Продукція > IPW

MOSFET IGBT PRODUCTS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW30N65FFKSA1

MOSFET IGBT PRODUCTS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW30N65HFDFKSA1

MOSFET IGBT PRODUCTS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW30N65HFKSA1

MOSFET IGBT PRODUCTS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW35N65FFDFKSA1

MOSFET IGBT PRODUCTS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW35N65FFKSA1

MOSFET IGBT PRODUCTS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW35N65HFDFKSA1

MOSFET IGBT PRODUCTS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW35N65HFKSA1

MOSFET IGBT PRODUCTS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW40N65FFDFKSA1

MOSFET IGBT PRODUCTS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW40N65FFKSA1

MOSFET IGBT PRODUCTS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW40N65HFDFKSA1

MOSFET IGBT PRODUCTS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW40N65HFKSA1

MOSFET IGBT PRODUCTS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW50R140CP

MOSFETs N-Ch 500V 23A TO247-3 CoolMOS CP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW50R140CP

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW50R140CP

на замовлення 1 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW50R140CPFKSA1

Description: MOSFET N-CH 550V 23A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 930µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2540 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW50R140CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 500V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 16681 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

108+	289.49 грн
500+	275.02 грн
1000+	259.51 грн
10000+	235.29 грн

Мінімальне замовлення: 108

В кошику од. на суму грн.

IPW50R140CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 500V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW50R140CPFKSA1

Description: INFINEON - IPW50R140CPFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 550 V, 23 A, 0.13 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 550V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 192W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW50R140CPFKSA1

MOSFETs HIGH POWER_LEGACY

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW50R140CPFKSA1

Description: MOSFET N-CH 550V 23A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 930µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2540 pF @ 100 V

на замовлення 16681 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

98+	220.63 грн

Мінімальне замовлення: 98

В кошику од. на суму грн.

IPW50R190CE

MOSFET N-Ch 500V 63A TO247-3

на замовлення 54 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW50R190CE

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 6.2A, 13V
Power Dissipation (Max): 152W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 510µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1137 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW50R190CEFKSA1

MOSFET N-Ch 500V 63A TO247-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW50R190CEFKSA1

Description: MOSFET N-CH 500V 18.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 6.2A, 13V
Power Dissipation (Max): 127W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 510µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1137 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW50R199CP

MOSFET N-Ch 500V 17A TO247-3 CoolMOS CP

на замовлення 262 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW50R199CP

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 9.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 660µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW50R199CPFKSA1

Description: MOSFET N-CH 550V 17A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 9.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 660µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW50R250CP

MOSFETs N-Ch 500V 13A TO247-3 CoolMOS CP

на замовлення 172 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	232.22 грн
10+	179.91 грн
100+	124.69 грн
480+	103.78 грн
1200+	89.07 грн
2640+	84.42 грн
5040+	82.10 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW50R250CP

TO-247

на замовлення 25440 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW50R250CPFKSA1

MOSFETs N-Ch 500V 13A TO247-3 CoolMOS CP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW50R250CPFKSA1

Description: MOSFET N-CH 500V 13A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 520µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW50R250CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 500V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW50R250CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 500V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW50R280CE

MOSFET N-Ch 500V 13A TO247-3 CoolMOS CE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW50R280CE

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.2A, 13V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 350µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 773 pF @ 100 V

на замовлення 101641 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

392+	61.06 грн

Мінімальне замовлення: 392

В кошику од. на суму грн.

IPW50R280CEFKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13A; 92W; PG-TO247-3
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.28Ω
Drain current: 13A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 92W
Drain-source voltage: 500V
Technology: CoolMOS™ CE
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO247-3
Kind of package: tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW50R280CEFKSA1

Description: MOSFET N-CH 500V 13A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.2A, 13V
Power Dissipation (Max): 92W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 350µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 773 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW50R299CP

TO-247

на замовлення 21120 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW50R299CP

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 100 V

на замовлення 9838 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	104.72 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPW50R299CP

MOSFET N-Ch 500V 12A TO247-3 CoolMOS CP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW50R299CPFKSA1

Description: MOSFET N-CH 550V 12A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW50R299CPFKSA1

MOSFET LOW POWER_LEGACY

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW50R299CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW50R350CP

MOSFET N-Ch 500V 10A TO247-3 CoolMOS CP

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW50R350CP

TO-247

на замовлення 49920 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW50R350CP

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 370µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 100 V

на замовлення 4320 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

245+	103.05 грн

Мінімальне замовлення: 245

В кошику од. на суму грн.

IPW50R350CPFKSA1

Description: MOSFET N-CH 550V 10A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 370µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW50R399CP

TO-247

на замовлення 25920 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW50R399CP

MOSFET N-Ch 500V 9A TO247-3 CoolMOS CP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW50R399CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 500V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW50R399CPFKSA1

MOSFET LOW POWER_LEGACY

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW50R399CPFKSA1

Description: MOSFET N-CH 560V 9A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 399mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 330µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 560 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 100 V

на замовлення 5520 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

251+	92.84 грн

Мінімальне замовлення: 251

В кошику од. на суму грн.

IPW50R399CPFKSA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R016CM8XKSA1

Description: IPW60R016CM8XKSA1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 123A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 62.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 521W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 1.48mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-U06
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 171 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7545 pF @ 400 V

на замовлення 327 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	930.79 грн
30+	543.17 грн
120+	465.81 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R016CM8XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 123A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 28 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	928.83 грн
10+	881.77 грн
25+	862.36 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R016CM8XKSA1

Description: INFINEON - IPW60R016CM8XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 123 A, 0.016 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 123A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 521W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CM8 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 95 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	933.99 грн
5+	877.51 грн
10+	820.17 грн
50+	709.95 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R016CM8XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 123A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 225 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	860.20 грн
19+	674.10 грн
50+	638.54 грн
100+	561.50 грн
200+	519.17 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

IPW60R016CM8XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 123A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 28 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	866.90 грн
16+	822.98 грн
25+	804.87 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

IPW60R016CM8XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 123A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R016CM8XKSA1

IPW60R016CM8XKSA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R016CM8XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 685 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	880.08 грн
10+	761.52 грн
100+	572.35 грн
240+	554.54 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R017C7

MOSFETs HIGH POWER_NEW

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R017C7

на замовлення 17097 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R017C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 109A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 2160 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	1349.61 грн
480+	1314.76 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPW60R017C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 109A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1526.92 грн
10+	1511.64 грн
25+	966.22 грн
50+	922.39 грн
100+	831.98 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R017C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 109A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 53 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	668.01 грн
25+	637.16 грн
50+	611.53 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

IPW60R017C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 109A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 223 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	884.60 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R017C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 109A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 220 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1392.40 грн
10+	1378.48 грн
25+	969.33 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R017C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 109A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 495 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	1257.22 грн
11+	1224.14 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

IPW60R017C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 109A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	1436.15 грн
10+	1421.83 грн
25+	908.64 грн
50+	867.39 грн
100+	785.28 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

IPW60R017C7XKSA1

Description: HIGH POWER_NEW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 109A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 58.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.91mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9890 pF @ 400 V

на замовлення 651 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1294.39 грн
30+	777.83 грн
120+	709.83 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R017C7XKSA1

Description: INFINEON - IPW60R017C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 109 A, 0.017 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 109A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 446W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 215 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1537.82 грн
5+	1344.94 грн
10+	1152.06 грн
50+	890.67 грн
100+	728.32 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R017C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 109A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 220 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	1286.59 грн
25+	904.70 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

IPW60R017C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 109A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R017C7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 706 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1433.98 грн
25+	881.76 грн
100+	705.56 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R018CFD7

MOSFETs HIGH POWER_NEW

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R018CFD7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 95 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1236.09 грн
25+	707.19 грн
100+	606.43 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R018CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 101A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 19 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	1497.09 грн
11+	1187.84 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

IPW60R018CFD7XKSA1

Description: MOSFET N CH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 101A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 58.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 416W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.91mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 251 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9901 pF @ 400 V

на замовлення 863 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1151.13 грн
30+	684.32 грн
120+	610.14 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R018CFD7XKSA1

Description: INFINEON - IPW60R018CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 101 A, 0.015 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 101A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 416W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 83 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1327.56 грн
5+	1326.69 грн
10+	1325.82 грн
50+	723.67 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R018CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 101A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R018CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 101A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R018CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 101A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	1170.41 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPW60R018CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 101A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R024CFD7

IPW60R024CFD7

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	1682.93 грн
10+	1631.58 грн
20+	1531.05 грн
50+	1384.01 грн
100+	1300.74 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

IPW60R024CFD7

на замовлення 150 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R024CFD7

MOSFET HIGH POWER_NEW

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R024CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 77A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R024CFD7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 178 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1040.92 грн
25+	616.34 грн
100+	466.25 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R024CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 77A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 87 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	1083.46 грн
25+	1033.44 грн
50+	991.86 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

IPW60R024CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 77A Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R024CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 77A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R024CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 77A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 426 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	1033.90 грн
50+	791.55 грн
100+	761.69 грн
200+	630.68 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

IPW60R024CFD7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 77A TO247-3-41
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 42.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 320W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.12mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 183 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7268 pF @ 400 V

на замовлення 105 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	968.49 грн
30+	565.86 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R024CFD7XKSA1

Description: INFINEON - IPW60R024CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 77 A, 0.024 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 320W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 24 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1108.62 грн
5+	963.53 грн
10+	818.43 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R024CM8XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 91A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 230 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	692.57 грн
10+	639.75 грн
25+	625.48 грн
100+	588.87 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R024CM8XKSA1

Description: IPW60R024CM8XKSA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 91A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 41.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 431W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 1.06mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-U06
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5382 pF @ 400 V

на замовлення 359 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	754.01 грн
30+	432.40 грн
120+	367.99 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R024CM8XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 91A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R024CM8XKSA1

MOSFETs 600V CoolMOS CM8 Power Transistor

на замовлення 8 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	834.90 грн
10+	643.06 грн
100+	466.25 грн
480+	415.90 грн
1200+	353.17 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R024CM8XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 91A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 230 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	647.22 грн
21+	597.43 грн
25+	584.44 грн
100+	549.93 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

IPW60R024P7

MOSFET HIGH POWER_NEW

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R024P7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 101A TO247-3-41
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 101A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 42.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 291W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.03mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7144 pF @ 400 V

на замовлення 927 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	871.31 грн
30+	504.28 грн
120+	430.91 грн
510+	383.67 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R024P7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 355 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	935.20 грн
10+	536.18 грн
100+	408.93 грн
480+	401.96 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R024P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 101A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 188 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	722.31 грн
25+	688.96 грн
50+	661.23 грн
100+	615.14 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

IPW60R024P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 101A Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R024P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 101A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R024P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 101A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 3840 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	689.08 грн
1920+	642.08 грн
2880+	606.45 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPW60R024P7XKSA1

Description: INFINEON - IPW60R024P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 101 A, 0.024 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 101A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 291W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 611 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1003.49 грн
5+	797.58 грн
10+	591.67 грн
50+	546.18 грн
100+	501.93 грн
250+	498.95 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R024P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 101A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R024P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 101A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 312 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	731.17 грн
50+	618.69 грн
100+	594.99 грн
200+	550.18 грн

Мінімальне замовлення: 17

В кошику од. на суму грн.

IPW60R031CFD7

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 40A; 278W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 40A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 141nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 16 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	963.35 грн
3+	857.57 грн
10+	770.62 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R031CFD7

на замовлення 16 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	802.79 грн
3+	688.17 грн
10+	642.18 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R031CFD7

Description: 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER MOS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 32.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.63mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5623 pF @ 400 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R031CFD7

MOSFETs HIGH POWER_NEW

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R031CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 216 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	795.13 грн
29+	432.58 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

IPW60R031CFD7XKSA1

Description: INFINEON - IPW60R031CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 63 A, 0.026 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 244 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	824.51 грн
5+	652.49 грн
10+	479.59 грн
50+	434.04 грн
100+	390.23 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R031CFD7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 63A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 32.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.63mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5623 pF @ 400 V

на замовлення 73 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	743.12 грн
30+	425.30 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R031CFD7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 856 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	784.30 грн
10+	438.21 грн
480+	380.28 грн
1200+	343.10 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R031CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R031CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 216 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	846.92 грн
10+	460.75 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R031CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R031CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 198 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	431.01 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R031CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 314 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	736.14 грн

Мінімальне замовлення: 17

В кошику од. на суму грн.

IPW60R037CM8XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R037CM8XKSA1

IPW60R037CM8XKSA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R037CM8XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R037CM8XKSA1

Description: INFINEON - IPW60R037CM8XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 64 A, 0.037 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 329W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CM8 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 135 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	624.68 грн
5+	577.77 грн
10+	529.98 грн
50+	451.79 грн
100+	379.06 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R037CM8XKSA1

Description: IPW60R037CM8XKSA1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 329W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 680µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-U06
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3458 pF @ 400 V

на замовлення 192 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	585.62 грн
30+	328.25 грн
120+	276.59 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R037CM8XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R037CM8XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 18 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	552.09 грн
10+	456.91 грн
100+	330.71 грн
480+	291.98 грн
1200+	262.55 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R037CSFD

MOSFET HIGH POWER_NEW

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R037CSFD

на замовлення 112282 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R037CSFDXKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 54A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R037CSFDXKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 236 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	725.57 грн
25+	414.16 грн
100+	316.77 грн
240+	315.99 грн
480+	298.18 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R037CSFDXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 25A; 245W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 25A
Power dissipation: 245W
Case: TO247-3
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 136nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R037CSFDXKSA1

Description: INFINEON - IPW60R037CSFDXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 54 A, 0.031 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CSFD
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 209 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	727.21 грн
5+	695.93 грн
10+	664.65 грн
50+	422.74 грн
100+	346.29 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R037CSFDXKSA1

Description: MOSFET N CH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 32.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.63mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5623 pF @ 400 V

на замовлення 236 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	667.72 грн
30+	378.70 грн
120+	320.72 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R037CSFDXKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 54A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R037CSFDXKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 54A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 1920 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	590.91 грн
480+	590.10 грн
720+	563.35 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPW60R037CSFDXKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 54A Automotive Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R037P7

Trans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	1081.19 грн
25+	1031.27 грн
50+	989.77 грн
100+	920.77 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

IPW60R037P7

на замовлення 4920 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R037P7

Infineon HIGH POWER_NEW

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R037P7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 76A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 29.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.48mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5243 pF @ 400 V

на замовлення 3495 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	635.05 грн
30+	358.90 грн
120+	303.38 грн
510+	263.92 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R037P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 15 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R037P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 720 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	310.50 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPW60R037P7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 1797 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	674.97 грн
10+	336.67 грн
100+	278.82 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R037P7XKSA1
Код товару: 173232

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R037P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 1100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	773.90 грн
10+	396.71 грн
100+	377.18 грн
480+	350.73 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R037P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R037P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube IPW60R037P7XKSA1 INFINEON TIPW60r037p7

на замовлення 8 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R037P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 2310 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	349.68 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R037P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 140 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	860.84 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

IPW60R037P7XKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48A; 255W; PG-TO247-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Power dissipation: 255W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 121nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD

на замовлення 138 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	536.93 грн
2+	467.12 грн
5+	396.12 грн
10+	393.70 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R037P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 1100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	721.46 грн
34+	369.83 грн
100+	351.63 грн
480+	326.98 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

IPW60R037P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 820 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	332.68 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPW60R037P7XKSA1

на замовлення 138 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	644.32 грн
2+	582.10 грн
5+	475.35 грн
10+	472.44 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R037P7XKSA1

Description: INFINEON - IPW60R037P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 76 A, 0.03 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 255W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 212 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	716.78 грн
5+	543.88 грн
10+	370.12 грн
50+	334.00 грн
100+	298.63 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R040C7

Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	588.83 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPW60R040C7

на замовлення 40810 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R040C7

MOSFET HIGH POWER_NEW

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R040C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 180 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	445.46 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R040C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 420 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	511.23 грн
30+	449.03 грн
120+	442.55 грн

Мінімальне замовлення: 25

В кошику од. на суму грн.

IPW60R040C7XKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 227W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 227W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R040C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R040C7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 445 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	826.77 грн
25+	467.60 грн
100+	359.37 грн
480+	355.49 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R040C7XKSA1

Description: INFINEON - IPW60R040C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.04 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 227 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	876.64 грн
5+	758.48 грн
10+	641.19 грн
50+	485.67 грн
100+	382.03 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R040C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 420 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	543.34 грн
30+	477.24 грн
120+	468.83 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R040C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R040C7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 50A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 24.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.24mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 400 V

на замовлення 2054 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	761.55 грн
30+	437.19 грн
120+	372.13 грн
510+	335.18 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R040C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 467 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	853.54 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

IPW60R040C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 1114 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	835.39 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

IPW60R040CFD7

MOSFET HIGH POWER_NEW

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R040CFD7XKSA1

Description: INFINEON - IPW60R040CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.031 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 261 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	709.83 грн
5+	708.96 грн
10+	708.09 грн
50+	363.85 грн
100+	306.82 грн
250+	306.07 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R040CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 960 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	544.71 грн
480+	543.90 грн
720+	513.10 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPW60R040CFD7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 50A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 24.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.25mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4354 pF @ 400 V

на замовлення 127 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	622.48 грн
30+	351.08 грн
120+	296.53 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R040CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R040CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 306 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	695.61 грн
50+	404.46 грн
100+	389.22 грн
200+	358.91 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

IPW60R040CFD7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 512 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	669.55 грн
25+	358.05 грн
100+	283.46 грн
480+	271.85 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R040CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R040CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R041C6

MOSFETs N-Ch 650V 77.5A TO247-3 CoolMOS C6

на замовлення 371 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	925.26 грн
10+	800.71 грн
100+	601.78 грн
240+	583.19 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R041C6

Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 96mOhm; 77,5A; 481W; -55°C ~ 150°C; IPW60R041C6FKSA1 IPW60R041C6 TIPW60r041c6
кількість в упаковці: 2 шт

на замовлення 2 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

2+	1263.32 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R041C6

Description: 600V, 0.041OHM, N-CHANNEL MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R041C6FKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 77.5A; 481W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 77.5A
Power dissipation: 481W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 41 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	845.54 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R041C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 77.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R041C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 77.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 164 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	673.16 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R041C6FKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 77.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 44.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 481W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 2.96mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 290 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6530 pF @ 10 V

на замовлення 4368 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	967.65 грн
30+	566.59 грн
120+	487.47 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R041C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 77.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 304 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	669.76 грн
30+	604.03 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

IPW60R041C6FKSA1

Description: INFINEON - IPW60R041C6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 77.5 A, 0.041 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 481W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 470 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	982.64 грн
5+	922.69 грн
10+	861.87 грн
50+	623.63 грн
100+	495.23 грн
250+	494.48 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R041C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 77.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R041C6FKSA1

MOSFETs N-Ch 650V 77.5A TO247-3 CoolMOS C6

на замовлення 220 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	965.02 грн
10+	623.47 грн
100+	484.06 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R041C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 77.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 224 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	711.91 грн
30+	639.89 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R041C6FKSA1

на замовлення 41 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	704.62 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R041P6

Trans MOSFET N-CH 600V 77.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	1479.59 грн
10+	1434.44 грн
20+	1346.06 грн
50+	1216.79 грн
100+	1143.58 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

IPW60R041P6

MOSFETs HIGH POWER PRICE/PERFORM

на замовлення 197 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	796.95 грн
10+	672.45 грн
100+	487.93 грн
240+	458.50 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R041P6

на замовлення 230 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R041P6FKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 77.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 35.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 481W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.96mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8180 pF @ 100 V

на замовлення 280 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	712.12 грн
30+	406.07 грн
120+	344.73 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R041P6FKSA1

MOSFETs HIGH POWER PRICE/PERFORM

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R041P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 77.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R041P6FKSA1

Description: INFINEON - IPW60R041P6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 77.5 A, 0.041 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 481W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 230 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	821.04 грн
5+	733.29 грн
10+	645.54 грн
50+	451.79 грн
100+	396.18 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R041P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 77.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 1350 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	721.68 грн
10+	715.76 грн
25+	481.81 грн
50+	459.89 грн
100+	380.92 грн
480+	361.94 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R041P6FKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 77.5A; 481W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 77.5A
Power dissipation: 481W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R041P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 77.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R041P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 77.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 390 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	673.88 грн
28+	453.34 грн
50+	432.80 грн
100+	358.43 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

IPW60R041P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 77.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	535.82 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045

SMD

на замовлення 50 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045C

на замовлення 1440 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045CP

MOSFETs N-Ch 650V 60A TO247-3 CoolMOS CP

на замовлення 84 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1090.62 грн
10+	946.78 грн
100+	711.76 грн
240+	690.07 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045CP
Код товару: 105994

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045CPA

Trans MOSFET N-CH 600V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	2094.35 грн
10+	2030.44 грн
20+	1905.33 грн
50+	1722.35 грн
100+	1618.73 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045CPA

MOSFETs N-Ch 600V 60A TO247-3 CoolMOS CPA

на замовлення 432 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1256.87 грн
10+	1238.03 грн
25+	673.04 грн
100+	627.34 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045CPAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

на замовлення 88 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	825.15 грн
3+	286.51 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045CPAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

на замовлення 88 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	770.14 грн

Мінімальне замовлення: 17

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045CPAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 60A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045CPAFKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 431W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 878 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1034.68 грн
30+	630.54 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045CPAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045CPAFKSA1

MOSFETs Y

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045CPAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	1037.37 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045CPAFKSA1

Description: INFINEON - IPW60R045CPAFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 60 A, 0.04 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 431W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 436 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1334.51 грн
5+	1333.64 грн
10+	1331.91 грн
50+	789.82 грн
100+	646.40 грн
250+	645.66 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 380 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	808.70 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045CPFKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 60A; 431W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Power dissipation: 431W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

на замовлення 23 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1420.53 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045CPFKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 431W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 100 V

на замовлення 1516 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1101.70 грн
30+	652.46 грн
120+	576.60 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 8 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 4088 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	810.04 грн
30+	750.08 грн
120+	749.16 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045CPFKSA1

MOSFETs N-Ch 650V 60A TO247-3 CoolMOS CP

на замовлення 338 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1116.82 грн
10+	1001.11 грн
25+	596.36 грн
100+	573.13 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045CPFKSA1

Description: INFINEON - IPW60R045CPFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 60 A, 0.045 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 431W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 290 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1168.57 грн
5+	1099.06 грн
10+	1029.56 грн
50+	692.20 грн
100+	591.30 грн
250+	590.55 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045CPFKSA1
Код товару: 211767

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 4088 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	750.57 грн
30+	695.01 грн
120+	694.16 грн

Мінімальне замовлення: 17

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045CPFKSA1

на замовлення 23 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	1704.63 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 8 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	749.26 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 960 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

35+	900.53 грн
100+	855.04 грн
500+	810.58 грн

Мінімальне замовлення: 35

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045CPXK

MOSFETs N-Ch 650V 60A TO247-3 CoolMOS CP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045P7XKSA1

Description: INFINEON - IPW60R045P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 61 A, 0.045 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 201W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 31 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	617.73 грн
10+	458.74 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 61A Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	271.07 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 110 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

41+	304.22 грн
46+	274.33 грн

Мінімальне замовлення: 41

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 273 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	555.00 грн
24+	535.97 грн
50+	332.17 грн

Мінімальне замовлення: 23

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045P7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 402 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	580.10 грн
25+	328.66 грн
100+	240.87 грн
240+	240.09 грн
480+	216.86 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045P7XKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 650V; 61A; 201W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 61A
Power dissipation: 201W
Case: TO247
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 90nC
Kind of channel: enhancement

на замовлення 110 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

30+	287.58 грн

Мінімальне замовлення: 30

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 462480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	391.43 грн
231360+	359.41 грн
347040+	336.17 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 112 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	555.00 грн
24+	523.57 грн

Мінімальне замовлення: 23

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045P7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 61A TO247-3-41
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 201W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.08mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3891 pF @ 400 V

на замовлення 1803 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	539.54 грн
30+	300.04 грн
120+	251.74 грн
510+	204.31 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 110 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	324.04 грн
30+	292.21 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPW60R055CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 11040 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	488.78 грн
480+	486.35 грн
720+	414.21 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPW60R055CFD7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R055CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R055CFD7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 38A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 900µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3194 pF @ 400 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R055CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 130 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	544.24 грн
50+	380.48 грн
100+	366.09 грн

Мінімальне замовлення: 23

В кошику од. на суму грн.

IPW60R055CFD7XKSA1

Description: INFINEON - IPW60R055CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38 A, 0.046 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 178W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 128 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	597.75 грн
10+	596.01 грн
100+	328.42 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R055CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R055CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R055CM8XKSA1

Description: INFINEON - IPW60R055CM8XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 44 A, 0.055 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CM8 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	487.41 грн
10+	368.38 грн
100+	297.14 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R055CM8XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 220 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	349.78 грн
10+	322.75 грн
25+	311.68 грн
100+	292.09 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPW60R055CM8XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 220 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

35+	356.24 грн
39+	322.00 грн
41+	308.93 грн
100+	287.61 грн

Мінімальне замовлення: 35

В кошику од. на суму грн.

IPW60R055CM8XKSA1

MOSFETs 600V CoolMOS CM8 Power Transistor

на замовлення 47 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	455.40 грн
10+	339.34 грн
100+	238.54 грн
480+	211.44 грн
1200+	182.01 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R055CM8XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R055CM8XKSA1

Description: IPW60R055CM8XKSA1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 18.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 440µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-U06
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2245 pF @ 400 V

на замовлення 135 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	435.65 грн
30+	238.56 грн
120+	198.79 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R060C7

MOSFET HIGH POWER_NEW

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R060C7

Description: IPW60R060 - 600V COOLMOS N-CHANN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 162W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 400 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R060C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

27+	462.64 грн
29+	431.27 грн

Мінімальне замовлення: 27

В кошику од. на суму грн.

IPW60R060C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 195 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R060C7XKSA1
Код товару: 161478

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R060C7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 35A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 162W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 400 V

на замовлення 408 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	510.22 грн
30+	283.17 грн
120+	237.36 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R060C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 185 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

29+	431.17 грн
30+	426.85 грн
41+	306.97 грн
100+	267.72 грн

Мінімальне замовлення: 29

В кошику од. на суму грн.

IPW60R060C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 195 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

195+	218.77 грн

Мінімальне замовлення: 195

В кошику од. на суму грн.

IPW60R060C7XKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

на замовлення 95 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

30+	370.12 грн
90+	309.80 грн

Мінімальне замовлення: 30

В кошику од. на суму грн.

IPW60R060C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 185 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	458.54 грн
10+	453.96 грн
25+	326.33 грн
100+	299.65 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R060C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	262.04 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R060C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 108 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	276.58 грн
10+	273.75 грн
25+	271.80 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPW60R060C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 960 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	363.43 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPW60R060C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 635 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

28+	445.82 грн
29+	430.33 грн

Мінімальне замовлення: 28

В кошику од. на суму грн.

IPW60R060C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 174 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

95+	328.78 грн
100+	312.24 грн

Мінімальне замовлення: 95

В кошику од. на суму грн.

IPW60R060C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 108 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

49+	258.14 грн

Мінімальне замовлення: 49

В кошику од. на суму грн.

IPW60R060C7XKSA1

Description: INFINEON - IPW60R060C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 35 A, 0.052 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 162W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 593 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	386.63 грн
10+	385.76 грн
100+	246.75 грн
500+	195.24 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPW60R060C7XKSA1

MOSFETs Y

на замовлення 248 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	542.15 грн
10+	489.87 грн
25+	376.40 грн
100+	336.13 грн
240+	335.36 грн
480+	267.97 грн
1200+	255.58 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R060P7

на замовлення 117090 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R060P7

Trans MOSFET N-CH 600V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	698.69 грн
25+	666.44 грн
50+	639.62 грн
100+	595.03 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

IPW60R060P7

MOSFETs HIGH POWER_NEW

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R060P7

на замовлення 148 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R060P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R060P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	214.15 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R060P7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 3041 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	472.57 грн
25+	241.37 грн
100+	192.07 грн
240+	191.30 грн
480+	171.16 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R060P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R060P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 94 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	499.58 грн
35+	363.93 грн

Мінімальне замовлення: 25

В кошику од. на суму грн.

IPW60R060P7XKSA1

Description: INFINEON - IPW60R060P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 48 A, 0.06 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 164W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 291 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	504.79 грн
10+	371.86 грн
100+	238.06 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R060P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 604 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	407.82 грн
25+	272.50 грн
100+	254.62 грн
240+	239.21 грн
480+	202.29 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R060P7XKSA1
Код товару: 192082

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R060P7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 48A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 164W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2895 pF @ 400 V

на замовлення 1325 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	438.17 грн
30+	240.47 грн
120+	200.39 грн
510+	161.50 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R060P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 364 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

32+	388.99 грн
49+	256.25 грн
100+	239.48 грн
240+	224.96 грн

Мінімальне замовлення: 32

В кошику од. на суму грн.

IPW60R060P7XKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 600V; 48A; 164W; TO247-3; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Power dissipation: 164W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 49mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 67nC
Kind of channel: enhancement
Electrical mounting: SMT

на замовлення 904 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

30+	302.35 грн
120+	252.52 грн

Мінімальне замовлення: 30

В кошику од. на суму грн.

IPW60R0706P

Description: 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER MOS
Packaging: Bulk
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070C6

MOSFETs N-Ch 600V 53A TO247-3 CoolMOS C6

на замовлення 880 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	599.97 грн
10+	502.34 грн
100+	364.01 грн
480+	321.42 грн
1200+	288.89 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070C6FKSA1

Description: INFINEON - IPW60R070C6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 53 A, 0.07 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 391W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 96 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	641.19 грн
5+	593.41 грн
10+	544.75 грн
50+	371.11 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 50563 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

72+	434.24 грн
100+	412.53 грн
500+	390.81 грн
1000+	355.92 грн
10000+	310.17 грн

Мінімальне замовлення: 72

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 2880 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	355.08 грн
480+	325.55 грн
2640+	319.10 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070C6FKSA1

MOSFETs N-Ch 600V 53A TO247-3 CoolMOS C6

на замовлення 64 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	614.43 грн
25+	359.83 грн
100+	287.34 грн
240+	286.56 грн
480+	275.72 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070C6FKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 53A; 391W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 53A
Power dissipation: 391W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 1150 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	442.16 грн
30+	395.55 грн
120+	364.95 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

72+	434.24 грн
100+	412.53 грн

Мінімальне замовлення: 72

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070C6FKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 53A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 25.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 391W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.72mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 100 V

на замовлення 2228 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	629.18 грн
30+	355.16 грн
120+	300.10 грн
510+	260.57 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 1150 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

31+	412.25 грн
34+	368.79 грн
120+	340.26 грн

Мінімальне замовлення: 31

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 3068 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	380.45 грн
480+	348.81 грн
2640+	341.90 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070CFD7

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 156W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.129Ω
Mounting: THT
Gate charge: 67nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070CFD7

MOSFET HIGH POWER_NEW

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 239 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 16735 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

115+	270.88 грн
500+	256.41 грн
1000+	241.93 грн
10000+	220.33 грн

Мінімальне замовлення: 115

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070CFD7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 31A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 15.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 760µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2721 pF @ 400 V

на замовлення 415 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	459.11 грн
30+	252.17 грн
120+	210.50 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070CFD7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 3493 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	476.18 грн
25+	214.65 грн
100+	183.56 грн
240+	181.23 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070CFD7XKSA1

Description: INFINEON - IPW60R070CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 31 A, 0.07 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 355 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	509.13 грн
10+	370.99 грн
100+	231.98 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 1086 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

28+	456.57 грн
30+	418.52 грн
50+	347.64 грн

Мінімальне замовлення: 28

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070CM8XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070CM8XKSA1

Description: IPW60R070CM8XKSA1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 14.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 201W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 360µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-U06
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1878 pF @ 400 V

на замовлення 32 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	390.41 грн
30+	212.37 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070CM8XKSA1

MOSFETs 600V CoolMOS CM8 Power Transistor

на замовлення 151 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	374.98 грн
10+	296.59 грн
100+	208.34 грн
480+	185.10 грн
1200+	158.77 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070CM8XKSA1

Description: INFINEON - IPW60R070CM8XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 37 A, 0.07 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 201W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CM8 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 210 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	361.43 грн
10+	304.09 грн
100+	275.42 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070CM8XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

35+	354.59 грн
40+	310.67 грн
43+	294.62 грн
100+	271.74 грн

Мінімальне замовлення: 35

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070CM8XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	331.62 грн
10+	300.69 грн
25+	288.19 грн
100+	268.59 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070P6

Trans MOSFET N-CH 600V 53.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	779.13 грн
25+	743.16 грн
50+	713.26 грн
100+	663.54 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070P6

на замовлення 41 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070P6

Description: 600V, 0.07OHM, N-CHANNEL MOSFET,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 391W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.72mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070P6

MOSFETs HIGH POWER PRICE/PERFORM

на замовлення 214 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	479.80 грн
10+	361.61 грн
100+	254.81 грн
480+	226.15 грн
1200+	192.85 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070P6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 53.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 358 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

43+	290.64 грн

Мінімальне замовлення: 43

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070P6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 53.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 48 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	720.86 грн
30+	327.45 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070P6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 53.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

24+	526.05 грн
30+	421.83 грн

Мінімальне замовлення: 24

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070P6XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 53.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 391W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.72mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 100 V

на замовлення 1394 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	461.62 грн
30+	254.02 грн
120+	212.10 грн
510+	172.83 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070P6XKSA1

MOSFETs HIGH POWER PRICE/PERFORM

на замовлення 345 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	479.80 грн
10+	242.26 грн
100+	202.14 грн
480+	191.30 грн
2640+	190.53 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070P6XKSA1
Код товару: 165846

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070P6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 53.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 1724 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

30+	420.69 грн
50+	408.53 грн
100+	383.00 грн
480+	350.29 грн
720+	330.02 грн

Мінімальне замовлення: 30

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070P6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 53.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070P6XKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 53.5A; 391W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 53.5A
Power dissipation: 391W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070P6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 53.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 2112 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

24+	516.95 грн
30+	421.83 грн

Мінімальне замовлення: 24

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070P6XKSA1

Description: INFINEON - IPW60R070P6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 53.5 A, 0.07 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 391W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 214 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	529.98 грн
10+	432.67 грн
100+	250.22 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070P6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 53.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070P6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 53.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 1077 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	503.88 грн
31+	401.52 грн
46+	274.70 грн
50+	257.97 грн
100+	235.74 грн
480+	214.09 грн

Мінімальне замовлення: 25

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070P6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 53.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R075CP

MOSFETs N-Ch 600V 39A TO247-3 CoolMOS CP

на замовлення 139 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	709.31 грн
10+	599.42 грн
100+	434.49 грн
480+	383.37 грн
1200+	344.65 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R075CPA

MOSFET AUTOMOTIVE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R075CPAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

на замовлення 174 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

52+	605.87 грн
100+	575.88 грн

Мінімальне замовлення: 52

В кошику од. на суму грн.

IPW60R075CPAFKSA1

MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS

на замовлення 118 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	856.59 грн
10+	723.22 грн
100+	524.33 грн
240+	493.35 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R075CPAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 39A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R075CPAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

на замовлення 720 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	472.78 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPW60R075CPAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 39A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R075CPAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

на замовлення 720 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	506.55 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPW60R075CPAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

на замовлення 75 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

52+	605.87 грн

Мінімальне замовлення: 52

В кошику од. на суму грн.

IPW60R075CPAFKSA1

Description: AUTOMOTIVE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.74mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 174 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	856.23 грн
30+	490.41 грн
120+	442.99 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R075CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 64 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	504.20 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R075CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 228 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

60+	516.95 грн
100+	491.10 грн

Мінімальне замовлення: 60

В кошику од. на суму грн.

IPW60R075CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R075CPFKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 39A; 313W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 39A
Power dissipation: 313W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R075CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 64 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	610.00 грн
10+	594.52 грн
25+	517.40 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R075CPFKSA1

Description: INFINEON - IPW60R075CPFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 39 A, 0.075 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 465 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	642.93 грн
5+	573.42 грн
10+	503.05 грн
50+	428.39 грн
100+	359.69 грн
250+	271.82 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R075CPFKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 39A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.7mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 100 V

на замовлення 237 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	725.53 грн
30+	439.69 грн
120+	395.44 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R075CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 64 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

60+	516.95 грн

Мінімальне замовлення: 60

В кошику од. на суму грн.

IPW60R075CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R075CPFKSA1

MOSFETs N-Ch 600V 39A TO247-3 CoolMOS CP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R075CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 64 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	573.26 грн
23+	558.72 грн
26+	486.24 грн

Мінімальне замовлення: 22

В кошику од. на суму грн.

IPW60R075CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 13 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R075CPXK

Description: IPW60R075 - 600V COOLMOS N-CHANN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.7mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R080P7

MOSFETs HIGH POWER_NEW

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R080P7

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23A; 129W; PG-TO247-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23A
Power dissipation: 129W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R080P7XKSA1

Description: INFINEON - IPW60R080P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 37 A, 0.069 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 129W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 98 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	453.53 грн
10+	332.76 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R080P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

31+	401.98 грн
50+	353.18 грн
200+	258.21 грн

Мінімальне замовлення: 31

В кошику од. на суму грн.

IPW60R080P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	227.89 грн
480+	226.96 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPW60R080P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	181.62 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R080P7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 37A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 11.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 129W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 400 V

на замовлення 2872 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	387.90 грн
30+	210.59 грн
120+	174.68 грн
510+	139.22 грн
1020+	137.02 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R080P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R080P7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 2132 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	416.55 грн
25+	199.51 грн
100+	167.29 грн
240+	164.97 грн
480+	144.83 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R080P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R090CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R090CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R090CFD7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 11.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 570µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2103 pF @ 400 V

на замовлення 99 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	413.87 грн
30+	225.60 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R090CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 1440 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	314.98 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPW60R090CFD7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 1276 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	443.66 грн
25+	231.57 грн
100+	179.68 грн
240+	178.91 грн
2640+	172.71 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R090CFD7XKSA1

Description: INFINEON - IPW60R090CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.069 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 210 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	476.98 грн
10+	351.00 грн
100+	225.03 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R090CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R090CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 2640 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	243.15 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099C6

MOSFETs N-Ch 650V 38A TO247-3 CoolMOS C6

на замовлення 135 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	562.93 грн
10+	409.71 грн
100+	288.11 грн
480+	255.58 грн
1200+	219.18 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099C6
Код товару: 186494

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099C6FKSA1

Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 230mOhm; 37,9A; 278W; -55°C ~ 150°C; IPW60R099C6 TIPW60r099c6
кількість в упаковці: 2 шт

на замовлення 30 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

2+	314.90 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099C6FKSA1

Description: INFINEON - IPW60R099C6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38 A, 0.09 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 294 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	511.74 грн
10+	437.02 грн
100+	279.76 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 390 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	507.06 грн
39+	325.22 грн
50+	285.35 грн
100+	242.92 грн

Мінімальне замовлення: 25

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099C6FKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 37.9A; 278W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 37.9A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099C6FKSA1

MOSFETs N-Ch 650V 38A TO247-3 CoolMOS C6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 580 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	342.86 грн
30+	306.79 грн
120+	272.08 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 620 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	284.63 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099C6FKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 37.9A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 18.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.21mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 119 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 100 V

на замовлення 326 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	504.35 грн
30+	279.60 грн
120+	234.26 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 580 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

39+	322.47 грн
44+	288.43 грн
120+	256.84 грн

Мінімальне замовлення: 39

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099C6FKSA1 (TO-247, Infineon) MOSFET N-ch 600V/37,9A
Код товару: 88983

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

1+	174.00 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099C7

MOSFET HIGH POWER_NEW

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099C7

Description: MOSFET N-CH 600V 22A TO247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 490µA
Supplier Device Package: PG-TO247
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1819 pF @ 400 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099C7XKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 110W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Power dissipation: 110W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 230 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

37+	339.12 грн
40+	313.48 грн
50+	272.95 грн
100+	262.50 грн

Мінімальне замовлення: 37

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099C7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 14A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 490µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1819 pF @ 400 V

на замовлення 230 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	402.14 грн
30+	218.77 грн
120+	181.72 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	234.05 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099C7XKSA1

Description: INFINEON - IPW60R099C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 22 A, 0.085 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 234 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	382.28 грн
10+	198.09 грн
100+	187.67 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099C7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 216 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	430.10 грн
10+	228.90 грн
100+	175.81 грн
480+	151.80 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099CM8XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099CM8XKSA1

Description: INFINEON - IPW60R099CM8XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.099 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 176W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CM8 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	394.45 грн
10+	260.65 грн
100+	204.17 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099CM8XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 230 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	283.05 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099CM8XKSA1

MOSFETs 600V CoolMOS CM8 Power Transistor

на замовлення 215 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	369.56 грн
10+	240.48 грн
100+	164.19 грн
480+	144.83 грн
1200+	124.69 грн
2640+	116.95 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099CM8XKSA1

Description: IPW60R099CM8XKSA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 10.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 260µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-U06
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 400 V

на замовлення 334 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	331.77 грн
30+	177.49 грн
120+	146.34 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099CM8XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 230 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

47+	264.18 грн

Мінімальне замовлення: 47

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099CP

MOSFETs N-Ch 600V 31A TO247-3 CoolMOS CP

на замовлення 134 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	530.40 грн
10+	438.21 грн
100+	316.77 грн
480+	279.59 грн
1200+	251.71 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099CP
Код товару: 72969

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099CP

Description: MOSFET N-CH 600V 31A TO247-3-1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099CPA

MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS

на замовлення 96 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	571.96 грн
10+	479.18 грн
100+	346.97 грн
480+	306.70 грн
1200+	275.72 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099CPA

Description: IPW60R099 - 600V-800V N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099CPAE8222XKSA1

IPW60R099CPAE8222XKSA1

на замовлення 950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

59+	530.39 грн
100+	503.51 грн
500+	477.66 грн

Мінімальне замовлення: 59

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099CPAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

на замовлення 280 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	616.81 грн
25+	419.15 грн
100+	382.98 грн
240+	354.47 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099CPAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

75+	413.56 грн
100+	392.88 грн

Мінімальне замовлення: 75

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099CPAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

на замовлення 17660 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	383.10 грн
480+	340.74 грн
1200+	340.39 грн
2640+	323.96 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099CPAFKSA1

MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS

на замовлення 570 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	608.11 грн
25+	374.97 грн
100+	304.38 грн
240+	285.01 грн
480+	262.55 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099CPAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

75+	413.56 грн
100+	392.88 грн

Мінімальне замовлення: 75

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099CPAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

на замовлення 40 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	595.58 грн
23+	552.99 грн
27+	460.16 грн

Мінімальне замовлення: 21

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099CPAFKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 31A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 203 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	557.97 грн
30+	336.90 грн
120+	319.74 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099CPAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099CPAFKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 600V; 31A; 255W; TO247-3; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MOSFET
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 31A
Power dissipation: 255W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of channel: enhancement
Electrical mounting: SMT
Application: automotive industry

на замовлення 280 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

30+	465.69 грн
90+	388.86 грн

Мінімальне замовлення: 30

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099CPAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

на замовлення 17520 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	357.56 грн
480+	318.03 грн
1200+	317.70 грн
2640+	302.36 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099CPAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

на замовлення 220 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	547.55 грн
28+	454.92 грн
50+	378.85 грн

Мінімальне замовлення: 23

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099CPAFKSA1

Description: INFINEON - IPW60R099CPAFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 31 A, 0.09 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 255W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 134 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	611.65 грн
5+	565.60 грн
10+	519.56 грн
50+	392.09 грн
100+	338.10 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099CPAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099CPFKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 31A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 100 V

на замовлення 280 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	567.19 грн
30+	317.30 грн
120+	267.05 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 965 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	617.65 грн
10+	554.98 грн
25+	367.07 грн
50+	350.25 грн
100+	297.12 грн
480+	272.32 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099CPFKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 31A; 255W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 31A
Power dissipation: 255W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

на замовлення 37 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	433.54 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 188 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

113+	109.84 грн
114+	109.68 грн

Мінімальне замовлення: 113

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 188 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	316.69 грн
7+	117.95 грн
10+	117.51 грн
25+	111.52 грн
50+	103.18 грн
100+	98.60 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099CPFKSA1

Description: INFINEON - IPW60R099CPFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 31 A, 0.099 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 255W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 106 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	568.21 грн
5+	523.03 грн
10+	476.98 грн
50+	329.16 грн
100+	282.99 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 425 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	356.91 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099CPFKSA1

на замовлення 37 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	520.25 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099CPFKSA1
Код товару: 189155

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 304 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

34+	367.24 грн
38+	334.85 грн
120+	300.77 грн

Мінімальне замовлення: 34

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099CPFKSA1

MOSFETs N-Ch 600V 31A TO247-3 CoolMOS CP

на замовлення 20 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	545.76 грн
25+	325.98 грн
100+	264.10 грн
240+	262.55 грн
480+	240.87 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099P6

MOSFETs HIGH POWER PRICE/PERFORM

на замовлення 61 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	393.96 грн
10+	284.12 грн
100+	200.59 грн
480+	177.36 грн
1200+	151.80 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099P6XKSA1

MOSFETs HIGH POWER PRICE/PERFORM

на замовлення 1548 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	393.06 грн
10+	187.04 грн
100+	149.48 грн
480+	143.28 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099P6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

26+	480.56 грн
50+	430.93 грн

Мінімальне замовлення: 26

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099P6XKSA1

Description: INFINEON - IPW60R099P6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 37.9 A, 0.089 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.089ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 229 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	423.99 грн
10+	211.99 грн
100+	200.70 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099P6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099P6XKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 37.9A; 278W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 37.9A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 18 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	425.38 грн
2+	388.07 грн
30+	272.04 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099P6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099P6XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 37.9A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.21mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3330 pF @ 100 V

на замовлення 501 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	383.71 грн
30+	207.98 грн
120+	172.43 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099P6XKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 37.9A; 278W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 37.9A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

на замовлення 18 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	311.41 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099P6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099P7

Description: 600V, 0.099OHM, N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099P7

Infineon HIGH POWER_NEW

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099P7

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 210 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

24+	519.20 грн
25+	496.89 грн
50+	477.96 грн
100+	445.25 грн

Мінімальне замовлення: 24

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 615 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

57+	219.38 грн

Мінімальне замовлення: 57

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099P7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 1197 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	329.81 грн
10+	166.55 грн
100+	142.51 грн
480+	141.73 грн
1200+	130.89 грн
2640+	128.57 грн
5040+	126.24 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 5 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 5 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	236.35 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 140 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	157.22 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099P7XKSA1

Description: INFINEON - IPW60R099P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 31 A, 0.077 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 117W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 373 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	362.30 грн
10+	324.94 грн
100+	179.85 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099P7XKSA1

на замовлення 420 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099P7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 31A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 117W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 530µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1952 pF @ 400 V

на замовлення 238 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	348.52 грн
30+	187.79 грн
120+	155.12 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099ZH

на замовлення 706780 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099ZH

Description: IPW60R099 - 600V CoolMOS N-Chann
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099ZHXKSA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPW60R099ZHXKSA1 - IPW60R099 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 101 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R105CFD7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 9.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 470µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1752 pF @ 400 V

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	442.36 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R105CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 T/R

на замовлення 2160 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	293.48 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPW60R105CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R105CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 230 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

35+	364.76 грн
50+	308.52 грн
100+	258.89 грн
200+	237.85 грн

Мінімальне замовлення: 35

В кошику од. на суму грн.

IPW60R105CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R105CFD7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 191 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	460.82 грн
25+	315.30 грн
100+	228.48 грн
240+	209.89 грн
480+	154.90 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R105CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R105CFD7XKSA1

Description: INFINEON - IPW60R105CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 A, 0.089 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 106W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.089ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 158 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	343.19 грн
10+	271.07 грн
100+	198.09 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPW60R120C7

MOSFET HIGH POWER_NEW

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R120C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R120C7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 19A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 92W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 390µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V

на замовлення 210 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	353.55 грн
30+	190.48 грн
120+	157.43 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R120C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R120C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R120C7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 223 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	352.39 грн
25+	183.48 грн
100+	150.25 грн
480+	127.79 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R120CM8XKSA1

Description: IPW60R120CM8XKSA1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 8.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-U06
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1045 pF @ 400 V

на замовлення 79 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	289.04 грн
30+	153.29 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R120CM8XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 215 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

50+	252.85 грн
76+	164.43 грн
120+	139.54 грн

Мінімальне замовлення: 50

В кошику од. на суму грн.

IPW60R120CM8XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 215 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	270.91 грн
30+	176.18 грн
120+	149.50 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPW60R120CM8XKSA1

Description: INFINEON - IPW60R120CM8XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23 A, 0.12 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 131W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CM8 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 232 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	351.00 грн
10+	230.24 грн
100+	172.03 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPW60R120CM8XKSA1

MOSFETs 600V CoolMOS CM8 Power Transistor

на замовлення 177 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	327.09 грн
10+	211.09 грн
100+	137.86 грн
480+	121.60 грн
1200+	104.56 грн
2640+	98.36 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R120CM8XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R120P7

MOSFETs HIGH POWER_NEW

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R120P7

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 95W; PG-TO247-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Version: ESD
Case: PG-TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.12Ω
Drain current: 16A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 95W
Technology: CoolMOS™ P7
Drain-source voltage: 600V
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R120P7

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 410µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1544 pF @ 400 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R120P7XKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

на замовлення 540 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

30+	192.01 грн

Мінімальне замовлення: 30

В кошику од. на суму грн.

IPW60R120P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R120P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 350 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

62+	202.64 грн
64+	196.03 грн

Мінімальне замовлення: 62

В кошику од. на суму грн.

IPW60R120P7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 26A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 410µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1544 pF @ 400 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R120P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 540 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

54+	231.87 грн
56+	224.78 грн
68+	184.37 грн
100+	156.22 грн
480+	118.51 грн

Мінімальне замовлення: 54

В кошику од. на суму грн.

IPW60R120P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R120P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R120P7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 237 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	216.86 грн
10+	209.31 грн
25+	155.67 грн
100+	134.76 грн
480+	108.43 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R120P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 540 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	247.67 грн
10+	240.08 грн
25+	196.92 грн
100+	166.86 грн
480+	126.58 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125C6
Код товару: 182612

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Uds,V: 650 V
Idd,A: 30 A
Rds(on), Ohm: 0,11 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2127/96
Монтаж: THT

у наявності 1 шт:

1 шт - РАДІОМАГ-Київ

1+	245.00 грн
10+	227.00 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125C6

MOSFETs N-Ch 600V 30A TO247-3 CoolMOS C6

на замовлення 192 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	374.08 грн
10+	301.05 грн
100+	211.44 грн
480+	188.20 грн
1200+	161.09 грн
2640+	151.03 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125C6

на замовлення 27 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125C6FKSA1

Description: INFINEON - IPW60R125C6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.11 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 219W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 97 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	377.07 грн
10+	327.55 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 27 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	220.49 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 1082 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

137+	226.42 грн
500+	214.02 грн
1000+	202.64 грн

Мінімальне замовлення: 137

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125C6FKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 219W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 219W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 27 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125C6FKSA1

MOSFETs N-Ch 600V 30A TO247-3 CoolMOS C6

на замовлення 164 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	351.49 грн
10+	345.58 грн
25+	192.85 грн
100+	178.13 грн
480+	151.03 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125C6FKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 219W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 960µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2127 pF @ 100 V

на замовлення 248 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	400.47 грн
30+	217.91 грн
120+	180.97 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 210 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

69+	180.91 грн
82+	151.77 грн

Мінімальне замовлення: 69

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125CFD7XKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 600V; 18A; 92W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 92W
Case: TO247
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of channel: enhancement

на замовлення 210 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

30+	166.81 грн

Мінімальне замовлення: 30

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125CFD7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 333 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	374.98 грн
10+	368.74 грн
25+	179.68 грн
100+	176.58 грн
240+	175.04 грн
480+	126.24 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125CFD7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 18A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 92W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 390µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1503 pF @ 400 V

на замовлення 105 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	348.52 грн
30+	187.65 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125CFD7XKSA1

Description: INFINEON - IPW60R125CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.104 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 92W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.104ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 120 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	392.71 грн
10+	389.23 грн
100+	231.98 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 210 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	191.85 грн
10+	191.75 грн
25+	160.77 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 78 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

32+	390.40 грн
50+	389.57 грн

Мінімальне замовлення: 32

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125CP

MOSFETs N-Ch 650V 25A TO247-3 CoolMOS CP

на замовлення 121 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	440.04 грн
10+	364.28 грн
100+	255.58 грн
480+	226.93 грн
1200+	194.40 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125CP

Description: 25A, 600V, 0.125OHM, N-CHANNEL M
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.1mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125CP

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125CP
Код товару: 143316

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	342.24 грн
240+	251.61 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125CPFKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 25A; 208W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 25A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 37 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	569.25 грн
10+	388.07 грн
30+	365.95 грн
60+	340.78 грн
150+	305.93 грн
240+	295.28 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 450 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	265.65 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125CPFKSA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPW60R125CPFKSA1 - IPW60R125 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 235 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

73+	335.37 грн

Мінімальне замовлення: 73

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 225 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

114+	273.98 грн

Мінімальне замовлення: 114

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

39+	321.88 грн
240+	236.53 грн

Мінімальне замовлення: 39

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 450 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

39+	325.17 грн
240+	247.84 грн

Мінімальне замовлення: 39

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125CPFKSA1

MOSFETs N-Ch 650V 25A TO247-3 CoolMOS CP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125CPFKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.1mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125CPFKSA1

на замовлення 37 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	474.38 грн
10+	311.41 грн
30+	304.96 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125P6

MOSFETs HIGH POWER PRICE/PERFORM

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125P6

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 11.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 219W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 960µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125P6
Код товару: 169145

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125P6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125P6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125P6XKSA1

N-MOSFET 30A 600V 219W 0.125Ω IPW60R125P6XKSA1 IPW60R125P6 TIPW60r125p6
кількість в упаковці: 2 шт

на замовлення 30 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

2+	336.36 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125P6XKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 219W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 219W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

на замовлення 12 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	139.01 грн
10+	121.82 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125P6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	193.72 грн
25+	168.99 грн
100+	159.32 грн
240+	153.33 грн
480+	124.72 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125P6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 8640 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	250.96 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125P6XKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 219W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 219W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 12 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

2+	166.81 грн
10+	151.81 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125P6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 180 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

68+	184.42 грн
73+	171.21 грн
100+	163.84 грн

Мінімальне замовлення: 68

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125P6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125P6XKSA1

MOSFETs HIGH POWER PRICE/PERFORM

на замовлення 139 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	281.01 грн
25+	203.07 грн
100+	155.67 грн
240+	154.90 грн
480+	128.57 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125P6XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 11.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 219W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 960µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 100 V

на замовлення 179 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	354.39 грн
30+	191.20 грн
120+	158.05 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R145CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R145CFD7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 16A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 6.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 340µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 400 V

на замовлення 99993 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

141+	154.13 грн

Мінімальне замовлення: 141

В кошику од. на суму грн.

IPW60R145CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R145CFD7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 15 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	342.46 грн
10+	325.98 грн
25+	145.60 грн
100+	134.76 грн
240+	133.99 грн
480+	111.53 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R145CFD7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 16A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 6.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 340µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 400 V

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	319.20 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R145CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R145CFD7XKSA1

Description: INFINEON - IPW60R145CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 16 A, 0.127 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.127ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R160C6

MOSFETs N-Ch 600V 23.8A TO247-3 CoolMOS C6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R160C6

Description: 23.8A, 600V, 0.16OHM, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 750µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R160C6

на замовлення 7 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R160C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

167+	186.10 грн

Мінімальне замовлення: 167

В кошику од. на суму грн.

IPW60R160C6FKSA1
Код товару: 206426

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > IGBT

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R160C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 760 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	172.58 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPW60R160C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R160C6FKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 23.8A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 750µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 100 V

на замовлення 20 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	341.82 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R160C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 162 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

162+	130.85 грн

Мінімальне замовлення: 162

В кошику од. на суму грн.

IPW60R160C6FKSA1

Description: INFINEON - IPW60R160C6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23.8 A, 0.16 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 176W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 95 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	343.19 грн
10+	267.60 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPW60R160C6FKSA1

Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 370mOhm; 23,8A; 176W; -55°C ~ 150°C; IPW60R160C6FKSA1 IPW60R160C6 TIPW60r160c6
кількість в упаковці: 5 шт

на замовлення 10 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

5+	240.06 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IPW60R160C6FKSA1

MOSFETs N-Ch 600V 23.8A TO247-3 CoolMOS C6

на замовлення 162 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	377.69 грн
25+	216.43 грн
100+	183.56 грн
240+	163.42 грн
480+	124.69 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R160C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 162 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R160C6FKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23.8A; 176W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23.8A
Power dissipation: 176W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R160P6

на замовлення 31680 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R160P6

MOSFETs HIGH POWER_LEGACY

на замовлення 863 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	290.05 грн
10+	212.87 грн
100+	150.25 грн
240+	146.38 грн
480+	133.21 грн
1200+	113.85 грн
2640+	107.65 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R160P6

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 750µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R160P6FKSA1

Description: INFINEON - IPW60R160P6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23.8 A, 0.144 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 176W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.144ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 195 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	331.89 грн
10+	292.79 грн
100+	204.17 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPW60R160P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R160P6FKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 23.8A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 750µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 100 V

на замовлення 197 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	310.82 грн
30+	165.57 грн
120+	136.17 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R160P6FKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23.8A; 176W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23.8A
Power dissipation: 176W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R160P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R160P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R160P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 450 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

50+	250.62 грн
55+	229.11 грн

Мінімальне замовлення: 50

В кошику од. на суму грн.

IPW60R160P6FKSA1

MOSFETs HIGH POWER_LEGACY

на замовлення 352 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	283.72 грн
10+	277.89 грн
25+	121.60 грн
100+	114.63 грн
240+	109.20 грн
480+	107.65 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R165CP

Description: 21A, 600V, 0.165OHM, N-CHANNEL M
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 790µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R165CP

MOSFETs N-Ch 650V 21A TO247-3 CoolMOS CP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R165CP

на замовлення 6 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R165CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R165CPFKSA1

MOSFETs HIGH POWER_LEGACY

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R165CPFKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; 192W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
Power dissipation: 192W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R165CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R165CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R165CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	213.27 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IPW60R165CPFKSA1

Description: INFINEON - IPW60R165CPFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 A, 0.15 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 192W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 16 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	505.66 грн
10+	447.44 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R165CPFKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 790µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 100 V

на замовлення 232 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	380.36 грн
30+	206.29 грн
120+	170.99 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R170CFD7

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; 75W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9A
Power dissipation: 75W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.325Ω
Mounting: THT
Gate charge: 28nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R170CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

37+	336.02 грн
41+	302.93 грн
50+	251.24 грн
100+	241.27 грн
200+	214.16 грн

Мінімальне замовлення: 37

В кошику од. на суму грн.

IPW60R170CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R170CFD7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 14A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 300µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1199 pF @ 400 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R170CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 6240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	211.99 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPW60R170CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 210 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	188.98 грн
25+	182.10 грн
100+	157.13 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IPW60R170CFD7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 137 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	351.49 грн
10+	342.91 грн
25+	169.61 грн
100+	154.90 грн
240+	151.80 грн
480+	111.53 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R170CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R170CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 210 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	126.50 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPW60R170CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 208 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

71+	177.17 грн
73+	170.71 грн
100+	147.30 грн

Мінімальне замовлення: 71

В кошику од. на суму грн.

IPW60R180C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 215 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

79+	158.34 грн
100+	145.09 грн
120+	142.44 грн

Мінімальне замовлення: 79

В кошику од. на суму грн.

IPW60R180C7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 231 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	302.70 грн
10+	293.03 грн
25+	130.89 грн
100+	116.95 грн
240+	115.40 грн
480+	94.49 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R180C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 1200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	142.80 грн
480+	125.84 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPW60R180C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 1560 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	153.00 грн
480+	134.83 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPW60R180C7XKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; 68W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R180C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R180C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

34+	373.24 грн
39+	319.48 грн
50+	264.68 грн
100+	246.25 грн
200+	214.16 грн
240+	195.85 грн

Мінімальне замовлення: 34

В кошику од. на суму грн.

IPW60R180C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

40+	314.31 грн
50+	293.63 грн

Мінімальне замовлення: 40

В кошику од. на суму грн.

IPW60R180C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R180C7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 13A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 260µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 400 V

на замовлення 192 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	282.34 грн
30+	149.44 грн
120+	122.45 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R180C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 2400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	183.26 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPW60R180P7

на замовлення 54960 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R180P7

MOSFETs HIGH POWER_NEW

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R180P7

Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

36+	353.64 грн
37+	338.45 грн
50+	325.55 грн
100+	303.27 грн

Мінімальне замовлення: 36

В кошику од. на суму грн.

IPW60R180P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R180P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 460 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

51+	245.03 грн
69+	181.97 грн

Мінімальне замовлення: 51

В кошику од. на суму грн.

IPW60R180P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 217 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

202+	154.05 грн

Мінімальне замовлення: 202

В кошику од. на суму грн.

IPW60R180P7XKSA1

Description: INFINEON - IPW60R180P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.145 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 72W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	316.25 грн
10+	314.51 грн
100+	142.49 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPW60R180P7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R180P7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 18A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 400 V

на замовлення 752 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	267.26 грн
30+	140.78 грн
120+	115.12 грн
510+	90.36 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R180P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R180P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 25200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	152.13 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPW60R180P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R180P7XKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 72W; PG-TO247-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 72W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190C6

MOSFETs N-Ch 600V 20.2A TO247-3 CoolMOS C6

на замовлення 1125 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	356.91 грн
25+	195.06 грн
100+	140.18 грн
480+	109.98 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190C6
Код товару: 133423

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190C6FKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 630µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 100 V

на замовлення 713 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	315.85 грн
30+	168.72 грн
120+	138.84 грн
510+	109.73 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

55+	226.19 грн

Мінімальне замовлення: 55

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190C6FKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

на замовлення 168 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	228.50 грн
3+	187.17 грн
10+	168.61 грн
30+	159.74 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190C6FKSA1

MOSFETs HIGH POWER_LEGACY

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 260 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	140.05 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	485.81 грн
30+	271.50 грн
120+	224.24 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190C6FKSA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPW60R190C6FKSA1 - IPW60R190 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 54 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190C6FKSA1

на замовлення 168 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

2+	274.20 грн
3+	233.24 грн
10+	202.34 грн
30+	191.69 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190E6

MOSFETs N-Ch 650V 20.2A TO247-3 CoolMOS E6

на замовлення 24 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	295.47 грн
10+	217.32 грн
100+	153.35 грн
480+	135.54 грн
1200+	116.95 грн
2640+	109.98 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190E6

на замовлення 720 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190E6

Description: 600V, 0.19OHM, N-CHANNEL MOSFET,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 630µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190E6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 329 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

203+	61.18 грн

Мінімальне замовлення: 203

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190E6FKSA1

Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 440mOhm; 20,2A; 151W; -55°C ~ 150°C; IPW60R190E6 TIPW60r190e6
кількість в упаковці: 5 шт

на замовлення 10 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

5+	163.26 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190E6FKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ E6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190E6FKSA1

на замовлення 132 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	315.85 грн
30+	168.35 грн
120+	138.52 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190E6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190E6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190E6FKSA1

Description: INFINEON - IPW60R190E6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20.2 A, 0.17 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 151W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS E6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 202 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	315.38 грн
10+	236.32 грн
100+	191.14 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190E6FKSA1

MOSFETs N-Ch 650V 20.2A TO247-3 CoolMOS E6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190E6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 329 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	144.43 грн
11+	65.55 грн
30+	64.33 грн
120+	61.43 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190P6
Код товару: 107275

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190P6

MOSFETs HIGH POWER_PRC/PRFRM

на замовлення 1041 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	262.94 грн
10+	193.28 грн
100+	137.09 грн
240+	133.99 грн
480+	120.05 грн
1200+	102.23 грн
2640+	99.14 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190P6

Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 137 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

36+	344.65 грн
38+	329.85 грн
50+	317.28 грн
100+	295.57 грн

Мінімальне замовлення: 36

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190P6

Description: MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190P6FKSA1

MOSFETs HIGH POWER_LEGACY

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 590 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

53+	234.12 грн
64+	196.15 грн
100+	185.61 грн

Мінімальне замовлення: 53

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190P6FKSA1

Description: INFINEON - IPW60R190P6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20.2 A, 0.19 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 151W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 2371 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	278.89 грн
10+	207.65 грн
100+	168.55 грн
500+	100.04 грн
1000+	90.85 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 1090 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

231+	134.41 грн
500+	127.17 грн
1000+	119.93 грн

Мінімальне замовлення: 231

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 290 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

75+	165.42 грн
100+	162.32 грн

Мінімальне замовлення: 75

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 399 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

89+	140.55 грн
240+	127.01 грн

Мінімальне замовлення: 89

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 17 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190P6FKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 630µ
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 100 V

на замовлення 144 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	273.12 грн
30+	144.25 грн
120+	118.04 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 890 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

231+	134.41 грн
500+	127.17 грн

Мінімальне замовлення: 231

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 12240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	170.06 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190P6FKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 58 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	425.38 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190P6FKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

на замовлення 58 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	354.48 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 76 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

76+	167.79 грн

Мінімальне замовлення: 76

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 17 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 620 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	193.88 грн
30+	139.99 грн
120+	106.41 грн
510+	101.02 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IPW60R199CP

Description: 16A, 600V, 0.199OHM, N-CHANNEL M
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 9.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 660µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R199CP

MOSFETs N-Ch 650V 16A TO247-3 CoolMOS CP

на замовлення 222 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	319.87 грн
10+	246.72 грн
100+	173.49 грн
480+	154.90 грн
1200+	131.66 грн
2640+	124.69 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R199CPFKSA1

MOSFET N-Ch 650V 16A TO247-3 CoolMOS CP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R199CPFKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 139W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.199Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R199CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R199CPFKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 16A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 9.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 660µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R199CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

38+	328.37 грн
50+	267.16 грн
100+	245.65 грн
200+	226.51 грн

Мінімальне замовлення: 38

В кошику од. на суму грн.

IPW60R230P6FKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 16.8A TO247-3

на замовлення 896 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R250CP

TO-247

на замовлення 22080 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R250CP

MOSFET N-Ch 600V 12A TO247-3 CoolMOS CP

на замовлення 183 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	390.35 грн
10+	346.47 грн
100+	247.06 грн
240+	246.29 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R250CP

Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO247-3

на замовлення 10800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R250CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R250CPFKSA1

MOSFET LOW POWER_LEGACY

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R250CPFKSA1

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R280C6

Description: MOSFET N-CH 600V 13.8A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 430µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V

на замовлення 210 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

210+	117.36 грн

Мінімальне замовлення: 210

В кошику од. на суму грн.

IPW60R280C6

на замовлення 240 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R280C6

MOSFET N-Ch 600V 13.8A TO247-3 CoolMOS C6

на замовлення 37 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R280C6FKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 13.8A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 430µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R280C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 13920 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

237+	131.31 грн
500+	125.10 грн
1000+	117.86 грн
10000+	106.68 грн

Мінімальне замовлення: 237

В кошику од. на суму грн.

IPW60R280C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 396 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

237+	131.31 грн

Мінімальне замовлення: 237

В кошику од. на суму грн.

IPW60R280C6FKSA1

MOSFET N-Ch 600V 13.8A TO247-3 CoolMOS C6

на замовлення 143 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R280C6FKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 13.8A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 430µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V

на замовлення 14160 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

216+	99.25 грн

Мінімальне замовлення: 216

В кошику од. на суму грн.

IPW60R280C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R280C6FKSA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPW60R280C6FKSA1 - IPW60R280 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 14160 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

197+	136.41 грн

Мінімальне замовлення: 197

В кошику од. на суму грн.

IPW60R280C6FKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; 104W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.8A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R280C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

237+	131.31 грн

Мінімальне замовлення: 237

В кошику од. на суму грн.

IPW60R280E6

MOSFET N-Ch 650V 13.8A TO247-3 CoolMOS E6

на замовлення 705 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	412.93 грн
10+	366.06 грн
100+	260.23 грн
480+	222.28 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R280E6

на замовлення 210 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R280E6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 2640 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

168+	185.07 грн
500+	174.73 грн
1000+	165.42 грн

Мінімальне замовлення: 168

В кошику од. на суму грн.

IPW60R280E6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R280E6FKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; 104W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ E6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.8A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R280E6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 703 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

168+	185.07 грн
500+	174.73 грн

Мінімальне замовлення: 168

В кошику од. на суму грн.

IPW60R280E6FKSA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R280P6

на замовлення 56820 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R280P6

MOSFETs N-Ch 600V 13.8A TO247-3

на замовлення 160 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	214.15 грн
10+	161.21 грн
100+	111.53 грн
480+	92.94 грн
1200+	79.77 грн
2640+	75.90 грн
5040+	74.04 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R280P6
Код товару: 169317

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R280P6FKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; 104W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.8A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R280P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R280P6FKSA1

MOSFETs N-Ch 600V 13.8A TO247-3

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	233.12 грн
25+	119.35 грн
100+	96.04 грн
240+	95.26 грн
480+	74.04 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R280P6FKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 13.8A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 430µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 100 V

на замовлення 134 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	234.58 грн
30+	122.39 грн
120+	99.60 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R280P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R280P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R299CP

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R299CP

MOSFET N-Ch 650V 11A TO247-3 CoolMOS CP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R299CP

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R299CPFKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO247-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R299CPFKSA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPW60R299CPFKSA1 - IPW60R299 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 54 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R299CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R299CPFKSA1

MOSFET LOW POWER_LEGACY

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R299CPFKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO247-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R299CPFKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 98W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 98W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.299Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R330P6

MOSFET LOW POWER_LEGACY

на замовлення 463 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R330P6

Description: IPW60R330 - 600V COOLMOS N-CHANN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 370µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R330P6FKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.6A; 93W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 93W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: THT
Gate charge: 22nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R330P6FKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO247-3

на замовлення 36480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW65F6048A

IPW65F6048A

на замовлення 180 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

39+	813.68 грн
100+	773.36 грн

Мінімальне замовлення: 39

В кошику од. на суму грн.

IPW65F6048A

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R018CFD7XKSA1

SP005413353

на замовлення 16 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	863.82 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R018CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 106A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	1282.04 грн
12+	1033.90 грн
13+	967.73 грн
50+	845.59 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

IPW65R018CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 106A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R018CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 106A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 16 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	1328.93 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

IPW65R018CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 106A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	1196.84 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPW65R018CFD7XKSA1

Description: 650 V COOLMOS CFD7 SUPERJUNCTION
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 58.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.91mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11659 pF @ 400 V

на замовлення 134 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1271.77 грн
30+	744.75 грн
120+	714.32 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R018CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 106A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R018CFD7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 281 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1263.20 грн
25+	750.83 грн
100+	620.37 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R018CFD7XKSA1

Description: INFINEON - IPW65R018CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 106 A, 0.018 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 446W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 39 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1399.67 грн
5+	1386.64 грн
10+	1373.61 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R018CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 106A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 16 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1441.58 грн
10+	1430.31 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R018CM8XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 116A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R018CM8XKSA1

MOSFETs 650V CoolMOS CM8 Power Transistor

на замовлення 480 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1056.28 грн
10+	777.55 грн
100+	584.74 грн
480+	553.76 грн
1200+	470.12 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R018CM8XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 116A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R019C7

Description: 75A, 650V, 0.019OHM, N-CHANNEL M
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 58.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.92mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 400 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R019C7

на замовлення 2320 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW65R019C7

на замовлення 239 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW65R019C7

Trans MOSFET N-CH 700V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	2273.39 грн
10+	2204.01 грн
20+	2068.21 грн
50+	1869.59 грн
100+	1757.11 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

IPW65R019C7

MOSFETs N-Ch 650V 75A TO247-3 CoolMOS C7

на замовлення 236 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1569.51 грн
10+	1362.72 грн
100+	1024.66 грн
240+	992.90 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R019C7FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 77 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	1559.90 грн
25+	1044.77 грн
50+	1033.54 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

IPW65R019C7FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	982.80 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R019C7FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1062.59 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R019C7FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 257 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	1170.06 грн
25+	1167.89 грн
100+	985.09 грн
240+	948.94 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

IPW65R019C7FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R019C7FKSA1

Description: INFINEON - IPW65R019C7FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.017 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 446W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1513.49 грн
5+	1424.00 грн
10+	1333.64 грн
50+	964.08 грн
100+	864.60 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R019C7FKSA1

MOSFETs N-Ch 650V 75A TO247-3 CoolMOS C7

на замовлення 278 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1502.65 грн
25+	990.42 грн
100+	824.84 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R019C7FKSA1

Trans MOSFET N-CH 700V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 257 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	936.11 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R019C7FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW65R019C7FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW65R019C7FKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 58.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.92mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 400 V

на замовлення 2315 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1353.04 грн
30+	816.02 грн
120+	751.02 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R019C7FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 476 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	1232.52 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

IPW65R022CFD7AXKSA1

MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS

на замовлення 231 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1169.23 грн
25+	695.61 грн
100+	564.61 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R022CFD7AXKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 96A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R022CFD7AXKSA1

Description: AUTOMOTIVE_COOLMOS PG-TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 58.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.91mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11659 pF @ 400 V

на замовлення 242 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1317.85 грн
10+	900.75 грн
240+	706.76 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R022CFD7AXKSA1

SP003793206

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R025CM8XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 90A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R025CM8XKSA1

MOSFETs 650V CoolMOS CM8 Power Transistor

на замовлення 225 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	890.93 грн
10+	686.71 грн
100+	498.00 грн
480+	443.01 грн
1200+	377.95 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R025CM8XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 90A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R029CFD7XKSA1

Description: INFINEON - IPW65R029CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 69 A, 0.024 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 69A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 305W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 391 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	685.50 грн
5+	684.63 грн
10+	683.76 грн
50+	433.23 грн
100+	393.20 грн
250+	392.46 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW65R029CFD7XKSA1

The 650V CoolMOS™ CFD7 superjunction MOSFET with integrated fast body diode in TO-247 package is the perfect choice for resonant high power topologies.

на замовлення 177 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	628.40 грн
10+	622.91 грн
25+	574.26 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW65R029CFD7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 176 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	703.89 грн
10+	692.94 грн
25+	447.66 грн
100+	439.91 грн
240+	439.14 грн
480+	412.03 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R029CFD7XKSA1

The 650V CoolMOS™ CFD7 superjunction MOSFET with integrated fast body diode in TO-247 package is the perfect choice for resonant high power topologies.

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R029CFD7XKSA1

The 650V CoolMOS™ CFD7 superjunction MOSFET with integrated fast body diode in TO-247 package is the perfect choice for resonant high power topologies.

на замовлення 158 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	741.69 грн

Мінімальне замовлення: 17

В кошику од. на суму грн.

IPW65R029CFD7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 69A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 35.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 305W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.79mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7149 pF @ 400 V

на замовлення 154 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1033.84 грн
30+	603.57 грн
120+	517.78 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R029CFD7XKSA1

SP005413355

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R029CFD7XKSA1

The 650V CoolMOS™ CFD7 superjunction MOSFET with integrated fast body diode in TO-247 package is the perfect choice for resonant high power topologies.

на замовлення 177 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	660.87 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

IPW65R035CFD7AXKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R035CFD7AXKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 63A TO247-3-41
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 35.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 305W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.79mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7149 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1143 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	790.88 грн
30+	467.92 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R035CFD7AXKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

на замовлення 120 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	792.04 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

IPW65R035CFD7AXKSA1

N-Channel MOSFET Transistor

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R035CFD7AXKSA1

Description: INFINEON - IPW65R035CFD7AXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 63 A, 0.029 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 305W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7A SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 272 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	744.58 грн
5+	673.34 грн
10+	602.96 грн
50+	494.55 грн
100+	455.76 грн
250+	455.02 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW65R035CFD7AXKSA1

MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS

на замовлення 254 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	855.69 грн
10+	814.07 грн
25+	440.69 грн
100+	439.14 грн
240+	438.36 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R035CFD7AXKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R037C6

MOSFETs N-Ch 650V 83.2A TO247-3 CoolMOS C6

на замовлення 162 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1096.04 грн
10+	952.12 грн
100+	715.63 грн
240+	693.95 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R037C6FKSA1

MOSFETs N-Ch 650V 83.2A TO247-3 CoolMOS C6

на замовлення 169 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1364.40 грн
10+	1343.13 грн
25+	769.07 грн
100+	714.08 грн
240+	640.51 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R037C6FKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 83.2A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 33.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3.3mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7240 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R037C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 83.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R037C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 700V 83.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R037C6FKSA1

Description: INFINEON - IPW65R037C6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 83.2 A, 0.037 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 83.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C6 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 254 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1053.88 грн
5+	991.33 грн
10+	927.90 грн
50+	800.31 грн
100+	685.87 грн
250+	638.21 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R037C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 83.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 76 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

38+	819.88 грн

Мінімальне замовлення: 38

В кошику од. на суму грн.

IPW65R037C6FKSA1
Код товару: 180225

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R037C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 83.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R040CM8XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 62A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R040CM8XKSA1

MOSFETs 650V CoolMOS CM8 Power Transistor

на замовлення 186 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	651.48 грн
10+	466.71 грн
100+	338.45 грн
480+	301.28 грн
1200+	268.75 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R040CM8XKSA1

Description: IPW65R040CM8XKSA1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 329W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 680µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-U06
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3796 pF @ 400 V

на замовлення 210 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	590.64 грн
30+	331.85 грн
120+	279.80 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R040CM8XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 62A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R041CFD

MOSFETs N-Ch 700V 68.5A TO247-3 CoolMOS CFD2

на замовлення 186 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	895.44 грн
10+	756.18 грн
100+	548.34 грн
240+	515.81 грн
480+	515.04 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R041CFD7

IPW65R041CFD7

на замовлення 196 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	1097.10 грн
25+	1046.45 грн
50+	1004.34 грн
100+	934.33 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

IPW65R041CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 92 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	719.59 грн
20+	651.77 грн
50+	441.67 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

IPW65R041CFD7XKSA1

Description: 650V FET COOLMOS TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 24.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.24mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4975 pF @ 400 V

на замовлення 177 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	630.86 грн
30+	356.24 грн
120+	301.05 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R041CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R041CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 50A Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R041CFD7XKSA1

Description: INFINEON - IPW65R041CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 50 A, 0.034 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 65 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	726.34 грн
5+	619.47 грн
10+	511.74 грн
50+	375.95 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW65R041CFD7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 455 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	677.68 грн
25+	372.30 грн
100+	288.11 грн
480+	277.27 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R041CFD7XKSA1

International Rectifier HiRel Products

Trans MOSFET N-CH 650V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 101520 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	541.47 грн
480+	540.66 грн
720+	513.91 грн
50880+	443.65 грн
76320+	384.23 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPW65R041CFDFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 68.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 230 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

33+	955.32 грн
100+	907.76 грн

Мінімальне замовлення: 33

В кошику од. на суму грн.

IPW65R041CFDFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 68.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 1440 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

33+	955.32 грн
100+	907.76 грн
500+	860.20 грн
1000+	782.63 грн

Мінімальне замовлення: 33

В кошику од. на суму грн.

IPW65R041CFDFKSA1

Trans MOSFET N-CH 700V 68.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R041CFDFKSA1

Description: INFINEON - IPW65R041CFDFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 68.5 A, 0.037 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm

на замовлення 228 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	866.22 грн
5+	804.53 грн
10+	741.98 грн
50+	634.12 грн
100+	487.78 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW65R041CFDFKSA1

MOSFETs N-Ch 700V 68.5A TO247-3 CoolMOS CFD2

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R041CFDFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 68.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 150 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW65R041CFDFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 68.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 960 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

33+	955.32 грн
100+	907.76 грн
500+	860.20 грн

Мінімальне замовлення: 33

В кошику од. на суму грн.

IPW65R041CFDFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 68.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 150 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

150+	133.00 грн

Мінімальне замовлення: 150

В кошику од. на суму грн.

IPW65R041CFDFKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 68.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 33.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3.3mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R041CFDFKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 68.5A; 500W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 68.5A
Power dissipation: 500W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R041CFDFKSA2

Description: INFINEON - IPW65R041CFDFKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 68.5 A, 0.037 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 129 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	950.49 грн
5+	882.72 грн
10+	814.09 грн
50+	531.66 грн
100+	452.04 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R041CFDFKSA2

MOSFETs HIGH POWER_LEGACY

на замовлення 297 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	940.62 грн
25+	541.53 грн
100+	419.78 грн
480+	415.13 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R041CFDFKSA2

на замовлення 720 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW65R041CFDFKSA2

Trans MOSFET N-CH 650V 68.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R041CFDFKSA2

Description: MOSFET N-CH 650V 68.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 33.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3.3mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 100 V

на замовлення 160 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	858.74 грн
30+	497.85 грн
120+	425.68 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R041CFDFKSA2

650V CMOS power transistor

на замовлення 189 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	610.82 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R045C

Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 5 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW65R045C7

на замовлення 2 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW65R045C7

Description: 46A, 650V, 0.045OHM, N-CHANNEL M
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 24.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.25mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 400 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R045C7

Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 720 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	1325.91 грн
20+	1290.29 грн
50+	1214.70 грн
100+	1101.10 грн
250+	1037.34 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

IPW65R045C7

MOSFETs N-Ch 650V 46A TO247-3 CoolMOS C7

на замовлення 350 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	847.55 грн
10+	716.10 грн
100+	518.91 грн
240+	488.71 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R045C7300XKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 46A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 24.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.25mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 400 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R045C7FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 1302 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	681.35 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

IPW65R045C7FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R045C7FKSA1

MOSFETs N-Ch 650V 46A TO247-3 CoolMOS C7

на замовлення 315 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	506.91 грн
10+	496.10 грн
25+	375.63 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R045C7FKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 46A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 24.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.25mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 400 V

на замовлення 2110 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	697.88 грн
30+	401.50 грн
120+	377.91 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R045C7FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 1302 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	734.07 грн
10+	537.76 грн
100+	506.43 грн
240+	479.28 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R045C7FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 630 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	470.76 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R045C7FKSA1

Description: INFINEON - IPW65R045C7FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 46 A, 0.04 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 153 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	862.74 грн
5+	801.06 грн
10+	739.37 грн
50+	483.25 грн
100+	414.80 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW65R045C7FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R045C7FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 962 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	757.64 грн
50+	649.29 грн
960+	626.27 грн

Мінімальне замовлення: 17

В кошику од. на суму грн.

IPW65R045C7_300

Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R048CFDA

на замовлення 212880 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW65R048CFDA

MOSFETs N-Ch 650V 63.3A TO247-3

на замовлення 269 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	814.12 грн
10+	686.71 грн
100+	515.04 грн
240+	436.81 грн
1200+	394.99 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R048CFDAFKSA1

Description: INFINEON - IPW65R048CFDAFKSA1 - Leistungs-MOSFET, AEC-Q101, n-Kanal, 650 V, 63.3 A, 0.043 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFDA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 194 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	844.50 грн
5+	784.55 грн
10+	723.73 грн
50+	460.66 грн
100+	366.40 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW65R048CFDAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 63.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R048CFDAFKSA1

MOSFETs N-Ch 650V 63.3A TO247-3

на замовлення 236 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	555.70 грн
10+	542.42 грн
25+	382.60 грн
100+	377.95 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R048CFDAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 63.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R048CFDAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 63.3A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R048CFDAFKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 63.3A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 29.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.9mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7440 pF @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 279 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	594.83 грн
30+	387.44 грн
120+	368.07 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R048CFDAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 63.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

на замовлення 480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	923.39 грн

Мінімальне замовлення: 14

В кошику од. на суму грн.

IPW65R050CFD7AXKSA1

MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS

на замовлення 1328 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	569.25 грн
10+	385.66 грн
100+	304.38 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R050CFD7AXKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R050CFD7AXKSA1

N-Channel MOSFET Transistor

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R050CFD7AXKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	621.58 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

IPW65R050CFD7AXKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 45A TO247-3-41
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 24.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.24mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4975 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 202 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	676.94 грн
30+	384.56 грн
120+	325.86 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R050CFD7AXKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R050CFD7AXKSA1

Description: INFINEON - IPW65R050CFD7AXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 45 A, 0.041 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7A SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 167 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	521.29 грн
5+	462.21 грн
10+	404.00 грн
50+	374.34 грн
100+	344.80 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW65R060CFD7XKSA1

Description: 650V FET COOLMOS TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 171W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 860µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3288 pF @ 400 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R060CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 36A 3-Pin TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R060CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 36A 3-Pin TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R060CFD7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 276 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	585.52 грн
25+	436.43 грн
100+	329.16 грн
480+	235.45 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R060CFD7XKSA1

SP005433699

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R060CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 36A 3-Pin TO-247 Tube

на замовлення 205 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	540.94 грн
29+	438.37 грн
50+	409.42 грн
100+	353.21 грн

Мінімальне замовлення: 23

В кошику од. на суму грн.

IPW65R060CM8XKSA1

MOSFETs 650V CoolMOS CM8 Power Transistor

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	440.95 грн
10+	347.36 грн
100+	244.74 грн
480+	216.86 грн
1200+	185.88 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R060CM8XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 45A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R060CM8XKSA1

Description: IPW65R060CM8XKSA1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 440µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-U06
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2462 pF @ 400 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R060CM8XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 45A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R065C7

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 34 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	581.90 грн
10+	481.85 грн
100+	348.52 грн
240+	347.75 грн
480+	306.70 грн
1200+	275.72 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R065C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	535.46 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW65R065C7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 33A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 17.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 171W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 850µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 400 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R065C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 222 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

24+	521.91 грн
27+	464.01 грн
50+	427.51 грн

Мінімальне замовлення: 24

В кошику од. на суму грн.

IPW65R065C7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 170 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	606.30 грн
10+	562.01 грн
25+	305.93 грн
240+	288.89 грн
480+	255.58 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R065C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	279.21 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW65R065C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R065C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW65R065C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R070C6

MOSFETs N-Ch 700V 53.5A TO247-3 CoolMOS C6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R070C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 53.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 309 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	777.82 грн
240+	475.43 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

IPW65R070C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 53.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 171 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	442.75 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R070C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 53.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 170 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	623.33 грн
30+	425.31 грн
50+	406.12 грн
100+	332.28 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

IPW65R070C6FKSA1

Description: INFINEON - IPW65R070C6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 53.5 A, 0.063 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 391W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 119 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	681.16 грн
5+	632.50 грн
10+	582.98 грн
50+	415.48 грн
100+	324.69 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW65R070C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 53.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 171 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	676.24 грн
10+	669.54 грн
25+	456.84 грн
50+	436.22 грн
100+	356.91 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW65R070C6FKSA1

MOSFETs Y

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R070C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 53.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 170 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	781.05 грн
25+	642.94 грн
50+	615.34 грн
100+	366.39 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

IPW65R070C6FKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 53.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 17.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 391W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.76mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R070C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 53.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R075CFD7AXKSA1

MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS

на замовлення 1461 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	570.16 грн
10+	472.94 грн
25+	271.07 грн
100+	247.84 грн
240+	247.06 грн
480+	226.93 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R075CFD7AXKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 32A TO247-3-41
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 16.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 171W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 820µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3288 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 175 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	634.21 грн
30+	355.11 грн
120+	298.97 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R075CFD7AXKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R075CFD7AXKSA1

N-Channel MOSFET Transistor

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R075CFD7AXKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R080CFD

Trans MOSFET N-CH 650V 43.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	694.90 грн
25+	662.82 грн
50+	636.15 грн
100+	591.80 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

IPW65R080CFD

MOSFETs N-Ch 650V 43.3A TO247-3 CoolMOS CFD2

на замовлення 247 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	689.43 грн
10+	537.96 грн
25+	422.10 грн
100+	394.99 грн
240+	394.22 грн
480+	334.58 грн
1200+	321.42 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R080CFDA

MOSFETs N-Ch 650V 43.3A TO247-3

на замовлення 472 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	641.54 грн
10+	459.58 грн
100+	333.03 грн
480+	296.63 грн
1200+	264.10 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R080CFDA

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 27.4A; 391W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 27.4A
Power dissipation: 391W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R080CFDAFKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 43.3A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 17.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 391W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.76mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 161 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4440 pF @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1130 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	587.29 грн
30+	329.59 грн
120+	277.75 грн
510+	237.89 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R080CFDAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 43.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

на замовлення 24500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	351.47 грн
480+	318.50 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPW65R080CFDAFKSA1

на замовлення 120 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW65R080CFDAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 43.3A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R080CFDAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 43.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

на замовлення 24480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	328.04 грн
480+	297.27 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPW65R080CFDAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 43.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

на замовлення 720 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	625.30 грн
24+	532.67 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

IPW65R080CFDAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 43.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R080CFDAFKSA1

MOSFETs N-Ch 650V 43.3A TO247-3

на замовлення 401 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	624.37 грн
25+	326.88 грн
100+	265.65 грн
240+	264.88 грн
480+	251.71 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R080CFDFKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 43.3A; 391W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 43.3A
Power dissipation: 391W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R080CFDFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 43.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 1290 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

54+	583.12 грн
100+	554.17 грн
500+	525.22 грн
1000+	477.55 грн

Мінімальне замовлення: 54

В кошику од. на суму грн.

IPW65R080CFDFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 43.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 2280 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

54+	583.12 грн
100+	554.17 грн
500+	525.22 грн
1000+	477.55 грн

Мінімальне замовлення: 54

В кошику од. на суму грн.

IPW65R080CFDFKSA1

MOSFETs N-Ch 650V 43.3A TO247-3 CoolMOS CFD2

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	689.43 грн
10+	537.96 грн
25+	422.10 грн
100+	374.08 грн
240+	350.85 грн
480+	334.58 грн
1200+	321.42 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R080CFDFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 43.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 75 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

54+	583.12 грн

Мінімальне замовлення: 54

В кошику од. на суму грн.

IPW65R080CFDFKSA1

Description: MOSFET N-CH 700V 43.3A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 17.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 391W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.76mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5030 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R080CFDFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 43.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 130 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

54+	583.12 грн
100+	554.17 грн

Мінімальне замовлення: 54

В кошику од. на суму грн.

IPW65R080CFDFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 43.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 130 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW65R080CFDFKSA1

Description: INFINEON - IPW65R080CFDFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 43.3 A, 0.08 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 391W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm

на замовлення 2252 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	551.70 грн
5+	507.39 грн
10+	462.21 грн
50+	394.51 грн
100+	303.84 грн
250+	297.88 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW65R080CFDFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 43.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 180 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

54+	583.12 грн
100+	554.17 грн

Мінімальне замовлення: 54

В кошику од. на суму грн.

IPW65R080CFDFKSA2

MOSFETs HIGH POWER_LEGACY

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R080CFDFKSA2

Description: MOSFET N-CH 650V 43.3A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 17.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 391W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.8mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5030 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R080CFDFKSA2

Trans MOSFET N-CH 650V 43.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 80 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	372.27 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R080CFDFKSA2

Description: INFINEON - IPW65R080CFDFKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 43.3 A, 0.072 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 391W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 136 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	694.19 грн
5+	689.85 грн
10+	684.63 грн
50+	378.37 грн
100+	294.90 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW65R080CFDFKSA2

Trans MOSFET N-CH 650V 43.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R090CFD7XKSA1

SP005413364

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R090CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 119 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

26+	478.90 грн
28+	444.99 грн
50+	282.88 грн
100+	271.86 грн

Мінімальне замовлення: 26

В кошику од. на суму грн.

IPW65R090CFD7XKSA1

Description: INFINEON - IPW65R090CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 25 A, 0.068 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 127W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 29 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	470.03 грн
10+	372.73 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW65R090CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R090CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R090CFD7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R090CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 1440 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	288.28 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPW65R090CFD7XKSA1

Description: HIGH POWER_NEW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 127W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 630µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2513 pF @ 400 V

на замовлення 169 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	517.76 грн
30+	285.35 грн
120+	238.41 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R095C7

MOSFETs HIGH POWERNEW

на замовлення 941 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	435.52 грн
10+	335.78 грн
25+	260.23 грн
100+	227.70 грн
240+	206.79 грн
480+	196.72 грн
1200+	184.33 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R095C7

Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 11.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA
Supplier Device Package: PG-TO247
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2140 pF @ 400 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R095C7XKSA1
Код товару: 201470

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R095C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 232 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

27+	461.53 грн
50+	361.45 грн
100+	264.38 грн

Мінімальне замовлення: 27

В кошику од. на суму грн.

IPW65R095C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 420 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

47+	266.48 грн
53+	236.79 грн
120+	205.27 грн

Мінімальне замовлення: 47

В кошику од. на суму грн.

IPW65R095C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R095C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R095C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 4560 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

128+	244.00 грн
500+	230.56 грн
1000+	218.15 грн

Мінімальне замовлення: 128

В кошику од. на суму грн.

IPW65R095C7XKSA1

Description: INFINEON - IPW65R095C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.084 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 128W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.084ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 576 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	463.95 грн
10+	362.30 грн
100+	235.45 грн
500+	184.75 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW65R095C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 420 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	285.94 грн
30+	254.08 грн
120+	220.27 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPW65R095C7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 486 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	468.96 грн
25+	243.15 грн
100+	188.20 грн
240+	187.43 грн
480+	163.42 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R095C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R095C7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 11.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2140 pF @ 400 V

на замовлення 473 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	423.09 грн
30+	231.38 грн
120+	192.55 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R099C6

MOSFETs N-Ch 700V 38A TO247-3

на замовлення 163 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	492.45 грн
10+	396.35 грн
100+	286.56 грн
480+	253.26 грн
1200+	227.70 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R099C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R099C6FKSA1

MOSFETs N-Ch 700V 38A TO247-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R099C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R099C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R099C6FKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 38A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 12.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R099C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 165 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

91+	341.19 грн
100+	324.64 грн

Мінімальне замовлення: 91

В кошику од. на суму грн.

IPW65R099CFD7A

IPW65R099CFD7A

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	672.18 грн
25+	641.14 грн
50+	615.34 грн
100+	572.45 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

IPW65R099CFD7AXKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

на замовлення 210 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	632.75 грн
50+	402.19 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

IPW65R099CFD7AXKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO247-3-41
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 127W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 630µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2513 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 14 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	483.41 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R099CFD7AXKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

на замовлення 1484 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

87+	356.70 грн
100+	342.22 грн
500+	327.75 грн
1000+	298.10 грн

Мінімальне замовлення: 87

В кошику од. на суму грн.

IPW65R099CFD7AXKSA1

Description: INFINEON - IPW65R099CFD7AXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.082 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 127W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.082ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	508.26 грн
5+	410.08 грн
10+	311.91 грн
50+	283.98 грн
100+	256.18 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW65R099CFD7AXKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

на замовлення 213840 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	337.73 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPW65R099CFD7AXKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R099CFD7AXKSA1

MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS

на замовлення 63 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	525.88 грн
10+	505.90 грн
25+	270.30 грн
100+	226.15 грн
240+	219.96 грн
480+	194.40 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R099CFD7AXKSA1

N-Channel MOSFET Transistor

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R099CFD7AXKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R110CFD

MOSFETs N-Ch 700V 31.2A TO247-3 CoolMOS CFD2

на замовлення 17 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	624.37 грн
10+	527.28 грн
25+	416.68 грн
100+	382.60 грн
240+	359.37 грн
480+	336.13 грн
960+	303.60 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R110CFD

Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 1300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

30+	420.20 грн
31+	402.15 грн
50+	386.83 грн
100+	360.35 грн
250+	323.54 грн
500+	302.15 грн
1000+	294.76 грн

Мінімальне замовлення: 30

В кошику од. на суму грн.

IPW65R110CFD

на замовлення 39 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW65R110CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R110CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R110CFD7XKSA1

SP005413366

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R110CFD7XKSA1

Description: HIGH POWER_NEW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 480µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1942 pF @ 400 V

на замовлення 221 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	437.33 грн
30+	237.46 грн
120+	197.11 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R110CFD7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R110CFD7XKSA1

Description: INFINEON - IPW65R110CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 22 A, 0.087 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.087ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 158 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	413.56 грн
10+	243.27 грн
100+	183.32 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPW65R110CFDA

на замовлення 327600 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW65R110CFDA

MOSFETs N-Ch 650V 31.2A TO247-3

на замовлення 614 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	560.22 грн
10+	407.93 грн
100+	287.34 грн
480+	254.81 грн
1200+	217.63 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R110CFDAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R110CFDAFKSA1

MOSFETs N-Ch 650V 31.2A TO247-3

на замовлення 202 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	542.15 грн
10+	380.32 грн
100+	279.59 грн
480+	205.24 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R110CFDAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

на замовлення 480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

26+	488.83 грн
30+	417.53 грн

Мінімальне замовлення: 26

В кошику од. на суму грн.

IPW65R110CFDAFKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 277.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.3mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 226 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	580.59 грн
30+	305.98 грн
120+	273.37 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R110CFDAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R110CFDAFKSA1

Description: INFINEON - IPW65R110CFDAFKSA1 - Leistungs-MOSFET, AEC-Q101, n-Kanal, 650 V, 31.2 A, 0.099 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 277.8W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFDA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 965 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	320.60 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPW65R110CFDAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R110CFDAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 9120 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	356.25 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPW65R110CFDAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

на замовлення 224 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

97+	322.58 грн
102+	306.03 грн

Мінімальне замовлення: 97

В кошику од. на суму грн.

IPW65R110CFDFKSA1

Description: INFINEON - IPW65R110CFDFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 31.2 A, 0.099 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 277.8W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 277.8W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.099ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 235 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	677.68 грн
10+	562.13 грн
25+	465.69 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW65R110CFDFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 90 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW65R110CFDFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 6480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

60+	418.73 грн
100+	398.05 грн
500+	377.37 грн
1000+	342.96 грн

Мінімальне замовлення: 60

В кошику од. на суму грн.

IPW65R110CFDFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 90 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW65R110CFDFKSA1

Trans MOSFET N-CH 700V 31.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R110CFDFKSA1
Код товару: 196399

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > IGBT

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R110CFDFKSA1

MOSFETs N-Ch 700V 31.2A TO247-3 CoolMOS CFD2

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R110CFDFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 19220 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

60+	418.73 грн
100+	398.05 грн
500+	377.37 грн
1000+	342.96 грн
10000+	299.09 грн

Мінімальне замовлення: 60

В кошику од. на суму грн.

IPW65R110CFDFKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 277.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.3mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R110CFDFKSA2

Trans MOSFET N-CH 700V 31.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R110CFDFKSA2

MOSFETs HIGH POWER_LEGACY

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R110CFDFKSA2

Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 1440 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	365.01 грн
480+	310.09 грн
1200+	290.65 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPW65R110CFDFKSA2

Description: MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 277.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.3mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 100 V

на замовлення 198 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	454.08 грн
30+	249.69 грн
120+	208.47 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R110CFDFKSA2

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

на замовлення 120 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

30+	322.33 грн
120+	269.46 грн

Мінімальне замовлення: 30

В кошику од. на суму грн.

IPW65R110CFDFKSA2

Description: INFINEON - IPW65R110CFDFKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 31.2 A, 0.099 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 277.8W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	492.62 грн
10+	300.61 грн
100+	245.88 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW65R110CFDFKSA2

Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R115CFD7AXKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R115CFD7AXKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 21A TO247-3-41
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 490µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 177 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	425.60 грн
30+	232.70 грн
120+	193.69 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R115CFD7AXKSA1

Description: INFINEON - IPW65R115CFD7AXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 21 A, 0.103 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7A Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.103ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 145 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	486.54 грн
10+	479.59 грн
100+	238.93 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW65R115CFD7AXKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

28+	446.64 грн
29+	440.03 грн
50+	289.37 грн

Мінімальне замовлення: 28

В кошику од. на суму грн.

IPW65R115CFD7AXKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	285.27 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPW65R115CFD7AXKSA1