Продукція > IPW

Обрати Сторінку:   1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IPW30N65FFDFKSA1Infineon TechnologiesMOSFET IGBT PRODUCTS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW30N65FFKSA1Infineon TechnologiesMOSFET IGBT PRODUCTS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW30N65HFDFKSA1Infineon TechnologiesMOSFET IGBT PRODUCTS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW30N65HFKSA1Infineon TechnologiesMOSFET IGBT PRODUCTS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW35N65FFDFKSA1Infineon TechnologiesMOSFET IGBT PRODUCTS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW35N65FFKSA1Infineon TechnologiesMOSFET IGBT PRODUCTS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW35N65HFDFKSA1Infineon TechnologiesMOSFET IGBT PRODUCTS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW35N65HFKSA1Infineon TechnologiesMOSFET IGBT PRODUCTS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW40N65FFDFKSA1Infineon TechnologiesMOSFET IGBT PRODUCTS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW40N65FFKSA1Infineon TechnologiesMOSFET IGBT PRODUCTS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW40N65HFDFKSA1Infineon TechnologiesMOSFET IGBT PRODUCTS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW40N65HFKSA1Infineon TechnologiesMOSFET IGBT PRODUCTS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW50R140CPInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 500V 23A TO247-3 CoolMOS CP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW50R140CPINFINEON
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW50R140CPFKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 16681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
108+330.02 грн
500+313.51 грн
1000+295.83 грн
10000+268.22 грн
Мінімальне замовлення: 108 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW50R140CPFKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 550V 23A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 930µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2540 pF @ 100 V
на замовлення 17881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
81+249.80 грн
Мінімальне замовлення: 81 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW50R140CPFKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
108+330.02 грн
Мінімальне замовлення: 108 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW50R140CPFKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 550V 23A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 930µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2540 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW50R140CPFKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPW50R140CPFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 550 V, 23 A, 0.13 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 550V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 192W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW50R140CPFKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
108+330.02 грн
Мінімальне замовлення: 108 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW50R140CPFKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_LEGACY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW50R190CEInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 500V 63A TO247-3
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW50R190CEInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Power Dissipation (Max): 152W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 6.2A, 13V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1137 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 510µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW50R190CEFKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 500V 63A TO247-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW50R190CEFKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 18.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 6.2A, 13V
Power Dissipation (Max): 127W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 510µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1137 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW50R199CPInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 500V 17A TO247-3 CoolMOS CP
на замовлення 262 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW50R199CPInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 9.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 660µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW50R199CPFKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 550V 17A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 9.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 660µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW50R250CPInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 500V 13A TO247-3 CoolMOS CP
на замовлення 167 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW50R250CPINFTO-247
на замовлення 25440 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW50R250CPFKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 13A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 520µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW50R250CPFKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 500V 13A TO247-3 CoolMOS CP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW50R250CPFKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW50R280CEInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 500V 13A TO247-3 CoolMOS CE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW50R280CEInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 350µA
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.2A, 13V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 773 pF @ 100 V
на замовлення 101641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
392+57.12 грн
Мінімальне замовлення: 392 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW50R280CEFKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 13A TO247-3
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 350µA
Power Dissipation (Max): 92W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.2A, 13V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 773 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW50R299CPInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 500V 12A TO247-3 CoolMOS CP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW50R299CPINFTO-247
на замовлення 21120 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW50R299CPInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Bulk
на замовлення 9838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+97.98 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW50R299CPFKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 550V 12A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW50R299CPFKSA1Infineon TechnologiesMOSFET LOW POWER_LEGACY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW50R350CPInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 370µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 100 V
на замовлення 4320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
245+96.41 грн
Мінімальне замовлення: 245 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW50R350CPInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 500V 10A TO247-3 CoolMOS CP
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW50R350CPINFTO-247
на замовлення 49920 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW50R350CPFKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 550V 10A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 370µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW50R399CPINFTO-247
на замовлення 25920 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW50R399CPInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 500V 9A TO247-3 CoolMOS CP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW50R399CPFKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 560V 9A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 560 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 330µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 399mOhm @ 4.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW50R399CPFKSA1Infineon TechnologiesMOSFET LOW POWER_LEGACY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW50R399CPFKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 560V 9A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 399mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 330µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 560 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 100 V
на замовлення 5520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
251+86.85 грн
Мінімальне замовлення: 251 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R016CM8Infineon Technologies HIGH POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R016CM8XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 123A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R016CM8XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPW60R016CM8XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 123 A, 0.016 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 123A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
Verlustleistung: 521W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CM8 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R016CM8XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 123A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1065.30 грн
30+932.05 грн
120+900.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R016CM8XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 123A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R016CM8XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IPW60R016CM8XKSA1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 123A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 62.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 521W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 1.48mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-U06
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 171 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7545 pF @ 400 V
на замовлення 161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1232.16 грн
30+734.20 грн
60+680.43 грн
120+596.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R016CM8XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 656 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R016CM8XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 123A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+1065.30 грн
30+932.05 грн
120+900.78 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R017C7Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R017C7InfineonIPW60R017C7XKSA1 Trans MOSFET N-CH 600V 109A TO-247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R017C7Infineon
на замовлення 17097 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R017C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 109A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+1887.02 грн
12+1225.93 грн
100+1127.16 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R017C7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: HIGH POWER_NEW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 109A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 58.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.91mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9890 pF @ 400 V
на замовлення 1499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1511.98 грн
30+917.34 грн
120+799.45 грн
510+727.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R017C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 109A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1974.89 грн
10+1306.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R017C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 109A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R017C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 109A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+1964.78 грн
11+1299.57 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R017C7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 126 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R017C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 109A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1887.02 грн
10+1225.93 грн
100+1127.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R017C7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPW60R017C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 109 A, 0.017 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 109A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 446W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R017C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 109A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R017C7XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 109A; 446W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: THT
Power dissipation: 446W
Gate charge: 240nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 109A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Case: TO247
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1151.53 грн
2+1001.35 грн
5+986.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R018CFD7InfineonIPW60R018CFD7XKSA1 TO-247-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R018CFD7Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R018CFD7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 101A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R018CFD7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 101A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1457.27 грн
25+884.07 грн
100+841.73 грн
240+810.82 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R018CFD7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 101A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R018CFD7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPW60R018CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 101 A, 0.015 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 101A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 416W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R018CFD7XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R018CFD7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 101A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 89520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+1121.20 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R018CFD7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N CH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 101A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 58.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 416W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.91mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 251 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9901 pF @ 400 V
на замовлення 844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1337.97 грн
30+802.71 грн
120+696.48 грн
510+621.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R018CFD7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 101A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1457.27 грн
25+884.07 грн
100+841.73 грн
240+810.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R018CFD7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R024CFD7Infineon TechnologiesIPW60R024CFD7
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+1780.36 грн
10+1726.03 грн
20+1619.68 грн
50+1464.13 грн
100+1376.04 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R024CFD7Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R024CFD7Infineon
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R024CFD7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPW60R024CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 77 A, 0.024 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 320W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
на замовлення 470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R024CFD7XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R024CFD7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 77A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+772.39 грн
30+722.86 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R024CFD7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 373 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R024CFD7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 77A TO247-3-41
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 42.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 320W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.12mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 183 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7268 pF @ 400 V
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1081.66 грн
30+638.02 грн
120+549.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R024CFD7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 77A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+772.39 грн
30+722.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R024CFD7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 77A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R024CFD7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 77A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+872.18 грн
100+828.57 грн
500+784.96 грн
1000+714.88 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R024CFD7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 77A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R024CM8XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 91A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1262.84 грн
30+761.87 грн
120+741.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R024CM8XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 91A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R024CM8XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPW60R024CM8XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 91 A, 0.024 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 91A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
Verlustleistung: 431W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CM8 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R024CM8XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 91A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R024CM8XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs 600V CoolMOS CM8 Power Transistor
на замовлення 2640 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R024CM8XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IPW60R024CM8XKSA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 91A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 41.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 431W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 1.06mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-U06
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5382 pF @ 400 V
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+921.77 грн
30+535.62 грн
120+458.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12  [ Наступна Сторінка >> ]