Продукція > IPW

MOSFET IGBT PRODUCTS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW30N65FFKSA1

MOSFET IGBT PRODUCTS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW30N65HFDFKSA1

MOSFET IGBT PRODUCTS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW30N65HFKSA1

MOSFET IGBT PRODUCTS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW35N65FFDFKSA1

MOSFET IGBT PRODUCTS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW35N65FFKSA1

MOSFET IGBT PRODUCTS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW35N65HFDFKSA1

MOSFET IGBT PRODUCTS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW35N65HFKSA1

MOSFET IGBT PRODUCTS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW40N65FFDFKSA1

MOSFET IGBT PRODUCTS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW40N65FFKSA1

MOSFET IGBT PRODUCTS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW40N65HFDFKSA1

MOSFET IGBT PRODUCTS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW40N65HFKSA1

MOSFET IGBT PRODUCTS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW50R140CP

на замовлення 1 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW50R140CP

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW50R140CP

MOSFETs N-Ch 500V 23A TO247-3 CoolMOS CP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW50R140CPFKSA1

Description: INFINEON - IPW50R140CPFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 550 V, 23 A, 0.13 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 550V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 192W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW50R140CPFKSA1

MOSFETs HIGH POWER_LEGACY

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW50R140CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 500V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 16681 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

102+	299.94 грн

Мінімальне замовлення: 102

В кошику од. на суму грн.

IPW50R140CPFKSA1

Description: MOSFET N-CH 550V 23A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 930µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2540 pF @ 100 V

на замовлення 16681 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

98+	217.27 грн

Мінімальне замовлення: 98

В кошику од. на суму грн.

IPW50R140CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 500V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW50R140CPFKSA1

Description: MOSFET N-CH 550V 23A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 930µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2540 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW50R190CE

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 6.2A, 13V
Power Dissipation (Max): 152W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 510µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1137 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW50R190CE

MOSFET N-Ch 500V 63A TO247-3

на замовлення 54 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW50R190CEFKSA1

MOSFET N-Ch 500V 63A TO247-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW50R190CEFKSA1

Description: MOSFET N-CH 500V 18.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 6.2A, 13V
Power Dissipation (Max): 127W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 510µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1137 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW50R199CP

MOSFET N-Ch 500V 17A TO247-3 CoolMOS CP

на замовлення 262 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW50R199CP

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 9.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 660µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW50R199CPFKSA1

Description: MOSFET N-CH 550V 17A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 9.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 660µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW50R250CP

MOSFETs N-Ch 500V 13A TO247-3 CoolMOS CP

на замовлення 226 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	281.28 грн
10+	232.77 грн
25+	191.24 грн
100+	162.97 грн
240+	153.29 грн
480+	145.11 грн
1200+	124.27 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW50R250CP

TO-247

на замовлення 25440 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW50R250CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 500V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW50R250CPFKSA1

MOSFETs N-Ch 500V 13A TO247-3 CoolMOS CP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW50R250CPFKSA1

Description: MOSFET N-CH 500V 13A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 520µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW50R250CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 500V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW50R280CE

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.2A, 13V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 350µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 773 pF @ 100 V

на замовлення 101641 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

392+	58.67 грн

Мінімальне замовлення: 392

В кошику од. на суму грн.

IPW50R280CE

MOSFET N-Ch 500V 13A TO247-3 CoolMOS CE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW50R280CEFKSA1

IPW50R280CEFKSA1 THT N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW50R280CEFKSA1

Description: MOSFET N-CH 500V 13A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.2A, 13V
Power Dissipation (Max): 92W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 350µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 773 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW50R299CP

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 100 V

на замовлення 9838 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	100.62 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPW50R299CP

MOSFET N-Ch 500V 12A TO247-3 CoolMOS CP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW50R299CP

TO-247

на замовлення 21120 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW50R299CPFKSA1

MOSFET LOW POWER_LEGACY

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW50R299CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW50R299CPFKSA1

Description: MOSFET N-CH 550V 12A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW50R350CP

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 370µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 100 V

на замовлення 4320 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

245+	99.01 грн

Мінімальне замовлення: 245

В кошику од. на суму грн.

IPW50R350CP

TO-247

на замовлення 49920 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW50R350CP

MOSFET N-Ch 500V 10A TO247-3 CoolMOS CP

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW50R350CPFKSA1

Description: MOSFET N-CH 550V 10A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 370µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW50R399CP

TO-247

на замовлення 25920 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW50R399CP

MOSFET N-Ch 500V 9A TO247-3 CoolMOS CP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW50R399CPFKSA1

Description: MOSFET N-CH 560V 9A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 399mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 330µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 560 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 100 V

на замовлення 5520 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

251+	89.20 грн

Мінімальне замовлення: 251

В кошику од. на суму грн.

IPW50R399CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 500V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW50R399CPFKSA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW50R399CPFKSA1

MOSFET LOW POWER_LEGACY

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R016CM8XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 123A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 28 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	967.09 грн
10+	957.42 грн
25+	947.83 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R016CM8XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 449 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	933.27 грн
10+	807.84 грн
100+	607.22 грн
240+	587.87 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R016CM8XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 123A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 28 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	1031.07 грн
25+	1020.74 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

IPW60R016CM8XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 123A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R016CM8XKSA1

Description: INFINEON - IPW60R016CM8XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 123 A, 0.016 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 123A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 521W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CM8 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1010.07 грн
5+	914.91 грн
10+	818.91 грн
50+	677.48 грн
100+	598.89 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R016CM8XKSA1

Description: IPW60R016CM8XKSA1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 123A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 62.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 521W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 1.48mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-U06
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 171 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7545 pF @ 400 V

на замовлення 133 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	817.03 грн
30+	618.80 грн
120+	564.69 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R016CM8XKSA1

IPW60R016CM8XKSA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R017C7

на замовлення 17097 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R017C7

MOSFETs HIGH POWER_NEW

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R017C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 109A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 224 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1316.63 грн
10+	1007.30 грн
100+	830.67 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R017C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 109A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R017C7XKSA1

Description: INFINEON - IPW60R017C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 109 A, 0.015 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 109A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 446W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 373 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1599.42 грн
5+	1583.56 грн
10+	1567.70 грн
50+	916.22 грн
100+	786.35 грн
250+	785.64 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R017C7XKSA1

Description: HIGH POWER_NEW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 109A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 58.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.91mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9890 pF @ 400 V

на замовлення 33 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1460.19 грн
30+	972.21 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R017C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 109A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 224 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	1424.21 грн
12+	1089.61 грн
100+	898.55 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

IPW60R017C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 109A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 223 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	849.93 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R017C7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 631 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1479.35 грн
25+	886.57 грн
100+	748.60 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R017C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 109A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 528 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	1453.95 грн
10+	1423.45 грн
50+	1413.28 грн
200+	1294.18 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

IPW60R018CFD7

MOSFETs HIGH POWER_NEW

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R018CFD7XKSA1

Description: MOSFET N CH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 101A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 58.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 416W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.91mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 251 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9901 pF @ 400 V

на замовлення 607 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1294.37 грн
30+	773.31 грн
120+	697.02 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R018CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 101A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R018CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 101A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 19 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	1472.25 грн
11+	1168.14 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

IPW60R018CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 101A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R018CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 101A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R018CFD7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 180 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1311.79 грн
25+	751.36 грн
100+	643.68 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R018CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 101A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	1150.99 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPW60R018CFD7XKSA1

Description: INFINEON - IPW60R018CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 101 A, 0.015 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 101A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 416W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 161 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1301.41 грн
5+	1285.55 грн
10+	1268.85 грн
50+	686.78 грн
100+	588.87 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R024CFD7

IPW60R024CFD7

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	1458.73 грн
10+	1414.21 грн
20+	1327.07 грн
50+	1199.63 грн
100+	1127.46 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

IPW60R024CFD7

на замовлення 150 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R024CFD7

MOSFET HIGH POWER_NEW

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R024CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 77A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 87 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	1065.49 грн
25+	1016.29 грн
50+	975.40 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

IPW60R024CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 77A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	1099.31 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

IPW60R024CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 77A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 426 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	1000.48 грн
15+	837.80 грн
16+	805.71 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

IPW60R024CFD7XKSA1

Description: INFINEON - IPW60R024CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 77 A, 0.019 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 320W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 146 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1053.48 грн
5+	934.11 грн
10+	814.74 грн
50+	723.21 грн
100+	636.09 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R024CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 77A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R024CFD7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 77A TO247-3-41
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 42.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 320W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.12mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 183 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7268 pF @ 400 V

на замовлення 156 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1084.28 грн
30+	636.52 грн
120+	547.16 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R024CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 77A Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R024CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 77A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R024CFD7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 187 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1104.30 грн
25+	660.65 грн
100+	495.60 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R024CM8XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 91A Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R024CM8XKSA1

MOSFETs 600V CoolMOS CM8 Power Transistor

на замовлення 232 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	914.17 грн
10+	771.89 грн
100+	558.85 грн
240+	526.11 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R024CM8XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 91A Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	724.17 грн
19+	643.72 грн
25+	617.94 грн
100+	578.38 грн

Мінімальне замовлення: 17

В кошику од. на суму грн.

IPW60R024CM8XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 91A Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	672.44 грн
10+	597.74 грн
25+	573.80 грн
100+	537.07 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R024P7

MOSFET HIGH POWER_NEW

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R024P7XKSA1

Description: INFINEON - IPW60R024P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 101 A, 0.02 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 101A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 291W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 607 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	955.81 грн
5+	916.58 грн
10+	876.51 грн
50+	583.68 грн
100+	511.59 грн
250+	483.69 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R024P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 101A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R024P7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 101A TO247-3-41
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 101A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 42.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 291W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.03mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7144 pF @ 400 V

на замовлення 537 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	999.76 грн
30+	582.83 грн
120+	499.52 грн
510+	451.07 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R024P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 101A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 192 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	784.93 грн
50+	742.19 грн
100+	685.40 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

IPW60R024P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 101A Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R024P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 101A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R024P7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 417 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	992.31 грн
10+	949.04 грн
25+	491.88 грн
100+	433.83 грн
240+	433.09 грн
480+	426.39 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R024P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 101A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 1680 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	787.17 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPW60R024P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 101A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 4800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	686.10 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPW60R031CFD7

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 40A; 278W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 40A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 141nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

на замовлення 25 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	832.27 грн
2+	678.25 грн
4+	641.82 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R031CFD7

MOSFETs HIGH POWER_NEW

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R031CFD7

Description: 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER MOS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 32.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.63mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5623 pF @ 400 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R031CFD7

на замовлення 25 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	998.72 грн
2+	845.20 грн
4+	770.18 грн
30+	740.42 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R031CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R031CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 720 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	557.16 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPW60R031CFD7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 63A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 32.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.63mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5623 pF @ 400 V

на замовлення 202 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	834.74 грн
30+	480.05 грн
120+	409.04 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R031CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R031CFD7XKSA1

Description: INFINEON - IPW60R031CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 63 A, 0.026 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	853.97 грн
5+	829.76 грн
10+	805.55 грн
50+	479.04 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R031CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 334 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	813.40 грн
50+	579.15 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

IPW60R031CFD7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 1052 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	785.69 грн
10+	664.07 грн
25+	414.48 грн
100+	382.49 грн
240+	381.74 грн
1200+	367.60 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R031CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 198 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	414.11 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R037CM8XKSA1

Description: IPW60R037CM8XKSA1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 329W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 680µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-U06
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3458 pF @ 400 V

на замовлення 115 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	570.71 грн
30+	411.32 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R037CM8XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 97 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

27+	464.37 грн

Мінімальне замовлення: 27

В кошику од. на суму грн.

IPW60R037CM8XKSA1

Description: INFINEON - IPW60R037CM8XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 64 A, 0.037 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 329W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: CoolMOS CM8 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	788.86 грн
5+	634.43 грн
10+	531.75 грн
50+	454.23 грн
100+	380.66 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R037CM8XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R037CM8XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 598 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	586.01 грн
10+	484.36 грн
100+	351.23 грн
480+	309.56 грн
1200+	278.31 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R037CM8XKSA1

IPW60R037CM8XKSA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R037CM8XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

28+	445.74 грн
35+	348.62 грн

Мінімальне замовлення: 28

В кошику од. на суму грн.

IPW60R037CM8XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 97 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	431.20 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R037CSFD

MOSFET HIGH POWER_NEW

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R037CSFD

на замовлення 112282 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R037CSFDXKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 54A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 110160 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	509.62 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPW60R037CSFDXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 25A; 245W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 25A
Power dissipation: 245W
Case: TO247-3
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 136nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R037CSFDXKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 54A Automotive Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R037CSFDXKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 54A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R037CSFDXKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 54A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	870.34 грн
17+	741.21 грн
50+	710.71 грн
100+	638.26 грн
200+	565.57 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

IPW60R037CSFDXKSA1

Description: MOSFET N CH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 32.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.63mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5623 pF @ 400 V

на замовлення 107 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	781.61 грн
30+	446.82 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R037CSFDXKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	758.77 грн
10+	747.08 грн
25+	370.58 грн
100+	337.84 грн
240+	337.09 грн
480+	316.26 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R037CSFDXKSA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R037CSFDXKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 54A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R037CSFDXKSA1

Description: INFINEON - IPW60R037CSFDXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 54 A, 0.031 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CSFD
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 209 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	698.70 грн
5+	668.65 грн
10+	638.60 грн
50+	406.18 грн
100+	332.72 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R037P7

Infineon HIGH POWER_NEW

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R037P7

Trans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	937.09 грн
25+	893.82 грн
50+	857.85 грн
100+	798.05 грн

Мінімальне замовлення: 14

В кошику од. на суму грн.

IPW60R037P7

на замовлення 4920 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R037P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 960 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	343.09 грн
480+	337.24 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPW60R037P7XKSA1
Код товару: 173232

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R037P7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 76A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 29.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.48mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5243 pF @ 400 V

на замовлення 3994 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	589.23 грн
30+	310.55 грн
120+	298.39 грн
510+	267.47 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R037P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R037P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 1002 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	318.59 грн
480+	313.15 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPW60R037P7XKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48A; 255W; PG-TO247-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Power dissipation: 255W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 121nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R037P7XKSA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R037P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 20 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R037P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 93 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	611.68 грн
50+	339.19 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

IPW60R037P7XKSA1

Description: INFINEON - IPW60R037P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 76 A, 0.03 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 255W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 29 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	686.18 грн
5+	684.51 грн
10+	682.84 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R037P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 117840 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	452.01 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPW60R037P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 2310 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	335.98 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R037P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 49920 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	421.37 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPW60R037P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 140 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	559.62 грн
23+	535.22 грн
50+	402.63 грн
100+	387.47 грн

Мінімальне замовлення: 22

В кошику од. на суму грн.

IPW60R037P7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 4408 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	676.30 грн
10+	637.54 грн
25+	307.33 грн
100+	302.12 грн
240+	299.14 грн
480+	296.17 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R037P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 20 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	336.11 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R040C7

MOSFET HIGH POWER_NEW

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R040C7

Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	579.06 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPW60R040C7

на замовлення 40810 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R040C7XKSA1

Description: INFINEON - IPW60R040C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.034 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 128 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	885.69 грн
5+	862.32 грн
10+	838.11 грн
50+	492.99 грн
100+	387.81 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R040C7XKSA1

MOSFETs Y

на замовлення 370 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	916.78 грн
10+	643.53 грн
100+	420.44 грн
480+	416.72 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R040C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 420 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

26+	477.60 грн
30+	443.25 грн
120+	421.05 грн

Мінімальне замовлення: 26

В кошику од. на суму грн.

IPW60R040C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R040C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 180 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	428.00 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R040C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 1114 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	799.57 грн
50+	667.70 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

IPW60R040C7XKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 227W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 227W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R040C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 420 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	444.61 грн
30+	412.62 грн
120+	391.96 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R040C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 472 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	715.30 грн
25+	682.27 грн
50+	654.81 грн
100+	609.17 грн
250+	546.55 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

IPW60R040C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R040C7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 50A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 24.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.24mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 400 V

на замовлення 790 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	852.45 грн
30+	465.09 грн
120+	419.22 грн
510+	381.34 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R040C7XKSA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R040C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 180 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	628.62 грн
25+	627.55 грн
100+	510.57 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

IPW60R040CFD7

MOSFET HIGH POWER_NEW

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R040CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 235 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	955.74 грн
18+	708.67 грн
50+	662.92 грн
100+	565.71 грн
200+	489.31 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

IPW60R040CFD7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 327 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	709.29 грн
10+	695.73 грн
25+	345.28 грн
100+	313.28 грн
240+	312.54 грн
480+	289.47 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R040CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R040CFD7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 50A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 24.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.25mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4354 pF @ 400 V

на замовлення 247 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	608.55 грн
30+	331.94 грн
120+	301.54 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R040CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R040CFD7XKSA1

Description: INFINEON - IPW60R040CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.031 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 84 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	665.31 грн
5+	636.09 грн
10+	606.88 грн
50+	395.32 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R040CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R040CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 376 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	624.69 грн
25+	498.61 грн
50+	405.97 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

IPW60R041C6

Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 96mOhm; 77,5A; 481W; -55°C ~ 150°C; IPW60R041C6FKSA1 IPW60R041C6 TIPW60r041c6
кількість в упаковці: 2 шт

на замовлення 2 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

2+	1208.79 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R041C6

MOSFETs N-Ch 650V 77.5A TO247-3 CoolMOS C6

на замовлення 110 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1099.09 грн
10+	879.72 грн
25+	712.14 грн
50+	680.89 грн
100+	652.61 грн
240+	619.12 грн
480+	592.33 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R041C6

Description: 600V, 0.041OHM, N-CHANNEL MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R041C6FKSA1

Description: INFINEON - IPW60R041C6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 77.5 A, 0.037 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 481W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 191 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1061.83 грн
5+	962.49 грн
10+	862.32 грн
50+	666.62 грн
100+	539.50 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R041C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 77.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R041C6FKSA1

MOSFETs N-Ch 650V 77.5A TO247-3 CoolMOS C6

на замовлення 14 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1152.92 грн
10+	1064.56 грн
25+	636.98 грн
100+	580.43 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R041C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 77.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 164 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	646.78 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R041C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 77.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

37+	830.68 грн
100+	797.13 грн

Мінімальне замовлення: 37

В кошику од. на суму грн.

IPW60R041C6FKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 77.5A; 481W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 77.5A
Power dissipation: 481W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R041C6FKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 77.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 44.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 481W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 2.96mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 290 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6530 pF @ 10 V

на замовлення 204 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1126.13 грн
30+	664.63 грн
120+	583.06 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R041C6FKSA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R041C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 77.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R041C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 77.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 3499 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

37+	830.68 грн
100+	797.13 грн
500+	763.58 грн
1000+	695.13 грн

Мінімальне замовлення: 37

В кошику од. на суму грн.

IPW60R041P6

MOSFETs HIGH POWER PRICE/PERFORM

на замовлення 206 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	844.72 грн
10+	712.85 грн
100+	552.15 грн
240+	468.81 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R041P6

Trans MOSFET N-CH 600V 77.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	1243.41 грн
20+	1210.01 грн
50+	1139.12 грн
100+	1032.59 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

IPW60R041P6

на замовлення 230 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R041P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 77.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	514.82 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R041P6FKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 77.5A; 481W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 77.5A
Power dissipation: 481W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R041P6FKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 77.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 35.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 481W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.96mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8180 pF @ 100 V

на замовлення 173 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	869.35 грн
30+	503.33 грн
120+	445.41 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R041P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 77.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R041P6FKSA1

MOSFETs HIGH POWER PRICE/PERFORM

на замовлення 495 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	944.56 грн
10+	872.02 грн
25+	485.92 грн
100+	419.69 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R041P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 77.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R041P6FKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 77.5A; 481W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 77.5A
Power dissipation: 481W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R041P6FKSA1

Description: INFINEON - IPW60R041P6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 77.5 A, 0.037 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 481W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 673 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	875.67 грн
5+	813.07 грн
10+	750.46 грн
50+	481.36 грн
100+	400.69 грн
250+	399.97 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045

SMD

на замовлення 50 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045C

на замовлення 1440 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045CP

MOSFETs N-Ch 650V 60A TO247-3 CoolMOS CP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045CP
Код товару: 105994

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045CPA

MOSFETs N-Ch 600V 60A TO247-3 CoolMOS CPA

на замовлення 267 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1218.03 грн
10+	1190.36 грн
25+	675.68 грн
100+	665.26 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045CPA

Trans MOSFET N-CH 600V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	1815.30 грн
10+	1759.90 грн
20+	1651.46 грн
50+	1492.86 грн
100+	1403.05 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045CPAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 98 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	703.27 грн
3+	261.03 грн
10+	258.39 грн
25+	246.83 грн
50+	227.60 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045CPAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	948.04 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045CPAFKSA1

MOSFETs Y

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045CPAFKSA1

Description: INFINEON - IPW60R045CPAFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 60 A, 0.04 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 431W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 487 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1328.95 грн
5+	1304.75 грн
10+	1280.54 грн
50+	757.32 грн
100+	663.28 грн
250+	662.57 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045CPAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045CPAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	1092.40 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045CPAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 60A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045CPAFKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 431W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1088 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1155.11 грн
30+	688.17 грн
120+	616.70 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 8 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045CPFKSA1

MOSFETs N-Ch 650V 60A TO247-3 CoolMOS CP

на замовлення 122 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1178.96 грн
10+	1161.26 грн
25+	661.54 грн
100+	622.10 грн
240+	621.36 грн
480+	620.61 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045CPFKSA1

Description: INFINEON - IPW60R045CPFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 60 A, 0.04 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 431W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 388 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1116.09 грн
5+	1050.14 грн
10+	983.36 грн
50+	692.20 грн
100+	612.48 грн
250+	611.77 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 1572 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	721.48 грн
30+	678.77 грн
120+	668.50 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 380 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	777.00 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045CPFKSA1
Код товару: 211767

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

очікується 2 шт:

2 шт - очікується

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045CPFKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 431W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 100 V

на замовлення 1481 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1049.66 грн
30+	637.79 грн
120+	599.42 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 8 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	721.48 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045CPFKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 60A; 431W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Power dissipation: 431W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045CPFKSA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 1572 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	776.54 грн
30+	730.56 грн
120+	719.52 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045CPXK

MOSFETs N-Ch 650V 60A TO247-3 CoolMOS CP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 180 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	561.23 грн
10+	555.64 грн
25+	327.82 грн
50+	312.93 грн
100+	246.23 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045P7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 575 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	615.53 грн
25+	350.01 грн
100+	255.98 грн
240+	255.24 грн
480+	229.19 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045P7XKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

на замовлення 180 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

30+	363.96 грн
90+	303.86 грн

Мінімальне замовлення: 30

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 81360 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	327.33 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 61A Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	260.45 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 16560 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	327.33 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 180 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	601.59 грн
35+	354.94 грн
50+	338.82 грн
100+	266.60 грн

Мінімальне замовлення: 21

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045P7XKSA1

Description: INFINEON - IPW60R045P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 61 A, 0.045 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 201W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 339 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	606.04 грн
10+	573.49 грн
100+	306.36 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 273 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	557.99 грн
23+	538.47 грн
50+	322.11 грн
100+	277.66 грн

Мінімальне замовлення: 22

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045P7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 61A TO247-3-41
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 201W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.08mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3891 pF @ 400 V

на замовлення 1428 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	528.05 грн
30+	293.47 грн
120+	246.22 грн
510+	199.82 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 112 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	557.99 грн
23+	538.47 грн
50+	365.22 грн

Мінімальне замовлення: 22

В кошику од. на суму грн.

IPW60R055CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R055CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 20880 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	333.19 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPW60R055CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R055CFD7XKSA1

Description: INFINEON - IPW60R055CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38 A, 0.046 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 178W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 156 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	566.81 грн
10+	500.86 грн
100+	358.12 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R055CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 55920 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	504.88 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPW60R055CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 130 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	497.80 грн
50+	381.90 грн

Мінімальне замовлення: 25

В кошику од. на суму грн.

IPW60R055CFD7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 38A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 900µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3194 pF @ 400 V

на замовлення 51 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	479.75 грн
30+	288.79 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R055CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R055CFD7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 148 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	599.03 грн
25+	354.28 грн
100+	294.68 грн
240+	272.35 грн
480+	258.22 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R055CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 40080 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	454.40 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPW60R055CM8XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 44A Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	352.05 грн
10+	307.56 грн
25+	289.73 грн
100+	268.61 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R055CM8XKSA1

MOSFETs 600V CoolMOS CM8 Power Transistor

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	456.65 грн
10+	378.25 грн
100+	265.66 грн
480+	235.89 грн
1200+	202.41 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R055CM8XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 44A Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

33+	379.13 грн
37+	331.22 грн
40+	312.02 грн
100+	289.27 грн

Мінімальне замовлення: 33

В кошику од. на суму грн.

IPW60R055CM8XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 44A Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R060C7

Description: IPW60R060 - 600V COOLMOS N-CHANN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 162W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 400 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R060C7

MOSFET HIGH POWER_NEW

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R060C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

27+	454.97 грн
29+	424.11 грн

Мінімальне замовлення: 27

В кошику од. на суму грн.

IPW60R060C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 195 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R060C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 195 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

195+	247.68 грн

Мінімальне замовлення: 195

В кошику од. на суму грн.

IPW60R060C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	420.60 грн
10+	392.08 грн
25+	350.06 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R060C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 108 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	271.68 грн
10+	268.13 грн
25+	248.49 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPW60R060C7XKSA1

MOSFETs Y

на замовлення 248 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	520.90 грн
10+	470.67 грн
25+	361.65 грн
100+	322.96 грн
240+	322.21 грн
480+	257.47 грн
1200+	245.57 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R060C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 960 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	357.40 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPW60R060C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	251.77 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R060C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 636 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

28+	438.16 грн

Мінімальне замовлення: 28

В кошику од. на суму грн.

IPW60R060C7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 35A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 162W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 400 V

на замовлення 222 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	550.59 грн
30+	306.16 грн
120+	273.06 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R060C7XKSA1

Description: INFINEON - IPW60R060C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 35 A, 0.052 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 162W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 683 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	572.65 грн
5+	499.19 грн
10+	425.73 грн
50+	370.52 грн
100+	319.12 грн
250+	306.96 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R060C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 108 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

42+	292.58 грн

Мінімальне замовлення: 42

В кошику од. на суму грн.

IPW60R060C7XKSA1
Код товару: 161478

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R060P7

MOSFET HIGH POWER_NEW

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R060P7

на замовлення 117090 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R060P7

Trans MOSFET N-CH 600V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	624.59 грн
25+	597.75 грн
50+	574.98 грн
100+	535.63 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

IPW60R060P7

на замовлення 148 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R060P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 199 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	454.37 грн
25+	255.37 грн
100+	222.78 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R060P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 198 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	488.10 грн
45+	274.32 грн
100+	239.31 грн

Мінімальне замовлення: 25

В кошику од. на суму грн.

IPW60R060P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	205.75 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R060P7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 48A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 164W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2895 pF @ 400 V

на замовлення 716 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	441.92 грн
30+	226.63 грн
120+	196.69 грн
510+	169.22 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R060P7XKSA1

Description: INFINEON - IPW60R060P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 48 A, 0.049 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 164W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 928 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	493.35 грн
10+	369.80 грн
100+	260.45 грн
500+	241.07 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R060P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 106 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

26+	487.23 грн
35+	354.64 грн
50+	329.48 грн

Мінімальне замовлення: 26

В кошику од. на суму грн.

IPW60R060P7XKSA1
Код товару: 192082

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R060P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

30+	413.39 грн
38+	327.43 грн
100+	244.14 грн
240+	218.39 грн
480+	186.25 грн

Мінімальне замовлення: 30

В кошику од. на суму грн.

IPW60R060P7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 3108 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	514.82 грн
25+	270.42 грн
100+	204.64 грн
240+	203.89 грн
480+	186.78 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R060P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R060P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R060P7XKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

на замовлення 199 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

30+	287.16 грн
120+	240.29 грн

Мінімальне замовлення: 30

В кошику од. на суму грн.

IPW60R0706P

Description: 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER MOS
Packaging: Bulk
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070C6

MOSFETs N-Ch 600V 53A TO247-3 CoolMOS C6

на замовлення 1264 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	636.36 грн
10+	533.14 грн
100+	386.95 грн
480+	340.82 грн
1200+	306.58 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070C6FKSA1

Description: INFINEON - IPW60R070C6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 53 A, 0.063 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 391W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 221 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	636.09 грн
5+	613.56 грн
10+	590.18 грн
50+	376.72 грн
100+	312.68 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

72+	426.02 грн
100+	404.67 грн

Мінімальне замовлення: 72

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 110 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070C6FKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 53A; 391W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 53A
Power dissipation: 391W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070C6FKSA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070C6FKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 53A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 25.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 391W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.72mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 100 V

на замовлення 638 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	576.35 грн
30+	336.10 грн
120+	305.56 грн
510+	262.31 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 61453 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

72+	426.02 грн
100+	404.67 грн
500+	383.31 грн
1000+	349.04 грн
10000+	304.12 грн

Мінімальне замовлення: 72

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070C6FKSA1

MOSFETs N-Ch 600V 53A TO247-3 CoolMOS C6

на замовлення 108 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	626.81 грн
25+	401.35 грн
100+	317.75 грн
240+	317.00 грн
480+	293.19 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070CFD7

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 156W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.129Ω
Mounting: THT
Gate charge: 67nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070CFD7

MOSFET HIGH POWER_NEW

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070CFD7

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070CFD7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 31A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 15.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 760µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2721 pF @ 400 V

на замовлення 1410 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	515.98 грн
30+	284.89 грн
120+	238.31 грн
510+	196.09 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070CFD7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 3638 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	495.72 грн
10+	447.56 грн
25+	196.45 грн
100+	192.73 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 1086 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

28+	449.00 грн
30+	411.58 грн
50+	341.87 грн

Мінімальне замовлення: 28

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070CFD7XKSA1

Description: INFINEON - IPW60R070CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 31 A, 0.057 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 395 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	542.60 грн
5+	467.47 грн
10+	391.51 грн
50+	328.66 грн
100+	271.18 грн
250+	234.69 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 239 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 16735 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

115+	266.39 грн
500+	252.15 грн
1000+	237.92 грн
10000+	216.68 грн

Мінімальне замовлення: 115

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070CM8XKSA1

MOSFETs 600V CoolMOS CM8 Power Transistor

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	405.43 грн
10+	330.32 грн
100+	232.92 грн
240+	232.17 грн
480+	205.38 грн
1200+	176.36 грн
2640+	166.69 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070P6

Trans MOSFET N-CH 600V 53.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	675.43 грн
25+	644.25 грн
50+	618.32 грн
100+	575.22 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070P6

MOSFETs HIGH POWER PRICE/PERFORM

на замовлення 304 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	526.11 грн
10+	435.58 грн
100+	305.84 грн
480+	272.35 грн
1200+	233.66 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070P6

на замовлення 41 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070P6

Description: 600V, 0.07OHM, N-CHANNEL MOSFET,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 391W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.72mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070P6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 53.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070P6XKSA1
Код товару: 165846

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070P6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 53.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	497.80 грн
30+	406.70 грн
50+	273.30 грн
200+	262.76 грн

Мінімальне замовлення: 25

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070P6XKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 53.5A; 391W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 53.5A
Power dissipation: 391W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070P6XKSA1

Description: INFINEON - IPW60R070P6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 53.5 A, 0.063 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 391W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: CoolMOS P6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 2753 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	656.96 грн
5+	539.26 грн
10+	421.56 грн
50+	375.17 грн
100+	331.28 грн
250+	286.92 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070P6XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 53.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 391W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.72mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 100 V

на замовлення 1844 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	491.83 грн
30+	231.48 грн
120+	230.86 грн
510+	195.79 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070P6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 53.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 1724 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

30+	415.31 грн

Мінімальне замовлення: 30

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070P6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 53.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070P6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 53.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 2112 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

26+	476.65 грн
32+	389.62 грн
50+	262.73 грн

Мінімальне замовлення: 26

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070P6XKSA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070P6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 53.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 1077 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	495.52 грн
31+	394.86 грн
46+	270.15 грн
50+	253.69 грн
100+	231.83 грн
480+	210.54 грн

Мінімальне замовлення: 25

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070P6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 53.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070P6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 53.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 1078 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	461.29 грн
10+	367.58 грн
25+	251.48 грн
50+	236.16 грн
100+	215.81 грн
480+	195.99 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070P6XKSA1

MOSFETs HIGH POWER PRICE/PERFORM

на замовлення 369 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	561.70 грн
10+	423.60 грн
25+	238.12 грн
100+	235.89 грн
240+	233.66 грн
480+	219.52 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R075CP

MOSFETs N-Ch 600V 39A TO247-3 CoolMOS CP

на замовлення 149 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	752.70 грн
10+	635.83 грн
100+	460.62 грн
480+	406.30 грн
1200+	365.37 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R075CPA

MOSFET AUTOMOTIVE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R075CPAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 39A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R075CPAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 39A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R075CPAFKSA1

MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS

на замовлення 118 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	823.02 грн
10+	694.88 грн
100+	503.78 грн
240+	474.02 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R075CPAFKSA1

Description: AUTOMOTIVE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.74mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 174 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	822.67 грн
30+	471.18 грн
120+	425.63 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R075CPAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 39A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R075CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R075CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 64 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	484.43 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R075CPFKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 39A; 313W; PG-TO247-3
Mounting: THT
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 39A
On-state resistance: 75mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 313W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: CoolMOS™ CP
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO247-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R075CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 64 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	563.75 грн
23+	549.45 грн
26+	478.17 грн

Мінімальне замовлення: 22

В кошику од. на суму грн.

IPW60R075CPFKSA1

MOSFETs N-Ch 600V 39A TO247-3 CoolMOS CP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R075CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 13 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R075CPFKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 39A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.7mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 100 V

на замовлення 237 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	697.09 грн
30+	422.45 грн
120+	379.94 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R075CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R075CPFKSA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R075CPFKSA1

Description: INFINEON - IPW60R075CPFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 39 A, 0.068 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 465 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	821.41 грн
5+	729.59 грн
10+	637.76 грн
50+	533.30 грн
100+	340.59 грн
250+	329.14 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R075CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 64 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	519.90 грн
10+	506.71 грн
25+	440.97 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R075CPXK

Description: IPW60R075 - 600V COOLMOS N-CHANN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.7mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R080P7

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23A; 129W; PG-TO247-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23A
Power dissipation: 129W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R080P7

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R080P7

MOSFET HIGH POWER_NEW

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R080P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R080P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R080P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	265.17 грн
25+	264.18 грн
100+	203.17 грн
240+	168.63 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPW60R080P7XKSA1

Description: INFINEON - IPW60R080P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 37 A, 0.069 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 129W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 180 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	438.25 грн
10+	313.04 грн
100+	207.86 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R080P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 720 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	219.52 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPW60R080P7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 2828 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	454.05 грн
10+	433.87 грн
25+	203.15 грн
100+	187.52 грн
240+	186.03 грн
480+	154.04 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R080P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

43+	285.77 грн
100+	219.77 грн
240+	182.41 грн

Мінімальне замовлення: 43

В кошику од. на суму грн.

IPW60R080P7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 37A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 11.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 129W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 400 V

на замовлення 2031 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	389.60 грн
50+	197.40 грн
100+	180.19 грн
500+	140.81 грн
1000+	139.01 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R080P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	174.50 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R080P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

31+	395.31 грн
50+	347.32 грн

Мінімальне замовлення: 31

В кошику од. на суму грн.

IPW60R090CFD7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 2167 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	431.48 грн
10+	415.04 грн
25+	219.52 грн
100+	197.94 грн
240+	197.20 грн
480+	192.73 грн
1200+	191.24 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R090CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R090CFD7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 11.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 570µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2103 pF @ 400 V

на замовлення 201 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	424.21 грн
30+	229.37 грн
120+	200.05 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R090CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 2640 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	239.12 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPW60R090CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R090CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R090CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 1440 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	309.75 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPW60R090CFD7XKSA1

Description: INFINEON - IPW60R090CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.069 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 25
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 125
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: CoolMOS CFD7
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.069
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

на замовлення 425 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	620.23 грн
5+	590.18 грн
10+	560.13 грн
50+	475.16 грн
100+	397.11 грн
250+	345.59 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099C6

MOSFETs N-Ch 650V 38A TO247-3 CoolMOS C6

на замовлення 128 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	532.18 грн
10+	427.88 грн
100+	333.37 грн
240+	282.77 грн
480+	273.10 грн
1200+	245.57 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099C6
Код товару: 186494

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 31 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099C6FKSA1

MOSFETs N-Ch 650V 38A TO247-3 CoolMOS C6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 640 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

26+	481.60 грн
35+	349.82 грн
38+	323.64 грн
50+	309.03 грн
100+	248.91 грн
480+	211.50 грн

Мінімальне замовлення: 26

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099C6FKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 37.9A; 278W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 37.9A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099C6FKSA1

Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 230mOhm; 37,9A; 278W; -55°C ~ 150°C; IPW60R099C6 TIPW60r099c6
кількість в упаковці: 2 шт

на замовлення 30 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

2+	301.30 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099C6FKSA1

Description: INFINEON - IPW60R099C6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38 A, 0.09 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 505 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	496.69 грн
10+	439.92 грн
100+	267.96 грн
500+	219.37 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 640 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	447.61 грн
10+	325.13 грн
25+	300.79 грн
50+	287.21 грн
100+	231.34 грн
480+	196.56 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099C6FKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 37.9A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 18.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.21mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 119 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 100 V

на замовлення 644 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	598.08 грн
10+	392.92 грн
100+	289.15 грн
500+	241.62 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099C6FKSA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 31 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	304.16 грн
10+	265.49 грн
25+	255.90 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 620 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	273.47 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099C6FKSA1 (TO-247, Infineon) MOSFET N-ch 600V/37,9A
Код товару: 88983

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

1+	174.00 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099C7

Description: MOSFET N-CH 600V 22A TO247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 490µA
Supplier Device Package: PG-TO247
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1819 pF @ 400 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099C7

MOSFET HIGH POWER_NEW

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099C7XKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 110W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Power dissipation: 110W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099C7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 14A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 490µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1819 pF @ 400 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	230.17 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099C7XKSA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099C7XKSA1

Description: INFINEON - IPW60R099C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 22 A, 0.085 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 236 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	339.75 грн
10+	313.87 грн
100+	248.76 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099C7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 288 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	410.64 грн
10+	403.92 грн
25+	183.06 грн
100+	180.08 грн
240+	165.94 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 230 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

37+	333.49 грн
40+	308.28 грн
50+	268.42 грн
100+	258.15 грн

Мінімальне замовлення: 37

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099CM8XKSA1

MOSFETs 600V CoolMOS CM8 Power Transistor

на замовлення 171 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	355.08 грн
10+	278.12 грн
100+	195.71 грн
480+	174.13 грн
1200+	148.83 грн
2640+	143.62 грн
5040+	139.90 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099CM8XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 29A Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

47+	259.88 грн
54+	227.02 грн
58+	213.92 грн
100+	198.28 грн

Мінімальне замовлення: 47

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099CM8XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 29A Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099CM8XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 29A Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	241.32 грн
10+	210.80 грн
25+	198.64 грн
100+	184.12 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099CP

Description: MOSFET N-CH 600V 31A TO247-3-1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099CP

MOSFETs N-Ch 600V 31A TO247-3 CoolMOS CP

на замовлення 85 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	562.57 грн
10+	464.68 грн
100+	336.35 грн
480+	296.91 грн
1200+	267.15 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099CP
Код товару: 72969

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099CPA

Description: IPW60R099 - 600V-800V N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099CPA

MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS

на замовлення 142 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	606.84 грн
10+	508.32 грн
100+	368.35 грн
480+	325.19 грн
1200+	292.45 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099CPAE8222XKSA1

IPW60R099CPAE8222XKSA1

на замовлення 950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

59+	521.59 грн
100+	495.16 грн
500+	469.74 грн

Мінімальне замовлення: 59

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099CPAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099CPAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099CPAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

на замовлення 220 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	502.68 грн
29+	427.04 грн
50+	380.39 грн

Мінімальне замовлення: 25

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099CPAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

на замовлення 40 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	544.36 грн
10+	505.43 грн
25+	420.59 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099CPAFKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

на замовлення 40 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

30+	444.93 грн

Мінімальне замовлення: 30

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099CPAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099CPAFKSA1

Description: INFINEON - IPW60R099CPAFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 31 A, 0.09 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 255W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 146 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	585.17 грн
5+	541.77 грн
10+	497.52 грн
50+	424.00 грн
100+	355.61 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099CPAFKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 31A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 133 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	674.55 грн
30+	361.45 грн
120+	324.33 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099CPAFKSA1

MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS

на замовлення 720 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	619.87 грн
25+	447.56 грн
100+	343.05 грн
240+	342.30 грн
480+	290.21 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099CPAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

на замовлення 40 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	585.70 грн
23+	543.81 грн
27+	452.53 грн

Мінімальне замовлення: 21

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099CPFKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 31A; 255W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 31A
Power dissipation: 255W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

на замовлення 26 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	661.14 грн
3+	425.55 грн
6+	402.30 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 188 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	269.91 грн
6+	111.94 грн
30+	111.56 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099CPFKSA1

Description: INFINEON - IPW60R099CPFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 31 A, 0.099 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 255W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 140 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	521.73 грн
5+	489.18 грн
10+	455.78 грн
50+	324.79 грн
100+	275.47 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099CPFKSA1

MOSFETs N-Ch 600V 31A TO247-3 CoolMOS CP

на замовлення 92 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	553.02 грн
10+	539.13 грн
25+	304.35 грн
100+	279.80 грн
240+	279.05 грн
480+	255.24 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099CPFKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 31A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 100 V

на замовлення 250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	552.20 грн
30+	328.66 грн
120+	300.59 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 304 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

34+	361.15 грн
38+	329.30 грн
120+	295.78 грн

Мінімальне замовлення: 34

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099CPFKSA1
Код товару: 189155

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099CPFKSA1

на замовлення 26 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	793.37 грн
3+	530.31 грн
6+	482.76 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 425 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	342.92 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 305 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	335.66 грн
30+	306.06 грн
120+	274.90 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099P6

MOSFETs HIGH POWER PRICE/PERFORM

на замовлення 121 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	421.06 грн
10+	342.30 грн
100+	240.36 грн
480+	214.31 грн
1200+	183.06 грн
2640+	172.64 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099P6XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 37.9A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.21mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3330 pF @ 100 V

на замовлення 622 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	412.94 грн
30+	181.77 грн
120+	161.24 грн
510+	149.94 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099P6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099P6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 220 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	436.99 грн
10+	393.75 грн
25+	181.77 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099P6XKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 37.9A; 278W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 37.9A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 54 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	310.53 грн
6+	212.51 грн
15+	193.48 грн
120+	186.03 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099P6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099P6XKSA1

MOSFETs HIGH POWER PRICE/PERFORM

на замовлення 1611 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	480.96 грн
10+	425.31 грн
25+	172.64 грн
100+	171.90 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099P6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099P6XKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 37.9A; 278W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 37.9A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

на замовлення 54 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	258.78 грн
6+	170.53 грн
15+	161.23 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099P6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 220 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

26+	470.17 грн
29+	423.65 грн
63+	195.57 грн

Мінімальне замовлення: 26

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099P6XKSA1

Description: INFINEON - IPW60R099P6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 37.9 A, 0.089 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.089ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 120 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	405.70 грн
10+	334.74 грн
100+	208.69 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099P7

Infineon HIGH POWER_NEW

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099P7

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 210 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

28+	450.00 грн
29+	430.66 грн
50+	414.26 грн
100+	385.91 грн

Мінімальне замовлення: 28

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099P7

Description: 600V, 0.099OHM, N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 5 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 5 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	223.27 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099P7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 31A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 117W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 530µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1952 pF @ 400 V

на замовлення 436 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	342.11 грн
30+	185.80 грн
120+	172.62 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099P7XKSA1

Description: INFINEON - IPW60R099P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 31 A, 0.077 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 117W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 373 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	348.10 грн
10+	312.20 грн
100+	172.80 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099P7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 1347 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	340.32 грн
25+	181.42 грн
100+	148.83 грн
240+	147.34 грн
480+	133.20 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 615 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

54+	230.19 грн
56+	220.27 грн

Мінімальне замовлення: 54

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099P7XKSA1

на замовлення 420 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 140 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	151.06 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099ZH

на замовлення 706780 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099ZH

Description: IPW60R099 - 600V CoolMOS N-Chann
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099ZHXKSA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPW60R099ZHXKSA1 - IPW60R099 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 101 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R105CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 230 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

35+	358.71 грн
50+	303.40 грн
100+	254.59 грн
200+	233.90 грн

Мінімальне замовлення: 35

В кошику од. на суму грн.

IPW60R105CFD7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 9.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 470µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1752 pF @ 400 V

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	425.02 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R105CFD7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 191 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	442.76 грн
25+	302.94 грн
100+	219.52 грн
240+	201.66 грн
480+	148.83 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R105CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R105CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R105CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R105CFD7XKSA1

Description: INFINEON - IPW60R105CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 A, 0.089 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 106W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.089ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 207 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	434.08 грн
10+	430.74 грн
100+	247.09 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R105CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 T/R

на замовлення 2160 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	288.61 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPW60R120C7

MOSFET HIGH POWER_NEW

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R120C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R120C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R120C7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 231 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	351.61 грн
10+	323.48 грн
25+	171.90 грн
100+	159.25 грн
240+	158.50 грн
480+	136.18 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R120C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R120C7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 19A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 92W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 390µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V

на замовлення 210 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	346.13 грн
30+	169.96 грн
120+	153.98 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R120P7

MOSFETs HIGH POWER_NEW

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R120P7

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 410µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1544 pF @ 400 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R120P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 350 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

58+	213.11 грн
65+	190.27 грн

Мінімальне замовлення: 58

В кошику од. на суму грн.

IPW60R120P7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 26A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 410µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1544 pF @ 400 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R120P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R120P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R120P7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	224.85 грн
25+	189.98 грн
100+	140.64 грн
480+	115.34 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R120P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125C6
Код товару: 182612

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Uds,V: 650 V
Idd,A: 30 A
Rds(on), Ohm: 0,11 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2127/96
Монтаж: THT

у наявності 41 шт:

32 шт - склад
9 шт - РАДІОМАГ-Київ

1+	245.00 грн
10+	227.00 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125C6

на замовлення 27 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125C6

MOSFETs N-Ch 600V 30A TO247-3 CoolMOS C6

на замовлення 192 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	396.75 грн
10+	319.20 грн
100+	223.99 грн
480+	199.43 грн
1200+	171.15 грн
2640+	160.73 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 27 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125C6FKSA1

Description: INFINEON - IPW60R125C6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.11 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 219W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 105 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	409.87 грн
10+	353.11 грн
100+	229.56 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125C6FKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 219W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 219W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 27 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	187.92 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 477 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

137+	222.67 грн

Мінімальне замовлення: 137

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125C6FKSA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125C6FKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 219W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 960µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2127 pF @ 100 V

на замовлення 259 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	343.72 грн
30+	206.78 грн
120+	186.01 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125C6FKSA1

MOSFETs N-Ch 600V 30A TO247-3 CoolMOS C6

на замовлення 189 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	357.68 грн
10+	351.72 грн
25+	205.38 грн
100+	191.99 грн
240+	191.24 грн
480+	160.73 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125CFD7XKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

30+	212.03 грн
150+	176.73 грн

Мінімальне замовлення: 30

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	406.21 грн
10+	395.71 грн
25+	322.22 грн
100+	271.77 грн
480+	187.47 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 78 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

35+	352.20 грн
50+	300.96 грн

Мінімальне замовлення: 35

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125CFD7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 18A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 92W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 390µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1503 pF @ 400 V

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	336.47 грн
30+	190.01 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

28+	436.52 грн
29+	425.24 грн
36+	346.26 грн
100+	292.06 грн
480+	201.46 грн

Мінімальне замовлення: 28

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125CFD7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 157 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	389.80 грн
10+	380.81 грн
25+	197.20 грн
240+	195.71 грн
480+	133.20 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125CFD7XKSA1

Description: INFINEON - IPW60R125CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.104 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 92W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.104ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 230 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	381.49 грн
10+	271.30 грн
100+	176.14 грн
200+	139.53 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125CP

MOSFETs N-Ch 650V 25A TO247-3 CoolMOS CP

на замовлення 121 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	467.07 грн
10+	385.95 грн
100+	271.61 грн
480+	241.10 грн
1200+	206.13 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125CP

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125CP
Код товару: 143316

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125CP

Description: 25A, 600V, 0.125OHM, N-CHANNEL M
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.1mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 450 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

39+	319.78 грн
240+	243.73 грн

Мінімальне замовлення: 39

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	345.88 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125CPFKSA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPW60R125CPFKSA1 - IPW60R125 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 235 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

73+	322.22 грн

Мінімальне замовлення: 73

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 450 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	255.24 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125CPFKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.1mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125CPFKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 25A; 208W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 25A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

на замовлення 28 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	261.28 грн
7+	138.75 грн
18+	131.00 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 225 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

114+	269.44 грн

Мінімальне замовлення: 114

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125CPFKSA1

MOSFETs N-Ch 650V 25A TO247-3 CoolMOS CP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125CPFKSA1

на замовлення 28 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	313.54 грн
7+	172.90 грн
18+	157.20 грн
240+	156.27 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125P6

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 11.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 219W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 960µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125P6
Код товару: 169145

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125P6

MOSFETs HIGH POWER PRICE/PERFORM

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125P6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125P6XKSA1

N-MOSFET 30A 600V 219W 0.125Ω IPW60R125P6XKSA1 IPW60R125P6 TIPW60r125p6
кількість в упаковці: 2 шт

на замовлення 30 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

2+	321.84 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125P6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125P6XKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 219W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 219W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

на замовлення 53 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	439.09 грн
3+	313.16 грн
8+	296.10 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125P6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 180 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	168.83 грн
25+	156.73 грн
100+	149.99 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125P6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 8640 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	246.79 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125P6XKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 219W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 219W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 53 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	526.91 грн
3+	390.24 грн
8+	355.33 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125P6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 180 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

68+	181.36 грн
73+	168.37 грн
100+	161.12 грн

Мінімальне замовлення: 68

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125P6XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 11.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 219W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 960µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125P6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125P6XKSA1

MOSFETs HIGH POWER PRICE/PERFORM

на замовлення 143 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	255.24 грн
25+	208.81 грн
100+	169.66 грн
240+	159.99 грн
480+	136.18 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R145CFD7XKSA1

Description: INFINEON - IPW60R145CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 16 A, 0.127 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.127ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R145CFD7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 16A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 6.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 340µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 400 V

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	312.32 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R145CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R145CFD7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 23 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	360.29 грн
25+	213.94 грн
100+	153.29 грн
480+	130.97 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R145CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R145CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R145CFD7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 16A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 6.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 340µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 400 V

на замовлення 99993 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

171+	124.56 грн

Мінімальне замовлення: 171

В кошику од. на суму грн.

IPW60R160C6

MOSFETs N-Ch 600V 23.8A TO247-3 CoolMOS C6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R160C6

Description: 23.8A, 600V, 0.16OHM, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 750µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R160C6

на замовлення 7 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R160C6FKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 23.8A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 750µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 100 V

на замовлення 24 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	354.18 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R160C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 162 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

162+	191.15 грн

Мінімальне замовлення: 162

В кошику од. на суму грн.

IPW60R160C6FKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23.8A; 176W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23.8A
Power dissipation: 176W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R160C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 760 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	165.82 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPW60R160C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 162 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R160C6FKSA1

MOSFETs N-Ch 600V 23.8A TO247-3 CoolMOS C6

на замовлення 162 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	394.15 грн
10+	386.80 грн
25+	194.22 грн
240+	176.36 грн
480+	132.46 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R160C6FKSA1

Description: INFINEON - IPW60R160C6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23.8 A, 0.14 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 176W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 219 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	353.94 грн
10+	238.74 грн
100+	165.28 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPW60R160C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

149+	205.38 грн

Мінімальне замовлення: 149

В кошику од. на суму грн.

IPW60R160C6FKSA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R160C6FKSA1
Код товару: 206426

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > IGBT

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R160C6FKSA1

Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 370mOhm; 23,8A; 176W; -55°C ~ 150°C; IPW60R160C6FKSA1 IPW60R160C6 TIPW60r160c6
кількість в упаковці: 5 шт

на замовлення 10 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

5+	229.70 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IPW60R160C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R160P6

MOSFETs HIGH POWER_LEGACY

на замовлення 881 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	307.33 грн
10+	225.92 грн
100+	159.25 грн
240+	157.01 грн
480+	141.39 грн
1200+	120.55 грн
2640+	113.85 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R160P6

на замовлення 31680 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R160P6

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 750µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R160P6FKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23.8A; 176W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23.8A
Power dissipation: 176W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R160P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

66+	186.76 грн
240+	155.85 грн

Мінімальне замовлення: 66

В кошику од. на суму грн.

IPW60R160P6FKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 23.8A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 750µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 100 V

на замовлення 239 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	227.00 грн
30+	125.78 грн
120+	124.53 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R160P6FKSA1

Description: INFINEON - IPW60R160P6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23.8 A, 0.144 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 176W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.144ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 195 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	318.88 грн
10+	281.32 грн
100+	196.17 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPW60R160P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R160P6FKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23.8A; 176W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23.8A
Power dissipation: 176W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R160P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 450 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

52+	236.70 грн
57+	216.36 грн
200+	173.64 грн

Мінімальне замовлення: 52

В кошику од. на суму грн.

IPW60R160P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	155.43 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IPW60R160P6FKSA1

MOSFETs HIGH POWER_LEGACY

на замовлення 452 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	332.51 грн
10+	243.04 грн
25+	188.27 грн
100+	146.60 грн
240+	123.53 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R160P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R160P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R165CP

MOSFETs N-Ch 650V 21A TO247-3 CoolMOS CP

на замовлення 117 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	434.08 грн
10+	424.46 грн
25+	209.85 грн
100+	174.13 грн
240+	173.38 грн
480+	150.32 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R165CP

на замовлення 6 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R165CP

Description: 21A, 600V, 0.165OHM, N-CHANNEL M
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 790µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R165CPFKSA1

MOSFETs HIGH POWER_LEGACY

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R165CPFKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; 192W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
Power dissipation: 192W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R165CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R165CPFKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 790µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 100 V

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	426.63 грн
30+	232.49 грн
120+	193.08 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R165CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R165CPFKSA1

Description: INFINEON - IPW60R165CPFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 A, 0.15 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 192W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 16 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	485.84 грн
10+	429.91 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R165CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R165CPFKSA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R170CFD7

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; 75W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9A
Power dissipation: 75W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.325Ω
Mounting: THT
Gate charge: 28nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R170CFD7

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R170CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 210 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	121.54 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPW60R170CFD7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 14A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 300µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1199 pF @ 400 V

на замовлення 113 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	326.01 грн
10+	207.97 грн
100+	147.45 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R170CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R170CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 208 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

71+	174.23 грн
73+	167.88 грн
100+	144.86 грн

Мінімальне замовлення: 71

В кошику од. на суму грн.

IPW60R170CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

37+	330.44 грн
41+	297.91 грн
50+	247.07 грн
100+	237.27 грн
200+	210.61 грн

Мінімальне замовлення: 37

В кошику од. на суму грн.

IPW60R170CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R170CFD7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 137 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	337.71 грн
10+	329.47 грн
25+	162.97 грн
100+	148.83 грн
240+	145.85 грн
480+	107.16 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R170CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 6240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	208.47 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPW60R170CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 210 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	161.07 грн
25+	155.20 грн
100+	133.92 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IPW60R180C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

43+	289.57 грн
50+	270.86 грн
100+	164.34 грн

Мінімальне замовлення: 43

В кошику од. на суму грн.

IPW60R180C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R180C7XKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; 68W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R180C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 2400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	180.22 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPW60R180C7XKSA1

MOSFET HIGH POWER_NEW

на замовлення 229 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	312.54 грн
10+	258.44 грн
25+	212.82 грн
100+	182.31 грн
240+	174.87 грн
480+	138.41 грн
1200+	130.22 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R180C7XKSA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R180C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 215 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

76+	162.22 грн
100+	145.88 грн
120+	142.56 грн

Мінімальне замовлення: 76

В кошику од. на суму грн.

IPW60R180C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 1920 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	139.90 грн
480+	110.87 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPW60R180C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R180C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 1920 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	129.91 грн
480+	102.95 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPW60R180C7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 13A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 260µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 400 V

на замовлення 192 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	287.37 грн
30+	150.95 грн
120+	130.68 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R180C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

34+	367.05 грн
39+	314.18 грн
50+	260.29 грн
100+	242.17 грн
200+	210.61 грн
240+	192.60 грн

Мінімальне замовлення: 34

В кошику од. на суму грн.

IPW60R180P7

на замовлення 54960 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R180P7

Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

40+	306.53 грн
42+	293.36 грн
50+	282.18 грн
100+	262.87 грн

Мінімальне замовлення: 40

В кошику од. на суму грн.

IPW60R180P7

MOSFETs HIGH POWER_NEW

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R180P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 25200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	149.61 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPW60R180P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R180P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R180P7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 18A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 400 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R180P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 460 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

51+	240.97 грн
69+	178.95 грн

Мінімальне замовлення: 51

В кошику од. на суму грн.

IPW60R180P7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 480 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	275.21 грн
10+	197.68 грн
25+	162.97 грн
100+	139.15 грн
240+	131.71 грн
480+	123.53 грн
1200+	106.41 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R180P7XKSA1

Description: INFINEON - IPW60R180P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.145 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 72W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 253 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	268.80 грн
10+	189.49 грн
100+	146.92 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IPW60R180P7XKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 72W; PG-TO247-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 72W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R180P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 217 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

202+	151.50 грн

Мінімальне замовлення: 202

В кошику од. на суму грн.

IPW60R180P7XKSA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R180P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190C6

MOSFETs N-Ch 600V 20.2A TO247-3 CoolMOS C6

на замовлення 390 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	360.29 грн
10+	353.43 грн
25+	171.90 грн
100+	141.39 грн
240+	140.64 грн
480+	134.69 грн
1200+	116.83 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190C6
Код товару: 133423

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190C6FKSA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPW60R190C6FKSA1 - IPW60R190 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 54 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190C6FKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

2+	284.49 грн
3+	242.45 грн
6+	201.85 грн
15+	190.69 грн
120+	187.89 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190C6FKSA1

на замовлення 200 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	237.07 грн
3+	194.56 грн
6+	168.21 грн
15+	158.90 грн
120+	156.58 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

55+	222.44 грн

Мінімальне замовлення: 55

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190C6FKSA1

MOSFETs HIGH POWER_LEGACY

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 260 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	134.56 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190C6FKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 630µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 100 V

на замовлення 326 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	324.40 грн
30+	173.14 грн
120+	142.48 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	414.05 грн
30+	231.39 грн
120+	191.12 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190E6

MOSFETs N-Ch 650V 20.2A TO247-3 CoolMOS E6

на замовлення 25 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	313.41 грн
10+	231.05 грн
100+	162.97 грн
480+	144.36 грн
1200+	123.53 грн
2640+	116.83 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190E6

Description: 600V, 0.19OHM, N-CHANNEL MOSFET,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 630µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190E6

на замовлення 720 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190E6FKSA1

на замовлення 133 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	323.59 грн
30+	172.75 грн
120+	142.14 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190E6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 329 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	123.10 грн
10+	65.91 грн
30+	64.50 грн
120+	62.10 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190E6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 329 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

172+	70.98 грн

Мінімальне замовлення: 172

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190E6FKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ E6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190E6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190E6FKSA1

Description: INFINEON - IPW60R190E6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20.2 A, 0.17 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 151W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS E6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 209 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	316.38 грн
10+	243.75 грн
100+	197.84 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190E6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190E6FKSA1

MOSFETs N-Ch 650V 20.2A TO247-3 CoolMOS E6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190E6FKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ E6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190E6FKSA1

Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 440mOhm; 20,2A; 151W; -55°C ~ 150°C; IPW60R190E6 TIPW60r190e6
кількість в упаковці: 5 шт

на замовлення 10 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

5+	156.21 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190P6
Код товару: 107275

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190P6

MOSFETs HIGH POWER_PRC/PRFRM

на замовлення 1323 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	278.68 грн
10+	204.53 грн
100+	144.36 грн
240+	143.62 грн
480+	127.25 грн
1200+	108.64 грн
2640+	105.67 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190P6

Description: MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190P6

Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 137 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

41+	298.71 грн
43+	285.89 грн
50+	274.99 грн
100+	256.17 грн

Мінімальне замовлення: 41

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190P6FKSA1

MOSFETs HIGH POWER_LEGACY

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 76 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

68+	181.44 грн
70+	174.52 грн

Мінімальне замовлення: 68

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 17 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190P6FKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 630µ
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 100 V

на замовлення 250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	291.39 грн
30+	154.33 грн
120+	126.48 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190P6FKSA1

Description: INFINEON - IPW60R190P6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20.2 A, 0.171 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 151W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.171ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 2623 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	282.99 грн
10+	203.68 грн
100+	157.77 грн
500+	120.15 грн
1000+	108.76 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	128.67 грн
240+	116.27 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 590 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

53+	230.23 грн
64+	192.90 грн
100+	182.53 грн

Мінімальне замовлення: 53

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 290 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

75+	162.68 грн
100+	159.63 грн

Мінімальне замовлення: 75

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190P6FKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190P6FKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 399 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

89+	138.22 грн
240+	124.91 грн

Мінімальне замовлення: 89

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 17 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 12240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	167.24 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPW60R199CP

MOSFETs N-Ch 650V 16A TO247-3 CoolMOS CP

на замовлення 235 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	339.45 грн
10+	261.86 грн
100+	184.55 грн
480+	163.71 грн
1200+	139.90 грн
2640+	132.46 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R199CP

Description: 16A, 600V, 0.199OHM, N-CHANNEL M
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 9.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 660µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R199CPFKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 139W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.199Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R199CPFKSA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R199CPFKSA1

MOSFET N-Ch 650V 16A TO247-3 CoolMOS CP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R199CPFKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 16A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 9.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 660µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R199CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R199CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

38+	327.80 грн
50+	265.98 грн
100+	244.83 грн
200+	225.11 грн

Мінімальне замовлення: 38

В кошику од. на суму грн.

IPW60R230P6FKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 16.8A TO247-3

на замовлення 896 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R250CP

Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO247-3

на замовлення 10800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R250CP

TO-247

на замовлення 22080 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R250CP

MOSFET N-Ch 600V 12A TO247-3 CoolMOS CP

на замовлення 183 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	375.05 грн
10+	332.89 грн
100+	237.38 грн
240+	236.64 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R250CPFKSA1

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R250CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R250CPFKSA1

MOSFET LOW POWER_LEGACY

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R280C6

на замовлення 240 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R280C6

Description: MOSFET N-CH 600V 13.8A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 430µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V

на замовлення 210 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

210+	112.76 грн

Мінімальне замовлення: 210

В кошику од. на суму грн.

IPW60R280C6

MOSFET N-Ch 600V 13.8A TO247-3 CoolMOS C6

на замовлення 37 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R280C6FKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 13.8A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 430µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V

на замовлення 14160 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

216+	103.21 грн

Мінімальне замовлення: 216

В кошику од. на суму грн.

IPW60R280C6FKSA1

MOSFET N-Ch 600V 13.8A TO247-3 CoolMOS C6

на замовлення 143 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R280C6FKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; 104W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.8A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R280C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R280C6FKSA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPW60R280C6FKSA1 - IPW60R280 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 14160 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

197+	131.06 грн

Мінімальне замовлення: 197

В кошику од. на суму грн.

IPW60R280C6FKSA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R280C6FKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 13.8A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 430µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R280E6

MOSFET N-Ch 650V 13.8A TO247-3 CoolMOS E6

на замовлення 705 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	396.75 грн
10+	351.72 грн
100+	250.03 грн
480+	213.57 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R280E6

на замовлення 210 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R280E6FKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; 104W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ E6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.8A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R280E6FKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; 104W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ E6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.8A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R280E6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R280E6FKSA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R280P6
Код товару: 169317

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R280P6

на замовлення 56820 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R280P6

MOSFETs N-Ch 600V 13.8A TO247-3

на замовлення 185 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	226.59 грн
10+	171.15 грн
100+	119.06 грн
480+	98.97 грн
1200+	84.83 грн
2640+	80.37 грн
5040+	78.88 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R280P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R280P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R280P6FKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 13.8A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 430µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 100 V

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	206.07 грн
30+	112.27 грн
120+	101.85 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R280P6FKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; 104W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.8A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 60 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R280P6FKSA1

MOSFETs N-Ch 600V 13.8A TO247-3

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	239.61 грн
10+	225.92 грн
25+	116.83 грн
100+	104.92 грн
240+	103.44 грн
480+	78.88 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R280P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R280P6FKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; 104W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.8A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R299CP

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R299CP

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R299CP

MOSFET N-Ch 650V 11A TO247-3 CoolMOS CP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R299CPFKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO247-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R299CPFKSA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPW60R299CPFKSA1 - IPW60R299 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 54 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R299CPFKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 98W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 98W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.299Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R299CPFKSA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R299CPFKSA1

MOSFET LOW POWER_LEGACY

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R299CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R299CPFKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO247-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R330P6

MOSFET LOW POWER_LEGACY

на замовлення 463 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R330P6

Description: IPW60R330 - 600V COOLMOS N-CHANN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 370µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R330P6FKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.6A; 93W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 93W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: THT
Gate charge: 22nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R330P6FKSA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R330P6FKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO247-3

на замовлення 36480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW65F6048A

IPW65F6048A

на замовлення 180 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

39+	800.18 грн
100+	760.53 грн

Мінімальне замовлення: 39

В кошику од. на суму грн.

IPW65F6048A

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R018CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 106A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 16 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1228.65 грн
10+	1219.04 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R018CFD7XKSA1

Description: INFINEON - IPW65R018CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 106 A, 0.018 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 446W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 39 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1344.81 грн
5+	1332.29 грн
10+	1319.77 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R018CFD7XKSA1

SP005413353

на замовлення 16 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	829.96 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R018CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 106A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	1260.77 грн
12+	1016.75 грн
13+	951.68 грн
50+	831.57 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

IPW65R018CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 106A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R018CFD7XKSA1

Description: 650 V COOLMOS CFD7 SUPERJUNCTION
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 58.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.91mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11659 pF @ 400 V

на замовлення 134 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1221.92 грн
30+	715.56 грн
120+	686.33 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R018CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 106A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 16 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	1306.88 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

IPW65R018CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 106A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	1176.99 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPW65R018CFD7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 71 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1361.28 грн
25+	813.83 грн
100+	674.19 грн
240+	666.75 грн
480+	665.26 грн
1200+	663.77 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R018CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 106A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R018CM8XKSA1

MOSFETs 650V CoolMOS CM8 Power Transistor

на замовлення 222 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1002.73 грн
10+	868.60 грн
100+	652.61 грн
240+	525.36 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R018CM8XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 116A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R018CM8XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 116A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R019C7

Trans MOSFET N-CH 700V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	2235.68 грн
10+	2167.45 грн
20+	2033.91 грн
50+	1838.57 грн
100+	1727.96 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

IPW65R019C7

на замовлення 239 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW65R019C7

на замовлення 2320 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW65R019C7

Description: 75A, 650V, 0.019OHM, N-CHANNEL M
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 58.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.92mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 400 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R019C7

MOSFETs N-Ch 650V 75A TO247-3 CoolMOS C7

на замовлення 236 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1508.00 грн
10+	1309.31 грн
100+	984.49 грн
240+	953.98 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R019C7FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 77 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	1534.02 грн
25+	1027.44 грн
50+	1016.40 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

IPW65R019C7FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	837.64 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R019C7FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	905.63 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R019C7FKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 58.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.92mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 400 V

на замовлення 325 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1575.30 грн
30+	958.16 грн
120+	897.90 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R019C7FKSA1

MOSFETs N-Ch 650V 75A TO247-3 CoolMOS C7

на замовлення 278 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1443.75 грн
25+	951.60 грн
100+	792.51 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R019C7FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 257 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	1150.65 грн
25+	1148.51 грн
100+	968.75 грн
240+	933.20 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

IPW65R019C7FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R019C7FKSA1

Description: INFINEON - IPW65R019C7FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.017 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 446W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 396 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1426.62 грн
5+	1188.71 грн
10+	950.80 грн
50+	882.11 грн
100+	813.54 грн
250+	797.09 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R019C7FKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 75A; 446W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 75A
Power dissipation: 446W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 19mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R019C7FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW65R019C7FKSA1

Trans MOSFET N-CH 700V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 257 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	899.41 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R019C7FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW65R019C7FKSA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R019C7FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 476 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	1212.08 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

IPW65R022CFD7AXKSA1

Description: AUTOMOTIVE_COOLMOS PG-TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 58.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.91mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11659 pF @ 400 V

на замовлення 242 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1266.20 грн
10+	865.45 грн
240+	679.06 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R022CFD7AXKSA1

MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS

на замовлення 239 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1249.28 грн
25+	748.79 грн
100+	606.47 грн
240+	605.73 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R022CFD7AXKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 96A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R022CFD7AXKSA1

SP003793206

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R025CM8XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 90A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R025CM8XKSA1

MOSFETs 650V CoolMOS CM8 Power Transistor

на замовлення 234 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	868.16 грн
10+	624.70 грн
100+	531.31 грн
240+	402.58 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R025CM8XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 90A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R029CFD7XKSA1

SP005413355

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R029CFD7XKSA1

The 650V CoolMOS™ CFD7 superjunction MOSFET with integrated fast body diode in TO-247 package is the perfect choice for resonant high power topologies.

на замовлення 177 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	649.91 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

IPW65R029CFD7XKSA1

Description: INFINEON - IPW65R029CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 69 A, 0.024 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 69A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 305W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 434 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	779.68 грн
5+	664.48 грн
10+	548.44 грн
50+	432.53 грн
100+	381.37 грн
250+	373.50 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW65R029CFD7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 196 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	792.63 грн
10+	774.46 грн
25+	485.92 грн
240+	485.18 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R029CFD7XKSA1

The 650V CoolMOS™ CFD7 superjunction MOSFET with integrated fast body diode in TO-247 package is the perfect choice for resonant high power topologies.

на замовлення 177 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	535.58 грн
10+	530.90 грн
25+	489.43 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW65R029CFD7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 69A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 35.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 305W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.79mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7149 pF @ 400 V

на замовлення 154 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	993.32 грн
30+	579.91 грн
120+	497.48 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R029CFD7XKSA1

The 650V CoolMOS™ CFD7 superjunction MOSFET with integrated fast body diode in TO-247 package is the perfect choice for resonant high power topologies.

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R029CFD7XKSA1

The 650V CoolMOS™ CFD7 superjunction MOSFET with integrated fast body diode in TO-247 package is the perfect choice for resonant high power topologies.

на замовлення 158 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	729.38 грн

Мінімальне замовлення: 17

В кошику од. на суму грн.

IPW65R035CFD7AXKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R035CFD7AXKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 63A TO247-3-41
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 35.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 305W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.79mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7149 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1143 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	759.88 грн
30+	449.58 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R035CFD7AXKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R035CFD7AXKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

на замовлення 120 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	778.90 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

IPW65R035CFD7AXKSA1

N-Channel MOSFET Transistor

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R035CFD7AXKSA1

Description: INFINEON - IPW65R035CFD7AXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 63 A, 0.029 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 305W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7A SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 272 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	715.40 грн
5+	646.95 грн
10+	579.33 грн
50+	475.16 грн
100+	437.90 грн
250+	437.18 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW65R035CFD7AXKSA1

MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS

на замовлення 254 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	822.15 грн
10+	782.16 грн
25+	423.41 грн
100+	421.93 грн
240+	421.18 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R037C6

MOSFETs N-Ch 650V 83.2A TO247-3 CoolMOS C6

на замовлення 162 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1053.08 грн
10+	914.81 грн
100+	687.58 грн
240+	666.75 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R037C6FKSA1

MOSFETs N-Ch 650V 83.2A TO247-3 CoolMOS C6

на замовлення 169 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1310.92 грн
10+	1290.48 грн
25+	738.93 грн
100+	686.10 грн
240+	615.40 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R037C6FKSA1
Код товару: 180225

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R037C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 83.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R037C6FKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 83.2A; 500W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 83.2A
Power dissipation: 500W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R037C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 700V 83.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R037C6FKSA1

Description: INFINEON - IPW65R037C6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 83.2 A, 0.037 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 83.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C6 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 235 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1125.27 грн
5+	1060.99 грн
10+	995.88 грн
50+	865.06 грн
100+	742.71 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R037C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 83.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 76 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

38+	806.28 грн

Мінімальне замовлення: 38

В кошику од. на суму грн.

IPW65R037C6FKSA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R037C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 83.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R037C6FKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 83.2A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 33.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3.3mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7240 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R040CM8XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 62A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R040CM8XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 62A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R040CM8XKSA1

MOSFETs 650V CoolMOS CM8 Power Transistor

на замовлення 223 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	621.60 грн
10+	520.30 грн
100+	376.53 грн
240+	285.75 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R041CFD

MOSFETs N-Ch 700V 68.5A TO247-3 CoolMOS CFD2

на замовлення 209 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	950.64 грн
10+	756.49 грн
25+	612.43 грн
50+	586.38 грн
100+	561.08 грн
240+	532.06 грн
480+	508.99 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R041CFD7

IPW65R041CFD7

на замовлення 196 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	950.87 грн
25+	906.97 грн
50+	870.47 грн
100+	809.79 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

IPW65R041CFD7XKSA1

Description: INFINEON - IPW65R041CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 50 A, 0.034 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 86 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	702.88 грн
5+	686.18 грн
10+	668.65 грн
50+	372.84 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW65R041CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R041CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 92 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	620.62 грн
50+	477.43 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

IPW65R041CFD7XKSA1

Description: 650V FET COOLMOS TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 24.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.24mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4975 pF @ 400 V

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	665.70 грн
30+	377.26 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R041CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R041CFD7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 193 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	672.82 грн
10+	654.66 грн
25+	317.00 грн
240+	316.26 грн
480+	293.93 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R041CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 50A Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R041CFDFKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 68.5A; 500W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 68.5A
Power dissipation: 500W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R041CFDFKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 68.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 33.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3.3mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R041CFDFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 68.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 150 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

150+	868.79 грн

Мінімальне замовлення: 150

В кошику од. на суму грн.

IPW65R041CFDFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 68.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 960 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

33+	939.48 грн
100+	892.71 грн
500+	845.94 грн

Мінімальне замовлення: 33

В кошику од. на суму грн.

IPW65R041CFDFKSA1

MOSFETs N-Ch 700V 68.5A TO247-3 CoolMOS CFD2

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R041CFDFKSA1

Trans MOSFET N-CH 700V 68.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R041CFDFKSA1

Description: INFINEON - IPW65R041CFDFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 68.5 A, 0.037 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm

на замовлення 230 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	643.61 грн
5+	581.83 грн
10+	519.23 грн
50+	429.43 грн
100+	379.94 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW65R041CFDFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 68.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 150 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW65R041CFDFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 68.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

33+	939.48 грн
100+	892.71 грн

Мінімальне замовлення: 33

В кошику од. на суму грн.

IPW65R041CFDFKSA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R041CFDFKSA2

Trans MOSFET N-CH 650V 68.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R041CFDFKSA2

MOSFETs HIGH POWER_LEGACY

на замовлення 421 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	979.29 грн
10+	961.02 грн
25+	490.39 грн
100+	451.69 грн
240+	450.95 грн
480+	440.53 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R041CFDFKSA2

650V CMOS power transistor

на замовлення 189 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	586.88 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R041CFDFKSA2

Trans MOSFET N-CH 650V 68.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 229 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	607.22 грн
30+	524.31 грн
120+	483.76 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R041CFDFKSA2

Description: INFINEON - IPW65R041CFDFKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 68.5 A, 0.037 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 149 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	872.33 грн
5+	818.91 грн
10+	765.48 грн
50+	555.00 грн
100+	454.35 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R041CFDFKSA2

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

на замовлення 229 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

30+	697.03 грн

Мінімальне замовлення: 30

В кошику од. на суму грн.

IPW65R041CFDFKSA2

Trans MOSFET N-CH 650V 68.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 199 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	648.64 грн
30+	560.07 грн
120+	537.80 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

IPW65R041CFDFKSA2

на замовлення 720 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW65R041CFDFKSA2

Description: MOSFET N-CH 650V 68.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 33.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3.3mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 100 V

на замовлення 486 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	881.43 грн
30+	501.03 грн
120+	456.50 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R041CFDFKSA2

Trans MOSFET N-CH 650V 68.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 229 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	652.28 грн
30+	563.22 грн
120+	519.67 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

IPW65R045C

Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 5 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW65R045C7

Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 720 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	1303.91 грн
20+	1268.89 грн
50+	1194.55 грн
100+	1082.83 грн
250+	1020.14 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

IPW65R045C7

на замовлення 2 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW65R045C7

Description: 46A, 650V, 0.045OHM, N-CHANNEL M
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 24.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.25mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 400 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R045C7

MOSFETs N-Ch 650V 46A TO247-3 CoolMOS C7

на замовлення 354 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	859.48 грн
10+	725.68 грн
100+	526.11 грн
240+	495.60 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R045C7300XKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 46A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 24.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.25mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 400 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R045C7FKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 46A; 227W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 46A
Power dissipation: 227W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R045C7FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R045C7FKSA1

MOSFETs N-Ch 650V 46A TO247-3 CoolMOS C7

на замовлення 437 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	725.78 грн
10+	697.44 грн
25+	417.46 грн
100+	401.09 грн
240+	398.86 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R045C7FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 962 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	745.07 грн
20+	638.52 грн
50+	624.59 грн

Мінімальне замовлення: 17

В кошику од. на суму грн.

IPW65R045C7FKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 46A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 24.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.25mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 400 V

на замовлення 2261 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	778.39 грн
30+	428.21 грн
120+	397.72 грн
510+	357.79 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R045C7FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 1346 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	687.29 грн
26+	484.94 грн
100+	458.85 грн
240+	428.49 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

IPW65R045C7FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 630 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	452.31 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R045C7FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 37680 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	609.53 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPW65R045C7FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R045C7FKSA1

Description: INFINEON - IPW65R045C7FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 46 A, 0.04 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 211 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	729.59 грн
5+	728.75 грн
10+	727.92 грн
50+	594.54 грн
100+	515.89 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW65R045C7FKSA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R045C7FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 1346 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	639.81 грн
10+	451.44 грн
100+	427.14 грн
240+	398.88 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R045C7_300

Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R048CFDA

на замовлення 212880 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW65R048CFDA

MOSFETs N-Ch 650V 63.3A TO247-3

на замовлення 269 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	782.21 грн
10+	659.79 грн
100+	494.85 грн
240+	419.69 грн
1200+	379.51 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R048CFDAFKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 63.3A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 29.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.9mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7440 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 279 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	571.52 грн
30+	372.25 грн
120+	353.64 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R048CFDAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 63.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R048CFDAFKSA1

Description: INFINEON - IPW65R048CFDAFKSA1 - Leistungs-MOSFET, AEC-Q101, n-Kanal, 650 V, 63.3 A, 0.043 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFDA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 194 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	811.40 грн
5+	753.80 грн
10+	695.36 грн
50+	442.61 грн
100+	352.03 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW65R048CFDAFKSA1

MOSFETs N-Ch 650V 63.3A TO247-3

на замовлення 236 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	533.92 грн
10+	521.16 грн
25+	367.60 грн
100+	363.14 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R048CFDAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 63.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R048CFDAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 63.3A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R048CFDAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 63.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

на замовлення 480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	908.07 грн

Мінімальне замовлення: 14

В кошику од. на суму грн.

IPW65R050CFD7AXKSA1

MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS

на замовлення 1392 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	592.95 грн
10+	535.70 грн
25+	343.79 грн
100+	335.61 грн
240+	333.37 грн
480+	322.96 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R050CFD7AXKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R050CFD7AXKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	611.27 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

IPW65R050CFD7AXKSA1

N-Channel MOSFET Transistor

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R050CFD7AXKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 45A TO247-3-41
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 24.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.24mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4975 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 198 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	567.49 грн
30+	365.64 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R050CFD7AXKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R050CFD7AXKSA1

Description: INFINEON - IPW65R050CFD7AXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 45 A, 0.041 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7A SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 167 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	500.86 грн
5+	444.10 грн
10+	388.17 грн
50+	359.67 грн
100+	331.28 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW65R060CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 36A 3-Pin TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R060CFD7XKSA1

SP005433699

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R060CFD7XKSA1

Description: 650V FET COOLMOS TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 171W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 860µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3288 pF @ 400 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R060CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 36A 3-Pin TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R060CFD7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 276 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	562.57 грн
25+	419.32 грн
100+	316.26 грн
480+	226.22 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R060CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 36A 3-Pin TO-247 Tube

на замовлення 205 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	531.96 грн
29+	431.10 грн
50+	402.63 грн
100+	347.35 грн

Мінімальне замовлення: 23

В кошику од. на суму грн.

IPW65R060CM8XKSA1

MOSFETs 650V CoolMOS CM8 Power Transistor

на замовлення 91 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	468.81 грн
10+	387.66 грн
100+	273.10 грн
240+	199.43 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R060CM8XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 45A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R060CM8XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 45A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R065C7

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 34 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	559.10 грн
10+	462.97 грн
100+	334.86 грн
240+	334.12 грн
480+	294.68 грн
1200+	264.91 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R065C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	456.37 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW65R065C7XKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 33A; 171W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 33A
Power dissipation: 171W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R065C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 222 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

24+	513.26 грн
27+	456.32 грн
50+	420.42 грн

Мінімальне замовлення: 24

В кошику од. на суму грн.

IPW65R065C7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 170 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	582.54 грн
10+	539.98 грн
25+	293.93 грн
240+	277.56 грн
480+	245.57 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R065C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R065C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW65R065C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	268.26 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW65R065C7XKSA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R065C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R065C7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 33A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 17.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 171W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 850µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 400 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R070C6

MOSFETs N-Ch 700V 53.5A TO247-3 CoolMOS C6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R070C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 53.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 170 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	612.99 грн
30+	418.26 грн
50+	399.38 грн
100+	326.77 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

IPW65R070C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 53.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 171 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	425.40 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R070C6FKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 53.5A; 391W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 53.5A
Power dissipation: 391W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R070C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 53.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 171 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	576.35 грн
10+	570.64 грн
25+	389.36 грн
50+	371.79 грн
100+	304.19 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW65R070C6FKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 53.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 17.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 391W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.76mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R070C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 53.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 170 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	768.09 грн
25+	632.27 грн
50+	605.13 грн
100+	360.31 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

IPW65R070C6FKSA1

Description: INFINEON - IPW65R070C6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 53.5 A, 0.063 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 391W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 331 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	689.52 грн
5+	620.23 грн
10+	550.95 грн
50+	452.68 грн
100+	389.24 грн
250+	314.11 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW65R070C6FKSA1

MOSFETs Y

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R070C6FKSA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R070C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 53.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R070C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 53.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 309 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	764.92 грн
240+	467.54 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

IPW65R075CFD7AXKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 32A TO247-3-41
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 16.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 171W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 820µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3288 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 175 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	609.35 грн
30+	341.19 грн
120+	287.25 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R075CFD7AXKSA1

MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS

на замовлення 1501 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	605.11 грн
10+	501.47 грн
25+	295.42 грн
100+	268.63 грн
240+	267.89 грн
480+	241.10 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R075CFD7AXKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R075CFD7AXKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R075CFD7AXKSA1

N-Channel MOSFET Transistor

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R080CFD

MOSFETs N-Ch 650V 43.3A TO247-3 CoolMOS CFD2

на замовлення 247 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	662.41 грн
10+	516.88 грн
25+	405.56 грн
100+	379.51 грн
240+	378.77 грн
480+	321.47 грн
1200+	308.82 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R080CFD

Trans MOSFET N-CH 650V 43.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	683.38 грн
25+	651.83 грн
50+	625.60 грн
100+	581.99 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

IPW65R080CFDA

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 27.4A; 391W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 27.4A
Power dissipation: 391W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R080CFDA

MOSFETs N-Ch 650V 43.3A TO247-3

на замовлення 545 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	625.08 грн
10+	523.72 грн
100+	378.77 грн
240+	378.02 грн
480+	333.37 грн
1200+	300.63 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R080CFDA

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R080CFDAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 43.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

на замовлення 23060 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	307.86 грн
480+	279.23 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPW65R080CFDAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 43.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 6960 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	336.75 грн
480+	329.43 грн
2640+	326.17 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPW65R080CFDAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 43.3A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R080CFDAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 43.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

на замовлення 720 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	568.40 грн

Мінімальне замовлення: 22

В кошику од. на суму грн.

IPW65R080CFDAFKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 43.3A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 17.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 391W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.76mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 161 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4440 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2341 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	681.80 грн
30+	385.74 грн
120+	326.22 грн
510+	284.53 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R080CFDAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 43.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R080CFDAFKSA1

на замовлення 120 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW65R080CFDAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 43.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

на замовлення 23040 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	331.54 грн
480+	300.71 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPW65R080CFDAFKSA1

MOSFETs N-Ch 650V 43.3A TO247-3

на замовлення 67 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	632.02 грн
10+	599.03 грн
25+	308.82 грн
100+	290.21 грн
240+	289.47 грн
480+	267.15 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R080CFDFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 43.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 130 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW65R080CFDFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 43.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 75 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

54+	572.43 грн

Мінімальне замовлення: 54

В кошику од. на суму грн.

IPW65R080CFDFKSA1

Description: INFINEON - IPW65R080CFDFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 43.3 A, 0.072 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 391W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 2272 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	804.72 грн
5+	715.40 грн
10+	625.24 грн
50+	507.72 грн
100+	382.09 грн
250+	376.36 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW65R080CFDFKSA1

Description: MOSFET N-CH 700V 43.3A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 17.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 391W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.76mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5030 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R080CFDFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 43.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 130 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

54+	572.43 грн
100+	543.96 грн

Мінімальне замовлення: 54

В кошику од. на суму грн.

IPW65R080CFDFKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 43.3A; 391W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 43.3A
Power dissipation: 391W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R080CFDFKSA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R080CFDFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 43.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 180 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

54+	572.43 грн
100+	543.96 грн

Мінімальне замовлення: 54

В кошику од. на суму грн.

IPW65R080CFDFKSA1

MOSFETs N-Ch 650V 43.3A TO247-3 CoolMOS CFD2

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	662.41 грн
10+	516.88 грн
25+	405.56 грн
100+	359.42 грн
240+	337.09 грн
480+	321.47 грн
1200+	308.82 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R080CFDFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 43.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 1290 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

54+	572.43 грн
100+	543.96 грн
500+	515.49 грн
1000+	469.63 грн

Мінімальне замовлення: 54

В кошику од. на суму грн.

IPW65R080CFDFKSA2

MOSFETs HIGH POWER_LEGACY

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R080CFDFKSA2

Trans MOSFET N-CH 650V 43.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 80 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	357.68 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R080CFDFKSA2

Description: INFINEON - IPW65R080CFDFKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 43.3 A, 0.072 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 391W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 232 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	653.62 грн
5+	525.07 грн
10+	396.52 грн
50+	367.42 грн
100+	338.44 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW65R080CFDFKSA2

Description: MOSFET N-CH 650V 43.3A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 17.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 391W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.8mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5030 pF @ 100 V

на замовлення 164 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	613.38 грн
30+	344.58 грн
120+	290.58 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R080CFDFKSA2

Trans MOSFET N-CH 650V 43.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R090CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 119 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

26+	470.96 грн
28+	437.61 грн
50+	278.18 грн
100+	267.35 грн

Мінімальне замовлення: 26

В кошику од. на суму грн.

IPW65R090CFD7XKSA1

SP005413364

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R090CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R090CFD7XKSA1

Description: INFINEON - IPW65R090CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 25 A, 0.068 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 127W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 29 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	451.61 грн
10+	358.12 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW65R090CFD7XKSA1

Description: HIGH POWER_NEW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 127W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 630µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2513 pF @ 400 V

на замовлення 169 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	497.46 грн
30+	274.17 грн
120+	229.07 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R090CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R090CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 1440 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	283.49 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPW65R090CFD7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R095C7

MOSFETs HIGH POWERNEW

на замовлення 1036 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	461.86 грн
10+	356.00 грн
25+	276.08 грн
100+	241.84 грн
240+	219.52 грн
480+	208.36 грн
1200+	195.71 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R095C7

Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 11.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA
Supplier Device Package: PG-TO247
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2140 pF @ 400 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R095C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

48+	256.55 грн

Мінімальне замовлення: 48

В кошику од. на суму грн.

IPW65R095C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 1920 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	278.57 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPW65R095C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R095C7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 11.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2140 pF @ 400 V

на замовлення 1046 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	491.02 грн
30+	270.27 грн
120+	225.72 грн
510+	184.10 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R095C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 232 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

32+	382.30 грн
41+	298.52 грн
50+	285.78 грн

Мінімальне замовлення: 32

В кошику од. на суму грн.

IPW65R095C7XKSA1
Код товару: 201470

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R095C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R095C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 4560 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

128+	238.94 грн
500+	226.74 грн
1000+	214.53 грн

Мінімальне замовлення: 128

В кошику од. на суму грн.

IPW65R095C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R095C7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	482.70 грн
10+	474.95 грн
25+	223.99 грн
100+	201.66 грн
240+	200.17 грн
480+	173.38 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R095C7XKSA1

Description: INFINEON - IPW65R095C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.084 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 128W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.084ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 40 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	352.27 грн
10+	246.26 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPW65R099C6

MOSFETs N-Ch 700V 38A TO247-3

на замовлення 166 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	522.63 грн
10+	420.18 грн
100+	304.35 грн
480+	268.63 грн
1200+	241.84 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R099C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R099C6FKSA1

MOSFETs N-Ch 700V 38A TO247-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R099C6FKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 38A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 12.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R099C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R099C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R099C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 165 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

91+	335.53 грн
100+	319.26 грн

Мінімальне замовлення: 91

В кошику од. на суму грн.

IPW65R099CFD7A

IPW65R099CFD7A

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	661.03 грн
25+	630.51 грн
50+	605.14 грн
100+	562.95 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

IPW65R099CFD7AXKSA1

N-Channel MOSFET Transistor

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R099CFD7AXKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

на замовлення 1484 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

87+	350.78 грн
100+	336.54 грн
500+	322.31 грн
1000+	293.15 грн

Мінімальне замовлення: 87

В кошику од. на суму грн.

IPW65R099CFD7AXKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

на замовлення 213840 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	332.13 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPW65R099CFD7AXKSA1

Description: INFINEON - IPW65R099CFD7AXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.082 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 127W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.082ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	488.34 грн
5+	394.01 грн
10+	299.68 грн
50+	272.85 грн
100+	246.14 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW65R099CFD7AXKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R099CFD7AXKSA1

MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS

на замовлення 113 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	551.28 грн
10+	518.59 грн
25+	287.24 грн
100+	240.36 грн
240+	234.40 грн
480+	206.13 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R099CFD7AXKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO247-3-41
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 127W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 630µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2513 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 14 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	472.51 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R099CFD7AXKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R099CFD7AXKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

на замовлення 210 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	622.25 грн
50+	395.52 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

IPW65R110CFD

на замовлення 39 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW65R110CFD

MOSFETs N-Ch 700V 31.2A TO247-3 CoolMOS CFD2

на замовлення 17 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	599.90 грн
10+	506.61 грн
25+	400.35 грн
100+	367.60 грн
240+	345.28 грн
480+	322.96 грн
960+	291.70 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R110CFD

Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 1300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

30+	413.23 грн
31+	395.48 грн
50+	380.41 грн
100+	354.38 грн
250+	318.18 грн
500+	297.14 грн
1000+	289.87 грн

Мінімальне замовлення: 30

В кошику од. на суму грн.

IPW65R110CFD7XKSA1

Description: INFINEON - IPW65R110CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 22 A, 0.087 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.087ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 158 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	397.35 грн
10+	233.74 грн
100+	176.14 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPW65R110CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R110CFD7XKSA1

Description: HIGH POWER_NEW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 480µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1942 pF @ 400 V

на замовлення 221 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	420.19 грн
30+	228.15 грн
120+	189.38 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R110CFD7XKSA1

SP005413366

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R110CFD7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R110CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R110CFDA

MOSFETs N-Ch 650V 31.2A TO247-3

на замовлення 615 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	521.76 грн
10+	432.16 грн
100+	304.35 грн
480+	270.12 грн
1200+	231.43 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R110CFDA

на замовлення 327600 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW65R110CFDAFKSA1

MOSFETs N-Ch 650V 31.2A TO247-3

на замовлення 229 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	530.45 грн
10+	432.16 грн
25+	334.86 грн
100+	280.54 грн
240+	273.10 грн
480+	227.71 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R110CFDAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

на замовлення 480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

26+	480.72 грн
30+	410.60 грн

Мінімальне замовлення: 26

В кошику од. на суму грн.

IPW65R110CFDAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R110CFDAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R110CFDAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R110CFDAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 9120 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	350.34 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPW65R110CFDAFKSA1

Description: INFINEON - IPW65R110CFDAFKSA1 - Leistungs-MOSFET, AEC-Q101, n-Kanal, 650 V, 31.2 A, 0.099 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 277.8W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFDA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 965 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	308.03 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPW65R110CFDAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

на замовлення 224 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

97+	317.23 грн
102+	300.96 грн

Мінімальне замовлення: 97

В кошику од. на суму грн.

IPW65R110CFDAFKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 277.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.3mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 226 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	557.84 грн
30+	293.99 грн
120+	262.65 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R110CFDFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 90 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

90+	229.62 грн

Мінімальне замовлення: 90

В кошику од. на суму грн.

IPW65R110CFDFKSA1

Description: INFINEON - IPW65R110CFDFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 31.2 A, 0.099 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 277.8W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 277.8W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.099ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 235 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	651.12 грн
10+	540.10 грн
25+	447.44 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW65R110CFDFKSA1
Код товару: 196399

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > IGBT

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R110CFDFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 90 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW65R110CFDFKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 277.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.3mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R110CFDFKSA1

MOSFETs N-Ch 700V 31.2A TO247-3 CoolMOS CFD2

на замовлення 90 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	553.89 грн
10+	481.79 грн
25+	386.95 грн
100+	382.49 грн
240+	324.44 грн
1200+	302.86 грн
2640+	289.47 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R110CFDFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 3380 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

74+	412.80 грн
100+	392.47 грн
500+	371.11 грн
1000+	338.25 грн

Мінімальне замовлення: 74

В кошику од. на суму грн.

IPW65R110CFDFKSA1

Trans MOSFET N-CH 700V 31.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R110CFDFKSA2

Description: MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 277.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.3mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 100 V

на замовлення 198 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	472.51 грн
30+	259.65 грн
120+	216.77 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R110CFDFKSA2

MOSFETs HIGH POWER_LEGACY

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R110CFDFKSA2

Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R110CFDFKSA2

Trans MOSFET N-CH 700V 31.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R110CFDFKSA2

Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 1440 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	358.95 грн
480+	304.94 грн
1200+	285.83 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPW65R110CFDFKSA2

Description: INFINEON - IPW65R110CFDFKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 31.2 A, 0.099 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 277.8W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	473.31 грн
10+	288.83 грн
100+	236.24 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW65R115CFD7AXKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	280.54 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPW65R115CFD7AXKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

на замовлення 535 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

127+	240.97 грн
500+	228.77 грн

Мінімальне замовлення: 127

В кошику од. на суму грн.

IPW65R115CFD7AXKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R115CFD7AXKSA1

Description: INFINEON - IPW65R115CFD7AXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 21 A, 0.103 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7A Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.103ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 180 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	428.24 грн
10+	259.61 грн
100+	208.69 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW65R115CFD7AXKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

28+	439.24 грн
29+	432.73 грн
50+	284.57 грн

Мінімальне замовлення: 28

В кошику од. на суму грн.

IPW65R115CFD7AXKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 21A TO247-3-41
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 490µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	478.14 грн
30+	245.62 грн
120+	218.75 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R115CFD7AXKSA1

MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS

на замовлення 155 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	485.30 грн
10+	470.67 грн
25+	226.22 грн
100+	204.64 грн
240+	203.89 грн
480+	174.13 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R115CFD7AXKSA1