Продукція > IXY

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IXYA12N250CHVIXYSDescription: DISC IGBT XPT-HI VOLTAGE TO-263D
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 16 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4.5V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-263HV
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/167ns
Switching Energy: 3.56mJ (on), 1.7mJ (off)
Test Condition: 1250V, 12A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 56 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 28 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 310 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA12N250CHVLittelfuseIGBT Transistors IGBT XPT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA15N65C3D1IXYSIGBTs Disc IGBT XPT-GenX3 TO-263D2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA15N65C3D1IXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 102ns
Turn-on time: 36ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 207 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+169.53 грн
10+148.55 грн
50+134.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA15N65C3D1IXYSDescription: IGBT PT 650V 38A TO-263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 20 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-263AA
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/68ns
Switching Energy: 270µJ (on), 230µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 19 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 38 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 200 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA20N120A4HVIXYSDescription: IGBT PT 1200V 80A TO-263HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 54 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-263HV
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/275ns
Switching Energy: 3.6mJ (on), 2.75mJ (off)
Test Condition: 800mV, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 46 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 135 A
Power - Max: 375 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA20N120A4HVIXYSIGBTs TO263 1200V 20A XPT
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+501.89 грн
10+265.40 грн
100+211.96 грн
500+208.47 грн
1000+207.78 грн
2500+201.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA20N120A4HV-TRLLittelfuseIGBTs IXYA20N120A4HV-TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA20N120B4HVIXYSDescription: IGBT PT 1200V 76A TO-263HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 47 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-263HV
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/200ns
Switching Energy: 3.9mJ (on), 1.6mJ (off)
Test Condition: 960mV, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 44 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 76 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 130 A
Power - Max: 375 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA20N120B4HVIXYSIGBTs TO263 1200V 20A XPT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA20N120B4HV-TRLLittelfuseIGBTs Disc. IGBT XPT-GenX4 TO-263HV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA20N120C3HVIXYSIGBTs TO263 1200V 20A XPT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA20N120C3HVIXYSDescription: IGBT 1200V 40A TO-263HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 29 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-263HV
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/90ns
Switching Energy: 1.3mJ (on), 1mJ (off)
Test Condition: 600V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 53 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 278 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA20N120C3HV-TRLIXYSDescription: IGBT 1200V 40A TO-263HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 29 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-263HV
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/90ns
Switching Energy: 1.3mJ (on), 500µJ (off)
Test Condition: 600V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 53 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 278 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA20N120C3HV-TRLIXYSIGBTs TO263 1200V 40A IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA20N120C4HVIXYSIGBTs TO263 1200V 20A XPT
на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+704.44 грн
10+404.12 грн
100+325.61 грн
500+317.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA20N120C4HVIXYSDescription: IGBT PT 1200V 68A TO-263HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 53 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-263HV
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/160ns
Switching Energy: 4.4mJ (on), 1mJ (off)
Test Condition: 960mV, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 44 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 68 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 375 W
на замовлення 528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+730.27 грн
50+393.33 грн
100+363.48 грн
500+311.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA20N120C4HVIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXYA20N120C4HV - IGBT, 68 A, 2.5 V, 375 W, 1.2 kV, TO-263HV, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Dauerkollektorstrom: 68A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XPT GenX4
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+680.04 грн
5+625.54 грн
10+571.04 грн
50+478.88 грн
100+395.33 грн
250+348.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA20N120C4HV-TRLLittelfuseIGBTs Disc. IGBT XPT-GenX4 TO-263HV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA20N120C4HV-TRLIXYSDescription: DISC. IGBT XPT-GENX4 TO-263HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA20N65B3IXYSDescription: IGBT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-263AA
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/103ns
Switching Energy: 500µJ (on), 700µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 29 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 58 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 108 A
Power - Max: 230 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA20N65C3IXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 230W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 230W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 105A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 51ns
Gate charge: 30nC
Turn-off time: 132ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA20N65C3IXYSDescription: IGBT 650V 20A TO-263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-263AA
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/80ns
Switching Energy: 430µJ (on), 650µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 30 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 105 A
Power - Max: 230 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA20N65C3IXYSIGBTs TO263 650V 20A XPT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA20N65C3-TRLIXYSDescription: IGBT PT 650V 50A TO-263AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-263AA
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/80ns
Switching Energy: 430µJ (on), 350µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 30 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 105 A
Power - Max: 230 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA20N65C3-TRLIXYSIGBTs IXYA20N65C3 TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA20N65C3-TRLIXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 230W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector current: 50A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 105A
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 30nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA20N65C3D1IXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 200W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 105A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 51ns
Gate charge: 30nC
Turn-off time: 132ns
на замовлення 141 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+256.69 грн
3+214.01 грн
10+189.67 грн
50+170.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA20N65C3D1IXYSDescription: IGBT 650V 50A TO-263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-263AA
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/80ns
Switching Energy: 430µJ (on), 650µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 30 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 105 A
Power - Max: 200 W
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA20N65C3D1IXYSDescription: IGBT 650V 50A TO-263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-263AA
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/80ns
Switching Energy: 430µJ (on), 650µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 30 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 105 A
Power - Max: 200 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA20N65C3D1IXYSIGBTs Disc IGBT XPT-GenX3 TO-263D2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA30N120A3HVIXYSIGBTs TO263 1200V 30A IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA30N120A3HVIXYSDescription: IGBT DISCRETE TO-263HV
Packaging: Tube
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA30N120A4HVIXYSIGBTs TO263 1200V 30A XPT
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+619.84 грн
10+325.54 грн
100+279.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA30N120A4HVIXYSDescription: IGBT PT 1200V 106A TO-263HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-263HV
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/235ns
Switching Energy: 4mJ (on), 3.4mJ (off)
Test Condition: 960V, 25A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 57 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 106 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 184 A
Power - Max: 500 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA30N120A4HV-TRLLittelfuseIGBTs IXYA30N120A4HV-TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA48N65A5IXYSDescription: IGBT TRENCH FS 650V 130A TO-263
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/205ns
Switching Energy: 400µJ (on), 1.25mJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 130 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 236 A
Power - Max: 326 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA48N65A5IXYSIGBTs 650V, 48A, XPT Gen5 A5 IGBT in TO-263
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+424.62 грн
10+259.79 грн
100+200.80 грн
500+144.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA50N65C3IXYSDescription: IGBT 650V 130A 600W TO263
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA50N65C3IXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO263-2
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO263-2
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: SMD
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 145ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA50N65C3IXYSIGBT Transistors 650V/130A XPT C3-Class TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA50N65C3-TRLIXYSDescription: IXYA50N65C3 TRL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 36 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 36A
Supplier Device Package: TO-263AA
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/90ns
Switching Energy: 800µJ (on), 470µJ (off)
Test Condition: 400V, 36A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 86 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 132 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 250 A
Power - Max: 600 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA50N65C3-TRLIXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 132A; 600W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 132A
Power dissipation: 600W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: SMD
Gate charge: 86nC
Kind of package: reel; tape
Turn-off time: 90ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA50N65C3-TRLIXYSDiscrete Semiconductor Modules IXYA50N65C3 TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA50N65C5IXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 650W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 650W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: SMD
Gate charge: 117nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 170ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA50N65C5IXYSIGBTs 650V, 50A, XPT Gen5 C5 IGBT in TO-263
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+581.61 грн
10+404.12 грн
100+283.77 грн
500+251.70 грн
1000+226.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA55N65B5IXYSIGBTs 650V, 55A, XPT Gen5 B5 IGBT in TO-263
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+536.06 грн
10+325.54 грн
100+216.14 грн
500+197.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA55N65B5IXYSDescription: IGBT TRENCH FS 650V 122A TO-263
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/200ns
Switching Energy: 550µJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 300V, 25A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 130 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 122 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 250 A
Power - Max: 395 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA60N65A5IXYSIGBTs 650V, 60A, XPT Gen5 A5 IGBT in TO-263
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+441.70 грн
10+230.12 грн
100+181.98 грн
500+158.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA60N65A5IXYSDescription: IGBT TRENCH FS 650V 134A TO-263
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 36A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/230ns
Switching Energy: 600µJ (on), 1.45mJ (off)
Test Condition: 400V, 36A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 128 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 134 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 260 A
Power - Max: 395 W
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+420.43 грн
50+213.97 грн
100+195.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA60N65A5IXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 395W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 395W
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 260A
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 128nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA60N65A5-TRLIXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TO263
Type of transistor: IGBT
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA8N250CHVIXYSDescription: IGBT 2500V 29A TO263HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 8A
Supplier Device Package: TO-263HV
Td (on/off) @ 25°C: 11ns/180ns
Switching Energy: 2.6mJ (on), 1.07mJ (off)
Test Condition: 1250V, 8A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 45 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 29 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 70 A
Power - Max: 280 W
на замовлення 1026 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+832.24 грн
50+484.46 грн
100+460.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA8N250CHVIXYSIGBTs TO263 2500V 8A XPT
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+857.37 грн
10+788.99 грн
25+676.32 грн
50+594.04 грн
100+559.18 грн
250+549.42 грн
500+495.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA8N90C3D1IXYSIGBTs 900V 8A 2.5V XPT IGBTs GenX3 w/ Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA8N90C3D1IXYSDescription: IGBT 900V 20A 125W C3 TO-263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 114 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 8A
Supplier Device Package: TO-263AA
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/40ns
Switching Energy: 460µJ (on), 180µJ (off)
Test Condition: 450V, 8A, 30Ohm, 15V
Gate Charge: 13.3 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 48 A
Power - Max: 125 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYB82N120C3H1IXYSIGBTs XPT IGBT C3-Class 1200V/160A; Copack
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1879.05 грн
10+1178.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYB82N120C3H1IXYSDescription: IGBT 1200V 164A 1040W PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 420 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 82A
Supplier Device Package: PLUS264™
Td (on/off) @ 25°C: 29ns/192ns
Switching Energy: 4.95mJ (on), 2.78mJ (off)
Test Condition: 600V, 80A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 215 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 164 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 320 A
Power - Max: 1040 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYB82N120C3H1IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXYB82N120C3H1 - IGBT, 164 A, 2.75 V, 1.04 kW, 1.2 kV, TO-264AA, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.75V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.04kW
Bauform - Transistor: TO-264AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XPT GenX3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 164A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2152.37 грн
5+2032.79 грн
10+1913.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYF30N450IXYSIGBT Transistors IGBT XPT-HI VOLTAGE
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+8952.73 грн
5+8520.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYF30N450IXYSDescription: IGBT 4500V 23A 230W ISOPLUS
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUSi5-Pak™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Td (on/off) @ 25°C: 38ns/168ns
Test Condition: 960V, 30A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 88 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 23 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 190 A
Power - Max: 230 W
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9936.65 грн
10+9149.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYF40N450Ixys CorporationHigh Voltage XPTTM IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYF40N450IXYSIGBT Transistors IGBT DISCRETE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYF40N450Littelfuse Inc.Description: IGBT 4500V 60A ISOPLUS I4-PAC
Packaging: Tube
Package / Case: i4-Pac™-4, Isolated
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Td (on/off) @ 25°C: 36ns/110ns
Test Condition: 960V, 40A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 170 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 350 A
Power - Max: 290 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH100N65A3IXYSDescription: IGBT 650V 240A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 64 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 70A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/174ns
Switching Energy: 3.15mJ (on), 2.2mJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 178 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 240 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 480 A
Power - Max: 470 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH100N65A3IXYSIGBTs TO247 650V 100A GENX3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH100N65A3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 100A; 470W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 470W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 178nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 87ns
Turn-off time: 459ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 480A
Collector-emitter voltage: 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH100N65B3IXYSIGBTs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH100N65C3Ixys CorporationTrans IGBT Chip N-CH 650V 200A 830W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+937.37 грн
15+892.84 грн
30+870.56 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IXyH100N65C3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 100A; 830W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 830W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 172nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 62ns
Turn-off time: 200ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 420A
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 275 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+925.52 грн
5+799.82 грн
10+738.55 грн
30+622.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH100N65C3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 650V 200A 830W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXyH100N65C3IXYSDescription: IGBT PT 650V 200A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 70A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/106ns
Switching Energy: 2.15mJ (on), 840µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 164 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 420 A
Power - Max: 830 W
на замовлення 462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1015.78 грн
30+599.71 грн
120+516.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXyH100N65C3IXYSIGBTs 650V/200A XPT C3-Class TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH100N65C5IXYSDescription: IGBT TRENCH FS 650V 230A TO-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247 (IXYH)
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/255ns
Switching Energy: 560µJ (on), 780µJ (off)
Test Condition: 300V, 50A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 313 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 230 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 560 A
Power - Max: 750 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH100N65C5IXYSIGBTs 650V, 100A, XPT Gen5 C5 IGBT in TO-247AD
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+976.13 грн
10+684.75 грн
120+446.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH100N65C5IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 100A; 750W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 750W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 560A
Collector-emitter voltage: 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH10N170CIXYSIGBTs TO247 1700V 10A IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH10N170CIXYSDescription: IGBT 1700V 36A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 17 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.8V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-247 (IXYH)
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/130ns
Switching Energy: 1.4mJ (on), 700µJ (off)
Test Condition: 850V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 46 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 36 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 84 A
Power - Max: 280 W
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+719.29 грн
30+412.19 грн
120+350.63 грн
510+305.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH10N170CV1LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXYH10N170CV1 - TRANSISTOR, IGBT, 1.7KV, 36A, TO-247AD
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.6
Verlustleistung Pd: 280
Bauform - Transistor: TO-247AD
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: XPT Series
DC-Kollektorstrom: 36
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: To Be Advised
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH10N170CV1IXYSDescription: IGBT 1700V 36A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 160 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.8V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-247 (IXYH)
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/130ns
Switching Energy: 1.4mJ (on), 700µJ (off)
Test Condition: 850V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 46 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 36 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 84 A
Power - Max: 280 W
на замовлення 466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+971.86 грн
30+571.16 грн
120+491.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH10N170CV1IXYSIGBTs 1700V/10A XPT IGBT w/ Diode
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+981.82 грн
10+608.58 грн
120+517.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH10N170CV1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 900V 165A 830000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH120N65A5IXYSDescription: IGBT PT 650V 290A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 45ns/370ns
Switching Energy: 1.25mJ (on), 3.2mJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 314 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 290 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 790 A
Power - Max: 830 W
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+797.72 грн
30+459.47 грн
120+391.68 грн
510+325.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH120N65A5IXYSIGBTs XPT thin-wafer technology, 5th generation (GenX5 ) Trench IGBT. Disc IGBT XPT-GenX5 TO247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH120N65A5LittelfuseExtreme Light Punch Through IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH120N65A5LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXYH120N65A5 - IGBT, 290 A, 1.22 V, 830 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.22V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: XPT GenX5 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 290A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+880.96 грн
5+828.90 грн
10+776.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH120N65B3IXYSDescription: DISC IGBT XPT-GENX3 TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 28 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: TO-247 (IXYH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/168ns
Switching Energy: 1.34mJ (on), 1.5mJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 250 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 340 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 760 A
Power - Max: 1360 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH120N65B3IXYSIGBTs TO247 650V 120A GENX3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH120N65C3IXYSDescription: IGBT PT 650V 260A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 29 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: TO-247 (IXYH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/127ns
Switching Energy: 1.25mJ (on), 500µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 265 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 260 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 620 A
Power - Max: 1360 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH120N65C3IXYSIGBTs TO247 650V 120A GENX3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH12N250C2,5кВ; 12А; TO-247 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH12N250CIXYSDescription: IGBT 2500V 28A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 16 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4.5V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/167ns
Switching Energy: 3.56mJ (on), 1.7mJ (off)
Test Condition: 1250V, 12A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 56 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 28 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 310 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH12N250CV1HVIXYSIGBT Modules IGBT XPT-HI VOLTAGE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH12N250CV1HVIXYSDescription: IGBT 2500V 28A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 16 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4.5V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-247 (IXYH)
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/167ns
Switching Energy: 3.56mJ (on), 1.7mJ (off)
Test Condition: 1250V, 12A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 56 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 28 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 310 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH16N170CIXYSDescription: IGBT 1700V 40A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 19 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.8V @ 15V, 16A
Supplier Device Package: TO-247 (IXYH)
Td (on/off) @ 25°C: 11ns/140ns
Switching Energy: 2.1mJ (on), 1.5mJ (off)
Test Condition: 850V, 16A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 56 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 310 W
на замовлення 1048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+764.00 грн
30+439.91 грн
120+375.06 грн
510+330.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH16N170CIXYSIGBT Transistors IGBT XPT-HI VOLTAGE
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+819.14 грн
10+742.49 грн
30+631.00 грн
120+550.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH16N170CV1IXYSIGBT Transistors IGBT XPT-HI VOLTAGE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH16N170CV1IXYSDescription: IGBT 1.7KV 40A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.8V @ 15V, 16A
Supplier Device Package: TO-247 (IXYH)
Td (on/off) @ 25°C: 11ns/140ns
Switching Energy: 2.1mJ (on), 1.5mJ (off)
Test Condition: 850V, 16A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 56 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 310 W
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1097.36 грн
10+930.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH16N170CV1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 900V 165A 830000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH16N250CIXYSDescription: IGBT 2500V 35A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 19 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 16A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/260ns
Switching Energy: 4.75mJ (on), 3.9mJ (off)
Test Condition: 1250V, 16A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 97 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 126 A
Power - Max: 500 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH16N250CV1HVIXYSDescription: IGBT 2500V 35A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 19 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 16A
Supplier Device Package: TO-247 (IXYH)
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/260ns
Switching Energy: 4.75mJ (on), 3.9mJ (off)
Test Condition: 1250V, 16A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 97 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 126 A
Power - Max: 500 W
на замовлення 855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2157.86 грн
30+1361.09 грн
120+1330.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH16N250CV1HVIXYSIGBTs TO247 2500V 16A IGBT
на замовлення 288 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2243.47 грн
10+1646.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH1982LittelfuseIXYH1982^IXYS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH20N120C3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 278W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH20N120C3IXYSDescription: IGBT 1200V 40A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/90ns
Switching Energy: 1.3mJ (on), 500µJ (off)
Test Condition: 600V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 53 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 278 W
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+455.73 грн
30+251.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH20N120C3IXYSIGBTs GenX3 1200V XPT IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH20N120C3D1IXYSDescription: IGBT 1200V 36A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 195 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/90ns
Switching Energy: 1.3mJ (on), 500µJ (off)
Test Condition: 600V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 53 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 36 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 88 A
Power - Max: 230 W
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+647.91 грн
30+368.18 грн
120+312.14 грн
510+267.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH20N120C3D1IXYSIGBTs XPT 1200V IGBT GenX3 XPT IGBT
на замовлення 232 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+683.29 грн
10+398.50 грн
120+311.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH20N120C3D1IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXYH20N120C3D1 - IGBT, 36 A, 4 V, 230 W, 1.2 kV, TO-247AD, 3 Pin(s)
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 4
Verlustleistung Pd: 230
Bauform - Transistor: TO-247AD
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: XPT GenX3
DC-Kollektorstrom: 36
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (07-Jul-2017)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH20N120C3D1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1200V 36A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH20N120C4IXYSDescription: IGBT DISCRETE TO-247
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH20N120C4IXYSIGBTs TO247 1200V 17A IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH20N65B3IXYSDescription: DISC IGBT XPT-GENX3 TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/103ns
Switching Energy: 500µJ (on), 450µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 29 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 58 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 108 A
Power - Max: 230 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH20N65B3IXYSIGBTs TO263 650V 20A XPT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH20N65B3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 58A; 230W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 230W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 58A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 108A
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 29nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH20N65C3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 230W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 230W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 105A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 51ns
Gate charge: 30nC
Turn-off time: 132ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH20N65C3IXYSDescription: IGBT PT 650V 50A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/80ns
Switching Energy: 430µJ (on), 350µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 30 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 105 A
Power - Max: 230 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH20N65C3IXYSIGBTs TO263 650V 20A XPT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH20N65C3D1IXYSDescription: IGBT PT 650V 50A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247 (IXYH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/80ns
Switching Energy: 430µJ (on), 350µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 30 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 105 A
Power - Max: 230 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH20N65C3D1IXYSIGBTs Disc IGBT XPT-GenX4 TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH24N170CIXYSIGBTs 1700V/58A High Volt
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+956.61 грн
10+703.20 грн
120+536.87 грн
510+532.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH24N170CLittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 900V 165A 830000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH24N170CIxys CorporationTrans IGBT Chip N-CH 900V 165A 830000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+1034.63 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH24N170CIXYSDescription: IGBT 1700V 58A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.8V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247 (IXYH)
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/160ns
Switching Energy: 4.9mJ (on), 1.95mJ (off)
Test Condition: 960V, 30A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 96 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 58 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 145 A
Power - Max: 500 W
на замовлення 427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+853.42 грн
30+620.31 грн
120+563.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH24N170CV1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 900V 165A 830000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH24N170CV1IXYSDescription: IGBT 1700V 58A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 170 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 24A
Supplier Device Package: TO-247 (IXYH)
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/155ns
Switching Energy: 3.6mJ (on), 1.76mJ (off)
Test Condition: 850V, 24A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 96 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 58 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 140 A
Power - Max: 500 W
на замовлення 223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1135.01 грн
30+670.11 грн
120+577.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH24N170CV1IXYSIGBTs TO247 1700V 24A DIODE
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1285.24 грн
10+812.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH24N90C3IXYSDescription: IGBT 900V 46A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 24A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/73ns
Switching Energy: 1.35mJ (on), 400µJ (off)
Test Condition: 450V, 24A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 40 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 46 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 110 A
Power - Max: 240 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH24N90C3IXYSIGBTs GenX3 900V XPT IGBTs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH24N90C3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 24A; 240W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 900V
Collector current: 24A
Power dissipation: 240W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 110A
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 215ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH24N90C3D1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 24A; 200W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 900V
Collector current: 24A
Power dissipation: 200W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 105A
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 215ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH24N90C3D1IXYSDescription: IGBT 900V 44A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 340 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 24A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/73ns
Switching Energy: 1.35mJ (on), 400µJ (off)
Test Condition: 450V, 24A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 40 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 44 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 105 A
Power - Max: 200 W
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+665.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH24N90C3D1IXYSIGBTs 900V 24A 2.7V XPT IGBTs GenX3 w/ Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH25N250CHVLittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 2500V 95A 937W 3-Pin(3+Tab) TO-247HV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH25N250CHVIXYSDescription: IGBT 2500V 235A TO-247HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/230ns
Switching Energy: 8.3mJ (on), 7.3mJ (off)
Test Condition: 1250V, 25A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 147 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 95 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 235 A
Power - Max: 937 W
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1725.66 грн
30+1137.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH25N250CHVIXYSIGBTs 2500V/95A , HV XPT IGBT
на замовлення 766 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2289.02 грн
10+1688.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH25N250CHVLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXYH25N250CHV - TRANSISTOR, IGBT, 2.5KV, 95A, TO-247HV
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.4
Verlustleistung Pd: 937
Bauform - Transistor: TO-247HV
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 2.5
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: XPT Series
DC-Kollektorstrom: 95
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: To Be Advised
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH30N120A4IXYSIGBTs TO263 1200V 30A XPT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH30N120A4IXYSDescription: IGBT PT 1200V 106A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247 (IXYH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/235ns
Switching Energy: 4mJ (on), 3.4mJ (off)
Test Condition: 960V, 25A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 57 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 106 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 184 A
Power - Max: 500 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH30N120B4IXYSDescription: IGBT PT 1200V 100A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247 (IXYH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/245ns
Switching Energy: 4.4mJ (on), 2.6mJ (off)
Test Condition: 960V, 25A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 58 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 174 A
Power - Max: 500 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH30N120B4IXYSIGBTs TO247 1200V 30A XPT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH30N120C3IXYSDescription: IGBT 1200V 75A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.3V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247 (IXYH)
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/130ns
Switching Energy: 2.6mJ (on), 1.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 69 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 145 A
Power - Max: 500 W
на замовлення 1230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+566.33 грн
30+317.85 грн
120+267.86 грн
510+222.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH30N120C3IXYSIGBTs 1200V XPT GenX3 IGBT
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+597.07 грн
10+403.32 грн
120+294.93 грн
510+253.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH30N120C3
Код товару: 181016
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH30N120C3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 500W 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH30N120C3IGBT 1200V 75A 500W TO247 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH30N120C3D1IXYSDescription: IGBT 1200V 66A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 195 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.3V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/130ns
Switching Energy: 2.6mJ (on), 1.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 69 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 66 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 133 A
Power - Max: 416 W
на замовлення 1363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+753.01 грн
30+432.96 грн
120+368.85 грн
510+323.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH30N120C3D1IXYSIGBTs XPT 1200V IGBT GenX4 XPT IGBT
на замовлення 327 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+777.65 грн
10+457.04 грн
120+373.72 грн
510+368.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH30N120C4IXYSDescription: IGBT PT 1200V 94A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247 (IXYH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/205ns
Switching Energy: 4.8mJ (on), 1.5mJ (off)
Test Condition: 960V, 25A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 57 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 94 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 166 A
Power - Max: 500 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH30N120C4IXYSIGBTs TO247 1200V 30A XPT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH30N120C4IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 94A; 500W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Type of transistor: IGBT
Gate charge: 57nC
Power dissipation: 500W
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 94A
Pulsed collector current: 166A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH30N120C4H1IXYSIGBTs IXYH30N120C4H1
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+790.66 грн
10+546.84 грн
120+336.76 грн
510+328.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH30N120C4H1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 55A; 500W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Type of transistor: IGBT
Gate charge: 57nC
Power dissipation: 500W
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 55A
Pulsed collector current: 166A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH30N120C4H1IXYSDescription: IGBT TRENCH 1200V 94A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 310 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/205ns
Switching Energy: 4.8mJ (on), 1.5mJ (off)
Test Condition: 960V, 25A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 57 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 94 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 166 A
Power - Max: 500 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH30N170CLittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1700V 100A 937W 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH30N170CIXYSDescription: 1700V/108A HIGH VOLTAGE XPT IGB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/150ns
Switching Energy: 5.9mJ (on), 3.3mJ (off)
Test Condition: 850V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 140 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 108 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 255 A
Power - Max: 937 W
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+602.49 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH30N170CIXYSIGBTs 1700V/108A High Voltage XPT IGBT
на замовлення 351 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1322.66 грн
10+885.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH30N450HVIXYSDescription: IGBT PT 4500V 60A TO-247HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247HV
IGBT Type: PT
Test Condition: 960V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 88 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 430 W
на замовлення 127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4467.88 грн
30+3277.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH30N450HVIXYSIGBTs TO247 4500V 30A IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH30N450HVLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXYH30N450HV - IGBT, 60 A, 3.2 V, 430 W, 4.5 kV, TO-247HV, 3 Pin(s)
MSL: -
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.2
Verlustleistung Pd: 430
Bauform - Transistor: TO-247HV
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 4.5
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
DC-Kollektorstrom: 60
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH30N450HVLittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 900V 165A 830000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH30N65B3D1IXYSDescription: DISC IGBT XPT-GENX3 TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 38 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247 (IXYH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/87ns
Switching Energy: 830µJ (on), 640µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 45 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 270 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH30N65B3D1IXYSIGBTs Disc IGBT XPT-GenX3 TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH30N65C3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 30A; 270W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 270W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 59ns
Gate charge: 44nC
Turn-off time: 0.12µs
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 118A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH30N65C3IXYSDescription: IGBT 650V 60A 270W TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/75ns
Switching Energy: 1mJ (on), 270µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH30N65C3IXYSIGBTs TO247 650V 30A GENX3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH30N65C3H1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 650V 60A 270W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH30N65C3H1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 30A; 270W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; Sonic FRD™; XPT™
Power dissipation: 270W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 59ns
Turn-off time: 0.12µs
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 118A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH30N65C3H1IXYSDescription: IGBT 650V 60A 270W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/75ns
Switching Energy: 1mJ (on), 270µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH30N65C3H1IXYSIGBTs 650V/60A XPT C3 Copacked TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120A4IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 140A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 90nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 275A
Collector current: 140A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120A4IXYSDescription: IGBT 1200V 40A GENX4 XPT TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 32A
Supplier Device Package: TO-247 (IXYH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/204ns
Switching Energy: 2.3mJ (on), 3.75mJ (off)
Test Condition: 600V, 32A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 140 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 275 A
Power - Max: 600 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120A4IXYSIGBTs TO247 1200V 40A IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120B3IXYSDescription: IGBT 1200V 96A 577W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/177ns
Switching Energy: 2.7mJ (on), 1.6mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 87 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 96 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 577 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120B3IXYSIGBTs TO247 1200V 40A GENX3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120B3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 577W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 577W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 84ns
Turn-off time: 411ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120B3D1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1200V 86A 480W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 20634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+629.84 грн
10+616.29 грн
25+569.64 грн
50+544.76 грн
100+474.37 грн
1000+436.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120B3D1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1200V 86A 480W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 20634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+587.85 грн
23+575.20 грн
25+531.67 грн
50+508.45 грн
100+442.74 грн
1000+407.41 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120B3D1IGBT 1200V 86A TO-247 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120B3D1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 480W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 84ns
Turn-off time: 411ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120B3D1IXYSDescription: IGBT 1200V 86A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247 (IXYH)
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/177ns
Switching Energy: 2.7mJ (on), 1.6mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 87 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 86 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 480 W
на замовлення 1783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+896.56 грн
30+520.86 грн
120+445.74 грн
510+377.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120B3D1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1200V 86A 480W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+949.11 грн
25+905.29 грн
50+868.86 грн
100+808.30 грн
250+725.20 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120B3D1IXYSIGBTs TO247 1200V 40A GENX3
на замовлення 212 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+911.87 грн
10+570.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120B4IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 136A; 680W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 680W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Collector current: 136A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120B4IXYSDescription: IGBT DISCRETE TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120B4IXYSIGBT Transistors IGBT DISCRETE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120B4H1LittelfuseIGBT Transistors IXYH40N120B4H1
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+708.51 грн
10+598.96 грн
30+472.03 грн
120+433.68 грн
270+408.58 грн
510+382.78 грн
1020+344.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120B4H1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120B4H1IXYSDescription: IGBT TRENCH 1200V 112A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 430 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 32A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/220ns
Switching Energy: 5.9mJ (on), 2.9mJ (off)
Test Condition: 960V, 32A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 94 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 112 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 600 W
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+912.25 грн
30+530.40 грн
120+454.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120B4H1IXYSIGBTs IXYH40N120B4H1
на замовлення 346 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+914.31 грн
10+562.88 грн
120+432.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120C3IXYSIGBTs GenX3 1200V XPT IGBT
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+787.41 грн
10+477.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120C3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 577W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 577W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 95ns
Turn-off time: 303ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 175A
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120C3IXYSDescription: IGBT 1200V 70A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/125ns
Switching Energy: 3.9mJ (on), 660µJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 85 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 115 A
Power - Max: 577 W
на замовлення 152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+782.04 грн
30+449.12 грн
120+382.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120C3IGBT 1200V 70A TO-247 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120C3D1IXYSDescription: IGBT 1200V 64A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 195 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/125ns
Switching Energy: 3.9mJ (on), 660µJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 85 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 64 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 105 A
Power - Max: 480 W
на замовлення 1770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+859.69 грн
30+500.71 грн
120+429.06 грн
510+387.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120C3D1IXYSIGBTs XPT 1200V IGBT GenX5 XPT IGBT
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+916.75 грн
10+615.00 грн
120+531.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120C3D1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 480W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 95ns
Turn-off time: 303ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120C4IXYSIGBTs TO247 1200V 40A IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120C4IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 120A; 680W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 680W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 140ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 230A
Collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120C4IXYSDescription: IGBT DISCRETE TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 32A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/140ns
Switching Energy: 5.55mJ (on), 1.55mJ (off)
Test Condition: 960V, 32A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 92 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 230 A
Power - Max: 680 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120C4H1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 680W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 680W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 140ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 230A
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120C4H1IXYSDescription: IGBT TRENCH 1200V 110A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 380 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 32A
Supplier Device Package: TO-247 (IXYH)
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/140ns
Switching Energy: 5.55mJ (on), 1.55mJ (off)
Test Condition: 960V, 32A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 92 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 110 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 230 A
Power - Max: 680 W
на замовлення 219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+911.46 грн
30+530.20 грн
120+454.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120C4H1LittelfuseIGBT Transistors IXYH40N120C4H1
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+708.51 грн
10+598.96 грн
30+472.03 грн
120+433.68 грн
270+408.58 грн
510+382.78 грн
1020+344.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120C4H1IXYSIGBTs IXYH40N120C4H1
на замовлення 363 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+913.49 грн
10+562.88 грн
120+432.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N65B3D1IXYSIGBTs TO247 650V 40A GENX3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N65B3D1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 40A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 195A
Mounting: THT
Gate charge: 68nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 57ns
Turn-off time: 350ns
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N65B3D1IXYSDescription: IGBT 650V 86A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/140ns
Switching Energy: 800µJ (on), 1.25mJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr): 37 ns
Gate Charge: 68 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 86 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 195 A
Power - Max: 300 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N65C3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 40A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 160ns
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N65C3IXYSDescription: IGBT PT 650V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/106ns
Switching Energy: 860µJ (on), 400µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 300 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N65C3IXYSIGBTs 650V/80A XPT C3-Class TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N65C3Ixys CorporationTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 300W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N65C3D1IXYSDescription: IGBT PT 650V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 120 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/110ns
Switching Energy: 830µJ (on), 360µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 66 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 300 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N65C3D1IXYSIGBTs Disc IGBT XPT-GenX3 TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N65C3D1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 40A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 160ns
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N65C3H1IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXYH40N65C3H1 - IGBT, 40 A, 2.35 V, 300 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.35
DC-Kollektorstrom: 40
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650
Verlustleistung Pd: 300
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N65C3H1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 40A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 65ns
Turn-off time: 206ns
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N65C3H1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 300W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N65C3H1IXYSDescription: IGBT PT 650V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 120 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247 (IXYH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/106ns
Switching Energy: 860µJ (on), 400µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 300 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N65C3H1IXYSIGBTs 650V/80A XPT Copacked TO-247
на замовлення 242 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+852.49 грн
10+487.51 грн
120+389.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N90C3IXYSDescription: IGBT 900V 105A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/78ns
Switching Energy: 1.9mJ (on), 1mJ (off)
Test Condition: 450V, 40A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 74 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 105 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 600 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N90C3IXYSIGBTs GenX3 900V XPT IGBTs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N90C3D1IXYSIGBTs XPT 900V IGBT GenX3 XPT IGBT
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+834.59 грн
10+471.47 грн
120+407.88 грн
510+404.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N90C3D1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 900V 90A 500W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N90C3D1Ixys CorporationTrans IGBT Chip N-CH 900V 90A 500W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+916.12 грн
16+813.87 грн
30+678.23 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N90C3D1IXYS/LittelfuseТранзистор IGBT, Uceb, В = 900, Ic = 90 А, Pmax, Вт = 500, Uce(on), В = 2,5, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = вивідний,... Група товару: Транзистори Корпус: TO-247AD Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1000 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
1000+200.49 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N90C3D1LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXYH40N90C3D1 - IGBT, 90 A, 2.2 V, 500 W, 900 V, TO-247AD, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: TO-247AD
Dauerkollektorstrom: 90A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 900V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+812.63 грн
5+650.75 грн
10+488.06 грн
50+442.63 грн
100+398.82 грн
250+389.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N90C3D1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 900V 90A 500W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N90C3D1IXYSDescription: IGBT 900V 90A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/78ns
Switching Energy: 1.9mJ (on), 1mJ (off)
Test Condition: 450V, 40A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 74 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 90 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 500 W
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+803.22 грн
30+464.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N90C3D1 транзистор
Код товару: 193543
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH50N120C3IXYSDescription: IGBT 1200V 100A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247 (IXYH)
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/133ns
Switching Energy: 3mJ (on), 1mJ (off)
Test Condition: 600V, 50A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 142 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 750 W
на замовлення 1598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+790.66 грн
30+456.43 грн
120+389.55 грн
510+344.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH50N120C3IXYSIGBTs XPT IGBT C3-Class 1200V/105A
на замовлення 452 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+797.99 грн
10+461.85 грн
120+392.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH50N120C3D1IXYSIGBTs XPT 1200V IGBT GenX6 XPT IGBT
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+832.15 грн
10+650.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH50N120C3D1Ixys CorporationTrans IGBT Chip N-CH 1200V 90A 625W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH50N120C3D1IXYSDescription: IGBT 1200V 90A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 195 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/133ns
Switching Energy: 3mJ (on), 1mJ (off)
Test Condition: 600V, 50A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 142 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 90 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 210 A
Power - Max: 625 W
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1138.15 грн
30+672.18 грн
120+579.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH50N170CIXYSIGBT Transistors 1700V/178A High Volt
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH50N65C3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 145ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH50N65C3IXYSIGBTs 650V/130A XPT C3-Class TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH50N65C3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 650V 132A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH50N65C3IXYSDescription: IGBT PT 650V 130A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 36A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/80ns
Switching Energy: 1.3mJ (on), 370µJ (off)
Test Condition: 400V, 36A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 80 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 130 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 250 A
Power - Max: 600 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH50N65C3D1IXYSIGBTs Disc IGBT XPT-GenX3 TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH50N65C3D1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 900V 165A 830000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+642.38 грн
10+613.06 грн
25+585.78 грн
50+537.65 грн
100+491.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH50N65C3D1IXYSDescription: IGBT 650V 132A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 36 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 36A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/90ns
Switching Energy: 800µJ (on), 800µJ (off)
Test Condition: 400V, 36A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 86 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 132 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 250 A
Power - Max: 600 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH50N65C3D1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 900V 165A 830000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+599.55 грн
23+572.19 грн
25+546.72 грн
50+501.81 грн
100+459.03 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH50N65C3D1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 145ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH50N65C3H1Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH50N65C3H1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 650V 130A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH50N65C3H1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 142ns
на замовлення 136 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+850.50 грн
3+729.32 грн
10+602.59 грн
30+499.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH50N65C3H1
Код товару: 189326
1 Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247AD
Vces: 650 V
Vce: 2,1 V
Ic 25: 130 A
Ic 100: 50 A
td(on)/td(off) 100-150 град: 22/80
у наявності 19 шт:
15 шт - склад
2 шт - РАДІОМАГ-Київ
1 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+490.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH50N65C3H1IXYSIGBTs 650V/130A XPTI C3-Class TO-247
на замовлення 358 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+907.80 грн
10+542.03 грн
120+403.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH50N65C3H1IXYSDescription: IGBT PT 650V 130A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 120 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 36A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/80ns
Switching Energy: 1.3mJ (on), 370µJ (off)
Test Condition: 400V, 36A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 80 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 130 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 250 A
Power - Max: 600 W
на замовлення 795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+916.95 грн
30+534.38 грн
120+457.90 грн
510+389.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH50N65C3H1Ixys CorporationIXYH50N65C3H1
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+961.89 грн
15+882.27 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH55N120A4IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXYH55N120A4 - IGBT, 175 A, 1.5 V, 650 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5
DC-Kollektorstrom: 175
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Verlustleistung Pd: 650
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: XPT GenX4
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH55N120A4IXYSIGBTs Discrete IGBT XPT Gen 4 1200V TO247
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+811.81 грн
10+485.90 грн
120+360.47 грн
510+354.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH55N120A4IXYSDescription: IGBT PT 1200V 175A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 55A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/300ns
Switching Energy: 2.3mJ (on), 5.3mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 175 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 350 A
Power - Max: 650 W
на замовлення 563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+785.17 грн
30+453.28 грн
120+386.96 грн
510+342.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH55N120B4LittelfuseIGBTs Disc. IGBT XPT-GenX4 TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH55N120B4H1IXYSIGBTs IXYH55N120B4H1
на замовлення 315 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1196.57 грн
10+731.26 грн
120+576.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH55N120B4H1IXYSDescription: IGBT TRENCH 1200V 138A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 420 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 55A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/215ns
Switching Energy: 3.4mJ (on), 2.75mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 138 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 310 A
Power - Max: 650 W
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1143.64 грн
30+682.65 грн
120+595.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH55N120C4IXYSIGBTs XPT thin-wafer technology, 4th generation (Gen 4) Trench IGBT. Disc IGBT Gen 4 XPT TO247
на замовлення 154 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+821.58 грн
10+572.50 грн
120+437.86 грн
510+400.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH55N120C4IXYSDescription: IGBT 1200V 140A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 55A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/180ns
Switching Energy: 3.5mJ (on), 1.34mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 114 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 140 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 290 A
Power - Max: 650 W
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+682.42 грн
30+386.08 грн
120+326.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH55N120C4LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXYH55N120C4 - IGBT, 140 A, 2.1 V, 650 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.1V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 650W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XPT Gen 4 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 140A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+652.38 грн
10+589.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH55N120C4H1IXYSDescription: IGBT TRENCH 1200V 126A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 180 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 55A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/180ns
Switching Energy: 3.5mJ (on), 1.34mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 114 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 126 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 290 A
Power - Max: 650 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH55N120C4H1IXYSIGBTs IXYH55N120C4H1
на замовлення 384 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1080.25 грн
10+768.14 грн
120+575.22 грн
510+492.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH60N65A5IXYSIGBTs 650V, 60A, XPT Gen5 A5 IGBT in TO-247AD
на замовлення 281 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+468.54 грн
10+286.25 грн
120+207.78 грн
510+178.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH60N65A5IXYSDescription: IGBT TRENCH FS 650V 134A TO-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 36A
Supplier Device Package: TO-247 (IXYH)
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/230ns
Switching Energy: 600µJ (on), 1.45mJ (off)
Test Condition: 400V, 36A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 128 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 134 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 260 A
Power - Max: 395 W
на замовлення 1090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+509.07 грн
30+282.19 грн
120+236.46 грн
510+190.45 грн
1020+179.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH60N65A5IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 395W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 395W
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 260A
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 128nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH60N90C3IXYSDescription: IGBT 900V 140A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/87ns
Switching Energy: 2.7mJ (on), 1.55mJ (off)
Test Condition: 450V, 60A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 107 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 140 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 310 A
Power - Max: 750 W
на замовлення 334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+727.13 грн
30+440.44 грн
120+383.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH60N90C3IXYSIGBTs 900V 60A 2.7V XPT IGBT GenX3
на замовлення 152 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+752.43 грн
10+445.01 грн
120+369.53 грн
510+356.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH75N120B4IXYSDescription: IGBT 1200V 240A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 66 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/182ns
Switching Energy: 4.5mJ (on), 2.7mJ (off)
Test Condition: 600V, 50A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 157 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 240 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 440 A
Power - Max: 1150 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH75N65C3IXYSIGBTs 650V/170A XPT C3-Class TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH75N65C3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 75A; 750W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 750W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 90ns
Turn-off time: 179ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 360A
Collector-emitter voltage: 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH75N65C3IXYSDescription: IGBT PT 650V 170A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/93ns
Switching Energy: 2.8mJ (on), 1mJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 123 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 170 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 360 A
Power - Max: 750 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH75N65C3D1IXYSDescription: IGBT PT 650V 175A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247 (IXYH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/93ns
Switching Energy: 2mJ (on), 950µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 122 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 175 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 360 A
Power - Max: 750 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH75N65C3D1IXYSIGBTs Disc IGBT XPT-GenX3 TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH75N65C3H1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 75A; 750W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 750W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 90ns
Turn-off time: 179ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 360A
Collector-emitter voltage: 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH75N65C3H1IXYSIGBTs 650V/170A XPT C3-Class TO-247
на замовлення 292 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1286.05 грн
10+849.13 грн
120+631.00 грн
510+580.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH75N65C3H1IXYSDescription: IGBT PT 650V 170A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/93ns
Switching Energy: 2.8mJ (on), 1mJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 123 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 170 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 360 A
Power - Max: 750 W
на замовлення 1380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1215.02 грн
30+725.00 грн
120+627.74 грн
510+560.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH80N90C3IXYSIGBTs TO268 900V 80A XPT
на замовлення 504 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+876.08 грн
30+797.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH80N90C3IXYSDescription: IGBT 900V 165A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 80A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Td (on/off) @ 25°C: 34ns/90ns
Switching Energy: 4.3mJ (on), 1.9mJ (off)
Test Condition: 450V, 80A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 145 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 165 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 360 A
Power - Max: 830 W
на замовлення 916 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+980.49 грн
30+577.20 грн
120+496.69 грн
510+457.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH80N90C3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 900V 165A 830W 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH82N120C3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1200V 200A 1250W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH82N120C3IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXYH82N120C3 - IGBT, 82 A, 3.2 V, 1.25 kW, 1.2 kV, TO-247AD, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.2V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25kW
Bauform - Transistor: TO-247AD
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 82A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1408.88 грн
5+1274.66 грн
10+1140.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH82N120C3IXYSIGBTs XPT IGBT C3-Class 1200V/160A
на замовлення 453 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1394.24 грн
10+1035.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH82N120C3IXYSDescription: IGBT 1200V 200A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 82A
Supplier Device Package: TO-247 (IXYH)
Td (on/off) @ 25°C: 29ns/192ns
Switching Energy: 4.95mJ (on), 2.78mJ (off)
Test Condition: 600V, 80A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 215 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 380 A
Power - Max: 1250 W
на замовлення 822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1308.36 грн
30+790.84 грн
120+709.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH85N120A4
Код товару: 197385
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH85N120A4IXYSIGBTs TO247 1200V 85A XPT
на замовлення 1393 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1717.99 грн
10+1265.27 грн
120+855.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH85N120A4IXYSDescription: IGBT PT 1200V 300A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 85A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/400ns
Switching Energy: 4.9mJ (on), 8.3mJ (off)
Test Condition: 600V, 60A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 200 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 520 A
Power - Max: 1150 W
на замовлення 164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1284.83 грн
30+774.17 грн
120+690.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH85N120A4LittelfuseUltra Low-Vsat IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH85N120A4IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXYH85N120A4 - IGBT, 300 A, 1.5 V, 1.15 kW, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5
DC-Kollektorstrom: 300
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Verlustleistung Pd: 1.15
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: XPT GenX4
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH85N120C4IXYSDescription: IGBT 1200V 240A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 85A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/280ns
Switching Energy: 4.3mJ (on), 2mJ (off)
Test Condition: 600V, 50A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 192 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 240 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 420 A
Power - Max: 1150 W
на замовлення 252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1064.42 грн
30+630.41 грн
120+544.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH85N120C4LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXYH85N120C4 - IGBT, 240 A, 2 V, 1.15 kW, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.15kW
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XPT Gen 4 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 240A
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+976.13 грн
5+883.40 грн
10+789.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH85N120C4IXYSIGBTs XPT thin-wafer technology, 4th generation (Gen 4) Trench IGBT. Disc IGBT Gen 4 XPT TO247
на замовлення 252 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1062.35 грн
10+667.11 грн
120+575.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH8N250CIXYSDescription: IGBT 2500V 29A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 8A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 11ns/180ns
Switching Energy: 2.6mJ (on), 1.07mJ (off)
Test Condition: 1250V, 8A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 45 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 29 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 70 A
Power - Max: 280 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH8N250CHVLittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 900V 165A 830000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH8N250CHVIXYSDescription: IGBT 2500V 29A TO-247HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 8A
Supplier Device Package: TO-247HV
Td (on/off) @ 25°C: 11ns/180ns
Switching Energy: 2.6mJ (on), 1.07mJ (off)
Test Condition: 1250V, 8A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 45 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 29 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 70 A
Power - Max: 280 W
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1309.15 грн
30+790.51 грн
120+707.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH8N250CHVIXYSIGBTs TO263 2500V 8A XPT
на замовлення 503 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1496.73 грн
10+1007.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH8N250CV1HVIXYSIGBT Transistors IGBT XPT-HI VOLTAGE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH8N250CV1HVIXYSDescription: IGBT 2500V 29A TO247HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 8A
Supplier Device Package: TO-247 (IXYH)
Td (on/off) @ 25°C: 11ns/180ns
Switching Energy: 2.6mJ (on), 1.07mJ (off)
Test Condition: 1250V, 8A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 45 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 29 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 70 A
Power - Max: 280 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH90N65A5LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXYH90N65A5 - IGBT, 220 A, 1.22 V, 650 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.22
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.22
Verlustleistung Pd: 650
euEccn: NLR
Verlustleistung: 650
Bauform - Transistor: TO-247
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: XPT GenX5 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
DC-Kollektorstrom: 220
Betriebstemperatur, max.: 175
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 220
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH90N65A5IXYSDescription: IGBT PT 650V 220A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/420ns
Switching Energy: 1.3mJ (on), 3.4mJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 260 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 220 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 600 A
Power - Max: 650 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH90N65A5IXYSIGBTs XPT thin-wafer technology, 5th generation (GenX5 ) Trench IGBT. Disc IGBT XPT-GenX5 TO247
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+697.93 грн
10+521.18 грн
120+377.90 грн
510+336.76 грн
1020+299.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYJ20N120C3D1IXYSDescription: IGBT 1200V 21A ISO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 195 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: ISO247
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/90ns
Switching Energy: 1.3mJ (on), 500µJ (off)
Test Condition: 600V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 53 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 21 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 84 A
Power - Max: 105 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYJ20N120C3D1IXYSIGBTs XPT 1200V IGBT GenX7 XPT IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK100N120B3IXYSLittelfuse
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK100N120C3IXYSIGBT Transistors 1200V 188A XPT IGBT
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2000.25 грн
10+1818.53 грн
25+1509.51 грн
100+1349.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK100N120C3IXYSDescription: IGBT 1200V 188A TO-264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: TO-264 (IXYK)
Td (on/off) @ 25°C: 32ns/123ns
Switching Energy: 6.5mJ (on), 2.9mJ (off)
Test Condition: 600V, 100A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 270 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 188 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 490 A
Power - Max: 1150 W
на замовлення 256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2025.29 грн
25+1293.71 грн
100+1227.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK100N120C3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1200V 188A 1150mW 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK100N65B3D1IXYSIGBTs Disc IGBT XPT-GenX3 TO-264(3)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK100N65B3D1IXYSDescription: IGBT 650V 225A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 37 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 70A
Supplier Device Package: TO-264
Td (on/off) @ 25°C: 29ns/150ns
Switching Energy: 1.27mJ (on), 2mJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 168 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 225 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 460 A
Power - Max: 830 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK110N120A4IXYSIGBTs TO264 1200V 110A GENX4
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1952.26 грн
10+1509.83 грн
100+1157.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK110N120A4LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXYK110N120A4 - IGBT, 375 A, 1.45 V, 1.36 kW, 1.2 kV, TO-264, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.36kW
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XPT GenX4 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 375A
SVHC: To Be Advised
на замовлення 308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2091.36 грн
5+1673.25 грн
10+1622.00 грн
50+1458.56 грн
100+1302.44 грн
200+1258.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK110N120A4IXYSDescription: IGBT PT 1200V 375A TO-264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 110A
Supplier Device Package: TO-264 (IXYK)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 42ns/550ns
Switching Energy: 2.5mJ (on), 8.4mJ (off)
Test Condition: 600V, 50A, 1.5Ohm, 15V
Gate Charge: 305 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 375 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 900 A
Power - Max: 1360 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK110N120B4IXYSIGBTs XPT thin-wafer technology, 4th generation (Gen 4) Trench IGBT. Disc IGBT Gen 4 XPT TO264
на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1673.25 грн
10+1074.44 грн
100+884.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK110N120B4LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXYK110N120B4 - IGBT, 340 A, 1.66 V, 1.36 kW, 1.2 kV, TO-264, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.66V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.36kW
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XPT Gen 4 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 340A
SVHC: To Be Advised
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1537.40 грн
5+1406.44 грн
10+1274.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK110N120B4IXYSDescription: IGBT 1200V 340A TO-264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 110A
Supplier Device Package: TO-264 (IXYK)
Td (on/off) @ 25°C: 45ns/390ns
Switching Energy: 3.6mJ (on), 3.85mJ (off)
Test Condition: 600V, 50A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 340 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 340 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 800 A
Power - Max: 1360 W
на замовлення 231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1611.92 грн
25+1010.73 грн
100+921.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK110N120C4IXYSDescription: IGBT 1200V 310A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 48 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 110A
Supplier Device Package: PLUS264™
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/320ns
Switching Energy: 3.6mJ (on), 1.9mJ (off)
Test Condition: 600V, 50A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 330 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 310 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 740 A
Power - Max: 1360 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK110N120C4IXYSIGBTs XPT thin-wafer technology, 4th generation (Gen 4) Trench IGBT. Disc IGBT Gen 4 XPT TO264
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1732.63 грн
10+1310.17 грн
100+902.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK120N120B3IXYSIGBTs TO264 1200V 120A GENX3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK120N120B3IXYSDescription: IGBT PT 1200V 320A TO-264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 54 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: TO-264 (IXYK)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/340ns
Switching Energy: 9.7mJ (on), 21.5mJ (off)
Test Condition: 960V, 100A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 400 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 320 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 800 A
Power - Max: 1500 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK120N120C3IXYSIGBTs 1200V 220A XPT IGBT
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2238.59 грн
10+1613.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK120N120C3IXYSDescription: IGBT 1200V 240A TO-264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 120A
Supplier Device Package: TO-264 (IXYK)
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/176ns
Switching Energy: 6.75mJ (on), 5.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 100A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 412 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 240 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 700 A
Power - Max: 1500 W
на замовлення 214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2299.83 грн
25+1487.23 грн
100+1447.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK120N120C3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1200V 240A 1500W 3-Pin(3+Tab) TO-264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK120N120C3TO-264-3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK120N120C3LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXYK120N120C3 - TRANSISTOR, IGBT, 1.2KV, 240A, TO-264
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.55V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5kW
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XPT GenX3 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
directShipCharge: 25
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 240A
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK140N120A4LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXYK140N120A4 - IGBT, 480 A, 1.34 V, 1.5 kW, 1.2 kV, TO-264, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.34V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5kW
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 480A
SVHC: To Be Advised
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3564.50 грн
5+3275.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK140N120A4IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 140A; 1.5kW; TO264
Mounting: THT
Type of transistor: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 1.5kW
Pulsed collector current: 1.2kA
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 140A
Kind of package: tube
Case: TO264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK140N120A4IXYSIGBTs Disc IGBT XPT Gen4 1200V 140A TO264
на замовлення 2915 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2994.28 грн
10+2182.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK140N120A4IXYSDescription: IGBT PT 1200V 480A TO-264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 47 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 140A
Supplier Device Package: TO-264 (IXYK)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 52ns/590ns
Switching Energy: 4.9mJ (on), 12mJ (off)
Test Condition: 600V, 70A, 1.5Ohm, 15V
Gate Charge: 420 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 480 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 1200 A
Power - Max: 1500 W
на замовлення 424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3107.75 грн
25+2049.26 грн
100+1954.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK140N90C3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 140A; 1.63kW; TO264
Mounting: THT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 122ns
Gate charge: 330nC
Turn-off time: 0.3µs
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 1.63kW
Pulsed collector current: 840A
Collector-emitter voltage: 900V
Collector current: 140A
Kind of package: tube
Case: TO264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK140N90C3IXYSIGBTs TO264 900V 140A GENX3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK140N90C3IXYSDescription: IGBT 900V 310A TO-264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 140A
Supplier Device Package: TO-264 (IXYK)
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/145ns
Switching Energy: 4.3mJ (on), 4mJ (off)
Test Condition: 450V, 100A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 330 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 310 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 840 A
Power - Max: 1630 W
на замовлення 213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1806.45 грн
25+1142.71 грн
100+1062.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK180N65A5IXYSIGBTs 650V, 180A, XPT Gen5 A5 IGBT in TO-264
на замовлення 359 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1513.00 грн
10+1272.49 грн
100+956.61 грн
500+955.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK180N65A5IXYSDescription: IGBT TRENCH FS 650V 400A TO-264
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: TO-264 (IXYK)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 100A
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 70ns/500ns
Switching Energy: 420µJ (on), 4.1mJ (off)
Test Condition: 300V, 100A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 654 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 400 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 1.03 kA
Power - Max: 1150 W
на замовлення 315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1425.24 грн
25+885.32 грн
100+790.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK220N65A5IXYSIGBTs 650V, 220A, XPT Gen5 A5 IGBT in TO-264
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1970.97 грн
10+1278.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK220N65A5IXYSDescription: IGBT TRENCH FS 650V 510A TO-264
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: TO-264 (IXYK)
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 64ns/540ns
Switching Energy: 1.3mJ (on), 7.95mJ (off)
Test Condition: 300V, 100A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 750 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 510 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 1.18 kA
Power - Max: 1.16 kW
на замовлення 275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1878.61 грн
25+1188.18 грн
100+1041.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK300N65A3IXYSIGBTs TO264 650V 300A IGBT
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1931.92 грн
10+1773.63 грн
25+1310.11 грн
50+1308.71 грн
100+1286.40 грн
250+1181.12 грн
500+1171.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK300N65A3LittelfuseIGBT Transistors IGBT DISC XPT
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2785.22 грн
10+2531.35 грн
25+1962.02 грн
100+1869.99 грн
250+1867.89 грн
500+1796.78 грн
1000+1772.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK30N170CV1IXYSDescription: DISC IGBT XPT-HI VOLTAGE TO-264(
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 33 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-264 (IXYK)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/143ns
Switching Energy: 3.6mJ (on), 1.8mJ (off)
Test Condition: 850V, 30A, 2.7Ohm, 15V
Gate Charge: 150 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 250 A
Power - Max: 937 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK85N120C4H1IXYSIGBTs IXYK85N120C4H1
на замовлення 971 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1738.32 грн
10+1119.34 грн
100+929.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK85N120C4H1IXYSDescription: IGBT TRENCH 1200V 220A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 265 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 85A
Supplier Device Package: SOT-227B
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/280ns
Switching Energy: 4.3mJ (on), 2mJ (off)
Test Condition: 600V, 50A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 192 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 220 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 420 A
Power - Max: 1150 W
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1661.34 грн
25+1044.51 грн
100+958.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYL40N250CV1IXYSDescription: IGBT 2500V 70A ISOPLUSI5
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUSi5-Pak™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 210 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: ISOPLUSi5-Pak™
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/200ns
Switching Energy: 11.7mJ (on), 6.9mJ (off)
Test Condition: 1250V, 40A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 270 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 400 A
Power - Max: 577 W
на замовлення 725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6221.78 грн
10+5469.78 грн
100+4947.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYL40N250CV1IXYSIGBTs ISOPLUS 2500V 40A DIODE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYL50N170CV1LittelfuseIGBTs Disc IGBT XPT-Hi Voltage ISOPLUS264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYL60N450IXYSIGBTs ISOPLUS 4500V 38A IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYL60N450LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXYL60N450 - TRANS, IGBT, 4.5KV, 90A, ISOPLUS I5-PAK
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 417
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 90
Bauform - Transistor: ISOPLUS i5-PAK
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.64
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: XPT Series
SVHC: To Be Advised
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10652.83 грн
5+10420.18 грн
10+10185.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYL60N450IXYSDescription: IGBT 4500V 90A ISOPLUSI5-PAK
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUSi5-Pak™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.3V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: ISOPLUSi5-Pak™
Td (on/off) @ 25°C: 55ns/450ns
Test Condition: 960V, 60A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 366 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 90 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 680 A
Power - Max: 417 W
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8335.71 грн
25+6880.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN100N120B3H1IGBT XPT 1200V 152A SOT-227B Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN100N120B3H1IXYSDescription: IGBT MODULE 1200V 165A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
IGBT Type: PT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 165 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 690 W
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6 nF @ 25 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2838.71 грн
10+2040.17 грн
100+1746.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN100N120B3H1IXYSIGBT Transistors IGBT XPT-GENX3 SOT-227UI(
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN100N120B3H1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1200V 165A 690W 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN100N120C3IXYSDescription: IGBT MOD 1200V 152A 830W SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 152 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 830 W
Current - Collector Cutoff (Max): 25 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6 nF @ 25 V
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3591.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN100N120C3IXYSIGBTs XPT 1200V IGBT GenX3 XPT IGBT
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2530.62 грн
10+1884.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN100N120C3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1200V 152A 830000mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN100N120C3H1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1200V 140A 690W 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN100N120C3H1IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXYN100N120C3H1 - IGBT-Modul, Einfach, 134 A, 3.5 V, 690 W, 150 °C, SOT-227B
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: Y-EX
IGBT-Technologie: IGBT 3 High-Speed
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.5V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.5V
Verlustleistung Pd: 690W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 690W
Bauform - Transistor: SOT-227B
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 134A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: XPT GenX3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Einfach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 134A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2747.80 грн
5+2610.33 грн
10+2392.33 грн
50+2018.26 грн
100+1676.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN100N120C3H1IXYSDescription: IGBT MODULE 1200V 134A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 134 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 690 W
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6 nF @ 25 V
на замовлення 1081 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2769.68 грн
10+1987.90 грн
100+1694.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN100N120C3H1IXYSIGBTs XPT 1200V IGBT GenX3 XPT IGBT
на замовлення 369 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2864.94 грн
10+2583.47 грн
100+2202.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN100N65A3IXYSDescription: IGBT MOD 650V 170A 600W SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 70A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
IGBT Type: PT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 170 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 600 W
Current - Collector Cutoff (Max): 25 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN100N65A3LittelfuseIGBT Module, 650V IGBT Gen X3TM
на замовлення 297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+2991.32 грн
10+2806.51 грн
20+2536.15 грн
50+2382.52 грн
100+2336.88 грн
250+2296.78 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN100N65A3IXYSIGBTs SOT227 650V 100A GENX3
на замовлення 493 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2040.92 грн
10+1558.74 грн
100+1183.91 грн
500+1142.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN100N65A3LittelfuseIGBT Module, 650V IGBT Gen X3TM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN100N65A3IXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 650V; Ic: 100A; SOT227B
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 600W
Case: SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Type of semiconductor module: IGBT
Pulsed collector current: 460A
Max. off-state voltage: 650V
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN100N65B3D1IXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 650V; Ic: 100A; SOT227B
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 600W
Case: SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Type of semiconductor module: IGBT
Pulsed collector current: 490A
Max. off-state voltage: 650V
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN100N65B3D1IXYSDescription: IGBT MOD 650V 185A 600W SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 70A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
IGBT Type: PT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 185 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 600 W
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.74 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN100N65B3D1IXYSIGBTs Disc IGBT XPT-GenX3 SOT-227UI(mini
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN100N65C3H1LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXYN100N65C3H1 - IGBT-Modul, Einfach, 160 A, 1.8 V, 600 W, 175 °C, SOT-227B
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: -
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V
Verlustleistung Pd: 600W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: SOT-227B
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Dauerkollektorstrom: 160A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Einfach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 160A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2062.89 грн
5+1928.67 грн
10+1795.26 грн
50+1542.40 грн
100+1308.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN100N65C3H1IXYSDescription: IGBT MOD 650V 166A 600W SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 70A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
IGBT Type: PT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 166 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 600 W
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.98 nF @ 25 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2175.90 грн
10+1539.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN100N65C3H1IXYSIGBTs 650V/166A XPT Copacked SOT-227B
на замовлення 637 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2167.01 грн
10+1726.32 грн
100+1379.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN100N65C3H1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 650V 160A 600W 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN100N65C3H1IXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 650V; Ic: 90A; SOT227B; 600W
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 600W
Case: SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 90A
Type of semiconductor module: IGBT
Pulsed collector current: 420A
Max. off-state voltage: 650V
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN110N120A4IXYSDescription: IGBT PT 1200V 275A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 110A
Supplier Device Package: SOT-227B
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 42ns/550ns
Switching Energy: 2.5mJ (on), 8.4mJ (off)
Test Condition: 600V, 50A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 305 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 275 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 950 A
Power - Max: 830 W
на замовлення 194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2291.20 грн
10+1632.13 грн
100+1440.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN110N120A4IXYSIGBTs SOT227 1200V 110A GENX4
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2420.80 грн
10+1764.81 грн
100+1408.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN110N120A4LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXYN110N120A4 - IGBT-Modul, Einfach, 275 A, 1.7 V, 830 W, 175 °C, SOT-227
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: Y-EX
IGBT-Technologie: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 275A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Schraubanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V
Verlustleistung Pd: 830W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830W
Bauform - Transistor: SOT-227
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Einfach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 275A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 275A
SVHC: To Be Advised
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2987.77 грн
5+2822.64 грн
10+2657.51 грн
50+2314.36 грн
100+1994.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN110N120B4H1IXYSDescription: 1200V,110A, XPT GEN4 B4 CO-PACK
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 110A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
IGBT Type: Trench
Current - Collector (Ic) (Max): 218 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 830 W
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5460 pF @ 25 V
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2473.97 грн
10+2047.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN110N120B4H1IXYSIGBT Modules IXYN110N120B4H1
на замовлення 233 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3054.47 грн
10+2249.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN110N120C4IXYSDescription: IGBT 1200V 110A GEN4 XPT SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 110A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 220 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 830 W
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.42 nF @ 25 V
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2462.20 грн
10+1757.22 грн
100+1559.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN110N120C4IXYSIGBTs XPT thin-wafer technology, 4th generation (Gen 4) Trench IGBT. Disc IGBT Gen 4 XPT SOT227B
на замовлення 389 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2389.08 грн
10+1740.75 грн
100+1386.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN110N120C4LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXYN110N120C4 - IGBT-Modul, Einfach, 220 A, 1.9 V, 830 W, 175 °C, SOT-227
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.9V
Dauer-Kollektorstrom: 220A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Schraubanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830W
Bauform - Transistor: SOT-227
Produktpalette: XPT Gen4 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Einfach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2721.77 грн
5+2369.55 грн
10+2017.33 грн
50+1868.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN110N120C4H1IXYSDescription: 1200V, 110A, XPT GEN4 C4 CO-PACK
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 110A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
IGBT Type: Trench
Current - Collector (Ic) (Max): 210 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 830 W
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5420 pF @ 25 V
на замовлення 226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2999.51 грн
10+2166.54 грн
100+1995.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN110N120C4H1IXYSIGBT Modules IXYN110N120C4H1
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3052.84 грн
10+2249.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN120N120C3IXYSDescription: IGBT MOD 1200V 240A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 120A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B - miniBLOC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 240 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1200 W
Current - Collector Cutoff (Max): 25 µA
на замовлення 237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2487.30 грн
10+1777.69 грн
100+1586.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN120N120C3IXYSIGBTs SOT227 1200V 120A XPT
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2721.77 грн
10+2241.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN120N65B3D1IXYSDescription: IGBT PT 650V 250A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 28 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: SOT-227B
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/168ns
Switching Energy: 1.34mJ (on), 1.5mJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 250 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 250 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 770 A
Power - Max: 830 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN120N65B3D1IXYSIGBTs Disc IGBT XPT-GenX3 SOT-227UI(mini
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN120N65B3D1LittelfuseTrans IGBT Module N-CH 650V 250A 830000mW
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5598.84 грн
10+5271.24 грн
25+5028.46 грн
50+4547.28 грн
100+4016.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN120N65C3D1IXYSDescription: IGBT PT 650V 190A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 29 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: SOT-227B
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/127ns
Switching Energy: 1.25mJ (on), 500µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 265 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 190 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 620 A
Power - Max: 830 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN120N65C3D1IXYSIGBTs Disc IGBT XPT-GenX3 SOT-227UI(mini
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN140N120A4LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXYN140N120A4 - IGBT-MODUL, 1.2KV, 380A, 1.07KW, SOT227
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: Y-EX
IGBT-Technologie: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Schraubanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.34V
Verlustleistung Pd: 1.07kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.07kW
Bauform - Transistor: SOT-227
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 380A
Dauerkollektorstrom: 380A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Einfach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 380A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3797.96 грн
5+3341.62 грн
10+2884.46 грн
50+2648.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN140N120A4IXYSDescription: IGBT MODULE 1200V 380A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 140A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
IGBT Type: PT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 380 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1070 W
Current - Collector Cutoff (Max): 25 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 8.3 nF @ 25 V
на замовлення 163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3856.84 грн
10+2820.89 грн
100+2542.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN140N120A4IXYSIGBTs SOT227 1200V 140A XPT
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3760.54 грн
10+2992.39 грн
100+2395.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN150N60B3IXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 140A; SOT227B
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 830W
Case: SOT227B
Pulsed collector current: 750A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 140A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN150N60B3IXYSDescription: IGBT 600V 250A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 88 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 150A
Supplier Device Package: SOT-227B
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/167ns
Switching Energy: 4.2mJ (on), 2.6mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 260 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 250 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 750 A
Power - Max: 830 W
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1875.48 грн
10+1314.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN150N60B3IXYSIGBTs SOT227 600V 140A GENX3
на замовлення 197 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1967.71 грн
10+1491.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN180N65A5IXYSDescription: IGBT MOD 650V 340A 940W SOT-227B
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
Current - Collector (Ic) (Max): 340 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 940 W
Current - Collector Cutoff (Max): 25 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 8640 pF @ 25 V
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2109.22 грн
10+1493.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN180N65A5IXYSIGBTs 650V, 180A, XPT Gen5 A5 IGBT in SOT-227
на замовлення 395 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2185.72 грн
10+1583.60 грн
500+1238.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN200N65B5IXYSDescription: 650V, 200A, XPT Gen5 B5 IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.45V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
Current - Collector (Ic) (Max): 390 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 1.2 kW
Current - Collector Cutoff (Max): 25 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11700 pF @ 25 V
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2458.28 грн
10+1754.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN200N65B5IXYSIGBTs 650V, 200A, XPT Gen5 B5 IGBT in SOT-227
на замовлення 396 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2541.19 грн
10+1857.82 грн
500+1496.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN220N65A5IXYSDescription: IGBT MODULE 650V 510A SOT-227B
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
Current - Collector (Ic) (Max): 510 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 1200 W
Current - Collector Cutoff (Max): 25 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11.7 pF @ 25 V
на замовлення 277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2566.52 грн
10+1833.43 грн
100+1540.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN220N65A5IXYSIGBTs 650V, 220A, XPT Gen5 A5 IGBT in SOT-227
на замовлення 602 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2541.19 грн
10+1857.82 грн
100+1496.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN300N65A3IXYSDescription: IGBT PT 650V 470A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 125 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: SOT-227B
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 42ns/190ns
Switching Energy: 7.8mJ (on), 4.7mJ (off)
Test Condition: 400V, 100A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 565 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 470 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 1600 A
Power - Max: 1500 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN300N65A3IXYSIGBTs SOT227 650V 270A GENX3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN30N170CV1IXYSDescription: IGBT 1700V 88A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 160 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: SOT-227B
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/150ns
Switching Energy: 5.9mJ (on), 3.3mJ (off)
Test Condition: 850V, 30A, 2.7Ohm, 15V
Gate Charge: 140 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 88 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 275 A
Power - Max: 680 W
на замовлення 317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3188.54 грн
10+2316.47 грн
100+2170.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN30N170CV1IXYSIGBT Modules 1700V/85A High Voltage XPT IGBT
на замовлення 441 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3253.76 грн
10+3138.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN50N170CV1LittelfuseTrans IGBT Module N-CH 1700V 120A 880000mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN50N170CV1IXYSDescription: IGBT 1700V 120A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 255 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: SOT-227B
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/236ns
Switching Energy: 8.7mJ (on), 5.6mJ (off)
Test Condition: 850V, 50A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 260 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 485 A
Power - Max: 880 W
на замовлення 324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3883.51 грн
10+2854.73 грн
100+2765.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN50N170CV1IXYSIGBTs 1700V/120A High Volt
на замовлення 226 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4390.96 грн
10+3999.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN75N65C3D1IXYSDescription: IGBT 650V 150A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: SOT-227B
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/93ns
Switching Energy: 2mJ (on), 950µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 122 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 360 A
Power - Max: 600 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN75N65C3D1IXYSIGBTs Disc IGBT XPT-GenX3 SOT-227UI(mini
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN75N65C3D1IXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 650V; Ic: 75A; SOT227B; 600W
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 600W
Case: SOT227B
Max. off-state voltage: 650V
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 360A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN80N90C3H1IXYSDescription: IGBT MOD 900V 115A 500W SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 80A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 115 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Power - Max: 500 W
Current - Collector Cutoff (Max): 25 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.55 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN80N90C3H1IXYSIGBT Modules 900V 70A 2.7V XPT IGBTs GenX3 w/ Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN82N120C3IXYSDescription: IGBT MOD 1200V 105A 500W SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 82A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 105 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 500 W
Current - Collector Cutoff (Max): 25 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.1 nF @ 25 V
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2193.94 грн
10+1555.01 грн
100+1350.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN82N120C3IXYSIGBT Transistors 1200V XPT IGBT GenX3
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2960.11 грн
10+2600.30 грн
20+2125.87 грн
50+2054.75 грн
100+1984.33 грн
200+1913.21 грн
500+1857.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN82N120C3H1LittelfuseTrans IGBT Module N-CH 1200V 105A 500000mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN82N120C3H1IXYSDescription: IGBT MODULE 1200V 105A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 82A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 105 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 500 W
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.06 nF @ 25 V
на замовлення 243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2283.53 грн
10+1625.97 грн
100+1432.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN82N120C3H1IXYSIGBTs XPT IGBT C3-Class 1200V/105A; Copack
на замовлення 306 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2366.30 грн
10+1750.37 грн
100+1452.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN85N120C4H1IXYSDescription: IGBT MODULE 1200V 150A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 85A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
IGBT Type: Trench
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 600 W
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4030 pF @ 25 V
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2288.85 грн
10+1630.55 грн
100+1438.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN85N120C4H1IXYSIGBT Modules IXYN85N120C4H1
на замовлення 253 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2563.97 грн
10+1869.04 грн
100+1546.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN85N120C4H1IXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 85A; SOT227B
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Collector current: 85A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 600W
Pulsed collector current: 420A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: GenX4™; XPT™
Type of semiconductor module: IGBT
Case: SOT227B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP10N65B3D1IXYSIGBTs Disc IGBT XPT-GenX3 TO-220AB/FP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP10N65B3D1IXYSDescription: IGBT PT 650V 32A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 29 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-220
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/125ns
Switching Energy: 300µJ (on), 200µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 20 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 32 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 62 A
Power - Max: 160 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP10N65C3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 10A; 160W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 54A
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 18nC
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 128ns
Collector current: 10A
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP10N65C3IXYSDescription: IGBT PT 650V 30A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-220-3
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/77ns
Switching Energy: 240µJ (on), 110µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 18 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 54 A
Power - Max: 160 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP10N65C3D1IXYSDescription: IGBT PT 650V 30A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 170 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-220
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/77ns
Switching Energy: 240µJ (on), 110µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 18 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 54 A
Power - Max: 160 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP10N65C3D1IXYSIGBTs Disc IGBT XPT-GenX3 TO-220AB/FP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP10N65C3D1MIXYSIGBTs Disc IGBT XPT-GenX3 TO-220AB/FP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP10N65C3D1MIXYSDescription: IGBT 650V 15A TO220 ISOLATED TAB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 26 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-220 Isolated Tab
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/77ns
Switching Energy: 240µJ (on), 170µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 18 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 50 A
Power - Max: 53 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP15N65B3D1IXYSDescription: IGBT TO220AB
Packaging: Tube
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP15N65B3D1IXYSIGBTs Disc IGBT XPT-GenX3 TO-220AB/FP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP15N65C3IXYSIGBTs TO220 650V 15A GENX3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP15N65C3IXYSDescription: IGBT PT 650V 38A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-220-3
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/68ns
Switching Energy: 270µJ (on), 230µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 19 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 38 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 200 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP15N65C3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-on time: 36ns
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-off time: 122ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP15N65C3D1IXYSIGBTs TO220 650V 15A DIODE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP15N65C3D1IXYSDescription: IGBT PT 650V 38A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 110 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-220-3
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/68ns
Switching Energy: 270µJ (on), 230µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 19 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 38 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 200 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP15N65C3D1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-on time: 36ns
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-off time: 102ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP15N65C3D1MIXYSDescription: IGBT PT 650V 16A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-220-3
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/68ns
Switching Energy: 270µJ (on), 230µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 19 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 48 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP15N65C3D1MIXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 9A; 57W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 57W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Collector current: 9A
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-on time: 36ns
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-off time: 122ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP15N65C3D1MIXYSIGBTs 650V/16A XPT IGBT C3 Copacked TO-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N120A4IXYSIGBTs TO263 1200V 20A XPT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N120A4IXYSDescription: IGBT PT 1200V 80A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 54 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-220 (IXYP)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/275ns
Switching Energy: 3.6mJ (on), 2.75mJ (off)
Test Condition: 960V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 46 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 135 A
Power - Max: 375 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N120B4IXYSDescription: IGBT 1200V 76A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 47 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-220 (IXYP)
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/200ns
Switching Energy: 3.9mJ (on), 1.6mJ (off)
Test Condition: 960V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 44 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 76 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 130 A
Power - Max: 375 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N120B4IXYSIGBTs TO220 1200V 20A IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N120C3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 278W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+375.95 грн
10+372.26 грн
25+368.48 грн
50+321.99 грн
100+255.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N120C3IXYSIGBTs GenX3 1200V XPT IGBT
на замовлення 213 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+470.17 грн
10+246.16 грн
100+211.96 грн
500+200.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N120C3Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N120C3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 278W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 278W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 96A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 60ns
Gate charge: 53nC
Turn-off time: 200ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N120C3IXYSDescription: IGBT 1200V 40A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-220-3
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/90ns
Switching Energy: 1.3mJ (on), 500µJ (off)
Test Condition: 600V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 53 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 278 W
на замовлення 299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+462.01 грн
50+237.87 грн
100+217.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N120C3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 278W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+350.89 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N120C3IXYS/LittelfuseТранзистор IGBT, Uceb, В = 1 200, Ic = 40 А, tз, мс = 0,02, Р, Вт = 278, Тип монт. = Вивідний, td(off), нс = 90,... Група товару: Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N120C3 транзистор
Код товару: 203199
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N120C4IXYSDescription: IGBT 1200V 68A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 53 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-220 (IXYP)
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/160ns
Switching Energy: 4.4mJ (on), 1mJ (off)
Test Condition: 960V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 44 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 68 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 375 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N120C4IXYSIGBTs TO247 1200V 20A IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N65B3D1IXYSDescription: IGBT PT 650V 58A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-220
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/103ns
Switching Energy: 500µJ (on), 450µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 29 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 58 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 108 A
Power - Max: 230 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N65B3D1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 230W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 230W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 108A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 39ns
Gate charge: 29nC
Turn-off time: 271ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N65B3D1IXYSIGBTs Disc IGBT XPT-GenX3 TO-220AB/FP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N65C3IXYSIGBTs TO220 650V 20A GENX3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N65C3IXYSDescription: DISC IGBT XPT-GENX3 TO-220AB/FP
Packaging: Tube
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Reverse Recovery Time (trr): 135 ns
Gate Charge: 30 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 105 A
Power - Max: 200 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N65C3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 200W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 105A
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 30nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N65C3D1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 650V 50A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
72+179.46 грн
81+159.55 грн
88+147.05 грн
100+134.89 грн
Мінімальне замовлення: 72
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N65C3D1Trans IGBT Chip N-CH 650V 50A TO-220AB Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N65C3D1IXYSDescription: IGBT PT 650V 50A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 135 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-220-3
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/80ns
Switching Energy: 430µJ (on), 350µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 30 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 105 A
Power - Max: 200 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N65C3D1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 650V 50A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N65C3D1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 200W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 105A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 51ns
Gate charge: 30nC
Turn-off time: 132ns
на замовлення 218 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+320.86 грн
10+201.42 грн
50+157.78 грн
100+144.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N65C3D1LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXYP20N65C3D1 - IGBT, 50 A, 2.27 V, 200 W, 650 V, TO-220AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.27V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Dauerkollektorstrom: 50A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+334.32 грн
10+246.47 грн
100+157.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N65C3D1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 650V 50A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+190.46 грн
10+169.32 грн
50+156.06 грн
100+143.15 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N65C3D1IXYSIGBTs Disc IGBT XPT-GenX3 TO-220AB/FP
на замовлення 558 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+332.70 грн
10+169.99 грн
100+123.41 грн
500+106.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N65C3D1MIXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 9A; 50W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 50W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 9A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 105A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 51ns
Gate charge: 30nC
Turn-off time: 132ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N65C3D1MIXYSIGBTs 650V/18A XPT IGBT C3 Copacked TO-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N65C3D1MIXYSDescription: IGBT PT 650V 18A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-220-3
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/80ns
Switching Energy: 430µJ (on), 350µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 30 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 18 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 105 A
Power - Max: 50 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP24N100A4IXYSDescription: IGBT PT 1000V 85A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 47 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 24A
Supplier Device Package: TO-220 (IXYP)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/216ns
Switching Energy: 3.5mJ (on), 2.3mJ (off)
Test Condition: 800V, 24A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 44 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 85 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 145 A
Power - Max: 375 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP24N100A4IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1kV; 85A; 375W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1kV
Collector current: 85A
Power dissipation: 375W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 145A
Mounting: THT
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP24N100A4IXYSIGBTs TO263 1KV 24A XPT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP24N100C4IXYSDescription: IGBT PT 1000V 76A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 24A
Supplier Device Package: TO-220
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/147ns
Switching Energy: 3.6mJ (on), 1mJ (off)
Test Condition: 800V, 24A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 43 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 76 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 132 A
Power - Max: 375 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP24N100C4IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1kV; 76A; 375W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1kV
Collector current: 76A
Power dissipation: 375W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 132A
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP24N100C4IXYSIGBTs TO220 1KV 24A IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP30N120A4IXYSIGBTs TO220 1KV 30A IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP30N120A4IXYSDescription: IGBT 1200V 106A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-220 (IXYP)
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/235ns
Switching Energy: 4mJ (on), 3.4mJ (off)
Test Condition: 960V, 25A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 57 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 106 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 184 A
Power - Max: 500 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP30N120B4IXYSDescription: IGBT DISCRETE TO-220
Packaging: Tube
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP30N120B4IXYSIGBTs TO220 1200V 30A IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP30N120C3IXYSIGBTs GenX3 1200V XPT IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP30N120C3IXYSDescription: IGBT 1200V 75A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.3V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-220-3
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/130ns
Switching Energy: 2.6mJ (on), 1.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 69 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 145 A
Power - Max: 500 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP30N120C4IXYSDescription: IGBT DISCRETE TO-220
Packaging: Tube
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP30N120C4IXYSIGBTs TO220 1200V 30A IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP30N65C3IXYSDescription: DISC IGBT XPT-GENX3 TO-220AB/FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-220
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/75ns
Switching Energy: 1mJ (on), 270µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 44 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 118 A
Power - Max: 270 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP30N65C3IXYSIGBTs TO220 650V 30A XPT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP30N65C3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 30A; 270W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 270W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 59ns
Turn-off time: 0.12µs
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 118A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP35N65C5IXYSIGBTs 650V, 35A, XPT Gen5 C5 IGBT in TO-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP35N65C5IXYSDescription: IGBT TRENCH FS 650V 90A TO-220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-220 (IXYP)
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/122ns
Switching Energy: 230µJ (on), 180µJ (off)
Test Condition: 300V, 20A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 96 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 90 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 190 A
Power - Max: 326 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP48N65A5IXYSDescription: IGBT TRENCH FS 650V 130A TO-220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-220 (IXYP)
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/205ns
Switching Energy: 400µJ (on), 1.25mJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 130 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 236 A
Power - Max: 326 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP48N65A5IXYSIGBTs 650V, 48A, XPT Gen5 A5 IGBT in TO-220
на замовлення 391 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+397.77 грн
10+242.15 грн
100+184.07 грн
500+132.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP50N65C3IXYSIGBTs 650V/130A XPT C3-Class TO-220
на замовлення 577 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+549.07 грн
10+322.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP50N65C3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 145ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP50N65C3IXYSDescription: IGBT PT 650V 130A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 36A
Supplier Device Package: TO-220-3
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/80ns
Switching Energy: 1.3mJ (on), 370µJ (off)
Test Condition: 400V, 36A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 80 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 130 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 250 A
Power - Max: 600 W
на замовлення 451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+573.39 грн
50+300.25 грн
100+275.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP60N65A5IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 134A; 395W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 395W
Collector current: 134A
Pulsed collector current: 260A
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 128nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP60N65A5LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXYP60N65A5 - IGBT, 134 A, 1.23 V, 395 W, 650 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: TBA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.23
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.23
Verlustleistung Pd: 395
euEccn: NLR
Verlustleistung: 395
Bauform - Transistor: TO-220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: XPT GenX5 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 134
Betriebstemperatur, max.: 175
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 134
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+538.50 грн
5+512.47 грн
10+486.44 грн
50+413.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP60N65A5IXYSDescription: IGBT PT 650V 134A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 36A
Supplier Device Package: TO-220 (IXYP)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/230ns
Switching Energy: 600µJ (on), 1.45mJ (off)
Test Condition: 400V, 36A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 128 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 134 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 260 A
Power - Max: 395 W
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+435.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP60N65A5IXYSIGBTs XPT thin-wafer technology, 5th generation (GenX5 ) Trench IGBT. Disc IGBT XPT-GenX5 TO220
на замовлення 258 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+409.16 грн
10+222.91 грн
100+193.13 грн
500+163.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP8N90C3IXYSDescription: IGBT 900V 20A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 8A
Supplier Device Package: TO-220-3
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/40ns
Switching Energy: 460µJ (on), 180µJ (off)
Test Condition: 450V, 8A, 30Ohm, 15V
Gate Charge: 13.3 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 48 A
Power - Max: 125 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP8N90C3IXYSIGBTs XPT 900V IGBT GenX3 XPT IGBT
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+255.42 грн
10+164.37 грн
100+100.40 грн
500+94.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP8N90C3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 8A; 125W; TO220-3
Collector-emitter voltage: 900V
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Type of transistor: IGBT
Mounting: THT
Case: TO220-3
Kind of package: tube
Gate charge: 13.3nC
Turn-on time: 39ns
Turn-off time: 238ns
Collector current: 8A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 48A
Power dissipation: 125W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP8N90C3D1IXYSIGBTs XPT 900V IGBT GenX3 XPT IGBTs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP8N90C3D1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 8A; 125W; TO220-3
Collector-emitter voltage: 900V
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Type of transistor: IGBT
Mounting: THT
Case: TO220-3
Kind of package: tube
Gate charge: 13.3nC
Turn-on time: 39ns
Turn-off time: 238ns
Collector current: 8A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 48A
Power dissipation: 125W
на замовлення 106 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+285.61 грн
3+238.35 грн
10+210.66 грн
50+189.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP8N90C3D1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 900V 20A 125mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP8N90C3D1IXYSDescription: IGBT 900V 20A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 114 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 8A
Supplier Device Package: TO-220-3
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/40ns
Switching Energy: 460µJ (on), 180µJ (off)
Test Condition: 450V, 8A, 30Ohm, 15V
Gate Charge: 13.3 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 48 A
Power - Max: 125 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYQ30N65B3D1IXYSIGBTs Disc IGBT XPT-GenX3 TO-3P (3)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYQ40N65B3D1IXYSIGBT Transistors IGBT XPT-GENX3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYQ40N65C3D1IXYSDescription: IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYQ40N65C3D1IXYSIGBT Transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYR100N120C3IXYSIGBT Transistors XPT 1200V IGBT GenX3 XPT IGBTs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYR100N120C3IXYSDescription: IGBT 1200V 104A 484W ISOPLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Td (on/off) @ 25°C: 32ns/123ns
Switching Energy: 6.5mJ (on), 2.9mJ (off)
Test Condition: 600V, 100A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 270 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 104 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 480 A
Power - Max: 484 W
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2234.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYR100N65A3V1IXYSIGBT Modules Disc IGBT PT-Low Frequency ISOPLUS247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYR100N65A3V1IXYSDescription: IGBT
Packaging: Tube
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYR100N65A3V1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 100A; ISOPLUS247™
Type of transistor: IGBT
Case: ISOPLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 100A
Collector-emitter voltage: 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYR50N120C3D1IXYSIGBTs ISOPLUS 1200V 32A DIODE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYR50N120C3D1IXYSDescription: IGBT 1200V 56A ISOPLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 195 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/133ns
Switching Energy: 3mJ (on), 1mJ (off)
Test Condition: 600V, 50A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 142 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 56 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 210 A
Power - Max: 290 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYT120N65A5HVIXYSIGBTs 650V, 120A, XPT Gen5 A5 IGBT in TO-268HV
на замовлення 283 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+793.11 грн
10+468.26 грн
120+406.49 грн
510+338.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYT120N65A5HVIXYSDescription: IGBT TRENCH FS 650V 290A TO268HV
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: TO-268HV (IXYT)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.45V @ 15V, 75A
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 46ns/390ns
Switching Energy: 2.46mJ (on), 3.55mJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 314 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 290 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 790 A
Power - Max: 830 W
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+801.65 грн
30+461.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYT12N250CV1HVIXYSDescription: IGBT 2500V 28A TO268HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 16 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4.5V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-268HV (IXYT)
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/167ns
Switching Energy: 3.56mJ (on), 1.7mJ (off)
Test Condition: 1250V, 12A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 56 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 28 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 310 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYT12N250CV1HVIXYSIGBTs TO268 2500V 12A DIODE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYT20N120C3D1HVIXYSIGBTs TO268 1200V 17A DIODE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYT20N120C3D1HVIXYSDescription: IGBT 1200V 36A TO-268HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 29 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-268HV (IXYT)
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/90ns
Switching Energy: 1.3mJ (on), 1mJ (off)
Test Condition: 600V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 53 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 36 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 88 A
Power - Max: 230 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYT25N250CHVIXYSIGBTs 2500V/95A , HV XPT IGBT
на замовлення 138 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2379.32 грн
10+1772.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYT25N250CHVIXYSDescription: IGBT 2500V 95A TO-268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-268
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/230ns
Switching Energy: 8.3mJ (on), 7.3mJ (off)
Test Condition: 1250V, 25A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 147 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 95 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 235 A
Power - Max: 937 W
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2303.75 грн
30+1460.80 грн
120+1442.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYT30N450HVIXYSIGBTs TO268 4500V 30A XPT
на замовлення 252 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3702.78 грн
10+3065.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYT30N450HVIGBT 4500V 60A 430W Surface Mount TO-268HV Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYT30N450HVLittelfuseHigh Voltage XPTTMIGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYT30N450HVIXYSDescription: IGBT 4500V 60A TO-268HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-268HV (IXYT)
Td (on/off) @ 25°C: 38ns/168ns
Test Condition: 960V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 88 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 430 W
на замовлення 627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3521.13 грн
30+2449.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYT30N65C3H1HVIXYSIGBTs 650V/60A XPT Copacked TO-268HV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYT30N65C3H1HVIXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 30A; 270W; TO268HV
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; Sonic FRD™; XPT™
Power dissipation: 270W
Case: TO268HV
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 59ns
Turn-off time: 0.12µs
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 118A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYT30N65C3H1HVIXYSDescription: IGBT 650V 60A 270W TO268HV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYT40N120A4HVIXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 140A; 600W; TO268HV
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 600W
Case: TO268HV
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 275A
Collector current: 140A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYT40N120A4HVIXYSDescription: IGBT PT 1200V 140A TO268HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 32A
Supplier Device Package: TO-268HV (IXYT)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/204ns
Switching Energy: 2.3mJ (on), 3.75mJ (off)
Test Condition: 600V, 32A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 140 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 275 A
Power - Max: 600 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYT40N120A4HVIXYSIGBTs TO268 1200V 40A XPT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYT40N120A4HV-TRLLittelfuse Discrete IGBT XPT Gen 4 1200V TO268HV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYT40N120A4HV-TRLIXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 140A; 600W; TO268HV
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 600W
Case: TO268HV
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector current: 140A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYT55N120A4HVIXYSDescription: IGBT PT 1200V 175A TO-268HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 55A
Supplier Device Package: TO-268HV (IXYT)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/300ns
Switching Energy: 2.3mJ (on), 5.3mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 175 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 350 A
Power - Max: 650 W
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+960.09 грн
30+564.24 грн
120+485.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYT55N120A4HVIXYSIGBTs Discrete IGBT XPT Gen 4 1200V TO268HV
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1004.60 грн
10+604.57 грн
120+506.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYT80N90C3IXYSDescription: IGBT 900V 165A TO268AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 80A
Supplier Device Package: TO-268AA
Td (on/off) @ 25°C: 34ns/90ns
Switching Energy: 4.3mJ (on), 1.9mJ (off)
Test Condition: 450V, 80A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 145 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 165 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 360 A
Power - Max: 830 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYT80N90C3IXYSIGBTs TO268 900V 80A XPT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYT85N120A4HVIXYSIGBTs TO268 1200V 85A XPT
на замовлення 475 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1697.65 грн
10+1155.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYT85N120A4HVIXYSDescription: IGBT PT 1200V 300A TO-268HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 85A
Supplier Device Package: TO-268HV (IXYT)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/400ns
Switching Energy: 4.9mJ (on), 8.3mJ (off)
Test Condition: 600V, 60A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 200 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 520 A
Power - Max: 1150 W
на замовлення 258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1579.76 грн
30+1096.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYT90N65A5HVIXYSDescription: IGBT TRENCH FS 650V 220A TO268HV
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-268HV (IXYT)
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/436ns
Switching Energy: 1mJ (on), 3mJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 260 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 220 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 600 A
Power - Max: 650 W
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+751.45 грн
30+432.53 грн
120+368.71 грн
510+324.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYT90N65A5HVIXYSIGBTs 650V, 90A, XPT Gen5 A5 IGBT in TO-268HV
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+694.68 грн
10+519.58 грн
120+375.81 грн
510+335.37 грн
1020+298.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX100N120B3IXYSDescription: IGBT PT 1200V 225A PLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: PLUS247™-3
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/153ns
Switching Energy: 7.7mJ (on), 7.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 100A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 250 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 225 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 530 A
Power - Max: 1150 W
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1382.09 грн
30+929.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX100N120B3IXYSIGBTs PLUS247 1200V 100A GENX3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX100N120C3IXYSDescription: IGBT 1200V 188A PLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Td (on/off) @ 25°C: 32ns/123ns
Switching Energy: 6.5mJ (on), 2.9mJ (off)
Test Condition: 600V, 100A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 270 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 188 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 490 A
Power - Max: 1150 W
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2038.63 грн
30+1278.69 грн
120+1237.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX100N120C3IXYSIGBTs XPT 1200V IGBT GenX3 XPT IGBT
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2105.19 грн
10+1519.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX100N65B3D1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 100A; 830W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 830W
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Gate charge: 168nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 65ns
Turn-off time: 358ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 460A
Collector-emitter voltage: 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX100N65B3D1IXYSDescription: IGBT PT 650V 225A PLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 156 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 70A
Supplier Device Package: PLUS247™-3
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 29ns/150ns
Switching Energy: 1.27mJ (on), 1.37mJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 168 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 225 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 460 A
Power - Max: 830 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX100N65B3D1IXYSIGBTs Disc IGBT XPT-GenX3 TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX110N120A4IXYSIGBTs PLUS247 1200V 110A GENX4
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1852.21 грн
10+1174.67 грн
120+1006.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX110N120A4LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXYX110N120A4 - IGBT, 375 A, 1.45 V, 1.36 kW, 1.2 kV, PLUS247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: TBA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45
Verlustleistung Pd: 1.36
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.36
Bauform - Transistor: PLUS247
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: XPT GenX4 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 375
Betriebstemperatur, max.: 175
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 375
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3056.10 грн
5+2937.34 грн
10+2818.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX110N120A4IXYSDescription: IGBT PT 1200V 375A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 110A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 42ns/550ns
Switching Energy: 2.5mJ (on), 8.4mJ (off)
Test Condition: 600V, 50A, 1.5Ohm, 15V
Gate Charge: 305 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 375 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 900 A
Power - Max: 1360 W
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2098.24 грн
30+1312.07 грн
120+1261.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX110N120B4IXYSDescription: IGBT 1200V 340A PLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 110A
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Td (on/off) @ 25°C: 45ns/390ns
Switching Energy: 3.6mJ (on), 3.85mJ (off)
Test Condition: 600V, 50A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 340 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 340 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 800 A
Power - Max: 1360 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX110N120B4IXYSIGBTs XPT thin-wafer technology, 4th generation (Gen 4) Trench IGBT. Disc IGBT Gen 4 XPT PLUS247
на замовлення 1256 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1685.45 грн
10+1258.86 грн
120+970.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX110N120C4IXYSDescription: IGBT 1200V 310A PLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 48 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 110A
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/320ns
Switching Energy: 3.6mJ (on), 1.9mJ (off)
Test Condition: 600V, 50A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 330 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 310 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 740 A
Power - Max: 1360 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX110N120C4IXYSIGBTs XPT thin-wafer technology, 4th generation (Gen 4) Trench IGBT. Disc IGBT Gen 4 XPT PLUS247
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1685.45 грн
10+1246.03 грн
120+870.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX110N120C4LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXYX110N120C4 - IGBT, 310 A, 1.9 V, 1.36 kW, 1.2 kV, PLUS247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.9V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.36kW
Bauform - Transistor: PLUS247
Dauerkollektorstrom: 310A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XPT Gen 4 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1635.83 грн
5+1410.51 грн
10+1184.37 грн
50+890.54 грн
100+805.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX120N120B3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 900V 165A 830000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX120N120B3IXYSDescription: IGBT 1200V 320A PLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 54 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/340ns
Switching Energy: 9.7mJ (on), 21.5mJ (off)
Test Condition: 960V, 100A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 400 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 320 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 800 A
Power - Max: 1500 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX120N120B3IXYSIGBTs PLUS247 1200V 120A GENX3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX120N120C3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1200V 220A 1500W 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX120N120C3IXYSDescription: IGBT 1200V 240A PLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 120A
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/176ns
Switching Energy: 6.75mJ (on), 5.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 100A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 412 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 240 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 700 A
Power - Max: 1500 W
на замовлення 631 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2651.24 грн
30+1717.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX120N120C3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1200V 220A 1500W 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX120N120C3IXYSIGBTs PLUS247 1200V 120A GENX3
на замовлення 291 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2588.37 грн
10+1859.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX120N120C3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1200V 220A 1500W 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2557.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX140N120A4LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXYX140N120A4 - IGBT, 480 A, 1.34 V, 1.5 kW, 1.2 kV, PLUS247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.34V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5kW
Bauform - Transistor: PLUS247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XPT GenX4 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 480A
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3882.55 грн
5+3567.75 грн
10+3252.95 грн
50+2819.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX140N120A4IXYSIGBTs PLUS247 1200V 140A GENX4
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3382.29 грн
10+2509.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX140N120A4IXYSDescription: IGBT PT 1200V 480A PLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 47 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 140A
Supplier Device Package: PLUS247™-3
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 52ns/590ns
Switching Energy: 4.9mJ (on), 12mJ (off)
Test Condition: 600V, 70A, 1.5Ohm, 15V
Gate Charge: 420 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 480 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 1200 A
Power - Max: 1500 W
на замовлення 1041 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3263.85 грн
30+2122.98 грн
120+2069.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX140N90C3IXYSDescription: IGBT 900V 310A PLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 140A
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/145ns
Switching Energy: 4.3mJ (on), 4mJ (off)
Test Condition: 450V, 100A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 330 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 310 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 840 A
Power - Max: 1630 W
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1865.28 грн
30+1161.61 грн
120+1108.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX140N90C3LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXYX140N90C3 - IGBT, 310 A, 2.15 V, 1.63 kW, 900 V, PLUS247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.15V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.63kW
Bauform - Transistor: PLUS247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 900V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 310A
SVHC: To Be Advised
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1691.14 грн
5+1596.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX140N90C3IXYSIGBTs PLUS247 900V 140A GENX3
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1811.53 грн
10+1225.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX180N65A5IXYSDescription: IGBT TRENCH FS 650V 400A PLUS247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 100A
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 70ns/500ns
Switching Energy: 420µJ (on), 4.1mJ (off)
Test Condition: 300V, 100A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 654 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 400 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 1.03 kA
Power - Max: 1150 W
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1358.56 грн
30+823.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX180N65A5IXYSIGBTs 650V, 180A, XPT Gen5 A5 IGBT in PLUS247
на замовлення 399 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1422.71 грн
10+1153.82 грн
120+867.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX200N65B3IXYSDescription: IGBT 650V 410A PLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 108 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Td (on/off) @ 25°C: 60ns/370ns
Switching Energy: 5mJ (on), 4mJ (off)
Test Condition: 400V, 100A, 0Ohm, 15V
Gate Charge: 340 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 410 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 1100 A
Power - Max: 1560 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX200N65B3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 200A; 1.56kW; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 200A
Power dissipation: 1.56kW
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 1.1kA
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 340nC
Turn-on time: 170ns
Technology: GenX3™; XPT™
Turn-off time: 700ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX200N65B3IXYSIGBTs PLUS247 650V 200A GENX3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX200N65B5IXYSDescription: IGBT TRENCH FS 650V 470A PLUS247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.45V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: PLUS247™-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 77ns/470ns
Switching Energy: 600µJ (on), 3.4mJ (off)
Test Condition: 300V, 100A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 790 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 470 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 1.13 kA
Power - Max: 1.61 kW
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1855.87 грн
30+1148.87 грн
120+1021.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX200N65B5IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 200A; 1.61kW; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 200A
Power dissipation: 1.61kW
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 1.13kA
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX200N65B5IXYSIGBTs 650V, 200A, XPT Gen5 B5 IGBT in PLUS247
на замовлення 685 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1813.97 грн
10+1149.81 грн
120+981.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX220N65A5IXYSIGBTs 650V, 220A, XPT Gen5 A5 IGBT in PLUS247
на замовлення 603 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1922.97 грн
10+1257.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX220N65A5IXYSDescription: IGBT TRENCH FS 650V 510A PLUS247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 100A
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 64ns/540ns
Switching Energy: 1.3mJ (on), 7.95mJ (off)
Test Condition: 300V, 100A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 750 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 510 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 1.18 kA
Power - Max: 1.61 kW
на замовлення 299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1832.33 грн
30+1134.59 грн
120+1009.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX25N250CV1IXYSDescription: IGBT 2500V 95A PLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 220 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/230ns
Switching Energy: 8.3mJ (on), 7.3mJ (off)
Test Condition: 1250V, 25A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 147 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 95 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 235 A
Power - Max: 937 W
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2018.23 грн
30+1574.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX25N250CV1IXYSIGBTs 2500V/95A , HV XPT IGBT Copacked
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX25N250CV1HVIXYSDescription: IGBT 2500V 95A PLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 220 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/230ns
Switching Energy: 8.3mJ (on), 7.3mJ (off)
Test Condition: 1250V, 25A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 147 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 95 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 235 A
Power - Max: 937 W
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4119.61 грн
30+2956.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX25N250CV1HVIXYSIGBTs 2500V/95A , HV XPT IGBT Copacked
на замовлення 201 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4254.30 грн
10+3633.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX300N65A3IXYSDescription: IGBT PT 650V 600A PLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 125 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: PLUS247™-3
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 42ns/190ns
Switching Energy: 7.8mJ (on), 4.7mJ (off)
Test Condition: 400V, 100A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 565 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 600 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 1460 A
Power - Max: 2300 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX300N65A3IXYSIGBTs TO247 650V 300A IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX30N170CV1IXYSDescription: IGBT 1700V 108A PLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 160 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/150ns
Switching Energy: 5.9mJ (on), 3.3mJ (off)
Test Condition: 850V, 30A, 2.7Ohm, 15V
Gate Charge: 140 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 108 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 255 A
Power - Max: 937 W
на замовлення 1981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2131.19 грн
30+1576.01 грн
120+1492.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX30N170CV1IXYSIGBTs 1700V/108A High Voltage XPT IGBT
на замовлення 936 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2413.48 грн
10+1990.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX40N250CHVIXYSIGBTs TO247 2500V 40A IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX40N250CHVIXYSDescription: IGBT 2500V 70A TO-247PLUS-HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247PLUS-HV
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/200ns
Switching Energy: 11.7mJ (on), 6.9mJ (off)
Test Condition: 1250V, 40A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 270 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 380 A
Power - Max: 1500 W
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2983.03 грн
30+1942.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX40N450HVLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXYX40N450HV - TRANSISTOR, IGBT/4.5KV/95A/TO-247PLUS-HV
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.2V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 660W
Bauform - Transistor: TO-247PLUS-HV
Dauerkollektorstrom: 95A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XPT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.5kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
directShipCharge: 25
на замовлення 103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5283.30 грн
5+4968.50 грн
10+4653.70 грн
25+4028.22 грн
50+3448.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX40N450HVIXYSDescription: IGBT 4500V 95A TO-247PLUS-HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247PLUS-HV
Td (on/off) @ 25°C: 36ns/110ns
Test Condition: 960V, 40A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 170 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 95 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 350 A
Power - Max: 660 W
на замовлення 398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4853.80 грн
30+3559.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX40N450HVIXYSIGBTs High Voltage XPT IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX50N170CIXYSIGBTs PLUS247 1700V 50A XPT
на замовлення 807 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2167.01 грн
10+1753.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX50N170CLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXYX50N170C - IGBT, 178 A, 2.8 V, 1.5 kW, 1.7 kV, PLUS247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.8V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5kW
Bauform - Transistor: PLUS247
Dauerkollektorstrom: 178A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2065.33 грн
5+1920.53 грн
10+1776.56 грн
50+1515.21 грн
100+1274.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX50N170CIXYSDescription: IGBT 1700V 178A PLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 44 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/180ns
Switching Energy: 8.7mJ (on), 5.6mJ (off)
Test Condition: 850V, 50A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 260 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 178 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 460 A
Power - Max: 1500 W
на замовлення 870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1846.45 грн
30+1137.87 грн
120+1062.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYY8N90C3IXYSDescription: IGBT 900V 20A TO-252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 8A
Supplier Device Package: TO-252AA
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/40ns
Switching Energy: 460µJ (on), 180µJ (off)
Test Condition: 450V, 8A, 30Ohm, 15V
Gate Charge: 13.3 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 48 A
Power - Max: 125 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYY8N90C3IXYSIGBTs 900V 8A 2.5V XPT IGBTs GenX3
на замовлення 334 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+283.89 грн
70+122.68 грн
560+89.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXYY8N90C3-TRLIXYSDescription: IGBT PT 900V 20A TO-252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 20 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 8A
Supplier Device Package: TO-252AA
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/40ns
Switching Energy: 460µJ (on), 180µJ (off)
Test Condition: 450V, 8A, 30Ohm, 15V
Gate Charge: 13.3 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 48 A
Power - Max: 125 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYY8N90C3-TRLIXYSIGBTs IXYY8N90C3 TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.