Продукція > IPW

MOSFET IGBT PRODUCTS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW30N65FFKSA1

MOSFET IGBT PRODUCTS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW30N65HFDFKSA1

MOSFET IGBT PRODUCTS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW30N65HFKSA1

MOSFET IGBT PRODUCTS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW35N65FFDFKSA1

MOSFET IGBT PRODUCTS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW35N65FFKSA1

MOSFET IGBT PRODUCTS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW35N65HFDFKSA1

MOSFET IGBT PRODUCTS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW35N65HFKSA1

MOSFET IGBT PRODUCTS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW40N65FFDFKSA1

MOSFET IGBT PRODUCTS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW40N65FFKSA1

MOSFET IGBT PRODUCTS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW40N65HFDFKSA1

MOSFET IGBT PRODUCTS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW40N65HFKSA1

MOSFET IGBT PRODUCTS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW50R140CP

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW50R140CP

MOSFETs N-Ch 500V 23A TO247-3 CoolMOS CP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW50R140CPFKSA1

Description: MOSFET N-CH 550V 23A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 930µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2540 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW50R140CPFKSA1

Description: INFINEON - IPW50R140CPFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 550 V, 23 A, 0.13 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 550V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 192W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW50R140CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 500V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 220 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

108+	301.15 грн

Мінімальне замовлення: 108

В кошику од. на суму грн.

IPW50R140CPFKSA1

MOSFETs HIGH POWER_LEGACY

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW50R140CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 500V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 16681 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

108+	301.15 грн
500+	286.10 грн
1000+	269.96 грн
10000+	244.76 грн

Мінімальне замовлення: 108

В кошику од. на суму грн.

IPW50R140CPFKSA1

Description: MOSFET N-CH 550V 23A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 930µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2540 pF @ 100 V

на замовлення 17881 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

81+	249.99 грн

Мінімальне замовлення: 81

В кошику од. на суму грн.

IPW50R140CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 500V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

108+	301.15 грн

Мінімальне замовлення: 108

В кошику од. на суму грн.

IPW50R190CE

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 6.2A, 13V
Power Dissipation (Max): 152W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 510µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1137 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW50R190CE

MOSFET N-Ch 500V 63A TO247-3

на замовлення 54 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW50R190CEFKSA1

MOSFET N-Ch 500V 63A TO247-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW50R190CEFKSA1

Description: MOSFET N-CH 500V 18.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 6.2A, 13V
Power Dissipation (Max): 127W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 510µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1137 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW50R199CP

MOSFET N-Ch 500V 17A TO247-3 CoolMOS CP

на замовлення 262 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW50R199CP

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 9.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 660µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW50R199CPFKSA1

Description: MOSFET N-CH 550V 17A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 9.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 660µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW50R250CP

MOSFETs N-Ch 500V 13A TO247-3 CoolMOS CP

на замовлення 172 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	209.05 грн
10+	161.97 грн
100+	112.25 грн
480+	93.43 грн
1200+	80.18 грн
2640+	76.00 грн
5040+	73.91 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW50R250CP

TO-247

на замовлення 25440 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW50R250CPFKSA1

MOSFETs N-Ch 500V 13A TO247-3 CoolMOS CP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW50R250CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 500V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW50R250CPFKSA1

Description: MOSFET N-CH 500V 13A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 520µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW50R280CE

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.2A, 13V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 350µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 773 pF @ 100 V

на замовлення 101641 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

392+	57.17 грн

Мінімальне замовлення: 392

В кошику од. на суму грн.

IPW50R280CE

MOSFET N-Ch 500V 13A TO247-3 CoolMOS CE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW50R280CEFKSA1

Description: MOSFET N-CH 500V 13A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.2A, 13V
Power Dissipation (Max): 92W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 350µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 773 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW50R299CP

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 100 V

на замовлення 9838 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	98.05 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPW50R299CP

TO-247

на замовлення 21120 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW50R299CP

MOSFET N-Ch 500V 12A TO247-3 CoolMOS CP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW50R299CPFKSA1

Description: MOSFET N-CH 550V 12A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW50R299CPFKSA1

MOSFET LOW POWER_LEGACY

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW50R350CP

TO-247

на замовлення 49920 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW50R350CP

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 370µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 100 V

на замовлення 4320 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

245+	96.48 грн

Мінімальне замовлення: 245

В кошику од. на суму грн.

IPW50R350CP

MOSFET N-Ch 500V 10A TO247-3 CoolMOS CP

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW50R350CPFKSA1

Description: MOSFET N-CH 550V 10A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 370µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW50R399CP

MOSFET N-Ch 500V 9A TO247-3 CoolMOS CP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW50R399CP

TO-247

на замовлення 25920 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW50R399CPFKSA1

Description: MOSFET N-CH 560V 9A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 399mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 330µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 560 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 100 V

на замовлення 5520 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

251+	86.92 грн

Мінімальне замовлення: 251

В кошику од. на суму грн.

IPW50R399CPFKSA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW50R399CPFKSA1

MOSFET LOW POWER_LEGACY

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R016CM8XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 123A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 28 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	901.83 грн
16+	856.14 грн
25+	837.29 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

IPW60R016CM8XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 123A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R016CM8XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 685 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	792.29 грн
10+	685.56 грн
100+	515.26 грн
240+	499.22 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R016CM8XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 123A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 28 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	966.24 грн
10+	917.29 грн
25+	897.10 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R016CM8XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 123A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 225 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	894.86 грн
19+	701.26 грн
50+	664.26 грн
100+	584.12 грн
200+	540.08 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

IPW60R016CM8XKSA1

Description: INFINEON - IPW60R016CM8XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 123 A, 0.016 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 123A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 521W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CM8 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 45 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1390.17 грн
5+	1260.83 грн
10+	1131.50 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R016CM8XKSA1

Description: IPW60R016CM8XKSA1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 123A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 62.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 521W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 1.48mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-U06
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 171 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7545 pF @ 400 V

на замовлення 307 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1075.40 грн
30+	634.76 грн
120+	546.98 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R017C7

MOSFETs HIGH POWER_NEW

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R017C7

на замовлення 17097 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R017C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 109A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	1494.01 грн
10+	1479.10 грн
25+	945.24 грн
50+	902.33 грн
100+	816.91 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

IPW60R017C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 109A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 220 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	1338.41 грн
25+	941.15 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

IPW60R017C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 109A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R017C7XKSA1

Description: INFINEON - IPW60R017C7XKSA1 - MOSFET, N-KANAL, 600V, 109A, TO-247
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 109A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 446W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 205 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1409.69 грн
5+	1227.48 грн
10+	1045.27 грн
50+	801.41 грн
100+	681.20 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R017C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 109A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 2160 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	1403.98 грн
480+	1367.72 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPW60R017C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 109A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1588.43 грн
10+	1572.54 грн
25+	1005.15 грн
50+	959.55 грн
100+	865.50 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R017C7XKSA1

Description: HIGH POWER_NEW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 109A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 58.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.91mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9890 pF @ 400 V

на замовлення 651 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1211.88 грн
30+	728.25 грн
120+	664.58 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R017C7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 706 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1290.93 грн
25+	793.80 грн
100+	635.18 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R017C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 109A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 53 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	694.92 грн
25+	662.83 грн
50+	636.17 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

IPW60R017C7XKSA1

Код виробника: IPW60R017C7 Trans MOSFET N-CH 600V 109A TO-247 Група товару: Транзистори Од. вим: шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R017C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 109A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 220 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1448.49 грн
10+	1434.02 грн
25+	1008.37 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R017C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 109A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 495 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	1307.87 грн
11+	1273.45 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

IPW60R018CFD7

MOSFETs HIGH POWER_NEW

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R018CFD7XKSA1

Description: INFINEON - IPW60R018CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 101 A, 0.015 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 101A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 416W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 83 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1242.94 грн
5+	1242.12 грн
10+	1241.31 грн
50+	677.54 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R018CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 101A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R018CFD7XKSA1

Description: MOSFET N CH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 101A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 58.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 416W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.91mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 251 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9901 pF @ 400 V

на замовлення 1563 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1207.18 грн
30+	719.79 грн
120+	622.88 грн
510+	549.45 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R018CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 101A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	1217.56 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPW60R018CFD7XKSA1

Код виробника: IPW60R018CFD7 TO-247-3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R018CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 101A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 19 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	1557.40 грн
11+	1235.70 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

IPW60R018CFD7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 95 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1112.79 грн
25+	636.65 грн
100+	545.94 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R018CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 101A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R024CFD7

на замовлення 150 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R024CFD7

MOSFET HIGH POWER_NEW

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R024CFD7

IPW60R024CFD7

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	1750.73 грн
10+	1697.30 грн
20+	1592.73 грн
50+	1439.76 грн
100+	1353.14 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

IPW60R024CFD7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 178 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	937.08 грн
25+	554.86 грн
100+	419.74 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R024CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 77A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R024CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 77A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 426 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	1075.55 грн
50+	823.44 грн
100+	792.37 грн
200+	656.09 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

IPW60R024CFD7XKSA1

Description: INFINEON - IPW60R024CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 77 A, 0.024 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 320W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 24 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1037.95 грн
5+	902.11 грн
10+	766.26 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R024CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 77A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R024CFD7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 77A TO247-3-41
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 42.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 320W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.12mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 183 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7268 pF @ 400 V

на замовлення 105 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	906.75 грн
30+	529.79 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R024CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 77A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 87 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	1127.11 грн
25+	1075.07 грн
50+	1031.81 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

IPW60R024CM8XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 91A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R024CM8XKSA1

Description: IPW60R024CM8XKSA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 91A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 41.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 431W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 1.06mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-U06
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5382 pF @ 400 V

на замовлення 359 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	705.95 грн
30+	404.84 грн
120+	344.53 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R024CM8XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 91A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 230 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	673.29 грн
21+	621.50 грн
25+	607.99 грн
100+	572.09 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

IPW60R024CM8XKSA1

MOSFETs 600V CoolMOS CM8 Power Transistor

на замовлення 1425 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	750.81 грн
10+	441.80 грн
100+	360.47 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R024CM8XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 91A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 230 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	720.46 грн
10+	665.52 грн
25+	650.68 грн
100+	612.59 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R024P7

MOSFET HIGH POWER_NEW

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R024P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 101A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 310 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	591.04 грн

Мінімальне замовлення: 22

В кошику од. на суму грн.

IPW60R024P7XKSA1

Description: INFINEON - IPW60R024P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 101 A, 0.024 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 101A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 291W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 611 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	939.52 грн
5+	746.74 грн
10+	553.95 грн
50+	511.36 грн
100+	469.94 грн
250+	467.15 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R024P7XKSA1

MOSFET N-CH 650V 101A TO247-3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R024P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 101A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R024P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 101A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	669.84 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPW60R024P7XKSA1

N-канальний ПТ, Udss, В = 650, Id = 101, Ciss, пФ @ Uds, В = 7144 @ 400, Qg, нКл = 164, Rds = 24 мОм, Ugs(th) = 4 В, Р, Вт = 291, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = вивідний,... Група товару: Транзистори Корпус: TO-247-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 30 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R024P7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 517 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	920.82 грн
10+	548.45 грн
100+	414.86 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R024P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 101A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R024P7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 101A TO247-3-41
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 101A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 42.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 291W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.03mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7144 pF @ 400 V

на замовлення 927 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	815.77 грн
30+	472.14 грн
120+	403.44 грн
510+	359.21 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R031CFD7

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 40A; 278W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 40A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 141nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

на замовлення 13 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

1+	600.14 грн
3+	513.63 грн
10+	483.42 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R031CFD7

MOSFETs HIGH POWER_NEW

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R031CFD7

Description: 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER MOS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 32.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.63mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5623 pF @ 400 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R031CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 314 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

24+	556.03 грн

Мінімальне замовлення: 24

В кошику од. на суму грн.

IPW60R031CFD7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 703 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	738.60 грн
10+	441.80 грн
100+	352.80 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R031CFD7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 63A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 32.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.63mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5623 pF @ 400 V

на замовлення 73 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	695.75 грн
30+	398.19 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R031CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R031CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 216 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	742.59 грн
25+	518.81 грн
100+	482.72 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

IPW60R031CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R031CFD7XKSA1

Description: INFINEON - IPW60R031CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 63 A, 0.026 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 227 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	797.99 грн
5+	629.60 грн
10+	460.41 грн
50+	418.46 грн
100+	377.90 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R031CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 216 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	798.35 грн
10+	557.77 грн
100+	518.97 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R031CFD7XKSA1

Група товару: Транзистори Од. вим: шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R037CM8XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R037CM8XKSA1

Description: INFINEON - IPW60R037CM8XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 64 A, 0.037 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 329W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CM8 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 122 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	718.27 грн
5+	646.69 грн
10+	574.29 грн
50+	482.66 грн
100+	398.12 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R037CM8XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 112 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	725.74 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

IPW60R037CM8XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R037CM8XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 1378 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	597.07 грн
10+	360.82 грн
100+	264.25 грн
480+	263.55 грн
1200+	250.31 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R037CM8XKSA1

Description: IPW60R037CM8XKSA1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 329W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 680µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-U06
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3458 pF @ 400 V

на замовлення 252 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	597.70 грн
30+	335.27 грн
120+	282.57 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R037CM8XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 13440 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	490.76 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPW60R037CSFD

MOSFET HIGH POWER_NEW

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R037CSFD

на замовлення 112282 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R037CSFDXKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 54A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 1680 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	525.67 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPW60R037CSFDXKSA1

Description: MOSFET N CH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 32.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.63mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5623 pF @ 400 V

на замовлення 236 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	625.16 грн
30+	354.56 грн
120+	300.27 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R037CSFDXKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 54A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R037CSFDXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 25A; 245W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 25A
Power dissipation: 245W
Case: TO247-3
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 136nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R037CSFDXKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 187 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	716.64 грн
10+	430.58 грн
100+	317.24 грн
480+	310.27 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R037CSFDXKSA1

Description: INFINEON - IPW60R037CSFDXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 54 A, 0.031 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CSFD
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 209 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	680.85 грн
5+	651.57 грн
10+	622.28 грн
50+	395.80 грн
100+	324.21 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R037CSFDXKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 54A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R037P7

на замовлення 4920 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R037P7

Infineon HIGH POWER_NEW

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R037P7

Код виробника: IPW60R037P7XKSA1 Транзистор, N-MOSFET, полевой, 600В, 48А, 255Вт, PG-TO247-3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R037P7

Trans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	1043.70 грн
25+	995.50 грн
50+	955.45 грн
100+	888.84 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

IPW60R037P7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	687.36 грн
10+	478.69 грн
100+	346.53 грн
480+	308.18 грн
1200+	288.66 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R037P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 4350 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	853.16 грн
26+	515.78 грн
100+	437.45 грн
480+	380.60 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

IPW60R037P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube IPW60R037P7XKSA1 INFINEON TIPW60r037p7
кількість в упаковці: 2 шт

на замовлення 8 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

4+	286.11 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IPW60R037P7XKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48A; 255W; PG-TO247-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Power dissipation: 255W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 121nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD

на замовлення 164 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

1+	561.27 грн
2+	493.49 грн
5+	435.58 грн
10+	409.56 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R037P7XKSA1
Код товару: 173232

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R037P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R037P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 4350 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	917.23 грн
10+	554.51 грн
100+	470.30 грн
480+	409.18 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R037P7XKSA1

Description: INFINEON - IPW60R037P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 76 A, 0.03 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 255W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 26 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	800.43 грн
5+	635.30 грн
10+	470.17 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R037P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 155 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	855.79 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

IPW60R037P7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 76A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 29.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.48mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5243 pF @ 400 V

на замовлення 3495 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	594.57 грн
30+	336.03 грн
120+	284.04 грн
510+	247.09 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R037P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R040C7

Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	612.55 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPW60R040C7

MOSFETs HIGH POWER_NEW

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R040C7

на замовлення 40810 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R040C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 320 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1345.84 грн
30+	804.68 грн
120+	685.98 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R040C7XKSA1

Description: INFINEON - IPW60R040C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.04 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 219 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	818.32 грн
5+	653.19 грн
10+	488.06 грн
50+	438.10 грн
100+	390.45 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R040C7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 2720 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	822.39 грн
10+	614.19 грн
100+	444.84 грн
480+	396.03 грн
1200+	370.23 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R040C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 467 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	887.92 грн
30+	609.54 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

IPW60R040C7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 50A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 24.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.24mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 400 V

на замовлення 2054 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	713.01 грн
30+	409.32 грн
120+	348.41 грн
510+	313.81 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R040C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R040C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 320 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	823.26 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

IPW60R040C7XKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 227W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 227W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R040C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R040CFD7

MOSFET HIGH POWER_NEW

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R040CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 306 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	723.63 грн
50+	420.76 грн
100+	404.90 грн
200+	373.37 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

IPW60R040CFD7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 50A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 24.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.25mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4354 pF @ 400 V

на замовлення 127 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	582.80 грн
30+	328.70 грн
120+	277.63 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R040CFD7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 512 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	602.76 грн
25+	322.33 грн
100+	255.19 грн
480+	244.73 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R040CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R040CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 960 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	566.65 грн
480+	565.81 грн
720+	533.77 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPW60R040CFD7XKSA1

Description: INFINEON - IPW60R040CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.031 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 261 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	664.58 грн
5+	663.77 грн
10+	662.95 грн
50+	340.66 грн
100+	287.26 грн
250+	286.56 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R040CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R041C6

Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 96mOhm; 77,5A; 481W; -55°C ~ 150°C; IPW60R041C6FKSA1 IPW60R041C6 TIPW60r041c6
кількість в упаковці: 2 шт

на замовлення 2 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

2+	1359.54 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R041C6

Description: 600V, 0.041OHM, N-CHANNEL MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R041C6

MOSFETs N-Ch 650V 77.5A TO247-3 CoolMOS C6

на замовлення 371 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	832.96 грн
10+	720.84 грн
100+	541.75 грн
240+	525.02 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R041C6

MFET, N-CH, 600 V, 77.5 A, 0.041 Om, TO-247 Група товару: Транзистори Од. вим: шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R041C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 77.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 304 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	696.74 грн
30+	628.36 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

IPW60R041C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 77.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R041C6FKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 77.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 44.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 481W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 2.96mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 290 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6530 pF @ 10 V

на замовлення 4368 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	905.97 грн
30+	530.47 грн
120+	456.39 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R041C6FKSA1

Description: INFINEON - IPW60R041C6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 77.5 A, 0.041 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 481W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 467 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1039.58 грн
5+	836.22 грн
10+	632.86 грн
50+	582.37 грн
100+	532.69 грн
250+	522.23 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R041C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 77.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 224 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	740.59 грн
30+	665.67 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R041C6FKSA1

MOSFETs N-Ch 650V 77.5A TO247-3 CoolMOS C6

на замовлення 220 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	868.76 грн
10+	561.27 грн
100+	435.77 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R041C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 77.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R041P6

MOSFETs HIGH POWER PRICE/PERFORM

на замовлення 197 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	717.46 грн
10+	605.37 грн
100+	439.26 грн
240+	412.76 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R041P6

Група товару: Транзистори Од. вим: шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R041P6

на замовлення 230 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R041P6

Trans MOSFET N-CH 600V 77.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	1539.20 грн
10+	1492.23 грн
20+	1400.28 грн
50+	1265.81 грн
100+	1189.65 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

IPW60R041P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 77.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 1350 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	750.75 грн
10+	744.59 грн
25+	501.22 грн
50+	478.42 грн
100+	396.26 грн
480+	376.52 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R041P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 77.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R041P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 77.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 390 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	701.03 грн
28+	471.61 грн
50+	450.23 грн
100+	372.87 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

IPW60R041P6FKSA1

MOSFETs HIGH POWER PRICE/PERFORM

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R041P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 77.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R041P6FKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 77.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 35.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 481W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.96mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8180 pF @ 100 V

на замовлення 280 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	666.73 грн
30+	380.19 грн
120+	322.76 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R041P6FKSA1

Description: INFINEON - IPW60R041P6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 77.5 A, 0.041 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 481W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 194 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	764.63 грн
5+	609.27 грн
10+	453.09 грн
50+	404.11 грн
100+	356.98 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045

SMD

на замовлення 50 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045C

на замовлення 1440 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045CP

MOSFETs N-Ch 650V 60A TO247-3 CoolMOS CP

на замовлення 84 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	981.82 грн
10+	852.34 грн
100+	640.76 грн
240+	621.24 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045CP
Код товару: 105994

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045CP

Код виробника: SP000067149 Група товару: Транзистори Од. вим: шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045CPA

Trans MOSFET N-CH 600V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	2178.72 грн
10+	2112.23 грн
20+	1982.09 грн
50+	1791.74 грн
100+	1683.94 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045CPA

MOSFETs N-Ch 600V 60A TO247-3 CoolMOS CPA

на замовлення 314 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1142.07 грн
10+	713.62 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045CPAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045CPAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	1079.16 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045CPAFKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 431W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 878 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	968.72 грн
30+	590.35 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045CPAFKSA1

Description: INFINEON - IPW60R045CPAFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 60 A, 0.04 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 431W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 434 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1249.45 грн
5+	1248.63 грн
10+	1247.01 грн
50+	739.48 грн
100+	605.20 грн
250+	604.50 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045CPAFKSA1

MOSFETs Y

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045CPAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

на замовлення 88 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	858.39 грн
3+	298.05 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045CPAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

на замовлення 88 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	801.16 грн

Мінімальне замовлення: 17

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045CPFKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 431W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 100 V

на замовлення 1516 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1031.47 грн
30+	610.87 грн
120+	539.85 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 4088 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	780.81 грн
30+	723.01 грн
120+	722.12 грн

Мінімальне замовлення: 17

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045CPFKSA1

Description: INFINEON - IPW60R045CPFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 60 A, 0.045 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 431W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 290 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1094.08 грн
5+	1029.00 грн
10+	963.93 грн
50+	648.08 грн
100+	553.60 грн
250+	552.91 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045CPFKSA1

MOSFETs N-Ch 650V 60A TO247-3 CoolMOS CP

на замовлення 338 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1005.41 грн
10+	901.25 грн
25+	536.87 грн
100+	515.95 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 8 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	779.45 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045CPFKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 60A; 431W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Power dissipation: 431W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™ CP

на замовлення 11 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

1+	1477.75 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045CPFKSA1
Код товару: 211767

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 960 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

35+	936.80 грн
100+	889.48 грн
500+	843.23 грн

Мінімальне замовлення: 35

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 8 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 4088 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	842.67 грн
30+	780.30 грн
120+	779.34 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045CPXK

MOSFETs N-Ch 650V 60A TO247-3 CoolMOS CP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 273 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	577.36 грн
24+	557.57 грн
50+	345.55 грн

Мінімальне замовлення: 23

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 462480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	407.19 грн
231360+	373.89 грн
347040+	349.71 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 112 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	577.36 грн
24+	544.66 грн

Мінімальне замовлення: 23

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045P7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 402 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	522.23 грн
25+	295.87 грн
100+	216.84 грн
240+	216.14 грн
480+	195.23 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 110 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	337.09 грн
30+	303.98 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045P7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 61A TO247-3-41
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 201W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.08mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3891 pF @ 400 V

на замовлення 1803 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	505.15 грн
30+	280.91 грн
120+	235.70 грн
510+	191.29 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045P7XKSA1

Description: INFINEON - IPW60R045P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 61 A, 0.045 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 201W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 31 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	578.36 грн
10+	429.50 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R045P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 110 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

41+	316.48 грн
46+	285.38 грн

Мінімальне замовлення: 41

В кошику од. на суму грн.

IPW60R055CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 130 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	566.17 грн
50+	395.80 грн
100+	380.84 грн

Мінімальне замовлення: 23

В кошику од. на суму грн.

IPW60R055CFD7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 38A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 900µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3194 pF @ 400 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R055CFD7XKSA1

Description: INFINEON - IPW60R055CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38 A, 0.046 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 178W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 128 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	559.65 грн
10+	558.02 грн
100+	307.48 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R055CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R055CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 11040 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	508.47 грн
480+	505.94 грн
720+	430.89 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPW60R055CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R055CFD7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R055CM8XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 220 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

35+	370.59 грн
39+	334.97 грн
41+	321.37 грн
100+	299.19 грн

Мінімальне замовлення: 35

В кошику од. на суму грн.

IPW60R055CM8XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R055CM8XKSA1

MOSFETs 600V CoolMOS CM8 Power Transistor

на замовлення 47 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	409.97 грн
10+	305.49 грн
100+	214.75 грн
480+	190.35 грн
1200+	163.85 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R055CM8XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 220 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	363.87 грн
10+	335.76 грн
25+	324.23 грн
100+	303.85 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPW60R055CM8XKSA1

Description: IPW60R055CM8XKSA1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 18.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 440µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-U06
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2245 pF @ 400 V

на замовлення 135 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	407.88 грн
30+	223.35 грн
120+	186.12 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R055CM8XKSA1

Description: INFINEON - IPW60R055CM8XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 44 A, 0.055 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CM8 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	456.34 грн
10+	344.90 грн
100+	278.20 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R060C7

MOSFET HIGH POWER_NEW

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R060C7

Description: IPW60R060 - 600V COOLMOS N-CHANN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 162W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 400 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R060C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 185 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	477.01 грн
10+	472.25 грн
25+	339.48 грн
100+	311.72 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R060C7XKSA1
Код товару: 161478

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R060C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 108 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	287.72 грн
10+	284.77 грн
25+	282.75 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPW60R060C7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 35A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 162W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 400 V

на замовлення 408 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	477.69 грн
30+	265.12 грн
120+	222.23 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R060C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 960 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	378.07 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPW60R060C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 635 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

28+	463.78 грн
29+	447.66 грн

Мінімальне замовлення: 28

В кошику од. на суму грн.

IPW60R060C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 174 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

95+	342.02 грн
100+	324.82 грн

Мінімальне замовлення: 95

В кошику од. на суму грн.

IPW60R060C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 108 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

49+	268.54 грн

Мінімальне замовлення: 49

В кошику од. на суму грн.

IPW60R060C7XKSA1

Description: INFINEON - IPW60R060C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 35 A, 0.052 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 162W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 593 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	361.98 грн
10+	361.17 грн
100+	231.02 грн
500+	182.79 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPW60R060C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

27+	481.28 грн
29+	448.64 грн

Мінімальне замовлення: 27

В кошику од. на суму грн.

IPW60R060C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 195 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R060C7XKSA1

MOSFETs Y

на замовлення 248 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	488.06 грн
10+	441.00 грн
25+	338.86 грн
100+	302.60 грн
240+	301.90 грн
480+	241.24 грн
1200+	230.09 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R060C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 185 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

29+	448.54 грн
30+	444.05 грн
41+	319.34 грн
100+	278.51 грн

Мінімальне замовлення: 29

В кошику од. на суму грн.

IPW60R060C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 195 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

195+	227.59 грн

Мінімальне замовлення: 195

В кошику од. на суму грн.

IPW60R060P7

MOSFETs HIGH POWER_NEW

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R060P7

на замовлення 117090 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R060P7

Trans MOSFET N-CH 600V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	726.84 грн
25+	693.28 грн
50+	665.39 грн
100+	619.01 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

IPW60R060P7XKSA1

Description: INFINEON - IPW60R060P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 48 A, 0.06 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 164W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 291 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	472.61 грн
10+	348.15 грн
100+	222.88 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R060P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 604 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	424.25 грн
25+	283.48 грн
100+	264.88 грн
240+	248.85 грн
480+	210.44 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R060P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 364 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

32+	404.66 грн
49+	266.57 грн
100+	249.12 грн
240+	234.02 грн

Мінімальне замовлення: 32

В кошику од. на суму грн.

IPW60R060P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R060P7XKSA1
Код товару: 192082

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R060P7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 48A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 164W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2895 pF @ 400 V

на замовлення 1325 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	410.24 грн
30+	225.14 грн
120+	187.61 грн
510+	151.21 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R060P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R060P7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 3041 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	425.43 грн
25+	217.29 грн
100+	172.91 грн
240+	172.22 грн
480+	154.09 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R060P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 94 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	519.71 грн
35+	378.59 грн

Мінімальне замовлення: 25

В кошику од. на суму грн.

IPW60R0706P

Description: 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER MOS
Packaging: Bulk
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070C6

MOSFETs N-Ch 600V 53A TO247-3 CoolMOS C6

на замовлення 910 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	632.04 грн
10+	453.03 грн
100+	328.40 грн
480+	292.14 грн
1200+	273.32 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070C6FKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 53A; 391W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 53A
Power dissipation: 391W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070C6FKSA1

MOSFETs N-Ch 600V 53A TO247-3 CoolMOS C6

на замовлення 152 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	607.64 грн
10+	352.00 грн
100+	273.32 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070C6FKSA1

MOSFET N-CH 600V 53A TO247 Група товару: Транзистори Од. вим: шт

на замовлення 1 шт:

термін постачання 5 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

72+	451.73 грн
100+	429.14 грн

Мінімальне замовлення: 72

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 3068 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	396.32 грн
480+	373.28 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070C6FKSA1

Description: INFINEON - IPW60R070C6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 53 A, 0.07 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 391W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 236 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	675.97 грн
5+	536.06 грн
10+	396.15 грн
50+	348.97 грн
100+	303.99 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 16743 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

72+	451.73 грн
100+	429.14 грн
500+	406.56 грн
1000+	370.26 грн
10000+	322.66 грн

Мінімальне замовлення: 72

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070C6FKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 53A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 25.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 391W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.72mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 100 V

на замовлення 1980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	578.88 грн
30+	326.51 грн
120+	275.89 грн
510+	239.55 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 2880 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	369.90 грн
480+	348.39 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070CFD7

MOSFET HIGH POWER_NEW

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 1086 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

28+	474.96 грн
30+	435.38 грн
50+	361.64 грн

Мінімальне замовлення: 28

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070CFD7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 3493 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	428.68 грн
25+	193.24 грн
100+	165.24 грн
240+	163.15 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070CFD7XKSA1

Description: INFINEON - IPW60R070CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 31 A, 0.07 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 355 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	476.68 грн
10+	347.34 грн
100+	217.19 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070CFD7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 31A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 15.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 760µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2721 pF @ 400 V

на замовлення 1124 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	428.28 грн
30+	235.87 грн
120+	197.04 грн
510+	161.01 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 239 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 16735 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

115+	281.79 грн
500+	266.74 грн
1000+	251.68 грн
10000+	229.21 грн

Мінімальне замовлення: 115

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070CFD7XKSA1

Код виробника: IPW60R070CFD7 : SP001617990 Група товару: Транзистори Од. вим: шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070CM8XKSA1

Description: IPW60R070CM8XKSA1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 14.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 201W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 360µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-U06
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1878 pF @ 400 V

на замовлення 32 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	365.53 грн
30+	198.83 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070CM8XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	344.97 грн
10+	312.80 грн
25+	299.80 грн
100+	279.40 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070CM8XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070CM8XKSA1

MOSFETs 600V CoolMOS CM8 Power Transistor

на замовлення 151 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	337.58 грн
10+	267.01 грн
100+	187.56 грн
480+	166.64 грн
1200+	142.93 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070CM8XKSA1

Description: INFINEON - IPW60R070CM8XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 37 A, 0.07 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 201W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CM8 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 210 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	338.39 грн
10+	284.70 грн
100+	257.86 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070CM8XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

35+	368.87 грн
40+	323.18 грн
43+	306.49 грн
100+	282.68 грн

Мінімальне замовлення: 35

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070P6

на замовлення 41 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070P6

MOSFETs HIGH POWER PRICE/PERFORM

на замовлення 214 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	431.94 грн
10+	325.54 грн
100+	229.39 грн
480+	203.59 грн
1200+	173.61 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070P6

Description: 600V, 0.07OHM, N-CHANNEL MOSFET,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 391W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.72mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070P6

Trans MOSFET N-CH 600V 53.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	810.52 грн
25+	773.10 грн
50+	741.99 грн
100+	690.27 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070P6XKSA1

MOSFETs HIGH POWER PRICE/PERFORM

на замовлення 345 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	431.94 грн
10+	218.10 грн
100+	181.98 грн
480+	172.22 грн
2640+	171.52 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070P6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 53.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 2112 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

24+	537.78 грн
30+	438.82 грн

Мінімальне замовлення: 24

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070P6XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 53.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 391W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.72mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 100 V

на замовлення 1394 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	432.20 грн
30+	237.83 грн
120+	198.58 грн
510+	161.81 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070P6XKSA1
Код товару: 165846

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070P6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 53.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 1077 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	524.18 грн
31+	417.69 грн
46+	285.77 грн
50+	268.36 грн
100+	245.23 грн
480+	222.72 грн

Мінімальне замовлення: 25

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070P6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 53.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070P6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 53.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 358 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

43+	302.35 грн

Мінімальне замовлення: 43

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070P6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 53.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 48 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	749.90 грн
30+	340.64 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070P6XKSA1

Description: INFINEON - IPW60R070P6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 53.5 A, 0.07 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 391W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 214 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	496.20 грн
10+	405.09 грн
100+	234.27 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070P6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 53.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

24+	547.24 грн
30+	438.82 грн

Мінімальне замовлення: 24

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070P6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 53.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 1724 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

30+	437.64 грн
50+	424.99 грн
100+	398.43 грн
480+	364.40 грн
720+	343.32 грн

Мінімальне замовлення: 30

В кошику од. на суму грн.

IPW60R070P6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 53.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R075CP

MOSFETs N-Ch 600V 39A TO247-3 CoolMOS CP

на замовлення 139 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	638.55 грн
10+	539.63 грн
100+	391.15 грн
480+	345.13 грн
1200+	310.27 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R075CPA

MOSFET AUTOMOTIVE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R075CPAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

на замовлення 720 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	526.96 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPW60R075CPAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

на замовлення 75 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

52+	630.27 грн

Мінімальне замовлення: 52

В кошику од. на суму грн.

IPW60R075CPAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

на замовлення 174 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

52+	630.27 грн
100+	599.08 грн

Мінімальне замовлення: 52

В кошику од. на суму грн.

IPW60R075CPAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 39A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R075CPAFKSA1

Description: AUTOMOTIVE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.74mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 174 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	801.65 грн
30+	459.15 грн
120+	414.75 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R075CPAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

на замовлення 720 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	491.83 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPW60R075CPAFKSA1

MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS

на замовлення 118 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	771.14 грн
10+	651.08 грн
100+	472.03 грн
240+	444.14 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R075CPFKSA1

Description: INFINEON - IPW60R075CPFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 39 A, 0.075 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 465 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	601.95 грн
5+	536.87 грн
10+	470.98 грн
50+	401.08 грн
100+	336.76 грн
250+	254.49 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R075CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 64 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	596.35 грн
23+	581.23 грн
26+	505.83 грн

Мінімальне замовлення: 22

В кошику од. на суму грн.

IPW60R075CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 13 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R075CPFKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 39A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.7mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 100 V

на замовлення 237 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	679.28 грн
30+	411.66 грн
120+	370.23 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R075CPFKSA1

MOSFETs N-Ch 600V 39A TO247-3 CoolMOS CP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R075CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 228 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

60+	537.78 грн
100+	510.89 грн

Мінімальне замовлення: 60

В кошику од. на суму грн.

IPW60R075CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R075CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 64 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	634.57 грн
10+	618.48 грн
25+	538.24 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R075CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 64 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

60+	537.78 грн

Мінімальне замовлення: 60

В кошику од. на суму грн.

IPW60R075CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R075CPXK

Description: IPW60R075 - 600V COOLMOS N-CHANN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.7mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R080P7

MOSFETs HIGH POWER_NEW

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R080P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R080P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R080P7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 37A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 11.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 129W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 400 V

на замовлення 2872 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	363.17 грн
30+	197.17 грн
120+	163.55 грн
510+	130.34 грн
1020+	128.29 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R080P7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 2132 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	375.00 грн
25+	179.61 грн
100+	150.60 грн
240+	148.51 грн
480+	130.38 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R080P7XKSA1

Description: INFINEON - IPW60R080P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 37 A, 0.069 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 129W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 98 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	424.62 грн
10+	311.55 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R080P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

31+	418.17 грн
50+	367.41 грн
200+	268.61 грн

Мінімальне замовлення: 31

В кошику од. на суму грн.

IPW60R080P7XKSA1

N-Channel 600 V 37A (Tc) 129W (Tc) Through Hole PG-TO247-3 Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R080P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	237.07 грн
480+	236.10 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPW60R090CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R090CFD7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 11.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 570µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2103 pF @ 400 V

на замовлення 99 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	387.49 грн
30+	211.22 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R090CFD7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 1276 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	399.40 грн
25+	208.47 грн
100+	161.76 грн
240+	161.06 грн
2640+	155.48 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R090CFD7XKSA1

Description: INFINEON - IPW60R090CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.069 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 210 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	446.58 грн
10+	328.63 грн
100+	210.68 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R090CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 2640 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	252.94 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPW60R090CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R090CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 1440 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	327.66 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099C6
Код товару: 186494

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099C6

MOSFETs N-Ch 650V 38A TO247-3 CoolMOS C6

на замовлення 373 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	506.77 грн
10+	368.84 грн
100+	259.37 грн
480+	230.09 грн
1200+	197.32 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 560 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	363.89 грн
30+	313.49 грн
120+	280.40 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099C6FKSA1

MOSFETs N-Ch 650V 38A TO247-3 CoolMOS C6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099C6FKSA1

Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 230mOhm; 37,9A; 278W; -55°C ~ 150°C; IPW60R099C6 TIPW60r099c6
кількість в упаковці: 2 шт

на замовлення 30 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

2+	338.88 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 560 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

38+	341.45 грн
44+	294.16 грн
120+	263.11 грн

Мінімальне замовлення: 38

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099C6FKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 37.9A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 18.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.21mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 119 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 100 V

на замовлення 326 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	472.20 грн
30+	261.78 грн
120+	219.33 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099C6FKSA1

Description: INFINEON - IPW60R099C6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38 A, 0.09 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 268 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	481.56 грн
10+	479.93 грн
100+	268.44 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099C6FKSA1 (TO-247, Infineon) MOSFET N-ch 600V/37,9A
Код товару: 88983

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

1+	174.00 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099C7

Description: MOSFET N-CH 600V 22A TO247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 490µA
Supplier Device Package: PG-TO247
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1819 pF @ 400 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099C7

MOSFET HIGH POWER_NEW

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	243.48 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099C7XKSA1

Description: INFINEON - IPW60R099C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 22 A, 0.085 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 234 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	357.91 грн
10+	185.46 грн
100+	175.70 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099C7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 216 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	387.20 грн
10+	206.07 грн
100+	158.27 грн
480+	136.66 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 230 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

37+	352.78 грн
40+	326.11 грн
50+	283.95 грн
100+	273.07 грн

Мінімальне замовлення: 37

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099C7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 14A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 490µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1819 pF @ 400 V

на замовлення 230 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	376.51 грн
30+	204.82 грн
120+	170.13 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099CM8XKSA1

Description: INFINEON - IPW60R099CM8XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.099 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 176W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CM8 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	369.30 грн
10+	244.03 грн
100+	191.16 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099CM8XKSA1

MOSFETs 600V CoolMOS CM8 Power Transistor

на замовлення 215 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	332.70 грн
10+	216.49 грн
100+	147.81 грн
480+	130.38 грн
1200+	112.25 грн
2640+	105.28 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099CM8XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 230 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	294.45 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099CM8XKSA1

Description: IPW60R099CM8XKSA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 10.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 260µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-U06
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 400 V

на замовлення 334 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	310.62 грн
30+	166.17 грн
120+	137.01 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099CM8XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 230 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

47+	274.82 грн

Мінімальне замовлення: 47

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099CM8XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099CP

Код виробника: SP000067147 Група товару: Транзистори Од. вим: шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099CP

Description: MOSFET N-CH 600V 31A TO247-3-1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099CP

MOSFETs N-Ch 600V 31A TO247-3 CoolMOS CP

на замовлення 134 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	477.49 грн
10+	394.50 грн
100+	285.17 грн
480+	251.70 грн
1200+	226.60 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099CP
Код товару: 72969

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099CPA

MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS

на замовлення 96 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	514.91 грн
10+	431.38 грн
100+	312.36 грн
480+	276.11 грн
1200+	248.22 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099CPA

Description: IPW60R099 - 600V-800V N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099CPAE8222XKSA1

IPW60R099CPAE8222XKSA1

на замовлення 950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

59+	551.76 грн
100+	523.79 грн
500+	496.90 грн

Мінімальне замовлення: 59

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099CPAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

на замовлення 17660 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	398.54 грн
480+	354.47 грн
1200+	354.10 грн
2640+	337.01 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099CPAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

75+	430.22 грн
100+	408.71 грн

Мінімальне замовлення: 75

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099CPAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

на замовлення 40 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	619.57 грн
23+	575.26 грн
27+	478.70 грн

Мінімальне замовлення: 21

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099CPAFKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 31A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 203 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	522.40 грн
30+	315.43 грн
120+	299.36 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099CPAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099CPAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

на замовлення 17520 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	371.97 грн
480+	330.84 грн
1200+	330.50 грн
2640+	314.54 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099CPAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

на замовлення 220 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	569.61 грн
28+	473.24 грн
50+	394.11 грн

Мінімальне замовлення: 23

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099CPAFKSA1

Description: INFINEON - IPW60R099CPAFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 31 A, 0.09 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 255W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 134 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	572.66 грн
5+	529.55 грн
10+	486.44 грн
50+	367.09 грн
100+	316.54 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099CPAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

на замовлення 280 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	641.66 грн
25+	436.03 грн
100+	398.41 грн
240+	368.75 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099CPAFKSA1

MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS

на замовлення 570 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	547.45 грн
25+	337.57 грн
100+	274.01 грн
240+	256.58 грн
480+	236.36 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099CPAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

75+	430.22 грн
100+	408.71 грн

Мінімальне замовлення: 75

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 188 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

113+	114.27 грн
114+	114.09 грн

Мінімальне замовлення: 113

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099CPFKSA1

Description: INFINEON - IPW60R099CPFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 31 A, 0.099 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 255W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 106 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	531.99 грн
5+	489.69 грн
10+	446.58 грн
50+	308.18 грн
100+	264.95 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 188 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	329.45 грн
7+	122.70 грн
10+	122.24 грн
25+	116.01 грн
50+	107.34 грн
100+	102.57 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 304 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

34+	382.04 грн
38+	348.34 грн
120+	312.88 грн

Мінімальне замовлення: 34

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099CPFKSA1

MOSFETs N-Ch 600V 31A TO247-3 CoolMOS CP

на замовлення 20 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	491.32 грн
25+	293.47 грн
100+	237.76 грн
240+	236.36 грн
480+	216.84 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099CPFKSA1
Код товару: 189155

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099CPFKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 31A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 100 V

на замовлення 280 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	531.03 грн
30+	297.07 грн
120+	250.02 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 965 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	642.53 грн
10+	577.34 грн
25+	381.86 грн
50+	364.36 грн
100+	309.09 грн
480+	283.29 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099P6

MOSFETs HIGH POWER PRICE/PERFORM

на замовлення 61 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	354.66 грн
10+	255.78 грн
100+	180.58 грн
480+	159.67 грн
1200+	136.66 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099P6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099P6XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 37.9A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.21mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3330 pF @ 100 V

на замовлення 431 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	352.19 грн
30+	191.20 грн
120+	158.52 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099P6XKSA1

TO247 Група товару: Транзистори Од. вим: шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099P6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099P6XKSA1

MOSFETs HIGH POWER PRICE/PERFORM

на замовлення 1548 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	353.85 грн
10+	168.38 грн
100+	134.57 грн
480+	128.99 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099P6XKSA1

Description: INFINEON - IPW60R099P6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 37.9 A, 0.089 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.089ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 229 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	396.96 грн
10+	198.48 грн
100+	187.90 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099P6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

26+	499.92 грн
50+	448.29 грн

Мінімальне замовлення: 26

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099P7

Description: 600V, 0.099OHM, N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099P7

Infineon HIGH POWER_NEW

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099P7

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 210 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

24+	540.12 грн
25+	516.91 грн
50+	497.21 грн
100+	463.19 грн

Мінімальне замовлення: 24

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 5 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099P7XKSA1

на замовлення 420 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 5 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	245.87 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099P7XKSA1

Description: INFINEON - IPW60R099P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 31 A, 0.077 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 117W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 373 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	339.20 грн
10+	304.23 грн
100+	168.38 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099P7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 31A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 117W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 530µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1952 pF @ 400 V

на замовлення 238 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	326.31 грн
30+	175.82 грн
120+	145.23 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099P7XKSA1

MOSFET N-CH 600V 31A TO247-3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 615 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

57+	228.21 грн

Мінімальне замовлення: 57

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099P7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 1197 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	296.91 грн
10+	149.94 грн
100+	128.29 грн
480+	127.59 грн
1200+	117.83 грн
2640+	115.74 грн
5040+	113.65 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099ZH

Description: IPW60R099 - 600V CoolMOS N-Chann
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099ZH

на замовлення 706780 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R099ZHXKSA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPW60R099ZHXKSA1 - IPW60R099 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 101 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R105CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 T/R

на замовлення 2160 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	305.30 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPW60R105CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 230 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

35+	379.45 грн
50+	320.94 грн
100+	269.32 грн
200+	247.43 грн

Мінімальне замовлення: 35

В кошику од. на суму грн.

IPW60R105CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R105CFD7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 191 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	414.86 грн
25+	283.84 грн
100+	205.68 грн
240+	188.95 грн
480+	139.45 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R105CFD7XKSA1

Description: INFINEON - IPW60R105CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 A, 0.089 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 106W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.089ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 158 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	321.31 грн
10+	253.79 грн
100+	185.46 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPW60R105CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R105CFD7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 9.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 470µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1752 pF @ 400 V

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	414.16 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R120C7

MOSFET HIGH POWER_NEW

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R120C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R120C7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 19A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 92W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 390µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V

на замовлення 210 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	389.84 грн
30+	211.27 грн
120+	175.16 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R120C7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 223 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	409.16 грн
10+	227.72 грн
100+	163.85 грн
480+	141.54 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R120C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R120CM8XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 215 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

50+	263.04 грн
76+	171.06 грн
120+	145.16 грн

Мінімальне замовлення: 50

В кошику од. на суму грн.

IPW60R120CM8XKSA1

Description: IPW60R120CM8XKSA1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 8.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-U06
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1045 pF @ 400 V

на замовлення 234 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	288.66 грн
30+	152.96 грн
120+	125.37 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R120CM8XKSA1

Description: INFINEON - IPW60R120CM8XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23 A, 0.12 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 131W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CM8 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 232 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	328.63 грн
10+	215.56 грн
100+	161.06 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPW60R120CM8XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 215 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	281.82 грн
30+	183.27 грн
120+	155.52 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPW60R120CM8XKSA1

MOSFETs 600V CoolMOS CM8 Power Transistor

на замовлення 1038 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	274.94 грн
10+	149.14 грн
100+	106.68 грн
480+	105.98 грн
1200+	99.01 грн
2640+	94.82 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R120CM8XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R120P7

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 410µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1544 pF @ 400 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R120P7

MOSFETs HIGH POWER_NEW

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R120P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 350 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

62+	210.81 грн
64+	203.92 грн

Мінімальне замовлення: 62

В кошику од. на суму грн.

IPW60R120P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 540 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

54+	241.22 грн
56+	233.83 грн
68+	191.80 грн
100+	162.52 грн
480+	123.29 грн

Мінімальне замовлення: 54

В кошику од. на суму грн.

IPW60R120P7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 26A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 410µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1544 pF @ 400 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R120P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R120P7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 317 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	355.47 грн
10+	206.07 грн
100+	147.81 грн
480+	112.95 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R120P7XKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 26A; 95W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Power dissipation: 95W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of channel: enhancement

на замовлення 45 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

2+	255.78 грн
10+	170.37 грн
30+	157.78 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R120P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 540 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	257.64 грн
10+	249.75 грн
25+	204.86 грн
100+	173.58 грн
480+	131.68 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPW60R120P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125C6

MOSFETs N-Ch 600V 30A TO247-3 CoolMOS C6

на замовлення 181 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	344.09 грн
10+	271.82 грн
100+	190.35 грн
480+	169.43 грн
1200+	149.91 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125C6

на замовлення 27 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125C6
Код товару: 182612

2 Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Uds,V: 650 V
Idd,A: 30 A
Rds(on), Ohm: 0,11 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2127/96
Монтаж: THT

у наявності 13 шт:

13 шт - РАДІОМАГ-Київ

1+	245.00 грн
10+	227.00 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125C6

Код виробника: IPW60R125C6FKSA1 MOSFET N-CH 600V 30A TO247-3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 1082 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

137+	235.55 грн
500+	222.64 грн
1000+	210.81 грн

Мінімальне замовлення: 137

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 27 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125C6FKSA1

MOSFETs N-Ch 600V 30A TO247-3 CoolMOS C6

на замовлення 164 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	322.94 грн
25+	202.06 грн
100+	156.18 грн
240+	155.48 грн
480+	135.96 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125C6FKSA1

Description: INFINEON - IPW60R125C6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.11 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 219W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 95 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	353.03 грн
10+	306.67 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125C6FKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 219W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 960µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2127 pF @ 100 V

на замовлення 248 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	368.66 грн
30+	200.34 грн
120+	166.38 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 27 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	229.37 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125CFD7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 333 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	337.58 грн
10+	331.95 грн
25+	161.76 грн
100+	158.97 грн
240+	157.58 грн
480+	113.65 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125CFD7XKSA1

Description: INFINEON - IPW60R125CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.104 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 92W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.104ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 120 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	367.68 грн
10+	364.42 грн
100+	217.19 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125CFD7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 18A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 92W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 390µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1503 pF @ 400 V

на замовлення 105 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	326.31 грн
30+	175.69 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 210 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	199.58 грн
10+	199.47 грн
25+	167.25 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 78 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

32+	406.13 грн
50+	405.27 грн

Мінімальне замовлення: 32

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 210 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

69+	188.20 грн
82+	157.88 грн

Мінімальне замовлення: 69

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125CP

Description: 25A, 600V, 0.125OHM, N-CHANNEL M
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.1mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125CP

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125CP
Код товару: 143316

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125CP

MOSFETs N-Ch 650V 25A TO247-3 CoolMOS CP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 225 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

114+	285.02 грн

Мінімальне замовлення: 114

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

39+	334.85 грн
240+	246.06 грн

Мінімальне замовлення: 39

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125CPFKSA1

MOSFETs N-Ch 650V 25A TO247-3 CoolMOS CP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 450 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

39+	338.27 грн
240+	257.82 грн

Мінімальне замовлення: 39

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125CPFKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.1mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	356.03 грн
240+	261.75 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125CPFKSA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPW60R125CPFKSA1 - IPW60R125 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 235 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

73+	313.99 грн

Мінімальне замовлення: 73

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125P6

MOSFETs HIGH POWER PRICE/PERFORM

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125P6

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 11.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 219W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 960µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125P6
Код товару: 169145

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125P6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125P6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	201.53 грн
25+	175.80 грн
100+	165.74 грн
240+	159.51 грн
480+	129.74 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125P6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 8640 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	261.07 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125P6XKSA1

MOSFETs HIGH POWER PRICE/PERFORM

на замовлення 139 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	252.98 грн
25+	182.82 грн
100+	140.14 грн
240+	139.45 грн
480+	115.74 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125P6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 180 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

68+	191.85 грн
73+	178.10 грн
100+	170.44 грн

Мінімальне замовлення: 68

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125P6XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 11.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 219W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 960µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 100 V

на замовлення 352 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	326.31 грн
30+	175.79 грн
120+	145.30 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125P6XKSA1

N-MOSFET 30A 600V 219W 0.125Ω IPW60R125P6XKSA1 IPW60R125P6 TIPW60r125p6
кількість в упаковці: 2 шт

на замовлення 30 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

2+	361.97 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R125P6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R145CFD7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 16A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 6.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 340µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 400 V

на замовлення 99993 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

141+	144.31 грн

Мінімальне замовлення: 141

В кошику од. на суму грн.

IPW60R145CFD7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 15 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	308.29 грн
10+	293.47 грн
25+	131.08 грн
100+	121.32 грн
240+	120.62 грн
480+	100.40 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R145CFD7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 16A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 6.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 340µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 400 V

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	298.85 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R145CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R145CFD7XKSA1

Description: INFINEON - IPW60R145CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 16 A, 0.127 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.127ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R145CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R160C6

на замовлення 7 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R160C6

Description: 23.8A, 600V, 0.16OHM, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 750µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R160C6

MOSFETs N-Ch 600V 23.8A TO247-3 CoolMOS C6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R160C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R160C6FKSA1

Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 370mOhm; 23,8A; 176W; -55°C ~ 150°C; IPW60R160C6FKSA1 IPW60R160C6 TIPW60r160c6
кількість в упаковці: 5 шт

на замовлення 10 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

5+	258.35 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IPW60R160C6FKSA1

Description: INFINEON - IPW60R160C6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23.8 A, 0.16 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 176W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 95 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	321.31 грн
10+	250.54 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPW60R160C6FKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 23.8A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 750µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 100 V

на замовлення 20 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	320.03 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R160C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 162 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

162+	136.12 грн

Мінімальне замовлення: 162

В кошику од. на суму грн.

IPW60R160C6FKSA1

MOSFETs N-Ch 600V 23.8A TO247-3 CoolMOS C6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R160C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 162 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R160C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

167+	193.60 грн

Мінімальне замовлення: 167

В кошику од. на суму грн.

IPW60R160C6FKSA1
Код товару: 206426

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > IGBT

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R160P6

MOSFETs HIGH POWER_LEGACY

на замовлення 863 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	261.11 грн
10+	191.64 грн
100+	135.26 грн
240+	131.78 грн
480+	119.92 грн
1200+	102.49 грн
2640+	96.92 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R160P6

на замовлення 31680 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R160P6

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 750µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R160P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R160P6FKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 23.8A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 750µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 100 V

на замовлення 197 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	291.01 грн
30+	155.02 грн
120+	127.49 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R160P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R160P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 450 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

50+	260.71 грн
55+	238.34 грн

Мінімальне замовлення: 50

В кошику од. на суму грн.

IPW60R160P6FKSA1

MOSFETs HIGH POWER_LEGACY

на замовлення 352 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	255.42 грн
10+	250.17 грн
25+	109.47 грн
100+	103.19 грн
240+	98.31 грн
480+	96.92 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R160P6FKSA1

Description: INFINEON - IPW60R160P6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23.8 A, 0.144 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 176W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.144ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 195 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	310.73 грн
10+	274.13 грн
100+	191.16 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPW60R165CP

MOSFETs N-Ch 650V 21A TO247-3 CoolMOS CP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R165CP

на замовлення 6 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R165CP

Description: 21A, 600V, 0.165OHM, N-CHANNEL M
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 790µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R165CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R165CPFKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; 192W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
Power dissipation: 192W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R165CPFKSA1

Description: INFINEON - IPW60R165CPFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 A, 0.15 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 192W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 16 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	473.42 грн
10+	418.92 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R165CPFKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 790µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 100 V

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	386.70 грн
30+	209.66 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R165CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R165CPFKSA1

MOSFETs HIGH POWER_LEGACY

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R170CFD7

MOSFETs HIGH POWER_NEW

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R170CFD7

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; 75W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9A
Power dissipation: 75W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.325Ω
Mounting: THT
Gate charge: 28nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R170CFD7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 14A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 300µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1199 pF @ 400 V

на замовлення 158 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	293.36 грн
30+	155.17 грн
120+	127.19 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R170CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R170CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R170CFD7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R180C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 1200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	148.55 грн
480+	130.91 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPW60R180C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 1560 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	159.17 грн
480+	140.26 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPW60R180C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

34+	388.27 грн
39+	332.34 грн
50+	275.34 грн
100+	256.17 грн
200+	222.79 грн
240+	203.74 грн

Мінімальне замовлення: 34

В кошику од. на суму грн.

IPW60R180C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

40+	326.97 грн
50+	305.46 грн

Мінімальне замовлення: 40

В кошику од. на суму грн.

IPW60R180C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R180C7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 231 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	272.50 грн
10+	263.80 грн
25+	117.83 грн
100+	105.28 грн
240+	103.89 грн
480+	85.06 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R180C7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 13A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 260µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 400 V

на замовлення 192 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	264.34 грн
30+	139.91 грн
120+	114.64 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R180C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 2400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	190.64 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPW60R180C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 215 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

79+	164.71 грн
100+	150.94 грн
120+	148.18 грн

Мінімальне замовлення: 79

В кошику од. на суму грн.

IPW60R180P7

MOSFETs HIGH POWER_NEW

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R180P7

Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

38+	341.33 грн
40+	326.67 грн
50+	314.22 грн
100+	292.71 грн

Мінімальне замовлення: 38

В кошику од. на суму грн.

IPW60R180P7

на замовлення 54960 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R180P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 132960 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	260.56 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPW60R180P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R180P7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 18A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 400 V

на замовлення 579 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	225.90 грн
30+	118.54 грн
120+	96.64 грн
510+	75.61 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R180P7XKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 72W; PG-TO247-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 72W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R180P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R180P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 460 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

86+	150.78 грн

Мінімальне замовлення: 86

В кошику од. на суму грн.

IPW60R180P7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 28960 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	276.57 грн
10+	168.38 грн
100+	112.25 грн
480+	92.73 грн
1200+	86.46 грн
2640+	81.58 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R180P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 497 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

188+	172.09 грн

Мінімальне замовлення: 188

В кошику од. на суму грн.

IPW60R180P7XKSA1

Description: INFINEON - IPW60R180P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.145 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 72W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 140 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	289.59 грн
10+	188.72 грн
100+	144.79 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190C6

MOSFETs N-Ch 600V 20.2A TO247-3 CoolMOS C6

на замовлення 199 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	337.58 грн
10+	184.42 грн
100+	131.78 грн
480+	110.86 грн
1200+	109.47 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190C6

Код виробника: IPW60R190C6FKSA1 MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247-3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190C6
Код товару: 133423

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

55+	235.30 грн

Мінімальне замовлення: 55

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	505.38 грн
30+	282.43 грн
120+	233.28 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190C6FKSA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPW60R190C6FKSA1 - IPW60R190 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 54 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190C6FKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 630µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 100 V

на замовлення 713 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	295.71 грн
30+	157.97 грн
120+	129.99 грн
510+	102.73 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190C6FKSA1

MOSFETs HIGH POWER_LEGACY

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190C6FKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

на замовлення 140 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

2+	272.95 грн
3+	238.35 грн
10+	197.23 грн
30+	172.89 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190E6

на замовлення 720 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190E6

Description: 600V, 0.19OHM, N-CHANNEL MOSFET,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 630µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190E6

MOSFETs N-Ch 650V 20.2A TO247-3 CoolMOS E6

на замовлення 9 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	313.99 грн
10+	206.87 грн
100+	138.75 грн
480+	122.02 грн
1200+	109.47 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190E6FKSA1

на замовлення 132 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	295.71 грн
30+	157.61 грн
120+	129.69 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190E6FKSA1

MOSFETs N-Ch 650V 20.2A TO247-3 CoolMOS E6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190E6FKSA1

Description: INFINEON - IPW60R190E6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20.2 A, 0.17 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 151W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS E6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 202 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	295.28 грн
10+	221.26 грн
100+	178.96 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190E6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190E6FKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ E6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190E6FKSA1

Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 440mOhm; 20,2A; 151W; -55°C ~ 150°C; IPW60R190E6 TIPW60r190e6
кількість в упаковці: 5 шт

на замовлення 10 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

5+	175.69 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190E6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 329 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	150.25 грн
11+	68.19 грн
30+	66.92 грн
120+	63.90 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190E6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 329 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

203+	63.65 грн

Мінімальне замовлення: 203

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190P6
Код товару: 107275

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190P6

Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 137 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

36+	358.54 грн
38+	343.13 грн
50+	330.06 грн
100+	307.47 грн

Мінімальне замовлення: 36

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190P6

Description: MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190P6

MOSFETs HIGH POWER_PRC/PRFRM

на замовлення 615 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	275.76 грн
10+	178.00 грн
100+	113.65 грн
480+	100.40 грн
1200+	89.94 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 290 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

75+	172.09 грн
100+	168.86 грн

Мінімальне замовлення: 75

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190P6FKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

на замовлення 46 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

2+	338.93 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 399 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

89+	146.21 грн
240+	132.13 грн

Мінімальне замовлення: 89

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 17 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190P6FKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 630µ
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 100 V

на замовлення 144 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	255.71 грн
30+	135.05 грн
120+	110.51 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190P6FKSA1

MOSFETs HIGH POWER_LEGACY

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 890 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

231+	139.82 грн
500+	132.29 грн

Мінімальне замовлення: 231

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 12240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	176.91 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 76 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

76+	174.55 грн

Мінімальне замовлення: 76

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 17 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190P6FKSA1

Description: INFINEON - IPW60R190P6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20.2 A, 0.19 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 151W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 2371 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	261.11 грн
10+	194.41 грн
100+	157.81 грн
500+	93.66 грн
1000+	85.06 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 620 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	201.69 грн
30+	145.63 грн
120+	110.70 грн
510+	105.09 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 590 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

53+	243.55 грн
64+	204.05 грн
100+	193.08 грн

Мінімальне замовлення: 53

В кошику од. на суму грн.

IPW60R190P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 1090 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

231+	139.82 грн
500+	132.29 грн
1000+	124.76 грн

Мінімальне замовлення: 231

В кошику од. на суму грн.

IPW60R199CP

Description: 16A, 600V, 0.199OHM, N-CHANNEL M
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 9.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 660µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R199CP

MOSFETs N-Ch 650V 16A TO247-3 CoolMOS CP

на замовлення 222 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	287.96 грн
10+	222.10 грн
100+	156.18 грн
480+	139.45 грн
1200+	118.53 грн
2640+	112.25 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R199CPFKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 16A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 9.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 660µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R199CPFKSA1

MOSFET N-Ch 650V 16A TO247-3 CoolMOS CP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R199CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

38+	341.59 грн
50+	277.92 грн
100+	255.55 грн
200+	235.64 грн

Мінімальне замовлення: 38

В кошику од. на суму грн.

IPW60R230P6FKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 16.8A TO247-3

на замовлення 896 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R250CP

MOSFET N-Ch 600V 12A TO247-3 CoolMOS CP

на замовлення 183 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	351.41 грн
10+	311.91 грн
100+	222.42 грн
240+	221.72 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R250CP

TO-247

на замовлення 22080 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R250CP

Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO247-3

на замовлення 10800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R250CPFKSA1

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R250CPFKSA1

MOSFET LOW POWER_LEGACY

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R280C6

MOSFET N-Ch 600V 13.8A TO247-3 CoolMOS C6

на замовлення 37 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R280C6

на замовлення 240 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R280C6

Description: MOSFET N-CH 600V 13.8A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 430µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V

на замовлення 210 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

210+	109.88 грн

Мінімальне замовлення: 210

В кошику од. на суму грн.

IPW60R280C6FKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 13.8A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 430µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R280C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 13920 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

237+	136.59 грн
500+	130.14 грн
1000+	122.61 грн
10000+	110.97 грн

Мінімальне замовлення: 237

В кошику од. на суму грн.

IPW60R280C6FKSA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPW60R280C6FKSA1 - IPW60R280 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 14160 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

197+	127.71 грн

Мінімальне замовлення: 197

В кошику од. на суму грн.

IPW60R280C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 396 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

237+	136.59 грн

Мінімальне замовлення: 237

В кошику од. на суму грн.

IPW60R280C6FKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 13.8A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 430µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V

на замовлення 14160 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

216+	92.93 грн

Мінімальне замовлення: 216

В кошику од. на суму грн.

IPW60R280C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

237+	136.59 грн

Мінімальне замовлення: 237

В кошику од. на суму грн.

IPW60R280C6FKSA1

MOSFET N-Ch 600V 13.8A TO247-3 CoolMOS C6

на замовлення 143 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R280E6

на замовлення 210 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R280E6

MOSFET N-Ch 650V 13.8A TO247-3 CoolMOS E6

на замовлення 705 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	371.74 грн
10+	329.55 грн
100+	234.27 грн
480+	200.11 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW60R280E6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 703 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

168+	192.52 грн
500+	181.77 грн

Мінімальне замовлення: 168

В кошику од. на суму грн.

IPW60R280E6FKSA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R280E6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 2640 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

168+	192.52 грн
500+	181.77 грн
1000+	172.09 грн

Мінімальне замовлення: 168

В кошику од. на суму грн.

IPW60R280P6

MOSFETs N-Ch 600V 13.8A TO247-3

на замовлення 160 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	192.79 грн
10+	145.13 грн
100+	100.40 грн
480+	83.67 грн
1200+	71.82 грн
2640+	68.33 грн
5040+	66.66 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R280P6
Код товару: 169317

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R280P6

на замовлення 56820 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R280P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R280P6FKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 13.8A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 430µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 100 V

на замовлення 134 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	219.63 грн
30+	114.58 грн
120+	93.25 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R280P6FKSA1

MOSFETs N-Ch 600V 13.8A TO247-3

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	209.87 грн
25+	107.44 грн
100+	86.46 грн
240+	85.76 грн
480+	66.66 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW60R280P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R299CP

MOSFET N-Ch 650V 11A TO247-3 CoolMOS CP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R299CP

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R299CP

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R299CPFKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO247-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R299CPFKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO247-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R299CPFKSA1

MOSFET LOW POWER_LEGACY

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R299CPFKSA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPW60R299CPFKSA1 - IPW60R299 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 54 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R330P6

MOSFET LOW POWER_LEGACY

на замовлення 463 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW60R330P6

Description: IPW60R330 - 600V COOLMOS N-CHANN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 370µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW60R330P6FKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO247-3

на замовлення 36480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW65F6048A

IPW65F6048A

на замовлення 180 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

39+	846.46 грн
100+	804.51 грн

Мінімальне замовлення: 39

В кошику од. на суму грн.

IPW65F6048A

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R018CFD7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 281 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1137.19 грн
25+	675.93 грн
100+	558.49 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R018CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 106A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 16 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	1382.46 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

IPW65R018CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 106A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	1245.06 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPW65R018CFD7XKSA1

Description: 650 V COOLMOS CFD7 SUPERJUNCTION
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 58.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.91mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11659 pF @ 400 V

на замовлення 497 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1222.86 грн
30+	729.81 грн
120+	631.83 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R018CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 106A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R018CFD7XKSA1

Description: INFINEON - IPW65R018CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 106 A, 0.018 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 446W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 39 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1310.45 грн
5+	1298.25 грн
10+	1286.05 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R018CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 106A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 16 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1499.65 грн
10+	1487.93 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R018CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 106A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	1333.68 грн
12+	1075.55 грн
13+	1006.71 грн
50+	879.66 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

IPW65R018CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 106A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R018CM8XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 116A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R018CM8XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 116A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R018CM8XKSA1

MOSFETs 650V CoolMOS CM8 Power Transistor

на замовлення 1318 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	974.50 грн
10+	586.93 грн
100+	505.50 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R019C7

Description: 75A, 650V, 0.019OHM, N-CHANNEL M
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 58.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.92mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 400 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R019C7

на замовлення 2320 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW65R019C7

MOSFETs N-Ch 650V 75A TO247-3 CoolMOS C7

на замовлення 236 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1412.95 грн
10+	1226.79 грн
100+	922.44 грн
240+	893.86 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R019C7

Trans MOSFET N-CH 700V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	2364.97 грн
10+	2292.80 грн
20+	2151.53 грн
50+	1944.90 грн
100+	1827.89 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

IPW65R019C7FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1105.39 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R019C7FKSA1

Description: INFINEON - IPW65R019C7FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.017 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 446W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1417.01 грн
5+	1333.23 грн
10+	1248.63 грн
50+	902.63 грн
100+	809.49 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R019C7FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 257 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	1217.20 грн
25+	1214.93 грн
100+	1024.78 грн
240+	987.17 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

IPW65R019C7FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R019C7FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW65R019C7FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW65R019C7FKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 58.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.92mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 400 V

на замовлення 2315 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1266.79 грн
30+	764.00 грн
120+	703.14 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R019C7FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 476 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	1282.18 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

IPW65R019C7FKSA1

N-Channel MOSFET Група товару: Транзистори Од. вим: шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R019C7FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 77 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	1622.74 грн
25+	1086.86 грн
50+	1075.18 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

IPW65R019C7FKSA1

MOSFETs N-Ch 650V 75A TO247-3 CoolMOS C7

на замовлення 278 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1352.75 грн
25+	891.62 грн
100+	742.56 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R019C7FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1022.40 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R022CFD7AXKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 96A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R022CFD7AXKSA1

Description: AUTOMOTIVE_COOLMOS PG-TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 58.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.91mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11659 pF @ 400 V

на замовлення 242 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1233.85 грн
10+	843.34 грн
240+	661.70 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R022CFD7AXKSA1

MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS

на замовлення 231 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1052.59 грн
25+	626.22 грн
100+	508.28 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R025CM8XKSA1

MOSFETs 650V CoolMOS CM8 Power Transistor

на замовлення 225 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	802.05 грн
10+	618.20 грн
100+	448.32 грн
480+	398.82 грн
1200+	340.25 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R025CM8XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 90A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R025CM8XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 90A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R029CFD7XKSA1

The 650V CoolMOS™ CFD7 superjunction MOSFET with integrated fast body diode in TO-247 package is the perfect choice for resonant high power topologies.

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R029CFD7XKSA1

The 650V CoolMOS™ CFD7 superjunction MOSFET with integrated fast body diode in TO-247 package is the perfect choice for resonant high power topologies.

на замовлення 158 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	771.57 грн

Мінімальне замовлення: 17

В кошику од. на суму грн.

IPW65R029CFD7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 176 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	633.67 грн
10+	623.82 грн
25+	403.00 грн
100+	396.03 грн
240+	395.33 грн
480+	370.93 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R029CFD7XKSA1

Description: INFINEON - IPW65R029CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 69 A, 0.024 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 69A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 305W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 391 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	641.81 грн
5+	640.99 грн
10+	640.18 грн
50+	405.62 грн
100+	368.14 грн
250+	367.44 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW65R029CFD7XKSA1

The 650V CoolMOS™ CFD7 superjunction MOSFET with integrated fast body diode in TO-247 package is the perfect choice for resonant high power topologies.

на замовлення 177 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	687.49 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

IPW65R029CFD7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 69A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 35.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 305W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.79mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7149 pF @ 400 V

на замовлення 154 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	967.94 грн
30+	565.09 грн
120+	484.77 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R029CFD7XKSA1

The 650V CoolMOS™ CFD7 superjunction MOSFET with integrated fast body diode in TO-247 package is the perfect choice for resonant high power topologies.

на замовлення 177 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	653.72 грн
10+	648.00 грн
25+	597.39 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW65R035CFD7AXKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R035CFD7AXKSA1

MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS

на замовлення 254 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	770.33 грн
10+	732.86 грн
25+	396.73 грн
100+	395.33 грн
240+	394.64 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R035CFD7AXKSA1

Description: INFINEON - IPW65R035CFD7AXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 63 A, 0.029 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 305W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7A SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 272 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	697.12 грн
5+	630.42 грн
10+	564.53 грн
50+	463.02 грн
100+	426.71 грн
250+	426.01 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW65R035CFD7AXKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

на замовлення 120 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	823.95 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

IPW65R035CFD7AXKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 63A TO247-3-41
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 35.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 305W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.79mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7149 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1143 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	740.46 грн
30+	438.10 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R035CFD7AXKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R037C6

MOSFETs N-Ch 650V 83.2A TO247-3 CoolMOS C6

на замовлення 162 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	986.70 грн
10+	857.15 грн
100+	644.25 грн
240+	624.72 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R037C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 83.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 76 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

38+	852.91 грн

Мінімальне замовлення: 38

В кошику од. на суму грн.

IPW65R037C6FKSA1
Код товару: 180225

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R037C6FKSA1

MOSFET N-Ch 650V 83.2A TO247-3 CoolMOS C6 Група товару: Транзистори Од. вим: шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R037C6FKSA1

MOSFETs N-Ch 650V 83.2A TO247-3 CoolMOS C6

на замовлення 169 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1228.30 грн
10+	1209.15 грн
25+	692.35 грн
100+	642.85 грн
240+	576.61 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R037C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 83.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R037C6FKSA1

Description: INFINEON - IPW65R037C6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 83.2 A, 0.037 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 83.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C6 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 254 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	986.70 грн
5+	928.14 грн
10+	868.76 грн
50+	749.30 грн
100+	642.15 грн
250+	597.53 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R037C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 83.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R037C6FKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 83.2A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 33.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3.3mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7240 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R040CM8XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 62A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R040CM8XKSA1

Description: IPW65R040CM8XKSA1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 329W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 680µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-U06
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3796 pF @ 400 V

на замовлення 210 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	552.99 грн
30+	310.70 грн
120+	261.96 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R040CM8XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 62A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R040CM8XKSA1

MOSFETs 650V CoolMOS CM8 Power Transistor

на замовлення 186 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	586.49 грн
10+	420.15 грн
100+	304.69 грн
480+	271.22 грн
1200+	241.94 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R041CFD

MOSFETs N-Ch 700V 68.5A TO247-3 CoolMOS CFD2

на замовлення 176 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	848.42 грн
10+	680.75 грн
100+	493.64 грн
480+	439.26 грн
1200+	373.72 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R041CFD7

IPW65R041CFD7

на замовлення 191 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	1141.30 грн
25+	1088.60 грн
50+	1044.80 грн
100+	971.96 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

IPW65R041CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 92 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	748.58 грн
20+	678.03 грн
50+	456.47 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

IPW65R041CFD7XKSA1

Description: 650V FET COOLMOS TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 24.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.24mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4975 pF @ 400 V

на замовлення 165 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	593.26 грн
30+	335.57 грн
120+	283.82 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R041CFD7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 348 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	623.91 грн
10+	361.62 грн
100+	266.34 грн
480+	256.58 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R041CFD7XKSA1

Description: INFINEON - IPW65R041CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 50 A, 0.034 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 45 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	708.51 грн
5+	617.40 грн
10+	525.48 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW65R041CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R041CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 84720 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	563.28 грн
480+	562.44 грн
720+	534.61 грн
42240+	475.36 грн
63360+	411.69 грн
84480+	374.75 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPW65R041CFDFKSA1

Description: INFINEON - IPW65R041CFDFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 68.5 A, 0.037 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm

на замовлення 228 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	811.00 грн
5+	753.25 грн
10+	694.68 грн
50+	593.70 грн
100+	456.69 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW65R041CFDFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 68.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 1440 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

33+	993.81 грн
100+	944.33 грн
500+	894.86 грн
1000+	814.15 грн

Мінімальне замовлення: 33

В кошику од. на суму грн.

IPW65R041CFDFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 68.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 150 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW65R041CFDFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 68.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 960 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

33+	993.81 грн
100+	944.33 грн
500+	894.86 грн

Мінімальне замовлення: 33

В кошику од. на суму грн.

IPW65R041CFDFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 68.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 150 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

150+	553.44 грн

Мінімальне замовлення: 150

В кошику од. на суму грн.

IPW65R041CFDFKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 68.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 33.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3.3mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R041CFDFKSA1

MOSFETs N-Ch 700V 68.5A TO247-3 CoolMOS CFD2

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R041CFDFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 68.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

33+	993.81 грн
100+	944.33 грн

Мінімальне замовлення: 33

В кошику од. на суму грн.

IPW65R041CFDFKSA1

N-Channel MOSFET Група товару: Транзистори Од. вим: шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R041CFDFKSA2

N-Channel MOSFET 650V 68.5A TO247-3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R041CFDFKSA2

Trans MOSFET N-CH 650V 68.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R041CFDFKSA2

Description: MOSFET N-CH 650V 68.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 33.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3.3mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 100 V

на замовлення 150 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	789.88 грн
30+	457.71 грн
120+	391.35 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R041CFDFKSA2

MOSFETs HIGH POWER_LEGACY

на замовлення 236 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	846.79 грн
25+	487.51 грн
100+	377.90 грн
480+	373.72 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R041CFDFKSA2

Trans MOSFET N-CH 650V 68.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 289 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1118.05 грн
30+	646.81 грн
120+	576.25 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R041CFDFKSA2

на замовлення 720 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW65R041CFDFKSA2

Description: INFINEON - IPW65R041CFDFKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 68.5 A, 0.037 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 129 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	900.48 грн
5+	836.22 грн
10+	771.14 грн
50+	512.87 грн
100+	421.83 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R041CFDFKSA2

Trans MOSFET N-CH 650V 68.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 289 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	1034.46 грн
30+	598.44 грн
120+	533.17 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

IPW65R045C

Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 5 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW65R045C7

Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 720 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	1379.32 грн
20+	1342.27 грн
50+	1263.63 грн
100+	1145.45 грн
250+	1079.13 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

IPW65R045C7

на замовлення 2 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW65R045C7

Description: 46A, 650V, 0.045OHM, N-CHANNEL M
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 24.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.25mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 400 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R045C7

MOSFETs N-Ch 650V 46A TO247-3 CoolMOS C7

на замовлення 350 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	763.01 грн
10+	644.66 грн
100+	467.15 грн
240+	439.96 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R045C7300XKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 46A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 24.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.25mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 400 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R045C7FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 1302 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	708.80 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

IPW65R045C7FKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 46A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 24.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.25mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 400 V

на замовлення 2110 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	653.40 грн
30+	375.91 грн
120+	353.82 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R045C7FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R045C7FKSA1

Description: INFINEON - IPW65R045C7FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 46 A, 0.04 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 153 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	807.75 грн
5+	749.99 грн
10+	692.24 грн
50+	452.45 грн
100+	388.36 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW65R045C7FKSA1

MOSFET N-Ch 650V 46A TO247-3 CoolMOS C7 Група товару: Транзистори Од. вим: шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R045C7FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 1302 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	763.64 грн
10+	559.42 грн
100+	526.83 грн
240+	498.59 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R045C7FKSA1

MOSFETs N-Ch 650V 46A TO247-3 CoolMOS C7

на замовлення 315 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	456.34 грн
10+	446.61 грн
25+	338.16 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R045C7FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R045C7FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 962 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	788.16 грн
50+	675.45 грн
960+	651.50 грн

Мінімальне замовлення: 17

В кошику од. на суму грн.

IPW65R048CFDA

MOSFETs N-Ch 650V 63.3A TO247-3

на замовлення 269 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	732.91 грн
10+	618.20 грн
100+	463.66 грн
240+	393.24 грн
1200+	355.59 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R048CFDA

на замовлення 212880 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW65R048CFDAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 63.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R048CFDAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 63.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R048CFDAFKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 63.3A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 29.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.9mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7440 pF @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 236 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	752.23 грн
30+	430.42 грн
120+	365.94 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R048CFDAFKSA1

MOSFETs N-Ch 650V 63.3A TO247-3

на замовлення 236 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	500.27 грн
10+	488.31 грн
25+	344.43 грн
100+	340.25 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R048CFDAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 63.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

на замовлення 480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	960.59 грн

Мінімальне замовлення: 14

В кошику од. на суму грн.

IPW65R048CFDAFKSA1

Description: INFINEON - IPW65R048CFDAFKSA1 - Leistungs-MOSFET, AEC-Q101, n-Kanal, 650 V, 63.3 A, 0.043 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFDA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 194 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	790.66 грн
5+	734.54 грн
10+	677.60 грн
50+	431.30 грн
100+	343.04 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW65R050CFD7AXKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	646.62 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

IPW65R050CFD7AXKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 45A TO247-3-41
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 24.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.24mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4975 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 202 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	633.79 грн
30+	360.04 грн
120+	305.09 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R050CFD7AXKSA1

MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS

на замовлення 1126 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	676.78 грн
10+	394.50 грн
100+	291.44 грн
480+	286.56 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R050CFD7AXKSA1

Description: INFINEON - IPW65R050CFD7AXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 45 A, 0.041 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7A SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 167 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	488.06 грн
5+	432.75 грн
10+	378.25 грн
50+	350.48 грн
100+	322.82 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW65R050CFD7AXKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R050CFD7AXKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R060CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 36A 3-Pin TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R060CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 36A 3-Pin TO-247 Tube

на замовлення 205 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	562.73 грн
29+	456.03 грн
50+	425.92 грн
100+	367.44 грн

Мінімальне замовлення: 23

В кошику од. на суму грн.

IPW65R060CFD7XKSA1

Description: 650V FET COOLMOS TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 171W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 860µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3288 pF @ 400 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R060CFD7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 276 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	527.11 грн
25+	392.89 грн
100+	296.32 грн
480+	211.96 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R060CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 36A 3-Pin TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R060CM8XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 45A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R060CM8XKSA1

Description: IPW65R060CM8XKSA1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 440µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-U06
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2462 pF @ 400 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R060CM8XKSA1

MOSFETs 650V CoolMOS CM8 Power Transistor

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	396.96 грн
10+	312.71 грн
100+	220.33 грн
480+	195.23 грн
1200+	167.34 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R060CM8XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 45A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R065C7

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 34 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	523.86 грн
10+	433.78 грн
100+	313.76 грн
240+	313.06 грн
480+	276.11 грн
1200+	248.22 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R065C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 222 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

24+	542.94 грн
27+	482.71 грн
50+	444.74 грн

Мінімальне замовлення: 24

В кошику од. на суму грн.

IPW65R065C7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 33A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 17.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 171W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 850µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 400 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R065C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R065C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW65R065C7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 170 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	545.82 грн
10+	505.95 грн
25+	275.41 грн
240+	260.07 грн
480+	230.09 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R065C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R065C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	557.03 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW65R070C6

MOSFETs N-Ch 700V 53.5A TO247-3 CoolMOS C6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R070C6FKSA1

Description: INFINEON - IPW65R070C6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 53.5 A, 0.063 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 391W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 119 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	637.74 грн
5+	592.19 грн
10+	545.82 грн
50+	389.00 грн
100+	303.99 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW65R070C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 53.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 170 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	648.44 грн
30+	442.45 грн
50+	422.48 грн
100+	345.67 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

IPW65R070C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 53.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 171 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	703.48 грн
10+	696.51 грн
25+	475.25 грн
50+	453.80 грн
100+	371.29 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW65R070C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 53.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 170 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	812.51 грн
25+	668.84 грн
50+	640.13 грн
100+	381.15 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

IPW65R070C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 53.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R070C6FKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 53.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 17.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 391W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.76mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R070C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 53.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 309 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	809.16 грн
240+	494.58 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

IPW65R070C6FKSA1

MOSFETs Y

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R075CFD7AXKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R075CFD7AXKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 32A TO247-3-41
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 16.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 171W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 820µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3288 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 175 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	593.78 грн
30+	332.47 грн
120+	279.91 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R075CFD7AXKSA1

MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS

на замовлення 1461 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	513.28 грн
10+	425.77 грн
25+	244.03 грн
100+	223.12 грн
240+	222.42 грн
480+	204.29 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R075CFD7AXKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R080CFD

MOSFETs N-Ch 650V 43.3A TO247-3 CoolMOS CFD2

на замовлення 247 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	620.66 грн
10+	484.30 грн
25+	379.99 грн
100+	355.59 грн
240+	354.89 грн
480+	301.21 грн
1200+	289.35 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R080CFD

Код виробника: SP000745036 MOSFET N-CH 700V 43.3A TO247 Група товару: Транзистори Од. вим: шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R080CFD

Trans MOSFET N-CH 650V 43.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	722.90 грн
25+	689.52 грн
50+	661.78 грн
100+	615.64 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

IPW65R080CFDA

MOSFETs N-Ch 650V 43.3A TO247-3

на замовлення 472 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	577.54 грн
10+	413.74 грн
100+	299.81 грн
480+	267.04 грн
1200+	237.76 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R080CFDAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 43.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

на замовлення 24500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	365.63 грн
480+	331.33 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPW65R080CFDAFKSA1

на замовлення 120 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW65R080CFDAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 43.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

на замовлення 24480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	341.25 грн
480+	309.24 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPW65R080CFDAFKSA1

MOSFETs N-Ch 650V 43.3A TO247-3

на замовлення 401 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	562.09 грн
25+	294.27 грн
100+	239.15 грн
240+	238.45 грн
480+	226.60 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R080CFDAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 43.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

на замовлення 720 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	650.49 грн
24+	554.12 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

IPW65R080CFDAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 43.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R080CFDAFKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 43.3A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 17.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 391W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.76mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 161 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4440 pF @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1130 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	549.86 грн
30+	308.58 грн
120+	260.04 грн
510+	222.73 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R080CFDFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 43.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 1290 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

54+	606.61 грн
100+	576.49 грн
500+	546.38 грн
1000+	496.79 грн

Мінімальне замовлення: 54

В кошику од. на суму грн.

IPW65R080CFDFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 43.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 2280 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

54+	606.61 грн
100+	576.49 грн
500+	546.38 грн
1000+	496.79 грн

Мінімальне замовлення: 54

В кошику од. на суму грн.

IPW65R080CFDFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 43.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 75 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

54+	606.61 грн

Мінімальне замовлення: 54

В кошику од. на суму грн.

IPW65R080CFDFKSA1

Description: MOSFET N-CH 700V 43.3A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 17.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 391W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.76mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5030 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R080CFDFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 43.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 130 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

54+	606.61 грн
100+	576.49 грн

Мінімальне замовлення: 54

В кошику од. на суму грн.

IPW65R080CFDFKSA1

Description: INFINEON - IPW65R080CFDFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 43.3 A, 0.08 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 391W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm

на замовлення 2252 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	516.54 грн
5+	475.05 грн
10+	432.75 грн
50+	369.36 грн
100+	284.47 грн
250+	278.89 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW65R080CFDFKSA1

Код виробника: SP000745036 MOSFET N-CH 6500V 43.3A TO-247 Група товару: Транзистори Од. вим: шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R080CFDFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 43.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 180 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

54+	606.61 грн
100+	576.49 грн

Мінімальне замовлення: 54

В кошику од. на суму грн.

IPW65R080CFDFKSA1

MOSFETs N-Ch 650V 43.3A TO247-3 CoolMOS CFD2

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	620.66 грн
10+	484.30 грн
25+	379.99 грн
100+	336.76 грн
240+	315.85 грн
480+	301.21 грн
1200+	289.35 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R080CFDFKSA2

Description: MOSFET N-CH 650V 43.3A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 17.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 391W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.8mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5030 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R080CFDFKSA2

Description: INFINEON - IPW65R080CFDFKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 43.3 A, 0.072 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 391W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 136 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	649.94 грн
5+	645.87 грн
10+	640.99 грн
50+	354.25 грн
100+	276.11 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW65R080CFDFKSA2

MOSFETs HIGH POWER_LEGACY

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R080CFDFKSA2

Trans MOSFET N-CH 650V 43.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R090CFD7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R090CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R090CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R090CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 1440 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	299.89 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPW65R090CFD7XKSA1

Description: HIGH POWER_NEW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 127W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 630µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2513 pF @ 400 V

на замовлення 169 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	484.75 грн
30+	267.16 грн
120+	223.22 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R090CFD7XKSA1

Description: INFINEON - IPW65R090CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 25 A, 0.068 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 127W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 29 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	440.07 грн
10+	348.97 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW65R090CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 119 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

26+	498.19 грн
28+	462.92 грн
50+	294.27 грн
100+	282.81 грн

Мінімальне замовлення: 26

В кошику од. на суму грн.

IPW65R095C7

Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 11.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA
Supplier Device Package: PG-TO247
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2140 pF @ 400 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R095C7

MOSFETs HIGH POWERNEW

на замовлення 941 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	392.08 грн
10+	302.29 грн
25+	234.27 грн
100+	204.99 грн
240+	186.16 грн
480+	177.10 грн
1200+	165.94 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R095C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 420 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

47+	277.22 грн
53+	246.33 грн
120+	213.54 грн

Мінімальне замовлення: 47

В кошику од. на суму грн.

IPW65R095C7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 486 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	422.18 грн
25+	218.90 грн
100+	169.43 грн
240+	168.73 грн
480+	147.12 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R095C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R095C7XKSA1

Description: INFINEON - IPW65R095C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.084 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 128W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.084ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 576 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	434.38 грн
10+	339.20 грн
100+	220.44 грн
500+	172.97 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW65R095C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 4560 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

128+	253.83 грн
500+	239.85 грн
1000+	226.94 грн

Мінімальне замовлення: 128

В кошику од. на суму грн.

IPW65R095C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 420 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	297.46 грн
30+	264.32 грн
120+	229.14 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPW65R095C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R095C7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 11.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2140 pF @ 400 V

на замовлення 473 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	396.12 грн
30+	216.63 грн
120+	180.28 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R095C7XKSA1
Код товару: 201470

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R095C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 232 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

27+	480.13 грн
50+	376.01 грн
100+	275.03 грн

Мінімальне замовлення: 27

В кошику од. на суму грн.

IPW65R099C6

MOSFETs N-Ch 700V 38A TO247-3

на замовлення 161 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	512.47 грн
10+	356.81 грн
100+	258.67 грн
480+	230.09 грн
1200+	215.45 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R099C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R099C6FKSA1

MOSFETs N-Ch 700V 38A TO247-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R099C6FKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 38A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 12.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R099C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 165 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

91+	354.93 грн
100+	337.72 грн

Мінімальне замовлення: 91

В кошику од. на суму грн.

IPW65R099C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R099CFD7A

IPW65R099CFD7A

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	699.25 грн
25+	666.97 грн
50+	640.13 грн
100+	595.51 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

IPW65R099CFD7AXKSA1

MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS

на замовлення 60 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	513.28 грн
10+	290.26 грн
100+	211.26 грн
480+	191.74 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R099CFD7AXKSA1

Description: INFINEON - IPW65R099CFD7AXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.082 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 127W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.082ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	475.86 грн
5+	383.94 грн
10+	292.03 грн
50+	265.88 грн
100+	239.85 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW65R099CFD7AXKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO247-3-41
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 127W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 630µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2513 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 14 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	425.14 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R099CFD7AXKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

на замовлення 1484 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

87+	371.06 грн
100+	356.01 грн
500+	340.95 грн
1000+	310.10 грн

Мінімальне замовлення: 87

В кошику од. на суму грн.

IPW65R099CFD7AXKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

на замовлення 213840 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	351.33 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPW65R099CFD7AXKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R099CFD7AXKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R099CFD7AXKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

на замовлення 210 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	658.24 грн
50+	418.39 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

IPW65R110CFD

на замовлення 39 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW65R110CFD

MOSFETs N-Ch 700V 31.2A TO247-3 CoolMOS CFD2

на замовлення 17 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	562.09 грн
10+	474.68 грн
25+	375.11 грн
100+	344.43 грн
240+	323.52 грн
480+	302.60 грн
960+	273.32 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R110CFD

Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 1300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

30+	437.13 грн
31+	418.35 грн
50+	402.41 грн
100+	374.87 грн
250+	336.58 грн
500+	314.32 грн
1000+	306.63 грн

Мінімальне замовлення: 30

В кошику од. на суму грн.

IPW65R110CFD7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R110CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R110CFD7XKSA1

Description: INFINEON - IPW65R110CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 22 A, 0.087 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.087ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 158 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	387.20 грн
10+	227.76 грн
100+	171.64 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPW65R110CFD7XKSA1

Description: HIGH POWER_NEW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 480µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1942 pF @ 400 V

на замовлення 221 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	409.45 грн
30+	222.32 грн
120+	184.54 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R110CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R110CFDA

MOSFETs N-Ch 650V 31.2A TO247-3

на замовлення 584 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	504.33 грн
10+	367.23 грн
100+	258.67 грн
480+	229.39 грн
1200+	203.59 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R110CFDA

на замовлення 327600 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW65R110CFDAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

на замовлення 480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

26+	508.52 грн
30+	434.35 грн

Мінімальне замовлення: 26

В кошику од. на суму грн.

IPW65R110CFDAFKSA1

Description: INFINEON - IPW65R110CFDAFKSA1 - Leistungs-MOSFET, AEC-Q101, n-Kanal, 650 V, 31.2 A, 0.099 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 277.8W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFDA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 965 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	300.16 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPW65R110CFDAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R110CFDAFKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 277.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.3mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 226 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	543.58 грн
30+	286.47 грн
120+	255.94 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R110CFDAFKSA1

MOSFETs N-Ch 650V 31.2A TO247-3

на замовлення 202 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	488.06 грн
10+	342.38 грн
100+	251.70 грн
480+	184.77 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R110CFDAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R110CFDAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 9120 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	370.60 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPW65R110CFDAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

на замовлення 224 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

97+	335.57 грн
102+	318.36 грн

Мінімальне замовлення: 97

В кошику од. на суму грн.

IPW65R110CFDFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 90 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW65R110CFDFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 6480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

60+	435.60 грн
100+	414.09 грн
500+	392.58 грн
1000+	356.78 грн

Мінімальне замовлення: 60

В кошику од. на суму грн.

IPW65R110CFDFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 90 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW65R110CFDFKSA1
Код товару: 196399

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > IGBT

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R110CFDFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 19220 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

60+	435.60 грн
100+	414.09 грн
500+	392.58 грн
1000+	356.78 грн
10000+	311.14 грн

Мінімальне замовлення: 60

В кошику од. на суму грн.

IPW65R110CFDFKSA1

Description: INFINEON - IPW65R110CFDFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 31.2 A, 0.099 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 277.8W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 277.8W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.099ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 235 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	634.48 грн
10+	526.30 грн
25+	436.00 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW65R110CFDFKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 277.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.3mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R110CFDFKSA1

MOSFETs N-Ch 700V 31.2A TO247-3 CoolMOS CFD2

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R110CFDFKSA2

Description: INFINEON - IPW65R110CFDFKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 31.2 A, 0.099 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 277.8W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	461.22 грн
10+	281.45 грн
100+	230.20 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW65R110CFDFKSA2

Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 1440 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	379.71 грн
480+	322.58 грн
1200+	302.36 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPW65R110CFDFKSA2

Description: MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 277.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.3mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 100 V

на замовлення 198 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	425.14 грн
30+	233.78 грн
120+	195.18 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R110CFDFKSA2

MOSFETs HIGH POWER_LEGACY

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R110CFDFKSA2

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 31.2A; 277.8W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 118nC
On-state resistance: 0.11Ω
Drain current: 31.2A
Power dissipation: 277.8W
Drain-source voltage: 700V

на замовлення 28 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

2+	408.53 грн
10+	308.85 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW65R110CFDFKSA2

Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R115CFD7AXKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 21A TO247-3-41
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 490µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 177 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	376.51 грн
30+	205.25 грн
120+	170.59 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R115CFD7AXKSA1

MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS

на замовлення 215 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	405.09 грн
10+	278.23 грн
100+	195.92 грн
480+	174.31 грн
1200+	149.21 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R115CFD7AXKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

28+	464.64 грн
29+	457.75 грн
50+	301.02 грн

Мінімальне замовлення: 28

В кошику од. на суму грн.

IPW65R115CFD7AXKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	296.77 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPW65R115CFD7AXKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

на замовлення 535 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

127+	254.91 грн
500+	242.00 грн

Мінімальне замовлення: 127

В кошику од. на суму грн.

IPW65R115CFD7AXKSA1

Description: INFINEON - IPW65R115CFD7AXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 21 A, 0.103 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7A Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.103ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 145 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	455.53 грн
10+	449.02 грн
100+	223.70 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW65R115CFD7AXKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R125C7

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	342.46 грн
10+	267.81 грн
100+	188.25 грн
480+	167.34 грн
1200+	142.93 грн
2640+	135.26 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R125C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 1644 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

143+	225.87 грн
500+	214.03 грн
1000+	202.20 грн

Мінімальне замовлення: 143

В кошику од. на суму грн.

IPW65R125C7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R125C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R125C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 257 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

143+	225.87 грн

Мінімальне замовлення: 143

В кошику од. на суму грн.

IPW65R125C7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 18A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 8.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 101W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 440µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 400 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R125C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R125CFD7XKSA1

Description: HIGH POWER_NEW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 98W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 420µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1694 pF @ 400 V

на замовлення 231 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	332.58 грн
30+	175.44 грн
120+	152.29 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R125CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R125CFD7XKSA1

Description: INFINEON - IPW65R125CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 19 A, 0.1 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 98W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 466 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	339.20 грн
10+	203.36 грн
100+	155.37 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPW65R125CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R125CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

166+	194.67 грн

Мінімальне замовлення: 166

В кошику од. на суму грн.

IPW65R125CFD7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 102 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	337.58 грн
25+	170.79 грн
100+	135.26 грн
240+	134.57 грн
480+	113.65 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R145CFD7AXKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

164+	196.83 грн

Мінімальне замовлення: 164

В кошику од. на суму грн.

IPW65R145CFD7AXKSA1

Description: INFINEON - IPW65R145CFD7AXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 17 A, 0.122 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 98W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7A SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.122ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R145CFD7AXKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R145CFD7AXKSA1

MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R145CFD7AXKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 17A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 98W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 420µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1694 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R150CFD
Код товару: 188945

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R150CFD

MOSFETs N-Ch 700V 22.4A TO247-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R150CFDA

MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R150CFDAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 22.4A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R150CFDAFKSA1

MOSFETs N-Ch 650V 22.4A TO247-3

на замовлення 270 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	260.30 грн
25+	179.61 грн
100+	149.91 грн
240+	149.21 грн
480+	135.26 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW65R150CFDAFKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 22.4A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 9.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 195.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 900µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 426 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	254.93 грн
30+	179.95 грн
120+	168.16 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW65R150CFDAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 22.4A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R150CFDAFKSA1
Код товару: 207780

Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R150CFDFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 22.4A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R150CFDFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 22.4A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R150CFDFKSA1

MOSFETs N-Ch 700V 22.4A TO247-3

на замовлення 143 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	335.95 грн
10+	248.56 грн
25+	192.44 грн
100+	167.34 грн
240+	152.69 грн
480+	144.33 грн
1200+	133.17 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R150CFDFKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 22.4A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 9.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 195.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 900µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R150CFDFKSA2

Trans MOSFET N-CH 650V 22.4A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R150CFDFKSA2

MOSFETs HIGH POWER_LEGACY

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R150CFDFKSA2

Description: MOSFET N-CH 650V 22.4A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 9.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 195.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 900µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 100 V

на замовлення 192 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	306.70 грн
30+	164.54 грн
120+	135.66 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW65R150CFDFKSA2

Trans MOSFET N-CH 650V 22.4A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R155CFD7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 242 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	305.85 грн
10+	284.65 грн
25+	153.39 грн
100+	151.30 грн
240+	146.42 грн
480+	108.07 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW65R155CFD7XKSA1

Description: HIGH POWER_NEW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 6.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 77W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1283 pF @ 400 V

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	352.98 грн
30+	189.64 грн
120+	156.53 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R155CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R155CFD7XKSA1

Description: INFINEON - IPW65R155CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15 A, 0.131 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 77W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.131ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 39 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	305.85 грн
10+	304.23 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPW65R155CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R15OCFDAFKSA1

Description: N-CHANNEL AUTOMOTIVE MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R190C6

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 730µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R190C6

MOSFET N-Ch 700V 20.2A TO247-3 CoolMOS C6

на замовлення 91 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW65R190C6FKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 20.2A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 730µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R190C7

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	327.82 грн
10+	210.88 грн
100+	143.63 грн
480+	119.92 грн
1200+	111.56 грн
2640+	104.59 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R190C7

Description: IPW65R190 - 650V AND 700V COOLMO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 290µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 400 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R190C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R190C7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 13A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 290µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 400 V

на замовлення 227 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	314.54 грн
30+	167.58 грн
120+	137.74 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R190C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	160.81 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPW65R190C7XKSA1

Description: INFINEON - IPW65R190C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.404 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 72W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.404ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 420 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	269.25 грн
10+	200.92 грн
100+	162.69 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IPW65R190C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R190C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

39+	332.13 грн
50+	326.97 грн
200+	185.86 грн

Мінімальне замовлення: 39

В кошику од. на суму грн.

IPW65R190C7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 324 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	327.00 грн
10+	210.08 грн
100+	143.63 грн
480+	119.92 грн
1200+	111.56 грн
2640+	104.59 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R190CFD

MOSFET N-Ch 650V 17.5A TO247-3 CoolMOS CFD2

на замовлення 480 шт:

термін постачання 1079-1088 дні (днів)

1+	375.81 грн
10+	332.76 грн
100+	216.84 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R190CFD

на замовлення 1920 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW65R190CFD7AXKSA1

MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R190CFD7AXKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 14A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 6.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 77W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1291 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R190CFD7AXKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R190CFDA

MOSFET N-Ch 650V 17.5A TO247-3

на замовлення 11 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW65R190CFDAFKSA1

MOSFET N-Ch 650V 17.5A TO247-3

на замовлення 150 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW65R190CFDAFKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 17.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 700µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R190CFDAFKSA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPW65R190CFDAFKSA1 - IPW65R190 600V-800V N-CHANNEL AUTOMOTIV
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 55 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW65R190CFDFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 17.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 148 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	139.61 грн
9+	91.36 грн
10+	91.31 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

IPW65R190CFDFKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 17.5A; 151W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 17.5A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R190CFDFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 17.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R190CFDFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 17.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 148 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW65R190CFDFKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 17.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 730µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R190CFDFKSA2

Trans MOSFET N-CH 650V 17.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R190CFDFKSA2

Description: MOSFET N-CH 650V 17.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 700µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 100 V

на замовлення 468 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	307.48 грн
30+	163.40 грн
120+	134.17 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW65R190CFDFKSA2

Trans MOSFET N-CH 650V 17.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R190CFDFKSA2

MOSFETs HIGH POWER_LEGACY

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R190E6

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 730µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 100 V

на замовлення 539 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

160+	135.82 грн

Мінімальне замовлення: 160

В кошику од. на суму грн.

IPW65R190E6

Trans MOSFET N-CH 650V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 219 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

128+	101.53 грн
132+	98.21 грн

Мінімальне замовлення: 128

В кошику од. на суму грн.

IPW65R190E6

MOSFET N-Ch 700V 20.2A TO247-3 CoolMOS E6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R190E6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 370 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

186+	174.24 грн

Мінімальне замовлення: 186

В кошику од. на суму грн.

IPW65R190E6FKSA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R190E6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 197 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

186+	174.24 грн

Мінімальне замовлення: 186

В кошику од. на суму грн.

IPW65R230CFD7AXKSA1

MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS

на замовлення 85 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	307.48 грн
10+	196.45 грн
100+	119.92 грн
480+	100.40 грн
1200+	96.92 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW65R230CFD7AXKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R230CFD7AXKSA1

Description: 650V COOLMOS CFD7A SJ POWER DEVI
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 260µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1044 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	315.32 грн

В кошику од. на суму грн.

IPW65R230CFD7AXKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

на замовлення 395 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

189+	171.01 грн

Мінімальне замовлення: 189

В кошику од. на суму грн.

IPW65R230CFD7AXKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R280C6

MOSFET N-Ch 700V 13.8A TO247-3 CoolMOS C6

на замовлення 108 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	290.40 грн
10+	257.38 грн
100+	183.37 грн
240+	182.68 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW65R280C6

Description: 650 V COOLMOS E6 POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V

на замовлення 466 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

194+	111.97 грн

Мінімальне замовлення: 194

В кошику од. на суму грн.

IPW65R280C6FKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 13.8A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V

на замовлення 200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

171+	117.75 грн

Мінімальне замовлення: 171

В кошику од. на суму грн.

IPW65R280C6FKSA1

MOSFET LOW POWER_LEGACY

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R280C6FKSA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R280C6FKSA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPW65R280C6FKSA1 - IPW65R280 650V AND 700V COOLMOS N-CHANN
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 466 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

187+	133.40 грн

Мінімальне замовлення: 187

В кошику од. на суму грн.

IPW65R280C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 236 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

226+	143.05 грн

Мінімальне замовлення: 226

В кошику од. на суму грн.

IPW65R280C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 230 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

226+	143.05 грн

Мінімальне замовлення: 226

В кошику од. на суму грн.

IPW65R280E6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R280E6

MOSFET N-Ch 700V 13.8A TO247-3 CoolMOS E6

на замовлення 363 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW65R280E6FKSA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPW65R280E6FKSA1 - IPW65R280E6 650V AND 700V COOLMOS N-CHA
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

186+	135.03 грн

Мінімальне замовлення: 186

В кошику од. на суму грн.

IPW65R280E6FKSA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R280E6FKSA1

на замовлення 200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

170+	119.24 грн

Мінімальне замовлення: 170

В кошику од. на суму грн.

IPW65R310CFD

MOSFET N-Ch 650V 11.4A TO247-3 CoolMOS CFD2

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R310CFD

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 104.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 440µA
Supplier Device Package: PG-TO247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V

на замовлення 10341 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

219+	98.97 грн

Мінімальне замовлення: 219

В кошику од. на суму грн.

IPW65R310CFDAFKSA1

MOSFET N-Ch 700V 11.4A TO247-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R310CFDFKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 11.4A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 104.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 440µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R310CFDFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 11.4A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 9448 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

187+	173.16 грн
500+	155.95 грн
1000+	144.12 грн

Мінімальне замовлення: 187

В кошику од. на суму грн.

IPW65R310CFDFKSA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPW65R310CFDFKSA1 - IPW65R310 650V AND 700V COOLMOS N-CHANN
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 9448 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

211+	118.76 грн

Мінімальне замовлення: 211

В кошику од. на суму грн.

IPW65R420CFD

MOSFET N-Ch 650V 8.7A TO247-3 CoolMOS CFD2

на замовлення 240 шт:

термін постачання 385-394 дні (днів)

2+	228.58 грн
10+	189.23 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW65R420CFDFKSA1

Description: INFINEON - IPW65R420CFDFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 8.7 A, 0.378 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83.3W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.378ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 189 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	249.73 грн
10+	170.01 грн
100+	124.46 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IPW65R420CFDFKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 8.7A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 340µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R420CFDFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 8.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 720 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

213+	151.65 грн
500+	143.05 грн

Мінімальне замовлення: 213

В кошику од. на суму грн.

IPW65R420CFDFKSA2

MOSFETs LOW POWER_LEGACY

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R420CFDFKSA2

Description: MOSFET N-CH 650V 8.7A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 300µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 100 V

на замовлення 120 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	255.71 грн
30+	134.02 грн
120+	109.27 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPW65R420CFDFKSA2

Trans MOSFET N-CH 650V 8.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R420CFDFKSA2

Trans MOSFET N-CH 650V 8.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R660CFD

MOSFET N-Ch 650V 6A TO247-3 CoolMOS CFD2

на замовлення 42 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPW65R660CFDFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 14277 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

257+	125.84 грн
500+	112.93 грн
1000+	104.32 грн
10000+	89.68 грн

Мінімальне замовлення: 257

В кошику од. на суму грн.

IPW65R660CFDFKSA1

Description: MOSFET N-CH 700V 6A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 660mOhm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 615 pF @ 100 V

на замовлення 8160 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

302+	74.66 грн

Мінімальне замовлення: 302

В кошику од. на суму грн.

IPW65R660CFDFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 445 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

257+	125.84 грн

Мінімальне замовлення: 257

В кошику од. на суму грн.

IPW65R660CFDFKSA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPW65R660CFDFKSA1