Продукція > IXY

Обрати Сторінку:   1 2 3 4 5 6 7  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IXYA12N250CHVIXYSDescription: DISC IGBT XPT-HI VOLTAGE TO-263D
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 16 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4.5V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-263HV
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/167ns
Switching Energy: 3.56mJ (on), 1.7mJ (off)
Test Condition: 1250V, 12A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 56 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 28 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 310 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA12N250CHVLittelfuseIGBT Transistors IGBT XPT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA15N65C3D1IXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 102ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
на замовлення 179 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+167.86 грн
10+147.08 грн
50+132.95 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA15N65C3D1IXYSDescription: IGBT PT 650V 38A TO-263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 20 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-263AA
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/68ns
Switching Energy: 270µJ (on), 230µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 19 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 38 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 200 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA15N65C3D1IXYSIGBTs Disc IGBT XPT-GenX3 TO-263D2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA20N120A4HVIXYSDescription: IGBT PT 1200V 80A TO-263HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 54 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-263HV
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/275ns
Switching Energy: 3.6mJ (on), 2.75mJ (off)
Test Condition: 800mV, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 46 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 135 A
Power - Max: 375 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA20N120A4HVIXYSIGBTs TO263 1200V 20A XPT
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+496.93 грн
10+262.78 грн
100+209.86 грн
500+206.41 грн
1000+205.72 грн
2500+199.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA20N120A4HV-TRLLittelfuseIGBTs IXYA20N120A4HV-TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA20N120B4HVIXYSDescription: IGBT PT 1200V 76A TO-263HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 47 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-263HV
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/200ns
Switching Energy: 3.9mJ (on), 1.6mJ (off)
Test Condition: 960mV, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 44 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 76 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 130 A
Power - Max: 375 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA20N120B4HVIXYSIGBTs TO263 1200V 20A XPT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA20N120B4HV-TRLLittelfuseIGBTs Disc. IGBT XPT-GenX4 TO-263HV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA20N120C3HVIXYSDescription: IGBT 1200V 40A TO-263HV
Power - Max: 278 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Part Status: Active
Gate Charge: 53 nC
Test Condition: 600V, 20A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 1.3mJ (on), 1mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/90ns
Supplier Device Package: TO-263HV
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 20A
Reverse Recovery Time (trr): 29 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA20N120C3HVIXYSIGBTs TO263 1200V 20A XPT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA20N120C3HV-TRLIXYSDescription: IGBT 1200V 40A TO-263HV
Power - Max: 278 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Part Status: Active
Gate Charge: 53 nC
Test Condition: 600V, 20A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 1.3mJ (on), 500µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/90ns
Supplier Device Package: TO-263HV
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 20A
Reverse Recovery Time (trr): 29 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA20N120C3HV-TRLIXYSIGBTs TO263 1200V 40A IGBT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA20N120C4HVIXYSIGBTs TO263 1200V 20A XPT
на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+881.11 грн
10+490.63 грн
100+402.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA20N120C4HVIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXYA20N120C4HV - IGBT, 68 A, 2.5 V, 375 W, 1.2 kV, TO-263HV, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Dauerkollektorstrom: 68A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XPT GenX4
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+673.31 грн
5+619.35 грн
10+565.39 грн
50+474.15 грн
100+391.42 грн
250+345.17 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA20N120C4HVIXYSDescription: IGBT PT 1200V 68A TO-263HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 53 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-263HV
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/160ns
Switching Energy: 4.4mJ (on), 1mJ (off)
Test Condition: 960mV, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 44 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 68 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 375 W
на замовлення 528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+723.05 грн
50+389.45 грн
100+359.89 грн
500+307.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA20N120C4HV-TRLIXYSDescription: DISC. IGBT XPT-GENX4 TO-263HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA20N120C4HV-TRLLittelfuseIGBTs Disc. IGBT XPT-GenX4 TO-263HV
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA20N65B3IXYSDescription: IGBT
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 58 A
Part Status: Active
Gate Charge: 29 nC
Test Condition: 400V, 20A, 20Ohm, 15V
Switching Energy: 500µJ (on), 700µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/103ns
Supplier Device Package: TO-263AA
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Input Type: Standard
Power - Max: 230 W
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Collector Pulsed (Icm): 108 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA20N65C3IXYSIGBTs TO263 650V 20A XPT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA20N65C3IXYSDescription: IGBT 650V 20A TO-263AA
Power - Max: 230 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 105 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Gate Charge: 30 nC
Test Condition: 400V, 20A, 20Ohm, 15V
Switching Energy: 430µJ (on), 650µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/80ns
Supplier Device Package: TO-263AA
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA20N65C3IXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 230W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 230W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 105A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 51ns
Gate charge: 30nC
Turn-off time: 132ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA20N65C3-TRLIXYSDescription: IGBT PT 650V 50A TO-263AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-263AA
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/80ns
Switching Energy: 430µJ (on), 350µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 30 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 105 A
Power - Max: 230 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA20N65C3-TRLIXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 230W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector current: 50A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 105A
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 30nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA20N65C3-TRLIXYSIGBTs IXYA20N65C3 TRL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA20N65C3D1IXYSDescription: IGBT 650V 50A TO-263AA
Switching Energy: 430µJ (on), 650µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/80ns
Supplier Device Package: TO-263AA
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
Power - Max: 200 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 105 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Gate Charge: 30 nC
Test Condition: 400V, 20A, 20Ohm, 15V
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA20N65C3D1IXYSIGBTs Disc IGBT XPT-GenX3 TO-263D2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA20N65C3D1IXYSDescription: IGBT 650V 50A TO-263AA
Power - Max: 200 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 105 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Part Status: Active
Gate Charge: 30 nC
Test Condition: 400V, 20A, 20Ohm, 15V
Switching Energy: 430µJ (on), 650µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/80ns
Supplier Device Package: TO-263AA
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA20N65C3D1IXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 200W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 105A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 51ns
Gate charge: 30nC
Turn-off time: 132ns
на замовлення 141 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+254.15 грн
3+211.90 грн
10+187.80 грн
50+168.69 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA30N120A3HVIXYSIGBTs TO263 1200V 30A IGBT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA30N120A3HVIXYSDescription: IGBT DISCRETE TO-263HV
Packaging: Tube
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA30N120A4HVIXYSDescription: IGBT PT 1200V 106A TO-263HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-263HV
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/235ns
Switching Energy: 4mJ (on), 3.4mJ (off)
Test Condition: 960V, 25A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 57 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 106 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 184 A
Power - Max: 500 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA30N120A4HVIXYSIGBTs TO263 1200V 30A XPT
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+613.71 грн
10+322.32 грн
100+276.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA30N120A4HV-TRLLittelfuseIGBTs IXYA30N120A4HV-TRL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA48N65A5IXYSDescription: IGBT TRENCH FS 650V 130A TO-263
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/205ns
Switching Energy: 400µJ (on), 1.25mJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 130 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 236 A
Power - Max: 326 W
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+465.98 грн
50+238.97 грн
100+218.77 грн
500+172.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA48N65A5IXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 48A; 326W; D2PAK
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Kind of package: tube
Gate charge: 0.1µC
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 326W
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 236A
Collector-emitter voltage: 650V
Type of transistor: IGBT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA48N65A5IXYSIGBTs 650V, 48A, XPT Gen5 A5 IGBT in TO-263
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+484.85 грн
10+254.84 грн
100+202.27 грн
500+182.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA50N65C3IXYSIGBT Transistors 650V/130A XPT C3-Class TO-263
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA50N65C3IXYSDescription: IGBT 650V 130A 600W TO263
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA50N65C3IXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO263-2
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO263-2
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: SMD
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 145ns
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA50N65C3-TRLIXYSDiscrete Semiconductor Modules IXYA50N65C3 TRL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA50N65C3-TRLIXYSDescription: IXYA50N65C3 TRL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 36 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 36A
Supplier Device Package: TO-263AA
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/90ns
Switching Energy: 800µJ (on), 470µJ (off)
Test Condition: 400V, 36A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 86 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 132 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 250 A
Power - Max: 600 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA50N65C3-TRLIXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 132A; 600W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 132A
Power dissipation: 600W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: SMD
Gate charge: 86nC
Kind of package: reel; tape
Turn-off time: 90ns
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA50N65C5IXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 650W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 650W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: SMD
Gate charge: 117nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 170ns
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA50N65C5IXYSIGBTs 650V, 50A, XPT Gen5 C5 IGBT in TO-263
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+576.66 грн
10+362.01 грн
100+239.55 грн
500+224.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA50N65C5IXYSDescription: IGBT TRENCH FS 650V 110A TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA55N65B5IXYSIGBTs 650V, 55A, XPT Gen5 B5 IGBT in TO-263
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+576.66 грн
10+362.01 грн
100+239.55 грн
500+224.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA55N65B5IXYSDescription: IGBT TRENCH FS 650V 122A TO-263
Power - Max: 395 W
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
Current - Collector Pulsed (Icm): 250 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 122 A
Gate Charge: 130 nC
Test Condition: 300V, 25A, 5Ohm, 15V
Switching Energy: 550µJ (on), 600µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/200ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 100A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA60N65A5IXYSDescription: IGBT TRENCH FS 650V 134A TO-263
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 36A
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/230ns
Switching Energy: 600µJ (on), 1.45mJ (off)
Test Condition: 400V, 36A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 128 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 134 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 260 A
Power - Max: 395 W
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+466.76 грн
50+239.45 грн
100+219.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA60N65A5IXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 395W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 395W
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 260A
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 128nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA60N65A5IXYSIGBTs 650V, 60A, XPT Gen5 A5 IGBT in TO-263
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+485.65 грн
10+255.63 грн
100+202.96 грн
500+183.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA60N65A5-TRLIXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TO263
Type of transistor: IGBT
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA8N250CHVIXYSIGBTs TO263 2500V 8A XPT
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+848.89 грн
10+781.19 грн
25+669.63 грн
50+588.17 грн
100+553.65 грн
250+543.99 грн
500+490.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA8N250CHVIXYSDescription: IGBT 2500V 29A TO-263HV
Power - Max: 280 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
Current - Collector (Ic) (Max): 29 A
Part Status: Active
Gate Charge: 45 nC
Test Condition: 1250V, 8A, 15Ohm, 15V
Switching Energy: 2.6mJ (on), 1.07mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 11ns/180ns
Supplier Device Package: TO-263HV
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 8A
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
на замовлення 377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1319.50 грн
50+751.07 грн
100+701.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA8N90C3D1IXYSIGBTs 900V 8A 2.5V XPT IGBTs GenX3 w/ Diode
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA8N90C3D1IXYSDescription: IGBT 900V 20A 125W C3 TO-263AA
Power - Max: 125 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 48 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Gate Charge: 13.3 nC
Test Condition: 450V, 8A, 30Ohm, 15V
Switching Energy: 460µJ (on), 180µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/40ns
Supplier Device Package: TO-263AA
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 8A
Reverse Recovery Time (trr): 114 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYB82N120C3H1IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXYB82N120C3H1 - IGBT, 164 A, 2.75 V, 1.04 kW, 1.2 kV, TO-264AA, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.75V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.04kW
Bauform - Transistor: TO-264AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XPT GenX3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 164A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2131.08 грн
5+2012.69 грн
10+1894.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYB82N120C3H1IXYSIGBTs XPT IGBT C3-Class 1200V/160A; Copack
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2004.63 грн
10+1496.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYB82N120C3H1IXYSDescription: IGBT 1200V 164A 1040W PLUS264
Power - Max: 1040 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 320 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 164 A
Part Status: Active
Gate Charge: 215 nC
Test Condition: 600V, 80A, 2Ohm, 15V
Td (on/off) @ 25°C: 29ns/192ns
Supplier Device Package: PLUS264™
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 82A
Reverse Recovery Time (trr): 420 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
Switching Energy: 4.95mJ (on), 2.78mJ (off)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYF30N450IXYSIGBT Transistors IGBT XPT-HI VOLTAGE
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+8864.21 грн
5+8435.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYF30N450IXYSDescription: IGBT 4500V 23A 230W ISOPLUS
Power - Max: 230 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 190 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4500 V
Current - Collector (Ic) (Max): 23 A
Part Status: Active
Gate Charge: 88 nC
Test Condition: 960V, 30A, 15Ohm, 15V
Td (on/off) @ 25°C: 38ns/168ns
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 30A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: ISOPLUSi5-Pak™
Packaging: Tube
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9838.39 грн
10+9058.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYF40N450Littelfuse Inc.Description: IGBT 4500V 60A ISOPLUS I4-PAC
Packaging: Tube
Package / Case: i4-Pac™-4, Isolated
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Td (on/off) @ 25°C: 36ns/110ns
Test Condition: 960V, 40A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 170 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 350 A
Power - Max: 290 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYF40N450Ixys CorporationHigh Voltage XPTTM IGBT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYF40N450IXYSIGBT Transistors IGBT DISCRETE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH100N65A3IXYSIGBTs TO247 650V 100A GENX3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH100N65A3IXYSDescription: IGBT 650V 240A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 64 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 70A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/174ns
Switching Energy: 3.15mJ (on), 2.2mJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 178 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 240 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 480 A
Power - Max: 470 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH100N65A3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 100A; 470W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 470W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 178nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 87ns
Turn-off time: 459ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 480A
Collector-emitter voltage: 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH100N65B3IXYSIGBTs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXyH100N65C3IXYSDescription: IGBT PT 650V 200A TO-247
Power - Max: 830 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 420 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Part Status: Active
Gate Charge: 164 nC
Test Condition: 400V, 50A, 3Ohm, 15V
Switching Energy: 2.15mJ (on), 840µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/106ns
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 70A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1005.74 грн
30+593.78 грн
120+511.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH100N65C3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 650V 200A 830W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXyH100N65C3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 100A; 830W; TO247-3
Case: TO247-3
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Mounting: THT
Turn-on time: 62ns
Gate charge: 172nC
Turn-off time: 200ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 830W
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 420A
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 275 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+916.36 грн
5+791.91 грн
10+731.25 грн
30+616.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXyH100N65C3IXYSIGBTs 650V/200A XPT C3-Class TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH100N65C3Ixys CorporationTrans IGBT Chip N-CH 650V 200A 830W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+1029.49 грн
15+980.58 грн
30+956.11 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH100N65C5IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 100A; 750W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 750W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 560A
Collector-emitter voltage: 650V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH100N65C5IXYSIGBTs 650V, 100A, XPT Gen5 C5 IGBT in TO-247AD
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1105.81 грн
10+762.14 грн
120+508.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH100N65C5IXYSDescription: IGBT TRENCH FS 650V 230A TO-247
Packaging: Bulk
Gate Charge: 313 nC
Test Condition: 300V, 50A, 2Ohm, 15V
Switching Energy: 560µJ (on), 780µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/255ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247 (IXYH)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A
Power - Max: 750 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 560 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 230 A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH10N170CIXYSDescription: IGBT 1700V 36A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 17 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.8V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-247 (IXYH)
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/130ns
Switching Energy: 1.4mJ (on), 700µJ (off)
Test Condition: 850V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 46 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 36 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 84 A
Power - Max: 280 W
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+712.17 грн
30+408.11 грн
120+347.17 грн
510+302.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH10N170CIXYSIGBTs TO247 1700V 10A IGBT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH10N170CV1IXYSDescription: IGBT 1700V 36A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 160 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.8V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-247 (IXYH)
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/130ns
Switching Energy: 1.4mJ (on), 700µJ (off)
Test Condition: 850V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 46 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 36 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 84 A
Power - Max: 280 W
на замовлення 466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+962.25 грн
30+565.51 грн
120+486.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH10N170CV1IXYSIGBTs 1700V/10A XPT IGBT w/ Diode
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+972.12 грн
10+602.56 грн
120+512.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH10N170CV1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 900V 165A 830000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH10N170CV1LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXYH10N170CV1 - TRANSISTOR, IGBT, 1.7KV, 36A, TO-247AD
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.6
Verlustleistung Pd: 280
Bauform - Transistor: TO-247AD
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: XPT Series
DC-Kollektorstrom: 36
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: To Be Advised
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH120N65A5LittelfuseExtreme Light Punch Through IGBT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH120N65A5LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXYH120N65A5 - IGBT, 290 A, 1.22 V, 830 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.22V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: XPT GenX5 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 290A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+872.25 грн
5+820.70 грн
10+768.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH120N65A5IXYSDescription: IGBT PT 650V 290A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 45ns/370ns
Switching Energy: 1.25mJ (on), 3.2mJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 314 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 290 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 790 A
Power - Max: 830 W
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+886.92 грн
30+515.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH120N65A5IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 120A; 830W; TO247-3
Collector current: 120A
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 790A
Power dissipation: 830W
Collector-emitter voltage: 650V
Type of transistor: IGBT
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH120N65A5IXYSIGBTs XPT thin-wafer technology, 5th generation (GenX5 ) Trench IGBT. Disc IGBT XPT-GenX5 TO247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH120N65B3IXYSDescription: DISC IGBT XPT-GENX3 TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 28 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: TO-247 (IXYH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/168ns
Switching Energy: 1.34mJ (on), 1.5mJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 250 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 340 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 760 A
Power - Max: 1360 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH120N65B3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 1.36kW; TO247-3
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 760A
Power dissipation: 1.36kW
Collector-emitter voltage: 650V
Type of transistor: IGBT
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 250nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH120N65B3IXYSIGBTs TO247 650V 120A GENX3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH120N65C3IXYSIGBTs TO247 650V 120A GENX3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH120N65C3IXYSDescription: IGBT PT 650V 260A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 29 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: TO-247 (IXYH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/127ns
Switching Energy: 1.25mJ (on), 500µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 265 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 260 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 620 A
Power - Max: 1360 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH120N65C3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 260A; 1.36kW; TO247-3
Collector current: 260A
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 620A
Power dissipation: 1.36kW
Collector-emitter voltage: 650V
Type of transistor: IGBT
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH12N250C2,5кВ; 12А; TO-247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH12N250CIXYSDescription: IGBT 2500V 28A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 16 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4.5V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/167ns
Switching Energy: 3.56mJ (on), 1.7mJ (off)
Test Condition: 1250V, 12A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 56 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 28 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 310 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH12N250CIXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; XPT™; 2.5kV; 12A; 310W; TO247-3
Collector current: 12A
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 48A
Technology: XPT™
Power dissipation: 310W
Collector-emitter voltage: 2.5kV
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 12ns
Gate charge: 56nC
Turn-off time: 167ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH12N250CLittelfuseIGBTs Disc IGBT XPT-Hi Voltage TO-247AD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH12N250CHVIXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 2.5kV; 28A; TO247AD
Collector current: 28A
Case: TO247AD
Collector-emitter voltage: 2.5kV
Type of transistor: IGBT
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2 3 4 5 6 7  [ Наступна Сторінка >> ]