Продукція > DMN

BGA

на замовлення 3325 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN-8100 C0

02+

на замовлення 135 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN-8100 C0

02+

на замовлення 135 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN-8100CO

BGA

на замовлення 3325 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN-8100CO

BGA

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN-8600

N/A

на замовлення 37 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN-8600

04+ QFP

на замовлення 250 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN-8600 BO

BGA

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN-8600 BO

BGA

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN-8600 D0

BGA

на замовлення 767 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN-8600DU

03+

на замовлення 22 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN-8602

06+ PBGA308;

на замовлення 166 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN-8602

BGA 04+

на замовлення 150 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN-8602 BO

BGA

на замовлення 160 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN-8602 BO

03+

на замовлення 55 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN-8602 BO

BGA

на замовлення 325 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN-8602-BO

на замовлення 532 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN-8602B0

LSILOGIG

0614+

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN-8602BO

QFP

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN-8602BO

QFP

на замовлення 3200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN-8602BO

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN-8602BO

05+

на замовлення 2800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN-8603

на замовлення 269 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN-8603B1

на замовлення 271 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN-8623

на замовлення 738 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN-8652

на замовлення 439 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN-8652 BO

на замовлення 120 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN-8652B0

2005 BGA

на замовлення 399 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN-8652BO

BGA

на замовлення 3325 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN-8652BO

BGA

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN-8652BO

06PB

на замовлення 120 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN-8802BO

BGA

на замовлення 230 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN100

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN100

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN100-7

Description: MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN100-7-F

Trans MOSFET N-CH 30V 1.1A 3-Pin SC-59 T/R

на замовлення 2600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

292+	43.43 грн
295+	43.00 грн
381+	33.31 грн
400+	30.57 грн
512+	22.13 грн
1000+	16.69 грн

Мінімальне замовлення: 292

В кошику од. на суму грн.

DMN100-7-F

MOSFET N-Channel

на замовлення 252 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN100-7-F

Description: MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: SC-59-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN100-7-F

Trans MOSFET N-CH 30V 1.1A 3-Pin SC-59 T/R

на замовлення 2600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	54.94 грн
16+	47.41 грн
25+	46.53 грн
50+	44.42 грн
100+	31.86 грн
250+	29.12 грн
500+	22.76 грн
1000+	17.88 грн

Мінімальне замовлення: 14

В кошику од. на суму грн.

DMN100-7-F

Trans MOSFET N-CH 30V 1.1A 3-Pin SC-59 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN1001UCA10-7

Description: DIODES INC. - DMN1001UCA10-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 12 V, 20 A, 20 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: X2-TSN1820
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 2950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	34.75 грн
500+	25.10 грн
1000+	21.09 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMN1001UCA10-7

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN1001UCA10-7

Description: MOSFET 2N-CH 12V 20A X2-TSN1820
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2865pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.55mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 870µA
Supplier Device Package: X2-TSN1820-10

на замовлення 17610 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	92.65 грн
10+	56.11 грн
100+	37.02 грн
500+	27.04 грн
1000+	24.56 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

DMN1001UCA10-7

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 42000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	23.47 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN1001UCA10-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V

на замовлення 486 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	98.05 грн
10+	66.74 грн
25+	57.39 грн
100+	38.42 грн
500+	31.06 грн
1000+	27.69 грн
3000+	23.69 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

DMN1001UCA10-7

Description: DIODES INC. - DMN1001UCA10-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 12 V, 20 A, 20 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: X2-TSN1820
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 2950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	56.30 грн
20+	46.87 грн
100+	34.75 грн
500+	25.10 грн
1000+	21.09 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

DMN1001UCA10-7

Description: MOSFET 2N-CH 12V 20A X2-TSN1820
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2865pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.55mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 870µA
Supplier Device Package: X2-TSN1820-10

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	22.98 грн
6000+	20.49 грн
9000+	19.65 грн
15000+	18.43 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN1002UCA6-7

Trans MOSFET N-CH 12V 24.4A 6-Pin X4-DSN T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN1002UCA6-7

Description: MOSFET 2N-CH X4-DSN3118-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68.6nC @ 4V
Supplier Device Package: X4-DSN3118-6

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	28.83 грн
6000+	26.44 грн
9000+	25.22 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN1002UCA6-7

Trans MOSFET N-CH 12V 24.4A 6-Pin X4-DSN T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN1002UCA6-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN1002UCA6-7

Description: MOSFET 2N-CH X4-DSN3118-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68.6nC @ 4V
Supplier Device Package: X4-DSN3118-6

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN1003UCA6-7

Trans MOSFET N-CH 12V 23.6A 6-Pin X3-DSN T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN1003UCA6-7

MOSFETs MOSFETBVDSS: 8V-24V

на замовлення 2325 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	75.45 грн
10+	60.38 грн
100+	38.58 грн
500+	32.50 грн
1000+	29.46 грн
3000+	25.77 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

DMN1003UCA6-7

Description: MOSFET 2N-CH X3-DSN3518-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.67W
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3315pF @ 6V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: X3-DSN3518-6

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	26.07 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN1003UCA6-7

Trans MOSFET N-CH 12V 23.6A 6-Pin X3-DSN T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN1003UCA6-7

Description: MOSFET 2N-CH X3-DSN3518-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.67W
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3315pF @ 6V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: X3-DSN3518-6

на замовлення 8990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	68.40 грн
10+	54.20 грн
100+	39.77 грн
500+	31.35 грн
1000+	28.36 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DMN1003UFDE-13

Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2551 pF @ 6 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN1003UFDE-13

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 10K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN1003UFDE-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6 T&R 3K

на замовлення 796 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	73.12 грн
10+	44.18 грн
100+	26.33 грн
500+	20.65 грн
1000+	17.21 грн
3000+	14.09 грн
6000+	13.29 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DMN1004UFDF-13

Description: MOSFET N-CH 12V 15A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2385 pF @ 6 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN1004UFDF-13

Trans MOSFET N-CH 12V 15A 6-Pin UDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN1004UFDF-13

Trans MOSFET N-CH 12V 15A 6-Pin UDFN EP T/R

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	14.17 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMN1004UFDF-13

Trans MOSFET N-CH 12V 15A 6-Pin UDFN EP T/R

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	13.23 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMN1004UFDF-13

MOSFETs MOSFETBVDSS: 8V-24V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN1004UFDF-7

Trans MOSFET N-CH 12V 15A 6-Pin UDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN1004UFDF-7

Description: DIODES INC. - DMN1004UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 15 A, 4100 µohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 1905 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	28.28 грн
500+	20.01 грн
1000+	16.47 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMN1004UFDF-7

Description: MOSFET N-CH 12V 15A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2385 pF @ 6 V

на замовлення 23033 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	61.48 грн
10+	36.60 грн
100+	23.68 грн
500+	16.99 грн
1000+	15.30 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DMN1004UFDF-7

MOSFETs MOSFETBVDSS: 8V-24V

на замовлення 7530 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	50.61 грн
11+	34.52 грн
100+	22.65 грн
500+	17.29 грн
1000+	15.37 грн
3000+	10.81 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DMN1004UFDF-7

Description: DIODES INC. - DMN1004UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 15 A, 4100 µohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 1905 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	54.14 грн
24+	37.44 грн
100+	28.28 грн
500+	20.01 грн
1000+	16.47 грн

Мінімальне замовлення: 17

В кошику од. на суму грн.

DMN1004UFDF-7

Trans MOSFET N-CH 12V 15A 6-Pin UDFN EP T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	12.81 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN1004UFDF-7

Trans MOSFET N-CH 12V 15A 6-Pin UDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN1004UFDF-7

Description: MOSFET N-CH 12V 15A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2385 pF @ 6 V

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	14.12 грн
6000+	12.48 грн
9000+	11.91 грн
15000+	10.58 грн
21000+	10.25 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN1004UFV-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V

на замовлення 1929 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	68.26 грн
10+	42.07 грн
100+	23.69 грн
500+	18.17 грн
1000+	16.41 грн
3000+	12.97 грн
6000+	12.65 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DMN1004UFV-13

Trans MOSFET N-CH 12V 70A 8-Pin PowerDI EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN1004UFV-13

Trans MOSFET N-CH 12V 70A 8-Pin PowerDI EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN1004UFV-13

Description: MOSFET N-CH 12V 70A POWERDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2385 pF @ 6 V

на замовлення 1663 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	63.21 грн
10+	37.94 грн
100+	24.60 грн
500+	17.68 грн
1000+	15.94 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DMN1004UFV-13

Trans MOSFET N-CH 12V 70A 8-Pin PowerDI EP T/R

на замовлення 90000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	13.59 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN1004UFV-13

Description: MOSFET N-CH 12V 70A POWERDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2385 pF @ 6 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN1004UFV-7

на замовлення 36000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	15.35 грн
4000+	13.52 грн
6000+	12.88 грн
10000+	11.41 грн
14000+	11.01 грн
20000+	10.68 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

DMN1004UFV-7

Description: DIODES INC. - DMN1004UFV-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 70 A, 3800 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 900mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 900mW
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0028ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 278 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	29.54 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMN1004UFV-7

Trans MOSFET N-CH 12V 70A 8-Pin PowerDI EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN1004UFV-7

DMN1004UFV-7 SMD N channel transistors

на замовлення 666 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

5+	74.13 грн
57+	20.91 грн
157+	19.81 грн
2000+	19.74 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

DMN1004UFV-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V

на замовлення 12783 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	68.26 грн
10+	41.15 грн
100+	23.69 грн
500+	18.09 грн
1000+	16.33 грн
2000+	12.57 грн
4000+	11.53 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DMN1004UFV-7

на замовлення 37927 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	62.34 грн
10+	37.52 грн
100+	24.32 грн
500+	17.48 грн
1000+	15.76 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DMN1004UFV-7

Description: DIODES INC. - DMN1004UFV-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 70 A, 3800 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 900mW
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 278 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	73.09 грн
50+	45.61 грн
100+	29.54 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

DMN1004UFV-7

Trans MOSFET N-CH 12V 70A 8-Pin PowerDI EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN1004UFV-7

Trans MOSFET N-CH 12V 70A 8-Pin PowerDI EP T/R

на замовлення 102000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	13.59 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

DMN1005UFDF-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 10K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN1005UFDF-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN1006UCA6-7

Description: MOSFET 2N-CH X3-DSN2718-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2360pF @ 6V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: X3-DSN2718-6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN1006UCA6-7

Trans MOSFET N-CH 12V 16.6A 6-Pin X3-DSN T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN1006UCA6-7

MOSFETs MOSFETBVDSS: 8V-24V

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	85.17 грн
10+	69.22 грн
100+	41.14 грн
500+	34.34 грн
1000+	29.30 грн
3000+	21.61 грн
6000+	20.65 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

DMN1006UCA6-7

Trans MOSFET N-CH 12V 16.6A 6-Pin X3-DSN T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN1006UCA6-7

Description: MOSFET 2N-CH X3-DSN2718-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2360pF @ 6V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: X3-DSN2718-6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN1006UCA6-7-01

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN1008UFDF-13

Trans MOSFET N-CH 12V 12.2A 6-Pin UDFN EP T/R

на замовлення 1250000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	9.90 грн
20000+	8.62 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMN1008UFDF-13

Description: MOSFET N-CH 12V 12.2A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.4 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 995 pF @ 6 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 95945 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	45.89 грн
13+	27.01 грн
100+	17.27 грн
500+	12.25 грн
1000+	10.98 грн
2000+	9.90 грн
5000+	8.60 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DMN1008UFDF-13

Trans MOSFET N-CH 12V 12.2A 6-Pin UDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN1008UFDF-13

Description: MOSFET N-CH 12V 12.2A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.4 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 995 pF @ 6 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 90000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	8.61 грн
20000+	7.66 грн
30000+	7.35 грн
50000+	6.79 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMN1008UFDF-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10000+	9.62 грн
20000+	9.30 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMN1008UFDF-7

Description: MOSFET N-CH 12V 12.2A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.4 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 995 pF @ 6 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1957 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	45.89 грн
13+	27.01 грн
100+	17.27 грн
500+	12.25 грн
1000+	10.98 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DMN1008UFDF-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V

на замовлення 52532 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	43.52 грн
12+	32.95 грн
100+	18.41 грн
500+	14.09 грн
1000+	12.25 грн
3000+	10.33 грн
6000+	10.09 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

DMN1008UFDF-7

Description: DIODES INC. - DMN1008UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 12.2 A, 6600 µohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 5426 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

34+	26.49 грн
45+	20.02 грн
100+	19.13 грн
500+	12.26 грн
1000+	10.16 грн
5000+	8.39 грн

Мінімальне замовлення: 34

В кошику од. на суму грн.

DMN1008UFDF-7

Trans MOSFET N-CH 12V 12.2A 6-Pin UDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN1008UFDF-7

Description: MOSFET N-CH 12V 12.2A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.4 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 995 pF @ 6 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN1008UFDF-7

Trans MOSFET N-CH 12V 12.2A 6-Pin UDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN1008UFDF-7

на замовлення 5426 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	19.13 грн
500+	12.26 грн
1000+	10.16 грн
5000+	8.39 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMN1008UFDFQ-13

MOSFET BVDSS: 8V24V U-DFN2020-6 T&R 10K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN1008UFDFQ-13

DMN1008UFDFQ-13

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN1008UFDFQ-13

Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.4 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 995 pF @ 6 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN1008UFDFQ-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 10K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN1008UFDFQ-7

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN1008UFDFQ-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6 T&R 3K

на замовлення 2738 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	39.03 грн
12+	30.74 грн
100+	18.25 грн
500+	13.21 грн
1000+	10.33 грн
3000+	8.64 грн
6000+	8.40 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DMN1008UFDFQ-7

MOSFET BVDSS: 8V24V U-DFN2020-6 T&R 3K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN1014UFDF-13

Description: MOSFET N-CH 12V 8A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 515 pF @ 6 V

на замовлення 50000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	7.45 грн
20000+	6.60 грн
30000+	6.31 грн
50000+	5.61 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMN1014UFDF-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN1014UFDF-7

на замовлення 57000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.76 грн
6000+	7.66 грн
9000+	7.27 грн
15000+	6.40 грн
21000+	6.16 грн
30000+	5.92 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN1014UFDF-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V

на замовлення 2960 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	40.15 грн
13+	29.09 грн
100+	15.69 грн
500+	10.89 грн
1000+	8.96 грн
3000+	6.08 грн
6000+	5.84 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DMN1016UCB6-7

Description: MOSFET N-CH 12V 5.5A U-WLB1510-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 920mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-WLB1510-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 423 pF @ 6 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN1016UCB6-7

MOSFET N-Ch Enh Mode FET 12Vdss 8Vgss 30A

на замовлення 849 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	62.10 грн
10+	53.11 грн
100+	34.42 грн
500+	27.05 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

DMN1016UCB6-7

N-Channel Enhancement Mode Mosfet

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN1016UCB6-7

Description: MOSFET N-CH 12V 5.5A U-WLB1510-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 920mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-WLB1510-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 423 pF @ 6 V

на замовлення 3471 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	75.33 грн
10+	45.19 грн
100+	29.36 грн
500+	21.18 грн
1000+	19.13 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

DMN1017UCP3-7

Description: MOSFET N-CH 12V 7.5A X3DSN1010-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 5A, 3.3V
Power Dissipation (Max): 1.47W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X3-DSN1010-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 3.3V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 3.3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1503 pF @ 6 V

на замовлення 650477 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	69.27 грн
10+	41.61 грн
100+	26.93 грн
500+	19.36 грн
1000+	17.46 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

DMN1017UCP3-7

Description: MOSFET N-CH 12V 7.5A X3DSN1010-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 5A, 3.3V
Power Dissipation (Max): 1.47W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X3-DSN1010-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 3.3V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 3.3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1503 pF @ 6 V

на замовлення 648000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	16.35 грн
6000+	14.72 грн
9000+	14.32 грн
15000+	12.50 грн
21000+	12.24 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN1017UCP3-7

MOSFETs MOSFETBVDSS: 8V-24V

на замовлення 2857 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	69.85 грн
10+	42.71 грн
100+	24.09 грн
500+	18.41 грн
1000+	16.65 грн
3000+	13.85 грн
6000+	12.73 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DMN1019UFDE-7

Description: DIODES INC. - DMN1019UFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 11 A, 7000 µohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.17W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 25 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	50.73 грн
24+	37.44 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

DMN1019UFDE-7

Trans MOSFET N-CH 12V 11A 6-Pin DFN EP T/R

на замовлення 296 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

296+	12.44 грн

Мінімальне замовлення: 296

В кошику од. на суму грн.

DMN1019UFDE-7

Description: MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6E
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 690mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.6 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2425 pF @ 10 V

на замовлення 828739 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	55.41 грн
11+	32.85 грн
100+	21.12 грн
500+	15.10 грн
1000+	13.57 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

DMN1019UFDE-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K

на замовлення 10483 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	61.26 грн
10+	37.74 грн
100+	18.73 грн
500+	15.21 грн
1000+	14.09 грн
3000+	11.61 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

DMN1019UFDE-7

Trans MOSFET N-CH 12V 11A 6-Pin DFN EP T/R

на замовлення 296 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN1019UFDE-7

Description: MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6E
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 690mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.6 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2425 pF @ 10 V

на замовлення 828000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	12.49 грн
6000+	11.02 грн
9000+	10.51 грн
15000+	9.32 грн
21000+	9.00 грн
30000+	8.87 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN1019UFDE-7

на замовлення 25 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN1019UFDE-7

Trans MOSFET N-CH 12V 11A 6-Pin DFN EP T/R

на замовлення 1167000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.29 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN1019UFDE-7

Trans MOSFET N-CH 12V 11A 6-Pin DFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN1019UFDE-7

Trans MOSFET N-CH 12V 11A 6-Pin DFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN1019USN

Diodes Inc. MOSFET BVDSS: 8V 24V SC59 T&R 10K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN1019USN-13
Код товару: 121899

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN1019USN-13

Description: DIODES INC. - DMN1019USN-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 9.3 A, 0.01 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 530mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 680mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 37612 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	41.93 грн
30+	30.89 грн
100+	14.28 грн
500+	10.76 грн
1000+	8.39 грн
5000+	8.31 грн

Мінімальне замовлення: 22

В кошику од. на суму грн.

DMN1019USN-13

Trans MOSFET N-CH 12V 9.3A 3-Pin SC-59 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN1019USN-13

Description: MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 680mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SC-59-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.6 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2426 pF @ 10 V

на замовлення 151696 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	46.76 грн
12+	28.18 грн
100+	12.89 грн
500+	11.89 грн
1000+	10.81 грн
2000+	10.16 грн
5000+	8.90 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DMN1019USN-13

Trans MOSFET N-CH 12V 9.3A 3-Pin SC-59 T/R

на замовлення 2030 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

693+	13.06 грн
1000+	8.69 грн

Мінімальне замовлення: 693

В кошику од. на суму грн.

DMN1019USN-13

Trans MOSFET N-CH 12V 9.3A 3-Pin SC-59 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN1019USN-13

MOSFETs 12V N-Ch Enh Mode FET 8Vgss 0.68W

на замовлення 63246 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	39.31 грн
13+	28.90 грн
100+	11.77 грн
500+	11.05 грн
1000+	9.12 грн
5000+	8.64 грн
10000+	7.60 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DMN1019USN-13

Description: MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 680mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SC-59-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.6 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2426 pF @ 10 V

на замовлення 150000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	9.18 грн
20000+	7.95 грн
30000+	7.82 грн
50000+	7.17 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMN1019USN-13

Description: DIODES INC. - DMN1019USN-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 9.3 A, 0.01 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 680mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 530mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 680mW
Bauform - Transistor: SC-59
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.007ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 37612 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	14.28 грн
500+	10.76 грн
1000+	8.39 грн
5000+	8.31 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMN1019USN-13

Trans MOSFET N-CH 12V 9.3A 3-Pin SC-59 T/R

на замовлення 2030 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1040+	12.19 грн

Мінімальне замовлення: 1040

В кошику од. на суму грн.

DMN1019USN-7

MOSFET N-CH 12V 9.3A SC-59

на замовлення 8457 шт:

термін постачання 5 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN1019USN-7

Description: DIODES INC. - DMN1019USN-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 9.3 A, 0.007 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 680mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.88 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN1019USN-7

Trans MOSFET N-CH 12V 9.3A 3-Pin SC-59 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN1019USN-7

Trans MOSFET N-CH 12V 9.3A 3-Pin SC-59 T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.52 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN1019USN-7

MOSFETs 12V N-Ch Enh FET 2426pF 27.3nC

на замовлення 50675 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	49.68 грн
13+	30.65 грн
100+	12.81 грн
1000+	11.45 грн
3000+	8.80 грн
9000+	7.76 грн
99000+	7.60 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DMN1019USN-7

Trans MOSFET N-CH 12V 9.3A 3-Pin SC-59 T/R

на замовлення 699000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.12 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN1019USN-7

Trans MOSFET N-CH 12V 9.3A 3-Pin SC-59 T/R

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.52 грн
6000+	9.20 грн
9000+	8.06 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN1019USN-7

на замовлення 1177 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	47.95 грн
50+	29.63 грн
100+	14.37 грн
500+	12.67 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

DMN1019USN-7

на замовлення 634879 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	43.29 грн
12+	28.18 грн
100+	17.96 грн
500+	12.72 грн
1000+	11.39 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DMN1019USN-7

Description: DIODES INC. - DMN1019USN-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 9.3 A, 0.007 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 680mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 680mW
Bauform - Transistor: SC-59
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.007ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 1177 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	14.37 грн
500+	12.67 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMN1019USN-7

Trans MOSFET N-CH 12V 9.3A 3-Pin SC-59 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN1019USN-7

Trans MOSFET N-CH 12V 9.3A 3-Pin SC-59 T/R

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.90 грн
6000+	8.60 грн
9000+	7.54 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN1019USN-7

на замовлення 633000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.68 грн
6000+	9.16 грн
9000+	8.51 грн
15000+	7.91 грн
21000+	7.62 грн
30000+	7.34 грн
75000+	7.05 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN1019USNQ-13

12V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	8.79 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMN1019USNQ-13

Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SC59 T&R 10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 680mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SC-59-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.6 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2426 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	9.31 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMN1019USNQ-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V SC59 T&R 10K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN1019USNQ-7

12V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN1019USNQ-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V SC59 T&R 3K

на замовлення 2999 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	43.52 грн
11+	34.52 грн
100+	20.57 грн
1000+	11.93 грн
3000+	8.72 грн
9000+	8.24 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

DMN1019USNQ-7

12V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.79 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN1019USNQ-7

Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SC59 T&R 3K
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 680mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SC-59-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.6 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2426 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.79 грн
6000+	9.96 грн
9000+	8.96 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN1019UVT

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN1019UVT-13

Description: MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.73W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.4 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2588 pF @ 10 V

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	8.30 грн
20000+	7.38 грн
30000+	7.07 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMN1019UVT-13

Trans MOSFET N-CH 12V 10.7A 6-Pin TSOT-26 T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	8.10 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMN1019UVT-13

MOSFETs 12V Enh Mode FET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN1019UVT-13

Trans MOSFET N-CH 12V 10.7A 6-Pin TSOT-26 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN1019UVT-13

Trans MOSFET N-CH 12V 10.7A 6-Pin TSOT-26 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN1019UVT-7

Trans MOSFET N-CH 12V 10.7A 6-Pin TSOT-26 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

917+	13.83 грн

Мінімальне замовлення: 917

В кошику од. на суму грн.

DMN1019UVT-7

MOSFETs 12V Enh Mode FET

на замовлення 7580 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	40.15 грн
14+	26.33 грн
100+	14.09 грн
500+	12.09 грн
1000+	10.65 грн
3000+	8.40 грн
6000+	8.16 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DMN1019UVT-7

Trans MOSFET N-CH 12V 10.7A 6-Pin TSOT-26 T/R

на замовлення 45000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.65 грн
9000+	8.22 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN1019UVT-7

Description: DIODES INC. - DMN1019UVT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 10.7 A, 7000 µohm, TSOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 530mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.73W
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 3265 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

24+	37.89 грн
34+	26.85 грн
100+	17.06 грн
500+	14.01 грн
1000+	11.47 грн

Мінімальне замовлення: 24

В кошику од. на суму грн.

DMN1019UVT-7

Trans MOSFET N-CH 12V 10.7A 6-Pin TSOT-26 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN1019UVT-7

Description: MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.73W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.4 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2588 pF @ 10 V

на замовлення 2948 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	44.16 грн
13+	26.18 грн
100+	16.73 грн
500+	11.86 грн
1000+	10.61 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DMN1019UVT-7

Trans MOSFET N-CH 12V 10.7A 6-Pin TSOT-26 T/R

на замовлення 45000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.01 грн
9000+	7.67 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN1019UVT-7

Trans MOSFET N-CH 12V 10.7A 6-Pin TSOT-26 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

49+	14.82 грн
1000+	12.84 грн
3000+	7.97 грн

Мінімальне замовлення: 49

В кошику од. на суму грн.

DMN1019UVT-7

Description: DIODES INC. - DMN1019UVT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 10.7 A, 7000 µohm, TSOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 530mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.73W
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 3265 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	17.78 грн
500+	13.76 грн
1000+	11.39 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMN1019UVT-7

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN1023UCB4-7

Description: MOSFET N CH 5.1A U-WLB1010-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: U-WLB1010-4 (Type C)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 288 pF @ 6 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN1023UCB4-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN1025UFDB-7

MOSFETs Dual N-Ch Enh FET 12V 10Vgs 1.7W

на замовлення 5011 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	55.38 грн
11+	33.87 грн
100+	18.97 грн
500+	14.65 грн
1000+	12.89 грн
3000+	11.61 грн
6000+	10.33 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

DMN1025UFDB-7

DMN1025UFDB-7 Multi channel transistors

на замовлення 2533 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

13+	26.40 грн
124+	9.61 грн
340+	9.10 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

DMN1025UFDB-7

Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN1029UFDB-13

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 5.8A; Idm: 20A; 2.2W
Mounting: SMD
Case: U-DFN2020-6
Kind of package: 13 inch reel; tape
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 20A
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 5.8A
Gate charge: 19.6nC
On-state resistance: 65mΩ
Power dissipation: 2.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±8V
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN1029UFDB-13

Trans MOSFET N-CH 12V 5.6A 6-Pin UDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN1029UFDB-13

Description: MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 914pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.6nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN1029UFDB-13

MOSFET 20V N-Ch Enh Mode 8Vgs 914pF 10.5nC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN1029UFDB-7

Description: DIODES INC. - DMN1029UFDB-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 12 V, 5.6 A, 5.6 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 585 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	12.84 грн
500+	10.51 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMN1029UFDB-7

Trans MOSFET N-CH 12V 5.6A 6-Pin UDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN1029UFDB-7

на замовлення 315000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.73 грн
6000+	8.55 грн
9000+	8.13 грн
15000+	7.19 грн
21000+	6.92 грн
30000+	6.67 грн
75000+	6.43 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN1029UFDB-7

на замовлення 585 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

27+	34.30 грн
38+	24.06 грн
100+	12.84 грн
500+	10.51 грн

Мінімальне замовлення: 27

В кошику од. на суму грн.

DMN1029UFDB-7

MOSFETs 20V N-Ch Enh Mode 8Vgs 914pF 10.5nC

на замовлення 8359 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	41.74 грн
13+	29.36 грн
100+	16.41 грн
500+	12.41 грн
1000+	11.05 грн
3000+	8.00 грн
6000+	7.76 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

DMN1029UFDB-7

Description: MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 914pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.6nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Part Status: Active

на замовлення 317096 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	44.16 грн
13+	26.26 грн
100+	16.78 грн
500+	11.89 грн
1000+	10.65 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DMN1032UCB4-7

Trans MOSFET N-CH 12V 4.8A 4-Pin U-WLB T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN1032UCB4-7

MOSFET 20V N-Ch Enh Mode FET 12V 8Vgss 0.9W

на замовлення 16939 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN1032UCB4-7

Trans MOSFET N-CH 12V 4.8A 4-Pin U-WLB T/R

на замовлення 980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	53.84 грн
16+	46.03 грн
25+	42.82 грн
100+	33.44 грн
250+	30.64 грн
500+	20.61 грн

Мінімальне замовлення: 14

В кошику од. на суму грн.

DMN1032UCB4-7

Description: MOSFET N-CH 12V 4.8A U-WLB1010-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: U-WLB1010-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 6 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN1032UCB4-7

Trans MOSFET N-CH 12V 4.8A 4-Pin U-WLB T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN1032UCP4-7

Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V X1-DSN1010-
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-XFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 790mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DSN1010-4 (Type B)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 6 V

на замовлення 27000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.71 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN1032UCP4-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V X1-DSN1010-4 T&R 3K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN1033UCB4-7

MOSFET N-Ch Enh Mode FET 12V 26mOhm4.5V 5.5A

на замовлення 1330 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN1033UCB4-7

Trans MOSFET N-CH 12V 5.5A 4-Pin UWLP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN1033UCB4-7

Description: MOSFET 2N-CH U-WLB1818-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.45W
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Supplier Device Package: U-WLB1818-4

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN1045UFR4-7

Description: DIODES INC. - DMN1045UFR4-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 3.2 A, 0.025 ohm, X2-DFN1010, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: X2-DFN1010
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	12.48 грн
500+	9.09 грн
1000+	6.08 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMN1045UFR4-7

Description: MOSFET N-CH 12V 3.2A 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1010-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 375 pF @ 10 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.35 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN1045UFR4-7

Trans MOSFET N-CH 12V 3.2A 3-Pin X2-DFN T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN1045UFR4-7

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	44.00 грн
30+	30.26 грн
100+	12.48 грн
500+	9.09 грн
1000+	6.08 грн

Мінімальне замовлення: 21

В кошику од. на суму грн.

DMN1045UFR4-7

Description: MOSFET N-CH 12V 3.2A 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1010-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 375 pF @ 10 V

на замовлення 6599 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	34.63 грн
17+	20.43 грн
100+	12.93 грн
500+	9.09 грн
1000+	8.10 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DMN1045UFR4-7

MOSFET N-Ch Enh Mode FET 12V 3.2A 8Vgss

на замовлення 11952 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	39.97 грн
14+	27.61 грн
100+	10.81 грн
1000+	8.40 грн
3000+	6.32 грн
9000+	5.76 грн
24000+	5.44 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DMN1053UCP4-7

Description: MOSFET N-CH 12V 2.7A X3DSN0808-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.34W
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: X3-DSN0808-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 908 pF @ 6 V

на замовлення 113990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	46.76 грн
12+	29.85 грн
100+	20.18 грн
500+	14.37 грн
1000+	12.90 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DMN1053UCP4-7

Description: MOSFET N-CH 12V 2.7A X3DSN0808-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.34W
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: X3-DSN0808-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 908 pF @ 6 V

на замовлення 111000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	12.14 грн
6000+	10.67 грн
9000+	9.81 грн
15000+	9.06 грн
21000+	8.74 грн
30000+	8.70 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN1053UCP4-7

MOSFET MOSFETBVDSS: 8V-24V

на замовлення 35980 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	35.58 грн
13+	30.28 грн
100+	18.41 грн
500+	14.33 грн
1000+	11.69 грн
3000+	9.04 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

DMN1054UCB4-7

MOSFET N-Ch Enh Mode FET 8Vdss 5Vgss 15A

на замовлення 5976 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN1054UCB4-7

Description: MOSFET N-CH 8V 2.7A X1-WLB0808-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: X1-WLB0808-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 908 pF @ 6 V

на замовлення 31998 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	77.06 грн
10+	46.52 грн
100+	30.37 грн
500+	22.00 грн
1000+	19.91 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

DMN1054UCB4-7

Description: MOSFET N-CH 8V 2.7A X1-WLB0808-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: X1-WLB0808-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 908 pF @ 6 V

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	16.22 грн
6000+	15.12 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN1054UCB4-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 8V; 3.2A; Idm: 8A; 1.34W
Mounting: SMD
Case: X1-WLB0808-4
Gate charge: 15nC
On-state resistance: 0.11Ω
Power dissipation: 1.34W
Drain current: 3.2A
Gate-source voltage: ±5V
Drain-source voltage: 8V
Pulsed drain current: 8A
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN1054UCB4-7

N-Channel Enhancement Mode Mosfet

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN1057UCA3-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V 24V X4-DSN0607-3 T&R 10K

на замовлення 7000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	37.73 грн
14+	27.52 грн
100+	13.53 грн
500+	9.12 грн
1000+	6.96 грн
2500+	6.16 грн
5000+	5.36 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DMN10H099SFG-13

Trans MOSFET N-CH 100V 4.2A 8-Pin PowerDI EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN10H099SFG-13

MOSFETs 100V N-Ch Enh Mode 1127pF 25.2nC

на замовлення 8030 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	88.34 грн
10+	54.03 грн
100+	30.66 грн
500+	23.53 грн
1000+	21.29 грн
3000+	15.53 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

DMN10H099SFG-13

Trans MOSFET N-CH 100V 4.2A 8-Pin PowerDI EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	14.41 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN10H099SFG-13

Description: MOSFET N-CH 100V 4.2A PWRDI3333

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN10H099SFG-7

Description: MOSFET N-CH 100V 4.2A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 980mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 50 V

на замовлення 11990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	55.41 грн
10+	46.94 грн
100+	36.00 грн
500+	26.71 грн
1000+	21.37 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

DMN10H099SFG-7

Trans MOSFET N-CH 100V 4.2A 8-Pin PowerDI EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN10H099SFG-7

Description: MOSFET N-CH 100V 4.2A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 980mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 50 V

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	21.43 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

DMN10H099SFG-7

MOSFETs 100V N-Ch Enh Mode 1127pF 25.2nC

на замовлення 1521 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	79.00 грн
10+	50.81 грн
100+	29.70 грн
500+	23.21 грн
1000+	21.13 грн
2000+	19.05 грн
4000+	18.89 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

DMN10H099SK3-13

Description: MOSFET N-CH 100V 17A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 50 V

на замовлення 71708 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	61.48 грн
10+	39.52 грн
100+	27.10 грн
500+	20.14 грн
1000+	18.40 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DMN10H099SK3-13

MOSFETs 100V N-Ch Enh FET 20Vgs 1172pF 25.2nC

на замовлення 2551 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	53.88 грн
10+	46.76 грн
100+	27.77 грн
500+	23.13 грн
1000+	19.69 грн
2500+	16.49 грн
5000+	16.41 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

DMN10H099SK3-13

Description: MOSFET N-CH 100V 17A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 50 V

на замовлення 70000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	18.25 грн
5000+	16.30 грн
7500+	15.87 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DMN10H099SK3-13

Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN10H100SK3-13

MOSFETs 100V N-Ch Enh FET 100mOhm 3V

на замовлення 2658 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	63.41 грн
10+	54.40 грн
100+	32.74 грн
500+	27.37 грн
1000+	23.29 грн
2500+	19.37 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DMN10H100SK3-13

Trans MOSFET N-CH 100V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN10H100SK3-13

Description: MOSFET N-CH 100V 18A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 50 V

на замовлення 7450 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	71.00 грн
10+	45.94 грн
100+	31.70 грн
500+	23.68 грн
1000+	21.69 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

DMN10H100SK3-13

Description: MOSFET N-CH 100V 18A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 50 V

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	21.58 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DMN10H120SE-13

Description: MOSFET N-CH 100V 3.6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 549 pF @ 50 V

на замовлення 905000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	16.65 грн
5000+	15.22 грн
12500+	14.13 грн
25000+	12.95 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DMN10H120SE-13

DMN10H120SE-13 SMD N channel transistors

на замовлення 1900 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

8+	41.91 грн
62+	19.31 грн
170+	18.21 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DMN10H120SE-13

Description: MOSFET N-CH 100V 3.6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 549 pF @ 50 V

на замовлення 905640 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	49.35 грн
10+	40.61 грн
100+	28.26 грн
500+	20.71 грн
1000+	16.83 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DMN10H120SE-13

MOSFET 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 549pF 10nC

на замовлення 3099 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	53.88 грн
10+	45.20 грн
100+	27.37 грн
500+	21.37 грн
1000+	17.37 грн
2500+	14.89 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

DMN10H120SE-13

Trans MOSFET N-CH 100V 3.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 975000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	14.77 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DMN10H120SE-13

Trans MOSFET N-CH 100V 3.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN10H120SFG-13

Description: MOSFET N-CH 100V 3.8A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 549 pF @ 50 V

на замовлення 2985000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	19.64 грн
6000+	17.92 грн
9000+	16.59 грн
30000+	15.41 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN10H120SFG-13

MOSFETs FET BVDSS 61V 100V N-Ch 4.8A 3Vgs 549pF

на замовлення 5763 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	69.10 грн
10+	47.13 грн
100+	27.77 грн
500+	22.73 грн
1000+	20.57 грн
3000+	16.17 грн
6000+	15.93 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DMN10H120SFG-13

Trans MOSFET N-CH 100V 3.8A 8-Pin PowerDI EP T/R

на замовлення 1017000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	18.03 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN10H120SFG-13

Description: DIODES INC. - DMN10H120SFG-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.8 A, 0.068 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	32.41 грн
500+	25.10 грн
1000+	20.09 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMN10H120SFG-13

Trans MOSFET N-CH 100V 3.8A 8-Pin PowerDI EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN10H120SFG-13

Description: MOSFET N-CH 100V 3.8A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 549 pF @ 50 V

на замовлення 2987838 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	51.95 грн
10+	43.11 грн
100+	29.86 грн
500+	23.41 грн
1000+	19.93 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

DMN10H120SFG-13

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	62.23 грн
18+	51.63 грн
100+	32.41 грн
500+	25.10 грн
1000+	20.09 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

DMN10H120SFG-7

Description: DIODES INC. - DMN10H120SFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.8 A, 0.068 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 1982 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	32.41 грн
500+	25.18 грн
1000+	20.01 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMN10H120SFG-7

Trans MOSFET N-CH 100V 3.8A 8-Pin PowerDI EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN10H120SFG-7

Description: MOSFET N-CH 100V 3.8A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 549 pF @ 50 V

на замовлення 45273 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	64.07 грн
10+	42.94 грн
100+	29.28 грн
500+	21.99 грн
1000+	19.90 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DMN10H120SFG-7

на замовлення 1982 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	62.23 грн
18+	51.63 грн
100+	32.41 грн
500+	25.18 грн
1000+	20.01 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

DMN10H120SFG-7

MOSFET FET BVDSS 61V 100V N-Ch 4.8A 3Vgs 549pF

на замовлення 5754 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	39.13 грн
11+	33.69 грн
100+	20.33 грн
500+	16.97 грн
1000+	16.57 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DMN10H120SFG-7

Trans MOSFET N-CH 100V 3.8A 8-Pin PowerDI EP T/R

на замовлення 150000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	18.03 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

DMN10H120SFG-7

Description: MOSFET N-CH 100V 3.8A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 549 pF @ 50 V

на замовлення 42000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	17.65 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

DMN10H170SFDE

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN10H170SFDE-

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN10H170SFDE-13

Trans MOSFET N-CH 100V 2.9A 6-Pin UDFN EP T/R

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	12.20 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMN10H170SFDE-13

Description: MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1167 pF @ 25 V

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	11.93 грн
20000+	10.68 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMN10H170SFDE-13

MOSFETs 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 2.9A 0.66W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN10H170SFDE-7

Trans MOSFET N-CH 100V 2.9A 6-Pin UDFN EP T/R

на замовлення 252000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	12.20 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN10H170SFDE-7

на замовлення 252000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.88 грн
6000+	11.22 грн
9000+	10.99 грн
15000+	9.97 грн
21000+	9.93 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN10H170SFDE-7

Description: DIODES INC. - DMN10H170SFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.9 A, 0.116 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.03W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.116ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 2955 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	42.29 грн
30+	30.80 грн
100+	20.92 грн
500+	14.84 грн
1000+	12.39 грн

Мінімальне замовлення: 22

В кошику од. на суму грн.

DMN10H170SFDE-7

MOSFETs 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 2.9A 0.66W

на замовлення 2847 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	54.16 грн
10+	39.31 грн
100+	23.93 грн
500+	18.41 грн
1000+	15.61 грн
3000+	11.85 грн
6000+	11.61 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

DMN10H170SFDE-7

Trans MOSFET N-CH 100V 2.9A 6-Pin UDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN10H170SFDE-7

Trans MOSFET N-CH 100V 2.9A 6-Pin UDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN10H170SFDE-7

Description: MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1167 pF @ 25 V

на замовлення 254843 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	55.41 грн
10+	34.69 грн
100+	23.03 грн
500+	16.64 грн
1000+	14.97 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

DMN10H170SFDE-7

на замовлення 2955 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	20.92 грн
500+	14.84 грн
1000+	12.39 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMN10H170SFG-13

Trans MOSFET N-CH 100V 2.9A 8-Pin PowerDI EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN10H170SFG-13

Description: MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta), 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 122mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 940mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870.7 pF @ 25 V

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	15.87 грн
6000+	14.30 грн
15000+	13.31 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN10H170SFG-13

MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 100Vdss 20Vgss

на замовлення 10178 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	35.30 грн
18+	21.63 грн
100+	15.13 грн
500+	14.41 грн
1000+	13.77 грн
3000+	11.77 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

DMN10H170SFG-13

Description: MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta), 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 122mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 940mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870.7 pF @ 25 V

на замовлення 26900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	45.02 грн
10+	36.94 грн
25+	34.49 грн
100+	25.91 грн
250+	24.06 грн
500+	20.35 грн
1000+	15.47 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DMN10H170SFG-7

на замовлення 51045 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	45.02 грн
10+	36.94 грн
25+	34.49 грн
100+	25.91 грн
250+	24.06 грн
500+	20.35 грн
1000+	15.47 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DMN10H170SFG-7

Description: DIODES INC. - DMN10H170SFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.9 A, 0.099 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 940mW
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 1992 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	16.07 грн
500+	14.17 грн
1000+	12.62 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMN10H170SFG-7

MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 100Vdss 20Vgss

на замовлення 1486 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	50.33 грн
10+	39.77 грн
100+	25.69 грн
500+	21.77 грн
1000+	16.81 грн
2000+	14.01 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DMN10H170SFG-7

на замовлення 50000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	15.87 грн
6000+	14.30 грн
10000+	13.31 грн
50000+	11.56 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

DMN10H170SFG-7

Trans MOSFET N-CH 100V 2.9A 8-Pin PowerDI EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN10H170SFG-7

на замовлення 1992 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

28+	32.24 грн
45+	20.11 грн
100+	16.07 грн
500+	14.17 грн
1000+	12.62 грн

Мінімальне замовлення: 28

В кошику од. на суму грн.

DMN10H170SFGQ-13

Description: MOSFET N-CH 100V PWRDI3333

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN10H170SFGQ-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN10H170SFGQ-7

Description: MOSFET N-CH 100V PWRDI3333

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN10H170SK3-13

Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN10H170SK3-13

Description: MOSFET N-CH 100V 12A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1167 pF @ 25 V

на замовлення 152500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	15.40 грн
5000+	13.88 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DMN10H170SK3-13

MOSFETs 100V N-CH MOSFET 100V 12A

на замовлення 23217 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	49.49 грн
10+	42.89 грн
100+	20.33 грн
500+	17.45 грн
1000+	17.05 грн
2500+	16.73 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DMN10H170SK3-13

Description: MOSFET N-CH 100V 12A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1167 pF @ 25 V

на замовлення 155081 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	71.87 грн
10+	43.44 грн
100+	28.32 грн
500+	20.47 грн
1000+	18.50 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

DMN10H170SK3Q-13

100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN10H170SK3Q-13

Description: MOSFET N-CH 100V 12A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1167 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1282500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	18.10 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DMN10H170SK3Q-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V 100V

на замовлення 7222 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	39.97 грн
11+	34.43 грн
100+	20.73 грн
500+	18.57 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DMN10H170SK3Q-13

Description: MOSFET N-CH 100V 12A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1167 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1286036 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	85.72 грн
10+	51.44 грн
100+	33.67 грн
500+	24.41 грн
1000+	22.10 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

DMN10H170SVT-13

Trans MOSFET N-CH 100V 2.6A 6-Pin TSOT-26 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN10H170SVT-13

Description: MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1167 pF @ 25 V

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	11.72 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMN10H170SVT-13

Trans MOSFET N-CH 100V 2.6A 6-Pin TSOT-26 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN10H170SVT-13

MOSFETs 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 2.6A 1.2W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN10H170SVT-7

на замовлення 873000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	12.44 грн
6000+	11.56 грн
9000+	11.15 грн
15000+	10.43 грн
21000+	10.07 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN10H170SVT-7

Trans MOSFET N-CH 100V 2.6A 6-Pin TSOT-26 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN10H170SVT-7

MOSFETs 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 2.6A 1.2W

на замовлення 42345 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	42.58 грн
12+	32.77 грн
100+	19.53 грн
500+	16.65 грн
1000+	14.65 грн
3000+	10.57 грн
6000+	10.33 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

DMN10H170SVT-7

Description: MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1167 pF @ 25 V

на замовлення 877630 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	38.96 грн
11+	32.02 грн
100+	22.37 грн
500+	16.31 грн
1000+	14.68 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

DMN10H170SVT-7

Trans MOSFET N-CH 100V 2.6A 6-Pin TSOT-26 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN10H170SVTQ-13

Description: MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN10H170SVTQ-13

MOSFET MOSFET BVDSS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN10H170SVTQ-7

Description: MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1167 pF @ 25 V

на замовлення 390437 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	45.89 грн
10+	37.94 грн
100+	25.86 грн
500+	18.62 грн
1000+	16.79 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DMN10H170SVTQ-7

100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN10H170SVTQ-7

MOSFETs 100V N-Ch Enh FET 160mOhm 10Vgs 2.6A

на замовлення 2289 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	51.27 грн
10+	42.80 грн
100+	25.93 грн
500+	20.25 грн
1000+	17.21 грн
3000+	14.49 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DMN10H170SVTQ-7

100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN10H170SVTQ-7

Description: MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1167 pF @ 25 V

на замовлення 390000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	15.35 грн
6000+	14.18 грн
9000+	13.54 грн
15000+	12.04 грн
21000+	11.90 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220L

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220L-13

Description: MOSFET N-CH 100V 1.4A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 401 pF @ 25 V

на замовлення 80000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	10.99 грн
20000+	9.80 грн
30000+	9.46 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220L-13

Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220L-13

Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220L-13

Description: MOSFET N-CH 100V 1.4A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 401 pF @ 25 V

на замовлення 80000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	43.29 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220L-13

Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 80000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	10.05 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220L-13

MOSFETs 100V N-Ch Enh FET 16Vgs 1.6A 1.3W

на замовлення 15742 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	41.74 грн
13+	29.09 грн
100+	18.81 грн
500+	14.33 грн
1000+	11.53 грн
5000+	10.09 грн
10000+	8.48 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220L-7

Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220L-7

Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.61 грн
6000+	8.87 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220L-7

Description: DIODES INC. - DMN10H220L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.4 A, 0.22 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.86 грн
9000+	10.51 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220L-7

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.62 грн
6000+	9.34 грн
9000+	8.89 грн
15000+	7.87 грн
21000+	7.58 грн
30000+	7.31 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220L-7

Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 96000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.49 грн
6000+	9.61 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220L-7

Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220L-7

MOSFETs 100V N-Ch Enh FET 16Vgs 1.6A 1.3W

на замовлення 96908 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

15+	25.68 грн
20+	18.50 грн
100+	14.09 грн
500+	12.17 грн
1000+	11.29 грн
3000+	8.64 грн
6000+	8.56 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220L-7

Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 96000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.52 грн
6000+	8.79 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220L-7

Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.90 грн
6000+	8.28 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220L-7

Description: DIODES INC. - DMN10H220L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.4 A, 0.22 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 34528 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

29+	31.34 грн
50+	21.91 грн
100+	18.68 грн
500+	14.92 грн
1500+	12.62 грн

Мінімальне замовлення: 29

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220L-7

Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 2460 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

659+	19.24 грн

Мінімальне замовлення: 659

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220L-7

Description: DIODES INC. - DMN10H220L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.4 A, 0.22 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.3W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.22ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 34528 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	18.68 грн
500+	14.92 грн
1500+	12.62 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220L-7

на замовлення 32162 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	47.62 грн
12+	28.43 грн
100+	18.21 грн
500+	12.94 грн
1000+	11.60 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220L-7

DMN10H220L-7 SMD N channel transistors

на замовлення 1407 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

11+	30.28 грн
128+	9.41 грн
350+	8.90 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220L-7

Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 582000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.05 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220L-7

Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 2460 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

36+	20.62 грн
500+	16.93 грн
1000+	10.72 грн

Мінімальне замовлення: 36

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LDV-13

Description: MOSFET 2N-CH 100V PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W (Ta), 40W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 366pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 222mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXC)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LDV-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI3333-8 T&R 3K

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	58.64 грн
11+	35.35 грн
100+	20.33 грн
500+	16.01 грн
1000+	13.61 грн
3000+	12.25 грн
6000+	10.25 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LDV-7

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 14000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	10.98 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LDV-7

Description: DIODES INC. - DMN10H220LDV-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 10.5 A, 10.5 A, 0.17 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.17ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 40W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerDI3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.17ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 40W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 1015 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	29.09 грн
500+	26.51 грн
1000+	22.32 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LDV-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI3333-8 T&R 2K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LDV-7

на замовлення 1015 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	50.55 грн
30+	30.44 грн
100+	29.09 грн
500+	26.51 грн
1000+	22.32 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LDV-7

на замовлення 14000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	14.50 грн
4000+	12.73 грн
6000+	12.11 грн
10000+	10.70 грн
14000+	10.31 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LE-13

Trans MOSFET N-CH 100V 2.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LE-13

MOSFETs FET BVDSS 61V 100V N-Ch 3A 401pF 8.3nC

на замовлення 6956 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	65.65 грн
10+	45.84 грн
100+	27.13 грн
500+	22.73 грн
1000+	19.29 грн
2500+	17.53 грн
5000+	16.25 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LE-13

Description: DIODES INC. - DMN10H220LE-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.2 A, 0.155 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 14W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 1040 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	29.54 грн
500+	22.85 грн
1000+	19.09 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LE-13

Description: MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 401 pF @ 25 V

на замовлення 27500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	17.18 грн
5000+	16.22 грн
7500+	15.87 грн
12500+	14.69 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LE-13

Trans MOSFET N-CH 100V 2.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	16.75 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LE-13

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.8A; Idm: 8A; 1.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.8A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LE-13

Trans MOSFET N-CH 100V 2.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 22500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	16.63 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LE-13

на замовлення 1040 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	50.28 грн
21+	43.01 грн
100+	29.54 грн
500+	22.85 грн
1000+	19.09 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LE-13

Description: MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 401 pF @ 25 V

на замовлення 28654 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	48.49 грн
10+	40.10 грн
100+	27.49 грн
500+	21.54 грн
1000+	19.46 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LE-13

Trans MOSFET N-CH 100V 2.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LE-13

Trans MOSFET N-CH 100V 2.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LE-13

Trans MOSFET N-CH 100V 2.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	18.29 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LFDF-13

DMN10H220LFDF-13

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	5.92 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LFDF-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V U-DFN2020-6 T&R 10K

на замовлення 9894 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	40.81 грн
13+	30.38 грн
100+	16.41 грн
500+	11.37 грн
1000+	8.64 грн
2500+	7.76 грн
5000+	7.20 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LFDF-13

Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 384 pF @ 25 V

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	7.06 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LFDF-7

100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LFDF-7

Trans MOSFET N-CH 100V 2.2A 6-Pin UDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LFDF-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V U-DFN2020-6 T&R 3K

на замовлення 2986 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	41.74 грн
15+	25.41 грн
100+	11.45 грн
500+	10.49 грн
1000+	9.69 грн
3000+	6.88 грн
6000+	6.32 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LFDF-7

Description: DIODES INC. - DMN10H220LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.2 A, 0.174 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.174ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	11.31 грн
500+	10.17 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LFDF-7

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LFDF-7

на замовлення 950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

24+	37.71 грн
39+	23.44 грн
100+	11.31 грн
500+	10.17 грн

Мінімальне замовлення: 24

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LFDF-7

Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 384 pF @ 25 V

на замовлення 613 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	38.10 грн
15+	22.43 грн
100+	11.94 грн
500+	9.96 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LFVW-13

Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 222mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 366 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LFVW-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI3333-8/SWP T&R 3K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LFVW-7

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	12.13 грн
4000+	10.61 грн
6000+	10.07 грн
10000+	8.88 грн
14000+	8.54 грн
20000+	8.21 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LFVW-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI3333-8/SWP T&R 2K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LFVW-7

Description: DIODES INC. - DMN10H220LFVW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 11 A, 0.164 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.164ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 525 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	21.91 грн
500+	20.09 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LFVW-7

100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LFVW-7

100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	8.81 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LFVW-7

на замовлення 525 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	50.55 грн
36+	24.96 грн
100+	21.91 грн
500+	20.09 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LK3-13

Trans MOSFET N-CH 100V 7.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	10.47 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LK3-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V TO252 T&R 2.5K

на замовлення 96 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	55.00 грн
11+	35.35 грн
100+	21.37 грн
500+	16.33 грн
1000+	13.85 грн
2500+	11.05 грн
5000+	10.41 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LK3-13

Description: DIODES INC. - DMN10H220LK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.5 A, 0.179 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 18.7W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.179ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 2412 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	21.64 грн
500+	15.51 грн
1000+	12.85 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LK3-13

Description: MOSFET N-CH 100V 7.5A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 18.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 384 pF @ 25 V

на замовлення 23768 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	57.15 грн
10+	33.85 грн
100+	21.74 грн
500+	15.51 грн
1000+	13.93 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LK3-13

High Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LK3-13

Trans MOSFET N-CH 100V 7.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LK3-13

DMN10H220LK3-13 SMD N channel transistors

на замовлення 1206 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

6+	62.60 грн
81+	14.71 грн
223+	13.91 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LK3-13

на замовлення 2412 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	47.14 грн
28+	32.77 грн
100+	21.64 грн
500+	15.51 грн
1000+	12.85 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LK3-13

Description: MOSFET N-CH 100V 7.5A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 18.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 384 pF @ 25 V

на замовлення 22500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	11.47 грн
5000+	10.87 грн
7500+	10.83 грн
12500+	9.84 грн
17500+	9.66 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LPDW-13

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 12500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	14.75 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LPDW-13

Description: DIODES INC. - DMN10H220LPDW-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 8 A, 8 A, 0.222 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2.2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.222ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 4965 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	70.04 грн
20+	45.61 грн
100+	44.54 грн
500+	33.85 грн
1000+	29.63 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LPDW-13

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LPDW-13

MOSFETs MOSFET BVDSS61V-100V

на замовлення 2450 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	94.32 грн
10+	58.64 грн
100+	50.19 грн
250+	48.19 грн
500+	40.58 грн
1000+	38.42 грн
2500+	15.21 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LPDW-13

на замовлення 4965 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	44.54 грн
500+	33.85 грн
1000+	29.63 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LPDW-13

Description: MOSFET 2N-CH 100V 8A PWRDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 384pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 222mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type R)

на замовлення 12500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	17.93 грн
5000+	15.85 грн
7500+	15.13 грн
12500+	13.43 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LPDW-13

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LQ-13

Description: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 401 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 15569 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	30.30 грн
19+	18.18 грн
100+	11.43 грн
500+	7.98 грн
1000+	7.09 грн
2000+	6.34 грн
5000+	5.43 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LQ-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V SOT23 T&R 10K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LQ-13

Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	4.43 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LQ-13

Description: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 401 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	5.56 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LQ-13

Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LQ-7

DMN10H220LQ-7 SMD N channel transistors

на замовлення 758 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

10+	34.26 грн
159+	7.50 грн
435+	7.10 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LQ-7

Description: DIODES INC. - DMN10H220LQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.4 A, 0.22 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 2795 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

39+	23.17 грн
59+	15.35 грн
113+	7.97 грн
500+	7.05 грн
1000+	6.17 грн

Мінімальне замовлення: 39

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LQ-7

Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6000+	4.63 грн

Мінімальне замовлення: 6000

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LQ-7

на замовлення 31564 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	30.30 грн
19+	18.18 грн
100+	8.66 грн
500+	7.22 грн
1000+	6.78 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LQ-7

на замовлення 2795 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	15.35 грн
113+	7.97 грн
500+	7.05 грн
1000+	6.17 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LQ-7

Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LQ-7

Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6000+	4.32 грн

Мінімальне замовлення: 6000

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LQ-7

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.64 грн
6000+	5.05 грн
9000+	4.70 грн
15000+	4.23 грн
21000+	4.21 грн
30000+	4.05 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LQ-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V SOT23 T&R 3K

на замовлення 126035 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

13+	30.54 грн
20+	18.69 грн
100+	8.64 грн
500+	7.28 грн
1000+	6.72 грн
3000+	4.88 грн
6000+	4.16 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LQ-7

Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LVT

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LVT-13

MOSFETs 100V N-Ch Enh FET 220mOhm 16Vgs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LVT-13

Description: MOSFET N-CH 100V 1.87A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.87A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.67W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 401 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LVT-7

Description: MOSFET N-CH 100V 1.87A TSOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.87A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.67W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 401 pF @ 25 V

на замовлення 21009 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	67.54 грн
10+	40.35 грн
100+	26.10 грн
500+	18.74 грн
1000+	16.89 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LVT-7

Trans MOSFET N-CH 100V 2.24A 6-Pin TSOT-26 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LVT-7

Trans MOSFET N-CH 100V 2.24A 6-Pin TSOT-26 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LVT-7

Description: DIODES INC. - DMN10H220LVT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.24 A, 0.172 ohm, TSOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.67W
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.172ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 2923 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	26.76 грн
500+	20.01 грн
1000+	16.01 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LVT-7

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	15.07 грн
6000+	14.22 грн
9000+	13.94 грн
15000+	12.06 грн
21000+	11.75 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LVT-7

Trans MOSFET N-CH 100V 2.24A 6-Pin TSOT-26 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	16.29 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LVT-7

MOSFETs 100V N-Ch Enh FET 220mOhm 16Vgs

на замовлення 425 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	55.94 грн
10+	42.71 грн
100+	26.09 грн
500+	19.69 грн
1000+	16.97 грн
3000+	13.53 грн
6000+	12.73 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LVT-7

на замовлення 2923 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	61.69 грн
23+	39.60 грн
100+	26.76 грн
500+	20.01 грн
1000+	16.01 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LVT-7

Trans MOSFET N-CH 100V 2.24A 6-Pin TSOT-26 T/R

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	13.30 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN10H220LVT-7

Trans MOSFET N-CH 100V 2.24A 6-Pin TSOT-26 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	15.21 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN10H6D0LFDB-13

Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN10H6D2LFDB-13

MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V U-DFN2020-6 T&R 10K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN10H6D2LFDB-13

Description: MOSFET 2N-CH 100V 0.27A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN10H6D2LFDB-7

Description: DIODES INC. - DMN10H6D2LFDB-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 270 mA, 270 mA, 3.4 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 270mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 270mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3.4ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3.4ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 2200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	12.84 грн
500+	8.84 грн
1000+	5.39 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMN10H6D2LFDB-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V U-DFN2020-6 T&R 3K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN10H6D2LFDB-7

на замовлення 2200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	36.90 грн
44+	20.74 грн
100+	12.84 грн
500+	8.84 грн
1000+	5.39 грн

Мінімальне замовлення: 25

В кошику од. на суму грн.

DMN10H6D2LFDB-7

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN10H700S-13

Description: MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 50 V

на замовлення 9976 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	37.23 грн
13+	26.51 грн
100+	14.99 грн
500+	9.32 грн
1000+	7.14 грн
2000+	6.21 грн
5000+	5.50 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DMN10H700S-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V

на замовлення 13389 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	32.87 грн
19+	19.42 грн
100+	10.65 грн
500+	8.00 грн
1000+	6.40 грн
2500+	6.08 грн
5000+	5.36 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

DMN10H700S-13

Description: MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN10H700S-13

Trans MOSFET N-CH 100V 0.7A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN10H700S-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V

на замовлення 24790 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	38.66 грн
14+	27.43 грн
100+	14.09 грн
500+	9.37 грн
1000+	7.12 грн
3000+	6.08 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DMN10H700S-7

Description: DIODES INC. - DMN10H700S-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 700 mA, 0.54 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 700mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 15715 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

36+	24.96 грн
50+	18.05 грн
100+	11.04 грн
500+	7.20 грн
1500+	6.52 грн

Мінімальне замовлення: 36

В кошику од. на суму грн.

DMN10H700S-7

Description: MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 50 V

на замовлення 31696 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	36.37 грн
13+	26.18 грн
100+	14.84 грн
500+	9.23 грн
1000+	7.07 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DMN10H700S-7

Trans MOSFET N-CH 100V 0.7A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	3.73 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN10H700S-7

Description: DIODES INC. - DMN10H700S-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 700 mA, 0.54 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 700mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 400mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.54ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 15715 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	7.20 грн
1500+	6.52 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

DMN10H700S-7

Description: MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 50 V

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.81 грн
6000+	5.90 грн
15000+	5.24 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN1150UFB-7B

Description: MOSFET N-CH 12V 1.41A 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.41A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 106 pF @ 10 V

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	4.78 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMN1150UFB-7B

MOSFETs N-CH MOSFET 12V

на замовлення 12400 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

13+	29.70 грн
21+	17.67 грн
100+	9.61 грн
500+	6.48 грн
1000+	4.48 грн
5000+	4.40 грн
10000+	3.92 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

DMN1150UFB-7B

Description: MOSFET N-CH 12V 1.41A 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.41A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 106 pF @ 10 V

на замовлення 15172 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	27.71 грн
21+	16.18 грн
100+	10.18 грн
500+	7.10 грн
1000+	6.30 грн
2000+	5.63 грн
5000+	4.82 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

DMN1150UFL3-7

Description: MOSFET 2N-CH 12V 2A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 390mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1310-6 (Type B)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN1150UFL3-7

Trans MOSFET N-CH 12V 2A 6-Pin X2-DFN T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN1150UFL3-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN1150UFL3-7

Trans MOSFET N-CH 12V 2A 6-Pin X2-DFN T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN1150UFL3-7

Description: MOSFET 2N-CH 12V 2A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 390mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1310-6 (Type B)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN11M1UCA14-7

Description: IC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel, Common Source
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33.3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3308pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.85mOhm @ 9.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77.7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 870µA
Supplier Device Package: X4-DSN3027-14

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN11M2UCA14-7

Description: MOSFET 2N-CH 12V 34A X2-TSN3027
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 950mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6083pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.85mOhm @ 9.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71nC @ 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 870µA
Supplier Device Package: X2-TSN3027-14

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN1250UFEL-7

Description: MOSFET 8N-CH 12V 2A U-QFN1515
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-UFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 8 N-Channel, Common Gate, Common Source
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 660mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 200mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-QFN1515-12
Part Status: Active

на замовлення 45000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	28.91 грн
6000+	25.82 грн
9000+	25.20 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN1250UFEL-7

N-Channel Enhancement Mode Mosfet

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN1250UFEL-7

MOSFETs 8 N-Ch FET 4.5V 280mOhm 12Vdss

на замовлення 2720 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	111.13 грн
10+	68.48 грн
100+	39.54 грн
500+	31.22 грн
1000+	28.18 грн
3000+	22.89 грн
6000+	22.57 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

DMN1250UFEL-7

Description: MOSFET 8N-CH 12V 2A U-QFN1515
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-UFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 8 N-Channel, Common Gate, Common Source
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 660mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 200mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-QFN1515-12
Part Status: Active

на замовлення 45000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	111.69 грн
10+	67.62 грн
100+	44.79 грн
500+	32.84 грн
1000+	29.88 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

DMN1260UFA-7B

Description: MOSFET N-CH 12V 500MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 366mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN0806-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.96 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V

на замовлення 274610 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	30.30 грн
17+	20.34 грн
100+	10.26 грн
500+	7.85 грн
1000+	5.82 грн
2000+	4.90 грн
5000+	4.61 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

DMN1260UFA-7B

Trans MOSFET N-CH 12V 0.5A 3-Pin X2-DFN T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN1260UFA-7B

MOSFETs 12V N-Ch Enh FET 8 VGS 60pF 0.92nC

на замовлення 8554 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

14+	27.27 грн
23+	16.11 грн
100+	5.92 грн
500+	5.52 грн
1000+	4.80 грн
5000+	4.48 грн
10000+	3.44 грн

Мінімальне замовлення: 14

В кошику од. на суму грн.

DMN1260UFA-7B

Description: MOSFET N-CH 12V 500MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 366mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN0806-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.96 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V

на замовлення 260000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	4.48 грн
30000+	4.24 грн
50000+	3.51 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMN12M3UCA6-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V 24V X4-DSN3118-6 T&R 3K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN12M3UCA6-7

Description: DIODES INC. - DMN12M3UCA6-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 14 V, 14 V, 24.4 A, 24.4 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 24.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 14V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 24.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 14V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: X4-DSN3118
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 2738 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

30+	30.17 грн
100+	29.54 грн
500+	26.85 грн
1000+	24.32 грн

Мінімальне замовлення: 30

В кошику од. на суму грн.

DMN12M3UCA6-7

Description: DIODES INC. - DMN12M3UCA6-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 14 V, 14 V, 24.4 A, 24.4 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 24.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 14V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 24.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 14V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: X4-DSN3118
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 2738 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	29.54 грн
500+	26.85 грн
1000+	24.32 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMN12M7UCA10-7

Description: DIODES INC. - DMN12M7UCA10-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 12 V, 20.2 A, 20.2 A, 2190 µohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2190µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.73W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: X4-DSN3015
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2190µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.73W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 4890 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	49.39 грн
500+	35.60 грн
1000+	29.17 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMN12M7UCA10-7

Description: MOSFET 2N-CH 20.2A X4-DSN3015-10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.75mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 1.11mA
Supplier Device Package: X4-DSN3015-10

на замовлення 9670 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	74.46 грн
10+	61.78 грн
100+	42.81 грн
500+	33.57 грн
1000+	28.57 грн
2000+	25.44 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

DMN12M7UCA10-7

на замовлення 4890 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	117.63 грн
13+	74.35 грн
100+	49.39 грн
500+	35.60 грн
1000+	29.17 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DMN12M7UCA10-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V X4-DSN3015-10 T&R 5K

на замовлення 4808 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	110.19 грн
10+	68.48 грн
100+	39.54 грн
500+	30.74 грн
1000+	26.81 грн
2500+	25.85 грн
5000+	22.41 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

DMN12M7UCA10-7

Description: MOSFET 2N-CH 20.2A X4-DSN3015-10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.75mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 1.11mA
Supplier Device Package: X4-DSN3015-10

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	26.67 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

DMN12M8UCA10-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V X4-DSN3015-10 T&R 5K

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	60.79 грн
10+	52.56 грн
100+	31.22 грн
500+	26.09 грн
1000+	22.17 грн
2500+	20.97 грн
5000+	17.77 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

DMN12M8UCA10-7

Description: MOSFET 2N-CH 12V X4-DSN3015-10
Packaging: Bulk
Package / Case: 10-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2504pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.4nC @ 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 1.11mA
Supplier Device Package: X4-DSN3015-10

на замовлення 4985 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	66.67 грн
10+	47.78 грн
100+	32.08 грн
500+	23.39 грн
1000+	20.61 грн
2000+	19.34 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DMN13H750S

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN13H750S-13

MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 130Vdss 20Vgss

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN13H750S-13

Description: MOSFET N-CH 130V 1A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 770mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 130 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 231 pF @ 25 V

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	13.53 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMN13H750S-13

Trans MOSFET N-CH 130V 1A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN13H750S-13

Trans MOSFET N-CH 130V 1A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN13H750S-7

Trans MOSFET N-CH 130V 1A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN13H750S-7

на замовлення 144000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	14.51 грн
6000+	13.26 грн
9000+	12.31 грн
30000+	11.34 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN13H750S-7

Description: DIODES INC. - DMN13H750S-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 130 V, 1 A, 0.41 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 130V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 770mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	20.11 грн
500+	14.92 грн
1000+	12.08 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMN13H750S-7

Trans MOSFET N-CH 130V 1A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN13H750S-7

Trans MOSFET N-CH 130V 1A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN13H750S-7

на замовлення 1300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

26+	35.56 грн
30+	29.99 грн
100+	20.11 грн
500+	14.92 грн
1000+	12.08 грн

Мінімальне замовлення: 26

В кошику од. на суму грн.

DMN13H750S-7

Description: MOSFET N-CH 130V 1A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 770mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 130 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 231 pF @ 25 V

на замовлення 147502 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	43.29 грн
10+	35.44 грн
100+	24.62 грн
500+	18.04 грн
1000+	14.67 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DMN13H750S-7

MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 130Vdss 20Vgss

на замовлення 7235 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	41.00 грн
14+	27.80 грн
100+	18.09 грн
500+	13.29 грн
3000+	12.41 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DMN13M9UCA6-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V

на замовлення 2963 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	128.87 грн
10+	81.56 грн
100+	46.91 грн
500+	38.42 грн
1000+	33.70 грн
3000+	28.58 грн
6000+	27.77 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

DMN14M8UFDF-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V 24V U-DFN2020-6 T&R 3K

на замовлення 65 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	67.42 грн
10+	40.59 грн
100+	23.29 грн
500+	18.33 грн
1000+	15.61 грн
3000+	11.77 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DMN15H310SE-13

Trans MOSFET N-CH 150V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN15H310SE-13

Description: MOSFET N-CH 150V 2A/7.1A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), 7.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 25 V

на замовлення 475000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	34.28 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DMN15H310SE-13

MOSFETs 150V N-Ch Enh Fet 310mOhm 10Vgs 2.0A

на замовлення 3201 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	111.13 грн
10+	76.31 грн
100+	50.99 грн
500+	40.26 грн
1000+	36.82 грн
2500+	30.98 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

DMN15H310SE-13

Description: MOSFET N-CH 150V 2A/7.1A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), 7.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 25 V

на замовлення 482282 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	106.50 грн
10+	69.37 грн
100+	48.55 грн
500+	36.83 грн
1000+	33.97 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

DMN15H310SK3

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN15H310SK3-13

Description: MOSFET N-CH 150V 8.3A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 178 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	58.88 грн
10+	37.69 грн
100+	25.83 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DMN15H310SK3-13

Trans MOSFET N-CH 150V 8.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN15H310SK3-13

Description: MOSFET N-CH 150V 8.3A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN15H310SK3-13

Trans MOSFET N-CH 150V 8.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN15H310SK3-13

Trans MOSFET N-CH 150V 8.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 120000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	16.63 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DMN15H310SK3-13

MOSFETs 150V N-Ch Enh FET 310mOhm 10V 8.3A

на замовлення 2120 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	50.33 грн
10+	42.99 грн
100+	25.93 грн
500+	22.33 грн
1000+	18.97 грн
2500+	16.73 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DMN15M3UCA6-7

Description: DIODES INC. - DMN15M3UCA6-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 14 V, 14 V, 16.5 A, 16.5 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 16.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 14V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 16.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 14V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: X3-DSN2718
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 2472 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

35+	26.04 грн
36+	25.50 грн
100+	24.96 грн
500+	22.76 грн
1000+	20.55 грн

Мінімальне замовлення: 35

В кошику од. на суму грн.

DMN15M3UCA6-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V 24V X3-DSN2718-6 T&R 3K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN15M3UCA6-7

Description: MOSFET 2N-CH 14V X3-DSN2718-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 14V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2360pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: X3-DSN2718-6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN15M3UCA6-7

на замовлення 2472 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	24.96 грн
500+	22.76 грн
1000+	20.55 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMN15M5UCA6-7

Description: MOSFET 2N-CH 12V X4-DSN2117-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.6nC @ 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 840µA
Supplier Device Package: X4-DSN2117-6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN16M0UCA6-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN16M0UCA6-7

Description: MOSFET 2N-CH 12V 17A X4-DSN2112
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: X4-DSN2112-6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN16M7UCA6-7

Description: MOSFET 2N-CH 12V X4-DSN2718
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2333pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.4nC @ 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: X4-DSN2718-6

на замовлення 27000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	21.08 грн
6000+	18.65 грн
9000+	17.81 грн
15000+	15.83 грн
21000+	15.67 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN16M7UCA6-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V X4-DSN2718-6 T&R 3K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN16M8UCA6-7

Description: MOSFET 2N-CH 12V X3-DSN2718-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2333pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.4nC @ 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: X3-DSN2718-6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN16M9UCA6-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V

на замовлення 2984 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	109.26 грн
10+	67.93 грн
100+	39.06 грн
500+	32.18 грн
1000+	27.77 грн
3000+	23.37 грн
6000+	21.93 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

DMN16M9UCA6-7

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2004DMK

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN2004DMK-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-26 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.01 грн
6000+	10.90 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2004DMK-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-26 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2004DMK-7

Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 225mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active

на замовлення 75000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.29 грн
6000+	9.94 грн
9000+	9.47 грн
15000+	8.39 грн
21000+	8.09 грн
30000+	7.84 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2004DMK-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-26 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.79 грн
6000+	11.68 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2004DMK-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-26 T/R

на замовлення 2708 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1032+	12.28 грн

Мінімальне замовлення: 1032

В кошику од. на суму грн.

DMN2004DMK-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-26 T/R

на замовлення 2708 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

733+	13.16 грн
1000+	11.91 грн

Мінімальне замовлення: 733

В кошику од. на суму грн.

DMN2004DMK-7

Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 225mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active

на замовлення 75442 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	50.22 грн
12+	30.02 грн
100+	19.24 грн
500+	13.70 грн
1000+	12.30 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

DMN2004DMK-7

MOSFETs Dual N-Channel

на замовлення 18365 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	54.63 грн
12+	31.76 грн
100+	18.73 грн
500+	11.45 грн
1000+	10.17 грн
3000+	9.28 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

DMN2004DWK

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN2004DWK-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-363 T/R

на замовлення 115 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN2004DWK-7

Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	46.76 грн
12+	28.02 грн
100+	17.93 грн
500+	12.73 грн
1000+	11.41 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DMN2004DWK-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-363 T/R

на замовлення 115 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN2004DWK-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-363 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2004DWK-7

Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.44 грн
6000+	9.18 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2004DWK-7

MOSFETs Dual N-Channel

на замовлення 2652 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	52.20 грн
12+	31.39 грн
100+	17.45 грн
500+	13.29 грн
1000+	11.93 грн
3000+	8.24 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DMN2004DWK-7

Description: DIODES INC. - DMN2004DWK-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 540 mA, 540 mA, 0.4 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 540mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.4ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 200mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.4ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 200mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 1770 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	54.23 грн
50+	33.49 грн
100+	21.82 грн
500+	15.42 грн
1500+	12.78 грн

Мінімальне замовлення: 17

В кошику од. на суму грн.

DMN2004DWK-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-363 T/R

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.53 грн
6000+	9.44 грн
9000+	9.14 грн
15000+	8.51 грн
21000+	7.72 грн
30000+	7.20 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2004DWK-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-363 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.98 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2004DWK-7

на замовлення 1770 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	21.82 грн
500+	15.42 грн
1500+	12.78 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMN2004DWK-7-R

DIODES/ZETEX

2NxMOSFET 20V 0.54A 550mΩ 200mW DMN2004DWK-7 Diodes TDMN2004dwk
кількість в упаковці: 100 шт

на замовлення 500 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

200+	5.10 грн

Мінімальне замовлення: 200

В кошику од. на суму грн.

DMN2004DWKQ-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V

на замовлення 2045 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	48.19 грн
14+	28.17 грн
100+	16.09 грн
500+	11.85 грн
1000+	10.65 грн
3000+	7.20 грн
6000+	7.12 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DMN2004DWKQ-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.54A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.39 грн
6000+	9.11 грн
9000+	8.22 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2004DWKQ-7

Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.95nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2004DWKQ-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.54A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2004DWKQ-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.54A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.81 грн
6000+	8.56 грн
9000+	7.72 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2004DWKQ-7

Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.95nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2004DWKQ-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.54A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2004K

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN2004K

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2004K-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	4.46 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2004K-7

Description: DIODES INC. - DMN2004K-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.55 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 32377 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	36.01 грн
50+	18.14 грн
100+	9.70 грн
500+	8.67 грн
1500+	7.85 грн

Мінімальне замовлення: 25

В кошику од. на суму грн.

DMN2004K-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN2004K-7

MOSFETs 20V 540mA

на замовлення 48055 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	32.96 грн
23+	16.29 грн
100+	7.60 грн
500+	7.28 грн
3000+	5.68 грн
6000+	5.52 грн
9000+	4.56 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

DMN2004K-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 54000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.54 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2004K-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2004K-7

Description: MOSFET N-CH 20V 630MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 16 V

на замовлення 4484 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	30.30 грн
19+	18.18 грн
100+	11.44 грн
500+	8.00 грн
1000+	7.12 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

DMN2004K-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 120000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7110+	1.78 грн

Мінімальне замовлення: 7110

В кошику од. на суму грн.

DMN2004K-7

Description: DIODES INC. - DMN2004K-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.55 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 32377 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	9.70 грн
500+	8.67 грн
1500+	7.85 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMN2004K-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	2.07 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2004K-7

Description: MOSFET N-CH 20V 630MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 16 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.43 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2004K-7

DMN2004K-7 SMD N channel transistors

на замовлення 2205 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

8+	40.73 грн
178+	6.70 грн
489+	6.34 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DMN2004K-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 54000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	4.78 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2004K-7 NAB

DIODES/ZETEX

N-MOSFET 20V 630mA 550mΩ 350mW DMN2004K-7 Diodes TDMN2004k
кількість в упаковці: 100 шт

на замовлення 300 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

300+	2.27 грн

Мінімальне замовлення: 300

В кошику од. на суму грн.

DMN2004K-7-F

10+ROHS SOT-23

на замовлення 39000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN2004K-7-W

Description: MOSFET N-CH 20V 630MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 16 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2004K-7-W

Description: MOSFET N-CH 20V 630MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 16 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2004K-7-W

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 3K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2004L

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN2004TK-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.54A 3-Pin SOT-523 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.66 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2004TK-7

Description: MOSFET N-CH 20V 540MA SOT523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 16 V

на замовлення 468000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.62 грн
6000+	8.46 грн
9000+	8.06 грн
15000+	7.54 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2004TK-7

Description: DIODES INC. - DMN2004TK-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 540 mA, 0.4 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 20 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN2004TK-7

MOSFETs 20V N-CHANNEL

на замовлення 185744 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	31.28 грн
16+	23.47 грн
100+	11.53 грн
500+	10.09 грн
1000+	9.45 грн
3000+	8.00 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

DMN2004TK-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.54A 3-Pin SOT-523 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	14.47 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2004TK-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.54A 3-Pin SOT-523 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2004TK-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.54A 3-Pin SOT-523 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	15.50 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2004TK-7

Description: MOSFET N-CH 20V 540MA SOT523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 16 V

на замовлення 469709 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	49.35 грн
12+	29.35 грн
100+	18.77 грн
500+	13.35 грн
1000+	11.98 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DMN2004TK-7

на замовлення 20 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN2004TK-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.54A 3-Pin SOT-523 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	13.34 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2004VK-7

MOSFETs 20V 540mA

на замовлення 6119 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	45.76 грн
14+	27.98 грн
100+	15.53 грн
500+	11.69 грн
1000+	8.48 грн
3000+	7.20 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

DMN2004VK-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-563 T/R

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.55 грн
6000+	5.45 грн
9000+	3.67 грн
15000+	3.35 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2004VK-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-563 T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.70 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2004VK-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-563 T/R

на замовлення 1950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN2004VK-7

Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active

на замовлення 69000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.37 грн
6000+	8.22 грн
9000+	7.81 грн
15000+	6.90 грн
21000+	6.64 грн
30000+	6.40 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2004VK-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-563 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.22 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2004VK-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-563 T/R

на замовлення 1950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1120+	5.60 грн

Мінімальне замовлення: 1120

В кошику од. на суму грн.

DMN2004VK-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-563 T/R

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.18 грн
6000+	5.09 грн
9000+	3.42 грн
15000+	3.13 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2004VK-7

Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active

на замовлення 69830 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	42.43 грн
14+	25.43 грн
100+	16.21 грн
500+	11.47 грн
1000+	10.26 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

DMN2004VK-7B

Description: DIODES INC. - DMN2004VK-7B - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 540 mA, 540 mA, 0.55 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 540mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 250mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.55ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 5805 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

30+	30.08 грн
49+	18.68 грн
100+	11.76 грн
500+	8.06 грн
1000+	5.90 грн
5000+	5.30 грн

Мінімальне замовлення: 30

В кошику од. на суму грн.

DMN2004VK-7B

Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563

на замовлення 125912 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	25.98 грн
22+	15.59 грн
100+	9.80 грн
500+	6.82 грн
1000+	6.05 грн
2000+	5.40 грн

Мінімальне замовлення: 14

В кошику од. на суму грн.

DMN2004VK-7B

Trans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-563 T/R

на замовлення 112000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8000+	4.43 грн

Мінімальне замовлення: 8000

В кошику од. на суму грн.

DMN2004VK-7B

на замовлення 5805 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	11.76 грн
500+	8.06 грн
1000+	5.90 грн
5000+	5.30 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMN2004VK-7B

Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563

на замовлення 120000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8000+	4.72 грн
16000+	4.14 грн
24000+	3.94 грн
40000+	3.48 грн
56000+	3.35 грн
80000+	3.23 грн

Мінімальне замовлення: 8000

В кошику од. на суму грн.

DMN2004VK-7B

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT563 T&R 8.0K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2004VK-7B

Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2004VK-7B

Trans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-563 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2004WK

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN2004WK-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.54A 3-Pin SOT-323 T/R

на замовлення 1538 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1418+	6.38 грн

Мінімальне замовлення: 1418

В кошику од. на суму грн.

DMN2004WK-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.54A 3-Pin SOT-323 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.72 грн
6000+	5.85 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2004WK-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.54A 3-Pin SOT-323 T/R

на замовлення 4578000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.21 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2004WK-7

MOSFETs N-Channel

на замовлення 42970 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	36.14 грн
17+	21.91 грн
100+	12.09 грн
500+	9.04 грн
1000+	7.92 грн
3000+	5.44 грн
6000+	5.20 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

DMN2004WK-7

Description: MOSFET N-CH 20V 540MA SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 16 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4803175 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	33.77 грн
17+	19.93 грн
100+	12.60 грн
500+	8.84 грн
1000+	7.88 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

DMN2004WK-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.54A 3-Pin SOT-323 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.79 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2004WK-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.54A 3-Pin SOT-323 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.16 грн
6000+	6.23 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2004WK-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.54A 3-Pin SOT-323 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2004WK-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.54A 3-Pin SOT-323 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.28 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2004WK-7
Код товару: 183759

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-323
Uds,V: 20 V
Idd,A: 0,54 A
Rds(on), Ohm: 0,7 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 150/
Монтаж: SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2004WK-7

Description: MOSFET N-CH 20V 540MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 16 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4803000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.25 грн
6000+	5.46 грн
9000+	5.18 грн
15000+	4.55 грн
21000+	4.44 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2004WK-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.54A 3-Pin SOT-323 T/R

на замовлення 1538 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN2004WK-7-50

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2004WK-7-52

Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 16 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2004WKQ-7

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2004WKQ-7

на замовлення 27661395 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	30.30 грн
19+	17.76 грн
100+	11.22 грн
500+	7.84 грн
1000+	6.97 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

DMN2004WKQ-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.54A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2004WKQ-7

Description: DIODES INC. - DMN2004WKQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 540 mA, 0.4 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 3325 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

26+	35.29 грн
42+	21.73 грн
100+	13.74 грн
500+	9.25 грн
1000+	7.67 грн

Мінімальне замовлення: 26

В кошику од. на суму грн.

DMN2004WKQ-7

на замовлення 27660000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.30 грн
6000+	5.49 грн
9000+	5.19 грн
15000+	4.56 грн
21000+	4.38 грн
30000+	4.20 грн
75000+	3.75 грн
150000+	3.73 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2004WKQ-7

на замовлення 3325 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	13.74 грн
500+	9.25 грн
1000+	7.67 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMN2004WKQ-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.54A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 27651000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.31 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2004WKQ-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V

на замовлення 14937 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	32.96 грн
19+	19.97 грн
100+	11.05 грн
500+	8.24 грн
1000+	7.36 грн
3000+	6.16 грн
6000+	5.60 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

DMN2005DLP4K-7

Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.3A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 400mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 100µA
Supplier Device Package: X2-DFN1310-6 (Type B)

на замовлення 25733 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	47.62 грн
12+	28.52 грн
100+	13.24 грн
500+	11.22 грн
1000+	10.33 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DMN2005DLP4K-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.3A 6-Pin DFN T/R

на замовлення 102000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.87 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2005DLP4K-7

MOSFETs N-Channel

на замовлення 19428 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	50.61 грн
12+	30.84 грн
100+	13.93 грн
500+	12.17 грн
1000+	11.13 грн
3000+	7.60 грн
6000+	7.52 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DMN2005DLP4K-7

Description: DIODES INC. - DMN2005DLP4K-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 300 mA, 300 mA, 0.35 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.35ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 400mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: X2-DFN1310
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.35ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 2150 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

27+	33.40 грн
41+	22.18 грн
100+	11.67 грн
500+	10.17 грн
1000+	8.70 грн

Мінімальне замовлення: 27

В кошику од. на суму грн.

DMN2005DLP4K-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.3A 6-Pin DFN T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2005DLP4K-7

Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.3A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 400mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 100µA
Supplier Device Package: X2-DFN1310-6 (Type B)

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.80 грн
6000+	8.29 грн
9000+	8.26 грн
15000+	7.71 грн
21000+	7.58 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2005DLP4K-7

на замовлення 2150 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	11.67 грн
500+	10.17 грн
1000+	8.70 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMN2005K

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN2005K-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.94 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2005K-7

MOSFET N-Channel

на замовлення 33044 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	32.12 грн
16+	24.39 грн
100+	11.21 грн
1000+	8.96 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

DMN2005K-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 873 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

28+	26.56 грн
34+	21.35 грн
35+	21.17 грн
100+	11.80 грн
250+	10.81 грн
500+	5.60 грн

Мінімальне замовлення: 28

В кошику од. на суму грн.

DMN2005K-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2005K-7

Description: MOSFET N-CH 20V 300MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 200mA, 2.7V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.7V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V

на замовлення 441545 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	38.96 грн
15+	23.01 грн
100+	14.63 грн
500+	10.32 грн
1000+	9.22 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

DMN2005K-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 873 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

642+	19.76 грн

Мінімальне замовлення: 642

В кошику од. на суму грн.

DMN2005K-7

Description: MOSFET N-CH 20V 300MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 200mA, 2.7V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.7V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V

на замовлення 441000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.36 грн
6000+	7.32 грн
9000+	6.95 грн
15000+	6.13 грн
21000+	5.90 грн
30000+	5.68 грн
75000+	5.34 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2005LP4K-7

Description: MOSFET N-CH 20V 200MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 100µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 3 V

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.71 грн
6000+	6.74 грн
9000+	6.39 грн
15000+	5.63 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2005LP4K-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin DFN T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

24+	30.77 грн
28+	26.00 грн
29+	25.71 грн
100+	11.81 грн
250+	10.82 грн
500+	10.29 грн
1000+	7.97 грн
3000+	5.82 грн

Мінімальне замовлення: 24

В кошику од. на суму грн.

DMN2005LP4K-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin DFN T/R

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.15 грн
9000+	6.39 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2005LP4K-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin DFN T/R

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.66 грн
9000+	6.84 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2005LP4K-7

MOSFETs 20V 300mA

на замовлення 48508 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

13+	29.70 грн
23+	16.38 грн
100+	7.28 грн
1000+	6.72 грн
3000+	5.76 грн
9000+	5.68 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

DMN2005LP4K-7

Description: MOSFET N-CH 20V 200MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 100µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 3 V

на замовлення 15772 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	35.50 грн
16+	21.43 грн
100+	13.54 грн
500+	9.52 грн
1000+	8.49 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DMN2005LP4K-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin DFN T/R

на замовлення 1668000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.11 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2005LP4K-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin DFN T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2005LP4K-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin DFN T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

528+	24.00 грн
1109+	11.43 грн
1121+	11.31 грн
1132+	10.80 грн
1461+	7.75 грн
3000+	5.43 грн

Мінімальне замовлення: 528

В кошику од. на суму грн.

DMN2005LP4K-7-52

Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 100µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 37.1 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2005LPK-7

Description: DIODES INC. - DMN2005LPK-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 440 mA, 0.35 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 440mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 2740 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	9.16 грн
500+	7.82 грн
1000+	6.83 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMN2005LPK-7

MOSFETs 20V 200mA

на замовлення 10616 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	33.71 грн
18+	21.54 грн
100+	9.37 грн
1000+	7.36 грн
3000+	5.76 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

DMN2005LPK-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.44A 3-Pin DFN T/R

на замовлення 2328 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	31.62 грн
30+	24.54 грн
33+	22.00 грн
100+	12.65 грн
250+	11.39 грн
500+	10.19 грн
1000+	5.89 грн

Мінімальне замовлення: 23

В кошику од. на суму грн.

DMN2005LPK-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.44A 3-Pin DFN T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2005LPK-7

Description: MOSFET N-CH 20V 440MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 440mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 450mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 100µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V

на замовлення 45849 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	27.71 грн
19+	18.18 грн
100+	12.26 грн
500+	8.90 грн
1000+	8.03 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

DMN2005LPK-7

DMN2005LPK-7 SMD N channel transistors

на замовлення 1124 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

22+	15.08 грн
218+	5.50 грн
600+	5.20 грн

Мінімальне замовлення: 22

В кошику од. на суму грн.

DMN2005LPK-7

на замовлення 2740 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

29+	31.97 грн
46+	19.93 грн
100+	9.16 грн
500+	7.82 грн
1000+	6.83 грн

Мінімальне замовлення: 29

В кошику од. на суму грн.

DMN2005LPK-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.44A 3-Pin DFN T/R

на замовлення 2328 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

618+	20.54 грн
1036+	12.24 грн
1064+	11.91 грн
1142+	10.70 грн
1977+	5.72 грн

Мінімальне замовлення: 618

В кошику од. на суму грн.

DMN2005LPK-7

Description: MOSFET N-CH 20V 440MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 440mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 450mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 100µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V

на замовлення 42000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.65 грн
6000+	6.75 грн
9000+	6.44 грн
15000+	5.71 грн
21000+	5.51 грн
30000+	5.38 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2005LPK-7B

Trans MOSFET N-CH 20V 0.44A 3-Pin X1-DFN T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2005UFG

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2005UFG-13

Description: MOSFET N-CH 20V 18.1A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.05W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6495 pF @ 10 V

на замовлення 525000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	16.05 грн
6000+	15.06 грн
9000+	14.83 грн
15000+	13.66 грн
21000+	13.64 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2005UFG-13

Trans MOSFET N-CH 20V 18A 8-Pin PowerDI EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2005UFG-13

Description: DIODES INC. - DMN2005UFG-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 50 A, 4000 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.05W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 2720 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	22.99 грн
500+	18.18 грн
1000+	14.24 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMN2005UFG-13

MOSFETs 20V N-Ch Enh Mode FET 12Vgss 1.05W

на замовлення 3683 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	39.31 грн
12+	32.22 грн
100+	20.41 грн
500+	18.89 грн
1000+	16.01 грн
3000+	13.85 грн
6000+	13.77 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DMN2005UFG-13

Trans MOSFET N-CH 20V 18A 8-Pin PowerDI EP T/R

на замовлення 522000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	15.97 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2005UFG-13

Description: MOSFET N-CH 20V 18.1A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.05W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6495 pF @ 10 V

на замовлення 527721 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	38.96 грн
11+	31.27 грн
100+	22.75 грн
500+	19.77 грн
1000+	16.17 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

DMN2005UFG-13

Trans MOSFET N-CH 20V 18A 8-Pin PowerDI EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2005UFG-13

на замовлення 2720 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

24+	38.07 грн
29+	31.61 грн
100+	22.99 грн
500+	18.18 грн
1000+	14.24 грн

Мінімальне замовлення: 24

В кошику од. на суму грн.

DMN2005UFG-13

Trans MOSFET N-CH 20V 18A 8-Pin PowerDI EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2005UFG-7

MOSFETs 20V N-Ch Enh FET 6495pF 66.8nC

на замовлення 4286 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	36.14 грн
15+	25.77 грн
100+	17.45 грн
500+	13.53 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

DMN2005UFG-7

Description: DIODES INC. - DMN2005UFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 50 A, 4000 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.05W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 958 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	21.82 грн
500+	15.76 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMN2005UFG-7

Trans MOSFET N-CH 20V 18A 8-Pin PowerDI EP T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	17.88 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

DMN2005UFG-7

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	17.85 грн
4000+	15.76 грн
6000+	15.03 грн
10000+	13.33 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

DMN2005UFG-7
Код товару: 201744

Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2005UFG-7

Trans MOSFET N-CH 20V 18A 8-Pin PowerDI EP T/R

на замовлення 1950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

609+	7.03 грн
1000+	6.11 грн

Мінімальне замовлення: 609

В кошику од. на суму грн.

DMN2005UFG-7

на замовлення 958 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

24+	38.70 грн
33+	27.93 грн
100+	21.82 грн
500+	15.76 грн

Мінімальне замовлення: 24

В кошику од. на суму грн.

DMN2005UFG-7

Trans MOSFET N-CH 20V 18A 8-Pin PowerDI EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2005UFG-7

Trans MOSFET N-CH 20V 18A 8-Pin PowerDI EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2005UFG-7

на замовлення 14123 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	71.87 грн
10+	43.02 грн
100+	28.02 грн
500+	20.23 грн
1000+	18.27 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

DMN2005UFG-7

Trans MOSFET N-CH 20V 18A 8-Pin PowerDI EP T/R

на замовлення 1950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1656+	7.65 грн
1906+	6.65 грн

Мінімальне замовлення: 1656

В кошику од. на суму грн.

DMN2005UFGQ-13

20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET PowerDI3333-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2005UFGQ-13

Description: MOSFET N-CH 20V 18A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.05W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6495 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	30.52 грн
6000+	27.30 грн
9000+	27.04 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2005UFGQ-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2005UFGQ-13

20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET PowerDI3333-8 Automotive AEC-Q101

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	29.70 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2005UFGQ-7

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	32.13 грн
4000+	28.62 грн
6000+	27.44 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

DMN2005UFGQ-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2005UFGQ-7

20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET PowerDI3333-8 Automotive AEC-Q101

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	29.88 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

DMN2005UPS-13

20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	26.61 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DMN2005UPS-13

Description: MOSFET N-CH 20V 20A POWERDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 142 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5337 pF @ 10 V

на замовлення 7375 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	67.54 грн
10+	52.86 грн
100+	41.16 грн
500+	32.73 грн
1000+	26.67 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DMN2005UPS-13

Description: DIODES INC. - DMN2005UPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 A, 4600 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)

на замовлення 2490 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	33.13 грн
500+	26.60 грн
1000+	22.01 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMN2005UPS-13

20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

на замовлення 2488 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	31.57 грн
24+	30.35 грн
100+	27.69 грн
500+	25.32 грн
1000+	21.39 грн

Мінімальне замовлення: 23

В кошику од. на суму грн.

DMN2005UPS-13

Description: MOSFET N-CH 20V 20A POWERDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 142 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5337 pF @ 10 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	27.78 грн
5000+	25.47 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DMN2005UPS-13

Description: DIODES INC. - DMN2005UPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 A, 4600 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)

на замовлення 2490 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	55.31 грн
21+	44.81 грн
100+	33.13 грн
500+	26.60 грн
1000+	22.01 грн

Мінімальне замовлення: 17

В кошику од. на суму грн.

DMN2005UPS-13

20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2005UPS-13

MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 20Vdss 12Vgss 30A

на замовлення 2413 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	67.42 грн
10+	53.85 грн
100+	34.66 грн
500+	29.94 грн
1000+	26.81 грн
2500+	22.89 грн
5000+	22.57 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DMN2005UPS-13

20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	26.61 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DMN2008LFU-13

Trans MOSFET N-CH 20V 14.5A 6-Pin UDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2008LFU-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2008LFU-13

Description: MOSFET 2N-CH 20V 14.5A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1418pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 5.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type B)
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2008LFU-7

Description: MOSFET 2N-CH 20V 14.5A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1418pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 5.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250A
Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type B)
Part Status: Active

на замовлення 63710 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	71.87 грн
10+	45.44 грн
100+	30.44 грн
500+	22.38 грн
1000+	20.24 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

DMN2008LFU-7

Description: MOSFET 2N-CH 20V 14.5A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1418pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 5.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250A
Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type B)
Part Status: Active

на замовлення 63000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	19.39 грн
6000+	17.21 грн
9000+	16.81 грн
15000+	15.51 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2008LFU-7

Description: DIODES INC. - DMN2008LFU-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 14.5 A, 14.5 A, 0.0054 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 14.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 14.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1.7W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: U-DFN2030
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0054ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.7W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 4219 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	33.67 грн
500+	25.51 грн
1000+	21.40 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMN2008LFU-7

на замовлення 4219 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	73.90 грн
19+	49.65 грн
100+	33.67 грн
500+	25.51 грн
1000+	21.40 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

DMN2008LFU-7

Trans MOSFET N-CH 20V 14.5A 6-Pin UDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2008LFU-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V

на замовлення 3318 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	69.10 грн
10+	45.75 грн
100+	26.97 грн
500+	22.01 грн
1000+	19.93 грн
3000+	16.65 грн
6000+	16.17 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DMN2009LSS-13

Description: MOSFET N-CH 20V 12A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2555 pF @ 10 V

на замовлення 44028 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	70.13 грн
10+	47.86 грн
100+	32.38 грн
500+	24.00 грн
1000+	21.75 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

DMN2009LSS-13

Trans MOSFET N-CH 20V 12A 8-Pin SOP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2009LSS-13

MOSFET NMOS SINGLE N-CHANNL 20V 12A

на замовлення 5979 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN2009LSS-13

Description: MOSFET N-CH 20V 12A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2555 pF @ 10 V

на замовлення 42500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	20.73 грн
5000+	18.91 грн
7500+	16.89 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DMN2009UCA4-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V 24V X4-DSN1717-4 T&R 3K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2009UFDF-13

Transistor MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2009USS-13

Description: DIODES INC. - DMN2009USS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 12.1 A, 6300 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 574 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	31.79 грн
500+	24.76 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMN2009USS-13

Description: MOSFET N-CH 20V 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1706 pF @ 10 V

на замовлення 3251 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	46.76 грн
10+	38.94 грн
100+	26.91 грн
500+	20.74 грн
1000+	18.75 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DMN2009USS-13

на замовлення 574 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	53.43 грн
20+	45.97 грн
100+	31.79 грн
500+	24.76 грн

Мінімальне замовлення: 17

В кошику од. на суму грн.

DMN2009USS-13

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V

на замовлення 6594 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	52.11 грн
10+	44.92 грн
100+	26.65 грн
500+	22.33 грн
1000+	18.97 грн
2500+	15.21 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DMN2009USS-13

Description: MOSFET N-CH 20V 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1706 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2010UDZ-7

MOSFET Dual N-Ch Enh FET 24V 8Vgss 0.7W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2010UDZ-7

Description: MOSFET 2N-CH 20V 11A U-DFN2535-6

на замовлення 10644 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN2010UDZ-7

Description: MOSFET 2N-CH 20V 11A U-DFN2535-6

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN2011UFDE-13

Description: MOSFET N-CH 20V 11.7A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3372 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2011UFDE-13

MOSFETs 20V N-Ch Enh Mode 12Vgss 80A .61W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2011UFDE-7

Description: DIODES INC. - DMN2011UFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 11.7 A, 0.0065 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.97W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 1914 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	52.26 грн
20+	45.70 грн
100+	30.26 грн
500+	22.18 грн
1000+	18.70 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

DMN2011UFDE-7

Description: MOSFET N-CH 20V 11.7A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2248 pF @ 10 V

на замовлення 107118 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	46.76 грн
10+	40.02 грн
100+	26.33 грн
500+	21.58 грн
1000+	19.41 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DMN2011UFDE-7

MOSFETs 20V N-Ch Enh Mode 12Vgss 80A .61W

на замовлення 73718 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	81.90 грн
10+	50.54 грн
100+	28.74 грн
500+	22.17 грн
1000+	20.01 грн
3000+	14.81 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

DMN2011UFDE-7

Description: MOSFET N-CH 20V 11.7A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2248 pF @ 10 V

на замовлення 105000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	15.61 грн
6000+	14.79 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2011UFDE-7

на замовлення 1914 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	30.35 грн
500+	22.26 грн
1000+	18.32 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMN2011UFDF-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 10K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2011UFDF-13

Description: MOSFET N-CH 20V 14.2A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2248 pF @ 10 V

на замовлення 12325 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	54.55 грн
11+	32.77 грн
100+	21.07 грн
500+	15.06 грн
1000+	13.53 грн
2000+	12.25 грн
5000+	10.68 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

DMN2011UFDF-13

Description: MOSFET N-CH 20V 14.2A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2248 pF @ 10 V

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	10.74 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMN2011UFDF-7

Description: MOSFET N-CH 20V 14.2A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2248 pF @ 10 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	13.22 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2011UFDF-7

Description: MOSFET N-CH 20V 14.2A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2248 pF @ 10 V

на замовлення 4133 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	58.01 грн
10+	34.60 грн
100+	22.28 грн
500+	15.95 грн
1000+	14.35 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DMN2011UFDF-7

20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.08 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2011UFDF-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6 T&R 3K

на замовлення 3136 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	48.84 грн
12+	32.31 грн
100+	19.13 грн
500+	16.17 грн
1000+	13.77 грн
3000+	11.45 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DMN2011UFX-7

Description: MOSFET 2N-CH 20V 12.2A 4VDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2248pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN2050-4
Part Status: Active

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	23.14 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2011UFX-7

MOSFETs Dual N-Ch Enh FET 20Vds 12Vgs 2248pF

на замовлення 5919 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	79.47 грн
10+	52.84 грн
100+	31.86 грн
500+	27.77 грн
1000+	24.17 грн
3000+	19.69 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

DMN2011UFX-7

Description: MOSFET 2N-CH 20V 12.2A 4VDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2248pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN2050-4
Part Status: Active

на замовлення 4797 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	93.51 грн
10+	56.61 грн
100+	37.32 грн
500+	27.25 грн
1000+	24.74 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

DMN2011UTS-13

Description: MOSFET N-CH 20V 21A 8TSSOP

на замовлення 12723 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	48.49 грн
10+	39.44 грн
100+	29.47 грн
500+	21.73 грн
1000+	16.79 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DMN2011UTS-13

Description: MOSFET N-CH 20V 21A 8TSSOP

на замовлення 12500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	16.94 грн
5000+	15.26 грн
12500+	14.21 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DMN2011UTS-13

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V

на замовлення 284 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	48.65 грн
10+	41.24 грн
100+	24.97 грн
500+	19.53 грн
1000+	15.85 грн
2500+	13.61 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DMN2012UCA6-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2012UCA6-7

Description: MOSFET 2N-CH 24V 13A X3-DSN2718
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 820mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 24V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2417pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: X3-DSN2718-6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2013UFDE-7

Description: DIODES INC. - DMN2013UFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 10.5 A, 8400 µohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.03W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8400µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 2824 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	57.56 грн
19+	48.40 грн
100+	46.51 грн
500+	41.36 грн
1000+	37.40 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

DMN2013UFDE-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K

на замовлення 1667 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	59.39 грн
10+	49.34 грн
3000+	12.33 грн
6000+	11.69 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

DMN2013UFDE-7

Description: MOSFET N-CH 20V 10.5A 6UDFN

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2013UFDE-7

на замовлення 2824 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	46.51 грн
500+	41.36 грн
1000+	37.40 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMN2013UFDE-7

Description: MOSFET N-CH 20V 10.5A 6UDFN

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2013UFDEQ-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V 24V U-DFN2020-6 T&R 3K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2013UFX-7

Description: MOSFET 2N-CH 20V 10A 6-DFN

на замовлення 2828 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN2013UFX-7

MOSFETs 20V N-Ch Enh Mode 8Vgss 10A 0.78W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2013UFX-7

Description: MOSFET 2N-CH 20V 10A 6-DFN

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2013UFX-7

Trans MOSFET N-CH 20V 10A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	19.40 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2013UFX-7

Description: MOSFET 2N-CH 20V 10A 6-DFN

на замовлення 2828 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN2014LHAB-13

Description: DIODES INC. - DMN2014LHAB-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 9.3 A, 9.3 A, 0.01 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.01ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.7W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: U-DFN2030
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.01ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.7W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 9950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	35.92 грн
500+	28.10 грн
1000+	22.17 грн
5000+	13.55 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMN2014LHAB-13

Description: MOSFET 2N-CH 20V 9A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type B)
Part Status: Active

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	11.86 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMN2014LHAB-13

на замовлення 9950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	76.32 грн
21+	44.63 грн
100+	35.92 грн
500+	28.10 грн
1000+	22.17 грн
5000+	13.55 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

DMN2014LHAB-13

Description: MOSFET 2N-CH 20V 9A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type B)

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	47.62 грн
11+	30.68 грн
100+	20.89 грн
500+	15.41 грн
1000+	14.02 грн
2000+	12.84 грн
5000+	11.35 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DMN2014LHAB-13

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2030-6 T&R 10K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2014LHAB-7

Description: MOSFET 2N-CH 20V 9A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type B)
Part Status: Active

на замовлення 2023 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	64.07 грн
10+	38.35 грн
100+	24.81 грн
500+	17.78 грн
1000+	16.01 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DMN2014LHAB-7

Trans MOSFET N-CH 20V 9A 6-Pin UDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2014LHAB-7

Trans MOSFET N-CH 20V 9A 6-Pin UDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2014LHAB-7

Description: MOSFET 2N-CH 20V 9A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type B)
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2014LHAB-7

MOSFET FET BVDSS 8V 24V N-Ch Dual 20V 1550pF

на замовлення 2763 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	44.26 грн
10+	38.20 грн
100+	24.81 грн
500+	19.45 грн
1000+	15.05 грн
3000+	13.69 грн
9000+	12.57 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

DMN2014LHAB-7

Trans MOSFET N-CH 20V 9A 6-Pin UDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2015UFDE-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K

на замовлення 2385 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	58.64 грн
10+	37.65 грн
100+	21.45 грн
500+	17.05 грн
1000+	15.37 грн
3000+	11.93 грн
6000+	11.69 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

DMN2015UFDE-7

Description: MOSFET N-CH 20V 10.5A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 8.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1779 pF @ 10 V

на замовлення 138000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	13.94 грн
6000+	12.42 грн
9000+	11.91 грн
15000+	11.05 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2015UFDE-7

Description: DIODES INC. - DMN2015UFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 10.5 A, 9300 µohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 660mW
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9300µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	19.93 грн
500+	15.26 грн
1000+	12.62 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMN2015UFDE-7

Description: MOSFET N-CH 20V 10.5A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 8.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1779 pF @ 10 V

на замовлення 138015 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	48.49 грн
11+	31.35 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DMN2015UFDE-7

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	43.01 грн
30+	30.08 грн
100+	19.93 грн
500+	15.26 грн
1000+	12.62 грн

Мінімальне замовлення: 21

В кошику од. на суму грн.

DMN2015UFDE-7

на замовлення 140960 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	64.07 грн
10+	38.52 грн
100+	24.90 грн
500+	17.85 грн
1000+	16.07 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DMN2015UFDE-7

Trans MOSFET N-CH 20V 10.5A 6-Pin DFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2015UFDF-13

Description: MOSFET N-CH 20V 15.2A 6UDFN

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2015UFDF-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2015UFDF-7

Description: MOSFET N-CH 20V 15.2A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 8.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1439 pF @ 10 V

на замовлення 192000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.89 грн
6000+	10.48 грн
9000+	9.98 грн
15000+	8.85 грн
21000+	8.54 грн
30000+	8.32 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2015UFDF-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V

на замовлення 2605 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	50.61 грн
12+	33.05 грн
100+	19.37 грн
500+	14.73 грн
1000+	13.21 грн
3000+	9.69 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DMN2015UFDF-7

Trans MOSFET N-CH 20V 11.6A 6-Pin UDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2015UFDF-7

Description: DIODES INC. - DMN2015UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 11.6 A, 6800 µohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 2960 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	48.94 грн
28+	32.41 грн
100+	21.82 грн
500+	14.17 грн
1000+	11.78 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

DMN2015UFDF-7

Description: MOSFET N-CH 20V 15.2A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 8.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1439 pF @ 10 V

на замовлення 194767 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	52.82 грн
11+	31.43 грн
100+	20.21 грн
500+	14.42 грн
1000+	12.95 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

DMN2015UFDF-7

на замовлення 2960 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	21.82 грн
500+	14.17 грн
1000+	11.78 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMN2016LFG-7

Trans MOSFET N-CH 20V 5.2A 8-Pin DFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2016LFG-7

Trans MOSFET N-CH 20V 5.2A 8-Pin DFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2016LFG-7

Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8UDFN

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2016LFG-7

Trans MOSFET N-CH 20V 5.2A 8-Pin DFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2016LFG-7

Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8UDFN

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2016LFG-7

MOSFET MOSFET N-CHANNEL DFN DFN3030-8 GREEN 3K

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	55.56 грн
10+	46.76 грн
100+	29.14 грн
500+	22.73 грн
1000+	18.49 грн
3000+	15.85 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

DMN2016LHAB-7

Description: MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type B)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	14.53 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2016LHAB-7

MOSFET DUAL N-CH MOSFET 20V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN2016LHAB-7

Trans MOSFET N-CH 20V 7.5A 6-Pin UDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2016LHAB-7

Description: MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type B)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	55.41 грн
10+	35.77 грн
100+	24.52 грн
500+	18.17 грн
1000+	16.57 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

DMN2016UFX-7

MOSFETs MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2016UFX-7

Description: MOSFET 2N-CH 24V 9.9A 4VDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.07W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 24V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 6.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN2050-4

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	19.40 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2016UFX-7

Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2016UTS-13

Description: MOSFET 2N-CH 20V 8.58A 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 880mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.58A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1495pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 9.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP

на замовлення 115000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	13.91 грн
5000+	13.24 грн
7500+	12.94 грн
12500+	11.74 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DMN2016UTS-13

Description: DIODES INC. - DMN2016UTS-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 8.58 A, 8.58 A, 0.011 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.58A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.011ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 880mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.011ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 880mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 412 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	23.88 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMN2016UTS-13

Trans MOSFET N-CH 20V 8.58A 8-Pin TSSOP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2016UTS-13

Trans MOSFET N-CH 20V 8.58A 8-Pin TSSOP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2016UTS-13

MOSFETs N-Ch Dual MOSFET 20V VDSS 8V VGSS

на замовлення 4985 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	69.10 грн
10+	43.82 грн
100+	16.01 грн
500+	14.49 грн
1000+	13.53 грн
2500+	12.17 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DMN2016UTS-13

Description: MOSFET 2N-CH 20V 8.58A 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 880mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.58A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1495pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 9.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP

на замовлення 117727 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	63.21 грн
10+	39.27 грн
100+	23.40 грн
500+	17.55 грн
1000+	15.89 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DMN2016UTS-13

на замовлення 412 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	53.25 грн
24+	38.07 грн
100+	23.88 грн

Мінімальне замовлення: 17

В кошику од. на суму грн.

DMN2016UTS-13

Trans MOSFET N-CH 20V 8.58A 8-Pin TSSOP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2019UTS-13

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V 24V TSSOP-8 T&R 2.5

на замовлення 2357 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	34.74 грн
13+	29.27 грн
100+	19.05 грн
500+	14.97 грн
1000+	11.61 грн
2500+	9.85 грн
10000+	9.61 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

DMN2019UTS-13

Description: DIODES INC. - DMN2019UTS-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 5.4 A, 5.4 A, 0.0155 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0155ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 780mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0155ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 780mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 2075 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	40.32 грн
33+	27.66 грн
100+	18.77 грн
500+	13.67 грн
1000+	9.47 грн

Мінімальне замовлення: 23

В кошику од. на суму грн.

DMN2019UTS-13

Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 780mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Part Status: Active

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	11.37 грн
5000+	10.10 грн
7500+	9.65 грн
12500+	8.54 грн
17500+	8.22 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DMN2019UTS-13

на замовлення 2075 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	18.77 грн
500+	13.67 грн
1000+	9.47 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMN2019UTS-13

Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 780mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Part Status: Active

на замовлення 21429 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	50.22 грн
12+	30.02 грн
100+	19.27 грн
500+	13.71 грн
1000+	12.00 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

DMN2020LSN-7

Trans MOSFET N-CH 20V 6.9A 3-Pin SC-59 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2020LSN-7

Description: DIODES INC. - DMN2020LSN-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.9 A, 0.013 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 610mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 2559 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	21.19 грн
500+	15.34 грн
1000+	10.24 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMN2020LSN-7

DMN2020LSN-7 SMD N channel transistors

на замовлення 616 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

8+	42.24 грн
132+	9.10 грн
362+	8.60 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DMN2020LSN-7

Description: MOSFET N-CH 20V 6.9A SC59-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-59-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1149 pF @ 10 V

на замовлення 90000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.83 грн
6000+	9.07 грн
9000+	8.17 грн
30000+	7.55 грн
75000+	7.10 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2020LSN-7

Trans MOSFET N-CH 20V 6.9A 3-Pin SC-59 T/R

на замовлення 2318 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

490+	25.89 грн
786+	16.13 грн
819+	15.48 грн
854+	14.31 грн
1473+	7.69 грн

Мінімальне замовлення: 490

В кошику од. на суму грн.

DMN2020LSN-7

на замовлення 2559 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	45.79 грн
27+	33.67 грн
100+	21.19 грн
500+	15.34 грн
1000+	10.24 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

DMN2020LSN-7

Description: MOSFET N-CH 20V 6.9A SC59-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-59-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1149 pF @ 10 V

на замовлення 90541 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	36.37 грн
13+	27.18 грн
100+	16.33 грн
500+	14.19 грн
1000+	9.65 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DMN2020LSN-7

Trans MOSFET N-CH 20V 6.9A 3-Pin SC-59 T/R

на замовлення 2318 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	39.33 грн
24+	30.99 грн
27+	27.74 грн
100+	16.66 грн
250+	14.80 грн
500+	13.63 грн
1000+	7.91 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

DMN2020LSN-7

MOSFETs MOSFET,N-CHANNEL

на замовлення 10180 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	38.57 грн
18+	21.36 грн
100+	12.09 грн
500+	10.01 грн
1000+	9.37 грн
3000+	7.76 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DMN2020LSN-7

Trans MOSFET N-CH 20V 6.9A 3-Pin SC-59 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2020UFCL-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 7.1A; Idm: 45A; 610mW
Mounting: SMD
Case: X1-DFN1616-6
Polarisation: unipolar
Gate charge: 21.5nC
On-state resistance: 26mΩ
Power dissipation: 0.61W
Drain current: 7.1A
Pulsed drain current: 45A
Gate-source voltage: ±10V
Drain-source voltage: 20V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2020UFCL-7

Trans MOSFET N-CH 20V 9A 6-Pin X1-DFN EP T/R

на замовлення 45000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.58 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2020UFCL-7

Description: MOSFET N-CH 20V 9A X1-DFN1616-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1616-6 (Type E)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1788 pF @ 10 V

на замовлення 1148299 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	47.62 грн
12+	29.85 грн
100+	20.34 грн
500+	14.47 грн
1000+	12.98 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DMN2020UFCL-7

Trans MOSFET N-CH 20V 9A 6-Pin X1-DFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2020UFCL-7

MOSFETs 20V N-Ch Enh FET 0.61W 1788pF 21.5nC

на замовлення 4667 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	41.74 грн
13+	28.35 грн
100+	18.09 грн
500+	13.77 грн
1000+	12.33 грн
3000+	9.69 грн
6000+	9.04 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

DMN2020UFCL-7

Trans MOSFET N-CH 20V 9A 6-Pin X1-DFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2020UFCL-7

Description: MOSFET N-CH 20V 9A X1-DFN1616-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1616-6 (Type E)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1788 pF @ 10 V

на замовлення 1146000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	12.54 грн
6000+	10.70 грн
9000+	9.73 грн
15000+	9.10 грн
21000+	8.78 грн
30000+	8.63 грн
75000+	8.32 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2020UFCL-7

Trans MOSFET N-CH 20V 9A 6-Pin X1-DFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2022UCA4-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V X4-DSN1717-4 T&R 3K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2022UCA4-7

Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V X4-DSN1717-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel, Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 24V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1438pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5nC @ 4V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 1mA
Supplier Device Package: X4-DSN1717-4

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	17.51 грн
6000+	15.70 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2022UCA4-7

MOSFET BVDSS: 8V24V X4-DSN1717-4 T&R 3K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2022UDH-13

Trans MOSFET N-CH 20V 10A 8-Pin VQFN T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2022UDH-13

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2022UDH-7

Trans MOSFET N-CH 20V 10A 8-Pin VQFN T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2022UDH-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2022UDH-7

Description: MOSFET BVDSS: 8V 24V V-DFN3030-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2022UFDF-13

Trans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin UDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2022UFDF-13

Description: MOSFET N-CH 20V 7.9A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 907 pF @ 10 V

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	9.83 грн
30000+	9.24 грн
50000+	9.01 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMN2022UFDF-13

Trans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin UDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2022UFDF-13

Trans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin UDFN EP T/R

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	10.01 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMN2022UFDF-13

MOSFETs 20V N-Ch Enh Mode 8Vgss 7.9A .66W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2022UFDF-7

Trans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin UDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2022UFDF-7

Description: MOSFET N-CH 20V 7.9A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 907 pF @ 10 V

на замовлення 46979 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	36.37 грн
13+	27.10 грн
100+	16.21 грн
500+	14.09 грн
1000+	9.58 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DMN2022UFDF-7

Description: DIODES INC. - DMN2022UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7.9 A, 0.015 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.03W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 2900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	15.71 грн
500+	11.09 грн
1000+	9.00 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMN2022UFDF-7

MOSFETs 20V N-Ch Enh Mode 8Vgss 7.9A .66W

на замовлення 4586 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	39.31 грн
13+	29.36 грн
100+	16.41 грн
500+	12.41 грн
1000+	10.97 грн
3000+	9.45 грн
6000+	8.24 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DMN2022UFDF-7

Trans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin UDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2022UFDF-7

Trans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin UDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2022UFDF-7

на замовлення 45000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.95 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2022UFDF-7

на замовлення 2900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

28+	32.32 грн
37+	24.51 грн
100+	15.71 грн
500+	11.09 грн
1000+	9.00 грн

Мінімальне замовлення: 28

В кошику од. на суму грн.

DMN2022UFDF-7

Trans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin UDFN EP T/R

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.32 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2022UNS-13

Description: MOSFET 2N-CH 20V 10.7A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.3nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXB)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2022UNS-13

MOSFET Dual N-Ch Enh FET 20V 10Vgss 1.2W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2022UNS-7

Description: MOSFET 2N-CH 20V 10.7A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.3nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXB)

на замовлення 84000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	48.49 грн
10+	40.35 грн
100+	27.94 грн
500+	21.91 грн
1000+	18.65 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DMN2022UNS-7

Trans MOSFET N-CH 20V 10.7A 8-Pin PowerDI EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2022UNS-7

на замовлення 84000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	18.38 грн
6000+	16.76 грн
10000+	15.52 грн
50000+	14.42 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

DMN2022UNS-7

MOSFETs Dual N-Ch Enh FET 20V 10Vgss 1.2W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2022UNS-7

Trans MOSFET N-CH 20V 10.7A 8-Pin PowerDI EP T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	16.63 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

DMN2023LSD

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2023UCB4-7

Trans MOSFET N-CH 6A 4-Pin X1-WLB T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2023UCB4-7

Description: MOSFET 2N-CH 24V 6A X1-WLB1818-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.45W
Drain to Source Voltage (Vdss): 24V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3333pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: X1-WLB1818-4
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2023UCB4-7

Trans MOSFET N-CH 6A 4-Pin X1-WLB T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2023UCB4-7

Trans MOSFET N-CH 6A 4-Pin X1-WLB T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	21.19 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2023UCB4-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 24V; 4.8A; Idm: 20A; 1.45W
Mounting: SMD
Case: X1-WLB1818-4
Gate charge: 37nC
On-state resistance: 40mΩ
Power dissipation: 1.45W
Drain current: 4.8A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 24V
Pulsed drain current: 20A
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2023UCB4-7

Description: MOSFET 2N-CH 24V 6A X1-WLB1818-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.45W
Drain to Source Voltage (Vdss): 24V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3333pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: X1-WLB1818-4
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2023UCB4-7

Trans MOSFET N-CH 6A 4-Pin X1-WLB T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	22.21 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2023UCB4-7

MOSFETs N-Ch 24Vds 12Vgs 6.0A Enh FET 2564pF

на замовлення 5990 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	76.29 грн
10+	50.17 грн
100+	29.30 грн
500+	22.81 грн
1000+	20.65 грн
3000+	17.85 грн
6000+	17.77 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

DMN2023UCB4-7

на замовлення 2988 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	75.33 грн
10+	45.69 грн
100+	29.79 грн
500+	21.56 грн
1000+	19.50 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

DMN2023UCB4-7

Trans MOSFET N-CH 6A 4-Pin X1-WLB T/R

на замовлення 57000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	22.21 грн
15000+	20.29 грн
30000+	18.88 грн
45000+	17.17 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2024LCA4-7

MOSFET BVDSS: 8V24V X4-DSN1313-4 T&R 3K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2024LCA4-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V X4-DSN1313-4 T&R 3K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2024LCA4-7

Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V X4-DSN1313-
Packaging: Tape & Reel (TR)

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.49 грн
6000+	10.35 грн
15000+	9.64 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2024U

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2024U-13

Description: MOSFET N-CH 20V 6.8A SOT23 T&R 1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647 pF @ 10 V

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	7.22 грн
30000+	6.86 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMN2024U-13

Trans MOSFET N-CH 20V 6.8A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	6.17 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMN2024U-13

MOSFETs MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2024U-13

Description: MOSFET N-CH 20V 6.8A SOT23 T&R 1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647 pF @ 10 V

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	38.10 грн
13+	25.76 грн
100+	13.01 грн
500+	10.81 грн
1000+	8.42 грн
2000+	7.53 грн
5000+	7.24 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DMN2024U-13

Trans MOSFET N-CH 20V 6.8A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2024U-7

Trans MOSFET N-CH 20V 6.8A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2024U-7

MOSFETs MOSFET

на замовлення 7868 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	40.81 грн
15+	25.04 грн
100+	10.33 грн
1000+	9.04 грн
3000+	8.00 грн
9000+	6.24 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DMN2024U-7

Description: MOSFET N-CH 20V 6.8A SOT23 T&R 3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647 pF @ 10 V

на замовлення 2946 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN2024U-7

Trans MOSFET N-CH 20V 6.8A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.29 грн
9000+	6.45 грн
24000+	6.01 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2024U-7

Trans MOSFET N-CH 20V 6.8A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 432000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.17 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2024U-7

Description: MOSFET N-CH 20V 6.8A SOT23 T&R 3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647 pF @ 10 V

на замовлення 2954 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	36.37 грн
16+	21.18 грн
100+	13.40 грн
500+	9.42 грн
1000+	8.41 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DMN2024U-7

Trans MOSFET N-CH 20V 6.8A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.54 грн
9000+	7.57 грн
24000+	7.04 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2024U-7

Trans MOSFET N-CH 20V 6.8A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.22 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2024U-7-ML

MOSLEADER

Description: N 20V 6.8A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)

на замовлення 300000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	3.96 грн
3000+	3.47 грн
6000+	3.35 грн
15000+	3.04 грн
30000+	2.93 грн
75000+	2.66 грн
150000+	2.46 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

DMN2024UDH-7

Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 950mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 6.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN3030-8
Part Status: Active

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	15.50 грн
6000+	14.17 грн
9000+	13.15 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2024UDH-7

DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2024UDH-7

DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	13.92 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2024UDH-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2024UFDF-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2024UFDF-13

20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2024UFDF-13

Description: MOSFET N-CH 20V 7.1A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2024UFDF-7

20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2024UFDF-7

Description: MOSFET N-CH 20V 7.1A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647 pF @ 10 V

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.14 грн
6000+	8.01 грн
9000+	7.61 грн
15000+	6.72 грн
21000+	6.47 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2024UFDF-7

20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2024UFDF-7

Description: DIODES INC. - DMN2024UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7.1 A, 0.015 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.67W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 324 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	12.21 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMN2024UFDF-7

20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

на замовлення 33000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.53 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2024UFDF-7

Description: MOSFET N-CH 20V 7.1A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647 pF @ 10 V

на замовлення 22690 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	41.56 грн
14+	24.85 грн
100+	15.84 грн
500+	11.20 грн
1000+	10.02 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

DMN2024UFDF-7

на замовлення 324 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

27+	34.30 грн
39+	23.08 грн
100+	12.21 грн

Мінімальне замовлення: 27

В кошику од. на суму грн.

DMN2024UFDF-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V

на замовлення 156 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	39.31 грн
14+	27.25 грн
100+	12.09 грн
500+	11.69 грн
1000+	10.17 грн
3000+	8.48 грн
6000+	7.44 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DMN2024UFU-13

Description: MOSFET 2N-CH 20V 7.5A/21A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 810mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), 21A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.2mOhm @ 6.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type B)
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2024UFU-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V 24V U-DFN2030-6 T&R 10K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2024UFU-7

Description: DIODES INC. - DMN2024UFU-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 21 A, 21 A, 0.0202 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 21A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 810mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: U-DFN2030
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0202ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 810mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 2970 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	51.27 грн
500+	43.69 грн
1000+	39.79 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMN2024UFU-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2030-6 T&R 3K

на замовлення 5969 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	81.90 грн
10+	57.16 грн
100+	45.46 грн
500+	45.14 грн
1000+	44.66 грн
3000+	14.89 грн
6000+	11.61 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

DMN2024UFU-7

Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2024UFU-7

Description: DIODES INC. - DMN2024UFU-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 21 A, 21 A, 0.0202 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 21A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 810mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: U-DFN2030
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0202ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 810mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 2970 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	80.09 грн
16+	56.12 грн
100+	51.27 грн
500+	43.69 грн
1000+	39.79 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

DMN2024UFU-7

Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	12.49 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2024UFU-7

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	14.47 грн
6000+	12.78 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2024UFX-7

Description: DIODES INC. - DMN2024UFX-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 8 A, 8 A, 0.022 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 920mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: V-DFN2050
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.022ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 920mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 2980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	54.23 грн
26+	34.66 грн
100+	29.72 грн
500+	23.01 грн
1000+	18.55 грн

Мінімальне замовлення: 17

В кошику од. на суму грн.

DMN2024UFX-7

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	13.37 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2024UFX-7

Description: MOSFET 2N-CH 20V 8A 4VDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 920mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN2050-4

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2024UFX-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V V-DFN2050-4 T&R 3K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2024UFX-7

на замовлення 2980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	29.72 грн
500+	23.01 грн
1000+	18.55 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMN2024UQ-13

Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2024UQ-13

MOSFET BVDSS: 8V24V SOT23 T&R 10K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2024UQ-13

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 10K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2024UQ-7

N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101

на замовлення 384000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.82 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2024UQ-7

Description: DIODES INC. - DMN2024UQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.8 A, 0.016 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 5865 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	20.20 грн
500+	14.59 грн
1000+	10.78 грн
3000+	9.00 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMN2024UQ-7

Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 313460 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	45.89 грн
13+	27.35 грн
100+	13.22 грн
500+	12.36 грн
1000+	11.06 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DMN2024UQ-7

на замовлення 5865 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	43.64 грн
28+	32.15 грн
100+	20.20 грн
500+	14.59 грн
1000+	10.78 грн
3000+	9.00 грн

Мінімальне замовлення: 21

В кошику од. на суму грн.

DMN2024UQ-7

Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 312000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.51 грн
6000+	8.31 грн
9000+	7.46 грн
15000+	6.91 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2024UQ-7

MOSFET BVDSS: 8V24V SOT23 T&R 3K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2024UQ-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3K

на замовлення 5990 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	37.35 грн
13+	28.81 грн
100+	14.01 грн
1000+	9.53 грн
3000+	8.32 грн
9000+	7.52 грн
24000+	7.36 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DMN2024UTS-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V

на замовлення 2283 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	52.20 грн
11+	35.90 грн
100+	21.05 грн
500+	16.57 грн
1000+	14.97 грн
2500+	11.37 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DMN2024UTS-13

Description: MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 890mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta), 15.2A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP

на замовлення 89867 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	52.82 грн
10+	33.52 грн
100+	21.99 грн
500+	16.57 грн
1000+	14.91 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

DMN2024UTS-13

High Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	12.13 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DMN2024UTS-13

Description: MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 890mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta), 15.2A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP

на замовлення 87500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	11.57 грн
5000+	10.92 грн
7500+	10.78 грн
12500+	9.88 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DMN2024UVT-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2024UVT-13

Description: MOSFET 2N-CH 20V 7A TSOT23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-23-6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2024UVT-13

High Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2024UVT-13

High Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2024UVT-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2024UVT-7

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2024UVT-7

High Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2024UVTQ-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V TSOT26 T&R 10K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2024UVTQ-13

Description: MOSFET 2N-CH 20V 7A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2024UVTQ-13

N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2024UVTQ-7

MOSFET BVDSS: 8V24V TSOT26 T&R 3K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2024UVTQ-7

Description: DIODES INC. - DMN2024UVTQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 7 A, 7 A, 0.019 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 2905 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	27.03 грн
500+	19.93 грн
1000+	15.47 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMN2024UVTQ-7

N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2024UVTQ-7

на замовлення 2905 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	46.24 грн
30+	30.80 грн
100+	27.03 грн
500+	19.93 грн
1000+	15.47 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

DMN2024UVTQ-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V TSOT26 T&R 3K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2024UVTQ-7

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.04 грн
6000+	10.09 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2024UVTQ-7

N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.92 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2025U

Description: DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2025U-13

Description: MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 1
Packaging: Tape & Reel (TR)

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	4.40 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMN2025U-13

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	3.64 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMN2025U-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2025U-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V

на замовлення 8002 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	32.96 грн
16+	23.84 грн
100+	11.77 грн
1000+	6.00 грн
3000+	4.80 грн
9000+	4.08 грн
24000+	3.84 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

DMN2025U-7

Description: MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 10 V

на замовлення 19245 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	25.98 грн
23+	15.09 грн
100+	6.49 грн
500+	6.09 грн

Мінімальне замовлення: 14

В кошику од. на суму грн.

DMN2025U-7

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2025U-7

Description: MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 10 V

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.47 грн
6000+	4.54 грн
9000+	3.81 грн
15000+	3.43 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2025U-7

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3481+	3.64 грн

Мінімальне замовлення: 3481

В кошику од. на суму грн.

DMN2025UFDB-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 10K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2025UFDB-13

Description: MOSFET 2N-CH 20V 6A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 486pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2025UFDB-13

Dual 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2025UFDB-7

Dual 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2025UFDB-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2025UFDB-7

Description: DIODES INC. - DMN2025UFDB-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 6 A, 6 A, 0.0185 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0185ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0185ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 1550 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	23.79 грн
500+	22.01 грн
1000+	20.24 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMN2025UFDB-7

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.94 грн
6000+	10.10 грн
9000+	9.09 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2025UFDB-7

Dual 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.26 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2025UFDB-7

Dual 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2025UFDB-7

на замовлення 1550 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	56.57 грн
35+	26.31 грн
100+	23.79 грн
500+	22.01 грн
1000+	20.24 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

DMN2025UFDF-13

Description: MOSFET N-CH 20V 6.5A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 486 pF @ 10 V

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	7.41 грн
30000+	7.03 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMN2025UFDF-13

Trans MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-Pin UDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2025UFDF-13

Trans MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-Pin UDFN EP T/R

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	7.26 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMN2025UFDF-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 10K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2025UFDF-7

Trans MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-Pin UDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2025UFDF-7

Description: MOSFET N-CH 20V 6.5A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 486 pF @ 10 V

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN2025UFDF-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K

на замовлення 5956 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	37.73 грн
14+	26.42 грн
100+	11.93 грн
500+	11.13 грн
1000+	10.01 грн
3000+	8.00 грн
6000+	6.88 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DMN2025UFDF-7

Trans MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-Pin UDFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2025UFDF-7

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN2025UFDF-7

Trans MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-Pin UDFN EP T/R

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.26 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2026UVT-13

MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 20Vdss 10Vgss 20A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2026UVT-13

N-Channel Enhancement Mode Mosfet

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2026UVT-13

Description: MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.15W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-23-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.4 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 887 pF @ 10 V

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	8.68 грн
20000+	7.72 грн
30000+	7.40 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMN2026UVT-7

Description: MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.15W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.4 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 887 pF @ 10 V

на замовлення 33000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	37.23 грн
12+	28.02 грн
100+	16.77 грн
500+	14.57 грн
1000+	9.91 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DMN2026UVT-7

N-Channel Enhancement Mode Mosfet

на замовлення 33000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.54 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2026UVT-7

N-Channel Enhancement Mode Mosfet

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2026UVT-7

Description: MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.15W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.4 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 887 pF @ 10 V

на замовлення 33000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.09 грн
6000+	9.32 грн
9000+	8.39 грн
30000+	7.75 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2026UVT-7

MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 20Vdss 10Vgss 20A

на замовлення 2889 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	43.33 грн
13+	29.73 грн
100+	11.53 грн
500+	11.29 грн
1000+	11.21 грн
3000+	8.00 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

DMN2026UVT-7

N-Channel Enhancement Mode Mosfet

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2027LK3-13

Description: MOSFET N-CH 20V 11.6A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.14W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 857 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2027LK3-13

Trans MOSFET N-CH 20V 11.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2027UPS-13

N Channel MOSFET

на замовлення 35000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	19.49 грн
5000+	18.66 грн
10000+	17.76 грн
12500+	16.62 грн
25000+	14.87 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DMN2027UPS-13

MOSFETs 8V to 24V FET Access Point Min RDSon

на замовлення 2453 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	72.28 грн
10+	47.87 грн
100+	28.02 грн
500+	22.41 грн
1000+	20.33 грн
2500+	16.49 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DMN2027UPS-13

Description: MOSFET N-CH 20V 10A PWRDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 9.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1091 pF @ 10 V

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	18.25 грн
5000+	16.65 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DMN2027UPS-13

N Channel MOSFET

на замовлення 35000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	18.79 грн
7500+	17.17 грн
15000+	15.97 грн
22500+	14.53 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DMN2027UPS-13

N Channel MOSFET

на замовлення 35000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	20.88 грн
5000+	19.99 грн
10000+	19.03 грн
12500+	17.80 грн
25000+	15.94 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DMN2027UPS-13

N Channel MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2027UPS-13

Description: MOSFET N-CH 20V 10A PWRDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 9.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1091 pF @ 10 V

на замовлення 12450 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	48.49 грн
10+	40.10 грн
100+	27.74 грн
500+	21.75 грн
1000+	18.51 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DMN2027UPS-13

N Channel MOSFET

на замовлення 17500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	17.74 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DMN2027USS

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2027USS-13

Trans MOSFET N-CH 20V 10.5A 8-Pin SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2027USS-13

Trans MOSFET N-CH 20V 10.5A 8-Pin SO T/R

на замовлення 29090 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1077+	11.78 грн

Мінімальне замовлення: 1077

В кошику од. на суму грн.

DMN2027USS-13

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2027USS-13

Trans MOSFET N-CH 20V 10.5A 8-Pin SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2027USS-13

Trans MOSFET N-CH 20V 10.5A 8-Pin SO T/R

на замовлення 29090 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

709+	12.62 грн

Мінімальне замовлення: 709

В кошику од. на суму грн.

DMN2027USS-13

Trans MOSFET N-CH 20V 10.5A 8-Pin SO T/R

на замовлення 1360 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

45+	16.39 грн
1000+	16.03 грн

Мінімальне замовлення: 45

В кошику од. на суму грн.

DMN2028UFDF-13

Trans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin UDFN EP T/R

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	9.93 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMN2028UFDF-13

Description: MOSFET N-CH 20V 7.9A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 907 pF @ 10 V

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	8.84 грн
20000+	7.87 грн
30000+	7.55 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMN2028UFDF-13

20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2028UFDF-13

MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 20Vdss 8Vgss 40A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2028UFDF-7

Description: MOSFET N-CH 20V 7.9A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 907 pF @ 10 V

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.41 грн
6000+	8.70 грн
9000+	7.61 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2028UFDF-7

Description: DIODES INC. - DMN2028UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7.9 A, 0.015 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 660mW
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 2980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	12.93 грн
500+	11.42 грн
1000+	9.62 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMN2028UFDF-7

20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2028UFDF-7

MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 20Vdss 8Vgss 40A

на замовлення 3591 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	47.35 грн
13+	29.73 грн
100+	13.05 грн
500+	12.81 грн
1000+	11.61 грн
3000+	8.64 грн
6000+	8.24 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DMN2028UFDF-7

Description: MOSFET N-CH 20V 7.9A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 907 pF @ 10 V

на замовлення 14253 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	44.16 грн
13+	27.26 грн
100+	13.70 грн
500+	12.56 грн
1000+	11.26 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DMN2028UFDF-7

на замовлення 2980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	40.50 грн
36+	25.05 грн
100+	12.93 грн
500+	11.42 грн
1000+	9.62 грн

Мінімальне замовлення: 23

В кошику од. на суму грн.

DMN2028UFDF-7

Trans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin UDFN EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	47.76 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2028UFDH-7

MOSFETs DUAL N-CH MOSFET 20V

на замовлення 1990 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	55.38 грн
11+	33.69 грн
100+	18.73 грн
500+	14.25 грн
1000+	12.81 грн
3000+	10.33 грн
6000+	9.45 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

DMN2028UFDH-7

Description: MOSFET 2N-CH 20V 6.8A POWERDI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 151pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3030-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.09 грн
6000+	9.76 грн
9000+	9.29 грн
15000+	8.45 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2028UFDH-7

Trans MOSFET N-CH 20V 6.8A 8-Pin PowerDI T/R

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.71 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2028UFDH-7

Description: MOSFET 2N-CH 20V 6.8A POWERDI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 151pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3030-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	50.22 грн
12+	29.60 грн
100+	18.94 грн
500+	13.47 грн
1000+	12.09 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

DMN2028UFDH-7

Trans MOSFET N-CH 20V 6.8A 8-Pin PowerDI T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2028UFDH-7

Trans MOSFET N-CH 20V 6.8A 8-Pin PowerDI T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2028UFU-13

Description: MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 887pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.2mOhm @ 4.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.4nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type B)
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2028UFU-13

MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 20Vdss 10Vgss 40A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2028UFU-7

Description: DIODES INC. - DMN2028UFU-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 7.5 A, 7.5 A, 0.0153 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0153ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: U-DFN2030
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0153ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	23.53 грн
500+	17.09 грн
1000+	14.16 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMN2028UFU-7

MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 20Vdss 10Vgss 40A

на замовлення 2698 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	47.35 грн
12+	31.76 грн
100+	18.97 грн
500+	14.89 грн
1000+	13.37 грн
3000+	9.85 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DMN2028UFU-7

DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.54 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2028UFU-7

DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2028UFU-7

Description: MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 887pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.2mOhm @ 4.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.4nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type B)
Part Status: Active

на замовлення 44985 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	43.29 грн
12+	28.52 грн
100+	19.57 грн
500+	14.37 грн
1000+	12.91 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DMN2028UFU-7

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	50.28 грн
27+	34.21 грн
100+	23.53 грн
500+	17.09 грн
1000+	14.16 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

DMN2028UFU-7

на замовлення 42000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.48 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMN2028USS-13

Description: DIODES INC. - DMN2028USS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 9.8 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.56W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	27.84 грн
500+	22.01 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMN2028USS-13

Trans MOSFET N-CH 20V 7.3A 8-Pin SO T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	16.46 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DMN2028USS-13

Trans MOSFET N-CH 20V 7.3A 8-Pin SO T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	13.17 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DMN2028USS-13

Description: MOSFET N-CH 20V 7.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V

на замовлення 22500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	14.45 грн
5000+	13.84 грн
7500+	13.26 грн
12500+	11.77 грн
17500+	11.50 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DMN2028USS-13

DMN2028USS-13 SMD N channel transistors

на замовлення 2455 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

9+	39.87 грн
60+	20.11 грн
164+	19.01 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

DMN2028USS-13

на замовлення 980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	43.01 грн
50+	28.46 грн
100+	27.84 грн
500+	22.01 грн

Мінімальне замовлення: 21

В кошику од. на суму грн.

DMN2028USS-13

MOSFET N-CH 20V 7.3A SOIC-8

на замовлення 1400 шт:

термін постачання 5 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN2028USS-13

Description: MOSFET N-CH 20V 7.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V

на замовлення 23375 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	29.44 грн
18+	19.18 грн
100+	18.34 грн
500+	16.01 грн
1000+	14.87 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

DMN2028USS-13