Продукція > SiH

Description: INFRARED EMITTER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIH-34ST3FM

Description: INFRARED EMITTER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIH-34ST3FN

Description: INFRARED EMITTER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIH-34ST3FP

Description: INFRARED EMITTER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIH2131

на замовлення 140 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIH2131X01

на замовлення 162 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIH2131X01-XO

на замовлення 6487 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIH2131X01-XOBL

на замовлення 36 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIH2915

на замовлення 338 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIH2985B01-SO

на замовлення 193 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIH32A-101

на замовлення 545 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIH34ST3F

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIH42-101

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIH42-151

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIH42-331

на замовлення 27000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIH42-4R7

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIHA100N60E-GE3

Description: VISHAY - SIHA100N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.1 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 803 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	374.55 грн
10+	205.68 грн
100+	187.27 грн
500+	137.48 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIHA100N60E-GE3

MOSFETs 600V Vds; +/-30V Vgs Thin-Lead TO-220

на замовлення 395 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	314.53 грн
10+	268.22 грн
25+	207.17 грн
100+	194.82 грн
500+	165.32 грн
1000+	153.66 грн
2000+	150.23 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHA100N60E-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1851 pF @ 100 V

на замовлення 905 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	419.82 грн
50+	213.05 грн
100+	194.58 грн
500+	152.26 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHA105N60EF-GE3

MOSFETs E Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode

на замовлення 845 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	141.66 грн
1000+	139.63 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIHA105N60EF-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1804 pF @ 100 V

на замовлення 983 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	323.36 грн
50+	161.15 грн
100+	146.67 грн
500+	113.84 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHA105N60EF-GE3

Description: VISHAY - SIHA105N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.088 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF IV Gen
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.088ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 236 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	300.92 грн
10+	231.29 грн
100+	187.27 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIHA11N80AE-GE3

Description: MOSFET N-CH 800V 8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 804 pF @ 100 V

на замовлення 718 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	182.90 грн
50+	86.73 грн
100+	78.07 грн
500+	59.02 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHA11N80AE-GE3

Description: VISHAY - SIHA11N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.391 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.391ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	87.23 грн
500+	73.27 грн
1000+	59.20 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIHA11N80AE-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 800V TO-220FP

на замовлення 1992 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	120.85 грн
10+	80.47 грн
100+	64.28 грн
500+	58.31 грн
2000+	57.69 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIHA11N80AE-GE3

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	162.46 грн
10+	121.65 грн
100+	87.23 грн
500+	73.27 грн
1000+	59.20 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIHA11N80E-GE3

Trans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA11N80E-GE3

MOSFETs 800V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

на замовлення 953 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	276.11 грн
10+	128.59 грн
100+	109.07 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHA11N80E-GE3

Description: VISHAY - SIHA11N80E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 12 A, 0.44 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.44ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 895 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	139.26 грн
10+	119.25 грн
100+	114.45 грн
500+	101.07 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SIHA11N80E-GE3

Description: MOSFET N-CH 800V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 100 V

на замовлення 1081 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	300.98 грн
50+	148.93 грн
100+	135.33 грн
500+	104.66 грн
1000+	97.48 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHA11N80E-GE3

Trans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

99+	130.28 грн
109+	118.88 грн
116+	110.92 грн
500+	106.79 грн
1000+	98.81 грн

Мінімальне замовлення: 99

В кошику од. на суму грн.

SIHA11N80E-GE3

Trans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	139.58 грн
25+	127.38 грн
100+	118.84 грн
500+	114.42 грн
1000+	105.86 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SIHA120N60E-GE3

MOSFETs 650V Vds; 30V Vgs TO-220

на замовлення 914 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	415.37 грн
10+	274.53 грн
100+	172.18 грн
500+	161.89 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHA120N60E-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1562 pF @ 100 V

на замовлення 952 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	401.30 грн
10+	258.69 грн
100+	186.52 грн
500+	146.15 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHA120N60E-GE3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; Idm: 66A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 45nC
Pulsed drain current: 66A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA125N60EF

Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA125N60EF-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA125N60EF-GE3

Description: VISHAY - SIHA125N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.125 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 896 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	368.15 грн
10+	192.08 грн
100+	175.27 грн
500+	124.11 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIHA125N60EF-GE3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 66A; 179W; TO220FP
Polarisation: unipolar
Gate charge: 47nC
On-state resistance: 0.125Ω
Drain current: 7A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 179W
Pulsed drain current: 66A
Case: TO220FP
Drain-source voltage: 600V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: THT

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA125N60EF-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA125N60EF-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA125N60EF-GE3

MOSFETs TO220 600V 11A N-CH MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA125N60EF-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1533 pF @ 100 V

на замовлення 980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	351.91 грн
50+	177.02 грн
100+	161.37 грн
500+	125.71 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHA12N50E-E3

MOSFETs 500V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

на замовлення 449 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	180.07 грн
10+	115.18 грн
100+	69.28 грн
500+	55.02 грн
1000+	52.14 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHA12N50E-E3

Description: MOSFET N-CH 500V 10.5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 886 pF @ 100 V

на замовлення 982 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	172.87 грн
10+	107.68 грн
100+	73.82 грн
500+	55.70 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHA12N50E-E3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.6A; Idm: 21A; 32W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 50nC
On-state resistance: 0.38Ω
Kind of channel: enhancement
Drain current: 6.6A
Pulsed drain current: 21A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 500V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA12N50E-E3

Trans MOSFET N-CH 500V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA12N50E-GE3

Description: N-CHANNEL 500V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 886 pF @ 100 V

на замовлення 909 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	172.10 грн
10+	106.94 грн
100+	73.31 грн
500+	55.30 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHA12N50E-GE3

Description: VISHAY - SIHA12N50E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 10.5 A, 0.33 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 26 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	54.10 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

SIHA12N50E-GE3

MOSFETs TO220 500V 10.5A N-CH

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA12N50E-GE3

Description: N-CHANNEL 500V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 886 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA12N60E-E3

Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 937 pF @ 100 V

на замовлення 814 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	216.09 грн
50+	103.85 грн
100+	93.79 грн
500+	71.45 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHA12N60E-E3

Description: VISHAY - SIHA12N60E-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.38 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 761 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	238.50 грн
10+	119.25 грн
25+	115.25 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIHA12N60E-E3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

на замовлення 432 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	224.09 грн
10+	110.44 грн
100+	81.63 грн
500+	70.66 грн
1000+	69.97 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHA12N60E-GE3

MOSFETs TO220 600V 12A N-CH MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA12N60E-GE3

Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 937 pF @ 100 V

на замовлення 998 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	216.09 грн
10+	135.11 грн
100+	93.79 грн
500+	71.45 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHA12N60E-GE3

Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 937 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SiHA14N60E-E3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

на замовлення 437 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	225.69 грн
10+	143.58 грн
100+	89.18 грн
500+	69.97 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SiHA14N60E-E3

Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 13A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 309mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA14N60E-GE3

MOSFETs TO220 600V 13A N-CH MOSFET

на замовлення 986 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	213.69 грн
10+	104.92 грн
100+	84.38 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHA14N60E-GE3

Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 309mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205 pF @ 100 V

на замовлення 2890 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	206.05 грн
50+	98.77 грн
100+	89.11 грн
500+	67.74 грн
1000+	62.64 грн
2000+	58.35 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHA150N60E-GE3

Description: E SERIES POWER MOSFET THIN-LEAD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1514 pF @ 100 V

на замовлення 1960 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	297.89 грн
10+	189.50 грн
100+	134.30 грн
500+	103.93 грн
1000+	96.83 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHA150N60E-GE3

MOSFETs 600Vds 30V Vgs TO-220

на замовлення 945 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	272.91 грн
10+	191.70 грн
100+	120.05 грн
500+	100.15 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHA150N60E-GE3

Description: VISHAY - SIHA150N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.155 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 46 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	304.12 грн
10+	221.69 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SiHA155N60EF

MOSFET E Series Power MOSFET Thin-Lead TO-220 FULLPAK, 157 mohm a. 10V

на замовлення 50 шт:

термін постачання 386-395 дні (днів)

2+	280.11 грн
10+	247.71 грн
100+	176.98 грн
500+	150.23 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHA155N60EF-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 600V

на замовлення 2268 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	305.72 грн
10+	206.69 грн
100+	128.28 грн
500+	105.64 грн
1000+	100.84 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHA155N60EF-GE3

Description: E SERIES POWER MOSFET THIN-LEAD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 89mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1465 pF @ 100 V

на замовлення 1815 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	304.84 грн
10+	194.11 грн
100+	137.62 грн
500+	106.54 грн
1000+	99.28 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHA15N50E-E3

Description: MOSFET N-CH 500V 14.5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1162 pF @ 100 V

на замовлення 108 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	194.48 грн
10+	121.43 грн
100+	83.82 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHA15N50E-E3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 9.2A; Idm: 28A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 9.2A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA15N50E-E3

MOSFETs 500V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA15N50E-GE3

MOSFETs TO220 500V 14.5A N-CH MOSFET

на замовлення 944 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	202.48 грн
10+	153.83 грн
100+	107.70 грн
500+	99.47 грн
1000+	60.92 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHA15N50E-GE3

Description: N-CHANNEL 500V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1162 pF @ 100 V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	192.16 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHA15N50E-GE3

Description: VISHAY - SIHA15N50E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 14.5 A, 0.243 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.243ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 1457 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	174.47 грн
10+	167.27 грн
100+	143.26 грн
500+	106.27 грн
1000+	53.71 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIHA15N50E-GE3

Description: N-CHANNEL 500V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1162 pF @ 100 V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	64.33 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

SIHA15N60E-E3

Description: MOSFET N-CH 600V 15A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA15N60E-E3

Description: VISHAY - SIHA15N60E-E3 - MOSFET, N CHANNEL, 600V, 15A, TO-220F
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 15
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 34
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 34
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Kanaltyp: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.23
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23
SVHC: Lead

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA15N60E-E3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.6A; Idm: 39A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 437 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

2+	283.85 грн
5+	220.20 грн
10+	188.27 грн
25+	160.52 грн
50+	148.63 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHA15N60E-E3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

на замовлення 680 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	263.31 грн
10+	169.61 грн
100+	108.39 грн
500+	89.86 грн
1000+	85.06 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHA15N60E-E3

на замовлення 437 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	236.54 грн
5+	176.71 грн
10+	156.89 грн
25+	133.77 грн
50+	123.86 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHA15N60E-GE3

Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 100 V

на замовлення 990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	248.50 грн
10+	156.66 грн
100+	109.71 грн
500+	90.91 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHA15N60E-GE3

MOSFETs TO220 600V 15A N-CH MOSFET

на замовлення 815 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	257.70 грн
10+	166.46 грн
100+	101.53 грн
500+	89.86 грн
1000+	84.38 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHA15N60E-GE3

E Series Power MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA15N60E-GE3

Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA15N65E-GE3

MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

на замовлення 805 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	303.32 грн
10+	195.64 грн
100+	133.08 грн
500+	111.82 грн
1000+	98.10 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHA15N65E-GE3

Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

на замовлення 971 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	139.40 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SIHA15N65E-GE3

Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA15N65E-GE3

Description: MOSFET N-CHANNEL 650V 15A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2460 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA15N80AE-GE3

Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	167.78 грн
10+	154.54 грн
25+	151.28 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIHA15N80AE-GE3

Description: MOSFET N-CH 800V 6A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1093 pF @ 100 V

на замовлення 768 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	188.30 грн
10+	136.96 грн
100+	95.18 грн
500+	72.58 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHA15N80AE-GE3

MOSFETs TO220 800V 6A N-CH MOSFET

на замовлення 3839 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	196.88 грн
10+	147.52 грн
100+	89.18 грн
500+	72.71 грн
1000+	71.34 грн
2000+	69.97 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHA15N80AE-GE3

Description: VISHAY - SIHA15N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.304 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.304ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 946 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	188.08 грн
10+	141.66 грн
100+	101.64 грн
500+	66.96 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIHA15N80AEF-GE3

Description: EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1128 pF @ 100 V

на замовлення 931 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	229.21 грн
50+	111.10 грн
100+	100.46 грн
500+	76.79 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHA15N80AEF-GE3

MOSFETs TO220 800V 6A N-CH MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA17N80AE-GE3

Description: VISHAY - SIHA17N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7 A, 0.25 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 840 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	116.85 грн
10+	101.64 грн
100+	95.24 грн
500+	78.03 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SIHA17N80AE-GE3

Trans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA17N80AE-GE3

Description: MOSFET N-CH 800V 7A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 100 V

на замовлення 997 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	230.75 грн
10+	145.14 грн
100+	101.14 грн
500+	77.30 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHA17N80AE-GE3

MOSFETs TO220 800V 7A N-CH MOSFET

на замовлення 1467 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	239.30 грн
10+	153.83 грн
100+	93.98 грн
500+	87.12 грн
1000+	81.63 грн
2000+	76.83 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHA17N80AE-GE3

Trans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	208.04 грн
10+	192.90 грн
25+	182.07 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIHA17N80AEF

Trans MOSFET N-CH 800V 6.5A

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIHA17N80AEF

Trans MOSFET N-CH 800V 6.5A

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	163.16 грн
10+	153.76 грн
25+	147.44 грн
50+	137.28 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIHA17N80AEF-GE3

Description: EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 305mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 100 V

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	263.93 грн
10+	166.62 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHA17N80AEF-GE3

MOSFETs TO220 800V 6.5A N-CH MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA17N80AEF-GE3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.1A; Idm: 32A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 305mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA17N80AEF-GE3

Description: VISHAY - SIHA17N80AEF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6.5 A, 0.305 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.305ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 2050 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	84.83 грн
100+	84.03 грн
500+	77.29 грн
1000+	70.66 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

SIHA17N80E-E3

Description: MOSFET N-CHANNEL 800V 15A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2408 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA17N80E-E3

MOSFETs 800V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA17N80E-GE3

Description: N-CHANNEL 800V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2408 pF @ 100 V

на замовлення 1980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	378.92 грн
10+	243.53 грн
100+	174.93 грн
500+	160.34 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHA17N80E-GE3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4A; Idm: 45A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Gate charge: 122nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA17N80E-GE3

Description: N-CHANNEL 800V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2408 pF @ 100 V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	144.95 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

SIHA17N80E-GE3

Description: VISHAY - SIHA17N80E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 15 A, 0.29 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 835 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	151.26 грн
10+	148.06 грн
100+	144.86 грн
500+	131.54 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SIHA17N80E-GE3

MOSFETs TO220 800V 15A N-CH MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA180N60E-GE3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

на замовлення 876 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	292.92 грн
10+	147.52 грн
100+	116.62 грн
500+	96.04 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHA180N60E-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 19A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1085 pF @ 100 V

на замовлення 950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	277.83 грн
50+	136.73 грн
100+	124.11 грн
500+	95.73 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHA180N60E-GE3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; Idm: 44A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 33nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA186N60EF

Trans MOSFET N-CH 600V 8.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA186N60EF-GE3

Description: VISHAY - SIHA186N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 8.4 A, 0.193 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.193ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 1005 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	308.12 грн
10+	241.70 грн
100+	207.28 грн
500+	173.90 грн
1000+	136.51 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIHA186N60EF-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 8.4A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 193mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA186N60EF-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 8.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA186N60EF-GE3

MOSFETs TO220 600V 8.4A N-CH MOSFET

на замовлення 1520 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	269.71 грн
10+	171.98 грн
100+	109.76 грн
500+	97.41 грн
1000+	91.92 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHA186N60EF-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 8.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA186N60EF-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 8.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA18N60E-E3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

на замовлення 791 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	302.52 грн
10+	194.85 грн
100+	133.08 грн
500+	111.82 грн
1000+	98.10 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHA18N60E-E3

Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 18A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 202mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA18N60E-GE3

Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 202mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 100 V

на замовлення 902 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	275.51 грн
10+	174.72 грн
100+	123.10 грн
500+	104.69 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHA18N60E-GE3

Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 202mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA18N60E-GE3

MOSFETs TO220 600V 18A N-CH MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA20N50E-E3

MOSFETs 500V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA20N50E-E3

Description: MOSFET N-CH 500V 19A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 184mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 100 V

на замовлення 994 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	240.01 грн
50+	116.65 грн
100+	105.56 грн
500+	80.83 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHA20N50E-E3

Description: VISHAY - SIHA20N50E-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 19 A, 0.16 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 909 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	84.03 грн
100+	81.63 грн
500+	73.87 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

SIHA20N50E-GE3

MOSFETs TO220 500V 19A N-CH MOSFET

на замовлення 2010 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	96.04 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIHA20N50E-GE3

Description: N-CHANNEL 500V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 184mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 100 V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	83.30 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

SIHA20N50E-GE3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; Idm: 42A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 42A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 184mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA20N50E-GE3

Description: N-CHANNEL 500V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 184mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 100 V

на замовлення 1754 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	240.78 грн
10+	151.60 грн
100+	105.96 грн
500+	87.21 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHA21N60EF-E3

Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 176mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA21N60EF-E3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA21N60EF-GE3

MOSFETs TO220 600V 9A N-CH MOSFET

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	339.34 грн
10+	222.47 грн
100+	137.88 грн
500+	124.85 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHA21N60EF-GE3

Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 176mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 100 V

на замовлення 1933 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	321.81 грн
10+	205.63 грн
100+	146.40 грн
500+	113.69 грн
1000+	106.08 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHA21N65EF-E3

Description: MOSFET N-CH 650V 21A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2322 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA21N65EF-E3

MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA21N65EF-GE3

Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2322 pF @ 100 V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	139.53 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

SIHA21N65EF-GE3

Description: VISHAY - SIHA21N65EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 21 A, 0.18 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 8 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	144.06 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SIHA21N65EF-GE3

MOSFETs TO220 650V 21A N-CH MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA21N65EF-GE3

Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2322 pF @ 100 V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	367.35 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHA21N80AE-GE3

MOSFETs TO220 800V 7.5A N-CH MOSFET

на замовлення 786 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	260.90 грн
10+	168.82 грн
100+	107.70 грн
500+	96.04 грн
1000+	81.63 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHA21N80AE-GE3

Description: MOSFET N-CH 800V 7.5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1388 pF @ 100 V

на замовлення 1001 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	208.37 грн
10+	166.69 грн
100+	132.66 грн
500+	105.35 грн
1000+	89.38 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHA21N80AE-GE3

Description: VISHAY - SIHA21N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7.5 A, 0.205 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.205ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 867 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	153.66 грн
10+	128.85 грн
100+	93.64 грн
500+	73.94 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SIHA21N80AEF-GE3

Description: VISHAY - SIHA21N80AEF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7 A, 0.25 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 1039 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	99.24 грн
10+	96.84 грн
100+	93.64 грн
500+	84.72 грн
1000+	76.83 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SIHA21N80AEF-GE3

MOSFETs TO220 800V 7A N-CH MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA21N80AEF-GE3

Description: EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1511 pF @ 100 V

на замовлення 991 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	208.37 грн
50+	102.48 грн
100+	97.74 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SiHA22N60AE-E3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

на замовлення 611 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	314.53 грн
10+	205.11 грн
100+	139.94 грн
500+	124.16 грн
1000+	115.93 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SiHA22N60AE-E3

Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 20A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1451 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA22N60AE-GE3

Description: VISHAY - SIHA22N60AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.18 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 781 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	287.31 грн
10+	210.48 грн
100+	149.66 грн
500+	118.16 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIHA22N60AE-GE3

Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1451 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA22N60AE-GE3

Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1451 pF @ 100 V

на замовлення 959 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	304.06 грн
10+	193.44 грн
100+	137.10 грн
500+	119.38 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHA22N60AE-GE3

MOSFETs TO220 600V 8A N-CH MOSFET

на замовлення 1643 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	314.53 грн
10+	205.11 грн
100+	126.91 грн
500+	117.30 грн
1000+	106.33 грн
2000+	100.15 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHA22N60AEL-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1757 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA22N60AEL-GE3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

на замовлення 1484 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	332.13 грн
10+	217.73 грн
100+	150.23 грн
500+	133.77 грн
1000+	114.56 грн
2500+	109.76 грн
5000+	107.70 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHA22N60E-E3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

на замовлення 569 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	340.14 грн
10+	204.32 грн
100+	150.23 грн
500+	133.08 грн
1000+	107.01 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHA22N60E-E3

Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA22N60E-GE3

Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 100 V

на замовлення 886 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	316.41 грн
10+	201.91 грн
100+	143.61 грн
500+	111.41 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHA22N60E-GE3

MOSFETs TO220 600V 8A N-CH MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA22N60EF

Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

на замовлення 4691 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

91+	142.23 грн

Мінімальне замовлення: 91

В кошику од. на суму грн.

SIHA22N60EF

Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

на замовлення 4691 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	152.39 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIHA22N60EF-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 19A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 182mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1423 pF @ 100 V

на замовлення 758 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	293.26 грн
10+	186.75 грн
100+	132.06 грн
500+	102.04 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHA22N60EF-GE3

MOSFETs Nch 600V Vds 30V Vgs TO-220; w/diode

на замовлення 1048 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	304.12 грн
10+	198.01 грн
100+	122.11 грн
500+	106.33 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHA22N60EF-GE3

Description: VISHAY - SIHA22N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 19 A, 0.182 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.182ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 984 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	288.12 грн
10+	219.29 грн
100+	157.66 грн
500+	120.39 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIHA22N60EF-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA22N60EL-E3

Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 21A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 197mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA22N60EL-E3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA22N60EL-GE3

Description: N-CHANNEL600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 197mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA22N60EL-GE3

MOSFETs TO220 600V 21A N-CH MOSFET

на замовлення 909 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	304.92 грн
10+	229.57 грн
100+	142.69 грн
500+	133.77 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHA22N60EL-GE3

Description: N-CHANNEL600V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 197mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 100 V

на замовлення 825 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	333.39 грн
10+	213.06 грн
100+	152.02 грн
500+	118.21 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHA240N60E-GE3

MOSFETs 600V Vds; +/-30V Vgs TO-220 FULLPAK

на замовлення 1113 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	260.10 грн
10+	167.24 грн
100+	111.13 грн
500+	93.29 грн
1000+	86.43 грн
2000+	82.32 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHA240N60E-GE3

Description: VISHAY - SIHA240N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.208 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 12
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 31
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 31
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: E
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.208
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.208
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA240N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	114.13 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SIHA240N60E-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 783 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA240N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA240N60E-GE3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 30A; 31W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 31W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SiHA24N65EF-E3

Description: MOSFET N-CHANNEL 650V 24A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2774 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SiHA24N65EF-E3

MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA24N65EF-GE3

MOSFETs TO220 650V 10A N-CH MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA24N65EF-GE3

Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2774 pF @ 100 V

на замовлення 1769 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	429.86 грн
50+	220.75 грн
100+	202.09 грн
500+	158.98 грн
1000+	156.37 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHA24N65EF-GE3

Description: VISHAY - SIHA24N65EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.156 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.156ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 160 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	183.27 грн
10+	179.27 грн
100+	176.07 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIHA24N80AE-GE3

Description: MOSFET N-CH 800V 9A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 184mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1836 pF @ 100 V

на замовлення 467 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	287.86 грн
50+	142.58 грн
100+	129.52 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHA24N80AE-GE3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5A; Idm: 51A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 51A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 184mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 89nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 250 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

2+	227.41 грн
5+	207.09 грн
10+	200.16 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHA24N80AE-GE3

Description: VISHAY - SIHA24N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 9 A, 0.16 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

на замовлення 855 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	250.50 грн
10+	163.27 грн
100+	142.46 грн
500+	124.11 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIHA24N80AE-GE3

на замовлення 250 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	182.49 грн
5+	172.58 грн
10+	166.80 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIHA24N80AE-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 800V E Series Pwr MOSFET

на замовлення 682 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	194.48 грн
10+	133.32 грн
100+	113.87 грн
500+	111.82 грн
1000+	104.96 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SiHA25N50E-E3

MOSFETs 500V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

на замовлення 64 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	287.31 грн
10+	145.16 грн
100+	114.56 грн
500+	98.78 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SiHA25N50E-E3

Description: MOSFET N-CH 500V 26A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 100 V

на замовлення 636 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	277.83 грн
50+	136.64 грн
100+	123.99 грн
500+	95.55 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHA25N50E-GE3

MOSFETs TO220 500V 26A N-CH MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA25N50E-GE3

Description: VISHAY - SIHA25N50E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 26 A, 0.125 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 999 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	112.85 грн
10+	109.64 грн
100+	107.24 грн
500+	96.61 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SIHA25N50E-GE3

Description: N-CHANNEL 500V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 100 V

на замовлення 996 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	272.42 грн
10+	172.56 грн
100+	121.61 грн
500+	93.72 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHA25N50E-GE3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; Idm: 50A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA25N50E-GE3

Description: N-CHANNEL 500V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA25N60EFL-E3

Description: VISHAY - SIHA25N60EFL-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.127 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.127ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	347.34 грн
10+	292.92 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SiHA25N60EFL-E3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

на замовлення 912 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	440.98 грн
10+	306.09 грн
100+	242.15 грн
500+	230.49 грн
1000+	151.60 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHA25N60EFL-E3

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SiHA25N60EFL-E3

Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 25A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 146mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2274 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA25N60EFL-GE3

MOSFETs TO220 600V 25A N-CH MOSFET

на замовлення 951 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	384.95 грн
10+	253.23 грн
100+	157.78 грн
500+	153.66 грн
1000+	145.43 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHA25N60EFL-GE3

Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 146mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2274 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA25N60EFL-GE3

Description: VISHAY - SIHA25N60EFL-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.127 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.127ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 254 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	394.56 грн
10+	269.71 грн
100+	196.88 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIHA25N60EFL-GE3

Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 146mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2274 pF @ 100 V

на замовлення 985 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	371.21 грн
10+	238.48 грн
100+	171.10 грн
500+	156.11 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHA2N80E-GE3

Description: MOSFET N-CH 800V 2.8A TO220
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.75Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA2N80E-GE3

Description: MOSFET N-CH 800V 2.8A TO220
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.75Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA2N80E-GE3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.8A; Idm: 5A; 29W; TO220FP
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 19.6nC
On-state resistance: 2.75Ω
Drain current: 1.8A
Pulsed drain current: 5A
Power dissipation: 29W
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 800V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA2N80E-GE3

MOSFETs 800V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA30N60AEL-GE3

SIHA30N60AEL-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 600V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220 FULLPAK Thin Lead - Arrow.com

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA30N60AEL-GE3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA30N60AEL-GE3

Description: VISHAY - SIHA30N60AEL-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 28 A, 0.105 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 28
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 39
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: EL
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.105
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA30N60AEL-GE3

SIHA30N60AEL-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 600V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220 FULLPAK Thin Lead - Arrow.com

на замовлення 2900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	308.91 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIHA30N60AEL-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 28A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2565 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA4N80E-GE3

Description: MOSFET N-CH 800V 4.3A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.27Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 622 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA4N80E-GE3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; Idm: 11A; 69W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.7A
Pulsed drain current: 11A
Power dissipation: 69W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA4N80E-GE3

MOSFETs 800V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA5N80AE-GE3

Description: VISHAY - SIHA5N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3 A, 1.17 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.17ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

на замовлення 893 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	89.64 грн
12+	67.87 грн
100+	50.34 грн
500+	39.61 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SIHA5N80AE-GE3

MOSFETs TO220 800V 3A E SERIES

на замовлення 1815 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	84.83 грн
10+	49.70 грн
100+	41.91 грн
500+	38.69 грн
1000+	33.54 грн
2000+	32.45 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIHA5N80AE-GE3

Description: E SERIES POWER MOSFET THIN-LEAD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 321 pF @ 100 V

на замовлення 328 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	94.92 грн
50+	73.22 грн
100+	58.02 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIHA690N60E-GE3

MOSFETs TO220 600V 4.3A N-CH MOSFET

на замовлення 630 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	132.85 грн
10+	109.66 грн
100+	76.14 грн
250+	69.97 грн
500+	63.32 грн
1000+	53.10 грн
2000+	52.41 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIHA690N60E-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 4.3A TO220

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA6N65E-E3

Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

на замовлення 984 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	91.05 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SiHA6N65E-E3

MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SiHA6N65E-E3

Description: MOSFET N-CHANNEL 650V 7A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA6N65E-GE3

Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 100 V

на замовлення 1992 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	183.67 грн
10+	114.30 грн
100+	78.64 грн
500+	59.49 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHA6N65E-GE3

MOSFETs TO220 650V 7A N-CH MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA6N65E-GE3

Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 100 V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	60.74 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

SIHA6N80AE-GE3

Description: VISHAY - SIHA6N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5 A, 0.95 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.95ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 1341 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	80.83 грн
15+	54.90 грн
100+	54.26 грн
500+	44.74 грн
1000+	38.83 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

SIHA6N80AE-GE3

Description: MOSFET N-CH 800V 5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 422 pF @ 100 V

на замовлення 743 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	77.95 грн
50+	50.88 грн
100+	50.59 грн
500+	44.88 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIHA6N80AE-GE3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.2A; Idm: 10A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.2A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: THT
Gate charge: 22.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA6N80AE-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 800V TO-220FP

на замовлення 1269 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	149.66 грн
10+	71.95 грн
100+	55.91 грн
500+	44.59 грн
1000+	42.19 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIHA6N80E-GE3

Trans MOSFET N-CH 800V 5.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA6N80E-GE3

Description: MOSFET N-CH 800V 5.4A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 940mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 827 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA6N80E-GE3

MOSFETs 800V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHA6N80E-GE3

Trans MOSFET N-CH 800V 5.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

на замовлення 939 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	91.04 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SIHB053N60E-GE3

MOSFETs TO263 600V 47A N-CH MOSFET

на замовлення 866 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	477.79 грн
10+	277.69 грн
100+	200.99 грн
500+	194.13 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB053N60E-GE3

Description: VISHAY - SIHB053N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 47 A, 0.047 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 798 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	528.21 грн
10+	431.37 грн
25+	392.16 грн
100+	328.47 грн
500+	257.93 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHB053N60E-GE3

Description: E SERIES POWER MOSFET D2PAK (TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 26.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3722 pF @ 100 V

на замовлення 745 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	458.41 грн
25+	260.13 грн
100+	216.80 грн
500+	170.94 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB055N60EF-GE3

Power MOSFET With Fast Body Diode

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB055N60EF-GE3

Description: EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 26.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3707 pF @ 100 V

на замовлення 544 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	497.77 грн
50+	258.93 грн
100+	237.70 грн
500+	189.78 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB055N60EF-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 600V

на замовлення 2705 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	479.39 грн
10+	280.05 грн
100+	223.63 грн
500+	190.70 грн
1000+	190.02 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB055N60EF-GE3

Description: VISHAY - SIHB055N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 46 A, 0.055 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 798 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	532.21 грн
5+	424.17 грн
10+	315.33 грн
50+	280.91 грн
100+	247.64 грн
250+	242.84 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHB065N60E-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 40A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB065N60E-GE3

MOSFETs 650V Vds; 30V Vgs D2PAK (TO-263)

на замовлення 6990 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	189.68 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHB065N60E-GE3

Description: VISHAY - SIHB065N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 40 A, 0.057 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 2137 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	528.21 грн
5+	479.39 грн
10+	430.57 грн
50+	367.12 грн
100+	308.01 грн
250+	301.83 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHB065N60E-T1-GE3

MOSFETs

на замовлення 1536 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	616.25 грн
10+	442.57 грн
100+	320.36 грн
500+	285.37 грн
800+	254.50 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB065N65E-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 650V

на замовлення 900 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	444.18 грн
10+	335.28 грн
100+	235.98 грн
500+	211.28 грн
1000+	179.04 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB068N60EF

Trans MOSFET N-CH 600V 41A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB068N60EF-GE3

MOSFETs TO263 600V 41A N-CH MOSFET

на замовлення 1308 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	432.97 грн
10+	226.41 грн
100+	180.41 грн
500+	169.44 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB068N60EF-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 41A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB068N60EF-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 41A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB068N60EF-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 41A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2628 pF @ 100 V

на замовлення 2904 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	409.79 грн
50+	209.51 грн
100+	191.63 грн
500+	150.44 грн
1000+	146.73 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB068N60EF-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 41A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB068N60EF-GE3

Description: VISHAY - SIHB068N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 41 A, 0.068 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 4740 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	421.77 грн
10+	224.89 грн
100+	212.89 грн
500+	175.38 грн
1000+	141.31 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHB068N60EF-T1GE3

Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2628 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB068N60EF-T5GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB075N65E-GE3

Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2904 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB075N65E-GE3

Description: VISHAY - SIHB075N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.079 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.079ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 996 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	451.38 грн
10+	340.94 грн
100+	276.11 грн
500+	228.89 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHB075N65E-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 650V

на замовлення 950 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	404.96 грн
10+	301.35 грн
100+	212.66 грн
500+	189.33 грн
1000+	160.52 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB080N60E-GE3

Description: E SERIES POWER MOSFET D2PAK (TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2557 pF @ 100 V

на замовлення 1564 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	402.85 грн
50+	205.73 грн
100+	188.09 грн
500+	147.55 грн
1000+	143.49 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB080N60E-GE3

Description: VISHAY - SIHB080N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 35 A, 0.08 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 1896 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	400.16 грн
10+	226.49 грн
100+	207.28 грн
500+	171.67 грн
1000+	138.57 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHB080N60E-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 600V

на замовлення 4323 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	399.36 грн
10+	222.47 грн
100+	176.98 грн
500+	149.55 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB085N60EF-GE3

Description: E SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 184W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2733 pF @ 100 V

на замовлення 1444 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	442.21 грн
10+	286.71 грн
100+	207.98 грн
500+	163.71 грн
1000+	161.39 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB085N60EF-GE3

Description: VISHAY - SIHB085N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 34 A, 0.073 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 184W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	378.55 грн
10+	260.10 грн
100+	244.90 грн
500+	213.29 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIHB085N60EF-GE3

MOSFETs 600Vds 30V Vgs TO-263

на замовлення 990 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	400.96 грн
10+	260.33 грн
100+	166.01 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB100N60E-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 30A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1851 pF @ 100 V

на замовлення 940 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	392.04 грн
50+	199.14 грн
100+	181.89 грн
500+	142.36 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB100N60E-GE3

MOSFETs 650V Vds; 30V Vgs D2PAK (TO-263)

на замовлення 906 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	412.96 грн
10+	215.37 грн
100+	170.81 грн
500+	142.69 грн
1000+	139.94 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB100N60E-GE3

SIHB100N60E-GE3 SMD N channel transistors

на замовлення 50 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	522.88 грн
4+	309.15 грн
11+	292.31 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB100N65E-GE3

MOSFETs E Series Power MOSFET 650 V (D-S) 150 C MOSFET 0.1 10V

на замовлення 603 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	679.47 грн
10+	462.29 грн
100+	299.09 грн
500+	278.51 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB100N65E-GE3

Description: VISHAY - SIHB100N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	755.50 грн
5+	664.27 грн
10+	572.23 грн
50+	487.51 грн
100+	409.54 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHB100N65E-GE3

Description: E SERIES POWER MOSFET 650 V (D-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2137 pF @ 100 V

на замовлення 992 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	654.43 грн
10+	439.58 грн
100+	377.40 грн
500+	335.59 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB100N65E-GE3

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	572.23 грн
50+	487.51 грн
100+	409.54 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

SIHB105N60EF-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 44 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIHB105N60EF-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB105N60EF-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1804 pF @ 100 V

на замовлення 5293 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	315.64 грн
50+	157.22 грн
100+	143.03 грн
500+	110.90 грн
1000+	103.41 грн
2000+	102.79 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB105N60EF-GE3

Description: VISHAY - SIHB105N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.102 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF IV Gen
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.102ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 6267 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	226.49 грн
10+	143.26 грн
100+	132.85 грн
500+	116.68 грн
1000+	100.84 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIHB105N60EF-GE3

MOSFETs EF Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode

на замовлення 7982 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	328.93 грн
10+	168.03 грн
100+	133.08 грн
500+	122.79 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB10N40D-GE3

Description: MOSFET N-CH 400V 10A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 526 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB10N40D-GE3

MOSFETs 400V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

на замовлення 2914 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	122.45 грн
10+	100.19 грн
100+	69.28 грн
250+	64.41 грн
500+	58.10 грн
1000+	48.36 грн
2000+	47.26 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIHB11N80AE-GE3

Description: VISHAY - SIHB11N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.391 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.391ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 3781 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	147.26 грн
10+	109.64 грн
100+	84.03 грн
500+	58.78 грн
1000+	54.19 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SIHB11N80AE-GE3

Description: MOSFET N-CH 800V 8A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 804 pF @ 100 V

на замовлення 894 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	194.48 грн
10+	121.28 грн
100+	83.65 грн
500+	63.41 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHB11N80AE-GE3

MOSFETs TO263 800V 8A N-CH MOSFET

на замовлення 970 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	200.88 грн
10+	128.59 грн
100+	77.52 грн
500+	62.56 грн
1000+	57.35 грн
2000+	54.06 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHB11N80AE-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 800V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 804 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB11N80AE-T1-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 800V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB11N80AE-T5-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 800V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB11N80AE-T5-GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB11N80E-GE3

Description: VISHAY - SIHB11N80E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 12 A, 0.38 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 1975 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	159.26 грн
500+	133.02 грн
1000+	120.73 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIHB11N80E-GE3

Description: MOSFET N-CH 800V 12A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 100 V

на замовлення 4680 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	269.34 грн
10+	171.89 грн
100+	122.12 грн
500+	103.15 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHB11N80E-GE3

MOSFETs 800V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB11N80E-GE3

на замовлення 1975 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	220.09 грн
10+	192.88 грн
100+	159.26 грн
500+	133.02 грн
1000+	120.73 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIHB120N60E-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 25A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1562 pF @ 100 V

на замовлення 906 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	400.53 грн
50+	203.83 грн
100+	186.26 грн
500+	145.95 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB120N60E-GE3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

на замовлення 929 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	415.37 грн
10+	216.15 грн
100+	172.18 грн
500+	161.21 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB120N60E-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1562 pF @ 100 V

на замовлення 734 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	392.81 грн
10+	253.42 грн
100+	182.70 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB120N60E-T1-GE3

Description: VISHAY - SIHB120N60E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.12 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 1577 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	153.66 грн
500+	138.97 грн
1000+	125.54 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIHB120N60E-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1562 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB120N60E-T1-GE3

MOSFETs TO263 600V 25A N-CH MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB120N60E-T1-GE3

Description: VISHAY - SIHB120N60E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.12 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 1577 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	162.46 грн
10+	158.46 грн
100+	153.66 грн
500+	138.97 грн
1000+	125.54 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIHB120N60E-T5-GE3

Description: VISHAY - SIHB120N60E-T5-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.12 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 1527 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	162.46 грн
10+	158.46 грн
100+	153.66 грн
500+	138.97 грн
1000+	125.54 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIHB120N60E-T5-GE3

на замовлення 795 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	392.81 грн
10+	253.42 грн
100+	182.70 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB120N60E-T5-GE3

MOSFETs TO263 600V 25A N-CH MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB120N60E-T5-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; Idm: 66A; 179W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 179W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 66A
Gate charge: 45nC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB120N60E-T5-GE3

Description: VISHAY - SIHB120N60E-T5-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.12 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 1527 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	153.66 грн
500+	138.97 грн
1000+	125.54 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIHB120N60E-T5-GE3

Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1562 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB125N60EF-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 25A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1533 pF @ 100 V

на замовлення 671 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	351.91 грн
10+	225.47 грн
100+	161.20 грн
500+	125.57 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB125N60EF-GE3

MOSFETs TO263 600V 25A N-CH MOSFET

на замовлення 691 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	364.95 грн
10+	239.82 грн
100+	149.55 грн
500+	135.83 грн
1000+	124.16 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB125N60EF-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; Idm: 66A; 179W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 47nC
On-state resistance: 0.125Ω
Drain current: 16A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 179W
Pulsed drain current: 66A
Case: D2PAK; TO263
Drain-source voltage: 600V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB125N60EF-GE3

Description: VISHAY - SIHB125N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.125 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 417 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	301.72 грн
10+	200.08 грн
100+	148.86 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIHB125N60EF-T1GE3

MOSFETs N-CHANNEL 600V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB125N60EF-T5GE3

MOSFETs N-CHANNEL 600V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB125N65E-GE3

Description: E SERIES POWER MOSFET 650 V (D-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1938 pF @ 100 V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	537.13 грн
10+	352.48 грн
100+	259.04 грн
500+	209.98 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB125N65E-GE3

MOSFETs E Series Power MOSFET 650 V (D-S) 150 C MOSFET 0.12 10V

на замовлення 736 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	559.42 грн
10+	380.24 грн
100+	242.15 грн
500+	217.46 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB12N50C-E3

Description: MOSFET N-CH 500V 12A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 555mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1375 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB12N50C-E3

MOSFETs N-Channel 500V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB12N50E-GE3

Description: MOSFET N-CH 500V 10.5A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 886 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB12N50E-GE3

MOSFETs 500V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

на замовлення 969 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	226.49 грн
10+	144.37 грн
100+	89.86 грн
500+	75.46 грн
1000+	66.06 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHB12N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	105.59 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

SIHB12N60E-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 937 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB12N60E-GE3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

на замовлення 4923 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	209.68 грн
10+	132.53 грн
100+	78.20 грн
500+	65.51 грн
1000+	60.78 грн
2000+	58.45 грн
5000+	57.35 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHB12N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	120.67 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

SIHB12N60E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.8A; 147W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.8A
Power dissipation: 147W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 58nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB12N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB12N60E-GE3

Description: VISHAY - SIHB12N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.38 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 147W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 927 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	220.09 грн
10+	141.66 грн
100+	101.64 грн
500+	78.77 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIHB12N60E-GE3-X

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB12N60ET1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.8A; Idm: 27A; 147W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.8A
Pulsed drain current: 27A
Power dissipation: 147W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 58nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB12N60ET1-GE3

MOSFETs N-Channel 600V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB12N60ET1-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO263
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 937 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB12N60ET5-GE3

MOSFETs N-Channel 600V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB12N60ET5-GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB12N65E-GE3

Description: MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1224 pF @ 100 V

на замовлення 2147 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	239.24 грн
50+	116.33 грн
100+	105.28 грн
500+	80.61 грн
1000+	74.76 грн
2000+	70.69 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHB12N65E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8A; Idm: 28A; 156W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 156W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Pulsed drain current: 28A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB12N65E-GE3

MOSFETs 650V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	95.24 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIHB150N60E-GE3

MOSFETs E Series Power MOSFET D2PAK (TO-263), 158 mohm a. 10V

на замовлення 1767 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	297.72 грн
10+	213.79 грн
100+	132.40 грн
500+	109.76 грн
1000+	109.07 грн
2000+	104.96 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHB150N60E-GE3

Description: E SERIES POWER MOSFET D2PAK (TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 158mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1514 pF @ 100 V

на замовлення 992 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	310.24 грн
10+	197.75 грн
100+	140.49 грн
500+	108.91 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB155N60EF-GE3

MOSFETs EF Series Power MOSFET D2PAK

на замовлення 448 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	353.74 грн
10+	231.14 грн
100+	159.84 грн
500+	143.37 грн
1000+	122.11 грн
2000+	116.62 грн
5000+	115.25 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB155N60EF-GE3

Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 159mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1465 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB15N50E-GE3

Description: VISHAY - SIHB15N50E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 14.5 A, 0.243 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 156W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.243ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.243ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 1240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	85.63 грн
500+	76.54 грн
1000+	69.28 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIHB15N50E-GE3

Description: VISHAY - SIHB15N50E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 14.5 A, 0.28 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 1240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	200.08 грн
10+	171.27 грн
100+	150.46 грн
500+	115.93 грн
1000+	71.34 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIHB15N50E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 9.2A; Idm: 28A; 156W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 9.2A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 156W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 66nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB15N50E-GE3

MOSFETs 500V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB15N50E-GE3

Description: MOSFET N-CH 500V 14.5A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1162 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB15N60E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.6A; Idm: 39A; 180W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 180W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 78nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB15N60E-GE3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB15N60E-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 15A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	272.42 грн
10+	172.34 грн
100+	121.33 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHB15N60E-GE3

Description: VISHAY - SIHB15N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15 A, 0.28 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 1916 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	314.53 грн
10+	207.28 грн
100+	145.66 грн
500+	111.47 грн
1000+	95.35 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIHB15N60E-GE3-X

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB15N65E-GE3

Description: MOSFET N-CH 650V 15A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB15N65E-GE3

Description: VISHAY - SIHB15N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15 A, 0.28 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 16 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	208.08 грн
10+	182.47 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIHB15N65E-GE3

MOSFETs 650V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB15N65E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; Idm: 38A; 34W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 38A
Power dissipation: 34W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 96nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB15N80AE-GE3

MOSFETs TO263 800V 13A N-CH MOSFET

на замовлення 1384 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	196.88 грн
10+	109.66 грн
100+	89.86 грн
500+	74.09 грн
1000+	70.66 грн
2000+	64.89 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHB15N80AE-GE3

Description: MOSFET N-CH 800V 13A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1093 pF @ 100 V

на замовлення 990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	172.10 грн
50+	98.84 грн
100+	96.26 грн
500+	75.41 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHB15N80AE-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 800V
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB15N80AE-T1-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 800V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB15N80AE-T5-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 800V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB15N80AE-T5-GE3

Description: N-CHANNEL 800V
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB16N50C-E3

Description: MOSFET N-CH 500V 16A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB16N50C-E3

MOSFET N-Channel 500V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB17N80AE-GE3

Description: MOSFET N-CH 800V 15A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 100 V

на замовлення 957 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	238.47 грн
50+	115.65 грн
100+	104.64 грн
500+	80.08 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHB17N80AE-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10A; Idm: 32A; 179W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 179W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 62nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB17N80AE-GE3

MOSFETs TO263 800V 15A N-CH MOSFET

на замовлення 9714 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	242.50 грн
10+	123.07 грн
100+	96.72 грн
500+	78.89 грн
1000+	78.20 грн
10000+	72.03 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHB17N80AE-GE3

Description: VISHAY - SIHB17N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 15 A, 0.29 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 651 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	214.49 грн
10+	132.05 грн
100+	125.65 грн
500+	95.12 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIHB17N80AE-T1-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 800V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB17N80AE-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 800V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB17N80AE-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB17N80AE-T5-GE3

Description: N-CHANNEL 800V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB17N80AE-T5-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 800V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB17N80E-GE3

MOSFETs 800V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

на замовлення 7234 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	477.79 грн
10+	308.45 грн
100+	197.56 грн
500+	175.61 грн
1000+	163.95 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB17N80E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10A; Idm: 45A; 208W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 208W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 122nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB17N80E-GE3

Description: MOSFET N-CH 800V 15A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2408 pF @ 100 V

на замовлення 788 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	393.59 грн
10+	253.79 грн
100+	182.72 грн
500+	143.06 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB17N80E-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 800V 15A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2408 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB17N80E-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 800V 15A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2408 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB17N80E-T1-GE3

MOSFETs E Series Power

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB180N60E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 44A; 156W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 156W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 33nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB180N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 996 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	155.37 грн
10+	150.41 грн
25+	150.23 грн
50+	143.80 грн
100+	130.03 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIHB180N60E-GE3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

на замовлення 868 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	296.92 грн
10+	195.64 грн
100+	130.34 грн
500+	115.93 грн
1000+	98.78 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHB180N60E-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 19A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1085 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB186N60EF-GE3

MOSFETs TO263 600V 8.4A N-CH MOSFET

на замовлення 946 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	260.90 грн
10+	128.59 грн
100+	107.70 грн
500+	94.67 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHB186N60EF-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 8.4A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 193mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 100 V

на замовлення 3274 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	256.99 грн
50+	125.91 грн
100+	114.13 грн
500+	87.72 грн
1000+	81.50 грн
2000+	78.30 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHB186N60EF-GE3

Description: VISHAY - SIHB186N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 8.4 A, 0.193 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.193ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 1152 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	279.31 грн
10+	269.71 грн
100+	138.46 грн
500+	105.53 грн
1000+	94.67 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIHB18N60E-GE3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

на замовлення 965 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	301.72 грн
10+	195.64 грн
100+	127.59 грн
500+	113.19 грн
1000+	99.47 грн
2000+	98.10 грн
5000+	97.41 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHB18N60E-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 18A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 202mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB190N65E-GE3

Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1155 pF @ 100 V

на замовлення 992 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	302.52 грн
10+	192.70 грн
100+	136.68 грн
500+	119.43 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHB190N65E-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 650V

на замовлення 257 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	319.33 грн
10+	209.05 грн
100+	128.28 грн
500+	120.05 грн
1000+	101.53 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHB190N65E-GE3

Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1155 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB20N50E-GE3

Description: MOSFET N-CH 500V 19A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 184mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 100 V

на замовлення 2280 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	281.68 грн
10+	178.58 грн
100+	125.99 грн
500+	97.19 грн
1000+	90.42 грн
2000+	88.09 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHB20N50E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; Idm: 42A; 179W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 42A
Power dissipation: 179W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 184mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 92nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB20N50E-GE3

MOSFETs 500V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

на замовлення 842 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	118.45 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIHB20N50E-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 500V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 184mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB20N50E-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 500V; 19A; 179W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 19A
Power dissipation: 179W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: 30V
Mounting: SMD
Gate charge: 92nC

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

800+	152.06 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

SIHB20N50E-T1-GE3

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB21N60EF-GE3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

на замовлення 891 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	350.54 грн
10+	203.53 грн
100+	161.89 грн
500+	144.06 грн
1000+	115.25 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB21N60EF-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 176mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 100 V

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	334.16 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB21N60EF-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 53A; 227W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Power dissipation: 227W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 176mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 53A
Gate charge: 84nC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB21N65EF-GE3

Description: VISHAY - SIHB21N65EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 21 A, 0.18 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 967 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	347.34 грн
10+	184.07 грн
100+	168.07 грн
500+	141.20 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIHB21N65EF-GE3

Description: MOSFET N-CH 650V 21A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2322 pF @ 100 V

на замовлення 92 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	387.41 грн
50+	196.86 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB21N65EF-GE3

MOSFETs 650V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB21N65EF-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB21N65EF-T5-GE3

Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB21N80AE-GE3

MOSFETs TO263 800V 17.4A N-CH MOSFET

на замовлення 11755 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	223.29 грн
10+	171.19 грн
100+	109.07 грн
500+	86.43 грн
1000+	85.06 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHB21N80AE-GE3

Description: MOSFET N-CH 800V 17.4A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1388 pF @ 100 V

на замовлення 960 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	135.83 грн
10+	109.99 грн
100+	88.99 грн
500+	81.68 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIHB21N80AE-GE3

Description: VISHAY - SIHB21N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 17.4 A, 0.235 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.235ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 942 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	224.09 грн
10+	174.47 грн
100+	128.05 грн
500+	86.95 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIHB22N60AE-GE3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

на замовлення 734 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	336.93 грн
10+	219.31 грн
100+	149.55 грн
500+	133.08 грн
1000+	124.16 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB22N60AE-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1451 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB22N60AEL-GE3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB22N60AEL-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1757 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SiHB22N60E-E3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SiHB22N60E-E3

Description: MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB22N60E-GE3

Description: VISHAY - SIHB22N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 A, 0.18 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 831 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	419.37 грн
10+	286.51 грн
100+	255.30 грн
500+	170.93 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHB22N60E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; Idm: 56A; 227W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 227W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 86nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

на замовлення 250 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	229.42 грн
10+	197.35 грн
50+	188.27 грн
100+	169.27 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHB22N60E-GE3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

на замовлення 10214 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	354.54 грн
10+	230.35 грн
100+	159.15 грн
500+	141.31 грн
1000+	120.73 грн
2000+	118.68 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB22N60E-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB22N60E-GE3-X

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB22N60EF-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 19A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 182mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1423 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB22N60EF-GE3

MOSFETs Nch 600V Vds 30V Vgs TO-263; w/diode

на замовлення 1715 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	318.53 грн
10+	207.48 грн
100+	137.20 грн
500+	123.48 грн
1000+	110.44 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHB22N60EL-GE3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB22N60EL-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 197mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB22N60ET1-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB22N60ET1-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 100 V

на замовлення 410 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	300.21 грн
10+	191.14 грн
100+	135.37 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHB22N60ET1-GE3

MOSFETs 600V Vds E Series D2PAK TO-263

на замовлення 878 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	310.52 грн
10+	202.74 грн
100+	124.85 грн
800+	122.79 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHB22N60ET5-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB22N60ET5-GE3

MOSFETs 600V Vds E Series D2PAK TO-263

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB22N60S-E3

Description: MOSFET N-CH 600V 22A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2810 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB22N60S-E3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB22N60S-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 22A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2810 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB22N65E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 14A; Idm: 56A; 227W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 227W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB22N65E-GE3

Trans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB22N65E-GE3

Description: MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2415 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB22N65E-GE3

MOSFETs 650V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB22N65E-T1-GE3

MOSFETs TO263 650V 21A N-CH MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB22N65E-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2415 pF @ 100 V

на замовлення 752 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	368.89 грн
10+	237.14 грн
100+	170.27 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB22N65E-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 22A; 227W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 22A
Power dissipation: 227W
Case: D2PAK; TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB22N65E-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2415 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB22N65ET1-GE3

MOSFETs TO263 650V 21A N-CH MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB23N60E-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 23A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 158mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2418 pF @ 100 V

на замовлення 589 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	321.04 грн
50+	160.36 грн
100+	145.94 грн
500+	113.24 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB23N60E-GE3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

на замовлення 1433 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	334.53 грн
10+	171.19 грн
100+	135.83 грн
500+	120.73 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB240N65E-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 650V

на замовлення 950 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	288.12 грн
10+	176.71 грн
100+	142.69 грн
500+	134.45 грн
1000+	74.09 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SiHB24N65E-E3

Description: MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2740 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SiHB24N65E-E3

MOSFETs 650V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB24N65E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 16A; Idm: 70A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 122nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB24N65E-GE3

Description: MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2740 pF @ 100 V

на замовлення 1416 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	430.63 грн
50+	221.18 грн
100+	202.48 грн
500+	159.30 грн
1000+	156.74 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB24N65E-GE3

MOSFETs 650V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

на замовлення 3325 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	430.57 грн
10+	239.82 грн
100+	190.70 грн
500+	163.27 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB24N65E-GE3

на замовлення 1970 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIHB24N65E-GE3

Description: VISHAY - SIHB24N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.145 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 1979 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	426.57 грн
10+	233.69 грн
100+	224.89 грн
500+	161.26 грн
1000+	146.12 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHB24N65E-GE3-X

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB24N65EF-GE3

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB24N65EF-GE3

Description: VISHAY - SIHB24N65EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.156 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.156ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 715 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	374.55 грн
10+	288.12 грн
100+	232.89 грн
500+	191.73 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIHB24N65EF-GE3

MOSFETs 650V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

на замовлення 835 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	469.79 грн
10+	329.75 грн
100+	231.86 грн
500+	206.48 грн
1000+	189.33 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB24N65EF-GE3

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB24N65EF-GE3

Description: MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2774 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB24N65EFT1-GE3

Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2774 pF @ 100 V

на замовлення 2606 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	435.26 грн
10+	282.40 грн
100+	207.31 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB24N65EFT1-GE3

MOSFETs TO263 650V 24A N-CH MOSFET

на замовлення 2819 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	450.58 грн
10+	306.09 грн
100+	195.51 грн
800+	166.01 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB24N65EFT1-GE3

Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2774 pF @ 100 V

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	175.89 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

SIHB24N65EFT1-GE3

E Series Power MOSFET with Fast Body Diode

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB24N65EFT5-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 650V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SiHB24N65ET1-GE3

MOSFETs N-Channel 650V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SiHB24N65ET1-GE3

Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2740 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SiHB24N65ET5-GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SiHB24N65ET5-GE3

MOSFETs N-Channel 650V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB24N80AE-GE3

Description: VISHAY - SIHB24N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 21 A, 0.16 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 85 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	293.72 грн
10+	219.29 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIHB24N80AE-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 800V E Series Pwr MOSFET

на замовлення 1248 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	236.09 грн
10+	142.79 грн
100+	118.68 грн
500+	101.53 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHB24N80AE-GE3

Description: MOSFET N-CH 800V 21A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 184mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1836 pF @ 100 V

на замовлення 813 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	280.91 грн
50+	138.69 грн
100+	125.92 грн
500+	97.19 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHB24N80AE-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 800V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 184mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1836 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB24N80AE-T5-GE3

Description: N-CHANNEL 800V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 184mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1836 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB25N50E-GE3

MOSFETs 500V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

на замовлення 1975 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	316.93 грн
10+	205.90 грн
100+	127.59 грн
500+	115.93 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHB25N50E-GE3

Description: VISHAY - SIHB25N50E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 26 A, 0.125 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 971 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	277.71 грн
10+	185.67 грн
100+	132.05 грн
500+	107.01 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIHB25N50E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; Idm: 50A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 86nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB25N50E-GE3

Description: MOSFET N-CH 500V 26A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 100 V

на замовлення 936 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	305.61 грн
10+	194.33 грн
100+	137.80 грн
500+	106.66 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHB28N60EF-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 28A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2714 pF @ 100 V

на замовлення 1081 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	446.06 грн
50+	229.66 грн
100+	210.40 грн
500+	165.79 грн
1000+	164.10 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB28N60EF-GE3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB28N60EF-T1-GE3

MOSFETs TO263 600V 28A N-CH MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB28N60EF-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2714 pF @ 100 V

на замовлення 787 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	456.87 грн
10+	296.30 грн
100+	215.28 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB28N60EF-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2714 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB28N60EF-T5-GE3

Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2714 pF @ 100 V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	185.80 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

SIHB28N60EF-T5-GE3

Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2714 pF @ 100 V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	456.87 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB28N60EF-T5-GE3

MOSFETs TO263 600V 28A N-CH MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB30N60AEL-GE3

Description: VISHAY - SIHB30N60AEL-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 28 A, 0.105 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Transistormontage: Oberflächenmontage
Wandlerpolarität: n-Kanal
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: EL

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB30N60AEL-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 28A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2565 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB30N60AEL-GE3

EL Series Power MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB30N60AEL-GE3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB30N60AEL-GE3

Description: VISHAY - SIHB30N60AEL-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 28 A, 0.105 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 28
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 250
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: EL
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.105
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SiHB30N60E-E3

Description: MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB30N60E-GE3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

на замовлення 419 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	463.39 грн
10+	244.55 грн
100+	194.82 грн
500+	185.90 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB30N60E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; Idm: 76A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 250W
Pulsed drain current: 76A
Gate charge: 130nC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB30N60E-GE3

Description: VISHAY - SIHB30N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.125 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 966 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	487.39 грн
10+	284.91 грн
100+	282.51 грн
500+	207.34 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHB30N60E-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 100 V

на замовлення 455 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	446.84 грн
50+	229.83 грн
100+	210.48 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB30N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB30N60ET1-GE3

Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB30N60ET1-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB30N60ET1-GE3

MOSFETs TO263 600V 29A N-CH MOSFET

на замовлення 299 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	463.39 грн
10+	307.67 грн
100+	196.88 грн
500+	166.70 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB30N60ET1-GE3

Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 100 V

на замовлення 974 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	446.84 грн
10+	289.98 грн
100+	213.31 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB30N60ET5-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB30N60ET5-GE3

MOSFETs TO263 600V 29A N-CH MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB30N60ET5-GE3

Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 100 V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	180.98 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

SIHB30N60ET5-GE3

Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 100 V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	446.84 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB33N60E-E3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB33N60E-GE3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

на замовлення 563 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	469.79 грн
10+	312.40 грн
100+	197.56 грн
500+	189.33 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB33N60E-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 33A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3508 pF @ 100 V

на замовлення 1587 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	450.69 грн
10+	292.73 грн
100+	212.64 грн
500+	167.53 грн
1000+	165.72 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB33N60E-GE3

Description: VISHAY - SIHB33N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 33 A, 0.099 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 373 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	437.77 грн
10+	352.94 грн
100+	256.90 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHB33N60E-GE3

на замовлення 373 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	437.77 грн
10+	352.94 грн
100+	256.90 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHB33N60EF-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 33A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3454 pF @ 100 V

на замовлення 966 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	507.80 грн
10+	331.74 грн
100+	242.79 грн
500+	194.09 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB33N60EF-GE3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

на замовлення 566 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	502.60 грн
10+	354.21 грн
100+	225.69 грн
500+	221.57 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB33N60ET1-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 33A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3508 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB33N60ET1-GE3

MOSFETs N-Channel 600V

на замовлення 1651 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	517.01 грн
10+	338.43 грн
100+	238.04 грн
500+	211.97 грн
800+	190.02 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB33N60ET1-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 33A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3508 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB33N60ET5-GE3

MOSFETs 600V Vds E Series D2PAK TO-263

на замовлення 747 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	512.20 грн
10+	336.07 грн
100+	235.98 грн
500+	209.91 грн
800+	187.27 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB33N60ET5-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 33A TO263

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB35N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 32A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB35N60E-GE3

Description: MOSFET N-CH 650V 32A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB35N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 32A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB35N60E-GE3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

на замовлення 913 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	239.30 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHB35N60E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 80A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 94mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 80A
Gate charge: 132nC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB35N60EF-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 32A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 97mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2568 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB35N60EF-GE3

Description: VISHAY - SIHB35N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 32 A, 0.084 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 250
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: EF
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.084
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.084
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	296.92 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIHB35N60EF-GE3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB35N60EF-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 32A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB35N60EF-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 80A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 97mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 80A
Gate charge: 134nC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB35N60EF-GE3

Description: VISHAY - SIHB35N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 32 A, 0.084 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 250
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.084
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIHB35N60EF-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 32A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB35N60ET1-GE3

Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB35N60ET1-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 600V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB35N60ET5-GE3

Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB35N60ET5-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 600V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB4N80E-GE3

MOSFETs 800V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB4N80E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; Idm: 11A; 69W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.7A
Pulsed drain current: 11A
Power dissipation: 69W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.27Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB4N80E-GE3

Description: MOSFET N-CH 800V 4.3A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.27Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 622 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB5N80AE-GE3

Description: VISHAY - SIHB5N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.4 A, 1.17 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.17ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 1010 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	105.64 грн
10+	87.23 грн
100+	75.31 грн
500+	54.55 грн
1000+	40.95 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SIHB5N80AE-GE3

Description: E SERIES POWER MOSFET D2PAK (TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 321 pF @ 100 V

на замовлення 655 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	158.98 грн
50+	73.85 грн
100+	66.20 грн
500+	49.51 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHB5N80AE-GE3

MOSFETs TO263 800V 4.4A N-CH MOSFET

на замовлення 1335 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	117.65 грн
10+	66.58 грн
100+	55.22 грн
500+	44.04 грн
1000+	42.74 грн
2000+	37.32 грн
5000+	35.74 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIHB6N65E-GE3

Description: MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB6N65E-GE3

MOSFETs 650V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB6N65E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 18A; 78W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 78W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB6N80AE-GE3

Description: VISHAY - SIHB6N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5 A, 0.95 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.95ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 987 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	92.84 грн
500+	65.77 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIHB6N80AE-GE3

Description: E SERIES POWER MOSFET D2PAK (TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 422 pF @ 100 V

на замовлення 1040 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	184.45 грн
50+	87.87 грн
100+	79.14 грн
500+	59.89 грн
1000+	55.27 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHB6N80AE-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 800V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB6N80AE-GE3

Description: VISHAY - SIHB6N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5 A, 0.826 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.826ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 987 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	62.75 грн
100+	61.62 грн
500+	56.11 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

SIHB6N80E-GE3

Description: MOSFET N-CH 800V 5.4A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 940mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 827 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB6N80E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5.4A; Idm: 15A; 78W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5.4A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 78W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 940mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB6N80E-GE3

MOSFETs 800V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

на замовлення 967 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	360.14 грн
10+	272.17 грн
100+	231.86 грн
500+	230.49 грн
1000+	72.03 грн
2000+	70.66 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHB8N50D-GE3

MOSFETs 500V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB8N50D-GE3

Description: MOSFET N-CH 500V 8.7A D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHB8N50D-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.5A; Idm: 18A; 156W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.5A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 156W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD11N80AE-GE3

Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD11N80AE-GE3

Description: VISHAY - SIHD11N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.45 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 2840 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	83.23 грн
14+	59.14 грн
100+	57.70 грн
500+	47.12 грн
1000+	40.61 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

SIHD11N80AE-GE3

Description: MOSFET N-CH 800V 8A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 804 pF @ 100 V

на замовлення 1779 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	169.01 грн
75+	74.69 грн
150+	67.41 грн
525+	53.55 грн
1050+	49.34 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHD11N80AE-GE3

MOSFETs TO252 800V 8A N-CH MOSFET

на замовлення 8105 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	85.63 грн
10+	58.46 грн
100+	49.32 грн
500+	49.12 грн
1000+	45.41 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIHD11N80AE-GE3

Description: VISHAY - SIHD11N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.391 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.391ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 2950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	69.23 грн
500+	59.16 грн
1000+	52.14 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIHD11N80AE-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 800V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 804 pF @ 100 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	50.94 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

SIHD11N80AE-T1-GE3

MOSFETs TO252 800V 8A N-CH MOSFET

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	174.47 грн
10+	131.74 грн
100+	87.81 грн
500+	81.63 грн
1000+	78.20 грн
2000+	45.07 грн
4000+	44.52 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHD11N80AE-T1-GE3

Description: VISHAY - SIHD11N80AE-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.45 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 2900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	149.66 грн
10+	115.25 грн
100+	88.84 грн
500+	75.80 грн
1000+	67.09 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SIHD11N80AE-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 800V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 804 pF @ 100 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	169.01 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHD11N80AE-T1-GE3

Description: VISHAY - SIHD11N80AE-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.45 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 78W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.391ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 2900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	88.84 грн
500+	75.80 грн
1000+	67.09 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIHD11N80AE-T4-GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD11N80AE-T4-GE3

на замовлення 2905 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	169.01 грн
10+	104.49 грн
100+	71.51 грн
500+	53.87 грн
1000+	49.61 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHD11N80AE-T4-GE3

MOSFETs TO252 800V 8A N-CH MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD12N50E-GE3

Description: MOSFET N-CH 550V 10.5A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 886 pF @ 100 V

на замовлення 2462 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	167.47 грн
10+	103.60 грн
100+	70.90 грн
500+	53.41 грн
1000+	49.19 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHD12N50E-GE3

MOSFETs 500V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)

на замовлення 4279 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	174.47 грн
10+	110.44 грн
100+	66.06 грн
500+	52.82 грн
3000+	51.59 грн
6000+	49.60 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHD12N50E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.6A; Idm: 21A; 114W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 114W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 50nC
On-state resistance: 0.38Ω
Kind of channel: enhancement
Drain current: 6.6A
Pulsed drain current: 21A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 500V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD12N50E-GE3

Trans MOSFET N-CH 500V 10.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD12N50E-T1-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 500V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD12N50E-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 500V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 886 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD14N60E-BE3

Description: MOSFET N-CH 600V 13A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 309mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD14N60E-BE3

MOSFETs N-CHANNEL 600V

на замовлення 2940 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	213.69 грн
10+	115.18 грн
100+	81.63 грн
500+	68.46 грн
1000+	63.73 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SiHD14N60E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; Idm: 32A; 147W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 147W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 309mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 371 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

2+	176.07 грн
5+	140.97 грн
10+	124.85 грн
75+	122.87 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SiHD14N60E-GE3

на замовлення 371 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	146.73 грн
5+	113.12 грн
10+	104.04 грн
75+	102.39 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SiHD14N60E-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 13A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 309mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205 pF @ 100 V

на замовлення 923 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	200.65 грн
75+	90.48 грн
150+	81.94 грн
525+	65.50 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SiHD14N60E-GE3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)

на замовлення 11341 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	208.08 грн
10+	96.24 грн
100+	76.14 грн
500+	64.89 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHD14N60ET1-GE3

Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 309mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205 pF @ 100 V

на замовлення 1524 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	196.79 грн
10+	123.07 грн
100+	85.09 грн
500+	64.62 грн
1000+	59.72 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHD14N60ET1-GE3

Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 309mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD14N60ET1-GE3

MOSFETs TO252 600V 13A N-CH MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD14N60ET4-GE3

MOSFETs TO252 600V 13A N-CH MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD14N60ET4-GE3

на замовлення 2960 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	200.65 грн
10+	125.44 грн
100+	86.76 грн
500+	65.88 грн
1000+	60.89 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHD14N60ET4-GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD14N60ET5-GE3

MOSFETs TO252 600V 13A N-CH MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD14N60ET5-GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD14N60ET5-GE3

на замовлення 2996 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	200.65 грн
10+	125.44 грн
100+	86.76 грн
500+	65.88 грн
1000+	60.89 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHD180N60E-GE3

Description: VISHAY - SIHD180N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 19 A, 0.17 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 2310 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	169.67 грн
10+	132.05 грн
100+	96.84 грн
500+	76.54 грн
1000+	69.28 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIHD180N60E-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 19A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 100 V

на замовлення 2383 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	251.59 грн
10+	158.59 грн
100+	111.23 грн
500+	85.41 грн
1000+	79.31 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHD180N60E-GE3

на замовлення 2310 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	96.84 грн
500+	76.54 грн
1000+	69.28 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIHD180N60E-GE3

MOSFETs 650V Vds; 30V Vgs DPAK (TO-252)

на замовлення 3113 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	230.49 грн
10+	148.31 грн
100+	98.78 грн
500+	83.69 грн
1000+	79.57 грн
3000+	78.89 грн
6000+	75.46 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHD180N60E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 40A; 156W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 156W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.195Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD180N60ET1-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 600V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD180N60ET1-GE3

Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD180N60ET4-GE3

Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD180N60ET4-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 600V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD186N60EF-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 19A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 201mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1118 pF @ 100 V

на замовлення 5505 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	265.48 грн
50+	130.17 грн
100+	118.05 грн
500+	90.87 грн
1000+	84.47 грн
2000+	81.61 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHD186N60EF-GE3

Description: VISHAY - SIHD186N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 19 A, 0.201 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 156W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.175ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.201ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 2035 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	120.05 грн
500+	89.92 грн
1000+	81.63 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIHD186N60EF-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(2+Tab) TO-252

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD186N60EF-GE3

MOSFETs TO252 600V 19A N-CH MOSFET

на замовлення 2208 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	232.89 грн
10+	119.91 грн
100+	94.67 грн
500+	82.32 грн
6000+	81.63 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHD186N60EF-GE3

Description: VISHAY - SIHD186N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 19 A, 0.201 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.201ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 2035 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	229.69 грн
10+	201.68 грн
100+	120.05 грн
500+	89.92 грн
1000+	81.63 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIHD186N60EF-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(2+Tab) TO-252

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD186N60EFT1-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 600V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD186N60EFT1-GE3

Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 201mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1118 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD186N60EFT4-GE3

Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 201mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1118 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD1K4N60E-GE3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)

на замовлення 2992 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	134.45 грн
10+	82.83 грн
100+	47.33 грн
500+	37.59 грн
1000+	33.41 грн
3000+	28.67 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIHD1K4N60E-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 4.2A TO252AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 172 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD240N60E-GE3

MOSFETs 600V Vds; +/-30V Vgs DPAK (TO-252)

на замовлення 1033 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	224.89 грн
10+	144.37 грн
100+	87.12 грн
500+	70.66 грн
1000+	69.28 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHD240N60E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 30A; 78W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 78W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD240N60E-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 12A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 783 pF @ 100 V

на замовлення 2077 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	216.86 грн
10+	136.00 грн
100+	94.43 грн
500+	71.96 грн
1000+	66.61 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHD240N60E-GE3

Description: VISHAY - SIHD240N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.24 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 1291 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	63.61 грн
1000+	57.55 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

SIHD240N60E-GE3

Description: VISHAY - SIHD240N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.24 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 1291 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	193.68 грн
10+	125.65 грн
100+	87.23 грн
500+	63.61 грн
1000+	57.55 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIHD240N60E-T1-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 600V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD240N60E-T4-GE3

Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 783 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD240N60E-T4-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 600V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD240N60E-T5-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 600V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD240N65E-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 650V

на замовлення 2632 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	353.74 грн
10+	231.14 грн
100+	159.84 грн
500+	142.00 грн
1000+	135.14 грн
3000+	114.56 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHD240N65E-GE3

Description: E SERIES POWER MOSFET 650 V (D-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 100 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	334.16 грн
10+	213.81 грн
100+	152.47 грн
500+	118.53 грн
1000+	111.08 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHD2N80AE-GE3

Trans MOSFET N-CH 800V 2.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD2N80AE-GE3

MOSFETs Nch 800V Vds 30V Vgs TO-252 (DPAK)

на замовлення 4827 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	125.65 грн
10+	78.02 грн
100+	45.55 грн
500+	37.32 грн
1000+	32.65 грн
3000+	30.32 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIHD2N80AE-GE3

Description: MOSFET N-CH 800V 2.9A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 100 V

на замовлення 1579 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	114.99 грн
10+	70.15 грн
100+	47.03 грн
500+	34.86 грн
1000+	31.87 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIHD2N80AE-GE3

Trans MOSFET N-CH 800V 2.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	45.99 грн
100+	41.42 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

SIHD2N80AE-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.8A; Idm: 3.6A; 62.5W; ESD
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 10.5nC
On-state resistance: 2.5Ω
Drain current: 1.8A
Pulsed drain current: 3.6A
Power dissipation: 62.5W
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 800V
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	148.50 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIHD2N80E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.8A; Idm: 5A; 62.5W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 19.6nC
On-state resistance: 2.75Ω
Drain current: 1.8A
Pulsed drain current: 5A
Power dissipation: 62.5W
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 800V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD2N80E-GE3

MOSFETs 800V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)

на замовлення 65071 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	138.46 грн
10+	86.78 грн
100+	51.31 грн
500+	43.56 грн
1000+	37.04 грн
3000+	34.99 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIHD2N80E-GE3

Description: MOSFET N-CH 800V 2.8A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.75Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD3N50D-BE3

MOSFETs N-CHANNEL 500V

на замовлення 23845 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	66.27 грн
10+	55.54 грн
100+	33.96 грн
500+	28.40 грн
1000+	22.84 грн
3000+	20.92 грн
6000+	20.03 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIHD3N50D-BE3

Description: MOSFET N-CH 500V 3A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD3N50D-E3

Description: MOSFET N-CH 500V 3A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD3N50D-E3

MOSFET 500V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)

на замовлення 3105 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	66.27 грн
10+	57.19 грн
100+	33.96 грн
500+	28.40 грн
1000+	24.15 грн
3000+	20.51 грн
6000+	19.76 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIHD3N50D-GE3

Description: VISHAY - SIHD3N50D-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3 A, 2.6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: D
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.6ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)

на замовлення 2664 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	76.03 грн
13+	62.34 грн
100+	39.78 грн
500+	30.84 грн
1000+	20.85 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

SIHD3N50D-GE3

MOSFET 500V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)

на замовлення 3102 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	66.27 грн
10+	57.19 грн
100+	33.96 грн
500+	28.40 грн
1000+	24.15 грн
3000+	20.51 грн
6000+	19.76 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIHD3N50D-GE3

Description: MOSFET N-CH 500V 3A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 100 V

на замовлення 2980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	94.15 грн
10+	57.00 грн
100+	37.64 грн
500+	27.54 грн
1000+	25.03 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIHD3N50D-GE3

на замовлення 2664 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

150+	39.78 грн
500+	30.84 грн
1000+	20.85 грн

Мінімальне замовлення: 150

В кошику од. на суму грн.

SIHD3N50DT1-GE3

MOSFET 500V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD3N50DT1-GE3

Description: MOSFET N-CH 500V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD3N50DT4-GE3

MOSFETs 500V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)

на замовлення 21 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	66.27 грн
10+	57.19 грн
100+	33.96 грн
500+	28.40 грн
1000+	24.15 грн
3000+	21.40 грн
9000+	21.13 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIHD3N50DT4-GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD3N50DT5-GE3

MOSFET 500V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD3N50DT5-GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD4N80E-GE3

Description: MOSFET N-CH 800V 4.3A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.27Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 622 pF @ 100 V

на замовлення 1899 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	162.06 грн
10+	100.40 грн
100+	68.64 грн
500+	51.66 грн
1000+	47.56 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHD4N80E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; Idm: 11A; 69W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.7A
Pulsed drain current: 11A
Power dissipation: 69W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.27Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD4N80E-GE3

Description: VISHAY - SIHD4N80E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.3 A, 1.27 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.27ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 1393 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	142.46 грн
10+	92.04 грн
100+	62.99 грн
500+	53.95 грн
1000+	47.40 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SIHD4N80E-GE3

Description: VISHAY - SIHD4N80E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.3 A, 1.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

на замовлення 1053 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	151.26 грн
500+	137.48 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIHD4N80E-GE3

MOSFETs 800V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)

на замовлення 1389 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	169.67 грн
10+	82.83 грн
100+	52.34 грн
500+	48.43 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHD4N80ET1-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 800V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD4N80ET1-GE3

Description: N-CHANNEL 800V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.27Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 622 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD4N80ET4-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 800V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD4N80ET4-GE3

Description: N-CHANNEL 800V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.27Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 622 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD4N80ET5-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 800V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD4N80ET5-GE3

Description: N-CHANNEL 800V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.27Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 622 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD5N50D-E3

MOSFETs 500V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)

на замовлення 260 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	90.44 грн
10+	71.79 грн
100+	49.46 грн
500+	41.09 грн
1000+	31.49 грн
3000+	29.98 грн
9000+	29.70 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIHD5N50D-E3

Description: MOSFET N-CH 500V 5.3A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD5N50D-GE3

Description: VISHAY - SIHD5N50D-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5.3 A, 1.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 104W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

на замовлення 1261 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	50.26 грн
500+	45.78 грн
1000+	41.43 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIHD5N50D-GE3

Description: VISHAY - SIHD5N50D-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5.3 A, 1.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 104W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: D
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.2ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

на замовлення 1261 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	69.55 грн
14+	59.86 грн
100+	50.26 грн
500+	45.78 грн
1000+	41.43 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

SIHD5N50D-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.4A; Idm: 10A; 104W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3.4A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 104W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD5N50D-GE3

MOSFETs 500V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)

на замовлення 5985 шт:

термін постачання 201-210 дні (днів)

4+	81.63 грн
10+	59.64 грн
100+	45.14 грн
500+	45.07 грн
1000+	30.46 грн
3000+	28.61 грн
6000+	28.19 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIHD5N50D-GE3

Description: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD5N80AE-GE3

MOSFETs DPAK 800V 4.4A E SERIES

на замовлення 3024 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	100.04 грн
10+	64.77 грн
100+	40.54 грн
500+	31.90 грн
1000+	29.15 грн
3000+	25.86 грн
6000+	25.59 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIHD5N80AE-GE3

Description: E SERIES POWER MOSFET DPAK (TO-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 321 pF @ 100 V

на замовлення 3006 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	118.85 грн
10+	72.68 грн
100+	48.57 грн
500+	35.86 грн
1000+	32.74 грн
3000+	28.77 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIHD690N60E-GE3

MOSFETs 600V DPAK (TO-252) N-CHANNEL

на замовлення 2871 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	153.66 грн
10+	104.13 грн
100+	72.03 грн
500+	59.61 грн
1000+	46.92 грн
3000+	41.71 грн
6000+	41.23 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIHD690N60E-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 6.4A DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD6N62E-GE3

MOSFETs 620V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)

на замовлення 2405 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	155.26 грн
10+	98.61 грн
100+	58.93 грн
500+	49.94 грн
1000+	41.71 грн
3000+	36.15 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIHD6N62E-GE3

Description: MOSFET N-CH 620V 6A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 578 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD6N62E-GE3

Description: VISHAY - SIHD6N62E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 620 V, 6 A, 0.78 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 620
Dauer-Drainstrom Id: 6
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 78
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 78
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.78
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.78
SVHC: To Be Advised

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD6N62ET1-GE3

MOSFETs 620V Vds E Series DPAK TO-252

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD6N62ET1-GE3

Description: MOSFET N-CH 620V 6A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 620 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 578 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD6N62ET1-GE3

Description: MOSFET N-CH 620V 6A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 620 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 578 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD6N65E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 18A; 78W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 78W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD6N65E-GE3

Description: VISHAY - SIHD6N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 46 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	92.84 грн
17+	47.30 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SIHD6N65E-GE3

Description: MOSFET N-CH 650V 7A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 100 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	154.35 грн
75+	67.91 грн
150+	61.20 грн
525+	48.47 грн
1050+	44.60 грн
2025+	41.49 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHD6N65E-GE3

MOSFETs 650V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)

на замовлення 5522 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	160.86 грн
10+	72.58 грн
100+	56.73 грн
500+	47.88 грн
1000+	44.45 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHD6N65E-GE3

Description: VISHAY - SIHD6N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 78W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.5ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 46 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIHD6N65ET1-GE3

Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD6N65ET1-GE3

MOSFETs 650V Vds E Series DPAK TO-252

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD6N65ET4-GE3

MOSFETs 650V Vds E Series DPAK TO-252

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD6N65ET4-GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD6N65ET5-GE3

Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD6N65ET5-GE3

MOSFETs 650V Vds E Series DPAK TO-252

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD6N80AE-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 800V DPAK (TO-252)

на замовлення 2755 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	128.85 грн
10+	55.54 грн
100+	43.77 грн
500+	37.04 грн
1000+	33.34 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIHD6N80AE-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.2A; Idm: 10A; 62.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.2A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 62.5W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 22.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD6N80AE-GE3

Description: MOSFET N-CH 800V 5A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 422 pF @ 100 V

на замовлення 2988 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	108.04 грн
75+	44.68 грн
150+	41.03 грн
525+	37.39 грн
1050+	34.25 грн
2025+	32.79 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIHD6N80AET1-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 800V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD6N80AET4-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 800V

на замовлення 2800 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	131.25 грн
10+	82.83 грн
100+	50.01 грн
500+	42.39 грн
1000+	35.40 грн
2500+	32.65 грн
5000+	31.42 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIHD6N80E-GE3

MOSFETs 800V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)

на замовлення 1192 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	196.88 грн
10+	126.22 грн
100+	75.46 грн
500+	61.33 грн
1000+	58.58 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHD6N80E-GE3

Trans MOSFET N-CH 800V 5.4A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD6N80E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.4A; Idm: 15A; 78W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.4A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 78W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 940mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD6N80E-GE3

Description: MOSFET N-CH 800V 5.4A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 940mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 827 pF @ 100 V

на замовлення 1972 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	179.81 грн
10+	117.27 грн
100+	80.84 грн
500+	61.24 грн
1000+	56.53 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHD6N80E-GE3

Trans MOSFET N-CH 800V 5.4A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA

на замовлення 1935 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	80.85 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

SIHD7N60E-E3

Description: MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD7N60E-E3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD7N60E-GE3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)

на замовлення 3210 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	188.88 грн
10+	120.70 грн
100+	76.14 грн
500+	63.11 грн
1000+	58.58 грн
3000+	56.53 грн
6000+	54.60 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHD7N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD7N60E-GE3

Description: VISHAY - SIHD7N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 3654 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	147.26 грн
10+	100.84 грн
100+	67.47 грн
500+	61.98 грн
1000+	56.59 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SIHD7N60E-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V

на замовлення 107 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	182.90 грн
10+	113.70 грн
100+	78.16 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHD7N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 52 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	78.20 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

SIHD7N60E-GE3-X

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD7N60ET-GE3

MOSFETs 600V 600mOhm@10V 7A N-Ch E-SRS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD7N60ET1-GE3

MOSFETs 600V 600mOhm@10V 7A N-Ch E-SRS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD7N60ET4-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD7N60ET4-GE3

MOSFET 600V Vds E Series DPAK TO-252

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD7N60ET5-GE3

MOSFET 600V Vds E Series DPAK TO-252

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD7N60ET5-GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD9N60E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; Idm: 22A; 78W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 78W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 368mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 22A
Gate charge: 52nC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD9N60E-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 9A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 368mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 778 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHD9N60E-GE3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)

на замовлення 2685 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	189.68 грн
10+	119.91 грн
100+	73.40 грн
500+	61.33 грн
1000+	56.11 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHDGGA120A01

Amphenol Socapex

Rectangular Mil Spec Connectors THERMAL CLAMP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF065N60E-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 40A TO220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 100 V

на замовлення 1196 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	527.87 грн
50+	276.01 грн
100+	253.59 грн
500+	204.39 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHF065N60E-GE3

SIHF065N60E-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 600V 40A 3-Pin(3+Tab ) TO-220FP - Arrow.com

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF065N60E-GE3

SIHF065N60E-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 600V 40A 3-Pin(3+Tab ) TO-220FP - Arrow.com

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF065N60E-GE3

SIHF065N60E-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 600V 40A 3-Pin(3+Tab ) TO-220FP - Arrow.com

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF065N60E-GE3

MOSFETs 650V Vds; 30V Vgs TO-220

на замовлення 1146 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	272.91 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHF068N60EF

Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF068N60EF-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIHF068N60EF-GE3

Description: VISHAY - SIHF068N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 16 A, 0.068 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 948 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	251.30 грн
10+	176.07 грн
100+	174.47 грн
500+	153.83 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIHF068N60EF-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF068N60EF-GE3

MOSFETs TO220 600V 16A N-CH MOSFET

на замовлення 1196 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	428.17 грн
10+	224.04 грн
100+	178.36 грн
1000+	174.93 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHF068N60EF-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF068N60EF-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 16A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2628 pF @ 100 V

на замовлення 599 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	405.16 грн
50+	206.85 грн
100+	189.13 грн
500+	148.40 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHF074N65E-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 650V

на замовлення 2158 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	519.41 грн
10+	351.05 грн
100+	241.47 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHF074N65E-GE3

Description: E SERIES POWER MOSFET TO-220 FUL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2904 pF @ 100 V

на замовлення 988 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	491.60 грн
10+	323.72 грн
100+	246.84 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHF074N65E-GE3

Description: VISHAY - SIHF074N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 14 A, 0.079 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.079ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 995 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	465.79 грн
50+	376.04 грн
100+	294.29 грн
250+	288.12 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

SIHF074N65E-GE3

на замовлення 995 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	639.46 грн
5+	553.02 грн
10+	465.79 грн
50+	376.04 грн
100+	294.29 грн
250+	288.12 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SiHF080N60E

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF080N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 14A Tube

на замовлення 33 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	184.83 грн
21+	35.17 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIHF080N60E-GE3

MOSFETs TO220 600V 14A E SERIES

на замовлення 3456 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	361.74 грн
10+	186.97 грн
100+	147.49 грн
1000+	128.28 грн
2000+	127.59 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHF080N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 14A Tube

на замовлення 33 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIHF080N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 14A Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF080N60E-GE3

Description: E SERIES POWER MOSFET TO-220 FUL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2557 pF @ 100 V

на замовлення 655 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	342.65 грн
50+	172.01 грн
100+	156.78 грн
500+	122.09 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHF080N60E-GE3

Description: VISHAY - SIHF080N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 14 A, 0.08 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 703 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	360.14 грн
10+	212.89 грн
100+	206.48 грн
500+	158.29 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIHF085N60EF-GE3

Description: EF SERIES POWER MOSFET TO-220 FU
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2733 pF @ 100 V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	438.35 грн
10+	291.69 грн
100+	215.43 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHF085N60EF-GE3

Description: VISHAY - SIHF085N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.084 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.084ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	500.20 грн
10+	352.94 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHF085N60EF-GE3

Description: EF SERIES POWER MOSFET TO-220 FU
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2733 pF @ 100 V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	182.77 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

SIHF085N60EF-GE3

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	352.94 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

SIHF085N60EF-GE3

MOSFETs EF Series Power MOSFET TO-220 FULLPAK, 84 mohm a. 10V

на замовлення 1734 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	449.78 грн
10+	312.40 грн
100+	200.99 грн
1000+	170.13 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHF10N40D-E3

Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

на замовлення 995 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	135.32 грн
10+	121.63 грн
100+	88.93 грн
500+	72.99 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SIHF10N40D-E3

MOSFETs 400V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF10N40D-E3

Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF10N40D-E3

Description: MOSFET N-CH 400V 10A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 526 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF10N40D-E3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6A; Idm: 23A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 23A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF110N65SF-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 650V

на замовлення 920 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	318.53 грн
10+	216.15 грн
100+	171.50 грн
500+	159.15 грн
1000+	120.05 грн
2000+	112.50 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHF110N65SF-GE3

Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2772 pF @ 100 V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	286.31 грн
10+	181.85 грн
100+	128.39 грн
500+	99.09 грн
1000+	92.21 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHF12N50C-E3

MOSFETs N-Channel 500V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF12N50C-E3

Description: MOSFET N-CH 500V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 555mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1375 pF @ 25 V

на замовлення 855 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	398.22 грн
50+	202.46 грн
100+	185.04 грн
500+	145.01 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHF12N60E-E3

Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF12N60E-E3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF12N60E-E3

Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 937 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF12N60E-E3
Код товару: 171580

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF12N60E-E3

Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF12N60E-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 937 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF12N60E-GE3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.8A; Idm: 27A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.8A
Pulsed drain current: 27A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF12N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF12N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF12N60E-GE3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

на замовлення 6563 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	248.10 грн
10+	159.36 грн
100+	106.33 грн
500+	89.18 грн
1000+	82.32 грн
2000+	78.20 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHF12N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF12N65E-GE3

Trans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF12N65E-GE3

MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

на замовлення 781 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	224.89 грн
10+	111.23 грн
100+	87.12 грн
500+	71.34 грн
1000+	70.66 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHF12N65E-GE3

Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1224 pF @ 100 V

на замовлення 871 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	216.09 грн
50+	104.23 грн
100+	94.14 грн
500+	71.75 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHF12N65E-GE3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8A; Idm: 28A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Pulsed drain current: 28A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF15N60E-E3

MOSFETs RECOMMENDED ALT SI71

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF15N60E-E3

Description: MOSFET N-CH 600V 15A TO220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SiHF15N60E-E3
Код товару: 117209

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF15N60E-E3

Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF15N60E-E3

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIHF15N60E-E3

Description: VISHAY - SIHF15N60E-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15 A, 0.23 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 15
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 34
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 34
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: E
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.23
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23
SVHC: To Be Advised

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF15N60E-E3

Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF15N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	213.70 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

SIHF15N60E-GE3

Description: VISHAY - SIHF15N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15 A, 0.23 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm

на замовлення 23 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	280.11 грн
10+	153.66 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIHF15N60E-GE3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.6A; Idm: 39A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF15N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF15N60E-GE3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

на замовлення 487 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	280.11 грн
10+	141.21 грн
100+	111.82 грн
500+	94.67 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHF15N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	229.69 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

SIHF15N60E-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 15A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100

на замовлення 395 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	270.11 грн
50+	132.80 грн
100+	120.45 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHF15N60E-GE3
Код товару: 127335

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF15N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF15N65E-GE3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; Idm: 38A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 38A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF15N65E-GE3

MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF15N65E-GE3

Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF15N65E-GE3

Description: MOSFET N-CH 650V 15A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF15N65E-GE3

Description: VISHAY - SIHF15N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15 A, 0.28 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 40 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	210.48 грн
10+	184.07 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIHF16N50C-E3

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIHF16N50C-E3

MOSFET N-Channel 500V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF16N50C-E3

Description: MOSFET N-CH 500V 16A TO220
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF18N50C-E3

Description: MOSFET N-CH 500V 18A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2942 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF18N50D

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF18N50D-E3

Description: MOSFET N-CH 500V 18A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF18N50D-E3

MOSFETs 500V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

на замовлення 884 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	212.89 грн
10+	165.67 грн
100+	102.21 грн
500+	96.04 грн
1000+	93.98 грн
2000+	89.86 грн
5000+	87.81 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHF18N50D-E3

Trans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF18N50D-E3

Description: VISHAY - SIHF18N50D-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 18 A, 0.28 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: D
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

на замовлення 921 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	248.10 грн
10+	163.27 грн
100+	114.45 грн
500+	97.35 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIHF18N50D-E3
Код товару: 188008

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 550 V
Idd,A: 18 A
Rds(on), Ohm: 0,28 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1500/38
Монтаж: THT

у наявності 6 шт:

2 шт - РАДІОМАГ-Львів
3 шт - РАДІОМАГ-Харків
1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро

1+	210.00 грн
10+	195.00 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHF18N50D-E3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; Idm: 53A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 53A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF18N50D-E3

Trans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF22N60E-E3

Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF22N60E-E3

MOSFETs RECOMMENDED ALT SIR4

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF22N60E-E3

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIHF22N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF22N60E-GE3

Description: VISHAY - SIHF22N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 A, 0.18 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 1001 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	418.57 грн
10+	268.91 грн
100+	198.48 грн
500+	138.97 грн
1000+	118.68 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHF22N60E-GE3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 56A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

на замовлення 150 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	313.01 грн
5+	232.03 грн
10+	203.13 грн
25+	180.01 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHF22N60E-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 100 V

на замовлення 5136 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	329.53 грн
50+	164.76 грн
100+	150.01 грн
500+	116.51 грн
1000+	108.79 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHF22N60E-GE3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

на замовлення 118 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	341.74 грн
10+	175.13 грн
100+	138.57 грн
500+	115.25 грн
1000+	113.87 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHF22N60E-GE3

на замовлення 150 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	375.62 грн
5+	289.14 грн
10+	243.75 грн
25+	216.01 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHF22N60S-E3

на замовлення 82 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIHF22N60S-E3

Description: MOSFET N-CH 600V 22A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2810 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF22N65E-GE3

Description: MOSFET N-CH 650V 22A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2415 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF22N65E-GE3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 14A; Idm: 56A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF22N65E-GE3

MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF23N60E-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 23A TO220
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 158mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2418 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF23N60E-GE3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

на замовлення 912 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	324.93 грн
10+	209.05 грн
100+	142.00 грн
500+	119.36 грн
1000+	104.96 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHF28N60EF-GE3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

на замовлення 693 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	523.41 грн
10+	317.13 грн
100+	242.15 грн
500+	214.71 грн
1000+	201.68 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHF28N60EF-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 28A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2714 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF2X0.5
Код товару: 108027

Додати до обраних Обраний товар

Кабель, провід, шлейф, мережеві шнури > Кабель

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SiHF30N60E-E3

Description: MOSFET N-CH 600V 29A TO220

на замовлення 496 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIHF30N60E-E3

Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SiHF30N60E-E3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF30N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF30N60E-GE3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

на замовлення 1002 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	466.59 грн
10+	310.03 грн
100+	198.25 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHF30N60E-GE3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 18A; Idm: 676A; 37W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 18A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 37W
Pulsed drain current: 676A
Gate charge: 130nC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF30N60E-GE3

Description: VISHAY - SIHF30N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.104 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 29
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 37
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 37
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.104
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.104
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	512.20 грн
10+	349.74 грн
100+	315.33 грн
500+	274.97 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHF30N60E-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 29A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 100 V

на замовлення 2565 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	449.92 грн
10+	292.06 грн
100+	212.10 грн
500+	167.05 грн
1000+	165.06 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHF35N60E-GE3

Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 32A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF35N60E-GE3

SIHF35N60E-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 600V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP - Arrow.com

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF35N60E-GE3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF35N60EF-GE3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 80A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 97mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 80A
Gate charge: 134nC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF35N60EF-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF35N60EF-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 32A TO220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 97mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2568 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF35N60EF-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF35N60EF-GE3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

на замовлення 863 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	582.63 грн
10+	399.97 грн
100+	327.90 грн
500+	300.46 грн
1000+	193.45 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHF3X0.5
Код товару: 123726

Додати до обраних Обраний товар

Кабель, провід, шлейф, мережеві шнури > Провода монтажні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF3X0.75
Код товару: 104161

Додати до обраних Обраний товар

Кабель, провід, шлейф, мережеві шнури > Кабель

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF4X0.5
Код товару: 115638

Додати до обраних Обраний товар

Кабель, провід, шлейф, мережеві шнури > Кабель

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF510S-GE3

MOSFETs MOSFET N-CHANNEL 100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF510STRL-GE3

MOSFETs MOSFET N-CHANNEL 100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF510STRR-GE3

MOSFETs MOSFET N-CHANNEL 100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF520S-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 100V

на замовлення 807 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	104.84 грн
10+	65.40 грн
100+	37.73 грн
500+	29.77 грн
1000+	26.82 грн
2500+	24.63 грн
5000+	22.16 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIHF520STRL-GE3

MOSFETs 100V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF520STRL-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF520STRR-GE3

MOSFETs 100V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF520STRR-GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF530-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 14A TO220AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V

на замовлення 876 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	106.50 грн
10+	64.95 грн
100+	43.34 грн
500+	31.98 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIHF530-GE3

Surface Mount Fast Switching, Low Resistance Power MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF530-GE3

MOSFETs 100V Vds 20V Vgs TO-220AB

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF530-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 14A TO220AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SiHF530S-E3

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF530S-GE3

MOSFETs MOSFET N-CHANNEL 100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF530STRL-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 14A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF530STRL-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF530STRL-GE3

MOSFETs 100V Vds 20V Vgs TO-220AB

на замовлення 2383 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	97.64 грн
10+	63.74 грн
100+	40.06 грн
500+	29.43 грн
800+	25.72 грн
2400+	24.22 грн
4800+	23.80 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIHF530STRL-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 14A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V

на замовлення 550 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	107.27 грн
10+	65.25 грн
100+	43.56 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIHF530STRR-GE3

MOSFETs MOSFET N-CHANNEL 100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF540S-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF540S-GE3

MOSFETs 100V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)

на замовлення 336 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	160.06 грн
10+	100.98 грн
100+	61.33 грн
500+	51.59 грн
1000+	41.85 грн
2000+	41.09 грн
5000+	40.34 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHF540S-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF540STRL-GE3

MOSFETs 100V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF540STRL-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF540STRL-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF540STRR-GE3

MOSFETs MOSFET N-CHANNEL 100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF5N50D-E3

Trans MOSFET N-CH 500V 5.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF5N50D-E3

Description: VISHAY - SIHF5N50D-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5.3 A, 1.2 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 5.3
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 30
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: D
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.2
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

на замовлення 1571 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	95.24 грн
10+	84.03 грн
100+	64.67 грн
500+	50.16 грн
1000+	39.86 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SIHF5N50D-E3

MOSFETs 500V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

на замовлення 995 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	97.64 грн
10+	78.89 грн
100+	53.44 грн
500+	45.34 грн
1000+	36.91 грн
2000+	35.95 грн
5000+	35.05 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIHF5N50D-E3

Description: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF5N50D-E3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.4A; Idm: 10A; 28.8W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3.4A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 28.8W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF620S-GE3

MOSFETs MOSFET N-CHANNEL 200V

на замовлення 881 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	103.24 грн
10+	64.45 грн
100+	37.18 грн
500+	29.29 грн
1000+	26.41 грн
2500+	24.22 грн
5000+	21.88 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIHF620STRL-GE3

MOSFETs MOSFET N-CHANNEL 200V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF620STRR-GE3

MOSFETs MOSFET N-CHANNEL 200V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF630S-GE3

MOSFETs MOSFET N-CHANNEL 200V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF630S-GE3

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF630STRL-GE3

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF630STRR-GE3

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF634S-GE3

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF634STRR-GE3

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF640L-GE3

MOSFETs MOSFET N-CHANNEL 200V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF640S-GE3

Description: MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V

на замовлення 789 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	182.90 грн
10+	114.00 грн
100+	78.47 грн
500+	59.39 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHF640S-GE3

Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF640S-GE3

MOSFETs 200V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)

на замовлення 1221 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	193.68 грн
10+	123.86 грн
100+	74.09 грн
500+	59.61 грн
1000+	56.05 грн
2000+	51.38 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHF644S-GE3

SIHF644S-GE3 SMD N channel transistors

на замовлення 975 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

3+	119.51 грн
17+	72.33 грн
45+	68.37 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIHF6N40D-E3

Trans MOSFET N-CH 400V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF6N40D-E3

MOSFET 400V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF6N40D-E3

Description: MOSFET N-CH 400V 6A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 311 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF6N65E-GE3

MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

на замовлення 896 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	232.89 грн
10+	147.52 грн
100+	91.92 грн
500+	77.52 грн
1000+	67.84 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHF6N65E-GE3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 18A; 31W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 31W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF6N65E-GE3

Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF6N65E-GE3

Description: VISHAY - SIHF6N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.5 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 35 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	180.07 грн
10+	149.66 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIHF720STRL-GE3

MOSFETs MOSFET N-CHANNEL 400V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF730AL-GE3

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF730AS-GE3

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF730ASTRL-GE3

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF730ASTRR-GE3

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF730S-GE3

MOSFETs MOSFET N-CHANNEL 400V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF730STRL-GE3

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF740-E3

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF740AL-GE3

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF740AS-GE3

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF740ASTRL-GE3

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF740ASTRR-GE3

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF740S-GE3

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF740STRL-GE3

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF740STRR-GE3

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF7N60E-E3

Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF7N60E-E3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF7N60E-E3

Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF7N60E-E3

Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SiHF7N60E-GE3

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SiHF7N60E-GE3

Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 7A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF820AL-GE3

MOSFETs MOSFET N-CHANNEL 500V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF820AS-GE3

MOSFETs MOSFET N-CHANNEL 500V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF820L-GE3

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF830S-GE3

MOSFETs MOSFET N-CHANNEL 500V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF840AL-GE3

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF840AS-GE3

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF840ASTRL-GE3

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF840L-GE3

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF840LCL-GE3

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF840LCS-GE3

Description: MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF840LCS-GE3

MOSFET 500V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF840S-E3

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF840S-GE3

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF840STR-E3

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF840STRL-GE3

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF840STRR-GE3

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF8N50D-E3

Trans MOSFET N-CH 500V 8.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF8N50D-E3

Description: MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 527 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF8N50D-E3

Trans MOSFET N-CH 500V 8.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF8N50D-E3

MOSFETs 500V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF8N50D-E3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.5A; Idm: 18A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.5A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF8N50L-E3

Description: MOSFET N-CH 500V 8A TO220
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 0 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 873 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF8N50L-E3

MOSFETs 500V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

на замовлення 893 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	110.44 грн
10+	89.93 грн
100+	62.77 грн
250+	57.90 грн
500+	52.55 грн
1000+	45.07 грн
2000+	43.29 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIHF9520S-GE3

Trans MOSFET P-CH 100V 6.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF9520S-GE3

Description: MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V

на замовлення 583 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	99.55 грн
10+	63.76 грн
100+	43.53 грн
500+	32.14 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIHF9520S-GE3

MOSFETs 100V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)

на замовлення 1523 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	111.24 грн
10+	69.90 грн
100+	40.61 грн
500+	31.90 грн
1000+	31.42 грн
2000+	26.82 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIHF9530S-GE3

SIHF9530S-GE3 SMD P channel transistors

на замовлення 909 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

5+	78.54 грн
26+	44.59 грн
72+	41.62 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIHF9530S-GE3

MOSFETs MOSFET P-CHANNEL 100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF9530STRL-GE3

MOSFETs MOSFET P-CHANNEL 100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF9540PBF

Description: MOSFET P-CH 100V TO-220AB
Packaging: Tube
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF9540PBF

MOSFETs -100V Vds +/-20V Vgs Rds(on) 0.20 @-10V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF9540S-GE3

MOSFETs 100V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF9540S-GE3

Trans MOSFET P-CH 100V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF9540S-GE3

Description: MOSFET P-CH 100V 19A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF9540STRL-GE3

MOSFETs MOSFET P-CHANNEL 100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF9610S-GE3

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF9620S-GE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 200V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V

на замовлення 960 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	104.18 грн
10+	63.17 грн
100+	42.11 грн
500+	31.06 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIHF9620S-GE3

Trans MOSFET P-CH 200V 3.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF9620S-GE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 200V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF9630S-GE3

MOSFETs -200V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)

на замовлення 1575 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	128.85 грн
10+	97.03 грн
100+	57.49 грн
500+	45.89 грн
1000+	42.87 грн
2000+	37.73 грн
5000+	37.52 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIHF9630S-GE3

Description: MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V

на замовлення 995 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	123.48 грн
10+	90.44 грн
100+	61.69 грн
500+	46.21 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIHF9630S-GE3

Description: MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF9630S-GE3

Trans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF9630STRL-GE3

на замовлення 773 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	122.71 грн
10+	75.28 грн
100+	50.65 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIHF9630STRL-GE3

Trans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF9630STRL-GE3

MOSFET -200V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)

на замовлення 48 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	110.44 грн
10+	97.82 грн
100+	68.32 грн
500+	54.81 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIHF9630STRL-GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF9640L-GE3

MOSFETs MOSFET P-CHANNEL 200V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF9640S-GE3

Description: MOSFET P-CH 200V 11A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF9640S-GE3

Trans MOSFET P-CH 200V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF9640S-GE3

MOSFETs -200V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF9640STRL-GE3

MOSFETs P-CHANNEL 200V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF9640STRR-GE3

MOSFETs MOSFET P-CHANNEL 200V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF9Z14L-GE3

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF9Z14S-GE3

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF9Z14STRL-GE3

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF9Z24S-GE3

MOSFETs MOSFET P-CHANNEL 60V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF9Z24STRL-GE3

MOSFETs MOSFET P-CHANNEL 60V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF9Z24STRR-GE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 60V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V

на замовлення 1983 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	107.27 грн
10+	65.55 грн
100+	43.77 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIHF9Z24STRR-GE3

MOSFETs TO263 P-CH 60V 11A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF9Z24STRR-GE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 60V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	33.59 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

SIHF9Z24STRR-GE3

Trans MOSFET P-CH Si 60V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF9Z34STRL-GE3

MOSFETs TO263 P-CH 60V 18A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF9Z34STRL-GE3

Trans MOSFET P-CH Si 60V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF9Z34STRL-GE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 60V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V

на замовлення 730 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	142.77 грн
10+	87.84 грн
100+	59.56 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIHF9Z34STRL-GE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 60V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHF9Z34STRR-GE3

MOSFETs MOSFET P-CHANNEL 60V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHFB11N50A-E3

Description: MOSFET N-CH 500V 11A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1423 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHFB11N50A-E3

MOSFETs RECOMMENDED ALT SIHP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHFB20N50K-E3

MOSFETs RECOMMENDED ALT SIHP18N50C-E3

на замовлення 860 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	439.38 грн
10+	362.89 грн
25+	298.40 грн
100+	255.87 грн
250+	241.47 грн
500+	227.06 грн
1000+	194.13 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHFB20N50K-E3

Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2870 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHFBC20L-GE3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.4A; Idm: 8A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.4A
Power dissipation: 50W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 8A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHFBC30AL-GE3

MOSFETs MOSFET N-CHANNEL 600V

на замовлення 995 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	130.45 грн
10+	81.26 грн
100+	47.33 грн
500+	38.76 грн
1000+	33.96 грн
2500+	31.21 грн
5000+	28.81 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIHFBC40AS-GE3

Description: MOSFET N-CHANNEL 600V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1036 pF @ 25 V

на замовлення 983 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	164.38 грн
10+	101.81 грн
100+	69.60 грн
500+	52.40 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHFBC40AS-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHFBE20-E3

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHFBE30L-GE3

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHFBE30S-GE3

Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	109.81 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

SIHFBE30S-GE3

MOSFETs TO263 800V 4.1A N-CH MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHFBE30S-GE3

Description: MOSFET N-CHANNEL 800V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V

на замовлення 960 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	169.01 грн
10+	104.86 грн
100+	71.84 грн
500+	54.15 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHFBE30S-GE3

Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHFBE30S-GE3

Description: MOSFET N-CHANNEL 800V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHFBE30STRL-GE3

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	56.63 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

SIHFBE30STRL-GE3

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	169.01 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIHFBE30STRL-GE3

Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHFBE30STRL-GE3

MOSFETs TO263 800V 4.1A N-CH MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHFBF30S-GE3

Description: MOSFET N-CHANNEL 900V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 2.2A, 100V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHFBF30S-GE3

MOSFETs TO263 900V 3.6A N-CH MOSFET

на замовлення 805 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	145.66 грн
10+	104.13 грн
100+	69.28 грн
2000+	67.91 грн
5000+	63.80 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIHFBF30S-GE3

Description: MOSFET N-CHANNEL 900V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 2.2A, 100V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V

на замовлення 923 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	139.68 грн
10+	96.91 грн
100+	73.00 грн
500+	55.06 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIHFC1

3M Electronic Specialty

Wire Identification SLEEVE 20MM 240/BOX

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHFC9640DWF

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHFD120

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIHFD120-E3

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHFD120-E3

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIHFD121

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIHFD121-E3

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIHFD122

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIHFD122-E3

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIHFD123

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIHFD123-E3

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIHFD420-E3

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHFD9014-E3

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHFD9120-E3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SiHFI9540G-E3

MOSFET P-CH 100V 11A TO-220-3

на замовлення 14 шт:

термін постачання 5 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIHFIB11N50A-E3

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIHFIB16N50K-E3