Продукція > ISC

Insulated Stud Cover - Negative - Black, Bulk

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC-10BK-S

INSULATED STUD COVER 8MM SLEEVE BLK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC-10R

INSULATED STUD COVER POS RED

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC-1112

Media Converters Industrial 1 xRS-232 to 1 xRS-422/485 Serial Convertor

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ISC-1112-I

Media Converters 1-port RS-232 to 1-port RS-422/485, 3KV isolation

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC-1112-I

ORing Networking

Description: INDUSTRIAL 1X RS232 TO 1XRS422/4

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ISC-1210

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ISC-1210 100uH 5%

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ISC-1210-68UH-5R98

2001 SMD

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ISC-1210U-I

Media Converters 1-port USB to 1-port RS-422/485, 2KV isolation

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC-1212-I

IEI

Media Converters Industrial RS422/485 repeater with 2k

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	10991.29 грн

В кошику од. на суму грн.

ISC-1310FB-MM-SC

Media Converters 1-port RS-232/422/485 to Fiber, MM 2km

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC-1310FB-SS-SC

Media Converters 1-port RS-232/422/485 to Fiber, SM 30km

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC-1310FR-MM-SC

Media Converters Industrial 1x RS-232/422/485 to Fiber (Multimode SC type) Convertor

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC-1310FR-MM-ST

Media Converters Industrial 1x RS-232/422/485 to Fiber (Multimode ST type) Convertor

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC-1310FR-SS-SC

Media Converters Industrial 1x RS-232/422/485 to Fiber (Single Mode SC type) Convertor

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC-1310FR-SS-ST

Media Converters Industrial 1x RS-232/422/485 to Fiber (Single Mode ST type) Convertor

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC-1310FW-SS-SC-L

Media Converters Industrial 1x RS-232/422/485 to WDM Fiber (Multimode SC type) Convertor

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC-1310FW-SS-SC-R

Media Converters Industrial 1x RS-232/422/485 to WDM Fiber (Single Mode SC type) Convertor

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC-1310U-I

Media Converters 1-port USB to 1-port RS-232/422/485, 2KV isolation

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC-1812

на замовлення 1700 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ISC-1812 100 10% ESE3

Vishay

Inductor RF Chip Shielded/Molded Wirewound 100uH 10% 796KHz 40Q-Factor Ferrite 0.147A 3.25Ohm DCR 1812 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC-1812 100 10% ESE3

Vishay

Inductor RF Chip Shielded/Molded Wirewound 100uH 10% 796KHz 40Q-Factor Ferrite 0.147A 3.25Ohm DCR 1812 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC-1812 82 5% TR-2000

на замовлення 72000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ISC-1812-07

на замовлення 4500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ISC-1812-07 1.5 5% R73

на замовлення 326000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ISC-1812-07 R73

на замовлення 121500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ISC-1812-071R5J

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ISC-1812-071R5J

4532(1812)

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ISC-1812-0747R0J

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ISC-1812-0747R0J

4532(1812)

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ISC-1812-151J

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ISC-1812-1R2

на замовлення 33195 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ISC-1812-1R5J

2005+

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ISC-1812-1R8

на замовлення 8280 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ISC-1812-1UH

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ISC-1812-2R7K

на замовлення 7000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ISC-1812-3R9

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ISC-1812-4.7UH

на замовлення 17600 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ISC-1812-47UH

02+

на замовлення 1888 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ISC-1812-5R6

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ISC-1812-82-J

4532(1812)

на замовлення 72000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ISC-1812-82-J

на замовлення 36000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ISC-1812-R33

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ISC-1812-R82

на замовлення 9690 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ISC-181210UH 10%R13

на замовлення 2612 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ISC-181210UH10%R13

на замовлення 1306 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ISC-18121UH10%

00+

на замовлення 1010 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ISC-1812825%TR-2000

на замовлення 36000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ISC-2425-25+

Mini-Circuits

Function Generators & Synthesisers Signal Generator and Controller for 2.4-2.5 GHz ISM RF Energy

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	164711.76 грн

В кошику од. на суму грн.

ISC-256

Mounting Fixings ISC-256 DBL ENDED NUT

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC-4110U

Media Converters Slim size 1 ports USB2.0 to 4 port RS-232 Serial Convertor

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC-440

Mounting Fixings ISC-440 DBL ENDED NUT

на замовлення 612 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	53.81 грн
10+	38.11 грн
100+	26.57 грн
500+	23.85 грн
1000+	22.19 грн
2000+	21.59 грн
10000+	20.31 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

ISC-6-2

INSULATED STUD COVER DUAL NEG BLK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC-632

Mounting Fixings ISC-632 DBL ENDED NUT

на замовлення 72 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	68.96 грн
10+	48.35 грн
100+	33.59 грн
500+	30.35 грн
1000+	28.08 грн
2000+	27.33 грн
10000+	25.74 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

ISC-8110U

Thales Visionix - a Division of Thales Defense & Security, Inc.

Media Converters Silm size 1 ports USB2.0 to 8 ports RS-232 Serial Convertor

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC-832

Mounting Fixings ISC-832 DBL ENDED NUT

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC-IC400-000E

Description: INERTIACUBE4 SENSOR 3-DOF
Packaging: Box
Package / Case: Module
Output Type: RS-232
Mounting Type: Chassis Mount
Sensor Type: Accelerometer, Gyroscope, Magnetometer, 9 Axis
Supplier Device Package: 3-DOF

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC-IC400-000K

Thales Visionix - a Division of Thales Defense & Security, Inc.

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC-IC400-000U

Thales Visionix - a Division of Thales Defense & Security, Inc.

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC-IC400-0USB

Thales Visionix - a Division of Thales Defense & Security, Inc.

Description: INERTIACUBE4 SENSOR 3-DOF
Packaging: Box
Package / Case: Module
Output Type: USB
Mounting Type: Chassis Mount
Sensor Type: Accelerometer, Gyroscope, Magnetometer, 9 Axis
Supplier Device Package: 3-DOF

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	46634.10 грн

В кошику од. на суму грн.

ISC-IDC-6

Description: OMEGA - ISC-IDC-6 - Signalwandler, Strom, Strom, Spannung, 2 Kanäle, 0.3 %, ± 0.3%, 24 VDC
Versorgungsspannung: 24
Anzahl der Kanäle: 2 Kanäle
Signalaufbereitereingang: Strom
Signalaufbereitermontage: DIN-Schienenmontage
Anzahl der Ausgangskanäle: 2
Signalaufbereiterausgang: Strom, Spannung
Isolationseingang: Isoliert
Produktpalette: ISC Series
Genauigkeit %: 0.3
Ausgangsgenauigkeit: ± 0.3%
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC-M3

Mounting Fixings ISC-M3 DBL ENDED NUT

на замовлення 154 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	52.40 грн
10+	36.37 грн
100+	25.36 грн
500+	23.85 грн
1000+	20.23 грн
10000+	19.40 грн
25000+	18.95 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

ISC-M4

Mounting Fixings ISC-M4 DBL ENDED NUT

на замовлення 811 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	69.66 грн
10+	51.22 грн
100+	34.65 грн
500+	32.61 грн
1000+	31.93 грн
2000+	30.88 грн
5000+	29.82 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

ISC-M5

Mounting Fixings ISC-M5 DBL ENDED NUT

на замовлення 390 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	78.74 грн
10+	57.90 грн
100+	39.18 грн
500+	36.99 грн
1000+	36.16 грн
2000+	35.03 грн
5000+	33.74 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

ISC-M6

Mounting Fixings ISC-M6 DBL ENDED NUT

на замовлення 313 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	100.40 грн
10+	74.49 грн
100+	50.50 грн
500+	47.63 грн
1000+	46.58 грн
2500+	44.99 грн
5000+	43.48 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

ISC-P-6

Description: OMEGA - ISC-P-6 - Signalwandler, Strom, Spannung, Strom, Spannung, 2 Kanäle, 0.2 %, ± 0.2%, 24 VDC
Versorgungsspannung: 24
Anzahl der Kanäle: 2 Kanäle
Signalaufbereitereingang: Strom, Spannung
Signalaufbereitermontage: DIN-Schienenmontage
Anzahl der Ausgangskanäle: 2
Signalaufbereiterausgang: Strom, Spannung
Isolationseingang: Isoliert
Produktpalette: ISC Series
Genauigkeit %: 0.2
Ausgangsgenauigkeit: ± 0.2%
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC-TJ-6

Description: OMEGA - ISC-TJ-6 - Signalwandler, Thermoelement, Strom, Spannung, 2 Kanäle, 0.3 %, ± 0.3%, 24 VDC
Versorgungsspannung: 24
Anzahl der Kanäle: 2 Kanäle
Signalaufbereitereingang: Thermoelement
Signalaufbereitermontage: DIN-Schienenmontage
Anzahl der Ausgangskanäle: 2
Signalaufbereiterausgang: Strom, Spannung
Isolationseingang: Isoliert
Produktpalette: ISC Series
Genauigkeit %: 0.3
Ausgangsgenauigkeit: ± 0.3%
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC-VAC-6

Description: OMEGA - ISC-VAC-6 - Signalwandler, Spannung, Strom, Spannung, 2 Kanäle, 0.3 %, ± 0.3%, 24 VDC
Versorgungsspannung: 24
Anzahl der Kanäle: 2 Kanäle
Signalaufbereitereingang: Spannung
Signalaufbereitermontage: DIN-Schienenmontage
Anzahl der Ausgangskanäle: 2
Signalaufbereiterausgang: Strom, Spannung
Isolationseingang: Isoliert
Produktpalette: ISC Series
Genauigkeit %: 0.3
Ausgangsgenauigkeit: ± 0.3%
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC-VDC-6

Description: OMEGA - ISC-VDC-6 - Signalwandler, Spannung, Strom, Spannung, 2 Kanäle, 0.3 %, ± 0.3%, 24 VDC
Versorgungsspannung: 24
Anzahl der Kanäle: 2 Kanäle
Signalaufbereitereingang: Spannung
Signalaufbereitermontage: DIN-Schienenmontage
Anzahl der Ausgangskanäle: 2
Signalaufbereiterausgang: Strom, Spannung
Isolationseingang: Isoliert
Produktpalette: ISC Series
Genauigkeit %: 0.3
Ausgangsgenauigkeit: ± 0.3%
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC-VDC-6

Omega

Description: ISC-VDC-6
Packaging: Bulk

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC007N04NM6ATMA1

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta), 381A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1.05mA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC007N04NM6ATMA1

N-Channel MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC007N04NM6ATMA1

Description: INFINEON - ISC007N04NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 381 A, 0.0006 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 381A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1447 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	228.65 грн
10+	192.23 грн
100+	155.82 грн
500+	128.96 грн
1000+	103.07 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

ISC007N04NM6ATMA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 3571 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	243.08 грн
10+	182.31 грн
100+	110.21 грн
500+	92.10 грн
5000+	83.79 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

ISC007N04NM6ATMA1

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta), 381A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1.05mA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 20 V

на замовлення 4110 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	217.21 грн
10+	149.72 грн
100+	104.34 грн
500+	83.09 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

ISC007N04NM6ATMA1

Description: INFINEON - ISC007N04NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 381 A, 0.0006 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 381A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 188W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 600µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1447 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	155.82 грн
500+	128.96 грн
1000+	103.07 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ISC007N06LM6ATMA1

TRENCH 40<-<100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC007N06LM6ATMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC007N06LM6ATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC007N06NM6ATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC007N06NM6ATMA1

TRENCH 40<-<100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC007N06NM6ATMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC008N06LM6ATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC009N03LF2SATMA1

Description: INFINEON - ISC009N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 341 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 341A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	121.94 грн
10+	92.31 грн
100+	72.32 грн
500+	56.85 грн
1000+	42.83 грн
5000+	38.40 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

ISC009N03LF2SATMA1

Description: ISC009N03LF2SATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 15 V
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 341A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-62
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC009N03LF2SATMA1

TRENCH <= 40V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 201-210 дні (днів)

3+	140.91 грн
10+	93.76 грн
100+	64.92 грн
500+	53.98 грн
1000+	46.73 грн
2500+	44.69 грн
5000+	43.78 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ISC009N03LF2SATMA1

Description: ISC009N03LF2SATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 15 V
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 341A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-62
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V

на замовлення 4570 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	85.74 грн
10+	59.53 грн
25+	53.85 грн
100+	44.69 грн
250+	41.91 грн
500+	40.23 грн
1000+	38.21 грн
2500+	36.77 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

ISC009N03LF2SATMA1

Description: INFINEON - ISC009N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 341 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 341A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	72.32 грн
500+	56.85 грн
1000+	42.83 грн
5000+	38.40 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ISC009N06LM5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 41A/348A TSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 348A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 147µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 209 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V

на замовлення 5323 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	383.80 грн
10+	256.59 грн
100+	186.24 грн
500+	141.77 грн

В кошику од. на суму грн.

ISC009N06LM5ATMA1

Description: INFINEON - ISC009N06LM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 348 A, 0.00075 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 348A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 3426 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	233.73 грн
500+	203.66 грн
1000+	160.42 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ISC009N06LM5ATMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 2308 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	394.56 грн
10+	298.64 грн
100+	190.23 грн
500+	179.67 грн
1000+	169.10 грн
2500+	164.57 грн
5000+	152.49 грн

В кошику од. на суму грн.

ISC009N06LM5ATMA1

SP005400730

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC009N06LM5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 41A/348A TSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 348A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 147µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 209 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	160.18 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

ISC009N06LM5ATMA1

на замовлення 3309 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	420.88 грн
10+	286.23 грн
100+	207.48 грн
500+	163.56 грн
1000+	149.53 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ISC009N06NM6SCATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 344A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 221W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 118µA
Supplier Device Package: PG-WSON-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8300 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC010N04NM6

ISC010N04NM6

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

79+	158.19 грн
82+	152.16 грн
100+	147.00 грн
250+	137.45 грн
500+	123.80 грн
1000+	115.94 грн
2500+	113.39 грн
5000+	111.13 грн

Мінімальне замовлення: 79

В кошику од. на суму грн.

ISC010N04NM6ATMA1

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 285A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 747µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC010N04NM6ATMA1

Description: INFINEON - ISC010N04NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 285 A, 0.00082 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 285A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 820µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 820µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 5079 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	92.31 грн
500+	70.85 грн
1000+	65.11 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ISC010N04NM6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC010N04NM6ATMA1

Description: INFINEON - ISC010N04NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 285 A, 0.00082 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 285A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 820µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 5079 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	194.77 грн
10+	131.26 грн
100+	92.31 грн
500+	70.85 грн
1000+	65.11 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

ISC010N04NM6ATMA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 8620 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	194.64 грн
10+	131.09 грн
100+	81.53 грн
500+	65.68 грн
1000+	62.73 грн
10000+	57.67 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

ISC010N04NM6ATMA1

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 285A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 747µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 20 V

на замовлення 3862 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	176.38 грн
10+	108.60 грн
100+	74.86 грн
500+	57.00 грн
1000+	55.87 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

ISC010N04NM6ATMA1

N-Channel MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC010N06NM5

Trans MOSFET N-CH 60V 39A 8-Pin TSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC010N06NM5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 39A 8-Pin TSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC010N06NM5ATMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 4857 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	330.27 грн
10+	241.34 грн
100+	149.47 грн
500+	141.17 грн
1000+	127.58 грн
2500+	120.03 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

ISC010N06NM5ATMA1

Description: OPTIMOS5 60 V POWER MOSFET IN SU
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 330A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 147µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC010N06NM5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 39A T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC010N06NM5ATMA1

Description: INFINEON - ISC010N06NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 330 A, 870 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 330A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 214W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 870µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00087ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 2768 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	186.30 грн
500+	165.13 грн
1000+	135.74 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ISC010N06NM5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 39A 8-Pin TSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC010N06NM5ATMA1

Description: INFINEON - ISC010N06NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 330 A, 870 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 330A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00087ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 2768 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	353.13 грн
10+	261.67 грн
100+	186.30 грн
500+	165.13 грн
1000+	135.74 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ISC010N06NM5ATMA1

Description: OPTIMOS5 60 V POWER MOSFET IN SU
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 330A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 147µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V

на замовлення 282 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	320.92 грн
10+	229.38 грн
100+	166.53 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

ISC011N03L5SATMA1

Description: INFINEON - ISC011N03L5SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0009ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4062 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	40.56 грн
27+	31.76 грн
100+	31.25 грн
500+	28.31 грн
1000+	24.90 грн

Мінімальне замовлення: 21

В кошику од. на суму грн.

ISC011N03L5SATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 37A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	32.10 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

ISC011N03L5SATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC011N03L5SATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 4990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

108+	114.68 грн
110+	112.57 грн
135+	92.16 грн
200+	83.09 грн
500+	70.08 грн
1000+	49.87 грн
2000+	48.51 грн

Мінімальне замовлення: 108

В кошику од. на суму грн.

ISC011N03L5SATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 37A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V

на замовлення 14972 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	53.90 грн
10+	45.92 грн
100+	37.66 грн
500+	34.19 грн
1000+	31.86 грн
2000+	31.59 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

ISC011N03L5SATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 9500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

137+	90.69 грн
140+	88.47 грн
171+	72.40 грн
250+	68.56 грн
500+	55.09 грн
1000+	39.70 грн
3000+	38.87 грн
6000+	37.06 грн

Мінімальне замовлення: 137

В кошику од. на суму грн.

ISC011N03L5SATMA1

Description: INFINEON - ISC011N03L5SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 96W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 900µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0009ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4062 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	31.25 грн
500+	28.31 грн
1000+	24.90 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ISC011N03L5SATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 9500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	119.73 грн
10+	97.16 грн
25+	94.79 грн
100+	74.80 грн
250+	68.02 грн
500+	56.66 грн
1000+	42.54 грн
3000+	41.65 грн
6000+	39.71 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

ISC011N03L5SATMA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 9963 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	42.80 грн
10+	38.89 грн
100+	31.63 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

ISC011N03L5SATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	35.14 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

ISC011N03L5SATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 355000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	46.59 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

ISC011N04NM7VATMA1

Description: ISC011N04NM7VATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 256A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 50A, 15V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.15V @ 56µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 20 V

на замовлення 4823 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	155.15 грн
10+	95.93 грн
100+	65.18 грн
500+	48.82 грн
1000+	47.06 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ISC011N04NM7VATMA1

MOSFETs OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V

на замовлення 4911 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	132.99 грн
10+	98.97 грн
100+	63.18 грн
500+	50.35 грн
1000+	46.50 грн
2500+	43.78 грн
5000+	41.29 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ISC011N04NM7VATMA1

Description: ISC011N04NM7VATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 256A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 50A, 15V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.15V @ 56µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC011N06LM5ATMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 8061 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	375.18 грн
10+	255.23 грн
100+	157.02 грн
500+	137.39 грн
1000+	134.37 грн
5000+	126.82 грн

В кошику од. на суму грн.

ISC011N06LM5ATMA1

Description: INFINEON - ISC011N06LM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 288 A, 1150 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 288A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1150µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4945 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	373.46 грн
50+	252.36 грн
250+	179.53 грн
1000+	148.62 грн
3000+	134.28 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

ISC011N06LM5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 37A 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC011N06LM5ATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 288A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 116µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-17
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V

на замовлення 12090 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	328.27 грн
10+	211.06 грн
100+	149.87 грн
500+	131.53 грн

В кошику од. на суму грн.

ISC011N06LM5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 37A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	122.42 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

ISC011N06LM5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 37A 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC011N06LM5ATMA1

на замовлення 4945 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	252.36 грн
250+	179.53 грн
1000+	148.62 грн
3000+	134.28 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ISC011N06LM5ATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 288A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 116µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-17
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	118.91 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

ISC012N03LF2SATMA1

Description: ISC012N03LF2SATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 270A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.28mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-62
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC012N03LF2SATMA1

Description: ISC012N03LF2SATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 270A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.28mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-62
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V

на замовлення 2090 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	70.23 грн
10+	48.60 грн
25+	43.82 грн
100+	36.23 грн
250+	33.90 грн
500+	32.49 грн
1000+	30.82 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

ISC012N03LF2SATMA1

TRENCH <= 40V

на замовлення 4900 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	98.64 грн
10+	68.32 грн
100+	46.20 грн
500+	39.18 грн
1000+	31.93 грн
2500+	30.04 грн
5000+	28.61 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

ISC012N04LM6ATMA1

Description: INFINEON - ISC012N04LM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 238 A, 0.001 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 238A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 6032 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	105.01 грн
500+	81.78 грн
1000+	69.32 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ISC012N04LM6ATMA1

N Channel Power Mosfet

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC012N04LM6ATMA1

Description: TRENCH <= 40V PG-TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 238A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC012N04LM6ATMA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC012N04LM6ATMA1

на замовлення 6032 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	227.80 грн
10+	149.04 грн
100+	105.01 грн
500+	81.78 грн
1000+	69.32 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

ISC012N04LM6ATMA1

Description: TRENCH <= 40V PG-TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 238A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC012N04LM6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 37A 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC012N04NM6ATMA1

Description: TRENCH <= 40V PG-TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 232A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 747µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 20 V

на замовлення 12658 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	173.93 грн
10+	111.66 грн
100+	77.48 грн
500+	57.67 грн
1000+	56.60 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

ISC012N04NM6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 36A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 3753 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

72+	174.11 грн
108+	115.52 грн
124+	99.84 грн
500+	79.01 грн
2000+	70.85 грн

Мінімальне замовлення: 72

В кошику од. на суму грн.

ISC012N04NM6ATMA1

Description: INFINEON - ISC012N04NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 232 A, 0.001 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 232A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 2969 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	88.07 грн
500+	65.50 грн
1000+	53.06 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ISC012N04NM6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 36A 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC012N04NM6ATMA1

Description: TRENCH <= 40V PG-TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 232A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 747µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 20 V

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	55.07 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

ISC012N04NM6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 36A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 70000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	72.20 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

ISC012N04NM6ATMA1

на замовлення 2969 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	182.92 грн
10+	121.94 грн
100+	88.07 грн
500+	65.50 грн
1000+	53.06 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

ISC012N04NM6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 36A 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC012N04NM6ATMA1

N-Channel MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC012N04NM6ATMA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 13000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	178.78 грн
10+	118.07 грн
100+	72.02 грн
500+	56.09 грн
1000+	51.41 грн
2500+	51.33 грн
5000+	48.01 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

ISC015N03LF2SATMA1

Description: ISC015N03LF2SATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 15 V
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 214A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-62
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	68.59 грн
10+	47.18 грн
25+	42.59 грн
100+	35.14 грн
250+	32.84 грн
500+	31.46 грн
1000+	29.82 грн
2500+	28.63 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

ISC015N03LF2SATMA1

TRENCH <= 40V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	88.95 грн
10+	61.20 грн
100+	41.44 грн
500+	35.10 грн
1000+	28.61 грн
2500+	26.95 грн
5000+	25.67 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

ISC015N03LF2SATMA1

Description: ISC015N03LF2SATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 15 V
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 214A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-62
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	31.41 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

ISC015N04NM5

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC015N04NM5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 4640 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

115+	108.30 грн
145+	85.51 грн
156+	79.53 грн
200+	75.10 грн
1000+	69.44 грн
2000+	66.48 грн

Мінімальне замовлення: 115

В кошику од. на суму грн.

ISC015N04NM5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	50.64 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

ISC015N04NM5ATMA1

N-Channel MOSFET

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	37.52 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

ISC015N04NM5ATMA1

Description: INFINEON - ISC015N04NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 206 A, 1200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 206A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 115W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 8508 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	61.31 грн
500+	41.99 грн
1000+	35.49 грн
5000+	29.54 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ISC015N04NM5ATMA1

Description: 40V 1.5M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 206A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 20 V

на замовлення 6293 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	106.97 грн
10+	78.24 грн
100+	57.76 грн
500+	43.45 грн
1000+	40.60 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

ISC015N04NM5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC015N04NM5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	47.55 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

ISC015N04NM5ATMA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 8370 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	112.73 грн
10+	85.08 грн
100+	54.28 грн
500+	43.48 грн
1000+	39.93 грн
2500+	36.84 грн
5000+	34.57 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

ISC015N04NM5ATMA1

Description: INFINEON - ISC015N04NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 206 A, 1200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 206A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 8508 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	109.24 грн
11+	83.58 грн
100+	61.31 грн
500+	41.99 грн
1000+	35.49 грн
5000+	29.54 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

ISC015N04NM5ATMA1

Description: 40V 1.5M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 206A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 20 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	37.36 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

ISC015N04NM5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC015N06NM5LF2ATMA1

Description: INFINEON - ISC015N06NM5LF2ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 275 A, 0.00155 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 275A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.45V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 217W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00155ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	309.10 грн
10+	219.33 грн
100+	176.99 грн
500+	154.91 грн
1000+	121.94 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ISC015N06NM5LF2ATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 275A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.45V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC015N06NM5LF2ATMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 8784 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	259.81 грн
10+	193.59 грн
25+	165.32 грн
100+	135.13 грн
250+	134.37 грн
500+	118.52 грн
1000+	116.25 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

ISC015N06NM5LF2ATMA1

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	176.99 грн
500+	154.91 грн
1000+	121.94 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ISC015N06NM5LF2ATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 275A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.45V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 30 V

на замовлення 3968 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	258.04 грн
10+	187.23 грн
100+	151.49 грн
500+	131.16 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

ISC015N06NM5LFATMA1

Description: OPTIMOSTM5LINEARFET60V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 275A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.45V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC015N06NM5LFATMA1

Description: OPTIMOSTM5LINEARFET60V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 275A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.45V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC016N04NM7VATMA1

MOSFETs OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V

на замовлення 3410 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	89.83 грн
10+	62.68 грн
100+	42.43 грн
500+	34.50 грн
1000+	29.29 грн
2500+	27.55 грн
5000+	26.04 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

ISC017N04NM5

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC017N04NM5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 193A TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 193A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 20 V

на замовлення 1847 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	113.51 грн
10+	84.22 грн
100+	57.10 грн
500+	42.55 грн
1000+	39.90 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ISC017N04NM5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

116+	107.27 грн
154+	80.45 грн
161+	76.95 грн
200+	72.91 грн
500+	67.32 грн
1000+	64.45 грн
2000+	64.19 грн
5000+	61.09 грн

Мінімальне замовлення: 116

В кошику од. на суму грн.

ISC017N04NM5ATMA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 1854 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	146.20 грн
10+	109.38 грн
100+	69.30 грн
250+	67.71 грн
500+	55.41 грн
1000+	47.41 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ISC017N04NM5ATMA1

Description: INFINEON - ISC017N04NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 193 A, 0.0013 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 193A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 115W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0013ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 926 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	71.47 грн
250+	58.43 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ISC017N04NM5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 193A TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 193A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC017N04NM5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	45.70 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

ISC017N04NM5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	48.94 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

ISC017N04NM5ATMA1

Description: INFINEON - ISC017N04NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 193 A, 0.0013 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 193A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 926 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	105.85 грн
50+	71.47 грн
250+	58.43 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

ISC017N04NM5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC017N04NM5ATMA1

40V MOSFET Power-Transistor

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	38.84 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

ISC018N08NM6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 27A 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC018N08NM6ATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC018N08NM6SCATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 230A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 114µA
Supplier Device Package: PG-WSON-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 40 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC019N03L5SATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC019N03L5SATMA1

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ISC019N03L5SATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC019N03L5SATMA1

Description: INFINEON - ISC019N03L5SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0016 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 992 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	61.57 грн
19+	44.63 грн
100+	31.67 грн
500+	25.87 грн

Мінімальне замовлення: 14

В кошику од. на суму грн.

ISC019N03L5SATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V

на замовлення 18544 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	32.66 грн
11+	30.51 грн
100+	25.30 грн
500+	23.32 грн
1000+	23.11 грн
2000+	22.80 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

ISC019N03L5SATMA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 5178 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

14+	26.16 грн
15+	24.65 грн
25+	21.36 грн
100+	20.23 грн
250+	20.16 грн

Мінімальне замовлення: 14

В кошику од. на суму грн.

ISC019N03L5SATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	23.55 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

ISC019N03L5SATMA1

Description: INFINEON - ISC019N03L5SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0016 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 69W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0016ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 992 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	31.67 грн
500+	25.87 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ISC019N04NM5

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC019N04NM5ATMA1

Description: 40V 1.9M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 20 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	34.79 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

ISC019N04NM5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 29A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

181+	68.39 грн
206+	60.24 грн
234+	52.92 грн
245+	48.84 грн
500+	42.73 грн
1000+	38.90 грн
2000+	36.96 грн
5000+	34.83 грн

Мінімальне замовлення: 181

В кошику од. на суму грн.

ISC019N04NM5ATMA1

Description: INFINEON - ISC019N04NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 170 A, 0.0015 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 100W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0015ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 5719 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	58.77 грн
500+	44.35 грн
1000+	38.33 грн
5000+	35.71 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ISC019N04NM5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 29A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	46.31 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

ISC019N04NM5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 29A 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC019N04NM5ATMA1

Description: INFINEON - ISC019N04NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 170 A, 0.0015 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 5719 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	140.58 грн
10+	88.92 грн
100+	58.77 грн
500+	44.35 грн
1000+	38.33 грн
5000+	35.71 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

ISC019N04NM5ATMA1

Description: 40V 1.9M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 20 V

на замовлення 10568 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	129.84 грн
10+	82.10 грн
100+	55.24 грн
500+	40.95 грн
1000+	37.45 грн
2000+	34.50 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ISC019N04NM5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 29A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	43.24 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

ISC019N04NM5ATMA1

SP005352244

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	33.73 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

ISC019N04NM5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 29A 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC019N04NM5ATMA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 5794 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	135.63 грн
10+	87.68 грн
100+	51.63 грн
500+	39.18 грн
1000+	33.22 грн
5000+	24.23 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ISC01P

NKK Switches

Description: GRAPHIC DISPLAY OLED RGB -
Packaging: Box
Display Type: OLED - Passive Matrix
Backlight: Without Backlight
Interface: SPI
Viewing Area: 12.90mm W x 9.90mm H
Dot Pixels: 52 x 36
Graphics Color: Red, Green, Blue (RGB)
Part Status: Active

на замовлення 60 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	3682.84 грн

В кошику од. на суму грн.

ISC01P

NKK Switches

OLED Displays & Accessories OLED SmartDisplay 52 X 36 full color

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC01P-104G

NKK Switches

SWITCH

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC022N10NM6ATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 4929 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	273.90 грн
10+	200.54 грн
100+	150.22 грн
500+	146.45 грн
1000+	142.68 грн
2500+	140.41 грн
5000+	124.56 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

ISC022N10NM6ATMA1

Description: INFINEON - ISC022N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 230 A, 2240 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2240µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 8275 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	299.78 грн
50+	222.72 грн
250+	191.39 грн
1000+	169.07 грн
3000+	153.16 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

ISC022N10NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V PG-TSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 230A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.24mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 254W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 147µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6880 pF @ 50 V

на замовлення 12134 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	321.74 грн
10+	243.06 грн
100+	207.27 грн
500+	143.07 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

ISC022N10NM6ATMA1

Description: INFINEON - ISC022N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 230 A, 2240 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 254W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254W
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2240µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 8275 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	222.72 грн
250+	191.39 грн
1000+	169.07 грн
3000+	153.16 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ISC022N10NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V PG-TSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 230A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.24mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 254W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 147µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6880 pF @ 50 V

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	139.60 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

ISC022N10NM6ATMA1

SP005339558

на замовлення 5010 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	169.10 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

ISC023N03LF2SATMA1

Description: INFINEON - ISC023N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 150 A, 2300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	42.68 грн
500+	33.58 грн
1000+	25.33 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ISC023N03LF2SATMA1

Description: ISC023N03LF2SATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-62
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 15 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	53.90 грн
10+	37.19 грн
25+	33.44 грн
100+	27.50 грн
250+	25.66 грн
500+	24.55 грн
1000+	23.24 грн
2500+	22.29 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

ISC023N03LF2SATMA1

Description: INFINEON - ISC023N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 150 A, 2300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	82.82 грн
16+	56.40 грн
100+	42.68 грн
500+	33.58 грн
1000+	25.33 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

ISC023N03LF2SATMA1

Description: ISC023N03LF2SATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-62
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 15 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	24.43 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

ISC025N06LM6ATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC025N08NM5LF2ATMA1

Description: INFINEON - ISC025N08NM5LF2ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 198 A, 0.00255 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 198A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 217W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00255ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 4970 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	352.29 грн
10+	219.33 грн
100+	161.75 грн
500+	147.83 грн
1000+	134.28 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ISC025N08NM5LF2ATMA1

Description: OPTIMOSTM5LINEARFET80V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 198A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.55mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 40 V

на замовлення 7503 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	307.86 грн
10+	203.43 грн
100+	145.34 грн
500+	119.31 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

ISC025N08NM5LF2ATMA1

ISC025N08NM5LF2ATMA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC025N08NM5LF2ATMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 7278 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	330.27 грн
10+	230.05 грн
100+	142.68 грн
500+	118.52 грн
1000+	117.76 грн
5000+	110.97 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

ISC025N08NM5LF2ATMA1

на замовлення 4970 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	161.75 грн
500+	147.83 грн
1000+	134.28 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ISC025N08NM5LF2ATMA1

Description: OPTIMOSTM5LINEARFET80V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 198A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.55mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 40 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	117.32 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

ISC025N08NM5LFATMA1

TRENCH 40<-<100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC025N08NM5LFATMA1

Description: OPTIMOSTM5LINEARFET80V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 198A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.55mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 40 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC025N08NM5LFATMA1

Description: OPTIMOSTM5LINEARFET80V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 198A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.55mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 40 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC026N03L5SATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 24A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	23.60 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

ISC026N03L5SATMA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 3808 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	84.11 грн
10+	55.21 грн
100+	31.63 грн
500+	25.29 грн
1000+	21.06 грн
5000+	17.66 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

ISC026N03L5SATMA1

Description: INFINEON - ISC026N03L5SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0022 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4955 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	86.38 грн
15+	58.60 грн
100+	38.45 грн
500+	26.03 грн
1000+	19.96 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

ISC026N03L5SATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC026N03L5SATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 24A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V

на замовлення 21409 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	92.28 грн
10+	58.43 грн
100+	39.18 грн
500+	27.67 грн
1000+	24.25 грн
2000+	23.54 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

ISC026N03L5SATMA1

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ISC026N03L5SATMA1

Description: INFINEON - ISC026N03L5SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0022 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 48W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0022ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4955 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	38.45 грн
500+	26.03 грн
1000+	19.96 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ISC027N10NM6ATMA1

Description: INFINEON - ISC027N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 192 A, 0.0027 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 192A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 217W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 217W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0023ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 11713 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	244.74 грн
250+	172.76 грн
1000+	141.54 грн
3000+	127.75 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ISC027N10NM6ATMA1

SP005339566

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC027N10NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V PG-TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 192A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 116µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC027N10NM6ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5000+	169.37 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

ISC027N10NM6ATMA1

Description: INFINEON - ISC027N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 192 A, 0.0027 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 192A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 217W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 11713 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	342.12 грн
50+	244.74 грн
250+	172.76 грн
1000+	141.54 грн
3000+	127.75 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

ISC027N10NM6ATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 1842 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	331.15 грн
10+	221.37 грн
100+	136.64 грн
500+	125.31 грн
1000+	124.56 грн
5000+	107.20 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

ISC027N10NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V PG-TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 192A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 116µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 50 V

на замовлення 3271 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	297.24 грн
10+	200.05 грн
100+	141.65 грн
500+	122.73 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

ISC028N03LF2SATMA1

Description: ISC028N03LF2SATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 128A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-62
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1780 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC028N03LF2SATMA1

TRENCH <= 40V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	77.85 грн
10+	57.64 грн
100+	34.20 грн
500+	28.54 грн
1000+	24.31 грн
2500+	22.04 грн
5000+	20.46 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

ISC028N03LF2SATMA1

Description: ISC028N03LF2SATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 128A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-62
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1780 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC028N04NM5ATMA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 7191 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	120.66 грн
10+	77.61 грн
100+	44.99 грн
500+	34.88 грн
1000+	29.29 грн
2500+	29.21 грн
5000+	28.76 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ISC028N04NM5ATMA1

Description: INFINEON - ISC028N04NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 121 A, 2100 µohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 121A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 75W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0021ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	46.91 грн
500+	31.45 грн
1000+	25.48 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ISC028N04NM5ATMA1

Description: 40V 2.8M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 121A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 20 V

на замовлення 10288 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	105.34 грн
10+	66.13 грн
100+	44.01 грн
500+	32.40 грн
1000+	28.39 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

ISC028N04NM5ATMA1

Description: INFINEON - ISC028N04NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 121 A, 2100 µohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 121A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	107.55 грн
13+	70.37 грн
100+	46.91 грн
500+	31.45 грн
1000+	25.48 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

ISC028N04NM5ATMA1

Description: 40V 2.8M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 121A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 20 V

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	27.40 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

ISC028N04NM5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 24A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	34.88 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

ISC030N10NM6ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5000+	150.74 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

ISC030N10NM6ATMA1

SP005427072

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	113.61 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

ISC030N10NM6ATMA1

Description: INFINEON - ISC030N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 179 A, 0.003 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 179A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 208W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0026ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 3145 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	200.70 грн
250+	148.20 грн
1000+	113.23 грн
3000+	94.36 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ISC030N10NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V PG-TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 179A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 109µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 50 V

на замовлення 4114 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	252.33 грн
10+	177.87 грн
100+	125.03 грн
500+	105.45 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

ISC030N10NM6ATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 11328 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	267.74 грн
10+	193.59 грн
100+	120.78 грн
500+	108.71 грн
1000+	103.42 грн
2500+	92.10 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

ISC030N10NM6ATMA1

Description: INFINEON - ISC030N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 179 A, 0.003 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 179A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 3145 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	276.07 грн
50+	200.70 грн
250+	148.20 грн
1000+	113.23 грн
3000+	94.36 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

ISC030N10NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V PG-TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 179A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 109µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 50 V

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	95.33 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

ISC030N12NM6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 120V 21A 8-Pin TSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC030N12NM6ATMA1

Description: INFINEON - ISC030N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 194 A, 3040 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 194A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3040µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 2429 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	222.72 грн
500+	201.31 грн
1000+	184.37 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ISC030N12NM6ATMA1

Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 194A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.04mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 141µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 60 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC030N12NM6ATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 3634 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	383.11 грн
10+	246.55 грн
100+	178.91 грн
500+	174.38 грн
1000+	173.63 грн
2500+	172.87 грн
5000+	134.37 грн

В кошику од. на суму грн.

ISC030N12NM6ATMA1

на замовлення 2429 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	408.18 грн
10+	265.91 грн
100+	222.72 грн
500+	201.31 грн
1000+	184.37 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ISC030N12NM6ATMA1

Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 194A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.04mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 141µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 60 V

на замовлення 4241 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	361.75 грн
10+	227.41 грн
100+	201.64 грн

В кошику од. на суму грн.

ISC031N08NM6ATMA1

TRENCH 40<-<100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC031N08NM6SCATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 145A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 65µA
Supplier Device Package: PG-WSON-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 40 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC0324D05

Isolated DC/DC Converters - SMD DC-DC, 3W SMD, 4:1 INPUT, REG

на замовлення 80 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	2137.49 грн
5+	2043.58 грн
10+	1721.92 грн
30+	1648.69 грн
100+	1538.48 грн

В кошику од. на суму грн.

ISC0324D05

Description: DC DC CONVERTER +/-5V 3W
Packaging: Bulk
Features: Remote On/Off, OCP, SCP, UVLO
Package / Case: 16-SMD Module, 7 Leads
Size / Dimension: 0.94" L x 0.54" W x 0.31" H (24.0mm x 13.7mm x 8.0mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 36V
Efficiency: 77%
Current - Output (Max): 300mA, 300mA
Voltage - Input (Min): 9V
Voltage - Output 1: 5V
Voltage - Output 2: -5V
Control Features: Enable, Active High
Part Status: Active
Power (Watts): 3 W
Number of Outputs: 2
Voltage - Isolation: 1.5 kV
Standard Number: 62368-1

на замовлення 162 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1892.05 грн
5+	1767.09 грн
10+	1712.44 грн
25+	1538.47 грн
100+	1435.91 грн

В кошику од. на суму грн.

ISC0324D05-TR

Isolated DC/DC Converters - SMD DC-DC, 3W SMD, 4:1 INPUT, REG

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC0324D12

Description: DC DC CONVERTER +/-12V 3W
Features: Remote On/Off, OCP, SCP, UVLO
Packaging: Bulk
Package / Case: 16-SMD Module, 7 Leads
Size / Dimension: 0.94" L x 0.54" W x 0.31" H (24.0mm x 13.7mm x 8.0mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 36V
Efficiency: 80%
Current - Output (Max): 125mA, 125mA
Voltage - Input (Min): 9V
Voltage - Output 1: 12V
Voltage - Output 2: -12V
Control Features: Enable, Active High
Power (Watts): 3 W
Number of Outputs: 2
Voltage - Isolation: 1.5 kV
Standard Number: 62368-1

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1942.68 грн
5+	1814.43 грн
10+	1758.59 грн

В кошику од. на суму грн.

ISC0324D12

Isolated DC/DC Converters - SMD DC-DC, 3W SMD, 4:1 INPUT, REG

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC0324D12-TR

Isolated DC/DC Converters - SMD DC-DC, 3W SMD, 4:1 INPUT, REG

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC0324D15

Description: DC DC CONVERTER +/-15V 3W
Features: Remote On/Off, OCP, SCP, UVLO
Packaging: Bulk
Package / Case: 16-SMD Module, 7 Leads
Size / Dimension: 0.94" L x 0.54" W x 0.31" H (24.0mm x 13.7mm x 8.0mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 36V
Efficiency: 80%
Current - Output (Max): 100mA, 100mA
Voltage - Input (Min): 9V
Voltage - Output 1: 15V
Voltage - Output 2: -15V
Control Features: Enable, Active High
Power (Watts): 3 W
Number of Outputs: 2
Voltage - Isolation: 1.5 kV
Standard Number: 62368-1

на замовлення 20 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1942.68 грн
5+	1814.43 грн
10+	1758.59 грн

В кошику од. на суму грн.

ISC0324D15

Isolated DC/DC Converters - SMD DC-DC, 3W SMD, 4:1 INPUT, REG

на замовлення 16 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	2137.49 грн
5+	2043.58 грн
10+	1721.92 грн
30+	1648.69 грн
100+	1538.48 грн

В кошику од. на суму грн.

ISC0324D15-TR

Isolated DC/DC Converters - SMD DC-DC, 3W SMD, 4:1 INPUT, REG

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC0324S05

Isolated DC/DC Converters - SMD DC-DC, 3W SMD, 4:1 INPUT, REG

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	2003.62 грн
5+	1915.10 грн
10+	1613.97 грн
30+	1545.27 грн
100+	1442.61 грн

В кошику од. на суму грн.

ISC0324S05

Description: DC DC CONVERTER 5V 3W
Packaging: Bulk
Features: Remote On/Off, OCP, SCP, UVLO
Package / Case: 16-SMD Module, 7 Leads
Size / Dimension: 0.94" L x 0.54" W x 0.32" H (24.0mm x 13.7mm x 8.3mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (With Derating)
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 36V
Approval Agency: CE, UKCA, UL
Efficiency: 78%
Current - Output (Max): 600mA
Voltage - Input (Min): 9V
Voltage - Output 1: 5V
Control Features: Enable, Active High
Power (Watts): 3 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 1.5 kV
Standard Number: 60950-1; 62368-1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC0324S05-TR

Description: DC DC CONVERTER 5V 3W
Features: Remote On/Off, OCP, SCP, UVLO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SMD Module, 7 Leads
Size / Dimension: 0.94" L x 0.54" W x 0.32" H (24.0mm x 13.7mm x 8.3mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (With Derating)
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 36V
Approval Agency: CE, UKCA, UL
Efficiency: 78%
Current - Output (Max): 600mA
Voltage - Input (Min): 9V
Voltage - Output 1: 5V
Control Features: Enable, Active High
Power (Watts): 3 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 1.5 kV
Standard Number: 60950-1; 62368-1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC0324S05-TR

Isolated DC/DC Converters - SMD DC-DC, 3W SMD, 4:1 INPUT, REG

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC0324S12

Isolated DC/DC Converters - SMD DC-DC, 3W SMD, 4:1 INPUT, REG

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC0324S12-TR

Isolated DC/DC Converters - SMD DC-DC, 3W SMD, 4:1 INPUT, REG

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC0324S12-TR

Description: DC DC CONVERTER 12V 3W
Features: Remote On/Off, OCP, SCP, UVLO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SMD Module, 7 Leads
Size / Dimension: 0.94" L x 0.54" W x 0.32" H (24.0mm x 13.7mm x 8.3mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (With Derating)
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 36V
Approval Agency: CE, UKCA, UL
Efficiency: 80%
Current - Output (Max): 250mA
Voltage - Input (Min): 9V
Voltage - Output 1: 12V
Control Features: Enable, Active High
Part Status: Active
Power (Watts): 3 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 1.5 kV
Standard Number: 60950-1; 62368-1

на замовлення 163 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1694.43 грн
5+	1582.77 грн
10+	1534.33 грн
25+	1378.33 грн
100+	1286.62 грн

В кошику од. на суму грн.

ISC0324S12-TR

Description: DC DC CONVERTER 12V 3W
Features: Remote On/Off, OCP, SCP, UVLO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SMD Module, 7 Leads
Size / Dimension: 0.94" L x 0.54" W x 0.32" H (24.0mm x 13.7mm x 8.3mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (With Derating)
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 36V
Approval Agency: CE, UKCA, UL
Efficiency: 80%
Current - Output (Max): 250mA
Voltage - Input (Min): 9V
Voltage - Output 1: 12V
Control Features: Enable, Active High
Part Status: Active
Power (Watts): 3 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 1.5 kV
Standard Number: 60950-1; 62368-1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC0324S15

Description: DC DC CONVERTER 15V 3W

на замовлення 250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ISC0324S15

Description: DC DC CONVERTER 15V 3W

на замовлення 341 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ISC0324S15

Isolated DC/DC Converters - SMD DC-DC, 3W SMD, 4:1 INPUT, REG

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC0324S15-TR

Description: DC DC CONVERTER 15V 3W
Features: Remote On/Off, OCP, SCP, UVLO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SMD Module, 7 Leads
Size / Dimension: 0.94" L x 0.54" W x 0.32" H (24.0mm x 13.7mm x 8.3mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (With Derating)
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 36V
Approval Agency: CE, UKCA, UL
Efficiency: 80%
Current - Output (Max): 200mA
Voltage - Input (Min): 9V
Voltage - Output 1: 15V
Control Features: Enable, Active High
Power (Watts): 3 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 1.5 kV
Standard Number: 60950-1; 62368-1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC0324S15-TR

Isolated DC/DC Converters - SMD DC-DC, 3W SMD, 4:1 INPUT, REG

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC0324S15-TR

Description: DC DC CONVERTER 15V 3W
Features: Remote On/Off, OCP, SCP, UVLO
Packaging: Bulk
Package / Case: 16-SMD Module, 7 Leads
Size / Dimension: 0.94" L x 0.54" W x 0.32" H (24.0mm x 13.7mm x 8.3mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (With Derating)
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 36V
Approval Agency: CE, UKCA, UL
Efficiency: 80%
Current - Output (Max): 200mA
Voltage - Input (Min): 9V
Voltage - Output 1: 15V
Control Features: Enable, Active High
Power (Watts): 3 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 1.5 kV
Standard Number: 60950-1; 62368-1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC0324S24

Description: DC DC CONVERTER 24V 3W
Packaging: Bulk
Features: Remote On/Off, OCP, SCP, UVLO
Package / Case: 16-SMD Module, 7 Leads
Size / Dimension: 0.94" L x 0.54" W x 0.31" H (24.0mm x 13.7mm x 8.0mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 36V
Efficiency: 80%
Current - Output (Max): 125mA
Voltage - Input (Min): 9V
Voltage - Output 1: 24V
Control Features: Enable, Active High
Part Status: Active
Power (Watts): 3 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 1.5 kV
Standard Number: 62368-1

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1821.82 грн
5+	1701.19 грн
10+	1649.06 грн
25+	1481.38 грн

В кошику од. на суму грн.

ISC0324S24

Isolated DC/DC Converters - SMD DC-DC, 3W SMD, 4:1 INPUT, REG

на замовлення 61 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	2003.62 грн
5+	1915.10 грн
10+	1613.97 грн
30+	1545.27 грн
100+	1442.61 грн

В кошику од. на суму грн.

ISC0324S24-TR

Isolated DC/DC Converters - SMD DC-DC, 3W SMD, 4:1 INPUT, REG

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC0324S3V3

Isolated DC/DC Converters - SMD DC-DC, 3W SMD, 4:1 INPUT, REG

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	2003.62 грн
5+	1915.10 грн
10+	1613.97 грн
30+	1545.27 грн
100+	1442.61 грн

В кошику од. на суму грн.

ISC0324S3V3

XP POWER

Description: XP POWER - ISC0324S3V3 - Isol. DC/DC-Wandler, Oberflächenmontage, ITE, DIP, 4:1, 3 W, 1 Ausgang, 3.3 V
tariffCode: 85044095
DC-Eingangsspannung, min.: 9V
Ausgangsstrom - Ausgang 2: -
rohsCompliant: YES
Höhe: 18.1mm
Nominelle DC-Eingangsspannung: 24V
Tiefe: 24mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anzahl der Ausgänge: 1 Ausgang
Breite: 8.25mm
usEccn: EAR99
DC/DC-Wandlerausgang: Fest
Isolationsspannung: 1.5kV
DC-Eingangsspannung, max.: 36V
DC/DC-Wandlermontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
DC/DC-Wandler: DIP
Ausgangsregelung: Geregelt
Produktpalette: ISC03 Series
Ausgangsspannung - Ausgang 1: 3.3V
productTraceability: No
Ausgangsspannung - Ausgang 2: -
Ausgangsstrom - Ausgang 1: 600mA
Eingangsverhältnis: 4:1
Anwendungen für das Netzteil: ITE
Ausgangsleistung, max.: 3W

на замовлення 21 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1443.01 грн
5+	1399.82 грн
10+	1356.64 грн

В кошику од. на суму грн.

ISC0324S3V3

Description: DC DC CONVERTER 3.3V 3W
Features: Remote On/Off, OCP, SCP, UVLO
Packaging: Bulk
Package / Case: 16-SMD Module, 7 Leads
Size / Dimension: 0.94" L x 0.54" W x 0.31" H (24.0mm x 13.7mm x 8.0mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 36V
Efficiency: 75%
Current - Output (Max): 600mA
Voltage - Input (Min): 9V
Voltage - Output 1: 3.3V
Control Features: Enable, Active High
Part Status: Active
Power (Watts): 3 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 1.5 kV
Standard Number: 62368-1

на замовлення 1112 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1774.46 грн
5+	1657.63 грн
10+	1606.36 грн
25+	1443.63 грн
100+	1347.43 грн
500+	1202.44 грн

В кошику од. на суму грн.

ISC0324S3V3-TR

Isolated DC/DC Converters - SMD DC-DC, 3W SMD, 4:1 INPUT, REG

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC032N12LM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 60 V

на замовлення 2685 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	296.42 грн
10+	203.66 грн
100+	151.43 грн
500+	133.17 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

ISC032N12LM6ATMA1

TRENCH >=100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC032N12LM6ATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 620 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	314.41 грн
10+	221.37 грн
25+	185.70 грн
100+	144.19 грн
250+	143.43 грн
500+	124.56 грн
1000+	120.03 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

ISC032N12LM6ATMA1

Description: INFINEON - ISC032N12LM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 170 A, 0.0032 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 211W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 4990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	169.37 грн
500+	154.12 грн
1000+	138.64 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ISC032N12LM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 60 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC032N12LM6ATMA1

на замовлення 4990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	370.07 грн
10+	229.49 грн
100+	169.37 грн
500+	154.12 грн
1000+	138.64 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ISC033N03LF2SATMA1

Description: INFINEON - ISC033N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 108 A, 3300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 108A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	22.44 грн
500+	18.48 грн
1000+	16.40 грн
5000+	15.24 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ISC033N03LF2SATMA1

Description: ISC033N03LF2SATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 108A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-62
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC033N03LF2SATMA1

Description: INFINEON - ISC033N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 108 A, 3300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 108A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	40.73 грн
30+	28.71 грн
100+	22.44 грн
500+	18.48 грн
1000+	16.40 грн
5000+	15.24 грн

Мінімальне замовлення: 21

В кошику од. на суму грн.

ISC033N03LF2SATMA1

Description: ISC033N03LF2SATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 108A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-62
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC033N03LF2SATMA1

TRENCH <= 40V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	67.81 грн
10+	47.75 грн
100+	28.31 грн
500+	23.70 грн
1000+	20.16 грн
2500+	18.19 грн
5000+	16.91 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

ISC0348D05

Description: DC DC CONVERTER +/-5V 3W
Features: Remote On/Off, OCP, SCP, UVLO
Packaging: Bulk
Package / Case: 16-SMD Module, 7 Leads
Size / Dimension: 0.94" L x 0.54" W x 0.31" H (24.0mm x 13.7mm x 8.0mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 75V
Efficiency: 77%
Current - Output (Max): 300mA, 300mA
Voltage - Input (Min): 18V
Voltage - Output 1: 5V
Voltage - Output 2: -5V
Control Features: Enable, Active High
Power (Watts): 3 W
Number of Outputs: 2
Voltage - Isolation: 1.5 kV
Standard Number: 62368-1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC0348D12

Description: DC DC CONVERTER +/-12V 3W
Features: Remote On/Off, OCP, SCP, UVLO
Packaging: Bulk
Package / Case: 16-SMD Module, 7 Leads
Size / Dimension: 0.94" L x 0.54" W x 0.31" H (24.0mm x 13.7mm x 8.0mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 75V
Efficiency: 80%
Current - Output (Max): 125mA, 125mA
Voltage - Input (Min): 18V
Voltage - Output 1: 12V
Voltage - Output 2: -12V
Control Features: Enable, Active High
Part Status: Active
Power (Watts): 3 W
Number of Outputs: 2
Voltage - Isolation: 1.5 kV
Standard Number: 62368-1

на замовлення 26 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	2248.09 грн
5+	2100.50 грн
10+	2035.47 грн
25+	1828.93 грн

В кошику од. на суму грн.

ISC0348D15

Description: DC DC CONVERTER +/-15V 3W
Packaging: Bulk
Features: Remote On/Off, OCP, SCP, UVLO
Package / Case: 16-SMD Module, 7 Leads
Size / Dimension: 0.94" L x 0.54" W x 0.31" H (24.0mm x 13.7mm x 8.0mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 75V
Efficiency: 80%
Current - Output (Max): 100mA, 100mA
Voltage - Input (Min): 18V
Voltage - Output 1: 15V
Voltage - Output 2: -15V
Control Features: Enable, Active High
Part Status: Active
Power (Watts): 3 W
Number of Outputs: 2
Voltage - Isolation: 1.5 kV
Standard Number: 62368-1

на замовлення 27 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1927.98 грн
5+	1798.70 грн
10+	1740.74 грн
25+	1561.05 грн

В кошику од. на суму грн.

ISC0348S05

Description: DC DC CONVERTER 5V 3W

на замовлення 161 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ISC0348S05

Isolated DC/DC Converters - SMD DC-DC, 3W SMD, 4:1 INPUT, REG

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1963.99 грн
5+	1877.77 грн
10+	1582.26 грн
30+	1515.08 грн
100+	1413.92 грн

В кошику од. на суму грн.

ISC0348S05

Description: DC DC CONVERTER 5V 3W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC0348S05-TR

Description: DC DC CONVERTER 5V 3W
Features: Remote On/Off, OCP, SCP, UVLO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SMD Module, 7 Leads
Size / Dimension: 0.94" L x 0.54" W x 0.32" H (24.0mm x 13.7mm x 8.3mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (With Derating)
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 75V
Approval Agency: CE, UKCA, UL
Efficiency: 78%
Current - Output (Max): 600mA
Voltage - Input (Min): 18V
Voltage - Output 1: 5V
Control Features: Enable, Active High
Power (Watts): 3 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 1.5 kV
Standard Number: 60950-1; 62368-1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC0348S05-TR

Description: DC DC CONVERTER 5V 3W
Packaging: Bulk
Features: Remote On/Off, OCP, SCP, UVLO
Package / Case: 16-SMD Module, 7 Leads
Size / Dimension: 0.94" L x 0.54" W x 0.32" H (24.0mm x 13.7mm x 8.3mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (With Derating)
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 75V
Approval Agency: CE, UKCA, UL
Efficiency: 78%
Current - Output (Max): 600mA
Voltage - Input (Min): 18V
Voltage - Output 1: 5V
Control Features: Enable, Active High
Power (Watts): 3 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 1.5 kV
Standard Number: 60950-1; 62368-1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC0348S12

Description: DC DC CONVERTER 12V 3W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC0348S12

Description: DC DC CONVERTER 12V 3W

на замовлення 220 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ISC0348S12-TR

Description: DC DC CONVERTER 12V 3W
Packaging: Bulk
Features: Remote On/Off, OCP, SCP, UVLO
Package / Case: 16-SMD Module, 7 Leads
Size / Dimension: 0.94" L x 0.54" W x 0.32" H (24.0mm x 13.7mm x 8.3mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (With Derating)
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 75V
Approval Agency: CE, UKCA, UL
Efficiency: 80%
Current - Output (Max): 250mA
Voltage - Input (Min): 18V
Voltage - Output 1: 12V
Control Features: Enable, Active High
Part Status: Active
Power (Watts): 3 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 1.5 kV
Standard Number: 60950-1; 62368-1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC0348S12-TR

Description: DC DC CONVERTER 12V 3W
Features: Remote On/Off, OCP, SCP, UVLO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SMD Module, 7 Leads
Size / Dimension: 0.94" L x 0.54" W x 0.32" H (24.0mm x 13.7mm x 8.3mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (With Derating)
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 75V
Approval Agency: CE, UKCA, UL
Efficiency: 80%
Current - Output (Max): 250mA
Voltage - Input (Min): 18V
Voltage - Output 1: 12V
Control Features: Enable, Active High
Part Status: Active
Power (Watts): 3 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 1.5 kV
Standard Number: 60950-1; 62368-1

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1822.64 грн

В кошику од. на суму грн.

ISC0348S12-TR

Description: DC DC CONVERTER 12V 3W
Features: Remote On/Off, OCP, SCP, UVLO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SMD Module, 7 Leads
Size / Dimension: 0.94" L x 0.54" W x 0.32" H (24.0mm x 13.7mm x 8.3mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (With Derating)
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 75V
Approval Agency: CE, UKCA, UL
Efficiency: 80%
Current - Output (Max): 250mA
Voltage - Input (Min): 18V
Voltage - Output 1: 12V
Control Features: Enable, Active High
Part Status: Active
Power (Watts): 3 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 1.5 kV
Standard Number: 60950-1; 62368-1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC0348S15

Description: DC DC CONVERTER 15V 3W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC0348S15

Description: DC DC CONVERTER 15V 3W

на замовлення 95 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ISC0348S15-TR

Description: DC DC CONVERTER 15V 3W
Packaging: Bulk
Features: Remote On/Off, OCP, SCP, UVLO
Package / Case: 16-SMD Module, 7 Leads
Size / Dimension: 0.94" L x 0.54" W x 0.32" H (24.0mm x 13.7mm x 8.3mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (With Derating)
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 75V
Approval Agency: CE, UKCA, UL
Efficiency: 80%
Current - Output (Max): 200mA
Voltage - Input (Min): 18V
Voltage - Output 1: 15V
Control Features: Enable, Active High
Power (Watts): 3 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 1.5 kV
Standard Number: 60950-1; 62368-1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC0348S15-TR

Description: DC DC CONVERTER 15V 3W
Features: Remote On/Off, OCP, SCP, UVLO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SMD Module, 7 Leads
Size / Dimension: 0.94" L x 0.54" W x 0.32" H (24.0mm x 13.7mm x 8.3mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (With Derating)
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 75V
Approval Agency: CE, UKCA, UL
Efficiency: 80%
Current - Output (Max): 200mA
Voltage - Input (Min): 18V
Voltage - Output 1: 15V
Control Features: Enable, Active High
Power (Watts): 3 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 1.5 kV
Standard Number: 60950-1; 62368-1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC0348S24

Description: DC DC CONVERTER 24V 3W
Features: Remote On/Off, OCP, SCP, UVLO
Packaging: Bulk
Package / Case: 16-SMD Module, 7 Leads
Size / Dimension: 0.94" L x 0.54" W x 0.31" H (24.0mm x 13.7mm x 8.0mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 75V
Efficiency: 80%
Current - Output (Max): 125mA
Voltage - Input (Min): 18V
Voltage - Output 1: 24V
Control Features: Enable, Active High
Power (Watts): 3 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 1.5 kV
Standard Number: 62368-1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC0348S3V3

Description: DC DC CONVERTER 3.3V 3W
Packaging: Bulk
Features: Remote On/Off, OCP, SCP, UVLO
Package / Case: 16-SMD Module, 7 Leads
Size / Dimension: 0.94" L x 0.54" W x 0.31" H (24.0mm x 13.7mm x 8.0mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 75V
Efficiency: 75%
Current - Output (Max): 600mA
Voltage - Input (Min): 18V
Voltage - Output 1: 3.3V
Control Features: Enable, Active High
Power (Watts): 3 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 1.5 kV
Standard Number: 62368-1

на замовлення 13 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	2091.30 грн
5+	1953.92 грн
10+	1893.45 грн

В кошику од. на суму грн.

ISC035N10NM5LF2ATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 72 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	367.26 грн
10+	240.47 грн
100+	148.71 грн
500+	139.66 грн
1000+	132.11 грн
2500+	128.33 грн
5000+	118.52 грн

В кошику од. на суму грн.

ISC035N10NM5LF2ATMA1

Description: ISC035N10NM5LF2ATMA1 MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 164A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 50 V

на замовлення 11 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	339.70 грн
10+	216.56 грн

В кошику од. на суму грн.

ISC035N10NM5LF2ATMA1

Description: INFINEON - ISC035N10NM5LF2ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 164 A, 0.0035 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 164A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 217W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4052 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	359.91 грн
10+	259.13 грн
100+	184.61 грн
500+	151.77 грн
1000+	137.19 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ISC035N10NM5LF2ATMA1

Description: ISC035N10NM5LF2ATMA1 MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 164A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC035N10NM5LF2ATMA1

ISC035N10NM5LF2ATMA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC035N10NM5LFATMA1

Description: OPTIMOSTM5LINEARFET100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 164A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC035N10NM5LFATMA1

MOSFET

на замовлення 300 шт:

термін постачання 217-226 дні (днів)

2+	330.27 грн
10+	273.46 грн
25+	224.96 грн
100+	192.50 грн
250+	181.93 грн
500+	170.61 грн
1000+	145.70 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

ISC035N10NM5LFATMA1

Description: OPTIMOSTM5LINEARFET100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 164A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC036N04NM5ATMA1

Description: 40V 3.6M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 49A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC036N04NM5ATMA1

MOSFETs N

на замовлення 3570 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	79.44 грн
10+	64.94 грн
100+	43.93 грн
500+	37.22 грн
1000+	28.61 грн
2500+	28.54 грн
5000+	27.03 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

ISC036N04NM5ATMA1

Description: INFINEON - ISC036N04NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 98 A, 0.0027 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 63W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0027ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 124 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	44.29 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ISC036N04NM5ATMA1

N Channel Power Mosfet

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC036N04NM5ATMA1

Description: 40V 3.6M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 49A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V

на замовлення 3238 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	101.26 грн
10+	61.10 грн
100+	40.47 грн
500+	29.67 грн
1000+	26.24 грн
2000+	24.75 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

ISC036N04NM5ATMA1

Description: INFINEON - ISC036N04NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 98 A, 0.0027 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 124 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	105.01 грн
13+	68.93 грн
100+	44.29 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

ISC037N03L5ISATMA1

Description: INFINEON - ISC037N03L5ISATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 78 A, 0.0031 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 3053 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	40.82 грн
26+	32.77 грн
100+	23.03 грн
500+	18.32 грн
1000+	14.59 грн

Мінімальне замовлення: 21

В кошику од. на суму грн.

ISC037N03L5ISATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	13.66 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

ISC037N03L5ISATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 20A/78A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	19.87 грн
10000+	18.43 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

ISC037N03L5ISATMA1

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ISC037N03L5ISATMA1

Description: INFINEON - ISC037N03L5ISATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 78 A, 0.0031 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 37W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0031ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 3053 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	23.03 грн
500+	18.32 грн
1000+	14.59 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ISC037N03L5ISATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 20A/78A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V

на замовлення 18934 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	55.53 грн
10+	46.79 грн
100+	35.87 грн
500+	26.61 грн
1000+	21.29 грн
2000+	19.29 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

ISC037N03L5ISATMA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 11435 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

13+	29.33 грн
16+	22.40 грн
100+	16.53 грн
250+	16.31 грн
500+	14.95 грн
1000+	12.91 грн
5000+	12.83 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

ISC037N12NM6ATMA1

Description: INFINEON - ISC037N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 163 A, 0.0037 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 163A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 4504 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	408.18 грн
10+	268.45 грн
100+	193.93 грн
500+	149.41 грн
1000+	135.01 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ISC037N12NM6ATMA1

Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.2A (Ta), 163A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 111µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 60 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	128.87 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

ISC037N12NM6ATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 108 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	319.70 грн
10+	223.11 грн
100+	150.98 грн
2500+	113.99 грн
5000+	108.71 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

ISC037N12NM6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 120V 19.2A 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC037N12NM6ATMA1

Description: INFINEON - ISC037N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 163 A, 0.0037 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 163A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 4504 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	193.93 грн
500+	149.41 грн
1000+	135.01 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ISC037N12NM6ATMA1

Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.2A (Ta), 163A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 111µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 60 V

на замовлення 9319 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	284.99 грн
10+	193.05 грн
100+	151.89 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

ISC037N13NM6ATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 3932 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	309.13 грн
10+	230.05 грн
100+	150.22 грн
500+	140.41 грн
1000+	132.11 грн
5000+	127.58 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

ISC037N13NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 172A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 15V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 135 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 68 V

на замовлення 3780 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	289.89 грн
10+	210.58 грн
100+	157.91 грн
500+	145.25 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

ISC037N13NM6ATMA1

TRENCH >=100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC037N13NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 172A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 15V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 135 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 68 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC044N15NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.1A (Ta), 156A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 15V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 75 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 75 V

на замовлення 3640 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	390.33 грн
10+	302.59 грн
100+	245.11 грн

В кошику од. на суму грн.

ISC044N15NM6ATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 544 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	413.93 грн
10+	342.04 грн
100+	240.81 грн
500+	214.39 грн
1000+	183.44 грн
5000+	182.68 грн

В кошику од. на суму грн.

ISC044N15NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.1A (Ta), 156A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 15V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 75 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 75 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC044N15NM6ATMA1

ISC044N15NM6ATMA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC045N03L5SATMA1

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ISC045N03L5SATMA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 3755 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	60.59 грн
10+	39.07 грн
100+	22.27 грн
500+	17.06 грн
1000+	13.97 грн
2500+	13.81 грн
5000+	12.61 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

ISC045N03L5SATMA1

Description: INFINEON - ISC045N03L5SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 63 A, 3800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4550 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	25.24 грн
500+	17.38 грн
1000+	13.14 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ISC045N03L5SATMA1

RZ03-1C4-D024

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	10.04 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

ISC045N03L5SATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 18A/63A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 15 V

на замовлення 5431 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	62.88 грн
10+	37.74 грн
100+	24.46 грн
500+	17.58 грн
1000+	15.46 грн
2000+	14.39 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

ISC045N03L5SATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 30V; 63A; 30W; PG-TDSON-8; SMT
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Technology: MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TDSON-8
Electrical mounting: SMT
Gate charge: 13nC
On-state resistance: 4.5mΩ
Gate-source voltage: 20V
Drain-source voltage: 30V
Power dissipation: 30W
Drain current: 63A

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5000+	11.43 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

ISC045N03L5SATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 18A/63A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC045N03L5SATMA1

на замовлення 4550 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	58.86 грн
23+	38.45 грн
100+	25.24 грн
500+	17.38 грн
1000+	13.14 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

ISC046N04NM5

Infineon

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC046N04NM5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	23.87 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

ISC046N04NM5ATMA1

Description: 40V 4.6M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 17µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC046N04NM5ATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 15536 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	100.40 грн
10+	80.48 грн
100+	54.96 грн
500+	46.65 грн
1000+	35.78 грн
2500+	35.71 грн
5000+	34.05 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

ISC046N04NM5ATMA1

Description: INFINEON - ISC046N04NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 77 A, 0.0035 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	79.18 грн
16+	55.21 грн
100+	37.18 грн
500+	26.97 грн
1000+	20.76 грн
5000+	18.22 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

ISC046N04NM5ATMA1

Description: 40V 4.6M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 17µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 20 V

на замовлення 1355 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	83.29 грн
10+	57.88 грн
100+	38.96 грн
500+	31.69 грн
1000+	30.92 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

ISC046N04NM5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC046N13NM6ATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 4817 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	332.91 грн
10+	220.51 грн
25+	185.70 грн
100+	158.53 грн
500+	151.73 грн
1000+	150.22 грн
5000+	128.33 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

ISC046N13NM6ATMA1

Description: INFINEON - ISC046N13NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 135 V, 142 A, 0.0043 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

на замовлення 4995 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

150+	216.79 грн
250+	210.86 грн
1000+	189.51 грн
3000+	169.85 грн

Мінімальне замовлення: 150

В кошику од. на суму грн.

ISC046N13NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 142A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 50A, 15V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 135 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 68 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	132.67 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

ISC046N13NM6ATMA1

TRENCH >=100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC046N13NM6ATMA1

Description: INFINEON - ISC046N13NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 135 V, 142 A, 0.0043 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 135V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 142A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 211W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 4995 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	292.16 грн
50+	216.79 грн
250+	210.86 грн
1000+	189.51 грн
3000+	169.85 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

ISC046N13NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 142A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 50A, 15V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 135 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 68 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	325.82 грн
10+	206.42 грн
100+	163.88 грн
500+	146.75 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

ISC052N03LF2SATMA1

Description: ISC052N03LF2SATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-62
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC052N03LF2SATMA1

Description: ISC052N03LF2SATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-62
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC052N03LF2SATMA1

TRENCH <= 40V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	59.45 грн
10+	41.50 грн
100+	24.61 грн
500+	20.61 грн
1000+	17.51 грн
2500+	15.85 грн
5000+	14.72 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

ISC055N15NM6ATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 934 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	406.01 грн
10+	309.05 грн
25+	239.30 грн
100+	209.11 грн
250+	192.50 грн
500+	181.93 грн
1000+	169.10 грн

В кошику од. на суму грн.

ISC055N15NM6ATMA1

ISC055N15NM6ATMA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC055N15NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A (Ta), 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 50A, 15V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 75 V

на замовлення 386 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	382.98 грн
10+	273.49 грн
100+	212.73 грн

В кошику од. на суму грн.

ISC055N15NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A (Ta), 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 50A, 15V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 75 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC056N08NM6ATMA1

N-channel MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC058N04NM5ATMA1

Description: INFINEON - ISC058N04NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 63 A, 4500 µohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4701 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	65.21 грн
18+	47.59 грн
100+	37.35 грн
500+	25.24 грн
1000+	19.45 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

ISC058N04NM5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 17A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	28.01 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

ISC058N04NM5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 17A 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC058N04NM5ATMA1

Description: 40V 5.8M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 20 V

на замовлення 3993 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	63.69 грн
10+	44.66 грн
100+	34.94 грн
500+	25.51 грн
1000+	22.54 грн
2000+	21.23 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

ISC058N04NM5ATMA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 5932 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	73.63 грн
10+	56.25 грн
100+	35.63 грн
500+	30.57 грн
1000+	26.72 грн
2500+	24.76 грн
5000+	23.10 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

ISC058N04NM5ATMA1

Description: 40V 5.8M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC058N04NM5ATMA1

Description: INFINEON - ISC058N04NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 63 A, 0.0045 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 42W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0045ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4729 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	40.22 грн
500+	26.89 грн
1000+	20.61 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ISC0602NLSATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 14A/66A TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 29µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 40 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	47.15 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

ISC0602NLSATMA1

Description: INFINEON - ISC0602NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 66 A, 0.0071 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 60W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0071ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 1932 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	110.94 грн
250+	77.06 грн
1000+	48.68 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ISC0602NLSATMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

на замовлення 9212 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	123.30 грн
10+	100.70 грн
100+	69.83 грн
250+	64.47 грн
500+	58.50 грн
1000+	50.13 грн
2500+	47.63 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ISC0602NLSATMA1

Description: INFINEON - ISC0602NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 66 A, 7300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 5112 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	180.38 грн
50+	117.71 грн
250+	79.09 грн
1000+	56.54 грн
3000+	52.12 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

ISC0602NLSATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 14A/66A TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 29µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 40 V

на замовлення 10539 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	134.74 грн
10+	87.76 грн
100+	62.22 грн
500+	47.71 грн
1000+	44.22 грн
2000+	42.61 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ISC0602NLSATMA1

Power-Transistor 80V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC0603NLSATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 12.3A/56A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.3A (Ta), 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 24µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 40 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	53.31 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

ISC0603NLSATMA1

Description: INFINEON - ISC0603NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 56 A, 0.0085 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 52W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0085ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 6082 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	66.21 грн
1000+	53.06 грн
5000+	43.26 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

ISC0603NLSATMA1

Description: INFINEON - ISC0603NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 56 A, 0.0085 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 6082 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	118.56 грн
10+	92.31 грн
100+	78.50 грн
500+	66.21 грн
1000+	53.06 грн
5000+	43.26 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

ISC0603NLSATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 12.3A/56A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.3A (Ta), 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 24µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 40 V

на замовлення 6987 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	132.29 грн
10+	113.86 грн
100+	88.78 грн
500+	68.83 грн
1000+	54.34 грн
2000+	50.71 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ISC0603NLSATMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

на замовлення 3351 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	162.05 грн
10+	144.11 грн
100+	98.14 грн
500+	80.77 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ISC0604NLSATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC0604NLSATMA1

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC0605NLSATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 40 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC0605NLSATMA1

TRENCH 40<-<100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC060N06NM6ATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC060N10NM6ATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 12728 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	200.80 грн
10+	135.43 грн
100+	84.55 грн
500+	70.13 грн
1000+	66.88 грн
2500+	64.85 грн
5000+	59.11 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

ISC060N10NM6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 15A T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	67.81 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

ISC060N10NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V PG-TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	61.40 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

ISC060N10NM6ATMA1

Description: INFINEON - ISC060N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 97 A, 5100 µohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 97A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0051ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC060N10NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V PG-TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V

на замовлення 15073 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	171.48 грн
10+	117.87 грн
100+	87.55 грн
500+	67.92 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

ISC060N10NM6ATMA1

Description: INFINEON - ISC060N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 97 A, 5100 µohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 97A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC0702NLSATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 23A/135A TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 135A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 38µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 30 V

на замовлення 8411 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	153.52 грн
10+	100.10 грн
100+	67.91 грн
500+	51.44 грн
1000+	49.80 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ISC0702NLSATMA1

Description: INFINEON - ISC0702NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 135 A, 0.0023 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 135A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 2785 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	157.51 грн
10+	107.55 грн
100+	74.61 грн
500+	55.99 грн
1000+	45.22 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

ISC0702NLSATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 60V; 135A; 100W; PG-TDSON-8; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 135A
Power dissipation: 100W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Electrical mounting: SMT
Technology: MOSFET

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5000+	49.37 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

ISC0702NLSATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 23A/135A TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 135A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 38µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 30 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	45.02 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

ISC0702NLSATMA1

Description: INFINEON - ISC0702NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 135 A, 0.0023 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 135A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 100W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0023ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 2785 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	74.61 грн
500+	55.99 грн
1000+	45.22 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ISC0702NLSATMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 9152 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	169.10 грн
10+	109.38 грн
100+	69.00 грн
250+	63.79 грн
500+	56.09 грн
1000+	47.78 грн
5000+	47.26 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ISC0702NLSATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC0703NLSATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 13A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 1578 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

177+	74.80 грн

Мінімальне замовлення: 177

В кошику од. на суму грн.

ISC0703NLSATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 13A/57A TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 30 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	29.27 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

ISC0703NLSATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 13A 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC0703NLSATMA1

Description: INFINEON - ISC0703NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 57 A, 0.0058 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 57A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 44W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 3269 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	116.86 грн
50+	73.68 грн
250+	51.91 грн
1000+	33.66 грн
3000+	29.54 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

ISC0703NLSATMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 7998 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	114.49 грн
10+	70.93 грн
25+	60.24 грн
100+	41.75 грн
500+	33.14 грн
1000+	29.06 грн
2500+	28.69 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

ISC0703NLSATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 13A T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC0703NLSATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 13A/57A TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 30 V

на замовлення 13765 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	116.77 грн
10+	71.16 грн
100+	47.40 грн
500+	34.92 грн
1000+	31.84 грн
2000+	29.25 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ISC0703NLSATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 13A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 1965 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

109+	113.87 грн
167+	74.43 грн
200+	73.27 грн
500+	48.06 грн
1000+	42.14 грн

Мінімальне замовлення: 109

В кошику од. на суму грн.

ISC0703NLSATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 13A 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC0703NLSATMA1

Description: INFINEON - ISC0703NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 57 A, 0.0058 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 57A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 44W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 44W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0058ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 3269 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	73.68 грн
250+	51.91 грн
1000+	33.66 грн
3000+	29.54 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ISC073N12LM6ATMA1

Description: INFINEON - ISC073N12LM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 86 A, 0.0073 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0073ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 4284 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	240.50 грн
10+	146.50 грн
100+	105.85 грн
500+	81.78 грн
1000+	72.51 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

ISC073N12LM6ATMA1

Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Ta), 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 60 V

на замовлення 2889 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	222.11 грн
10+	150.98 грн
100+	105.06 грн
500+	84.62 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

ISC073N12LM6ATMA1

на замовлення 4284 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	105.85 грн
500+	81.78 грн
1000+	72.51 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ISC073N12LM6ATMA1

Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Ta), 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 60 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC073N12LM6ATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 3801 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	221.06 грн
10+	153.66 грн
100+	93.61 грн
500+	77.75 грн
1000+	72.70 грн
5000+	68.62 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

ISC073N12LM6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 120V 13.4A 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC078N12NM6ATMA1

Description: INFINEON - ISC078N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 85 A, 0.0078 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 4890 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	222.72 грн
10+	137.19 грн
100+	97.39 грн
500+	84.14 грн
1000+	72.22 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

ISC078N12NM6ATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 1963 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	248.36 грн
10+	160.60 грн
100+	97.38 грн
500+	80.77 грн
1000+	77.75 грн
5000+	69.98 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

ISC078N12NM6ATMA1

N-channel MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC078N12NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.2A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 37A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 49.6µA
Supplier Device Package: SuperSO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 60 V

на замовлення 4885 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	231.10 грн
10+	144.61 грн
100+	100.02 грн
500+	75.99 грн
1000+	70.24 грн
2000+	66.23 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

ISC078N12NM6ATMA1

на замовлення 4890 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	97.39 грн
500+	84.14 грн
1000+	72.22 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ISC078N12NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.2A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 37A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 49.6µA
Supplier Device Package: SuperSO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 60 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC079N15NM6ATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 1826 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	297.68 грн
10+	216.16 грн
25+	166.83 грн
100+	145.70 грн
250+	133.62 грн
500+	126.07 грн
1000+	116.25 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

ISC079N15NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.8A (Ta), 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 36A, 15V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 77µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 75 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC079N15NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.8A (Ta), 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 36A, 15V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 77µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 75 V

на замовлення 4622 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	313.57 грн
10+	213.18 грн
100+	165.25 грн
500+	130.69 грн
1000+	121.26 грн
2000+	120.22 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

ISC0802NLSATMA1

SP005430372

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC0802NLSATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 22A/150A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 92µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5190 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC0802NLSATMA1

ISC0802NLSATMA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC0802NLSATMA1

Description: INFINEON - ISC0802NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 A, 0.0033 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4932 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	106.70 грн
250+	80.87 грн
1000+	62.99 грн
3000+	52.70 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ISC0802NLSATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 1034 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	238.67 грн
10+	195.33 грн
100+	135.13 грн
250+	132.11 грн
500+	114.74 грн
1000+	92.85 грн
5000+	89.08 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

ISC0802NLSATMA1

Description: INFINEON - ISC0802NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 A, 0.0033 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4932 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	145.66 грн
50+	106.70 грн
250+	80.87 грн
1000+	62.99 грн
3000+	52.70 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

ISC0802NLSATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 22A/150A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 92µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5190 pF @ 50 V

на замовлення 2505 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	149.44 грн
10+	92.08 грн
100+	62.42 грн
500+	46.66 грн
1000+	44.49 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ISC0803NLSATMA1

Description: INFINEON - ISC0803NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 37 A, 0.016 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 3793 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	106.70 грн
12+	74.78 грн
100+	57.67 грн
500+	44.04 грн
1000+	33.10 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

ISC0803NLSATMA1

Description: TRENCH >=100V PG-TDSON-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC0803NLSATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 906 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	128.58 грн
10+	114.59 грн
100+	77.75 грн
500+	63.86 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ISC0803NLSATMA1

Description: TRENCH >=100V PG-TDSON-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC0803NLSATMA1

Description: INFINEON - ISC0803NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 37 A, 0.016 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 43W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.016ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 3793 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	44.04 грн
1000+	33.10 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

ISC0803NLSATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 8.8A 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC0804NLSATMA1

Description: INFINEON - ISC0804NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 59 A, 0.0103 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 363 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	168.52 грн
50+	113.48 грн
250+	78.50 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

ISC0804NLSATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 12A/59A TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 28µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 50 V

на замовлення 8951 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	116.77 грн
10+	93.34 грн
100+	74.27 грн
500+	58.98 грн
1000+	50.04 грн
2000+	47.54 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ISC0804NLSATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 12A/59A TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 28µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 50 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	50.63 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

ISC0804NLSATMA1

Description: INFINEON - ISC0804NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 59 A, 0.0103 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 60W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0103ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 363 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ISC0804NLSATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 4998 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	157.65 грн
10+	139.77 грн
100+	97.38 грн
500+	80.02 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ISC0805NLSATMA1

Description: INFINEON - ISC0805NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 71 A, 0.0072 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 74W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0072ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 2987 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	88.92 грн
500+	66.05 грн
1000+	52.12 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ISC0805NLSATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 13A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	56.19 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

ISC0805NLSATMA1

Description: INFINEON - ISC0805NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 71 A, 0.0072 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 2987 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	184.61 грн
10+	121.94 грн
100+	88.92 грн
500+	66.05 грн
1000+	52.12 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

ISC0805NLSATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 13A/71A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-46
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 50 V

на замовлення 3394 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	111.06 грн
10+	67.47 грн
100+	46.74 грн
500+	34.12 грн
1000+	31.43 грн
2000+	29.24 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ISC0805NLSATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 774 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	155.89 грн
10+	127.62 грн
100+	88.32 грн
500+	75.11 грн
1000+	63.41 грн
2500+	60.17 грн
5000+	58.20 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ISC0805NLSATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 13A/71A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-46
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC0806NLSATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 16A/97A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 61µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC0806NLSATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 9803 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	192.88 грн
10+	140.64 грн
100+	88.32 грн
500+	73.00 грн
1000+	72.24 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

ISC0806NLSATMA1

Description: INFINEON - ISC0806NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 97 A, 5000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 97A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 96W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.005ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4334 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	97.39 грн
500+	70.77 грн
1000+	59.59 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ISC0806NLSATMA1

Description: INFINEON - ISC0806NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 97 A, 5000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 97A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4334 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	178.68 грн
10+	132.95 грн
100+	97.39 грн
500+	70.77 грн
1000+	59.59 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

ISC0806NLSATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 16A/97A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 61µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 50 V

на замовлення 4756 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	239.26 грн
10+	149.88 грн
100+	103.88 грн
500+	79.06 грн
1000+	73.14 грн
2000+	69.50 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

ISC0806NLSATMA1

N Channel Power Mosfet

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	75.83 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

ISC080N10NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V PG-TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.05mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC080N10NM6ATMA1

Description: INFINEON - ISC080N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 8050 µohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 100W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0071ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8050µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	119.40 грн
250+	82.06 грн
1000+	58.90 грн
3000+	52.77 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ISC080N10NM6ATMA1

SP005409473

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	51.17 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

ISC080N10NM6ATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 9754 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	170.86 грн
10+	109.38 грн
100+	64.24 грн
500+	51.33 грн
1000+	49.67 грн
2500+	48.24 грн
5000+	42.20 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ISC080N10NM6ATMA1

Description: INFINEON - ISC080N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 8050 µohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8050µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	175.30 грн
50+	119.40 грн
250+	82.06 грн
1000+	58.90 грн
3000+	52.77 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

ISC080N10NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V PG-TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.05mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V

на замовлення 3378 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	158.42 грн
10+	101.36 грн
100+	69.64 грн
500+	52.20 грн
1000+	46.77 грн
2000+	44.41 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ISC088N08NM6ATMA1