm, 15V
Gate Charge: 13.3 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 48 A
Power - Max: 125 W
на замовлення 2984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+325.49 грн
70+152.93 грн
140+139.34 грн
560+111.00 грн
1050+104.07 грн
2030+101.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYY8N90C3-TRLLittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 900V 20A 125W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYY8N90C3-TRLIXYSIGBTs IXYY8N90C3 TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYY8N90C3-TRLIXYSDescription: IGBT PT 900V 20A TO-252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 20 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 8A
Supplier Device Package: TO-252AA
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/40ns
Switching Energy: 460µJ (on), 180µJ (off)
Test Condition: 450V, 8A, 30Ohm, 15V
Gate Charge: 13.3 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 48 A
Power - Max: 125 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.