Продукція > ISC
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ISC 100VM-4020 ST | Mpression | Cameras & Camera Modules 0.3M pixel Stereo Camera Starter Kit standard | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC 100XC-4020 ST | Mpression | Cameras & Camera Modules 1M pixel Stereo Camera Starter Kit standard | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC--060102 | EPSON | 0028+ TQFP144 | на замовлення 6500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC-032 | SI | Mounting Fixings ISC-032 DBL ENDED NUT | на замовлення 960 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC-0420 | SI | Mounting Fixings ISC-0420 DBL ENDED NUT | на замовлення 14969 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC-060102 | EPSON | 0445+ TQFP | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC-060102 | EPSON | на замовлення 400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| ISC-06012 | EPSON QFP | на замовлення 2599 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| ISC-10BK | BEP | Insulated Stud Cover - Negative - Black, Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC-10BK-S | BEP | INSULATED STUD COVER 8MM SLEEVE BLK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC-10R | BEP | INSULATED STUD COVER POS RED | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC-1112 | ORing | Media Converters Industrial 1 xRS-232 to 1 xRS-422/485 Serial Convertor | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC-1112-I | ORing | Media Converters 1-port RS-232 to 1-port RS-422/485, 3KV isolation | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC-1112-I | ORing Networking | Description: INDUSTRIAL 1X RS232 TO 1XRS422/4 | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC-1210 | VISHAY | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| ISC-1210 100uH 5% | VISHAY | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| ISC-1210-68UH-5R98 | VISHAY | 2001 SMD | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC-1210U-I | ORing | Media Converters 1-port USB to 1-port RS-422/485, 2KV isolation | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC-1212-I | IEI | Media Converters Industrial RS422/485 repeater with 2k | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC-1310FB-MM-SC | ORing | Media Converters 1-port RS-232/422/485 to Fiber, MM 2km | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC-1310FB-SS-SC | ORing | Media Converters 1-port RS-232/422/485 to Fiber, SM 30km | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC-1310FR-MM-SC | ORing | Media Converters Industrial 1x RS-232/422/485 to Fiber (Multimode SC type) Convertor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC-1310FR-MM-ST | ORing | Media Converters Industrial 1x RS-232/422/485 to Fiber (Multimode ST type) Convertor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC-1310FR-SS-SC | ORing | Media Converters Industrial 1x RS-232/422/485 to Fiber (Single Mode SC type) Convertor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC-1310FR-SS-ST | ORing | Media Converters Industrial 1x RS-232/422/485 to Fiber (Single Mode ST type) Convertor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC-1310FW-SS-SC-L | ORing | Media Converters Industrial 1x RS-232/422/485 to WDM Fiber (Multimode SC type) Convertor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC-1310FW-SS-SC-R | ORing | Media Converters Industrial 1x RS-232/422/485 to WDM Fiber (Single Mode SC type) Convertor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC-1310U-I | ORing | Media Converters 1-port USB to 1-port RS-232/422/485, 2KV isolation | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC-1812 | на замовлення 1700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| ISC-1812 100 10% ESE3 | Vishay | Inductor RF Chip Shielded/Molded Wirewound 100uH 10% 796KHz 40Q-Factor Ferrite 0.147A 3.25Ohm DCR 1812 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC-1812 100 10% ESE3 | Vishay | Inductor RF Chip Shielded/Molded Wirewound 100uH 10% 796KHz 40Q-Factor Ferrite 0.147A 3.25Ohm DCR 1812 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC-1812 82 5% TR-2000 | на замовлення 72000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| ISC-1812-07 | на замовлення 4500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| ISC-1812-07 1.5 5% R73 | VISHAY | на замовлення 326000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| ISC-1812-07 R73 | VISHAY | на замовлення 121500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| ISC-1812-071R5J | 4532(1812) | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| ISC-1812-071R5J | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| ISC-1812-0747R0J | 4532(1812) | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| ISC-1812-0747R0J | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| ISC-1812-151J | на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| ISC-1812-1R2 | на замовлення 33195 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| ISC-1812-1R5J | VISHAY | 2005+ | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC-1812-1R8 | на замовлення 8280 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| ISC-1812-1UH | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| ISC-1812-2R7K | на замовлення 7000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| ISC-1812-3R9 | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| ISC-1812-4.7UH | на замовлення 17600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| ISC-1812-47UH | VISHAY | 02+ | на замовлення 1888 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC-1812-5R6 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| ISC-1812-82-J | 4532(1812) | на замовлення 72000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| ISC-1812-82-J | на замовлення 36000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| ISC-1812-R33 | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| ISC-1812-R82 | на замовлення 9690 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| ISC-181210UH 10%R13 | на замовлення 2612 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| ISC-181210UH10%R13 | на замовлення 1306 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| ISC-18121UH10% | VISHAY | 00+ | на замовлення 1010 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC-1812825%TR-2000 | на замовлення 36000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| ISC-2425-25+ | Mini-Circuits | Function Generators & Synthesisers Signal Generator and Controller for 2.4-2.5 GHz ISM RF Energy | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC-256 | SI | Mounting Fixings ISC-256 DBL ENDED NUT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC-4110U | ORing | Media Converters Slim size 1 ports USB2.0 to 4 port RS-232 Serial Convertor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC-440 | SI | Mounting Fixings ISC-440 DBL ENDED NUT | на замовлення 612 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC-6-2 | BEP | INSULATED STUD COVER DUAL NEG BLK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC-632 | SI | Mounting Fixings ISC-632 DBL ENDED NUT | на замовлення 72 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC-8110U | ORing | Media Converters Silm size 1 ports USB2.0 to 8 ports RS-232 Serial Convertor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC-832 | SI | Mounting Fixings ISC-832 DBL ENDED NUT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC-IC400-000E | Thales Visionix - a Division of Thales Defense & Security, Inc. | Description: INERTIACUBE4 SENSOR 3-DOF Packaging: Box Package / Case: Module Output Type: RS-232 Mounting Type: Chassis Mount Sensor Type: Accelerometer, Gyroscope, Magnetometer, 9 Axis Supplier Device Package: 3-DOF | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC-IC400-000K | Thales Visionix - a Division of Thales Defense & Security, Inc. | Description: INERTIACUBE4 SENSOR 3-DOF Packaging: Box Package / Case: Module Output Type: RS-232 Mounting Type: Chassis Mount Sensor Type: Accelerometer, Gyroscope, Magnetometer, 9 Axis Supplier Device Package: 3-DOF | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC-IC400-000U | Thales Visionix - a Division of Thales Defense & Security, Inc. | Description: INERTIACUBE4 SENSOR 3-DOF Packaging: Box Package / Case: Module Output Type: RS-232 Mounting Type: Chassis Mount Sensor Type: Accelerometer, Gyroscope, Magnetometer, 9 Axis Supplier Device Package: 3-DOF | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC-IC400-0USB | Thales Visionix - a Division of Thales Defense & Security, Inc. | Description: INERTIACUBE4 SENSOR 3-DOF Packaging: Box Package / Case: Module Output Type: USB Mounting Type: Chassis Mount Sensor Type: Accelerometer, Gyroscope, Magnetometer, 9 Axis Supplier Device Package: 3-DOF | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC-IDC-6 | OMEGA | Description: OMEGA - ISC-IDC-6 - Signalwandler, Strom, Strom, Spannung, 2 Kanäle, 0.3 %, ± 0.3%, 24 VDC Versorgungsspannung: 24 Anzahl der Kanäle: 2 Kanäle Signalaufbereitereingang: Strom Signalaufbereitermontage: DIN-Schienenmontage Anzahl der Ausgangskanäle: 2 Signalaufbereiterausgang: Strom, Spannung Isolationseingang: Isoliert Produktpalette: ISC Series Genauigkeit %: 0.3 Ausgangsgenauigkeit: ± 0.3% SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC-M3 | SI | Mounting Fixings ISC-M3 DBL ENDED NUT | на замовлення 154 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC-M4 | SI | Mounting Fixings ISC-M4 DBL ENDED NUT | на замовлення 811 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC-M5 | SI | Mounting Fixings ISC-M5 DBL ENDED NUT | на замовлення 390 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC-M6 | SI | Mounting Fixings ISC-M6 DBL ENDED NUT | на замовлення 313 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC-P-6 | OMEGA | Description: OMEGA - ISC-P-6 - Signalwandler, Strom, Spannung, Strom, Spannung, 2 Kanäle, 0.2 %, ± 0.2%, 24 VDC Versorgungsspannung: 24 Anzahl der Kanäle: 2 Kanäle Signalaufbereitereingang: Strom, Spannung Signalaufbereitermontage: DIN-Schienenmontage Anzahl der Ausgangskanäle: 2 Signalaufbereiterausgang: Strom, Spannung Isolationseingang: Isoliert Produktpalette: ISC Series Genauigkeit %: 0.2 Ausgangsgenauigkeit: ± 0.2% SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC-TJ-6 | OMEGA | Description: OMEGA - ISC-TJ-6 - Signalwandler, Thermoelement, Strom, Spannung, 2 Kanäle, 0.3 %, ± 0.3%, 24 VDC Versorgungsspannung: 24 Anzahl der Kanäle: 2 Kanäle Signalaufbereitereingang: Thermoelement Signalaufbereitermontage: DIN-Schienenmontage Anzahl der Ausgangskanäle: 2 Signalaufbereiterausgang: Strom, Spannung Isolationseingang: Isoliert Produktpalette: ISC Series Genauigkeit %: 0.3 Ausgangsgenauigkeit: ± 0.3% SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC-VAC-6 | OMEGA | Description: OMEGA - ISC-VAC-6 - Signalwandler, Spannung, Strom, Spannung, 2 Kanäle, 0.3 %, ± 0.3%, 24 VDC Versorgungsspannung: 24 Anzahl der Kanäle: 2 Kanäle Signalaufbereitereingang: Spannung Signalaufbereitermontage: DIN-Schienenmontage Anzahl der Ausgangskanäle: 2 Signalaufbereiterausgang: Strom, Spannung Isolationseingang: Isoliert Produktpalette: ISC Series Genauigkeit %: 0.3 Ausgangsgenauigkeit: ± 0.3% SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC-VDC-6 | OMEGA | Description: OMEGA - ISC-VDC-6 - Signalwandler, Spannung, Strom, Spannung, 2 Kanäle, 0.3 %, ± 0.3%, 24 VDC Versorgungsspannung: 24 Anzahl der Kanäle: 2 Kanäle Signalaufbereitereingang: Spannung Signalaufbereitermontage: DIN-Schienenmontage Anzahl der Ausgangskanäle: 2 Signalaufbereiterausgang: Strom, Spannung Isolationseingang: Isoliert Produktpalette: ISC Series Genauigkeit %: 0.3 Ausgangsgenauigkeit: ± 0.3% SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC-VDC-6 | Omega | Description: ISC-VDC-6 Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC007N04NM6ATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH <= 40V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta), 381A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 188W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1.05mA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 20 V | на замовлення 4110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC007N04NM6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH <= 40V | на замовлення 3571 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC007N04NM6ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - ISC007N04NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 381 A, 0.0006 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 381A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 188W Bauform - Transistor: TDSON-FL Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 600µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 1447 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC007N04NM6ATMA1 | Infineon Technologies | N-Channel MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC007N04NM6ATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH <= 40V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta), 381A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 188W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1.05mA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 20 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC007N04NM6ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - ISC007N04NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 381 A, 0.0006 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 381A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 188W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 188W Bauform - Transistor: TDSON-FL Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 600µohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 600µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 1447 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC007N06LM6ATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH 40<-<100V Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC007N06LM6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH 40<-<100V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC007N06LM6ATMA1 | Infineon Technologies | TRENCH 40<-<100V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC007N06NM6ATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH 40<-<100V Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC007N06NM6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH 40<-<100V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC007N06NM6ATMA1 | Infineon Technologies | TRENCH 40<-<100V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC008N06LM6ATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH 40<-<100V Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC009N03LF2SATMA1 | Infineon Technologies | Description: ISC009N03LF2SATMA1 Packaging: Cut Tape (CT) Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 15 V Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 341A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 188W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-62 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V | на замовлення 4570 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC009N03LF2SATMA1 | Infineon Technologies | TRENCH <= 40V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 201-210 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC009N03LF2SATMA1 | Infineon Technologies | Description: ISC009N03LF2SATMA1 Packaging: Tape & Reel (TR) Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 15 V Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 341A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 188W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-62 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC009N03LF2SATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - ISC009N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 341 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 341A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V euEccn: NLR Verlustleistung: 188W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC009N03LF2SATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - ISC009N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 341 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 341A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V euEccn: NLR Verlustleistung: 188W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC009N06LM5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - ISC009N06LM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 348 A, 0.00075 ohm, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 348A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 214W Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 3309 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC009N06LM5ATMA1 | Infineon Technologies | SP005400730 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC009N06LM5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 41A/348A TSON-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 348A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 147µA Supplier Device Package: PG-TSON-8-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 209 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V | на замовлення 5323 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC009N06LM5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 41A/348A TSON-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 348A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 147µA Supplier Device Package: PG-TSON-8-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 209 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC009N06LM5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH 40<-<100V | на замовлення 2308 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC009N06LM5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - ISC009N06LM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 348 A, 0.00075 ohm, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 348A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 214W Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 3426 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC009N06NM6SCATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH 40<-<100V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 344A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 221W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 118µA Supplier Device Package: PG-WSON-8-2 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8300 pF @ 30 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC010N04NM6 | Infineon Technologies | ISC010N04NM6 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC010N04NM6ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TDSON EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC010N04NM6ATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH <= 40V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 285A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 747µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 20 V | на замовлення 1215 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC010N04NM6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH <= 40V | на замовлення 8620 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC010N04NM6ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - ISC010N04NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 285 A, 0.00082 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 285A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TDSON-FL Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 820µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 5079 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC010N04NM6ATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH <= 40V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 285A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 747µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 20 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC010N04NM6ATMA1 | Infineon Technologies | N-Channel MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC010N04NM6ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - ISC010N04NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 285 A, 0.00082 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 285A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 150W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TDSON-FL Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 820µohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 820µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 5079 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC010N06NM5 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 39A 8-Pin TSON EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC010N06NM5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - ISC010N06NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 330 A, 870 µohm, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 330A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 214W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 214W Bauform - Transistor: TSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Produktreihe OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 870µohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00087ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 2768 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC010N06NM5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 39A 8-Pin TSON EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC010N06NM5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: OPTIMOS5 60 V POWER MOSFET IN SU Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 330A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 147µA Supplier Device Package: PG-TSON-8-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V | на замовлення 262 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC010N06NM5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 39A T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC010N06NM5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - ISC010N06NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 330 A, 870 µohm, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 330A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 214W Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Produktreihe OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00087ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 2768 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC010N06NM5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: OPTIMOS5 60 V POWER MOSFET IN SU Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 330A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 147µA Supplier Device Package: PG-TSON-8-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC010N06NM5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 39A 8-Pin TSON EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC010N06NM5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH 40<-<100V | на замовлення 3762 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC011N03L5SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R | на замовлення 9500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC011N03L5SATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - ISC011N03L5SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 96W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 96W Bauform - Transistor: TDSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 900µohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0009ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 4062 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC011N03L5SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R | на замовлення 9500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC011N03L5SATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 37A/100A TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC011N03L5SATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH <= 40V | на замовлення 9963 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC011N03L5SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R | на замовлення 355000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC011N03L5SATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - ISC011N03L5SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 96W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0009ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 4062 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC011N03L5SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC011N03L5SATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 37A/100A TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V | на замовлення 14972 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC011N03L5SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC011N03L5SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R | на замовлення 4990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC011N04NM7VATMA1 | Infineon Technologies | Description: ISC011N04NM7VATMA1 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 256A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 50A, 15V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.15V @ 56µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 20 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC011N04NM7VATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V | на замовлення 3885 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC011N04NM7VATMA1 | Infineon Technologies | Description: ISC011N04NM7VATMA1 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 256A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 50A, 15V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.15V @ 56µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 20 V | на замовлення 4823 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC011N06LM5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH 40<-<100V PG-TDSON-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 288A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 188W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 116µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-17 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC011N06LM5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 37A 8-Pin TDSON EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC011N06LM5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - ISC011N06LM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 288 A, 1150 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 288A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 188W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1150µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 4945 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC011N06LM5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 37A 8-Pin TDSON EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC011N06LM5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH 40<-<100V | на замовлення 8061 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC011N06LM5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH 40<-<100V PG-TDSON-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 288A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 188W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 116µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-17 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V | на замовлення 12090 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC011N06LM5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - ISC011N06LM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 288 A, 1150 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 288A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 188W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1150µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 4945 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC011N06LM5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 37A 8-Pin TDSON EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC012N03LF2SATMA1 | Infineon Technologies | TRENCH <= 40V | на замовлення 4900 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC012N03LF2SATMA1 | Infineon Technologies | Description: ISC012N03LF2SATMA1 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 270A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.28mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 80µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-62 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC012N03LF2SATMA1 | Infineon Technologies | Description: ISC012N03LF2SATMA1 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 270A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.28mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 80µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-62 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V | на замовлення 2090 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC012N04LM6ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - ISC012N04LM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 238 A, 0.001 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 238A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 6032 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC012N04LM6ATMA1 | Infineon Technologies | N Channel Power Mosfet | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC012N04LM6ATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH <= 40V PG-TDSON-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 238A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 20 V | на замовлення 4985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC012N04LM6ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 37A 8-Pin TDSON EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC012N04LM6ATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH <= 40V PG-TDSON-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 238A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 20 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC012N04LM6ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - ISC012N04LM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 238 A, 0.001 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 238A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 6032 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC012N04LM6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH <= 40V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC012N04NM6ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 36A 8-Pin TDSON EP T/R | на замовлення 70000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC012N04NM6ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - ISC012N04NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 232 A, 0.001 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 232A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TDSON-FL Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 2969 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC012N04NM6ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 36A 8-Pin TDSON EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC012N04NM6ATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH <= 40V PG-TDSON-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 232A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 747µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 20 V | на замовлення 12658 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC012N04NM6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH <= 40V | на замовлення 13000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC012N04NM6ATMA1 | Infineon Technologies | N-Channel MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC012N04NM6ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 36A 8-Pin TDSON EP T/R | на замовлення 3753 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC012N04NM6ATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH <= 40V PG-TDSON-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 232A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 747µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 20 V | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC012N04NM6ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - ISC012N04NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 232 A, 0.001 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 232A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TDSON-FL Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 2969 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC012N04NM6ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 36A 8-Pin TDSON EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC015N03LF2SATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - ISC015N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 214 A, 1500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 214A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC015N03LF2SATMA1 | Infineon Technologies | TRENCH <= 40V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC015N03LF2SATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - ISC015N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 214 A, 1500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 214A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC015N03LF2SATMA1 | Infineon Technologies | Description: ISC015N03LF2SATMA1 Packaging: Cut Tape (CT) Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 15 V Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 214A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 60µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-62 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC015N03LF2SATMA1 | Infineon Technologies | Description: ISC015N03LF2SATMA1 Packaging: Tape & Reel (TR) Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 15 V Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 214A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 60µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-62 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC015N04NM5 | Infineon Technologies | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC015N04NM5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC015N04NM5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: 40V 1.5M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 206A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 115W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 60µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 20 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC015N04NM5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - ISC015N04NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 206 A, 1200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 206A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 115W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 115W Bauform - Transistor: TDSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 8408 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC015N04NM5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH <= 40V | на замовлення 8362 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC015N04NM5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC015N04NM5ATMA1 | Infineon Technologies | N-Channel MOSFET | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC015N04NM5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC015N04NM5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - ISC015N04NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 206 A, 1200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 206A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 115W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 8408 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC015N04NM5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R | на замовлення 4640 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC015N04NM5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: 40V 1.5M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 206A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 115W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 60µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 20 V | на замовлення 5184 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC015N04NM5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC015N06NM5LF2ATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH 40<-<100V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 275A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 217W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.45V @ 120µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 30 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC015N06NM5LF2ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - ISC015N06NM5LF2ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 275 A, 0.00155 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 275A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.45V euEccn: NLR Verlustleistung: 217W Bauform - Transistor: TDSON-FL Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00155ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC015N06NM5LF2ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - ISC015N06NM5LF2ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 275 A, 0.00155 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 275A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.45V euEccn: NLR Verlustleistung: 217W Bauform - Transistor: TDSON-FL Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00155ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC015N06NM5LF2ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH 40<-<100V | на замовлення 8764 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC015N06NM5LF2ATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH 40<-<100V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 275A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 217W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.45V @ 120µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 30 V | на замовлення 3968 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC015N06NM5LFATMA1 | Infineon Technologies | Description: OPTIMOSTM5LINEARFET60V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 275A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 217W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.45V @ 120µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 30 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC015N06NM5LFATMA1 | Infineon Technologies | Description: OPTIMOSTM5LINEARFET60V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 275A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 217W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.45V @ 120µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 30 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC016N04NM7VATMA1 | Infineon Technologies | Description: ISC016N04NM7VATMA1 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 174A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.49mOhm @ 50A, 15V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.15V @ 35µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 20 V | на замовлення 4685 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC016N04NM7VATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V | на замовлення 3897 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC016N04NM7VATMA1 | Infineon Technologies | Description: ISC016N04NM7VATMA1 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 174A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.49mOhm @ 50A, 15V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.15V @ 35µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 20 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC017N04NM5 | Infineon Technologies | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC017N04NM5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC017N04NM5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC017N04NM5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC017N04NM5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 193A TDSON-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 193A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 115W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 60µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 20 V | на замовлення 1847 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC017N04NM5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - ISC017N04NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 193 A, 0.0013 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 193A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 115W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 926 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC017N04NM5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH <= 40V | на замовлення 1854 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC017N04NM5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC017N04NM5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 193A TDSON-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 193A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 115W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 60µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 20 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC017N04NM5ATMA1 | Infineon Technologies | 40V MOSFET Power-Transistor | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC017N04NM5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - ISC017N04NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 193 A, 0.0013 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 193A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 115W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 115W Bauform - Transistor: TDSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0013ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 926 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC018N08NM6ATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH 40<-<100V Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC018N08NM6ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 27A 8-Pin TDSON EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC018N08NM6SCATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH 40<-<100V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 230A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 217W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 114µA Supplier Device Package: PG-WSON-8-2 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 40 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC019N03L5SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC019N03L5SATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - ISC019N03L5SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0016 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 69W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 992 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC019N03L5SATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH <= 40V | на замовлення 8156 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC019N03L5SATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC019N03L5SATMA1 | Infineon | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| ISC019N03L5SATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 400A; 69W Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Case: PG-TDSON-8 Polarisation: unipolar Gate-source voltage: ±20V Gate charge: 7nC On-state resistance: 1.9mΩ Power dissipation: 69W Drain current: 100A Drain-source voltage: 30V Pulsed drain current: 400A Kind of package: reel; tape | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC019N03L5SATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - ISC019N03L5SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0016 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 69W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 69W Bauform - Transistor: TDSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0016ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 992 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC019N03L5SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC019N03L5SATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V | на замовлення 18544 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC019N04NM5 | Infineon Technologies | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC019N04NM5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 29A 8-Pin TDSON EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC019N04NM5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: 40V 1.9M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 170A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 50µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 20 V | на замовлення 10568 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC019N04NM5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 29A 8-Pin TDSON EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC019N04NM5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - ISC019N04NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 170 A, 0.0015 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: TDSON-FL Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 5719 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC019N04NM5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH <= 40V | на замовлення 5794 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC019N04NM5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 29A 8-Pin TDSON EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC019N04NM5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: 40V 1.9M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 170A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 50µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 20 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC019N04NM5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 29A 8-Pin TDSON EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC019N04NM5ATMA1 | Infineon Technologies | SP005352244 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC019N04NM5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 29A 8-Pin TDSON EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC019N04NM5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - ISC019N04NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 170 A, 0.0015 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 100W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: TDSON-FL Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0015ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 5719 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC01P | NKK Switches | Description: GRAPHIC DISPLAY OLED RGB - Packaging: Box Display Type: OLED - Passive Matrix Backlight: Without Backlight Interface: SPI Viewing Area: 12.90mm W x 9.90mm H Dot Pixels: 52 x 36 Graphics Color: Red, Green, Blue (RGB) Part Status: Active | на замовлення 279 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC01P | NKK Switches | OLED Displays & Accessories OLED SmartDisplay 52 X 36 full color | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC01P-104G | NKK Switches | SWITCH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC022N10NM6ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - ISC022N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 230 A, 2240 µohm, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 230A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 254W Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2240µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 8275 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC022N10NM6ATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH >=100V PG-TSON-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 230A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.24mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 254W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 147µA Supplier Device Package: PG-TSON-8-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6880 pF @ 50 V | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC022N10NM6ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - ISC022N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 230 A, 2240 µohm, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 230A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 254W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 254W Bauform - Transistor: TSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2240µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 8275 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC022N10NM6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH >=100V | на замовлення 4929 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC022N10NM6ATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH >=100V PG-TSON-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 230A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.24mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 254W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 147µA Supplier Device Package: PG-TSON-8-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6880 pF @ 50 V | на замовлення 12134 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC022N10NM6ATMA1 | Infineon Technologies | SP005339558 | на замовлення 5010 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC023N03LF2SATMA1 | Infineon Technologies | Description: ISC023N03LF2SATMA1 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 150A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 188W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 40µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-62 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 15 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC023N03LF2SATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - ISC023N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 150 A, 2300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V euEccn: NLR Verlustleistung: 94W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 4980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC023N03LF2SATMA1 | Infineon Technologies | Description: ISC023N03LF2SATMA1 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 150A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 188W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 40µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-62 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 15 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC023N03LF2SATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - ISC023N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 150 A, 2300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V euEccn: NLR Verlustleistung: 94W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 4980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC025N06LM6ATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH 40<-<100V Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC025N08NM5LF2ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH 40<-<100V | на замовлення 6290 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC025N08NM5LF2ATMA1 | Infineon Technologies | Description: OPTIMOSTM5LINEARFET80V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 198A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.55mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 217W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 115µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 40 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC025N08NM5LF2ATMA1 | Infineon Technologies | ISC025N08NM5LF2ATMA1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC025N08NM5LF2ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - ISC025N08NM5LF2ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 198 A, 2550 µohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 198A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 217W Bauform - Transistor: TDSON-FL Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2550µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 4760 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC025N08NM5LF2ATMA1 | Infineon Technologies | Description: OPTIMOSTM5LINEARFET80V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 198A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.55mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 217W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 115µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 40 V | на замовлення 7503 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC025N08NM5LF2ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - ISC025N08NM5LF2ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 198 A, 2550 µohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 198A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 217W Bauform - Transistor: TDSON-FL Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2550µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 4760 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC025N08NM5LFATMA1 | Infineon Technologies | TRENCH 40<-<100V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC025N08NM5LFATMA1 | Infineon Technologies | Description: OPTIMOSTM5LINEARFET80V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 198A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.55mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 217W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 115µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 40 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC025N08NM5LFATMA1 | Infineon Technologies | Description: OPTIMOSTM5LINEARFET80V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 198A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.55mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 217W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 115µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 40 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC026N03L5SATMA1 | Infineon | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| ISC026N03L5SATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - ISC026N03L5SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 2200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 48W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 4955 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC026N03L5SATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 24A/100A TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V | на замовлення 21409 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC026N03L5SATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 24A/100A TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC026N03L5SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin TDSON EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC026N03L5SATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - ISC026N03L5SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 2200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 48W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 48W Bauform - Transistor: TDSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0022ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 4955 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC026N03L5SATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH <= 40V | на замовлення 3808 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC027N10NM6ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC027N10NM6ATMA1 | Infineon Technologies | SP005339566 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC027N10NM6ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - ISC027N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 192 A, 0.0027 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 192A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 217W Bauform - Transistor: TDSON-FL Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 11713 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC027N10NM6ATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH >=100V PG-TDSON-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 192A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 217W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 116µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 50 V | на замовлення 3271 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC027N10NM6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH >=100V | на замовлення 1842 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC027N10NM6ATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH >=100V PG-TDSON-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 192A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 217W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 116µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC027N10NM6ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - ISC027N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 192 A, 0.0027 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 192A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 217W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 217W Bauform - Transistor: TDSON-FL Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0023ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 11713 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC028N03LF2SATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - ISC028N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 128 A, 2800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 128A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 4980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC028N03LF2SATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - ISC028N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 128 A, 2800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 128A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 4980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC028N03LF2SATMA1 | Infineon Technologies | Description: ISC028N03LF2SATMA1 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 128A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 30µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-62 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1780 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC028N03LF2SATMA1 | Infineon Technologies | Description: ISC028N03LF2SATMA1 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 128A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 30µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-62 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1780 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC028N03LF2SATMA1 | Infineon Technologies | TRENCH <= 40V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC028N04NM5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: 40V 2.8M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 121A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 30µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 20 V | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC028N04NM5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - ISC028N04NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 121 A, 2100 µohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 121A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 75W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: TDSON-FL Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0021ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 4980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC028N04NM5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH <= 40V | на замовлення 7191 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC028N04NM5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - ISC028N04NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 121 A, 2100 µohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 121A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: TDSON-FL Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 4980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC028N04NM5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: 40V 2.8M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 121A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 30µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 20 V | на замовлення 10288 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC028N04NM5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 24A 8-Pin TDSON EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC030N10NM6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH >=100V | на замовлення 11328 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC030N10NM6ATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH >=100V PG-TDSON-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 179A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 208W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 109µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 50 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC030N10NM6ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - ISC030N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 179 A, 0.003 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 179A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 208W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 208W Bauform - Transistor: TDSON-FL Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0026ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 3145 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC030N10NM6ATMA1 | Infineon Technologies | SP005427072 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC030N10NM6ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC030N10NM6ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - ISC030N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 179 A, 0.003 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 179A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 208W Bauform - Transistor: TDSON-FL Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 3145 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC030N10NM6ATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH >=100V PG-TDSON-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 179A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 208W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 109µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 50 V | на замовлення 3844 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC030N12NM6ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - ISC030N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 194 A, 3040 µohm, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 120V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 194A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3040µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 2429 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC030N12NM6ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 120V 21A 8-Pin TSON EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC030N12NM6ATMA1 | Infineon Technologies | Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 194A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.04mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 141µA Supplier Device Package: PG-TSON-8-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 60 V | на замовлення 4241 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC030N12NM6ATMA1 | Infineon Technologies | Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 194A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.04mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 141µA Supplier Device Package: PG-TSON-8-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 60 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC030N12NM6ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - ISC030N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 194 A, 3040 µohm, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 120V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 194A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3040µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 2429 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC030N12NM6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH >=100V | на замовлення 3634 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC031N08NM6ATMA1 | Infineon Technologies | TRENCH 40<-<100V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC031N08NM6SCATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH 40<-<100V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 145A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 65µA Supplier Device Package: PG-WSON-8-2 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 40 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC0324D05 | XP Power | Description: DC DC CONVERTER +/-5V 3W Packaging: Bulk Features: Remote On/Off, OCP, SCP, UVLO Package / Case: 16-SMD Module, 7 Leads Size / Dimension: 0.94" L x 0.54" W x 0.31" H (24.0mm x 13.7mm x 8.0mm) Mounting Type: Surface Mount Type: Isolated Module Operating Temperature: -40°C ~ 100°C Applications: ITE (Commercial) Voltage - Input (Max): 36V Efficiency: 77% Current - Output (Max): 300mA, 300mA Voltage - Input (Min): 9V Voltage - Output 1: 5V Voltage - Output 2: -5V Control Features: Enable, Active High Part Status: Active Power (Watts): 3 W Number of Outputs: 2 Voltage - Isolation: 1.5 kV Standard Number: 62368-1 | на замовлення 162 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC0324D05 | XP Power | DC/DC Converters - SMD DC-DC, 3W SMD, 4:1 INPUT, REG | на замовлення 80 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC0324D05-TR | XP Power | Isolated DC/DC Converters - SMD DC-DC, 3W SMD, 4:1 INPUT, REG | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC0324D12 | XP Power | Isolated DC/DC Converters - SMD DC-DC, 3W SMD, 4:1 INPUT, REG | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC0324D12 | XP Power | Description: DC DC CONVERTER +/-12V 3W Features: Remote On/Off, OCP, SCP, UVLO Packaging: Bulk Package / Case: 16-SMD Module, 7 Leads Size / Dimension: 0.94" L x 0.54" W x 0.31" H (24.0mm x 13.7mm x 8.0mm) Mounting Type: Surface Mount Type: Isolated Module Operating Temperature: -40°C ~ 100°C Applications: ITE (Commercial) Voltage - Input (Max): 36V Efficiency: 80% Current - Output (Max): 125mA, 125mA Voltage - Input (Min): 9V Voltage - Output 1: 12V Voltage - Output 2: -12V Control Features: Enable, Active High Power (Watts): 3 W Number of Outputs: 2 Voltage - Isolation: 1.5 kV Standard Number: 62368-1 | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC0324D12-TR | XP Power | Isolated DC/DC Converters - SMD DC-DC, 3W SMD, 4:1 INPUT, REG | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC0324D15 | XP Power | Description: DC DC CONVERTER +/-15V 3W Features: Remote On/Off, OCP, SCP, UVLO Packaging: Bulk Package / Case: 16-SMD Module, 7 Leads Size / Dimension: 0.94" L x 0.54" W x 0.31" H (24.0mm x 13.7mm x 8.0mm) Mounting Type: Surface Mount Type: Isolated Module Operating Temperature: -40°C ~ 100°C Applications: ITE (Commercial) Voltage - Input (Max): 36V Efficiency: 80% Current - Output (Max): 100mA, 100mA Voltage - Input (Min): 9V Voltage - Output 1: 15V Voltage - Output 2: -15V Control Features: Enable, Active High Power (Watts): 3 W Number of Outputs: 2 Voltage - Isolation: 1.5 kV Standard Number: 62368-1 | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC0324D15 | XP Power | Isolated DC/DC Converters - SMD DC-DC, 3W SMD, 4:1 INPUT, REG | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC0324D15-TR | XP Power | Isolated DC/DC Converters - SMD DC-DC, 3W SMD, 4:1 INPUT, REG | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC0324S05 | XP Power | Description: DC DC CONVERTER 5V 3W Packaging: Bulk Features: Remote On/Off, OCP, SCP, UVLO Package / Case: 16-SMD Module, 7 Leads Size / Dimension: 0.94" L x 0.54" W x 0.32" H (24.0mm x 13.7mm x 8.3mm) Mounting Type: Surface Mount Type: Isolated Module Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (With Derating) Applications: ITE (Commercial) Voltage - Input (Max): 36V Approval Agency: CE, UKCA, UL Efficiency: 78% Current - Output (Max): 600mA Voltage - Input (Min): 9V Voltage - Output 1: 5V Control Features: Enable, Active High Power (Watts): 3 W Number of Outputs: 1 Voltage - Isolation: 1.5 kV Standard Number: 60950-1; 62368-1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC0324S05 | XP Power | Isolated DC/DC Converters - SMD DC-DC, 3W SMD, 4:1 INPUT, REG | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC0324S05-TR | XP Power | Isolated DC/DC Converters - SMD DC-DC, 3W SMD, 4:1 INPUT, REG | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC0324S05-TR | XP Power | Description: DC DC CONVERTER 5V 3W Features: Remote On/Off, OCP, SCP, UVLO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 16-SMD Module, 7 Leads Size / Dimension: 0.94" L x 0.54" W x 0.32" H (24.0mm x 13.7mm x 8.3mm) Mounting Type: Surface Mount Type: Isolated Module Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (With Derating) Applications: ITE (Commercial) Voltage - Input (Max): 36V Approval Agency: CE, UKCA, UL Efficiency: 78% Current - Output (Max): 600mA Voltage - Input (Min): 9V Voltage - Output 1: 5V Control Features: Enable, Active High Power (Watts): 3 W Number of Outputs: 1 Voltage - Isolation: 1.5 kV Standard Number: 60950-1; 62368-1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC0324S12 | XP Power | Isolated DC/DC Converters - SMD DC-DC, 3W SMD, 4:1 INPUT, REG | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC0324S12-TR | XP Power | Description: DC DC CONVERTER 12V 3W Packaging: Tape & Reel (TR) Features: Remote On/Off, OCP, SCP, UVLO Package / Case: 16-SMD Module, 7 Leads Size / Dimension: 0.94" L x 0.54" W x 0.32" H (24.0mm x 13.7mm x 8.3mm) Mounting Type: Surface Mount Type: Isolated Module Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (With Derating) Applications: ITE (Commercial) Voltage - Input (Max): 36V Approval Agency: CE, UKCA, UL Efficiency: 80% Current - Output (Max): 250mA Voltage - Input (Min): 9V Voltage - Output 1: 12V Control Features: Enable, Active High Part Status: Active Power (Watts): 3 W Number of Outputs: 1 Voltage - Isolation: 1.5 kV Standard Number: 60950-1; 62368-1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC0324S12-TR | XP Power | Isolated DC/DC Converters - SMD DC-DC, 3W SMD, 4:1 INPUT, REG | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC0324S12-TR | XP Power | Description: DC DC CONVERTER 12V 3W Packaging: Cut Tape (CT) Features: Remote On/Off, OCP, SCP, UVLO Package / Case: 16-SMD Module, 7 Leads Size / Dimension: 0.94" L x 0.54" W x 0.32" H (24.0mm x 13.7mm x 8.3mm) Mounting Type: Surface Mount Type: Isolated Module Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (With Derating) Applications: ITE (Commercial) Voltage - Input (Max): 36V Approval Agency: CE, UKCA, UL Efficiency: 80% Current - Output (Max): 250mA Voltage - Input (Min): 9V Voltage - Output 1: 12V Control Features: Enable, Active High Part Status: Active Power (Watts): 3 W Number of Outputs: 1 Voltage - Isolation: 1.5 kV Standard Number: 60950-1; 62368-1 | на замовлення 163 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC0324S15 | XP Power | Description: DC DC CONVERTER 15V 3W | на замовлення 341 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC0324S15 | XP Power | Isolated DC/DC Converters - SMD DC-DC, 3W SMD, 4:1 INPUT, REG | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC0324S15 | XP Power | Description: DC DC CONVERTER 15V 3W | на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC0324S15-TR | XP Power | Description: DC DC CONVERTER 15V 3W Features: Remote On/Off, OCP, SCP, UVLO Packaging: Bulk Package / Case: 16-SMD Module, 7 Leads Size / Dimension: 0.94" L x 0.54" W x 0.32" H (24.0mm x 13.7mm x 8.3mm) Mounting Type: Surface Mount Type: Isolated Module Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (With Derating) Applications: ITE (Commercial) Voltage - Input (Max): 36V Approval Agency: CE, UKCA, UL Efficiency: 80% Current - Output (Max): 200mA Voltage - Input (Min): 9V Voltage - Output 1: 15V Control Features: Enable, Active High Power (Watts): 3 W Number of Outputs: 1 Voltage - Isolation: 1.5 kV Standard Number: 60950-1; 62368-1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC0324S15-TR | XP Power | Description: DC DC CONVERTER 15V 3W Features: Remote On/Off, OCP, SCP, UVLO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 16-SMD Module, 7 Leads Size / Dimension: 0.94" L x 0.54" W x 0.32" H (24.0mm x 13.7mm x 8.3mm) Mounting Type: Surface Mount Type: Isolated Module Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (With Derating) Applications: ITE (Commercial) Voltage - Input (Max): 36V Approval Agency: CE, UKCA, UL Efficiency: 80% Current - Output (Max): 200mA Voltage - Input (Min): 9V Voltage - Output 1: 15V Control Features: Enable, Active High Power (Watts): 3 W Number of Outputs: 1 Voltage - Isolation: 1.5 kV Standard Number: 60950-1; 62368-1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC0324S15-TR | XP Power | Isolated DC/DC Converters - SMD DC-DC, 3W SMD, 4:1 INPUT, REG | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC0324S24 | XP Power | DC/DC Converters - SMD DC-DC, 3W SMD, 4:1 INPUT, REG | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC0324S24 | XP Power | Description: DC DC CONVERTER 24V 3W Features: Remote On/Off, OCP, SCP, UVLO Packaging: Bulk Package / Case: 16-SMD Module, 7 Leads Size / Dimension: 0.94" L x 0.54" W x 0.31" H (24.0mm x 13.7mm x 8.0mm) Mounting Type: Surface Mount Type: Isolated Module Operating Temperature: -40°C ~ 100°C Applications: ITE (Commercial) Voltage - Input (Max): 36V Efficiency: 80% Current - Output (Max): 125mA Voltage - Input (Min): 9V Voltage - Output 1: 24V Control Features: Enable, Active High Part Status: Active Power (Watts): 3 W Number of Outputs: 1 Voltage - Isolation: 1.5 kV Standard Number: 62368-1 | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC0324S24-TR | XP Power | Isolated DC/DC Converters - SMD DC-DC, 3W SMD, 4:1 INPUT, REG | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC0324S3V3 | XP POWER | Description: XP POWER - ISC0324S3V3 - Isol. DC/DC-Wandler, Oberflächenmontage, ITE, DIP, 4:1, 3 W, 1 Ausgang, 3.3 V tariffCode: 85044095 DC-Eingangsspannung, min.: 9V Ausgangsstrom - Ausgang 2: - rohsCompliant: YES Höhe: 18.1mm Nominelle DC-Eingangsspannung: 24V Tiefe: 24mm hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Anzahl der Ausgänge: 1 Ausgang Breite: 8.25mm usEccn: EAR99 DC/DC-Wandlerausgang: Fest Isolationsspannung: 1.5kV DC-Eingangsspannung, max.: 36V DC/DC-Wandlermontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR DC/DC-Wandler: DIP Ausgangsregelung: Geregelt Produktpalette: ISC03 Series Ausgangsspannung - Ausgang 1: 3.3V productTraceability: No Ausgangsspannung - Ausgang 2: - Ausgangsstrom - Ausgang 1: 600mA Eingangsverhältnis: 4:1 Anwendungen für das Netzteil: ITE Ausgangsleistung, max.: 3W | на замовлення 21 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC0324S3V3 | XP Power | Description: DC DC CONVERTER 3.3V 3W Packaging: Bulk Features: Remote On/Off, OCP, SCP, UVLO Package / Case: 16-SMD Module, 7 Leads Size / Dimension: 0.94" L x 0.54" W x 0.31" H (24.0mm x 13.7mm x 8.0mm) Mounting Type: Surface Mount Type: Isolated Module Operating Temperature: -40°C ~ 100°C Applications: ITE (Commercial) Voltage - Input (Max): 36V Efficiency: 75% Current - Output (Max): 600mA Voltage - Input (Min): 9V Voltage - Output 1: 3.3V Control Features: Enable, Active High Part Status: Active Power (Watts): 3 W Number of Outputs: 1 Voltage - Isolation: 1.5 kV Standard Number: 62368-1 | на замовлення 1102 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC0324S3V3 | XP Power | DC/DC Converters - SMD DC-DC, 3W SMD, 4:1 INPUT, REG | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC0324S3V3-TR | XP Power | Isolated DC/DC Converters - SMD DC-DC, 3W SMD, 4:1 INPUT, REG | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC032N12LM6ATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH >=100V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 170A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 211W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 110µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 60 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC032N12LM6ATMA1 | Infineon Technologies | TRENCH >=100V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC032N12LM6ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - ISC032N12LM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 170 A, 0.0032 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 120V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 211W Bauform - Transistor: TDSON-FL Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 4990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC032N12LM6ATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH >=100V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 170A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 211W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 110µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 60 V | на замовлення 2685 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC032N12LM6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH >=100V | на замовлення 585 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC032N12LM6ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - ISC032N12LM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 170 A, 0.0032 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 120V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 211W Bauform - Transistor: TDSON-FL Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 4990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC033N03LF2SATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - ISC033N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 108 A, 3300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 108A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V euEccn: NLR Verlustleistung: 71W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC033N03LF2SATMA1 | Infineon Technologies | Description: ISC033N03LF2SATMA1 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 108A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 71W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 30µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-62 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 15 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC033N03LF2SATMA1 | Infineon Technologies | TRENCH <= 40V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC033N03LF2SATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - ISC033N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 108 A, 3300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 108A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V euEccn: NLR Verlustleistung: 71W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC033N03LF2SATMA1 | Infineon Technologies | Description: ISC033N03LF2SATMA1 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 108A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 71W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 30µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-62 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 15 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC0348D05 | XP Power | Description: DC DC CONVERTER +/-5V 3W Features: Remote On/Off, OCP, SCP, UVLO Packaging: Bulk Package / Case: 16-SMD Module, 7 Leads Size / Dimension: 0.94" L x 0.54" W x 0.31" H (24.0mm x 13.7mm x 8.0mm) Mounting Type: Surface Mount Type: Isolated Module Operating Temperature: -40°C ~ 100°C Applications: ITE (Commercial) Voltage - Input (Max): 75V Efficiency: 77% Current - Output (Max): 300mA, 300mA Voltage - Input (Min): 18V Voltage - Output 1: 5V Voltage - Output 2: -5V Control Features: Enable, Active High Power (Watts): 3 W Number of Outputs: 2 Voltage - Isolation: 1.5 kV Standard Number: 62368-1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC0348D12 | XP Power | Description: DC DC CONVERTER +/-12V 3W Features: Remote On/Off, OCP, SCP, UVLO Packaging: Bulk Package / Case: 16-SMD Module, 7 Leads Size / Dimension: 0.94" L x 0.54" W x 0.31" H (24.0mm x 13.7mm x 8.0mm) Mounting Type: Surface Mount Type: Isolated Module Operating Temperature: -40°C ~ 100°C Applications: ITE (Commercial) Voltage - Input (Max): 75V Efficiency: 80% Current - Output (Max): 125mA, 125mA Voltage - Input (Min): 18V Voltage - Output 1: 12V Voltage - Output 2: -12V Control Features: Enable, Active High Part Status: Active Power (Watts): 3 W Number of Outputs: 2 Voltage - Isolation: 1.5 kV Standard Number: 62368-1 | на замовлення 26 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC0348D15 | XP Power | Description: DC DC CONVERTER +/-15V 3W Packaging: Bulk Features: Remote On/Off, OCP, SCP, UVLO Package / Case: 16-SMD Module, 7 Leads Size / Dimension: 0.94" L x 0.54" W x 0.31" H (24.0mm x 13.7mm x 8.0mm) Mounting Type: Surface Mount Type: Isolated Module Operating Temperature: -40°C ~ 100°C Applications: ITE (Commercial) Voltage - Input (Max): 75V Efficiency: 80% Current - Output (Max): 100mA, 100mA Voltage - Input (Min): 18V Voltage - Output 1: 15V Voltage - Output 2: -15V Control Features: Enable, Active High Part Status: Active Power (Watts): 3 W Number of Outputs: 2 Voltage - Isolation: 1.5 kV Standard Number: 62368-1 | на замовлення 27 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC0348S05 | XP Power | Isolated DC/DC Converters - SMD DC-DC, 3W SMD, 4:1 INPUT, REG | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC0348S05 | XP Power | Description: DC DC CONVERTER 5V 3W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC0348S05 | XP Power | Description: DC DC CONVERTER 5V 3W | на замовлення 161 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC0348S05-TR | XP Power | Description: DC DC CONVERTER 5V 3W Packaging: Bulk Features: Remote On/Off, OCP, SCP, UVLO Package / Case: 16-SMD Module, 7 Leads Size / Dimension: 0.94" L x 0.54" W x 0.32" H (24.0mm x 13.7mm x 8.3mm) Mounting Type: Surface Mount Type: Isolated Module Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (With Derating) Applications: ITE (Commercial) Voltage - Input (Max): 75V Approval Agency: CE, UKCA, UL Efficiency: 78% Current - Output (Max): 600mA Voltage - Input (Min): 18V Voltage - Output 1: 5V Control Features: Enable, Active High Power (Watts): 3 W Number of Outputs: 1 Voltage - Isolation: 1.5 kV Standard Number: 60950-1; 62368-1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC0348S05-TR | XP Power | Description: DC DC CONVERTER 5V 3W Features: Remote On/Off, OCP, SCP, UVLO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 16-SMD Module, 7 Leads Size / Dimension: 0.94" L x 0.54" W x 0.32" H (24.0mm x 13.7mm x 8.3mm) Mounting Type: Surface Mount Type: Isolated Module Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (With Derating) Applications: ITE (Commercial) Voltage - Input (Max): 75V Approval Agency: CE, UKCA, UL Efficiency: 78% Current - Output (Max): 600mA Voltage - Input (Min): 18V Voltage - Output 1: 5V Control Features: Enable, Active High Power (Watts): 3 W Number of Outputs: 1 Voltage - Isolation: 1.5 kV Standard Number: 60950-1; 62368-1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC0348S12 | XP Power | Description: DC DC CONVERTER 12V 3W | на замовлення 220 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC0348S12 | XP Power | Description: DC DC CONVERTER 12V 3W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC0348S12-TR | XP Power | Description: DC DC CONVERTER 12V 3W Packaging: Tape & Reel (TR) Features: Remote On/Off, OCP, SCP, UVLO Package / Case: 16-SMD Module, 7 Leads Size / Dimension: 0.94" L x 0.54" W x 0.32" H (24.0mm x 13.7mm x 8.3mm) Mounting Type: Surface Mount Type: Isolated Module Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (With Derating) Applications: ITE (Commercial) Voltage - Input (Max): 75V Approval Agency: CE, UKCA, UL Efficiency: 80% Current - Output (Max): 250mA Voltage - Input (Min): 18V Voltage - Output 1: 12V Control Features: Enable, Active High Part Status: Active Power (Watts): 3 W Number of Outputs: 1 Voltage - Isolation: 1.5 kV Standard Number: 60950-1; 62368-1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC0348S12-TR | XP Power | Description: DC DC CONVERTER 12V 3W Packaging: Bulk Features: Remote On/Off, OCP, SCP, UVLO Package / Case: 16-SMD Module, 7 Leads Size / Dimension: 0.94" L x 0.54" W x 0.32" H (24.0mm x 13.7mm x 8.3mm) Mounting Type: Surface Mount Type: Isolated Module Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (With Derating) Applications: ITE (Commercial) Voltage - Input (Max): 75V Approval Agency: CE, UKCA, UL Efficiency: 80% Current - Output (Max): 250mA Voltage - Input (Min): 18V Voltage - Output 1: 12V Control Features: Enable, Active High Part Status: Active Power (Watts): 3 W Number of Outputs: 1 Voltage - Isolation: 1.5 kV Standard Number: 60950-1; 62368-1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC0348S12-TR | XP Power | Description: DC DC CONVERTER 12V 3W Packaging: Cut Tape (CT) Features: Remote On/Off, OCP, SCP, UVLO Package / Case: 16-SMD Module, 7 Leads Size / Dimension: 0.94" L x 0.54" W x 0.32" H (24.0mm x 13.7mm x 8.3mm) Mounting Type: Surface Mount Type: Isolated Module Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (With Derating) Applications: ITE (Commercial) Voltage - Input (Max): 75V Approval Agency: CE, UKCA, UL Efficiency: 80% Current - Output (Max): 250mA Voltage - Input (Min): 18V Voltage - Output 1: 12V Control Features: Enable, Active High Part Status: Active Power (Watts): 3 W Number of Outputs: 1 Voltage - Isolation: 1.5 kV Standard Number: 60950-1; 62368-1 | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC0348S15 | XP Power | Description: DC DC CONVERTER 15V 3W | на замовлення 95 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC0348S15 | XP Power | Description: DC DC CONVERTER 15V 3W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC0348S15-TR | XP Power | Description: DC DC CONVERTER 15V 3W Features: Remote On/Off, OCP, SCP, UVLO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 16-SMD Module, 7 Leads Size / Dimension: 0.94" L x 0.54" W x 0.32" H (24.0mm x 13.7mm x 8.3mm) Mounting Type: Surface Mount Type: Isolated Module Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (With Derating) Applications: ITE (Commercial) Voltage - Input (Max): 75V Approval Agency: CE, UKCA, UL Efficiency: 80% Current - Output (Max): 200mA Voltage - Input (Min): 18V Voltage - Output 1: 15V Control Features: Enable, Active High Power (Watts): 3 W Number of Outputs: 1 Voltage - Isolation: 1.5 kV Standard Number: 60950-1; 62368-1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC0348S15-TR | XP Power | Description: DC DC CONVERTER 15V 3W Packaging: Bulk Features: Remote On/Off, OCP, SCP, UVLO Package / Case: 16-SMD Module, 7 Leads Size / Dimension: 0.94" L x 0.54" W x 0.32" H (24.0mm x 13.7mm x 8.3mm) Mounting Type: Surface Mount Type: Isolated Module Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (With Derating) Applications: ITE (Commercial) Voltage - Input (Max): 75V Approval Agency: CE, UKCA, UL Efficiency: 80% Current - Output (Max): 200mA Voltage - Input (Min): 18V Voltage - Output 1: 15V Control Features: Enable, Active High Power (Watts): 3 W Number of Outputs: 1 Voltage - Isolation: 1.5 kV Standard Number: 60950-1; 62368-1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC0348S24 | XP Power | Description: DC DC CONVERTER 24V 3W Features: Remote On/Off, OCP, SCP, UVLO Packaging: Bulk Package / Case: 16-SMD Module, 7 Leads Size / Dimension: 0.94" L x 0.54" W x 0.31" H (24.0mm x 13.7mm x 8.0mm) Mounting Type: Surface Mount Type: Isolated Module Operating Temperature: -40°C ~ 100°C Applications: ITE (Commercial) Voltage - Input (Max): 75V Efficiency: 80% Current - Output (Max): 125mA Voltage - Input (Min): 18V Voltage - Output 1: 24V Control Features: Enable, Active High Power (Watts): 3 W Number of Outputs: 1 Voltage - Isolation: 1.5 kV Standard Number: 62368-1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC0348S3V3 | XP Power | Description: DC DC CONVERTER 3.3V 3W Packaging: Bulk Features: Remote On/Off, OCP, SCP, UVLO Package / Case: 16-SMD Module, 7 Leads Size / Dimension: 0.94" L x 0.54" W x 0.31" H (24.0mm x 13.7mm x 8.0mm) Mounting Type: Surface Mount Type: Isolated Module Operating Temperature: -40°C ~ 100°C Applications: ITE (Commercial) Voltage - Input (Max): 75V Efficiency: 75% Current - Output (Max): 600mA Voltage - Input (Min): 18V Voltage - Output 1: 3.3V Control Features: Enable, Active High Power (Watts): 3 W Number of Outputs: 1 Voltage - Isolation: 1.5 kV Standard Number: 62368-1 | на замовлення 13 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC035N10NM5LF2ATMA1 | Infineon Technologies | Description: ISC035N10NM5LF2ATMA1 MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 164A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 217W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 115µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 50 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC035N10NM5LF2ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - ISC035N10NM5LF2ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 164 A, 0.0035 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 164A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 217W Bauform - Transistor: TDSON-FL Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 4052 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC035N10NM5LF2ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH >=100V | на замовлення 42 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC035N10NM5LF2ATMA1 | Infineon Technologies | Description: ISC035N10NM5LF2ATMA1 MOSFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 164A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 217W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 115µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 50 V | на замовлення 5506 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC035N10NM5LF2ATMA1 | Infineon Technologies | ISC035N10NM5LF2ATMA1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC035N10NM5LFATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET | на замовлення 300 шт: термін постачання 217-226 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC035N10NM5LFATMA1 | Infineon Technologies | Description: OPTIMOSTM5LINEARFET100V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 164A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 217W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 115µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC035N10NM5LFATMA1 | Infineon Technologies | Description: OPTIMOSTM5LINEARFET100V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 164A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 217W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 115µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC036N04NM5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: 40V 3.6M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 98A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 49A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 23µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V | на замовлення 3238 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC036N04NM5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - ISC036N04NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 98 A, 0.0027 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 98A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 63W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 63W Bauform - Transistor: TDSON-FL Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0027ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 124 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC036N04NM5ATMA1 | Infineon Technologies | N Channel Power Mosfet | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC036N04NM5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: 40V 3.6M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 98A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 49A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 23µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC036N04NM5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N | на замовлення 3570 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC036N04NM5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - ISC036N04NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 98 A, 0.0027 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 98A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 63W Bauform - Transistor: TDSON-FL Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 124 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC037N03L5ISATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin TDSON EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC037N03L5ISATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 20A/78A TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 78A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 37W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V | на замовлення 18934 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC037N03L5ISATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH <= 40V | на замовлення 11435 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC037N03L5ISATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - ISC037N03L5ISATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 78 A, 0.0031 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 78A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 37W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 37W Bauform - Transistor: TDSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0031ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 3053 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC037N03L5ISATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 20A/78A TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 78A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 37W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC037N03L5ISATMA1 | Infineon | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| ISC037N03L5ISATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - ISC037N03L5ISATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 78 A, 0.0031 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 78A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 37W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 3053 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC037N12NM6ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - ISC037N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 163 A, 0.0037 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 120V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 163A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 214W Bauform - Transistor: TDSON-FL Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 4504 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC037N12NM6ATMA1 | Infineon Technologies | Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.2A (Ta), 163A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 111µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 60 V | на замовлення 9319 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC037N12NM6ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 120V 19.2A 8-Pin TDSON EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC037N12NM6ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - ISC037N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 163 A, 0.0037 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 120V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 163A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 214W Bauform - Transistor: TDSON-FL Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 4504 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC037N12NM6ATMA1 | Infineon Technologies | Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.2A (Ta), 163A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 111µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 60 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC037N12NM6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH >=100V | на замовлення 108 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC037N13NM6ATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH >=100V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 172A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 15V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA Supplier Device Package: PG-TSON-8-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 135 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 68 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC037N13NM6ATMA1 | Infineon Technologies | TRENCH >=100V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC037N13NM6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH >=100V | на замовлення 3932 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC037N13NM6ATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH >=100V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 172A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 15V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA Supplier Device Package: PG-TSON-8-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 135 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 68 V | на замовлення 3780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC044N15NM6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH >=100V | на замовлення 544 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC044N15NM6ATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH >=100V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.1A (Ta), 156A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 15V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA Supplier Device Package: PG-TSON-8-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 75 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 75 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC044N15NM6ATMA1 | Infineon Technologies | ISC044N15NM6ATMA1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC044N15NM6ATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH >=100V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.1A (Ta), 156A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 15V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA Supplier Device Package: PG-TSON-8-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 75 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 75 V | на замовлення 3640 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC045N03L5SATMA1 | Infineon | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| ISC045N03L5SATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - ISC045N03L5SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 63 A, 3800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 63A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 4550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC045N03L5SATMA1 | Infineon Technologies | RZ03-1C4-D024 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC045N03L5SATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 18A/63A TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 63A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC045N03L5SATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH <= 40V | на замовлення 3755 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC045N03L5SATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - ISC045N03L5SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 63 A, 3800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 63A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 4550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC045N03L5SATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 18A/63A TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 63A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 15 V | на замовлення 5431 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC046N04NM5 | Infineon Technologies | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC046N04NM5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: 40V 4.6M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 77A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 17µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 20 V | на замовлення 1355 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC046N04NM5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin TDSON EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC046N04NM5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - ISC046N04NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 77 A, 0.0035 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 77A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TDSON-FL Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC046N04NM5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: 40V 4.6M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 77A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 17µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 20 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC046N04NM5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET TRENCH <= 40V | на замовлення 15536 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC046N04NM5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin TDSON EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC046N13NM6ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - ISC046N13NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 135 V, 142 A, 0.0043 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 | на замовлення 4995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC046N13NM6ATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH >=100V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 142A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 50A, 15V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 211W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 110µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 135 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 68 V | на замовлення 4990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC046N13NM6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH >=100V | на замовлення 4813 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC046N13NM6ATMA1 | Infineon Technologies | TRENCH >=100V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC046N13NM6ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - ISC046N13NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 135 V, 142 A, 0.0043 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 135V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 142A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 211W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 4995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC046N13NM6ATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH >=100V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 142A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 50A, 15V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 211W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 110µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 135 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 68 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC052N03LF2SATMA1 | Infineon Technologies | TRENCH <= 40V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC052N03LF2SATMA1 | Infineon Technologies | Description: ISC052N03LF2SATMA1 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 74A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 30µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-62 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC052N03LF2SATMA1 | Infineon Technologies | Description: ISC052N03LF2SATMA1 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 74A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 30µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-62 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC055N15NM6ATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH >=100V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A (Ta), 130A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 50A, 15V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 75 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC055N15NM6ATMA1 | Infineon Technologies | ISC055N15NM6ATMA1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC055N15NM6ATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH >=100V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A (Ta), 130A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 50A, 15V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 75 V | на замовлення 234 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC055N15NM6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH >=100V | на замовлення 934 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC056N08NM6ATMA1 | Infineon Technologies | N-channel MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC058N04NM5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 17A 8-Pin TDSON EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC058N04NM5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: 40V 5.8M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 63A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 31A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 13µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 20 V | на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC058N04NM5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH <= 40V | на замовлення 5932 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC058N04NM5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - ISC058N04NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 63 A, 4500 µohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 63A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 42W Bauform - Transistor: TDSON-FL Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 4701 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC058N04NM5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 17A 8-Pin TDSON EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC058N04NM5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: 40V 5.8M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 63A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 31A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 13µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 20 V | на замовлення 43923 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC058N04NM5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - ISC058N04NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 63 A, 4500 µohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 63A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 42W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 42W Bauform - Transistor: TDSON-FL Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0045ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 4701 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC0602NLSATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 80V 14A/66A TDSON-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 66A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 29µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 40 V | на замовлення 10539 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC0602NLSATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - ISC0602NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 66 A, 0.0071 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 66A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 60W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 60W Bauform - Transistor: TDSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0071ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 1932 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC0602NLSATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 80V 14A/66A TDSON-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 66A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 29µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 40 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC0602NLSATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - ISC0602NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 66 A, 7300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 66A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 60W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7300µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 5112 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC0602NLSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET TRENCH 40<-<100V | на замовлення 9212 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC0602NLSATMA1 | Infineon Technologies | Power-Transistor 80V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC0603NLSATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 80V 12.3A/56A TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.3A (Ta), 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 24µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 40 V | на замовлення 6987 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC0603NLSATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - ISC0603NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 56 A, 0.0085 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 56A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 52W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: TDSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0085ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 6082 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC0603NLSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET TRENCH 40<-<100V | на замовлення 3351 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC0603NLSATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 80V 12.3A/56A TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.3A (Ta), 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 24µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 40 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC0603NLSATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - ISC0603NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 56 A, 0.0085 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 56A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 6082 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC0604NLSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC0604NLSATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH 40<-<100V Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC0605NLSATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH 40<-<100V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 115µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 40 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC0605NLSATMA1 | Infineon Technologies | TRENCH 40<-<100V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC060N06NM6ATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH 40<-<100V Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC060N10NM6ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 15A T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC060N10NM6ATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH >=100V PG-TDSON-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 97A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V | на замовлення 3271 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC060N10NM6ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - ISC060N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 97 A, 5100 µohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 97A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 125W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TDSON-FL Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0051ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC060N10NM6ATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH >=100V PG-TDSON-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 97A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC060N10NM6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH >=100V | на замовлення 12728 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC060N10NM6ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - ISC060N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 97 A, 5100 µohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 97A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TDSON-FL Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC0702NLSATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - ISC0702NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 135 A, 0.0023 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 135A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 2785 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC0702NLSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH 40<-<100V | на замовлення 9152 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC0702NLSATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 23A/135A TDSON-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 135A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 38µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 30 V | на замовлення 6498 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC0702NLSATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - ISC0702NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 135 A, 0.0023 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 135A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 100W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: TDSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0023ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 2785 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC0702NLSATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin TDSON EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC0702NLSATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 23A/135A TDSON-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 135A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 38µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 30 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC0703NLSATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 13A/57A TDSON-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 57A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 32A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 44W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 15µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 30 V | на замовлення 13765 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC0703NLSATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 13A 8-Pin TDSON EP T/R | на замовлення 1965 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC0703NLSATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - ISC0703NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 57 A, 0.0058 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 57A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 44W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 3269 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC0703NLSATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 13A T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC0703NLSATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 13A 8-Pin TDSON EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC0703NLSATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 13A 8-Pin TDSON EP T/R | на замовлення 1578 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC0703NLSATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 13A/57A TDSON-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 57A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 32A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 44W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 15µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 30 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC0703NLSATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 13A 8-Pin TDSON EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC0703NLSATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - ISC0703NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 57 A, 0.0058 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 57A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 44W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 44W Bauform - Transistor: TDSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0058ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 3269 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC0703NLSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH 40<-<100V | на замовлення 7998 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC073N12LM6ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - ISC073N12LM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 86 A, 0.0073 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 120V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 86A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0073ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 4284 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC073N12LM6ATMA1 | Infineon Technologies | Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Ta), 86A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 50µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 60 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC073N12LM6ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - ISC073N12LM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 86 A, 0.0073 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 120V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 86A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0073ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 4284 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC073N12LM6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH >=100V | на замовлення 3801 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC073N12LM6ATMA1 | Infineon Technologies | Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Ta), 86A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 50µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 60 V | на замовлення 2889 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC073N12LM6ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 120V 13.4A 8-Pin TDSON EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC078N12NM6ATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH >=100V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.2A (Ta), 85A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 37A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 49.6µA Supplier Device Package: SuperSO8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 60 V | на замовлення 4885 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC078N12NM6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH >=100V | на замовлення 1963 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC078N12NM6ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - ISC078N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 85 A, 7800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 120V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 85A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7800µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 4667 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC078N12NM6ATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH >=100V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.2A (Ta), 85A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 37A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 49.6µA Supplier Device Package: SuperSO8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 60 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC078N12NM6ATMA1 | Infineon Technologies | N-channel MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC078N12NM6ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - ISC078N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 85 A, 7800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 120V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 85A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7800µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 4667 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC079N15NM6ATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH >=100V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.8A (Ta), 95A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 36A, 15V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 165W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 77µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 75 V | на замовлення 4622 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC079N15NM6ATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH >=100V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.8A (Ta), 95A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 36A, 15V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 165W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 77µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 75 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC079N15NM6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH >=100V | на замовлення 1826 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC0802NLSATMA1 | Infineon Technologies | SP005430372 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC0802NLSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET TRENCH >=100V | на замовлення 1034 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC0802NLSATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 22A/150A TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 150A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 92µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5190 pF @ 50 V | на замовлення 2209 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC0802NLSATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - ISC0802NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 A, 0.0033 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 125W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TDSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 4932 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC0802NLSATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 22A/150A TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 150A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 92µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5190 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC0802NLSATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - ISC0802NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 A, 0.0033 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 4932 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC0802NLSATMA1 | Infineon Technologies | ISC0802NLSATMA1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC0803NLSATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - ISC0803NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 37 A, 0.016 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 37A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 43W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 3793 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC0803NLSATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH >=100V PG-TDSON-8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC0803NLSATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - ISC0803NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 37 A, 0.016 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 37A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 43W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 43W Bauform - Transistor: TDSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.016ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 3793 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC0803NLSATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 8.8A 8-Pin TDSON EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC0803NLSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET TRENCH >=100V | на замовлення 906 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC0803NLSATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH >=100V PG-TDSON-8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC0804NLSATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 12A/59A TDSON-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 59A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.9mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 28µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 50 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC0804NLSATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - ISC0804NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 59 A, 0.0103 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 59A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 60W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 363 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC0804NLSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET TRENCH >=100V | на замовлення 4998 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC0804NLSATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 12A/59A TDSON-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 59A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.9mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 28µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 50 V | на замовлення 8951 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC0804NLSATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - ISC0804NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 59 A, 0.0103 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 59A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 60W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 60W Bauform - Transistor: TDSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0103ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 363 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC0805NLSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET TRENCH >=100V | на замовлення 774 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC0805NLSATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 13A 8-Pin TDSON EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC0805NLSATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 13A/71A TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 71A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 40µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-46 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC0805NLSATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - ISC0805NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 71 A, 0.0072 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 71A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 74W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 2987 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC0805NLSATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 13A/71A TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 71A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 40µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-46 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 50 V | на замовлення 2293 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC0805NLSATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - ISC0805NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 71 A, 0.0072 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 71A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 74W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 74W Bauform - Transistor: TDSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0072ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 2987 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC0806NLSATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 16A/97A TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 97A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 61µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 50 V | на замовлення 4756 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC0806NLSATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - ISC0806NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 97 A, 5000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 97A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 96W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 96W Bauform - Transistor: TDSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.005ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 4334 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC0806NLSATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 16A/97A TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 97A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 61µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC0806NLSATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - ISC0806NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 97 A, 5000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 97A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 96W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 4334 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC0806NLSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH >=100V | на замовлення 9803 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC0806NLSATMA1 | Infineon Technologies | N Channel Power Mosfet | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC080N10NM6ATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH >=100V PG-TDSON-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.05mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 36µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V | на замовлення 9213 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC080N10NM6ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - ISC080N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 8050 µohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 100W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: TDSON-FL Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0071ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8050µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 4475 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC080N10NM6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH >=100V | на замовлення 1873 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC080N10NM6ATMA1 | Infineon Technologies | SP005409473 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC080N10NM6ATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH >=100V PG-TDSON-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.05mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 36µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC080N10NM6ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - ISC080N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 8050 µohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: TDSON-FL Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8050µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 4475 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC088N08NM6ATMA1 | Infineon Technologies | N-channel MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1008ER100M | Vishay | Inductor RF Chip Shielded Wirewound 10uH 20% 100KHz 38Q-Factor Ferrite 0.25A 0.95Ohm DCR 1008 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1008ER100M | Vishay Dale | Description: FIXED IND 10UH 250MA 950 MOHM | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1008ER100M | Vishay / Dale | RF Inductors - SMD ISC-1008 10 20% ER e3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1008ER101M | Vishay Dale | Description: FIXED IND 100UH 80MA 5.8 OHM SMD | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1008ER101M | Vishay / Dale | RF Inductors - SMD ISC-1008 100 20% ER e3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1008ER102M | Vishay Dale | Description: FIXED IND 1MH 30MA 30 OHM SMD | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1008ER102M | Vishay / Dale | RF Inductors - SMD ISC-1008 1000 20% ER e3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1008ER121M | Vishay Dale | Description: FIXED IND 120UH 60MA 6.2 OHM SMD | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1008ER121M | Vishay / Dale | RF Inductors - SMD ISC-1008 120 20% ER e3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1008ER150M | Vishay Dale | Description: FIXED IND 15UH 220MA 1.15 OHM | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1008ER150M | Vishay / Dale | RF Inductors - SMD ISC-1008 15 20% ER e3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1008ER151M | Vishay Dale | Description: FIXED IND 150UH 50MA 7.5 OHM SMD | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1008ER151M | Vishay / Dale | RF Inductors - SMD ISC-1008 150 20% ER e3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1008ER1R0M | Vishay Dale | Description: FIXED IND 1UH 1A 50 MOHM SMD | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1008ER1R0M | Vishay / Dale | RF Inductors - SMD ISC-1008 1 20% ER e3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1008ER1R5M | Vishay Dale | Description: FIXED IND 1.5UH 800MA 60 MOHM | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1008ER1R5M | Vishay / Dale | RF Inductors - SMD ISC-1008 1.5 20% ER e3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1008ER1R8M | Vishay Dale | Description: FIXED IND 1.8UH 680MA 90 MOHM | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1008ER1R8M | Vishay / Dale | RF Inductors - SMD ISC-1008 1.8 20% ER e3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1008ER220M | Vishay Dale | Description: FIXED IND 22UH 180MA 1.4 OHM SMD | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1008ER220M | Vishay / Dale | RF Inductors - SMD ISC-1008 22 20% ER e3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1008ER221M | Vishay Dale | Description: FIXED IND 220UH 50MA 10 OHM SMD | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1008ER221M | Vishay / Dale | RF Inductors - SMD ISC-1008 220 20% ER e3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1008ER2R7M | Vishay Dale | Description: FIXED IND 2.7UH 650MA 140 MOHM | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1008ER2R7M | Vishay / Dale | RF Inductors - SMD ISC-1008 2.7 20% ER e3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1008ER330M | Vishay Dale | Description: FIXED IND 33UH 150MA 1.6 OHM SMD | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1008ER330M | Vishay / Dale | RF Inductors - SMD ISC-1008 33 20% ER e3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1008ER331M | Vishay | Inductor RF Chip Shielded Wirewound 330uH 20% 100KHz 40Q-Factor Ferrite 0.05A 11.5Ohm DCR 1008 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1008ER331M | Vishay Dale | Description: FIXED IND 330UH 50MA 11.5 OHM | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1008ER331M | Vishay / Dale | RF Inductors - SMD ISC-1008 330 20% ER e3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1008ER390M | Vishay Dale | Description: FIXED IND 39UH 130MA 1.85 OHM | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1008ER390M | Vishay / Dale | RF Inductors - SMD ISC-1008 39 20% ER e3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1008ER3R9M | Vishay Dale | Description: FIXED IND 3.9UH 650MA 260 MOHM | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1008ER3R9M | Vishay / Dale | RF Inductors - SMD ISC-1008 3.9 20% ER e3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1008ER470M | Vishay Dale | Description: FIXED IND 47UH 110MA 2.5 OHM SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1008ER470M | Vishay / Dale | RF Inductors - SMD ISC-1008 47 20% ER e3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1008ER471M | Vishay Dale | Description: FIXED IND 470UH 50MA 16.5OHM SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1008ER471M | Vishay / Dale | RF Inductors - SMD ISC-1008 470 20% ER e3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1008ER4R7M | Vishay Dale | Description: FIXED IND 4.7UH 500MA 350 MOHM | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1008ER4R7M | Vishay / Dale | RF Inductors - SMD ISC-1008 4.7 20% ER e3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1008ER561M | Vishay Dale | Description: FIXED IND 560UH 30MA 18 OHM SMD | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1008ER561M | Vishay / Dale | RF Inductors - SMD ISC-1008 560 20% ER e3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1008ER5R6M | Vishay Dale | Description: FIXED IND 5.6UH 450MA 400 MOHM | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1008ER5R6M | Vishay / Dale | RF Inductors - SMD ISC-1008 5.6 20% ER e3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1008ER680M | Vishay Dale | Description: FIXED IND 68UH 100MA 3.8 OHM SMD | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1008ER680M | Vishay / Dale | RF Inductors - SMD ISC-1008 68 20% ER e3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1008ER681M | Vishay / Dale | RF Inductors - SMD ISC-1008 680 20% ER e3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1008ER681M | Vishay Dale | Description: FIXED IND 680UH 30MA 24 OHM SMD | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1008ER6R8M | Vishay Dale | Description: FIXED IND 6.8UH 400MA 600 MOHM | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1008ER6R8M | Vishay / Dale | RF Inductors - SMD ISC-1008 6.8 20% ER e3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1008ER820M | Vishay Dale | Description: FIXED IND 82UH 100MA 4.2 OHM SMD | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1008ER820M | Vishay / Dale | RF Inductors - SMD ISC-1008 82 20% ER e3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1008ER821M | Vishay Dale | Description: FIXED IND 820UH 30MA 26 OHM SMD | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1008ER821M | Vishay / Dale | RF Inductors - SMD ISC-1008 820 20% ER e3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC104N12LM6ATMA1 | Infineon Technologies | Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 63A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 28A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 60 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC104N12LM6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N | на замовлення 4550 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC104N12LM6ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - ISC104N12LM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 63 A, 0.0104 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 120V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 63A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 94W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0104ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 3477 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC104N12LM6ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 120V 11A 8-Pin TDSON EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC104N12LM6ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 120V 11A 8-Pin TDSON EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC104N12LM6ATMA1 | Infineon Technologies | Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 63A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 28A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 60 V | на замовлення 5582 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC104N12LM6ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - ISC104N12LM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 63 A, 0.0104 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 120V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 63A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 94W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0104ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 3477 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC110N12NM6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH >=100V | на замовлення 2353 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC110N12NM6ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - ISC110N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 62 A, 0.011 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 120V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 62A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 94W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 4980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC110N12NM6ATMA1 | Infineon Technologies | TRENCH >=100V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC110N12NM6ATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH >=100V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 62A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 26A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 35µA Supplier Device Package: SuperSO8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 60 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC110N12NM6ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - ISC110N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 62 A, 0.011 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 120V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 62A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 94W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 4980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC110N12NM6ATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH >=100V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 62A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 26A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 35µA Supplier Device Package: SuperSO8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 60 V | на замовлення 4652 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC1162 | 00+ | на замовлення 1300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| ISC1162 | 00+ | на замовлення 1300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| ISC119N20NM6ATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH 100V Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC119N20NM6ATMA1 | Infineon Technologies | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210 .47 5% | Vishay / Dale | Fixed Inductors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210 .47 5%TR | Vishay / Dale | Fixed Inductors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210 1 5% | Vishay / Dale | Fixed Inductors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210 1.5 10%TR | Vishay / Dale | Fixed Inductors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210 12 5% | Vishay / Dale | Fixed Inductors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210 2.2 5% | Vishay / Dale | Fixed Inductors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210 3.3 10%TR | Vishay / Dale | Antennas DUCK,EXD,420-450MHz, 1/4W, KR, 3 INCH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210 6.8 5%TR | Vishay / Dale | Fixed Inductors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210AN220K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 22UH 150MA 3.1 OHM SMD | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210BN100J | Vishay Dale | Description: FIXED IND 10UH 185MA 2 OHM SMD | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210BN100J | Vishay / Dale | RF Inductors - SMD 10uH 5% | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210BN100K | на замовлення 11500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| ISC1210BN100K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 10UH 185MA 2 OHM SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210BN100K | Vishay / Dale | Fixed Inductors 10uH 10% | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210BN101K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 100UH 80MA 12 OHM SMD | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210BN10NK | Vishay / Dale | RF Inductors - SMD ISC-1210 .01 10% B13 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210BN10NK | Vishay Dale | Description: FIXED IND 10NH 810MA 100MOHM SMD Packaging: Bulk Tolerance: ±10% Package / Case: 1210 (3225 Metric) Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Wirewound Operating Temperature: -55°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 100mOhm Max Q @ Freq: 50 @ 50MHz Frequency - Self Resonant: 1GHz Material - Core: Non-Magnetic Inductance Frequency - Test: 50 MHz Supplier Device Package: 1210 Height - Seated (Max): 0.095" (2.41mm) Inductance: 10 nH Current Rating (Amps): 810 mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210BN10NM | Vishay Dale | Description: FIXED IND 10NH 810MA 100 MOHM | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210BN120J | Vishay | Inductor RF Chip Molded/Shielded Wirewound 12uH 5% 2.52MHz 30Q-Factor Powdered Iron 0.175A 2.3Ohm DCR 1210 Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210BN120J | Vishay Dale | Description: FIXED IND 12UH 175MA 2.3 OHM SMD Packaging: Bulk Tolerance: ±5% Package / Case: 1210 (3225 Metric) Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Drum Core, Wirewound Operating Temperature: -55°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 2.3Ohm Max Q @ Freq: 30 @ 2.52MHz Frequency - Self Resonant: 24MHz Material - Core: Iron Powder Inductance Frequency - Test: 2.52 MHz Supplier Device Package: 1210 Height - Seated (Max): 0.095" (2.41mm) Inductance: 12 µH Current Rating (Amps): 175 mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210BN120K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 12UH 175MA 2.3 OHM SMD Packaging: Bulk Tolerance: ±10% Package / Case: 1210 (3225 Metric) Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Drum Core, Wirewound Operating Temperature: -55°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 2.3Ohm Max Q @ Freq: 30 @ 2.52MHz Frequency - Self Resonant: 24MHz Material - Core: Iron Powder Inductance Frequency - Test: 2.52 MHz Supplier Device Package: 1210 Height - Seated (Max): 0.095" (2.41mm) Inductance: 12 µH Current Rating (Amps): 175 mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210BN12NM | Vishay / Dale | RF Inductors - SMD ISC-1210.01220%B13 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210BN12NM | Vishay Dale | Description: FIXED IND 12NH 750MA 110MOHM SMD Packaging: Bulk Tolerance: ±20% Package / Case: 1210 (3225 Metric) Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Wirewound Operating Temperature: -55°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 110mOhm Max Q @ Freq: 50 @ 50MHz Frequency - Self Resonant: 1GHz Material - Core: Non-Magnetic Inductance Frequency - Test: 50 MHz Supplier Device Package: 1210 Height - Seated (Max): 0.095" (2.41mm) Inductance: 12 nH Current Rating (Amps): 750 mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210BN150J | Vishay Dale | Description: FIXED IND 15UH 165MA 2.5 OHM SMD | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210BN150J | Vishay / Dale | Fixed Inductors 15uH 5% | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210BN150J | Vishay | Inductor RF Chip Molded/Shielded Wirewound 15uH 5% 2.52MHz 30Q-Factor Powdered Iron 0.165A 2.5Ohm DCR 1210 Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210BN150K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 15UH 165MA 2.5 OHM SMD | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210BN15NM | Vishay Dale | Description: FIXED IND 15NH 720MA 120 MOHM | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210BN180K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 18UH 155MA 2.7 OHM SMD Packaging: Bulk Tolerance: ±10% Package / Case: 1210 (3225 Metric) Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Drum Core, Wirewound Operating Temperature: -55°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 2.7Ohm Max Q @ Freq: 30 @ 2.52MHz Frequency - Self Resonant: 17MHz Material - Core: Iron Powder Inductance Frequency - Test: 2.52 MHz Supplier Device Package: 1210 Height - Seated (Max): 0.095" (2.41mm) Inductance: 18 µH Current Rating (Amps): 155 mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210BN180K | Vishay / Dale | RF Inductors - SMD ISC-1210 18 10% B13 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210BN18NK | Vishay Dale | Description: FIXED IND 18NH 690MA 130 MOHM | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210BN1R0J | Vishay Dale | Description: FIXED IND 1UH 400MA 600 MOHM SMD | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210BN1R0K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 1UH 400MA 600 MOHM SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210BN1R2J | Vishay Dale | Description: FIXED IND 1.2UH 390MA 650 MOHM | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210BN1R2K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 1.2UH 390MA 650 MOHM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210BN1R2K | Vishay / Dale | Fixed Inductors 1.2uH 10% | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210BN1R5J | Vishay / Dale | RF Inductors - SMD ISC-1210 1.5 5% B13 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210BN1R5J | Vishay Dale | Description: FIXED IND 1.5UH 370MA 750 MOHM | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210BN1R5K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 1.5UH 370MA 750 MOHM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210BN1R5K | Vishay / Dale | Fixed Inductors 1.5uH 10% | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210BN1R8J | Vishay Dale | Description: FIXED IND 1.8UH 350MA 850 MOHM | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210BN1R8K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 1.8UH 350MA 850 MOHM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210BN220J | Vishay Dale | Description: FIXED IND 22UH 150MA 3.1 OHM SMD | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210BN220J | Vishay / Dale | Fixed Inductors 22uH 5% | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210BN220K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 22UH 150MA 3.1 OHM SMD | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210BN22NK | Vishay Dale | Description: FIXED IND 22NH 640MA 150 MOHM | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210BN270K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 27UH 125MA 3.3 OHM SMD | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210BN2R2J | Vishay Dale | Description: FIXED IND 2.2UH 320MA 900 MOHM | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210BN2R2K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 2.2UH 320MA 900 MOHM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210BN2R2K | Vishay / Dale | Fixed Inductors 2.2uH 10% | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210BN2R7J | Vishay Dale | Description: FIXED IND 2.7UH 290MA 1 OHM SMD | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210BN2R7K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 2.7UH 290MA 1 OHM SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210BN330J | Vishay Dale | Description: FIXED IND 33UH 115MA 5.1 OHM SMD | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210BN330K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 33UH 115MA 5.1 OHM SMD Packaging: Bulk Tolerance: ±10% Package / Case: 1210 (3225 Metric) Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Drum Core, Wirewound Operating Temperature: -55°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 5.1Ohm Max Q @ Freq: 30 @ 2.52MHz Frequency - Self Resonant: 14.5MHz Material - Core: Iron Powder Inductance Frequency - Test: 2.52 MHz Supplier Device Package: 1210 Height - Seated (Max): 0.095" (2.41mm) Inductance: 33 µH Current Rating (Amps): 115 mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210BN33NM | Vishay Dale | Description: FIXED IND 33NH 585MA 180 MOHM | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210BN390K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 39UH 105MA 5.9 OHM SMD | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210BN39NJ | Vishay Dale | Description: FIXED IND 39NH 530MA 240 MOHM | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210BN39NM | Vishay Dale | Description: FIXED IND 39NH 530MA 240 MOHM | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210BN3R3J | Vishay Dale | Description: FIXED IND 3.3UH 270MA 1.1 OHM | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210BN3R3K | Vishay | Inductor RF Chip Molded/Shielded Wirewound 3.3uH 10% 7.96MHz 30Q-Factor Powdered Iron 0.27A 1.1Ohm DCR 1210 Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210BN3R3K | Vishay / Dale | RF Inductors - SMD ISC-1210 3.3 10% B13 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210BN3R3K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 3.3UH 270MA 1.1 OHM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210BN3R9J | Vishay / Dale | RF Inductors - SMD ISC-1210 3.9 5% B13 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210BN3R9J | Vishay Dale | Description: FIXED IND 3.9UH 250MA 1.2OHM SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210BN3R9K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 3.9UH 250MA 1.2 OHM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210BN3R9K | Vishay / Dale | RF Inductors - SMD ISC-1210 3.9 10% B13 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210BN470J | Vishay / Dale | Fixed Inductors 47uH 5% | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210BN470J | Vishay Dale | Description: FIXED IND 47UH 100MA 8 OHM SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210BN470J | Vishay | Inductor RF Chip Molded/Shielded Wirewound 47uH 5% 2.52MHz 30Q-Factor Powdered Iron 0.1A 8Ohm DCR 1210 Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210BN470K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 47UH 100MA 8 OHM SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210BN470K | Vishay | Inductor RF Chip Molded/Shielded Wirewound 47uH 10% 2.52MHz 30Q-Factor Powdered Iron 0.1A 8Ohm DCR 1210 Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210BN47NM | Vishay Dale | Description: FIXED IND 47NH 495MA 260 MOHM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210BN4R7J | Vishay Dale | Description: FIXED IND 4.7UH 220MA 1.25 OHM | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210BN4R7J | Vishay / Dale | RF Inductors - SMD ISC-1210 4.7 5% B13 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210BN4R7K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 4.7UH 220MA 1.25 OHM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210BN4R7K | Vishay / Dale | RF Inductors - SMD ISC-1210 4.7 10% B13 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210BN560J | Vishay Dale | Description: FIXED IND 56UH 95MA 10 OHM SMD | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210BN560K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 56UH 95MA 10 OHM SMD | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210BN56NK | Vishay Dale | Description: FIXED IND 56NH 485MA 280 MOHM | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210BN56NM | Vishay Dale | Description: FIXED IND 56NH 485MA 280 MOHM | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210BN5R6J | Vishay Dale | Description: FIXED IND 5.6UH 210MA 1.4 OHM | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210BN5R6K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 5.6UH 210MA 1.4 OHM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210BN680J | Vishay Dale | Description: FIXED IND 68UH 90MA 10 OHM SMD | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210BN680K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 68UH 90MA 10 OHM SMD | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210BN68NK | Vishay / Dale | Fixed Inductors .068uH 10% | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210BN68NK | Vishay Dale | Description: FIXED IND 68NH 475MA 350 MOHM | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210BN68NM | Vishay Dale | Description: FIXED IND 68NH 475MA 350 MOHM | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210BN6R8J | Vishay Dale | Description: FIXED IND 6.8UH 205MA 1.6 OHM | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210BN6R8K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 6.8UH 205MA 1.6 OHM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210BN820J | Vishay / Dale | RF Inductors - SMD ISC-1210 82 5% B13 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210BN820J | Vishay Dale | Description: FIXED IND 82UH 85MA 11 OHM SMD | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210BN820K | Vishay / Dale | RF Inductors - SMD ISC-1210 82 10% B13 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210BN820K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 82UH 85MA 11 OHM SMD | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210BN82NK | Vishay Dale | Description: FIXED IND 82NH 460MA 450MOHM SMD Packaging: Bulk Tolerance: ±10% Package / Case: 1210 (3225 Metric) Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Wirewound Operating Temperature: -55°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 450mOhm Max Q @ Freq: 38 @ 50MHz Frequency - Self Resonant: 900MHz Material - Core: Non-Magnetic Inductance Frequency - Test: 50 MHz Supplier Device Package: 1210 Height - Seated (Max): 0.095" (2.41mm) Inductance: 82 nH Current Rating (Amps): 460 mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210BN82NM | Vishay Dale | Description: FIXED IND 82NH 460MA 450MOHM SMD Packaging: Bulk Tolerance: ±20% Package / Case: 1210 (3225 Metric) Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Wirewound Operating Temperature: -55°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 450mOhm Max Q @ Freq: 38 @ 50MHz Frequency - Self Resonant: 900MHz Material - Core: Non-Magnetic Inductance Frequency - Test: 50 MHz Supplier Device Package: 1210 Height - Seated (Max): 0.095" (2.41mm) Inductance: 82 nH Current Rating (Amps): 460 mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210BN8R2J | Vishay Dale | Description: FIXED IND 8.2UH 195MA 1.65 OHM | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210BN8R2K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 8.2UH 195MA 1.65 OHM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210BN8R2K | Vishay / Dale | RF Inductors - SMD ISC-1210 8.2 10% B13 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210BNR10J | Vishay Dale | Description: FIXED IND 100NH 450MA 500 MOHM | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210BNR10K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 100NH 450MA 500 MOHM | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210BNR10M | Vishay Dale | Description: FIXED IND 100NH 450MA 500MOHM SM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210BNR12M | Vishay Dale | Description: FIXED IND 120NH 630MA 200 MOHM | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210BNR12M | Vishay / Dale | RF Inductors - SMD .12uH 20% | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210BNR15J | Vishay Dale | Description: FIXED IND 150NH 600MA 200 MOHM | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210BNR15K | Vishay / Dale | RF Inductors - SMD .15uH 10% | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210BNR15K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 150NH 600MA 200 MOHM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210BNR15M | Vishay Dale | Description: FIXED IND 150NH 600MA 200 MOHM | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210BNR18J | Vishay Dale | Description: FIXED IND 180NH 580MA 240 MOHM | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210BNR22M | Vishay Dale | Description: FIXED IND 220NH 565MA 300MOHM SM Packaging: Bulk Tolerance: ±20% Package / Case: 1210 (3225 Metric) Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Drum Core, Wirewound Operating Temperature: -55°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 300mOhm Max Q @ Freq: 40 @ 25.2MHz Frequency - Self Resonant: 330MHz Material - Core: Iron Powder Inductance Frequency - Test: 25.2 MHz Supplier Device Package: 1210 Height - Seated (Max): 0.095" (2.41mm) Inductance: 220 nH Current Rating (Amps): 565 mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210BNR27J | Vishay Dale | Description: FIXED IND 270NH 500MA 330 MOHM | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210BNR27M | Vishay Dale | Description: FIXED IND 270NH 500MA 330 MOHM | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210BNR33J | Vishay Dale | Description: FIXED IND 330NH 475MA 360 MOHM | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210BNR33K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 330NH 475MA 360 MOHM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210BNR33M | Vishay Dale | Description: FIXED IND 330NH 475MA 360 MOHM | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210BNR39K | Vishay / Dale | RF Inductors - SMD ISC-1210 .39 10% B13 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210BNR39K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 390NH 465MA 400MOHM SM Packaging: Bulk Tolerance: ±10% Package / Case: 1210 (3225 Metric) Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Drum Core, Wirewound Operating Temperature: -55°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 400mOhm Max Q @ Freq: 40 @ 25.2MHz Frequency - Self Resonant: 230MHz Material - Core: Iron Powder Inductance Frequency - Test: 25.2 MHz Supplier Device Package: 1210 Height - Seated (Max): 0.095" (2.41mm) Inductance: 390 nH Current Rating (Amps): 465 mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210BNR39M | Vishay / Dale | RF Inductors - SMD ISC-1210 .39 20% B13 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210BNR39M | Vishay Dale | Description: FIXED IND 390NH 465MA 400MOHM SM Packaging: Bulk Tolerance: ±20% Package / Case: 1210 (3225 Metric) Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Drum Core, Wirewound Operating Temperature: -55°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 400mOhm Max Q @ Freq: 40 @ 25.2MHz Frequency - Self Resonant: 230MHz Material - Core: Iron Powder Inductance Frequency - Test: 25.2 MHz Supplier Device Package: 1210 Height - Seated (Max): 0.095" (2.41mm) Inductance: 390 nH Current Rating (Amps): 465 mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210BNR47J | Vishay Dale | Description: FIXED IND 470NH 460MA 440 MOHM | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210BNR47K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 470NH 460MA 440 MOHM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210BNR47K | Vishay / Dale | RF Inductors - SMD ISC-1210.4710%B13 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210BNR47M | Vishay Dale | Description: FIXED IND 470NH 460MA 440 MOHM | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210BNR56K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 560NH 455MA 460 MOHM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210BNR56M | Vishay Dale | Description: FIXED IND 560NH 455MA 460 MOHM | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210BNR68K | Vishay / Dale | Fixed Inductors .68uH 10% | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210BNR68K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 680NH 450MA 480 MOHM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210BNR68M | Vishay Dale | Description: FIXED IND 680NH 450MA 480 MOHM | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210BNR82J | Vishay Dale | Description: FIXED IND 820NH 450MA 500 MOHM | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210BNR82K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 820NH 450MA 500 MOHM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210BNR82K | Vishay / Dale | Fixed Inductors .82uH 10% | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210BNR82M | Vishay Dale | Description: FIXED IND 820NH 450MA 500 MOHM | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210EB100J | Vishay | Inductor RF Chip Molded/Shielded Wirewound 10uH 5% 2.52MHz 30Q-Factor Powdered Iron 0.185A 2Ohm DCR 1210 Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210EB100J | Vishay / Dale | RF Inductors - SMD 10uH 5% | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210EB100J | Vishay Dale | Description: FIXED IND 10UH 185MA 2 OHM SMD | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210EB100K | Vishay / Dale | RF Inductors - SMD 10uH 10% | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC1210EB100K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 10UH 185MA 2 OHM SMD | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210EB100K | Vishay | Inductor RF Chip Molded/Shielded Wirewound 10uH 10% 2.52MHz 30Q-Factor Powdered Iron 0.185A 2Ohm DCR 1210 Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210EB101J | Vishay Dale | Description: FIXED IND 100UH 80MA 12 OHM SMD Packaging: Bulk Tolerance: ±5% Package / Case: 1210 (3225 Metric) Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Drum Core, Wirewound Operating Temperature: -55°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 12Ohm Max Q @ Freq: 30 @ 796kHz Frequency - Self Resonant: 6MHz Material - Core: Iron Powder Inductance Frequency - Test: 796 kHz Supplier Device Package: 1210 Height - Seated (Max): 0.095" (2.41mm) Part Status: Active Inductance: 100 µH Current Rating (Amps): 80 mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210EB101K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 100UH 80MA 12 OHM SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210EB10NK | Vishay Dale | Description: FIXED IND 10NH 810MA 100MOHM SMD Packaging: Bulk Tolerance: ±10% Package / Case: 1210 (3225 Metric) Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Wirewound Operating Temperature: -55°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 100mOhm Max Q @ Freq: 50 @ 50MHz Frequency - Self Resonant: 1GHz Material - Core: Non-Magnetic Inductance Frequency - Test: 50 MHz Supplier Device Package: 1210 Height - Seated (Max): 0.095" (2.41mm) Inductance: 10 nH Current Rating (Amps): 810 mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210EB10NK | Vishay / Dale | RF Inductors - SMD ISC-1210 .01 10% EB E3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210EB10NM | Vishay Dale | Description: FIXED IND 10NH 810MA 100 MOHM | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210EB120J | Vishay Dale | Description: FIXED IND 12UH 175MA 2.3 OHM SMD Packaging: Bulk Tolerance: ±5% Package / Case: 1210 (3225 Metric) Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Drum Core, Wirewound Operating Temperature: -55°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 2.3Ohm Max Q @ Freq: 30 @ 2.52MHz Frequency - Self Resonant: 24MHz Material - Core: Iron Powder Inductance Frequency - Test: 2.52 MHz Supplier Device Package: 1210 Height - Seated (Max): 0.095" (2.41mm) Inductance: 12 µH Current Rating (Amps): 175 mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210EB120K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 12UH 175MA 2.3 OHM SMD Packaging: Bulk Tolerance: ±10% Package / Case: 1210 (3225 Metric) Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Drum Core, Wirewound Operating Temperature: -55°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 2.3Ohm Max Q @ Freq: 30 @ 2.52MHz Frequency - Self Resonant: 24MHz Material - Core: Iron Powder Inductance Frequency - Test: 2.52 MHz Supplier Device Package: 1210 Height - Seated (Max): 0.095" (2.41mm) Inductance: 12 µH Current Rating (Amps): 175 mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210EB12NM | Vishay / Dale | RF Inductors - SMD ISC-1210 .012 20% EB E3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210EB12NM | Vishay Dale | Description: FIXED IND 12NH 750MA 110MOHM SMD Tolerance: ±20% Packaging: Bulk Package / Case: 1210 (3225 Metric) Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Wirewound Operating Temperature: -55°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 110mOhm Max Q @ Freq: 50 @ 50MHz Frequency - Self Resonant: 1GHz Material - Core: Non-Magnetic Inductance Frequency - Test: 50 MHz Supplier Device Package: 1210 Height - Seated (Max): 0.095" (2.41mm) Inductance: 12 nH Current Rating (Amps): 750 mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210EB150J | Vishay Dale | Description: FIXED IND 15UH 165MA 2.5 OHM SMD | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210EB150K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 15UH 165MA 2.5 OHM SMD | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210EB15NM | Vishay Dale | Description: FIXED IND 15NH 720MA 120 MOHM | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210EB180J | Vishay Dale | Description: FIXED IND 18UH 155MA 2.7 OHM SMD Tolerance: ±5% Packaging: Bulk Package / Case: 1210 (3225 Metric) Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Drum Core, Wirewound Operating Temperature: -55°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 2.7Ohm Max Q @ Freq: 30 @ 2.52MHz Frequency - Self Resonant: 17MHz Material - Core: Iron Powder Inductance Frequency - Test: 2.52 MHz Supplier Device Package: 1210 Height - Seated (Max): 0.095" (2.41mm) Inductance: 18 µH Current Rating (Amps): 155 mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210EB180K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 18UH 155MA 2.7 OHM SMD Packaging: Bulk Tolerance: ±10% Package / Case: 1210 (3225 Metric) Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Drum Core, Wirewound Operating Temperature: -55°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 2.7Ohm Max Q @ Freq: 30 @ 2.52MHz Frequency - Self Resonant: 17MHz Material - Core: Iron Powder Inductance Frequency - Test: 2.52 MHz Supplier Device Package: 1210 Height - Seated (Max): 0.095" (2.41mm) Inductance: 18 µH Current Rating (Amps): 155 mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210EB18NK | Vishay Dale | Description: FIXED IND 18NH 690MA 130 MOHM | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210EB1R0J | Vishay Dale | Description: FIXED IND 1UH 400MA 600 MOHM SMD | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210EB1R0J | Vishay / Dale | RF Inductors - SMD 1uH 5% | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210EB1R0K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 1UH 400MA 600 MOHM SMD | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210EB1R2J | Vishay Dale | Description: FIXED IND 1.2UH 390MA 650 MOHM | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210EB1R2K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 1.2UH 390MA 650 MOHM | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210EB1R5J | Vishay Dale | Description: FIXED IND 1.5UH 370MA 750 MOHM | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210EB1R5K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 1.5UH 370MA 750 MOHM | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210EB1R8J | Vishay Dale | Description: FIXED IND 1.8UH 350MA 850 MOHM | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210EB1R8K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 1.8UH 350MA 850 MOHM | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210EB220J | Vishay Dale | Description: FIXED IND 22UH 150MA 3.1 OHM SMD | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210EB220K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 22UH 150MA 3.1 OHM SMD Packaging: Bulk Tolerance: ±10% Package / Case: 1210 (3225 Metric) Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Drum Core, Wirewound Operating Temperature: -55°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 3.1Ohm Max Q @ Freq: 30 @ 2.52MHz Frequency - Self Resonant: 16MHz Material - Core: Iron Powder Inductance Frequency - Test: 2.52 MHz Supplier Device Package: 1210 Height - Seated (Max): 0.095" (2.41mm) Inductance: 22 µH Current Rating (Amps): 150 mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210EB220K | Vishay / Dale | RF Inductors - SMD ISC-1210 22 10% EB E3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210EB220K | на замовлення 72500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| ISC1210EB22NK | Vishay Dale | Description: FIXED IND 22NH 640MA 150 MOHM | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210EB22NM | Vishay Dale | Description: FIXED IND 22NH 640MA 150 MOHM | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210EB270K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 27UH 125MA 3.3 OHM SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210EB27NM | Vishay Dale | Description: FIXED IND 27NH 610MA 170 MOHM | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210EB2R2J | Vishay Dale | Description: FIXED IND 2.2UH 320MA 900 MOHM | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210EB2R2J | Vishay / Dale | RF Inductors - SMD ISC-1210 2.2 5% EB E3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210EB2R2K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 2.2UH 320MA 900 MOHM | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210EB2R7J | Vishay Dale | Description: FIXED IND 2.7UH 290MA 1 OHM SMD | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210EB2R7K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 2.7UH 290MA 1 OHM SMD | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210EB330J | Vishay Dale | Description: FIXED IND 33UH 115MA 5.1 OHM SMD | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210EB330K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 33UH 115MA 5.1 OHM SMD Packaging: Bulk Tolerance: ±10% Package / Case: 1210 (3225 Metric) Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Drum Core, Wirewound Operating Temperature: -55°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 5.1Ohm Max Q @ Freq: 30 @ 2.52MHz Frequency - Self Resonant: 14.5MHz Material - Core: Iron Powder Inductance Frequency - Test: 2.52 MHz Supplier Device Package: 1210 Height - Seated (Max): 0.095" (2.41mm) Inductance: 33 µH Current Rating (Amps): 115 mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210EB330K | Vishay / Dale | RF Inductors - SMD ISC-1210 33 10% EB E3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210EB33NM | Vishay Dale | Description: FIXED IND 33NH 585MA 180 MOHM | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210EB390K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 39UH 105MA 5.9 OHM SMD | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210EB39NJ | Vishay Dale | Description: FIXED IND 39NH 530MA 240 MOHM | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210EB3R3J | Vishay Dale | Description: FIXED IND 3.3UH 270MA 1.1 OHM | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210EB3R3K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 3.3UH 270MA 1.1 OHM | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210EB3R9J | Vishay / Dale | RF Inductors - SMD ISC-1210 3.9 5% EB E3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210EB3R9J | Vishay Dale | Description: FIXED IND 3.9UH 250MA 1.2OHM SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210EB3R9K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 3.9UH 250MA 1.2 OHM | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210EB3R9K | Vishay / Dale | RF Inductors - SMD ISC-1210 3.9 10% EB E3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210EB470J | Vishay Dale | Description: FIXED IND 47UH 100MA 8 OHM SMD | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210EB470K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 47UH 100MA 8 OHM SMD Packaging: Bulk Tolerance: ±10% Package / Case: 1210 (3225 Metric) Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Drum Core, Wirewound Operating Temperature: -55°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 8Ohm Max Q @ Freq: 30 @ 2.52MHz Frequency - Self Resonant: 13MHz Material - Core: Iron Powder Inductance Frequency - Test: 2.52 MHz Supplier Device Package: 1210 Height - Seated (Max): 0.095" (2.41mm) Inductance: 47 µH Current Rating (Amps): 100 mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210EB470K | Vishay / Dale | RF Inductors - SMD ISC-1210 47 10% EB E3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210EB47NM | Vishay Dale | Description: FIXED IND 47NH 495MA 260 MOHM | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210EB4R7J | Vishay / Dale | RF Inductors - SMD ISC-1210 4.7 5% EB E3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210EB4R7J | Vishay Dale | Description: FIXED IND 4.7UH 220MA 1.25 OHM | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210EB4R7K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 4.7UH 220MA 1.25 OHM | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210EB4R7K | Vishay | Inductor RF Chip Molded/Shielded Wirewound 4.7uH 10% 7.96MHz 30Q-Factor Powdered Iron 0.22A 1.25Ohm DCR 1210 Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210EB4R7K | Vishay / Dale | RF Inductors - SMD ISC-1210 4.7 10% EB E3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210EB560J | Vishay Dale | Description: FIXED IND 56UH 95MA 10 OHM SMD | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210EB560K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 56UH 95MA 10 OHM SMD | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210EB56NK | Vishay Dale | Description: FIXED IND 56NH 485MA 280 MOHM | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210EB56NM | Vishay Dale | Description: FIXED IND 56NH 485MA 280 MOHM | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210EB5R6J | Vishay Dale | Description: FIXED IND 5.6UH 210MA 1.4 OHM | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210EB5R6K | Vishay / Dale | RF Inductors - SMD ISC-1210 5.6 10% EB E3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210EB5R6K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 5.6UH 210MA 1.4 OHM | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210EB680J | Vishay Dale | Description: FIXED IND 68UH 90MA 10 OHM SMD | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210EB680K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 68UH 90MA 10 OHM SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210EB68NK | Vishay Dale | Description: FIXED IND 68NH 475MA 350 MOHM | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210EB68NK | Vishay / Dale | RF Inductors - SMD ISC-1210 .068 10% EB E3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210EB68NM | Vishay Dale | Description: FIXED IND 68NH 475MA 350 MOHM | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210EB6R8J | Vishay Dale | Description: FIXED IND 6.8UH 205MA 1.6 OHM | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210EB6R8K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 6.8UH 205MA 1.6 OHM | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210EB820J | Vishay / Dale | RF Inductors - SMD ISC-1210 82 5% EB E3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210EB820J | Vishay Dale | Description: FIXED IND 82UH 85MA 11 OHM SMD | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210EB820K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 82UH 85MA 11 OHM SMD | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210EB82NK | Vishay Dale | Description: FIXED IND 82NH 460MA 450MOHM SMD Packaging: Bulk Tolerance: ±10% Package / Case: 1210 (3225 Metric) Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Wirewound Operating Temperature: -55°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 450mOhm Max Q @ Freq: 38 @ 50MHz Frequency - Self Resonant: 900MHz Material - Core: Non-Magnetic Inductance Frequency - Test: 50 MHz Supplier Device Package: 1210 Height - Seated (Max): 0.095" (2.41mm) Inductance: 82 nH Current Rating (Amps): 460 mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210EB82NM | Vishay Dale | Description: FIXED IND 82NH 460MA 450MOHM SMD Packaging: Bulk Tolerance: ±20% Package / Case: 1210 (3225 Metric) Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Wirewound Operating Temperature: -55°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 450mOhm Max Q @ Freq: 38 @ 50MHz Frequency - Self Resonant: 900MHz Material - Core: Non-Magnetic Inductance Frequency - Test: 50 MHz Supplier Device Package: 1210 Height - Seated (Max): 0.095" (2.41mm) Inductance: 82 nH Current Rating (Amps): 460 mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210EB8R2J | Vishay / Dale | RF Inductors - SMD 8.2uH 5% | на замовлення 424 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC1210EB8R2J | Vishay | Inductor RF Chip Molded/Shielded Wirewound 8.2uH 5% 7.96MHz 30Q-Factor Powdered Iron 0.195A 1.65Ohm DCR 1210 Bulk | на замовлення 113 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC1210EB8R2J | Vishay Dale | Description: FIXED IND 8.2UH 195MA 1.65 OHM | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210EB8R2J | Vishay | Inductor RF Chip Molded/Shielded Wirewound 8.2uH 5% 7.96MHz 30Q-Factor Powdered Iron 0.195A 1.65Ohm DCR 1210 Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210EB8R2J | Vishay | Inductor RF Chip Molded/Shielded Wirewound 8.2uH 5% 7.96MHz 30Q-Factor Powdered Iron 0.195A 1.65Ohm DCR 1210 Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210EB8R2J | Vishay | Inductor RF Chip Molded/Shielded Wirewound 8.2uH 5% 7.96MHz 30Q-Factor Powdered Iron 0.195A 1.65Ohm DCR 1210 Bulk | на замовлення 113 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210EB8R2K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 8.2UH 195MA 1.65 OHM | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210EBR10J | Vishay Dale | Description: FIXED IND 100NH 450MA 500 MOHM | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210EBR10K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 100NH 450MA 500 MOHM | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210EBR10M | Vishay | Inductor RF Chip Molded/Shielded Wirewound 0.1uH 20% 50MHz 36Q-Factor Non Magnetic 0.45A 0.5Ohm DCR 1210 Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210EBR10M | Vishay Dale | Description: FIXED IND 100NH 450MA 500MOHM SM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210EBR12J | Vishay Dale | Description: FIXED IND 120NH 630MA 200 MOHM | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210EBR12M | Vishay Dale | Description: FIXED IND 120NH 630MA 200 MOHM | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210EBR15J | Vishay Dale | Description: FIXED IND 150NH 600MA 200 MOHM | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210EBR15K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 150NH 600MA 200 MOHM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210EBR15M | Vishay Dale | Description: FIXED IND 150NH 600MA 200 MOHM | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210EBR18J | Vishay Dale | Description: FIXED IND 180NH 580MA 240 MOHM | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210EBR18M | Vishay Dale | Description: FIXED IND 180NH 580MA 240 MOHM | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210EBR22J | Vishay Dale | Description: FIXED IND 220NH 565MA 300MOHM SM Packaging: Bulk Tolerance: ±5% Package / Case: 1210 (3225 Metric) Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Drum Core, Wirewound Operating Temperature: -55°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 300mOhm Max Q @ Freq: 40 @ 25.2MHz Frequency - Self Resonant: 330MHz Material - Core: Iron Powder Inductance Frequency - Test: 25.2 MHz Supplier Device Package: 1210 Height - Seated (Max): 0.095" (2.41mm) Inductance: 220 nH Current Rating (Amps): 565 mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210EBR22M | Vishay Dale | Description: FIXED IND 220NH 565MA 300MOHM SM Packaging: Bulk Tolerance: ±20% Package / Case: 1210 (3225 Metric) Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Drum Core, Wirewound Operating Temperature: -55°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 300mOhm Max Q @ Freq: 40 @ 25.2MHz Frequency - Self Resonant: 330MHz Material - Core: Iron Powder Inductance Frequency - Test: 25.2 MHz Supplier Device Package: 1210 Height - Seated (Max): 0.095" (2.41mm) Inductance: 220 nH Current Rating (Amps): 565 mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210EBR27J | Vishay Dale | Description: FIXED IND 270NH 500MA 330 MOHM | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210EBR27M | Vishay Dale | Description: FIXED IND 270NH 500MA 330 MOHM | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210EBR33J | Vishay Dale | Description: FIXED IND 330NH 475MA 360 MOHM | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210EBR33K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 330NH 475MA 360 MOHM | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210EBR33M | Vishay Dale | Description: FIXED IND 330NH 475MA 360 MOHM | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210EBR39K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 390NH 465MA 400 MOHM | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210EBR39M | Vishay Dale | Description: FIXED IND 390NH 465MA 400 MOHM | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210EBR47J | Vishay Dale | Description: FIXED IND 470NH 460MA 440 MOHM | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210EBR47K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 470NH 460MA 440 MOHM | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210EBR47K | Vishay / Dale | RF Inductors - SMD ISC-1210 .47 10% EB E3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210EBR47M | Vishay Dale | Description: FIXED IND 470NH 460MA 440 MOHM | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210EBR56J | Vishay / Dale | Fixed Inductors .56uH 5% | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210EBR56J | Vishay Dale | Description: FIXED IND 560NH 455MA 460 MOHM | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210EBR56K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 560NH 455MA 460 MOHM | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210EBR56M | Vishay Dale | Description: FIXED IND 560NH 455MA 460 MOHM | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210EBR68J | Vishay Dale | Description: FIXED IND 680NH 450MA 480 MOHM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210EBR68J | Vishay / Dale | RF Inductors - SMD .68uH 5% | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210EBR68K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 680NH 450MA 480 MOHM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210EBR68M | Vishay Dale | Description: FIXED IND 680NH 450MA 480 MOHM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210EBR68M | Vishay / Dale | RF Inductors - SMD ISC-1210 .68 20% EB E3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210EBR82J | Vishay Dale | Description: FIXED IND 820NH 450MA 500 MOHM | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210EBR82J | Vishay / Dale | Fixed Inductors .82uH 5% | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210EBR82K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 820NH 450MA 500 MOHM | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210EBR82M | Vishay Dale | Description: FIXED IND 820NH 450MA 500 MOHM | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210ER100G | Vishay | Wirewound, Surface Mount, Molded, Shielded Inductors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210ER100G | Vishay / Dale | RF Inductors - SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210ER100J | Vishay / Dale | RF Inductors - SMD 10uh 5% | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210ER100J | Vishay | Inductor RF Chip Shielded/Molded Wirewound 10uH 5% 2.52MHz 30Q-Factor Powdered Iron 0.185A 2Ohm DCR 1210 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210ER100J | Vishay Dale | Description: FIXED IND 10UH 185MA 2 OHM SMD Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±5% Package / Case: 1210 (3225 Metric) Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Drum Core, Wirewound Operating Temperature: -55°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 2Ohm Max Q @ Freq: 30 @ 2.52MHz Frequency - Self Resonant: 30MHz Material - Core: Iron Powder Inductance Frequency - Test: 2.52 MHz Supplier Device Package: 1210 Height - Seated (Max): 0.095" (2.41mm) Inductance: 10 µH Current Rating (Amps): 185 mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210ER100K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 10UH 185MA 2 OHM SMD Tolerance: ±10% Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 1210 (3225 Metric) Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Drum Core, Wirewound Operating Temperature: -55°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 2Ohm Max Q @ Freq: 30 @ 2.52MHz Frequency - Self Resonant: 30MHz Material - Core: Iron Powder Inductance Frequency - Test: 2.52 MHz Supplier Device Package: 1210 Height - Seated (Max): 0.095" (2.41mm) Part Status: Active Inductance: 10 µH Current Rating (Amps): 185 mA | на замовлення 1578 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC1210ER100K | Vishay | Inductor RF Chip Molded/Shielded Wirewound 10uH 10% 2.52MHz 30Q-Factor Powdered Iron 0.185A 2Ohm DCR 1210 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210ER100K | Vishay | Inductor RF Chip Shielded/Molded Wirewound 10uH 10% 2.52MHz 30Q-Factor Powdered Iron 0.185A 2Ohm DCR 1210 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210ER100K | VISHAY | SMD | на замовлення 86200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210ER100K | VISHAY | Description: VISHAY - ISC1210ER100K - INDUCTOR, SHIELDED, 10UH, SMD tariffCode: 85045000 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR Bauform - Leistungsinduktivität: 1210 [3225 Metric] hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES directShipCharge: 25 usEccn: EAR99 | на замовлення 1950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC1210ER100K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 10UH 185MA 2 OHM SMD Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±10% Package / Case: 1210 (3225 Metric) Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Drum Core, Wirewound Operating Temperature: -55°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 2Ohm Max Q @ Freq: 30 @ 2.52MHz Frequency - Self Resonant: 30MHz Material - Core: Iron Powder Inductance Frequency - Test: 2.52 MHz Supplier Device Package: 1210 Height - Seated (Max): 0.095" (2.41mm) Part Status: Active Inductance: 10 µH Current Rating (Amps): 185 mA | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210ER100K | Vishay | Inductor RF Chip Molded/Shielded Wirewound 10uH 10% 2.52MHz 30Q-Factor Powdered Iron 0.185A 2Ohm DCR 1210 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210ER100K | Vishay / Dale | RF Inductors - SMD 10uH 10% | на замовлення 7820 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC1210ER100K | Vishay | Inductor RF Chip Molded/Shielded Wirewound 10uH 10% 2.52MHz 30Q-Factor Powdered Iron 0.185A 2Ohm DCR 1210 T/R | на замовлення 612 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC1210ER101J | Vishay / Dale | RF Inductors - SMD 100uh 5% | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210ER101J | Vishay Dale | Description: FIXED IND 100UH 80MA 12 OHM SMD Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±5% Package / Case: 1210 (3225 Metric) Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Drum Core, Wirewound Operating Temperature: -55°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 12Ohm Max Q @ Freq: 30 @ 796kHz Frequency - Self Resonant: 6MHz Material - Core: Iron Powder Inductance Frequency - Test: 796 kHz Supplier Device Package: 1210 Height - Seated (Max): 0.095" (2.41mm) Part Status: Active Inductance: 100 µH Current Rating (Amps): 80 mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210ER101J | Vishay | Inductor RF Chip Shielded/Molded Wirewound 100uH 5% 796KHz 30Q-Factor Powdered Iron 0.08A 12Ohm DCR 1210 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210ER101K | Vishay / Dale | RF Inductors - SMD 100uH 10% | на замовлення 3416 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC1210ER101K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 100UH 80MA 12 OHM SMD Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±10% Package / Case: 1210 (3225 Metric) Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Drum Core, Wirewound Operating Temperature: -55°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 12Ohm Max Q @ Freq: 30 @ 796kHz Frequency - Self Resonant: 6MHz Material - Core: Iron Powder Inductance Frequency - Test: 796 kHz Supplier Device Package: 1210 Height - Seated (Max): 0.095" (2.41mm) Part Status: Active Inductance: 100 µH Current Rating (Amps): 80 mA | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC1210ER101K | Vishay | Inductor RF Chip Molded/Shielded Wirewound 100uH 10% 796KHz 30Q-Factor Powdered Iron 0.08A 12Ohm DCR 1210 T/R | на замовлення 851 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC1210ER101K | Vishay | Inductor RF Chip Shielded/Molded Wirewound 100uH 10% 796KHz 30Q-Factor Powdered Iron 0.08A 12Ohm DCR 1210 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210ER101K | Vishay | Inductor RF Chip Molded/Shielded Wirewound 100uH 10% 796KHz 30Q-Factor Powdered Iron 0.08A 12Ohm DCR 1210 T/R | на замовлення 851 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC1210ER101K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 100UH 80MA 12 OHM SMD Tolerance: ±10% Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 1210 (3225 Metric) Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Drum Core, Wirewound Operating Temperature: -55°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 12Ohm Max Q @ Freq: 30 @ 796kHz Frequency - Self Resonant: 6MHz Material - Core: Iron Powder Inductance Frequency - Test: 796 kHz Supplier Device Package: 1210 Height - Seated (Max): 0.095" (2.41mm) Part Status: Active Inductance: 100 µH Current Rating (Amps): 80 mA | на замовлення 3974 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC1210ER101K | Vishay | Inductor RF Chip Molded/Shielded Wirewound 100uH 10% 796KHz 30Q-Factor Powdered Iron 0.08A 12Ohm DCR 1210 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210ER10NM | Vishay Dale | Description: FIXED IND 10NH 810MA 100 MOHM | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210ER10NM | Vishay / Dale | Fixed Inductors 1uh 20% | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210ER120J | Vishay | Inductor RF Chip Shielded/Molded Wirewound 12uH 5% 2.52MHz 30Q-Factor Powdered Iron 0.175A 2.3Ohm DCR 1210 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210ER120J | Vishay / Dale | RF Inductors - SMD 12uh 5% | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210ER120J | Vishay | Inductor RF Chip Molded/Shielded Wirewound 12uH 5% 2.52MHz 30Q-Factor Powdered Iron 0.175A 2.3Ohm DCR 1210 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210ER120J | Vishay Dale | Description: FIXED IND 12UH 175MA 2.3 OHM SMD Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±5% Package / Case: 1210 (3225 Metric) Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Drum Core, Wirewound Operating Temperature: -55°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 2.3Ohm Max Q @ Freq: 30 @ 2.52MHz Frequency - Self Resonant: 24MHz Material - Core: Iron Powder Inductance Frequency - Test: 2.52 MHz Supplier Device Package: 1210 Height - Seated (Max): 0.095" (2.41mm) Inductance: 12 µH Current Rating (Amps): 175 mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210ER120K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 12UH 175MA 2.3 OHM SMD Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±10% Package / Case: 1210 (3225 Metric) Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Drum Core, Wirewound Operating Temperature: -55°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 2.3Ohm Max Q @ Freq: 30 @ 2.52MHz Frequency - Self Resonant: 24MHz Material - Core: Iron Powder Inductance Frequency - Test: 2.52 MHz Supplier Device Package: 1210 Height - Seated (Max): 0.095" (2.41mm) Inductance: 12 µH Current Rating (Amps): 175 mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210ER120K | Vishay | Inductor RF Chip Shielded/Molded Wirewound 12uH 10% 2.52MHz 30Q-Factor Powdered Iron 0.175A 2.3Ohm DCR 1210 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210ER120K | Vishay / Dale | RF Inductors - SMD 12uh 10% | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210ER150J | Vishay Dale | Description: FIXED IND 15UH 165MA 2.5 OHM SMD | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210ER150K | Vishay | Inductor RF Chip Molded/Shielded Wirewound 15uH 10% 2.52MHz 30Q-Factor Powdered Iron 0.165A 2.5Ohm DCR 1210 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210ER150K | Vishay / Dale | RF Inductors - SMD 15uH 10% | на замовлення 930 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC1210ER150K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 15UH 165MA 2.5 OHM SMD | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210ER15NK | Vishay Dale | Description: FIXED IND 15NH 720MA 120 MOHM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210ER15NK | Vishay / Dale | RF Inductors - SMD 15uh 10% | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210ER180J | Vishay / Dale | RF Inductors - SMD 18uh 5% | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210ER180J | Vishay Dale | Description: FIXED IND 18UH 155MA 2.7 OHM SMD Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±5% Package / Case: 1210 (3225 Metric) Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Drum Core, Wirewound Operating Temperature: -55°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 2.7Ohm Max Q @ Freq: 30 @ 2.52MHz Frequency - Self Resonant: 17MHz Material - Core: Iron Powder Inductance Frequency - Test: 2.52 MHz Supplier Device Package: 1210 Height - Seated (Max): 0.095" (2.41mm) Inductance: 18 µH Current Rating (Amps): 155 mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210ER180K | Vishay / Dale | RF Inductors - SMD 18uh 10% | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210ER180K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 18UH 155MA 2.7 OHM SMD Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±10% Package / Case: 1210 (3225 Metric) Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Drum Core, Wirewound Operating Temperature: -55°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 2.7Ohm Max Q @ Freq: 30 @ 2.52MHz Frequency - Self Resonant: 17MHz Material - Core: Iron Powder Inductance Frequency - Test: 2.52 MHz Supplier Device Package: 1210 Height - Seated (Max): 0.095" (2.41mm) Inductance: 18 µH Current Rating (Amps): 155 mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210ER181K | Vishay | Inductor RF Chip Shielded/Molded Wirewound 180uH 10% 1210 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210ER181K | Vishay | Inductor RF Chip Shielded/Molded Wirewound 180uH 10% 1210 | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC1210ER181K | Vishay | Inductor RF Chip Shielded/Molded Wirewound 180uH 10% 1210 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210ER181K | Vishay | Inductor RF Chip Shielded/Molded Wirewound 180uH 10% 1210 | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC1210ER181K | Vishay | Inductor RF Chip Shielded/Molded Wirewound 180uH 10% 1210 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210ER1R0J | Vishay Dale | Description: FIXED IND 1UH 400MA 600 MOHM SMD | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210ER1R0J | Vishay / Dale | RF Inductors - SMD 1uh 5% | на замовлення 1327 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC1210ER1R0K | Vishay | Inductor RF Chip Molded/Shielded Wirewound 1uH 10% 7.96MHz 30Q-Factor Powdered Iron 0.4A 0.6Ohm DCR 1210 T/R | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210ER1R0K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 1UH 400MA 600 MOHM SMD Tolerance: ±10% Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 1210 (3225 Metric) Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Drum Core, Wirewound Operating Temperature: -55°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 600mOhm Max Q @ Freq: 30 @ 7.96MHz Frequency - Self Resonant: 120MHz Material - Core: Iron Powder Inductance Frequency - Test: 7.96 MHz Supplier Device Package: 1210 Height - Seated (Max): 0.095" (2.41mm) Part Status: Active Inductance: 1 µH Current Rating (Amps): 400 mA | на замовлення 5526 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC1210ER1R0K | Vishay / Dale | RF Inductors - SMD 1.0uH 10% | на замовлення 1901 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC1210ER1R0K | Vishay | Inductor RF Chip Molded/Shielded Wirewound 1uH 10% 7.96MHz 30Q-Factor Powdered Iron 0.4A 0.6Ohm DCR 1210 T/R | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC1210ER1R0K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 1UH 400MA 600 MOHM SMD Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±10% Package / Case: 1210 (3225 Metric) Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Drum Core, Wirewound Operating Temperature: -55°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 600mOhm Max Q @ Freq: 30 @ 7.96MHz Frequency - Self Resonant: 120MHz Material - Core: Iron Powder Inductance Frequency - Test: 7.96 MHz Supplier Device Package: 1210 Height - Seated (Max): 0.095" (2.41mm) Part Status: Active Inductance: 1 µH Current Rating (Amps): 400 mA | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC1210ER1R0K | Vishay | Inductor RF Chip Molded/Shielded Wirewound 1uH 10% 7.96MHz 30Q-Factor Powdered Iron 0.4A 0.6Ohm DCR 1210 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210ER1R0K | VISHAY | Description: VISHAY - ISC1210ER1R0K - Leistungsinduktivität (SMD), 1 µH, 400 mA, Geschirmt, 1210 [Metrisch 3225] Produkthöhe: 2.21 Induktivität: 1 Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: ± 10% Bauform/Gehäuse der Induktivität: 1210 [Metrisch 3225] DC-Widerstand, max.: 0.6 Bauform - Leistungsinduktivität: 1210 [Metrisch 3225] Sättigungsstrom (Isat): - RMS-Strom Irms: 400 Produktlänge: 3.2 Produktpalette: - Produktbreite: 2.49 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210ER1R2J | Vishay Dale | Description: FIXED IND 1.2UH 390MA 650 MOHM | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210ER1R2K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 1.2UH 390MA 650 MOHM | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210ER1R2K | Vishay / Dale | Fixed Inductors 1.2uH 10% | на замовлення 1998 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210ER1R4J | Vishay / Dale | RF Inductors - SMD 1.4 UH 5% | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210ER1R5J | Vishay Dale | Description: FIXED IND 1.5UH 370MA 750 MOHM | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210ER1R5J | Vishay / Dale | RF Inductors - SMD 1.5uH 5% | на замовлення 1915 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC1210ER1R5J | Vishay | Inductor RF Chip Molded/Shielded Wirewound 1.5uH 5% 7.96MHz 30Q-Factor Powdered Iron 0.37A 0.75Ohm DCR 1210 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210ER1R5K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 1.5UH 370MA 750 MOHM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210ER1R5K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 1.5UH 370MA 750 MOHM | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210ER1R5K | Vishay / Dale | RF Inductors - SMD 1.5uh 10% | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210ER1R5K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 1.5UH 370MA 750 MOHM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210ER1R5K | Vishay | Inductor RF Chip Molded/Shielded Wirewound 1.5uH 10% 7.96MHz 30Q-Factor Powdered Iron 0.37A 0.75Ohm DCR 1210 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210ER1R8J | Vishay / Dale | Fixed Inductors 1.8uH 5% | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210ER1R8J | Vishay Dale | Description: FIXED IND 1.8UH 350MA 850 MOHM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210ER1R8J | Vishay | Inductor RF Chip Molded/Shielded Wirewound 1.8uH 5% 7.96MHz 30Q-Factor Powdered Iron 0.35A 0.85Ohm DCR 1210 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210ER1R8K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 1.8UH 350MA 850MOHM SM Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±10% Package / Case: 1210 (3225 Metric) Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Drum Core, Wirewound Operating Temperature: -55°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 850mOhm Max Q @ Freq: 30 @ 7.96MHz Frequency - Self Resonant: 85MHz Material - Core: Iron Powder Inductance Frequency - Test: 7.96 MHz Supplier Device Package: 1210 Height - Seated (Max): 0.095" (2.41mm) Inductance: 1.8 µH Current Rating (Amps): 350 mA | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC1210ER1R8K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 1.8UH 350MA 850MOHM SM Packaging: Cut Tape (CT) Tolerance: ±10% Package / Case: 1210 (3225 Metric) Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Drum Core, Wirewound Operating Temperature: -55°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 850mOhm Max Q @ Freq: 30 @ 7.96MHz Frequency - Self Resonant: 85MHz Material - Core: Iron Powder Inductance Frequency - Test: 7.96 MHz Supplier Device Package: 1210 Height - Seated (Max): 0.095" (2.41mm) Inductance: 1.8 µH Current Rating (Amps): 350 mA | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC1210ER1R8K | Vishay / Dale | RF Inductors - SMD 1.8uh 10% | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC1210ER220J | Vishay | Inductor RF Chip Molded/Shielded Wirewound 22uH 5% 2.52MHz 30Q-Factor Powdered Iron 0.15A 3.1Ohm DCR 1210 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210ER220J | Vishay Dale | Description: FIXED IND 22UH 150MA 3.1 OHM SMD | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210ER220J | Vishay / Dale | RF Inductors - SMD 22uH 5% | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210ER220K | Vishay / Dale | RF Inductors - SMD 22uH 10% | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210ER220K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 22UH 150MA 3.1 OHM SMD Packaging: Cut Tape (CT) Tolerance: ±10% Package / Case: 1210 (3225 Metric) Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Drum Core, Wirewound Operating Temperature: -55°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 3.1Ohm Max Q @ Freq: 30 @ 2.52MHz Frequency - Self Resonant: 16MHz Material - Core: Iron Powder Inductance Frequency - Test: 2.52 MHz Supplier Device Package: 1210 Height - Seated (Max): 0.095" (2.41mm) Inductance: 22 µH Current Rating (Amps): 150 mA | на замовлення 10945 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC1210ER220K | Vishay | Inductor RF Chip Molded/Shielded Wirewound 22uH 10% 2.52MHz 30Q-Factor Powdered Iron 0.15A 3.1Ohm DCR 1210 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210ER220K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 22UH 150MA 3.1 OHM SMD Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±10% Package / Case: 1210 (3225 Metric) Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Drum Core, Wirewound Operating Temperature: -55°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 3.1Ohm Max Q @ Freq: 30 @ 2.52MHz Frequency - Self Resonant: 16MHz Material - Core: Iron Powder Inductance Frequency - Test: 2.52 MHz Supplier Device Package: 1210 Height - Seated (Max): 0.095" (2.41mm) Inductance: 22 µH Current Rating (Amps): 150 mA | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC1210ER22NM | Vishay Dale | Description: FIXED IND 22NH 640MA 150 MOHM | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210ER22NM | Vishay | Inductor RF Chip Molded/Shielded Wirewound 0.022uH 20% 50MHz 45Q-Factor Non Magnetic 0.64A 0.15Ohm DCR 1210 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210ER22NM | Vishay / Dale | RF Inductors - SMD 22uh 20% | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210ER270J | Vishay / Dale | RF Inductors - SMD 27uH 5% | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210ER270J | Vishay Dale | Description: FIXED IND 27UH 125MA 3.3 OHM SMD | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210ER270K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 27UH 125MA 3.3 OHM SMD | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210ER270K | Vishay | Inductor RF Chip Molded/Shielded Wirewound 27uH 10% 2.52MHz 30Q-Factor Powdered Iron 0.125A 3.3Ohm DCR 1210 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210ER27NM | Vishay Dale | Description: FIXED IND 27NH 610MA 170 MOHM | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210ER2R2J | Vishay Dale | Description: FIXED IND 2.2UH 320MA 900 MOHM | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210ER2R2K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 2.2UH 320MA 900MOHM SM Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±10% Package / Case: 1210 (3225 Metric) Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Drum Core, Wirewound Operating Temperature: -55°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 900mOhm Max Q @ Freq: 30 @ 7.96MHz Frequency - Self Resonant: 65MHz Material - Core: Iron Powder Inductance Frequency - Test: 7.96 MHz Supplier Device Package: 1210 Height - Seated (Max): 0.095" (2.41mm) Part Status: Active Inductance: 2.2 µH Current Rating (Amps): 320 mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210ER2R2K | Vishay | Inductor RF Chip Molded/Shielded Wirewound 2.2uH 10% 7.96MHz 30Q-Factor Powdered Iron 0.32A 0.9Ohm DCR 1210 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210ER2R2K | Vishay | Inductor RF Chip Molded/Shielded Wirewound 2.2uH 10% 7.96MHz 30Q-Factor Powdered Iron 0.32A 0.9Ohm DCR 1210 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210ER2R2K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 2.2UH 320MA 900MOHM SM Tolerance: ±10% Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 1210 (3225 Metric) Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Drum Core, Wirewound Operating Temperature: -55°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 900mOhm Max Q @ Freq: 30 @ 7.96MHz Frequency - Self Resonant: 65MHz Material - Core: Iron Powder Inductance Frequency - Test: 7.96 MHz Supplier Device Package: 1210 Height - Seated (Max): 0.095" (2.41mm) Part Status: Active Inductance: 2.2 µH Current Rating (Amps): 320 mA | на замовлення 873 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC1210ER2R2K | Vishay / Dale | RF Inductors - SMD 2.2uH 10% | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210ER2R7J | Vishay Dale | Description: FIXED IND 2.7UH 290MA 1 OHM SMD | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210ER2R7J | Vishay | Inductor RF Chip Molded/Shielded Wirewound 2.7uH 5% 7.96MHz 30Q-Factor Powdered Iron 0.29A 1Ohm DCR 1210 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210ER2R7K | Vishay | Inductor RF Chip Molded/Shielded Wirewound 2.7uH 10% 7.96MHz 30Q-Factor Powdered Iron 0.29A 1Ohm DCR 1210 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210ER2R7K | Vishay / Dale | RF Inductors - SMD 2.7uH 10% | на замовлення 104 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC1210ER2R7K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 2.7UH 290MA 1 OHM SMD | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210ER330J | Vishay / Dale | RF Inductors - SMD 33uh 5% | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210ER330J | Vishay | Inductor RF Chip Shielded/Molded Wirewound 33uH 5% 2.52MHz 30Q-Factor Powdered Iron 0.115A 5.1Ohm DCR 1210 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210ER330J | Vishay Dale | Description: FIXED IND 33UH 115MA 5.1 OHM SMD Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±5% Package / Case: 1210 (3225 Metric) Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Drum Core, Wirewound Operating Temperature: -55°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 5.1Ohm Max Q @ Freq: 30 @ 2.52MHz Frequency - Self Resonant: 14.5MHz Material - Core: Iron Powder Inductance Frequency - Test: 2.52 MHz Supplier Device Package: 1210 Height - Seated (Max): 0.095" (2.41mm) Inductance: 33 µH Current Rating (Amps): 115 mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210ER330K | Vishay / Dale | RF Inductors - SMD 33uH 10% | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210ER330K | Vishay | Inductor RF Chip Shielded/Molded Wirewound 33uH 10% 2.52MHz 30Q-Factor Powdered Iron 0.115A 5.1Ohm DCR 1210 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210ER330K | Vishay | Inductor RF Chip Molded/Shielded Wirewound 33uH 10% 2.52MHz 30Q-Factor Powdered Iron 0.115A 5.1Ohm DCR 1210 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210ER330K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 33UH 115MA 5.1 OHM SMD Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±10% Package / Case: 1210 (3225 Metric) Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Drum Core, Wirewound Operating Temperature: -55°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 5.1Ohm Max Q @ Freq: 30 @ 2.52MHz Frequency - Self Resonant: 14.5MHz Material - Core: Iron Powder Inductance Frequency - Test: 2.52 MHz Supplier Device Package: 1210 Height - Seated (Max): 0.095" (2.41mm) Inductance: 33 µH Current Rating (Amps): 115 mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210ER33NM | Vishay | Inductor RF Chip Molded/Shielded Wirewound 0.033uH 20% 50MHz 45Q-Factor Non Magnetic 0.585A 0.18Ohm DCR 1210 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210ER33NM | Vishay / Dale | RF Inductors - SMD 33 NH 20% | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210ER33NM | Vishay | Inductor RF Chip Molded/Shielded Wirewound 0.033uH 20% 50MHz 45Q-Factor Non Magnetic 0.585A 0.18Ohm DCR 1210 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210ER33NM | Vishay | Inductor RF Chip Molded/Shielded Wirewound 0.033uH 20% 50MHz 45Q-Factor Non Magnetic 0.585A 0.18Ohm DCR 1210 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210ER33NM | Vishay Dale | Description: FIXED IND 33NH 585MA 180 MOHM | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210ER33NM | Vishay | Inductor RF Chip Molded/Shielded Wirewound 0.033uH 20% 50MHz 45Q-Factor Non Magnetic 0.585A 0.18Ohm DCR 1210 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210ER390J | Vishay Dale | Description: FIXED IND 39UH 105MA 5.9 OHM SMD | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210ER390J | Vishay | Inductor RF Chip Shielded/Molded Wirewound 39uH 5% 2.52MHz 30Q-Factor Powdered Iron 0.105A 5.9Ohm DCR 1210 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210ER390K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 39UH 105MA 5.9 OHM SMD | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210ER390K | Vishay / Dale | RF Inductors - SMD 39uH 10% | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210ER390K | Vishay | Inductor RF Chip Molded/Shielded Wirewound 39uH 10% 2.52MHz 30Q-Factor Powdered Iron 0.105A 5.9Ohm DCR 1210 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210ER390K | Vishay | Inductor RF Chip Shielded/Molded Wirewound 39uH 10% 2.52MHz 30Q-Factor Powdered Iron 0.105A 5.9Ohm DCR 1210 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210ER39NK | Vishay Dale | Description: FIXED IND 39NH 530MA 240 MOHM | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210ER39NM | Vishay / Dale | RF Inductors - SMD 39uh 20% | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210ER39NM | Vishay | Inductor RF Chip Shielded/Molded Wirewound 0.039uH 20% 50MHz 40Q-Factor Non Magnetic 0.53A 0.24Ohm DCR 1210 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210ER39NM | Vishay Dale | Description: FIXED IND 39NH 530MA 240 MOHM | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210ER3R3J | Vishay | Inductor RF Chip Molded/Shielded Wirewound 3.3uH 5% 7.96MHz 30Q-Factor Powdered Iron 0.27A 1.1Ohm DCR 1210 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210ER3R3J | Vishay Dale | Description: FIXED IND 3.3UH 270MA 1.1 OHM | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210ER3R3K | Vishay / Dale | RF Inductors - SMD 3.3uH 10% | на замовлення 275 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC1210ER3R3K | Vishay | Inductor RF Chip Molded/Shielded Wirewound 3.3uH 10% 7.96MHz 30Q-Factor Powdered Iron 0.27A 1.1Ohm DCR 1210 T/R | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210ER3R3K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 3.3UH 270MA 1.1OHM SMD Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±10% Package / Case: 1210 (3225 Metric) Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Drum Core, Wirewound Operating Temperature: -55°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 1.1Ohm Max Q @ Freq: 30 @ 7.96MHz Frequency - Self Resonant: 60MHz Material - Core: Iron Powder Inductance Frequency - Test: 7.96 MHz Supplier Device Package: 1210 Height - Seated (Max): 0.095" (2.41mm) Part Status: Active Inductance: 3.3 µH Current Rating (Amps): 270 mA | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC1210ER3R3K | Vishay | Inductor RF Chip Molded/Shielded Wirewound 3.3uH 10% 7.96MHz 30Q-Factor Powdered Iron 0.27A 1.1Ohm DCR 1210 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210ER3R3K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 3.3UH 270MA 1.1OHM SMD Tolerance: ±10% Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 1210 (3225 Metric) Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Drum Core, Wirewound Operating Temperature: -55°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 1.1Ohm Max Q @ Freq: 30 @ 7.96MHz Frequency - Self Resonant: 60MHz Material - Core: Iron Powder Inductance Frequency - Test: 7.96 MHz Supplier Device Package: 1210 Height - Seated (Max): 0.095" (2.41mm) Part Status: Active Inductance: 3.3 µH Current Rating (Amps): 270 mA | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC1210ER3R9J | Vishay | Inductor RF Chip Molded/Shielded Wirewound 3.9uH 5% 7.96MHz 30Q-Factor Powdered Iron 0.25A 1.2Ohm DCR 1210 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210ER3R9J | Vishay Dale | Description: FIXED IND 3.9UH 250MA 1.2 OHM | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210ER3R9J | Vishay / Dale | RF Inductors - SMD 3.9uh 5% | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210ER3R9K | Vishay / Dale | RF Inductors - SMD 3.9uh 10% | на замовлення 1950 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC1210ER3R9K | Vishay | Inductor RF Chip Molded/Shielded Wirewound 3.9uH 10% 7.96MHz 30Q-Factor Powdered Iron 0.25A 1.2Ohm DCR 1210 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210ER3R9K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 3.9UH 250MA 1.2 OHM | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210ER470J | Vishay | Inductor RF Chip Molded/Shielded Wirewound 47uH 5% 2.52MHz 30Q-Factor Powdered Iron 0.1A 8Ohm DCR 1210 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210ER470J | Vishay Dale | Description: FIXED IND 47UH 100MA 8 OHM SMD | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210ER470J | Vishay / Dale | Fixed Inductors 47uH 5% | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210ER470K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 47UH 100MA 8 OHM SMD Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±10% Package / Case: 1210 (3225 Metric) Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Drum Core, Wirewound Operating Temperature: -55°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 8Ohm Max Q @ Freq: 30 @ 2.52MHz Frequency - Self Resonant: 13MHz Material - Core: Iron Powder Inductance Frequency - Test: 2.52 MHz Supplier Device Package: 1210 Height - Seated (Max): 0.095" (2.41mm) Part Status: Active Inductance: 47 µH Current Rating (Amps): 100 mA | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC1210ER470K | Vishay | Inductor RF Chip Shielded/Molded Wirewound 47uH 10% 2.52MHz 30Q-Factor Powdered Iron 0.1A 8Ohm DCR 1210 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210ER470K | Vishay / Dale | RF Inductors - SMD 47uH 10% | на замовлення 1935 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC1210ER470K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 47UH 100MA 8 OHM SMD Tolerance: ±10% Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 1210 (3225 Metric) Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Drum Core, Wirewound Operating Temperature: -55°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 8Ohm Max Q @ Freq: 30 @ 2.52MHz Frequency - Self Resonant: 13MHz Material - Core: Iron Powder Inductance Frequency - Test: 2.52 MHz Supplier Device Package: 1210 Height - Seated (Max): 0.095" (2.41mm) Part Status: Active Inductance: 47 µH Current Rating (Amps): 100 mA | на замовлення 3023 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC1210ER47K | VISHAY | SMD | на замовлення 86200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210ER47NM | Vishay Dale | Description: FIXED IND 47NH 495MA 260 MOHM | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210ER4R7J | Vishay / Dale | Fixed Inductors 4.7uH 5% | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210ER4R7J | Vishay | Inductor RF Chip Molded/Shielded Wirewound 4.7uH 5% 7.96MHz 30Q-Factor Powdered Iron 0.22A 1.25Ohm DCR 1210 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210ER4R7J | Vishay Dale | Description: FIXED IND 4.7UH 220MA 1.25 OHM | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210ER4R7K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 4.7UH 220MA 1.25OHM SM Tolerance: ±10% Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 1210 (3225 Metric) Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Drum Core, Wirewound Operating Temperature: -55°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 1.25Ohm Max Q @ Freq: 30 @ 7.96MHz Frequency - Self Resonant: 52MHz Material - Core: Iron Powder Inductance Frequency - Test: 7.96 MHz Supplier Device Package: 1210 Height - Seated (Max): 0.095" (2.41mm) Part Status: Active Inductance: 4.7 µH Current Rating (Amps): 220 mA | на замовлення 1783 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC1210ER4R7K | Vishay | Inductor RF Chip Molded/Shielded Wirewound 4.7uH 10% 7.96MHz 30Q-Factor Powdered Iron 0.22A 1.25Ohm DCR 1210 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210ER4R7K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 4.7UH 220MA 1.25OHM SM Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±10% Package / Case: 1210 (3225 Metric) Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Drum Core, Wirewound Operating Temperature: -55°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 1.25Ohm Max Q @ Freq: 30 @ 7.96MHz Frequency - Self Resonant: 52MHz Material - Core: Iron Powder Inductance Frequency - Test: 7.96 MHz Supplier Device Package: 1210 Height - Seated (Max): 0.095" (2.41mm) Part Status: Active Inductance: 4.7 µH Current Rating (Amps): 220 mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210ER4R7K | Vishay / Dale | RF Inductors - SMD 4.7uH 10% | на замовлення 5950 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC1210ER4R7K | Vishay | Inductor RF Chip Molded/Shielded Wirewound 4.7uH 10% 7.96MHz 30Q-Factor Powdered Iron 0.22A 1.25Ohm DCR 1210 T/R | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210ER560J | Vishay Dale | Description: FIXED IND 56UH 95MA 10 OHM SMD | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210ER560K | Vishay / Dale | RF Inductors - SMD 56uH 10% | на замовлення 3504 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ISC1210ER560K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 56UH 95MA 10 OHM SMD | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210ER56NM | Vishay | Inductor RF Chip Molded/Shielded Wirewound 0.056uH 20% 50MHz 40Q-Factor Non Magnetic 0.485A 0.28Ohm DCR 1210 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210ER56NM | Vishay Dale | Description: FIXED IND 56NH 485MA 280 MOHM | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210ER5R6J | Vishay Dale | Description: FIXED IND 5.6UH 210MA 1.4 OHM | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210ER5R6K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 5.6UH 210MA 1.4 OHM | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210ER680J | Vishay | Inductor RF Chip Molded/Shielded Wirewound 68uH 5% 2.52MHz 30Q-Factor Powdered Iron 0.09A 10Ohm DCR 1210 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ISC1210ER680J | Vishay | Inductor RF Chip Molded/Shielded Wirewound 68uH 5% 2.52MHz 30Q-Factor Powdered Iron 0.09A 10Ohm DCR 1210 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |