Продукція > IPW

MOSFET IGBT PRODUCTS

товар відсутній

IPW30N65FFKSA1

MOSFET IGBT PRODUCTS

товар відсутній

IPW30N65HFDFKSA1

MOSFET IGBT PRODUCTS

товар відсутній

IPW30N65HFKSA1

MOSFET IGBT PRODUCTS

товар відсутній

IPW35N65FFDFKSA1

MOSFET IGBT PRODUCTS

товар відсутній

IPW35N65FFKSA1

MOSFET IGBT PRODUCTS

товар відсутній

IPW35N65HFDFKSA1

MOSFET IGBT PRODUCTS

товар відсутній

IPW35N65HFKSA1

MOSFET IGBT PRODUCTS

товар відсутній

IPW40N65FFDFKSA1

MOSFET IGBT PRODUCTS

товар відсутній

IPW40N65FFKSA1

MOSFET IGBT PRODUCTS

товар відсутній

IPW40N65HFDFKSA1

MOSFET IGBT PRODUCTS

товар відсутній

IPW40N65HFKSA1

MOSFET IGBT PRODUCTS

товар відсутній

IPW50R140CP

MOSFET N-Ch 500V 23A TO247-3 CoolMOS CP

товар відсутній

IPW50R140CP

на замовлення 1 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPW50R140CP

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPW50R140CPFKSA1

MOSFET HIGH POWER_LEGACY

товар відсутній

IPW50R140CPFKSA1

Description: MOSFET N-CH 550V 23A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 930µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2540 pF @ 100 V

товар відсутній

IPW50R140CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 500V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW50R140CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 500V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW50R140CPFKSA1

Description: INFINEON - IPW50R140CPFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 550 V, 23 A, 0.13 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 550V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 192W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 1385 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	461.51 грн
10+	343.55 грн
100+	273.51 грн
500+	249.19 грн
1000+	224.96 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPW50R140CPFKSA1

Description: MOSFET N-CH 550V 23A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 930µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2540 pF @ 100 V

на замовлення 50341 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

93+	210.53 грн

Мінімальне замовлення: 93

IPW50R140CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 500V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW50R190CE

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 6.2A, 13V
Power Dissipation (Max): 152W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 510µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1137 pF @ 100 V

товар відсутній

IPW50R190CE

MOSFET N-Ch 500V 63A TO247-3

на замовлення 54 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IPW50R190CEFKSA1

MOSFET N-Ch 500V 63A TO247-3

товар відсутній

IPW50R190CEFKSA1

Description: MOSFET N-CH 500V 18.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 6.2A, 13V
Power Dissipation (Max): 127W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 510µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1137 pF @ 100 V

товар відсутній

IPW50R199CP

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 9.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 660µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 100 V

товар відсутній

IPW50R199CP

MOSFET N-Ch 500V 17A TO247-3 CoolMOS CP

на замовлення 262 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IPW50R199CPFKSA1

Description: MOSFET N-CH 550V 17A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 9.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 660µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 100 V

товар відсутній

IPW50R250CP

TO-247

на замовлення 25440 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPW50R250CP

MOSFET N-Ch 500V 13A TO247-3 CoolMOS CP

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	248.42 грн
10+	205.57 грн
25+	168.9 грн
100+	143.92 грн
240+	136.04 грн
480+	128.15 грн
1200+	109.75 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPW50R250CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 500V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW50R250CPFKSA1

Description: MOSFET N-CH 500V 13A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 520µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 100 V

товар відсутній

IPW50R250CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 500V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW50R250CPFKSA1

MOSFET N-Ch 500V 13A TO247-3 CoolMOS CP

товар відсутній

IPW50R280CE

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.2A, 13V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 350µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 773 pF @ 100 V

на замовлення 101641 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

392+	51.81 грн

Мінімальне замовлення: 392

IPW50R280CE

MOSFET N-Ch 500V 13A TO247-3 CoolMOS CE

товар відсутній

IPW50R280CEFKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13A; 92W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13A
Power dissipation: 92W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPW50R280CEFKSA1

товар відсутній

IPW50R280CEFKSA1

Description: MOSFET N-CH 500V 13A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.2A, 13V
Power Dissipation (Max): 92W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 350µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 773 pF @ 100 V

товар відсутній

IPW50R299CP

MOSFET N-Ch 500V 12A TO247-3 CoolMOS CP

товар відсутній

IPW50R299CP

TO-247

на замовлення 21120 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPW50R299CP

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 100 V

на замовлення 9838 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	88.86 грн

Мінімальне замовлення: 240

IPW50R299CPFKSA1

Description: MOSFET N-CH 550V 12A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 100 V

товар відсутній

IPW50R299CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW50R299CPFKSA1

MOSFET LOW POWER_LEGACY

товар відсутній

IPW50R350CP

MOSFET N-Ch 500V 10A TO247-3 CoolMOS CP

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IPW50R350CP

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 370µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 100 V

на замовлення 4320 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

245+	87.44 грн

Мінімальне замовлення: 245

IPW50R350CP

TO-247

на замовлення 49920 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPW50R350CPFKSA1

Description: MOSFET N-CH 550V 10A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 370µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 100 V

товар відсутній

IPW50R399CP

TO-247

на замовлення 25920 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPW50R399CP

MOSFET N-Ch 500V 9A TO247-3 CoolMOS CP

товар відсутній

IPW50R399CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 500V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW50R399CPFKSA1

Description: MOSFET N-CH 560V 9A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 399mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 330µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 560 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 100 V

на замовлення 5520 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

251+	78.77 грн

Мінімальне замовлення: 251

IPW50R399CPFKSA1

MOSFET LOW POWER_LEGACY

товар відсутній

IPW50R399CPFKSA1

товар відсутній

IPW60R017C7

на замовлення 17097 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPW60R017C7

MOSFET HIGH POWER_NEW

товар відсутній

IPW60R017C7XKSA1

Description: HIGH POWER_NEW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 109A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 58.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.91mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9890 pF @ 400 V

товар відсутній

IPW60R017C7XKSA1

Description: INFINEON - IPW60R017C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 109 A, 0.015 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 109A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 446W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 424 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1474.47 грн
5+	1348.4 грн
10+	1222.33 грн
50+	1099.43 грн
100+	1002.22 грн
250+	843.61 грн

IPW60R017C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 109A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 720 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	2027.72 грн
10+	1940.4 грн
50+	1721.41 грн
100+	1489.95 грн
240+	1397.09 грн

Мінімальне замовлення: 6

IPW60R017C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 109A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 224 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	900.13 грн

IPW60R017C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 109A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW60R017C7XKSA1

MOSFET HIGH POWER_NEW

на замовлення 665 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1533.45 грн
10+	1343 грн
25+	1089.62 грн
50+	1055.45 грн
100+	1042.31 грн
480+	876.69 грн

IPW60R018CFD7

MOSFET HIGH POWER_NEW

товар відсутній

IPW60R018CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 101A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW60R018CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 101A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW60R018CFD7XKSA1

Description: MOSFET N CH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 101A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 58.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 416W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.91mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 251 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9901 pF @ 400 V

на замовлення 801 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1289.58 грн
30+	1029.96 грн
120+	965.59 грн
510+	773.26 грн

IPW60R018CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 101A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW60R018CFD7XKSA1

MOSFET HIGH POWER_NEW

на замовлення 398 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1400.8 грн
10+	1237.2 грн
25+	929.27 грн
50+	927.3 грн
100+	909.55 грн
240+	906.27 грн
480+	801.12 грн

IPW60R024CFD7

MOSFET HIGH POWER_NEW

товар відсутній

IPW60R024CFD7

на замовлення 150 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPW60R024CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 77A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW60R024CFD7XKSA1

MOSFET HIGH POWER_NEW

на замовлення 438 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1055.78 грн
10+	917.51 грн
25+	775.49 грн
50+	732.77 грн
100+	689.39 грн
240+	667.71 грн
480+	624.33 грн

IPW60R024CFD7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 77A TO247-3-41
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 42.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 320W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.12mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 183 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7268 pF @ 400 V

на замовлення 104 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	962.56 грн
30+	750.54 грн

IPW60R024CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 77A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW60R024CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 77A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	1048.98 грн

Мінімальне замовлення: 12

IPW60R024CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 77A Tube

товар відсутній

IPW60R024CFD7XKSA1

Description: INFINEON - IPW60R024CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 77 A, 0.019 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 320W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 320W
Bauform - Transistor: TO-247
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.019ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 186 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1254.77 грн
5+	1144.19 грн
10+	1033.6 грн
50+	916.65 грн
100+	806.32 грн

IPW60R024P7

MOSFET HIGH POWER_NEW

товар відсутній

IPW60R024P7XKSA1

MOSFET HIGH POWER_NEW

на замовлення 352 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	956.1 грн
10+	830.59 грн
25+	703.19 грн
50+	663.76 грн
100+	624.33 грн
240+	605.27 грн
480+	565.84 грн

IPW60R024P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 101A Tube

товар відсутній

IPW60R024P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 101A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW60R024P7XKSA1

Description: INFINEON - IPW60R024P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 101 A, 0.02 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 101A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 291W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 291W
Bauform - Transistor: TO-247
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 93 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1196.53 грн
5+	1139.03 грн
10+	1080.79 грн
50+	925.54 грн

IPW60R024P7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 101A TO247-3-41
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 101A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 42.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 291W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.03mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7144 pF @ 400 V

товар відсутній

IPW60R024P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 101A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW60R031CFD7

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 40A; 278W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 40A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 141nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 7 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	1132.39 грн
2+	911.95 грн
3+	830.53 грн
30+	829.7 грн

IPW60R031CFD7

на замовлення 7 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	943.66 грн
2+	731.81 грн
3+	692.1 грн

IPW60R031CFD7

Description: 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER MOS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 32.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.63mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5623 pF @ 400 V

товар відсутній

IPW60R031CFD7

MOSFET HIGH POWER_NEW

товар відсутній

IPW60R031CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 210 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	419.4 грн

IPW60R031CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 180 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	749.61 грн
10+	676.91 грн
25+	656.68 грн
50+	621.85 грн
100+	521.07 грн

IPW60R031CFD7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 63A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 32.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.63mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5623 pF @ 400 V

на замовлення 413 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	708.77 грн
30+	552.5 грн
120+	520.01 грн

IPW60R031CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW60R031CFD7XKSA1

Description: INFINEON - IPW60R031CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 63 A, 0.026 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm

на замовлення 215 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	792.53 грн
5+	716.59 грн
10+	640.66 грн
50+	561.35 грн
100+	472.67 грн

IPW60R031CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	1494.3 грн

Мінімальне замовлення: 8

IPW60R031CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 140 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	1316.17 грн
12+	983.67 грн
50+	833.07 грн
100+	706.86 грн

Мінімальне замовлення: 9

IPW60R031CFD7XKSA1

MOSFET HIGH POWER_NEW

на замовлення 576 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	818.09 грн
10+	710.42 грн
25+	608.56 грн
50+	584.9 грн
100+	534.3 грн
240+	524.44 грн
480+	484.35 грн

IPW60R031CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW60R031CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 180 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	737.61 грн
18+	666.07 грн
25+	646.17 грн
50+	611.89 грн
100+	512.73 грн

Мінімальне замовлення: 16

IPW60R037CSFD

MOSFET HIGH POWER_NEW

товар відсутній

IPW60R037CSFD

на замовлення 112282 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPW60R037CSFDXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 25A; 245W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 25A
Power dissipation: 245W
Case: TO247-3
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 136nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPW60R037CSFDXKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 54A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 215 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	777.01 грн
17+	702.42 грн
100+	641.11 грн

Мінімальне замовлення: 15

IPW60R037CSFDXKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 54A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW60R037CSFDXKSA1

товар відсутній

IPW60R037CSFDXKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 54A Automotive Tube

товар відсутній

IPW60R037CSFDXKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 54A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW60R037CSFDXKSA1

Description: MOSFET N CH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 32.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.63mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5623 pF @ 400 V

товар відсутній

IPW60R037CSFDXKSA1

MOSFET HIGH POWER_NEW

на замовлення 240 шт:

термін постачання 834-843 дні (днів)

1+	811.19 грн
10+	735.36 грн
100+	540.21 грн
480+	440.32 грн

IPW60R037CSFDXKSA1

Description: INFINEON - IPW60R037CSFDXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 54 A, 0.031 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 245W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: TO-247
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CSFD
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.031ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 73 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	623.7 грн
10+	573.57 грн
25+	485.1 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPW60R037CSFDXKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 54A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	599.93 грн

Мінімальне замовлення: 240

IPW60R037P7

Trans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247

на замовлення 150 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	1830.77 грн
10+	1385.45 грн
50+	1227.11 грн
100+	1106.94 грн

Мінімальне замовлення: 7

IPW60R037P7

на замовлення 4920 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPW60R037P7

Infineon HIGH POWER_NEW

товар відсутній

IPW60R037P7XKSA1
Код товару: 173232

товар відсутній

IPW60R037P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 1124 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	340.43 грн

IPW60R037P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW60R037P7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 76A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 29.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.48mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5243 pF @ 400 V

на замовлення 699 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	657.59 грн
30+	505.67 грн
120+	452.44 грн
510+	374.64 грн

IPW60R037P7XKSA1

Description: INFINEON - IPW60R037P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 76 A, 0.03 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 255W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 196 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1011.49 грн
10+	882.47 грн
25+	731.34 грн

IPW60R037P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 182 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	1452.39 грн

Мінімальне замовлення: 9

IPW60R037P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW60R037P7XKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48A; 255W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Power dissipation: 255W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 121nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate

на замовлення 20 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	958.4 грн
2+	644.87 грн
4+	609.96 грн

IPW60R037P7XKSA1

на замовлення 20 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	1150.09 грн
2+	803.61 грн
4+	731.95 грн

IPW60R037P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 373 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	1138.04 грн
14+	843.14 грн
50+	788.71 грн
100+	673.71 грн
200+	582.28 грн

Мінімальне замовлення: 11

IPW60R037P7XKSA1

MOSFET HIGH POWER_NEW

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	752.16 грн
10+	648.45 грн
100+	469.89 грн

IPW60R037P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 353 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	1058.88 грн
15+	786.74 грн
50+	735.28 грн
100+	627.9 грн
200+	542.52 грн

Мінімальне замовлення: 11

IPW60R040C7

на замовлення 40810 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPW60R040C7

MOSFET HIGH POWER_NEW

товар відсутній

IPW60R040C7

Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	552.55 грн

Мінімальне замовлення: 240

IPW60R040C7XKSA1

MOSFET HIGH POWER_NEW

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	877.13 грн
10+	761.06 грн
100+	572.41 грн

IPW60R040C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW60R040C7XKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 227W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 227W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPW60R040C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 1166 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	1415.13 грн
11+	1108.36 грн
12+	1048.98 грн
50+	895.1 грн
100+	759.87 грн
200+	698.94 грн
960+	656.53 грн

Мінімальне замовлення: 9

IPW60R040C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW60R040C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW60R040C7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 50A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 24.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.24mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 400 V

на замовлення 464 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	759.25 грн
30+	591.93 грн
120+	557.11 грн

IPW60R040C7XKSA1

Description: INFINEON - IPW60R040C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.034 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 227W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.034ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 350 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1104.38 грн
5+	1046.14 грн
10+	987.16 грн
50+	845.45 грн
100+	714.7 грн
250+	635.07 грн

IPW60R040C7XKSA1

товар відсутній

IPW60R040CFD7

MOSFET HIGH POWER_NEW

товар відсутній

IPW60R040CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW60R040CFD7XKSA1

MOSFET HIGH POWER_NEW

на замовлення 240 шт:

термін постачання 492-501 дні (днів)

1+	735.29 грн
10+	621.24 грн
100+	449.52 грн

IPW60R040CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW60R040CFD7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 50A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 24.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.25mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4354 pF @ 400 V

товар відсутній

IPW60R040CFD7XKSA1

Description: INFINEON - IPW60R040CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.031 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm

на замовлення 111 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	767.46 грн
5+	693 грн
10+	617.8 грн
50+	525.75 грн
100+	441.08 грн

IPW60R040CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 1259 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	900.54 грн
17+	705.58 грн
50+	666.99 грн
100+	579.24 грн
200+	505.4 грн
960+	474.17 грн

Мінімальне замовлення: 13

IPW60R040CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW60R041C6

Description: 600V, 0.041OHM, N-CHANNEL MOSFET

товар відсутній

IPW60R041C6

Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 96mOhm; 77,5A; 481W; -55°C ~ 150°C; IPW60R041C6FKSA1 IPW60R041C6 TIPW60r041c6
кількість в упаковці: 2 шт

на замовлення 2 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

2+	1193.92 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPW60R041C6

MOSFET N-Ch 650V 77.5A TO247-3 CoolMOS C6

на замовлення 782 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1058.08 грн
10+	919.02 грн
25+	777.46 грн
50+	734.08 грн
100+	690.71 грн
240+	669.02 грн
480+	625.65 грн

IPW60R041C6FKSA1

Description: INFINEON - IPW60R041C6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 77.5 A, 0.037 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 481W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 444 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1055.72 грн
10+	973.15 грн
25+	882.47 грн
240+	803.01 грн

IPW60R041C6FKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 77.5A; 481W; PG-TO247-3
Mounting: THT
Case: PG-TO247-3
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 77.5A
On-state resistance: 41mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 481W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™ C6
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 12 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	1161.59 грн
3+	1059.53 грн

IPW60R041C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 77.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 374 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1027.8 грн
10+	916.53 грн
50+	893.9 грн
100+	762.5 грн
240+	673.06 грн

IPW60R041C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 77.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW60R041C6FKSA1

MOSFET N-Ch 650V 77.5A TO247-3 CoolMOS C6

на замовлення 31 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1121.72 грн
10+	968.14 грн
50+	810.32 грн
100+	697.28 грн

IPW60R041C6FKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 77.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 44.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 481W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 2.96mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 290 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6530 pF @ 10 V

на замовлення 13 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	973.94 грн

IPW60R041C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 77.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 81 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	1096.57 грн
12+	1015.68 грн

Мінімальне замовлення: 11

IPW60R041C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 77.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW60R041C6FKSA1

на замовлення 12 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	967.99 грн
3+	850.24 грн

IPW60R041C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 77.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 374 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	1011.34 грн
13+	901.85 грн
50+	879.58 грн
100+	750.29 грн
240+	662.28 грн

Мінімальне замовлення: 12

IPW60R041C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 77.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 40 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	1328.09 грн
10+	1210.73 грн

Мінімальне замовлення: 9

IPW60R041C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 77.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 154 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	571.21 грн

IPW60R041P6

MOSFET HIGH POWER PRICE/PERFORM

на замовлення 108 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	887.1 грн
10+	770.13 грн
25+	651.93 грн
50+	615.79 грн
100+	579.64 грн
240+	561.24 грн
480+	525.1 грн

IPW60R041P6

Trans MOSFET N-CH 600V 77.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 720 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	1011.8 грн
20+	984.62 грн
50+	926.94 грн
100+	840.25 грн
250+	791.6 грн

Мінімальне замовлення: 12

IPW60R041P6

на замовлення 230 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPW60R041P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 77.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	663.93 грн

Мінімальне замовлення: 18

IPW60R041P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 77.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW60R041P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 77.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 229 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	791.57 грн
10+	714.51 грн
25+	697.57 грн
50+	643.35 грн
100+	546.04 грн

IPW60R041P6FKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 77.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 35.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 481W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.96mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8180 pF @ 100 V

на замовлення 175 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	776.31 грн
30+	605.32 грн
120+	569.73 грн

IPW60R041P6FKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 77.5A; 481W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 77.5A
Power dissipation: 481W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPW60R041P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 77.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	733.61 грн

Мінімальне замовлення: 240

IPW60R041P6FKSA1

товар відсутній

IPW60R041P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 77.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 160 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	454.67 грн

IPW60R041P6FKSA1

MOSFET HIGH POWER PRICE/PERFORM

на замовлення 91 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	887.87 грн
10+	770.89 грн
25+	652.59 грн
50+	619.07 грн
100+	580.3 грн
240+	579.64 грн
480+	525.1 грн

IPW60R041P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 77.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW60R041P6FKSA1

Description: INFINEON - IPW60R041P6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 77.5 A, 0.037 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 481W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: CoolMOS P6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 883 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	912.7 грн
5+	829.39 грн
10+	746.08 грн
50+	654.45 грн
100+	550.4 грн
250+	515.01 грн

IPW60R041P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 77.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 229 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	786.9 грн
17+	710.3 грн
25+	693.46 грн
50+	639.56 грн
100+	542.82 грн

Мінімальне замовлення: 15

IPW60R045

SMD

на замовлення 50 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPW60R045C

на замовлення 1440 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPW60R045CP

MOSFET N-Ch 650V 60A TO247-3 CoolMOS CP

на замовлення 390 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1338.7 грн
10+	1162.37 грн
25+	983.16 грн
50+	928.61 грн
100+	874.06 грн
240+	846.46 грн
480+	791.92 грн

IPW60R045CP
Код товару: 105994

товар відсутній

IPW60R045CPA

MOSFET N-Ch 600V 60A TO247-3 CoolMOS CPA

на замовлення 223 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1408.47 грн
10+	1222.84 грн
25+	1034.42 грн
50+	977.24 грн
100+	920.07 грн
240+	891.15 грн
480+	833.98 грн

IPW60R045CPAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 60A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW60R045CPAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 98 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1192.07 грн
10+	1129.37 грн

IPW60R045CPAFKSA1

Description: INFINEON - IPW60R045CPAFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 60 A, 0.04 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 431W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 933 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1315.96 грн
5+	1262.88 грн
10+	1209.8 грн
50+	1036.45 грн
100+	875.83 грн
250+	858.14 грн

IPW60R045CPAFKSA1

MOSFET AUTOMOTIVE

товар відсутній

IPW60R045CPAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW60R045CPAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 98 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	1216.24 грн

Мінімальне замовлення: 10

IPW60R045CPAFKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 431W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 153 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1281.05 грн
10+	1086.42 грн
100+	939.61 грн

IPW60R045CPFKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 60A; 431W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Power dissipation: 431W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPW60R045CPFKSA1

товар відсутній

IPW60R045CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 207 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	1185.2 грн
11+	1100.59 грн
25+	1089.73 грн
50+	1040.33 грн
100+	866.94 грн

Мінімальне замовлення: 10

IPW60R045CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 178 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1230.59 грн
10+	1111.34 грн
25+	1108.55 грн
50+	1066.21 грн
100+	810.07 грн

IPW60R045CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW60R045CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1422.02 грн
10+	1306.64 грн

IPW60R045CPFKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 431W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 100 V

на замовлення 2363 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1170.86 грн
30+	912.83 грн
120+	859.13 грн
510+	730.67 грн

IPW60R045CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	1442.03 грн
10+	1273.91 грн
25+	1261.18 грн

Мінімальне замовлення: 9

IPW60R045CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	1087.24 грн
25+	1037.04 грн
50+	995.31 грн
100+	925.93 грн

Мінімальне замовлення: 11

IPW60R045CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 88 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	686.22 грн

IPW60R045CPFKSA1

Description: INFINEON - IPW60R045CPFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 60 A, 0.04 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 431W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 123 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1227.49 грн
10+	1127.97 грн
25+	952.51 грн

IPW60R045CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 178 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	1210.88 грн
11+	1093.54 грн
25+	1090.8 грн
50+	1049.13 грн
100+	797.1 грн

Мінімальне замовлення: 10

IPW60R045CPFKSA1

MOSFET N-Ch 650V 60A TO247-3 CoolMOS CP

на замовлення 219 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1339.47 грн
10+	1162.37 грн
50+	1005.5 грн
100+	874.72 грн
240+	846.46 грн
480+	791.92 грн
1200+	745.26 грн

IPW60R045CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 207 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1100.54 грн
10+	1021.98 грн
25+	1011.89 грн
50+	966.02 грн
100+	805.02 грн

IPW60R045CPXK

MOSFET N-Ch 650V 60A TO247-3 CoolMOS CP

товар відсутній

IPW60R045P7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 61A TO247-3-41
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 201W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.08mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3891 pF @ 400 V

на замовлення 1397 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	505.45 грн
30+	388.77 грн
120+	347.85 грн
510+	288.04 грн
1020+	259.23 грн

IPW60R045P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW60R045P7XKSA1

MOSFET HIGH POWER_NEW

на замовлення 159 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	584.24 грн
10+	493.52 грн
25+	400.89 грн
100+	357.51 грн
240+	345.03 грн
480+	283.91 грн
1200+	270.76 грн

IPW60R045P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	900.54 грн
18+	666.99 грн
50+	624.44 грн
100+	533.44 грн
200+	460.35 грн

Мінімальне замовлення: 13

IPW60R045P7XKSA1

Description: INFINEON - IPW60R045P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 61 A, 0.045 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 201W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 1410 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	549.98 грн
5+	523.44 грн
10+	496.9 грн
50+	421.7 грн
100+	352.61 грн
250+	345.66 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPW60R045P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW60R045P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 670 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	848.09 грн
19+	628.39 грн
50+	587.82 грн
100+	501.94 грн
200+	433.84 грн

Мінімальне замовлення: 14

IPW60R045P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 51 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	775.19 грн

Мінімальне замовлення: 16

IPW60R045P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 61A Tube

товар відсутній

IPW60R055CFD7XKSA1

Description: INFINEON - IPW60R055CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38 A, 0.046 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 178W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm

на замовлення 237 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	601.58 грн
5+	534.49 грн
10+	467.41 грн
50+	398.42 грн
100+	334.28 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPW60R055CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW60R055CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 40080 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	433.59 грн

Мінімальне замовлення: 240

IPW60R055CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW60R055CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW60R055CFD7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 38A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 900µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3194 pF @ 400 V

на замовлення 87 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	519.67 грн
30+	399.84 грн

IPW60R055CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 55920 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	481.76 грн

Мінімальне замовлення: 240

IPW60R055CFD7XKSA1

MOSFET HIGH POWER_NEW

на замовлення 152 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	565.08 грн
10+	477.65 грн
25+	408.77 грн
100+	371.31 грн
240+	341.08 грн
480+	274.71 грн
1200+	262.22 грн

IPW60R055CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 260 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	842.16 грн
19+	624.44 грн
50+	583.87 грн
100+	499.07 грн
200+	431.18 грн

Мінімальне замовлення: 14

IPW60R060C7

Description: IPW60R060 - 600V COOLMOS N-CHANN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 162W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 400 V

товар відсутній

IPW60R060C7

MOSFET HIGH POWER_NEW

товар відсутній

IPW60R060C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW60R060C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	289.05 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPW60R060C7XKSA1
Код товару: 161478

товар відсутній

IPW60R060C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW60R060C7XKSA1

Description: INFINEON - IPW60R060C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 35 A, 0.052 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 162W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 229 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	800.64 грн
5+	740.18 грн
10+	678.99 грн
50+	576.41 грн
100+	482.15 грн

IPW60R060C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 841 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	928.25 грн
17+	688.76 грн
50+	644.24 грн
100+	549.65 грн
200+	475.36 грн

Мінімальне замовлення: 13

IPW60R060C7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 35A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 162W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 400 V

на замовлення 313 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	559.48 грн
30+	430 грн
120+	384.74 грн

IPW60R060C7XKSA1

MOSFET HIGH POWER_NEW

на замовлення 179 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	605.71 грн
10+	513.92 грн
25+	377.89 грн
100+	352.91 грн
240+	352.25 грн
480+	295.08 грн
1200+	281.94 грн

IPW60R060P7

на замовлення 148 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPW60R060P7

MOSFET HIGH POWER_NEW

товар відсутній

IPW60R060P7

на замовлення 117090 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPW60R060P7XKSA1

MOSFET HIGH POWER_NEW

на замовлення 40 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	424 грн
10+	390.73 грн
25+	292.45 грн
100+	265.51 грн
240+	259.59 грн
480+	212.93 грн
1200+	203.07 грн

IPW60R060P7XKSA1

Description: INFINEON - IPW60R060P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 48 A, 0.049 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 164W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 1804 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	426.86 грн
10+	374.51 грн
25+	311.11 грн
240+	271.78 грн
480+	235.07 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPW60R060P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW60R060P7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 48A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 164W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2895 pF @ 400 V

на замовлення 296 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	403.79 грн
30+	310.45 грн
120+	277.79 грн

IPW60R060P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	827.31 грн
20+	602.67 грн
50+	534.39 грн
100+	483.81 грн
200+	422.35 грн

Мінімальне замовлення: 15

IPW60R060P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	208.55 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPW60R060P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW60R060P7XKSA1
Код товару: 192082

товар відсутній

IPW60R0706P

Description: 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER MOS
Packaging: Bulk
Part Status: Active

товар відсутній

IPW60R070C6

MOSFET N-Ch 600V 53A TO247-3 CoolMOS C6

на замовлення 4657 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	714.59 грн
10+	603.1 грн
25+	475.81 грн
100+	437.03 грн
240+	410.74 грн
480+	385.11 грн
1200+	346.34 грн

IPW60R070C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW60R070C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPW60R070C6FKSA1

MOSFET N-Ch 600V 53A TO247-3 CoolMOS C6

товар відсутній

IPW60R070C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 837 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	322.79 грн

IPW60R070C6FKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 53A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 25.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 391W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.72mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 100 V

на замовлення 578 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	617.78 грн
30+	475.05 грн
120+	425.05 грн
510+	351.96 грн

IPW60R070C6FKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 53A; 391W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 53A
Power dissipation: 391W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPW60R070C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	554.81 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPW60R070C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 29 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	848.97 грн

Мінімальне замовлення: 14

IPW60R070C6FKSA1

Description: INFINEON - IPW60R070C6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 53 A, 0.063 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 391W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 459 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	648.03 грн
10+	555.87 грн
25+	462.98 грн
240+	404.58 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPW60R070C6FKSA1

товар відсутній

IPW60R070CFD7

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 156W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.129Ω
Mounting: THT
Gate charge: 67nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPW60R070CFD7

товар відсутній

IPW60R070CFD7

MOSFET HIGH POWER_NEW

товар відсутній

IPW60R070CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 1086 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	586.97 грн
28+	425.92 грн
50+	368.68 грн
100+	352.7 грн
200+	325.71 грн
960+	311.85 грн

Мінімальне замовлення: 20

IPW60R070CFD7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 31A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 15.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 760µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2721 pF @ 400 V

на замовлення 1097 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	428.68 грн
30+	329.33 грн
120+	294.65 грн
510+	243.98 грн
1020+	219.59 грн

IPW60R070CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 239 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

24+	500 грн
28+	426.19 грн
33+	362.39 грн
100+	306.11 грн

Мінімальне замовлення: 24

IPW60R070CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 239 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	464.29 грн
10+	395.75 грн
25+	336.5 грн
100+	284.25 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPW60R070CFD7XKSA1

Description: INFINEON - IPW60R070CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 31 A, 0.057 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	491 грн
5+	419.49 грн
10+	347.97 грн
50+	301.21 грн
100+	257.19 грн
250+	217.38 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPW60R070CFD7XKSA1

MOSFET HIGH POWER_NEW

на замовлення 3675 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	463.87 грн
10+	409.63 грн
25+	306.25 грн
100+	277.33 грн
240+	270.76 грн
480+	226.07 грн
1200+	215.56 грн

IPW60R070CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 272 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	551.26 грн
25+	527.57 грн
50+	507.48 грн
100+	472.74 грн
250+	424.45 грн

Мінімальне замовлення: 22

IPW60R070CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW60R070P6

на замовлення 41 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPW60R070P6

MOSFET HIGH POWER PRICE/PERFORM

на замовлення 117 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	573.51 грн
10+	484.45 грн
25+	381.83 грн
100+	350.94 грн
240+	329.91 грн
480+	309.54 грн
1200+	278.65 грн

IPW60R070P6

Description: 600V, 0.07OHM, N-CHANNEL MOSFET,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 391W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.72mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 100 V

товар відсутній

IPW60R070P6

Trans MOSFET N-CH 600V 53.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	610.91 грн
25+	584.66 грн
50+	562.38 грн
100+	523.9 грн

Мінімальне замовлення: 20

IPW60R070P6XKSA1

Description: INFINEON - IPW60R070P6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 53.5 A, 0.063 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 391W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 2777 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	609.69 грн
5+	523.44 грн
10+	437.18 грн
50+	378.57 грн
100+	323.54 грн
250+	303.32 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPW60R070P6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 53.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 960 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	794.66 грн
18+	680.85 грн
50+	617.51 грн
100+	546.79 грн
200+	471.83 грн
480+	438.54 грн
960+	426.66 грн

Мінімальне замовлення: 15

IPW60R070P6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 53.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 2280 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	740.22 грн
21+	571.99 грн
50+	517.56 грн
100+	473.31 грн
200+	416.17 грн
960+	376.62 грн
1920+	355.41 грн

Мінімальне замовлення: 16

IPW60R070P6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 53.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 290 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	594.72 грн
10+	522.47 грн
100+	386.76 грн

IPW60R070P6XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 53.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 391W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.72mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 100 V

на замовлення 241 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	541 грн
10+	446.75 грн
100+	372.3 грн

IPW60R070P6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 53.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW60R070P6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 53.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 490 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	259.15 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPW60R070P6XKSA1
Код товару: 165846

товар відсутній

IPW60R070P6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 53.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 960 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	435.76 грн

Мінімальне замовлення: 240

IPW60R070P6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 53.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	868.33 грн

Мінімальне замовлення: 14

IPW60R070P6XKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 53.5A; 391W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 53.5A
Power dissipation: 391W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPW60R070P6XKSA1

MOSFET HIGH POWER PRICE/PERFORM

на замовлення 960 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	601.11 грн
10+	535.84 грн
100+	401.54 грн
480+	350.94 грн
1200+	281.28 грн

IPW60R070P6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 53.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 290 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	585.2 грн
23+	514.11 грн
100+	380.57 грн

Мінімальне замовлення: 20

IPW60R070P6XKSA1

товар відсутній

IPW60R070P6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 53.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 2130 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	789.7 грн
21+	574.96 грн
50+	510.64 грн
100+	461.86 грн
200+	403.79 грн
960+	361.35 грн
1920+	339.29 грн

Мінімальне замовлення: 15

IPW60R070P6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 53.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW60R075CP

MOSFET N-Ch 600V 39A TO247-3 CoolMOS CP

на замовлення 8 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	834.96 грн
10+	725.54 грн
25+	613.82 грн
50+	579.64 грн
100+	545.47 грн
240+	474.49 грн

IPW60R075CPA

MOSFET AUTOMOTIVE

товар відсутній

IPW60R075CPAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 39A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW60R075CPAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 39A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW60R075CPAFKSA1

MOSFET AUTOMOTIVE

на замовлення 119 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	759.82 грн
10+	659.79 грн
25+	558.61 грн
50+	531.01 грн
100+	496.18 грн
240+	480.41 грн
480+	449.52 грн

IPW60R075CPAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 39A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 720 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPW60R075CPAFKSA1

Description: AUTOMOTIVE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.74mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 174 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	717.3 грн
10+	608.31 грн
100+	526.12 грн

IPW60R075CPFKSA1

MOSFET N-Ch 600V 39A TO247-3 CoolMOS CP

товар відсутній

IPW60R075CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 64 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	951.35 грн
14+	867.82 грн
25+	814.99 грн
50+	736.45 грн

Мінімальне замовлення: 13

IPW60R075CPFKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 39A; 313W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 39A
Power dissipation: 313W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPW60R075CPFKSA1

товар відсутній

IPW60R075CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW60R075CPFKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 39A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.7mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 100 V

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	787.68 грн
10+	668.42 грн
100+	578.11 грн

IPW60R075CPFKSA1

Description: INFINEON - IPW60R075CPFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 39 A, 0.068 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 313W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.068ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 227 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	932.6 грн
5+	874.36 грн
10+	816.12 грн
50+	698.95 грн
100+	590.84 грн

IPW60R075CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 64 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	450.07 грн

IPW60R075CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 64 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	966.83 грн
10+	881.94 грн
25+	828.26 грн
50+	748.44 грн

IPW60R075CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW60R075CPXK

Description: IPW60R075 - 600V COOLMOS N-CHANN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.7mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 100 V

товар відсутній

IPW60R080P7

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23A; 129W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23A
Power dissipation: 129W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate

товар відсутній

IPW60R080P7

MOSFET HIGH POWER_NEW

товар відсутній

IPW60R080P7

товар відсутній

IPW60R080P7XKSA1

Description: INFINEON - IPW60R080P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 37 A, 0.069 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 129W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 228 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	479.94 грн
10+	356.82 грн
100+	225.59 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPW60R080P7XKSA1

MOSFET HIGH POWER_NEW

на замовлення 1440 шт:

термін постачання 188-197 дні (днів)

1+	413.26 грн
10+	343.12 грн
25+	281.28 грн
100+	240.53 грн
240+	227.39 грн
480+	214.24 грн
1200+	183.36 грн

IPW60R080P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW60R080P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW60R080P7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 37A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 11.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 129W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 400 V

на замовлення 958 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	381.04 грн
50+	291.18 грн
100+	249.58 грн
500+	208.19 грн

IPW60R090CFD7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 11.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 570µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2103 pF @ 400 V

товар відсутній

IPW60R090CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW60R090CFD7XKSA1

Description: INFINEON - IPW60R090CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.069 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 25
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 125
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: CoolMOS CFD7
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.069
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

на замовлення 425 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	547.76 грн
5+	521.22 грн
10+	494.68 грн
50+	419.64 грн
100+	350.71 грн
250+	305.21 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPW60R090CFD7XKSA1

MOSFET HIGH POWER_NEW

на замовлення 1976 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	484.57 грн
10+	401.31 грн
100+	282.59 грн
480+	251.05 грн
1200+	210.96 грн
2640+	198.47 грн

IPW60R090CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW60R090CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW60R099C6
Код товару: 186494

товар відсутній

IPW60R099C6

MOSFET N-Ch 650V 38A TO247-3 CoolMOS C6

на замовлення 99 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	506.8 грн
10+	427.77 грн
25+	337.14 грн
100+	310.19 грн
240+	292.45 грн
480+	274.05 грн
1200+	246.45 грн

IPW60R099C6FKSA1

MOSFET N-Ch 650V 38A TO247-3 CoolMOS C6

товар відсутній

IPW60R099C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 64 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	384.72 грн
10+	360.36 грн
25+	339.68 грн
50+	324.28 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPW60R099C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 64 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

29+	414.31 грн
30+	388.08 грн
32+	365.8 грн
50+	349.22 грн

Мінімальне замовлення: 29

IPW60R099C6FKSA1

Description: INFINEON - IPW60R099C6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38 A, 0.09 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm

на замовлення 610 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	532.28 грн
5+	455.61 грн
10+	378.2 грн
50+	327.91 грн
100+	281.2 грн
250+	248.97 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPW60R099C6FKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 37.9A; 278W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 37.9A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPW60R099C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	474.58 грн
28+	430.94 грн
30+	396.07 грн
50+	380.87 грн
100+	321.59 грн
480+	242.44 грн

Мінімальне замовлення: 25

IPW60R099C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 470 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	241.52 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPW60R099C6FKSA1

товар відсутній

IPW60R099C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW60R099C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	436.5 грн
10+	396.37 грн
25+	364.3 грн
50+	350.3 грн
100+	295.79 грн
480+	222.99 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPW60R099C6FKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 37.9A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 18.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.21mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 119 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 100 V

на замовлення 656 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	467.06 грн
30+	358.88 грн
120+	321.1 грн
510+	265.89 грн

IPW60R099C6FKSA1

Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 230mOhm; 37,9A; 278W; -55°C ~ 150°C; IPW60R099C6 TIPW60r099c6
кількість в упаковці: 2 шт

на замовлення 8 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

2+	289.82 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPW60R099C6FKSA1 (TO-247, Infineon) MOSFET N-ch 600V/37,9A
Код товару: 88983

очікується 10 шт:

10 шт - очікується

1+	174 грн

IPW60R099C7

Description: MOSFET N-CH 600V 22A TO247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 490µA
Supplier Device Package: PG-TO247
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1819 pF @ 400 V

товар відсутній

IPW60R099C7

MOSFET HIGH POWER_NEW

товар відсутній

IPW60R099C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW60R099C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW60R099C7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 14A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 490µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1819 pF @ 400 V

товар відсутній

IPW60R099C7XKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 110W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Power dissipation: 110W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPW60R099C7XKSA1

MOSFET HIGH POWER_NEW

на замовлення 380 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	456.2 грн
25+	356.72 грн
100+	266.16 грн
480+	197.81 грн
1200+	186.64 грн

IPW60R099C7XKSA1

товар відсутній

IPW60R099C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	665.01 грн
25+	484.91 грн
50+	429.49 грн
100+	389.34 грн
200+	340.18 грн

Мінімальне замовлення: 18

IPW60R099CP
Код товару: 72969

товар відсутній

IPW60R099CP

Description: MOSFET N-CH 600V 31A TO247-3-1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 100 V

товар відсутній

IPW60R099CP

MOSFET N-Ch 600V 31A TO247-3 CoolMOS CP

на замовлення 91 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	636.38 грн
10+	537.35 грн
25+	423.89 грн
100+	389.06 грн
240+	366.71 грн
480+	343.71 грн
1200+	309.54 грн

IPW60R099CPA

Description: IPW60R099 - 600V-800V N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 100 V

товар відсутній

IPW60R099CPA

MOSFET AUTOMOTIVE

на замовлення 286 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	600.34 грн
10+	507.12 грн
25+	399.57 грн
100+	367.37 грн
240+	345.68 грн
480+	324 грн
1200+	291.79 грн

IPW60R099CPAFKSA1

MOSFET AUTOMOTIVE_COOLMOS

на замовлення 80 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	599.58 грн
10+	565.32 грн
25+	406.14 грн
100+	364.74 грн
240+	349.63 грн
480+	286.54 грн
1200+	278.65 грн

IPW60R099CPAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 27620 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	599.42 грн
10+	593.44 грн
25+	480.5 грн
50+	458.69 грн
100+	384.62 грн
480+	326.42 грн
720+	275.95 грн

IPW60R099CPAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	639.09 грн
25+	517.47 грн
50+	493.97 грн
100+	414.21 грн
480+	351.53 грн

Мінімальне замовлення: 19

IPW60R099CPAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW60R099CPAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	908.46 грн
15+	821.37 грн
50+	730.33 грн
100+	642.22 грн
200+	574.32 грн

Мінімальне замовлення: 13

IPW60R099CPAFKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 31A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 196 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	553.08 грн
30+	425.17 грн
120+	380.42 грн

IPW60R099CPAFKSA1

Description: INFINEON - IPW60R099CPAFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 31 A, 0.09 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 255W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 234 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	625.17 грн
5+	537.44 грн
10+	448.98 грн
50+	365.56 грн
100+	289.42 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPW60R099CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW60R099CPFKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 31A; 255W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 31A
Power dissipation: 255W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 11 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	1016.5 грн
2+	678.2 грн
5+	617.76 грн

IPW60R099CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 208 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	532.91 грн
24+	488.98 грн
26+	462.05 грн
100+	422.87 грн

Мінімальне замовлення: 22

IPW60R099CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 41 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	302.86 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPW60R099CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	577.66 грн
23+	507.99 грн
100+	442.26 грн
240+	407.94 грн
480+	345.47 грн

Мінімальне замовлення: 21

IPW60R099CPFKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 31A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 100 V

на замовлення 228 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	586.5 грн
30+	450.59 грн
120+	403.16 грн

IPW60R099CPFKSA1

Description: INFINEON - IPW60R099CPFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 31 A, 0.099 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 255W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 222 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	546.29 грн
5+	495.42 грн
10+	443.81 грн
50+	371.72 грн
100+	305.21 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPW60R099CPFKSA1

MOSFET N-Ch 600V 31A TO247-3 CoolMOS CP

на замовлення 127 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	606.48 грн
10+	569.09 грн
25+	418.63 грн
100+	382.49 грн
240+	381.83 грн
480+	309.54 грн
1200+	295.08 грн

IPW60R099CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 208 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	494.85 грн
10+	454.34 грн
25+	429.04 грн
100+	392.66 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPW60R099CPFKSA1

на замовлення 11 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	847.08 грн
2+	544.24 грн
5+	514.8 грн

IPW60R099CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 101 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	555.89 грн
10+	492.59 грн
25+	455.21 грн
100+	409.08 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPW60R099CPFKSA1
Код товару: 189155

товар відсутній

IPW60R099CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

30+	391.86 грн
32+	375.02 грн
50+	360.74 грн
100+	336.05 грн

Мінімальне замовлення: 30

IPW60R099P6

MOSFET HIGH POWER PRICE/PERFORM

на замовлення 405 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	452.37 грн
10+	374.11 грн
25+	306.91 грн
100+	262.88 грн
240+	248.42 грн
480+	233.96 грн
1200+	199.79 грн

IPW60R099P6XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 37.9A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.21mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3330 pF @ 100 V

на замовлення 223 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	415.88 грн
30+	317.83 грн
120+	272.41 грн

IPW60R099P6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW60R099P6XKSA1

Description: INFINEON - IPW60R099P6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 37.9 A, 0.089 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.089ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 208 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	512.38 грн
10+	370.83 грн
100+	250.66 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPW60R099P6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 93 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

31+	377.5 грн
34+	345.4 грн

Мінімальне замовлення: 31

IPW60R099P6XKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 37.9A; 278W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 37.9A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPW60R099P6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	324.18 грн
10+	305.8 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPW60R099P6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPW60R099P6XKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 37.9A; 278W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 37.9A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPW60R099P6XKSA1

MOSFET HIGH POWER PRICE/PERFORM

на замовлення 8 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	438.57 грн
10+	427.77 грн
25+	301.65 грн
100+	263.53 грн
240+	257.62 грн
480+	199.79 грн
1200+	187.96 грн

IPW60R099P6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 109 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	193.21 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPW60R099P6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 94 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	382.02 грн
10+	349.53 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPW60R099P7

Infineon HIGH POWER_NEW

товар відсутній

IPW60R099P7

Description: 600V, 0.099OHM, N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

товар відсутній

IPW60R099P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

51+	228.89 грн
54+	218.26 грн
55+	211.81 грн
100+	190.03 грн

Мінімальне замовлення: 51

IPW60R099P7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 31A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 117W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 530µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1952 pF @ 400 V

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	329.86 грн
30+	252.2 грн
120+	216.17 грн

IPW60R099P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	212.54 грн
10+	202.67 грн
25+	196.68 грн
100+	176.46 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPW60R099P7XKSA1

на замовлення 420 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPW60R099P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 140 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	153.34 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPW60R099P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 150 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

44+	265.21 грн
49+	240.77 грн
52+	226.72 грн
100+	187.59 грн

Мінімальне замовлення: 44

IPW60R099P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 150 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	271.4 грн
10+	246.41 грн
25+	232.08 грн
100+	192.04 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPW60R099P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW60R099P7XKSA1

Description: INFINEON - IPW60R099P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 31 A, 0.077 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 117W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 123 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	341.34 грн
10+	248.45 грн
100+	191.68 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPW60R099P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 634 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	545.27 грн
30+	397.82 грн
50+	353.29 грн
100+	319.68 грн
200+	279.21 грн

Мінімальне замовлення: 22

IPW60R099P7XKSA1

MOSFET HIGH POWER_NEW

на замовлення 1943 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	366.49 грн
10+	315.16 грн
25+	239.87 грн
100+	213.59 грн
480+	185.33 грн
1200+	159.04 грн
2640+	149.84 грн

IPW60R099ZH

Description: IPW60R099 - 600V CoolMOS N-Chann
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete

товар відсутній

IPW60R099ZH

на замовлення 706780 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPW60R105CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 T/R

товар відсутній

IPW60R105CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 T/R

товар відсутній

IPW60R105CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 T/R

товар відсутній

IPW60R105CFD7XKSA1

Description: INFINEON - IPW60R105CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 A, 0.089 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 106W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.089ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 247 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	359.03 грн
10+	311.11 грн
25+	244.76 грн
240+	171.83 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPW60R105CFD7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 9.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 470µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1752 pF @ 400 V

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	396.68 грн

IPW60R105CFD7XKSA1

MOSFET HIGH POWER_NEW

на замовлення 235 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	420.93 грн
10+	348.41 грн
25+	285.88 грн
100+	242.5 грн
480+	185.99 грн
1200+	175.47 грн

IPW60R105CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 T/R

на замовлення 2160 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	275.4 грн

Мінімальне замовлення: 240

IPW60R120C7

MOSFET HIGH POWER_NEW

товар відсутній

IPW60R120C7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 19A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 92W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 390µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V

товар відсутній

IPW60R120C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW60R120C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW60R120C7XKSA1

MOSFET HIGH POWER_NEW

на замовлення 240 шт:

термін постачання 294-303 дні (днів)

1+	415.56 грн
10+	368.06 грн
100+	262.22 грн

IPW60R120C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW60R120P7

MOSFET HIGH POWER_NEW

товар відсутній

IPW60R120P7

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 410µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1544 pF @ 400 V

товар відсутній

IPW60R120P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

28+	422.56 грн
32+	371.1 грн
50+	294.9 грн
200+	270.05 грн

Мінімальне замовлення: 28

IPW60R120P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW60R120P7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 26A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 410µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1544 pF @ 400 V

товар відсутній

IPW60R120P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW60R120P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

27+	434.43 грн
31+	381 грн
50+	303.81 грн
200+	277.69 грн

Мінімальне замовлення: 27

IPW60R120P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 90 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	311.2 грн
10+	247.6 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPW60R120P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW60R120P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 90 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

43+	276.89 грн

Мінімальне замовлення: 43

IPW60R120P7XKSA1

MOSFET HIGH POWER_NEW

на замовлення 313 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	317.42 грн
10+	287.95 грн
25+	215.56 грн
100+	185.33 грн
480+	137.35 грн
1200+	129.47 грн

IPW60R125C6
Код товару: 182612

Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Uds,V: 650 V
Idd,A: 30 A
Rds(on), Ohm: 0,11 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2127/96
Монтаж: THT

у наявності 56 шт:

44 шт - склад
10 шт - РАДІОМАГ-Київ
2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро

1+	245 грн
10+	227 грн

IPW60R125C6

MOSFET N-Ch 600V 30A TO247-3 CoolMOS C6

на замовлення 226 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	420.93 грн
10+	347.65 грн
25+	285.88 грн
100+	245.13 грн
240+	231.33 грн
480+	217.53 грн
1200+	186.64 грн

IPW60R125C6

на замовлення 27 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPW60R125C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 39 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

38+	308.68 грн

Мінімальне замовлення: 38

IPW60R125C6FKSA1

MOSFET N-Ch 600V 30A TO247-3 CoolMOS C6

на замовлення 213 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	337.36 грн
10+	321.2 грн
25+	239.22 грн
100+	228.7 грн
240+	228.05 грн
480+	186.64 грн
1200+	175.47 грн

IPW60R125C6FKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 219W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 219W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPW60R125C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW60R125C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 39 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	286.63 грн
10+	261.04 грн
25+	249.01 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPW60R125C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW60R125C6FKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 219W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 960µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2127 pF @ 100 V

на замовлення 270 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	388.15 грн
30+	295.92 грн
120+	253.65 грн

IPW60R125C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW60R125C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW60R125C6FKSA1

Description: INFINEON - IPW60R125C6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.11 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 219W
Anzahl der Pins: 3Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm

на замовлення 151 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	468.14 грн
10+	337.65 грн
100+	257.29 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPW60R125C6FKSA1

товар відсутній

IPW60R125CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW60R125CFD7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 18A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 92W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 390µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1503 pF @ 400 V

на замовлення 130 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	327.02 грн
10+	264.72 грн
100+	214.16 грн

IPW60R125CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW60R125CFD7XKSA1

Description: INFINEON - IPW60R125CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.104 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 92W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.104ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	356.82 грн
10+	320.7 грн
100+	224.12 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPW60R125CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 138 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	540.32 грн
30+	393.86 грн
50+	349.33 грн
100+	316.81 грн

Мінімальне замовлення: 22

IPW60R125CFD7XKSA1

MOSFET HIGH POWER_NEW

на замовлення 406 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	358.83 грн
10+	296.26 грн
25+	243.16 грн
100+	208.33 грн
240+	196.5 грн
480+	185.33 грн
1200+	159.04 грн

IPW60R125CP

Description: 25A, 600V, 0.125OHM, N-CHANNEL M
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.1mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V

товар відсутній

IPW60R125CP
Код товару: 143316

товар відсутній

IPW60R125CP

MOSFET N-Ch 650V 25A TO247-3 CoolMOS CP

на замовлення 191 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	473.84 грн
10+	400.56 грн
25+	316.11 грн
100+	290.48 грн
240+	272.73 грн
480+	255.65 грн
1200+	230.02 грн

IPW60R125CP

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPW60R125CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 450 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	225.42 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPW60R125CPFKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 25A; 208W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 25A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPW60R125CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW60R125CPFKSA1

товар відсутній

IPW60R125CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 450 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

27+	439.9 грн
240+	317.53 грн

Мінімальне замовлення: 27

IPW60R125CPFKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.1mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V

товар відсутній

IPW60R125CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW60R125CPFKSA1

MOSFET N-Ch 650V 25A TO247-3 CoolMOS CP

товар відсутній

IPW60R125CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 450 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	448.19 грн
240+	323.52 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPW60R125P6

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 11.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 219W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 960µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 100 V

товар відсутній

IPW60R125P6

MOSFET HIGH POWER PRICE/PERFORM

товар відсутній

IPW60R125P6
Код товару: 169145

товар відсутній

IPW60R125P6XKSA1

MOSFET HIGH POWER PRICE/PERFORM

на замовлення 240 шт:

термін постачання 316-325 дні (днів)

1+	394.86 грн
10+	331.78 грн
25+	276.02 грн
100+	227.39 грн
240+	226.73 грн
480+	194.53 грн

IPW60R125P6XKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 219W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 219W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPW60R125P6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW60R125P6XKSA1

N-MOSFET 30A 600V 219W 0.125Ω IPW60R125P6XKSA1 IPW60R125P6 TIPW60r125p6
кількість в упаковці: 2 шт

на замовлення 30 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

2+	291.36 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPW60R125P6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW60R125P6XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 11.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 219W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 960µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 100 V

товар відсутній

IPW60R125P6XKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 219W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 219W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPW60R145CFD7XKSA1

Description: INFINEON - IPW60R145CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 16 A, 0.127 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.127ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	410.64 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPW60R145CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW60R145CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW60R145CFD7XKSA1

Description: MOSFET HIGH POWER
Packaging: Tube
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Feature: Standard
Part Status: Active

на замовлення 14 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	316.35 грн
10+	255.62 грн

IPW60R145CFD7XKSA1

MOSFET HIGH POWER_NEW

на замовлення 43 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	334.29 грн
10+	276.61 грн
25+	227.39 грн
100+	195.19 грн
480+	147.87 грн
1200+	139.32 грн

IPW60R145CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW60R160C6

на замовлення 7 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPW60R160C6

MOSFET N-Ch 600V 23.8A TO247-3 CoolMOS C6

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	483.8 грн
10+	428.52 грн
100+	305.59 грн
240+	304.94 грн

IPW60R160C6

Description: 23.8A, 600V, 0.16OHM, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 750µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 100 V

товар відсутній

IPW60R160C6FKSA1

Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 370mOhm; 23,8A; 176W; -55°C ~ 150°C; IPW60R160C6FKSA1 IPW60R160C6 TIPW60r160c6
кількість в упаковці: 5 шт

на замовлення 10 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

5+	207.94 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPW60R160C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW60R160C6FKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 23.8A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 750µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 100 V

на замовлення 86 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	339.1 грн
10+	274.45 грн

IPW60R160C6FKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23.8A; 176W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23.8A
Power dissipation: 176W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPW60R160C6FKSA1

Description: INFINEON - IPW60R160C6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23.8 A, 0.14 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 176W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 236 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	418.01 грн
10+	325.86 грн
25+	261.72 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPW60R160C6FKSA1

товар відсутній

IPW60R160C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW60R160C6FKSA1

MOSFET N-Ch 600V 23.8A TO247-3 CoolMOS C6

на замовлення 226 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	359.59 грн
10+	297.77 грн
25+	251.05 грн
100+	209.64 грн
240+	208.99 грн
480+	159.04 грн
1200+	149.84 грн

IPW60R160C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW60R160P6

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 750µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 100 V

товар відсутній

IPW60R160P6

MOSFET HIGH POWER_LEGACY

на замовлення 898 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	297.49 грн
10+	246.38 грн
25+	201.76 грн
100+	172.84 грн
240+	162.98 грн
480+	153.78 грн
1200+	131.44 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPW60R160P6

на замовлення 31680 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPW60R160P6FKSA1

MOSFET HIGH POWER_LEGACY

на замовлення 648 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	297.49 грн
10+	246.38 грн
25+	164.3 грн
100+	151.15 грн
240+	134.72 грн
480+	128.81 грн
1200+	124.21 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPW60R160P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

31+	376.05 грн
36+	329.54 грн
50+	262.25 грн
200+	239.52 грн

Мінімальне замовлення: 31

IPW60R160P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW60R160P6FKSA1

Description: INFINEON - IPW60R160P6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23.8 A, 0.144 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 176W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.144ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 195 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	281.62 грн
10+	248.45 грн
100+	173.25 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPW60R160P6FKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23.8A; 176W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23.8A
Power dissipation: 176W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPW60R160P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW60R160P6FKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23.8A; 176W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23.8A
Power dissipation: 176W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPW60R160P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW60R160P6FKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 23.8A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 750µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 100 V

на замовлення 230 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	295.74 грн
10+	239.05 грн
100+	193.39 грн

IPW60R160P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 450 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

29+	408.7 грн
34+	346.36 грн
50+	263.23 грн
200+	238.57 грн

Мінімальне замовлення: 29

IPW60R165CP

на замовлення 6 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPW60R165CP

Description: 21A, 600V, 0.165OHM, N-CHANNEL M
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 790µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 100 V

товар відсутній

IPW60R165CP

MOSFET N-Ch 650V 21A TO247-3 CoolMOS CP

на замовлення 240 шт:

термін постачання 184-193 дні (днів)

1+	420.16 грн
10+	347.65 грн
25+	285.22 грн
100+	244.48 грн
240+	231.33 грн
480+	217.53 грн
1200+	185.99 грн

IPW60R165CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW60R165CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW60R165CPFKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; 192W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
Power dissipation: 192W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPW60R165CPFKSA1

Description: INFINEON - IPW60R165CPFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 A, 0.15 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 192W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 16 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	429.07 грн
10+	379.68 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPW60R165CPFKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 790µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 100 V

товар відсутній

IPW60R165CPFKSA1

товар відсутній

IPW60R165CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW60R170CFD7

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; 75W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9A
Power dissipation: 75W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.325Ω
Mounting: THT
Gate charge: 28nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPW60R170CFD7

товар відсутній

IPW60R170CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 210 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	264.29 грн
10+	228.04 грн
100+	183.01 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPW60R170CFD7XKSA1

MOSFET HIGH POWER_NEW

на замовлення 203 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	288.29 грн
10+	238.07 грн
25+	195.84 грн
100+	167.58 грн
240+	158.38 грн
480+	149.18 грн
1200+	127.5 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPW60R170CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW60R170CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 208 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

45+	260.05 грн
52+	224.39 грн
100+	180.08 грн

Мінімальне замовлення: 45

IPW60R170CFD7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 14A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 300µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1199 pF @ 400 V

на замовлення 380 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	265.88 грн
30+	202.77 грн
120+	173.81 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPW60R170CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 210 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	123.44 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPW60R170CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW60R170CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 6240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	198.93 грн

Мінімальне замовлення: 240

IPW60R180C7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 13A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 260µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 400 V

на замовлення 220 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	251.66 грн
10+	203.18 грн
100+	164.37 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPW60R180C7XKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; 68W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPW60R180C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW60R180C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW60R180C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW60R180C7XKSA1

товар відсутній

IPW60R180C7XKSA1

MOSFET HIGH POWER_NEW

на замовлення 229 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	276.02 грн
10+	228.24 грн
25+	187.96 грн
100+	161.01 грн
240+	154.44 грн
480+	122.24 грн
1200+	115.01 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPW60R180P7

на замовлення 54960 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPW60R180P7

MOSFET HIGH POWER_NEW

товар відсутній

IPW60R180P7XKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 72W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 72W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPW60R180P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW60R180P7XKSA1

MOSFET HIGH POWER_NEW

на замовлення 940 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	249.95 грн
10+	225.22 грн
25+	170.21 грн
100+	145.9 грн
240+	145.24 грн
480+	113.69 грн
1200+	104.49 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPW60R180P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 460 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

33+	363.18 грн
38+	307.77 грн
50+	234.53 грн
200+	211.85 грн

Мінімальне замовлення: 33

IPW60R180P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW60R180P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW60R180P7XKSA1

Description: INFINEON - IPW60R180P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.145 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 72W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 220 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	217.48 грн
10+	185.78 грн
25+	147.45 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPW60R180P7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 18A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 400 V

на замовлення 237 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	230.33 грн
30+	175.78 грн
120+	150.66 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPW60R180P7XKSA1

товар відсутній

IPW60R180P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW60R180P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW60R190C6
Код товару: 133423

товар відсутній

IPW60R190C6

MOSFET N-Ch 600V 20.2A TO247-3 CoolMOS C6

на замовлення 2059 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	292.89 грн
10+	242.6 грн
25+	199.13 грн
100+	170.87 грн
240+	145.9 грн
480+	127.5 грн
1200+	122.24 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPW60R190C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 549 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

44+	265.62 грн
49+	242.27 грн
100+	205.35 грн
500+	186.22 грн

Мінімальне замовлення: 44

IPW60R190C6FKSA1

MOSFET HIGH POWER_LEGACY

товар відсутній

IPW60R190C6FKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 630µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 100 V

на замовлення 432 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	276.54 грн
10+	223.51 грн
100+	180.83 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPW60R190C6FKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

на замовлення 18 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	316.27 грн
3+	259.45 грн
4+	213.59 грн
11+	201.95 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPW60R190C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 80 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	118.84 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPW60R190C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW60R190C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 550 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	262.75 грн
10+	239.65 грн
100+	203.13 грн
500+	184.21 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPW60R190C6FKSA1

на замовлення 18 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	379.53 грн
3+	323.32 грн
4+	256.3 грн
11+	242.34 грн

IPW60R190C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW60R190E6

на замовлення 720 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPW60R190E6

MOSFET N-Ch 650V 20.2A TO247-3 CoolMOS E6

на замовлення 240 шт:

термін постачання 287-296 дні (днів)

2+	278.32 грн
10+	229.75 грн
25+	188.61 грн
100+	161.67 грн
240+	153.13 грн
480+	143.92 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPW60R190E6

Description: 600V, 0.19OHM, N-CHANNEL MOSFET,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 630µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 100 V

товар відсутній

IPW60R190E6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 434 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	163.82 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPW60R190E6FKSA1

Description: INFINEON - IPW60R190E6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20.2 A, 0.17 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 151W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS E6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 120 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	369.35 грн
10+	293.42 грн
100+	240.34 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPW60R190E6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 434 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

39+	298.59 грн
47+	251.09 грн
50+	226.7 грн
100+	171.93 грн

Мінімальне замовлення: 39

IPW60R190E6FKSA1

Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 440mOhm; 20,2A; 151W; -55°C ~ 150°C; IPW60R190E6 TIPW60r190e6
кількість в упаковці: 5 шт

на замовлення 10 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

5+	141.41 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPW60R190E6FKSA1

MOSFET N-Ch 650V 20.2A TO247-3 CoolMOS E6

товар відсутній

IPW60R190E6FKSA1

на замовлення 190 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	255.21 грн
30+	194.99 грн
120+	167.14 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPW60R190E6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW60R190E6FKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ E6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPW60R190E6FKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ E6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPW60R190E6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW60R190P6

MOSFET HIGH POWER_PRC/PRFRM

на замовлення 123 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	243.82 грн
10+	201.79 грн
25+	165.61 грн
100+	142.61 грн
240+	134.07 грн
480+	126.18 грн
1200+	107.78 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPW60R190P6

Description: MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247

товар відсутній

IPW60R190P6
Код товару: 107275

товар відсутній

IPW60R190P6

Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 142 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

48+	243.43 грн
50+	234.16 грн
100+	226.21 грн

Мінімальне замовлення: 48

IPW60R190P6FKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPW60R190P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 24 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	174.27 грн
10+	159.86 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPW60R190P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 590 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

53+	219.69 грн
64+	184.07 грн
100+	174.17 грн

Мінімальне замовлення: 53

IPW60R190P6FKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPW60R190P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 290 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

54+	218.71 грн
55+	214.75 грн
100+	194.96 грн

Мінімальне замовлення: 54

IPW60R190P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW60R190P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW60R190P6FKSA1

MOSFET HIGH POWER_LEGACY

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	239.22 грн
10+	228.24 грн
25+	165.61 грн
100+	142.61 грн
240+	141.95 грн
480+	107.78 грн
1200+	101.86 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPW60R190P6FKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 630µ
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 100 V

на замовлення 186 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	242.42 грн
10+	195.72 грн
100+	158.34 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPW60R190P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 24 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPW60R190P6FKSA1

Description: INFINEON - IPW60R190P6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20.2 A, 0.171 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 151W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.171ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 3135 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	273.51 грн
10+	193.16 грн
100+	118.69 грн
500+	108.16 грн
1000+	99.21 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPW60R190P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 59280 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	167.96 грн

Мінімальне замовлення: 240

IPW60R199CP

MOSFET N-Ch 650V 16A TO247-3 CoolMOS CP

товар відсутній

IPW60R199CP

Description: 16A, 600V, 0.199OHM, N-CHANNEL M
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 9.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 660µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 100 V

товар відсутній

IPW60R199CPFKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 139W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.199Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPW60R199CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW60R199CPFKSA1

товар відсутній

IPW60R199CPFKSA1

MOSFET N-Ch 650V 16A TO247-3 CoolMOS CP

товар відсутній

IPW60R199CPFKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 16A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 9.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 660µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 100 V

товар відсутній

IPW60R230P6FKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 16.8A TO247-3

на замовлення 896 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPW60R250CP

Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO247-3

на замовлення 10800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPW60R250CP

TO-247

на замовлення 22080 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPW60R250CP

MOSFET N-Ch 600V 12A TO247-3 CoolMOS CP

на замовлення 183 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	331.22 грн
10+	293.99 грн
100+	209.64 грн
240+	208.99 грн

IPW60R250CPFKSA1

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk

товар відсутній

IPW60R250CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW60R250CPFKSA1

MOSFET LOW POWER_LEGACY

товар відсутній

IPW60R280C6

Description: MOSFET N-CH 600V 13.8A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 430µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V

на замовлення 210 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

210+	99.58 грн

Мінімальне замовлення: 210

IPW60R280C6

MOSFET N-Ch 600V 13.8A TO247-3 CoolMOS C6

на замовлення 37 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IPW60R280C6

на замовлення 240 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPW60R280C6FKSA1

MOSFET N-Ch 600V 13.8A TO247-3 CoolMOS C6

на замовлення 143 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IPW60R280C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW60R280C6FKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; 104W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.8A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPW60R280C6FKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 13.8A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 430µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V

товар відсутній

IPW60R280C6FKSA1

товар відсутній

IPW60R280C6FKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 13.8A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 430µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V

на замовлення 14362 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

204+	96.9 грн

Мінімальне замовлення: 204

IPW60R280E6

MOSFET N-Ch 650V 13.8A TO247-3 CoolMOS E6

на замовлення 705 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	350.39 грн
10+	310.62 грн
100+	220.82 грн
480+	188.61 грн

IPW60R280E6

на замовлення 210 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPW60R280E6FKSA1

товар відсутній

IPW60R280E6FKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; 104W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ E6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.8A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPW60R280E6FKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; 104W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ E6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.8A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPW60R280E6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW60R280P6

на замовлення 56820 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPW60R280P6

MOSFET N-Ch 600V 13.8A TO247-3

на замовлення 205 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	198.58 грн
10+	164 грн
25+	134.72 грн
100+	115.67 грн
240+	109.09 грн
480+	102.52 грн
1200+	87.41 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPW60R280P6
Код товару: 169317

товар відсутній

IPW60R280P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW60R280P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW60R280P6FKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 13.8A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 430µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 100 V

на замовлення 20 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	186.97 грн
10+	151.5 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPW60R280P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW60R280P6FKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; 104W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.8A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 60 шт

товар відсутній

IPW60R280P6FKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; 104W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.8A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPW60R280P6FKSA1

MOSFET N-Ch 600V 13.8A TO247-3

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	198.58 грн
10+	178.36 грн
25+	132.75 грн
100+	114.35 грн
240+	111.07 грн
480+	87.41 грн
1200+	82.81 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPW60R299CP

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

товар відсутній

IPW60R299CP

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPW60R299CP

MOSFET N-Ch 650V 11A TO247-3 CoolMOS CP

товар відсутній

IPW60R299CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW60R299CPFKSA1

MOSFET LOW POWER_LEGACY

товар відсутній

IPW60R299CPFKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO247-3

товар відсутній

IPW60R299CPFKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 98W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 98W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.299Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPW60R299CPFKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO247-3

товар відсутній

IPW60R299CPFKSA1

товар відсутній

IPW60R330P6

Description: IPW60R330 - 600V COOLMOS N-CHANN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 370µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 100 V

товар відсутній

IPW60R330P6

MOSFET LOW POWER_LEGACY

на замовлення 463 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IPW60R330P6FKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.6A; 93W; PG-TO247-3
Mounting: THT
Case: PG-TO247-3
Kind of package: tube
Power dissipation: 93W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 22nC
Technology: CoolMOS™ P6
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.6A
On-state resistance: 0.33Ω
Type of transistor: N-MOSFET

товар відсутній

IPW60R330P6FKSA1

товар відсутній

IPW60R330P6FKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO247-3

на замовлення 36480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPW65F6048A

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

товар відсутній

IPW65R018CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 106A Automotive Tube

товар відсутній

IPW65R018CFD7XKSA1

MOSFET HIGH POWER_NEW

на замовлення 219 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1462.14 грн
10+	1281.03 грн
25+	1039.02 грн
50+	1006.82 грн
100+	973.96 грн
240+	909.55 грн
480+	836.6 грн

IPW65R018CFD7XKSA1

Description: INFINEON - IPW65R018CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 106 A, 0.018 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 446W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 116 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1405.91 грн
5+	1285.74 грн
10+	1165.57 грн
50+	1048.77 грн
100+	939.03 грн

IPW65R018CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 106A Automotive Tube

товар відсутній

IPW65R018CFD7XKSA1

SP005413353

товар відсутній

IPW65R018CFD7XKSA1

Description: 650 V COOLMOS CFD7 SUPERJUNCTION
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 58.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.91mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11659 pF @ 400 V

товар відсутній

IPW65R018CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 106A Automotive Tube

на замовлення 3360 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	1384.68 грн

Мінімальне замовлення: 240

IPW65R019C7

на замовлення 2320 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPW65R019C7

Description: 75A, 650V, 0.019OHM, N-CHANNEL M
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 58.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.92mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 400 V

товар відсутній

IPW65R019C7

на замовлення 239 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPW65R019C7

MOSFET N-Ch 650V 75A TO247-3 CoolMOS C7

на замовлення 8 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1797.2 грн
10+	1574.27 грн
25+	1277.58 грн
50+	1237.49 грн
100+	1197.4 грн

IPW65R019C7FKSA1

Description: INFINEON - IPW65R019C7FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.017 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 446W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 446W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.017ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 526 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1790.74 грн
10+	1651.4 грн
25+	1411.07 грн
240+	1284.26 грн

IPW65R019C7FKSA1

Trans MOSFET N-CH 700V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW65R019C7FKSA1

Trans MOSFET N-CH 700V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPW65R019C7FKSA1

Trans MOSFET N-CH 700V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	901.67 грн

IPW65R019C7FKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 75A; 446W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 75A
Power dissipation: 446W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 19mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPW65R019C7FKSA1

MOSFET N-Ch 650V 75A TO247-3 CoolMOS C7

на замовлення 314 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1749.66 грн
10+	1574.27 грн
25+	1318.33 грн
50+	1295.98 грн
100+	1197.4 грн
240+	1152.71 грн
480+	1027.19 грн

IPW65R019C7FKSA1

товар відсутній

IPW65R019C7FKSA1

Trans MOSFET N-CH 700V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1489.73 грн

IPW65R019C7FKSA1

Trans MOSFET N-CH 700V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPW65R019C7FKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 58.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.92mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 400 V

на замовлення 542 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1414.7 грн
30+	1129.3 грн
120+	1058.7 грн
510+	847.83 грн

IPW65R022CFD7AXKSA1

MOSFET AUTOMOTIVE_COOLMOS

на замовлення 182 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1576.38 грн
10+	1380.79 грн
25+	1120.51 грн
50+	1085.68 грн
100+	1050.19 грн
240+	979.87 грн
480+	901.67 грн

IPW65R022CFD7AXKSA1

Automotive AEC-Q101 Power Mosfet

товар відсутній

IPW65R022CFD7AXKSA1

Description: AUTOMOTIVE_COOLMOS PG-TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 58.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.91mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11659 pF @ 400 V

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1620.15 грн
10+	1386.26 грн
100+	1212.49 грн

IPW65R022CFD7AXKSA1

SP003793206

товар відсутній

IPW65R029CFD7XKSA1

The 650V CoolMOS™ CFD7 superjunction MOSFET with integrated fast body diode in TO-247 package is the perfect choice for resonant high power topologies.

на замовлення 202 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	1083.99 грн
13+	956.54 грн
25+	951.03 грн
50+	896.41 грн
100+	740.12 грн

Мінімальне замовлення: 11

IPW65R029CFD7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 69A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 35.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 305W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.79mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7149 pF @ 400 V

на замовлення 194 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	876.54 грн
30+	683.3 грн
120+	643.11 грн

IPW65R029CFD7XKSA1

The 650V CoolMOS™ CFD7 superjunction MOSFET with integrated fast body diode in TO-247 package is the perfect choice for resonant high power topologies.

на замовлення 202 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1006.56 грн
10+	888.22 грн
25+	883.1 грн
50+	832.38 грн
100+	687.26 грн

IPW65R029CFD7XKSA1

SP005413355

товар відсутній

IPW65R029CFD7XKSA1

Description: INFINEON - IPW65R029CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 69 A, 0.024 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 69A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 305W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 456 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	942.92 грн
5+	905.32 грн
10+	866.99 грн
50+	742.76 грн
100+	628.12 грн
250+	615.49 грн

IPW65R029CFD7XKSA1

The 650V CoolMOS™ CFD7 superjunction MOSFET with integrated fast body diode in TO-247 package is the perfect choice for resonant high power topologies.

товар відсутній

IPW65R029CFD7XKSA1

MOSFET HIGH POWER_NEW

на замовлення 173 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	831.13 грн
10+	800.36 грн
25+	604.62 грн
50+	601.99 грн
100+	577.01 грн
240+	575.7 грн
480+	516.55 грн

IPW65R035CFD7AXKSA1

N-Channel MOSFET Transistor

товар відсутній

IPW65R035CFD7AXKSA1

Description: INFINEON - IPW65R035CFD7AXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 63 A, 0.029 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 305W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7A SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 170 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1332.92 грн
10+	1225.28 грн
25+	1035.08 грн

IPW65R035CFD7AXKSA1

MOSFET AUTOMOTIVE

на замовлення 301 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1203.76 грн
10+	1045.99 грн
25+	901.67 грн
50+	882.61 грн
100+	786 грн
240+	717 грн
480+	711.74 грн

IPW65R035CFD7AXKSA1

N-Channel MOSFET Transistor

товар відсутній

IPW65R035CFD7AXKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 63A TO247-3-41
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 35.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 305W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.79mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7149 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1166 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	995.98 грн
30+	776.15 грн
120+	730.5 грн
510+	621.28 грн
1020+	569.86 грн

IPW65R035CFD7AXKSA1

N-Channel MOSFET Transistor

товар відсутній

IPW65R037C6

MOSFET N-Ch 650V 83.2A TO247-3 CoolMOS C6

на замовлення 447 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1319.53 грн
10+	1146.5 грн
25+	970.01 грн
50+	916.12 грн
100+	862.89 грн
240+	833.98 грн
480+	781.4 грн

IPW65R037C6FKSA1
Код товару: 180225

товар відсутній

IPW65R037C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 700V 83.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1027.39 грн

IPW65R037C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 700V 83.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPW65R037C6FKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 83.2A; 500W; PG-TO247-3
Polarisation: unipolar
Drain current: 83.2A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: PG-TO247-3
On-state resistance: 37mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Power dissipation: 500W
Technology: CoolMOS™

товар відсутній

IPW65R037C6FKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 83.2A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 33.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3.3mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7240 pF @ 100 V

на замовлення 51 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1212.09 грн
10+	1028.23 грн

IPW65R037C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 700V 83.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 1207 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1110.63 грн
10+	1045.73 грн
25+	1005.55 грн
50+	966.74 грн
100+	773.8 грн
480+	650.19 грн
720+	643.66 грн

IPW65R037C6FKSA1

MOSFET N-Ch 650V 83.2A TO247-3 CoolMOS C6

на замовлення 284 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1176.15 грн
10+	1098.89 грн
25+	945.04 грн
50+	931.9 грн
100+	862.24 грн
240+	834.63 грн
480+	781.4 грн

IPW65R037C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 700V 83.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW65R037C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 700V 83.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 720 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	642.51 грн

IPW65R037C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 700V 83.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 1207 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	1122.75 грн
12+	1057.14 грн
25+	1016.51 грн
50+	977.28 грн
100+	782.24 грн
480+	657.28 грн
720+	650.68 грн

Мінімальне замовлення: 11

IPW65R037C6FKSA1

Description: INFINEON - IPW65R037C6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 83.2 A, 0.037 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 83.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C6 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 496 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1184.74 грн
5+	1093.32 грн
10+	1001.16 грн
50+	877.62 грн
100+	738.71 грн
250+	690.68 грн

IPW65R037C6FKSA1

товар відсутній

IPW65R041CFD

MOSFET N-Ch 700V 68.5A TO247-3 CoolMOS CFD2

на замовлення 227 шт:

термін постачання 385-394 дні (днів)

1+	1119.42 грн
10+	1014.24 грн
100+	745.26 грн

IPW65R041CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW65R041CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 50A Tube

товар відсутній

IPW65R041CFD7XKSA1

Description: INFINEON - IPW65R041CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 50 A, 0.034 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	759.35 грн
5+	656.88 грн
10+	553.66 грн
50+	479.2 грн
100+	409.48 грн

IPW65R041CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW65R041CFD7XKSA1

MOSFET HIGH POWER_NEW

на замовлення 73 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	726.09 грн
10+	612.93 грн
25+	472.52 грн
100+	435.06 грн
240+	433.75 грн
480+	399.57 грн
1200+	352.25 грн

IPW65R041CFD7XKSA1

Description: 650V FET COOLMOS TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 24.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.24mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4975 pF @ 400 V

товар відсутній

IPW65R041CFDFKSA1

Trans MOSFET N-CH 700V 68.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW65R041CFDFKSA1

MOSFET N-Ch 700V 68.5A TO247-3 CoolMOS CFD2

товар відсутній

IPW65R041CFDFKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 68.5A; 500W; PG-TO247-3
Mounting: THT
Case: PG-TO247-3
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 68.5A
On-state resistance: 41mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 500W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPW65R041CFDFKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 68.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 33.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3.3mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 100 V

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPW65R041CFDFKSA1

Trans MOSFET N-CH 700V 68.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW65R041CFDFKSA1

Trans MOSFET N-CH 700V 68.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW65R041CFDFKSA1

товар відсутній

IPW65R041CFDFKSA2

на замовлення 720 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPW65R041CFDFKSA2

Description: MOSFET N-CH 650V 68.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 33.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3.3mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 100 V

на замовлення 379 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	885.08 грн
30+	689.87 грн
120+	649.29 грн

IPW65R041CFDFKSA2

Trans MOSFET N-CH 650V 68.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW65R041CFDFKSA2

650V CMOS power transistor

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	545.91 грн

IPW65R041CFDFKSA2

MOSFET HIGH POWER_LEGACY

товар відсутній

IPW65R045C

Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 5 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPW65R045C7

MOSFET N-Ch 650V 46A TO247-3 CoolMOS C7

на замовлення 239 шт:

термін постачання 490-499 дні (днів)

1+	973.74 грн
10+	845.71 грн
25+	715.68 грн
50+	676.25 грн
100+	565.84 грн

IPW65R045C7

на замовлення 2 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPW65R045C7

Description: 46A, 650V, 0.045OHM, N-CHANNEL M
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 24.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.25mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 400 V

товар відсутній

IPW65R045C7300XKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 46A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 24.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.25mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 400 V

товар відсутній

IPW65R045C7FKSA1

Description: INFINEON - IPW65R045C7FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 46 A, 0.04 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 46
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 227
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3.5
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

на замовлення 479 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1059.41 грн
5+	1021.07 грн
10+	982 грн
50+	850.24 грн
100+	727.97 грн
250+	668.57 грн

IPW65R045C7FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 510 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	449.3 грн

IPW65R045C7FKSA1

MOSFET N-Ch 650V 46A TO247-3 CoolMOS C7

на замовлення 240 шт:

термін постачання 643-652 дні (днів)

1+	931.57 грн
10+	820.77 грн
25+	692.02 грн
50+	667.71 грн
100+	615.13 грн

IPW65R045C7FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW65R045C7FKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 46A; 227W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 46A
Power dissipation: 227W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPW65R045C7FKSA1

товар відсутній

IPW65R045C7FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW65R045C7FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPW65R045C7FKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 46A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 24.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.25mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 400 V

на замовлення 1310 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	766.35 грн
30+	597.38 грн
120+	562.25 грн
510+	478.18 грн
1020+	438.61 грн

IPW65R045C7_300

Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW65R048CFDA

MOSFET N-Ch 650V 63.3A TO247-3

на замовлення 24 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1289.63 грн
10+	1120.05 грн
25+	947.67 грн
50+	895.09 грн
100+	842.52 грн
240+	815.57 грн
480+	763 грн

IPW65R048CFDA

на замовлення 212880 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPW65R048CFDAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 63.3A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW65R048CFDAFKSA1

MOSFET N-Ch 650V 63.3A TO247-3

на замовлення 240 шт:

термін постачання 498-507 дні (днів)

1+	1289.63 грн
10+	1141.97 грн
25+	956.87 грн
50+	929.27 грн
100+	858.95 грн

IPW65R048CFDAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 63.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW65R048CFDAFKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 63.3A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 29.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.9mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7440 pF @ 100 V

на замовлення 236 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1184.37 грн
10+	1004.75 грн
100+	869.01 грн

IPW65R048CFDAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 63.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	1840.66 грн
8+	1484.41 грн
10+	1385.45 грн
50+	1183.28 грн
100+	1024.95 грн
200+	958.5 грн

Мінімальне замовлення: 7

IPW65R048CFDAFKSA1

Description: INFINEON - IPW65R048CFDAFKSA1 - Leistungs-MOSFET, AEC-Q101, n-Kanal, 650 V, 63.3 A, 0.043 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFDA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 216 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	942.19 грн
10+	830.13 грн
25+	718.07 грн

IPW65R048CFDAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 63.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW65R050CFD7AXKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 45A TO247-3-41
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 24.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.24mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4975 pF @ 400 V

товар відсутній

IPW65R050CFD7AXKSA1

N-Channel MOSFET Transistor Automotive AEC-Q101

товар відсутній

IPW65R050CFD7AXKSA1

N-Channel MOSFET Transistor Automotive AEC-Q101

товар відсутній

IPW65R050CFD7AXKSA1

N-Channel MOSFET Transistor

товар відсутній

IPW65R050CFD7AXKSA1

MOSFET AUTOMOTIVE

на замовлення 1908 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	840.33 грн
10+	729.32 грн
25+	617.1 грн
50+	582.93 грн
100+	504.07 грн
240+	459.38 грн
480+	456.75 грн

IPW65R060CFD7XKSA1

SP005433699

товар відсутній

IPW65R060CFD7XKSA1

MOSFET HIGH POWER_NEW

на замовлення 480 шт:

термін постачання 294-303 дні (днів)

1+	695.42 грн
10+	619.73 грн
100+	446.23 грн

IPW65R060CFD7XKSA1

Description: 650V FET COOLMOS TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 171W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 860µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3288 pF @ 400 V

товар відсутній

IPW65R065C7

MOSFET HIGH POWER_NEW

на замовлення 234 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	732.22 грн
10+	618.98 грн
25+	488.29 грн
100+	448.86 грн
240+	366.06 грн
5040+	365.4 грн

IPW65R065C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	298.26 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPW65R065C7XKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 33A; 171W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 33A
Power dissipation: 171W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPW65R065C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 53 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	839.96 грн
10+	753.5 грн

IPW65R065C7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 33A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 17.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 171W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 850µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 400 V

на замовлення 230 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	598.58 грн
10+	494.4 грн
100+	412.03 грн

IPW65R065C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW65R065C7XKSA1

товар відсутній

IPW65R065C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 53 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	849.12 грн
16+	761.72 грн

Мінімальне замовлення: 14

IPW65R065C7XKSA1

MOSFET HIGH POWER_NEW

на замовлення 187 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	658.62 грн
10+	557 грн
25+	456.09 грн
100+	404.17 грн
240+	403.52 грн
480+	320.05 грн
1200+	305.59 грн

IPW65R065C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW65R070C6

MOSFET N-Ch 700V 53.5A TO247-3 CoolMOS C6

на замовлення 40 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	831.13 грн
10+	702.11 грн
25+	554.01 грн
100+	508.67 грн
240+	478.44 грн
480+	448.86 грн
1200+	404.17 грн

IPW65R070C6FKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 53.5A; 391W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 53.5A
Power dissipation: 391W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPW65R070C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 53.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 259 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	946.47 грн

Мінімальне замовлення: 13

IPW65R070C6FKSA1

Description: INFINEON - IPW65R070C6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 53.5 A, 0.063 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 391W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 242 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	883.94 грн
10+	701.11 грн
25+	593.47 грн
240+	543.55 грн

IPW65R070C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 53.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 124 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	628.47 грн
25+	601.47 грн
50+	578.56 грн
100+	538.97 грн

Мінімальне замовлення: 19

IPW65R070C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 53.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 559 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	872.56 грн
15+	803.4 грн
25+	802.55 грн
50+	745.15 грн
100+	607.69 грн
250+	564.02 грн
500+	477.47 грн

Мінімальне замовлення: 14

IPW65R070C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 53.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 59 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	375.69 грн

IPW65R070C6FKSA1

товар відсутній

IPW65R070C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 53.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW65R070C6FKSA1

MOSFET N-Ch 700V 53.5A TO247-3 CoolMOS C6

товар відсутній

IPW65R070C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 53.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 259 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	696.15 грн
10+	649.37 грн
25+	638.95 грн
50+	596.12 грн
100+	425.4 грн

IPW65R070C6FKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 53.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 17.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 391W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.76mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 100 V

товар відсутній

IPW65R075CFD7AXKSA1

N-Channel MOSFET Transistor

товар відсутній

IPW65R075CFD7AXKSA1

MOSFET AUTOMOTIVE

на замовлення 1521 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	739.89 грн
10+	625.78 грн
25+	515.9 грн
100+	452.8 грн
240+	400.23 грн
480+	358.17 грн
1200+	356.85 грн

IPW65R075CFD7AXKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 32A TO247-3-41
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 16.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 171W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 820µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3288 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	698.11 грн
10+	576.69 грн
100+	480.58 грн

IPW65R075CFD7AXKSA1

N-Channel MOSFET Transistor

товар відсутній

IPW65R080CFD

Trans MOSFET N-CH 650V 43.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	651.26 грн
25+	621.19 грн
50+	596.2 грн
100+	554.64 грн

Мінімальне замовлення: 18

IPW65R080CFD

MOSFET N-Ch 650V 43.3A TO247-3 CoolMOS CFD2

товар відсутній

IPW65R080CFDA

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 27.4A; 391W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 27.4A
Power dissipation: 391W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPW65R080CFDA

MOSFET N-Ch 650V 43.3A TO247-3

на замовлення 949 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	830.36 грн
10+	721 грн
25+	609.87 грн
50+	576.36 грн
100+	542.18 грн
240+	524.44 грн
480+	490.92 грн

IPW65R080CFDA

товар відсутній

IPW65R080CFDAFKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 43.3A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 17.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 391W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.76mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 161 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4440 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 907 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	783.42 грн
10+	664.31 грн
100+	574.59 грн
500+	488.68 грн

IPW65R080CFDAFKSA1

MOSFET N-Ch 650V 43.3A TO247-3

на замовлення 182 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	829.59 грн
10+	720.25 грн
25+	609.22 грн
50+	575.7 грн
100+	541.53 грн
240+	524.44 грн
480+	490.92 грн

IPW65R080CFDAFKSA1

на замовлення 120 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPW65R080CFDAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 43.3A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW65R080CFDAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 43.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 720 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	1237 грн
12+	972.78 грн
13+	923.3 грн
50+	781.54 грн
100+	663.57 грн
200+	610.73 грн

Мінімальне замовлення: 10

IPW65R080CFDFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 43.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 120 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

30+	692.72 грн

Мінімальне замовлення: 30

IPW65R080CFDFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 43.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 130 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPW65R080CFDFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 43.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 120 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

120+	650.51 грн

Мінімальне замовлення: 120

IPW65R080CFDFKSA1

Description: MOSFET N-CH 700V 43.3A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 17.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 391W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.76mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5030 pF @ 100 V

на замовлення 14 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	694.55 грн
10+	572.99 грн

IPW65R080CFDFKSA1

MOSFET N-Ch 650V 43.3A TO247-3 CoolMOS CFD2

на замовлення 74 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	769.02 грн
10+	665.83 грн
25+	500.12 грн
100+	479.09 грн
240+	478.44 грн
480+	461.35 грн
1200+	447.55 грн

IPW65R080CFDFKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 43.3A; 391W; PG-TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: PG-TO247-3
On-state resistance: 80mΩ
Power dissipation: 391W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Drain current: 43.3A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V

товар відсутній

IPW65R080CFDFKSA1

товар відсутній

IPW65R080CFDFKSA2

Trans MOSFET N-CH 650V 43.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 8640 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	509.49 грн

Мінімальне замовлення: 240

IPW65R080CFDFKSA2

Description: MOSFET N-CH 650V 43.3A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 17.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 391W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.8mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5030 pF @ 100 V

на замовлення 154 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	611.38 грн
30+	469.85 грн
120+	420.39 грн

IPW65R080CFDFKSA2

MOSFET HIGH POWER_LEGACY

товар відсутній

IPW65R080CFDFKSA2

Trans MOSFET N-CH 650V 43.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	658.09 грн

Мінімальне замовлення: 18

IPW65R080CFDFKSA2

Trans MOSFET N-CH 650V 43.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW65R080CFDFKSA2

Description: INFINEON - IPW65R080CFDFKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 43.3 A, 0.072 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 391W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	780.73 грн
10+	662.04 грн
25+	549.24 грн
240+	476.46 грн

IPW65R080CFDFKSA2

Trans MOSFET N-CH 650V 43.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	706.94 грн
10+	655.24 грн
25+	624.53 грн
50+	570.97 грн
100+	504.43 грн

IPW65R080CFDFKSA2

Trans MOSFET N-CH 650V 43.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 190 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	315.89 грн

IPW65R090CFD7XKSA1

N Channel Power Mosfet

на замовлення 10080 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	370.59 грн

Мінімальне замовлення: 240

IPW65R090CFD7XKSA1

Description: INFINEON - IPW65R090CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 25 A, 0.068 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 127W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 73 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	562.51 грн
10+	457.82 грн
25+	379.68 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPW65R090CFD7XKSA1

SP005413364

товар відсутній

IPW65R090CFD7XKSA1

N Channel Power Mosfet

товар відсутній

IPW65R090CFD7XKSA1

Description: HIGH POWER_NEW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 127W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 630µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2513 pF @ 400 V

товар відсутній

IPW65R090CFD7XKSA1

MOSFET HIGH POWER_NEW

на замовлення 5 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	434.73 грн
10+	367.3 грн
25+	289.82 грн
100+	266.16 грн
240+	249.73 грн
480+	234.62 грн
1200+	210.96 грн

IPW65R095C7

Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 11.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA
Supplier Device Package: PG-TO247
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2140 pF @ 400 V

товар відсутній

IPW65R095C7

MOSFET HIGH POWERNEW

на замовлення 1104 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	470 грн
10+	389.22 грн
25+	319.4 грн
100+	274.05 грн
240+	258.28 грн
480+	243.16 грн
1200+	208.33 грн

IPW65R095C7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 11.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2140 pF @ 400 V

на замовлення 1286 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	432.94 грн
30+	330.74 грн
120+	283.48 грн
510+	236.48 грн
1020+	202.48 грн

IPW65R095C7XKSA1

MOSFET HIGH POWER_NEW

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	443.17 грн
10+	405.09 грн
25+	305.59 грн
100+	266.16 грн
240+	260.25 грн
480+	208.33 грн
1200+	196.5 грн

IPW65R095C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 180 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	200.88 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPW65R095C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	649.06 грн
25+	473.46 грн
50+	419.13 грн
100+	379.83 грн
200+	331.77 грн

Мінімальне замовлення: 18

IPW65R095C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	396.04 грн
10+	349.12 грн
25+	334.41 грн
50+	317.12 грн
100+	253.41 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPW65R095C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 2640 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	308.24 грн

Мінімальне замовлення: 240

IPW65R095C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

28+	426.5 грн
31+	375.97 грн
33+	360.14 грн
50+	341.51 грн
100+	272.9 грн

Мінімальне замовлення: 28

IPW65R095C7XKSA1
Код товару: 201470

товар відсутній

IPW65R095C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 180 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	472.21 грн
10+	398.64 грн
25+	376.85 грн
50+	355.58 грн
100+	273.26 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPW65R095C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW65R095C7XKSA1

Description: INFINEON - IPW65R095C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.084 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 128W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.084ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 139 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	495.42 грн
10+	358.3 грн
100+	233.7 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPW65R095C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 180 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	512.5 грн
27+	432.65 грн
29+	409.01 грн
50+	385.92 грн
100+	296.58 грн

Мінімальне замовлення: 23

IPW65R099C6

MOSFET N-Ch 700V 38A TO247-3

на замовлення 189 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	556.64 грн
10+	470.09 грн
25+	371.31 грн
100+	340.43 грн
240+	320.71 грн
480+	300.99 грн
1200+	270.76 грн

IPW65R099C6FKSA1

MOSFET N-Ch 700V 38A TO247-3

товар відсутній

IPW65R099C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW65R099C6FKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 38A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 12.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 100 V

товар відсутній

IPW65R099C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW65R099C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW65R099CFD7AXKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO247-3-41
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 127W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 630µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2513 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 194 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	458.53 грн
30+	352.92 грн
120+	315.77 грн

IPW65R099CFD7AXKSA1

N-Channel MOSFET Transistor

товар відсутній

IPW65R099CFD7AXKSA1

N-Channel MOSFET Transistor

товар відсутній

IPW65R099CFD7AXKSA1

MOSFET AUTOMOTIVE

на замовлення 125 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	499.14 грн
10+	421.72 грн
25+	332.54 грн
100+	305.59 грн
240+	287.19 грн
480+	268.79 грн
1200+	241.85 грн

IPW65R110CFD

Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 2300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

29+	414.85 грн
30+	397.02 грн
50+	381.9 грн
100+	355.76 грн
250+	319.42 грн
500+	298.3 грн
1000+	291 грн

Мінімальне замовлення: 29

IPW65R110CFD

на замовлення 39 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPW65R110CFD

MOSFET N-Ch 700V 31.2A TO247-3 CoolMOS CFD2

товар відсутній

IPW65R110CFD7XKSA1

MOSFET HIGH POWER_NEW

товар відсутній

IPW65R110CFD7XKSA1

N Channel Power Mosfet

товар відсутній

IPW65R110CFD7XKSA1

Description: HIGH POWER_NEW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 480µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1942 pF @ 400 V

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	372.51 грн
30+	284.49 грн
120+	243.84 грн

IPW65R110CFD7XKSA1

SP005413366

товар відсутній

IPW65R110CFDA

на замовлення 327600 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPW65R110CFDA

MOSFET N-Ch 650V 31.2A TO247-3

на замовлення 870 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	623.35 грн
10+	526.77 грн
25+	415.35 грн
100+	381.17 грн
240+	359.48 грн
480+	336.48 грн
1200+	302.97 грн

IPW65R110CFDAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	911.42 грн
18+	675.9 грн
50+	632.35 грн
100+	540.11 грн
200+	466.53 грн

Мінімальне замовлення: 13

IPW65R110CFDAFKSA1

MOSFET N-Ch 650V 31.2A TO247-3

на замовлення 244 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	622.58 грн
10+	560.03 грн
25+	418.63 грн
100+	380.51 грн
240+	369.34 грн
480+	302.97 грн
1200+	288.51 грн

IPW65R110CFDAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW65R110CFDAFKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 277.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.3mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	574.41 грн
30+	441.48 грн
120+	395.01 грн

IPW65R110CFDAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 137 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	714.07 грн
19+	614.33 грн
25+	589.88 грн
100+	494.49 грн

Мінімальне замовлення: 17

IPW65R110CFDAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW65R110CFDAFKSA1

Description: INFINEON - IPW65R110CFDAFKSA1 - Leistungs-MOSFET, AEC-Q101, n-Kanal, 650 V, 31.2 A, 0.099 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 277.8W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFDA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 978 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	734.29 грн
10+	618.54 грн
25+	513.11 грн
240+	466.88 грн
480+	422.12 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPW65R110CFDAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 137 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	663.06 грн
10+	570.45 грн
25+	547.75 грн
100+	459.17 грн

IPW65R110CFDFKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 277.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.3mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 100 V

товар відсутній

IPW65R110CFDFKSA1

Trans MOSFET N-CH 700V 31.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 20 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPW65R110CFDFKSA1

Description: INFINEON - IPW65R110CFDFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 31.2 A, 0.099 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 277.8W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 277.8W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.099ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 235 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	575.04 грн
10+	476.99 грн
25+	395.16 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPW65R110CFDFKSA1
Код товару: 196399

Транзистори > IGBT

товар відсутній

IPW65R110CFDFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 20 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPW65R110CFDFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW65R110CFDFKSA1

MOSFET N-Ch 700V 31.2A TO247-3 CoolMOS CFD2

товар відсутній

IPW65R110CFDFKSA2

Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 48 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	573.89 грн
24+	494.26 грн
25+	476.02 грн

Мінімальне замовлення: 21

IPW65R110CFDFKSA2

Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 14880 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	385.98 грн

Мінімальне замовлення: 240

IPW65R110CFDFKSA2

MOSFET HIGH POWER_LEGACY

товар відсутній

IPW65R110CFDFKSA2

Description: MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 277.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.3mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 100 V

на замовлення 208 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	437.21 грн
30+	336.06 грн
120+	300.69 грн

IPW65R110CFDFKSA2

Trans MOSFET N-CH 700V 31.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW65R110CFDFKSA2

Description: INFINEON - IPW65R110CFDFKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 31.2 A, 0.099 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 277.8W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 228 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	575.04 грн
10+	476.99 грн
25+	395.16 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPW65R110CFDFKSA2

Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 48 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	532.9 грн
10+	458.95 грн
25+	442.02 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPW65R115CFD7AXKSA1

MOSFET AUTOMOTIVE

на замовлення 448 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	468.47 грн
10+	387.71 грн
25+	318.74 грн
100+	272.73 грн
240+	257.62 грн
480+	241.85 грн
1200+	207.02 грн

IPW65R115CFD7AXKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 21A TO247-3-41
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 490µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 400 V

товар відсутній

IPW65R115CFD7AXKSA1

N-Channel MOSFET Transistor

товар відсутній

IPW65R115CFD7AXKSA1

N-Channel MOSFET Transistor

товар відсутній

IPW65R125C7

MOSFET HIGH POWER_NEW

на замовлення 1920 шт:

термін постачання 161-170 дні (днів)

1+	362.66 грн
10+	300.04 грн
25+	246.45 грн
100+	211.62 грн
240+	199.13 грн
480+	187.96 грн
1200+	161.01 грн

IPW65R125C7XKSA1

MOSFET HIGH POWER_NEW

товар відсутній

IPW65R125C7XKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 18A; 101W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 18A
Power dissipation: 101W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPW65R125C7XKSA1

товар відсутній

IPW65R125C7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 18A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 8.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 101W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 440µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 400 V

на замовлення 80 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	390.29 грн
10+	315.59 грн

IPW65R125C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW65R125CFD7XKSA1

N Channel Power Mosfet

товар відсутній

IPW65R125CFD7XKSA1

Description: INFINEON - IPW65R125CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 19 A, 0.1 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 98W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	480.68 грн
10+	384.1 грн
25+	314.06 грн
240+	286.15 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPW65R125CFD7XKSA1

Description: HIGH POWER_NEW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 98W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 420µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1694 pF @ 400 V

товар відсутній

IPW65R125CFD7XKSA1

SP005413372

товар відсутній

IPW65R125CFD7XKSA1

MOSFET HIGH POWER_NEW

на замовлення 237 шт:

термін постачання 161-170 дні (днів)

1+	366.49 грн
10+	334.05 грн
25+	249.08 грн
100+	213.59 грн
480+	161.67 грн
1200+	153.13 грн

IPW65R145CFD7AXKSA1

N-Channel MOSFET Transistor

товар відсутній

IPW65R145CFD7AXKSA1

MOSFET AUTOMOTIVE

на замовлення 182 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	477.67 грн
10+	423.23 грн
25+	323.34 грн
100+	300.99 грн
240+	268.79 грн
480+	243.16 грн
1200+	208.33 грн

IPW65R145CFD7AXKSA1

Description: INFINEON - IPW65R145CFD7AXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 17 A, 0.122 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 98W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7A SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.122ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 41 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	426.12 грн
10+	375.25 грн
25+	313.32 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPW65R145CFD7AXKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 17A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 98W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 420µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1694 pF @ 400 V

товар відсутній

IPW65R150CFD

MOSFET N-Ch 700V 22.4A TO247-3

товар відсутній

IPW65R150CFD
Код товару: 188945

товар відсутній

IPW65R150CFDAFKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 22.4A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 9.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 195.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 900µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 220 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	391.71 грн
10+	323.67 грн

IPW65R150CFDAFKSA1

MOSFET N-Ch 650V 22.4A TO247-3

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	376.46 грн
10+	328 грн
25+	269.45 грн
100+	246.45 грн
240+	240.53 грн
480+	208.99 грн
1200+	199.13 грн

IPW65R150CFDAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 22.4A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW65R150CFDAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 22.4A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW65R150CFDFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 22.4A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW65R150CFDFKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 22.4A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 9.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 195.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 900µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 100 V

на замовлення 154 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	327.02 грн
10+	264.45 грн
100+	213.89 грн

IPW65R150CFDFKSA1

MOSFET N-Ch 700V 22.4A TO247-3

на замовлення 332 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	358.83 грн
10+	296.26 грн
25+	243.16 грн
100+	208.33 грн
240+	196.5 грн
480+	185.33 грн
1200+	159.04 грн

IPW65R150CFDFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 22.4A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW65R150CFDFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 22.4A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW65R150CFDFKSA2

Trans MOSFET N-CH 650V 22.4A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW65R150CFDFKSA2

Description: MOSFET N-CH 650V 22.4A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 9.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 195.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 900µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 100 V

на замовлення 214 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	297.87 грн
10+	241.04 грн

IPW65R150CFDFKSA2

MOSFET HIGH POWER_LEGACY

товар відсутній

IPW65R150CFDFKSA2

650V Power Transistor

товар відсутній

IPW65R155CFD7XKSA1

N Channel Power Mosfet

товар відсутній

IPW65R155CFD7XKSA1

Description: HIGH POWER_NEW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 6.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 77W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1283 pF @ 400 V

товар відсутній

IPW65R155CFD7XKSA1

MOSFET HIGH POWER_NEW

на замовлення 8 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	315.89 грн
10+	261.5 грн
25+	214.24 грн
100+	184.01 грн
240+	173.5 грн
480+	162.98 грн
1200+	139.98 грн

IPW65R155CFD7XKSA1

SP005413375

товар відсутній

IPW65R155CFD7XKSA1

Description: INFINEON - IPW65R155CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15 A, 0.131 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 77W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.131ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 45 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	415.8 грн
10+	331.76 грн
25+	264.67 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPW65R15OCFDAFKSA1

Description: N-CHANNEL AUTOMOTIVE MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

товар відсутній

IPW65R190C6

MOSFET N-Ch 700V 20.2A TO247-3 CoolMOS C6

на замовлення 91 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IPW65R190C6

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 730µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 100 V

товар відсутній

IPW65R190C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 700V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW65R190C6FKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 20.2A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 730µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 100 V

товар відсутній

IPW65R190C7

MOSFET HIGH POWER_NEW

на замовлення 240 шт:

термін постачання 316-325 дні (днів)

1+	317.42 грн
10+	263.01 грн
25+	215.56 грн
100+	149.18 грн

IPW65R190C7

Description: IPW65R190 - 650V AND 700V COOLMO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 290µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 400 V

товар відсутній

IPW65R190C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW65R190C7XKSA1

Description: INFINEON - IPW65R190C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.404 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 72W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.404ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 582 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	351.66 грн
10+	283.84 грн
25+	232.23 грн
240+	211.53 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPW65R190C7XKSA1

MOSFET HIGH POWER_NEW

на замовлення 480 шт:

термін постачання 1031-1040 дні (днів)

1+	321.26 грн
10+	280.39 грн
100+	199.79 грн

IPW65R190C7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 13A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 290µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 400 V

на замовлення 220 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	246.68 грн
30+	188.35 грн
120+	161.45 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPW65R190C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW65R190C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPW65R190C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPW65R190CFD

на замовлення 1920 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPW65R190CFD

MOSFET N-Ch 650V 17.5A TO247-3 CoolMOS CFD2

на замовлення 480 шт:

термін постачання 1079-1088 дні (днів)

1+	354.23 грн
10+	313.64 грн
100+	204.39 грн

IPW65R190CFD7AXKSA1

N-Channel MOSFET Transistor

товар відсутній

IPW65R190CFD7AXKSA1

MOSFET AUTOMOTIVE

на замовлення 240 шт:

термін постачання 385-394 дні (днів)

1+	353.46 грн
10+	313.64 грн
100+	223.45 грн

IPW65R190CFD7AXKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 14A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 6.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 77W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1291 pF @ 400 V

товар відсутній

IPW65R190CFDA

MOSFET N-Ch 650V 17.5A TO247-3

на замовлення 11 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IPW65R190CFDAFKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 17.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 700µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 100 V

товар відсутній

IPW65R190CFDAFKSA1

MOSFET N-Ch 650V 17.5A TO247-3

на замовлення 150 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IPW65R190CFDAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 17.5A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW65R190CFDFKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 17.5A; 151W; PG-TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: PG-TO247-3
On-state resistance: 0.19Ω
Power dissipation: 151W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Drain current: 17.5A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V

товар відсутній

IPW65R190CFDFKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 17.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 730µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 100 V

товар відсутній

IPW65R190CFDFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 17.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW65R190CFDFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 17.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW65R190CFDFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 17.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW65R190CFDFKSA1

товар відсутній

IPW65R190CFDFKSA2

650V Power Transistor

товар відсутній

IPW65R190CFDFKSA2

MOSFET HIGH POWER_LEGACY

на замовлення 170 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	277.55 грн
10+	249.4 грн
25+	188.61 грн
100+	161.67 грн
240+	156.41 грн
480+	142.61 грн
1200+	115.67 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPW65R190CFDFKSA2

Description: MOSFET N-CH 650V 17.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 700µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 100 V

на замовлення 278 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	255.21 грн
30+	195.1 грн
120+	167.22 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPW65R190CFDFKSA2

650V Power Transistor

товар відсутній

IPW65R190E6

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 730µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 100 V

на замовлення 539 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

160+	123.09 грн

Мінімальне замовлення: 160

IPW65R190E6

Trans MOSFET N-CH 650V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 219 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

109+	106.88 грн
115+	101.93 грн
117+	99.95 грн

Мінімальне замовлення: 109

IPW65R190E6

MOSFET N-Ch 700V 20.2A TO247-3 CoolMOS E6

на замовлення 210 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IPW65R190E6FKSA1

на замовлення 197 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

197+	133.65 грн

Мінімальне замовлення: 197

IPW65R190E6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 700V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW65R190E6FKSA1

товар відсутній

IPW65R230CFD7AXKSA1

Description: 650V COOLMOS CFD7A SJ POWER DEVI
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 260µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1044 pF @ 400 V

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	259.48 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPW65R230CFD7AXKSA1

MOSFET

на замовлення 217 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	265.29 грн
10+	219.17 грн
25+	180.07 грн
100+	153.78 грн
240+	145.24 грн
480+	136.7 грн
1200+	117.64 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPW65R230CFD7AXKSA1

Automotive AEC-Q101 Power Mosfet

товар відсутній

IPW65R280C6

Description: 650 V COOLMOS E6 POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V

на замовлення 466 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

194+	101.48 грн

Мінімальне замовлення: 194

IPW65R280C6

MOSFET N-Ch 700V 13.8A TO247-3 CoolMOS C6

на замовлення 108 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	273.72 грн
10+	242.6 грн
100+	172.84 грн
240+	172.18 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPW65R280C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW65R280C6FKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 13.8A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V

товар відсутній

IPW65R280C6FKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.8A; 104W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13.8A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPW65R280C6FKSA1

MOSFET LOW POWER_LEGACY

товар відсутній

IPW65R280C6FKSA1

товар відсутній

IPW65R280C6FKSA1

на замовлення 200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

200+	101.49 грн

Мінімальне замовлення: 200

IPW65R280E6

MOSFET N-Ch 700V 13.8A TO247-3 CoolMOS E6

на замовлення 363 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IPW65R280E6

товар відсутній

IPW65R280E6FKSA1

товар відсутній

IPW65R280E6FKSA1

на замовлення 200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

200+	102.41 грн

Мінімальне замовлення: 200

IPW65R280E6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 700V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW65R310CFD

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 104.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 440µA
Supplier Device Package: PG-TO247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V

на замовлення 10341 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

219+	89.7 грн

Мінімальне замовлення: 219

IPW65R310CFD

MOSFET N-Ch 650V 11.4A TO247-3 CoolMOS CFD2

товар відсутній

IPW65R310CFDAFKSA1

MOSFET N-Ch 700V 11.4A TO247-3

товар відсутній

IPW65R310CFDFKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11.4A; 104.2W; PG-TO247-3
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11.4A
On-state resistance: 0.31Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 104.2W
Polarisation: unipolar
Case: PG-TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPW65R310CFDFKSA1

товар відсутній

IPW65R310CFDFKSA1

Trans MOSFET N-CH 700V 11.4A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW65R310CFDFKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 11.4A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 104.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 440µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V

товар відсутній

IPW65R420CFD

MOSFET N-Ch 650V 8.7A TO247-3 CoolMOS CFD2

на замовлення 240 шт:

термін постачання 385-394 дні (днів)

2+	215.45 грн
10+	178.36 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPW65R420CFDFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 8.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW65R420CFDFKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 8.7A TO247

товар відсутній

IPW65R420CFDFKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8.7A; 83.3W; PG-TO247-3
Technology: CoolMOS™
Case: PG-TO247-3
Mounting: THT
On-state resistance: 0.42Ω
Kind of package: tube
Power dissipation: 83.3W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8.7A
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 4 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

2+	233.56 грн
3+	202.18 грн
6+	178.26 грн
15+	168.41 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPW65R420CFDFKSA1

Description: INFINEON - IPW65R420CFDFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 8.7 A, 0.378 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83.3W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83.3W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD2
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.378ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.378ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 189 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	278.67 грн
10+	225.59 грн
25+	179.89 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPW65R420CFDFKSA1

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	194.63 грн
3+	162.24 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPW65R420CFDFKSA2

MOSFET LOW POWER_LEGACY

товар відсутній

IPW65R420CFDFKSA2

600V Power Transistor

товар відсутній

IPW65R420CFDFKSA2

600V Power Transistor

товар відсутній

IPW65R420CFDFKSA2

Description: MOSFET N-CH 650V 8.7A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 300µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 100 V

на замовлення 103 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	178.44 грн
10+	144.31 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPW65R660CFD

MOSFET N-Ch 650V 6A TO247-3 CoolMOS CFD2

на замовлення 42 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IPW65R660CFDFKSA1

Description: MOSFET N-CH 700V 6A TO247-3

на замовлення 14517 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

327+	66.02 грн

Мінімальне замовлення: 327

IPW65R660CFDFKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; 62.5W; PG-TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: PG-TO247-3
On-state resistance: 0.66Ω
Power dissipation: 62.5W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Drain current: 6A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPW65R660CFDFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW65R660CFDFKSA1

товар відсутній

IPW65R660CFDFKSA1

Description: MOSFET N-CH 700V 6A TO247-3

товар відсутній

IPW80R280P7

Infineon / IR

Infineon LOW POWER_NEW

товар відсутній

IPW80R280P7

на замовлення 75360 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPW80R280P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW80R280P7XKSA1

MOSFET LOW POWER_NEW

на замовлення 435 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	244.58 грн
10+	203.3 грн
25+	170.87 грн
100+	143.27 грн
240+	134.72 грн
480+	110.41 грн
1200+	101.86 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPW80R280P7XKSA1

Description: INFINEON - IPW80R280P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 17 A, 0.24 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 101W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 666 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	269.09 грн
10+	195.37 грн
100+	172.51 грн
500+	139.65 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPW80R280P7XKSA1

IPW80R280P7 THT N channel transistors

на замовлення 124 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	393.68 грн
4+	239.87 грн
11+	226.73 грн

IPW80R280P7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 800V 17A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 101W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 360µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 500 V

на замовлення 109 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	223.22 грн
30+	170.19 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPW80R280P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW80R280P7XKSA1

Rochester Electronics, LLC

Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW80R290C3A

Description: N-CHANNEL AUTOMOTIVE MOSFET

товар відсутній

IPW80R290C3A

MOSFET AUTOMOTIVE

товар відсутній

IPW80R290C3AFKSA1

CoolMOS Power Transistor

товар відсутній

IPW80R290C3AFKSA1

MOSFET AUTOMOTIVE

товар відсутній

IPW80R290C3AFKSA1

Description: MOSFET N-CH 800V TO247

товар відсутній

IPW80R290C3AXKSA1

MOSFET AUTOMOTIVE

товар відсутній

IPW80R290C3AXKSA1

Description: MOSFET N-CH 800V 17A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 216 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	553.08 грн
30+	425.49 грн
120+	380.71 грн

IPW80R290C3AXKSA1

CoolMOS Power Transistor

товар відсутній

IPW80R360P7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 800V 13A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 84W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 500 V

на замовлення 283 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	192.66 грн
30+	146.77 грн
120+	125.81 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPW80R360P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 800V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW80R360P7XKSA1

MOSFET LOW POWER_NEW

на замовлення 240 шт:

термін постачання 161-170 дні (днів)

2+	208.55 грн
10+	173.07 грн
25+	129.47 грн
100+	114.35 грн
240+	110.41 грн
480+	92.01 грн
1200+	87.41 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPW80R360P7XKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8.6A; 84W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8.6A
Power dissipation: 84W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate

товар відсутній

IPW80R360P7XKSA1

товар відсутній

IPW90R120C3

MOSFET N-Ch 900V 36A TO247-3 CoolMOS C3

товар відсутній

IPW90R120C3
Код товару: 60746

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2

товар відсутній

IPW90R120C3

Transistor N-Channel MOSFET; 900V; 30V; 270mOhm; 36A; 417W; -55°C ~ 150°C; IPW90R120C3FKSA1 IPW90R120C3 TIPW90r120c3
кількість в упаковці: 2 шт

на замовлення 5 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

2+	916.9 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPW90R120C3

Description: INFINEON - IPW90R120C3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 36 A, 0.1 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900
Dauer-Drainstrom Id: 36
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Verlustleistung Pd: 417
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 417
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

товар відсутній

IPW90R120C3FKSA1

Trans MOSFET N-CH 900V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW90R120C3FKSA1

Description: MOSFET N-CH 900V 36A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 2.9mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 100 V

товар відсутній

IPW90R120C3FKSA1

Trans MOSFET N-CH 900V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPW90R120C3FKSA1

MOSFET N-Ch 900V 36A TO247-3 CoolMOS C3

товар відсутній

IPW90R120C3XKSA1

Description: MOSFET N-CH 900V 36A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 2.9mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 100 V

на замовлення 238 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1007.35 грн
10+	854.35 грн
100+	738.92 грн

IPW90R120C3XKSA1

Power MOSFET

товар відсутній

IPW90R120C3XKSA1

Power MOSFET

на замовлення 210 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	568.14 грн

IPW90R120C3XKSA1

MOSFET HIGH POWER_LEGACY

на замовлення 1682 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1052.71 грн
10+	1005.93 грн
25+	719.62 грн
50+	717.65 грн
100+	678.22 грн
240+	647.99 грн
480+	634.85 грн

IPW90R120C3XKSA1