Продукція > ISC

Insulated Stud Cover - Negative - Black, Bulk

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC-10BK-S

INSULATED STUD COVER 8MM SLEEVE BLK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC-10R

INSULATED STUD COVER POS RED

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC-1112

Media Converters Industrial 1 xRS-232 to 1 xRS-422/485 Serial Convertor

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ISC-1112-I

ORing Networking

Description: INDUSTRIAL 1X RS232 TO 1XRS422/4

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ISC-1112-I

Media Converters 1-port RS-232 to 1-port RS-422/485, 3KV isolation

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC-1210

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ISC-1210 100uH 5%

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ISC-1210-68UH-5R98

2001 SMD

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ISC-1210U-I

Media Converters 1-port USB to 1-port RS-422/485, 2KV isolation

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC-1212-I

IEI

Media Converters Industrial RS422/485 repeater with 2k

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	11654.24 грн

В кошику од. на суму грн.

ISC-1310FB-MM-SC

Media Converters 1-port RS-232/422/485 to Fiber, MM 2km

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC-1310FB-SS-SC

Media Converters 1-port RS-232/422/485 to Fiber, SM 30km

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC-1310FR-MM-SC

Media Converters Industrial 1x RS-232/422/485 to Fiber (Multimode SC type) Convertor

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC-1310FR-MM-ST

Media Converters Industrial 1x RS-232/422/485 to Fiber (Multimode ST type) Convertor

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC-1310FR-SS-SC

Media Converters Industrial 1x RS-232/422/485 to Fiber (Single Mode SC type) Convertor

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC-1310FR-SS-ST

Media Converters Industrial 1x RS-232/422/485 to Fiber (Single Mode ST type) Convertor

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC-1310FW-SS-SC-L

Media Converters Industrial 1x RS-232/422/485 to WDM Fiber (Multimode SC type) Convertor

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC-1310FW-SS-SC-R

Media Converters Industrial 1x RS-232/422/485 to WDM Fiber (Single Mode SC type) Convertor

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC-1310U-I

Media Converters 1-port USB to 1-port RS-232/422/485, 2KV isolation

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC-1812

на замовлення 1700 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ISC-1812 100 10% ESE3

Vishay

Inductor RF Chip Shielded/Molded Wirewound 100uH 10% 796KHz 40Q-Factor Ferrite 0.147A 3.25Ohm DCR 1812 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC-1812 100 10% ESE3

Vishay

Inductor RF Chip Shielded/Molded Wirewound 100uH 10% 796KHz 40Q-Factor Ferrite 0.147A 3.25Ohm DCR 1812 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC-1812 82 5% TR-2000

на замовлення 72000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ISC-1812-07

на замовлення 4500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ISC-1812-07 1.5 5% R73

на замовлення 326000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ISC-1812-07 R73

на замовлення 121500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ISC-1812-071R5J

4532(1812)

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ISC-1812-071R5J

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ISC-1812-0747R0J

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ISC-1812-0747R0J

4532(1812)

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ISC-1812-151J

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ISC-1812-1R2

на замовлення 33195 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ISC-1812-1R5J

2005+

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ISC-1812-1R8

на замовлення 8280 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ISC-1812-1UH

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ISC-1812-2R7K

на замовлення 7000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ISC-1812-3R9

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ISC-1812-4.7UH

на замовлення 17600 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ISC-1812-47UH

02+

на замовлення 1888 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ISC-1812-5R6

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ISC-1812-82-J

на замовлення 36000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ISC-1812-82-J

4532(1812)

на замовлення 72000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ISC-1812-R33

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ISC-1812-R82

на замовлення 9690 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ISC-181210UH 10%R13

на замовлення 2612 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ISC-181210UH10%R13

на замовлення 1306 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ISC-18121UH10%

00+

на замовлення 1010 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ISC-1812825%TR-2000

на замовлення 36000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ISC-2425-25+

Mini-Circuits

Function Generators & Synthesisers Signal Generator and Controller for 2.4-2.5 GHz ISM RF Energy

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	174646.44 грн

В кошику од. на суму грн.

ISC-256

Mounting Fixings ISC-256 DBL ENDED NUT

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC-4110U

Media Converters Slim size 1 ports USB2.0 to 4 port RS-232 Serial Convertor

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC-440

Mounting Fixings ISC-440 DBL ENDED NUT

на замовлення 612 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	57.06 грн
10+	40.41 грн
100+	28.18 грн
500+	25.29 грн
1000+	23.53 грн
2000+	22.89 грн
10000+	21.53 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

ISC-6-2

INSULATED STUD COVER DUAL NEG BLK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC-632

Mounting Fixings ISC-632 DBL ENDED NUT

на замовлення 72 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	73.12 грн
10+	51.27 грн
100+	35.62 грн
500+	32.18 грн
1000+	29.78 грн
2000+	28.98 грн
10000+	27.29 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

ISC-8110U

Thales Visionix - a Division of Thales Defense & Security, Inc.

Media Converters Silm size 1 ports USB2.0 to 8 ports RS-232 Serial Convertor

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC-832

Mounting Fixings ISC-832 DBL ENDED NUT

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC-IC400-000E

Description: INERTIACUBE4 SENSOR 3-DOF
Packaging: Box
Package / Case: Module
Output Type: RS-232
Mounting Type: Chassis Mount
Sensor Type: Accelerometer, Gyroscope, Magnetometer, 9 Axis
Supplier Device Package: 3-DOF

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC-IC400-000K

Thales Visionix - a Division of Thales Defense & Security, Inc.

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC-IC400-000U

Thales Visionix - a Division of Thales Defense & Security, Inc.

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC-IC400-0USB

Thales Visionix - a Division of Thales Defense & Security, Inc.

Description: INERTIACUBE4 SENSOR 3-DOF
Packaging: Box
Package / Case: Module
Output Type: USB
Mounting Type: Chassis Mount
Sensor Type: Accelerometer, Gyroscope, Magnetometer, 9 Axis
Supplier Device Package: 3-DOF

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	49446.86 грн

В кошику од. на суму грн.

ISC-IDC-6

Description: OMEGA - ISC-IDC-6 - Signalwandler, Strom, Strom, Spannung, 2 Kanäle, 0.3 %, ± 0.3%, 24 VDC
Versorgungsspannung: 24
Anzahl der Kanäle: 2 Kanäle
Signalaufbereitereingang: Strom
Signalaufbereitermontage: DIN-Schienenmontage
Anzahl der Ausgangskanäle: 2
Signalaufbereiterausgang: Strom, Spannung
Isolationseingang: Isoliert
Produktpalette: ISC Series
Genauigkeit %: 0.3
Ausgangsgenauigkeit: ± 0.3%
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC-M3

Mounting Fixings ISC-M3 DBL ENDED NUT

на замовлення 154 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	55.56 грн
10+	38.57 грн
100+	26.89 грн
500+	25.29 грн
1000+	21.45 грн
10000+	20.57 грн
25000+	20.09 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

ISC-M4

Mounting Fixings ISC-M4 DBL ENDED NUT

на замовлення 811 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	73.87 грн
10+	54.31 грн
100+	36.74 грн
500+	34.58 грн
1000+	33.86 грн
2000+	32.74 грн
5000+	31.62 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

ISC-M5

Mounting Fixings ISC-M5 DBL ENDED NUT

на замовлення 390 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	83.48 грн
10+	61.40 грн
100+	41.54 грн
500+	39.22 грн
1000+	38.34 грн
2000+	37.14 грн
5000+	35.78 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

ISC-M6

Mounting Fixings ISC-M6 DBL ENDED NUT

на замовлення 313 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	106.46 грн
10+	78.98 грн
100+	53.55 грн
500+	50.51 грн
1000+	49.39 грн
2500+	47.71 грн
5000+	46.10 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

ISC-P-6

Description: OMEGA - ISC-P-6 - Signalwandler, Strom, Spannung, Strom, Spannung, 2 Kanäle, 0.2 %, ± 0.2%, 24 VDC
Versorgungsspannung: 24
Anzahl der Kanäle: 2 Kanäle
Signalaufbereitereingang: Strom, Spannung
Signalaufbereitermontage: DIN-Schienenmontage
Anzahl der Ausgangskanäle: 2
Signalaufbereiterausgang: Strom, Spannung
Isolationseingang: Isoliert
Produktpalette: ISC Series
Genauigkeit %: 0.2
Ausgangsgenauigkeit: ± 0.2%
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC-TJ-6

Description: OMEGA - ISC-TJ-6 - Signalwandler, Thermoelement, Strom, Spannung, 2 Kanäle, 0.3 %, ± 0.3%, 24 VDC
Versorgungsspannung: 24
Anzahl der Kanäle: 2 Kanäle
Signalaufbereitereingang: Thermoelement
Signalaufbereitermontage: DIN-Schienenmontage
Anzahl der Ausgangskanäle: 2
Signalaufbereiterausgang: Strom, Spannung
Isolationseingang: Isoliert
Produktpalette: ISC Series
Genauigkeit %: 0.3
Ausgangsgenauigkeit: ± 0.3%
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC-VAC-6

Description: OMEGA - ISC-VAC-6 - Signalwandler, Spannung, Strom, Spannung, 2 Kanäle, 0.3 %, ± 0.3%, 24 VDC
Versorgungsspannung: 24
Anzahl der Kanäle: 2 Kanäle
Signalaufbereitereingang: Spannung
Signalaufbereitermontage: DIN-Schienenmontage
Anzahl der Ausgangskanäle: 2
Signalaufbereiterausgang: Strom, Spannung
Isolationseingang: Isoliert
Produktpalette: ISC Series
Genauigkeit %: 0.3
Ausgangsgenauigkeit: ± 0.3%
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC-VDC-6

Omega

Description: ISC-VDC-6
Packaging: Bulk

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC-VDC-6

Description: OMEGA - ISC-VDC-6 - Signalwandler, Spannung, Strom, Spannung, 2 Kanäle, 0.3 %, ± 0.3%, 24 VDC
Versorgungsspannung: 24
Anzahl der Kanäle: 2 Kanäle
Signalaufbereitereingang: Spannung
Signalaufbereitermontage: DIN-Schienenmontage
Anzahl der Ausgangskanäle: 2
Signalaufbereiterausgang: Strom, Spannung
Isolationseingang: Isoliert
Produktpalette: ISC Series
Genauigkeit %: 0.3
Ausgangsgenauigkeit: ± 0.3%
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC007N04NM6ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5000+	98.77 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

ISC007N04NM6ATMA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 2988 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	266.14 грн
10+	171.21 грн
100+	103.26 грн
500+	88.85 грн
1000+	84.85 грн
2500+	82.44 грн
5000+	74.92 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

ISC007N04NM6ATMA1

Description: INFINEON - ISC007N04NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 381 A, 0.0006 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 381A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 188W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 600µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1447 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	165.22 грн
500+	136.74 грн
1000+	109.29 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ISC007N04NM6ATMA1

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta), 381A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1.05mA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 20 V

на замовлення 6571 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	247.63 грн
10+	155.08 грн
100+	107.79 грн
500+	86.55 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

ISC007N04NM6ATMA1

Description: INFINEON - ISC007N04NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 381 A, 0.0006 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 381A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1447 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	242.44 грн
10+	203.83 грн
100+	165.22 грн
500+	136.74 грн
1000+	109.29 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

ISC007N04NM6ATMA1

N-Channel MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC007N04NM6ATMA1

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta), 381A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1.05mA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 20 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	78.24 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

ISC007N06LM6ATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC007N06LM6ATMA1

TRENCH 40<-<100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC007N06LM6ATMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC007N06NM6ATMA1

TRENCH 40<-<100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC007N06NM6ATMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC007N06NM6ATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC008N06LM6ATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC008N06LM6ATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC008N06LM6ATMA1

MOSFETs OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC009N03LF2SATMA1

Description: INFINEON - ISC009N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 341 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 341A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	76.68 грн
500+	60.28 грн
1000+	45.41 грн
5000+	40.71 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ISC009N03LF2SATMA1

Description: ISC009N03LF2SATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 15 V
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 341A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-62
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V

на замовлення 4570 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	90.91 грн
10+	63.12 грн
25+	57.10 грн
100+	47.39 грн
250+	44.43 грн
500+	42.65 грн
1000+	40.51 грн
2500+	38.99 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

ISC009N03LF2SATMA1

Description: INFINEON - ISC009N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 341 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 341A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	129.30 грн
10+	97.87 грн
100+	76.68 грн
500+	60.28 грн
1000+	45.41 грн
5000+	40.71 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

ISC009N03LF2SATMA1

Description: ISC009N03LF2SATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 15 V
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 341A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-62
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC009N03LF2SATMA1

TRENCH <= 40V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 201-210 дні (днів)

3+	149.41 грн
10+	99.41 грн
100+	68.84 грн
500+	57.23 грн
1000+	49.55 грн
2500+	47.39 грн
5000+	46.42 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ISC009N06LM5ATMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 2308 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	418.36 грн
10+	316.65 грн
100+	201.71 грн
500+	190.50 грн
1000+	179.30 грн
2500+	174.49 грн
5000+	161.69 грн

В кошику од. на суму грн.

ISC009N06LM5ATMA1

Description: INFINEON - ISC009N06LM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 348 A, 0.00075 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 348A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 3426 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	247.82 грн
500+	215.95 грн
1000+	170.09 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ISC009N06LM5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 41A/348A TSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 348A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 147µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 209 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V

на замовлення 5323 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	406.95 грн
10+	272.06 грн
100+	197.47 грн
500+	150.32 грн

В кошику од. на суму грн.

ISC009N06LM5ATMA1

на замовлення 3309 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	446.26 грн
10+	303.50 грн
100+	219.99 грн
500+	173.43 грн
1000+	158.55 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ISC009N06LM5ATMA1

SP005400730

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC009N06LM5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 41A/348A TSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 348A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 147µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 209 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	169.84 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

ISC009N06NM6SCATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 344A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 221W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 118µA
Supplier Device Package: PG-WSON-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8300 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC010N04NM6

ISC010N04NM6

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

79+	161.95 грн
82+	155.77 грн
100+	150.49 грн
250+	140.71 грн
500+	126.74 грн
1000+	118.70 грн
2500+	116.08 грн
5000+	113.77 грн

Мінімальне замовлення: 79

В кошику од. на суму грн.

ISC010N04NM6ATMA1

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 285A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 747µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 20 V

на замовлення 1185 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	185.29 грн
10+	114.56 грн
100+	78.36 грн
500+	59.01 грн
1000+	58.48 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

ISC010N04NM6ATMA1

N-Channel MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC010N04NM6ATMA1

Description: INFINEON - ISC010N04NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 285 A, 0.00082 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 285A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 820µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 820µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 5079 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	97.87 грн
500+	75.12 грн
1000+	69.04 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ISC010N04NM6ATMA1

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 285A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 747µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC010N04NM6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC010N04NM6ATMA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 8620 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	206.38 грн
10+	138.99 грн
100+	86.45 грн
500+	69.64 грн
1000+	66.52 грн
10000+	61.15 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

ISC010N04NM6ATMA1

Description: INFINEON - ISC010N04NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 285 A, 0.00082 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 285A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 820µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 5079 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	206.52 грн
10+	139.18 грн
100+	97.87 грн
500+	75.12 грн
1000+	69.04 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

ISC010N06NM5

Trans MOSFET N-CH 60V 39A 8-Pin TSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC010N06NM5ATMA1

Description: INFINEON - ISC010N06NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 330 A, 870 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 330A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00087ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 2768 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	374.43 грн
10+	277.46 грн
100+	197.54 грн
500+	175.09 грн
1000+	143.92 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ISC010N06NM5ATMA1

Description: OPTIMOS5 60 V POWER MOSFET IN SU
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 330A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 147µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V

на замовлення 262 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	364.52 грн
10+	232.46 грн
100+	165.34 грн

В кошику од. на суму грн.

ISC010N06NM5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 39A 8-Pin TSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC010N06NM5ATMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 3762 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	391.28 грн
10+	255.90 грн
100+	158.48 грн
500+	157.68 грн
1000+	152.08 грн
5000+	127.27 грн

В кошику од. на суму грн.

ISC010N06NM5ATMA1

Description: INFINEON - ISC010N06NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 330 A, 870 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 330A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 214W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 870µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00087ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 2768 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	197.54 грн
500+	175.09 грн
1000+	143.92 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ISC010N06NM5ATMA1

Description: OPTIMOS5 60 V POWER MOSFET IN SU
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 330A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 147µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC010N06NM5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 39A 8-Pin TSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC010N06NM5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 39A T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC011N03L5SATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 355000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	47.70 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

ISC011N03L5SATMA1

Description: INFINEON - ISC011N03L5SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0009ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4062 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	43.01 грн
27+	33.67 грн
100+	33.13 грн
500+	30.02 грн
1000+	26.40 грн

Мінімальне замовлення: 21

В кошику од. на суму грн.

ISC011N03L5SATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC011N03L5SATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 37A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	34.04 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

ISC011N03L5SATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	37.26 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

ISC011N03L5SATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 4990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

108+	117.40 грн
110+	115.24 грн
135+	94.35 грн
200+	85.06 грн
500+	71.74 грн
1000+	51.05 грн
2000+	49.66 грн

Мінімальне замовлення: 108

В кошику од. на суму грн.

ISC011N03L5SATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 9500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

137+	92.84 грн
140+	90.58 грн
171+	74.12 грн
250+	70.19 грн
500+	56.40 грн
1000+	40.64 грн
3000+	39.80 грн
6000+	37.94 грн

Мінімальне замовлення: 137

В кошику од. на суму грн.

ISC011N03L5SATMA1

Description: INFINEON - ISC011N03L5SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 96W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 900µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0009ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4062 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	33.13 грн
500+	30.02 грн
1000+	26.40 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ISC011N03L5SATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 37A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V

на замовлення 14972 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	57.15 грн
10+	48.69 грн
100+	39.93 грн
500+	36.25 грн
1000+	33.78 грн
2000+	33.50 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

ISC011N03L5SATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 9500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	122.58 грн
10+	99.47 грн
25+	97.04 грн
100+	76.58 грн
250+	69.64 грн
500+	58.01 грн
1000+	43.55 грн
3000+	42.64 грн
6000+	40.65 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

ISC011N03L5SATMA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 9963 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	45.38 грн
10+	41.24 грн
100+	33.54 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

ISC011N04NM7VATMA1

Description: ISC011N04NM7VATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 256A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 50A, 15V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.15V @ 56µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC011N04NM7VATMA1

MOSFETs OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V

на замовлення 3885 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	141.01 грн
10+	104.94 грн
100+	67.00 грн
500+	53.39 грн
1000+	49.31 грн
2500+	46.42 грн
5000+	43.78 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ISC011N04NM7VATMA1

Description: ISC011N04NM7VATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 256A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 50A, 15V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.15V @ 56µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 20 V

на замовлення 4823 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	167.11 грн
10+	103.06 грн
100+	70.03 грн
500+	52.45 грн
1000+	50.56 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ISC011N06LM5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 37A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	129.80 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

ISC011N06LM5ATMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 9678 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	380.07 грн
10+	248.53 грн
100+	153.68 грн
500+	143.28 грн
1000+	135.27 грн
2500+	131.27 грн
5000+	121.67 грн

В кошику од. на суму грн.

ISC011N06LM5ATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 288A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 116µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-17
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	124.73 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

ISC011N06LM5ATMA1

Description: INFINEON - ISC011N06LM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 288 A, 1150 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 288A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1150µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4945 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	395.98 грн
50+	267.58 грн
250+	190.36 грн
1000+	157.58 грн
3000+	142.38 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

ISC011N06LM5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 37A 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC011N06LM5ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 288A; 188W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 288A
Case: PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 63nC
On-state resistance: 1.15mΩ
Power dissipation: 188W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC011N06LM5ATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 288A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 116µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-17
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V

на замовлення 11680 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	347.21 грн
10+	221.37 грн
100+	157.21 грн
500+	137.96 грн

В кошику од. на суму грн.

ISC011N06LM5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 37A 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC011N06LM5ATMA1

на замовлення 4945 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	267.58 грн
250+	190.36 грн
1000+	157.58 грн
3000+	142.38 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ISC012N03LF2SATMA1

Description: ISC012N03LF2SATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 270A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.28mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-62
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V

на замовлення 2090 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	74.46 грн
10+	51.86 грн
25+	46.79 грн
100+	38.68 грн
250+	36.18 грн
500+	34.68 грн
1000+	32.90 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

ISC012N03LF2SATMA1

Description: ISC012N03LF2SATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 270A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.28mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-62
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC012N03LF2SATMA1

TRENCH <= 40V

на замовлення 4900 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	104.59 грн
10+	72.44 грн
100+	48.99 грн
500+	41.54 грн
1000+	33.86 грн
2500+	31.86 грн
5000+	30.34 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

ISC012N04LM6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 37A 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC012N04LM6ATMA1

Description: INFINEON - ISC012N04LM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 238 A, 0.001 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 238A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 6032 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	111.34 грн
500+	86.71 грн
1000+	73.50 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ISC012N04LM6ATMA1

Description: TRENCH <= 40V PG-TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 238A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 20 V

на замовлення 4985 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	176.63 грн
10+	108.89 грн
100+	74.21 грн
500+	55.72 грн
1000+	54.39 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

ISC012N04LM6ATMA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC012N04LM6ATMA1

на замовлення 6032 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	241.54 грн
10+	158.03 грн
100+	111.34 грн
500+	86.71 грн
1000+	73.50 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

ISC012N04LM6ATMA1

Description: TRENCH <= 40V PG-TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 238A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC012N04LM6ATMA1

N Channel Power Mosfet

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC012N04NM6ATMA1

N-Channel MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC012N04NM6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 36A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 3753 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

72+	178.24 грн
108+	118.27 грн
124+	102.22 грн
500+	80.89 грн
2000+	72.53 грн

Мінімальне замовлення: 72

В кошику од. на суму грн.

ISC012N04NM6ATMA1

Description: INFINEON - ISC012N04NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 232 A, 0.001 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 232A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 2969 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	93.38 грн
500+	69.45 грн
1000+	56.26 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ISC012N04NM6ATMA1

Description: TRENCH <= 40V PG-TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 232A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 747µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 20 V

на замовлення 12658 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	184.43 грн
10+	118.40 грн
100+	82.15 грн
500+	61.15 грн
1000+	60.02 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

ISC012N04NM6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 36A 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC012N04NM6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 36A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 70000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	73.92 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

ISC012N04NM6ATMA1

на замовлення 2969 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	193.95 грн
10+	129.30 грн
100+	93.38 грн
500+	69.45 грн
1000+	56.26 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

ISC012N04NM6ATMA1

Description: TRENCH <= 40V PG-TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 232A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 747µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 20 V

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	58.39 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

ISC012N04NM6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 36A 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC012N04NM6ATMA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 13000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	189.57 грн
10+	125.19 грн
100+	76.36 грн
500+	59.47 грн
1000+	54.51 грн
2500+	54.43 грн
5000+	50.91 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

ISC015N03LF2SATMA1

TRENCH <= 40V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	94.32 грн
10+	64.89 грн
100+	43.94 грн
500+	37.22 грн
1000+	30.34 грн
2500+	28.58 грн
5000+	27.21 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

ISC015N03LF2SATMA1

Description: INFINEON - ISC015N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 214 A, 1500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 214A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	54.95 грн
500+	43.27 грн
1000+	32.56 грн
5000+	29.17 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ISC015N03LF2SATMA1

Description: ISC015N03LF2SATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 15 V
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 214A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-62
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	72.73 грн
10+	50.03 грн
25+	45.16 грн
100+	37.26 грн
250+	34.82 грн
500+	33.35 грн
1000+	31.62 грн
2500+	30.36 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

ISC015N03LF2SATMA1

Description: INFINEON - ISC015N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 214 A, 1500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 214A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	100.57 грн
13+	70.67 грн
100+	54.95 грн
500+	43.27 грн
1000+	32.56 грн
5000+	29.17 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

ISC015N03LF2SATMA1

Description: ISC015N03LF2SATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 15 V
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 214A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-62
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	33.30 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

ISC015N04NM5

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC015N04NM5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC015N04NM5ATMA1

Description: INFINEON - ISC015N04NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 206 A, 1200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 206A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 8408 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	115.83 грн
11+	88.62 грн
100+	65.01 грн
500+	44.52 грн
1000+	37.64 грн
5000+	31.32 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

ISC015N04NM5ATMA1

Description: 40V 1.5M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 206A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 20 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	38.23 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

ISC015N04NM5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 4640 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

115+	110.87 грн
145+	87.54 грн
156+	81.42 грн
200+	76.88 грн
1000+	71.09 грн
2000+	68.06 грн

Мінімальне замовлення: 115

В кошику од. на суму грн.

ISC015N04NM5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	51.84 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

ISC015N04NM5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC015N04NM5ATMA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 8362 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	119.53 грн
10+	90.21 грн
100+	57.55 грн
500+	46.10 грн
1000+	42.34 грн
2500+	39.06 грн
5000+	36.66 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

ISC015N04NM5ATMA1

Description: INFINEON - ISC015N04NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 206 A, 1200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 206A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 115W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 8408 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	65.01 грн
500+	44.52 грн
1000+	37.64 грн
5000+	31.32 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ISC015N04NM5ATMA1

Description: 40V 1.5M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 206A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 20 V

на замовлення 5184 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	146.33 грн
10+	90.05 грн
100+	60.78 грн
500+	45.26 грн
1000+	42.29 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ISC015N04NM5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	48.68 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

ISC015N04NM5ATMA1

N-Channel MOSFET

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	39.78 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

ISC015N06NM5LF2ATMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 8764 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	275.48 грн
10+	205.27 грн
25+	175.29 грн
100+	143.28 грн
250+	142.48 грн
500+	125.67 грн
1000+	123.27 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

ISC015N06NM5LF2ATMA1

Description: INFINEON - ISC015N06NM5LF2ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 275 A, 0.00155 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 275A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.45V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 217W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00155ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	327.74 грн
10+	232.56 грн
100+	187.66 грн
500+	164.25 грн
1000+	129.30 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ISC015N06NM5LF2ATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 275A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.45V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC015N06NM5LF2ATMA1

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	187.66 грн
500+	164.25 грн
1000+	129.30 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ISC015N06NM5LF2ATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 275A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.45V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 30 V

на замовлення 3968 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	273.61 грн
10+	198.52 грн
100+	160.63 грн
500+	139.07 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

ISC015N06NM5LFATMA1

Description: OPTIMOSTM5LINEARFET60V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 275A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.45V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC015N06NM5LFATMA1

Description: OPTIMOSTM5LINEARFET60V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 275A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.45V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC016N04NM7VATMA1

Description: ISC016N04NM7VATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 174A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.49mOhm @ 50A, 15V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.15V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 20 V

на замовлення 4685 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	119.49 грн
10+	72.87 грн
100+	48.63 грн
500+	35.88 грн
1000+	32.74 грн
2000+	31.85 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ISC016N04NM7VATMA1

Description: ISC016N04NM7VATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 174A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.49mOhm @ 50A, 15V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.15V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC016N04NM7VATMA1

MOSFETs OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V

на замовлення 3897 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	95.25 грн
10+	66.46 грн
100+	44.98 грн
500+	36.58 грн
1000+	31.06 грн
2500+	29.22 грн
5000+	27.61 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

ISC017N04NM5

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC017N04NM5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC017N04NM5ATMA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 1854 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	155.02 грн
10+	115.98 грн
100+	73.48 грн
250+	71.80 грн
500+	58.75 грн
1000+	50.27 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ISC017N04NM5ATMA1

Description: INFINEON - ISC017N04NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 193 A, 0.0013 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 193A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 926 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	112.24 грн
50+	75.78 грн
250+	61.96 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

ISC017N04NM5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

116+	109.82 грн
154+	82.36 грн
161+	78.77 грн
200+	74.64 грн
500+	68.92 грн
1000+	65.99 грн
2000+	65.71 грн
5000+	62.54 грн

Мінімальне замовлення: 116

В кошику од. на суму грн.

ISC017N04NM5ATMA1

40V MOSFET Power-Transistor

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	41.18 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

ISC017N04NM5ATMA1

Description: INFINEON - ISC017N04NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 193 A, 0.0013 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 193A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 115W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0013ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 926 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	75.78 грн
250+	61.96 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ISC017N04NM5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 193A TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 193A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 20 V

на замовлення 1847 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	120.35 грн
10+	89.30 грн
100+	60.54 грн
500+	45.12 грн
1000+	42.31 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ISC017N04NM5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	46.78 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

ISC017N04NM5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	50.11 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

ISC017N04NM5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 193A TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 193A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC018N08NM6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 27A 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC018N08NM6ATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC018N08NM6SCATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 230A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 114µA
Supplier Device Package: PG-WSON-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 40 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC019N03L5SATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	24.97 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

ISC019N03L5SATMA1

Description: INFINEON - ISC019N03L5SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0016 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 69W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0016ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 992 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	33.58 грн
500+	27.43 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ISC019N03L5SATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC019N03L5SATMA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 8156 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	33.71 грн
13+	29.92 грн
100+	24.01 грн
500+	23.69 грн
1000+	23.05 грн
5000+	20.89 грн
10000+	20.41 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

ISC019N03L5SATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC019N03L5SATMA1

Description: INFINEON - ISC019N03L5SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0016 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 992 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	65.28 грн
19+	47.32 грн
100+	33.58 грн
500+	27.43 грн

Мінімальне замовлення: 14

В кошику од. на суму грн.

ISC019N03L5SATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V

на замовлення 18544 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	34.63 грн
11+	32.35 грн
100+	26.82 грн
500+	24.73 грн
1000+	24.50 грн
2000+	24.18 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

ISC019N03L5SATMA1

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ISC019N04NM5

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC019N04NM5ATMA1

Description: 40V 1.9M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 20 V

на замовлення 10568 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	137.67 грн
10+	87.05 грн
100+	58.57 грн
500+	43.42 грн
1000+	39.71 грн
2000+	36.58 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ISC019N04NM5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 29A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

181+	70.01 грн
206+	61.67 грн
234+	54.17 грн
245+	50.00 грн
500+	43.75 грн
1000+	39.82 грн
2000+	37.83 грн
5000+	35.66 грн

Мінімальне замовлення: 181

В кошику од. на суму грн.

ISC019N04NM5ATMA1

SP005352244

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	35.77 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

ISC019N04NM5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 29A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	47.41 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

ISC019N04NM5ATMA1

Description: 40V 1.9M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 20 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	36.89 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

ISC019N04NM5ATMA1

Description: INFINEON - ISC019N04NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 170 A, 0.0015 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 100W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0015ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 5719 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	62.32 грн
500+	47.03 грн
1000+	40.64 грн
5000+	37.87 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ISC019N04NM5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 29A 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC019N04NM5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 29A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	44.27 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

ISC019N04NM5ATMA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 5794 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	143.81 грн
10+	92.97 грн
100+	54.75 грн
500+	41.54 грн
1000+	35.22 грн
5000+	25.69 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ISC019N04NM5ATMA1

Description: INFINEON - ISC019N04NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 170 A, 0.0015 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 5719 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	149.05 грн
10+	94.28 грн
100+	62.32 грн
500+	47.03 грн
1000+	40.64 грн
5000+	37.87 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

ISC019N04NM5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 29A 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC019N08NM7ATMA1

MOSFETs OptiMOS 7 n-channel power MOSFET 80 V in SuperSO8

на замовлення 5460 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	297.89 грн
10+	192.38 грн
100+	116.86 грн
500+	106.46 грн
10000+	87.25 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

ISC01P

NKK Switches

OLED Displays & Accessories OLED SmartDisplay 52 X 36 full color

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC01P

NKK Switches

Description: GRAPHIC DISPLAY OLED RGB -
Packaging: Box
Display Type: OLED - Passive Matrix
Backlight: Without Backlight
Interface: SPI
Viewing Area: 12.90mm W x 9.90mm H
Dot Pixels: 52 x 36
Graphics Color: Red, Green, Blue (RGB)
Part Status: Active

на замовлення 279 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	3836.57 грн

В кошику од. на суму грн.

ISC01P-104G

NKK Switches

SWITCH

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC022N10NM6ATMA1

Description: INFINEON - ISC022N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 230 A, 2240 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 254W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254W
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2240µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 8275 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	236.15 грн
250+	202.93 грн
1000+	179.26 грн
3000+	162.39 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ISC022N10NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V PG-TSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 230A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.24mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 254W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 147µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6880 pF @ 50 V

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	148.02 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

ISC022N10NM6ATMA1

SP005339558

на замовлення 5010 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	179.30 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

ISC022N10NM6ATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 4929 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	290.42 грн
10+	212.63 грн
100+	159.29 грн
500+	155.28 грн
1000+	151.28 грн
2500+	148.88 грн
5000+	132.07 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

ISC022N10NM6ATMA1

Description: INFINEON - ISC022N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 230 A, 2240 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2240µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 8275 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	317.86 грн
50+	236.15 грн
250+	202.93 грн
1000+	179.26 грн
3000+	162.39 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

ISC022N10NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V PG-TSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 230A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.24mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 254W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 147µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6880 pF @ 50 V

на замовлення 12134 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	341.14 грн
10+	257.72 грн
100+	219.77 грн
500+	151.70 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

ISC023N03LF2SATMA1

Description: ISC023N03LF2SATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-62
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 15 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	58.01 грн
10+	39.69 грн
25+	35.69 грн
100+	29.37 грн
250+	27.40 грн
500+	26.20 грн
1000+	24.81 грн
2500+	23.80 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

ISC023N03LF2SATMA1

Description: INFINEON - ISC023N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 150 A, 2300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	87.82 грн
16+	59.80 грн
100+	45.26 грн
500+	35.60 грн
1000+	26.86 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

ISC023N03LF2SATMA1

Description: ISC023N03LF2SATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-62
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 15 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	26.08 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

ISC023N03LF2SATMA1

Description: INFINEON - ISC023N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 150 A, 2300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	45.26 грн
500+	35.60 грн
1000+	26.86 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ISC025N06LM6ATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC025N08NM5LF2ATMA1

ISC025N08NM5LF2ATMA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC025N08NM5LF2ATMA1

Description: INFINEON - ISC025N08NM5LF2ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 198 A, 2550 µohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 198A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 217W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2550µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4760 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	187.66 грн
500+	145.08 грн
1000+	132.38 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ISC025N08NM5LF2ATMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 6290 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	350.19 грн
10+	243.93 грн
100+	151.28 грн
500+	125.67 грн
1000+	124.87 грн
5000+	117.66 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

ISC025N08NM5LF2ATMA1

Description: OPTIMOSTM5LINEARFET80V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 198A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.55mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 40 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	124.39 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

ISC025N08NM5LF2ATMA1

на замовлення 4760 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	371.74 грн
10+	263.09 грн
100+	187.66 грн
500+	145.08 грн
1000+	132.38 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ISC025N08NM5LF2ATMA1

Description: OPTIMOSTM5LINEARFET80V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 198A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.55mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 40 V

на замовлення 7503 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	326.42 грн
10+	215.70 грн
100+	154.11 грн
500+	126.51 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

ISC025N08NM5LFATMA1

Description: OPTIMOSTM5LINEARFET80V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 198A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.55mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 40 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC025N08NM5LFATMA1

Description: OPTIMOSTM5LINEARFET80V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 198A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.55mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 40 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC025N08NM5LFATMA1

TRENCH 40<-<100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC026N03L5SATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 24A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V

на замовлення 21409 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	97.84 грн
10+	61.95 грн
100+	41.54 грн
500+	29.33 грн
1000+	25.71 грн
2000+	24.95 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

ISC026N03L5SATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC026N03L5SATMA1

Description: INFINEON - ISC026N03L5SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 2200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 48W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0022ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4955 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	37.89 грн
500+	25.93 грн
1000+	19.86 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ISC026N03L5SATMA1

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ISC026N03L5SATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 24A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	25.02 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

ISC026N03L5SATMA1

Description: INFINEON - ISC026N03L5SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 2200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4955 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	86.29 грн
16+	57.56 грн
100+	37.89 грн
500+	25.93 грн
1000+	19.86 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

ISC026N03L5SATMA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 3808 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	89.18 грн
10+	58.54 грн
100+	33.54 грн
500+	26.81 грн
1000+	22.33 грн
5000+	18.73 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

ISC027N10NM6ATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 3161 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	367.00 грн
10+	239.33 грн
100+	144.88 грн
500+	132.87 грн
5000+	113.66 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

ISC027N10NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V PG-TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 192A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 116µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 50 V

на замовлення 9427 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	335.08 грн
10+	212.86 грн
100+	150.66 грн
500+	130.49 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

ISC027N10NM6ATMA1

Description: INFINEON - ISC027N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 192 A, 0.0027 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 192A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 217W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 217W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0023ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 11713 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	259.50 грн
250+	183.18 грн
1000+	150.08 грн
3000+	135.46 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ISC027N10NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V PG-TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 192A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 116µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 50 V

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	117.97 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

ISC027N10NM6ATMA1

SP005339566

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC027N10NM6ATMA1

Description: INFINEON - ISC027N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 192 A, 0.0027 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 192A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 217W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 11713 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	362.76 грн
50+	259.50 грн
250+	183.18 грн
1000+	150.08 грн
3000+	135.46 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

ISC028N03LF2SATMA1

Description: INFINEON - ISC028N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 128 A, 2800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 128A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	41.03 грн
500+	31.77 грн
1000+	25.01 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ISC028N03LF2SATMA1

Description: ISC028N03LF2SATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 128A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-62
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1780 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC028N03LF2SATMA1

Description: INFINEON - ISC028N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 128 A, 2800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 128A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	80.00 грн
15+	60.16 грн
100+	41.03 грн
500+	31.77 грн
1000+	25.01 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

ISC028N03LF2SATMA1

TRENCH <= 40V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	82.55 грн
10+	61.12 грн
100+	36.26 грн
500+	30.26 грн
1000+	25.77 грн
2500+	23.37 грн
5000+	21.69 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

ISC028N03LF2SATMA1

Description: ISC028N03LF2SATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 128A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-62
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1780 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC028N04NM5ATMA1

Description: 40V 2.8M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 121A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 20 V

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	29.06 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

ISC028N04NM5ATMA1

Description: INFINEON - ISC028N04NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 121 A, 2100 µohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 121A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	114.04 грн
13+	74.62 грн
100+	49.74 грн
500+	33.35 грн
1000+	27.01 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

ISC028N04NM5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 24A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	36.98 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

ISC028N04NM5ATMA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 7191 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	127.94 грн
10+	82.29 грн
100+	47.71 грн
500+	36.98 грн
1000+	31.06 грн
2500+	30.98 грн
5000+	30.50 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ISC028N04NM5ATMA1

Description: 40V 2.8M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 121A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 20 V

на замовлення 10288 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	111.69 грн
10+	70.12 грн
100+	46.67 грн
500+	34.36 грн
1000+	30.10 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

ISC028N04NM5ATMA1

Description: INFINEON - ISC028N04NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 121 A, 2100 µohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 121A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 75W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0021ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	49.74 грн
500+	33.35 грн
1000+	27.01 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ISC030N10NM6ATMA1

MOSFETs IFX FET >80 - 100V

на замовлення 10340 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	283.89 грн
10+	205.27 грн
100+	128.07 грн
500+	115.26 грн
1000+	109.66 грн
2500+	97.65 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

ISC030N10NM6ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 179A; 208W; PG-TDSON-8 FL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 179A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TDSON-8 FL
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 55nC
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC030N10NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V PG-TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 179A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 109µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC030N10NM6ATMA1

Description: INFINEON - ISC030N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 179 A, 0.003 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 179A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 3145 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	292.72 грн
50+	212.81 грн
250+	157.14 грн
1000+	120.06 грн
3000+	100.05 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

ISC030N10NM6ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 179A; 208W; PG-TDSON-8 FL
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 179A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TDSON-8 FL
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 69nC
Kind of channel: enhancement

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5000+	153.54 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

ISC030N10NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V PG-TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 179A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 109µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 50 V

на замовлення 152 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	295.25 грн
10+	186.52 грн
100+	131.15 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

ISC030N10NM6ATMA1

Description: INFINEON - ISC030N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 179 A, 0.003 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 179A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 208W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0026ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 3145 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	212.81 грн
250+	157.14 грн
1000+	120.06 грн
3000+	100.05 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ISC030N10NM6ATMA1

SP005427072

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	120.46 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

ISC030N12NM6ATMA1

Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 194A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.04mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 141µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 60 V

на замовлення 4241 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	383.57 грн
10+	241.13 грн
100+	213.80 грн

В кошику од. на суму грн.

ISC030N12NM6ATMA1

Description: INFINEON - ISC030N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 194 A, 3040 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 194A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3040µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 2429 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	432.80 грн
10+	281.95 грн
100+	236.15 грн
500+	213.45 грн
1000+	195.49 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ISC030N12NM6ATMA1

Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 194A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.04mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 141µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 60 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC030N12NM6ATMA1

на замовлення 2429 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	236.15 грн
500+	213.45 грн
1000+	195.49 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ISC030N12NM6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 120V 21A 8-Pin TSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC030N12NM6ATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 3634 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	406.22 грн
10+	261.42 грн
100+	189.70 грн
500+	184.90 грн
1000+	184.10 грн
2500+	183.30 грн
5000+	142.48 грн

В кошику од. на суму грн.

ISC031N08NM6ATMA1

TRENCH 40<-<100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC031N08NM6SCATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 145A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 65µA
Supplier Device Package: PG-WSON-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 40 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC0324D05

Description: DC DC CONVERTER +/-5V 3W
Packaging: Bulk
Features: Remote On/Off, OCP, SCP, UVLO
Package / Case: 16-SMD Module, 7 Leads
Size / Dimension: 0.94" L x 0.54" W x 0.31" H (24.0mm x 13.7mm x 8.0mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 36V
Efficiency: 77%
Current - Output (Max): 300mA, 300mA
Voltage - Input (Min): 9V
Voltage - Output 1: 5V
Voltage - Output 2: -5V
Control Features: Enable, Active High
Part Status: Active
Power (Watts): 3 W
Number of Outputs: 2
Voltage - Isolation: 1.5 kV
Standard Number: 62368-1

на замовлення 162 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	2006.17 грн
5+	1873.67 грн
10+	1815.72 грн
25+	1631.26 грн
100+	1522.52 грн

В кошику од. на суму грн.

ISC0324D05

DC/DC Converters - SMD DC-DC, 3W SMD, 4:1 INPUT, REG

на замовлення 80 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	2266.41 грн
5+	2166.84 грн
10+	1825.78 грн
30+	1748.14 грн
100+	1631.27 грн

В кошику од. на суму грн.

ISC0324D05-TR

Isolated DC/DC Converters - SMD DC-DC, 3W SMD, 4:1 INPUT, REG

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC0324D12

Isolated DC/DC Converters - SMD DC-DC, 3W SMD, 4:1 INPUT, REG

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC0324D12

Description: DC DC CONVERTER +/-12V 3W
Packaging: Bulk
Features: Remote On/Off, OCP, SCP, UVLO
Package / Case: 16-SMD Module, 7 Leads
Size / Dimension: 0.94" L x 0.54" W x 0.31" H (24.0mm x 13.7mm x 8.0mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 36V
Efficiency: 80%
Current - Output (Max): 125mA, 125mA
Voltage - Input (Min): 9V
Voltage - Output 1: 12V
Voltage - Output 2: -12V
Control Features: Enable, Active High
Power (Watts): 3 W
Number of Outputs: 2
Voltage - Isolation: 1.5 kV
Standard Number: 62368-1

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	2059.85 грн
5+	1923.86 грн
10+	1864.67 грн

В кошику од. на суму грн.

ISC0324D12-TR

Isolated DC/DC Converters - SMD DC-DC, 3W SMD, 4:1 INPUT, REG

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC0324D15

Description: DC DC CONVERTER +/-15V 3W
Packaging: Bulk
Features: Remote On/Off, OCP, SCP, UVLO
Package / Case: 16-SMD Module, 7 Leads
Size / Dimension: 0.94" L x 0.54" W x 0.31" H (24.0mm x 13.7mm x 8.0mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 36V
Efficiency: 80%
Current - Output (Max): 100mA, 100mA
Voltage - Input (Min): 9V
Voltage - Output 1: 15V
Voltage - Output 2: -15V
Control Features: Enable, Active High
Power (Watts): 3 W
Number of Outputs: 2
Voltage - Isolation: 1.5 kV
Standard Number: 62368-1

на замовлення 20 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	2059.85 грн
5+	1923.86 грн
10+	1864.67 грн

В кошику од. на суму грн.

ISC0324D15

Isolated DC/DC Converters - SMD DC-DC, 3W SMD, 4:1 INPUT, REG

на замовлення 16 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	2266.41 грн
5+	2166.84 грн
10+	1825.78 грн
30+	1748.14 грн
100+	1631.27 грн

В кошику од. на суму грн.

ISC0324D15-TR

Isolated DC/DC Converters - SMD DC-DC, 3W SMD, 4:1 INPUT, REG

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC0324S05

Description: DC DC CONVERTER 5V 3W
Packaging: Bulk
Features: Remote On/Off, OCP, SCP, UVLO
Package / Case: 16-SMD Module, 7 Leads
Size / Dimension: 0.94" L x 0.54" W x 0.32" H (24.0mm x 13.7mm x 8.3mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (With Derating)
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 36V
Approval Agency: CE, UKCA, UL
Efficiency: 78%
Current - Output (Max): 600mA
Voltage - Input (Min): 9V
Voltage - Output 1: 5V
Control Features: Enable, Active High
Power (Watts): 3 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 1.5 kV
Standard Number: 60950-1; 62368-1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC0324S05

Isolated DC/DC Converters - SMD DC-DC, 3W SMD, 4:1 INPUT, REG

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	2124.47 грн
5+	2030.61 грн
10+	1711.32 грн
30+	1638.48 грн
100+	1529.62 грн

В кошику од. на суму грн.

ISC0324S05-TR

Isolated DC/DC Converters - SMD DC-DC, 3W SMD, 4:1 INPUT, REG

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC0324S05-TR

Description: DC DC CONVERTER 5V 3W
Features: Remote On/Off, OCP, SCP, UVLO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SMD Module, 7 Leads
Size / Dimension: 0.94" L x 0.54" W x 0.32" H (24.0mm x 13.7mm x 8.3mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (With Derating)
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 36V
Approval Agency: CE, UKCA, UL
Efficiency: 78%
Current - Output (Max): 600mA
Voltage - Input (Min): 9V
Voltage - Output 1: 5V
Control Features: Enable, Active High
Power (Watts): 3 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 1.5 kV
Standard Number: 60950-1; 62368-1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC0324S12

Isolated DC/DC Converters - SMD DC-DC, 3W SMD, 4:1 INPUT, REG

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC0324S12-TR

Description: DC DC CONVERTER 12V 3W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Remote On/Off, OCP, SCP, UVLO
Package / Case: 16-SMD Module, 7 Leads
Size / Dimension: 0.94" L x 0.54" W x 0.32" H (24.0mm x 13.7mm x 8.3mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (With Derating)
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 36V
Approval Agency: CE, UKCA, UL
Efficiency: 80%
Current - Output (Max): 250mA
Voltage - Input (Min): 9V
Voltage - Output 1: 12V
Control Features: Enable, Active High
Part Status: Active
Power (Watts): 3 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 1.5 kV
Standard Number: 60950-1; 62368-1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC0324S12-TR

Isolated DC/DC Converters - SMD DC-DC, 3W SMD, 4:1 INPUT, REG

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC0324S12-TR

Description: DC DC CONVERTER 12V 3W
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Remote On/Off, OCP, SCP, UVLO
Package / Case: 16-SMD Module, 7 Leads
Size / Dimension: 0.94" L x 0.54" W x 0.32" H (24.0mm x 13.7mm x 8.3mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (With Derating)
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 36V
Approval Agency: CE, UKCA, UL
Efficiency: 80%
Current - Output (Max): 250mA
Voltage - Input (Min): 9V
Voltage - Output 1: 12V
Control Features: Enable, Active High
Part Status: Active
Power (Watts): 3 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 1.5 kV
Standard Number: 60950-1; 62368-1

на замовлення 163 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1796.64 грн
5+	1678.23 грн
10+	1626.87 грн
25+	1461.47 грн
100+	1364.22 грн

В кошику од. на суму грн.

ISC0324S15

Description: DC DC CONVERTER 15V 3W

на замовлення 341 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ISC0324S15

Isolated DC/DC Converters - SMD DC-DC, 3W SMD, 4:1 INPUT, REG

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC0324S15

Description: DC DC CONVERTER 15V 3W

на замовлення 250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ISC0324S15-TR

Description: DC DC CONVERTER 15V 3W
Features: Remote On/Off, OCP, SCP, UVLO
Packaging: Bulk
Package / Case: 16-SMD Module, 7 Leads
Size / Dimension: 0.94" L x 0.54" W x 0.32" H (24.0mm x 13.7mm x 8.3mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (With Derating)
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 36V
Approval Agency: CE, UKCA, UL
Efficiency: 80%
Current - Output (Max): 200mA
Voltage - Input (Min): 9V
Voltage - Output 1: 15V
Control Features: Enable, Active High
Power (Watts): 3 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 1.5 kV
Standard Number: 60950-1; 62368-1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC0324S15-TR

Description: DC DC CONVERTER 15V 3W
Features: Remote On/Off, OCP, SCP, UVLO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SMD Module, 7 Leads
Size / Dimension: 0.94" L x 0.54" W x 0.32" H (24.0mm x 13.7mm x 8.3mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (With Derating)
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 36V
Approval Agency: CE, UKCA, UL
Efficiency: 80%
Current - Output (Max): 200mA
Voltage - Input (Min): 9V
Voltage - Output 1: 15V
Control Features: Enable, Active High
Power (Watts): 3 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 1.5 kV
Standard Number: 60950-1; 62368-1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC0324S15-TR

Isolated DC/DC Converters - SMD DC-DC, 3W SMD, 4:1 INPUT, REG

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC0324S24

DC/DC Converters - SMD DC-DC, 3W SMD, 4:1 INPUT, REG

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	2124.47 грн
5+	2030.61 грн
10+	1711.32 грн
30+	1638.48 грн
100+	1529.62 грн

В кошику од. на суму грн.

ISC0324S24

Description: DC DC CONVERTER 24V 3W
Features: Remote On/Off, OCP, SCP, UVLO
Packaging: Bulk
Package / Case: 16-SMD Module, 7 Leads
Size / Dimension: 0.94" L x 0.54" W x 0.31" H (24.0mm x 13.7mm x 8.0mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 36V
Efficiency: 80%
Current - Output (Max): 125mA
Voltage - Input (Min): 9V
Voltage - Output 1: 24V
Control Features: Enable, Active High
Part Status: Active
Power (Watts): 3 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 1.5 kV
Standard Number: 62368-1

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1931.71 грн
5+	1803.80 грн
10+	1748.52 грн
25+	1570.73 грн

В кошику од. на суму грн.

ISC0324S24-TR

Isolated DC/DC Converters - SMD DC-DC, 3W SMD, 4:1 INPUT, REG

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC0324S3V3

Description: DC DC CONVERTER 3.3V 3W
Packaging: Bulk
Features: Remote On/Off, OCP, SCP, UVLO
Package / Case: 16-SMD Module, 7 Leads
Size / Dimension: 0.94" L x 0.54" W x 0.31" H (24.0mm x 13.7mm x 8.0mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 36V
Efficiency: 75%
Current - Output (Max): 600mA
Voltage - Input (Min): 9V
Voltage - Output 1: 3.3V
Control Features: Enable, Active High
Part Status: Active
Power (Watts): 3 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 1.5 kV
Standard Number: 62368-1

на замовлення 1102 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1894.48 грн
5+	1769.61 грн
10+	1715.00 грн
25+	1541.22 грн
100+	1438.52 грн
500+	1283.73 грн

В кошику од. на суму грн.

ISC0324S3V3

DC/DC Converters - SMD DC-DC, 3W SMD, 4:1 INPUT, REG

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	2124.47 грн
5+	2030.61 грн
10+	1711.32 грн
30+	1638.48 грн
100+	1529.62 грн

В кошику од. на суму грн.

ISC0324S3V3

XP POWER

Description: XP POWER - ISC0324S3V3 - Isol. DC/DC-Wandler, Oberflächenmontage, ITE, DIP, 4:1, 3 W, 1 Ausgang, 3.3 V
tariffCode: 85044095
DC-Eingangsspannung, min.: 9V
Ausgangsstrom - Ausgang 2: -
rohsCompliant: YES
Höhe: 18.1mm
Nominelle DC-Eingangsspannung: 24V
Tiefe: 24mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anzahl der Ausgänge: 1 Ausgang
Breite: 8.25mm
usEccn: EAR99
DC/DC-Wandlerausgang: Fest
Isolationsspannung: 1.5kV
DC-Eingangsspannung, max.: 36V
DC/DC-Wandlermontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
DC/DC-Wandler: DIP
Ausgangsregelung: Geregelt
Produktpalette: ISC03 Series
Ausgangsspannung - Ausgang 1: 3.3V
productTraceability: No
Ausgangsspannung - Ausgang 2: -
Ausgangsstrom - Ausgang 1: 600mA
Eingangsverhältnis: 4:1
Anwendungen für das Netzteil: ITE
Ausgangsleistung, max.: 3W

на замовлення 21 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1530.05 грн
5+	1484.26 грн
10+	1438.46 грн

В кошику од. на суму грн.

ISC0324S3V3-TR

Isolated DC/DC Converters - SMD DC-DC, 3W SMD, 4:1 INPUT, REG

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC032N12LM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 60 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC032N12LM6ATMA1

Description: INFINEON - ISC032N12LM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 170 A, 0.0032 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 211W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 4990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	392.39 грн
10+	243.34 грн
100+	179.58 грн
500+	163.42 грн
1000+	147.00 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ISC032N12LM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 60 V

на замовлення 2685 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	314.30 грн
10+	215.95 грн
100+	160.56 грн
500+	141.20 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

ISC032N12LM6ATMA1

TRENCH >=100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC032N12LM6ATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 585 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	333.38 грн
10+	234.73 грн
25+	196.91 грн
100+	152.88 грн
250+	152.08 грн
500+	132.07 грн
1000+	127.27 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

ISC032N12LM6ATMA1

на замовлення 4990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	179.58 грн
500+	163.42 грн
1000+	147.00 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ISC033N03LF2SATMA1

Description: INFINEON - ISC033N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 108 A, 3300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 108A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	43.19 грн
30+	30.44 грн
100+	23.79 грн
500+	19.59 грн
1000+	17.39 грн
5000+	16.16 грн

Мінімальне замовлення: 21

В кошику од. на суму грн.

ISC033N03LF2SATMA1

Description: ISC033N03LF2SATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 108A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-62
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 15 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	18.27 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

ISC033N03LF2SATMA1

TRENCH <= 40V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	71.91 грн
10+	50.63 грн
100+	30.02 грн
500+	25.13 грн
1000+	21.37 грн
2500+	19.29 грн
5000+	17.93 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

ISC033N03LF2SATMA1

Description: INFINEON - ISC033N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 108 A, 3300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 108A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	23.79 грн
500+	19.59 грн
1000+	17.39 грн
5000+	16.16 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ISC033N03LF2SATMA1

Description: ISC033N03LF2SATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 108A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-62
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 15 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	41.56 грн
12+	28.43 грн
25+	25.48 грн
100+	20.84 грн
250+	19.36 грн
500+	18.48 грн
1000+	17.45 грн
2500+	16.69 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

ISC0348D05

Description: DC DC CONVERTER +/-5V 3W
Packaging: Bulk
Features: Remote On/Off, OCP, SCP, UVLO
Package / Case: 16-SMD Module, 7 Leads
Size / Dimension: 0.94" L x 0.54" W x 0.31" H (24.0mm x 13.7mm x 8.0mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 75V
Efficiency: 77%
Current - Output (Max): 300mA, 300mA
Voltage - Input (Min): 18V
Voltage - Output 1: 5V
Voltage - Output 2: -5V
Control Features: Enable, Active High
Power (Watts): 3 W
Number of Outputs: 2
Voltage - Isolation: 1.5 kV
Standard Number: 62368-1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC0348D12

Description: DC DC CONVERTER +/-12V 3W
Packaging: Bulk
Features: Remote On/Off, OCP, SCP, UVLO
Package / Case: 16-SMD Module, 7 Leads
Size / Dimension: 0.94" L x 0.54" W x 0.31" H (24.0mm x 13.7mm x 8.0mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 75V
Efficiency: 80%
Current - Output (Max): 125mA, 125mA
Voltage - Input (Min): 18V
Voltage - Output 1: 12V
Voltage - Output 2: -12V
Control Features: Enable, Active High
Part Status: Active
Power (Watts): 3 W
Number of Outputs: 2
Voltage - Isolation: 1.5 kV
Standard Number: 62368-1

на замовлення 26 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	2383.68 грн
5+	2227.19 грн
10+	2158.24 грн
25+	1939.24 грн

В кошику од. на суму грн.

ISC0348D15

Description: DC DC CONVERTER +/-15V 3W
Packaging: Bulk
Features: Remote On/Off, OCP, SCP, UVLO
Package / Case: 16-SMD Module, 7 Leads
Size / Dimension: 0.94" L x 0.54" W x 0.31" H (24.0mm x 13.7mm x 8.0mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 75V
Efficiency: 80%
Current - Output (Max): 100mA, 100mA
Voltage - Input (Min): 18V
Voltage - Output 1: 15V
Voltage - Output 2: -15V
Control Features: Enable, Active High
Part Status: Active
Power (Watts): 3 W
Number of Outputs: 2
Voltage - Isolation: 1.5 kV
Standard Number: 62368-1

на замовлення 27 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	2044.27 грн
5+	1907.19 грн
10+	1845.74 грн
25+	1655.21 грн

В кошику од. на суму грн.

ISC0348S05

Isolated DC/DC Converters - SMD DC-DC, 3W SMD, 4:1 INPUT, REG

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	2082.45 грн
5+	1991.03 грн
10+	1677.70 грн
30+	1606.46 грн
100+	1499.20 грн

В кошику од. на суму грн.

ISC0348S05

Description: DC DC CONVERTER 5V 3W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC0348S05

Description: DC DC CONVERTER 5V 3W

на замовлення 161 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ISC0348S05-TR

Description: DC DC CONVERTER 5V 3W
Packaging: Bulk
Features: Remote On/Off, OCP, SCP, UVLO
Package / Case: 16-SMD Module, 7 Leads
Size / Dimension: 0.94" L x 0.54" W x 0.32" H (24.0mm x 13.7mm x 8.3mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (With Derating)
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 75V
Approval Agency: CE, UKCA, UL
Efficiency: 78%
Current - Output (Max): 600mA
Voltage - Input (Min): 18V
Voltage - Output 1: 5V
Control Features: Enable, Active High
Power (Watts): 3 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 1.5 kV
Standard Number: 60950-1; 62368-1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC0348S05-TR

Description: DC DC CONVERTER 5V 3W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Remote On/Off, OCP, SCP, UVLO
Package / Case: 16-SMD Module, 7 Leads
Size / Dimension: 0.94" L x 0.54" W x 0.32" H (24.0mm x 13.7mm x 8.3mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (With Derating)
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 75V
Approval Agency: CE, UKCA, UL
Efficiency: 78%
Current - Output (Max): 600mA
Voltage - Input (Min): 18V
Voltage - Output 1: 5V
Control Features: Enable, Active High
Power (Watts): 3 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 1.5 kV
Standard Number: 60950-1; 62368-1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC0348S12

Description: DC DC CONVERTER 12V 3W

на замовлення 220 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ISC0348S12

Description: DC DC CONVERTER 12V 3W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC0348S12-TR

Description: DC DC CONVERTER 12V 3W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Remote On/Off, OCP, SCP, UVLO
Package / Case: 16-SMD Module, 7 Leads
Size / Dimension: 0.94" L x 0.54" W x 0.32" H (24.0mm x 13.7mm x 8.3mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (With Derating)
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 75V
Approval Agency: CE, UKCA, UL
Efficiency: 80%
Current - Output (Max): 250mA
Voltage - Input (Min): 18V
Voltage - Output 1: 12V
Control Features: Enable, Active High
Part Status: Active
Power (Watts): 3 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 1.5 kV
Standard Number: 60950-1; 62368-1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC0348S12-TR

Description: DC DC CONVERTER 12V 3W
Packaging: Bulk
Features: Remote On/Off, OCP, SCP, UVLO
Package / Case: 16-SMD Module, 7 Leads
Size / Dimension: 0.94" L x 0.54" W x 0.32" H (24.0mm x 13.7mm x 8.3mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (With Derating)
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 75V
Approval Agency: CE, UKCA, UL
Efficiency: 80%
Current - Output (Max): 250mA
Voltage - Input (Min): 18V
Voltage - Output 1: 12V
Control Features: Enable, Active High
Part Status: Active
Power (Watts): 3 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 1.5 kV
Standard Number: 60950-1; 62368-1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC0348S12-TR

Description: DC DC CONVERTER 12V 3W
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Remote On/Off, OCP, SCP, UVLO
Package / Case: 16-SMD Module, 7 Leads
Size / Dimension: 0.94" L x 0.54" W x 0.32" H (24.0mm x 13.7mm x 8.3mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (With Derating)
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 75V
Approval Agency: CE, UKCA, UL
Efficiency: 80%
Current - Output (Max): 250mA
Voltage - Input (Min): 18V
Voltage - Output 1: 12V
Control Features: Enable, Active High
Part Status: Active
Power (Watts): 3 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 1.5 kV
Standard Number: 60950-1; 62368-1

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1932.57 грн

В кошику од. на суму грн.

ISC0348S15

Description: DC DC CONVERTER 15V 3W

на замовлення 95 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ISC0348S15

Description: DC DC CONVERTER 15V 3W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC0348S15-TR

Description: DC DC CONVERTER 15V 3W
Features: Remote On/Off, OCP, SCP, UVLO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SMD Module, 7 Leads
Size / Dimension: 0.94" L x 0.54" W x 0.32" H (24.0mm x 13.7mm x 8.3mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (With Derating)
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 75V
Approval Agency: CE, UKCA, UL
Efficiency: 80%
Current - Output (Max): 200mA
Voltage - Input (Min): 18V
Voltage - Output 1: 15V
Control Features: Enable, Active High
Power (Watts): 3 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 1.5 kV
Standard Number: 60950-1; 62368-1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC0348S15-TR

Description: DC DC CONVERTER 15V 3W
Packaging: Bulk
Features: Remote On/Off, OCP, SCP, UVLO
Package / Case: 16-SMD Module, 7 Leads
Size / Dimension: 0.94" L x 0.54" W x 0.32" H (24.0mm x 13.7mm x 8.3mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (With Derating)
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 75V
Approval Agency: CE, UKCA, UL
Efficiency: 80%
Current - Output (Max): 200mA
Voltage - Input (Min): 18V
Voltage - Output 1: 15V
Control Features: Enable, Active High
Power (Watts): 3 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 1.5 kV
Standard Number: 60950-1; 62368-1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC0348S24

Description: DC DC CONVERTER 24V 3W
Packaging: Bulk
Features: Remote On/Off, OCP, SCP, UVLO
Package / Case: 16-SMD Module, 7 Leads
Size / Dimension: 0.94" L x 0.54" W x 0.31" H (24.0mm x 13.7mm x 8.0mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 75V
Efficiency: 80%
Current - Output (Max): 125mA
Voltage - Input (Min): 18V
Voltage - Output 1: 24V
Control Features: Enable, Active High
Power (Watts): 3 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 1.5 kV
Standard Number: 62368-1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC0348S3V3

Description: DC DC CONVERTER 3.3V 3W
Packaging: Bulk
Features: Remote On/Off, OCP, SCP, UVLO
Package / Case: 16-SMD Module, 7 Leads
Size / Dimension: 0.94" L x 0.54" W x 0.31" H (24.0mm x 13.7mm x 8.0mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 75V
Efficiency: 75%
Current - Output (Max): 600mA
Voltage - Input (Min): 18V
Voltage - Output 1: 3.3V
Control Features: Enable, Active High
Power (Watts): 3 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 1.5 kV
Standard Number: 62368-1

на замовлення 13 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	2217.44 грн
5+	2071.78 грн
10+	2007.66 грн

В кошику од. на суму грн.

ISC035N10NM5LF2ATMA1

Description: ISC035N10NM5LF2ATMA1 MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 164A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC035N10NM5LF2ATMA1

ISC035N10NM5LF2ATMA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC035N10NM5LF2ATMA1

MOSFETs IFX FET >80 - 100V

на замовлення 5804 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	388.47 грн
10+	254.06 грн
100+	175.29 грн
500+	155.28 грн
1000+	133.67 грн
2500+	125.67 грн

В кошику од. на суму грн.

ISC035N10NM5LF2ATMA1

Description: ISC035N10NM5LF2ATMA1 MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 164A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 50 V

на замовлення 3094 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	355.86 грн
10+	227.12 грн
100+	161.54 грн
500+	142.59 грн

В кошику од. на суму грн.

ISC035N10NM5LF2ATMA1

Description: INFINEON - ISC035N10NM5LF2ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 164 A, 0.0035 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 164A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 217W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4052 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	381.61 грн
10+	274.76 грн
100+	195.75 грн
500+	160.92 грн
1000+	145.46 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ISC035N10NM5LFATMA1

MOSFET

на замовлення 300 шт:

термін постачання 217-226 дні (днів)

2+	350.19 грн
10+	289.96 грн
25+	238.53 грн
100+	204.11 грн
250+	192.90 грн
500+	180.90 грн
1000+	154.48 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

ISC035N10NM5LFATMA1

Description: OPTIMOSTM5LINEARFET100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 164A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC035N10NM5LFATMA1

Description: OPTIMOSTM5LINEARFET100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 164A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC036N04NM5ATMA1

Description: 40V 3.6M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 49A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V

на замовлення 3238 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	107.37 грн
10+	64.78 грн
100+	42.91 грн
500+	31.46 грн
1000+	27.83 грн
2000+	26.24 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

ISC036N04NM5ATMA1

Description: INFINEON - ISC036N04NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 98 A, 0.0027 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 124 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	111.34 грн
13+	73.09 грн
100+	46.96 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

ISC036N04NM5ATMA1

Description: 40V 3.6M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 49A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC036N04NM5ATMA1

MOSFETs N

на замовлення 3570 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	84.23 грн
10+	68.85 грн
100+	46.58 грн
500+	39.46 грн
1000+	30.34 грн
2500+	30.26 грн
5000+	28.66 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

ISC036N04NM5ATMA1

Description: INFINEON - ISC036N04NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 98 A, 0.0027 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 63W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0027ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 124 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	46.96 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ISC036N04NM5ATMA1

N Channel Power Mosfet

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC037N03L5ISATMA1

Description: INFINEON - ISC037N03L5ISATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 78 A, 0.0031 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 37W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0031ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 3053 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	24.42 грн
500+	19.43 грн
1000+	15.47 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ISC037N03L5ISATMA1

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ISC037N03L5ISATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 20A/78A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V

на замовлення 18934 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	58.88 грн
10+	49.61 грн
100+	38.03 грн
500+	28.21 грн
1000+	22.57 грн
2000+	20.46 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

ISC037N03L5ISATMA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 11435 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

13+	31.10 грн
16+	23.75 грн
100+	17.53 грн
250+	17.29 грн
500+	15.85 грн
1000+	13.69 грн
5000+	13.61 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

ISC037N03L5ISATMA1

Description: INFINEON - ISC037N03L5ISATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 78 A, 0.0031 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 3053 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	43.28 грн
26+	34.75 грн
100+	24.42 грн
500+	19.43 грн
1000+	15.47 грн

Мінімальне замовлення: 21

В кошику од. на суму грн.

ISC037N03L5ISATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	14.48 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

ISC037N03L5ISATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 20A/78A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	21.07 грн
10000+	19.54 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

ISC037N12NM6ATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 108 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	338.98 грн
10+	236.57 грн
100+	160.09 грн
2500+	120.86 грн
5000+	115.26 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

ISC037N12NM6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 120V 19.2A 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC037N12NM6ATMA1

Description: INFINEON - ISC037N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 163 A, 0.0037 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 163A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 4504 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	205.62 грн
500+	158.42 грн
1000+	143.15 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ISC037N12NM6ATMA1

Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.2A (Ta), 163A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 111µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 60 V

на замовлення 9319 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	302.18 грн
10+	204.69 грн
100+	161.05 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

ISC037N12NM6ATMA1

Description: INFINEON - ISC037N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 163 A, 0.0037 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 163A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 4504 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	432.80 грн
10+	284.64 грн
100+	205.62 грн
500+	158.42 грн
1000+	143.15 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ISC037N12NM6ATMA1

Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.2A (Ta), 163A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 111µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 60 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	136.64 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

ISC037N13NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 172A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 15V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 135 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 68 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC037N13NM6ATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 3932 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	327.78 грн
10+	243.93 грн
100+	159.29 грн
500+	148.88 грн
1000+	140.08 грн
5000+	135.27 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

ISC037N13NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 172A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 15V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 135 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 68 V

на замовлення 3780 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	307.38 грн
10+	223.29 грн
100+	167.44 грн
500+	154.01 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

ISC037N13NM6ATMA1

TRENCH >=100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC044N15NM6ATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 544 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	438.90 грн
10+	362.67 грн
100+	255.34 грн
500+	227.32 грн
1000+	194.50 грн
5000+	193.70 грн

В кошику од. на суму грн.

ISC044N15NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.1A (Ta), 156A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 15V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 75 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 75 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC044N15NM6ATMA1

ISC044N15NM6ATMA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC044N15NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.1A (Ta), 156A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 15V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 75 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 75 V

на замовлення 3640 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	413.88 грн
10+	320.84 грн
100+	259.89 грн

В кошику од. на суму грн.

ISC045N03L5SATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 18A/63A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 15 V

на замовлення 5431 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	66.67 грн
10+	40.02 грн
100+	25.93 грн
500+	18.64 грн
1000+	16.40 грн
2000+	15.26 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

ISC045N03L5SATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 18A/63A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC045N03L5SATMA1

Description: INFINEON - ISC045N03L5SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 63 A, 3800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4550 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	62.41 грн
23+	40.77 грн
100+	26.76 грн
500+	18.43 грн
1000+	13.93 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

ISC045N03L5SATMA1

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ISC045N03L5SATMA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 3755 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	64.25 грн
10+	41.42 грн
100+	23.61 грн
500+	18.09 грн
1000+	14.81 грн
2500+	14.65 грн
5000+	13.37 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

ISC045N03L5SATMA1

на замовлення 4550 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	26.76 грн
500+	18.43 грн
1000+	13.93 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ISC045N03L5SATMA1

RZ03-1C4-D024

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	10.65 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

ISC046N04NM5

Infineon

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC046N04NM5ATMA1

Description: INFINEON - ISC046N04NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 77 A, 3500 µohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 2977 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	92.49 грн
14+	66.00 грн
100+	44.36 грн
500+	32.35 грн
1000+	28.32 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

ISC046N04NM5ATMA1

Description: 40V 4.6M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 17µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 20 V

на замовлення 1355 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	121.22 грн
10+	73.79 грн
100+	49.30 грн
500+	36.40 грн
1000+	33.23 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ISC046N04NM5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	25.31 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

ISC046N04NM5ATMA1

Description: 40V 4.6M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 17µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC046N04NM5ATMA1

Description: INFINEON - ISC046N04NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 77 A, 3500 µohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 50W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0035ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 2977 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	44.36 грн
500+	32.35 грн
1000+	28.32 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ISC046N04NM5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC046N04NM5ATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 15536 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	106.46 грн
10+	85.33 грн
100+	58.27 грн
500+	49.47 грн
1000+	37.94 грн
2500+	37.86 грн
5000+	36.10 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

ISC046N13NM6ATMA1

TRENCH >=100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC046N13NM6ATMA1

Description: INFINEON - ISC046N13NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 135 V, 142 A, 0.0043 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

на замовлення 4995 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

150+	229.87 грн
250+	223.58 грн
1000+	200.94 грн
3000+	180.10 грн

Мінімальне замовлення: 150

В кошику од. на суму грн.

ISC046N13NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 142A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 50A, 15V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 135 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 68 V

на замовлення 4990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	385.30 грн
10+	246.63 грн
100+	176.08 грн
500+	157.68 грн

В кошику од. на суму грн.

ISC046N13NM6ATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 4813 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	352.99 грн
10+	233.81 грн
25+	196.91 грн
100+	168.09 грн
500+	160.89 грн
1000+	159.29 грн
5000+	136.07 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

ISC046N13NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 142A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 50A, 15V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 135 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 68 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC046N13NM6ATMA1

Description: INFINEON - ISC046N13NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 135 V, 142 A, 0.0043 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 135V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 142A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 211W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 4995 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	309.78 грн
50+	229.87 грн
250+	223.58 грн
1000+	200.94 грн
3000+	180.10 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

ISC052N03LF2SATMA1

TRENCH <= 40V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	63.03 грн
10+	44.00 грн
100+	26.09 грн
500+	21.85 грн
1000+	18.57 грн
2500+	16.81 грн
5000+	15.61 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

ISC052N03LF2SATMA1

Description: ISC052N03LF2SATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-62
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC052N03LF2SATMA1

Description: ISC052N03LF2SATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-62
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC055N15NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A (Ta), 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 50A, 15V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 75 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC055N15NM6ATMA1

ISC055N15NM6ATMA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC055N15NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A (Ta), 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 50A, 15V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 75 V

на замовлення 234 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	430.33 грн
10+	277.40 грн
100+	199.39 грн

В кошику од. на суму грн.

ISC055N15NM6ATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 934 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	430.50 грн
10+	327.70 грн
25+	253.74 грн
100+	221.72 грн
250+	204.11 грн
500+	192.90 грн
1000+	179.30 грн

В кошику од. на суму грн.

ISC056N08NM6ATMA1

N-channel MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC058N04NM5ATMA1

Description: INFINEON - ISC058N04NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 63 A, 4500 µohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 42W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0045ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4701 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	39.60 грн
500+	26.76 грн
1000+	20.63 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ISC058N04NM5ATMA1

Description: 40V 5.8M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 20 V

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	21.45 грн
10000+	19.38 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

ISC058N04NM5ATMA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 5932 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	78.07 грн
10+	59.65 грн
100+	37.78 грн
500+	32.42 грн
1000+	28.34 грн
2500+	26.25 грн
5000+	24.49 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

ISC058N04NM5ATMA1

Description: INFINEON - ISC058N04NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 63 A, 4500 µohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4701 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	69.14 грн
18+	50.46 грн
100+	39.60 грн
500+	26.76 грн
1000+	20.63 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

ISC058N04NM5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 17A 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC058N04NM5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 17A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	29.70 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

ISC058N04NM5ATMA1

Description: 40V 5.8M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 20 V

на замовлення 43823 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	91.78 грн
10+	55.61 грн
100+	36.64 грн
500+	26.75 грн
1000+	24.29 грн
2000+	22.27 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

ISC0602NLSATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 14A/66A TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 29µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 40 V

на замовлення 10539 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	142.86 грн
10+	93.05 грн
100+	65.97 грн
500+	50.59 грн
1000+	46.89 грн
2000+	45.18 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ISC0602NLSATMA1

Description: INFINEON - ISC0602NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 66 A, 0.0071 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 60W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0071ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 1932 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	117.63 грн
250+	81.71 грн
1000+	51.61 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ISC0602NLSATMA1

Power-Transistor 80V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC0602NLSATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 14A/66A TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 29µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 40 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	50.00 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

ISC0602NLSATMA1

Description: INFINEON - ISC0602NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 66 A, 7300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 5112 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	191.26 грн
50+	124.81 грн
250+	83.87 грн
1000+	59.95 грн
3000+	55.26 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

ISC0602NLSATMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

на замовлення 9212 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	130.74 грн
10+	106.78 грн
100+	74.04 грн
250+	68.36 грн
500+	62.03 грн
1000+	53.15 грн
2500+	50.51 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ISC0603NLSATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 12.3A/56A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.3A (Ta), 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 24µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 40 V

на замовлення 6987 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	140.27 грн
10+	120.73 грн
100+	94.13 грн
500+	72.98 грн
1000+	57.61 грн
2000+	53.77 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ISC0603NLSATMA1

Description: INFINEON - ISC0603NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 56 A, 0.0085 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 52W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0085ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 6082 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	70.20 грн
1000+	56.26 грн
5000+	45.87 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

ISC0603NLSATMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

на замовлення 3351 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	171.83 грн
10+	152.80 грн
100+	104.06 грн
500+	85.65 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ISC0603NLSATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 12.3A/56A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.3A (Ta), 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 24µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 40 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	56.53 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

ISC0603NLSATMA1

Description: INFINEON - ISC0603NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 56 A, 0.0085 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 6082 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	125.71 грн
10+	97.87 грн
100+	83.24 грн
500+	70.20 грн
1000+	56.26 грн
5000+	45.87 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

ISC0604NLSATMA1

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC0604NLSATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC0605NLSATMA1

TRENCH 40<-<100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC0605NLSATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 40 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC060N06NM6ATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC060N10NM6ATMA1

Description: INFINEON - ISC060N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 97 A, 5100 µohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 97A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC060N10NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V PG-TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V

на замовлення 3271 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	216.46 грн
10+	135.32 грн
100+	93.31 грн
500+	72.38 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

ISC060N10NM6ATMA1

Description: INFINEON - ISC060N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 97 A, 5100 µohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 97A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0051ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC060N10NM6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 15A T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	71.91 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

ISC060N10NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V PG-TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC060N10NM6ATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 12728 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	212.91 грн
10+	143.60 грн
100+	89.65 грн
500+	74.36 грн
1000+	70.92 грн
2500+	68.76 грн
5000+	62.67 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

ISC0702NLSATMA1

Description: INFINEON - ISC0702NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 135 A, 0.0023 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 135A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 2785 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	167.01 грн
10+	114.04 грн
100+	79.11 грн
500+	59.37 грн
1000+	47.95 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

ISC0702NLSATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC0702NLSATMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 9152 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	179.30 грн
10+	115.98 грн
100+	73.16 грн
250+	67.64 грн
500+	59.47 грн
1000+	50.67 грн
5000+	50.11 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ISC0702NLSATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 23A/135A TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 135A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 38µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 30 V

на замовлення 6498 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	170.57 грн
10+	105.06 грн
100+	71.47 грн
500+	53.58 грн
1000+	51.88 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ISC0702NLSATMA1

Description: INFINEON - ISC0702NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 135 A, 0.0023 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 135A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 100W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0023ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 2785 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	79.11 грн
500+	59.37 грн
1000+	47.95 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ISC0702NLSATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 23A/135A TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 135A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 38µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 30 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	46.90 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

ISC0703NLSATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 13A/57A TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 30 V

на замовлення 13765 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	123.82 грн
10+	75.46 грн
100+	50.26 грн
500+	37.03 грн
1000+	33.76 грн
2000+	31.02 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ISC0703NLSATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 13A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 1578 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

177+	76.58 грн

Мінімальне замовлення: 177

В кошику од. на суму грн.

ISC0703NLSATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 13A 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC0703NLSATMA1

Description: INFINEON - ISC0703NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 57 A, 0.0058 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 57A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 44W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 3269 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	123.91 грн
50+	78.12 грн
250+	55.04 грн
1000+	35.69 грн
3000+	31.32 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

ISC0703NLSATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 13A/57A TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 30 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	31.04 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

ISC0703NLSATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 13A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 1965 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

109+	116.58 грн
167+	76.20 грн
200+	75.01 грн
500+	49.20 грн
1000+	43.14 грн

Мінімальне замовлення: 109

В кошику од. на суму грн.

ISC0703NLSATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 13A T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC0703NLSATMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 7998 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	121.40 грн
10+	75.20 грн
25+	63.87 грн
100+	44.26 грн
500+	35.14 грн
1000+	30.82 грн
2500+	30.42 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

ISC0703NLSATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 13A 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC0703NLSATMA1

Description: INFINEON - ISC0703NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 57 A, 0.0058 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 57A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 44W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 44W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0058ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 3269 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	78.12 грн
250+	55.04 грн
1000+	35.69 грн
3000+	31.32 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ISC073N12LM6ATMA1

Description: INFINEON - ISC073N12LM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 86 A, 0.0073 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0073ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 4284 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	255.01 грн
10+	155.34 грн
100+	112.24 грн
500+	86.71 грн
1000+	76.89 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

ISC073N12LM6ATMA1

Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Ta), 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 60 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC073N12LM6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 120V 13.4A 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC073N12LM6ATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 3801 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	234.39 грн
10+	162.93 грн
100+	99.25 грн
500+	82.44 грн
1000+	77.08 грн
5000+	72.76 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

ISC073N12LM6ATMA1

на замовлення 4284 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	112.24 грн
500+	86.71 грн
1000+	76.89 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ISC073N12LM6ATMA1

Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Ta), 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 60 V

на замовлення 2889 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	235.51 грн
10+	160.09 грн
100+	111.39 грн
500+	89.72 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

ISC078N12NM6ATMA1

N-channel MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC078N12NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.2A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 37A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 49.6µA
Supplier Device Package: SuperSO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 60 V

на замовлення 4885 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	245.04 грн
10+	153.33 грн
100+	106.06 грн
500+	80.57 грн
1000+	74.48 грн
2000+	70.22 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

ISC078N12NM6ATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 1963 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	263.34 грн
10+	170.29 грн
100+	103.26 грн
500+	85.65 грн
1000+	82.44 грн
5000+	74.20 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

ISC078N12NM6ATMA1

Description: INFINEON - ISC078N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 85 A, 7800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4667 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	257.70 грн
10+	168.81 грн
100+	117.63 грн
500+	90.88 грн
1000+	82.35 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

ISC078N12NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.2A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 37A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 49.6µA
Supplier Device Package: SuperSO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 60 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC078N12NM6ATMA1

на замовлення 4667 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	117.63 грн
500+	90.88 грн
1000+	82.35 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ISC079N15NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.8A (Ta), 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 36A, 15V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 77µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 75 V

на замовлення 4622 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	332.49 грн
10+	226.04 грн
100+	175.22 грн
500+	138.57 грн
1000+	128.58 грн
2000+	127.47 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

ISC079N15NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.8A (Ta), 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 36A, 15V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 77µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 75 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC079N15NM6ATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 1826 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	315.64 грн
10+	229.20 грн
25+	176.89 грн
100+	154.48 грн
250+	141.68 грн
500+	133.67 грн
1000+	123.27 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

ISC0802NLSATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 1034 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	253.07 грн
10+	207.11 грн
100+	143.28 грн
250+	140.08 грн
500+	121.67 грн
1000+	98.45 грн
5000+	94.45 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

ISC0802NLSATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 22A/150A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 92µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5190 pF @ 50 V

на замовлення 6839 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	156.72 грн
10+	96.55 грн
100+	65.44 грн
500+	48.91 грн
1000+	46.64 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ISC0802NLSATMA1

ISC0802NLSATMA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC0802NLSATMA1

Description: INFINEON - ISC0802NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 A, 0.0033 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4932 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	113.14 грн
250+	85.75 грн
1000+	66.79 грн
3000+	55.88 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ISC0802NLSATMA1

SP005430372

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC0802NLSATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 22A/150A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 92µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5190 pF @ 50 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	42.17 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

ISC0802NLSATMA1

Description: INFINEON - ISC0802NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 A, 0.0033 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4932 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	154.44 грн
50+	113.14 грн
250+	85.75 грн
1000+	66.79 грн
3000+	55.88 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

ISC0803NLSATMA1

Description: TRENCH >=100V PG-TDSON-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC0803NLSATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 906 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	136.34 грн
10+	121.51 грн
100+	82.44 грн
500+	67.72 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ISC0803NLSATMA1

Description: INFINEON - ISC0803NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 37 A, 0.016 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 3793 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	113.14 грн
12+	79.29 грн
100+	61.15 грн
500+	46.69 грн
1000+	35.10 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

ISC0803NLSATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 8.8A 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC0803NLSATMA1

Description: TRENCH >=100V PG-TDSON-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC0803NLSATMA1

Description: INFINEON - ISC0803NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 37 A, 0.016 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 43W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.016ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 3793 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	46.69 грн
1000+	35.10 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

ISC0804NLSATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 12A/59A TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 28µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 50 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	53.68 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

ISC0804NLSATMA1

Description: INFINEON - ISC0804NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 59 A, 0.0103 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 363 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	178.69 грн
50+	120.32 грн
250+	83.24 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

ISC0804NLSATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 4998 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	167.16 грн
10+	148.20 грн
100+	103.26 грн
500+	84.85 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ISC0804NLSATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 12A/59A TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 28µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 50 V

на замовлення 8951 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	123.82 грн
10+	98.97 грн
100+	78.75 грн
500+	62.54 грн
1000+	53.06 грн
2000+	50.41 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ISC0804NLSATMA1

Description: INFINEON - ISC0804NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 59 A, 0.0103 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 60W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0103ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 363 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ISC0805NLSATMA1

Description: INFINEON - ISC0805NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 71 A, 0.0072 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 74W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0072ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 2987 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	94.28 грн
500+	70.04 грн
1000+	55.26 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ISC0805NLSATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 774 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	165.29 грн
10+	135.31 грн
100+	93.65 грн
500+	79.64 грн
1000+	67.24 грн
2500+	63.79 грн
5000+	61.71 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ISC0805NLSATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 13A/71A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-46
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC0805NLSATMA1

Description: INFINEON - ISC0805NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 71 A, 0.0072 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 2987 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	195.75 грн
10+	129.30 грн
100+	94.28 грн
500+	70.04 грн
1000+	55.26 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

ISC0805NLSATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 13A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	59.58 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

ISC0805NLSATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 13A/71A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-46
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 50 V

на замовлення 2293 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	117.76 грн
10+	71.79 грн
100+	47.87 грн
500+	35.30 грн
1000+	32.20 грн
2000+	31.22 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ISC0806NLSATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 16A/97A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 61µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 50 V

на замовлення 4756 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	253.69 грн
10+	158.92 грн
100+	110.14 грн
500+	83.82 грн
1000+	77.55 грн
2000+	73.69 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

ISC0806NLSATMA1

N Channel Power Mosfet

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	80.40 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

ISC0806NLSATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 16A/97A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 61µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISC0806NLSATMA1

Description: INFINEON - ISC0806NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 97 A, 5000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 97A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 96W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.005ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4334 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	121.22 грн
500+	86.71 грн
1000+	68.42 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ISC0806NLSATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 9803 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	204.51 грн
10+	149.12 грн
100+	93.65 грн
500+	77.40 грн
1000+	76.60 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

ISC080N10NM6ATMA1

SP005409473

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	54.26 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

ISC080N10NM6ATMA1

Description: INFINEON - ISC080N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 8050 µohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8050µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 2715 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	194.85 грн
50+	125.71 грн
250+	85.39 грн
1000+	61.28 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

ISC080N10NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V PG-TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.05mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V

на замовлення 9213 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	169.71 грн
10+	104.81 грн
100+	71.28 грн
500+	53.43 грн
1000+	51.70 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ISC080N10NM6ATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 1873 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	182.10 грн
10+	115.98 грн
100+	68.12 грн
500+	54.43 грн
1000+	52.67 грн
2500+	51.87 грн
5000+	44.74 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ISC080N10NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V PG-TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.05mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	46.74 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

ISC080N10NM6ATMA1

Description: INFINEON - ISC080N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 8050 µohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 100W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0071ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8050µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 2715 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	125.71 грн
250+	85.39 грн
1000+	61.28 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ISC088N08NM6ATMA1