Продукція > IPW

MOSFET IGBT PRODUCTS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW30N65FFKSA1

MOSFET IGBT PRODUCTS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW30N65HFDFKSA1

MOSFET IGBT PRODUCTS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW30N65HFKSA1

MOSFET IGBT PRODUCTS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW35N65FFDFKSA1

MOSFET IGBT PRODUCTS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW35N65FFKSA1

MOSFET IGBT PRODUCTS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW35N65HFDFKSA1

MOSFET IGBT PRODUCTS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW35N65HFKSA1

MOSFET IGBT PRODUCTS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW40N65FFDFKSA1

MOSFET IGBT PRODUCTS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW40N65FFKSA1

MOSFET IGBT PRODUCTS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW40N65HFDFKSA1

MOSFET IGBT PRODUCTS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW40N65HFKSA1

MOSFET IGBT PRODUCTS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW50R140CP

на замовлення 1 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW50R140CP

MOSFETs N-Ch 500V 23A TO247-3 CoolMOS CP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW50R140CP

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW50R140CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 500V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 16681 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

108+	285.38 грн
500+	271.11 грн
1000+	255.82 грн
10000+	231.94 грн

Мінімальне замовлення: 108

В кошику од. на суму грн.

IPW50R140CPFKSA1

Description: MOSFET N-CH 550V 23A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 930µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2540 pF @ 100 V

на замовлення 16681 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

98+	220.33 грн

Мінімальне замовлення: 98

В кошику од. на суму грн.

IPW50R140CPFKSA1

Description: INFINEON - IPW50R140CPFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 550 V, 23 A, 0.13 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 550V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 192W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW50R140CPFKSA1

Description: MOSFET N-CH 550V 23A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 930µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2540 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW50R140CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 500V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW50R140CPFKSA1

MOSFETs HIGH POWER_LEGACY

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW50R190CE

MOSFET N-Ch 500V 63A TO247-3

на замовлення 54 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW50R190CE

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 6.2A, 13V
Power Dissipation (Max): 152W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 510µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1137 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW50R190CEFKSA1

MOSFET N-Ch 500V 63A TO247-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW50R190CEFKSA1

Description: MOSFET N-CH 500V 18.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 6.2A, 13V
Power Dissipation (Max): 127W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 510µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1137 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW50R199CP

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 9.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 660µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW50R199CP

MOSFET N-Ch 500V 17A TO247-3 CoolMOS CP

на замовлення 262 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW50R199CPFKSA1

Description: MOSFET N-CH 550V 17A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 9.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 660µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW50R250CP

MOSFETs N-Ch 500V 13A TO247-3 CoolMOS CP

на замовлення 226 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	285.24 грн
10+	236.04 грн
25+	193.93 грн
100+	165.26 грн
240+	155.45 грн
480+	147.15 грн
1200+	126.02 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW50R250CP

TO-247

на замовлення 25440 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW50R250CPFKSA1

Description: MOSFET N-CH 500V 13A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 520µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW50R250CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 500V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW50R250CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 500V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW50R250CPFKSA1

MOSFETs N-Ch 500V 13A TO247-3 CoolMOS CP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW50R280CE

MOSFET N-Ch 500V 13A TO247-3 CoolMOS CE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW50R280CE

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.2A, 13V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 350µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 773 pF @ 100 V

на замовлення 101641 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

392+	59.49 грн

Мінімальне замовлення: 392

В кошику од. на суму грн.

IPW50R280CEFKSA1

Description: MOSFET N-CH 500V 13A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.2A, 13V
Power Dissipation (Max): 92W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 350µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 773 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW50R280CEFKSA1

IPW50R280CEFKSA1 THT N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW50R299CP

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 100 V

на замовлення 9838 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	102.03 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPW50R299CP

TO-247

на замовлення 21120 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW50R299CP

MOSFET N-Ch 500V 12A TO247-3 CoolMOS CP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW50R299CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW50R299CPFKSA1

Description: MOSFET N-CH 550V 12A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW50R299CPFKSA1

MOSFET LOW POWER_LEGACY

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW50R350CP

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 370µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 100 V

на замовлення 4320 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

245+	100.40 грн

Мінімальне замовлення: 245

В кошику од. на суму грн.

IPW50R350CP

MOSFET N-Ch 500V 10A TO247-3 CoolMOS CP

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW50R350CP

TO-247

на замовлення 49920 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW50R350CPFKSA1

Description: MOSFET N-CH 550V 10A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 370µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW50R399CP

TO-247

на замовлення 25920 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW50R399CP

MOSFET N-Ch 500V 9A TO247-3 CoolMOS CP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW50R399CPFKSA1

Description: MOSFET N-CH 560V 9A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 399mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 330µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 560 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW50R399CPFKSA1

MOSFET LOW POWER_LEGACY

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW50R399CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 500V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW50R399CPFKSA1

на замовлення 5520 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

251+	90.45 грн

Мінімальне замовлення: 251

В кошику од. на суму грн.

IPW60R016CM8XKSA1

Description: INFINEON - IPW60R016CM8XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 123 A, 0.016 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 123A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 521W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CM8 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1024.28 грн
5+	927.78 грн
10+	830.43 грн
50+	687.00 грн
100+	607.31 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R016CM8XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 372 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	897.10 грн
10+	776.68 грн
100+	583.31 грн
240+	565.20 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R016CM8XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 123A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 28 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	1033.55 грн
25+	1023.20 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

IPW60R016CM8XKSA1

IPW60R016CM8XKSA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R016CM8XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 123A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R016CM8XKSA1

Description: IPW60R016CM8XKSA1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 123A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 62.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 521W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 1.48mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-U06
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 171 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7545 pF @ 400 V

на замовлення 133 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	828.52 грн
30+	627.50 грн
120+	572.63 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R016CM8XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 123A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 28 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1118.56 грн
10+	1107.38 грн
25+	1096.28 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R017C7

MOSFETs HIGH POWER_NEW

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R017C7

на замовлення 17097 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R017C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 109A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R017C7XKSA1

Description: HIGH POWER_NEW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 109A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 58.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.91mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9890 pF @ 400 V

на замовлення 33 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1480.73 грн
30+	985.89 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R017C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 109A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 224 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	1427.65 грн
12+	1092.24 грн
100+	900.71 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

IPW60R017C7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 631 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1500.15 грн
25+	899.04 грн
100+	759.13 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R017C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 109A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 528 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	1457.46 грн
10+	1426.88 грн
50+	1416.69 грн
200+	1297.30 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

IPW60R017C7XKSA1

Description: INFINEON - IPW60R017C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 109 A, 0.015 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 109A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 446W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 373 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1621.92 грн
5+	1605.83 грн
10+	1589.75 грн
50+	929.11 грн
100+	797.41 грн
250+	796.69 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R017C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 109A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 224 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1522.85 грн
10+	1165.07 грн
100+	960.78 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R017C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 109A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 223 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	861.88 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R018CFD7

MOSFETs HIGH POWER_NEW

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R018CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 101A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R018CFD7XKSA1

Description: INFINEON - IPW60R018CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 101 A, 0.015 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 101A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 416W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 161 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1319.71 грн
5+	1303.63 грн
10+	1286.70 грн
50+	696.44 грн
100+	597.15 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R018CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 101A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R018CFD7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 180 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1330.24 грн
25+	761.92 грн
100+	652.73 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R018CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 101A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R018CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 101A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	1153.77 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPW60R018CFD7XKSA1

Description: MOSFET N CH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 101A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 58.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 416W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.91mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 251 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9901 pF @ 400 V

на замовлення 607 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1312.58 грн
30+	784.19 грн
120+	706.83 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R018CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 101A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 19 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	1475.80 грн
11+	1170.95 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

IPW60R024CFD7

MOSFET HIGH POWER_NEW

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R024CFD7

на замовлення 150 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R024CFD7

IPW60R024CFD7

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	1462.24 грн
10+	1417.62 грн
20+	1330.27 грн
50+	1202.52 грн
100+	1130.17 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

IPW60R024CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 77A Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R024CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 77A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 87 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	1068.06 грн
25+	1018.74 грн
50+	977.76 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

IPW60R024CFD7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 77A TO247-3-41
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 42.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 320W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.12mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 183 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7268 pF @ 400 V

на замовлення 156 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1099.53 грн
30+	645.48 грн
120+	554.86 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R024CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 77A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R024CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 77A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 426 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	1019.20 грн
50+	780.30 грн
100+	750.86 грн
200+	621.71 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

IPW60R024CFD7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R024CFD7XKSA1

Description: INFINEON - IPW60R024CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 77 A, 0.024 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 320W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 24 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1080.15 грн
5+	938.78 грн
10+	797.41 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R024CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 77A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R024CM8XKSA1

MOSFETs 600V CoolMOS CM8 Power Transistor

на замовлення 183 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	813.46 грн
10+	626.55 грн
100+	454.27 грн
480+	405.22 грн
1200+	344.10 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R024CM8XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 91A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R024CM8XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 91A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	679.03 грн
20+	617.80 грн
25+	599.86 грн
100+	563.58 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

IPW60R024CM8XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 91A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	727.53 грн
10+	661.93 грн
25+	642.71 грн
100+	603.83 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R024P7

MOSFET HIGH POWER_NEW

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R024P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 101A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 188 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	712.04 грн
25+	679.16 грн
50+	651.83 грн
100+	606.40 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

IPW60R024P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 101A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R024P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 101A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 3840 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	679.28 грн
1920+	632.95 грн
2880+	597.83 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPW60R024P7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 407 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	911.19 грн
10+	871.27 грн
25+	470.12 грн
100+	392.39 грн
240+	391.64 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R024P7XKSA1

Description: INFINEON - IPW60R024P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 101 A, 0.024 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 101A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 291W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 604 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	970.10 грн
5+	943.86 грн
10+	917.62 грн
50+	748.32 грн
100+	594.98 грн
250+	499.20 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R024P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 101A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R024P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 101A Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R024P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 101A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 312 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	720.78 грн
50+	609.89 грн
100+	586.54 грн
200+	542.36 грн

Мінімальне замовлення: 17

В кошику од. на суму грн.

IPW60R024P7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 101A TO247-3-41
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 101A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 42.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 291W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.03mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7144 pF @ 400 V

на замовлення 537 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1013.82 грн
30+	591.03 грн
120+	506.54 грн
510+	457.41 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R031CFD7

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 40A; 278W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 40A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 141nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 19 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	1012.77 грн
2+	858.07 грн
3+	825.35 грн
4+	781.02 грн
30+	750.83 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R031CFD7

MOSFETs HIGH POWER_NEW

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R031CFD7

на замовлення 19 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	843.97 грн
2+	688.58 грн
3+	687.79 грн
4+	650.85 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R031CFD7

Description: 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER MOS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 32.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.63mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5623 pF @ 400 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R031CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 186 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	848.00 грн
10+	729.35 грн
25+	515.91 грн
100+	455.16 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R031CFD7XKSA1

Description: INFINEON - IPW60R031CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 63 A, 0.026 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 34 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	868.52 грн
5+	854.98 грн
10+	841.43 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R031CFD7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 63A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 32.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.63mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5623 pF @ 400 V

на замовлення 202 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	846.48 грн
30+	486.80 грн
120+	414.79 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R031CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R031CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 198 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	419.94 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R031CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 186 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	782.80 грн
19+	673.28 грн
26+	476.25 грн
100+	420.17 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

IPW60R031CFD7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 952 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	721.91 грн
10+	610.06 грн
25+	380.32 грн
100+	350.89 грн
240+	350.14 грн
480+	344.10 грн
1200+	337.31 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R031CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R031CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 334 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	831.67 грн
50+	490.85 грн
100+	489.22 грн
200+	470.96 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

IPW60R037CM8XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R037CM8XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 35 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	537.91 грн
10+	445.18 грн
100+	322.22 грн
480+	284.49 грн
1200+	255.81 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R037CM8XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R037CM8XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 97 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	461.00 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R037CM8XKSA1

Description: INFINEON - IPW60R037CM8XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 64 A, 0.037 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 329W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CM8 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 135 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	608.64 грн
5+	562.93 грн
10+	516.37 грн
50+	440.19 грн
100+	369.32 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R037CM8XKSA1

Description: IPW60R037CM8XKSA1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 329W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 680µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-U06
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3458 pF @ 400 V

на замовлення 115 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	578.74 грн
30+	417.10 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R037CM8XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 97 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

29+	430.27 грн

Мінімальне замовлення: 29

В кошику од. на суму грн.

IPW60R037CM8XKSA1

IPW60R037CM8XKSA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R037CSFD

на замовлення 112282 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R037CSFD

MOSFET HIGH POWER_NEW

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R037CSFDXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 25A; 245W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 25A
Power dissipation: 245W
Case: TO247-3
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 136nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R037CSFDXKSA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R037CSFDXKSA1

Description: INFINEON - IPW60R037CSFDXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 54 A, 0.031 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CSFD
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 209 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	708.53 грн
5+	678.06 грн
10+	647.58 грн
50+	411.89 грн
100+	337.40 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R037CSFDXKSA1

Description: MOSFET N CH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 32.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.63mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5623 pF @ 400 V

на замовлення 107 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	792.61 грн
30+	453.10 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R037CSFDXKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 236 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	696.37 грн
10+	685.56 грн
25+	340.33 грн
100+	310.14 грн
240+	309.39 грн
480+	290.52 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R037CSFDXKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 54A Automotive Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R037CSFDXKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 54A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R037CSFDXKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 54A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R037P7

Infineon HIGH POWER_NEW

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R037P7

Trans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	939.34 грн
25+	895.97 грн
50+	859.92 грн
100+	799.98 грн

Мінімальне замовлення: 14

В кошику од. на суму грн.

IPW60R037P7

на замовлення 4920 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R037P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 2310 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	340.70 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R037P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 140 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	601.74 грн
50+	428.88 грн

Мінімальне замовлення: 21

В кошику од. на суму грн.

IPW60R037P7XKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48A; 255W; PG-TO247-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Power dissipation: 255W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 121nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 39 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	670.44 грн
3+	525.03 грн
7+	478.23 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R037P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R037P7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 3955 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	632.99 грн
10+	328.03 грн
100+	281.47 грн
480+	271.66 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R037P7XKSA1

на замовлення 39 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	558.70 грн
3+	421.32 грн
7+	398.53 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R037P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 1002 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	337.73 грн
480+	336.86 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPW60R037P7XKSA1
Код товару: 173232

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R037P7XKSA1

Description: INFINEON - IPW60R037P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 76 A, 0.03 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 255W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 243 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	661.13 грн
5+	646.73 грн
10+	632.34 грн
50+	337.21 грн
100+	310.55 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R037P7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 76A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 29.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.48mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5243 pF @ 400 V

на замовлення 3994 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	597.52 грн
30+	314.92 грн
120+	302.58 грн
510+	271.23 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R037P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 960 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	315.22 грн
480+	314.40 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPW60R037P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube IPW60R037P7XKSA1 INFINEON TIPW60r037p7

на замовлення 10 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R040C7

Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	580.45 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPW60R040C7

MOSFET HIGH POWER_NEW

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R040C7

на замовлення 40810 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R040C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 420 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	514.24 грн
30+	477.25 грн
120+	453.35 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R040C7XKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 227W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 227W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R040C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 472 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	717.02 грн
25+	683.92 грн
50+	656.39 грн
100+	610.63 грн
250+	547.86 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

IPW60R040C7XKSA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R040C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R040C7XKSA1

Description: INFINEON - IPW60R040C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.034 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 128 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	898.15 грн
5+	874.45 грн
10+	849.90 грн
50+	499.93 грн
100+	393.27 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R040C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 180 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	630.13 грн
25+	629.06 грн
100+	511.80 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

IPW60R040C7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 50A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 24.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.24mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 400 V

на замовлення 790 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	864.44 грн
30+	471.63 грн
120+	425.11 грн
510+	386.70 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R040C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 180 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	434.02 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R040C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 420 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

26+	478.75 грн
30+	444.31 грн
120+	422.06 грн

Мінімальне замовлення: 26

В кошику од. на суму грн.

IPW60R040C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R040C7XKSA1

MOSFETs Y

на замовлення 370 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	929.67 грн
10+	652.58 грн
100+	426.35 грн
480+	422.58 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R040C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 1114 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	801.50 грн
50+	669.30 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

IPW60R040CFD7

MOSFET HIGH POWER_NEW

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R040CFD7XKSA1

Description: INFINEON - IPW60R040CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.031 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 84 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	674.67 грн
5+	645.04 грн
10+	615.41 грн
50+	400.88 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R040CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R040CFD7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 50A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 24.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.25mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4354 pF @ 400 V

на замовлення 247 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	617.11 грн
30+	336.61 грн
120+	305.79 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R040CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R040CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 376 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	626.20 грн
25+	499.82 грн
50+	406.95 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

IPW60R040CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 235 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	958.05 грн
18+	710.38 грн
50+	664.52 грн
100+	567.08 грн
200+	490.49 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

IPW60R040CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R040CFD7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 327 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	719.26 грн
10+	705.52 грн
25+	350.14 грн
100+	317.69 грн
240+	316.93 грн
480+	293.54 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R041C6

MOSFETs N-Ch 650V 77.5A TO247-3 CoolMOS C6

на замовлення 110 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1114.55 грн
10+	892.09 грн
25+	722.16 грн
50+	690.46 грн
100+	661.79 грн
240+	627.83 грн
480+	600.67 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R041C6

Description: 600V, 0.041OHM, N-CHANNEL MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R041C6

Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 96mOhm; 77,5A; 481W; -55°C ~ 150°C; IPW60R041C6FKSA1 IPW60R041C6 TIPW60r041c6
кількість в упаковці: 2 шт

на замовлення 2 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

2+	1245.36 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R041C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 77.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

37+	832.69 грн
100+	799.05 грн

Мінімальне замовлення: 37

В кошику од. на суму грн.

IPW60R041C6FKSA1

MOSFETs N-Ch 650V 77.5A TO247-3 CoolMOS C6

на замовлення 14 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1169.13 грн
10+	1079.54 грн
25+	645.94 грн
100+	588.59 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R041C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 77.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R041C6FKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 77.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 44.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 481W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 2.96mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 290 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6530 pF @ 10 V

на замовлення 204 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1141.97 грн
30+	673.98 грн
120+	591.26 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R041C6FKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 77.5A; 481W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 77.5A
Power dissipation: 481W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R041C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 77.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 3499 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

37+	832.69 грн
100+	799.05 грн
500+	765.42 грн
1000+	696.81 грн

Мінімальне замовлення: 37

В кошику од. на суму грн.

IPW60R041C6FKSA1

Description: INFINEON - IPW60R041C6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 77.5 A, 0.037 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 481W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 260 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1017.51 грн
5+	985.34 грн
10+	952.33 грн
50+	609.97 грн
100+	483.96 грн
250+	483.24 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R041C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 77.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 164 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	655.88 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R041C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 77.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R041C6FKSA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R041P6

Trans MOSFET N-CH 600V 77.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	1246.41 грн
20+	1212.93 грн
50+	1141.86 грн
100+	1035.08 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

IPW60R041P6

MOSFETs HIGH POWER PRICE/PERFORM

на замовлення 206 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	856.60 грн
10+	722.87 грн
100+	559.92 грн
240+	475.40 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R041P6

на замовлення 230 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R041P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 77.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R041P6FKSA1

Description: INFINEON - IPW60R041P6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 77.5 A, 0.037 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 481W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 658 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	826.20 грн
5+	766.94 грн
10+	707.68 грн
50+	430.75 грн
100+	383.11 грн
250+	382.38 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R041P6FKSA1

MOSFETs HIGH POWER PRICE/PERFORM

на замовлення 495 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	957.84 грн
10+	884.28 грн
25+	492.76 грн
100+	425.60 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R041P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 77.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	522.06 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R041P6FKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 77.5A; 481W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 77.5A
Power dissipation: 481W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R041P6FKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 77.5A; 481W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 77.5A
Power dissipation: 481W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R041P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 77.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R041P6FKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 77.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 35.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 481W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.96mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8180 pF @ 100 V

на замовлення 173 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	881.58 грн
30+	510.41 грн
120+	451.68 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045

SMD

на замовлення 50 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045C

на замовлення 1440 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045CP
Код товару: 105994

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045CP

MOSFETs N-Ch 650V 60A TO247-3 CoolMOS CP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045CPA

Trans MOSFET N-CH 600V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	1819.67 грн
10+	1764.15 грн
20+	1655.44 грн
50+	1496.46 грн
100+	1406.43 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045CPA

MOSFETs N-Ch 600V 60A TO247-3 CoolMOS CPA

на замовлення 262 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1170.01 грн
10+	1143.75 грн
25+	648.96 грн
100+	639.90 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045CPAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045CPAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 60A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045CPAFKSA1

MOSFETs Y

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045CPAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	1079.74 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045CPAFKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 431W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1088 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1171.36 грн
30+	697.85 грн
120+	625.38 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045CPAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 98 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	786.24 грн
3+	302.27 грн
10+	298.77 грн
25+	285.57 грн
50+	262.86 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045CPAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 98 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

44+	281.79 грн

Мінімальне замовлення: 44

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045CPAFKSA1

Description: INFINEON - IPW60R045CPAFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 60 A, 0.04 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 431W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 459 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1187.66 грн
5+	1182.58 грн
10+	1176.65 грн
50+	713.73 грн
100+	623.27 грн
250+	610.94 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045CPFKSA1
Код товару: 211767

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045CPFKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 431W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 100 V

на замовлення 1481 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1064.43 грн
30+	646.76 грн
120+	607.85 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045CPFKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 60A; 431W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Power dissipation: 431W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 8 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	835.47 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045CPFKSA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 1347 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	779.68 грн
30+	733.60 грн
120+	714.49 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045CPFKSA1

Description: INFINEON - IPW60R045CPFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 60 A, 0.045 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 431W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 358 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1131.79 грн
5+	1064.91 грн
10+	997.19 грн
50+	701.94 грн
100+	621.10 грн
250+	620.37 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 8 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 380 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	787.93 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045CPFKSA1

MOSFETs N-Ch 650V 60A TO247-3 CoolMOS CP

на замовлення 122 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1132.16 грн
10+	1115.12 грн
25+	635.38 грн
100+	597.65 грн
240+	596.89 грн
480+	596.14 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 1347 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	835.47 грн
30+	786.09 грн
120+	765.61 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045CPXK

MOSFETs N-Ch 650V 60A TO247-3 CoolMOS CP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045P7XKSA1

Description: INFINEON - IPW60R045P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 61 A, 0.045 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 201W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 31 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	601.87 грн
10+	446.96 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 16560 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	328.12 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 180 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	603.04 грн
35+	355.79 грн
50+	339.63 грн
100+	267.24 грн

Мінімальне замовлення: 21

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 273 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	559.34 грн
23+	539.77 грн
50+	322.88 грн
100+	278.33 грн

Мінімальне замовлення: 22

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 112 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	559.34 грн
23+	539.77 грн
50+	366.10 грн

Мінімальне замовлення: 22

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045P7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 61A TO247-3-41
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 201W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.08mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3891 pF @ 400 V

на замовлення 1428 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	535.48 грн
30+	297.60 грн
120+	249.68 грн
510+	202.63 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045P7XKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

на замовлення 180 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

30+	369.08 грн
90+	308.13 грн

Мінімальне замовлення: 30

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 180 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	649.14 грн
10+	642.66 грн
25+	379.17 грн
50+	361.95 грн
100+	284.80 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 61A Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	264.11 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045P7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 575 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	624.18 грн
25+	354.93 грн
100+	259.58 грн
240+	258.83 грн
480+	232.42 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 81360 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	328.12 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R055CFD7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 38A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 900µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3194 pF @ 400 V

на замовлення 51 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	486.50 грн
30+	292.85 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R055CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R055CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R055CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 2880 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	384.23 грн
1440+	352.80 грн
2160+	329.99 грн
2880+	301.72 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPW60R055CFD7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 56 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	517.66 грн
10+	508.53 грн
25+	275.43 грн
240+	264.11 грн
480+	215.06 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R055CFD7XKSA1

Description: INFINEON - IPW60R055CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38 A, 0.046 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 178W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 136 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	546.00 грн
10+	529.92 грн
100+	341.99 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R055CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R055CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 130 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

24+	531.61 грн
50+	379.96 грн
100+	379.14 грн

Мінімальне замовлення: 24

В кошику од. на суму грн.

IPW60R055CM8XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

36+	347.18 грн
39+	314.08 грн
41+	299.56 грн
100+	279.51 грн

Мінімальне замовлення: 36

В кошику од. на суму грн.

IPW60R055CM8XKSA1

MOSFETs 600V CoolMOS CM8 Power Transistor

на замовлення 230 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	443.71 грн
10+	330.63 грн
100+	232.42 грн
480+	206.01 грн
1200+	177.33 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R055CM8XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R055CM8XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	371.98 грн
10+	336.51 грн
25+	320.96 грн
100+	299.47 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R060C7

MOSFET HIGH POWER_NEW

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R060C7

Description: IPW60R060 - 600V COOLMOS N-CHANN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 162W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 400 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R060C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 960 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	358.26 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPW60R060C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	255.31 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R060C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 636 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

28+	439.22 грн

Мінімальне замовлення: 28

В кошику од. на суму грн.

IPW60R060C7XKSA1

Description: INFINEON - IPW60R060C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 35 A, 0.052 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 162W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 683 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	580.71 грн
5+	506.21 грн
10+	431.72 грн
50+	375.73 грн
100+	323.61 грн
250+	311.27 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R060C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 108 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

42+	293.28 грн

Мінімальне замовлення: 42

В кошику од. на суму грн.

IPW60R060C7XKSA1

MOSFETs Y

на замовлення 248 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	528.22 грн
10+	477.29 грн
25+	366.74 грн
100+	327.50 грн
240+	326.74 грн
480+	261.09 грн
1200+	249.02 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R060C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

27+	456.06 грн
29+	425.14 грн

Мінімальне замовлення: 27

В кошику од. на суму грн.

IPW60R060C7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 35A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 162W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 400 V

на замовлення 222 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	558.33 грн
30+	310.46 грн
120+	276.90 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R060C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 195 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R060C7XKSA1
Код товару: 161478

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R060C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 195 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

195+	248.28 грн

Мінімальне замовлення: 195

В кошику од. на суму грн.

IPW60R060C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	486.47 грн
10+	453.49 грн
25+	404.89 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R060C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 108 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	314.23 грн
10+	310.13 грн
25+	287.41 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPW60R060P7

на замовлення 148 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R060P7

Trans MOSFET N-CH 600V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	626.09 грн
25+	599.19 грн
50+	576.37 грн
100+	536.92 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

IPW60R060P7

MOSFET HIGH POWER_NEW

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R060P7

на замовлення 117090 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R060P7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 48A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 164W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2895 pF @ 400 V

на замовлення 716 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	448.14 грн
30+	229.81 грн
120+	199.45 грн
510+	171.60 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R060P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R060P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R060P7XKSA1
Код товару: 192082

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R060P7XKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

на замовлення 379 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

30+	293.74 грн
120+	245.25 грн

Мінімальне замовлення: 30

В кошику од. на суму грн.

IPW60R060P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 199 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	525.54 грн
25+	295.36 грн
100+	257.67 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R060P7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 1063 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	485.09 грн
25+	248.19 грн
100+	195.44 грн
240+	194.69 грн
480+	174.31 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R060P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 198 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	489.27 грн
45+	274.98 грн
100+	239.89 грн

Мінімальне замовлення: 25

В кошику од. на суму грн.

IPW60R060P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	208.65 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R060P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 106 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

26+	488.40 грн
35+	355.50 грн
50+	330.27 грн

Мінімальне замовлення: 26

В кошику од. на суму грн.

IPW60R060P7XKSA1

Description: INFINEON - IPW60R060P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 48 A, 0.049 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 164W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 928 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	500.29 грн
10+	375.00 грн
100+	264.11 грн
500+	244.46 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R060P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

30+	414.39 грн
38+	328.22 грн
100+	244.73 грн
240+	218.92 грн
480+	186.70 грн

Мінімальне замовлення: 30

В кошику од. на суму грн.

IPW60R0706P

Description: 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER MOS
Packaging: Bulk
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070C6

MOSFETs N-Ch 600V 53A TO247-3 CoolMOS C6

на замовлення 1225 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	611.86 грн
10+	512.00 грн
100+	371.27 грн
480+	327.50 грн
1200+	295.05 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070C6FKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 53A; 391W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 53A
Power dissipation: 391W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 110 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

110+	357.45 грн

Мінімальне замовлення: 110

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070C6FKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 53A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 25.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 391W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.72mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 100 V

на замовлення 505 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	554.25 грн
30+	331.08 грн
120+	302.58 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070C6FKSA1

Description: INFINEON - IPW60R070C6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 53 A, 0.063 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 391W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 219 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	645.04 грн
5+	622.19 грн
10+	598.48 грн
50+	382.02 грн
100+	317.08 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

72+	428.06 грн
100+	406.66 грн

Мінімальне замовлення: 72

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070C6FKSA1

MOSFETs N-Ch 600V 53A TO247-3 CoolMOS C6

на замовлення 107 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	622.42 грн
10+	612.66 грн
25+	335.80 грн
100+	304.86 грн
240+	304.11 грн
480+	281.47 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 110 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070C6FKSA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 61453 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

72+	428.06 грн
100+	406.66 грн
500+	385.26 грн
1000+	350.86 грн
10000+	305.76 грн

Мінімальне замовлення: 72

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070CFD7

MOSFET HIGH POWER_NEW

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070CFD7

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 156W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.129Ω
Mounting: THT
Gate charge: 67nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070CFD7

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 1086 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

28+	450.08 грн
30+	412.57 грн
50+	342.70 грн

Мінімальне замовлення: 28

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 239 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070CFD7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 31A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 15.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 760µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2721 pF @ 400 V

на замовлення 1410 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	523.23 грн
30+	288.90 грн
120+	241.66 грн
510+	198.84 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070CFD7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 3638 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	502.69 грн
10+	453.86 грн
25+	199.22 грн
100+	195.44 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 16735 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

115+	267.03 грн
500+	252.76 грн
1000+	238.49 грн
10000+	217.20 грн

Мінімальне замовлення: 115

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070CFD7XKSA1

Description: INFINEON - IPW60R070CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 31 A, 0.057 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 395 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	550.23 грн
5+	474.05 грн
10+	397.01 грн
50+	333.28 грн
100+	275.00 грн
250+	237.99 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070CM8XKSA1

MOSFETs 600V CoolMOS CM8 Power Transistor

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	390.00 грн
10+	316.75 грн
100+	223.36 грн
240+	222.61 грн
480+	197.71 грн
1200+	169.03 грн
2640+	159.98 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070P6

MOSFETs HIGH POWER PRICE/PERFORM

на замовлення 304 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	533.51 грн
10+	441.71 грн
100+	310.14 грн
480+	276.19 грн
1200+	236.95 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070P6

Trans MOSFET N-CH 600V 53.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	677.06 грн
25+	645.80 грн
50+	619.81 грн
100+	576.60 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070P6

на замовлення 41 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070P6

Description: 600V, 0.07OHM, N-CHANNEL MOSFET,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 391W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.72mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070P6XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 53.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 391W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.72mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 100 V

на замовлення 1844 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	498.75 грн
30+	234.74 грн
120+	234.10 грн
510+	198.55 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070P6XKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 53.5A; 391W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 53.5A
Power dissipation: 391W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070P6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 53.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	499.00 грн
30+	407.68 грн
50+	273.96 грн
200+	263.39 грн

Мінімальне замовлення: 25

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070P6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 53.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 1724 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

30+	416.31 грн

Мінімальне замовлення: 30

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070P6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 53.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070P6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 53.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070P6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 53.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 2112 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

26+	477.80 грн
32+	390.56 грн
50+	263.36 грн

Мінімальне замовлення: 26

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070P6XKSA1

Description: INFINEON - IPW60R070P6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 53.5 A, 0.063 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 391W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: CoolMOS P6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 2753 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	666.20 грн
5+	546.85 грн
10+	427.49 грн
50+	380.45 грн
100+	335.94 грн
250+	290.96 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070P6XKSA1

MOSFETs HIGH POWER PRICE/PERFORM

на замовлення 369 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	569.60 грн
10+	429.56 грн
25+	241.47 грн
100+	239.21 грн
240+	236.95 грн
480+	222.61 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070P6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 53.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 1077 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	496.72 грн
31+	395.81 грн
46+	270.80 грн
50+	254.30 грн
100+	232.38 грн
480+	211.05 грн

Мінімальне замовлення: 25

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070P6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 53.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070P6XKSA1
Код товару: 165846

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070P6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 53.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 1078 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	533.54 грн
10+	425.15 грн
25+	290.87 грн
50+	273.15 грн
100+	249.62 грн
480+	226.69 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070P6XKSA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R075CP

MOSFETs N-Ch 600V 39A TO247-3 CoolMOS CP

на замовлення 149 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	763.28 грн
10+	644.77 грн
100+	467.10 грн
480+	412.01 грн
1200+	370.51 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R075CPA

MOSFET AUTOMOTIVE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R075CPAFKSA1

MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS

на замовлення 118 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	834.59 грн
10+	704.65 грн
100+	510.87 грн
240+	480.68 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R075CPAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 39A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R075CPAFKSA1

Description: AUTOMOTIVE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.74mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 174 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	834.24 грн
30+	477.81 грн
120+	431.61 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R075CPAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 39A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R075CPAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 39A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R075CPFKSA1

MOSFETs N-Ch 600V 39A TO247-3 CoolMOS CP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R075CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R075CPFKSA1

Description: INFINEON - IPW60R075CPFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 39 A, 0.075 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	736.47 грн
5+	683.98 грн
10+	630.65 грн
50+	405.60 грн
100+	318.53 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R075CPFKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 39A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.7mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 100 V

на замовлення 237 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	706.90 грн
30+	428.40 грн
120+	385.28 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R075CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 64 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	565.11 грн
23+	550.78 грн
26+	479.33 грн

Мінімальне замовлення: 22

В кошику од. на суму грн.

IPW60R075CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 13 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R075CPFKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 39A; 313W; PG-TO247-3
Mounting: THT
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 39A
On-state resistance: 75mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 313W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: CoolMOS™ CP
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R075CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 64 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	491.25 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R075CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R075CPFKSA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R075CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 64 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	601.33 грн
10+	586.07 грн
25+	510.04 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R075CPXK

Description: IPW60R075 - 600V COOLMOS N-CHANN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.7mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R080P7

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23A; 129W; PG-TO247-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23A
Power dissipation: 129W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R080P7

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R080P7

MOSFETs HIGH POWER_NEW

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R080P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R080P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	176.95 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R080P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R080P7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 2593 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	427.86 грн
10+	420.88 грн
25+	187.14 грн
100+	173.56 грн
240+	172.80 грн
480+	147.90 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R080P7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 37A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 11.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 129W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 400 V

на замовлення 2031 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	395.08 грн
50+	200.17 грн
100+	182.72 грн
500+	142.79 грн
1000+	140.96 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R080P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

31+	396.26 грн
50+	348.16 грн
200+	254.54 грн

Мінімальне замовлення: 31

В кошику од. на суму грн.

IPW60R080P7XKSA1

Description: INFINEON - IPW60R080P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 37 A, 0.069 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 129W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 139 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	427.49 грн
10+	375.85 грн
100+	203.16 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R080P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	224.65 грн
480+	223.73 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPW60R090CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 2640 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	239.69 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPW60R090CFD7XKSA1

Description: INFINEON - IPW60R090CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.069 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 25
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 125
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: CoolMOS CFD7
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.069
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

на замовлення 425 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	628.96 грн
5+	598.48 грн
10+	568.01 грн
50+	481.85 грн
100+	402.70 грн
250+	350.46 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R090CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R090CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 1440 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	310.50 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPW60R090CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R090CFD7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 2167 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	437.54 грн
10+	420.88 грн
25+	222.61 грн
100+	200.72 грн
240+	199.97 грн
480+	195.44 грн
1200+	193.93 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R090CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R090CFD7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 11.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 570µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2103 pF @ 400 V

на замовлення 201 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	430.18 грн
30+	232.59 грн
120+	202.87 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099C6

MOSFETs N-Ch 650V 38A TO247-3 CoolMOS C6

на замовлення 119 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	511.50 грн
10+	410.47 грн
100+	320.71 грн
240+	271.66 грн
480+	261.85 грн
1200+	235.44 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099C6
Код товару: 186494

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 640 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

29+	435.67 грн

Мінімальне замовлення: 29

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099C6FKSA1

Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 230mOhm; 37,9A; 278W; -55°C ~ 150°C; IPW60R099C6 TIPW60r099c6
кількість в упаковці: 2 шт

на замовлення 30 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

2+	310.42 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 620 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	277.32 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 640 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	469.38 грн
10+	386.00 грн
25+	357.18 грн
50+	341.45 грн
100+	274.79 грн
480+	233.81 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099C6FKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 37.9A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 18.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.21mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 119 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 100 V

на замовлення 526 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	497.93 грн
30+	276.24 грн
120+	231.44 грн
510+	192.15 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099C6FKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 37.9A; 278W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 37.9A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 31 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	345.51 грн
10+	344.11 грн
25+	290.30 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099C6FKSA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099C6FKSA1

Description: INFINEON - IPW60R099C6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38 A, 0.09 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 505 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	503.67 грн
10+	446.11 грн
100+	271.73 грн
500+	222.45 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 31 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099C6FKSA1

MOSFETs N-Ch 650V 38A TO247-3 CoolMOS C6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099C6FKSA1 (TO-247, Infineon) MOSFET N-ch 600V/37,9A
Код товару: 88983

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

1+	174.00 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099C7

Description: MOSFET N-CH 600V 22A TO247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 490µA
Supplier Device Package: PG-TO247
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1819 pF @ 400 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099C7

MOSFET HIGH POWER_NEW

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099C7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 288 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	416.42 грн
10+	409.60 грн
25+	185.63 грн
100+	182.61 грн
240+	168.28 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 230 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

37+	334.30 грн
40+	309.02 грн
50+	269.07 грн
100+	258.77 грн

Мінімальне замовлення: 37

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099C7XKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 110W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Power dissipation: 110W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099C7XKSA1

Description: INFINEON - IPW60R099C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 22 A, 0.085 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 234 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	344.53 грн
10+	318.29 грн
100+	252.26 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099C7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 14A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 490µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1819 pF @ 400 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099C7XKSA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	230.72 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099CM8XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 29A Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

47+	260.51 грн
54+	227.57 грн
58+	214.44 грн
100+	198.76 грн

Мінімальне замовлення: 47

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099CM8XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 29A Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099CM8XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 29A Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	279.12 грн
10+	243.82 грн
25+	229.76 грн
100+	212.96 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099CM8XKSA1

MOSFETs 600V CoolMOS CM8 Power Transistor

на замовлення 111 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	341.58 грн
10+	267.28 грн
100+	187.90 грн
480+	166.77 грн
1200+	142.62 грн
2640+	138.09 грн
5040+	134.32 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099CP

MOSFETs N-Ch 600V 31A TO247-3 CoolMOS CP

на замовлення 85 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	570.48 грн
10+	471.21 грн
100+	341.08 грн
480+	301.09 грн
1200+	270.90 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099CP

Description: MOSFET N-CH 600V 31A TO247-3-1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099CP
Код товару: 72969

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099CPA

MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS

на замовлення 142 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	615.38 грн
10+	515.47 грн
100+	373.53 грн
480+	329.76 грн
1200+	296.56 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099CPA

Description: IPW60R099 - 600V-800V N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099CPAE8222XKSA1

IPW60R099CPAE8222XKSA1

на замовлення 950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

59+	522.85 грн
100+	496.35 грн
500+	470.87 грн

Мінімальне замовлення: 59

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099CPAFKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

на замовлення 40 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

30+	451.19 грн

Мінімальне замовлення: 30

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099CPAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

на замовлення 220 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	503.89 грн
29+	428.06 грн
50+	381.31 грн

Мінімальне замовлення: 25

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099CPAFKSA1

Description: INFINEON - IPW60R099CPAFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 31 A, 0.09 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 255W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 146 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	593.40 грн
5+	549.39 грн
10+	504.52 грн
50+	429.97 грн
100+	360.61 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099CPAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

на замовлення 40 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	629.62 грн
10+	584.60 грн
25+	486.46 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099CPAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099CPAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099CPAFKSA1

MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS

на замовлення 720 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	628.59 грн
25+	453.86 грн
100+	347.87 грн
240+	347.12 грн
480+	294.30 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099CPAFKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 31A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 133 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	684.04 грн
30+	366.53 грн
120+	328.89 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099CPAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

на замовлення 40 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	587.11 грн
23+	545.13 грн
27+	453.62 грн

Мінімальне замовлення: 21

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099CPAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 188 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	312.19 грн
6+	129.47 грн
30+	129.03 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 425 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	347.75 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099CPFKSA1

MOSFETs N-Ch 600V 31A TO247-3 CoolMOS CP

на замовлення 92 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	560.80 грн
10+	546.71 грн
25+	308.63 грн
100+	283.73 грн
240+	282.98 грн
480+	258.83 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099CPFKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 31A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 100 V

на замовлення 250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	559.97 грн
30+	333.28 грн
120+	304.82 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099CPFKSA1
Код товару: 189155

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 304 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

34+	362.02 грн
38+	330.09 грн
120+	296.49 грн

Мінімальне замовлення: 34

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099CPFKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 31A; 255W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 31A
Power dissipation: 255W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 26 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	804.52 грн
3+	537.76 грн
6+	489.55 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099CPFKSA1

на замовлення 26 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	670.44 грн
3+	431.54 грн
6+	407.96 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 305 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	388.24 грн
30+	353.99 грн
120+	317.96 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099CPFKSA1

Description: INFINEON - IPW60R099CPFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 31 A, 0.099 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 255W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 205 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	529.07 грн
5+	496.06 грн
10+	462.20 грн
50+	329.35 грн
100+	279.35 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099P6

MOSFETs HIGH POWER PRICE/PERFORM

на замовлення 121 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	426.98 грн
10+	347.12 грн
100+	243.74 грн
480+	217.33 грн
1200+	185.63 грн
2640+	175.07 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099P6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 220 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	505.43 грн
10+	455.42 грн
25+	210.24 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099P6XKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 37.9A; 278W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 37.9A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 54 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	314.90 грн
6+	215.50 грн
15+	196.20 грн
120+	188.65 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099P6XKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 37.9A; 278W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 37.9A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

на замовлення 54 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	262.42 грн
6+	172.93 грн
15+	163.50 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099P6XKSA1

Description: INFINEON - IPW60R099P6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 37.9 A, 0.089 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.089ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 359 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	411.40 грн
10+	339.45 грн
100+	211.63 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099P6XKSA1

MOSFETs HIGH POWER PRICE/PERFORM

на замовлення 1611 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	462.20 грн
10+	408.73 грн
25+	166.01 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099P6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099P6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 220 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

26+	471.30 грн
29+	424.67 грн
63+	196.05 грн

Мінімальне замовлення: 26

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099P6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099P6XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 37.9A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.21mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3330 pF @ 100 V

на замовлення 622 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	418.75 грн
30+	184.33 грн
120+	163.51 грн
510+	152.05 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099P6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099P7

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 210 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

28+	451.08 грн
29+	431.70 грн
50+	415.25 грн
100+	386.84 грн

Мінімальне замовлення: 28

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099P7

Description: 600V, 0.099OHM, N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099P7

Infineon HIGH POWER_NEW

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 140 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	153.18 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099P7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 1347 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	345.11 грн
25+	183.97 грн
100+	150.92 грн
240+	149.41 грн
480+	135.07 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 615 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

54+	230.75 грн
56+	220.80 грн

Мінімальне замовлення: 54

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099P7XKSA1

на замовлення 420 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 5 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099P7XKSA1

Description: INFINEON - IPW60R099P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 31 A, 0.077 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 117W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 373 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	353.00 грн
10+	316.60 грн
100+	175.23 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099P7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 31A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 117W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 530µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1952 pF @ 400 V

на замовлення 436 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	346.92 грн
30+	188.42 грн
120+	175.05 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 5 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	258.24 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099ZH

на замовлення 706780 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099ZH

Description: IPW60R099 - 600V CoolMOS N-Chann
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099ZHXKSA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPW60R099ZHXKSA1 - IPW60R099 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 101 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R105CFD7XKSA1

Description: INFINEON - IPW60R105CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 A, 0.089 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 106W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.089ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 207 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	440.19 грн
10+	436.80 грн
100+	250.57 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R105CFD7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 191 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	448.99 грн
25+	307.20 грн
100+	222.61 грн
240+	204.50 грн
480+	150.92 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R105CFD7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 9.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 470µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1752 pF @ 400 V

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	431.00 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R105CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R105CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R105CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 T/R

на замовлення 2160 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	289.31 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPW60R105CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R105CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 230 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

35+	359.57 грн
50+	304.13 грн
100+	255.21 грн
200+	234.46 грн

Мінімальне замовлення: 35

В кошику од. на суму грн.

IPW60R120C7

MOSFET HIGH POWER_NEW

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R120C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R120C7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 231 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	356.55 грн
10+	328.03 грн
25+	174.31 грн
100+	161.49 грн
240+	160.73 грн
480+	138.09 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R120C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R120C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R120C7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 19A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 92W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 390µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V

на замовлення 210 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	351.00 грн
30+	172.35 грн
120+	156.14 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R120P7

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 410µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1544 pF @ 400 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R120P7

MOSFETs HIGH POWER_NEW

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R120P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R120P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R120P7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 286 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	206.89 грн
25+	174.43 грн
100+	129.04 грн
480+	105.64 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R120P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R120P7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 26A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 410µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1544 pF @ 400 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R120P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 350 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

58+	213.62 грн
65+	190.73 грн

Мінімальне замовлення: 58

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125C6

MOSFETs N-Ch 600V 30A TO247-3 CoolMOS C6

на замовлення 192 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	381.20 грн
10+	307.20 грн
100+	215.06 грн
480+	191.67 грн
1200+	164.50 грн
2640+	153.94 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125C6
Код товару: 182612

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Uds,V: 650 V
Idd,A: 30 A
Rds(on), Ohm: 0,11 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2127/96
Монтаж: THT

у наявності 27 шт:

18 шт - склад
9 шт - РАДІОМАГ-Київ

1+	245.00 грн
10+	227.00 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125C6

на замовлення 27 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 27 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	217.35 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125C6FKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 219W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 219W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125C6FKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 219W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 960µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2127 pF @ 100 V

на замовлення 259 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	348.55 грн
30+	209.69 грн
120+	188.63 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 1197 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

137+	223.20 грн
500+	210.97 грн
1000+	199.76 грн

Мінімальне замовлення: 137

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125C6FKSA1

MOSFETs N-Ch 600V 30A TO247-3 CoolMOS C6

на замовлення 189 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	338.94 грн
10+	333.23 грн
25+	196.95 грн
100+	185.63 грн
240+	184.12 грн
480+	153.94 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125C6FKSA1

Description: INFINEON - IPW60R125C6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.11 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 219W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 105 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	415.64 грн
10+	358.07 грн
100+	232.79 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125C6FKSA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 27 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125CFD7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 18A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 92W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 390µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1503 pF @ 400 V

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	341.20 грн
30+	192.69 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 78 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

35+	353.05 грн
50+	301.68 грн

Мінімальне замовлення: 35

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

28+	437.57 грн
29+	426.26 грн
36+	347.10 грн
100+	292.76 грн
480+	201.95 грн

Мінімальне замовлення: 28

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125CFD7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 157 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	395.29 грн
10+	386.17 грн
25+	199.97 грн
240+	198.46 грн
480+	135.07 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125CFD7XKSA1

Description: INFINEON - IPW60R125CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.104 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 92W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.104ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 230 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	386.86 грн
10+	275.12 грн
100+	178.61 грн
200+	141.49 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125CFD7XKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

30+	215.01 грн
150+	179.22 грн

Мінімальне замовлення: 30

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	469.83 грн
10+	457.69 грн
25+	372.69 грн
100+	314.34 грн
480+	216.83 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125CP

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125CP
Код товару: 143316

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125CP

Description: 25A, 600V, 0.125OHM, N-CHANNEL M
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.1mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125CP

MOSFETs N-Ch 650V 25A TO247-3 CoolMOS CP

на замовлення 121 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	473.64 грн
10+	391.38 грн
100+	275.43 грн
480+	244.49 грн
1200+	209.03 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	400.06 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125CPFKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.1mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 225 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

114+	270.09 грн

Мінімальне замовлення: 114

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125CPFKSA1

MOSFETs N-Ch 650V 25A TO247-3 CoolMOS CP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125CPFKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 25A; 208W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 25A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 28 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	317.95 грн
7+	175.34 грн
18+	159.41 грн
240+	158.47 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 450 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

39+	320.55 грн
240+	244.31 грн

Мінімальне замовлення: 39

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125CPFKSA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPW60R125CPFKSA1 - IPW60R125 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 235 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

73+	326.75 грн

Мінімальне замовлення: 73

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 450 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	258.83 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125CPFKSA1

на замовлення 28 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	264.96 грн
7+	140.70 грн
18+	132.84 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125P6

MOSFETs HIGH POWER PRICE/PERFORM

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125P6

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 11.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 219W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 960µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125P6
Код товару: 169145

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125P6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 8640 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	247.39 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125P6XKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 219W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 219W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 53 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	534.32 грн
3+	395.73 грн
8+	360.32 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125P6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 180 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

68+	181.80 грн
73+	168.77 грн
100+	161.51 грн

Мінімальне замовлення: 68

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125P6XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 11.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 219W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 960µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125P6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125P6XKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 219W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 219W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

на замовлення 53 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	445.27 грн
3+	317.56 грн
8+	300.27 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125P6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125P6XKSA1

MOSFETs HIGH POWER PRICE/PERFORM

на замовлення 143 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	258.83 грн
25+	211.74 грн
100+	172.05 грн
240+	162.24 грн
480+	138.09 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125P6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125P6XKSA1

N-MOSFET 30A 600V 219W 0.125Ω IPW60R125P6XKSA1 IPW60R125P6 TIPW60r125p6
кількість в упаковці: 2 шт

на замовлення 30 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

2+	331.58 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125P6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 180 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	195.28 грн
25+	181.28 грн
100+	173.48 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IPW60R145CFD7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 16A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 6.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 340µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 400 V

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	316.72 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R145CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R145CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R145CFD7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 20 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	349.51 грн
10+	332.37 грн
25+	151.68 грн
100+	139.60 грн
240+	138.85 грн
480+	113.95 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R145CFD7XKSA1

Description: INFINEON - IPW60R145CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 16 A, 0.127 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.127ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R145CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R145CFD7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 16A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 6.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 340µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 400 V

на замовлення 99993 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

171+	126.31 грн

Мінімальне замовлення: 171

В кошику од. на суму грн.

IPW60R160C6

Description: 23.8A, 600V, 0.16OHM, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 750µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R160C6

на замовлення 7 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R160C6

MOSFETs N-Ch 600V 23.8A TO247-3 CoolMOS C6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R160C6FKSA1

Description: INFINEON - IPW60R160C6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23.8 A, 0.16 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 176W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 99 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	334.37 грн
10+	260.73 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPW60R160C6FKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23.8A; 176W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23.8A
Power dissipation: 176W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R160C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 162 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R160C6FKSA1

MOSFETs N-Ch 600V 23.8A TO247-3 CoolMOS C6

на замовлення 162 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	378.56 грн
25+	215.21 грн
240+	168.28 грн
480+	127.53 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R160C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

149+	205.88 грн

Мінімальне замовлення: 149

В кошику од. на суму грн.

IPW60R160C6FKSA1
Код товару: 206426

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > IGBT

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R160C6FKSA1

Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 370mOhm; 23,8A; 176W; -55°C ~ 150°C; IPW60R160C6FKSA1 IPW60R160C6 TIPW60r160c6
кількість в упаковці: 5 шт

на замовлення 10 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

5+	236.65 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IPW60R160C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 760 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	168.15 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPW60R160C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R160C6FKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 23.8A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 750µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 100 V

на замовлення 24 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	359.16 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R160C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 162 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

162+	191.61 грн

Мінімальне замовлення: 162

В кошику од. на суму грн.

IPW60R160C6FKSA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R160P6

MOSFETs HIGH POWER_LEGACY

на замовлення 881 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	311.65 грн
10+	229.10 грн
100+	161.49 грн
240+	159.22 грн
480+	143.37 грн
1200+	122.25 грн
2640+	115.45 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R160P6

на замовлення 31680 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R160P6

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 750µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R160P6FKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 23.8A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 750µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 100 V

на замовлення 239 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	230.19 грн
30+	127.55 грн
120+	126.28 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R160P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R160P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R160P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 450 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

52+	237.27 грн
57+	216.89 грн
200+	174.05 грн

Мінімальне замовлення: 52

В кошику од. на суму грн.

IPW60R160P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	179.78 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IPW60R160P6FKSA1

MOSFETs HIGH POWER_LEGACY

на замовлення 452 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	337.18 грн
10+	246.45 грн
25+	190.91 грн
100+	148.66 грн
240+	125.26 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R160P6FKSA1

Description: INFINEON - IPW60R160P6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23.8 A, 0.144 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 176W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.144ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 195 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	323.37 грн
10+	285.27 грн
100+	198.93 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPW60R160P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R160P6FKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23.8A; 176W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23.8A
Power dissipation: 176W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R160P6FKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23.8A; 176W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23.8A
Power dissipation: 176W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R160P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

66+	187.21 грн
240+	156.22 грн

Мінімальне замовлення: 66

В кошику од. на суму грн.

IPW60R165CP

MOSFETs N-Ch 650V 21A TO247-3 CoolMOS CP

на замовлення 117 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	440.19 грн
10+	430.43 грн
25+	212.80 грн
100+	176.58 грн
240+	175.82 грн
480+	152.43 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R165CP

на замовлення 6 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R165CP

Description: 21A, 600V, 0.165OHM, N-CHANNEL M
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 790µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R165CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R165CPFKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 790µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 100 V

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	432.63 грн
30+	235.76 грн
120+	195.79 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R165CPFKSA1

Description: INFINEON - IPW60R165CPFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 A, 0.15 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 192W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 16 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	492.67 грн
10+	435.95 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R165CPFKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; 192W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
Power dissipation: 192W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R165CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R165CPFKSA1

MOSFETs HIGH POWER_LEGACY

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R165CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R165CPFKSA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R170CFD7

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; 75W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9A
Power dissipation: 75W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.325Ω
Mounting: THT
Gate charge: 28nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R170CFD7

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R170CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 208 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

71+	174.65 грн
73+	168.28 грн
100+	145.21 грн

Мінімальне замовлення: 71

В кошику од. на суму грн.

IPW60R170CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

37+	331.24 грн
41+	298.63 грн
50+	247.67 грн
100+	237.84 грн
200+	211.12 грн

Мінімальне замовлення: 37

В кошику од. на суму грн.

IPW60R170CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R170CFD7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 137 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	342.46 грн
10+	334.10 грн
25+	165.26 грн
100+	150.92 грн
240+	147.90 грн
480+	108.66 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R170CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 210 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	123.25 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPW60R170CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 6240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	208.98 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPW60R170CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 210 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	186.30 грн
25+	179.51 грн
100+	154.90 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IPW60R170CFD7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 14A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 300µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1199 pF @ 400 V

на замовлення 113 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	330.59 грн
10+	210.90 грн
100+	149.52 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R170CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R180C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R180C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 2400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	180.65 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPW60R180C7XKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; 68W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R180C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 215 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

76+	162.61 грн
100+	146.23 грн
120+	142.91 грн

Мінімальне замовлення: 76

В кошику од. на суму грн.

IPW60R180C7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 13A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 260µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 400 V

на замовлення 192 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	291.41 грн
30+	153.07 грн
120+	132.51 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R180C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 1920 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	140.24 грн
480+	111.13 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPW60R180C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 1920 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	150.26 грн
480+	119.07 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPW60R180C7XKSA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R180C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

34+	367.93 грн
39+	314.93 грн
50+	260.92 грн
100+	242.75 грн
200+	211.12 грн
240+	193.07 грн

Мінімальне замовлення: 34

В кошику од. на суму грн.

IPW60R180C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

43+	290.27 грн
50+	271.51 грн
100+	164.74 грн

Мінімальне замовлення: 43

В кошику од. на суму грн.

IPW60R180C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R180C7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 231 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	309.01 грн
10+	298.52 грн
25+	132.81 грн
100+	119.23 грн
240+	117.72 грн
480+	96.59 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R180P7

Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

40+	307.27 грн
42+	294.07 грн
50+	282.86 грн
100+	263.51 грн

Мінімальне замовлення: 40

В кошику од. на суму грн.

IPW60R180P7

MOSFETs HIGH POWER_NEW

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R180P7

на замовлення 54960 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R180P7XKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 72W; PG-TO247-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 72W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R180P7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R180P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 460 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

51+	241.55 грн
69+	179.38 грн

Мінімальне замовлення: 51

В кошику од. на суму грн.

IPW60R180P7XKSA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R180P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 217 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

202+	151.86 грн

Мінімальне замовлення: 202

В кошику од. на суму грн.

IPW60R180P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R180P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R180P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 25200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	149.97 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPW60R180P7XKSA1

Description: INFINEON - IPW60R180P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.145 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 72W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 253 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	272.58 грн
10+	192.16 грн
100+	148.99 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IPW60R180P7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 18A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 400 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R180P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190C6
Код товару: 133423

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190C6

MOSFETs N-Ch 600V 20.2A TO247-3 CoolMOS C6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 260 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	136.46 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190C6FKSA1

MOSFETs HIGH POWER_LEGACY

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

55+	222.98 грн

Мінімальне замовлення: 55

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190C6FKSA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPW60R190C6FKSA1 - IPW60R190 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 54 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190C6FKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 630µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 100 V

на замовлення 326 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	328.96 грн
30+	175.58 грн
120+	144.48 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190C6FKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

на замовлення 200 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	240.41 грн
3+	197.30 грн
6+	170.57 грн
15+	161.93 грн
120+	158.78 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	478.90 грн
30+	267.64 грн
120+	221.06 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190C6FKSA1

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

2+	288.49 грн
3+	245.86 грн
6+	204.69 грн
15+	194.31 грн
120+	190.54 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190E6

Description: 600V, 0.19OHM, N-CHANNEL MOSFET,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 630µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190E6

на замовлення 720 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190E6

MOSFETs N-Ch 650V 20.2A TO247-3 CoolMOS E6

на замовлення 25 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	301.09 грн
10+	222.16 грн
100+	156.20 грн
480+	138.85 грн
1200+	119.23 грн
2640+	112.44 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190E6FKSA1

Description: INFINEON - IPW60R190E6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20.2 A, 0.17 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 151W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS E6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 209 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	320.83 грн
10+	247.18 грн
100+	200.62 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190E6FKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ E6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190E6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 329 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

172+	71.15 грн

Мінімальне замовлення: 172

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190E6FKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ E6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190E6FKSA1

MOSFETs N-Ch 650V 20.2A TO247-3 CoolMOS E6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190E6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190E6FKSA1

Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 440mOhm; 20,2A; 151W; -55°C ~ 150°C; IPW60R190E6 TIPW60r190e6
кількість в упаковці: 5 шт

на замовлення 10 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

5+	160.94 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190E6FKSA1

на замовлення 133 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	328.14 грн
30+	175.18 грн
120+	144.14 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190E6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190E6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 329 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	142.38 грн
10+	76.23 грн
30+	74.60 грн
120+	71.82 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190P6

MOSFETs HIGH POWER_PRC/PRFRM

на замовлення 1298 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	267.63 грн
10+	196.99 грн
100+	138.85 грн
240+	138.09 грн
480+	122.25 грн
1200+	104.89 грн
2640+	101.12 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190P6

Description: MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190P6
Код товару: 107275

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190P6

Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 137 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

41+	299.43 грн
43+	286.57 грн
50+	275.66 грн
100+	256.79 грн

Мінімальне замовлення: 41

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	148.83 грн
240+	134.48 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 590 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

53+	230.79 грн
64+	193.36 грн
100+	182.97 грн

Мінімальне замовлення: 53

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 290 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

75+	163.07 грн
100+	160.01 грн

Мінімальне замовлення: 75

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190P6FKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 399 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

89+	138.55 грн
240+	125.21 грн

Мінімальне замовлення: 89

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 17 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190P6FKSA1

Description: INFINEON - IPW60R190P6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20.2 A, 0.19 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 151W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 2427 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	271.73 грн
10+	202.32 грн
100+	164.22 грн
500+	97.47 грн
1000+	88.52 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 12240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	167.64 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190P6FKSA1

MOSFETs HIGH POWER_LEGACY

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 76 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

68+	181.87 грн
70+	174.94 грн

Мінімальне замовлення: 68

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 17 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190P6FKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190P6FKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 630µ
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 100 V

на замовлення 250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	295.49 грн
30+	156.50 грн
120+	128.26 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R199CP

MOSFETs N-Ch 650V 16A TO247-3 CoolMOS CP

на замовлення 235 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	326.62 грн
10+	251.66 грн
100+	177.33 грн
480+	157.71 грн
1200+	134.32 грн
2640+	126.77 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R199CP

Description: 16A, 600V, 0.199OHM, N-CHANNEL M
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 9.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 660µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R199CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R199CPFKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 16A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 9.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 660µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R199CPFKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 139W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.199Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R199CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

38+	328.59 грн
50+	266.62 грн
100+	245.42 грн
200+	225.65 грн

Мінімальне замовлення: 38

В кошику од. на суму грн.

IPW60R199CPFKSA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R199CPFKSA1

MOSFET N-Ch 650V 16A TO247-3 CoolMOS CP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R230P6FKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 16.8A TO247-3

на замовлення 896 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R250CP

Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO247-3

на замовлення 10800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R250CP

TO-247

на замовлення 22080 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R250CP

MOSFET N-Ch 600V 12A TO247-3 CoolMOS CP

на замовлення 183 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	380.32 грн
10+	337.57 грн
100+	240.72 грн
240+	239.96 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R250CPFKSA1

MOSFET LOW POWER_LEGACY

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R250CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R250CPFKSA1

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R280C6

на замовлення 240 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R280C6

Description: MOSFET N-CH 600V 13.8A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 430µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V

на замовлення 210 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

210+	114.35 грн

Мінімальне замовлення: 210

В кошику од. на суму грн.

IPW60R280C6

MOSFET N-Ch 600V 13.8A TO247-3 CoolMOS C6

на замовлення 37 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R280C6FKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; 104W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.8A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R280C6FKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 13.8A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 430µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V

на замовлення 14160 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

216+	104.66 грн

Мінімальне замовлення: 216

В кошику од. на суму грн.

IPW60R280C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R280C6FKSA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPW60R280C6FKSA1 - IPW60R280 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 14160 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

197+	132.90 грн

Мінімальне замовлення: 197

В кошику од. на суму грн.

IPW60R280C6FKSA1

MOSFET N-Ch 600V 13.8A TO247-3 CoolMOS C6

на замовлення 143 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R280C6FKSA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R280C6FKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 13.8A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 430µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R280E6

на замовлення 210 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R280E6

MOSFET N-Ch 650V 13.8A TO247-3 CoolMOS E6

на замовлення 705 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	402.33 грн
10+	356.66 грн
100+	253.55 грн
480+	216.57 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R280E6FKSA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R280E6FKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; 104W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ E6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.8A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R280E6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R280E6FKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; 104W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ E6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.8A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R280P6
Код товару: 169317

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R280P6

на замовлення 56820 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R280P6

MOSFETs N-Ch 600V 13.8A TO247-3

на замовлення 185 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	229.78 грн
10+	173.56 грн
100+	120.74 грн
480+	100.36 грн
1200+	86.02 грн
2640+	81.50 грн
5040+	79.99 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R280P6FKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; 104W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.8A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 60 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R280P6FKSA1

MOSFETs N-Ch 600V 13.8A TO247-3

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	230.66 грн
10+	216.95 грн
25+	112.44 грн
100+	100.36 грн
240+	98.85 грн
480+	76.22 грн
1200+	75.46 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R280P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R280P6FKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; 104W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.8A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R280P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R280P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R280P6FKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 13.8A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 430µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 100 V

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	208.97 грн
30+	113.85 грн
120+	103.29 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R299CP

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R299CP

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R299CP

MOSFET N-Ch 650V 11A TO247-3 CoolMOS CP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R299CPFKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO247-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R299CPFKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 98W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 98W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.299Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R299CPFKSA1

MOSFET LOW POWER_LEGACY

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R299CPFKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO247-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R299CPFKSA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPW60R299CPFKSA1 - IPW60R299 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 54 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R299CPFKSA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R299CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R330P6

Description: IPW60R330 - 600V COOLMOS N-CHANN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 370µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R330P6

MOSFET LOW POWER_LEGACY

на замовлення 463 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R330P6FKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.6A; 93W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 93W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: THT
Gate charge: 22nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R330P6FKSA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R330P6FKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO247-3

на замовлення 36480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW65F6048A

IPW65F6048A

на замовлення 180 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

39+	802.11 грн
100+	762.36 грн

Мінімальне замовлення: 39

В кошику од. на суму грн.

IPW65F6048A

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R018CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 106A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	1263.81 грн
12+	1019.20 грн
13+	953.97 грн
50+	833.57 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

IPW65R018CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 106A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R018CFD7XKSA1

Description: 650 V COOLMOS CFD7 SUPERJUNCTION
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 58.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.91mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11659 pF @ 400 V

на замовлення 134 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1239.11 грн
30+	725.63 грн
120+	695.98 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R018CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 106A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 16 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	1310.03 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

IPW65R018CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 106A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	1179.83 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPW65R018CFD7XKSA1

Description: INFINEON - IPW65R018CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 106 A, 0.018 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 446W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 39 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1363.73 грн
5+	1351.03 грн
10+	1338.33 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R018CFD7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 71 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1307.35 грн
25+	781.88 грн
100+	648.21 грн
240+	640.66 грн
480+	639.15 грн
1200+	637.64 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R018CFD7XKSA1

SP005413353

на замовлення 16 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	841.64 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R018CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 106A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R018CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 106A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 16 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1421.09 грн
10+	1409.97 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R018CM8XKSA1

MOSFETs 650V CoolMOS CM8 Power Transistor

на замовлення 222 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1016.83 грн
10+	880.81 грн
100+	661.79 грн
240+	532.75 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R018CM8XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 116A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R018CM8XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 116A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R019C7

на замовлення 239 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW65R019C7

на замовлення 2320 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW65R019C7

MOSFETs N-Ch 650V 75A TO247-3 CoolMOS C7

на замовлення 236 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1529.21 грн
10+	1327.73 грн
100+	998.34 грн
240+	967.40 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R019C7

Description: 75A, 650V, 0.019OHM, N-CHANNEL M
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 58.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.92mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 400 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R019C7

Trans MOSFET N-CH 700V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	2241.07 грн
10+	2172.67 грн
20+	2038.81 грн
50+	1843.00 грн
100+	1732.13 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

IPW65R019C7FKSA1

Description: INFINEON - IPW65R019C7FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.017 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 446W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1474.62 грн
5+	1387.43 грн
10+	1299.40 грн
50+	939.33 грн
100+	842.40 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R019C7FKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 75A; 446W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 75A
Power dissipation: 446W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 19mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R019C7FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1047.48 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R019C7FKSA1

Trans MOSFET N-CH 700V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 257 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	912.07 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R019C7FKSA1

MOSFETs N-Ch 650V 75A TO247-3 CoolMOS C7

на замовлення 278 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1464.06 грн
25+	964.99 грн
100+	803.65 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R019C7FKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 58.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.92mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 400 V

на замовлення 325 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1597.46 грн
30+	971.63 грн
120+	910.53 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R019C7FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 257 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	1153.42 грн
25+	1151.28 грн
100+	971.09 грн
240+	935.45 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

IPW65R019C7FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R019C7FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW65R019C7FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW65R019C7FKSA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R019C7FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 476 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	1215.00 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

IPW65R019C7FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 77 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	1537.72 грн
25+	1029.91 грн
50+	1018.85 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

IPW65R019C7FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	968.83 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R022CFD7AXKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 96A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R022CFD7AXKSA1

SP003793206

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R022CFD7AXKSA1

MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS

на замовлення 231 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1139.20 грн
25+	677.75 грн
100+	550.11 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R022CFD7AXKSA1

Description: AUTOMOTIVE_COOLMOS PG-TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 58.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.91mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11659 pF @ 400 V

на замовлення 242 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1284.01 грн
10+	877.62 грн
240+	688.61 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R025CM8XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 90A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R025CM8XKSA1

MOSFETs 650V CoolMOS CM8 Power Transistor

на замовлення 225 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	868.05 грн
10+	669.07 грн
100+	485.21 грн
480+	431.63 грн
1200+	368.25 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R025CM8XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 90A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R029CFD7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 176 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	747.44 грн
10+	730.68 грн
25+	466.35 грн
100+	457.29 грн
240+	456.54 грн
480+	448.99 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R029CFD7XKSA1

The 650V CoolMOS™ CFD7 superjunction MOSFET with integrated fast body diode in TO-247 package is the perfect choice for resonant high power topologies.

на замовлення 177 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	619.47 грн
10+	614.05 грн
25+	566.09 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW65R029CFD7XKSA1

SP005413355

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R029CFD7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 69A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 35.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 305W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.79mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7149 pF @ 400 V

на замовлення 154 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1007.29 грн
30+	588.07 грн
120+	504.48 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R029CFD7XKSA1

The 650V CoolMOS™ CFD7 superjunction MOSFET with integrated fast body diode in TO-247 package is the perfect choice for resonant high power topologies.

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R029CFD7XKSA1

Description: INFINEON - IPW65R029CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 69 A, 0.024 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 69A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 305W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 395 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	729.69 грн
5+	722.07 грн
10+	713.61 грн
50+	465.34 грн
100+	410.68 грн
250+	409.95 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW65R029CFD7XKSA1

The 650V CoolMOS™ CFD7 superjunction MOSFET with integrated fast body diode in TO-247 package is the perfect choice for resonant high power topologies.

на замовлення 158 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	731.14 грн

Мінімальне замовлення: 17

В кошику од. на суму грн.

IPW65R029CFD7XKSA1

The 650V CoolMOS™ CFD7 superjunction MOSFET with integrated fast body diode in TO-247 package is the perfect choice for resonant high power topologies.

на замовлення 177 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	651.47 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

IPW65R035CFD7AXKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 63A TO247-3-41
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 35.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 305W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.79mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7149 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1143 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	770.57 грн
30+	455.91 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R035CFD7AXKSA1

Description: INFINEON - IPW65R035CFD7AXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 63 A, 0.029 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 305W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7A SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 272 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	725.46 грн
5+	656.05 грн
10+	587.48 грн
50+	481.85 грн
100+	444.06 грн
250+	443.33 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW65R035CFD7AXKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R035CFD7AXKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

на замовлення 120 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	780.78 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

IPW65R035CFD7AXKSA1

MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS

на замовлення 254 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	833.71 грн
10+	793.16 грн
25+	429.37 грн
100+	427.86 грн
240+	427.11 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R035CFD7AXKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R035CFD7AXKSA1

N-Channel MOSFET Transistor

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R037C6

MOSFETs N-Ch 650V 83.2A TO247-3 CoolMOS C6

на замовлення 162 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1067.89 грн
10+	927.67 грн
100+	697.25 грн
240+	676.13 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R037C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 83.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R037C6FKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 83.2A; 500W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 83.2A
Power dissipation: 500W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R037C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 83.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 76 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

38+	808.23 грн

Мінімальне замовлення: 38

В кошику од. на суму грн.

IPW65R037C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 700V 83.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R037C6FKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 83.2A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 33.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3.3mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7240 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R037C6FKSA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R037C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 83.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R037C6FKSA1

Description: INFINEON - IPW65R037C6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 83.2 A, 0.037 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 83.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C6 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 254 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1026.82 грн
5+	965.87 грн
10+	904.07 грн
50+	779.76 грн
100+	668.26 грн
250+	621.82 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R037C6FKSA1

MOSFETs N-Ch 650V 83.2A TO247-3 CoolMOS C6

на замовлення 169 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1329.36 грн
10+	1308.64 грн
25+	749.32 грн
100+	695.75 грн
240+	624.06 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R037C6FKSA1
Код товару: 180225

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R040CM8XKSA1

MOSFETs 650V CoolMOS CM8 Power Transistor

на замовлення 196 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	634.75 грн
10+	454.72 грн
100+	329.76 грн
480+	293.54 грн
1200+	261.85 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R040CM8XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 62A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R040CM8XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 62A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R041CFD

MOSFETs N-Ch 700V 68.5A TO247-3 CoolMOS CFD2

на замовлення 187 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	912.95 грн
10+	770.60 грн
100+	559.16 грн
240+	525.96 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R041CFD7

IPW65R041CFD7

на замовлення 196 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	953.16 грн
25+	909.15 грн
50+	872.57 грн
100+	811.75 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

IPW65R041CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 50A Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R041CFD7XKSA1

Description: 650V FET COOLMOS TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 24.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.24mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4975 pF @ 400 V

на замовлення 309 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	595.07 грн
30+	331.76 грн
120+	297.43 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R041CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 92 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	646.58 грн
50+	622.12 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

IPW65R041CFD7XKSA1

Description: INFINEON - IPW65R041CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 50 A, 0.034 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 66 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	646.73 грн
5+	629.80 грн
10+	612.87 грн
50+	378.87 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW65R041CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 1680 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	483.22 грн
960+	443.69 грн
1440+	415.00 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPW65R041CFD7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 193 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	647.07 грн
10+	633.49 грн
25+	313.92 грн
100+	310.14 грн
240+	303.35 грн
480+	282.22 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R041CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R041CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R041CFDFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 68.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 150 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW65R041CFDFKSA1

MOSFETs N-Ch 700V 68.5A TO247-3 CoolMOS CFD2

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R041CFDFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 68.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 960 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

33+	941.74 грн
100+	894.86 грн
500+	847.97 грн

Мінімальне замовлення: 33

В кошику од. на суму грн.

IPW65R041CFDFKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 68.5A; 500W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 68.5A
Power dissipation: 500W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R041CFDFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 68.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 150 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

150+	318.64 грн

Мінімальне замовлення: 150

В кошику од. на суму грн.

IPW65R041CFDFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 68.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

33+	941.74 грн
100+	894.86 грн

Мінімальне замовлення: 33

В кошику од. на суму грн.

IPW65R041CFDFKSA1

Trans MOSFET N-CH 700V 68.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R041CFDFKSA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R041CFDFKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 68.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 33.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3.3mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R041CFDFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 68.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 1440 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

33+	941.74 грн
100+	894.86 грн
500+	847.97 грн
1000+	771.50 грн

Мінімальне замовлення: 33

В кошику од. на суму грн.

IPW65R041CFDFKSA1

Description: INFINEON - IPW65R041CFDFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 68.5 A, 0.037 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm

на замовлення 230 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	929.47 грн
5+	863.44 грн
10+	796.57 грн
50+	680.72 грн
100+	523.14 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R041CFDFKSA2

Trans MOSFET N-CH 650V 68.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 229 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	651.65 грн
30+	562.68 грн
120+	509.01 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

IPW65R041CFDFKSA2

650V CMOS power transistor

на замовлення 189 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	595.13 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R041CFDFKSA2

на замовлення 720 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW65R041CFDFKSA2

Description: MOSFET N-CH 650V 68.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 33.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3.3mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 100 V

на замовлення 486 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	848.93 грн
30+	468.01 грн
120+	430.77 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R041CFDFKSA2

Description: INFINEON - IPW65R041CFDFKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 68.5 A, 0.037 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 149 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	929.47 грн
5+	863.44 грн
10+	796.57 грн
50+	540.80 грн
100+	450.59 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R041CFDFKSA2

Trans MOSFET N-CH 650V 68.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 229 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	697.13 грн
30+	601.95 грн
120+	544.53 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW65R041CFDFKSA2

MOSFETs HIGH POWER_LEGACY

на замовлення 361 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	940.24 грн
10+	923.33 грн
25+	471.63 грн
100+	433.90 грн
240+	433.14 грн
480+	422.58 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R041CFDFKSA2

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

на замовлення 229 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

30+	713.61 грн

Мінімальне замовлення: 30

В кошику од. на суму грн.

IPW65R041CFDFKSA2

Trans MOSFET N-CH 650V 68.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R045C

Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 5 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW65R045C7

MOSFETs N-Ch 650V 46A TO247-3 CoolMOS C7

на замовлення 350 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	825.79 грн
10+	697.71 грн
100+	505.59 грн
240+	476.16 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R045C7

Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 720 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	1307.05 грн
20+	1271.95 грн
50+	1197.43 грн
100+	1085.44 грн
250+	1022.59 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

IPW65R045C7

на замовлення 2 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW65R045C7

Description: 46A, 650V, 0.045OHM, N-CHANNEL M
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 24.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.25mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 400 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R045C7300XKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 46A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 24.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.25mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 400 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R045C7FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 1302 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	723.63 грн
10+	530.11 грн
100+	499.23 грн
240+	472.47 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R045C7FKSA1

Description: INFINEON - IPW65R045C7FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 46 A, 0.04 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 153 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	840.59 грн
5+	780.48 грн
10+	720.38 грн
50+	470.84 грн
100+	404.15 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW65R045C7FKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 46A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 24.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.25mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 400 V

на замовлення 2261 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	759.96 грн
30+	416.05 грн
120+	385.94 грн
510+	350.39 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R045C7FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R045C7FKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 46A; 227W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 46A
Power dissipation: 227W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R045C7FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 962 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	746.87 грн
50+	640.06 грн
960+	617.37 грн

Мінімальне замовлення: 17

В кошику од. на суму грн.

IPW65R045C7FKSA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R045C7FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 1302 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	671.66 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

IPW65R045C7FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 630 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	458.67 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R045C7FKSA1

MOSFETs N-Ch 650V 46A TO247-3 CoolMOS C7

на замовлення 437 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	625.06 грн
10+	610.93 грн
25+	384.09 грн
100+	382.58 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R045C7FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R045C7_300

Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R048CFDA

на замовлення 212880 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW65R048CFDA

MOSFETs N-Ch 650V 63.3A TO247-3

на замовлення 269 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	793.22 грн
10+	669.07 грн
100+	501.81 грн
240+	425.60 грн
1200+	384.85 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R048CFDAFKSA1

MOSFETs N-Ch 650V 63.3A TO247-3

на замовлення 236 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	541.43 грн
10+	528.49 грн
25+	372.77 грн
100+	368.25 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R048CFDAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 63.3A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R048CFDAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 63.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R048CFDAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 63.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

на замовлення 480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	910.26 грн

Мінімальне замовлення: 14

В кошику од. на суму грн.

IPW65R048CFDAFKSA1

Description: INFINEON - IPW65R048CFDAFKSA1 - Leistungs-MOSFET, AEC-Q101, n-Kanal, 650 V, 63.3 A, 0.043 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFDA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 194 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	822.81 грн
5+	764.40 грн
10+	705.14 грн
50+	448.83 грн
100+	356.99 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW65R048CFDAFKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 63.3A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 29.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.9mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7440 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 279 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	579.56 грн
30+	377.49 грн
120+	358.61 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R048CFDAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 63.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R050CFD7AXKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	612.74 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

IPW65R050CFD7AXKSA1

Description: INFINEON - IPW65R050CFD7AXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 45 A, 0.041 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7A SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 167 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	507.91 грн
5+	450.34 грн
10+	393.63 грн
50+	364.73 грн
100+	335.94 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW65R050CFD7AXKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 45A TO247-3-41
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 24.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.24mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4975 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 198 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	575.48 грн
30+	370.78 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R050CFD7AXKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R050CFD7AXKSA1

MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS

на замовлення 1338 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	581.05 грн
10+	395.71 грн
100+	327.50 грн
480+	326.74 грн
1200+	313.92 грн
2640+	310.14 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R050CFD7AXKSA1

N-Channel MOSFET Transistor

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R050CFD7AXKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R060CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 36A 3-Pin TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R060CFD7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 276 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	570.48 грн
25+	425.22 грн
100+	320.71 грн
480+	229.40 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R060CFD7XKSA1

SP005433699

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R060CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 36A 3-Pin TO-247 Tube

на замовлення 205 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	533.25 грн
29+	432.14 грн
50+	403.60 грн
100+	348.19 грн

Мінімальне замовлення: 23

В кошику од. на суму грн.

IPW65R060CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 36A 3-Pin TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R060CFD7XKSA1

Description: 650V FET COOLMOS TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 171W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 860µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3288 pF @ 400 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R060CM8XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 45A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R060CM8XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 45A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R060CM8XKSA1

MOSFETs 650V CoolMOS CM8 Power Transistor

на замовлення 76 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	448.99 грн
10+	354.93 грн
100+	249.02 грн
480+	221.10 грн
1200+	189.41 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R065C7

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 34 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	566.96 грн
10+	469.48 грн
100+	339.57 грн
240+	338.82 грн
480+	298.82 грн
1200+	268.64 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R065C7XKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 33A; 171W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 33A
Power dissipation: 171W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R065C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	272.03 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW65R065C7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 170 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	590.73 грн
10+	547.58 грн
25+	298.07 грн
240+	281.47 грн
480+	249.02 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R065C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R065C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW65R065C7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 33A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 17.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 171W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 850µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 400 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R065C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R065C7XKSA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R065C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	527.85 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW65R065C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 222 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

24+	514.49 грн
27+	457.42 грн
50+	421.44 грн

Мінімальне замовлення: 24

В кошику од. на суму грн.

IPW65R070C6

MOSFETs N-Ch 700V 53.5A TO247-3 CoolMOS C6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R070C6FKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 53.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 17.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 391W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.76mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R070C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 53.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 171 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	666.63 грн
10+	660.02 грн
25+	450.35 грн
50+	430.02 грн
100+	351.83 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW65R070C6FKSA1

MOSFETs Y

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R070C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 53.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 170 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	769.94 грн
25+	633.80 грн
50+	606.59 грн
100+	361.18 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

IPW65R070C6FKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 53.5A; 391W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 53.5A
Power dissipation: 391W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R070C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 53.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R070C6FKSA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R070C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 53.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 171 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	431.38 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R070C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 53.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 309 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	766.76 грн
240+	468.67 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

IPW65R070C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 53.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 170 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	614.47 грн
30+	419.27 грн
50+	400.35 грн
100+	327.56 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

IPW65R070C6FKSA1

Description: INFINEON - IPW65R070C6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 53.5 A, 0.063 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 391W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 119 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	663.67 грн
5+	616.26 грн
10+	568.01 грн
50+	404.81 грн
100+	316.35 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW65R075CFD7AXKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R075CFD7AXKSA1

N-Channel MOSFET Transistor

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R075CFD7AXKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R075CFD7AXKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 32A TO247-3-41
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 16.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 171W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 820µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3288 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 175 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	617.92 грн
30+	345.99 грн
120+	291.29 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R075CFD7AXKSA1

MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS

на замовлення 1501 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	613.62 грн
10+	508.53 грн
25+	299.58 грн
100+	272.41 грн
240+	271.66 грн
480+	244.49 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R080CFD

MOSFETs N-Ch 650V 43.3A TO247-3 CoolMOS CFD2

на замовлення 247 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	671.72 грн
10+	524.15 грн
25+	411.26 грн
100+	384.85 грн
240+	384.09 грн
480+	325.99 грн
1200+	313.16 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R080CFD

Trans MOSFET N-CH 650V 43.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	685.02 грн
25+	653.40 грн
50+	627.11 грн
100+	583.39 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

IPW65R080CFDA

MOSFETs N-Ch 650V 43.3A TO247-3

на замовлення 545 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	633.87 грн
10+	531.09 грн
100+	384.09 грн
240+	383.34 грн
480+	338.06 грн
1200+	304.86 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R080CFDA

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 27.4A; 391W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 27.4A
Power dissipation: 391W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R080CFDA

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R080CFDAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 43.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 6960 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	337.56 грн
480+	330.22 грн
2640+	326.96 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPW65R080CFDAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 43.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

на замовлення 720 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	569.77 грн

Мінімальне замовлення: 22

В кошику од. на суму грн.

IPW65R080CFDAFKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 43.3A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 17.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 391W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.76mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 161 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4440 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2341 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	691.39 грн
30+	391.16 грн
120+	330.81 грн
510+	288.53 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R080CFDAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 43.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R080CFDAFKSA1

на замовлення 120 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW65R080CFDAFKSA1

MOSFETs N-Ch 650V 43.3A TO247-3

на замовлення 67 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	640.91 грн
10+	607.46 грн
25+	313.16 грн
100+	294.30 грн
240+	293.54 грн
480+	270.90 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R080CFDAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 43.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

на замовлення 23040 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	332.34 грн
480+	301.44 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPW65R080CFDAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 43.3A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R080CFDAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 43.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

на замовлення 23060 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	356.08 грн
480+	322.97 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPW65R080CFDFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 43.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 130 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

54+	573.81 грн
100+	545.27 грн

Мінімальне замовлення: 54

В кошику од. на суму грн.

IPW65R080CFDFKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 43.3A; 391W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 43.3A
Power dissipation: 391W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R080CFDFKSA1

MOSFETs N-Ch 650V 43.3A TO247-3 CoolMOS CFD2

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	671.72 грн
10+	524.15 грн
25+	411.26 грн
100+	364.47 грн
240+	341.84 грн
480+	325.99 грн
1200+	313.16 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R080CFDFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 43.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 180 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

54+	573.81 грн
100+	545.27 грн

Мінімальне замовлення: 54

В кошику од. на суму грн.

IPW65R080CFDFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 43.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 130 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW65R080CFDFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 43.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 1290 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

54+	573.81 грн
100+	545.27 грн
500+	516.73 грн
1000+	470.76 грн

Мінімальне замовлення: 54

В кошику од. на суму грн.

IPW65R080CFDFKSA1

Description: INFINEON - IPW65R080CFDFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 43.3 A, 0.08 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 391W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm

на замовлення 2256 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	589.17 грн
5+	541.77 грн
10+	494.36 грн
50+	394.60 грн
100+	324.33 грн
250+	317.80 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW65R080CFDFKSA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R080CFDFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 43.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 75 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

54+	573.81 грн

Мінімальне замовлення: 54

В кошику од. на суму грн.

IPW65R080CFDFKSA1

Description: MOSFET N-CH 700V 43.3A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 17.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 391W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.76mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5030 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R080CFDFKSA2

Trans MOSFET N-CH 650V 43.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 80 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	362.71 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R080CFDFKSA2

Description: INFINEON - IPW65R080CFDFKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 43.3 A, 0.072 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 391W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 232 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	662.82 грн
5+	532.46 грн
10+	402.09 грн
50+	372.59 грн
100+	343.20 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW65R080CFDFKSA2

Description: MOSFET N-CH 650V 43.3A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 17.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 391W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.8mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5030 pF @ 100 V

на замовлення 164 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	622.00 грн
30+	349.42 грн
120+	294.67 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R080CFDFKSA2

Trans MOSFET N-CH 650V 43.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R080CFDFKSA2

MOSFETs HIGH POWER_LEGACY

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R090CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R090CFD7XKSA1

Description: HIGH POWER_NEW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 127W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 630µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2513 pF @ 400 V

на замовлення 169 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	504.46 грн
30+	278.02 грн
120+	232.29 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R090CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R090CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 1440 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	284.18 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPW65R090CFD7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R090CFD7XKSA1

SP005413364

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R090CFD7XKSA1

Description: INFINEON - IPW65R090CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 25 A, 0.068 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 127W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 29 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	457.96 грн
10+	363.15 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW65R090CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 119 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

26+	472.09 грн
28+	438.66 грн
50+	278.85 грн
100+	268.00 грн

Мінімальне замовлення: 26

В кошику од. на суму грн.

IPW65R095C7

MOSFETs HIGH POWERNEW

на замовлення 1036 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	468.36 грн
10+	361.00 грн
25+	279.96 грн
100+	245.25 грн
240+	222.61 грн
480+	211.29 грн
1200+	198.46 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R095C7

Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 11.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA
Supplier Device Package: PG-TO247
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2140 pF @ 400 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R095C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 1920 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	279.24 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPW65R095C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R095C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R095C7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 11.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2140 pF @ 400 V

на замовлення 1046 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	497.93 грн
30+	274.07 грн
120+	228.90 грн
510+	186.69 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R095C7XKSA1

Description: INFINEON - IPW65R095C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.084 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 128W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.084ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 140 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	452.04 грн
10+	353.00 грн
100+	229.40 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW65R095C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 232 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

32+	383.22 грн
41+	299.24 грн
50+	286.47 грн

Мінімальне замовлення: 32

В кошику од. на суму грн.

IPW65R095C7XKSA1
Код товару: 201470

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R095C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 4560 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

128+	239.51 грн
500+	227.28 грн
1000+	215.05 грн

Мінімальне замовлення: 128

В кошику од. на суму грн.

IPW65R095C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R095C7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	489.49 грн
10+	481.63 грн
25+	227.14 грн
100+	204.50 грн
240+	202.99 грн
480+	175.82 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R095C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

48+	257.16 грн

Мінімальне замовлення: 48

В кошику од. на суму грн.

IPW65R099C6

MOSFETs N-Ch 700V 38A TO247-3

на замовлення 166 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	479.80 грн
10+	386.17 грн
100+	279.20 грн
480+	246.76 грн
1200+	221.85 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R099C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R099C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 165 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

91+	336.34 грн
100+	320.03 грн

Мінімальне замовлення: 91

В кошику од. на суму грн.

IPW65R099C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R099C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R099C6FKSA1

MOSFETs N-Ch 700V 38A TO247-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R099C6FKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 38A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 12.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R099CFD7A

IPW65R099CFD7A

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	662.62 грн
25+	632.03 грн
50+	606.60 грн
100+	564.31 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

IPW65R099CFD7AXKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

на замовлення 213840 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	332.93 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPW65R099CFD7AXKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R099CFD7AXKSA1

N-Channel MOSFET Transistor

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R099CFD7AXKSA1

MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS

на замовлення 113 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	505.33 грн
10+	476.42 грн
25+	263.36 грн
100+	220.34 грн
240+	215.82 грн
480+	189.41 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R099CFD7AXKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO247-3-41
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 127W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 630µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2513 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 14 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	477.52 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R099CFD7AXKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R099CFD7AXKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

на замовлення 210 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	623.75 грн
50+	396.47 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

IPW65R099CFD7AXKSA1

Description: INFINEON - IPW65R099CFD7AXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.082 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 127W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.082ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	495.21 грн
5+	399.55 грн
10+	303.90 грн
50+	276.69 грн
100+	249.60 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW65R099CFD7AXKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

на замовлення 1484 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

87+	351.62 грн
100+	337.36 грн
500+	323.09 грн
1000+	293.86 грн

Мінімальне замовлення: 87

В кошику од. на суму грн.

IPW65R110CFD

MOSFETs N-Ch 700V 31.2A TO247-3 CoolMOS CFD2

на замовлення 17 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	608.34 грн
10+	513.73 грн
25+	405.98 грн
100+	372.77 грн
240+	350.14 грн
480+	327.50 грн
960+	295.81 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R110CFD

Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 1300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

30+	414.23 грн
31+	396.43 грн
50+	381.33 грн
100+	355.23 грн
250+	318.94 грн
500+	297.86 грн
1000+	290.57 грн

Мінімальне замовлення: 30

В кошику од. на суму грн.

IPW65R110CFD

на замовлення 39 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW65R110CFD7XKSA1

Description: HIGH POWER_NEW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 480µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1942 pF @ 400 V

на замовлення 221 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	426.10 грн
30+	231.36 грн
120+	192.04 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R110CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R110CFD7XKSA1

Description: INFINEON - IPW65R110CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 22 A, 0.087 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.087ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 158 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	402.94 грн
10+	237.02 грн
100+	178.61 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPW65R110CFD7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R110CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R110CFD7XKSA1

SP005413366

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R110CFDA

MOSFETs N-Ch 650V 31.2A TO247-3

на замовлення 615 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	529.10 грн
10+	438.24 грн
100+	308.63 грн
480+	273.92 грн
1200+	234.68 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R110CFDA

на замовлення 327600 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW65R110CFDAFKSA1

Description: INFINEON - IPW65R110CFDAFKSA1 - Leistungs-MOSFET, AEC-Q101, n-Kanal, 650 V, 31.2 A, 0.099 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 277.8W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFDA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 965 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	312.36 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPW65R110CFDAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R110CFDAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R110CFDAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 9120 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	351.18 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPW65R110CFDAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R110CFDAFKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 277.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.3mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 226 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	565.68 грн
30+	298.12 грн
120+	266.35 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R110CFDAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

на замовлення 224 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

97+	317.99 грн
102+	301.68 грн

Мінімальне замовлення: 97

В кошику од. на суму грн.

IPW65R110CFDAFKSA1

MOSFETs N-Ch 650V 31.2A TO247-3

на замовлення 229 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	537.91 грн
10+	438.24 грн
25+	339.57 грн
100+	284.49 грн
240+	276.94 грн
480+	230.91 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R110CFDAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

на замовлення 480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

26+	481.88 грн
30+	411.59 грн

Мінімальне замовлення: 26

В кошику од. на суму грн.

IPW65R110CFDFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 6480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

60+	412.78 грн
100+	392.39 грн
500+	372.01 грн
1000+	338.08 грн

Мінімальне замовлення: 60

В кошику од. на суму грн.

IPW65R110CFDFKSA1
Код товару: 196399

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > IGBT

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R110CFDFKSA1

Trans MOSFET N-CH 700V 31.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R110CFDFKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 277.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.3mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R110CFDFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 90 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW65R110CFDFKSA1

MOSFETs N-Ch 700V 31.2A TO247-3 CoolMOS CFD2

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R110CFDFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 19220 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

60+	412.78 грн
100+	392.39 грн
500+	372.01 грн
1000+	338.08 грн
10000+	294.84 грн

Мінімальне замовлення: 60

В кошику од. на суму грн.

IPW65R110CFDFKSA1

Description: INFINEON - IPW65R110CFDFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 31.2 A, 0.099 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 277.8W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 277.8W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.099ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 235 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	660.28 грн
10+	547.69 грн
25+	453.73 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW65R110CFDFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 90 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW65R110CFDFKSA2

Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 1440 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	359.82 грн
480+	305.68 грн
1200+	286.52 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPW65R110CFDFKSA2

Description: INFINEON - IPW65R110CFDFKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 31.2 A, 0.099 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 277.8W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	479.97 грн
10+	292.89 грн
100+	239.56 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW65R110CFDFKSA2

Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R110CFDFKSA2

Trans MOSFET N-CH 700V 31.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R110CFDFKSA2

Description: MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 277.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.3mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 100 V

на замовлення 198 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	479.16 грн
30+	263.30 грн
120+	219.82 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R110CFDFKSA2

MOSFETs HIGH POWER_LEGACY

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R115CFD7AXKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

28+	440.29 грн
29+	433.77 грн
50+	285.25 грн

Мінімальне замовлення: 28

В кошику од. на суму грн.

IPW65R115CFD7AXKSA1

N-Channel MOSFET Transistor

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R115CFD7AXKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	281.22 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPW65R115CFD7AXKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 21A TO247-3-41
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 490µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	420.38 грн
30+	219.78 грн
120+	198.69 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R115CFD7AXKSA1

MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS

на замовлення 105 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	445.47 грн
10+	432.16 грн
25+	207.52 грн
100+	187.90 грн
240+	187.14 грн
480+	159.98 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R115CFD7AXKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

на замовлення 535 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

127+	241.55 грн
500+	229.32 грн

Мінімальне замовлення: 127

В кошику од. на суму грн.

IPW65R115CFD7AXKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R115CFD7AXKSA1

Description: INFINEON - IPW65R115CFD7AXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 21 A, 0.103 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7A Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.103ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 180 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	434.26 грн
10+	263.27 грн
100+	211.63 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW65R125C7

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	370.64 грн
10+	289.84 грн
100+	203.74 грн
480+	181.11 грн
1200+	154.69 грн
2640+	146.39 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R125C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 1644 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

143+	214.03 грн
500+	202.82 грн
1000+	191.61 грн

Мінімальне замовлення: 143

В кошику од. на суму грн.

IPW65R125C7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 18A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 8.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 101W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 440µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 400 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R125C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R125C7XKSA1