НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
DMN-8000DOLSIBGA
на замовлення 3325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN-8100 C0LSILOGIC02+
на замовлення 135 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN-8100 C0LSILOGIC02+
на замовлення 135 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN-8100COLSIBGA
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN-8100COLSIBGA
на замовлення 3325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN-8600LSI04+ QFP
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN-8600LSILOGICN/A
на замовлення 37 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN-8600 BOLSIBGA
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN-8600 BOLSIBGA
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN-8600 D0LSIBGA
на замовлення 767 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN-8600DULSI03+
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN-8602LSILOGICBGA 04+
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN-8602LSI06+ PBGA308;
на замовлення 166 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN-8602 BOLSI03+
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN-8602 BOLSILOGICBGA
на замовлення 325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN-8602 BOLSIBGA
на замовлення 160 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN-8602-BO
на замовлення 532 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN-8602B0LSILOGIG0614+
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN-8602BOLSI
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN-8602BOLSI05+
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN-8602BOLSIQFP
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN-8602BOLSIQFP
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN-8603
на замовлення 269 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN-8603B1
на замовлення 271 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN-8623
на замовлення 738 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN-8652
на замовлення 439 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN-8652 BOLSI
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN-8652B0LSI2005 BGA
на замовлення 399 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN-8652BOLSIBGA
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN-8652BOLSILOGIC06PB
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN-8652BOLSIBGA
на замовлення 3325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN-8802BOLSIBGA
на замовлення 230 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN100Diodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN100
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN100-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN100-7-FDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: SC-59-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN100-7-FDiodes IncTrans MOSFET N-CH 30V 1.1A 3-Pin SC-59 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN100-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 1.1A 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
292+41.72 грн
295+41.30 грн
381+32.00 грн
400+29.37 грн
512+21.26 грн
1000+16.03 грн
Мінімальне замовлення: 292
В кошику  од. на суму  грн.
DMN100-7-FDiodes IncorporatedMOSFET N-Channel
на замовлення 252 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN100-7-FDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: SC-59-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN100-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 1.1A 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+45.74 грн
16+39.47 грн
25+38.74 грн
50+36.98 грн
100+26.53 грн
250+24.24 грн
500+18.95 грн
1000+14.89 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1001UCA10-7DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 12V; 16A; Idm: 90A; 2.4W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 90A
Case: X2-TSN1820-10
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 6.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 2.4W
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1001UCA10-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN1001UCA10-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 12 V, 20 A, 20 A, 0.00319 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.00319ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: X2-TSN1820
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.00319ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+77.20 грн
17+50.30 грн
100+33.73 грн
500+24.74 грн
1000+20.77 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1001UCA10-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 486 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+90.94 грн
10+61.89 грн
25+53.23 грн
100+35.63 грн
500+28.80 грн
1000+25.69 грн
3000+21.97 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1001UCA10-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 12V 20A X2-TSN1820
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2865pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.55mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 870µA
Supplier Device Package: X2-TSN1820-10
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+24.11 грн
6000+21.50 грн
9000+20.62 грн
15000+19.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1001UCA10-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN1001UCA10-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 12 V, 20 A, 20 A, 0.00319 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.00319ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: X2-TSN1820
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.00319ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+33.73 грн
500+24.74 грн
1000+20.77 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1001UCA10-7DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 12V; 16A; Idm: 90A; 2.4W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 90A
Case: X2-TSN1820-10
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 6.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 2.4W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1001UCA10-7Diodes IncN-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1001UCA10-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 12V 20A X2-TSN1820
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2865pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.55mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 870µA
Supplier Device Package: X2-TSN1820-10
на замовлення 80929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.76 грн
10+57.15 грн
100+37.67 грн
500+27.52 грн
1000+24.99 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1001UCA10-7Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1002UCA6-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH X4-DSN3118-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68.6nC @ 4V
Supplier Device Package: X4-DSN3118-6
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1002UCA6-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 12V 24.4A 6-Pin X4-DSN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1002UCA6-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH X4-DSN3118-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68.6nC @ 4V
Supplier Device Package: X4-DSN3118-6
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+26.73 грн
6000+24.52 грн
9000+23.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1002UCA6-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 12V 24.4A 6-Pin X4-DSN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1002UCA6-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1003UCA6-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH X3-DSN3518-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.67W
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3315pF @ 6V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: X3-DSN3518-6
на замовлення 8990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+63.44 грн
10+50.26 грн
100+36.89 грн
500+29.08 грн
1000+26.30 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1003UCA6-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFETBVDSS: 8V-24V
на замовлення 2325 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+69.98 грн
10+56.00 грн
100+35.78 грн
500+30.14 грн
1000+27.32 грн
3000+23.90 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1003UCA6-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 12V 23.6A 6-Pin X3-DSN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1003UCA6-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH X3-DSN3518-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.67W
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3315pF @ 6V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: X3-DSN3518-6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+24.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1003UCA6-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 12V 23.6A 6-Pin X3-DSN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1003UFDE-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1003UFDE-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2551 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1003UFDE-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6 T&R 3K
на замовлення 795 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+48.59 грн
10+41.40 грн
100+26.87 грн
500+21.08 грн
1000+16.26 грн
3000+13.36 грн
9000+12.32 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1004UFDF-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFETBVDSS: 8V-24V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1004UFDF-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 12V 15A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1004UFDF-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 12V 15A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2385 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1004UFDF-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 12V 15A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+11.80 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1004UFDF-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 12V 15A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+12.71 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1004UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 12V 15A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2385 pF @ 6 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.73 грн
6000+12.55 грн
9000+11.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1004UFDF-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 12V 15A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1004UFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 12V 15A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1004UFDF-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 12A; Idm: 70A; 2.1W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 70A
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 2.1W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1004UFDF-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN1004UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 15 A, 0.0041 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+21.98 грн
500+16.01 грн
1000+12.06 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1004UFDF-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 12A; Idm: 70A; 2.1W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 70A
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 2.1W
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1004UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 12V 15A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2385 pF @ 6 V
на замовлення 11990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.95 грн
10+33.48 грн
100+23.31 грн
500+17.08 грн
1000+13.88 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1004UFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 12V 15A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1004UFDF-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN1004UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 15 A, 0.0041 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+47.80 грн
26+32.14 грн
100+21.98 грн
500+16.01 грн
1000+12.06 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1004UFDF-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFETBVDSS: 8V-24V
на замовлення 7524 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+51.01 грн
10+35.26 грн
100+23.01 грн
250+22.94 грн
500+17.67 грн
1000+14.77 грн
3000+11.14 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1004UFV-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 50A; Idm: 80A; 1.9W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 80A
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 5.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 1.9W
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1004UFV-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 12V 70A POWERDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2385 pF @ 6 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.37 грн
6000+12.99 грн
9000+12.58 грн
15000+11.02 грн
21000+10.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1004UFV-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 12V 70A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1004UFV-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 2472 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+60.11 грн
10+41.15 грн
100+24.27 грн
500+18.63 грн
1000+16.18 грн
3000+12.62 грн
6000+12.17 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1004UFV-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 12V 70A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1004UFV-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 50A; Idm: 80A; 1.9W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 80A
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 5.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 1.9W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1004UFV-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 12V 70A POWERDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2385 pF @ 6 V
на замовлення 28728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.83 грн
10+36.73 грн
100+23.79 грн
500+17.10 грн
1000+15.42 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1004UFV-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 12V 70A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1004UFV-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 12966 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+62.53 грн
10+42.00 грн
100+24.27 грн
500+18.63 грн
1000+16.41 грн
2000+12.92 грн
4000+11.80 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1004UFV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 12V 70A POWERDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2385 pF @ 6 V
на замовлення 67419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.83 грн
10+36.73 грн
100+23.79 грн
500+17.10 грн
1000+15.42 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1004UFV-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 12V 70A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 102000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+13.06 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1004UFV-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 12V 70A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1004UFV-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 55A; 0.9W; PowerDI®3333-8; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 55A
Case: PowerDI®3333-8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 5.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 0.9W
Version: ESD
на замовлення 852 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+30.81 грн
57+16.08 грн
157+15.16 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1004UFV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 12V 70A POWERDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2385 pF @ 6 V
на замовлення 64000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+13.57 грн
4000+11.95 грн
6000+11.47 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1004UFV-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 12V 70A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1004UFV-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN1004UFV-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 70 A, 0.0028 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 900mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 900mW
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0028ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+29.06 грн
500+16.39 грн
2000+12.92 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1004UFV-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 55A; 0.9W; PowerDI®3333-8; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 55A
Case: PowerDI®3333-8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 5.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 0.9W
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 852 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+36.97 грн
57+20.04 грн
157+18.19 грн
1000+17.54 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1004UFV-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN1004UFV-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 70 A, 0.0028 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 900mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 900mW
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0028ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+51.63 грн
20+43.22 грн
100+29.06 грн
500+16.39 грн
2000+12.92 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1006UCA6-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 13.2A; Idm: 80A; 2.4W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 13.2A
Pulsed drain current: 80A
Case: X3-DSN2718-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35.2nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 2.4W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1006UCA6-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH X3-DSN2718-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2360pF @ 6V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: X3-DSN2718-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1006UCA6-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 13.2A; Idm: 80A; 2.4W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 13.2A
Pulsed drain current: 80A
Case: X3-DSN2718-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35.2nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 2.4W
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1006UCA6-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFETBVDSS: 8V-24V
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+78.99 грн
10+64.20 грн
100+38.16 грн
500+31.85 грн
1000+27.17 грн
3000+20.04 грн
6000+19.15 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1006UCA6-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH X3-DSN2718-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2360pF @ 6V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: X3-DSN2718-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1006UCA6-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 12V 16.6A 6-Pin X3-DSN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1006UCA6-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 12V 16.6A 6-Pin X3-DSN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1006UCA6-7-01Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1008UFDF-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 12V 12.2A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1008UFDF-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 12V 12.2A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.4 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 995 pF @ 6 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 559615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1008UFDF-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 12V 12.2A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 1250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+9.18 грн
20000+7.99 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1008UFDF-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 9.8A; Idm: 60A; 1W; U-DFN2020-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 9.8A
Pulsed drain current: 60A
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 12.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23.4nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 1W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1008UFDF-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10000+8.92 грн
20000+8.62 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1008UFDF-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 12V 12.2A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.4 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 995 pF @ 6 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 550000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1008UFDF-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 9.8A; Idm: 60A; 1W; U-DFN2020-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 9.8A
Pulsed drain current: 60A
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 12.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23.4nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 1W
кількість в упаковці: 10000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1008UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 12V 12.2A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.4 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 995 pF @ 6 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1008UFDF-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 12V 12.2A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1008UFDF-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN1008UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 12.2 A, 0.0066 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0066ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+15.99 грн
500+11.21 грн
1000+9.28 грн
5000+7.85 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1008UFDF-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 9.8A; Idm: 60A; 1W; U-DFN2020-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 9.8A
Pulsed drain current: 60A
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 12.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23.4nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 1W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1008UFDF-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 52532 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+40.36 грн
12+30.56 грн
100+17.07 грн
500+13.07 грн
1000+11.36 грн
3000+9.58 грн
6000+9.35 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1008UFDF-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 9.8A; Idm: 60A; 1W; U-DFN2020-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 9.8A
Pulsed drain current: 60A
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 12.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23.4nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 1W
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1008UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 12V 12.2A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.4 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 995 pF @ 6 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 65425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1008UFDF-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN1008UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 12.2 A, 0.0066 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0066ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+33.73 грн
34+24.90 грн
100+15.99 грн
500+11.21 грн
1000+9.28 грн
5000+7.85 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1008UFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 12V 12.2A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1008UFDFQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 9.8A; Idm: 60A; 1W; U-DFN2020-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 9.8A
Pulsed drain current: 60A
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 12.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23.4nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 1W
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 10000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1008UFDFQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.4 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 995 pF @ 6 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 690000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+7.57 грн
20000+6.82 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1008UFDFQ-13Diodes ZetexDMN1008UFDFQ-13
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1008UFDFQ-13Diodes IncMOSFET BVDSS: 8V24V U-DFN2020-6 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1008UFDFQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 9.8A; Idm: 60A; 1W; U-DFN2020-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 9.8A
Pulsed drain current: 60A
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 12.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23.4nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 1W
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1008UFDFQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1008UFDFQ-7Diodes IncMOSFET BVDSS: 8V24V U-DFN2020-6 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1008UFDFQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6 T&R 3K
на замовлення 2738 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+36.20 грн
12+28.51 грн
100+16.93 грн
500+12.25 грн
1000+9.58 грн
3000+8.02 грн
6000+7.79 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1008UFDFQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.4 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 995 pF @ 6 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1014UFDF-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1014UFDF-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 12V 8A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 515 pF @ 6 V
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+6.91 грн
20000+6.12 грн
30000+5.85 грн
50000+5.20 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1014UFDF-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+40.36 грн
12+29.79 грн
100+16.11 грн
1000+8.46 грн
3000+6.16 грн
9000+6.01 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1014UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 12V 8A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 515 pF @ 6 V
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.12 грн
6000+7.10 грн
9000+6.74 грн
15000+5.94 грн
21000+5.71 грн
30000+5.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1016UCB6-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 12V 5.5A U-WLB1510-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 920mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-WLB1510-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 423 pF @ 6 V
на замовлення 3471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.86 грн
10+41.91 грн
100+27.23 грн
500+19.64 грн
1000+17.74 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1016UCB6-7Diodes IncorporatedMOSFET N-Ch Enh Mode FET 12Vdss 8Vgss 30A
на замовлення 849 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+57.59 грн
10+49.26 грн
100+31.92 грн
500+25.09 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1016UCB6-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 12V 5.5A U-WLB1510-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 920mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-WLB1510-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 423 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1016UCB6-7Diodes IncN-Channel Enhancement Mode Mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1017UCP3-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 12V 7.5A X3DSN1010-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 5A, 3.3V
Power Dissipation (Max): 1.47W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X3-DSN1010-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 3.3V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 3.3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1503 pF @ 6 V
на замовлення 650477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.24 грн
10+38.59 грн
100+24.98 грн
500+17.96 грн
1000+16.19 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1017UCP3-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 12V 7.5A X3DSN1010-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 5A, 3.3V
Power Dissipation (Max): 1.47W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X3-DSN1010-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 3.3V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 3.3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1503 pF @ 6 V
на замовлення 648000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.17 грн
6000+13.66 грн
9000+13.28 грн
15000+11.59 грн
21000+11.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1017UCP3-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFETBVDSS: 8V-24V
на замовлення 2866 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+60.11 грн
10+38.25 грн
100+23.61 грн
500+18.34 грн
1000+15.81 грн
3000+13.29 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1019UFDE-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 12V 11A 6-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1019UFDE-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 12V 11A 6-Pin DFN EP T/R
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
296+10.35 грн
Мінімальне замовлення: 296
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1019UFDE-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN1019UFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 11 A, 0.007 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.17W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3034 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+42.97 грн
29+29.23 грн
100+18.15 грн
500+14.15 грн
1000+12.49 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1019UFDE-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 12V 11A 6-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1019UFDE-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K
на замовлення 10483 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+56.81 грн
10+35.00 грн
100+17.37 грн
500+14.10 грн
1000+13.07 грн
3000+10.76 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1019UFDE-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6E
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 690mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.6 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2425 pF @ 10 V
на замовлення 851296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+45.77 грн
11+30.08 грн
100+17.89 грн
500+14.52 грн
1000+12.95 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1019UFDE-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 12V 11A 6-Pin DFN EP T/R
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1019UFDE-7DIODES INCORPORATEDDMN1019UFDE-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1019UFDE-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 12V 11A 6-Pin DFN EP T/R
на замовлення 1167000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1019UFDE-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN1019UFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 11 A, 0.007 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.17W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3034 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+18.15 грн
500+14.15 грн
1000+12.49 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1019UFDE-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6E
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 690mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.6 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2425 pF @ 10 V
на замовлення 850800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.16 грн
6000+10.33 грн
9000+9.78 грн
15000+8.96 грн
21000+8.66 грн
30000+8.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1019USNDiodes IncorporatedDiodes Inc. MOSFET BVDSS: 8V 24V SC59 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1019USN-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 12V 9.3A 3-Pin SC-59 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1019USN-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 12V 9.3A 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 2030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1040+11.71 грн
Мінімальне замовлення: 1040
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1019USN-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN1019USN-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 9.3 A, 0.007 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 680mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 530mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 680mW
Bauform - Transistor: SC-59
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.007ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 39142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+12.91 грн
500+10.83 грн
1000+8.57 грн
5000+7.49 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1019USN-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 680mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SC-59-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.6 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2426 pF @ 10 V
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+8.51 грн
20000+7.37 грн
30000+7.25 грн
50000+6.65 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1019USN-13DIODES INCORPORATEDDMN1019USN-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1019USN-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 12V 9.3A 3-Pin SC-59 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1019USN-13
Код товару: 121899
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1019USN-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN1019USN-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 9.3 A, 0.007 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 530mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 680mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 39142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+37.22 грн
30+28.06 грн
100+12.91 грн
500+10.83 грн
1000+8.57 грн
5000+7.49 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1019USN-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 12V 9.3A 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 2030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
693+10.87 грн
1000+7.23 грн
Мінімальне замовлення: 693
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1019USN-13Diodes IncorporatedMOSFETs 12V N-Ch Enh Mode FET 8Vgss 0.68W
на замовлення 66462 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+40.36 грн
12+29.28 грн
100+11.80 грн
500+10.39 грн
1000+8.83 грн
5000+8.69 грн
10000+7.27 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1019USN-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 680mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SC-59-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.6 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2426 pF @ 10 V
на замовлення 151696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.36 грн
12+26.14 грн
100+11.95 грн
500+11.02 грн
1000+10.03 грн
2000+9.42 грн
5000+8.25 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1019USN-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 12V 9.3A 3-Pin SC-59 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1019USN-7Diodes IncorporatedMOSFETs 12V N-Ch Enh FET 2426pF 27.3nC
на замовлення 50675 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+46.07 грн
13+28.43 грн
100+11.88 грн
1000+10.62 грн
3000+8.17 грн
9000+7.20 грн
99000+7.05 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1019USN-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN1019USN-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 9.3 A, 0.007 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 680mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1019USN-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 680mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SC-59-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.6 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2426 pF @ 10 V
на замовлення 633000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.98 грн
6000+8.50 грн
9000+7.90 грн
15000+7.34 грн
21000+7.07 грн
30000+6.81 грн
75000+6.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1019USN-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 12V 9.3A 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 699000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1019USN-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 12V 9.3A 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.93 грн
6000+7.66 грн
9000+6.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1019USN-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 12V 9.3A 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1019USN-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN1019USN-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 9.3 A, 0.007 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 680mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+44.47 грн
50+27.48 грн
100+13.32 грн
500+11.75 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1019USN-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 12V 9.3A 3-Pin SC-59 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1019USN-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN1019USN-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 9.3 A, 0.007 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 680mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 680mW
Bauform - Transistor: SC-59
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.007ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.32 грн
500+11.75 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1019USN-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 680mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SC-59-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.6 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2426 pF @ 10 V
на замовлення 634879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.15 грн
12+26.14 грн
100+16.66 грн
500+11.80 грн
1000+10.56 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1019USN-7Diodes IncorporatedMOSFET N-CH 12V 9.3A SC-59
на замовлення 4090 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1019USN-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 12V 9.3A 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.54 грн
6000+8.26 грн
9000+7.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1019USNQ-13Diodes Zetex12V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+8.45 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1019USNQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SC59 T&R 10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 680mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SC-59-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.6 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2426 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+8.63 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1019USNQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V SC59 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1019USNQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SC59 T&R 3K
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 680mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SC-59-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.6 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2426 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.01 грн
6000+9.24 грн
9000+8.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1019USNQ-7Diodes Zetex12V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1019USNQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V SC59 T&R 3K
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+40.36 грн
11+32.01 грн
100+19.08 грн
1000+11.06 грн
3000+8.09 грн
9000+7.65 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1019USNQ-7Diodes Zetex12V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1019UVTDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1019UVT-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 12V 10.7A 6-Pin TSOT-26 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1019UVT-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 12V 10.7A 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+7.78 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1019UVT-13DIODES INCORPORATEDDMN1019UVT-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1019UVT-13Diodes IncorporatedMOSFETs 12V Enh Mode FET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1019UVT-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.73W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.4 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2588 pF @ 10 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+8.25 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1019UVT-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 12V 10.7A 6-Pin TSOT-26 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1019UVT-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN1019UVT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 10.7 A, 0.007 ohm, TSOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 530mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.73W
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+14.74 грн
500+11.06 грн
1000+7.71 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1019UVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 12V 10.7A 6-Pin TSOT-26 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1019UVT-7DIODES INCORPORATEDDMN1019UVT-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1019UVT-7Diodes IncorporatedMOSFETs 12V Enh Mode FET
на замовлення 3036 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+42.00 грн
13+26.46 грн
100+11.58 грн
1000+10.47 грн
3000+7.87 грн
9000+7.79 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1019UVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.73W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.4 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2588 pF @ 10 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.69 грн
6000+8.02 грн
9000+7.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1019UVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 12V 10.7A 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1019UVT-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN1019UVT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 10.7 A, 0.007 ohm, TSOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 530mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.73W
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+39.97 грн
28+30.31 грн
100+14.74 грн
500+11.06 грн
1000+7.71 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1019UVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 12V 10.7A 6-Pin TSOT-26 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1019UVT-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 12V 10.7A 6-Pin TSOT-26 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1019UVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.73W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.4 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2588 pF @ 10 V
на замовлення 26777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.12 грн
13+24.05 грн
100+14.44 грн
500+12.55 грн
1000+8.53 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1023UCB4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N CH 5.1A U-WLB1010-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: U-WLB1010-4 (Type C)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 288 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1023UCB4-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1025UFDB-7Diodes IncDual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1025UFDB-7DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 12V; 5.5A; Idm: 35A; 1.7W
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 5.5A
On-state resistance: 38mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 1.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 23.1nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 35A
Mounting: SMD
Case: U-DFN2020-6
на замовлення 2563 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
25+16.66 грн
31+12.53 грн
50+10.36 грн
100+9.36 грн
124+7.27 грн
340+6.88 грн
1000+6.65 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1025UFDB-7Diodes IncorporatedMOSFETs Dual N-Ch Enh FET 12V 10Vgs 1.7W
на замовлення 1968 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+32.22 грн
14+25.35 грн
100+15.07 грн
1000+8.46 грн
3000+6.61 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1025UFDB-7DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 12V; 5.5A; Idm: 35A; 1.7W
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 5.5A
On-state resistance: 38mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 1.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 23.1nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 35A
Mounting: SMD
Case: U-DFN2020-6
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2563 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
15+19.99 грн
19+15.61 грн
50+12.43 грн
100+11.23 грн
124+8.72 грн
340+8.26 грн
1000+7.98 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1029UFDB-13Diodes IncorporatedMOSFET 20V N-Ch Enh Mode 8Vgs 914pF 10.5nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1029UFDB-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 914pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.6nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+8.24 грн
20000+7.33 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1029UFDB-13DIODES INCORPORATEDDMN1029UFDB-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1029UFDB-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 12V 5.6A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1029UFDB-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 914pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.6nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Part Status: Active
на замовлення 128236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.74 грн
13+24.98 грн
100+16.01 грн
500+11.43 грн
1000+10.19 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1029UFDB-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN1029UFDB-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 12 V, 5.6 A, 5.6 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.91 грн
500+9.74 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1029UFDB-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 12V 5.6A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1029UFDB-7Diodes IncorporatedMOSFET 20V N-Ch Enh Mode 8Vgs 914pF 10.5nC
на замовлення 16200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+37.07 грн
14+25.10 грн
100+13.21 грн
1000+9.35 грн
3000+8.24 грн
9000+7.42 грн
24000+7.27 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1029UFDB-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 914pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.6nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Part Status: Active
на замовлення 126000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.20 грн
6000+7.20 грн
9000+6.85 грн
15000+6.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1029UFDB-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN1029UFDB-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 12 V, 5.6 A, 5.6 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+31.81 грн
38+22.32 грн
100+11.91 грн
500+9.74 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1029UFDB-7DIODES INCORPORATEDDMN1029UFDB-7 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1032UCB4-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 12V 4.8A 4-Pin U-WLB T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1032UCB4-7Diodes IncorporatedMOSFET 20V N-Ch Enh Mode FET 12V 8Vgss 0.9W
на замовлення 16939 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1032UCB4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 12V 4.8A U-WLB1010-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-UFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: U-WLB1010-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1032UCB4-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 12V 4.8A 4-Pin U-WLB T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1032UCB4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 12V 4.8A U-WLB1010-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: U-WLB1010-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1032UCB4-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 12V 4.8A 4-Pin U-WLB T/R
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+44.82 грн
16+38.32 грн
25+35.65 грн
100+27.83 грн
250+25.51 грн
500+17.15 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1032UCP4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V X1-DSN1010-
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-XFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 790mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DSN1010-4 (Type B)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1033UCB4-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 12V 5.5A 4-Pin UWLP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1033UCB4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH U-WLB1818-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.45W
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Supplier Device Package: U-WLB1818-4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1033UCB4-7Diodes IncorporatedMOSFET N-Ch Enh Mode FET 12V 26mOhm4.5V 5.5A
на замовлення 1330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1045UFR4-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 3.2A; 1.26W; X2-DFN1010-3; ESD
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.26W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Case: X2-DFN1010-3
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 3.2A
On-state resistance: 0.1Ω
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1045UFR4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 12V 3.2A 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1010-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 375 pF @ 10 V
на замовлення 243000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.05 грн
6000+5.76 грн
9000+5.34 грн
15000+4.97 грн
21000+4.96 грн
30000+4.76 грн
75000+4.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1045UFR4-7Diodes IncorporatedMOSFET N-Ch Enh Mode FET 12V 3.2A 8Vgss
на замовлення 11952 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+37.07 грн
14+25.61 грн
100+10.02 грн
1000+7.79 грн
3000+5.86 грн
9000+5.34 грн
24000+5.05 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1045UFR4-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN1045UFR4-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 3.2 A, 0.025 ohm, X2-DFN1010, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: X2-DFN1010
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.58 грн
500+8.43 грн
1000+5.64 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1045UFR4-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 3.2A; 1.26W; X2-DFN1010-3; ESD
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.26W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Case: X2-DFN1010-3
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 3.2A
On-state resistance: 0.1Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1045UFR4-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 12V 3.2A 3-Pin X2-DFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1045UFR4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 12V 3.2A 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1010-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 375 pF @ 10 V
на замовлення 247482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.92 грн
16+19.41 грн
100+12.35 грн
500+8.74 грн
1000+7.79 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1045UFR4-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN1045UFR4-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 3.2 A, 0.025 ohm, X2-DFN1010, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: X2-DFN1010
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+40.81 грн
30+28.06 грн
100+11.58 грн
500+8.43 грн
1000+5.64 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1053UCP4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 12V 2.7A X3DSN0808-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.34W
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: X3-DSN0808-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 908 pF @ 6 V
на замовлення 113990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.36 грн
12+27.68 грн
100+18.71 грн
500+13.33 грн
1000+11.96 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1053UCP4-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFETBVDSS: 8V-24V
на замовлення 35980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+33.00 грн
13+28.09 грн
100+17.07 грн
500+13.29 грн
1000+10.84 грн
3000+8.39 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1053UCP4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 12V 2.7A X3DSN0808-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.34W
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: X3-DSN0808-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 908 pF @ 6 V
на замовлення 111000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.26 грн
6000+9.89 грн
9000+9.09 грн
15000+8.40 грн
21000+8.11 грн
30000+8.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1054UCB4-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 8V; 3.2A; Idm: 8A; 1.34W
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.34W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±5V
Pulsed drain current: 8A
Case: X1-WLB0808-4
Drain-source voltage: 8V
Drain current: 3.2A
On-state resistance: 0.11Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1054UCB4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 8V 2.7A X1-WLB0808-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: X1-WLB0808-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 908 pF @ 6 V
на замовлення 766558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.45 грн
10+42.92 грн
100+28.73 грн
500+21.14 грн
1000+19.12 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1054UCB4-7Diodes IncN-Channel Enhancement Mode Mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1054UCB4-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 8V; 3.2A; Idm: 8A; 1.34W
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.34W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±5V
Pulsed drain current: 8A
Case: X1-WLB0808-4
Drain-source voltage: 8V
Drain current: 3.2A
On-state resistance: 0.11Ω
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1054UCB4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 8V 2.7A X1-WLB0808-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: X1-WLB0808-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 908 pF @ 6 V
на замовлення 765000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.30 грн
6000+15.93 грн
9000+15.58 грн
15000+14.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1054UCB4-7Diodes IncorporatedMOSFET N-Ch Enh Mode FET 8Vdss 5Vgss 15A
на замовлення 5976 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H099SFG-13Diodes IncorporatedMOSFETs 100V N-Ch Enh Mode 1127pF 25.2nC
на замовлення 8040 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+54.30 грн
10+46.87 грн
100+27.76 грн
500+23.31 грн
1000+19.82 грн
3000+15.96 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H099SFG-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 4.2A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H099SFG-13DIODES INCORPORATEDDMN10H099SFG-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H099SFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 4.2A PWRDI3333
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H099SFG-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 100V 4.2A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H099SFG-7DIODES INCORPORATEDDMN10H099SFG-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H099SFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 4.2A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 980mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 50 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+19.87 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H099SFG-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 100V 4.2A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H099SFG-7Diodes IncorporatedMOSFETs 100V N-Ch Enh Mode 1127pF 25.2nC
на замовлення 1521 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+73.27 грн
10+47.12 грн
100+27.54 грн
500+21.53 грн
1000+19.60 грн
2000+17.67 грн
4000+17.52 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H099SFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 4.2A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 980mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 50 V
на замовлення 11990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.39 грн
10+43.54 грн
100+33.39 грн
500+24.77 грн
1000+19.82 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H099SK3-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H099SK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 17A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 50 V
на замовлення 71708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.01 грн
10+36.65 грн
100+25.13 грн
500+18.68 грн
1000+17.06 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H099SK3-13Diodes IncorporatedMOSFETs 100V N-Ch Enh FET 20Vgs 1172pF 25.2nC
на замовлення 2551 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+49.97 грн
10+43.37 грн
100+25.76 грн
500+21.45 грн
1000+18.26 грн
2500+15.29 грн
5000+15.22 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H099SK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 17A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 50 V
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+16.93 грн
5000+15.12 грн
7500+14.72 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H099SK3-13DIODES INCORPORATEDDMN10H099SK3-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H100SK3-13Diodes IncorporatedMOSFETs 100V N-Ch Enh FET 100mOhm 3V
на замовлення 2658 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+58.81 грн
10+50.45 грн
100+30.36 грн
500+25.39 грн
1000+21.60 грн
2500+17.96 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H100SK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 18A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 50 V
на замовлення 7450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.85 грн
10+42.61 грн
100+29.40 грн
500+21.96 грн
1000+20.11 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H100SK3-13DIODES INCORPORATEDDMN10H100SK3-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H100SK3-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 100V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H100SK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 18A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 50 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.02 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H120SE-13DIODES INCORPORATEDDMN10H120SE-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H120SE-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 3.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 975000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+14.18 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H120SE-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 100V 3.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H120SE-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 3.6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 549 pF @ 50 V
на замовлення 905640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+45.77 грн
10+37.66 грн
100+26.21 грн
500+19.20 грн
1000+15.61 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H120SE-13Diodes IncorporatedMOSFET 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 549pF 10nC
на замовлення 3099 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+49.97 грн
10+41.92 грн
100+25.39 грн
500+19.82 грн
1000+16.11 грн
2500+13.81 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H120SE-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 3.6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 549 pF @ 50 V
на замовлення 905000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.44 грн
5000+14.11 грн
12500+13.10 грн
25000+12.01 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H120SFG-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN10H120SFG-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.8 A, 0.068 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+57.71 грн
18+47.88 грн
100+30.06 грн
500+23.28 грн
1000+18.63 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H120SFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 3.8A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 549 pF @ 50 V
на замовлення 2985000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.21 грн
6000+16.62 грн
9000+15.39 грн
30000+14.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H120SFG-13Diodes IncorporatedMOSFET FET BVDSS 61V 100V N-Ch 4.8A 3Vgs 549pF
на замовлення 5816 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+52.40 грн
10+44.48 грн
100+26.80 грн
500+22.34 грн
1000+19.08 грн
3000+17.30 грн
6000+16.85 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H120SFG-13DIODES INCORPORATEDDMN10H120SFG-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H120SFG-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN10H120SFG-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.8 A, 0.068 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+30.06 грн
500+23.28 грн
1000+18.63 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H120SFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 3.8A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 549 pF @ 50 V
на замовлення 2987838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.18 грн
10+39.98 грн
100+27.69 грн
500+21.71 грн
1000+18.48 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H120SFG-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 3.8A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 1017000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H120SFG-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 100V 3.8A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H120SFG-7DIODES INCORPORATEDDMN10H120SFG-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H120SFG-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN10H120SFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.8 A, 0.068 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+30.06 грн
500+23.35 грн
1000+18.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H120SFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 3.8A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 549 pF @ 50 V
на замовлення 53294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.24 грн
10+46.71 грн
100+30.54 грн
500+22.13 грн
1000+20.02 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H120SFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 3.8A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+17.32 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H120SFG-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 100V 3.8A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H120SFG-7Diodes IncorporatedMOSFET FET BVDSS 61V 100V N-Ch 4.8A 3Vgs 549pF
на замовлення 5754 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+36.29 грн
11+31.25 грн
100+18.86 грн
500+15.74 грн
1000+15.37 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H120SFG-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN10H120SFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.8 A, 0.068 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+57.71 грн
18+47.88 грн
100+30.06 грн
500+23.35 грн
1000+18.56 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H120SFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 3.8A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 549 pF @ 50 V
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+16.66 грн
4000+15.73 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H170SFDEDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H170SFDE-Diodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H170SFDE-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 2.9A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+11.72 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H170SFDE-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1167 pF @ 25 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+11.07 грн
20000+9.90 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H170SFDE-13Diodes IncorporatedMOSFETs 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 2.9A 0.66W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H170SFDE-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN10H170SFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.9 A, 0.116 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.03W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.116ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+20.74 грн
500+14.69 грн
1000+11.78 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H170SFDE-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 100V 2.9A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H170SFDE-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1167 pF @ 25 V
на замовлення 252000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.02 грн
6000+10.40 грн
9000+10.19 грн
15000+9.25 грн
21000+9.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H170SFDE-7Diodes IncorporatedMOSFETs 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 2.9A 0.66W
на замовлення 2847 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+50.23 грн
10+36.45 грн
100+22.20 грн
500+17.07 грн
1000+14.48 грн
3000+10.99 грн
6000+10.76 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H170SFDE-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; Idm: 10A; 1.31W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.7A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 1.31W
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9.7nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H170SFDE-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 2.9A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H170SFDE-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN10H170SFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.9 A, 0.116 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.03W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.116ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+45.14 грн
28+30.56 грн
100+20.74 грн
500+14.69 грн
1000+11.78 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H170SFDE-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 2.9A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 252000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H170SFDE-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1167 pF @ 25 V
на замовлення 254843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.39 грн
10+32.17 грн
100+21.36 грн
500+15.43 грн
1000+13.89 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H170SFDE-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; Idm: 10A; 1.31W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.7A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 1.31W
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9.7nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H170SFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta), 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 122mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 940mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870.7 pF @ 25 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.72 грн
6000+13.26 грн
15000+12.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H170SFG-13DIODES INCORPORATEDDMN10H170SFG-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H170SFG-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 100V 2.9A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H170SFG-13Diodes IncorporatedMOSFETs N-Ch Enh Mode FET 100Vdss 20Vgss
на замовлення 10200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+46.68 грн
10+36.88 грн
100+23.83 грн
500+20.19 грн
1000+15.59 грн
3000+11.80 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H170SFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta), 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 122mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 940mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870.7 pF @ 25 V
на замовлення 26900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.76 грн
10+34.26 грн
25+31.98 грн
100+24.03 грн
250+22.31 грн
500+18.88 грн
1000+14.35 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H170SFG-7DIODES INCORPORATEDDMN10H170SFG-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H170SFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta), 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 122mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 940mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870.7 pF @ 25 V
на замовлення 51045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.76 грн
10+34.26 грн
25+31.98 грн
100+24.03 грн
250+22.31 грн
500+18.88 грн
1000+14.35 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H170SFG-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 100V 2.9A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H170SFG-7Diodes IncorporatedMOSFETs N-Ch Enh Mode FET 100Vdss 20Vgss
на замовлення 1486 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+46.68 грн
10+36.88 грн
100+23.83 грн
500+20.19 грн
1000+15.59 грн
2000+12.99 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H170SFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta), 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 122mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 940mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870.7 pF @ 25 V
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+14.72 грн
6000+13.26 грн
10000+12.34 грн
50000+10.73 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H170SFGQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H170SFGQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H170SFGQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H170SK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 12A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1167 pF @ 25 V
на замовлення 122500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+17.15 грн
5000+15.73 грн
7500+15.17 грн
12500+13.98 грн
17500+13.18 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H170SK3-13Diodes IncorporatedMOSFETs 100V N-CH MOSFET 100V 12A
на замовлення 23217 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+45.90 грн
10+39.78 грн
100+18.86 грн
500+16.18 грн
1000+15.81 грн
2500+15.52 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H170SK3-13DIODES INCORPORATEDDMN10H170SK3-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H170SK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 12A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1167 pF @ 25 V
на замовлення 122910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+63.44 грн
10+40.52 грн
100+27.06 грн
500+20.08 грн
1000+18.15 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H170SK3-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H170SK3Q-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 12A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1167 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1282500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+16.79 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H170SK3Q-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V 100V
на замовлення 7222 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+37.07 грн
11+31.93 грн
100+19.23 грн
500+17.22 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H170SK3Q-13DIODES INCORPORATEDDMN10H170SK3Q-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H170SK3Q-13Diodes Inc100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H170SK3Q-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 12A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1167 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1286036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+79.50 грн
10+47.71 грн
100+31.22 грн
500+22.64 грн
1000+20.49 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H170SVT-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 100V 2.6A 6-Pin TSOT-26 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H170SVT-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1167 pF @ 25 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+11.40 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H170SVT-13Diodes IncorporatedMOSFETs 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 2.6A 1.2W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H170SVT-13DIODES INCORPORATEDDMN10H170SVT-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H170SVT-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 2.6A 6-Pin TSOT-26 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H170SVT-7Diodes IncorporatedMOSFETs 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 2.6A 1.2W
на замовлення 43217 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+41.14 грн
11+31.67 грн
100+18.78 грн
500+14.77 грн
1000+13.21 грн
3000+10.62 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H170SVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1167 pF @ 25 V
на замовлення 877630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.14 грн
11+29.69 грн
100+20.75 грн
500+15.13 грн
1000+13.62 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H170SVT-7DIODES INCORPORATEDDMN10H170SVT-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H170SVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 2.6A 6-Pin TSOT-26 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H170SVT-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 100V 2.6A 6-Pin TSOT-26 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H170SVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1167 pF @ 25 V
на замовлення 873000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.54 грн
6000+10.72 грн
9000+10.34 грн
15000+9.67 грн
21000+9.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H170SVTQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H170SVTQ-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H170SVTQ-7DIODES INCORPORATEDDMN10H170SVTQ-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H170SVTQ-7Diodes Zetex100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H170SVTQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1167 pF @ 25 V
на замовлення 390437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.56 грн
10+35.18 грн
100+23.98 грн
500+17.27 грн
1000+15.58 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H170SVTQ-7Diodes Inc100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H170SVTQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs 100V N-Ch Enh FET 160mOhm 10Vgs 2.6A
на замовлення 2289 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+47.55 грн
10+39.70 грн
100+24.05 грн
500+18.78 грн
1000+15.96 грн
3000+13.44 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H170SVTQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1167 pF @ 25 V
на замовлення 390000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.24 грн
6000+13.15 грн
9000+12.56 грн
15000+11.16 грн
21000+11.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220LDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220L-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+9.66 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220L-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 1.4A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 401 pF @ 25 V
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.15 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220L-13DIODES INCORPORATEDDMN10H220L-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220L-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220L-13Diodes IncorporatedMOSFETs 100V N-Ch Enh FET 16Vgs 1.6A 1.3W
на замовлення 16162 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+42.00 грн
12+29.28 грн
100+19.08 грн
500+14.85 грн
1000+11.73 грн
2500+10.62 грн
5000+9.80 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220L-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 1.4A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 401 pF @ 25 V
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+10.19 грн
20000+9.09 грн
30000+8.77 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220L-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.51 грн
6000+7.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
659+18.48 грн
Мінімальне замовлення: 659
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220L-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.3A; Idm: 8A; 1.3W; SOT23
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.3A
On-state resistance: 0.22Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 8A
Case: SOT23
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 554 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+28.98 грн
13+22.84 грн
50+18.56 грн
100+17.07 грн
129+8.44 грн
355+7.98 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220L-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN10H220L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.4 A, 0.22 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.24 грн
9000+9.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220L-7Diodes IncorporatedMOSFETs 100V N-Ch Enh FET 16Vgs 1.6A 1.3W
на замовлення 107184 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+35.42 грн
13+26.29 грн
100+17.82 грн
250+17.59 грн
500+14.70 грн
1000+13.21 грн
3000+8.69 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 582000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+17.16 грн
500+14.10 грн
1000+8.92 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220L-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220L-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 1.4A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 401 pF @ 25 V
на замовлення 76491 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+31.32 грн
15+22.04 грн
100+17.20 грн
500+13.25 грн
1000+11.90 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.83 грн
6000+7.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220L-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN10H220L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.4 A, 0.22 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 38806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+34.81 грн
50+25.57 грн
100+19.74 грн
500+15.08 грн
1500+12.21 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220L-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.3A; Idm: 8A; 1.3W; SOT23
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.3A
On-state resistance: 0.22Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 8A
Case: SOT23
на замовлення 554 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+24.15 грн
22+18.33 грн
50+15.47 грн
100+14.23 грн
129+7.04 грн
355+6.65 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.57 грн
6000+8.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220L-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN10H220L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.4 A, 0.22 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.3W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.22ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 38806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+19.74 грн
500+15.08 грн
1500+12.21 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220L-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 1.4A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 401 pF @ 25 V
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.86 грн
6000+8.50 грн
9000+8.46 грн
15000+7.83 грн
21000+7.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.10 грн
6000+8.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220LDV-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 100V PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W (Ta), 40W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 366pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 222mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXC)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220LDV-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI3333-8 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220LDV-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN10H220LDV-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 10.5 A, 10.5 A, 0.17 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.17ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 40W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerDI3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.17ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 40W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+46.88 грн
30+28.23 грн
100+26.98 грн
500+24.59 грн
1000+20.70 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220LDV-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN10H220LDV-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 10.5 A, 10.5 A, 0.17 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.17ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 40W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerDI3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.17ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 40W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+26.98 грн
500+24.59 грн
1000+20.70 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220LDV-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI3333-8 T&R 2K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220LDV-7Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+10.55 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220LDV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 100V PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W (Ta), 40W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 366pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 222mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXC)
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+13.45 грн
4000+11.81 грн
6000+11.23 грн
10000+9.92 грн
14000+9.56 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220LE-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 100V 2.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220LE-13Diodes IncorporatedMOSFETs FET BVDSS 61V 100V N-Ch 3A 401pF 8.3nC
на замовлення 8411 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+46.68 грн
10+39.18 грн
100+23.38 грн
500+18.56 грн
1000+16.93 грн
2500+14.10 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220LE-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 2.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220LE-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN10H220LE-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.2 A, 0.155 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 14W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+26.98 грн
500+19.87 грн
1000+16.70 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220LE-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 401 pF @ 25 V
на замовлення 28654 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.97 грн
10+37.19 грн
100+25.49 грн
500+19.98 грн
1000+18.04 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220LE-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 2.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.23 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220LE-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 2.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220LE-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN10H220LE-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.2 A, 0.155 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 14W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+46.13 грн
22+39.22 грн
100+26.98 грн
500+19.87 грн
1000+16.70 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220LE-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 2.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+16.09 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220LE-13DIODES INCORPORATEDDMN10H220LE-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220LE-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 401 pF @ 25 V
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.93 грн
5000+15.04 грн
7500+14.72 грн
12500+13.62 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220LE-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 2.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.98 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220LFDF-13Diodes ZetexDMN10H220LFDF-13
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.69 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220LFDF-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 384 pF @ 25 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+6.54 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220LFDF-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V U-DFN2020-6 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220LFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 384 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220LFDF-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V U-DFN2020-6 T&R 3K
на замовлення 5715 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+36.29 грн
14+25.10 грн
100+9.80 грн
1000+7.57 грн
9000+5.86 грн
24000+5.79 грн
45000+5.05 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220LFDF-7DIODES INCORPORATEDDMN10H220LFDF-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220LFDF-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN10H220LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.2 A, 0.174 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.174ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.49 грн
500+9.43 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220LFDF-7Diodes Inc100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220LFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 384 pF @ 25 V
на замовлення 613 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+35.33 грн
15+20.80 грн
100+11.07 грн
500+9.24 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220LFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 2.2A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220LFDF-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN10H220LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.2 A, 0.174 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.174ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+34.98 грн
39+21.74 грн
100+10.49 грн
500+9.43 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220LFVW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 222mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 366 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220LFVW-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI3333-8/SWP T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220LFVW-7Diodes Inc100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220LFVW-7Diodes Zetex100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+8.46 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220LFVW-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220LFVW-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN10H220LFVW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 11 A, 0.164 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.164ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+20.32 грн
500+18.64 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220LFVW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 222mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 366 pF @ 50 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+11.25 грн
4000+9.84 грн
6000+9.34 грн
10000+8.24 грн
14000+7.92 грн
20000+7.62 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220LFVW-7DIODES INCORPORATEDDMN10H220LFVW-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220LFVW-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN10H220LFVW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 11 A, 0.164 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.164ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+46.88 грн
36+23.15 грн
100+20.32 грн
500+18.64 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220LK3-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V TO252 T&R 2.5K
на замовлення 10487 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+34.64 грн
12+28.85 грн
100+17.45 грн
500+13.66 грн
1000+11.14 грн
2500+9.35 грн
25000+8.91 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220LK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 7.5A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 18.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 384 pF @ 25 V
на замовлення 23768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+53.00 грн
10+31.40 грн
100+20.17 грн
500+14.39 грн
1000+12.92 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220LK3-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN10H220LK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.5 A, 0.179 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 18.7W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.179ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+20.07 грн
500+14.38 грн
1000+11.92 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220LK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 7.5A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 18.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 384 pF @ 25 V
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+10.64 грн
5000+10.08 грн
7500+10.04 грн
12500+9.13 грн
17500+8.96 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220LK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 7.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+10.05 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220LK3-13DIODES INCORPORATEDDMN10H220LK3-13 SMD N channel transistors
на замовлення 1467 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+37.47 грн
81+13.46 грн
223+12.71 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220LK3-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN10H220LK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.5 A, 0.179 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 18.7W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.179ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+43.72 грн
28+30.40 грн
100+20.07 грн
500+14.38 грн
1000+11.92 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220LK3-13Diodes IncHigh Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220LK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 7.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220LPDW-13Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220LPDW-13DIODES INCORPORATEDDMN10H220LPDW-13 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220LPDW-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN10H220LPDW-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 8 A, 8 A, 0.168 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.168ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.168ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+63.62 грн
21+40.47 грн
100+36.22 грн
500+28.92 грн
1000+22.70 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220LPDW-13Diodes IncN-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220LPDW-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS61V-100V
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+57.16 грн
10+40.21 грн
100+28.51 грн
500+25.91 грн
1000+21.53 грн
2500+13.58 грн
10000+12.62 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220LPDW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 100V 8A PWRDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 384pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 222mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type R)
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+16.63 грн
5000+14.70 грн
7500+14.03 грн
12500+12.46 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220LPDW-13Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+14.17 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220LPDW-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN10H220LPDW-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 8 A, 8 A, 0.168 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.168ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.168ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+36.22 грн
500+28.92 грн
1000+22.70 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220LQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V SOT23 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220LQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 401 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.15 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220LQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220LQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 401 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.11 грн
19+16.86 грн
100+10.60 грн
500+7.40 грн
1000+6.57 грн
2000+5.88 грн
5000+5.04 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220LQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.26 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220LQ-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 100V 1.6A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220LQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 401 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 31564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.11 грн
19+16.86 грн
100+8.03 грн
500+6.70 грн
1000+6.29 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220LQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+4.15 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220LQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN10H220LQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.4 A, 0.22 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+21.49 грн
59+14.24 грн
113+7.39 грн
500+6.53 грн
1000+5.72 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220LQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.3A; 1.3W; SOT23
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.3A
On-state resistance: 0.25Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
Case: SOT23
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+21.65 грн
29+13.38 грн
36+10.83 грн
100+7.73 грн
159+5.72 грн
435+5.41 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220LQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 401 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.23 грн
6000+4.69 грн
9000+4.36 грн
15000+3.92 грн
21000+3.91 грн
30000+3.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220LQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220LQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN10H220LQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.4 A, 0.22 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+14.24 грн
113+7.39 грн
500+6.53 грн
1000+5.72 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220LQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+3.85 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220LQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.3A; 1.3W; SOT23
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.3A
On-state resistance: 0.25Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
Case: SOT23
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
12+25.98 грн
18+16.67 грн
25+12.99 грн
100+9.28 грн
159+6.87 грн
435+6.50 грн
3000+6.40 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220LQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V SOT23 T&R 3K
на замовлення 127760 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+31.27 грн
18+19.12 грн
100+7.72 грн
500+6.83 грн
1000+6.38 грн
3000+4.75 грн
6000+4.08 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220LVTDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220LVT-13Diodes IncorporatedMOSFETs 100V N-Ch Enh FET 220mOhm 16Vgs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220LVT-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 1.87A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.87A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.67W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 401 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220LVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 2.24A 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220LVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 1.87A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.87A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.67W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 401 pF @ 25 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.98 грн
6000+13.19 грн
9000+12.93 грн
15000+11.19 грн
21000+10.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220LVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 2.24A 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220LVT-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN10H220LVT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.24 A, 0.172 ohm, TSOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.67W
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.172ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2923 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+24.82 грн
500+18.56 грн
1000+14.85 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220LVT-7DIODES INCORPORATEDDMN10H220LVT-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220LVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 2.24A 6-Pin TSOT-26 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220LVT-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 100V 2.24A 6-Pin TSOT-26 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220LVT-7Diodes IncorporatedMOSFETs 100V N-Ch Enh FET 220mOhm 16Vgs
на замовлення 1635 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+43.48 грн
10+36.71 грн
100+22.20 грн
500+17.30 грн
1000+14.10 грн
3000+12.40 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220LVT-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN10H220LVT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.24 A, 0.172 ohm, TSOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.67W
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.172ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2923 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+57.21 грн
23+36.72 грн
100+24.82 грн
500+18.56 грн
1000+14.85 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220LVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 1.87A TSOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.87A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.67W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 401 pF @ 25 V
на замовлення 21009 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+62.64 грн
10+37.43 грн
100+24.20 грн
500+17.38 грн
1000+15.66 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220LVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 2.24A 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H6D2LFDB-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V U-DFN2020-6 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H6D2LFDB-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 100V 0.27A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H6D2LFDB-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 100V 0.27A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H6D2LFDB-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN10H6D2LFDB-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 270 mA, 270 mA, 3.4 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 270mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 270mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3.4ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3.4ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.91 грн
500+8.20 грн
1000+5.00 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H6D2LFDB-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V U-DFN2020-6 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H6D2LFDB-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN10H6D2LFDB-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 270 mA, 270 mA, 3.4 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 270mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 270mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3.4ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3.4ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+34.23 грн
44+19.24 грн
100+11.91 грн
500+8.20 грн
1000+5.00 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H700S-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 100V 0.7A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H700S-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 50 V
на замовлення 9976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.53 грн
13+24.59 грн
100+13.90 грн
500+8.64 грн
1000+6.62 грн
2000+5.76 грн
5000+5.10 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H700S-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V
на замовлення 13389 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+30.49 грн
19+18.01 грн
100+9.87 грн
500+7.42 грн
1000+5.94 грн
2500+5.64 грн
5000+4.97 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H700S-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H700S-13DIODES INCORPORATEDDMN10H700S-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H700S-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN10H700S-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 700 mA, 0.54 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 700mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 15715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+23.15 грн
50+16.74 грн
100+10.24 грн
500+6.68 грн
1500+6.05 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H700S-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 50 V
на замовлення 31696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.73 грн
13+24.28 грн
100+13.76 грн
500+8.56 грн
1000+6.56 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H700S-7DIODES INCORPORATEDDMN10H700S-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H700S-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN10H700S-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 700 mA, 0.54 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 700mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 400mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.54ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 15715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+6.68 грн
1500+6.05 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H700S-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 100V 0.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H700S-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 50 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.31 грн
6000+5.47 грн
15000+4.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H700S-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V
на замовлення 24790 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+35.86 грн
14+25.44 грн
100+13.07 грн
500+8.69 грн
1000+6.61 грн
3000+5.64 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1150UFB-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 12V 1.41A 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.41A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 106 pF @ 10 V
на замовлення 79457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.89 грн
23+14.00 грн
100+6.19 грн
500+5.29 грн
1000+4.30 грн
2000+4.11 грн
5000+3.85 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1150UFB-7BDIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 1.15A; Idm: 7A; 300mW
Case: X1-DFN1006-3
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 1.15A
On-state resistance: 0.21Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 1.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±6V
Pulsed drain current: 7A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 10000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1150UFB-7BDiodes IncorporatedMOSFETs N-CH MOSFET 12V
на замовлення 18394 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+31.44 грн
19+18.10 грн
100+6.76 грн
1000+5.12 грн
2500+4.53 грн
10000+3.86 грн
20000+3.71 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1150UFB-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 12V 1.41A 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.41A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 106 pF @ 10 V
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.85 грн
20000+3.67 грн
30000+3.62 грн
50000+3.30 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1150UFB-7BDIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 1.15A; Idm: 7A; 300mW
Case: X1-DFN1006-3
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 1.15A
On-state resistance: 0.21Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 1.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±6V
Pulsed drain current: 7A
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1150UFL3-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 5890 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1150UFL3-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 12V 2A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 390mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1310-6 (Type B)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1150UFL3-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 12V 2A 6-Pin X2-DFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1150UFL3-7DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 12V; 1.6A; 900mW; X2-DFN1310-6
Case: X2-DFN1310-6
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 1.6A
On-state resistance: 0.21Ω
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 0.9W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 1.4nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±6V
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1150UFL3-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 12V 2A 6-Pin X2-DFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1150UFL3-7DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 12V; 1.6A; 900mW; X2-DFN1310-6
Case: X2-DFN1310-6
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 1.6A
On-state resistance: 0.21Ω
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 0.9W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 1.4nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±6V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1150UFL3-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 12V 2A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 390mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1310-6 (Type B)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN11M1UCA14-7Diodes IncorporatedDescription: IC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel, Common Source
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33.3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3308pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.85mOhm @ 9.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77.7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 870µA
Supplier Device Package: X4-DSN3027-14
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN11M2UCA14-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 12V 34A X2-TSN3027
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 950mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6083pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.85mOhm @ 9.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71nC @ 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 870µA
Supplier Device Package: X2-TSN3027-14
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1250UFEL-7Diodes IncN-Channel Enhancement Mode Mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1250UFEL-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 8N-CH 12V 2A U-QFN1515
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-UFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 8 N-Channel, Common Gate, Common Source
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 660mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 200mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-QFN1515-12
Part Status: Active
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+103.59 грн
10+62.71 грн
100+41.54 грн
500+30.46 грн
1000+27.72 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1250UFEL-7DIODES INCORPORATEDDMN1250UFEL-7 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1250UFEL-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 8N-CH 12V 2A U-QFN1515
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-UFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 8 N-Channel, Common Gate, Common Source
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 660mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 200mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-QFN1515-12
Part Status: Active
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+26.81 грн
6000+23.95 грн
9000+23.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1250UFEL-7Diodes IncorporatedMOSFETs 8 N-Ch FET 4.5V 280mOhm 12Vdss
на замовлення 2836 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+69.11 грн
10+55.75 грн
100+37.71 грн
500+31.92 грн
1000+26.13 грн
3000+23.09 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1260UFA-7BDIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 500mA; Idm: 1.5A; 360mW
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 0.5A
On-state resistance: 1.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.36W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 960pC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 1.5A
Case: X2-DFN0806-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1260UFA-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 12V 500MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 366mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN0806-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.96 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V
на замовлення 274610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.11 грн
17+18.87 грн
100+9.51 грн
500+7.28 грн
1000+5.40 грн
2000+4.54 грн
5000+4.27 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1260UFA-7BDiodes IncorporatedMOSFETs 12V N-Ch Enh FET 8 VGS 60pF 0.92nC
на замовлення 15464 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+27.97 грн
22+16.22 грн
100+5.94 грн
500+5.05 грн
1000+4.68 грн
5000+4.45 грн
10000+3.34 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1260UFA-7BDiodes IncTrans MOSFET N-CH 12V 0.5A 3-Pin X2-DFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1260UFA-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 12V 500MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 366mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN0806-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.96 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V
на замовлення 260000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.16 грн
30000+3.93 грн
50000+3.25 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1260UFA-7BDIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 500mA; Idm: 1.5A; 360mW
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 0.5A
On-state resistance: 1.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.36W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 960pC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 1.5A
Case: X2-DFN0806-3
кількість в упаковці: 10000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN12M3UCA6-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN12M3UCA6-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 14 V, 14 V, 24.4 A, 24.4 A, 0.00227 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 24.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 14V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 24.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.00227ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 14V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: X4-DSN3118
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.00227ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+32.23 грн
27+31.56 грн
100+30.98 грн
500+28.15 грн
1000+25.41 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
DMN12M3UCA6-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN12M3UCA6-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 14 V, 14 V, 24.4 A, 24.4 A, 0.00227 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 24.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 14V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 24.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.00227ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 14V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: X4-DSN3118
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.00227ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+24.57 грн
500+22.35 грн
1000+20.13 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMN12M3UCA6-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V 24V X4-DSN3118-6 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN12M7UCA10-7DIODES INCORPORATEDDMN12M7UCA10-7 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN12M7UCA10-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20.2A X4-DSN3015-10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.75mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 1.11mA
Supplier Device Package: X4-DSN3015-10
на замовлення 9670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.06 грн
10+57.30 грн
100+39.70 грн
500+31.13 грн
1000+26.49 грн
2000+23.60 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMN12M7UCA10-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V X4-DSN3015-10 T&R 5K
на замовлення 4882 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+75.69 грн
10+57.28 грн
100+34.52 грн
500+27.54 грн
1000+23.46 грн
2500+23.38 грн
5000+22.86 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMN12M7UCA10-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20.2A X4-DSN3015-10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.75mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 1.11mA
Supplier Device Package: X4-DSN3015-10
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+24.74 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN12M8UCA10-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 12V X4-DSN3015-10
Packaging: Bulk
Package / Case: 10-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2504pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.4nC @ 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 1.11mA
Supplier Device Package: X4-DSN3015-10
на замовлення 4985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.83 грн
10+44.31 грн
100+29.75 грн
500+21.70 грн
1000+19.12 грн
2000+17.94 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMN12M8UCA10-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V X4-DSN3015-10 T&R 5K
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+56.38 грн
10+48.75 грн
100+28.95 грн
500+24.20 грн
1000+20.56 грн
2500+19.45 грн
5000+16.48 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMN13H750SDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN13H750S-13DIODES INCORPORATEDDMN13H750S-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN13H750S-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 130V 1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+12.78 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN13H750S-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 130V 1A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN13H750S-13Diodes IncorporatedMOSFETs N-Ch Enh Mode FET 130Vdss 20Vgss
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN13H750S-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 130V 1A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 770mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 130 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 231 pF @ 25 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+12.55 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN13H750S-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 130V 1A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN13H750S-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 130V 1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN13H750S-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN13H750S-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 130 V, 1 A, 0.41 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 130V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 770mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+18.65 грн
500+13.84 грн
1000+11.21 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMN13H750S-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 130V 1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 138000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN13H750S-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 130V 1A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 770mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 130 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 231 pF @ 25 V
на замовлення 144000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.46 грн
6000+12.30 грн
9000+11.42 грн
30000+10.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN13H750S-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 130V 1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 774 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
749+12.03 грн
Мінімальне замовлення: 749
В кошику  од. на суму  грн.
DMN13H750S-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN13H750S-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 130 V, 1 A, 0.41 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 130V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 770mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+32.98 грн
30+27.81 грн
100+18.65 грн
500+13.84 грн
1000+11.21 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
DMN13H750S-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 130V 1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 774 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN13H750S-7DIODES INCORPORATEDDMN13H750S-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN13H750S-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 130V 1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN13H750S-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 130V 1A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 770mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 130 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 231 pF @ 25 V
на замовлення 147502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.15 грн
10+32.86 грн
100+22.83 грн
500+16.73 грн
1000+13.60 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMN13H750S-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 130V 1A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN13H750S-7Diodes IncorporatedMOSFETs N-Ch Enh Mode FET 130Vdss 20Vgss
на замовлення 18425 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+33.00 грн
13+26.81 грн
100+17.67 грн
500+13.96 грн
1000+12.25 грн
3000+11.28 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DMN13M9UCA6-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 2963 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+84.79 грн
10+68.64 грн
100+46.40 грн
500+39.34 грн
1000+32.07 грн
3000+28.88 грн
6000+28.51 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMN14M8UFDF-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K
на замовлення 2845 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+42.70 грн
10+35.86 грн
100+23.31 грн
500+18.34 грн
1000+14.62 грн
3000+12.32 грн
9000+11.21 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMN15H310SE-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 150V 2A/7.1A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), 7.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 25 V
на замовлення 482282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+98.77 грн
10+64.34 грн
100+45.03 грн
500+34.15 грн
1000+31.50 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMN15H310SE-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 1.6A; Idm: 10A; 1.2W; SOT223
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 1.6A
On-state resistance: 0.33Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 8.7nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 10A
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN15H310SE-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 150V 2A/7.1A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), 7.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 25 V
на замовлення 475000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+31.80 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMN15H310SE-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 150V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN15H310SE-13Diodes IncorporatedMOSFETs 150V N-Ch Enh Fet 310mOhm 10Vgs 2.0A
на замовлення 1987 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+90.07 грн
10+72.82 грн
100+49.22 грн
500+41.72 грн
1000+34.00 грн
2500+31.10 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMN15H310SE-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 1.6A; Idm: 10A; 1.2W; SOT223
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 1.6A
On-state resistance: 0.33Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 8.7nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 10A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN15H310SK3Diodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN15H310SK3-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 150V 8.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN15H310SK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 150V 8.3A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.61 грн
10+34.95 грн
100+23.96 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMN15H310SK3-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 5.2A; Idm: 10A; 12W; TO252
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 5.2A
On-state resistance: 0.35Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 12W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 8.7nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 10A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN15H310SK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 150V 8.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.98 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMN15H310SK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 150V 8.3A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN15H310SK3-13Diodes IncorporatedMOSFETs 150V N-Ch Enh FET 310mOhm 10V 8.3A
на замовлення 2120 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+46.68 грн
10+39.87 грн
100+24.05 грн
500+20.71 грн
1000+17.59 грн
2500+15.52 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMN15H310SK3-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 5.2A; Idm: 10A; 12W; TO252
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 5.2A
On-state resistance: 0.35Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 12W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 8.7nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 10A
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN15H310SK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 150V 8.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN15M3UCA6-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN15M3UCA6-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 14 V, 14 V, 16.5 A, 16.5 A, 0.0046 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 16.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 14V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 16.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0046ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 14V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: X3-DSN2718
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0046ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+27.23 грн
32+26.65 грн
100+26.15 грн
500+23.74 грн
1000+21.49 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
DMN15M3UCA6-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V 24V X3-DSN2718-6 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN15M3UCA6-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN15M3UCA6-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 14 V, 14 V, 16.5 A, 16.5 A, 0.0046 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 16.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 14V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 16.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0046ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 14V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: X3-DSN2718
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0046ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+26.15 грн
500+23.74 грн
1000+21.49 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMN15M3UCA6-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 14V X3-DSN2718-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 14V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2360pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: X3-DSN2718-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN15M5UCA6-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 12V X4-DSN2117-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.6nC @ 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 840µA
Supplier Device Package: X4-DSN2117-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN16M0UCA6-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN16M0UCA6-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 12V 17A X4-DSN2112
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: X4-DSN2112-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN16M7UCA6-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V X4-DSN2718-6 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN16M7UCA6-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 12V X4-DSN2718
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2333pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.4nC @ 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: X4-DSN2718-6
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.55 грн
6000+17.29 грн
9000+16.52 грн
15000+14.68 грн
21000+14.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN16M8UCA6-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 12V X3-DSN2718-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2333pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.4nC @ 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: X3-DSN2718-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN16M9UCA6-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+74.91 грн
10+64.97 грн
100+38.53 грн
500+32.22 грн
1000+27.39 грн
3000+21.97 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMN16M9UCA6-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH X3-DSN2718-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2360pF @ 6V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: X3-DSN2718-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004DMK
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004DMK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 225mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
на замовлення 107787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.18 грн
11+28.84 грн
100+18.49 грн
500+11.19 грн
1000+10.19 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004DMK-7DIODES INCORPORATEDDMN2004DMK-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004DMK-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-26 T/R
на замовлення 1223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+52.96 грн
15+41.02 грн
25+39.24 грн
100+29.08 грн
250+24.57 грн
500+20.85 грн
1000+17.24 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004DMK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 225mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
на замовлення 107000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.34 грн
6000+8.86 грн
9000+8.68 грн
15000+8.06 грн
21000+7.78 грн
30000+7.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004DMK-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-26 T/R
на замовлення 1223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
289+42.26 грн
375+32.48 грн
411+29.63 грн
500+25.26 грн
1000+19.34 грн
Мінімальне замовлення: 289
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004DMK-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-26 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004DMK-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-26 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004DMK-7Diodes IncorporatedMOSFETs Dual N-Channel
на замовлення 34256 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+36.29 грн
13+26.55 грн
100+15.66 грн
500+12.32 грн
1000+10.69 грн
3000+9.35 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004DWK
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004DWK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 1008905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.58 грн
12+27.92 грн
100+17.87 грн
500+12.69 грн
1000+11.37 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004DWK-7DIODES INCORPORATEDDMN2004DWK-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004DWK-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004DWK-7Diodes IncorporatedMOSFETs Dual N-Channel
на замовлення 15154 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+37.07 грн
15+24.24 грн
100+11.21 грн
1000+9.43 грн
3000+8.31 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004DWK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 1005000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.09 грн
6000+9.44 грн
9000+8.98 грн
15000+7.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004DWK-7-RDIODES/ZETEX2NxMOSFET 20V 0.54A 550mΩ 200mW DMN2004DWK-7 Diodes TDMN2004dwk
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+5.04 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004DWKQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 2890 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+33.86 грн
13+27.15 грн
100+16.11 грн
1000+9.06 грн
3000+7.20 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004DWKQ-7DIODES INCORPORATEDDMN2004DWKQ-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004DWKQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.95nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 114000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.20 грн
6000+7.26 грн
9000+6.93 грн
15000+6.16 грн
21000+6.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004DWKQ-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 20V 0.54A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004K
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004KDiodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004K-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 630MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 16 V
на замовлення 1305949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.71 грн
21+15.23 грн
100+7.05 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004K-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004K-7Diodes IncorporatedMOSFETs 20V 540mA
на замовлення 35486 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+23.38 грн
23+15.28 грн
100+6.53 грн
1000+5.57 грн
3000+4.83 грн
9000+4.53 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004K-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004K-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004K-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 630MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 16 V
на замовлення 1305000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.36 грн
6000+5.02 грн
9000+4.58 грн
15000+4.28 грн
21000+4.27 грн
30000+4.11 грн
75000+3.80 грн
150000+3.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004K-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2004K-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 540 mA, 0.55 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 350mW
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 34154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.91 грн
500+9.05 грн
1000+6.62 грн
5000+6.49 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004K-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004K-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004K-7DIODES INCORPORATEDDMN2004K-7 SMD N channel transistors
на замовлення 2415 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+29.58 грн
180+6.03 грн
495+5.75 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004K-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004K-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2004K-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 540 mA, 0.55 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 350mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.55ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 34154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+32.06 грн
35+24.07 грн
100+13.91 грн
500+9.05 грн
1000+6.62 грн
5000+6.49 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004K-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+27.07 грн
30+20.53 грн
100+12.79 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004K-7 NABDIODES/ZETEXN-MOSFET 20V 630mA 550mΩ 350mW DMN2004K-7 Diodes TDMN2004k
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
300+2.25 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004K-7-F10+ROHS SOT-23
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004L
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004TK-7DIODES INCORPORATEDDMN2004TK-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004TK-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2004TK-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 540 mA, 0.4 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+29.48 грн
37+22.73 грн
100+12.66 грн
500+10.67 грн
1000+8.92 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004TK-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 20V 0.54A 3-Pin SOT-523 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004TK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 540MA SOT523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 16 V
на замовлення 517682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+35.33 грн
14+22.66 грн
100+15.33 грн
500+11.23 грн
1000+10.18 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004TK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 540MA SOT523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 16 V
на замовлення 516000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.58 грн
6000+6.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004TK-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2004TK-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 540 mA, 0.4 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+12.66 грн
500+10.67 грн
1000+8.92 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004TK-7Diodes IncorporatedMOSFETs 20V N-CHANNEL
на замовлення 209661 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+30.49 грн
15+23.14 грн
100+11.21 грн
1000+8.24 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004VK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 83024 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.15 грн
13+23.97 грн
100+15.30 грн
500+10.83 грн
1000+8.77 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004VK-7Diodes IncorporatedMOSFETs 20V 540mA
на замовлення 8640 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+41.14 грн
13+28.34 грн
100+15.96 грн
500+12.03 грн
1000+9.21 грн
3000+7.57 грн
6000+7.50 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004VK-7DIODES INCORPORATEDDMN2004VK-7 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004VK-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004VK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.79 грн
6000+7.23 грн
9000+6.99 грн
15000+6.39 грн
21000+6.27 грн
30000+6.04 грн
75000+5.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004VK-7BDiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT563 T&R 8.0K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004VK-7BDiodes IncDual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004VK-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 150770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.67 грн
27+11.60 грн
100+7.79 грн
500+5.62 грн
1000+5.05 грн
2000+4.56 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004VK-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 144000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+4.19 грн
16000+3.71 грн
24000+3.55 грн
40000+3.16 грн
56000+3.10 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004WK
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004WK-7
Код товару: 183759
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-323
Uds,V: 20 V
Idd,A: 0,54 A
Rds(on), Ohm: 0,7 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 150/
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004WK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 540MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 16 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6633000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.28 грн
6000+4.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004WK-7Diodes IncorporatedMOSFETs N-Channel
на замовлення 24450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+25.81 грн
21+16.90 грн
100+6.61 грн
1000+5.79 грн
3000+5.20 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004WK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 540MA SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 16 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6635803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+24.09 грн
21+15.31 грн
100+10.30 грн
500+7.47 грн
1000+6.73 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004WK-7DIODES INCORPORATEDDMN2004WK-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004WK-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 20V 0.54A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004WK-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.54A 3-Pin SOT-323 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004WK-7-52Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 16 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004WKQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 1571 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+28.23 грн
19+18.44 грн
100+8.39 грн
1000+7.57 грн
3000+5.94 грн
9000+5.79 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004WKQ-7DIODES INCORPORATEDDMN2004WKQ-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004WKQ-7Diodes IncN-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004WKQ-7Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004WKQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 540MA SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 16 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8319914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.70 грн
19+16.39 грн
100+11.07 грн
500+8.03 грн
1000+7.25 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004WKQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 540MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 16 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8319000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.91 грн
6000+6.10 грн
9000+5.82 грн
15000+5.16 грн
21000+4.98 грн
30000+4.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005DLP4K-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 20V 0.3A 6-Pin DFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005DLP4K-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.3A 6-Pin DFN T/R
на замовлення 102000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005DLP4K-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.3A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 400mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 100µA
Supplier Device Package: X2-DFN1310-6 (Type B)
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.16 грн
6000+7.69 грн
9000+7.66 грн
15000+7.15 грн
21000+7.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005DLP4K-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2005DLP4K-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 300 mA, 300 mA, 0.35 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.35ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 400mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: X2-DFN1310
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.35ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.83 грн
500+9.43 грн
1000+8.07 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005DLP4K-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.3A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 400mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 100µA
Supplier Device Package: X2-DFN1310-6 (Type B)
на замовлення 25733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.17 грн
12+26.45 грн
100+12.28 грн
500+10.40 грн
1000+9.58 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005DLP4K-7Diodes IncorporatedMOSFETs N-Channel
на замовлення 22833 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+37.85 грн
14+24.76 грн
100+11.36 грн
1000+9.87 грн
3000+7.94 грн
9000+7.72 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005DLP4K-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2005DLP4K-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 300 mA, 300 mA, 0.35 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.35ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 400mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: X2-DFN1310
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.35ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+30.98 грн
41+20.57 грн
100+10.83 грн
500+9.43 грн
1000+8.07 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005DLP4K-7DIODES INCORPORATEDDMN2005DLP4K-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005K
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005K-7DIODES INCORPORATEDDMN2005K-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005K-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
642+18.98 грн
Мінімальне замовлення: 642
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005K-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 300MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 200mA, 2.7V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.7V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
на замовлення 663000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.68 грн
6000+7.26 грн
9000+6.86 грн
15000+6.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005K-7Diodes IncorporatedMOSFET N-Channel
на замовлення 33044 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+29.79 грн
16+22.62 грн
100+10.39 грн
1000+8.31 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005K-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005K-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005K-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+22.11 грн
34+17.77 грн
35+17.62 грн
100+9.82 грн
250+9.00 грн
500+4.66 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005K-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 300MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 200mA, 2.7V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.7V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
на замовлення 664624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.14 грн
14+22.19 грн
100+14.07 грн
500+9.92 грн
1000+8.87 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005LP4K-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.86 грн
9000+6.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005LP4K-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 200MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 100µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 3 V
на замовлення 651959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.89 грн
22+14.38 грн
100+7.29 грн
500+6.77 грн
1000+6.14 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005LP4K-7Diodes IncorporatedMOSFETs 20V 300mA
на замовлення 65062 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+26.33 грн
22+15.54 грн
100+6.83 грн
1000+5.79 грн
3000+5.34 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005LP4K-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin DFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005LP4K-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.37 грн
9000+5.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005LP4K-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 1668000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005LP4K-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 200MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 100µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 3 V
на замовлення 651000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.62 грн
6000+5.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005LP4K-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
528+23.05 грн
1109+10.98 грн
1121+10.87 грн
1132+10.38 грн
1461+7.44 грн
3000+5.22 грн
Мінімальне замовлення: 528
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005LP4K-7DIODES INCORPORATEDDMN2005LP4K-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005LP4K-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+25.62 грн
28+21.65 грн
29+21.41 грн
100+9.83 грн
250+9.01 грн
500+8.56 грн
1000+6.63 грн
3000+4.84 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005LP4K-7-52Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 100µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 37.1 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005LPK-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2005LPK-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 440 mA, 0.35 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 440mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+39.97 грн
30+27.90 грн
100+11.66 грн
500+9.59 грн
1000+7.71 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005LPK-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.44A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 2328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+26.33 грн
30+20.43 грн
33+18.32 грн
100+10.53 грн
250+9.49 грн
500+8.49 грн
1000+4.90 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005LPK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 440MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 440mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 450mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 100µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.09 грн
6000+6.26 грн
9000+5.97 грн
15000+5.29 грн
21000+5.11 грн
30000+4.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005LPK-7DIODES INCORPORATEDDMN2005LPK-7 SMD N channel transistors
на замовлення 1150 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
27+11.19 грн
140+7.79 грн
384+7.33 грн
3000+7.32 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005LPK-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2005LPK-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 440 mA, 0.35 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 440mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.66 грн
500+9.59 грн
1000+7.71 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005LPK-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.44A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 2328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
618+19.73 грн
1036+11.76 грн
1064+11.44 грн
1142+10.28 грн
1977+5.50 грн
Мінімальне замовлення: 618
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005LPK-7Diodes IncorporatedMOSFETs 20V 200mA
на замовлення 10616 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+31.27 грн
18+19.98 грн
100+8.69 грн
1000+6.83 грн
3000+5.34 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005LPK-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 20V 0.44A 3-Pin DFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005LPK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 440MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 440mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 450mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 100µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
на замовлення 45849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.70 грн
19+16.86 грн
100+11.37 грн
500+8.25 грн
1000+7.45 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005LPK-7BDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.44A 3-Pin X1-DFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UFGDiodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 18.1A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.05W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6495 pF @ 10 V
на замовлення 527721 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.14 грн
11+29.00 грн
100+21.09 грн
500+18.34 грн
1000+14.99 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UFG-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2005UFG-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 50 A, 0.004 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.05W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+38.14 грн
27+31.73 грн
100+23.07 грн
500+18.79 грн
1000+15.92 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UFG-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 18A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 522000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UFG-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 20V 18A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UFG-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 18A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 18.1A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.05W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6495 pF @ 10 V
на замовлення 525000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.88 грн
6000+13.97 грн
9000+13.75 грн
15000+12.67 грн
21000+12.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UFG-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2005UFG-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 50 A, 0.004 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.05W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+23.07 грн
500+18.79 грн
1000+15.92 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UFG-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 18A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UFG-13Diodes IncorporatedMOSFETs 20V N-Ch Enh Mode FET 12Vgss 1.05W
на замовлення 4128 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+38.63 грн
11+31.67 грн
100+20.04 грн
500+17.59 грн
1000+14.70 грн
3000+13.81 грн
6000+13.73 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UFG-13DIODES INCORPORATEDDMN2005UFG-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UFG-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 20V 18A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 18A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
609+12.38 грн
1000+12.17 грн
Мінімальне замовлення: 609
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 18A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+15.34 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 18.1A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.05W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6495 pF @ 10 V
на замовлення 38342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.12 грн
14+22.35 грн
100+17.39 грн
500+14.37 грн
1000+14.08 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UFG-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2005UFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 50 A, 0.004 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.05W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+18.99 грн
500+16.16 грн
1000+14.06 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UFG-7Diodes IncorporatedMOSFET 20V N-Ch Enh FET 6495pF 66.8nC
на замовлення 5065 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+45.12 грн
10+38.25 грн
100+23.24 грн
500+19.82 грн
1000+14.03 грн
2000+13.58 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UFG-7DIODES INCORPORATEDDMN2005UFG-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 18A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
913+13.33 грн
Мінімальне замовлення: 913
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UFG-7
Код товару: 201744
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 18.1A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.05W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6495 pF @ 10 V
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+14.81 грн
4000+14.00 грн
6000+13.59 грн
10000+12.65 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UFG-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2005UFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 50 A, 0.004 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.05W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+33.39 грн
35+24.40 грн
100+18.99 грн
500+16.16 грн
1000+14.06 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 18A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UFGQ-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UFGQ-13DIODES INCORPORATEDDMN2005UFGQ-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UFGQ-13Diodes Zetex20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET PowerDI3333-8 Automotive AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+28.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UFGQ-13Diodes Inc20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET PowerDI3333-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UFGQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 18A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.05W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6495 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+28.30 грн
6000+25.32 грн
9000+25.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UFGQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 18A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.05W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6495 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+29.80 грн
4000+26.55 грн
6000+25.45 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UFGQ-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UFGQ-7Diodes Zetex20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET PowerDI3333-8 Automotive AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+28.70 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 20A POWERDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 142 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5337 pF @ 10 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+25.76 грн
5000+23.63 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UPS-13Diodes Zetex20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
на замовлення 2488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+26.28 грн
24+25.26 грн
100+23.05 грн
500+21.08 грн
1000+17.81 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UPS-13Diodes Inc20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UPS-13Diodes IncorporatedMOSFETs N-Ch Enh Mode FET 20Vdss 12Vgss 30A
на замовлення 2454 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+65.21 грн
10+52.93 грн
100+35.78 грн
500+30.29 грн
1000+24.72 грн
2500+22.57 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2005UPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 A, 0.0046 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+39.14 грн
500+29.15 грн
1000+24.41 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UPS-13Diodes Zetex20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+25.56 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 20A POWERDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 142 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5337 pF @ 10 V
на замовлення 7375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+62.64 грн
10+49.03 грн
100+38.17 грн
500+30.36 грн
1000+24.73 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UPS-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 15A; Idm: 150A; 2.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 150A
Power dissipation: 2.5W
Case: PowerDI5060-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 8.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 142nC
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UPS-13Diodes Zetex20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+25.56 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UPS-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 15A; Idm: 150A; 2.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 150A
Power dissipation: 2.5W
Case: PowerDI5060-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 8.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 142nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2005UPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 A, 0.0046 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+64.37 грн
16+53.05 грн
100+39.14 грн
500+29.15 грн
1000+24.41 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2008LFU-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 14.5A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1418pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 5.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type B)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2008LFU-13DIODES INCORPORATEDDMN2008LFU-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2008LFU-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 20V 14.5A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2008LFU-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2008LFU-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 20V 14.5A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2008LFU-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 14.5A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1418pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 5.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250A
Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type B)
Part Status: Active
на замовлення 63710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.65 грн
10+42.14 грн
100+28.23 грн
500+20.75 грн
1000+18.77 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2008LFU-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 6510 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+48.33 грн
10+41.49 грн
100+25.02 грн
500+20.93 грн
1000+17.82 грн
3000+15.81 грн
6000+15.00 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2008LFU-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 14.5A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1418pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 5.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250A
Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type B)
Part Status: Active
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.98 грн
6000+15.96 грн
9000+15.59 грн
15000+14.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2008LFU-7DIODES INCORPORATEDDMN2008LFU-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2009LSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 12A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2555 pF @ 10 V
на замовлення 82500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.68 грн
5000+18.87 грн
7500+16.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2009LSS-13Diodes IncorporatedMOSFET NMOS SINGLE N-CHANNL 20V 12A
на замовлення 5979 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2009LSS-13DIODES INCORPORATEDDMN2009LSS-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2009LSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 12A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2555 pF @ 10 V
на замовлення 84517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.45 грн
10+45.08 грн
100+30.34 грн
500+23.23 грн
1000+21.05 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2009LSS-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 20V 12A 8-Pin SOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2009UCA4-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V 24V X4-DSN1717-4 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2009UFDF-13Diodes IncTransistor MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2009USS-13DIODES INCORPORATEDDMN2009USS-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2009USS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1706 pF @ 10 V
на замовлення 65000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+14.96 грн
5000+14.26 грн
7500+14.24 грн
12500+13.18 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2009USS-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 6594 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+48.33 грн
10+41.66 грн
100+24.72 грн
500+20.71 грн
1000+17.59 грн
2500+14.10 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2009USS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1706 pF @ 10 V
на замовлення 67255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.36 грн
10+35.96 грн
100+24.67 грн
500+19.54 грн
1000+17.60 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2010UDZ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 11A U-DFN2535-6
на замовлення 10644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2010UDZ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 11A U-DFN2535-6
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2010UDZ-7Diodes IncorporatedMOSFET Dual N-Ch Enh FET 24V 8Vgss 0.7W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2011UFDE-13Diodes IncorporatedMOSFETs 20V N-Ch Enh Mode 12Vgss 80A .61W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2011UFDE-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 11.7A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3372 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2011UFDE-7Diodes IncorporatedMOSFETs 20V N-Ch Enh Mode 12Vgss 80A .61W
на замовлення 74261 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+50.23 грн
10+42.68 грн
100+24.87 грн
500+19.67 грн
1000+17.96 грн
3000+15.14 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2011UFDE-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2011UFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 11.7 A, 0.0065 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.97W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+48.47 грн
20+42.39 грн
100+28.06 грн
500+20.57 грн
1000+17.35 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2011UFDE-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 11.7A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2248 pF @ 10 V
на замовлення 117000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2011UFDE-7DIODES INCORPORATEDDMN2011UFDE-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2011UFDE-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2011UFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 11.7 A, 0.0065 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.97W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+28.15 грн
500+20.65 грн
1000+16.99 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2011UFDE-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 11.7A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2248 pF @ 10 V
на замовлення 121050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.38 грн
10+41.14 грн
100+26.55 грн
500+20.71 грн
1000+18.77 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2011UFDF-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 14.2A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2248 pF @ 10 V
на замовлення 13425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.41 грн
10+32.71 грн
100+21.07 грн
500+15.05 грн
1000+13.53 грн
2000+12.25 грн
5000+10.68 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2011UFDF-13DIODES INCORPORATEDDMN2011UFDF-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2011UFDF-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 14.2A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2248 pF @ 10 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+11.07 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2011UFDF-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2011UFDF-7Diodes Inc20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2011UFDF-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6 T&R 3K
на замовлення 3136 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+45.30 грн
12+29.96 грн
100+17.74 грн
500+15.00 грн
1000+12.77 грн
3000+10.62 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2011UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 14.2A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2248 pF @ 10 V
на замовлення 7594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.41 грн
10+32.86 грн
100+20.63 грн
500+15.11 грн
1000+13.44 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2011UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 14.2A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2248 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.18 грн
6000+11.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2011UFDF-7DIODES INCORPORATEDDMN2011UFDF-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2011UFX-7DIODES INCORPORATEDDMN2011UFX-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2011UFX-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 12.2A 4VDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2248pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN2050-4
Part Status: Active
на замовлення 8657 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.67 грн
10+45.86 грн
100+31.70 грн
500+23.74 грн
1000+21.77 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2011UFX-7Diodes IncorporatedMOSFETs Dual N-Ch Enh FET 20Vds 12Vgs 2248pF
на замовлення 5945 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+79.85 грн
10+53.10 грн
100+31.92 грн
500+27.54 грн
1000+23.31 грн
3000+20.27 грн
6000+20.04 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2011UFX-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 12.2A 4VDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2248pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN2050-4
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.29 грн
6000+19.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2011UTS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 21A 8TSSOP
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.71 грн
5000+14.16 грн
12500+13.18 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2011UTS-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 284 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+45.12 грн
10+38.25 грн
100+23.16 грн
500+18.11 грн
1000+14.70 грн
2500+12.62 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2011UTS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 21A 8TSSOP
на замовлення 12723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.97 грн
10+36.58 грн
100+27.34 грн
500+20.16 грн
1000+15.58 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2012UCA6-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2012UCA6-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 24V 13A X3-DSN2718
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 820mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 24V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2417pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: X3-DSN2718-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2013UFDE-7DIODES INCORPORATEDDMN2013UFDE-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2013UFDE-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2013UFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 10.5 A, 0.0084 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.03W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0084ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+34.73 грн
500+29.31 грн
1000+24.34 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2013UFDE-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 10.5A 6UDFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2013UFDE-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K
на замовлення 2167 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+45.56 грн
10+37.56 грн
100+24.35 грн
500+19.60 грн
1000+15.14 грн
3000+13.44 грн
6000+13.36 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2013UFDE-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 10.5A 6UDFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2013UFDE-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2013UFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 10.5 A, 0.0084 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.03W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0084ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+40.56 грн
100+34.73 грн
500+21.34 грн
1000+9.64 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2013UFDEQ-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2013UFX-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 10A 6-DFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2013UFX-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 10A 6-DFN
на замовлення 2828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2013UFX-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 10A 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2013UFX-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 10A 6-DFN
на замовлення 2828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2013UFX-7Diodes IncorporatedMOSFET 20V N-Ch Enh Mode 8Vgss 10A 0.78W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2014LHAB-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2014LHAB-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 9.3 A, 9.3 A, 0.01 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.01ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.7W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: U-DFN2030
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.01ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.7W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+25.15 грн
500+19.25 грн
1000+15.20 грн
5000+12.63 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2014LHAB-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2030-6 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2014LHAB-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 9A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type B)
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.17 грн
11+28.46 грн
100+19.38 грн
500+14.29 грн
1000+13.00 грн
2000+11.91 грн
5000+10.53 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2014LHAB-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2014LHAB-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 9.3 A, 9.3 A, 0.01 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.01ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.7W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: U-DFN2030
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.01ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.7W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+57.13 грн
21+40.22 грн
100+25.15 грн
500+19.25 грн
1000+15.20 грн
5000+12.63 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2014LHAB-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 9A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type B)
Part Status: Active
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+11.00 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2014LHAB-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 9A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type B)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2014LHAB-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 9A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2014LHAB-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 9A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type B)
Part Status: Active
на замовлення 2023 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.42 грн
10+35.57 грн
100+23.01 грн
500+16.49 грн
1000+14.85 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2014LHAB-7DIODES INCORPORATEDDMN2014LHAB-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2014LHAB-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 20V 9A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2014LHAB-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 9A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2014LHAB-7Diodes IncorporatedMOSFET FET BVDSS 8V 24V N-Ch Dual 20V 1550pF
на замовлення 2763 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+41.05 грн
10+35.43 грн
100+23.01 грн
500+18.04 грн
1000+13.96 грн
3000+12.69 грн
9000+11.65 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2015UFDE-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 10.5A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 8.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1779 pF @ 10 V
на замовлення 138015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.97 грн
11+29.08 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2015UFDE-7DIODES INCORPORATEDDMN2015UFDE-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2015UFDE-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 20V 10.5A 6-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2015UFDE-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 10.5A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 8.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1779 pF @ 10 V
на замовлення 140960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.42 грн
10+35.73 грн
100+23.09 грн
500+16.55 грн
1000+14.90 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2015UFDE-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+45.90 грн
11+31.59 грн
100+18.71 грн
500+14.70 грн
1000+13.29 грн
3000+11.73 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2015UFDE-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2015UFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 10.5 A, 0.0093 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 660mW
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0093ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+47.13 грн
26+32.39 грн
100+21.98 грн
500+16.08 грн
1000+13.92 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2015UFDE-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 10.5A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 8.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1779 pF @ 10 V
на замовлення 138000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.93 грн
6000+11.52 грн
9000+11.04 грн
15000+10.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2015UFDF-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2015UFDF-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 15.2A 6UDFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2015UFDF-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2015UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 11.6 A, 0.0068 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0068ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+14.82 грн
500+10.59 грн
1000+7.42 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2015UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 15.2A 6UDFN
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2015UFDF-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 2644 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+40.27 грн
13+27.40 грн
100+16.26 грн
500+12.69 грн
1000+11.51 грн
3000+9.80 грн
9000+9.72 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2015UFDF-7DIODES INCORPORATEDDMN2015UFDF-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2015UFDF-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2015UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 11.6 A, 0.0068 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0068ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+34.48 грн
38+22.48 грн
100+14.82 грн
500+10.59 грн
1000+7.42 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2015UFDF-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 20V 11.6A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2016LFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 5.2A 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2016LFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8UDFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2016LFG-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET N-CHANNEL DFN DFN3030-8 GREEN 3K
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+51.53 грн
10+43.37 грн
100+27.02 грн
500+21.08 грн
1000+17.15 грн
3000+14.70 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2016LFG-7DIODES INCORPORATEDDMN2016LFG-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2016LFG-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 20V 5.2A 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2016LFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 5.2A 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2016LFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8UDFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2016LHAB-7DIODES INCORPORATEDDMN2016LHAB-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2016LHAB-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 20V 7.5A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2016LHAB-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type B)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2016LHAB-7Diodes IncorporatedMOSFET DUAL N-CH MOSFET 20V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2016LHAB-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type B)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.39 грн
10+33.17 грн
100+22.74 грн
500+16.85 грн
1000+15.37 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2016UFX-7Diodes ZetexDual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2016UFX-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2016UFX-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 24V 9.9A 4VDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.07W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 24V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 6.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN2050-4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2016UTS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2016UTS-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 8.58 A, 8.58 A, 0.011 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.58A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.011ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 880mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.011ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 880mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+49.38 грн
24+35.31 грн
100+22.15 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2016UTS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 8.58A 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 880mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.58A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1495pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 9.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
на замовлення 115000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+12.90 грн
5000+12.28 грн
7500+12.00 грн
12500+10.89 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2016UTS-13Diodes IncorporatedMOSFET N-Ch Dual MOSFET 20V VDSS 8V VGSS
на замовлення 10583 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+48.33 грн
10+41.06 грн
100+26.65 грн
500+21.01 грн
1000+16.26 грн
2500+13.73 грн
10000+13.44 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2016UTS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2016UTS-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 8.58 A, 8.58 A, 0.011 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.58A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.011ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 880mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.011ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 880mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+22.15 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2016UTS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 8.58A 8-Pin TSSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2016UTS-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.73A; Idm: 36A; 880mW; TSSOP8
Mounting: SMD
Case: TSSOP8
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.73A
On-state resistance: 16.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.88W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 16.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 36A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2016UTS-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.73A; Idm: 36A; 880mW; TSSOP8
Mounting: SMD
Case: TSSOP8
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.73A
On-state resistance: 16.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.88W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 16.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 36A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2016UTS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 8.58A 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 880mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.58A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1495pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 9.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
на замовлення 117727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.62 грн
10+36.42 грн
100+21.70 грн
500+16.28 грн
1000+14.74 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2016UTS-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 20V 8.58A 8-Pin TSSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2016UTS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 8.58A 8-Pin TSSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2019UTS-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.3A; Idm: 30A; 780mW; TSSOP8
Mounting: SMD
Case: TSSOP8
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.3A
On-state resistance: 31mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.78W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 8.8nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 30A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2019UTS-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.3A; Idm: 30A; 780mW; TSSOP8
Mounting: SMD
Case: TSSOP8
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.3A
On-state resistance: 31mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.78W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 8.8nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 30A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2019UTS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2019UTS-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 5.4 A, 5.4 A, 0.0155 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0155ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 780mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0155ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 780mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+17.40 грн
500+12.68 грн
1000+8.78 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2019UTS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 780mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Part Status: Active
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+10.55 грн
5000+9.37 грн
7500+8.95 грн
12500+7.92 грн
17500+7.63 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2019UTS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2019UTS-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 5.4 A, 5.4 A, 0.0155 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0155ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 780mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0155ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 780mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+37.39 грн
33+25.65 грн
100+17.40 грн
500+12.68 грн
1000+8.78 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2019UTS-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V 24V TSSOP-8 T&R 2.5
на замовлення 2357 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+32.22 грн
13+27.15 грн
100+17.67 грн
500+13.88 грн
1000+10.76 грн
2500+9.13 грн
10000+8.91 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2019UTS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 780mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Part Status: Active
на замовлення 21429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.58 грн
12+27.84 грн
100+17.87 грн
500+12.71 грн
1000+11.13 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2020LSN-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 6.9A SC59-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-59-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1149 pF @ 10 V
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.12 грн
6000+8.42 грн
9000+7.58 грн
30000+7.00 грн
75000+6.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2020LSN-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 6.9A 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 2318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
490+24.87 грн
786+15.49 грн
819+14.87 грн
854+13.75 грн
1473+7.38 грн
Мінімальне замовлення: 490
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2020LSN-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 6.9A 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 2318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+32.74 грн
24+25.80 грн
27+23.09 грн
100+13.87 грн
250+12.32 грн
500+11.35 грн
1000+6.58 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2020LSN-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 20V 6.9A 3-Pin SC-59 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2020LSN-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET,N-CHANNEL
на замовлення 15713 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+37.85 грн
17+21.09 грн
100+11.80 грн
500+10.84 грн
1000+8.39 грн
3000+7.27 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2020LSN-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2020LSN-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.9 A, 0.013 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 610mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+19.65 грн
500+14.23 грн
1000+9.49 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2020LSN-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 6.9A SC59-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-59-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1149 pF @ 10 V
на замовлення 90541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.73 грн
13+25.21 грн
100+15.15 грн
500+13.16 грн
1000+8.95 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2020LSN-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 6.9A 3-Pin SC-59 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2020LSN-7DIODES INCORPORATEDDMN2020LSN-7 SMD N channel transistors
на замовлення 2644 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+36.97 грн
129+8.44 грн
355+7.98 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2020LSN-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2020LSN-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.9 A, 0.013 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 610mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+42.47 грн
27+31.23 грн
100+19.65 грн
500+14.23 грн
1000+9.49 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2020UFCL-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 9A 6-Pin X1-DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2020UFCL-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 9A X1-DFN1616-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1616-6 (Type E)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1788 pF @ 10 V
на замовлення 1148299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.17 грн
12+27.68 грн
100+18.86 грн
500+13.42 грн
1000+12.04 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2020UFCL-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 7.1A; Idm: 45A; 610mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 7.1A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 0.61W
Case: X1-DFN1616-6
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21.5nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2020UFCL-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 9A 6-Pin X1-DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2020UFCL-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 9A X1-DFN1616-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1616-6 (Type E)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1788 pF @ 10 V
на замовлення 1146000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.63 грн
6000+9.93 грн
9000+9.02 грн
15000+8.44 грн
21000+8.14 грн
30000+8.01 грн
75000+7.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2020UFCL-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 7.1A; Idm: 45A; 610mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 7.1A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 0.61W
Case: X1-DFN1616-6
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21.5nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2020UFCL-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 9A 6-Pin X1-DFN EP T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2020UFCL-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 20V 9A 6-Pin X1-DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2020UFCL-7Diodes IncorporatedMOSFETs 20V N-Ch Enh FET 0.61W 1788pF 21.5nC
на замовлення 3766 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+41.14 грн
13+27.92 грн
100+18.11 грн
500+14.10 грн
1000+12.25 грн
3000+10.54 грн
6000+9.35 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2022UCA4-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V X4-DSN1717-4 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2022UCA4-7Diodes ZetexMOSFET BVDSS: 8V24V X4-DSN1717-4 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2022UCA4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V X4-DSN1717-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel, Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 24V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1438pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5nC @ 4V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 1mA
Supplier Device Package: X4-DSN1717-4
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.24 грн
6000+14.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2022UDH-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2022UDH-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 10A 8-Pin VQFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2022UDH-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V 24V V-DFN3030-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2022UDH-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2022UDH-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 10A 8-Pin VQFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2022UFDF-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2022UFDF-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 7.9A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 907 pF @ 10 V
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+9.11 грн
30000+8.57 грн
50000+8.35 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2022UFDF-13Diodes IncorporatedMOSFETs 20V N-Ch Enh Mode 8Vgss 7.9A .66W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2022UFDF-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+9.62 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2022UFDF-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2022UFDF-7DIODES INCORPORATEDDMN2022UFDF-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2022UFDF-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2022UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7.9 A, 0.015 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.03W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+23.98 грн
52+16.24 грн
100+8.58 грн
500+7.19 грн
1000+6.00 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2022UFDF-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2022UFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2022UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 7.9A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 907 pF @ 10 V
на замовлення 46979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.73 грн
13+25.13 грн
100+15.03 грн
500+13.06 грн
1000+8.88 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2022UFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2022UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 7.9A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 907 pF @ 10 V
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2022UFDF-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2022UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7.9 A, 0.015 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.03W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+7.19 грн
1000+6.00 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2022UFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2022UFDF-7Diodes IncorporatedMOSFETs 20V N-Ch Enh Mode 8Vgss 7.9A .66W
на замовлення 4586 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+41.14 грн
12+29.79 грн
100+16.63 грн
500+12.69 грн
1000+10.76 грн
3000+9.65 грн
6000+8.46 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2022UNS-13Diodes IncorporatedMOSFET Dual N-Ch Enh FET 20V 10Vgss 1.2W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2022UNS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 10.7A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.3nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXB)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2022UNS-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 10.7A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2022UNS-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 10.7A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.3nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXB)
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.97 грн
10+37.43 грн
100+25.91 грн
500+20.32 грн
1000+17.29 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2022UNS-7Diodes IncorporatedMOSFETs Dual N-Ch Enh FET 20V 10Vgss 1.2W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2022UNS-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 10.7A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+15.98 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2022UNS-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 10.7A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.3nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXB)
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+17.04 грн
6000+15.55 грн
10000+14.40 грн
50000+13.38 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2023LSDDiodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2023UCB4-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 6A 4-Pin X1-WLB T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2023UCB4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 24V 6A X1-WLB1818-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.45W
Drain to Source Voltage (Vdss): 24V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3333pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: X1-WLB1818-4
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.95 грн
6000+15.86 грн
9000+15.24 грн
15000+14.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2023UCB4-7Diodes IncorporatedMOSFETs N-Ch 24Vds 12Vgs 6.0A Enh FET 2564pF
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+70.76 грн
10+46.53 грн
100+27.17 грн
500+21.16 грн
1000+19.15 грн
3000+16.55 грн
6000+16.48 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2023UCB4-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 24V; 4.8A; Idm: 20A; 1.45W
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.45W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 37nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 20A
Case: X1-WLB1818-4
Drain-source voltage: 24V
Drain current: 4.8A
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2023UCB4-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 6A 4-Pin X1-WLB T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2023UCB4-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 24V; 4.8A; Idm: 20A; 1.45W
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.45W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 37nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 20A
Case: X1-WLB1818-4
Drain-source voltage: 24V
Drain current: 4.8A
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2023UCB4-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 6A 4-Pin X1-WLB T/R
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.33 грн
15000+19.49 грн
30000+18.14 грн
45000+16.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2023UCB4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 24V 6A X1-WLB1818-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.45W
Drain to Source Voltage (Vdss): 24V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3333pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: X1-WLB1818-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 21413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.85 грн
10+41.99 грн
100+28.08 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2023UCB4-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 6A 4-Pin X1-WLB T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2023UCB4-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 6A 4-Pin X1-WLB T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2023UCB4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 24V 6A X1-WLB1818-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.45W
Drain to Source Voltage (Vdss): 24V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3333pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: X1-WLB1818-4
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.85 грн
10+41.99 грн
100+28.08 грн
500+20.71 грн
1000+18.73 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024LCA4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V X4-DSN1313-
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.66 грн
6000+9.60 грн
15000+8.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024LCA4-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V X4-DSN1313-4 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024LCA4-7Diodes ZetexMOSFET BVDSS: 8V24V X4-DSN1313-4 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UDiodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024U-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 6.8A SOT23 T&R 1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647 pF @ 10 V
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+6.69 грн
30000+6.36 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024U-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024U-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 6.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.92 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024U-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 6.8A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024U-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 6.8A SOT23 T&R 1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647 pF @ 10 V
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+35.33 грн
13+23.89 грн
100+12.06 грн
500+10.03 грн
1000+7.80 грн
2000+6.99 грн
5000+6.72 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024U-7DIODES INCORPORATEDDMN2024U-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 6.8A SOT23 T&R 3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647 pF @ 10 V
на замовлення 408000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.75 грн
6000+7.30 грн
9000+6.46 грн
30000+5.99 грн
75000+5.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024U-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 20V 6.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 6.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 432000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 6.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.11 грн
9000+6.30 грн
24000+5.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024U-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET
на замовлення 7868 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+37.85 грн
15+23.22 грн
100+9.58 грн
1000+8.39 грн
3000+7.42 грн
9000+5.79 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 6.8A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 6.8A SOT23 T&R 3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647 pF @ 10 V
на замовлення 408161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+35.33 грн
13+23.97 грн
100+12.09 грн
500+10.05 грн
1000+7.82 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 6.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.00 грн
9000+6.20 грн
24000+5.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024U-7-MLMOSLEADERDescription: N 20V 6.8A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+3.67 грн
3000+3.22 грн
6000+3.11 грн
15000+2.82 грн
30000+2.72 грн
75000+2.47 грн
150000+2.28 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UDH-7Diodes ZetexDUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UDH-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UDH-7Diodes ZetexDUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UDH-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 950mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 6.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN3030-8
Part Status: Active
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.37 грн
6000+13.14 грн
9000+12.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UFDF-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 7.1A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UFDF-13DIODES INCORPORATEDDMN2024UFDF-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UFDF-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UFDF-13Diodes Inc20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 7.1A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647 pF @ 10 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UFDF-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2024UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7.1 A, 0.015 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.67W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+31.81 грн
39+21.40 грн
100+11.33 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UFDF-7Diodes Zetex20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UFDF-7DIODES INCORPORATEDDMN2024UFDF-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UFDF-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 4201 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+33.00 грн
15+23.99 грн
100+12.03 грн
1000+8.24 грн
3000+7.42 грн
9000+6.46 грн
24000+6.38 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UFDF-7Diodes Inc20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 7.1A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647 pF @ 10 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UFDF-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2024UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7.1 A, 0.015 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.67W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.33 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UFDF-7Diodes Zetex20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UFU-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2030-6 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UFU-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 7.5A/21A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 810mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), 21A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.2mOhm @ 6.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type B)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UFU-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2024UFU-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 21 A, 21 A, 0.0112 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 21A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0112ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 810mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: U-DFN2030
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0112ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 810mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+73.70 грн
17+50.13 грн
100+47.88 грн
500+40.91 грн
1000+36.97 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UFU-7Diodes IncDual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UFU-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2024UFU-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 21 A, 21 A, 0.0112 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 21A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0112ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 810mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: U-DFN2030
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0112ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 810mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+47.88 грн
500+40.91 грн
1000+36.97 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UFU-7Diodes ZetexDual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UFU-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2030-6 T&R 3K
на замовлення 5970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+58.81 грн
10+38.50 грн
100+32.81 грн
3000+11.88 грн
9000+10.62 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UFU-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 7.5A/21A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 810mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), 21A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.2mOhm @ 6.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type B)
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.42 грн
6000+11.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UFU-7DIODES INCORPORATEDDMN2024UFU-7 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UFX-7Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UFX-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V V-DFN2050-4 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UFX-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2024UFX-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 8 A, 8 A, 0.011 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.011ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 920mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: V-DFN2050
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.011ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 920mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+26.23 грн
500+22.27 грн
1000+19.20 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UFX-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 8A 4VDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 920mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN2050-4
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.33 грн
6000+11.89 грн
9000+11.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UFX-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2024UFX-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 8 A, 8 A, 0.011 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.011ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 920mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: V-DFN2050
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.011ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 920mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+44.05 грн
31+27.06 грн
100+26.23 грн
500+22.27 грн
1000+19.20 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UQ-13DIODES INCORPORATEDDMN2024UQ-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UQ-13Diodes IncMOSFET BVDSS: 8V24V SOT23 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UQ-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UQ-7Diodes IncMOSFET BVDSS: 8V24V SOT23 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 313460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.56 грн
13+25.36 грн
100+12.26 грн
500+11.46 грн
1000+10.26 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3K
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+34.64 грн
13+26.72 грн
100+12.99 грн
1000+8.83 грн
3000+7.72 грн
9000+6.98 грн
24000+6.83 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2024UQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.8 A, 0.016 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+18.74 грн
500+13.53 грн
1000+9.99 грн
3000+8.35 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UQ-7Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
на замовлення 384000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 312000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.82 грн
6000+7.71 грн
9000+6.92 грн
15000+6.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2024UQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.8 A, 0.016 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+40.47 грн
28+29.81 грн
100+18.74 грн
500+13.53 грн
1000+9.99 грн
3000+8.35 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UTS-13Diodes ZetexHigh Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+11.65 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UTS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 890mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta), 15.2A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
на замовлення 89867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.98 грн
10+31.09 грн
100+20.39 грн
500+15.36 грн
1000+13.83 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UTS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 890mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta), 15.2A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
на замовлення 87500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+10.73 грн
5000+10.12 грн
7500+9.99 грн
12500+9.16 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UTS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 2405 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+39.49 грн
11+33.46 грн
100+20.19 грн
500+15.81 грн
1000+12.84 грн
2500+10.69 грн
10000+10.32 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UVT-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 7A TSOT23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-23-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UVT-13DIODES INCORPORATEDDMN2024UVT-13 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UVT-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UVT-13Diodes IncHigh Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UVT-13Diodes ZetexHigh Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UVT-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UVT-7Diodes ZetexHigh Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 7A TSOT23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-23-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UVTQ-13Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UVTQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 7A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UVTQ-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UVTQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2024UVTQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 7 A, 7 A, 0.019 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+42.80 грн
30+28.56 грн
100+23.57 грн
500+17.01 грн
1000+12.92 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UVTQ-7Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UVTQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V TSOT26 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UVTQ-7Diodes IncMOSFET BVDSS: 8V24V TSOT26 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UVTQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2024UVTQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 7 A, 7 A, 0.019 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+23.57 грн
500+17.01 грн
1000+12.92 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UVTQ-7Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UVTQ-7DIODES INCORPORATEDDMN2024UVTQ-7 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UVTQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 7A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.24 грн
6000+9.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2025UDiodes IncorporatedDescription: DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2025U-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 1
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.08 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2025U-13Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.50 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2025U-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2025U-7Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2025U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 10 V
на замовлення 19245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+24.09 грн
23+14.00 грн
100+6.02 грн
500+5.65 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2025U-7Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3481+3.50 грн
Мінімальне замовлення: 3481
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2025U-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 8002 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+30.57 грн
16+22.11 грн
100+10.91 грн
1000+5.57 грн
3000+4.45 грн
9000+3.79 грн
24000+3.56 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2025U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 10 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.08 грн
6000+4.21 грн
9000+3.53 грн
15000+3.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2025UFDB-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2025UFDB-13Diodes ZetexDual 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2025UFDB-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 6A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 486pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2025UFDB-7Diodes IncDual 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2025UFDB-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2025UFDB-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 6 A, 6 A, 0.0185 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0185ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0185ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+52.46 грн
35+24.40 грн
100+22.07 грн
500+20.41 грн
1000+18.77 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2025UFDB-7Diodes ZetexDual 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2025UFDB-7DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 4.8A; Idm: 35A; 1.4W
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.8A
On-state resistance: 31mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 12.3nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 35A
Mounting: SMD
Case: U-DFN2020-6
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2025UFDB-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 6A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 486pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.15 грн
6000+9.37 грн
9000+8.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2025UFDB-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2025UFDB-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2025UFDB-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 6 A, 6 A, 0.0185 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0185ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0185ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+22.07 грн
500+20.41 грн
1000+18.77 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2025UFDB-7Diodes ZetexDual 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2025UFDB-7DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 4.8A; Idm: 35A; 1.4W
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.8A
On-state resistance: 31mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 12.3nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 35A
Mounting: SMD
Case: U-DFN2020-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2025UFDF-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2025UFDF-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 6.5A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 486 pF @ 10 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+6.87 грн
30000+6.52 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2025UFDF-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2025UFDF-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+6.98 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2025UFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2025UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 6.5A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 486 pF @ 10 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2025UFDF-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.2A; Idm: 30A; 1.6W
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.2A
On-state resistance: 60mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 12.3nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 30A
Mounting: SMD
Case: U-DFN2020-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2025UFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2025UFDF-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2025UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 6.5A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 486 pF @ 10 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2025UFDF-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K
на замовлення 5966 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+31.44 грн
17+20.83 грн
100+9.50 грн
1000+8.54 грн
3000+6.83 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.