Продукція > SiS

BGA

на замовлення 25 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS-163-U

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS-163U

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS-6801-A1-AX

на замовлення 907 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS03VA

Description: CONV DC-DC 5V IN 1.5V OUT 4.5W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS03VB

Description: CONV DC-DC 5V IN 1.8V OUT 5.4W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS03VD

Description: CONV DC-DC 5V IN 2.5V OUT 7.5W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS03VE

Description: CONV DC-DC 5V IN 3.3V OUT 9.9W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS03VY

Description: CONV DC-DC 5V IN 1.2V OUT 8.4W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS044200SPL-1

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS07VA

Description: CONV DC-DC 5V IN 1.5V OUT 10.5W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS07VB

Description: CONV DC-DC 5V IN 1.8V OUT 12.6W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS07VD

Description: CONV DC-DC 5V IN 2.5V OUT 17.5W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS07VE

Description: CONV DC-DC 5V IN 3.3V OUT 23.1W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS106DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 9.8A/16A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 30 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	29.40 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIS106DN-T1-GE3

MOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

на замовлення 20895 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	85.23 грн
10+	58.18 грн
100+	39.19 грн
500+	30.86 грн
1000+	28.13 грн
3000+	27.31 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIS106DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 9.8A/16A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 30 V

на замовлення 4890 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	70.67 грн
10+	55.99 грн
100+	43.57 грн
500+	34.65 грн
1000+	28.23 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIS108DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS108DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 16 A, 0.034 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 24W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 24W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.028ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 15131 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	41.02 грн
500+	27.59 грн
1000+	23.15 грн
5000+	20.21 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIS108DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS108DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 16 A, 0.034 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 24W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 15131 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	79.26 грн
15+	53.45 грн
100+	41.02 грн
500+	27.59 грн
1000+	23.15 грн
5000+	20.21 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

SIS108DN-T1-GE3

MOSFETs Nch 80V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

на замовлення 24022 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	80.45 грн
10+	53.63 грн
100+	35.09 грн
500+	27.45 грн
1000+	24.99 грн
3000+	22.53 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIS110DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 5.2A/14.2A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta), 14.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 50 V

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	15.36 грн
6000+	14.26 грн
9000+	13.96 грн
15000+	12.88 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIS110DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS110DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 14.2 A, 0.054 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 24W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 26847 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	27.00 грн
500+	19.23 грн
1000+	15.84 грн
5000+	12.56 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIS110DN-T1-GE3

MOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

на замовлення 111653 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	58.23 грн
10+	39.42 грн
100+	23.49 грн
500+	19.19 грн
1000+	17.41 грн
3000+	13.79 грн
6000+	13.38 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SIS110DN-T1-GE3

на замовлення 26847 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	57.19 грн
21+	39.51 грн
100+	27.00 грн
500+	19.23 грн
1000+	15.84 грн
5000+	12.56 грн

Мінімальне замовлення: 14

В кошику од. на суму грн.

SIS110DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 5.2A/14.2A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta), 14.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 50 V

на замовлення 19507 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	54.54 грн
10+	36.54 грн
100+	25.47 грн
500+	19.94 грн
1000+	17.71 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SIS112-12VDC

PCB Power Relay

на замовлення 20 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	1868.92 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

SIS112LDN-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 119mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355 pF @ 50 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	47.62 грн
10+	39.57 грн
100+	27.38 грн
500+	21.47 грн
1000+	18.27 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SIS112LDN-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 119mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355 pF @ 50 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	18.01 грн
6000+	16.43 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIS112LDN-T1-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET

на замовлення 1415 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	60.94 грн
10+	42.63 грн
100+	24.99 грн
500+	19.66 грн
1000+	17.82 грн
3000+	14.88 грн
6000+	13.72 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SIS112LDN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS112LDN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS112LDN-T1-GE3 - MOSFET, N-CH, 100V, 8.8A/POWERPAK 1212-8
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS112LDN-T1-GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS1206L-4R6FT

на замовлення 142 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS126DN-T1-GE3

MOSFETs POWER P AKNC HAN80V

на замовлення 5970 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	86.82 грн
10+	57.47 грн
100+	37.96 грн
500+	31.48 грн
1000+	26.22 грн
3000+	24.03 грн
6000+	23.62 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIS126DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS126DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 45.1 A, 0.0085 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 52W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0085ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 477 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	44.45 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIS126DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 80V 12A/45.1A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 45.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1402 pF @ 40 V

на замовлення 5169 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	82.96 грн
10+	53.62 грн
100+	40.71 грн
500+	31.04 грн
1000+	27.36 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIS126DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS126DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 45.1 A, 0.0085 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 477 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	87.62 грн
14+	58.63 грн
100+	44.45 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

SIS126DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 80V 12A/45.1A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 45.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1402 pF @ 40 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	26.16 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIS128LDN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 80V 10.2A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS128LDN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS128LDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 33.7 A, 0.013 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 39W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.013ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 1019 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	43.57 грн
500+	31.66 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIS128LDN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 80V 10.2A/33.7A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Ta), 33.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 40 V

на замовлення 13271 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	97.55 грн
10+	59.47 грн
100+	39.36 грн
500+	28.86 грн
1000+	26.25 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIS128LDN-T1-GE3

MOSFETs POWER P AKNC HAN80V

на замовлення 16008 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	81.25 грн
10+	54.18 грн
100+	32.64 грн
500+	28.54 грн
1000+	25.19 грн
3000+	22.60 грн
6000+	21.37 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIS128LDN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS128LDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 33.7 A, 0.013 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 1794 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	90.01 грн
50+	59.34 грн
100+	43.33 грн
500+	31.44 грн
1500+	26.15 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SIS128LDN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 80V 10.2A/33.7A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Ta), 33.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 40 V

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	25.39 грн
6000+	22.68 грн
9000+	21.77 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIS150-40-TG-N5

Description: NATURAL GAS HEATER INFRARED VACU
Packaging: Bulk
Material: Cast Iron Burner, Aluminum Reflectors
Height: 6-1/4"
Part Status: Active
Fuel Type: Natural Gas
Length (Inches): 513
Width (Inches): 13
BTU's: 150000
Ignition Type: Direct Spark

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	191306.91 грн

В кошику од. на суму грн.

SIS150E

на замовлення 21 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS160

на замовлення 150 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS162U

LFBGA

на замовлення 1494 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS163

на замовлення 50 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS163A

на замовлення 700 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS163A1DA

05+

на замовлення 1020 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS163U

на замовлення 227 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS163UZ

0750+/

на замовлення 1177 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS168C1AD

на замовлення 188 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS175-40-L5

Description: PROPANE HEATER INFRARED STANDARD
Packaging: Bulk
Voltage: 120V
Material: Cast Iron Burner, Aluminum Reflectors
Height: 6-1/4"
Part Status: Active
Current Rating (Amps): 2.4
Fuel Type: Propane
Length (Inches): 513
Width (Inches): 13
BTU's: 175000
Ignition Type: Direct Spark

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	153609.94 грн

В кошику од. на суму грн.

SIS175-40-N5

Description: NATURAL GAS HEATER INFRARED TUBE
Packaging: Bulk
Voltage: 120V
Material: Cast Iron Burner, Aluminum Reflectors
Height: 6-1/4"
Part Status: Active
Current Rating (Amps): 2.4
Fuel Type: Natural Gas
Length (Inches): 513
Width (Inches): 13
BTU's: 175000
Ignition Type: Direct Spark

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	147188.59 грн

В кошику од. на суму грн.

SIS175-40-TG-L5

Description: PROPANE HEATER INFRARED TOUGHGUY
Packaging: Bulk
Material: Cast Iron Burner, Aluminum Reflectors
Height: 6-1/4"
Part Status: Active
Fuel Type: Propane
Length (Inches): 513
Width (Inches): 13
BTU's: 175000
Ignition Type: Direct Spark

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	168311.44 грн

В кошику од. на суму грн.

SIS175-40-TG-N5

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	189466.54 грн

В кошику од. на суму грн.

SIS175-50-L5

Description: PROPANE HEATER INFRARED TUBE
Packaging: Bulk
Voltage: 120V
Material: Cast Iron Burner, Aluminum Reflectors
Height: 6-1/4"
Part Status: Active
Current Rating (Amps): 2.4
Fuel Type: Propane
Length (Inches): 633
Width (Inches): 13
BTU's: 175000
Ignition Type: Direct Spark

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	175122.97 грн

В кошику од. на суму грн.

SIS175-50-N5

Description: NATURAL GAS HEATER INFRARED TUBE
Packaging: Bulk
Voltage: 120V
Material: Cast Iron Burner, Aluminum Reflectors
Height: 6-1/4"
Part Status: Active
Current Rating (Amps): 2.4
Fuel Type: Natural Gas
Length (Inches): 633
Width (Inches): 13
BTU's: 175000
Ignition Type: Direct Spark

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	175122.97 грн

В кошику од. на суму грн.

SIS175-50-TG-L5

Description: PROPANE HEATER INFRARED TOUGHGUY
Packaging: Bulk
Material: Cast Iron Burner, Aluminum Reflectors
Height: 6-1/4"
Part Status: Active
Fuel Type: Propane
Length (Inches): 633
Width (Inches): 13
BTU's: 175000
Ignition Type: Direct Spark

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	179347.54 грн

В кошику од. на суму грн.

SIS176LDN-T1-GE3

MOSFETs POWRPK N CHAN 70V

на замовлення 35519 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	68.18 грн
10+	55.04 грн
100+	34.14 грн
500+	27.45 грн
1000+	25.06 грн
3000+	22.33 грн
6000+	22.26 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIS176LDN-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 70 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.9A (Ta), 42.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.9mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 70 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 35 V

на замовлення 11837 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	106.77 грн
10+	65.09 грн
100+	43.24 грн
500+	31.77 грн
1000+	28.94 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIS176LDN-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 70 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.9A (Ta), 42.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.9mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 70 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 35 V

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	28.04 грн
6000+	25.07 грн
9000+	24.09 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIS178LDN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS178LDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 70 V, 45.3 A, 0.0078 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 70V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 39W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0078ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 1173 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	40.54 грн
500+	31.44 грн
1000+	24.72 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIS178LDN-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 70 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.9A (Ta), 45.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 70 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1135 pF @ 35 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS178LDN-T1-GE3

MOSFETs PPAK1212 N-CH 70V 13.9A

на замовлення 37514 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	72.65 грн
10+	55.04 грн
100+	31.88 грн
500+	25.06 грн
1000+	22.87 грн
6000+	18.98 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIS178LDN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS178LDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 70 V, 45.3 A, 0.0095 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 70V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 738 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	77.42 грн
14+	59.42 грн
100+	40.54 грн
500+	30.03 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

SIS178LDN-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 70 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.9A (Ta), 45.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 70 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1135 pF @ 35 V

на замовлення 2802 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	68.36 грн
10+	57.03 грн
100+	39.48 грн
500+	30.96 грн
1000+	26.35 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIS180

на замовлення 45 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS184DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS184DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 65.3 A, 5800 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 3164 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	66.19 грн
500+	48.82 грн
1000+	42.40 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIS184DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 17.4A/65.3A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.4A (Ta), 65.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 30 V

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	45.04 грн
6000+	41.30 грн
9000+	39.40 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIS184DN-T1-GE3

MOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

на замовлення 28437 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	119.48 грн
10+	86.37 грн
100+	56.46 грн
500+	44.86 грн
1000+	39.67 грн
3000+	38.10 грн
9000+	37.76 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIS184DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS184DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 65.3 A, 5800 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 3164 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	153.73 грн
10+	97.98 грн
100+	66.19 грн
500+	48.82 грн
1000+	42.40 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SIS184DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 17.4A/65.3A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.4A (Ta), 65.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 30 V

на замовлення 14940 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	109.07 грн
10+	85.80 грн
100+	66.72 грн
500+	53.07 грн
1000+	43.23 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIS184LDN-T1-GE3

MOSFETs POWRPK N CHAN 60V

на замовлення 17550 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	156.12 грн
10+	102.07 грн
100+	61.38 грн
250+	61.31 грн
500+	49.57 грн
1000+	45.81 грн
3000+	42.88 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIS184LDN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS184LDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 69.4 A, 5400 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 69.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 5534 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	130.63 грн
10+	90.01 грн
100+	68.18 грн
500+	48.08 грн
1000+	41.03 грн
5000+	37.89 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SIS184LDN-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.7A (Ta), 69.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 30 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	53.56 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIS184LDN-T1-GE3

на замовлення 5534 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	68.18 грн
500+	48.08 грн
1000+	41.03 грн
5000+	37.89 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIS184LDN-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.7A (Ta), 69.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 30 V

на замовлення 5997 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	119.06 грн
10+	95.05 грн
100+	75.62 грн
500+	60.05 грн
1000+	50.95 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIS2038

DIP-471 SIS4047

на замовлення 112240 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS2038 DIP-471 SIS4047

на замовлення 91240 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS2038DIP-471

на замовлення 91240 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS2038DIP-471SIS4047

на замовлення 110329 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS212-12VDC

Power Relay 12VDC 6A DPST-NO/SPST-NC(29.2x16.6x16.5)mm THT

на замовлення 455 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

35+	1501.96 грн

Мінімальне замовлення: 35

В кошику од. на суму грн.

SIS212-12VDC

Power Relay 12VDC 6A DPST-NO/SPST-NC(29.2x16.6x16.5)mm THT

на замовлення 455 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

35+	1392.91 грн

Мінімальне замовлення: 35

В кошику од. на суму грн.

SIS212-12VDC SEN

Power Relay 12VDC 6A DPST-NO/SPST-NC(29.2x16.6x16.5)mm THT

на замовлення 15 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	2120.63 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

SIS212-24VDC

Power Relay 24VDC 6A DPST-NO/SPST-NC(29.2x16.6x16.5)mm THT

на замовлення 344 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	1205.84 грн
50+	1193.82 грн
100+	1139.67 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

SIS212-24VDC

Power Relay 24VDC 6A DPST-NO/SPST-NC(29.2x16.6x16.5)mm THT

на замовлення 344 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1301.70 грн
10+	1288.65 грн
50+	1275.80 грн
100+	1217.93 грн

В кошику од. на суму грн.

SIS212-24VDC SEN

Power Switching Relay

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

30+	2128.24 грн

Мінімальне замовлення: 30

В кошику од. на суму грн.

SIS212-5VDC

Power Relay 5VDC 6A DPST-NO/SPST-NC(29.2x16.6x16.5)mm THT

на замовлення 5 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS212-5VDC

Power Relay 5VDC 6A DPST-NO/SPST-NC(29.2x16.6x16.5)mm THT

на замовлення 35 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

35+	2055.81 грн

Мінімальне замовлення: 35

В кошику од. на суму грн.

SIS212-5VDC SEN

PCB Relay with Forcibly Guided Contacts

на замовлення 25 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	2171.38 грн

Мінімальне замовлення: 25

В кошику од. на суму грн.

SIS22224V

ELESTA

0947

на замовлення 2 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS300

00+

на замовлення 18 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS301

00+

на замовлення 296 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS301-A1

TQFP100

на замовлення 63 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS301B

на замовлення 22300 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SiS301B0EF-T-5

2002

на замовлення 587 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SiS301BO

на замовлення 11 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS301C2CA

03+

на замовлення 1355 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS301DH

01+

на замовлення 30 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS301DHMV

на замовлення 7323 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS301LVD0

на замовлення 214 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS301LVMV

на замовлення 214 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS301LVMVBO

на замовлення 542 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS301MV

на замовлення 449 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS301MV

02+

на замовлення 190 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS301MV

TQFP

на замовлення 130 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS301MVBOFF

02+

на замовлення 3745 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS301MVC

на замовлення 450 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS301VB

QFP100

на замовлення 60 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS302ELC

на замовлення 66 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS302ELV

на замовлення 160 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS302ELV

05+

на замовлення 39 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS302ELVE

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS302ELVE0

на замовлення 152 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS302ELVMV

на замовлення 13000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS302ELVZ

06+

на замовлення 520 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS302ELVZE0CY

на замовлення 30 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS302LV

0602+

на замовлення 49 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS302LVE0

на замовлення 298 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS302LVE0CY-L-5

2004

на замовлення 730 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS302LVEOBF(CM.01)

на замовлення 2884 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS302LVMV

02+

на замовлення 30 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS302LVMV

на замовлення 2435 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS302LVZE0CY-5

QFP128

на замовлення 361 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS305

02+

на замовлення 320 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS305

на замовлення 403 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS305DOAA

на замовлення 118 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SiS307DV

на замовлення 31 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS307DVAOAA

на замовлення 20949 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS307ELV

на замовлення 450 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS307ELVBO BA

08+

на замовлення 770 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS307ELVBOBA

на замовлення 770 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS315

02+

на замовлення 80 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS315AOGA

на замовлення 1098 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS315E

на замовлення 85 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS316MX

на замовлення 143 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS322DNT-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS322DNT-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS322DNT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 38.3A 8-Pin PowerPAK EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS322DNT-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS322DNT-T1-GE3

MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S

на замовлення 3875 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS330DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS333A1CA

на замовлення 223 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS333A1CACM02

на замовлення 210 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS334DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 20A 1212-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS4001X01-3070

на замовлення 3981 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS402DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V

на замовлення 4271 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	192.79 грн
10+	119.82 грн
100+	82.15 грн
500+	61.98 грн
1000+	57.12 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIS402DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS402DN-T1-GE3

MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

на замовлення 13152 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	179.22 грн
10+	113.85 грн
100+	68.96 грн
500+	54.83 грн
1000+	53.39 грн
3000+	48.07 грн
6000+	47.72 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIS402DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	72.98 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIS402DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	56.39 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIS402DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS4047DIP-471SIS2038

на замовлення 110329 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS406DN-T1-E3

на замовлення 875 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS406DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS406DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS406DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 9 A, 0.011 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 2389 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	28.60 грн
500+	26.33 грн
1000+	22.60 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SiS406DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V

на замовлення 13189 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	56.07 грн
10+	46.45 грн
100+	32.14 грн
500+	25.20 грн
1000+	21.44 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SiS406DN-T1-GE3

SIS406DN-T1-GE3 SMD N channel transistors

на замовлення 2982 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

5+	64.57 грн
26+	46.55 грн
69+	43.98 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIS406DN-T1-GE3

на замовлення 2389 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	50.26 грн
21+	39.67 грн
100+	28.60 грн
500+	26.33 грн
1000+	22.60 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

SiS406DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	21.13 грн
6000+	19.28 грн
9000+	17.85 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SiS406DN-T1-GE3

на замовлення 71200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SiS406DN-T1-GE3

MOSFETs 30V Vds 25V Vgs PowerPAK 1212-8

на замовлення 105380 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	81.25 грн
10+	50.49 грн
100+	28.88 грн
500+	22.46 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIS407ADN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS407ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 18 A, 0.009 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39.1W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 2229 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	51.46 грн
50+	45.64 грн
100+	33.93 грн
500+	27.81 грн
1500+	22.87 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

SIS407ADN-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 18A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 39.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 168 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5875 pF @ 10 V

на замовлення 14026 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	93.71 грн
10+	56.51 грн
100+	37.29 грн
500+	27.25 грн
1000+	24.76 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIS407ADN-T1-GE3

MOSFETs -20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8

на замовлення 8281 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	37.12 грн
10+	36.04 грн
100+	26.70 грн
500+	22.94 грн
1000+	21.64 грн
3000+	19.60 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SIS407ADN-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS407ADN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS407ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 18 A, 0.0073 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 18
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 39.1
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0073
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	46.92 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIS407ADN-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 18A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 39.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 168 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5875 pF @ 10 V

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	23.89 грн
6000+	21.31 грн
9000+	20.44 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIS407DN-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 25A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 15.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93.8 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 10 V

на замовлення 42000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	26.51 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIS407DN-T1-GE3

MOSFETs -20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8

на замовлення 28126 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	89.21 грн
10+	66.35 грн
100+	41.85 грн
500+	32.84 грн
1000+	29.90 грн
3000+	26.35 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIS407DN-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 25A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS407DN-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 25A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 15.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93.8 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 10 V

на замовлення 43289 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	112.14 грн
10+	68.12 грн
100+	45.36 грн
500+	33.41 грн
1000+	30.46 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIS407DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS407DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 25 A, 0.0095 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 9807 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	94.79 грн
13+	63.33 грн
100+	47.55 грн
500+	35.58 грн
1000+	28.40 грн
5000+	25.54 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SIS40C3208-20

на замовлення 48 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS40C3208-20

на замовлення 48 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS410DN-T1-GE3

на замовлення 278 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS410DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 35A PPAK 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 10 V

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	29.77 грн
6000+	27.16 грн
9000+	26.48 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIS410DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 22A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

на замовлення 490 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

133+	97.59 грн
139+	93.23 грн
250+	89.49 грн

Мінімальне замовлення: 133

В кошику од. на суму грн.

SIS410DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS410DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 35 A, 4800 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.2W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 597 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	98.77 грн
12+	68.11 грн
100+	51.86 грн
500+	37.87 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SIS410DN-T1-GE3

MOSFETs 20V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

на замовлення 29501 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	88.42 грн
10+	60.14 грн
100+	39.87 грн
500+	33.32 грн
6000+	32.70 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIS410DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 35A PPAK 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 10 V

на замовлення 11310 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	86.80 грн
10+	58.80 грн
100+	45.79 грн
500+	34.17 грн
1000+	30.71 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIS410DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 22A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS410DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 22A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	63.39 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIS412DN

на замовлення 1556 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS412DN (SIS412DN-T1-GE3)
Код товару: 63212

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS412DN-T1-E3

09+ QFN-8

на замовлення 42 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS412DN-T1-E3
Код товару: 56990

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS412DN-T1-E3

QFN-8 09+

на замовлення 42 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS412DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS412DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12 A, 0.024 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 32433 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	50.66 грн
26+	30.83 грн
100+	24.45 грн
500+	21.52 грн
1000+	17.89 грн
5000+	15.02 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

SIS412DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS412DN-T1-GE3

MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

на замовлення 17022 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	43.81 грн
12+	26.30 грн
100+	18.09 грн
500+	17.21 грн
1000+	15.43 грн
3000+	12.43 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SIS412DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 15 V

на замовлення 33000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	15.40 грн
6000+	13.65 грн
9000+	13.05 грн
15000+	11.62 грн
21000+	11.24 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIS412DN-T1-GE3

SIS412DN-T1-GE3 SMD N channel transistors

на замовлення 2816 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

6+	61.39 грн
36+	32.45 грн
99+	30.77 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SIS412DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

на замовлення 7 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS412DN-T1-GE3
Код товару: 173697

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS412DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 15 V

на замовлення 33581 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	62.98 грн
10+	37.94 грн
100+	24.70 грн
500+	17.83 грн
1000+	16.11 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SiS412DNS412

на замовлення 199 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS413DN-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	18.80 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIS413DN-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 18A PPAK 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4280 pF @ 15 V

на замовлення 36000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	15.28 грн
6000+	13.55 грн
9000+	12.85 грн
15000+	11.53 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIS413DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS413DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 18 A, 0.0076 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0076ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 6236 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	26.13 грн
250+	23.45 грн
500+	18.78 грн
1000+	14.41 грн
5000+	13.11 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIS413DN-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	19.02 грн
6000+	18.16 грн
9000+	17.43 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIS413DN-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	29.80 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIS413DN-T1-GE3
Код товару: 151913

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові P-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS413DN-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 18A PPAK 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4280 pF @ 15 V

на замовлення 37688 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	58.38 грн
10+	37.65 грн
100+	24.52 грн
500+	17.70 грн
1000+	15.99 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SIS413DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS413DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 18 A, 0.0076 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0076ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 2371 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	55.12 грн
50+	38.79 грн
100+	26.53 грн
500+	20.49 грн
1500+	16.18 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

SIS413DN-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS413DN-T1-GE3

MOSFETs -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

на замовлення 41247 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	58.23 грн
10+	39.81 грн
100+	22.60 грн
500+	17.41 грн
1000+	15.70 грн
3000+	13.66 грн
6000+	12.70 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SIS413DN-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	17.75 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIS414DN-T1-GE3

MOSFET 20V 20A N-CH MOSFET

на замовлення 5061 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS414DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 795 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS415DNT-T1-GE3

MOSFETs -20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8S

на замовлення 22397 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	38.55 грн
10+	37.45 грн
100+	23.28 грн
500+	19.94 грн
1000+	18.16 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SIS415DNT-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 22.6A 8-Pin PowerPAK 1212-T T/R

на замовлення 1650 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	62.46 грн
14+	54.28 грн
25+	53.10 грн
100+	42.59 грн
250+	39.31 грн
500+	30.69 грн
1000+	20.31 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

SIS415DNT-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5460 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS415DNT-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS415DNT-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 35 A, 4000 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 1529 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	33.38 грн
500+	26.55 грн
1000+	21.64 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIS415DNT-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 22.6A 8-Pin PowerPAK 1212-T T/R

на замовлення 1650 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

256+	50.67 грн
262+	49.56 грн
314+	41.22 грн
315+	39.63 грн
500+	29.84 грн
1000+	18.96 грн

Мінімальне замовлення: 256

В кошику од. на суму грн.

SIS415DNT-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 22.6A 8-Pin PowerPAK 1212-T T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS415DNT-T1-GE3

на замовлення 1529 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	71.85 грн
17+	46.92 грн
100+	33.38 грн
500+	26.55 грн
1000+	21.64 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

SIS415DNT-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 22.6A 8-Pin PowerPAK 1212-T T/R

на замовлення 1780 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

318+	40.79 грн
382+	33.87 грн
384+	33.75 грн
500+	26.61 грн
1000+	22.38 грн

Мінімальне замовлення: 318

В кошику од. на суму грн.

SIS415DNT-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5460 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS422-12VDC

Power Relay 12VDC 6A 4PST-NO/DPST-NC(48x16.6x16.5)mm THT

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	3184.58 грн

Мінімальне замовлення: 25

В кошику од. на суму грн.

SIS422-12VDC

Power Relay 12VDC 6A 4PST-NO/DPST-NC(48x16.6x16.5)mm THT

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	1883.68 грн

Мінімальне замовлення: 25

В кошику од. на суму грн.

SIS424DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 35A PPAK 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 19.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS424DN-T1-GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SIS410DN-T1-GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS426DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 35A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS426DN-T1-GE3

VISHAY QFN 11+

на замовлення 110 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS426DN-T1-GE3

на замовлення 1620 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS426DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 35A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS427EDN-T1-GE3

MOSFET -30V Vds 25V Vgs PowerPAK 1212-8

на замовлення 3775 шт:

термін постачання 299-308 дні (днів)

7+	50.34 грн
10+	43.18 грн
100+	25.94 грн
500+	21.71 грн
1000+	18.91 грн
3000+	17.27 грн
6000+	16.52 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SIS427EDN-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 50A 8-Pin PowerPAK EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS427EDN-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1930 pF @ 15 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	17.80 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIS427EDN-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1930 pF @ 15 V

на замовлення 5818 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	71.43 грн
10+	43.05 грн
100+	28.20 грн
500+	20.47 грн
1000+	18.54 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIS429DNT-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 20A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 27.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS429DNT-T1-GE3

MOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S

на замовлення 2990 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	29.63 грн
13+	25.05 грн
100+	16.25 грн
500+	12.84 грн
1000+	9.90 грн
3000+	9.01 грн
9000+	7.51 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

SIS430DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 25V 35A PPAK 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 12.5 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS430DN-T1-GE3

MOSFET 25V 35A 52W

на замовлення 2471 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS430DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 25V 35A PPAK 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 12.5 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS434DN-T1-GE3

MOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

на замовлення 51557 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	85.23 грн
10+	54.02 грн
100+	35.57 грн
500+	29.29 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIS434DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS434DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 35 A, 7600 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7600µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 6879 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	105.14 грн
50+	69.30 грн
100+	52.57 грн
500+	39.65 грн
1500+	32.84 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SIS434DN-T1-GE3
Код товару: 209118

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS434DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 35A PPAK 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 16.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1530 pF @ 20 V

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	25.34 грн
6000+	23.13 грн
9000+	22.57 грн
15000+	20.90 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIS434DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS434DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS434DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 35 A, 7600 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7600µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 6879 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	52.57 грн
500+	39.65 грн
1500+	32.84 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIS434DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS434DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 35A PPAK 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 16.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1530 pF @ 20 V

на замовлення 22024 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	82.19 грн
10+	51.78 грн
100+	39.22 грн
500+	29.25 грн
1000+	26.66 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIS435DNT-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 30A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

на замовлення 2940 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	43.39 грн
19+	39.94 грн
25+	39.54 грн
100+	31.42 грн
250+	28.80 грн
500+	24.73 грн
1000+	20.31 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

SIS435DNT-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 30A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 13A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS435DNT-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 30A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

на замовлення 2940 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

348+	37.27 грн
351+	36.90 грн
426+	30.41 грн
430+	29.03 грн
500+	24.04 грн
1000+	18.96 грн

Мінімальне замовлення: 348

В кошику од. на суму грн.

SIS435DNT-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 30A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 13A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 10 V

на замовлення 2147 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	39.17 грн
10+	33.06 грн
100+	29.56 грн
500+	22.33 грн
1000+	20.25 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SIS435DNT-T1-GE3

MOSFET -20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8T

на замовлення 4082 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	48.91 грн
10+	41.85 грн
100+	26.49 грн
500+	22.67 грн
1000+	19.39 грн
3000+	18.57 грн
6000+	17.62 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SIS435DNT-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 30A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS436DN-T1-GE3

MOSFET 25V 16A 27.7W 10.5mohm @ 10V

на замовлення 2031 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS436DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 25V 16A PPAK 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 27.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 855 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS436DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 25V 16A PPAK 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 27.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 855 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS436DN-T1-GE3

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS438DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 16A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	42.75 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIS438DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS438DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 16 A, 0.0079 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0079ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 4487 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	69.22 грн
50+	47.55 грн
100+	34.49 грн
500+	28.03 грн
1500+	22.53 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

SIS438DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 16A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SiS438DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 16A PPAK 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 27.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 10 V

на замовлення 24532 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	65.29 грн
10+	43.71 грн
100+	31.83 грн
500+	23.47 грн
1000+	21.31 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SiS438DN-T1-GE3

на замовлення 162 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS438DN-T1-GE3
Код товару: 186242

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SiS438DN-T1-GE3

MOSFETs 20V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

на замовлення 5403 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	68.50 грн
10+	46.80 грн
100+	29.63 грн
500+	23.28 грн
1000+	21.17 грн
3000+	19.53 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIS438DN-T1-GE3

на замовлення 4487 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	34.49 грн
500+	28.03 грн
1500+	22.53 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIS438DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 16A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SiS438DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 16A PPAK 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 27.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 10 V

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	19.50 грн
6000+	18.31 грн
9000+	17.55 грн
15000+	15.90 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIS439DNT-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK1212-8S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2135 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS439DNT-T1-GE3

MOSFET -30V 11mOhm@-10V -50A P-CH

на замовлення 4456 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS439DNT-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK1212-8S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2135 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS4406DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS4406DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 62.8 A, 4750 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 62.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4750µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	105.94 грн
12+	66.67 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SIS4406DN-T1-GE3

MOSFETs 40V Vds +20, -16V Vgs PowerPAK 1212-8

на замовлення 11382 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	95.59 грн
10+	59.12 грн
100+	34.14 грн
500+	26.97 грн
1000+	25.06 грн
3000+	21.23 грн
6000+	20.00 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIS4406DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS4406DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 62.8 A, 4750 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 62.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4750µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS4410DC-T1

на замовлення 78000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS443DN-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	67.05 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIS443DN-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	71.84 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIS443DN-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 35A PPAK 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4370 pF @ 20 V

на замовлення 27135 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	157.46 грн
10+	96.82 грн
100+	65.59 грн
500+	49.03 грн
1000+	45.00 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIS443DN-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

на замовлення 2200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

258+	50.24 грн
262+	49.46 грн
266+	48.67 грн
271+	46.17 грн
500+	42.05 грн
1000+	39.69 грн

Мінімальне замовлення: 258

В кошику од. на суму грн.

SIS443DN-T1-GE3

MOSFETs -40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS443DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS443DN-T1-GE3 - MOSFET, P-CH, -40V, -35A, 150DEG C, 52W
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0117ohm
directShipCharge: 25

на замовлення 15244 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	139.40 грн
10+	99.57 грн
25+	90.01 грн
50+	76.18 грн
100+	62.95 грн
250+	56.87 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SIS443DN-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS443DN-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

на замовлення 2200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	53.83 грн
25+	52.99 грн
100+	50.28 грн
250+	45.80 грн
500+	43.25 грн
1000+	42.52 грн

Мінімальне замовлення: 14

В кошику од. на суму грн.

SIS443DN-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

на замовлення 19951 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

172+	75.48 грн
180+	72.11 грн
250+	69.21 грн
500+	64.33 грн
1000+	57.62 грн
2500+	53.68 грн
5000+	52.24 грн
10000+	50.96 грн

Мінімальне замовлення: 172

В кошику од. на суму грн.

SIS443DN-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 35A PPAK 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4370 pF @ 20 V

на замовлення 27000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	44.14 грн
6000+	40.71 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIS443DN-T1-GE3-X

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS444DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3065 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS444DN-T1-GE3

MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

на замовлення 3472 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	47.39 грн
10+	42.79 грн
100+	29.50 грн
500+	26.76 грн
1000+	23.62 грн
3000+	21.03 грн
6000+	19.80 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SIS447DN-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 18A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 181 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5590 pF @ 10 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	24.09 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIS447DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS447DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 18 A, 0.0058 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 9835 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	53.85 грн
21+	39.19 грн
100+	31.62 грн
500+	24.33 грн
1000+	21.37 грн
5000+	18.30 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

SIS447DN-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

на замовлення 11274 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

279+	46.51 грн
281+	46.05 грн
301+	43.09 грн
364+	34.35 грн
366+	31.57 грн
500+	27.51 грн
1000+	25.22 грн
3000+	23.48 грн
6000+	23.42 грн

Мінімальне замовлення: 279

В кошику од. на суму грн.

SIS447DN-T1-GE3

MOSFETs -20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8

на замовлення 13736 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	54.09 грн
10+	42.48 грн
100+	29.84 грн
500+	25.13 грн
1000+	22.80 грн
3000+	19.94 грн
6000+	18.91 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SIS447DN-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 18A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 181 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5590 pF @ 10 V

на замовлення 3830 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	62.98 грн
10+	52.96 грн
100+	36.63 грн
500+	28.72 грн
1000+	24.45 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIS447DN-T1-GE3

на замовлення 9835 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	31.62 грн
500+	24.33 грн
1000+	21.37 грн
5000+	18.30 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIS447DN-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

на замовлення 11274 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	49.83 грн
25+	49.34 грн
50+	44.52 грн
100+	34.07 грн
250+	32.47 грн
500+	29.47 грн
1000+	27.02 грн
3000+	25.16 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

SIS448DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1575 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS452DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 12V 35A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 6 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS452DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 12V 35A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 6 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS452DN-T1-GE3

MOSFET 12V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

на замовлення 4171 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS454DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS454DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 35 A, 3700 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 1925 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	96.38 грн
13+	63.96 грн
100+	48.59 грн
500+	35.80 грн
1000+	30.11 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SIS454DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	59.70 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIS454DN-T1-GE3

MOSFETs 20V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

на замовлення 18326 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	88.42 грн
10+	57.79 грн
100+	37.89 грн
500+	29.70 грн
1000+	29.36 грн
6000+	27.38 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIS454DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 35A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 10 V

на замовлення 8731 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	69.13 грн
10+	53.99 грн
100+	42.01 грн
500+	33.42 грн
1000+	27.22 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIS454DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS454DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 35A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 10 V

на замовлення 8400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	28.36 грн
6000+	26.01 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIS456DN-T1-GE3

MOSFET 30V 35A N-CH MOSFET

на замовлення 3853 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS456DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS456DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS4604DN-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.6A (Ta), 44.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 33.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 30 V

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	24.42 грн
6000+	21.80 грн
9000+	20.92 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIS4604DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS4604DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 44.4 A, 0.0095 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 9451 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	90.81 грн
13+	63.41 грн
100+	42.46 грн
500+	31.21 грн
1000+	25.88 грн
5000+	21.71 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SIS4604DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 14.6A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS4604DN-T1-GE3

MOSFETs POWRPK N CHAN 60V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	90.01 грн
10+	57.63 грн
100+	33.93 грн
500+	26.76 грн
1000+	24.51 грн
3000+	21.37 грн
6000+	20.35 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIS4604DN-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.6A (Ta), 44.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 33.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 30 V

на замовлення 10520 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	94.48 грн
10+	57.25 грн
100+	37.95 грн
500+	27.81 грн
1000+	25.29 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIS4604DN-T1-GE3

на замовлення 9451 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	42.46 грн
500+	31.21 грн
1000+	25.88 грн
5000+	21.71 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIS4604LDN-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.1A (Ta), 45.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 33.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 30 V

на замовлення 14527 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	61.45 грн
10+	48.60 грн
100+	37.81 грн
500+	30.07 грн
1000+	24.50 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIS4604LDN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS4604LDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 45.9 A, 0.0074 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

на замовлення 5437 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	79.66 грн
12+	67.47 грн
100+	48.59 грн
500+	37.28 грн
1000+	27.17 грн
3000+	25.33 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

SIS4604LDN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 15.1A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS4604LDN-T1-GE3

MOSFETs PPAK1212 N-CH 60V 15.1A

на замовлення 5491 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	100.37 грн
10+	62.19 грн
100+	35.84 грн
500+	28.33 грн
1000+	27.58 грн
3000+	23.42 грн
6000+	21.17 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIS4604LDN-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.1A (Ta), 45.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 33.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 30 V

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	25.52 грн
6000+	23.40 грн
9000+	22.32 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIS4604LDN-T1-GE3

на замовлення 5437 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	48.59 грн
500+	37.28 грн
1000+	27.17 грн
3000+	25.33 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIS4604LDN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 15.1A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	45.41 грн
18+	42.14 грн
25+	41.72 грн
50+	28.12 грн

Мінімальне замовлення: 17

В кошику од. на суму грн.

SIS4608DN-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Ta), 35.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 27.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 30 V

на замовлення 5855 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	59.14 грн
10+	49.48 грн
100+	34.23 грн
500+	26.84 грн
1000+	22.84 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SIS4608DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS4608DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 35.7 A, 0.0099 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27.1W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0099ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 5446 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	38.23 грн
500+	25.96 грн
1000+	21.37 грн
5000+	18.43 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIS4608DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 12.4A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS4608DN-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Ta), 35.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 27.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 30 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	22.51 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIS4608DN-T1-GE3

MOSFET N-CHANNEL 60 V MOSFET PWRPAK

на замовлення 2850 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	60.78 грн
10+	52.92 грн
100+	31.41 грн
500+	27.17 грн
3000+	23.08 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SIS4608DN-T1-GE3

на замовлення 5446 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	82.84 грн
14+	56.95 грн
100+	38.23 грн
500+	25.96 грн
1000+	21.37 грн
5000+	18.43 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

SIS4608DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 12.4A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	33.73 грн
23+	32.54 грн
25+	32.22 грн
50+	22.80 грн

Мінімальне замовлення: 22

В кошику од. на суму грн.

SIS4608LDN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS4608LDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 36.2 A, 0.0094 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27.1W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 5952 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	87.62 грн
13+	61.81 грн
100+	41.18 грн
500+	27.96 грн
1000+	23.08 грн
5000+	20.41 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

SIS4608LDN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 12.6A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	42.45 грн
19+	40.36 грн
25+	39.95 грн
50+	25.08 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

SIS4608LDN-T1-GE3

MOSFETs PPAK1212 N-CH 60V 12.6A

на замовлення 2195 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	81.25 грн
10+	56.14 грн
100+	32.50 грн
500+	25.40 грн
1000+	23.08 грн
3000+	21.17 грн
6000+	19.60 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIS4608LDN-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Ta), 36.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 27.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 905 pF @ 30 V

на замовлення 5985 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	63.75 грн
10+	53.11 грн
100+	36.76 грн
500+	28.83 грн
1000+	24.53 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIS4608LDN-T1-GE3

на замовлення 5952 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	41.18 грн
500+	27.96 грн
1000+	23.08 грн
5000+	20.41 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIS4608LDN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 12.6A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS4608LDN-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Ta), 36.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 27.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 905 pF @ 30 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	24.18 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIS4634LDN

SIS4634LDN

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS4634LDN-T1-GE3

MOSFET Automotive N-Channel 30 V (D-S) 175C MOSFET SOT-23, 24 mohm a. 10V, 32 mohm a. 4.5V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS4634LDN-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta), 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 30 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	18.34 грн
6000+	16.73 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIS4634LDN-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta), 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 30 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	48.39 грн
10+	40.24 грн
100+	27.89 грн
500+	21.87 грн
1000+	18.61 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SIS463EDC-T1

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS468DN

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS468DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 80V 30A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	42.71 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIS468DN-T1-GE3

MOSFETs 80V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

на замовлення 4453 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	131.43 грн
10+	82.44 грн
100+	48.95 грн
500+	38.78 грн
1000+	35.78 грн
3000+	33.80 грн
6000+	32.09 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIS468DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 80V 30A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 40 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	37.05 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIS468DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS468DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.016 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 43111 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	60.54 грн
500+	44.53 грн
1000+	37.42 грн
5000+	32.36 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIS468DN-T1-GE3
Код товару: 148149

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS468DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 80V 30A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS468DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 80V 30A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	44.90 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIS468DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 80V 30A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	41.90 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIS468DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS468DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.0195 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 39371 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	123.47 грн
11+	72.88 грн
100+	54.72 грн
500+	38.24 грн
1000+	32.57 грн
5000+	27.86 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SIS468DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 80V 30A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 40 V

на замовлення 4695 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	136.72 грн
10+	83.80 грн
100+	56.39 грн
500+	41.89 грн
1000+	38.34 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIS468DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 80V 30A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	45.65 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIS472ADN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 24A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1515 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS472ADN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS472ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 24 A, 0.007 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 2925 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	23.18 грн
500+	16.86 грн
1000+	9.90 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIS472ADN-T1-GE3

MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

на замовлення 5895 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	35.61 грн
11+	29.76 грн
100+	19.32 грн
500+	15.16 грн
1000+	11.74 грн
3000+	10.58 грн
9000+	9.15 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SIS472ADN-T1-GE3

на замовлення 2925 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	36.48 грн
26+	31.07 грн
100+	23.18 грн
500+	16.86 грн
1000+	9.90 грн

Мінімальне замовлення: 22

В кошику од. на суму грн.

SIS472BDN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 15.3A/38.3A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta), 38.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS472BDN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS472BDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38.3 A, 7500 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 665 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	68.74 грн
19+	43.17 грн
100+	28.04 грн
500+	19.97 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

SIS472BDN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 15.3A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS472BDN-T1-GE3

MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

на замовлення 4247 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	45.16 грн
10+	38.63 грн
100+	25.06 грн
500+	19.73 грн
1000+	15.23 грн
3000+	13.93 грн
9000+	12.08 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SIS472BDN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 15.3A/38.3A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta), 38.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 15 V

на замовлення 5450 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	43.78 грн
10+	35.65 грн
100+	24.79 грн
500+	18.17 грн
1000+	14.77 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SIS472BDN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS472BDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38.3 A, 7500 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 665 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	28.04 грн
500+	19.97 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIS472DN-T1-GE3

MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

на замовлення 2870 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	47.95 грн
10+	39.73 грн
100+	23.76 грн
500+	20.21 грн
1000+	18.30 грн
3000+	13.79 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SIS472DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 997 pF @ 15 V

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	18.14 грн
6000+	16.55 грн
9000+	15.32 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIS472DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 997 pF @ 15 V

на замовлення 17606 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	47.62 грн
10+	39.87 грн
100+	27.58 грн
500+	21.63 грн
1000+	18.41 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SIS476DN

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS476DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3595 pF @ 15 V

на замовлення 8473 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	91.40 грн
10+	61.47 грн
100+	47.45 грн
500+	35.12 грн
1000+	32.01 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIS476DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	40.77 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIS476DN-T1-GE3

MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

на замовлення 64472 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	97.98 грн
10+	66.11 грн
100+	42.88 грн
500+	33.80 грн
1000+	30.86 грн
3000+	27.17 грн
6000+	26.63 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIS476DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS476DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 2500 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 252 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	106.74 грн
11+	73.12 грн
100+	55.60 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SIS476DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3595 pF @ 15 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	31.27 грн
6000+	28.42 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIS476DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	38.26 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIS476DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS476DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS478DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 398 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS478DN-T1-GE3

на замовлення 6140 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS478DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 398 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS478DN-T1-GE3

MOSFET 30V Vds 25V Vgs PowerPAK 1212-8

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS488DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH Si 40V 40A 8-Pin PowerPAK 1212 EP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS488DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 40A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS488DN-T1-GE3

MOSFETs RECOMMENDED ALT SIS4

на замовлення 73006 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	65.80 грн
10+	46.64 грн
100+	27.38 грн
500+	25.47 грн
9000+	24.99 грн
24000+	24.44 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIS488DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS488DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 5500 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 347 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	36.56 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIS488DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 40A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS488DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH Si 40V 40A 8-Pin PowerPAK 1212 EP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS488DN-T1-GE3

на замовлення 347 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	77.98 грн
15+	55.20 грн
100+	36.56 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

SIS496EDNT-T1-GE3

MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S

на замовлення 306 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS496EDNT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

на замовлення 1198 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS496EDNT-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1515 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS496EDNT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

на замовлення 1198 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

46+	16.24 грн
64+	11.56 грн
72+	10.35 грн
98+	7.29 грн
114+	5.82 грн
250+	5.03 грн
500+	3.94 грн
1000+	3.30 грн

Мінімальне замовлення: 46

В кошику од. на суму грн.

SIS5101

07+

на замовлення 10 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS5101

на замовлення 960 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS5101B30T-TO

на замовлення 960 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS5102

07+

на замовлення 28 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS5102

на замовлення 960 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS5102AOAT-F

на замовлення 960 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS5102QP1HT1G

ON Semiconductor

IC Smart Hotplug High Side

на замовлення 4630 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1259.93 грн
1501+	900.12 грн

В кошику од. на суму грн.

SIS5102QP1HT1G

onsemi

Description: IC SMART HOTPLUG HI SIDE 12PLLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Applications: General Purpose

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS5102QP2HT1G

onsemi

Description: IC SMART HOTPLUG HI SIDE 12PLLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Applications: General Purpose

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS5103

07+

на замовлення 34 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS5103

на замовлення 960 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS5103B1BT

на замовлення 960 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS5107

на замовлення 600 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS5131

на замовлення 19 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS5142D2R2G

onsemi

Description: PRINTER POWER CONTROL
Packaging: Bulk

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2019+	9.95 грн

Мінімальне замовлення: 2019

В кошику од. на суму грн.

SIS5142D2R2G

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS5159A-F-A.SIS85

на замовлення 1009 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS530

BGA

на замовлення 154 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS530

на замовлення 210 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS530(A3)

на замовлення 47 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS530A2

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS530A2 DW

BGA

на замовлення 440 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS540

BGA

на замовлення 216 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS540

00+

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS540A1

на замовлення 31 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS540A1CX-AB-1

BGA

на замовлення 49 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS540A1DX-AB-1

BGA

на замовлення 547 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS550

на замовлення 23 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS5501

1995

на замовлення 209 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS5502

1995

на замовлення 210 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS5502

на замовлення 210 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS55033C

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS5511

на замовлення 263 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS5511B4ET-F-8

на замовлення 240 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS5511E3DT

на замовлення 240 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SiS5511F2CT-F-0

1996

на замовлення 264 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS5512

QFP

на замовлення 33 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS5512

1996

на замовлення 280 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS5512B1BT

на замовлення 360 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS5512DCA2

на замовлення 140 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS5513

1996

на замовлення 280 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS5513A6NT

на замовлення 400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS5513A8IT

на замовлення 230 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS5513A8NS-F-O

на замовлення 720 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS5513A8NS-FO

на замовлення 720 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS5513ABNS-F-0

на замовлення 240 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS551E3DT

на замовлення 240 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS552LV-A4

03+

на замовлення 34 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SiS5571

1998

на замовлення 226 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS5571B1

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS5571B1CE-B-O

на замовлення 210 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS5581

97+

на замовлення 210 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS5581

на замовлення 49 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SiS5582

1998

на замовлення 50 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SiS5591

BGA

на замовлення 32 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SiS5591

1998

на замовлення 1379 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS5591A2

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS5591A2CR-B-2

на замовлення 210 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS5595

07+

на замовлення 1077 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS5595

QFP208

на замовлення 109 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS5595

00+

на замовлення 320 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS5595

QFP

на замовлення 9 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS5595

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS5595(B2)

на замовлення 972 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS5595B2

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS5597B2CR

на замовлення 194 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS5598

1998

на замовлення 36 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS5598

на замовлення 117 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS5598B

BGA

на замовлення 372 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS5598B6

на замовлення 110 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS5598B60F

BGA

на замовлення 4 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS5598B60F-B-O

на замовлення 502 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS5598BC2CR

на замовлення 210 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS5600

на замовлення 64 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS5600A0

на замовлення 29 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS5600B2DF-B-0

BGA

на замовлення 5819 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS57051

на замовлення 60 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS5712DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 150V 2.2A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55.5mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 39.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 75 V

на замовлення 2340 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	129.04 грн
10+	78.92 грн
100+	52.51 грн
500+	38.89 грн
1000+	38.33 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIS5712DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 150V 2.2A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55.5mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 39.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 75 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS5712DN-T1-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET

на замовлення 12198 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	137.01 грн
10+	85.58 грн
100+	49.64 грн
500+	40.69 грн
1000+	40.56 грн
3000+	34.41 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIS590DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS590DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 4 A, 4 A, 0.197 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.197ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 23.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.197ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 23.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 5330 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	106.74 грн
12+	67.31 грн
100+	44.61 грн
500+	30.10 грн
1000+	25.19 грн
5000+	21.58 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SIS590DN-T1-GE3

MOSFETs PWRPK 100V 4A N/P CH FET

на замовлення 2525 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	86.82 грн
10+	56.92 грн
100+	41.38 грн
500+	32.43 грн
1000+	29.56 грн
3000+	25.19 грн
6000+	23.42 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIS590DN-T1-GE3

Description: COMBO N- & P-CHANNEL 100 V (D-S)

на замовлення 49 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	82.19 грн
10+	71.08 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIS590DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS590DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 4 A, 4 A, 0.197 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.197ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 23.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.197ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 23.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 5330 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	44.61 грн
500+	30.10 грн
1000+	25.19 грн
5000+	21.58 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIS590DN-T1-GE3

Description: COMBO N- & P-CHANNEL 100 V (D-S)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS606BDN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 9.4A/35.3A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 35.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 50 V

на замовлення 6370 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	98.32 грн
10+	77.96 грн
100+	60.59 грн
500+	48.20 грн
1000+	39.26 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIS606BDN-T1-GE3

MOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

на замовлення 114321 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	109.92 грн
10+	84.01 грн
100+	51.55 грн
500+	40.97 грн
1000+	37.96 грн
3000+	33.25 грн
6000+	32.84 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIS606BDN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 9.4A/35.3A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 35.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 50 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	40.90 грн
6000+	37.51 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIS612EDNT-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 50A SMT

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS612EDNT-T1-GE3

MOSFET 20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8S

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS620

на замовлення 1442 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS620

BGA

на замовлення 58 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS620

1999

на замовлення 40 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS6202

QFP

на замовлення 160 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS6205

96+

на замовлення 1488 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS6205A5FT

на замовлення 240 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS6205A5FT-F-6

на замовлення 240 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS6205B2MS-F-0

1996

на замовлення 2675 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS620A2FX

99+

на замовлення 2644 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS620A2HF-CB-1

на замовлення 800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS6215

9942

на замовлення 356 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS6215

QFP

на замовлення 120 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS626DN-T1-GE3

MOSFET 25V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS630

00+

на замовлення 40 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS630

на замовлення 3500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS630BODX

BGA

на замовлення 2 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS630E

на замовлення 212 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS630E

07+

на замовлення 1010 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS630E

02+

на замовлення 982 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS630ET

07+

на замовлення 1050 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS630ET

03+

на замовлення 93 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS630ET

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS630S

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS630ST

BGA 08+

на замовлення 189 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS630ST

на замовлення 50 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS630ST

08+ BGA

на замовлення 189 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS630ST

02+

на замовлення 108 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS6326

01+

на замовлення 189 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS6326

на замовлення 250 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS6326

QFP

на замовлення 61 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS6326AGP

на замовлення 89 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS6326AGP

QFP

на замовлення 4 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS6326AGP

N/A

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS6326AGP

00+

на замовлення 214 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS6326DVD

00+

на замовлення 240 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS635A0

BGA

на замовлення 95 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS645

07+

на замовлення 1053 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS645

на замовлення 360 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS645A2EA-AB-1

BGA

на замовлення 907 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS645A2EA-DB-1

BGA

на замовлення 420 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS645DX

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS645DX

02+ BGA

на замовлення 1 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS646A0

BGA702

на замовлення 10 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS648

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS648

07+

на замовлення 1049 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS648

05+

на замовлення 2308 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS648-C0

2004

на замовлення 12 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS648A2CA

BGA

на замовлення 3360 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS648A2CA-AH-1

BGA

на замовлення 351 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS648A2CA-DH-1

BGA

на замовлення 3360 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS648BODA-DH-1

BGA

на замовлення 94 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS648FX

2003

на замовлення 73 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS648FX

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS648UA

BGA

на замовлення 78 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS648UAA2CA-AH-1

BGA

на замовлення 135 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS648UAA2CA-DH-1

BGA

на замовлення 65 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS649

на замовлення 984 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS649BO DA

BGA

на замовлення 1240 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS649BODA

09+

на замовлення 88 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS650

07+

на замовлення 1200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS650

на замовлення 1440 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS650A1

на замовлення 406 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS650GL

на замовлення 537 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS650GX

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS650GX

07+

на замовлення 1063 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS650GX

02+ BGA

на замовлення 2 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS651

BGA

на замовлення 2215 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS651

03+

на замовлення 81 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS651

07+

на замовлення 1200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS651

на замовлення 250 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS651

0415

на замовлення 74 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS651-BO

MOT

QFP132

на замовлення 2215 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS651A1

на замовлення 560 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS651B0DA

на замовлення 700 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS651BO

на замовлення 3181 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS651UA

на замовлення 37 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS651Z

на замовлення 1050 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS6532

на замовлення 420 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS655

на замовлення 588 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS655A0

на замовлення 20 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS655B0

на замовлення 90 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS655FX

00+

на замовлення 208 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS661

на замовлення 412 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS661FX

06+

на замовлення 1109 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS661FX

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS661FX B1

03+

на замовлення 1 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS661FXZ

0611

на замовлення 2 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS661GX

на замовлення 300 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS661GX

09+

на замовлення 353 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS661MX

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS671

на замовлення 792 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS671 A1 BD

BGA

на замовлення 5366 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS671A1BD

на замовлення 264 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS671BD/A1

на замовлення 99 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS671DX

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS671DXA1

на замовлення 12 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS671FXA1

на замовлення 50 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS672

на замовлення 225 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS6801

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS6801A1AX

99+

на замовлення 2359 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS6801A1AX

QFP100

на замовлення 150 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS6801A1BX

на замовлення 2479 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS6801A1BX-F-0

на замовлення 2479 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS6801AIAX

на замовлення 2479 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS681

на замовлення 75 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS698DN-T1-GE3

MOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

на замовлення 2690 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	82.84 грн
10+	51.43 грн
100+	29.43 грн
500+	23.49 грн
1000+	21.30 грн
3000+	19.60 грн
6000+	19.53 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIS730S

на замовлення 154 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS730S-B1-DT

на замовлення 20 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS740

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS740

BGA

на замовлення 5 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS740

2002

на замовлення 87 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS740A1

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS741

на замовлення 30 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS741CX

на замовлення 210 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS741GX

на замовлення 2120 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS741GX/A3

на замовлення 810 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS741GXA3

на замовлення 800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS741GXЎЎA3

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS745

на замовлення 210 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS745A1

02+

на замовлення 140 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS746

на замовлення 906 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS746FX

на замовлення 50 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS748AO AA

BGA

на замовлення 50 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS755

на замовлення 40 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS756

на замовлення 300 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS756A2

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS760

BGA

на замовлення 49 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS760

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS7600

на замовлення 350 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS760GXLV

на замовлення 211 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS760LV

05+

на замовлення 297 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS761GX

на замовлення 201 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS761GX A1BA-FB-1

BGA

на замовлення 1440 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS761GX A1CA-FB-1

BGA

на замовлення 460 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS761GXA1BA-FB-1

05+

на замовлення 3410 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS776DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS778DN-T1-GE3

MOSFET 30 Volts 35 Amps 52 Watts

на замовлення 2675 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS780DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS780DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 18A PPAK1212-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS780DN-T1-GE3

MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

на замовлення 7450 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	71.69 грн
10+	43.50 грн
100+	25.81 грн
500+	20.28 грн
1000+	16.93 грн
3000+	15.91 грн
6000+	14.75 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIS780DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 18A PPAK1212-8

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS782DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS782DN-T1-GE3

MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

на замовлення 2971 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	45.16 грн
10+	38.87 грн
100+	23.35 грн
500+	19.53 грн
1000+	16.73 грн
6000+	16.59 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SIS782DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS782DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS8132

на замовлення 46 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS8205

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS8205A

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS822DNT-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 12A POWERPAK1212

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS822DNT-T1-GE3

MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S

на замовлення 8980 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	30.11 грн
14+	23.79 грн
100+	13.86 грн
500+	10.17 грн
1000+	8.06 грн
3000+	7.31 грн
6000+	6.83 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

SIS82C450

89+

на замовлення 20 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS82C451

на замовлення 3256 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS82C452

на замовлення 4580 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SiS82C452A

на замовлення 859 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS82C50A

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS82C50B

на замовлення 480 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS82C605

на замовлення 859 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS8333B-F-B000

на замовлення 202 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS83C611

07+

на замовлення 58 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS83C611

на замовлення 240 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS83C747

на замовлення 660 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS85-100

на замовлення 600 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS85-2R2PF

на замовлення 1400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS85-3R3

на замовлення 22400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS85-470

на замовлення 3466 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS85-6R8

на замовлення 700 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS85-6R8M

на замовлення 1100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS8513C-F-A000

на замовлення 240 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS85C206

N/A

на замовлення 50 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS85C206

PLCC84

на замовлення 341 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS85C402

1993

на замовлення 119 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS85C407

1994

на замовлення 26 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS85C407QT

на замовлення 400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS85C420

на замовлення 147 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS85C461

1993

на замовлення 11 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS85C496PR

на замовлення 414 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS85C497NU

на замовлення 404 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS85C501

1995

на замовлення 7 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS85C502

1995

на замовлення 11 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS85C502

QFP208

на замовлення 80 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS85C502NR

на замовлення 240 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS85C503

1995

на замовлення 8 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS862ADN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 15.8A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS862ADN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 15.8A/52A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta), 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1235 pF @ 30 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	27.57 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIS862ADN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 15.8A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS862ADN-T1-GE3

MOSFETs POWRPK N CHAN 60V

на замовлення 83502 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	87.62 грн
10+	56.53 грн
100+	34.07 грн
500+	27.38 грн
1000+	25.06 грн
3000+	21.78 грн
6000+	21.10 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIS862ADN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 15.8A/52A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta), 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1235 pF @ 30 V

на замовлення 5461 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	89.87 грн
10+	54.36 грн
100+	36.00 грн
500+	26.38 грн
1000+	24.03 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIS862DN

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS862DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 40A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 30 V

на замовлення 23443 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	111.38 грн
10+	67.90 грн
100+	45.50 грн
500+	33.68 грн
1000+	30.77 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIS862DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

на замовлення 1903 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	70.62 грн
14+	55.14 грн
25+	54.59 грн
100+	45.41 грн
250+	41.63 грн
500+	37.68 грн
1000+	34.28 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

SIS862DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS862DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 8500 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 31023 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	97.98 грн
12+	68.26 грн
100+	50.18 грн
500+	33.80 грн
1000+	28.54 грн
5000+	25.06 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SIS862DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

на замовлення 1903 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

252+	51.47 грн
254+	50.95 грн
295+	43.96 грн
298+	41.96 грн
500+	36.64 грн
1000+	31.99 грн

Мінімальне замовлення: 252

В кошику од. на суму грн.

SIS862DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 40A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 30 V

на замовлення 23400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	29.97 грн
6000+	26.88 грн
9000+	26.46 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIS862DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS862DN-T1-GE3

MOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

на замовлення 31579 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	99.57 грн
10+	66.74 грн
100+	42.60 грн
500+	33.66 грн
1000+	31.07 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIS862DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	42.86 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIS862DN-T1-GE3

на замовлення 31023 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	50.18 грн
500+	33.80 грн
1000+	28.54 грн
5000+	25.06 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIS862DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	46.33 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIS888DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS888DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 20.2 A, 0.048 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 52W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.048ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 14684 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	70.49 грн
500+	50.44 грн
1000+	42.67 грн
5000+	37.89 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIS888DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 150V 20.2A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 75 V

на замовлення 7062 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	141.33 грн
10+	87.28 грн
100+	59.24 грн
500+	44.62 грн
1000+	42.47 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIS888DN-T1-GE3

MOSFETs 150V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S

на замовлення 4012 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	152.14 грн
10+	96.58 грн
100+	58.10 грн
500+	47.18 грн
1000+	41.65 грн
3000+	37.62 грн
6000+	36.05 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIS888DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS888DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 20.2 A, 0.048 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 14684 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	131.43 грн
10+	89.21 грн
100+	70.49 грн
500+	50.44 грн
1000+	42.67 грн
5000+	37.89 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SIS888DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 150V 20.2A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 75 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	39.98 грн
6000+	36.97 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIS890ADN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 7.6A T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS890ADN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS890ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 24.7 A, 0.021 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 39W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 14615 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	43.41 грн
500+	31.81 грн
1000+	23.56 грн
5000+	23.08 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIS890ADN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 7.6A/24.7A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta), 24.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 50 V

на замовлення 4745 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	98.32 грн
10+	59.54 грн
100+	39.40 грн
500+	28.86 грн
1000+	26.24 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIS890ADN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 7.6A T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS890ADN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS890ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 24.7 A, 0.0255 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0255ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 3737 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	84.43 грн
14+	58.94 грн
100+	41.66 грн
500+	32.32 грн
1000+	26.35 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

SIS890ADN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 7.6A/24.7A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta), 24.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 50 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	25.37 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIS890ADN-T1-GE3

MOSFETs PWRPK 100V 24.7A N-CH MOSFET

на замовлення 63821 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	80.45 грн
10+	52.61 грн
100+	31.95 грн
500+	25.67 грн
1000+	23.49 грн
6000+	22.33 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIS890DN

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS890DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 30A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 802 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS890DN-T1-GE3

MOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

на замовлення 38186 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	133.82 грн
10+	84.80 грн
100+	49.23 грн
500+	39.05 грн
1000+	36.39 грн
3000+	35.50 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIS890DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS890DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS890DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 30 A, 0.0235 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0235ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 14367 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	57.51 грн
500+	42.68 грн
1000+	36.12 грн
5000+	31.82 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIS890DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 30A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 802 pF @ 50 V

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	34.88 грн
6000+	31.61 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIS890DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS890DN-T1-GE3

на замовлення 14367 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	88.42 грн
12+	71.93 грн
100+	57.51 грн
500+	42.68 грн
1000+	36.12 грн
5000+	31.82 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

SIS892ADN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 28A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 50 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	30.31 грн
6000+	27.16 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIS892ADN-T1-GE3

MOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

на замовлення 41173 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	86.03 грн
10+	59.36 грн
100+	39.87 грн
500+	31.34 грн
1000+	28.68 грн
3000+	26.63 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIS892ADN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 28A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

на замовлення 504 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	72.88 грн
25+	71.42 грн
100+	54.33 грн
250+	49.83 грн
500+	42.86 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

SIS892ADN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS892ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 28 A, 0.033 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 25254 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	46.36 грн
500+	32.47 грн
1000+	26.90 грн
5000+	24.03 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIS892ADN-T1-GE3

SIS892ADN-T1-GE3 SMD N channel transistors

на замовлення 2842 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

3+	137.33 грн
25+	47.34 грн
68+	44.77 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIS892ADN-T1-GE3

MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

на замовлення 5378 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS892ADN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 28A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 50 V

на замовлення 6889 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	86.80 грн
10+	58.73 грн
100+	45.72 грн
500+	34.17 грн
1000+	30.64 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIS892ADN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 28A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS892ADN-T1-GE3

на замовлення 25214 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	87.62 грн
13+	62.13 грн
100+	47.00 грн
500+	32.62 грн
1000+	27.52 грн
5000+	24.03 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

SIS892DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 30A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 611 pF @ 50 V

на замовлення 832 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	109.07 грн
10+	74.41 грн
100+	55.66 грн
500+	43.94 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIS892DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS892DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS892DN-T1-GE3 - MOSFET, N CHANNEL, 100V, 30A, POWERPAK 1
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - Unlimited
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 0
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0
directShipCharge: 25
SVHC: Lead

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	62.37 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIS892DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

на замовлення 1458 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

173+	74.95 грн
175+	74.20 грн
203+	63.73 грн
250+	61.10 грн
500+	48.44 грн
1000+	43.61 грн

Мінімальне замовлення: 173

В кошику од. на суму грн.

SIS892DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 30A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 611 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS892DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

на замовлення 1458 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	90.81 грн
10+	80.30 грн
25+	79.50 грн
100+	65.84 грн
250+	60.61 грн
500+	49.82 грн
1000+	46.72 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SIS892DN-T1-GE3

MOSFETs 100V 30A 43W 29 mohms @ 10V

на замовлення 3401 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	150.55 грн
10+	94.22 грн
100+	57.28 грн
500+	48.48 грн
1000+	40.49 грн
3000+	37.42 грн
6000+	35.44 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIS894DN-T1-E3

на замовлення 15 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS894DN-T1-GE3

на замовлення 25500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS900

на замовлення 11500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS900A2CN-F-D

на замовлення 11500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS902DN-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 75V 4A PPAK 1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 15.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 75V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175pF @ 38V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 186mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS902DN-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 75V 4A PPAK 1212
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 15.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 75V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175pF @ 38V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 186mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS903DN-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 6A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS903DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS903DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0167 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS903DN-T1-GE3

Description: MOSFET 2P-CH 20V 6A PPAK 1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.6W (Ta), 23W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2565pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.1mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual

на замовлення 8322 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	99.85 грн
10+	60.73 грн
100+	40.42 грн
500+	29.75 грн
1000+	27.12 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIS903DN-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 6A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

на замовлення 4338 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

227+	57.18 грн
229+	56.61 грн
297+	43.66 грн
299+	41.74 грн
500+	33.65 грн
1000+	28.07 грн
3000+	26.87 грн

Мінімальне замовлення: 227

В кошику од. на суму грн.

SIS903DN-T1-GE3

MOSFETs -20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8

на замовлення 25880 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	69.62 грн
10+	55.59 грн
100+	37.69 грн
500+	32.36 грн
1000+	26.42 грн
3000+	24.78 грн
6000+	23.62 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIS903DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS903DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0167 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 6
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 23
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen III
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0167
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS903DN-T1-GE3

Description: MOSFET 2P-CH 20V 6A PPAK 1212
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.6W (Ta), 23W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2565pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.1mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	26.31 грн
6000+	23.54 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIS903DN-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 6A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

на замовлення 4338 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	79.65 грн
13+	61.26 грн
25+	60.65 грн
100+	45.11 грн
250+	41.41 грн
500+	34.61 грн
1000+	30.08 грн
3000+	28.79 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

SIS903DN-T1-GE3
Код товару: 182732

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові P-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS9122DN-T1-GE3

MOSFETs DUAL N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET

на замовлення 5380 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	109.92 грн
10+	68.86 грн
100+	39.67 грн
500+	32.50 грн
1000+	30.86 грн
3000+	26.22 грн
6000+	24.10 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIS932EDN-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK 1212
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.6W (Ta), 23W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 10A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS932EDN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS932EDN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 6 A, 6 A, 0.018 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.018ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 23W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.018ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 23W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 5405 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	15.13 грн
500+	12.94 грн
1000+	11.74 грн
5000+	11.47 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIS932EDN-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK 1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.6W (Ta), 23W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 10A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Part Status: Active

на замовлення 1063 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	43.78 грн
10+	35.58 грн
100+	24.74 грн
500+	18.13 грн
1000+	14.73 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SIS932EDN-T1-GE3

MOSFETs 30V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8

на замовлення 16011 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

13+	25.81 грн
16+	20.81 грн
100+	15.36 грн
500+	15.09 грн
1000+	13.93 грн
3000+	13.18 грн
6000+	12.08 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

SIS932EDN-T1-GE3

на замовлення 5405 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

45+	18.00 грн
53+	15.21 грн
100+	15.13 грн
500+	12.94 грн
1000+	11.74 грн
5000+	11.47 грн

Мінімальне замовлення: 45

В кошику од. на суму грн.

SIS9446DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS9446DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 34 A, 9800 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 34A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 9800µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 23W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 2047 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	129.84 грн
10+	82.84 грн
100+	55.52 грн
500+	37.57 грн
1000+	32.09 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SIS9446DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS9446DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 34 A, 9800 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 34A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 9800µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 23W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 2047 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	55.52 грн
500+	37.57 грн
1000+	32.09 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIS950

на замовлення 522 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS961

BGA

на замовлення 42 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS961

на замовлення 8502 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS961

07+

на замовлення 1055 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS961

02+

на замовлення 1980 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS961A1CA

BGA

на замовлення 46 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS961A2EA-AB-1

BGA

на замовлення 400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS961BOIA

BGA

на замовлення 122 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS962

на замовлення 250 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS962

03+

на замовлення 1047 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS962 A2 IA

BGA

на замовлення 900 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS962A2

на замовлення 265 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS962A2IA(CM02)

на замовлення 30 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS962L

08+ BGA

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS962L

BGA371

на замовлення 13 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS962L

BGA

на замовлення 3325 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SiS962LRev:A2

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SiS962LRev:C1

на замовлення 52 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS962LU

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS962LUA

0415+

на замовлення 16 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS962LUA

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS962LUA-C1

0348+

на замовлення 12 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS962UA

04+

на замовлення 652 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS962UA B1 OA

BGA

на замовлення 260 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS962UA B1 PA

BGA

на замовлення 457 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS963

2003

на замовлення 20 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS9634LDN-T1-GE3

Description: DUAL N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta), 17.9W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Part Status: Active

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	38.51 грн
6000+	35.32 грн
9000+	33.69 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIS9634LDN-T1-GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS9634LDN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 6A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	140.41 грн
10+	131.40 грн
25+	119.10 грн
50+	102.29 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SIS9634LDN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS9634LDN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6 A, 0.031 ohm
tariffCode: 85412900
Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
hazardous: false
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Verlustleistung, n-Kanal: 17.9W
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.031ohm
Dauer-Drainstrom Id: 6A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.024ohm
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
usEccn: EAR99
Transistormontage: Oberflächenmontage
Verlustleistung Pd: 17.9W
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS9634LDN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 6A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS9634LDN-T1-GE3

Description: DUAL N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta), 17.9W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Part Status: Active

на замовлення 11930 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	92.94 грн
10+	73.37 грн
100+	57.06 грн
500+	45.39 грн
1000+	36.97 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIS9634LDN-T1-GE3

MOSFETs POWRPK N CHAN 60V

на замовлення 2780 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	129.04 грн
10+	81.66 грн
100+	47.32 грн
500+	37.42 грн
1000+	34.21 грн
3000+	29.02 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIS9634LDN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS9634LDN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6 A, 0.031 ohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung Pd: 17.9W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.031ohm
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 17.9W
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.024ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	93.99 грн
10+	79.66 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SIS963A2IA-AB-1

BGA

на замовлення 300 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS963LUA

0502+

на замовлення 980 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS963LUA

BGA

на замовлення 50 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS963LUA

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS963LUA

07+

на замовлення 1020 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS963LUA-C1

2006

на замовлення 88 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS963LUAC1

на замовлення 86 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS963LUAZ

07+

на замовлення 90 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS963LUAZC1

на замовлення 207 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS963UA

03+

на замовлення 50 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS963UA/B1

на замовлення 120 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS963UAA2IA-AB-1

BGA

на замовлення 180 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS963UAB1PA-B-1

2003

на замовлення 158 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS964

06+

на замовлення 1160 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS964

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS964

BGA

на замовлення 1056 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS964 A2

03+

на замовлення 1 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS964A2

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS964A2GA

на замовлення 1691 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS964A2GA-B-1

06+PB

на замовлення 10398 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS964L

09+

на замовлення 153 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS964L

05+

на замовлення 21 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS964L

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS964LA2G-A-B-1

BGA

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS964Z

0601

на замовлення 23 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS964ZA2

на замовлення 29 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS965

09+

на замовлення 153 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS965

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS965

SISI

0548+

на замовлення 370 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS965/B1

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS965B1

на замовлення 15 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS965B1FA-H-1

на замовлення 2022 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS965L

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS965L

09+

на замовлення 103 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS966

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS966

06+

на замовлення 123 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS966L

на замовлення 23 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS966Z(A1)

на замовлення 326 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS968

N/A

на замовлення 204 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS968BO

на замовлення 26 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS968BOAA

08+

на замовлення 784 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS9806

на замовлення 181 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS990DN-T1-GE3

MOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

на замовлення 17271 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	81.25 грн
10+	53.71 грн
100+	35.44 грн
500+	29.02 грн
1000+	25.40 грн
3000+	22.74 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIS990DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS990DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 12.1 A, 12.1 A, 0.071 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 12.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 12.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.071ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.071ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 14038 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	42.85 грн
500+	30.55 грн
1000+	23.28 грн
5000+	20.62 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIS990DN-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 100V 12.1A PPAK1212
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Part Status: Active

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	24.92 грн
6000+	22.28 грн
9000+	21.40 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIS990DN-T1-GE3

MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

на замовлення 27791 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS990DN-T1-GE3

на замовлення 14038 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	84.43 грн
15+	56.48 грн
100+	42.85 грн
500+	30.55 грн
1000+	23.28 грн
5000+	20.62 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

SIS990DN-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 100V 12.1A PPAK1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Part Status: Active

на замовлення 12611 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	95.24 грн
10+	57.92 грн
100+	38.46 грн
500+	28.25 грн
1000+	25.73 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SISA01DN-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 22.4A/60A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.4A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3490 pF @ 15 V

на замовлення 18845 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	86.03 грн
10+	52.15 грн
100+	34.45 грн
500+	25.21 грн
1000+	22.91 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SISA01DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SISA01DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 60 A, 4900 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 2098 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	42.06 грн
500+	30.47 грн
1500+	25.60 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SISA01DN-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 22.4A/60A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.4A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3490 pF @ 15 V

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	22.14 грн
6000+	19.75 грн
9000+	18.96 грн
15000+	17.39 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SISA01DN-T1-GE3

MOSFETs -30V Vds 16V Vgs PowerPAK 1212-8

на замовлення 20006 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	77.19 грн
10+	51.35 грн
100+	30.93 грн
500+	27.04 грн
1000+	23.90 грн
3000+	21.44 грн
6000+	20.35 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SISA01DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SISA01DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 60 A, 4900 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 2098 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	93.20 грн
50+	62.29 грн
100+	42.06 грн
500+	30.47 грн
1500+	25.60 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SISA01DN-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 60A 8-Pin PowerPAK 1212 EP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SISA04DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SISA04DN-T1-GE3

MOSFETs For New Design See: 78-SISHA04DN-T1-GE3

на замовлення 27099 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	128.24 грн
10+	80.09 грн
100+	46.36 грн
500+	38.03 грн
1000+	33.32 грн
3000+	30.52 грн
6000+	29.63 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SISA04DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.15mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3595 pF @ 15 V

на замовлення 13797 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	109.07 грн
10+	73.67 грн
100+	54.04 грн
500+	40.07 грн
1000+	36.65 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SISA04DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

на замовлення 639 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	89.10 грн
10+	85.38 грн
25+	84.49 грн
100+	66.94 грн
250+	60.80 грн
500+	48.45 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SISA04DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.15mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3595 pF @ 15 V

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	34.20 грн
6000+	32.10 грн
9000+	31.86 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SISA04DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SISA04DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 2150 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2150µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 2954 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	142.58 грн
10+	90.81 грн
100+	60.22 грн
500+	45.86 грн
1000+	37.01 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SISA10BDN-T1-GE3

Description: VISHAY - SISA10BDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 104 A, 3600 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 104A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 63W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0023ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 4991 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	41.10 грн
500+	27.44 грн
1000+	23.15 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SISA10BDN-T1-GE3

Description: VISHAY - SISA10BDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 104 A, 3600 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 104A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 4991 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	85.23 грн
15+	53.77 грн
100+	41.10 грн
500+	27.44 грн
1000+	23.15 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

SISA10BDN-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE

на замовлення 5770 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	68.36 грн
10+	58.95 грн
100+	45.94 грн
500+	35.62 грн
1000+	28.12 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SISA10BDN-T1-GE3

MOSFET N-CH 30-V MSFT

на замовлення 11292 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	64.44 грн
10+	52.14 грн
100+	35.30 грн
500+	29.90 грн
1000+	26.97 грн
3000+	22.87 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SISA10BDN-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	29.04 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SISA10DN

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SISA10DN-T1-GE3

MOSFETs For New Design See: 78-SISHA10DN-T1-GE3

на замовлення 3943 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	82.84 грн
10+	56.30 грн
100+	37.69 грн
500+	30.52 грн
1000+	27.31 грн
3000+	24.51 грн
6000+	24.03 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SISA10DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2425 pF @ 15 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	33.87 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SISA10DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SISA10DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SISA10DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2425 pF @ 15 V

на замовлення 5263 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	79.88 грн
10+	68.71 грн
100+	53.59 грн
500+	41.54 грн
1000+	32.80 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SISA12ADN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 25A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070 pF @ 15 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	21.22 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SISA12ADN-T1-GE3

MOSFETs For New Design See: 78-SISHA12ADN-T1-GE3

на замовлення 17968 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	73.12 грн
10+	49.62 грн
100+	30.04 грн
500+	24.92 грн
1000+	22.60 грн
3000+	22.19 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SISA12ADN-T1-GE3

Description: VISHAY - SISA12ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 25 A, 0.0043 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 1873 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	74.40 грн
16+	52.25 грн
100+	36.32 грн
500+	28.48 грн
1000+	23.15 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

SISA12ADN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 25A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070 pF @ 15 V

на замовлення 3447 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	82.96 грн
10+	50.37 грн
100+	33.19 грн
500+	24.23 грн
1000+	22.01 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SISA12BDN-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 87A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 15 V

на замовлення 6024 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	68.36 грн
10+	56.95 грн
100+	39.45 грн
500+	30.94 грн
1000+	26.33 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SISA12BDN-T1-GE3

MOSFETs PPAK1212 N-CH 30V 24A

на замовлення 11411 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	93.99 грн
10+	58.10 грн
100+	33.52 грн
500+	26.22 грн
1000+	23.76 грн
3000+	21.92 грн
6000+	19.87 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SISA12BDN-T1-GE3

Description: VISHAY - SISA12BDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 87 A, 0.0027 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 5660 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	76.55 грн
15+	54.88 грн
100+	38.08 грн
500+	26.04 грн
1000+	22.05 грн
5000+	19.46 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

SISA12BDN-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 87A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 15 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	25.95 грн
6000+	23.67 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SISA12BDN-T1-GE3

Description: VISHAY - SISA12BDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 87 A, 0.0027 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 52W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0027ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 5660 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	38.08 грн
500+	26.04 грн
1000+	22.05 грн
5000+	19.46 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SISA12DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 25A 1212-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SISA12DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 25A 1212-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SISA12DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 25A 1212-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SISA14BDN-T1-GE3

Description: VISHAY - SISA14BDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 72 A, 5380 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 45W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0037ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5380µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 5695 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	30.27 грн
500+	20.27 грн
1000+	16.93 грн
5000+	12.43 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SISA14BDN-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.38mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 917 pF @ 15 V

на замовлення 6985 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	70.67 грн
10+	42.60 грн
100+	27.88 грн
500+	20.23 грн
1000+	18.32 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SISA14BDN-T1-GE3

Description: VISHAY - SISA14BDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 72 A, 5380 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5380µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 5695 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	56.56 грн
18+	44.93 грн
100+	30.27 грн
500+	20.27 грн
1000+	16.93 грн
5000+	12.43 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

SISA14BDN-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.38mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 917 pF @ 15 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	17.59 грн
6000+	15.63 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SISA14BDN-T1-GE3

MOSFETs PPAK1212 N-CH 30V 21A

на замовлення 32124 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	74.00 грн
10+	45.85 грн
100+	26.15 грн
500+	20.21 грн
1000+	18.30 грн
3000+	15.84 грн
6000+	14.61 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SISA14BDN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin PowerPAK 1212-PT EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SISA14DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

на замовлення 98 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	29.67 грн
27+	28.18 грн
36+	21.09 грн

Мінімальне замовлення: 25

В кошику од. на суму грн.

SISA14DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.57W (Ta), 26.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 15 V

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	20.04 грн
6000+	17.85 грн
9000+	17.12 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SISA14DN-T1-GE3

MOSFETs For New Design See: 78-SISHA14DN-T1-GE3

на замовлення 60580 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	39.03 грн
11+	30.86 грн
100+	21.03 грн
500+	19.32 грн
1000+	17.48 грн
3000+	14.47 грн
6000+	13.93 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SISA14DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

на замовлення 98 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SISA14DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SISA14DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.57W (Ta), 26.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 15 V

на замовлення 13583 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	79.11 грн
10+	47.86 грн
100+	31.46 грн
500+	22.93 грн
1000+	20.81 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SISA16DN-T1-GE3

MOSFET N-Ch PowerPAK1212

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SISA16DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SISA16DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SISA18ADN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 38.3A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SISA18ADN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 38.3A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 15 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	16.15 грн
6000+	14.30 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SISA18ADN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 38.3A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SISA18ADN-T1-GE3

Description: VISHAY - SISA18ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38.3 A, 7500 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 9447 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	27.88 грн
500+	19.90 грн
1500+	16.59 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SISA18ADN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 38.3A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	16.00 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SISA18ADN-T1-GE3
Код товару: 117652

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SISA18ADN-T1-GE3

MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

на замовлення 43065 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	37.84 грн
14+	24.03 грн
100+	13.93 грн
3000+	11.95 грн
6000+	11.81 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SISA18ADN-T1-GE3

Description: VISHAY - SISA18ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38.3 A, 7500 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 9447 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	69.14 грн
50+	42.93 грн
100+	27.88 грн
500+	19.90 грн
1500+	16.59 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

SISA18ADN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 38.3A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 15 V

на замовлення 13611 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	66.82 грн
10+	40.09 грн
100+	26.03 грн
500+	18.75 грн
1000+	16.92 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SISA18ADN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 38.3A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	14.87 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SISA18BDN-T1-GE3

MOSFETs PPAK1212 N-CH 30V 18A

на замовлення 9225 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	58.23 грн
10+	41.46 грн
100+	25.81 грн
500+	19.94 грн
1000+	18.02 грн
3000+	15.64 грн
6000+	14.75 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SISA18BDN-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.83mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 36.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8PT
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 15 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	15.18 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SISA18BDN-T1-GE3

Description: VISHAY - SISA18BDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 6830 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6830µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 11680 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	33.38 грн
500+	23.89 грн
1000+	20.00 грн
5000+	17.34 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SISA18BDN-T1-GE3

Description: VISHAY - SISA18BDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 6830 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6830µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 11680 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	64.52 грн
18+	46.60 грн
100+	33.38 грн
500+	23.89 грн
1000+	20.00 грн
5000+	17.34 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

SISA18BDN-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.83mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 36.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8PT
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 15 V

на замовлення 5839 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	74.51 грн
10+	44.82 грн
100+	29.36 грн
500+	21.30 грн
1000+	19.28 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SISA18DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SISA18DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SISA18DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SISA24DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SISA24DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 60 A, 1400 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 24759 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	67.55 грн
16+	50.50 грн
100+	37.12 грн
500+	27.44 грн
1000+	23.01 грн
5000+	20.07 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

SISA24DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 10 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	22.71 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SISA24DN-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 25V; 60A; Idm: 150A; 33W
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -16...20V
Gate charge: 55nC
On-state resistance: 2.4mΩ
Drain-source voltage: 25V
Power dissipation: 33W
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 150A
Kind of package: reel; tape
Case: PowerPAK® 1212-8
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SISA24DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SISA24DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 60 A, 1400 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 24759 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	37.12 грн
500+	27.44 грн
1000+	23.01 грн
5000+	20.07 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SISA24DN-T1-GE3

MOSFETs 25V Vds 60A Id 17.2nC Qg Typ.

на замовлення 4547 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	72.65 грн
10+	53.63 грн
100+	34.21 грн
500+	28.61 грн
1000+	25.67 грн
3000+	22.74 грн
6000+	21.92 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SISA24DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 10 V

на замовлення 3818 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	87.56 грн
10+	53.26 грн
100+	35.26 грн
500+	25.83 грн
1000+	23.50 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SISA26DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SISA26DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 60 A, 2650 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2650µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 4083 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	44.85 грн
23+	36.16 грн
100+	27.40 грн
500+	21.82 грн
1000+	18.16 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

SISA26DN-T1-GE3

MOSFETs 25V Vds 16V Vgs PowerPAK 1212-8

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	76.47 грн
10+	49.54 грн
100+	29.70 грн
500+	24.51 грн
1000+	21.44 грн
3000+	19.66 грн
9000+	18.16 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SISA26DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK1212-8S

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SISA26DN-T1-GE3

на замовлення 4083 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	27.40 грн
500+	21.82 грн
1000+	18.16 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SISA26DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK1212-8S

на замовлення 2940 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	69.90 грн
10+	59.32 грн
100+	45.48 грн
500+	33.74 грн
1000+	26.99 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SISA34DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 20.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SISA34DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 20.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SISA34DN-T1-GE3

MOSFET N-Ch PowerPAK1212 Bwl 30V 7.5ohm@10V

на замовлення 5700 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SISA35DN-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 10A/16A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V

на замовлення 15404 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	44.55 грн
12+	26.33 грн
100+	14.33 грн
500+	12.24 грн
1000+	10.97 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SISA35DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SISA35DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 16 A, 0.019 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 24W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 8105 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	45.80 грн
50+	30.11 грн
100+	19.28 грн
500+	13.61 грн
1500+	11.20 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

SISA35DN-T1-GE3

MOSFET P-CHANNEL 30-V (D-S) PowerPAK 1212-8

на замовлення 92829 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	34.81 грн
13+	26.15 грн
100+	13.79 грн
1000+	9.35 грн
3000+	8.74 грн
9000+	7.78 грн
24000+	7.65 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

SISA35DN-T1-GE3

P Channel MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SISA35DN-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 10A/16A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.75 грн
6000+	8.81 грн
9000+	8.45 грн
15000+	7.67 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SISA35DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SISA35DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 16 A, 0.015 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 24W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 9425 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	15.53 грн
500+	13.68 грн
1500+	11.06 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SISA40DN-T1-GE3
Код товару: 182307

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SISA40DN-T1-GE3

MOSFETs 20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8

на замовлення 28988 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	58.55 грн
10+	49.31 грн
100+	29.84 грн
500+	24.44 грн
1000+	20.82 грн
3000+	18.50 грн
6000+	17.48 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SISA40DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 43.7A 8-Pin PowerPAK 1212-S T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SISA40DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 43.7A/162A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43.7A (Ta), 162A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): +12V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3415 pF @ 10 V

на замовлення 57343 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	86.03 грн
10+	52.29 грн
100+	34.62 грн
500+	25.34 грн
1000+	23.04 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SISA40DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SISA40DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 162 A, 0.0011 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 162A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SISA40DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 43.7A/162A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43.7A (Ta), 162A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): +12V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3415 pF @ 10 V

на замовлення 57000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	22.27 грн
6000+	19.88 грн
9000+	19.08 грн
15000+	17.53 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SISA66DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 40A POWERPAK1212

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SISA66DN-T1-GE3

MOSFET 30V Vds TrenchFET PowerPAK 1212-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SISA72ADN-T1-GE3

Description: VISHAY - SISA72ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 94 A, 0.00271 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 94A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00271ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 22940 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	65.08 грн
15+	54.72 грн
100+	38.23 грн
500+	28.11 грн
1000+	23.01 грн
3000+	22.80 грн
6000+	22.60 грн
12000+	22.12 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

SISA72ADN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 25.4A/94A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.4A (Ta), 94A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2530 pF @ 20 V

на замовлення 60924 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	76.04 грн
10+	45.71 грн
100+	30.02 грн
500+	21.84 грн
1000+	19.80 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SISA72ADN-T1-GE3

MOSFET 40V Vds; 20/-16V Vgs PowerPAK 1212-8

на замовлення 10977 шт:

термін постачання 618-627 дні (днів)

6+	58.39 грн
10+	50.88 грн
100+	33.86 грн
500+	26.83 грн
1000+	21.92 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SISA72ADN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 25.4A/94A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.4A (Ta), 94A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2530 pF @ 20 V

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	19.04 грн
6000+	16.95 грн
9000+	15.98 грн
15000+	14.51 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SISA72ADN-T1-GE3

на замовлення 22940 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	38.23 грн
500+	28.11 грн
1000+	23.01 грн
3000+	22.80 грн
6000+	22.60 грн
12000+	22.12 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SISA72DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK1212-8

на замовлення 5424 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SISA72DN-T1-GE3

MOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

на замовлення 134873 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	36.96 грн
11+	30.70 грн
100+	23.76 грн
500+	23.28 грн
1000+	22.74 грн
9000+	22.33 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SISA72DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK1212-8

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SISA72DN-T1-GE3

MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

на замовлення 1094 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SISA88DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 16.2A/40.5A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.2A (Ta), 40.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 985 pF @ 15 V

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.85 грн
6000+	10.94 грн
9000+	10.47 грн
15000+	9.55 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SISA88DN-T1-GE3

MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

на замовлення 104886 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	54.09 грн
10+	33.06 грн
100+	18.57 грн
500+	14.13 грн
1000+	12.77 грн
3000+	10.92 грн
6000+	9.97 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SISA88DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SISA88DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40.5 A, 0.0067 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 2616 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	44.61 грн
25+	33.06 грн
100+	23.90 грн
500+	16.94 грн
1000+	13.52 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

SISA88DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 16.2A/40.5A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.2A (Ta), 40.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 985 pF @ 15 V

на замовлення 33639 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	43.78 грн
10+	31.51 грн
100+	22.35 грн
500+	16.01 грн
1000+	14.05 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SISA88DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SISA88DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40.5 A, 0.0054 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 19.8W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 5988 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	25.01 грн
500+	18.20 грн
1000+	13.04 грн
3000+	11.81 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SISA96DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SISA96DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16 A, 8800 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 26.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 21754 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	21.03 грн
500+	14.87 грн
1000+	12.29 грн
5000+	9.15 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SiSA96DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 26.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1385 pF @ 15 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.98 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SISA96DN-T1-GE3

на замовлення 21754 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	41.26 грн
28+	28.91 грн
100+	21.03 грн
500+	14.87 грн
1000+	12.29 грн
5000+	9.15 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

SiSA96DN-T1-GE3

MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

на замовлення 74432 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	38.00 грн
12+	26.22 грн
100+	16.93 грн
500+	12.90 грн
1000+	10.99 грн
3000+	8.60 грн
6000+	8.12 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SiSA96DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 26.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1385 pF @ 15 V

на замовлення 11261 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	38.41 грн
12+	26.26 грн
100+	19.49 грн
500+	13.89 грн
1000+	11.88 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SISB46DN-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 40V 34A PPAK 1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 23W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.71mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual

на замовлення 2963 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	94.48 грн
10+	56.81 грн
100+	37.49 грн
500+	27.40 грн
1000+	24.89 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SISB46DN-T1-GE3

MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

на замовлення 27240 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	63.01 грн
10+	54.88 грн
100+	32.57 грн
500+	27.24 грн
1000+	24.24 грн
6000+	23.42 грн
9000+	23.01 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SISB46DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 11.4A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SISB46DN-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 40V 34A PPAK 1212
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 23W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.71mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SISB46DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SISB46DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 34 A, 34 A, 9700 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 34A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 9700µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 23W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 9700µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 23W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 6184 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	40.70 грн
500+	29.88 грн
1000+	24.72 грн
5000+	20.35 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SISB46DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SISB46DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 34 A, 34 A, 9700 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 34A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 9700µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 23W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 9700µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 23W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 6184 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	96.38 грн
14+	58.79 грн
100+	40.70 грн
500+	29.88 грн
1000+	24.72 грн
5000+	20.35 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SISB46DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 11.4A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SISC03N06DX1SA1

MOSFET SMALL SIGNAL+P-CH

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SISC03N06E10X1SA1

MOSFET SMALL SIGNAL+P-CH

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SISC06DN-T1-GE3

MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

на замовлення 5780 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	71.13 грн
10+	62.89 грн
100+	42.67 грн
500+	35.23 грн
1000+	27.86 грн
3000+	26.76 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SISC06DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 27.6A/40A PPAK

на замовлення 2415 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SISC06DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 27.6A/40A PPAK

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SISC097N24DX1SA1

MOSFET TRENCH >=100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SISC097N24DX1SA1

SISC097N24DX1SA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SISC140N60DX1SA1

MOSFET SMALL SIGNAL+P-CH

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SISC185N06LX1SA1

Description: TRANSISTOR P-CH BARE DIE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SISC6,24P06

MOSFET SMALL SIGNAL+P-CH

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SISD4112LDN-T1-UE3

MOSFETs N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET

на замовлення 2950 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	133.82 грн
10+	83.23 грн
100+	48.48 грн
500+	39.74 грн
1000+	34.82 грн
2500+	32.02 грн
5000+	29.50 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SISD4604LDN-T1-UE3

MOSFETs PPAK1212 N-CH 60V 52A

на замовлення 2950 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	137.80 грн
10+	86.37 грн
100+	52.23 грн
500+	44.24 грн
1000+	37.01 грн
2500+	34.21 грн
5000+	32.91 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SISD4604LDN-T1-UE3

Description: VISHAY - SISD4604LDN-T1-UE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 91 A, 3400 µohm, PowerPAK 1212-F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 91A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	72.57 грн
500+	55.84 грн
1000+	47.45 грн
5000+	41.24 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SISD4604LDN-T1-UE3

Description: VISHAY - SISD4604LDN-T1-UE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 91 A, 3400 µohm, PowerPAK 1212-F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 91A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-F
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	151.34 грн
10+	101.16 грн
100+	72.57 грн
500+	55.84 грн
1000+	47.45 грн
5000+	41.24 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SISD5110DN-T1-UE3

MOSFETs PWRPK 100V 55A

на замовлення 2950 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	164.89 грн
10+	103.64 грн
100+	61.65 грн
500+	51.48 грн
1000+	45.34 грн
2500+	41.99 грн
5000+	40.62 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SISD5300DN-T1-GE3

MOSFETs N-Channel 30 V (D-S) MOSFET PowerPAK 1212-8F, 0.87 mohm a. 10V, 1.3 mohm a. 4.5V

на замовлення 5665 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	119.48 грн
10+	98.15 грн
100+	67.93 грн
250+	62.20 грн
500+	56.53 грн
1000+	51.21 грн
3000+	44.45 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SISD5300DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SISD5300DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 198 A, 870 µohm, PowerPAK 1212-F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 198A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-F
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 870µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 5950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	73.12 грн
500+	49.63 грн
1000+	44.24 грн
5000+	36.60 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SISD5300DN-T1-GE3

на замовлення 5950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	152.94 грн
10+	103.55 грн
100+	73.12 грн
500+	49.63 грн
1000+	44.24 грн
5000+	36.60 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SISD5806DN-T1-UE3

Description: VISHAY - SISD5806DN-T1-UE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 64 A, 6900 µohm, PowerPAK 1212-F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-F
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6900µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 5992 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	162.50 грн
10+	104.35 грн
100+	72.17 грн
500+	56.81 грн
1000+	43.76 грн
5000+	41.65 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SISD5806DN-T1-UE3

Description: VISHAY - SISD5806DN-T1-UE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 64 A, 6900 µohm, PowerPAK 1212-F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6900µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 5992 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	72.17 грн
500+	56.81 грн
1000+	43.76 грн
5000+	41.65 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SISF00DN-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 60A PWRPAK1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SCD Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 69.4W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SCD Dual
Part Status: Active

на замовлення 12135 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	147.48 грн
10+	91.20 грн
100+	62.03 грн
500+	46.51 грн
1000+	45.04 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SISF00DN-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 60A PWRPAK1212
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SCD Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 69.4W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SCD Dual
Part Status: Active

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	42.01 грн
6000+	39.21 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SISF00DN-T1-GE3

MOSFETs 30V (S1-S2) Cmn Drn PowerPAK 1212-8SCD

на замовлення 16022 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	144.97 грн
10+	91.08 грн
100+	53.53 грн
500+	42.54 грн
1000+	39.26 грн
3000+	37.76 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SISF02DN-T1-GE3

Description: MOSFET DUAL N-CH 25V 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SCD
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 5.2W (Ta), 69.4W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.5A (Ta), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SCD
Part Status: Active

на замовлення 31 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	112.14 грн
10+	96.30 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SISF02DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SISF02DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 60 A, 60 A, 2700 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2700µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 69.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2700µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 69.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 1010 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	127.45 грн
10+	81.25 грн
100+	57.27 грн
500+	45.04 грн
1000+	36.94 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SISF02DN-T1-GE3

MOSFET COMMON-DRAIN DUAL N-CH 25V

на замовлення 6795 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	111.52 грн
10+	89.51 грн
100+	61.79 грн
500+	52.37 грн
1000+	42.67 грн
3000+	40.21 грн
6000+	38.51 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SISF02DN-T1-GE3

Description: MOSFET DUAL N-CH 25V 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SCD
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 5.2W (Ta), 69.4W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.5A (Ta), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SCD
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SISF02DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SISF02DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 60 A, 60 A, 2700 µohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2700µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 69.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2700µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 69.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 1010 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	57.27 грн
500+	45.04 грн
1000+	36.94 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SISF04DN-T1-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 30V(S1-S2) PowerPAK 1212-8F

на замовлення 5040 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	129.84 грн
10+	80.87 грн
100+	47.52 грн
500+	37.62 грн
1000+	34.82 грн
3000+	34.34 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SISF04DN-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 30A PWRPAK1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SCD
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 5.2W (Ta), 69.4W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 108A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SCD

на замовлення 11206 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	138.26 грн
10+	84.47 грн
100+	56.90 грн
500+	42.30 грн
1000+	38.73 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SISF04DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SISF04DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 108 A, 108 A, 0.003 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 108A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 108A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.003ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 69.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-SCD
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.003ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 69.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 344 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	61.49 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SISF04DN-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 30A PWRPAK1212
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SCD
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 5.2W (Ta), 69.4W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 108A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SCD

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	37.84 грн
6000+	34.07 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SISF04DN-T1-GE3

на замовлення 344 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	114.70 грн
10+	80.45 грн
100+	61.49 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SISF06DN-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 28A PWRPAK1212
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SCD
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 5.2W (Ta), 69.4W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 101A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SCD

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	33.92 грн
6000+	30.42 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SISF06DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SISF06DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 101 A, 101 A, 3440 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 101A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 101A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3440µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 69.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-SCD
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3440µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 69.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 3734 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	131.43 грн
10+	83.64 грн
100+	55.68 грн
500+	40.83 грн
1000+	34.41 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SISF06DN-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 28A PWRPAK1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SCD
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 5.2W (Ta), 69.4W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 101A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SCD

на замовлення 13556 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	125.97 грн
10+	76.78 грн
100+	51.47 грн
500+	38.10 грн
1000+	34.82 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SISF06DN-T1-GE3

на замовлення 3734 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	55.68 грн
500+	40.83 грн
1000+	34.41 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SISF06DN-T1-GE3

MOSFETs Dual N-Ch 30V(S1-S2)

на замовлення 26058 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	117.89 грн
10+	74.28 грн
100+	42.95 грн
500+	33.86 грн
1000+	30.93 грн
3000+	30.25 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SISF20DN

Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin PowerPAK 1212-SCD T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SISF20DN-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin PowerPAK 1212-SCD T/R

на замовлення 4380 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	36.63 грн
28+	26.69 грн

Мінімальне замовлення: 21

В кошику од. на суму грн.

SISF20DN-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin PowerPAK 1212-SCD T/R

на замовлення 4380 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

379+	34.19 грн

Мінімальне замовлення: 379

В кошику од. на суму грн.

SISF20DN-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 60V 14A/52A PPAK 12
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SCD Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 5.2W (Ta), 69.4W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 52A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SCD Dual

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SISF20DN-T1-GE3

MOSFETs Nch 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8SCD

на замовлення 3592 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	162.50 грн
10+	102.86 грн
100+	72.37 грн
500+	70.32 грн
1000+	66.36 грн
3000+	46.56 грн
6000+	44.04 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SISF20DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin PowerPAK 1212-SCD T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SISF20DN-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 60V 14A/52A PPAK 12
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SCD Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 5.2W (Ta), 69.4W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 52A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SCD Dual

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SISF54DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SISF54DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 118 A, 0.0031 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 118A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-SCD
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0031ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 69.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 5900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	87.62 грн
12+	70.10 грн
100+	61.81 грн
500+	47.49 грн
1000+	38.99 грн
5000+	35.98 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

SISF54DN-T1-GE3

Description: COMMON-DRAIN DUAL N-CH 30V (S1-S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SCD
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 5.2W (Ta), 69.4W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 118A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SCD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SISF54DN-T1-GE3

MOSFETs COMMON-DRAIN DUAL N-CH 30V (S1-S2)MO

на замовлення 2930 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	134.62 грн
10+	84.80 грн
100+	48.75 грн
500+	39.94 грн
1000+	36.19 грн
3000+	30.66 грн
6000+	29.56 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SISGM1040-284-LRT

Lantronix

Ethernet Modules Managed Hardened Switch, (8) 10/100/1000Base-T, (4) 100/1000 SFP

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	67828.77 грн

В кошику од. на суму грн.

SISGM1040-284-LRT

Lantronix, Inc.

Description: MANAGED HARDENED ETHERNET SWITCH
Packaging: Box
Connector Type: RJ45, SFP
Mounting Type: DIN Rail
Voltage - Input: 12V ~ 48V
Type: Switch - Managed
Configuration: Fixed + SFP
Operating Temperature: -40°C ~ 75°C
Number of Ports: 12
Ingress Protection: IP30
Fiber Type: SFP
Copper Ports: 8
Copper Type: 10/100/1000
Fiber Ports: 4
SFP/XFP Type: SFP
SFP/XFP Ports: 4

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	64501.49 грн

В кошику од. на суму грн.

SISH101DN-T1-GE3

MOSFETs -30V Vds; +/-25V Vgs PowerPAK 1212-8SH

на замовлення 57951 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	66.43 грн
10+	47.11 грн
100+	27.45 грн
500+	21.58 грн
1000+	19.53 грн
3000+	17.00 грн
6000+	16.66 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SISH101DN-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 16.9A/35A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.9A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3595 pF @ 15 V

на замовлення 9717 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	66.06 грн
10+	45.41 грн
100+	31.81 грн
500+	23.49 грн
1000+	21.24 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SISH101DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SISH101DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 35 A, 7200 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 27399 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	35.61 грн
500+	25.96 грн
1500+	21.71 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SISH101DN-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 16.9A 8-Pin PowerPAK 1212-SH EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SISH101DN-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 16.9A/35A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.9A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3595 pF @ 15 V

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	19.04 грн
6000+	18.12 грн
9000+	17.46 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SISH101DN-T1-GE3

на замовлення 27399 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	73.92 грн
50+	53.21 грн
100+	35.61 грн
500+	25.96 грн
1500+	21.71 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

SISH101DN-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 16.9A 8-Pin PowerPAK 1212-SH EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SISH103DN-T1-GE3

Description: P-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.67W (Ta), 41.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2540 pF @ 15 V

на замовлення 10689 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	86.03 грн
10+	52.15 грн
100+	34.46 грн
500+	25.22 грн
1000+	22.92 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SISH103DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SISH103DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 54 A, 0.0068 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0068ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 5850 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	88.42 грн
15+	56.71 грн
100+	35.92 грн
500+	26.70 грн
1000+	23.56 грн
5000+	22.39 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

SISH103DN-T1-GE3

MOSFETs P-Channel 30 V (D-S) MOSFET PowerPAK 1212-8SH, 8.9 mohm a. 10V, 15 mohm a. 4.5V

на замовлення 11053 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	77.03 грн
10+	50.88 грн
100+	30.66 грн
500+	24.58 грн
1000+	22.53 грн
3000+	19.87 грн
6000+	19.53 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SISH103DN-T1-GE3