Продукція > DMN

BGA

на замовлення 3325 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN-8100 C0

02+

на замовлення 135 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN-8100 C0

02+

на замовлення 135 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN-8100CO

BGA

на замовлення 3325 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN-8100CO

BGA

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN-8600

N/A

на замовлення 37 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN-8600

04+ QFP

на замовлення 250 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN-8600 BO

BGA

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN-8600 BO

BGA

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN-8600 D0

BGA

на замовлення 767 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN-8600DU

03+

на замовлення 22 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN-8602

BGA 04+

на замовлення 150 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN-8602

06+ PBGA308;

на замовлення 166 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN-8602 BO

BGA

на замовлення 160 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN-8602 BO

03+

на замовлення 55 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN-8602 BO

BGA

на замовлення 325 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN-8602-BO

на замовлення 532 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN-8602B0

LSILOGIG

0614+

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN-8602BO

QFP

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN-8602BO

QFP

на замовлення 3200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN-8602BO

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN-8602BO

05+

на замовлення 2800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN-8603

на замовлення 269 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN-8603B1

на замовлення 271 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN-8623

на замовлення 738 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN-8652

на замовлення 439 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN-8652 BO

на замовлення 120 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN-8652B0

2005 BGA

на замовлення 399 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN-8652BO

BGA

на замовлення 3325 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN-8652BO

BGA

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN-8652BO

06PB

на замовлення 120 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN-8802BO

BGA

на замовлення 230 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN100

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN100

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN100-7

Description: MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN100-7-F

Trans MOSFET N-CH 30V 1.1A 3-Pin SC-59 T/R

на замовлення 2600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	53.66 грн
16+	46.31 грн
25+	45.45 грн
50+	43.39 грн
100+	31.13 грн
250+	28.44 грн
500+	22.23 грн
1000+	17.47 грн

Мінімальне замовлення: 14

В кошику од. на суму грн.

DMN100-7-F

Trans MOSFET N-CH 30V 1.1A 3-Pin SC-59 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN100-7-F

MOSFET N-Channel

на замовлення 252 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN100-7-F

Trans MOSFET N-CH 30V 1.1A 3-Pin SC-59 T/R

на замовлення 2600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

292+	42.42 грн
295+	42.00 грн
381+	32.54 грн
400+	29.86 грн
512+	21.62 грн
1000+	16.30 грн

Мінімальне замовлення: 292

В кошику од. на суму грн.

DMN100-7-F

Description: MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: SC-59-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN1001UCA10-7

Description: DIODES INC. - DMN1001UCA10-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 12 V, 20 A, 20 A, 3190 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3190µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: X2-TSN1820
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3190µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 2950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	53.10 грн
20+	44.20 грн
100+	32.77 грн
500+	23.67 грн
1000+	19.89 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

DMN1001UCA10-7

Description: MOSFET 2N-CH 12V 20A X2-TSN1820
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2865pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.55mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 870µA
Supplier Device Package: X2-TSN1820-10

на замовлення 80929 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	96.36 грн
10+	58.11 грн
100+	38.31 грн
500+	27.98 грн
1000+	25.41 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

DMN1001UCA10-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V

на замовлення 486 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	92.47 грн
10+	62.94 грн
25+	54.13 грн
100+	36.24 грн
500+	29.29 грн
1000+	26.12 грн
3000+	22.34 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

DMN1001UCA10-7

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 42000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	22.92 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN1001UCA10-7

на замовлення 2950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	32.77 грн
500+	23.67 грн
1000+	19.89 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMN1001UCA10-7

Description: MOSFET 2N-CH 12V 20A X2-TSN1820
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2865pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.55mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 870µA
Supplier Device Package: X2-TSN1820-10

на замовлення 78000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	24.51 грн
6000+	21.86 грн
9000+	20.97 грн
15000+	19.66 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN1001UCA10-7

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN1002UCA6-7

Description: MOSFET 2N-CH X4-DSN3118-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68.6nC @ 4V
Supplier Device Package: X4-DSN3118-6

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN1002UCA6-7

Trans MOSFET N-CH 12V 24.4A 6-Pin X4-DSN T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN1002UCA6-7

Description: MOSFET 2N-CH X4-DSN3118-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68.6nC @ 4V
Supplier Device Package: X4-DSN3118-6

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	27.19 грн
6000+	24.93 грн
9000+	23.78 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN1002UCA6-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN1002UCA6-7

Trans MOSFET N-CH 12V 24.4A 6-Pin X4-DSN T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN1003UCA6-7

Trans MOSFET N-CH 12V 23.6A 6-Pin X3-DSN T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN1003UCA6-7

MOSFETs MOSFETBVDSS: 8V-24V

на замовлення 2325 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	71.16 грн
10+	56.95 грн
100+	36.39 грн
500+	30.65 грн
1000+	27.78 грн
3000+	24.31 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

DMN1003UCA6-7

Description: MOSFET 2N-CH X3-DSN3518-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.67W
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3315pF @ 6V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: X3-DSN3518-6

на замовлення 8990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	64.51 грн
10+	51.11 грн
100+	37.51 грн
500+	29.57 грн
1000+	26.74 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DMN1003UCA6-7

Trans MOSFET N-CH 12V 23.6A 6-Pin X3-DSN T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN1003UCA6-7

Description: MOSFET 2N-CH X3-DSN3518-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.67W
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3315pF @ 6V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: X3-DSN3518-6

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	24.58 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN1003UFDE-13

Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2551 pF @ 6 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN1003UFDE-13

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 10K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN1003UFDE-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6 T&R 3K

на замовлення 796 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	68.96 грн
10+	41.67 грн
100+	24.84 грн
500+	19.48 грн
1000+	16.23 грн
3000+	13.29 грн
6000+	12.53 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DMN1004UFDF-13

MOSFETs MOSFETBVDSS: 8V-24V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN1004UFDF-13

Trans MOSFET N-CH 12V 15A 6-Pin UDFN EP T/R

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	12.92 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMN1004UFDF-13

Description: MOSFET N-CH 12V 15A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2385 pF @ 6 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN1004UFDF-13

Trans MOSFET N-CH 12V 15A 6-Pin UDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN1004UFDF-13

Trans MOSFET N-CH 12V 15A 6-Pin UDFN EP T/R

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	13.85 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMN1004UFDF-7

Trans MOSFET N-CH 12V 15A 6-Pin UDFN EP T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	12.51 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN1004UFDF-7

Trans MOSFET N-CH 12V 15A 6-Pin UDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN1004UFDF-7

Description: DIODES INC. - DMN1004UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 15 A, 4100 µohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 2005 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	26.68 грн
500+	18.87 грн
1000+	15.53 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMN1004UFDF-7

Description: MOSFET N-CH 12V 15A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2385 pF @ 6 V

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	13.97 грн
6000+	12.77 грн
9000+	11.85 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN1004UFDF-7

Trans MOSFET N-CH 12V 15A 6-Pin UDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN1004UFDF-7

на замовлення 2005 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	51.06 грн
24+	35.31 грн
100+	26.68 грн
500+	18.87 грн
1000+	15.53 грн

Мінімальне замовлення: 17

В кошику од. на суму грн.

DMN1004UFDF-7

MOSFETs MOSFETBVDSS: 8V-24V

на замовлення 7530 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	47.73 грн
11+	32.55 грн
100+	21.36 грн
500+	16.31 грн
1000+	14.49 грн
3000+	10.19 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DMN1004UFDF-7

Description: MOSFET N-CH 12V 15A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2385 pF @ 6 V

на замовлення 11990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	41.65 грн
10+	34.05 грн
100+	23.71 грн
500+	17.37 грн
1000+	14.12 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DMN1004UFV-13

Description: MOSFET N-CH 12V 70A POWERDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2385 pF @ 6 V

на замовлення 1663 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	59.61 грн
10+	35.78 грн
100+	23.21 грн
500+	16.67 грн
1000+	15.03 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DMN1004UFV-13

Trans MOSFET N-CH 12V 70A 8-Pin PowerDI EP T/R

на замовлення 90000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	13.28 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN1004UFV-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V

на замовлення 1929 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	64.38 грн
10+	39.67 грн
100+	22.34 грн
500+	17.14 грн
1000+	15.48 грн
3000+	12.23 грн
6000+	11.93 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DMN1004UFV-13

Description: MOSFET N-CH 12V 70A POWERDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2385 pF @ 6 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN1004UFV-13

Trans MOSFET N-CH 12V 70A 8-Pin PowerDI EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN1004UFV-13

Trans MOSFET N-CH 12V 70A 8-Pin PowerDI EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN1004UFV-7

на замовлення 47603 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	59.61 грн
10+	35.78 грн
100+	23.21 грн
500+	16.67 грн
1000+	15.03 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DMN1004UFV-7

Trans MOSFET N-CH 12V 70A 8-Pin PowerDI EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN1004UFV-7

Description: DIODES INC. - DMN1004UFV-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 70 A, 3800 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 900mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 900mW
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0028ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 278 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	27.86 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMN1004UFV-7

Trans MOSFET N-CH 12V 70A 8-Pin PowerDI EP T/R

на замовлення 102000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	13.28 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

DMN1004UFV-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 55A; 0.9W; PowerDI®3333-8; ESD
Case: PowerDI®3333-8
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 5.1mΩ
Power dissipation: 0.9W
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 55A
Kind of package: 7 inch reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 836 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

5+	63.00 грн
6+	49.78 грн
10+	42.46 грн
50+	31.14 грн
57+	19.53 грн
157+	18.40 грн
1000+	17.74 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

DMN1004UFV-7

на замовлення 46000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	12.83 грн
4000+	11.30 грн
6000+	10.85 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

DMN1004UFV-7

на замовлення 836 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	52.50 грн
10+	39.95 грн
12+	35.39 грн
50+	25.95 грн
57+	16.28 грн
157+	15.33 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

DMN1004UFV-7

Description: DIODES INC. - DMN1004UFV-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 70 A, 3800 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 900mW
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 278 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	68.93 грн
50+	43.02 грн
100+	27.86 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

DMN1004UFV-7

Trans MOSFET N-CH 12V 70A 8-Pin PowerDI EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN1004UFV-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V

на замовлення 12783 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	64.38 грн
10+	38.81 грн
100+	22.34 грн
500+	17.06 грн
1000+	15.40 грн
2000+	11.85 грн
4000+	10.87 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DMN1005UFDF-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 10K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN1005UFDF-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN1006UCA6-7

Trans MOSFET N-CH 12V 16.6A 6-Pin X3-DSN T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN1006UCA6-7

Description: MOSFET 2N-CH X3-DSN2718-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2360pF @ 6V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: X3-DSN2718-6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN1006UCA6-7

MOSFETs MOSFETBVDSS: 8V-24V

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	80.32 грн
10+	65.28 грн
100+	38.80 грн
500+	32.39 грн
1000+	27.63 грн
3000+	20.38 грн
6000+	19.48 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

DMN1006UCA6-7

Description: MOSFET 2N-CH X3-DSN2718-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2360pF @ 6V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: X3-DSN2718-6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN1006UCA6-7

Trans MOSFET N-CH 12V 16.6A 6-Pin X3-DSN T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN1006UCA6-7-01

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN1008UFDF-13

Trans MOSFET N-CH 12V 12.2A 6-Pin UDFN EP T/R

на замовлення 1250000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	9.34 грн
20000+	8.13 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMN1008UFDF-13

Description: MOSFET N-CH 12V 12.2A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.4 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 995 pF @ 6 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 327955 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	43.28 грн
13+	25.79 грн
100+	16.47 грн
500+	11.69 грн
1000+	10.47 грн
2000+	9.45 грн
5000+	8.20 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DMN1008UFDF-13

Trans MOSFET N-CH 12V 12.2A 6-Pin UDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN1008UFDF-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10000+	9.07 грн
20000+	8.77 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMN1008UFDF-13

Description: MOSFET N-CH 12V 12.2A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.4 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 995 pF @ 6 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 320000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	7.57 грн
20000+	7.01 грн
30000+	6.91 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMN1008UFDF-7

Description: DIODES INC. - DMN1008UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 12.2 A, 0.0066 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0066ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 5430 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	16.26 грн
500+	11.40 грн
1000+	9.44 грн
5000+	7.98 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMN1008UFDF-7

Trans MOSFET N-CH 12V 12.2A 6-Pin UDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN1008UFDF-7

Description: MOSFET N-CH 12V 12.2A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.4 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 995 pF @ 6 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.58 грн
6000+	8.92 грн
9000+	8.01 грн
15000+	7.19 грн
21000+	7.14 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN1008UFDF-7

Trans MOSFET N-CH 12V 12.2A 6-Pin UDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN1008UFDF-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V

на замовлення 52532 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	41.04 грн
12+	31.08 грн
100+	17.36 грн
500+	13.29 грн
1000+	11.55 грн
3000+	9.74 грн
6000+	9.51 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

DMN1008UFDF-7

на замовлення 5430 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	34.30 грн
34+	25.32 грн
100+	16.26 грн
500+	11.40 грн
1000+	9.44 грн
5000+	7.98 грн

Мінімальне замовлення: 25

В кошику од. на суму грн.

DMN1008UFDF-7

Description: MOSFET N-CH 12V 12.2A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.4 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 995 pF @ 6 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 26568 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	24.50 грн
18+	17.69 грн
100+	16.47 грн
500+	11.69 грн
1000+	10.47 грн

Мінімальне замовлення: 14

В кошику од. на суму грн.

DMN1008UFDFQ-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 10K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN1008UFDFQ-13

Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.4 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 995 pF @ 6 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 690000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	7.69 грн
20000+	6.93 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMN1008UFDFQ-13

MOSFET BVDSS: 8V24V U-DFN2020-6 T&R 10K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN1008UFDFQ-13

DMN1008UFDFQ-13

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN1008UFDFQ-7

MOSFET BVDSS: 8V24V U-DFN2020-6 T&R 3K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN1008UFDFQ-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6 T&R 3K

на замовлення 2738 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	36.81 грн
12+	29.00 грн
100+	17.21 грн
500+	12.46 грн
1000+	9.74 грн
3000+	8.15 грн
6000+	7.93 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DMN1008UFDFQ-7

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN1014UFDF-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN1014UFDF-13

Description: MOSFET N-CH 12V 8A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 515 pF @ 6 V

на замовлення 50000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	7.02 грн
20000+	6.22 грн
30000+	5.95 грн
50000+	5.29 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMN1014UFDF-7

на замовлення 57000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.26 грн
6000+	7.22 грн
9000+	6.85 грн
15000+	6.04 грн
21000+	5.81 грн
30000+	5.58 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN1014UFDF-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V

на замовлення 2960 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	37.87 грн
13+	27.43 грн
100+	14.80 грн
500+	10.27 грн
1000+	8.45 грн
3000+	5.74 грн
6000+	5.51 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DMN1016UCB6-7

Description: MOSFET N-CH 12V 5.5A U-WLB1510-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 920mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-WLB1510-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 423 pF @ 6 V

на замовлення 3471 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	71.04 грн
10+	42.62 грн
100+	27.69 грн
500+	19.98 грн
1000+	18.04 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

DMN1016UCB6-7

MOSFET N-Ch Enh Mode FET 12Vdss 8Vgss 30A

на замовлення 849 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	58.57 грн
10+	50.09 грн
100+	32.46 грн
500+	25.52 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

DMN1016UCB6-7

Description: MOSFET N-CH 12V 5.5A U-WLB1510-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 920mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-WLB1510-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 423 pF @ 6 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN1016UCB6-7

N-Channel Enhancement Mode Mosfet

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN1017UCP3-7

MOSFETs MOSFETBVDSS: 8V-24V

на замовлення 2857 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	65.88 грн
10+	40.28 грн
100+	22.72 грн
500+	17.36 грн
1000+	15.70 грн
3000+	13.06 грн
6000+	12.00 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DMN1017UCP3-7

Description: MOSFET N-CH 12V 7.5A X3DSN1010-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 5A, 3.3V
Power Dissipation (Max): 1.47W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X3-DSN1010-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 3.3V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 3.3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1503 pF @ 6 V

на замовлення 650477 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	65.33 грн
10+	39.24 грн
100+	25.40 грн
500+	18.26 грн
1000+	16.47 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

DMN1017UCP3-7

Description: MOSFET N-CH 12V 7.5A X3DSN1010-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 5A, 3.3V
Power Dissipation (Max): 1.47W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X3-DSN1010-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 3.3V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 3.3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1503 pF @ 6 V

на замовлення 648000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	15.42 грн
6000+	13.89 грн
9000+	13.51 грн
15000+	11.79 грн
21000+	11.55 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN1019UFDE-7

Trans MOSFET N-CH 12V 11A 6-Pin DFN EP T/R

на замовлення 296 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN1019UFDE-7

Description: MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6E
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 690mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.6 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2425 pF @ 10 V

на замовлення 804000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.50 грн
6000+	10.51 грн
9000+	10.11 грн
15000+	9.30 грн
21000+	8.74 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN1019UFDE-7

Description: DIODES INC. - DMN1019UFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 11 A, 0.007 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.17W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 3034 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	43.70 грн
29+	29.72 грн
100+	18.46 грн
500+	14.39 грн
1000+	12.70 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

DMN1019UFDE-7

Trans MOSFET N-CH 12V 11A 6-Pin DFN EP T/R

на замовлення 1167000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.02 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN1019UFDE-7

Trans MOSFET N-CH 12V 11A 6-Pin DFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN1019UFDE-7

Trans MOSFET N-CH 12V 11A 6-Pin DFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN1019UFDE-7

Trans MOSFET N-CH 12V 11A 6-Pin DFN EP T/R

на замовлення 296 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

296+	12.15 грн

Мінімальне замовлення: 296

В кошику од. на суму грн.

DMN1019UFDE-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K

на замовлення 10483 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	57.77 грн
10+	35.59 грн
100+	17.66 грн
500+	14.34 грн
1000+	13.29 грн
3000+	10.95 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

DMN1019UFDE-7

Description: MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6E
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 690mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.6 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2425 pF @ 10 V

на замовлення 806899 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	41.65 грн
11+	29.96 грн
100+	15.40 грн
500+	14.38 грн
1000+	12.94 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DMN1019UFDE-7

на замовлення 3034 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	18.46 грн
500+	14.39 грн
1000+	12.70 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMN1019USN

Diodes Inc. MOSFET BVDSS: 8V 24V SC59 T&R 10K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN1019USN-13

Trans MOSFET N-CH 12V 9.3A 3-Pin SC-59 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN1019USN-13

Description: MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 680mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SC-59-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.6 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2426 pF @ 10 V

на замовлення 150000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	8.66 грн
20000+	7.49 грн
30000+	7.38 грн
50000+	6.76 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMN1019USN-13

Description: DIODES INC. - DMN1019USN-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 9.3 A, 0.01 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 530mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 680mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 37612 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	39.55 грн
30+	29.13 грн
100+	13.46 грн
500+	10.14 грн
1000+	7.91 грн
5000+	7.84 грн

Мінімальне замовлення: 22

В кошику од. на суму грн.

DMN1019USN-13

Trans MOSFET N-CH 12V 9.3A 3-Pin SC-59 T/R

на замовлення 2030 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1040+	11.91 грн

Мінімальне замовлення: 1040

В кошику од. на суму грн.

DMN1019USN-13
Код товару: 121899

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN1019USN-13

Trans MOSFET N-CH 12V 9.3A 3-Pin SC-59 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN1019USN-13

MOSFETs 12V N-Ch Enh Mode FET 8Vgss 0.68W

на замовлення 63246 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	37.08 грн
13+	27.26 грн
100+	11.10 грн
500+	10.42 грн
1000+	8.61 грн
5000+	8.15 грн
10000+	7.17 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DMN1019USN-13

Description: MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 680mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SC-59-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.6 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2426 pF @ 10 V

на замовлення 151696 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	44.10 грн
12+	26.58 грн
100+	12.16 грн
500+	11.21 грн
1000+	10.20 грн
2000+	9.58 грн
5000+	8.39 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DMN1019USN-13

Description: DIODES INC. - DMN1019USN-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 9.3 A, 0.01 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 680mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 530mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 680mW
Bauform - Transistor: SC-59
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.007ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 37612 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	13.46 грн
500+	10.14 грн
1000+	7.91 грн
5000+	7.84 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMN1019USN-13

Trans MOSFET N-CH 12V 9.3A 3-Pin SC-59 T/R

на замовлення 2030 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

693+	12.76 грн
1000+	8.49 грн

Мінімальне замовлення: 693

В кошику од. на суму грн.

DMN1019USN-7

на замовлення 634879 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	40.83 грн
12+	26.58 грн
100+	16.94 грн
500+	12.00 грн
1000+	10.74 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DMN1019USN-7

MOSFET N-CH 12V 9.3A SC-59

на замовлення 8457 шт:

термін постачання 5 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN1019USN-7

Description: DIODES INC. - DMN1019USN-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 9.3 A, 0.007 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 680mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.32 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN1019USN-7

Trans MOSFET N-CH 12V 9.3A 3-Pin SC-59 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN1019USN-7

Trans MOSFET N-CH 12V 9.3A 3-Pin SC-59 T/R

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.69 грн
6000+	8.40 грн
9000+	7.36 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN1019USN-7

MOSFETs 12V N-Ch Enh FET 2426pF 27.3nC

на замовлення 50675 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	46.85 грн
13+	28.91 грн
100+	12.08 грн
1000+	10.80 грн
3000+	8.30 грн
9000+	7.32 грн
99000+	7.17 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DMN1019USN-7

на замовлення 633000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.13 грн
6000+	8.64 грн
9000+	8.03 грн
15000+	7.46 грн
21000+	7.19 грн
30000+	6.92 грн
75000+	6.65 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN1019USN-7

на замовлення 1177 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	45.22 грн
50+	27.95 грн
100+	13.55 грн
500+	11.95 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

DMN1019USN-7

Trans MOSFET N-CH 12V 9.3A 3-Pin SC-59 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN1019USN-7

Trans MOSFET N-CH 12V 9.3A 3-Pin SC-59 T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.09 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN1019USN-7

Description: DIODES INC. - DMN1019USN-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 9.3 A, 0.007 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 680mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 680mW
Bauform - Transistor: SC-59
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.007ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 1177 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	13.55 грн
500+	11.95 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMN1019USN-7

Trans MOSFET N-CH 12V 9.3A 3-Pin SC-59 T/R

на замовлення 699000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.93 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN1019USN-7

Trans MOSFET N-CH 12V 9.3A 3-Pin SC-59 T/R

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.30 грн
6000+	8.99 грн
9000+	7.88 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN1019USNQ-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V SC59 T&R 10K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN1019USNQ-13

12V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	8.59 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMN1019USNQ-13

Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SC59 T&R 10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 680mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SC-59-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.6 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2426 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	8.78 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMN1019USNQ-7

12V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.59 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN1019USNQ-7

Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SC59 T&R 3K
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 680mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SC-59-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.6 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2426 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.18 грн
6000+	9.39 грн
9000+	8.45 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN1019USNQ-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V SC59 T&R 3K

на замовлення 2999 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	41.04 грн
11+	32.55 грн
100+	19.40 грн
1000+	11.25 грн
3000+	8.23 грн
9000+	7.78 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

DMN1019USNQ-7

12V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN1019UVT

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN1019UVT-13

Trans MOSFET N-CH 12V 10.7A 6-Pin TSOT-26 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN1019UVT-13

Trans MOSFET N-CH 12V 10.7A 6-Pin TSOT-26 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN1019UVT-13

MOSFETs 12V Enh Mode FET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN1019UVT-13

Description: MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.73W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.4 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2588 pF @ 10 V

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	8.39 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMN1019UVT-13

Trans MOSFET N-CH 12V 10.7A 6-Pin TSOT-26 T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	7.91 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMN1019UVT-7

Description: MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.73W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.4 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2588 pF @ 10 V

на замовлення 26777 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	32.66 грн
13+	24.46 грн
100+	14.68 грн
500+	12.76 грн
1000+	8.68 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DMN1019UVT-7

Trans MOSFET N-CH 12V 10.7A 6-Pin TSOT-26 T/R

на замовлення 45000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.80 грн
9000+	7.49 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN1019UVT-7

Trans MOSFET N-CH 12V 10.7A 6-Pin TSOT-26 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

49+	14.47 грн
1000+	12.55 грн
3000+	7.79 грн

Мінімальне замовлення: 49

В кошику од. на суму грн.

DMN1019UVT-7

Description: DIODES INC. - DMN1019UVT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 10.7 A, 0.007 ohm, TSOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 530mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.73W
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 265 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	40.39 грн
31+	28.20 грн
100+	16.01 грн

Мінімальне замовлення: 21

В кошику од. на суму грн.

DMN1019UVT-7

MOSFETs 12V Enh Mode FET

на замовлення 7580 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	37.87 грн
14+	24.83 грн
100+	13.29 грн
500+	11.40 грн
1000+	10.04 грн
3000+	7.93 грн
6000+	7.70 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DMN1019UVT-7

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.84 грн
6000+	8.16 грн
9000+	7.34 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN1019UVT-7

Trans MOSFET N-CH 12V 10.7A 6-Pin TSOT-26 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

917+	13.51 грн

Мінімальне замовлення: 917

В кошику од. на суму грн.

DMN1019UVT-7

Trans MOSFET N-CH 12V 10.7A 6-Pin TSOT-26 T/R

на замовлення 45000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.42 грн
9000+	8.03 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN1019UVT-7

Trans MOSFET N-CH 12V 10.7A 6-Pin TSOT-26 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN1019UVT-7

на замовлення 265 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	16.01 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMN1023UCB4-7

Description: MOSFET N CH 5.1A U-WLB1010-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: U-WLB1010-4 (Type C)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 288 pF @ 6 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN1023UCB4-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN1025UFDB-7

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 12V; 5.5A; Idm: 35A; 1.7W
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Case: U-DFN2020-6
Polarisation: unipolar
Gate charge: 23.1nC
On-state resistance: 38mΩ
Power dissipation: 1.7W
Drain current: 5.5A
Gate-source voltage: ±10V
Drain-source voltage: 12V
Pulsed drain current: 35A
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement

на замовлення 2533 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

25+	16.94 грн
31+	12.74 грн
50+	10.54 грн
100+	9.51 грн
500+	7.16 грн
1000+	6.76 грн

Мінімальне замовлення: 25

В кошику од. на суму грн.

DMN1025UFDB-7

Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN1025UFDB-7

MOSFETs Dual N-Ch Enh FET 12V 10Vgs 1.7W

на замовлення 5011 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	40.87 грн
14+	24.83 грн
100+	14.12 грн
500+	10.34 грн
1000+	9.21 грн
3000+	8.23 грн
6000+	6.27 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

DMN1025UFDB-7

на замовлення 2533 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

15+	20.32 грн
19+	15.87 грн
50+	12.64 грн
100+	11.42 грн
500+	8.59 грн
1000+	8.12 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

DMN1029UFDB-13

Trans MOSFET N-CH 12V 5.6A 6-Pin UDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN1029UFDB-13

MOSFET 20V N-Ch Enh Mode 8Vgs 914pF 10.5nC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN1029UFDB-13

Description: MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 914pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.6nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	8.38 грн
20000+	7.46 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMN1029UFDB-7

Description: DIODES INC. - DMN1029UFDB-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 12 V, 5.6 A, 5.6 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 585 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	12.11 грн
500+	9.91 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMN1029UFDB-7

Description: MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 914pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.6nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Part Status: Active

на замовлення 451800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	36.75 грн
13+	25.01 грн
100+	15.99 грн
500+	11.34 грн
1000+	10.15 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

DMN1029UFDB-7

на замовлення 585 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

27+	32.35 грн
38+	22.70 грн
100+	12.11 грн
500+	9.91 грн

Мінімальне замовлення: 27

В кошику од. на суму грн.

DMN1029UFDB-7

Trans MOSFET N-CH 12V 5.6A 6-Pin UDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN1029UFDB-7

MOSFETs 20V N-Ch Enh Mode 8Vgs 914pF 10.5nC

на замовлення 8359 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	39.37 грн
13+	27.69 грн
100+	15.48 грн
500+	11.70 грн
1000+	10.42 грн
3000+	7.55 грн
6000+	7.32 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

DMN1029UFDB-7

на замовлення 450000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.13 грн
6000+	7.14 грн
9000+	6.79 грн
15000+	6.23 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN1032UCB4-7

Description: MOSFET N-CH 12V 4.8A U-WLB1010-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: U-WLB1010-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 6 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN1032UCB4-7

Trans MOSFET N-CH 12V 4.8A 4-Pin U-WLB T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN1032UCB4-7

MOSFET 20V N-Ch Enh Mode FET 12V 8Vgss 0.9W

на замовлення 16939 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN1032UCB4-7

Trans MOSFET N-CH 12V 4.8A 4-Pin U-WLB T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN1032UCB4-7

Description: MOSFET N-CH 12V 4.8A U-WLB1010-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-UFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: U-WLB1010-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 6 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN1032UCB4-7

Trans MOSFET N-CH 12V 4.8A 4-Pin U-WLB T/R

на замовлення 980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	52.59 грн
16+	44.97 грн
25+	41.83 грн
100+	32.66 грн
250+	29.93 грн
500+	20.13 грн

Мінімальне замовлення: 14

В кошику од. на суму грн.

DMN1032UCP4-7

Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V X1-DSN1010-
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-XFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 790mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DSN1010-4 (Type B)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 6 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN1033UCB4-7

Trans MOSFET N-CH 12V 5.5A 4-Pin UWLP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN1033UCB4-7

Description: MOSFET 2N-CH U-WLB1818-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.45W
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Supplier Device Package: U-WLB1818-4

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN1033UCB4-7

MOSFET N-Ch Enh Mode FET 12V 26mOhm4.5V 5.5A

на замовлення 1330 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN1045UFR4-7

Description: DIODES INC. - DMN1045UFR4-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 3.2 A, 0.025 ohm, X2-DFN1010, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: X2-DFN1010
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	11.77 грн
500+	8.57 грн
1000+	5.73 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMN1045UFR4-7

Description: MOSFET N-CH 12V 3.2A 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1010-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 375 pF @ 10 V

на замовлення 243000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.15 грн
6000+	5.85 грн
9000+	5.43 грн
15000+	5.06 грн
21000+	5.04 грн
30000+	4.84 грн
75000+	4.44 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN1045UFR4-7

MOSFET N-Ch Enh Mode FET 12V 3.2A 8Vgss

на замовлення 11952 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	37.69 грн
14+	26.04 грн
100+	10.19 грн
1000+	7.93 грн
3000+	5.96 грн
9000+	5.44 грн
24000+	5.13 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DMN1045UFR4-7

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	41.50 грн
30+	28.54 грн
100+	11.77 грн
500+	8.57 грн
1000+	5.73 грн

Мінімальне замовлення: 21

В кошику од. на суму грн.

DMN1045UFR4-7

Trans MOSFET N-CH 12V 3.2A 3-Pin X2-DFN T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN1045UFR4-7

Description: MOSFET N-CH 12V 3.2A 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1010-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 375 pF @ 10 V

на замовлення 247482 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	33.48 грн
16+	19.74 грн
100+	12.56 грн
500+	8.89 грн
1000+	7.92 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DMN1053UCP4-7

MOSFET MOSFETBVDSS: 8V-24V

на замовлення 35980 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	33.56 грн
13+	28.56 грн
100+	17.36 грн
500+	13.51 грн
1000+	11.02 грн
3000+	8.53 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

DMN1053UCP4-7

Description: MOSFET N-CH 12V 2.7A X3DSN0808-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.34W
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: X3-DSN0808-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 908 pF @ 6 V

на замовлення 113990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	44.10 грн
12+	28.15 грн
100+	19.03 грн
500+	13.56 грн
1000+	12.17 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DMN1053UCP4-7

Description: MOSFET N-CH 12V 2.7A X3DSN0808-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.34W
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: X3-DSN0808-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 908 pF @ 6 V

на замовлення 111000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.45 грн
6000+	10.06 грн
9000+	9.25 грн
15000+	8.55 грн
21000+	8.25 грн
30000+	8.21 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN1054UCB4-7

Description: MOSFET N-CH 8V 2.7A X1-WLB0808-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: X1-WLB0808-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 908 pF @ 6 V

на замовлення 766558 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	68.59 грн
10+	43.64 грн
100+	29.22 грн
500+	21.50 грн
1000+	19.45 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

DMN1054UCB4-7

N-Channel Enhancement Mode Mosfet

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN1054UCB4-7

MOSFET N-Ch Enh Mode FET 8Vdss 5Vgss 15A

на замовлення 5976 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN1054UCB4-7

Description: MOSFET N-CH 8V 2.7A X1-WLB0808-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: X1-WLB0808-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 908 pF @ 6 V

на замовлення 765000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	17.59 грн
6000+	16.20 грн
9000+	15.84 грн
15000+	14.37 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN1057UCA3-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V 24V X4-DSN0607-3 T&R 10K

на замовлення 7000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	35.58 грн
14+	25.96 грн
100+	12.76 грн
500+	8.61 грн
1000+	6.57 грн
2500+	5.81 грн
5000+	5.06 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DMN10H099SFG-13

Trans MOSFET N-CH 100V 4.2A 8-Pin PowerDI EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	13.59 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN10H099SFG-13

Trans MOSFET N-CH 100V 4.2A 8-Pin PowerDI EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN10H099SFG-13

MOSFETs 100V N-Ch Enh Mode 1127pF 25.2nC

на замовлення 8030 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	83.32 грн
10+	50.96 грн
100+	28.91 грн
500+	22.19 грн
1000+	20.08 грн
3000+	14.64 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

DMN10H099SFG-13

Description: MOSFET N-CH 100V 4.2A PWRDI3333

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN10H099SFG-7

Description: MOSFET N-CH 100V 4.2A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 980mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 50 V

на замовлення 11990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	52.26 грн
10+	44.27 грн
100+	33.95 грн
500+	25.19 грн
1000+	20.15 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

DMN10H099SFG-7

MOSFETs 100V N-Ch Enh Mode 1127pF 25.2nC

на замовлення 1521 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	74.51 грн
10+	47.92 грн
100+	28.01 грн
500+	21.89 грн
1000+	19.93 грн
2000+	17.97 грн
4000+	17.82 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

DMN10H099SFG-7

Description: MOSFET N-CH 100V 4.2A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 980mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 50 V

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	20.21 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

DMN10H099SFG-7

Trans MOSFET N-CH 100V 4.2A 8-Pin PowerDI EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN10H099SK3-13

MOSFETs 100V N-Ch Enh FET 20Vgs 1172pF 25.2nC

на замовлення 2551 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	50.82 грн
10+	44.10 грн
100+	26.19 грн
500+	21.82 грн
1000+	18.57 грн
2500+	15.55 грн
5000+	15.48 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

DMN10H099SK3-13

Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN10H099SK3-13

Description: MOSFET N-CH 100V 17A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 50 V

на замовлення 71708 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	57.98 грн
10+	37.27 грн
100+	25.56 грн
500+	19.00 грн
1000+	17.35 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DMN10H099SK3-13

Description: MOSFET N-CH 100V 17A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 50 V

на замовлення 70000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	17.21 грн
5000+	15.38 грн
7500+	14.97 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DMN10H100SK3-13

Description: MOSFET N-CH 100V 18A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 50 V

на замовлення 7450 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	66.96 грн
10+	43.33 грн
100+	29.90 грн
500+	22.33 грн
1000+	20.45 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

DMN10H100SK3-13

MOSFETs 100V N-Ch Enh FET 100mOhm 3V

на замовлення 2658 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	59.80 грн
10+	51.31 грн
100+	30.88 грн
500+	25.82 грн
1000+	21.97 грн
2500+	18.27 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DMN10H100SK3-13

Trans MOSFET N-CH 100V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN10H100SK3-13

Description: MOSFET N-CH 100V 18A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 50 V

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	20.35 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DMN10H120SE-13

Description: MOSFET N-CH 100V 3.6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 549 pF @ 50 V

на замовлення 905000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	15.70 грн
5000+	14.35 грн
12500+	13.33 грн
25000+	12.22 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DMN10H120SE-13

Trans MOSFET N-CH 100V 3.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 975000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	14.42 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DMN10H120SE-13

MOSFET 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 549pF 10nC

на замовлення 3099 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	50.82 грн
10+	42.63 грн
100+	25.82 грн
500+	20.16 грн
1000+	16.38 грн
2500+	14.04 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

DMN10H120SE-13

Trans MOSFET N-CH 100V 3.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN10H120SE-13

Description: MOSFET N-CH 100V 3.6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 549 pF @ 50 V

на замовлення 905640 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	46.55 грн
10+	38.30 грн
100+	26.65 грн
500+	19.53 грн
1000+	15.87 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DMN10H120SFG-13

Trans MOSFET N-CH 100V 3.8A 8-Pin PowerDI EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN10H120SFG-13

Description: MOSFET N-CH 100V 3.8A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 549 pF @ 50 V

на замовлення 2985000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	18.52 грн
6000+	16.90 грн
9000+	15.65 грн
30000+	14.54 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN10H120SFG-13

Description: DIODES INC. - DMN10H120SFG-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.8 A, 0.068 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	30.57 грн
500+	23.67 грн
1000+	18.94 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMN10H120SFG-13

Trans MOSFET N-CH 100V 3.8A 8-Pin PowerDI EP T/R

на замовлення 1017000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	17.61 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN10H120SFG-13

Description: MOSFET N-CH 100V 3.8A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 549 pF @ 50 V

на замовлення 2987838 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	49.00 грн
10+	40.65 грн
100+	28.16 грн
500+	22.08 грн
1000+	18.79 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

DMN10H120SFG-13

MOSFETs FET BVDSS 61V 100V N-Ch 4.8A 3Vgs 549pF

на замовлення 5763 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	65.17 грн
10+	44.45 грн
100+	26.19 грн
500+	21.44 грн
1000+	19.40 грн
3000+	15.25 грн
6000+	15.02 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DMN10H120SFG-13

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	58.69 грн
18+	48.69 грн
100+	30.57 грн
500+	23.67 грн
1000+	18.94 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

DMN10H120SFG-7

Description: MOSFET N-CH 100V 3.8A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 549 pF @ 50 V

на замовлення 42000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	16.64 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

DMN10H120SFG-7

Description: DIODES INC. - DMN10H120SFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.8 A, 0.068 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 1982 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	30.57 грн
500+	23.75 грн
1000+	18.87 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMN10H120SFG-7

Trans MOSFET N-CH 100V 3.8A 8-Pin PowerDI EP T/R

на замовлення 150000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	17.61 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

DMN10H120SFG-7

Description: MOSFET N-CH 100V 3.8A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 549 pF @ 50 V

на замовлення 45273 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	60.43 грн
10+	40.50 грн
100+	27.62 грн
500+	20.74 грн
1000+	18.77 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DMN10H120SFG-7

MOSFET FET BVDSS 61V 100V N-Ch 4.8A 3Vgs 549pF

на замовлення 5754 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	36.90 грн
11+	31.77 грн
100+	19.17 грн
500+	16.00 грн
1000+	15.63 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DMN10H120SFG-7

Trans MOSFET N-CH 100V 3.8A 8-Pin PowerDI EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN10H120SFG-7

на замовлення 1982 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	58.69 грн
18+	48.69 грн
100+	30.57 грн
500+	23.75 грн
1000+	18.87 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

DMN10H170SFDE

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN10H170SFDE-

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN10H170SFDE-13

Trans MOSFET N-CH 100V 2.9A 6-Pin UDFN EP T/R

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	11.92 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMN10H170SFDE-13

MOSFETs 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 2.9A 0.66W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN10H170SFDE-13

Description: MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1167 pF @ 25 V

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	11.26 грн
20000+	10.07 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMN10H170SFDE-7

Trans MOSFET N-CH 100V 2.9A 6-Pin UDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN10H170SFDE-7

Trans MOSFET N-CH 100V 2.9A 6-Pin UDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN10H170SFDE-7

на замовлення 252000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.20 грн
6000+	10.58 грн
9000+	10.37 грн
15000+	9.40 грн
21000+	9.37 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN10H170SFDE-7

Description: DIODES INC. - DMN10H170SFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.9 A, 0.116 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.03W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.116ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 2955 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	41.83 грн
28+	30.82 грн
100+	21.59 грн
500+	15.41 грн
1000+	12.05 грн

Мінімальне замовлення: 21

В кошику од. на суму грн.

DMN10H170SFDE-7

Trans MOSFET N-CH 100V 2.9A 6-Pin UDFN EP T/R

на замовлення 252000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.92 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN10H170SFDE-7

Description: MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1167 pF @ 25 V

на замовлення 254843 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	52.26 грн
10+	32.71 грн
100+	21.72 грн
500+	15.69 грн
1000+	14.12 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

DMN10H170SFDE-7

MOSFETs 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 2.9A 0.66W

на замовлення 2847 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	51.08 грн
10+	37.07 грн
100+	22.57 грн
500+	17.36 грн
1000+	14.72 грн
3000+	11.17 грн
6000+	10.95 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

DMN10H170SFDE-7

на замовлення 2955 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	21.59 грн
500+	15.41 грн
1000+	12.41 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMN10H170SFG-13

Description: MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta), 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 122mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 940mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870.7 pF @ 25 V

на замовлення 26900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	42.46 грн
10+	34.84 грн
25+	32.52 грн
100+	24.43 грн
250+	22.69 грн
500+	19.20 грн
1000+	14.59 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DMN10H170SFG-13

Description: MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta), 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 122mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 940mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870.7 pF @ 25 V

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	14.97 грн
6000+	13.48 грн
15000+	12.55 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN10H170SFG-13

MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 100Vdss 20Vgss

на замовлення 10178 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	33.29 грн
18+	20.40 грн
100+	14.27 грн
500+	13.59 грн
1000+	12.98 грн
3000+	11.10 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

DMN10H170SFG-13

Trans MOSFET N-CH 100V 2.9A 8-Pin PowerDI EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN10H170SFG-7

MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 100Vdss 20Vgss

на замовлення 1486 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	47.47 грн
10+	37.50 грн
100+	24.23 грн
500+	20.53 грн
1000+	15.85 грн
2000+	13.21 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DMN10H170SFG-7

Description: DIODES INC. - DMN10H170SFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.9 A, 0.099 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 940mW
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 1992 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

28+	30.40 грн
45+	18.97 грн
100+	15.16 грн
500+	13.37 грн
1000+	11.90 грн

Мінімальне замовлення: 28

В кошику од. на суму грн.

DMN10H170SFG-7

на замовлення 51045 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	42.46 грн
10+	34.84 грн
25+	32.52 грн
100+	24.43 грн
250+	22.69 грн
500+	19.20 грн
1000+	14.59 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DMN10H170SFG-7

Trans MOSFET N-CH 100V 2.9A 8-Pin PowerDI EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN10H170SFG-7

на замовлення 1992 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	15.16 грн
500+	13.37 грн
1000+	11.90 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMN10H170SFG-7

на замовлення 50000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	14.97 грн
6000+	13.48 грн
10000+	12.55 грн
50000+	10.91 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

DMN10H170SFGQ-13

Description: MOSFET N-CH 100V PWRDI3333

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN10H170SFGQ-7

Description: MOSFET N-CH 100V PWRDI3333

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN10H170SFGQ-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN10H170SK3-13

Description: MOSFET N-CH 100V 12A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1167 pF @ 25 V

на замовлення 122910 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	64.51 грн
10+	41.20 грн
100+	27.52 грн
500+	20.42 грн
1000+	18.45 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DMN10H170SK3-13

MOSFETs 100V N-CH MOSFET 100V 12A

на замовлення 23217 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	46.68 грн
10+	40.45 грн
100+	19.17 грн
500+	16.46 грн
1000+	16.08 грн
2500+	15.78 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DMN10H170SK3-13

Description: MOSFET N-CH 100V 12A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1167 pF @ 25 V

на замовлення 122500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	17.44 грн
5000+	16.00 грн
7500+	15.43 грн
12500+	14.21 грн
17500+	13.40 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DMN10H170SK3-13

Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN10H170SK3Q-13

Description: MOSFET N-CH 100V 12A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1167 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1282500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	17.07 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DMN10H170SK3Q-13

100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN10H170SK3Q-13

Description: MOSFET N-CH 100V 12A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1167 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1286036 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	80.84 грн
10+	48.52 грн
100+	31.75 грн
500+	23.03 грн
1000+	20.84 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

DMN10H170SK3Q-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V 100V

на замовлення 7222 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	37.69 грн
11+	32.47 грн
100+	19.55 грн
500+	17.51 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DMN10H170SVT-13

Trans MOSFET N-CH 100V 2.6A 6-Pin TSOT-26 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN10H170SVT-13

Description: MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1167 pF @ 25 V

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	11.59 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMN10H170SVT-13

MOSFETs 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 2.6A 1.2W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN10H170SVT-13

Trans MOSFET N-CH 100V 2.6A 6-Pin TSOT-26 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN10H170SVT-7

MOSFETs 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 2.6A 1.2W

на замовлення 43045 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	40.16 грн
12+	30.91 грн
100+	18.42 грн
500+	15.70 грн
1000+	13.81 грн
3000+	9.96 грн
6000+	9.89 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

DMN10H170SVT-7

Trans MOSFET N-CH 100V 2.6A 6-Pin TSOT-26 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN10H170SVT-7

Description: MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1167 pF @ 25 V

на замовлення 877630 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	36.75 грн
11+	30.20 грн
100+	21.10 грн
500+	15.38 грн
1000+	13.85 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

DMN10H170SVT-7

Trans MOSFET N-CH 100V 2.6A 6-Pin TSOT-26 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN10H170SVT-7

на замовлення 873000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.73 грн
6000+	10.91 грн
9000+	10.51 грн
15000+	9.83 грн
21000+	9.50 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN10H170SVTQ-13

Description: MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN10H170SVTQ-13

MOSFET MOSFET BVDSS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN10H170SVTQ-7

100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN10H170SVTQ-7

MOSFETs 100V N-Ch Enh FET 160mOhm 10Vgs 2.6A

на замовлення 2289 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	48.35 грн
10+	40.37 грн
100+	24.46 грн
500+	19.10 грн
1000+	16.23 грн
3000+	13.66 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DMN10H170SVTQ-7

100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN10H170SVTQ-7

Description: MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1167 pF @ 25 V

на замовлення 390437 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	43.28 грн
10+	35.78 грн
100+	24.38 грн
500+	17.56 грн
1000+	15.84 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DMN10H170SVTQ-7

Description: MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1167 pF @ 25 V

на замовлення 390000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	14.48 грн
6000+	13.37 грн
9000+	12.77 грн
15000+	11.35 грн
21000+	11.23 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220L

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220L-13

Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 80000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	9.82 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220L-13

MOSFETs 100V N-Ch Enh FET 16Vgs 1.6A 1.3W

на замовлення 15742 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	39.37 грн
13+	27.43 грн
100+	17.74 грн
500+	13.51 грн
1000+	10.87 грн
5000+	9.51 грн
10000+	8.00 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220L-13

Description: MOSFET N-CH 100V 1.4A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 401 pF @ 25 V

на замовлення 80000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	40.83 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220L-13

Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220L-13

Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220L-13

Description: MOSFET N-CH 100V 1.4A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 401 pF @ 25 V

на замовлення 80000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	10.36 грн
20000+	9.24 грн
30000+	8.92 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220L-7

на замовлення 45000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.00 грн
6000+	8.46 грн
9000+	8.39 грн
15000+	7.77 грн
30000+	7.53 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220L-7

Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 2460 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

659+	18.80 грн

Мінімальне замовлення: 659

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220L-7

Description: DIODES INC. - DMN10H220L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.4 A, 0.22 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.25 грн
9000+	9.91 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220L-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.3A; Idm: 8A; 1.3W; SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.22Ω
Drain current: 1.3A
Power dissipation: 1.3W
Pulsed drain current: 8A
Gate-source voltage: ±16V
Drain-source voltage: 100V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 2532 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

12+	25.41 грн
15+	20.28 грн
50+	16.80 грн
100+	15.57 грн
500+	12.83 грн
1000+	11.70 грн
1500+	10.95 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220L-7

Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 582000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.82 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220L-7

Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 2460 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

36+	20.14 грн
500+	16.54 грн
1000+	10.47 грн

Мінімальне замовлення: 36

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220L-7

Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220L-7

Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.36 грн
6000+	8.66 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220L-7

Description: DIODES INC. - DMN10H220L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.4 A, 0.22 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 34528 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

29+	29.55 грн
50+	20.66 грн
100+	17.61 грн
500+	14.08 грн
1500+	11.90 грн

Мінімальне замовлення: 29

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220L-7

на замовлення 46272 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	25.31 грн
19+	16.83 грн
100+	14.31 грн
500+	12.24 грн
1000+	11.18 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220L-7

Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 96000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.23 грн
6000+	9.39 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220L-7

Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220L-7

Description: DIODES INC. - DMN10H220L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.4 A, 0.22 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.3W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.22ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 34528 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	17.61 грн
500+	14.08 грн
1500+	11.90 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220L-7

Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 96000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.27 грн
6000+	8.59 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220L-7

на замовлення 2532 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

20+	21.17 грн
25+	16.28 грн
50+	14.00 грн
100+	12.97 грн
500+	10.69 грн
1000+	9.75 грн
1500+	9.12 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220L-7

Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.67 грн
6000+	8.09 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220L-7

MOSFETs 100V N-Ch Enh FET 16Vgs 1.6A 1.3W

на замовлення 96908 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

15+	24.22 грн
20+	17.45 грн
100+	13.29 грн
500+	11.47 грн
1000+	10.64 грн
3000+	8.15 грн
6000+	8.08 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LDV-13

Description: MOSFET 2N-CH 100V PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W (Ta), 40W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 366pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 222mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXC)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LDV-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI3333-8 T&R 3K

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	55.31 грн
11+	33.34 грн
100+	19.17 грн
500+	15.10 грн
1000+	12.83 грн
3000+	11.55 грн
6000+	9.66 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LDV-7

Description: DIODES INC. - DMN10H220LDV-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 10.5 A, 10.5 A, 0.17 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.17ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 40W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerDI3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.17ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 40W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 1015 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	47.68 грн
30+	28.71 грн
100+	27.44 грн
500+	25.01 грн
1000+	21.05 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LDV-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI3333-8 T&R 2K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LDV-7

на замовлення 1015 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	27.44 грн
500+	25.01 грн
1000+	21.05 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LDV-7

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 14000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	10.73 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LDV-7

на замовлення 14000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	13.68 грн
4000+	12.01 грн
6000+	11.42 грн
10000+	10.09 грн
14000+	9.72 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LE-13

Description: MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 401 pF @ 25 V

на замовлення 27500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	16.20 грн
5000+	15.29 грн
7500+	14.97 грн
12500+	13.85 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LE-13

Trans MOSFET N-CH 100V 2.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LE-13

Trans MOSFET N-CH 100V 2.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LE-13

Description: DIODES INC. - DMN10H220LE-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.2 A, 0.155 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 14W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 1040 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	27.86 грн
500+	21.55 грн
1000+	18.00 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LE-13

Trans MOSFET N-CH 100V 2.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	17.87 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LE-13

Trans MOSFET N-CH 100V 2.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LE-13

Description: MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 401 pF @ 25 V

на замовлення 28654 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	45.73 грн
10+	37.82 грн
100+	25.93 грн
500+	20.32 грн
1000+	18.35 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LE-13

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.8A; Idm: 8A; 1.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.8A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 8.3nC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LE-13

на замовлення 1040 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	47.42 грн
21+	40.56 грн
100+	27.86 грн
500+	21.55 грн
1000+	18.00 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LE-13

Trans MOSFET N-CH 100V 2.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	16.36 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LE-13

MOSFETs FET BVDSS 61V 100V N-Ch 3A 401pF 8.3nC

на замовлення 6956 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	61.91 грн
10+	43.23 грн
100+	25.59 грн
500+	21.44 грн
1000+	18.19 грн
2500+	16.53 грн
5000+	15.32 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LE-13

Trans MOSFET N-CH 100V 2.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 22500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	16.25 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LFDF-13

DMN10H220LFDF-13

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	5.78 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LFDF-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V U-DFN2020-6 T&R 10K

на замовлення 9894 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	38.49 грн
13+	28.65 грн
100+	15.48 грн
500+	10.72 грн
1000+	8.15 грн
2500+	7.32 грн
5000+	6.79 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LFDF-13

Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 384 pF @ 25 V

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	6.65 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LFDF-7

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LFDF-7

Description: DIODES INC. - DMN10H220LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.2 A, 0.174 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.174ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	10.67 грн
500+	9.59 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LFDF-7

Trans MOSFET N-CH 100V 2.2A 6-Pin UDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LFDF-7

100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LFDF-7

на замовлення 950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

24+	35.57 грн
39+	22.10 грн
100+	10.67 грн
500+	9.59 грн

Мінімальне замовлення: 24

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LFDF-7

Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 384 pF @ 25 V

на замовлення 613 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	35.93 грн
15+	21.15 грн
100+	11.26 грн
500+	9.40 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LFDF-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V U-DFN2020-6 T&R 3K

на замовлення 2986 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	39.37 грн
15+	23.96 грн
100+	10.80 грн
500+	9.89 грн
1000+	9.13 грн
3000+	6.49 грн
6000+	5.96 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LFVW-13

Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 222mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 366 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LFVW-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI3333-8/SWP T&R 3K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LFVW-7

Description: DIODES INC. - DMN10H220LFVW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 11 A, 0.164 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.164ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 525 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	47.68 грн
36+	23.54 грн
100+	20.66 грн
500+	18.95 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LFVW-7

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	11.44 грн
4000+	10.01 грн
6000+	9.50 грн
10000+	8.38 грн
14000+	8.06 грн
20000+	7.75 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LFVW-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI3333-8/SWP T&R 2K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LFVW-7

100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	8.61 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LFVW-7

100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LFVW-7

на замовлення 525 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	20.66 грн
500+	18.95 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LK3-13

Description: MOSFET N-CH 100V 7.5A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 18.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 384 pF @ 25 V

на замовлення 23768 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	53.90 грн
10+	31.93 грн
100+	20.51 грн
500+	14.63 грн
1000+	13.14 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LK3-13

Description: DIODES INC. - DMN10H220LK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.5 A, 0.179 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 18.7W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.179ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 2412 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	20.41 грн
500+	14.63 грн
1000+	12.12 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LK3-13

Trans MOSFET N-CH 100V 7.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	10.22 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LK3-13

Description: MOSFET N-CH 100V 7.5A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 18.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 384 pF @ 25 V

на замовлення 22500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	10.82 грн
5000+	10.25 грн
7500+	10.21 грн
12500+	9.28 грн
17500+	9.11 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LK3-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V TO252 T&R 2.5K

на замовлення 96 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	51.87 грн
11+	33.34 грн
100+	20.16 грн
500+	15.40 грн
1000+	13.06 грн
2500+	10.42 грн
5000+	9.81 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LK3-13

Trans MOSFET N-CH 100V 7.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LK3-13

DMN10H220LK3-13 SMD N channel transistors

на замовлення 1367 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

6+	59.04 грн
81+	13.78 грн
223+	13.02 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LK3-13

High Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LK3-13

на замовлення 2412 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	44.46 грн
28+	30.91 грн
100+	20.41 грн
500+	14.63 грн
1000+	12.12 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LPDW-13

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LPDW-13

Description: DIODES INC. - DMN10H220LPDW-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 8 A, 8 A, 0.168 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.168ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.168ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 4975 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	38.79 грн
500+	32.79 грн
1000+	28.16 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LPDW-13

MOSFETs MOSFET BVDSS61V-100V

на замовлення 2450 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	88.95 грн
10+	55.30 грн
100+	47.33 грн
250+	45.44 грн
500+	38.27 грн
1000+	36.24 грн
2500+	14.34 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LPDW-13

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LPDW-13

на замовлення 4975 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	63.09 грн
22+	40.06 грн
100+	38.79 грн
500+	32.79 грн
1000+	28.16 грн

Мінімальне замовлення: 14

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LPDW-13

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 12500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	14.41 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LPDW-13

Description: MOSFET 2N-CH 100V 8A PWRDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 384pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 222mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type R)

на замовлення 12500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	16.91 грн
5000+	14.95 грн
7500+	14.27 грн
12500+	12.67 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LQ-13

Description: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 401 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 15569 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	28.58 грн
19+	17.14 грн
100+	10.78 грн
500+	7.52 грн
1000+	6.68 грн
2000+	5.98 грн
5000+	5.12 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LQ-13

Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LQ-13

Description: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 401 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	5.24 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LQ-13

Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	4.33 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LQ-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V SOT23 T&R 10K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LQ-7

Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6000+	4.22 грн

Мінімальне замовлення: 6000

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LQ-7

Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LQ-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.3A; 1.3W; SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.25Ω
Drain current: 1.3A
Power dissipation: 1.3W
Gate-source voltage: ±16V
Drain-source voltage: 100V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Application: automotive industry
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement

на замовлення 1088 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

18+	23.71 грн
22+	17.93 грн
26+	15.41 грн
100+	8.26 грн
500+	5.66 грн
1000+	5.35 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LQ-7

на замовлення 31564 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	28.58 грн
19+	17.14 грн
100+	8.17 грн
500+	6.81 грн
1000+	6.39 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LQ-7

Description: DIODES INC. - DMN10H220LQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.4 A, 0.22 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 2795 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

39+	21.85 грн
59+	14.48 грн
113+	7.52 грн
500+	6.64 грн
1000+	5.82 грн

Мінімальне замовлення: 39

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LQ-7

Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LQ-7

на замовлення 1088 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

11+	28.45 грн
14+	22.34 грн
16+	18.49 грн
100+	9.91 грн
500+	6.79 грн
1000+	6.42 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LQ-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V SOT23 T&R 3K

на замовлення 126035 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

13+	28.80 грн
20+	17.62 грн
100+	8.15 грн
500+	6.87 грн
1000+	6.34 грн
3000+	4.60 грн
6000+	3.93 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LQ-7

Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6000+	4.52 грн

Мінімальне замовлення: 6000

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LQ-7

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.32 грн
6000+	4.77 грн
9000+	4.43 грн
15000+	3.99 грн
21000+	3.97 грн
30000+	3.82 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LQ-7

на замовлення 2795 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	14.48 грн
113+	7.52 грн
500+	6.64 грн
1000+	5.82 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LVT

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LVT-13

MOSFETs 100V N-Ch Enh FET 220mOhm 16Vgs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LVT-13

Description: MOSFET N-CH 100V 1.87A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.87A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.67W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 401 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LVT-7

Trans MOSFET N-CH 100V 2.24A 6-Pin TSOT-26 T/R

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	13.00 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LVT-7

Description: MOSFET N-CH 100V 1.87A TSOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.87A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.67W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 401 pF @ 25 V

на замовлення 21009 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	63.69 грн
10+	38.06 грн
100+	24.61 грн
500+	17.68 грн
1000+	15.93 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LVT-7

Trans MOSFET N-CH 100V 2.24A 6-Pin TSOT-26 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	14.85 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LVT-7

MOSFETs 100V N-Ch Enh FET 220mOhm 16Vgs

на замовлення 425 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	52.75 грн
10+	40.28 грн
100+	24.61 грн
500+	18.57 грн
1000+	16.00 грн
3000+	12.76 грн
6000+	12.00 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LVT-7

Trans MOSFET N-CH 100V 2.24A 6-Pin TSOT-26 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LVT-7

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	14.21 грн
6000+	13.41 грн
9000+	13.15 грн
15000+	11.38 грн
21000+	11.08 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LVT-7

Description: DIODES INC. - DMN10H220LVT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.24 A, 0.172 ohm, TSOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.67W
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.172ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 2923 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	25.24 грн
500+	18.87 грн
1000+	15.10 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LVT-7

Trans MOSFET N-CH 100V 2.24A 6-Pin TSOT-26 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LVT-7

Trans MOSFET N-CH 100V 2.24A 6-Pin TSOT-26 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	15.91 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LVT-7

на замовлення 2923 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	58.18 грн
23+	37.35 грн
100+	25.24 грн
500+	18.87 грн
1000+	15.10 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

DMN10H6D2LFDB-13

Description: MOSFET 2N-CH 100V 0.27A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN10H6D2LFDB-13

MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V U-DFN2020-6 T&R 10K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN10H6D2LFDB-7

Description: DIODES INC. - DMN10H6D2LFDB-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 270 mA, 270 mA, 3.4 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 270mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 270mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3.4ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3.4ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 2200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	34.81 грн
44+	19.56 грн
100+	12.11 грн
500+	8.34 грн
1000+	5.08 грн

Мінімальне замовлення: 25

В кошику од. на суму грн.

DMN10H6D2LFDB-7

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN10H6D2LFDB-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V U-DFN2020-6 T&R 3K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN10H6D2LFDB-7

на замовлення 2200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	12.11 грн
500+	8.34 грн
1000+	5.08 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMN10H700S-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V

на замовлення 13389 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	31.00 грн
19+	18.32 грн
100+	10.04 грн
500+	7.55 грн
1000+	6.04 грн
2500+	5.74 грн
5000+	5.06 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

DMN10H700S-13

Trans MOSFET N-CH 100V 0.7A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN10H700S-13

Description: MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 50 V

на замовлення 9976 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	35.11 грн
13+	25.01 грн
100+	14.14 грн
500+	8.79 грн
1000+	6.74 грн
2000+	5.86 грн
5000+	5.19 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DMN10H700S-13

Description: MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN10H700S-7

Description: MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 50 V

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.42 грн
6000+	5.56 грн
15000+	4.94 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN10H700S-7

Description: DIODES INC. - DMN10H700S-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 700 mA, 0.54 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 700mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 15715 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

36+	23.54 грн
50+	17.02 грн
100+	10.42 грн
500+	6.79 грн
1500+	6.15 грн

Мінімальне замовлення: 36

В кошику од. на суму грн.

DMN10H700S-7

Description: MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 50 V

на замовлення 31696 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	34.30 грн
13+	24.69 грн
100+	14.00 грн
500+	8.70 грн
1000+	6.67 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DMN10H700S-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V

на замовлення 24790 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	36.46 грн
14+	25.87 грн
100+	13.29 грн
500+	8.83 грн
1000+	6.72 грн
3000+	5.74 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DMN10H700S-7

Trans MOSFET N-CH 100V 0.7A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	3.51 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN10H700S-7

Description: DIODES INC. - DMN10H700S-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 700 mA, 0.54 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 700mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 400mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.54ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 15715 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	6.79 грн
1500+	6.15 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

DMN1150UFB-7B

Description: MOSFET N-CH 12V 1.41A 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.41A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 106 pF @ 10 V

на замовлення 79457 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	25.31 грн
23+	14.23 грн
100+	6.29 грн
500+	5.38 грн
1000+	4.37 грн
2000+	4.18 грн
5000+	3.91 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

DMN1150UFB-7B

MOSFETs N-CH MOSFET 12V

на замовлення 12400 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

13+	28.01 грн
21+	16.67 грн
100+	9.06 грн
500+	6.11 грн
1000+	4.23 грн
5000+	4.15 грн
10000+	3.70 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

DMN1150UFB-7B

Description: MOSFET N-CH 12V 1.41A 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.41A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 106 pF @ 10 V

на замовлення 70000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	3.92 грн
20000+	3.74 грн
30000+	3.68 грн
50000+	3.35 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMN1150UFL3-7

Description: MOSFET 2N-CH 12V 2A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 390mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1310-6 (Type B)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN1150UFL3-7

Trans MOSFET N-CH 12V 2A 6-Pin X2-DFN T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN1150UFL3-7

Trans MOSFET N-CH 12V 2A 6-Pin X2-DFN T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN1150UFL3-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN1150UFL3-7

Description: MOSFET 2N-CH 12V 2A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 390mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1310-6 (Type B)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN11M1UCA14-7

Description: IC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 870µA
Package / Case: 14-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel, Common Source
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33.3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3308pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.85mOhm @ 9.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77.7nC @ 4.5V
Supplier Device Package: X4-DSN3027-14

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN11M2UCA14-7

Description: MOSFET 2N-CH 12V 34A X2-TSN3027
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 950mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6083pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.85mOhm @ 9.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71nC @ 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 870µA
Supplier Device Package: X2-TSN3027-14

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN1250UFEL-7

N-Channel Enhancement Mode Mosfet

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN1250UFEL-7

Description: MOSFET 8N-CH 12V 2A U-QFN1515
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-UFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 8 N-Channel, Common Gate, Common Source
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 660mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 200mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-QFN1515-12
Part Status: Active

на замовлення 45000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	105.34 грн
10+	63.77 грн
100+	42.24 грн
500+	30.98 грн
1000+	28.18 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

DMN1250UFEL-7

MOSFETs 8 N-Ch FET 4.5V 280mOhm 12Vdss

на замовлення 2720 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	104.80 грн
10+	64.59 грн
100+	37.29 грн
500+	29.44 грн
1000+	26.57 грн
3000+	21.59 грн
6000+	21.29 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

DMN1250UFEL-7

Description: MOSFET 8N-CH 12V 2A U-QFN1515
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-UFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 8 N-Channel, Common Gate, Common Source
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 660mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 200mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-QFN1515-12
Part Status: Active

на замовлення 45000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	27.27 грн
6000+	24.36 грн
9000+	23.76 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN1260UFA-7B

MOSFETs 12V N-Ch Enh FET 8 VGS 60pF 0.92nC

на замовлення 15464 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

13+	28.45 грн
22+	16.49 грн
100+	6.04 грн
500+	5.13 грн
1000+	4.76 грн
5000+	4.53 грн
10000+	3.40 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

DMN1260UFA-7B

Description: MOSFET N-CH 12V 500MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 366mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN0806-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.96 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V

на замовлення 274610 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	28.58 грн
17+	19.19 грн
100+	9.67 грн
500+	7.40 грн
1000+	5.49 грн
2000+	4.62 грн
5000+	4.35 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

DMN1260UFA-7B

Trans MOSFET N-CH 12V 0.5A 3-Pin X2-DFN T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN1260UFA-7B

Description: MOSFET N-CH 12V 500MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 366mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN0806-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.96 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V

на замовлення 260000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	4.23 грн
30000+	4.00 грн
50000+	3.31 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMN12M3UCA6-7

Description: DIODES INC. - DMN12M3UCA6-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 14 V, 14 V, 24.4 A, 24.4 A, 0.00227 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 24.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 14V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 24.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.00227ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 14V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: X4-DSN3118
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.00227ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 2738 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	31.50 грн
500+	28.62 грн
1000+	25.84 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMN12M3UCA6-7

на замовлення 2738 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

26+	32.77 грн
27+	32.10 грн
100+	31.50 грн
500+	28.62 грн
1000+	25.84 грн

Мінімальне замовлення: 26

В кошику од. на суму грн.

DMN12M3UCA6-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V 24V X4-DSN3118-6 T&R 3K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN12M7UCA10-7

Description: MOSFET 2N-CH 20.2A X4-DSN3015-10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.75mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 1.11mA
Supplier Device Package: X4-DSN3015-10

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	25.16 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

DMN12M7UCA10-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V X4-DSN3015-10 T&R 5K

на замовлення 4808 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	103.92 грн
10+	64.59 грн
100+	37.29 грн
500+	28.99 грн
1000+	25.29 грн
2500+	24.38 грн
5000+	21.14 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

DMN12M7UCA10-7

Description: DIODES INC. - DMN12M7UCA10-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 12 V, 20.2 A, 20.2 A, 2190 µohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2190µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.73W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: X4-DSN3015
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2190µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.73W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 4890 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	46.58 грн
500+	33.58 грн
1000+	27.51 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMN12M7UCA10-7

на замовлення 4890 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	110.94 грн
13+	70.12 грн
100+	46.58 грн
500+	33.58 грн
1000+	27.51 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DMN12M7UCA10-7

Description: MOSFET 2N-CH 20.2A X4-DSN3015-10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.75mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 1.11mA
Supplier Device Package: X4-DSN3015-10

на замовлення 9670 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	70.23 грн
10+	58.27 грн
100+	40.37 грн
500+	31.66 грн
1000+	26.94 грн
2000+	24.00 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

DMN12M8UCA10-7

Description: MOSFET 2N-CH 12V X4-DSN3015-10
Packaging: Bulk
Package / Case: 10-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2504pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.4nC @ 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 1.11mA
Supplier Device Package: X4-DSN3015-10

на замовлення 4985 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	62.88 грн
10+	45.06 грн
100+	30.25 грн
500+	22.06 грн
1000+	19.44 грн
2000+	18.24 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DMN12M8UCA10-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V X4-DSN3015-10 T&R 5K

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	57.33 грн
10+	49.57 грн
100+	29.44 грн
500+	24.61 грн
1000+	20.91 грн
2500+	19.78 грн
5000+	16.76 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

DMN13H750S

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN13H750S-13

MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 130Vdss 20Vgss

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN13H750S-13

Trans MOSFET N-CH 130V 1A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN13H750S-13

Trans MOSFET N-CH 130V 1A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN13H750S-13

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 130V; 1A; Idm: 3.3A; 1.26W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 130V
Drain current: 1A
Pulsed drain current: 3.3A
Power dissipation: 1.26W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.6nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN13H750S-13

Description: MOSFET N-CH 130V 1A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 770mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 130 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 231 pF @ 25 V

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	12.77 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMN13H750S-7

Description: MOSFET N-CH 130V 1A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 770mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 130 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 231 pF @ 25 V

на замовлення 147502 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	40.83 грн
10+	33.42 грн
100+	23.22 грн
500+	17.02 грн
1000+	13.83 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DMN13H750S-7

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN13H750S-7

Trans MOSFET N-CH 130V 1A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN13H750S-7

Description: DIODES INC. - DMN13H750S-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 130 V, 1 A, 0.41 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 130V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 770mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	18.97 грн
500+	14.08 грн
1000+	11.40 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMN13H750S-7

на замовлення 144000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	13.68 грн
6000+	12.51 грн
9000+	11.61 грн
30000+	10.69 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN13H750S-7

MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 130Vdss 20Vgss

на замовлення 13957 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	37.87 грн
14+	25.70 грн
100+	16.68 грн
500+	12.38 грн
3000+	11.85 грн
6000+	11.70 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DMN13H750S-7

Trans MOSFET N-CH 130V 1A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN13H750S-7

на замовлення 1300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

26+	33.53 грн
30+	28.28 грн
100+	18.97 грн
500+	14.08 грн
1000+	11.40 грн

Мінімальне замовлення: 26

В кошику од. на суму грн.

DMN13H750S-7

Trans MOSFET N-CH 130V 1A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN13M9UCA6-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V

на замовлення 2963 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	121.54 грн
10+	76.92 грн
100+	44.24 грн
500+	36.24 грн
1000+	31.78 грн
3000+	26.95 грн
6000+	26.19 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

DMN14M8UFDF-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V 24V U-DFN2020-6 T&R 3K

на замовлення 65 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	63.59 грн
10+	38.28 грн
100+	21.97 грн
500+	17.29 грн
1000+	14.72 грн
3000+	11.10 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DMN15H310SE-13

Description: MOSFET N-CH 150V 2A/7.1A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), 7.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 25 V

на замовлення 482282 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	100.44 грн
10+	65.42 грн
100+	45.79 грн
500+	34.73 грн
1000+	32.03 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

DMN15H310SE-13

MOSFETs 150V N-Ch Enh Fet 310mOhm 10Vgs 2.0A

на замовлення 3201 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	104.80 грн
10+	71.97 грн
100+	48.09 грн
500+	37.97 грн
1000+	34.73 грн
2500+	29.21 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

DMN15H310SE-13

Trans MOSFET N-CH 150V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN15H310SE-13

Description: MOSFET N-CH 150V 2A/7.1A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), 7.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 25 V

на замовлення 475000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	32.33 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DMN15H310SK3

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN15H310SK3-13

Trans MOSFET N-CH 150V 8.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN15H310SK3-13

Description: MOSFET N-CH 150V 8.3A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 178 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	55.53 грн
10+	35.54 грн
100+	24.36 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DMN15H310SK3-13

MOSFETs 150V N-Ch Enh FET 310mOhm 10V 8.3A

на замовлення 2120 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	47.47 грн
10+	40.54 грн
100+	24.46 грн
500+	21.06 грн
1000+	17.89 грн
2500+	15.78 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DMN15H310SK3-13

Trans MOSFET N-CH 150V 8.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN15H310SK3-13

Description: MOSFET N-CH 150V 8.3A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN15H310SK3-13

Trans MOSFET N-CH 150V 8.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 120000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	16.25 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DMN15M3UCA6-7

Description: DIODES INC. - DMN15M3UCA6-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 14 V, 14 V, 16.5 A, 16.5 A, 0.0046 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 16.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 14V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 16.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0046ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 14V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: X3-DSN2718
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0046ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 2472 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	26.59 грн
500+	24.14 грн
1000+	21.85 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMN15M3UCA6-7

Description: MOSFET 2N-CH 14V X3-DSN2718-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 14V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2360pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: X3-DSN2718-6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN15M3UCA6-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V 24V X3-DSN2718-6 T&R 3K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN15M3UCA6-7

на замовлення 2472 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

31+	27.69 грн
32+	27.10 грн
100+	26.59 грн
500+	24.14 грн
1000+	21.85 грн

Мінімальне замовлення: 31

В кошику од. на суму грн.

DMN15M5UCA6-7

Description: MOSFET 2N-CH 12V X4-DSN2117-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.6nC @ 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 840µA
Supplier Device Package: X4-DSN2117-6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN16M0UCA6-7

Description: MOSFET 2N-CH 12V 17A X4-DSN2112
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: X4-DSN2112-6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN16M0UCA6-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN16M7UCA6-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V X4-DSN2718-6 T&R 3K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN16M7UCA6-7

Description: MOSFET 2N-CH 12V X4-DSN2718
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2333pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.4nC @ 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: X4-DSN2718-6

на замовлення 27000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	19.88 грн
6000+	17.59 грн
9000+	16.79 грн
15000+	14.93 грн
21000+	14.78 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN16M8UCA6-7

Description: MOSFET 2N-CH 12V X3-DSN2718-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2333pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.4nC @ 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: X3-DSN2718-6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN16M9UCA6-7

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN16M9UCA6-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V

на замовлення 2984 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	103.04 грн
10+	64.07 грн
100+	36.84 грн
500+	30.35 грн
1000+	26.19 грн
3000+	22.04 грн
6000+	20.68 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

DMN2004DMK

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN2004DMK-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-26 T/R

на замовлення 1223 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

289+	42.97 грн
375+	33.03 грн
411+	30.13 грн
500+	25.68 грн
1000+	19.67 грн

Мінімальне замовлення: 289

В кошику од. на суму грн.

DMN2004DMK-7

Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 225mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active

на замовлення 126556 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	47.36 грн
11+	28.62 грн
100+	18.35 грн
500+	10.96 грн
1000+	9.71 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

DMN2004DMK-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-26 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2004DMK-7

MOSFETs Dual N-Channel

на замовлення 28827 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	51.52 грн
12+	29.08 грн
100+	17.66 грн
500+	10.64 грн
1000+	9.51 грн
3000+	8.30 грн
6000+	8.08 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

DMN2004DMK-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-26 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2004DMK-7

Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 225mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active

на замовлення 125700 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.27 грн
6000+	8.65 грн
9000+	8.54 грн
15000+	7.88 грн
21000+	7.72 грн
30000+	7.48 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2004DMK-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-26 T/R

на замовлення 1223 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	62.14 грн
15+	48.13 грн
25+	46.04 грн
100+	34.13 грн
250+	28.83 грн
500+	24.46 грн
1000+	20.23 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

DMN2004DWK

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN2004DWK-7

MOSFETs Dual N-Channel

на замовлення 15154 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	37.69 грн
15+	24.65 грн
100+	11.40 грн
1000+	9.59 грн
3000+	8.45 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DMN2004DWK-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-363 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.53 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2004DWK-7

Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active

на замовлення 1008905 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	47.36 грн
12+	28.39 грн
100+	18.17 грн
500+	12.91 грн
1000+	11.57 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

DMN2004DWK-7

Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active

на замовлення 1005000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.26 грн
6000+	9.60 грн
9000+	9.13 грн
15000+	8.13 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2004DWK-7-R

DIODES/ZETEX

2NxMOSFET 20V 0.54A 550mΩ 200mW DMN2004DWK-7 Diodes TDMN2004dwk
кількість в упаковці: 100 шт

на замовлення 500 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

200+	4.82 грн

Мінімальне замовлення: 200

В кошику од. на суму грн.

DMN2004DWKQ-7

Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.95nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 114000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.34 грн
6000+	7.38 грн
9000+	7.05 грн
15000+	6.27 грн
21000+	6.10 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2004DWKQ-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V

на замовлення 2765 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	44.65 грн
14+	26.56 грн
100+	15.17 грн
500+	11.17 грн
1000+	10.04 грн
3000+	6.72 грн
6000+	6.64 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DMN2004DWKQ-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.54A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2004K

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2004K

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN2004K-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.79 грн
6000+	6.87 грн
9000+	5.68 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2004K-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.15 грн
6000+	8.74 грн
9000+	7.31 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2004K-7

Description: MOSFET N-CH 20V 630MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 16 V

на замовлення 1726 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	28.58 грн
23+	14.15 грн
100+	7.56 грн
500+	6.66 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

DMN2004K-7

Description: DIODES INC. - DMN2004K-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.55 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 32972 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	33.96 грн
50+	17.11 грн
100+	9.15 грн
500+	8.18 грн
1500+	7.40 грн

Мінімальне замовлення: 25

В кошику од. на суму грн.

DMN2004K-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.27 грн
6000+	6.41 грн
9000+	5.31 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2004K-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	4.21 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2004K-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.45A; 0.35W; SOT23; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.45A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 205 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

10+	32.52 грн
12+	24.50 грн
19+	15.19 грн
50+	12.15 грн
100+	8.03 грн
198+	5.61 грн
544+	5.30 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DMN2004K-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.20 грн
6000+	6.50 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2004K-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2004K-7

Description: MOSFET N-CH 20V 630MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 16 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2004K-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.71 грн
6000+	6.97 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2004K-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 156000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.20 грн
6000+	6.50 грн
9000+	5.20 грн
24000+	4.28 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2004K-7

на замовлення 36432 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	7.78 грн
1500+	7.04 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

DMN2004K-7

MOSFETs 20V 540mA

на замовлення 27369 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	31.09 грн
23+	15.37 грн
100+	7.17 грн
500+	6.87 грн
3000+	5.81 грн
6000+	5.51 грн
9000+	4.60 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

DMN2004K-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.24 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2004K-7

на замовлення 205 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

16+	27.10 грн
20+	19.66 грн
32+	12.66 грн
50+	10.13 грн
100+	6.69 грн
198+	4.67 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

DMN2004K-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2004K-7 NAB

DIODES/ZETEX

N-MOSFET 20V 630mA 550mΩ 350mW DMN2004K-7 Diodes TDMN2004k
кількість в упаковці: 100 шт

на замовлення 300 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

300+	2.14 грн

Мінімальне замовлення: 300

В кошику од. на суму грн.

DMN2004K-7-F

10+ROHS SOT-23

на замовлення 39000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN2004K-7-W

MOSFET BVDSS: 8V 24V SOT23 T&R 3K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2004L

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN2004TK-7

Description: DIODES INC. - DMN2004TK-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 540 mA, 0.4 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 2295 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	12.87 грн
500+	10.85 грн
1000+	9.07 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMN2004TK-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.54A 3-Pin SOT-523 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2004TK-7

MOSFETs 20V N-CHANNEL

на замовлення 187663 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	29.50 грн
16+	22.14 грн
100+	10.87 грн
500+	9.51 грн
1000+	8.91 грн
3000+	7.55 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

DMN2004TK-7

Description: MOSFET N-CH 20V 540MA SOT523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 16 V

на замовлення 517682 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	35.93 грн
14+	23.04 грн
100+	15.59 грн
500+	11.42 грн
1000+	10.36 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DMN2004TK-7

на замовлення 2295 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

29+	29.98 грн
37+	23.12 грн
100+	12.87 грн
500+	10.85 грн
1000+	9.07 грн

Мінімальне замовлення: 29

В кошику од. на суму грн.

DMN2004TK-7

Description: MOSFET N-CH 20V 540MA SOT523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 16 V

на замовлення 516000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.69 грн
6000+	6.29 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2004VK-7

Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active

на замовлення 83024 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	40.83 грн
13+	24.38 грн
100+	15.56 грн
500+	11.01 грн
1000+	8.92 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DMN2004VK-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-563 T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.31 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2004VK-7

MOSFETs 20V 540mA

на замовлення 8640 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	41.83 грн
13+	28.82 грн
100+	16.23 грн
500+	12.23 грн
1000+	9.36 грн
3000+	7.70 грн
6000+	7.62 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

DMN2004VK-7

Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active

на замовлення 81000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.92 грн
6000+	7.35 грн
9000+	7.11 грн
15000+	6.50 грн
21000+	6.38 грн
30000+	6.14 грн
75000+	5.86 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2004VK-7B

Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563

на замовлення 144000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8000+	4.26 грн
16000+	3.78 грн
24000+	3.61 грн
40000+	3.21 грн
56000+	3.15 грн

Мінімальне замовлення: 8000

В кошику од. на суму грн.

DMN2004VK-7B

Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2004VK-7B

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT563 T&R 8.0K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2004VK-7B

Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563

на замовлення 150770 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	17.97 грн
27+	11.80 грн
100+	7.92 грн
500+	5.71 грн
1000+	5.13 грн
2000+	4.64 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

DMN2004WK

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN2004WK-7
Код товару: 183759

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-323
Uds,V: 20 V
Idd,A: 0,54 A
Rds(on), Ohm: 0,7 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 150/
Монтаж: SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2004WK-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.54A 3-Pin SOT-323 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2004WK-7

Description: MOSFET N-CH 20V 540MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 16 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6633000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.37 грн
6000+	4.80 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2004WK-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.54A 3-Pin SOT-323 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.46 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2004WK-7

MOSFETs N-Channel

на замовлення 24450 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

14+	26.25 грн
21+	17.19 грн
100+	6.72 грн
1000+	5.89 грн
3000+	5.28 грн

Мінімальне замовлення: 14

В кошику од. на суму грн.

DMN2004WK-7

Description: MOSFET N-CH 20V 540MA SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 16 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6635803 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	24.50 грн
21+	15.57 грн
100+	10.47 грн
500+	7.59 грн
1000+	6.85 грн

Мінімальне замовлення: 14

В кошику од. на суму грн.

DMN2004WK-7-52

Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 16 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2004WKQ-7

на замовлення 8319000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.03 грн
6000+	6.20 грн
9000+	5.92 грн
15000+	5.25 грн
21000+	5.06 грн
30000+	4.96 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2004WKQ-7

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2004WKQ-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V

на замовлення 1571 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

13+	28.71 грн
19+	18.75 грн
100+	8.53 грн
1000+	7.70 грн
3000+	6.04 грн
9000+	5.89 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

DMN2004WKQ-7

на замовлення 8319914 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	26.13 грн
19+	16.67 грн
100+	11.25 грн
500+	8.17 грн
1000+	7.38 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

DMN2004WKQ-7

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2005DLP4K-7

MOSFETs N-Channel

на замовлення 19428 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	47.73 грн
12+	29.08 грн
100+	13.14 грн
500+	11.47 грн
1000+	10.49 грн
3000+	7.17 грн
6000+	7.10 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DMN2005DLP4K-7

Description: DIODES INC. - DMN2005DLP4K-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 300 mA, 300 mA, 0.35 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.35ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 400mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: X2-DFN1310
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.35ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 2150 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

27+	31.50 грн
41+	20.92 грн
100+	11.01 грн
500+	9.59 грн
1000+	8.20 грн

Мінімальне замовлення: 27

В кошику од. на суму грн.

DMN2005DLP4K-7

Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.3A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 400mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 100µA
Supplier Device Package: X2-DFN1310-6 (Type B)

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.30 грн
6000+	7.82 грн
9000+	7.79 грн
15000+	7.27 грн
21000+	7.15 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2005DLP4K-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.3A 6-Pin DFN T/R

на замовлення 102000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.66 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2005DLP4K-7

на замовлення 2150 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	11.01 грн
500+	9.59 грн
1000+	8.20 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMN2005DLP4K-7

Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.3A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 400mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 100µA
Supplier Device Package: X2-DFN1310-6 (Type B)

на замовлення 25733 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	44.91 грн
12+	26.89 грн
100+	12.49 грн
500+	10.58 грн
1000+	9.75 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DMN2005DLP4K-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.3A 6-Pin DFN T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2005K

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN2005K-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.77 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2005K-7

Description: MOSFET N-CH 20V 300MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 200mA, 2.7V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.7V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V

на замовлення 585292 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	30.21 грн
17+	18.79 грн
100+	13.07 грн
500+	9.85 грн
1000+	8.70 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

DMN2005K-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 873 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

28+	25.95 грн
34+	20.86 грн
35+	20.68 грн
100+	11.53 грн
250+	10.56 грн
500+	5.47 грн

Мінімальне замовлення: 28

В кошику од. на суму грн.

DMN2005K-7

Description: MOSFET N-CH 20V 300MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 200mA, 2.7V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.7V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V

на замовлення 585000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.24 грн
6000+	5.54 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2005K-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2005K-7

MOSFET N-Channel

на замовлення 33044 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	30.30 грн
16+	23.01 грн
100+	10.57 грн
1000+	8.45 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

DMN2005K-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 873 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

642+	19.30 грн

Мінімальне замовлення: 642

В кошику од. на суму грн.

DMN2005LP4K-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin DFN T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

528+	23.44 грн
1109+	11.16 грн
1121+	11.05 грн
1132+	10.55 грн
1461+	7.57 грн
3000+	5.30 грн

Мінімальне замовлення: 528

В кошику од. на суму грн.

DMN2005LP4K-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin DFN T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2005LP4K-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin DFN T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

24+	30.06 грн
28+	25.40 грн
29+	25.12 грн
100+	11.53 грн
250+	10.57 грн
500+	10.05 грн
1000+	7.78 грн
3000+	5.68 грн

Мінімальне замовлення: 24

В кошику од. на суму грн.

DMN2005LP4K-7

MOSFETs 20V 300mA

на замовлення 65062 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

14+	26.77 грн
22+	15.80 грн
100+	6.95 грн
1000+	5.89 грн
3000+	5.44 грн

Мінімальне замовлення: 14

В кошику од. на суму грн.

DMN2005LP4K-7

Description: MOSFET N-CH 20V 200MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 100µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 3 V

на замовлення 651959 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	25.31 грн
22+	14.63 грн
100+	7.42 грн
500+	6.89 грн
1000+	6.24 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

DMN2005LP4K-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin DFN T/R

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.98 грн
9000+	6.24 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2005LP4K-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin DFN T/R

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.48 грн
9000+	6.68 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2005LP4K-7

Description: MOSFET N-CH 20V 200MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 100µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 3 V

на замовлення 651000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.72 грн
6000+	5.42 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2005LP4K-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin DFN T/R

на замовлення 1668000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.97 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2005LP4K-7-52

Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 100µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 37.1 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2005LPK-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.44A; 0.45W; X1-DFN1006-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.44A
Power dissipation: 0.45W
Case: X1-DFN1006-3
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 1124 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

36+	8.54 грн
44+	6.76 грн
100+	5.76 грн
218+	5.10 грн
600+	4.81 грн

Мінімальне замовлення: 36

В кошику од. на суму грн.

DMN2005LPK-7

Description: MOSFET N-CH 20V 440MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 440mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 450mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 100µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V

на замовлення 45849 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	26.13 грн
19+	17.14 грн
100+	11.56 грн
500+	8.39 грн
1000+	7.58 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

DMN2005LPK-7

Description: DIODES INC. - DMN2005LPK-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 440 mA, 0.35 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 440mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 2740 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

29+	30.15 грн
46+	18.80 грн
100+	8.64 грн
500+	7.38 грн
1000+	6.44 грн

Мінімальне замовлення: 29

В кошику од. на суму грн.

DMN2005LPK-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.44A 3-Pin DFN T/R

на замовлення 2328 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	30.89 грн
30+	23.97 грн
33+	21.49 грн
100+	12.35 грн
250+	11.13 грн
500+	9.96 грн
1000+	5.75 грн

Мінімальне замовлення: 23

В кошику од. на суму грн.

DMN2005LPK-7

Description: MOSFET N-CH 20V 440MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 440mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 450mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 100µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V

на замовлення 42000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.21 грн
6000+	6.37 грн
9000+	6.07 грн
15000+	5.38 грн
21000+	5.20 грн
30000+	5.07 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2005LPK-7

на замовлення 1124 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

60+	7.11 грн
73+	5.43 грн
100+	4.80 грн
218+	4.25 грн
600+	4.01 грн

Мінімальне замовлення: 60

В кошику од. на суму грн.

DMN2005LPK-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.44A 3-Pin DFN T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2005LPK-7

на замовлення 2740 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	8.64 грн
500+	7.38 грн
1000+	6.44 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMN2005LPK-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.44A 3-Pin DFN T/R

на замовлення 2328 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

618+	20.06 грн
1036+	11.96 грн
1064+	11.63 грн
1142+	10.46 грн
1977+	5.59 грн

Мінімальне замовлення: 618

В кошику од. на суму грн.

DMN2005LPK-7

MOSFETs 20V 200mA

на замовлення 10616 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	31.79 грн
18+	20.31 грн
100+	8.83 грн
1000+	6.95 грн
3000+	5.44 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

DMN2005LPK-7B

Trans MOSFET N-CH 20V 0.44A 3-Pin X1-DFN T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2005UFG

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2005UFG-13

MOSFETs 20V N-Ch Enh Mode FET 12Vgss 1.05W

на замовлення 3683 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	37.08 грн
12+	30.38 грн
100+	19.25 грн
500+	17.82 грн
1000+	15.10 грн
3000+	12.76 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DMN2005UFG-13

Description: MOSFET N-CH 20V 18.1A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.05W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6495 pF @ 10 V

на замовлення 527721 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	36.75 грн
11+	29.49 грн
100+	21.45 грн
500+	18.65 грн
1000+	15.25 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

DMN2005UFG-13

Trans MOSFET N-CH 20V 18A 8-Pin PowerDI EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2005UFG-13

Trans MOSFET N-CH 20V 18A 8-Pin PowerDI EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2005UFG-13

Description: DIODES INC. - DMN2005UFG-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 50 A, 4000 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.05W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 2720 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

24+	35.91 грн
29+	29.81 грн
100+	21.68 грн
500+	17.14 грн
1000+	13.43 грн

Мінімальне замовлення: 24

В кошику од. на суму грн.

DMN2005UFG-13

Trans MOSFET N-CH 20V 18A 8-Pin PowerDI EP T/R

на замовлення 522000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	15.60 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2005UFG-13

Description: MOSFET N-CH 20V 18.1A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.05W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6495 pF @ 10 V

на замовлення 525000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	15.14 грн
6000+	14.20 грн
9000+	13.98 грн
15000+	12.88 грн
21000+	12.86 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2005UFG-13

Trans MOSFET N-CH 20V 18A 8-Pin PowerDI EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2005UFG-13

на замовлення 2720 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	21.68 грн
500+	17.14 грн
1000+	13.43 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMN2005UFG-7

Trans MOSFET N-CH 20V 18A 8-Pin PowerDI EP T/R

на замовлення 1950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

913+	13.56 грн

Мінімальне замовлення: 913

В кошику од. на суму грн.

DMN2005UFG-7

Description: DIODES INC. - DMN2005UFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 50 A, 0.004 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.05W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 1833 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	33.96 грн
35+	24.81 грн
100+	19.31 грн
500+	16.43 грн
1000+	14.30 грн

Мінімальне замовлення: 25

В кошику од. на суму грн.

DMN2005UFG-7

Trans MOSFET N-CH 20V 18A 8-Pin PowerDI EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2005UFG-7

на замовлення 38342 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	32.66 грн
14+	22.73 грн
100+	17.69 грн
500+	14.61 грн
1000+	14.32 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DMN2005UFG-7

Trans MOSFET N-CH 20V 18A 8-Pin PowerDI EP T/R

на замовлення 1950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

609+	14.53 грн
1000+	14.28 грн

Мінімальне замовлення: 609

В кошику од. на суму грн.

DMN2005UFG-7

MOSFETs 20V N-Ch Enh FET 6495pF 66.8nC

на замовлення 4606 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	34.08 грн
15+	24.31 грн
100+	16.46 грн
500+	12.76 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

DMN2005UFG-7

Trans MOSFET N-CH 20V 18A 8-Pin PowerDI EP T/R

на замовлення 36000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	15.60 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

DMN2005UFG-7

на замовлення 1833 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	19.31 грн
500+	16.43 грн
1000+	14.30 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMN2005UFG-7
Код товару: 201744

Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2005UFG-7

на замовлення 36000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	15.06 грн
4000+	14.24 грн
6000+	13.82 грн
10000+	12.86 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

DMN2005UFG-7

Trans MOSFET N-CH 20V 18A 8-Pin PowerDI EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2005UFGQ-13

Description: MOSFET N-CH 20V 18A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.05W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6495 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	28.78 грн
6000+	25.75 грн
9000+	25.50 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2005UFGQ-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2005UFGQ-13

20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET PowerDI3333-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2005UFGQ-13

20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET PowerDI3333-8 Automotive AEC-Q101

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	29.01 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2005UFGQ-7

20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET PowerDI3333-8 Automotive AEC-Q101

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	29.19 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

DMN2005UFGQ-7

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	30.30 грн
4000+	26.99 грн
6000+	25.88 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

DMN2005UFGQ-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2005UPS-13

20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	25.99 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DMN2005UPS-13

20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2005UPS-13

Description: MOSFET N-CH 20V 20A POWERDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 142 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5337 pF @ 10 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	26.20 грн
5000+	24.03 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DMN2005UPS-13

20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	25.99 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DMN2005UPS-13

Description: DIODES INC. - DMN2005UPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 A, 4600 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

на замовлення 2490 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	67.58 грн
16+	54.71 грн
100+	40.48 грн
500+	32.48 грн
1000+	26.86 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

DMN2005UPS-13

MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 20Vdss 12Vgss 30A

на замовлення 2413 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	63.59 грн
10+	50.79 грн
100+	32.69 грн
500+	28.23 грн
1000+	25.29 грн
2500+	21.59 грн
5000+	21.29 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DMN2005UPS-13

20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

на замовлення 2488 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	30.84 грн
24+	29.64 грн
100+	27.04 грн
500+	24.73 грн
1000+	20.89 грн

Мінімальне замовлення: 23

В кошику од. на суму грн.

DMN2005UPS-13

Description: MOSFET N-CH 20V 20A POWERDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 142 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5337 pF @ 10 V

на замовлення 7375 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	63.69 грн
10+	49.85 грн
100+	38.81 грн
500+	30.87 грн
1000+	25.15 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DMN2005UPS-13

на замовлення 2490 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	40.48 грн
500+	32.48 грн
1000+	26.86 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMN2008LFU-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2008LFU-13

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 11.5A; Idm: 75A; 1.7W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 11.5A
Pulsed drain current: 75A
Power dissipation: 1.7W
Case: U-DFN2030-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 9.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 42.3nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2008LFU-13

Description: MOSFET 2N-CH 20V 14.5A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1418pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 5.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type B)
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2008LFU-13

Trans MOSFET N-CH 20V 14.5A 6-Pin UDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2008LFU-7

Description: MOSFET 2N-CH 20V 14.5A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1418pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 5.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250A
Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type B)
Part Status: Active

на замовлення 63000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	18.29 грн
6000+	16.23 грн
9000+	15.85 грн
15000+	14.63 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2008LFU-7

Trans MOSFET N-CH 20V 14.5A 6-Pin UDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2008LFU-7

Description: MOSFET 2N-CH 20V 14.5A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1418pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 5.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250A
Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type B)
Part Status: Active

на замовлення 63710 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	67.78 грн
10+	42.86 грн
100+	28.71 грн
500+	21.11 грн
1000+	19.09 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

DMN2008LFU-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V

на замовлення 3318 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	65.17 грн
10+	43.15 грн
100+	25.44 грн
500+	20.76 грн
1000+	18.80 грн
3000+	15.70 грн
6000+	15.25 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DMN2009LSS-13

Description: MOSFET N-CH 20V 12A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2555 pF @ 10 V

на замовлення 42500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	19.55 грн
5000+	17.84 грн
7500+	15.93 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DMN2009LSS-13

MOSFET NMOS SINGLE N-CHANNL 20V 12A

на замовлення 5979 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN2009LSS-13

Description: MOSFET N-CH 20V 12A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2555 pF @ 10 V

на замовлення 44028 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	66.14 грн
10+	45.14 грн
100+	30.53 грн
500+	22.63 грн
1000+	20.51 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

DMN2009LSS-13

Trans MOSFET N-CH 20V 12A 8-Pin SOP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2009UCA4-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V 24V X4-DSN1717-4 T&R 3K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2009UFDF-13

Transistor MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2009USS-13

Description: DIODES INC. - DMN2009USS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 12.1 A, 6300 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 574 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	50.39 грн
20+	43.36 грн
100+	29.98 грн
500+	23.35 грн

Мінімальне замовлення: 17

В кошику од. на суму грн.

DMN2009USS-13

Description: MOSFET N-CH 20V 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1706 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2009USS-13

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V

на замовлення 6594 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	49.14 грн
10+	42.36 грн
100+	25.14 грн
500+	21.06 грн
1000+	17.89 грн
2500+	14.34 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DMN2009USS-13

на замовлення 574 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	29.98 грн
500+	23.35 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMN2009USS-13

Description: MOSFET N-CH 20V 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1706 pF @ 10 V

на замовлення 3251 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	44.10 грн
10+	36.72 грн
100+	25.38 грн
500+	19.56 грн
1000+	17.68 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DMN2010UDZ-7

Description: MOSFET 2N-CH 20V 11A U-DFN2535-6

на замовлення 10644 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN2010UDZ-7

Description: MOSFET 2N-CH 20V 11A U-DFN2535-6

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN2010UDZ-7

MOSFET Dual N-Ch Enh FET 24V 8Vgss 0.7W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2011UFDE-13

MOSFETs 20V N-Ch Enh Mode 12Vgss 80A .61W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2011UFDE-13

Description: MOSFET N-CH 20V 11.7A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3372 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2011UFDE-7

MOSFETs 20V N-Ch Enh Mode 12Vgss 80A .61W

на замовлення 74259 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	46.94 грн
10+	40.89 грн
100+	23.40 грн
500+	19.48 грн
1000+	17.66 грн
3000+	13.97 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DMN2011UFDE-7

Description: DIODES INC. - DMN2011UFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 11.7 A, 0.0065 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.97W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 1914 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	28.62 грн
500+	21.00 грн
1000+	17.28 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMN2011UFDE-7

Description: MOSFET N-CH 20V 11.7A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2248 pF @ 10 V

на замовлення 105000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	14.72 грн
6000+	13.95 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2011UFDE-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 11.4A; Idm: 80A; 1.27W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.27W
Case: U-DFN2020-6
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Gate-source voltage: ±12V
Drain current: 11.4A
Gate charge: 84nC
On-state resistance: 35mΩ
Pulsed drain current: 80A
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2011UFDE-7

на замовлення 1914 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	49.29 грн
20+	43.10 грн
100+	28.54 грн
500+	20.92 грн
1000+	17.64 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

DMN2011UFDE-7

Description: MOSFET N-CH 20V 11.7A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2248 pF @ 10 V

на замовлення 107118 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	44.10 грн
10+	37.74 грн
100+	24.83 грн
500+	20.35 грн
1000+	18.30 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DMN2011UFDF-13

Description: MOSFET N-CH 20V 14.2A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2248 pF @ 10 V

на замовлення 12325 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	51.45 грн
11+	30.90 грн
100+	19.87 грн
500+	14.20 грн
1000+	12.76 грн
2000+	11.55 грн
5000+	10.08 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

DMN2011UFDF-13

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 11.4A; Idm: 80A; 1.3W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.3W
Case: U-DFN2020-6
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Gate-source voltage: ±12V
Drain current: 11.4A
Gate charge: 56nC
On-state resistance: 35mΩ
Pulsed drain current: 80A
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2011UFDF-13

Description: MOSFET N-CH 20V 14.2A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2248 pF @ 10 V

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	10.13 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMN2011UFDF-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 10K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2011UFDF-7

20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.51 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2011UFDF-7

Description: MOSFET N-CH 20V 14.2A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2248 pF @ 10 V

на замовлення 4204 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	51.45 грн
11+	30.90 грн
100+	19.87 грн
500+	14.20 грн
1000+	12.76 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

DMN2011UFDF-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6 T&R 3K

на замовлення 3136 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	46.06 грн
12+	30.47 грн
100+	18.04 грн
500+	15.25 грн
1000+	12.98 грн
3000+	10.80 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DMN2011UFDF-7

Description: MOSFET N-CH 20V 14.2A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2248 pF @ 10 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.74 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2011UFDF-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 11.4A; Idm: 80A; 1.3W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.3W
Case: U-DFN2020-6
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Gate-source voltage: ±12V
Drain current: 11.4A
Gate charge: 56nC
On-state resistance: 35mΩ
Pulsed drain current: 80A
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2011UFX-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 9.8A; Idm: 80A; 2.1W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 2.1W
Case: V-DFN2050-4
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Gate-source voltage: ±12V
Drain current: 9.8A
Gate charge: 56nC
On-state resistance: 13mΩ
Pulsed drain current: 80A
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2011UFX-7

Description: MOSFET 2N-CH 20V 12.2A 4VDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2248pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN2050-4
Part Status: Active

на замовлення 8657 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	71.86 грн
10+	46.63 грн
100+	32.23 грн
500+	24.14 грн
1000+	22.14 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

DMN2011UFX-7

Description: MOSFET 2N-CH 20V 12.2A 4VDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2248pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN2050-4
Part Status: Active

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	21.65 грн
6000+	20.04 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2011UFX-7

MOSFETs Dual N-Ch Enh FET 20Vds 12Vgs 2248pF

на замовлення 5919 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	74.95 грн
10+	49.83 грн
100+	30.04 грн
500+	26.19 грн
1000+	22.80 грн
3000+	18.57 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

DMN2011UTS-13

Description: MOSFET N-CH 20V 21A 8TSSOP

на замовлення 12500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	15.98 грн
5000+	14.39 грн
12500+	13.40 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DMN2011UTS-13

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V

на замовлення 284 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	45.89 грн
10+	38.89 грн
100+	23.55 грн
500+	18.42 грн
1000+	14.95 грн
2500+	12.83 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DMN2011UTS-13

Description: MOSFET N-CH 20V 21A 8TSSOP

на замовлення 12723 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	45.73 грн
10+	37.19 грн
100+	27.80 грн
500+	20.50 грн
1000+	15.84 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DMN2012UCA6-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2012UCA6-7

Description: MOSFET 2N-CH 24V 13A X3-DSN2718
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 820mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 24V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2417pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: X3-DSN2718-6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2013UFDE-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 10A; Idm: 80A; 1.31W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.31W
Case: U-DFN2020-6
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Gate-source voltage: ±8V
Drain current: 10A
Gate charge: 25.8nC
On-state resistance: 50mΩ
Pulsed drain current: 80A
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2013UFDE-7

Description: MOSFET N-CH 20V 10.5A 6UDFN

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2013UFDE-7

Description: DIODES INC. - DMN2013UFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 10.5 A, 0.0084 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.03W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0084ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 2900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	41.24 грн
100+	35.31 грн
500+	21.70 грн
1000+	9.80 грн

Мінімальне замовлення: 21

В кошику од. на суму грн.

DMN2013UFDE-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K

на замовлення 1667 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	56.01 грн
10+	46.53 грн
3000+	11.63 грн
6000+	11.02 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

DMN2013UFDE-7

Description: MOSFET N-CH 20V 10.5A 6UDFN

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2013UFDE-7

на замовлення 2900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	35.31 грн
500+	29.80 грн
1000+	24.75 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMN2013UFDEQ-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V 24V U-DFN2020-6 T&R 3K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2013UFX-7

Description: MOSFET 2N-CH 20V 10A 6-DFN

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2013UFX-7

Description: MOSFET 2N-CH 20V 10A 6-DFN

на замовлення 2828 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN2013UFX-7

Description: MOSFET 2N-CH 20V 10A 6-DFN

на замовлення 2828 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN2013UFX-7

Trans MOSFET N-CH 20V 10A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	18.95 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2013UFX-7

MOSFETs 20V N-Ch Enh Mode 8Vgss 10A 0.78W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2014LHAB-13

Description: DIODES INC. - DMN2014LHAB-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 9.3 A, 9.3 A, 0.01 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.01ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.7W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: U-DFN2030
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.01ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.7W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 9950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	71.98 грн
21+	42.09 грн
100+	33.87 грн
500+	26.50 грн
1000+	20.90 грн
5000+	12.78 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

DMN2014LHAB-13

Description: MOSFET 2N-CH 20V 9A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type B)

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	44.91 грн
11+	28.94 грн
100+	19.71 грн
500+	14.53 грн
1000+	13.22 грн
2000+	12.11 грн
5000+	10.71 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DMN2014LHAB-13

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2030-6 T&R 10K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2014LHAB-13

на замовлення 9950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	33.87 грн
500+	26.50 грн
1000+	20.90 грн
5000+	12.78 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMN2014LHAB-13

Description: MOSFET 2N-CH 20V 9A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type B)
Part Status: Active

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	11.19 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMN2014LHAB-7

Description: MOSFET 2N-CH 20V 9A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type B)
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2014LHAB-7

Trans MOSFET N-CH 20V 9A 6-Pin UDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2014LHAB-7

MOSFET FET BVDSS 8V 24V N-Ch Dual 20V 1550pF

на замовлення 2763 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	41.75 грн
10+	36.03 грн
100+	23.40 грн
500+	18.34 грн
1000+	14.19 грн
3000+	12.91 грн
9000+	11.85 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

DMN2014LHAB-7

Trans MOSFET N-CH 20V 9A 6-Pin UDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2014LHAB-7

Description: MOSFET 2N-CH 20V 9A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type B)
Part Status: Active

на замовлення 2023 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	60.43 грн
10+	36.17 грн
100+	23.40 грн
500+	16.77 грн
1000+	15.10 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DMN2014LHAB-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 7.4A; Idm: 45A; 1.1W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.1W
Case: U-DFN2030-6
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Gate-source voltage: ±12V
Drain current: 7.4A
Gate charge: 16nC
On-state resistance: 28mΩ
Pulsed drain current: 45A
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2014LHAB-7

Trans MOSFET N-CH 20V 9A 6-Pin UDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2015UFDE-7

Description: MOSFET N-CH 20V 10.5A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 8.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1779 pF @ 10 V

на замовлення 138015 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	45.73 грн
11+	29.57 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DMN2015UFDE-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 10A; Idm: 80A; 1.31W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.31W
Case: U-DFN2020-6
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Gate-source voltage: ±12V
Drain current: 10A
Gate charge: 45.6nC
On-state resistance: 50mΩ
Pulsed drain current: 80A
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2015UFDE-7

Trans MOSFET N-CH 20V 10.5A 6-Pin DFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2015UFDE-7

Description: DIODES INC. - DMN2015UFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 10.5 A, 9300 µohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 660mW
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9300µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	40.56 грн
30+	28.37 грн
100+	18.80 грн
500+	14.39 грн
1000+	11.90 грн

Мінімальне замовлення: 21

В кошику од. на суму грн.

DMN2015UFDE-7

на замовлення 140960 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	60.43 грн
10+	36.33 грн
100+	23.48 грн
500+	16.83 грн
1000+	15.16 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DMN2015UFDE-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K

на замовлення 2385 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	49.23 грн
11+	33.94 грн
100+	19.63 грн
500+	16.08 грн
1000+	14.49 грн
3000+	11.25 грн
6000+	11.02 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DMN2015UFDE-7

Description: MOSFET N-CH 20V 10.5A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 8.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1779 pF @ 10 V

на замовлення 138000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	13.14 грн
6000+	11.72 грн
9000+	11.23 грн
15000+	10.42 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2015UFDE-7

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	18.80 грн
500+	14.39 грн
1000+	11.90 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMN2015UFDF-13

Description: MOSFET N-CH 20V 15.2A 6UDFN

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2015UFDF-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2015UFDF-7

Description: DIODES INC. - DMN2015UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 11.6 A, 6800 µohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 2960 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	46.15 грн
28+	30.57 грн
100+	20.58 грн
500+	13.37 грн
1000+	11.11 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

DMN2015UFDF-7

на замовлення 2960 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	20.58 грн
500+	13.37 грн
1000+	11.11 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMN2015UFDF-7

Description: MOSFET N-CH 20V 15.2A 6UDFN

на замовлення 51000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN2015UFDF-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 9.3A; Idm: 70A; 0.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.5W
Case: U-DFN2020-6
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Gate-source voltage: ±12V
Drain current: 9.3A
Gate charge: 42.3nC
On-state resistance: 50mΩ
Pulsed drain current: 70A
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2015UFDF-7

Trans MOSFET N-CH 20V 11.6A 6-Pin UDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2015UFDF-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V

на замовлення 2605 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	47.73 грн
12+	31.17 грн
100+	18.27 грн
500+	13.89 грн
1000+	12.46 грн
3000+	9.13 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DMN2016LFG-7

Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8UDFN

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2016LFG-7

Trans MOSFET N-CH 20V 5.2A 8-Pin DFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2016LFG-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.1A; Idm: 30A; 770mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.77W
Case: U-DFN3030-8
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Gate-source voltage: ±8V
Drain current: 4.1A
Gate charge: 16nC
On-state resistance: 30mΩ
Pulsed drain current: 30A
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2016LFG-7

Trans MOSFET N-CH 20V 5.2A 8-Pin DFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2016LFG-7

MOSFET MOSFET N-CHANNEL DFN DFN3030-8 GREEN 3K

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	52.40 грн
10+	44.10 грн
100+	27.48 грн
500+	21.44 грн
1000+	17.44 грн
3000+	14.95 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

DMN2016LFG-7

Trans MOSFET N-CH 20V 5.2A 8-Pin DFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2016LFG-7

Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8UDFN

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2016LHAB-7

Trans MOSFET N-CH 20V 7.5A 6-Pin UDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2016LHAB-7

MOSFET DUAL N-CH MOSFET 20V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN2016LHAB-7

Description: MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type B)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	13.70 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2016LHAB-7

Description: MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type B)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	52.26 грн
10+	33.73 грн
100+	23.13 грн
500+	17.14 грн
1000+	15.63 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

DMN2016UFX-7

Description: MOSFET 2N-CH 24V 9.9A 4VDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.07W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 24V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 6.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN2050-4

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2016UFX-7

MOSFETs MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2016UFX-7

Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2016UTS-13

Trans MOSFET N-CH 20V 8.58A 8-Pin TSSOP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2016UTS-13

Description: MOSFET 2N-CH 20V 8.58A 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 880mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.58A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1495pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 9.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP

на замовлення 115000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	13.12 грн
5000+	12.49 грн
7500+	12.20 грн
12500+	11.07 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DMN2016UTS-13

Description: DIODES INC. - DMN2016UTS-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 8.58 A, 8.58 A, 0.011 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.58A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.011ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 880mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.011ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 880mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 412 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	50.22 грн
24+	35.91 грн
100+	22.53 грн

Мінімальне замовлення: 17

В кошику од. на суму грн.

DMN2016UTS-13

MOSFETs N-Ch Dual MOSFET 20V VDSS 8V VGSS

на замовлення 4985 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	65.17 грн
10+	41.32 грн
100+	15.10 грн
500+	13.66 грн
1000+	12.76 грн
2500+	11.47 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DMN2016UTS-13

Trans MOSFET N-CH 20V 8.58A 8-Pin TSSOP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2016UTS-13

Trans MOSFET N-CH 20V 8.58A 8-Pin TSSOP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2016UTS-13

на замовлення 412 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	22.53 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMN2016UTS-13

Description: MOSFET 2N-CH 20V 8.58A 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 880mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.58A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1495pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 9.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP

на замовлення 117727 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	59.61 грн
10+	37.04 грн
100+	22.06 грн
500+	16.55 грн
1000+	14.99 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DMN2019UTS-13

Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 780mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Part Status: Active

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	10.73 грн
5000+	9.53 грн
7500+	9.11 грн
12500+	8.05 грн
17500+	7.76 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DMN2019UTS-13

Description: DIODES INC. - DMN2019UTS-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 5.4 A, 5.4 A, 0.0155 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0155ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 780mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0155ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 780mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 2075 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	17.70 грн
500+	12.90 грн
1000+	8.93 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMN2019UTS-13

на замовлення 2075 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	38.02 грн
33+	26.08 грн
100+	17.70 грн
500+	12.90 грн
1000+	8.93 грн

Мінімальне замовлення: 23

В кошику од. на суму грн.

DMN2019UTS-13

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V 24V TSSOP-8 T&R 2.5

на замовлення 2357 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	32.76 грн
13+	27.61 грн
100+	17.97 грн
500+	14.12 грн
1000+	10.95 грн
2500+	9.29 грн
10000+	9.06 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

DMN2019UTS-13

Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 780mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Part Status: Active

на замовлення 21429 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	47.36 грн
12+	28.31 грн
100+	18.17 грн
500+	12.93 грн
1000+	11.32 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

DMN2020LSN-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.5A; Idm: 30A; 0.61W; SC59; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.5A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 0.61W
Case: SC59
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD

на замовлення 1316 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

14+	31.33 грн
20+	20.13 грн
50+	13.76 грн
100+	11.80 грн
130+	7.16 грн
358+	6.76 грн

Мінімальне замовлення: 14

В кошику од. на суму грн.

DMN2020LSN-7

Description: DIODES INC. - DMN2020LSN-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.9 A, 0.013 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 610mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 2559 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	43.19 грн
27+	31.76 грн
100+	19.99 грн
500+	14.47 грн
1000+	9.65 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

DMN2020LSN-7

Description: MOSFET N-CH 20V 6.9A SC59-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-59-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1149 pF @ 10 V

на замовлення 90000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.27 грн
6000+	8.56 грн
9000+	7.70 грн
30000+	7.12 грн
75000+	6.69 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2020LSN-7

Trans MOSFET N-CH 20V 6.9A 3-Pin SC-59 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2020LSN-7

Trans MOSFET N-CH 20V 6.9A 3-Pin SC-59 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2020LSN-7

MOSFETs MOSFET,N-CHANNEL

на замовлення 10811 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	36.37 грн
18+	20.14 грн
100+	11.40 грн
500+	9.51 грн
1000+	8.45 грн
3000+	7.32 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DMN2020LSN-7

Description: MOSFET N-CH 20V 6.9A SC59-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-59-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1149 pF @ 10 V

на замовлення 90541 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	34.30 грн
13+	25.64 грн
100+	15.40 грн
500+	13.39 грн
1000+	9.10 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DMN2020LSN-7

на замовлення 1316 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

9+	37.60 грн
12+	25.09 грн
50+	16.51 грн
100+	14.15 грн
130+	8.59 грн
358+	8.12 грн
6000+	7.83 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

DMN2020LSN-7

Trans MOSFET N-CH 20V 6.9A 3-Pin SC-59 T/R

на замовлення 2318 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

490+	25.29 грн
786+	15.75 грн
819+	15.12 грн
854+	13.98 грн
1473+	7.51 грн

Мінімальне замовлення: 490

В кошику од. на суму грн.

DMN2020LSN-7

на замовлення 2559 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	19.99 грн
500+	14.47 грн
1000+	9.65 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMN2020LSN-7

Trans MOSFET N-CH 20V 6.9A 3-Pin SC-59 T/R

на замовлення 2318 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	38.41 грн
24+	30.27 грн
27+	27.10 грн
100+	16.27 грн
250+	14.46 грн
500+	13.31 грн
1000+	7.72 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

DMN2020UFCL-7

Trans MOSFET N-CH 20V 9A 6-Pin X1-DFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2020UFCL-7

MOSFETs 20V N-Ch Enh FET 0.61W 1788pF 21.5nC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2020UFCL-7

Description: MOSFET N-CH 20V 9A X1-DFN1616-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1616-6 (Type E)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1788 pF @ 10 V

на замовлення 1148299 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	44.91 грн
12+	28.15 грн
100+	19.18 грн
500+	13.65 грн
1000+	12.24 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DMN2020UFCL-7

Trans MOSFET N-CH 20V 9A 6-Pin X1-DFN EP T/R

на замовлення 45000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.36 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2020UFCL-7

Trans MOSFET N-CH 20V 9A 6-Pin X1-DFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2020UFCL-7

Description: MOSFET N-CH 20V 9A X1-DFN1616-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1616-6 (Type E)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1788 pF @ 10 V

на замовлення 1146000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.83 грн
6000+	10.09 грн
9000+	9.18 грн
15000+	8.58 грн
21000+	8.28 грн
30000+	8.14 грн
75000+	7.85 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2020UFCL-7

Trans MOSFET N-CH 20V 9A 6-Pin X1-DFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2022UCA4-7

MOSFET BVDSS: 8V24V X4-DSN1717-4 T&R 3K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2022UCA4-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V X4-DSN1717-4 T&R 3K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2022UCA4-7

Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V X4-DSN1717-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel, Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 24V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1438pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5nC @ 4V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 1mA
Supplier Device Package: X4-DSN1717-4

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	16.52 грн
6000+	14.81 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2022UDH-13

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2022UDH-13

Trans MOSFET N-CH 20V 10A 8-Pin VQFN T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2022UDH-7

Trans MOSFET N-CH 20V 10A 8-Pin VQFN T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2022UDH-7

Description: MOSFET BVDSS: 8V 24V V-DFN3030-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2022UDH-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2022UFDF-13

Description: MOSFET N-CH 20V 7.9A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 907 pF @ 10 V

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	9.27 грн
30000+	8.72 грн
50000+	8.50 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMN2022UFDF-13

MOSFETs 20V N-Ch Enh Mode 8Vgss 7.9A .66W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2022UFDF-13

Trans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin UDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2022UFDF-13

Trans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin UDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2022UFDF-13

Trans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin UDFN EP T/R

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	9.78 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMN2022UFDF-7

MOSFETs 20V N-Ch Enh Mode 8Vgss 7.9A .66W

на замовлення 4586 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	37.08 грн
13+	27.69 грн
100+	15.48 грн
500+	11.70 грн
1000+	10.34 грн
3000+	8.91 грн
6000+	7.78 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DMN2022UFDF-7

Trans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin UDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2022UFDF-7

Trans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin UDFN EP T/R

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.13 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2022UFDF-7

Description: DIODES INC. - DMN2022UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7.9 A, 0.015 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.03W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 2900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	34.30 грн
34+	25.24 грн
100+	16.17 грн
500+	11.40 грн
1000+	9.00 грн

Мінімальне замовлення: 25

В кошику од. на суму грн.

DMN2022UFDF-7

Description: MOSFET N-CH 20V 7.9A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 907 pF @ 10 V

на замовлення 46979 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	34.30 грн
13+	25.56 грн
100+	15.29 грн
500+	13.28 грн
1000+	9.03 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DMN2022UFDF-7

Trans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin UDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2022UFDF-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.2A; 0.42W; U-DFN2020-6; ESD
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.2A
On-state resistance: 50mΩ
Power dissipation: 0.42W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: U-DFN2020-6
Polarisation: unipolar

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2022UFDF-7

на замовлення 45000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.50 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2022UFDF-7

Trans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin UDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2022UFDF-7

на замовлення 2900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	16.17 грн
500+	11.40 грн
1000+	9.00 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMN2022UNS-13

MOSFET Dual N-Ch Enh FET 20V 10Vgss 1.2W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2022UNS-13

Description: MOSFET 2N-CH 20V 10.7A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.3nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXB)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2022UNS-7

Description: MOSFET 2N-CH 20V 10.7A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.3nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXB)

на замовлення 84000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	45.73 грн
10+	38.06 грн
100+	26.35 грн
500+	20.66 грн
1000+	17.59 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DMN2022UNS-7

MOSFETs Dual N-Ch Enh FET 20V 10Vgss 1.2W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2022UNS-7

на замовлення 84000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	17.33 грн
6000+	15.81 грн
10000+	14.64 грн
50000+	13.60 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

DMN2022UNS-7

Trans MOSFET N-CH 20V 10.7A 8-Pin PowerDI EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2022UNS-7

Trans MOSFET N-CH 20V 10.7A 8-Pin PowerDI EP T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	16.25 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

DMN2023LSD

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2023UCB4-7

Trans MOSFET N-CH 6A 4-Pin X1-WLB T/R

на замовлення 57000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	21.69 грн
15000+	19.82 грн
30000+	18.44 грн
45000+	16.77 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2023UCB4-7

Description: MOSFET 2N-CH 24V 6A X1-WLB1818-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.45W
Drain to Source Voltage (Vdss): 24V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3333pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: X1-WLB1818-4
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	18.25 грн
6000+	16.13 грн
9000+	15.50 грн
15000+	14.30 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2023UCB4-7

Trans MOSFET N-CH 6A 4-Pin X1-WLB T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2023UCB4-7

MOSFETs N-Ch 24Vds 12Vgs 6.0A Enh FET 2564pF

на замовлення 5990 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	71.95 грн
10+	47.31 грн
100+	27.63 грн
500+	21.51 грн
1000+	19.48 грн
3000+	16.83 грн
6000+	16.76 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

DMN2023UCB4-7

Trans MOSFET N-CH 6A 4-Pin X1-WLB T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2023UCB4-7

Description: MOSFET 2N-CH 24V 6A X1-WLB1818-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.45W
Drain to Source Voltage (Vdss): 24V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3333pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: X1-WLB1818-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 21413 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	66.96 грн
10+	42.70 грн
100+	28.55 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

DMN2023UCB4-7

Trans MOSFET N-CH 6A 4-Pin X1-WLB T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	20.70 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2023UCB4-7

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	66.96 грн
10+	42.70 грн
100+	28.55 грн
500+	21.06 грн
1000+	19.05 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

DMN2023UCB4-7

Trans MOSFET N-CH 6A 4-Pin X1-WLB T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	21.69 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2024LCA4-7

Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V X4-DSN1313-
Packaging: Tape & Reel (TR)

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.84 грн
6000+	9.76 грн
15000+	9.09 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2024LCA4-7

MOSFET BVDSS: 8V24V X4-DSN1313-4 T&R 3K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2024LCA4-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V X4-DSN1313-4 T&R 3K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2024U

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2024U-13

Description: MOSFET N-CH 20V 6.8A SOT23 T&R 1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647 pF @ 10 V

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	6.81 грн
30000+	6.47 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMN2024U-13

Trans MOSFET N-CH 20V 6.8A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2024U-13

MOSFETs MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2024U-13

Description: MOSFET N-CH 20V 6.8A SOT23 T&R 1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647 pF @ 10 V

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	35.93 грн
13+	24.30 грн
100+	12.27 грн
500+	10.20 грн
1000+	7.94 грн
2000+	7.10 грн
5000+	6.83 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DMN2024U-13

Trans MOSFET N-CH 20V 6.8A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	6.02 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMN2024U-7

Trans MOSFET N-CH 20V 6.8A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.35 грн
9000+	7.39 грн
24000+	6.88 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2024U-7

Description: MOSFET N-CH 20V 6.8A SOT23 T&R 3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647 pF @ 10 V

на замовлення 408000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.88 грн
6000+	7.42 грн
9000+	6.57 грн
30000+	6.09 грн
75000+	5.17 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2024U-7

Trans MOSFET N-CH 20V 6.8A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	4.92 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2024U-7

Trans MOSFET N-CH 20V 6.8A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2024U-7

Trans MOSFET N-CH 20V 6.8A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.12 грн
9000+	6.30 грн
24000+	5.87 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2024U-7

MOSFETs MOSFET

на замовлення 7868 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	38.49 грн
15+	23.61 грн
100+	9.74 грн
1000+	8.53 грн
3000+	7.55 грн
9000+	5.89 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DMN2024U-7

Description: MOSFET N-CH 20V 6.8A SOT23 T&R 3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647 pF @ 10 V

на замовлення 408161 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	35.93 грн
13+	24.38 грн
100+	12.30 грн
500+	10.22 грн
1000+	7.96 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DMN2024U-7

Trans MOSFET N-CH 20V 6.8A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 432000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.02 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2024U-7-ML

MOSLEADER

Description: N 20V 6.8A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)

на замовлення 300000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	3.73 грн
3000+	3.27 грн
6000+	3.16 грн
15000+	2.87 грн
30000+	2.77 грн
75000+	2.51 грн
150000+	2.32 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

DMN2024UDH-7

Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 950mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 6.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN3030-8
Part Status: Active

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	14.62 грн
6000+	13.36 грн
9000+	12.41 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2024UDH-7

DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2024UDH-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2024UDH-7

DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	13.60 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2024UFDF-13

Description: MOSFET N-CH 20V 7.1A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2024UFDF-13

20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2024UFDF-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2024UFDF-7

Description: DIODES INC. - DMN2024UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7.1 A, 0.015 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.67W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 324 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	11.52 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMN2024UFDF-7

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN2024UFDF-7

20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2024UFDF-7

на замовлення 324 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

27+	32.35 грн
39+	21.76 грн
100+	11.52 грн

Мінімальне замовлення: 27

В кошику од. на суму грн.

DMN2024UFDF-7

20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2024UFDF-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V

на замовлення 156 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	37.08 грн
14+	25.70 грн
100+	11.40 грн
500+	11.02 грн
1000+	9.59 грн
3000+	8.00 грн
6000+	7.02 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DMN2024UFDF-7

Description: MOSFET N-CH 20V 7.1A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647 pF @ 10 V

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN2024UFDF-7

20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

на замовлення 33000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.35 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2024UFU-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V 24V U-DFN2030-6 T&R 10K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2024UFU-13

Description: MOSFET 2N-CH 20V 7.5A/21A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 810mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), 21A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.2mOhm @ 6.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type B)
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2024UFU-7

Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2024UFU-7

Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	12.20 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2024UFU-7

Description: DIODES INC. - DMN2024UFU-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 21 A, 21 A, 0.0112 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 21A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0112ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 810mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: U-DFN2030
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0112ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 810mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 2970 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	74.95 грн
17+	50.98 грн
100+	48.69 грн
500+	41.60 грн
1000+	37.60 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

DMN2024UFU-7

на замовлення 2970 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	48.69 грн
500+	41.60 грн
1000+	37.60 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMN2024UFU-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2030-6 T&R 3K

на замовлення 5969 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	78.03 грн
10+	53.91 грн
100+	42.88 грн
500+	42.80 грн
1000+	42.12 грн
3000+	14.04 грн
6000+	10.95 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

DMN2024UFU-7

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	13.65 грн
6000+	12.06 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2024UFX-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V V-DFN2050-4 T&R 3K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2024UFX-7

Description: DIODES INC. - DMN2024UFX-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 8 A, 8 A, 0.011 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.011ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 920mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: V-DFN2050
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.011ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 920mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 2980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	26.68 грн
500+	22.65 грн
1000+	19.53 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMN2024UFX-7

Description: MOSFET 2N-CH 20V 8A 4VDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 920mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN2050-4

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	13.55 грн
6000+	12.09 грн
9000+	11.60 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2024UFX-7

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	13.06 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2024UFX-7

на замовлення 2980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	44.80 грн
31+	27.52 грн
100+	26.68 грн
500+	22.65 грн
1000+	19.53 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

DMN2024UQ-13

Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2024UQ-13

MOSFET BVDSS: 8V24V SOT23 T&R 10K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2024UQ-13

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 10K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2024UQ-7

MOSFET BVDSS: 8V24V SOT23 T&R 3K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2024UQ-7

N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101

на замовлення 384000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.64 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2024UQ-7

Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 313460 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	43.28 грн
13+	25.79 грн
100+	12.47 грн
500+	11.66 грн
1000+	10.43 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DMN2024UQ-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3K

на замовлення 5990 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	35.23 грн
13+	27.17 грн
100+	13.21 грн
1000+	8.98 грн
3000+	7.85 грн
9000+	7.10 грн
24000+	6.95 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DMN2024UQ-7

Description: DIODES INC. - DMN2024UQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.8 A, 0.016 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 5865 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	19.05 грн
500+	13.76 грн
1000+	10.16 грн
3000+	8.49 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMN2024UQ-7

Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 312000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.97 грн
6000+	7.84 грн
9000+	7.04 грн
15000+	6.52 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2024UQ-7

на замовлення 5865 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	41.16 грн
28+	30.32 грн
100+	19.05 грн
500+	13.76 грн
1000+	10.16 грн
3000+	8.49 грн

Мінімальне замовлення: 21

В кошику од. на суму грн.

DMN2024UTS-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V

на замовлення 2283 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	49.23 грн
11+	33.86 грн
100+	19.85 грн
500+	15.63 грн
1000+	14.12 грн
2500+	10.72 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DMN2024UTS-13

Description: MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 890mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta), 15.2A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP

на замовлення 89867 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	49.81 грн
10+	31.61 грн
100+	20.74 грн
500+	15.62 грн
1000+	14.06 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

DMN2024UTS-13

High Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	11.85 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DMN2024UTS-13

Description: MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 890mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta), 15.2A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP

на замовлення 87500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	10.91 грн
5000+	10.30 грн
7500+	10.16 грн
12500+	9.32 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DMN2024UVT-13

Description: MOSFET 2N-CH 20V 7A TSOT23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-23-6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2024UVT-13

High Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2024UVT-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2024UVT-13

High Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2024UVT-7

High Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2024UVT-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2024UVT-7

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2024UVTQ-13

Description: MOSFET 2N-CH 20V 7A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2024UVTQ-13

N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2024UVTQ-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V TSOT26 T&R 10K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2024UVTQ-7

Description: DIODES INC. - DMN2024UVTQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 7 A, 7 A, 0.019 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 2905 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	43.61 грн
30+	29.05 грн
100+	25.49 грн
500+	18.79 грн
1000+	14.59 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

DMN2024UVTQ-7

N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.69 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2024UVTQ-7

MOSFET BVDSS: 8V24V TSOT26 T&R 3K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2024UVTQ-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V TSOT26 T&R 3K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2024UVTQ-7

на замовлення 2905 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	25.49 грн
500+	18.79 грн
1000+	14.59 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMN2024UVTQ-7

N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2024UVTQ-7

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.41 грн
6000+	9.52 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2025U

Description: DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2025U-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2025U-13

Description: MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 1
Packaging: Tape & Reel (TR)

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	4.15 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMN2025U-13

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	3.56 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMN2025U-7

Description: MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 10 V

на замовлення 19245 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	24.50 грн
23+	14.23 грн
100+	6.12 грн
500+	5.74 грн

Мінімальне замовлення: 14

В кошику од. на суму грн.

DMN2025U-7

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2025U-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V

на замовлення 8002 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	31.09 грн
16+	22.48 грн
100+	11.10 грн
1000+	5.66 грн
3000+	4.53 грн
9000+	3.85 грн
24000+	3.62 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

DMN2025U-7

Description: MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 10 V

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.16 грн
6000+	4.28 грн
9000+	3.59 грн
15000+	3.23 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2025U-7

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3481+	3.56 грн

Мінімальне замовлення: 3481

В кошику од. на суму грн.

DMN2025UFDB-13

Dual 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2025UFDB-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V 24V U-DFN2020-6 T&R 10K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2025UFDB-13

Description: MOSFET 2N-CH 20V 6A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 486pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2025UFDB-7

Description: DIODES INC. - DMN2025UFDB-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 6 A, 6 A, 0.0185 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0185ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0185ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 1550 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	53.35 грн
35+	24.81 грн
100+	22.44 грн
500+	20.76 грн
1000+	19.09 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

DMN2025UFDB-7

Dual 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2025UFDB-7

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.32 грн
6000+	9.53 грн
9000+	8.57 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2025UFDB-7

Dual 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.04 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2025UFDB-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V 24V U-DFN2020-6 T&R 3K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2025UFDB-7

на замовлення 1550 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	22.44 грн
500+	20.76 грн
1000+	19.09 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMN2025UFDB-7

Dual 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2025UFDF-13

Description: MOSFET N-CH 20V 6.5A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 486 pF @ 10 V

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	6.98 грн
30000+	6.63 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMN2025UFDF-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V 24V U-DFN2020-6 T&R 10K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2025UFDF-13

Trans MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-Pin UDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2025UFDF-13

Trans MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-Pin UDFN EP T/R

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	7.10 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMN2025UFDF-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V 24V U-DFN2020-6 T&R 3K

на замовлення 5956 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	35.58 грн
14+	24.92 грн
100+	11.25 грн
500+	10.49 грн
1000+	9.44 грн
3000+	7.55 грн
6000+	6.49 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DMN2025UFDF-7

Trans MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-Pin UDFN EP T/R

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.10 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2025UFDF-7

Description: MOSFET N-CH 20V 6.5A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 486 pF @ 10 V

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN2025UFDF-7

Trans MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-Pin UDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2025UFDF-7

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN2025UFDF-7

Trans MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-Pin UDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2026UVT-13

N-Channel Enhancement Mode Mosfet

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2026UVT-13

MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 20Vdss 10Vgss 20A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2026UVT-13

Description: MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.15W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-23-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.4 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 887 pF @ 10 V

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	8.43 грн
30000+	8.00 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMN2026UVT-7

Description: MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.15W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.4 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 887 pF @ 10 V

на замовлення 33000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	35.11 грн
12+	26.42 грн
100+	15.81 грн
500+	13.74 грн
1000+	9.35 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DMN2026UVT-7

MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 20Vdss 10Vgss 20A

на замовлення 2889 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	40.87 грн
13+	28.04 грн
100+	10.87 грн
500+	10.64 грн
1000+	10.57 грн
3000+	7.55 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

DMN2026UVT-7

N-Channel Enhancement Mode Mosfet

на замовлення 33000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.34 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2026UVT-7

Description: MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.15W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.4 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 887 pF @ 10 V

на замовлення 33000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.52 грн
6000+	8.79 грн
9000+	7.91 грн
30000+	7.31 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2026UVT-7

N-Channel Enhancement Mode Mosfet

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2026UVT-7

N-Channel Enhancement Mode Mosfet

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2027LK3-13

Trans MOSFET N-CH 20V 11.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2027LK3-13

Description: MOSFET N-CH 20V 11.6A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.14W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 857 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2027UPS-13

N Channel MOSFET

на замовлення 17500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	17.33 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DMN2027UPS-13

Description: MOSFET N-CH 20V 10A PWRDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 9.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1091 pF @ 10 V

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	17.21 грн
5000+	15.70 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DMN2027UPS-13

N Channel MOSFET

на замовлення 35000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	19.04 грн
5000+	18.23 грн
10000+	17.34 грн
12500+	16.23 грн
25000+	14.53 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DMN2027UPS-13

N Channel MOSFET

на замовлення 35000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	18.35 грн
7500+	16.78 грн
15000+	15.60 грн
22500+	14.20 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DMN2027UPS-13

N Channel MOSFET

на замовлення 35000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	20.40 грн
5000+	19.53 грн
10000+	18.58 грн
12500+	17.39 грн
25000+	15.57 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DMN2027UPS-13

MOSFETs 8V to 24V FET Access Point Min RDSon

на замовлення 2453 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	71.95 грн
10+	46.10 грн
100+	26.65 грн
500+	21.14 грн
1000+	19.17 грн
2500+	15.02 грн
5000+	14.64 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

DMN2027UPS-13

Description: MOSFET N-CH 20V 10A PWRDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 9.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1091 pF @ 10 V

на замовлення 12450 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	45.73 грн
10+	37.82 грн
100+	26.16 грн
500+	20.52 грн
1000+	17.46 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DMN2027UPS-13

N Channel MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2027USS

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2027USS-13

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2027USS-13

Trans MOSFET N-CH 20V 10.5A 8-Pin SO T/R

на замовлення 1360 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

45+	16.01 грн
1000+	15.66 грн

Мінімальне замовлення: 45

В кошику од. на суму грн.

DMN2027USS-13

Trans MOSFET N-CH 20V 10.5A 8-Pin SO T/R

на замовлення 29090 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1077+	11.50 грн

Мінімальне замовлення: 1077

В кошику од. на суму грн.

DMN2027USS-13

Trans MOSFET N-CH 20V 10.5A 8-Pin SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2027USS-13

Trans MOSFET N-CH 20V 10.5A 8-Pin SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2027USS-13

Trans MOSFET N-CH 20V 10.5A 8-Pin SO T/R

на замовлення 29090 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

709+	12.32 грн

Мінімальне замовлення: 709

В кошику од. на суму грн.

DMN2028UFDF-13

20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2028UFDF-13

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 7.5A; Idm: 40A; 1.31W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 7.5A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 1.31W
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2028UFDF-13

Trans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin UDFN EP T/R

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	9.70 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMN2028UFDF-13

Description: MOSFET N-CH 20V 7.9A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 907 pF @ 10 V

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	8.33 грн
20000+	7.42 грн
30000+	7.12 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMN2028UFDF-13

MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 20Vdss 8Vgss 40A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2028UFDF-7

Description: MOSFET N-CH 20V 7.9A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 907 pF @ 10 V

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.87 грн
6000+	8.20 грн
9000+	7.18 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2028UFDF-7

Description: DIODES INC. - DMN2028UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7.9 A, 0.015 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 660mW
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 2980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	38.19 грн
36+	23.63 грн
100+	12.19 грн
500+	10.77 грн
1000+	9.07 грн

Мінімальне замовлення: 23

В кошику од. на суму грн.

DMN2028UFDF-7

MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 20Vdss 8Vgss 40A

на замовлення 3591 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	44.65 грн
13+	28.04 грн
100+	12.30 грн
500+	12.08 грн
1000+	10.95 грн
3000+	8.15 грн
6000+	7.78 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DMN2028UFDF-7

на замовлення 2980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	12.19 грн
500+	10.77 грн
1000+	9.07 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMN2028UFDF-7

Description: MOSFET N-CH 20V 7.9A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 907 pF @ 10 V

на замовлення 14253 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	41.65 грн
13+	25.71 грн
100+	12.92 грн
500+	11.85 грн
1000+	10.62 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DMN2028UFDF-7

20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2028UFDF-7

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2028UFDF-7

Trans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin UDFN EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	46.65 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2028UFDH-7

Trans MOSFET N-CH 20V 6.8A 8-Pin PowerDI T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2028UFDH-7

Description: MOSFET 2N-CH 20V 6.8A POWERDI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 151pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3030-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.46 грн
6000+	9.21 грн
9000+	8.77 грн
15000+	7.97 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2028UFDH-7

Trans MOSFET N-CH 20V 6.8A 8-Pin PowerDI T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2028UFDH-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 7A; Idm: 40A; 1.5W; V-DFN3030-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 1.5W
Case: V-DFN3030-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.5nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2028UFDH-7

Trans MOSFET N-CH 20V 6.8A 8-Pin PowerDI T/R

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.48 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2028UFDH-7

MOSFETs DUAL N-CH MOSFET 20V

на замовлення 1990 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	52.23 грн
11+	31.77 грн
100+	17.66 грн
500+	13.44 грн
1000+	12.08 грн
3000+	9.74 грн
6000+	8.91 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

DMN2028UFDH-7

Description: MOSFET 2N-CH 20V 6.8A POWERDI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 151pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3030-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	47.36 грн
12+	27.92 грн
100+	17.87 грн
500+	12.71 грн
1000+	11.40 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

DMN2028UFU-13

MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 20Vdss 10Vgss 40A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2028UFU-13

Description: MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 887pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.2mOhm @ 4.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.4nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type B)
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2028UFU-7

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 7.9A; Idm: 40A; 1.8W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 7.9A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 1.8W
Case: U-DFN2030-6
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18.4nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2028UFU-7

Description: DIODES INC. - DMN2028UFU-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 7.5 A, 7.5 A, 0.0153 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0153ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: U-DFN2030
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0153ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	47.42 грн
27+	32.26 грн
100+	22.19 грн
500+	16.12 грн
1000+	13.36 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

DMN2028UFU-7

Description: MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 887pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.2mOhm @ 4.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.4nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type B)
Part Status: Active

на замовлення 44985 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	40.83 грн
12+	26.89 грн
100+	18.46 грн
500+	13.56 грн
1000+	12.18 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DMN2028UFU-7

DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.30 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2028UFU-7

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	22.19 грн
500+	16.12 грн
1000+	13.36 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMN2028UFU-7

DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2028UFU-7

MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 20Vdss 10Vgss 40A

на замовлення 2698 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	44.65 грн
12+	29.95 грн
100+	17.89 грн
500+	14.04 грн
1000+	12.61 грн
3000+	9.29 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DMN2028UFU-7

на замовлення 42000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.94 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2028USS-13

Description: MOSFET N-CH 20V 7.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V

на замовлення 22500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	13.63 грн
5000+	13.06 грн
7500+	12.50 грн
12500+	11.10 грн
17500+	10.85 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DMN2028USS-13

MOSFET N-CH 20V 7.3A SOIC-8

на замовлення 1400 шт:

термін постачання 5 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN2028USS-13

Trans MOSFET N-CH 20V 7.3A 8-Pin SO T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	16.07 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DMN2028USS-13

Trans MOSFET N-CH 20V 7.3A 8-Pin SO T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	12.42 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DMN2028USS-13

Description: DIODES INC. - DMN2028USS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 9.8 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.56W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	26.25 грн
500+	20.76 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMN2028USS-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SO-8 T&R 2.5K

на замовлення 4048 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	29.50 грн
18+	19.79 грн
100+	16.46 грн
500+	14.49 грн
1000+	13.59 грн
2500+	12.46 грн
5000+	12.38 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

DMN2028USS-13

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 7.3A; 12.5W; SO8; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 7.3A
Power dissipation: 12.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD

на замовлення 2471 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	39.80 грн
14+	29.57 грн
50+	23.83 грн
60+	15.57 грн
164+	14.70 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

DMN2028USS-13

Description: MOSFET N-CH 20V 7.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V

на замовлення 23375 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	27.76 грн
18+	18.09 грн
100+	17.30 грн
500+	15.10 грн
1000+	14.02 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

DMN2028USS-13

на замовлення 2471 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

7+	47.76 грн
10+	36.84 грн
50+	28.59 грн
60+	18.68 грн
164+	17.65 грн
2500+	16.99 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

DMN2028USS-13

на замовлення 980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	40.56 грн
50+	26.84 грн
100+	26.25 грн
500+	20.76 грн

Мінімальне замовлення: 21

В кошику од. на суму грн.

DMN2028UVT-13

MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 20Vdss 8Vgss 40A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2028UVT-13

Description: MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-23-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 856 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2028UVT-7

Trans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin TSOT-26 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2028UVT-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.2A; Idm: 40A; 1.6W; TSOT26
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.2A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 1.6W
Case: TSOT26
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2028UVT-7

Description: MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-23-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 856 pF @ 10 V

на замовлення 3057 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	33.48 грн
14+	22.88 грн
100+	13.67 грн
500+	10.32 грн
1000+	9.23 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DMN2028UVT-7

MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 20Vdss 8Vgss 40A

на замовлення 5078 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	35.58 грн
14+	25.35 грн
100+	12.98 грн
500+	10.72 грн
1000+	9.51 грн
3000+	7.70 грн
6000+	6.57 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DMN2028UVT-7

Trans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin TSOT-26 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.36 грн
6000+	9.08 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2028UVT-7

Description: MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-23-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 856 pF @ 10 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.42 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2029USD-13

Trans MOSFET N-CH 20V 5.8A 8-Pin SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2029USD-13

Description: DIODES INC. - DMN2029USD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 5.8 A, 5.8 A, 0.014 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

24+	35.40 грн
29+	29.89 грн
100+	18.55 грн
500+	13.45 грн
1000+	8.93 грн

Мінімальне замовлення: 24

В кошику од. на суму грн.

DMN2029USD-13

Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1171pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO

на замовлення 110032 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	46.55 грн
12+	27.99 грн
100+	17.97 грн
500+	12.79 грн
1000+	11.48 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DMN2029USD-13

MOSFETs 20V Dual N-Ch ENH 20V 25mOhm 4.5V 5.8A

на замовлення 5091 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	31.97 грн
13+	27.17 грн
100+	16.53 грн
500+	12.83 грн
1000+	10.49 грн
2500+	9.29 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

DMN2029USD-13

Diodes INC.

N-канальний ПТ; Udss, В = 20; Id = 5,8 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 1171 @ 10; Qg, нКл = 18,6 @ 8 В; Rds = 25 мОм @ 6,5 A, 4,5 В; Ugs(th) = 1,5 В @ 250 мкА; Р, Вт = 1,2; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOICN-8

на замовлення 8 шт:

термін постачання 3 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN2029USD-13

Trans MOSFET N-CH 20V 5.8A 8-Pin SO T/R

на замовлення 70000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	9.48 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DMN2029USD-13

Trans MOSFET N-CH 20V 5.8A 8-Pin SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2029USD-13

Trans MOSFET N-CH 20V 5.8A 8-Pin SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2029USD-13