Продукція > DMN

Обрати Сторінку:   1 2 3 4 5 6 8 12 16 20 24 28 32 36 40 44 46  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DMN-8000DOLSIBGA
на замовлення 3325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN-8100 C0LSILOGIC02+
на замовлення 135 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN-8100COLSIBGA
на замовлення 3325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN-8600LSI04+ QFP
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN-8600 BOLSIBGA
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN-8600 D0LSIBGA
на замовлення 767 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN-8600DULSI03+
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN-8602LSI06+ PBGA308;
на замовлення 166 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN-8602 BOLSILOGICBGA
на замовлення 325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN-8602-BO
на замовлення 532 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN-8602B0LSILOGIG0614+
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN-8602BOLSIQFP
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN-8603
на замовлення 269 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN-8603B1
на замовлення 271 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN-8623
на замовлення 738 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN-8652
на замовлення 439 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN-8652 BOLSI
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN-8652B0LSI2005 BGA
на замовлення 399 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN-8652BOLSIBGA
на замовлення 3325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN-8802BOLSIBGA
на замовлення 230 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN100
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN100Diodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN100-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN100-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 1.1A 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
292+48.58 грн
295+48.10 грн
381+37.26 грн
400+34.20 грн
512+24.76 грн
1000+18.67 грн
Мінімальне замовлення: 292 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN100-7-FDiodes IncorporatedMOSFET N-Channel
на замовлення 252 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN100-7-FDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SC-59-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN100-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 1.1A 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+57.36 грн
16+49.50 грн
25+48.58 грн
50+46.38 грн
100+33.27 грн
250+30.40 грн
500+23.77 грн
1000+18.67 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1001UCA10-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN1001UCA10-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 12 V, 20 A, 20 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: X2-TSN1820
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+73.94 грн
18+45.67 грн
100+30.85 грн
500+22.29 грн
1000+18.64 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1001UCA10-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 12V 20A X2-TSN1820
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2865pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.55mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 870µA
Supplier Device Package: X2-TSN1820-10
на замовлення 110219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.09 грн
10+54.37 грн
100+35.88 грн
500+26.21 грн
1000+23.81 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1001UCA10-7Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+26.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1001UCA10-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 486 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+84.57 грн
10+57.56 грн
25+49.50 грн
100+33.14 грн
500+26.79 грн
1000+23.89 грн
3000+20.43 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1001UCA10-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN1001UCA10-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 12 V, 20 A, 20 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: X2-TSN1820
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+30.85 грн
500+22.29 грн
1000+18.64 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1001UCA10-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 12V 20A X2-TSN1820
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2865pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.55mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 870µA
Supplier Device Package: X2-TSN1820-10
на замовлення 108000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.97 грн
6000+20.48 грн
9000+19.64 грн
15000+17.55 грн
21000+17.03 грн
30000+16.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1002UCA6-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH X4-DSN3118-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68.6nC @ 4V
Supplier Device Package: X4-DSN3118-6
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.86 грн
6000+23.71 грн
9000+22.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1002UCA6-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 12V 24.4A 6-Pin X4-DSN T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1002UCA6-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1002UCA6-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH X4-DSN3118-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68.6nC @ 4V
Supplier Device Package: X4-DSN3118-6
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1002UCA6-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 12V 24.4A 6-Pin X4-DSN T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1003UCA6-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH X3-DSN3518-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.67W
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3315pF @ 6V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: X3-DSN3518-6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1003UCA6-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 12V 23.6A 6-Pin X3-DSN T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1003UCA6-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFETBVDSS: 8V-24V
на замовлення 2325 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+65.08 грн
10+52.08 грн
100+33.27 грн
500+28.03 грн
1000+25.40 грн
3000+22.23 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1003UCA6-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH X3-DSN3518-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.67W
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3315pF @ 6V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: X3-DSN3518-6
на замовлення 8990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.35 грн
10+48.61 грн
100+35.67 грн
500+28.12 грн
1000+25.43 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1003UFDE-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1003UFDE-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2551 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 15A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerUDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1003UFDE-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6 T&R 3K
на замовлення 796 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+63.06 грн
10+38.11 грн
100+22.71 грн
500+17.81 грн
1000+14.84 грн
3000+12.15 грн
6000+11.46 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1004UFDF-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 12V 15A 6UDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2385 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: U-DFN2020-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 15A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1004UFDF-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 12V 15A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+14.80 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1004UFDF-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 12V 15A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+14.80 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1004UFDF-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFETBVDSS: 8V-24V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1004UFDF-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 12V 15A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1004UFDF-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFETBVDSS: 8V-24V
на замовлення 7530 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+43.65 грн
11+29.77 грн
100+19.54 грн
500+14.91 грн
1000+13.25 грн
3000+9.32 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1004UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 12V 15A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2385 pF @ 6 V
на замовлення 23033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.14 грн
10+32.83 грн
100+21.24 грн
500+15.24 грн
1000+13.72 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1004UFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 12V 15A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1004UFDF-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN1004UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 15 A, 4100 µohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+25.29 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1004UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 12V 15A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2385 pF @ 6 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.66 грн
6000+11.19 грн
9000+10.68 грн
15000+9.49 грн
21000+9.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1004UFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 12V 15A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1004UFDF-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN1004UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 15 A, 4100 µohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+63.06 грн
21+39.06 грн
100+25.29 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1004UFV-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 12V 70A POWERDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2385 pF @ 6 V
на замовлення 1663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.69 грн
10+34.03 грн
100+22.07 грн
500+15.86 грн
1000+14.29 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1004UFV-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 12V 70A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1004UFV-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 1929 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+58.87 грн
10+36.28 грн
100+20.43 грн
500+15.67 грн
1000+14.15 грн
3000+11.18 грн
6000+10.91 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1004UFV-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 12V 70A POWERDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2385 pF @ 6 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1004UFV-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 12V 70A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1004UFV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 12V 70A POWERDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2385 pF @ 6 V
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+17.28 грн
4000+15.25 грн
6000+14.54 грн
10000+12.90 грн
14000+12.46 грн
20000+12.03 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1004UFV-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN1004UFV-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 70 A, 3800 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 900mW
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+65.56 грн
50+40.91 грн
100+26.50 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1004UFV-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 12V 70A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1004UFV-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 12783 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+58.87 грн
10+35.49 грн
100+20.43 грн
500+15.60 грн
1000+14.08 грн
2000+10.84 грн
4000+9.94 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1004UFV-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 55A; 0.9W; PowerDI®3333-8; ESD
Case: PowerDI®3333-8
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 5.1mΩ
Power dissipation: 0.9W
Gate-source voltage: ±8V
Drain current: 55A
Drain-source voltage: 12V
Kind of package: 7 inch reel; tape
на замовлення 166 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+53.69 грн
10+41.71 грн
12+36.48 грн
50+25.26 грн
100+21.69 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1004UFV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 12V 70A POWERDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2385 pF @ 6 V
на замовлення 54842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.57 грн
10+40.46 грн
100+26.33 грн
500+19.00 грн
1000+17.16 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1004UFV-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN1004UFV-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 70 A, 3800 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 900mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 900mW
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0028ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+26.50 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1004UFV-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 12V 70A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 102000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+15.21 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1005UFDF-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1005UFDF-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1006UCA6-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFETBVDSS: 8V-24V
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+73.45 грн
10+59.70 грн
100+35.48 грн
500+29.62 грн
1000+25.27 грн
3000+18.64 грн
6000+17.81 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1006UCA6-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH X3-DSN2718-6
Supplier Device Package: X3-DSN2718-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.2nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2360pF @ 6V
Power - Max: 2.4W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1006UCA6-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 12V 16.6A 6-Pin X3-DSN T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1006UCA6-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH X3-DSN2718-6
Supplier Device Package: X3-DSN2718-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.2nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2360pF @ 6V
Power - Max: 2.4W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1006UCA6-7-01Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1008UFDF-13DiodesMOSFET N-CH30V SC-59 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1008UFDF-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 9.8A; Idm: 60A; 1W; U-DFN2020-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 9.8A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 1W
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 12.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23.4nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1008UFDF-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1008UFDF-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 12V 12.2A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.4 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 995 pF @ 6 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+8.54 грн
20000+7.60 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1008UFDF-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 12V 12.2A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1008UFDF-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 12V 12.2A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.4 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 995 pF @ 6 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 22945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.49 грн
12+26.03 грн
100+16.61 грн
500+11.79 грн
1000+10.56 грн
2000+9.53 грн
5000+8.27 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1008UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 12V 12.2A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.4 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 995 pF @ 6 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.16 грн
13+24.23 грн
100+15.49 грн
500+10.99 грн
1000+9.85 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1008UFDF-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN1008UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 12.2 A, 6600 µohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+17.15 грн
500+10.99 грн
1000+9.11 грн
5000+7.52 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1008UFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 12V 12.2A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1008UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 12V 12.2A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.4 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 995 pF @ 6 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1008UFDF-7DiodesMOSFET N-CH30V SC-59 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1008UFDF-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 9.8A; Idm: 60A; 1W; U-DFN2020-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 9.8A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 1W
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 12.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23.4nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1008UFDF-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN1008UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 12.2 A, 6600 µohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+23.76 грн
45+17.96 грн
100+17.15 грн
500+10.99 грн
1000+9.11 грн
5000+7.52 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1008UFDF-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+51.95 грн
11+31.36 грн
100+17.47 грн
500+12.84 грн
1000+11.39 грн
3000+9.04 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1008UFDFQ-13Diodes ZetexDMN1008UFDFQ-13
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1008UFDFQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 9.8A; Idm: 60A; 1W; U-DFN2020-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 9.8A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 1W
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 12.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23.4nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1008UFDFQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1008UFDFQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.4 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 995 pF @ 6 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1008UFDFQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+81.35 грн
10+55.18 грн
100+30.31 грн
500+18.78 грн
1000+13.88 грн
3000+9.04 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1008UFDFQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.4 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 995 pF @ 6 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1014UFDF-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1014UFDF-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 12V 8A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 515 pF @ 6 V
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+6.68 грн
20000+5.92 грн
30000+5.66 грн
50000+5.03 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1014UFDF-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 2837 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+34.63 грн
13+25.09 грн
100+13.53 грн
500+9.39 грн
1000+7.73 грн
3000+5.25 грн
9000+5.04 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2 3 4 5 6 8 12 16 20 24 28 32 36 40 44 46  [ Наступна Сторінка >> ]