Продукція > DMT

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
DMT-09-1-4B-NLRDI ElectronicsDMT-09-1-4B-NL
на замовлення 3998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1608+8.05 грн
Мінімальне замовлення: 1608
В кошику  од. на суму  грн.
DMT-09-1-4B-NLRDI ElectronicsDMT-09-1-4B-NL
на замовлення 3998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+35.42 грн
86+8.62 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
DMT-1206S-NLRDI ElectronicsAudio Alert
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT-1606S-NLRDI ElectronicsAudio 4V 7V 30mA 6V 85dB Through Hole Pin
на замовлення 1942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
155+83.83 грн
Мінімальне замовлення: 155
В кошику  од. на суму  грн.
DMT-1606S-NLRDI ElectronicsAudio 4V 7V 30mA 6V 85dB Through Hole Pin
на замовлення 1942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+89.82 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMT-1612S-NLRDI ElectronicsAUDIO ALERT W/OSCILLATING CIRCUIT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT-1A-02Adam TechDescription: CONN RECEPT 2POS SINGLE 3.0MM
на замовлення 4994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT-1A-03Adam TechDescription: CONN RECEPT 3POS SINGLE 3.0MM
на замовлення 4989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT-1A-04Adam TechDescription: CONN RECEPT 4POS SINGLE 3.0MM
на замовлення 4999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT-1A-05Adam TechDescription: CONN RCPT HSG 5POS 3.00MM
Packaging: Bag
Features: Glow Wire Compliant
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: Black
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 5
Pitch: 0.118" (3.00mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Part Status: Active
Number of Rows: 1
Insulation Material: Polyamide (PA), Nylon
на замовлення 4930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+7.68 грн
47+6.36 грн
50+6.01 грн
52+5.37 грн
100+5.11 грн
250+4.79 грн
500+4.49 грн
1000+4.27 грн
3000+3.95 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
DMT-2A-04Adam TechDescription: CONN RCPT HSG 4POS 3.00MM
Packaging: Bag
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: Black
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 4
Pitch: 0.118" (3.00mm)
Operating Temperature: -25°C ~ 120°C
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.118" (3.00mm)
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2
на замовлення 6421 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+20.74 грн
20+14.94 грн
25+13.34 грн
50+11.56 грн
100+10.66 грн
250+9.60 грн
500+8.74 грн
1000+8.09 грн
3000+7.19 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
DMT-2A-06Adam TechDescription: CONN RCPT HSG 6POS 3.00MM
Packaging: Bag
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: Black
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 6
Pitch: 0.118" (3.00mm)
Operating Temperature: -25°C ~ 120°C
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.118" (3.00mm)
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2
на замовлення 14051 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.13 грн
25+11.83 грн
28+10.65 грн
50+9.22 грн
100+8.50 грн
250+7.66 грн
500+6.97 грн
1000+6.46 грн
2500+6.08 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
DMT-2A-08Adam TechDescription: CONN RCPT HSG 8POS 3.00MM
Packaging: Bag
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: Black
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 8
Pitch: 0.118" (3.00mm)
Operating Temperature: -25°C ~ 120°C
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.118" (3.00mm)
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2
на замовлення 4451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.64 грн
11+27.81 грн
25+25.00 грн
50+21.66 грн
100+20.00 грн
250+18.03 грн
500+16.42 грн
1000+15.23 грн
3000+13.57 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMT-2A-10Adam TechDescription: CONN RECEPT 10POS DUAL 3.0MM
на замовлення 4987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT-2A-12Adam TechDescription: CONN RECEPT 12POS DUAL 3.0MM
на замовлення 4976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT-2A-14Adam TechDescription: CONN RECEPT 14POS DUAL 3.0MM
на замовлення 4999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT-2A-16Adam TechDescription: CONN RECEPT 16POS DUAL 3.0MM
на замовлення 4999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT-2A-24Adam TechDescription: CONN RCPT HSG 24POS 3.00MM
Packaging: Bag
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: Black
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 24
Pitch: 0.118" (3.00mm)
Operating Temperature: -25°C ~ 120°C
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.118" (3.00mm)
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2
на замовлення 2933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.17 грн
10+33.51 грн
25+30.62 грн
50+27.04 грн
100+25.91 грн
250+23.65 грн
500+22.16 грн
1000+19.51 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMT-4CCMONACORDescription: MONACOR - DMT-4CC - Messzubehör, Koffer, Schwarz, Digital- und Analogmultimeter
tariffCode: 42021299
productTraceability: No
rohsCompliant: NA
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+614.14 грн
5+574.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DMT-6-12Bel Signal TransformerPower Transformers 5060 Hz, Laminated Transformer
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1554.07 грн
25+1301.82 грн
500+1125.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMT-6-12Signal TransformerDescription: XFRMR LAMINATED 6VA CHAS MOUNT
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT-6-15Signal TransformerDescription: PWR XFMR LAMINATED 6VA CHAS MT
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1475.53 грн
10+1253.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMT-6-15Bel Signal TransformerPower Transformers 5060 Hz, Laminated Transformer
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1469.64 грн
10+1277.48 грн
25+1065.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMT-7-12Bel Signal TransformerPower Transformers 5060 Hz, Laminated Transformer
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT-7-12Signal TransformerDescription: PWR XFMR LAMINATED 7VA CHAS MT
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 93.70mm L x 49.20mm W
Mounting Type: Chassis Mount
Type: Laminated Core
Weight: 1.7 lbs (771.1 g)
Termination Style: Solder, Quick Connect
Primary Winding(s): Dual
Secondary Winding(s): Dual
Power - Max: 7VA
Voltage - Isolation: 2500Vrms
Current - Output (Max): 2.8A, 350mA
Voltage - Primary: 115V, 230V
Height - Seated (Max): 57.80mm
Voltage - Secondary (Full Load): 5V, 12V
Center Tap: Yes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT-7-15Signal TransformerDescription: PWR XFMR LAMINATED 7VA CHAS MT
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 93.70mm L x 49.20mm W
Mounting Type: Chassis Mount
Type: Laminated Core
Weight: 1.7 lbs (771.1 g)
Termination Style: Solder, Quick Connect
Primary Winding(s): Dual
Secondary Winding(s): Dual
Power - Max: 7VA
Voltage - Isolation: 2500Vrms
Current - Output (Max): 2.8A, 280mA
Voltage - Primary: 115V, 230V
Height - Seated (Max): 57.80mm
Voltage - Secondary (Full Load): 5V, 15V
Center Tap: Yes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT-7-15Bel Signal TransformerPower Transformers 5060 Hz, Laminated Transformer
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1993.77 грн
10+1839.66 грн
20+1394.19 грн
60+1289.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMT-8-12Signal TransformerDescription: PWR XFMR LAMINATED 8VA CHAS MT
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 102.40mm L x 58.50mm W
Mounting Type: Chassis Mount
Type: Laminated Core
Weight: 2.8 lbs (1.3 kg)
Termination Style: Solder, Quick Connect
Primary Winding(s): Dual
Secondary Winding(s): Dual
Power - Max: 8VA
Voltage - Isolation: 2500Vrms
Current - Output (Max): 4A, 600mA
Voltage - Primary: 115V, 230V
Height - Seated (Max): 67.70mm
Voltage - Secondary (Full Load): 5V, 12V
Center Tap: Yes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT-8-12Bel Signal TransformerPower Transformers 5060 Hz, Laminated Transformer
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT-8-15Bel Signal TransformerPower Transformers 5060 Hz, Laminated Transformer
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3239.58 грн
10+2872.16 грн
25+2160.93 грн
50+2057.83 грн
100+2047.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMT-8-15Signal TransformerDescription: PWR XFMR LAMINATED 8VA CHAS MT
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 102.40mm L x 58.50mm W
Mounting Type: Chassis Mount
Type: Laminated Core
Weight: 2.8 lbs (1.3 kg)
Termination Style: Solder, Quick Connect
Primary Winding(s): Dual
Secondary Winding(s): Dual
Power - Max: 8VA
Voltage - Isolation: 2500Vrms
Current - Output (Max): 4A, 500mA
Voltage - Primary: 115V, 230V
Height - Seated (Max): 67.70mm
Voltage - Secondary (Full Load): 5V, 15V
Center Tap: Yes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT-B-C-F-T-RAdam TechDescription: CRIMP CONTACT 20-24AWG
Packaging: Tape & Reel (TR)
Contact Finish: Tin
Contact Termination: Crimp
Wire Gauge: 20-24 AWG
Type: Stamped
Pin or Socket: Socket
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.95 грн
20000+1.75 грн
30000+1.68 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT-B-C-F-T-RAdam TechHeaders & Wire Housings CRIMP CONTACT 20-24AWG
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
44+7.41 грн
60+5.26 грн
71+3.89 грн
84+3.28 грн
86+3.21 грн
100+2.73 грн
500+2.59 грн
Мінімальне замовлення: 44
В кошику  од. на суму  грн.
DMT-B-C-F-T-RAdam TechDescription: CRIMP CONTACT 20-24AWG
Packaging: Cut Tape (CT)
Contact Finish: Tin
Contact Termination: Crimp
Wire Gauge: 20-24 AWG
Type: Stamped
Pin or Socket: Socket
на замовлення 31705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+8.45 грн
48+6.21 грн
54+5.53 грн
58+4.80 грн
100+4.43 грн
250+3.98 грн
500+3.61 грн
1000+3.34 грн
2500+3.01 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
DMT-B5-C-F-T-RAdam TechDescription: CONTACT TIN 20-24 AWG
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT-B5-C-F-T-RAdam TechDescription: CONTACT TIN 20-24 AWG
на замовлення 4859 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+7.68 грн
80+3.70 грн
99+3.02 грн
106+2.64 грн
110+2.54 грн
250+2.19 грн
500+2.07 грн
1000+1.81 грн
2500+1.64 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
DMT-D-1-02Adam TechDescription: CONN RECEPT 2POS SINGLE 3.0MM
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT-D-1-03Adam TechDescription: CONN RECEPT 3POS SINGLE 3.0MM
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT-D-1-04Adam TechDescription: CONN RECEPT 4POS SINGLE 3.0MM
на замовлення 3990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT-D-1-05Adam TechDescription: CONN RECEPT 5POS SINGLE 3.0MM
на замовлення 4764 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT1-16-6.7LCoilcraftPower Inductors - Leaded 16uH Unshld 6.7A 20mOhms
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+962.23 грн
270+666.61 грн
510+404.19 грн
1020+376.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMT1-180-1.5LCoilcraftFixed Inductors DMT1 Power Chokes Toroidal Output
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT1-26-5.1LCoilcraftFixed Inductors DMT1 Power Chokes Toroidal Output
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT1-43-3.8LCoilcraftPower Inductors - Leaded 43uH Unshld 3.8A 70mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT1-7-10LCoilcraftPower Inductors - Leaded 7uH Shld 10A 10mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT1-84-2.4LCoilcraftPower Inductors - Leaded 84uH Unshld 2.4A 140mOhms
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+719.29 грн
270+497.80 грн
510+302.46 грн
1020+281.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H003SPSW-13Diodes Zetex100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+78.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H003SPSW-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H003SPSW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 152A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type Q)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5542 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009LCG-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H009LCG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 47 A, 0.0072 ohm, VDFN3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: VDFN3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+99.57 грн
11+76.79 грн
100+55.52 грн
500+43.79 грн
1000+38.85 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009LCG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 12.4A/47A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Ta), 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN3333-8 (Type B)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2309 pF @ 50 V
на замовлення 921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.52 грн
10+71.97 грн
100+48.30 грн
500+35.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009LCG-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V
на замовлення 1882 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+108.33 грн
10+74.51 грн
100+47.66 грн
500+38.78 грн
1000+34.55 грн
2000+31.68 грн
4000+29.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009LCG-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 12.4A 8-Pin VDFN EP T/R
на замовлення 34000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+38.34 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009LCG-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H009LCG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 47 A, 0.0072 ohm, VDFN3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: VDFN3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+55.52 грн
500+43.79 грн
1000+38.85 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009LCG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 12.4A/47A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Ta), 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN3333-8 (Type B)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2309 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009LCG-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 12.4A 8-Pin VDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009LFG-13Diodes Zetex100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009LFG-13Diodes Zetex100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+38.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009LFG-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI3333-8 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009LFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 13A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009LFG-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI3333-8 T&R 2K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009LFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 13A/50A PWRDI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2361 pF @ 50 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+40.16 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009LFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 13A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+38.34 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009LH3Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS 61V-100V
на замовлення 128 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+86.82 грн
10+59.52 грн
25+50.73 грн
75+43.15 грн
300+37.35 грн
525+36.66 грн
1050+35.37 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009LH3Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 84A TO251
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2309 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009LH3Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009LK3Diodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009LK3-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H009LK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 0.0067 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 8935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+70.81 грн
500+47.41 грн
1000+35.57 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009LK3-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V TO252 T&R 2.5K
на замовлення 10220 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+95.59 грн
10+65.56 грн
100+43.76 грн
500+35.16 грн
1000+31.95 грн
2500+26.63 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009LK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V TO252 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2309 pF @ 50 V
на замовлення 1935612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+124.43 грн
10+76.04 грн
100+50.97 грн
500+37.76 грн
1000+34.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009LK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1942500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+37.64 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009LK3-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H009LK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 0.0067 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 8935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+97.98 грн
50+84.43 грн
100+70.81 грн
500+47.41 грн
1000+35.57 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009LK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V TO252 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2309 pF @ 50 V
на замовлення 1935000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+34.32 грн
5000+30.82 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009LK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009LPSDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2309 pF @ 50 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+25.36 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009LPS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009LPS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V
на замовлення 3183 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+74.08 грн
10+54.18 грн
100+33.59 грн
500+26.97 грн
1000+24.85 грн
2500+22.74 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2309 pF @ 50 V
на замовлення 3773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.48 грн
10+57.40 грн
100+39.17 грн
500+28.80 грн
1000+26.24 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009LSS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009LSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 13A 8-Pin SO T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+40.42 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009LSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 13A/48A 8SO T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2309 pF @ 50 V
на замовлення 135000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+30.33 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009LSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 13A 8-Pin SO T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
222+49.70 грн
1000+45.81 грн
2500+41.56 грн
Мінімальне замовлення: 222
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009LSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 13A 8-Pin SO T/R
на замовлення 142500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+35.47 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009LSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 13A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009LSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 13A/48A 8SO T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2309 pF @ 50 V
на замовлення 137316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+98.32 грн
10+63.39 грн
100+45.08 грн
500+33.34 грн
1000+30.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009LSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 13A 8-Pin SO T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+37.75 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009LSSQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V SO-8 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2309 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+31.76 грн
5000+29.06 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009LSSQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V SO-8 T&R 2.5K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009SCG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V V-DFN3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN3333-8 (Type B)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2085 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009SCG-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V V-DFN3333-8 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009SCG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V V-DFN3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN3333-8 (Type B)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2085 pF @ 50 V
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+25.37 грн
4000+23.24 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009SCG-7Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+29.63 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009SCG-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V V-DFN3333-8 T&R 2K
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+68.18 грн
10+54.81 грн
100+37.07 грн
500+31.41 грн
1000+26.97 грн
2000+22.94 грн
4000+22.74 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009SK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V TO252 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 91A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2028 pF @ 50 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+33.01 грн
5000+30.27 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009SK3-13Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+37.64 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009SK3-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H009SK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 91 A, 0.0069 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 91A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0069ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+80.45 грн
500+69.90 грн
1000+58.51 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009SK3-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V TO252 T&R 2.5K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009SK3-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H009SK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 91 A, 0.0069 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 91A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0069ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+137.80 грн
10+93.99 грн
100+80.45 грн
500+69.90 грн
1000+58.51 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009SPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H009SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 6700 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6700µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+106.74 грн
12+67.95 грн
100+46.68 грн
500+34.32 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009SPS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS 61V-100V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+97.98 грн
10+62.74 грн
25+54.48 грн
100+38.85 грн
500+31.41 грн
1000+27.24 грн
2500+23.90 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009SPS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.63 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009SPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2085 pF @ 50 V
на замовлення 1188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.01 грн
10+58.28 грн
100+38.75 грн
500+28.49 грн
1000+25.96 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009SPS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 282500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.63 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009SPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H009SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 6700 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6700µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+46.68 грн
500+34.32 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009SPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2085 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009SPS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009SPS-13 транзистор
Код товару: 197183
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009SSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V-100V SO-8 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2085 pF @ 50 V
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.17 грн
5000+29.50 грн
12500+28.14 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009SSS-13Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+35.47 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009SSS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009SSS-13Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LCTDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 98A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LCTDiodes IncorporatedMOSFETs 100V N-Ch Enh FET 9.5mOHm 10V 98A
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+128.24 грн
10+74.51 грн
100+58.51 грн
500+49.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LCTDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 98A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 12400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
220+58.86 грн
Мінімальне замовлення: 220
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LCTDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 98A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LCTDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 98A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V
на замовлення 9323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+160.53 грн
50+73.09 грн
100+66.32 грн
500+54.60 грн
1000+50.24 грн
2000+49.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LCTDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 98A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
220+58.86 грн
Мінімальне замовлення: 220
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LCTDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 98A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
120+49.03 грн
Мінімальне замовлення: 120
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LK3Diodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 68.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
206+62.92 грн
208+62.29 грн
241+53.74 грн
Мінімальне замовлення: 206
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 68.8A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2592 pF @ 50 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.20 грн
5000+29.10 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 68.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+47.61 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LK3-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS 61V-100V
на замовлення 26734 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+58.23 грн
10+43.18 грн
100+34.48 грн
500+34.00 грн
1000+33.05 грн
2500+28.40 грн
5000+28.06 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 68.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 68.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+44.47 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 68.8A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2592 pF @ 50 V
на замовлення 7527 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.82 грн
10+73.08 грн
100+49.13 грн
500+36.46 грн
1000+33.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 68.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+76.78 грн
11+67.42 грн
25+66.74 грн
100+55.53 грн
250+38.88 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 9.4A PWRDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V
на замовлення 5021 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.97 грн
10+49.56 грн
100+45.08 грн
500+42.06 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LPS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 4167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+86.72 грн
10+76.35 грн
25+75.58 грн
100+60.78 грн
250+55.72 грн
500+47.62 грн
1000+47.27 грн
3000+46.93 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LPS-13Diodes IncorporatedMOSFETs 100V N-Ch Enh FET Low Rdson
на замовлення 11207 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+85.23 грн
10+67.45 грн
25+58.58 грн
100+48.48 грн
250+48.41 грн
500+44.17 грн
1000+42.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H010LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 98 A, 6900 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6900µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+47.87 грн
500+43.12 грн
1000+38.51 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 9.4A PWRDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+42.59 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LPS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LPS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+49.80 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H010LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 98 A, 6900 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6900µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+71.45 грн
16+51.86 грн
100+47.87 грн
500+43.12 грн
1000+38.51 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LPS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 4167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
182+71.26 грн
184+70.54 грн
220+58.83 грн
250+56.17 грн
500+46.29 грн
1000+44.12 грн
3000+43.80 грн
Мінімальне замовлення: 182
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LSSDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LSS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H010LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 29.5 A, 0.008 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+119.48 грн
10+90.81 грн
100+66.43 грн
500+52.29 грн
1000+46.29 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 11.5A/29.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta), 29.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V
на замовлення 2599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.84 грн
10+80.03 грн
100+60.31 грн
500+46.18 грн
1000+39.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 11.5A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LSS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS
на замовлення 4432 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+120.28 грн
10+87.94 грн
100+55.17 грн
500+44.86 грн
1000+41.24 грн
2500+37.07 грн
5000+35.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 11.5A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LSS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H010LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 29.5 A, 0.008 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+66.43 грн
500+52.29 грн
1000+46.29 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 11.5A/29.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta), 29.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+40.69 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 11.5A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 11.5A 8-Pin SO T/R
на замовлення 245000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+45.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LSSQ-13Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LSSQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V SO-8 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4166 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+46.06 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LSSQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V SO-8 T&R 2.5K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010SPS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+38.49 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010SPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H010SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 113 A, 6600 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 113A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+52.17 грн
500+35.21 грн
1000+29.90 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010SPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta), 113A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4468 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+31.68 грн
5000+28.51 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010SPS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V
на замовлення 1924 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+104.35 грн
10+72.08 грн
100+46.63 грн
500+36.80 грн
1000+33.66 грн
2500+29.29 грн
5000+28.47 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010SPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H010SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 113 A, 6600 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 113A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+112.31 грн
11+74.96 грн
100+52.17 грн
500+35.21 грн
1000+29.90 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010SPS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010SPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta), 113A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4468 pF @ 50 V
на замовлення 6674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+118.29 грн
10+72.19 грн
100+48.44 грн
500+35.91 грн
1000+32.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H014LSSDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H014LSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 8.9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 111690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.24 грн
10+64.20 грн
100+48.08 грн
500+35.64 грн
1000+32.60 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H014LSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 8.9A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H014LSS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H014LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 8.9 A, 0.0115 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+97.98 грн
11+75.59 грн
100+54.64 грн
500+43.27 грн
1000+39.87 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H014LSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 8.9A 8-Pin SO T/R
на замовлення 107500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+38.49 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H014LSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 8.9A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 107500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+31.45 грн
5000+28.30 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H014LSS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V
на замовлення 2585 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+105.14 грн
10+72.55 грн
100+48.00 грн
500+38.85 грн
1000+33.93 грн
2500+30.25 грн
5000+30.11 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H014LSS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H014LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 8.9 A, 0.0115 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+54.64 грн
500+43.27 грн
1000+39.87 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H014LSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 8.9A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LCG-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 9.4A 8-Pin VDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LCG-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LCG-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 9.4A 8-Pin VDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LCG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 9.4A/34A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LCG-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 9.4A 8-Pin VDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LCG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 9.4A/34A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+24.90 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LCG-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H015LCG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 34 A, 0.0121 ohm, VDFN3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: VDFN3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0121ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+44.69 грн
500+35.13 грн
1000+31.48 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LCG-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V
на замовлення 47086 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+85.23 грн
10+56.69 грн
100+32.50 грн
500+27.31 грн
1000+25.47 грн
2000+21.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LCG-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 9.4A 8-Pin VDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LCG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 9.4A/34A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V
на замовлення 3026 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+82.96 грн
10+54.36 грн
100+35.77 грн
500+29.48 грн
1000+26.92 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LCG-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H015LCG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 34 A, 0.0121 ohm, VDFN3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: VDFN3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0121ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+79.66 грн
13+62.45 грн
100+44.69 грн
500+35.13 грн
1000+31.48 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LFG-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+33.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V
на замовлення 14946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+115.98 грн
10+70.34 грн
100+47.01 грн
500+34.71 грн
1000+31.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LFG-13Diodes IncorporatedMOSFETs 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 33.3nC 2.0W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LFG-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+30.81 грн
6000+27.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+33.96 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 1271 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+62.56 грн
14+54.88 грн
25+54.58 грн
100+44.08 грн
250+40.40 грн
500+34.33 грн
1000+33.49 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V
на замовлення 108296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.87 грн
10+34.76 грн
100+31.25 грн
500+29.20 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 1271 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
355+36.46 грн
Мінімальне замовлення: 355
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
172+75.45 грн
174+74.71 грн
204+63.59 грн
250+60.71 грн
500+48.51 грн
1000+34.72 грн
Мінімальне замовлення: 172
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V
на замовлення 108000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+27.85 грн
4000+25.27 грн
6000+24.82 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LFG-7Diodes IncorporatedMOSFETs 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 33.3nC 2.0W
на замовлення 6993 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+37.68 грн
10+36.43 грн
100+28.54 грн
500+27.92 грн
1000+26.76 грн
2000+24.51 грн
4000+24.03 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LK3-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H015LK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 52.7 A, 0.0107 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 52.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0107ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+84.43 грн
12+69.22 грн
100+48.43 грн
500+34.84 грн
1000+31.00 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 52.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CHANNEL 100V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.42 грн
10+63.91 грн
100+44.67 грн
500+35.29 грн
1000+32.29 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LK3-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V
на замовлення 4171 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+97.98 грн
10+62.03 грн
100+40.01 грн
500+33.46 грн
1000+30.59 грн
2500+28.20 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 52.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LK3-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H015LK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 52.7 A, 0.0107 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 52.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0107ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+48.43 грн
500+34.84 грн
1000+31.00 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CHANNEL 100V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+31.37 грн
5000+29.73 грн
7500+29.62 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LPSDiodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LPS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 7.3A 8-Pin PowerDI 5060 T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
153+84.64 грн
155+83.81 грн
200+64.80 грн
250+61.86 грн
500+47.04 грн
1000+35.44 грн
Мінімальне замовлення: 153
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 7.3A PWRDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V
на замовлення 107500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.88 грн
5000+28.36 грн
7500+28.05 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LPS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PowerDI 5060 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H015LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 44 A, 0.011 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+91.60 грн
13+62.05 грн
100+46.44 грн
500+32.03 грн
1000+27.52 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LPS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PowerDI 5060 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 7.3A PWRDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V
на замовлення 108220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.10 грн
10+60.58 грн
100+42.73 грн
500+33.76 грн
1000+31.81 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LPS-13Diodes IncorporatedMOSFETs 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 33.3nC 2.0W
на замовлення 1930 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+93.99 грн
10+64.78 грн
100+42.13 грн
500+35.44 грн
1000+30.25 грн
2500+27.31 грн
5000+26.83 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LPS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PowerDI 5060 T/R
на замовлення 65000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+34.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H015LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 44 A, 0.011 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+46.44 грн
500+32.03 грн
1000+27.52 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SO T/R
на замовлення 1895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+41.58 грн
25+40.92 грн
100+38.84 грн
250+35.38 грн
500+33.41 грн
1000+32.84 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LSS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H015LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 8.3 A, 0.012 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+69.70 грн
15+56.71 грн
100+42.62 грн
500+38.83 грн
1000+35.09 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SO T/R
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+34.87 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 8.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V
на замовлення 57500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+31.10 грн
5000+27.83 грн
7500+27.58 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LSS-13Diodes IncorporatedMOSFETs 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 33.3nC 2.0W
на замовлення 2305 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+82.84 грн
10+57.24 грн
25+49.64 грн
100+38.37 грн
250+38.23 грн
500+33.39 грн
1000+29.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SO T/R
на замовлення 1895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
362+35.76 грн
Мінімальне замовлення: 362
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LSS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H015LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 8.3 A, 0.012 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+42.62 грн
500+38.83 грн
1000+35.09 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 8.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V
на замовлення 58894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.45 грн
10+69.45 грн
100+45.47 грн
500+34.31 грн
1000+31.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015SK3-13Diodes Zetex100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
на замовлення 112500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+31.74 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015SK3-13Diodes Zetex100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015SK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 54A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2343 pF @ 50 V
на замовлення 112500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.30 грн
5000+24.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015SK3-13Diodes Zetex100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
на замовлення 125000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+31.74 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015SK3-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS 61V-100V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+72.57 грн
10+58.65 грн
100+39.67 грн
500+33.66 грн
1000+27.45 грн
2500+25.74 грн
5000+24.31 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015SK3-13DIODES INCORPORATEDDMT10H015SK3-13 SMD N channel transistors
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+96.54 грн
30+39.35 грн
82+37.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015SPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.36 грн
5000+22.77 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015SPS-13Diodes Zetex100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET PowerDI5060-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015SPS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015SPS-13Diodes Zetex100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET PowerDI5060-8
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.05 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015SPS-13Diodes Zetex100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET PowerDI5060-8
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.05 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H017LPD-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
на замовлення 1527 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+130.63 грн
10+98.15 грн
100+59.95 грн
500+48.27 грн
1000+45.81 грн
2500+39.60 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H017LPD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 100V 54.7A PWRDI50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.2W (Ta), 78W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54.7A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1986pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.4mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+159.00 грн
10+98.89 грн
100+67.23 грн
500+50.38 грн
1000+46.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H017LPD-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H017LPD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 54.7 A, 54.7 A, 0.0137 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 54.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 54.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0137ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 78W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0137ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 78W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+77.35 грн
500+60.87 грн
1000+53.26 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H017LPD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 54.7A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H017LPD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 100V 54.7A PWRDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.2W (Ta), 78W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54.7A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1986pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.4mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H017LPD-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H017LPD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 54.7 A, 54.7 A, 0.0137 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 54.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 54.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0137ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 78W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0137ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 78W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+137.80 грн
10+105.14 грн
100+77.35 грн
500+60.87 грн
1000+53.26 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H025LK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 47.2A TO252 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1477 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 27345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.72 грн
10+50.81 грн
100+33.71 грн
500+24.57 грн
1000+22.29 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H025LK3-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H025LK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 47.2 A, 0.0171 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 47.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0171ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+37.04 грн
500+25.00 грн
1000+20.89 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H025LK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 47.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.16 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H025LK3-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V
на замовлення 2222 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+65.95 грн
10+44.36 грн
100+26.63 грн
500+21.23 грн
1000+19.46 грн
2500+18.64 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H025LK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 47.2A TO252 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1477 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.94 грн
5000+18.99 грн
7500+18.67 грн
12500+17.01 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H025LK3-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H025LK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 47.2 A, 0.0171 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 47.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0171ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+73.36 грн
15+54.48 грн
100+37.04 грн
500+25.00 грн
1000+20.89 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H025LK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 47.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H025LSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V SO-8 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 12.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1639 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H025LSS-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V SO-8 T&R 2.5K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H025SK3-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H025SK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 41.2 A, 0.0178 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 41.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0178ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+51.14 грн
19+42.85 грн
100+26.68 грн
500+20.71 грн
1000+17.96 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H025SK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 41.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H025SK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 41.2A TO252 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1544 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.52 грн
10+39.57 грн
100+28.17 грн
500+20.38 грн
1000+18.43 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H025SK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 41.2A TO252 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1544 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.06 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H025SK3-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H025SK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 41.2 A, 0.0178 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 41.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0178ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+26.68 грн
500+20.71 грн
1000+17.96 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H025SK3-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V TO252 T&R 2.5K
на замовлення 4725 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+44.69 грн
10+37.85 грн
100+22.60 грн
500+19.39 грн
1000+16.66 грн
2500+14.00 грн
10000+13.79 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H025SSSDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H025SSS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V
на замовлення 7193 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+45.40 грн
10+37.85 грн
100+22.60 грн
500+17.89 грн
1000+16.32 грн
2500+13.79 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H025SSS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H025SSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.4 A, 0.017 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.9W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+51.14 грн
19+42.85 грн
100+26.68 грн
500+23.67 грн
1000+20.82 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H025SSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 7.4A 8-Pin SO T/R
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+17.55 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H025SSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 7.4A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1544 pF @ 50 V
на замовлення 4772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.01 грн
10+35.28 грн
100+24.22 грн
500+18.96 грн
1000+17.17 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H025SSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 7.4A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H025SSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 7.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1544 pF @ 50 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.25 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H025SSS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H025SSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.4 A, 0.017 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.9W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+26.68 грн
500+23.67 грн
1000+20.82 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H032LDV-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 100V 18A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 683pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXC)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H032LDV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 100V 18A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 683pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXC)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H032LDV-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI3333-8 T&R 2K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H032LDVW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 100V 6.9A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 683pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) (Type UXD)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H032LDVW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 100V 6.9A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 683pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) (Type UXD)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H032LFDF-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 683 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H032LFDF-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H032LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6 A, 0.024 ohm, UDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: UDFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+44.45 грн
500+39.94 грн
1000+19.19 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H032LFDF-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V U-DFN2020-6 T&R 3K
на замовлення 4260 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+65.95 грн
10+47.03 грн
100+32.77 грн
500+30.45 грн
1000+27.04 грн
3000+16.80 грн
6000+16.59 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H032LFDF-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H032LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6 A, 0.024 ohm, UDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: UDFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+76.15 грн
17+49.39 грн
100+44.45 грн
500+39.94 грн
1000+19.19 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H032LFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 683 pF @ 50 V
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.11 грн
10+46.82 грн
100+30.82 грн
500+22.41 грн
1000+20.33 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H032LFDF-7Diodes Zetex100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H032LFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 683 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H032LFVW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 683 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H032LFVW-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H032LFVW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.022 ohm, PowerDI3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: PowerDI3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+41.10 грн
500+35.87 грн
1000+27.72 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H032LFVW-7Diodes ZetexDMT10H032LFVW-7
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+27.97 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H032LFVW-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H032LFVW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.022 ohm, PowerDI3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: PowerDI3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+57.91 грн
16+50.18 грн
100+41.10 грн
500+35.87 грн
1000+27.72 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H032LFVW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 683 pF @ 50 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+24.14 грн
4000+21.93 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H032LFVW-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H032LK3-13Diodes Zetex100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H032LK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V TO252 T&R
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 683 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H032LK3-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V TO252 T&R 2.5K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H032LSS-13Diodes Zetex100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H032LSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V SO-8 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 683 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H032SDVW-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H032SFVWDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H032SFVW-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI3333-8/SWP T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H032SFVW-13Diodes Zetex100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H032SFVW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 544 pF @ 50 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.95 грн
6000+13.25 грн
9000+12.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H032SFVW-13Diodes Zetex100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H032SFVW-7Diodes Zetex100V N-Channel Enhancement Mode Mosfet
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+15.85 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H032SFVW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 544 pF @ 50 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+15.00 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H032SFVW-7
Код товару: 211752
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H032SFVW-7Diodes Zetex100V N-Channel Enhancement Mode Mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H032SFVW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 544 pF @ 50 V
на замовлення 3874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.77 грн
10+36.76 грн
100+24.19 грн
500+17.45 грн
1000+15.76 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H032SFVW-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
на замовлення 1749 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+58.31 грн
10+41.54 грн
100+24.51 грн
500+18.98 грн
1000+16.73 грн
2000+13.66 грн
4000+12.43 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H052LFDF-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 258 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H052LFDF-7Diodes Zetex100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H052LFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 258 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H072LDV-13Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H072LDV-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI3333-8 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H072LDV-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 100V 12A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 228pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXC)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H072LDV-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI3333-8 T&R 2K
на замовлення 1925 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+86.03 грн
10+53.31 грн
100+30.52 грн
500+24.17 грн
1000+21.51 грн
2000+19.60 грн
4000+18.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H072LDV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 100V 12A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 228pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXC)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+24.80 грн
4000+22.21 грн
6000+21.37 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H072LDV-7Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H072LFDF-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 4A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H072LFDF-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V U-DFN2020-6 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H072LFDF-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 4A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 266 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H072LFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 4A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 291000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H072LFDF-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V U-DFN2020-6 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H072LFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 4A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 266 pF @ 50 V
на замовлення 141000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.82 грн
6000+10.42 грн
9000+9.93 грн
15000+8.80 грн
21000+8.49 грн
30000+8.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H072LFDF-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H072LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 4 A, 0.047 ohm, UDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: UDFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+41.10 грн
22+37.52 грн
100+26.21 грн
500+18.79 грн
1000+15.70 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H072LFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 4A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H072LFDF-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H072LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 4 A, 0.047 ohm, UDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 800mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: UDFN2020
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.047ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+26.21 грн
500+18.79 грн
1000+15.70 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H072LFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 4A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 266 pF @ 50 V
на замовлення 142880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+77.58 грн
10+46.60 грн
100+30.50 грн
500+22.14 грн
1000+20.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H072LFDFQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 4A 6-Pin UDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H072LFDFQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 228 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+12.68 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H072LFDFQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V U-DFN2020-6 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H072LFDFQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 4A 6-Pin UDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+15.57 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H072LFDFQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 4A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 228 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H072LFDFQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020-6 T&R 3K
на замовлення 11725 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+49.94 грн
10+36.59 грн
100+23.01 грн
500+18.23 грн
1000+14.75 грн
3000+12.15 грн
6000+11.61 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H072LFDFQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 4A 6-Pin UDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H072LFDFQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 4A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 228 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 23496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.54 грн
10+39.57 грн
100+25.70 грн
500+18.53 грн
1000+16.73 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H072LFV-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS 61V-100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H072LFV-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 4.7A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H072LFV-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 228 pF @ 50 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.71 грн
6000+13.16 грн
9000+12.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H072LFV-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 4.7A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H072LFV-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 4.7A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 278000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+16.48 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H072LFV-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H072LFV-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.0506 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0506ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+40.94 грн
24+34.25 грн
100+21.35 грн
500+15.46 грн
1000+12.84 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H072LFV-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 4.7A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 182000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+16.48 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H072LFV-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 4.7A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+13.41 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H072LFV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 228 pF @ 50 V
на замовлення 24949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+51.46 грн
10+30.70 грн
100+19.82 грн
500+14.19 грн
1000+12.77 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H072LFV-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS 61V-100V
на замовлення 2781 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+49.23 грн
11+31.25 грн
100+18.09 грн
500+14.00 грн
1000+12.49 грн
2000+9.49 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H072LFV-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H072LFV-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.0506 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0506ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+21.35 грн
500+15.46 грн
1000+12.84 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H072LFV-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 4.7A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+12.51 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H072LFV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 228 pF @ 50 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+12.42 грн
4000+10.91 грн
6000+10.38 грн
10000+9.18 грн
14000+8.85 грн
20000+8.53 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H075LE-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V SOT223 T&
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 228 pF @ 50 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.11 грн
5000+13.45 грн
7500+12.90 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H075LE-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V SOT223 T&R 2.5K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H075LE-13Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H4M5LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V-100V POWERDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4843 pF @ 50 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+68.30 грн
5000+63.33 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H4M5LPS-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H4M9LPSW-13Diodes ZetexMOSFET BVDSS: 61V100V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H4M9SPSW-13Diodes ZetexDMT10H4M9SPSW-13
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+66.91 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H4M9SPSW-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H4M9SPSW-13Diodes ZetexDMT10H4M9SPSW-13
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H9M9LCTDiodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V TO220AB T
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 101A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2309 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H9M9LCTDIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H9M9LCT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 101 A, 6700 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 101A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6700µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+169.67 грн
12+68.82 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H9M9LCTDiodes ZetexN-Channel Enhancement MODE MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H9M9LCTDiodes ZetexDMT10H9M9LCT
на замовлення 7300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+43.16 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H9M9LCTDiodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V TO220AB TUBE 50PCS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H9M9LK3-13Diodes ZetexMOSFET BVDSS: 61V100V TO252 T&R 2.5K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H9M9LK3-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V TO252 T&R 2.5K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H9M9LK3-13Diodes ZetexMOSFET BVDSS: 61V100V TO252 T&R 2.5K
на замовлення 87500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+37.64 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H9M9LPSW-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H9M9LPSW-13Diodes ZetexDMT10H9M9LPSW-13
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.63 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H9M9LSS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V SO-8 T&R 2.5K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H9M9LSS-13Diodes ZetexMOSFET BVDSS: 61V100V SO-8 T&R 2.5K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H9M9SCTDiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V TO220AB TUBE 50PCS
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+148.16 грн
10+68.47 грн
100+58.31 грн
500+58.24 грн
1000+58.10 грн
2500+58.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H9M9SCTDiodes ZetexN-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 4700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+43.16 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H9M9SCTDiodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V TO220AB T
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2085 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H9M9SCTDIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H9M9SCT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 99 A, 7200 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+180.82 грн
10+82.04 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H9M9SH3Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V TO251 TUB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2085 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H9M9SH3Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 61V 100V TO251 TUBE 75PCS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H9M9SK3-13Diodes ZetexMOSFET BVDSS: 61V100V TO252 T&R 2.5K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H9M9SK3-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V TO252 T&R 2.5K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H9M9SPSW-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H9M9SPSW-13Diodes ZetexDMT10H9M9SPSW-13
на замовлення 92500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.63 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H9M9SSS-13Diodes ZetexDMT10H9M9SSS-13
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H9M9SSS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V SO-8 T&R 2.5K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT12H007LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 120V 90A PWRDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3224 pF @ 60 V
на замовлення 110000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+45.62 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT12H007LPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT12H007LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 90 A, 7800 µohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.9W
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7800µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+84.43 грн
500+65.76 грн
1000+57.97 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMT12H007LPS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 101V~250V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
на замовлення 16874 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+125.86 грн
10+91.08 грн
100+54.89 грн
500+45.95 грн
1000+43.63 грн
2500+41.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMT12H007LPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT12H007LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 90 A, 7800 µohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.9W
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7800µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+166.48 грн
50+121.87 грн
100+84.43 грн
500+65.76 грн
1000+57.97 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMT12H007LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 120V 90A PWRDI5060-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3224 pF @ 60 V
на замовлення 112116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+115.22 грн
10+85.36 грн
100+59.51 грн
500+46.60 грн
1000+45.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMT12H060LCA9-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 101V~250V X4-DSN15
Packaging: Bulk
Package / Case: 9-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DSN1515-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±5.5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 115 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 50 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+24.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT12H060LFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 101V~250V U-DFN202
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 115 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475 pF @ 50 V
на замовлення 2279807 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.06 грн
10+39.35 грн
100+25.64 грн
500+18.54 грн
1000+16.76 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMT12H060LFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 101V~250V U-DFN202
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 115 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475 pF @ 50 V
на замовлення 2277000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.56 грн
6000+13.80 грн
9000+13.20 грн
15000+11.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT12H060LFDF-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 101V~250V U-DFN2020-6 T&R 3K
на замовлення 4169 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+52.09 грн
10+36.20 грн
100+21.51 грн
500+18.23 грн
1000+15.98 грн
3000+13.59 грн
6000+13.25 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMT12H065LFDF-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT12H065LFDF-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 115 V, 4.3 A, 0.043 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 115V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+82.84 грн
14+60.14 грн
100+43.01 грн
500+31.44 грн
1000+26.63 грн
5000+23.56 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMT12H065LFDF-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT12H065LFDF-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 115 V, 4.3 A, 0.043 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 115V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+43.01 грн
500+31.44 грн
1000+26.63 грн
5000+23.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMT12H065LFDF-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 61V~100V U-DFN2020-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT12H065LFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 115V 4.3A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 115 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 252 pF @ 50 V
на замовлення 249449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.64 грн
10+55.10 грн
100+36.49 грн
500+26.75 грн
1000+24.33 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMT12H065LFDF-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020-6 T&R 3K
на замовлення 2303 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+86.82 грн
10+58.18 грн
100+33.59 грн
500+26.22 грн
1000+23.83 грн
3000+20.21 грн
6000+18.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMT12H065LFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 115V 4.3A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 115 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 252 pF @ 50 V
на замовлення 249000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.82 грн
6000+20.38 грн
9000+19.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT12H090LFDF4-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 101V~250V X2-DFN2020-6 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT12H090LFDF4-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 115V 3.4A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerXDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN2020-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 115 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 251 pF @ 50 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+22.54 грн
30000+21.49 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT12H090LFDF4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 115V 3.4A 6DFN
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT12H090LFDF4-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 101V~250V X2-DFN2020-6 T&R 3K
на замовлення 1712 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+93.20 грн
10+58.10 грн
100+33.52 грн
500+26.22 грн
1000+23.83 грн
3000+20.82 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMT12H7M9SPSW-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 101V~250V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT15H017LPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT15H017LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 58 A, 0.0175 ohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+86.03 грн
500+65.16 грн
1000+57.49 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMT15H017LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 101V~250V POWERDI5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3369 pF @ 75 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+139.79 грн
10+91.50 грн
100+62.77 грн
500+46.60 грн
1000+45.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMT15H017LPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT15H017LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 58 A, 0.0175 ohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+173.65 грн
50+121.08 грн
100+86.03 грн
500+65.16 грн
1000+57.49 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMT15H017LPS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 101V~250V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
на замовлення 2192 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+138.60 грн
10+103.64 грн
100+61.86 грн
250+61.79 грн
500+50.80 грн
1000+49.64 грн
2500+41.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMT15H017LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 101V~250V POWERDI5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3369 pF @ 75 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+44.66 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT15H017LPSW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 101V~250V POWERDI5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3369 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT15H017LPSW-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 101V~250V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT15H017SK3-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 101V~250V TO252 T&R 2.5K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT15H017SK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 101V~250V TO252 T&
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2344 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT15H035SCTDiodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 101V~250V TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 75 V
на замовлення 5450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+75.27 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
DMT15H035SCTDiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 101V~250V TO220AB TUBE 50PCS
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+125.06 грн
10+76.32 грн
100+55.99 грн
500+42.13 грн
1000+37.14 грн
2500+34.21 грн
5000+31.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMT15H053SK3-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 101V~250V TO252 T&R 2.5K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT15H053SK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 101V~250V TO252 T&
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 814 pF @ 75 V
на замовлення 12733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.78 грн
10+58.58 грн
100+38.80 грн
500+28.43 грн
1000+25.86 грн
2500+23.08 грн
5000+21.01 грн
10000+20.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMT15H053SPSW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 101V~250V POWERDI5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 814 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT15H053SPSW-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 101V~250V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT15H053SPSWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 101V~250V POWERDI5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 814 pF @ 75 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.23 грн
5000+25.11 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT15H053SPSWQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 101V~250V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT15H053SSS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 101V~250V SO-8 T&R 2.5K
на замовлення 1356 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+88.42 грн
10+58.73 грн
100+38.71 грн
500+32.84 грн
1000+26.70 грн
2500+24.44 грн
5000+23.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMT15H053SSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 150V 5.2A/15A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta), 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 814 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT15H053SSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 150V 5.2A/15A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta), 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 814 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT15H067SSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 150V 4.5A/13A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 75 V
на замовлення 2088 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.40 грн
10+55.40 грн
100+36.74 грн
500+26.94 грн
1000+24.52 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMT15H067SSS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 101V~250V SO-8 T&R 2.5K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT15H067SSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 150V 4.5A/13A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT1D15K-FCornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 1500PF 10% 100VDC RAD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT1D1KCornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 1000PF 10% 100VDC RAD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT1D1K-FCornell Dubilier - CDEFilm Capacitors .0010uF 100Vdc
на замовлення 721 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT1D1K-FCornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 1000PF 10% 100VDC RAD
Tolerance: ±10%
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: General Purpose
Lead Spacing: 0.394" (10.00mm)
Termination: PC Pins
Dielectric Material: Polyester, Metallized
Voltage Rating - AC: 65V
Voltage Rating - DC: 100V
Height - Seated (Max): 0.448" (11.37mm)
Capacitance: 1000 pF
Size / Dimension: 0.512" L x 0.197" W (13.00mm x 5.00mm)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT1D1K-FKnowles / Cornell Dubilier (CDE)Film Capacitors 0.0010uF 100Vdc
на замовлення 143 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+123.47 грн
10+70.90 грн
100+47.45 грн
500+42.54 грн
1000+36.12 грн
5000+35.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMT1D22KCornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 2200PF 10% 100VDC RAD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT1D22K-FCornell Dubilier - CDEFilm Capacitors .0022uF 100Vdc
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT1D22K-FCornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 2200PF 10% 100VDC RAD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT1D33KCornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 3300PF 10% 100VDC RAD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT1D47K-FCornell Dubilier - CDEFilm Capacitors .0047uF 100Vdc
на замовлення 363 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT1D47K-FCornell Dubilier KnowlesDescription: CAP FILM 4700PF 10% 100VDC RAD
Tolerance: ±10%
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: General Purpose
Lead Spacing: 0.394" (10.00mm)
Termination: PC Pins
Dielectric Material: Polyester, Metallized
Voltage Rating - AC: 65V
Voltage Rating - DC: 100V
Height - Seated (Max): 0.448" (11.37mm)
Capacitance: 4700 pF
Size / Dimension: 0.512" L x 0.209" W (13.00mm x 5.30mm)
на замовлення 2998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+165.14 грн
10+112.13 грн
50+91.33 грн
100+79.14 грн
500+67.06 грн
1000+62.95 грн
2500+57.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DMT1D68KCornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 6800PF 10% 100VDC RAD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT1D68K-FCornell Dubilier - CDEFilm Capacitors .0068uF 100Vdc
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT1D68K-FCornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 6800PF 10% 100VDC RAD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT1P15K-FCornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 0.15UF 10% 100VDC RAD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT1P1K-FCornell Dubilier KnowlesDescription: CAP FILM 0.1UF 10% 100VDC RADIAL
Packaging: Bulk
Tolerance: ±10%
Package / Case: Radial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: General Purpose
Lead Spacing: 0.543" (13.80mm)
Termination: PC Pins
Dielectric Material: Polyester, Metallized
Voltage Rating - AC: 65V
Voltage Rating - DC: 100V
Height - Seated (Max): 0.539" (13.68mm)
Capacitance: 0.1 µF
Size / Dimension: 0.681" L x 0.291" W (17.30mm x 7.40mm)
на замовлення 1541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.52 грн
10+74.93 грн
50+59.14 грн
100+50.71 грн
500+42.15 грн
1000+39.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMT1P1K-FCornell Dubilier - CDEFilm Capacitors .1UF 100V 10%
на замовлення 313 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT1P22K-FCornell Dubilier KnowlesDescription: CAP FILM 0.22UF 10% 100VDC RAD
Tolerance: ±10%
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: General Purpose
Lead Spacing: 0.669" (17.00mm)
Termination: PC Pins
Dielectric Material: Polyester, Metallized
Voltage Rating - AC: 65V
Voltage Rating - DC: 100V
Height - Seated (Max): 0.614" (15.60mm)
Capacitance: 0.22 µF
Size / Dimension: 0.819" L x 0.358" W (20.80mm x 9.10mm)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT1P22K-FCornell Dubilier - CDEFilm Capacitors .22uF 100Vdc
на замовлення 529 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT1P33KCornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 0.33UF 10% 100VDC RAD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT1P33K-FCornell Dubilier - CDEFilm Capacitors 100Vdc .33uF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT1P33K-FCornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 0.33UF 10% 100VDC RAD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT1P47K-FCornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 0.47UF 10% 100VDC RAD
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT1P47K-FCornell Dubilier - CDEFilm Capacitors .47uF 100Vdc
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT1P68K-FCornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 0.68UF 10% 100VDC RAD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT1S15KCornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 0.015UF 10% 100VDC RAD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT1S15K-FCornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 0.015UF 10% 100VDC RAD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT1S15K-FCornell Dubilier - CDEFilm Capacitors 0.015uF 100Vdc
на замовлення 169 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+168.87 грн
10+116.99 грн
100+76.47 грн
500+60.49 грн
1000+50.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DMT1S1K-FCornell Dubilier - CDEFilm Capacitors .01UF 100V 10%
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT1S1K-FCornell Dubilier KnowlesDescription: CAP FILM 10000PF 10% 100VDC RAD
Tolerance: ±10%
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: General Purpose
Lead Spacing: 0.394" (10.00mm)
Termination: PC Pins
Dielectric Material: Polyester, Metallized
Voltage Rating - AC: 65V
Voltage Rating - DC: 100V
Height - Seated (Max): 0.448" (11.37mm)
Capacitance: 10000 pF
Size / Dimension: 0.512" L x 0.220" W (13.00mm x 5.60mm)
на замовлення 518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+121.36 грн
10+78.48 грн
50+63.18 грн
100+54.87 грн
500+47.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMT1S22KCornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 0.022UF 10% 100VDC RAD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT1S22K-FCornell Dubilier - CDEFilm Capacitors .022uF 100Vdc
на замовлення 755 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT1S22K-FCornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 0.022UF 10% 100VDC RAD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT1S33KCornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 0.033UF 10% 100VDC RAD
Tolerance: ±10%
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: General Purpose
Lead Spacing: 0.402" (10.20mm)
Termination: PC Pins
Dielectric Material: Polyester, Metallized
Voltage Rating - AC: 65V
Voltage Rating - DC: 100V
Height - Seated (Max): 0.444" (11.27mm)
Capacitance: 0.033 µF
Size / Dimension: 0.559" L x 0.248" W (14.20mm x 6.30mm)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT1S33K-FCornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 0.033UF 10% 100VDC RAD
Tolerance: ±10%
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: General Purpose
Lead Spacing: 0.402" (10.20mm)
Termination: PC Pins
Dielectric Material: Polyester, Metallized
Voltage Rating - AC: 65V
Voltage Rating - DC: 100V
Height - Seated (Max): 0.444" (11.27mm)
Capacitance: 0.033 µF
Size / Dimension: 0.559" L x 0.248" W (14.20mm x 6.30mm)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT1S33K-FCornell Dubilier - CDEFilm Capacitors 0.033uF 100Vdc
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT1S47K-FCornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 0.047UF 10% 100VDC RAD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT1S47K-FCornell Dubilier - CDEFilm Capacitors 0.047uF 100V 10%
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT1S68K-FCornell Dubilier KnowlesDescription: CAP FILM 0.068UF 10% 100VDC RAD
Tolerance: ±10%
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: General Purpose
Lead Spacing: 0.421" (10.70mm)
Termination: PC Pins
Dielectric Material: Polyester, Metallized
Voltage Rating - AC: 65V
Voltage Rating - DC: 100V
Height - Seated (Max): 0.554" (14.06mm)
Capacitance: 0.068 µF
Size / Dimension: 0.559" L x 0.276" W (14.20mm x 7.00mm)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+155.92 грн
10+101.70 грн
50+80.95 грн
100+69.66 грн
500+58.39 грн
1000+54.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DMT1S68K-FCornell Dubilier - CDEFilm Capacitors .068uF 100Vdc
на замовлення 473 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT1W1K-FCornell Dubilier - CDEFilm Capacitors 1uF 100V 10%
на замовлення 994 шт:
термін постачання 225-234 дні (днів)
1+331.37 грн
10+263.03 грн
50+133.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMT1W1K-FCornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 1UF 10% 100VDC RADIAL
Tolerance: ±10%
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: General Purpose
Lead Spacing: 1.169" (29.70mm)
Termination: PC Pins
Dielectric Material: Polyester, Metallized
Voltage Rating - AC: 65V
Voltage Rating - DC: 100V
Height - Seated (Max): 0.824" (20.92mm)
Capacitance: 1 µF
Size / Dimension: 1.331" L x 0.520" W (33.80mm x 13.20mm)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2-134-4.8LCoilcraftFixed Inductors 134uH Unshld 4.8A 100mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2-149-3.8LCoilcraftPower Inductors - Leaded 149uH Unshld 3.8A 130mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2-20-12LCoilcraftPower Inductors - Leaded 20uH Unshld 12A 20mOhms
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1652.05 грн
252+1144.00 грн
504+694.37 грн
1008+645.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2-200-3.8LCoilcraftPower Inductors - Leaded 200uH Unshld 3.8A 190mOhms
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+751.94 грн
252+521.35 грн
504+316.12 грн
1008+294.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2-26-11LCoilcraftPower Inductors - Leaded 26uH Unshld 11A 20mOhms
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1222.71 грн
252+846.42 грн
504+513.43 грн
1008+477.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2-273-2.4LCoilcraftPower Inductors - Leaded 273uH Unshld 2.4A 260mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2-380-2.4LCoilcraftPower Inductors - Leaded 380uH Shld 2.4A 380mOhms
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2327.52 грн
252+1611.96 грн
504+978.39 грн
1008+909.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2-47-8.2LCoilcraftPower Inductors - Leaded 47uH Shld 8.2A 40mOhms
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1215.54 грн
252+841.70 грн
504+510.70 грн
1008+474.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2-49-8LCoilcraftFixed Inductors 49uH Unshld 8A 40mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2-567-1.5LCoilcraftPower Inductors - Leaded 567uH Unshld 1.5A 560mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2-79-6LCoilcraftFixed Inductors 79uH Unshld 6A 70mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2-796-1.5LCoilcraftFixed Inductors 796uH Unshld 1.5A 790mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2-80-6.3LCoilcraftPower Inductors - Leaded 80uH Unshld 6.3A 50mOhms
на замовлення 174 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1390.78 грн
252+963.41 грн
504+585.12 грн
1008+543.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2004UFDF-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2004UFDF-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 24V 14.1A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.45V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2004UFDF-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 24V 14.1A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2004UFDF-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 3766 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+44.53 грн
10+32.98 грн
100+19.66 грн
500+17.21 грн
1000+15.57 грн
3000+12.36 грн
6000+12.02 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2004UFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 24V 14.1A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2004UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 24V 14.1A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.45V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.69 грн
6000+13.02 грн
9000+12.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2004UFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 24V 14.1A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2004UFDF-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT2004UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 24 V, 14.1 A, 0.0048 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 24V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.45V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+47.87 грн
23+35.69 грн
100+24.37 грн
500+17.90 грн
1000+15.98 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2004UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 24V 14.1A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.45V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.22 грн
10+37.35 грн
100+24.33 грн
500+17.55 грн
1000+15.85 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2004UFDF-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT2004UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 24 V, 14.1 A, 0.0048 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 24V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.45V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+24.37 грн
500+17.90 грн
1000+15.98 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2004UFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 24V 70A POWERDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.45V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2004UFG-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2004UFG-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 740 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+69.22 грн
10+42.63 грн
100+24.17 грн
500+18.64 грн
1000+16.93 грн
2000+14.88 грн
4000+13.66 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2004UFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 24V 70A POWERDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.45V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.82 грн
10+40.31 грн
100+26.31 грн
500+19.03 грн
1000+17.21 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2004UFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 24V 70A POWERDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.45V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+16.83 грн
4000+14.87 грн
6000+14.19 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2004UFV-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 24V 70A POWERDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.45V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2004UFV-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2004UFV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 24V 70A POWERDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.45V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+60.68 грн
10+36.24 грн
100+23.55 грн
500+16.97 грн
1000+15.31 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2004UFV-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 3160 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+62.37 грн
10+38.32 грн
100+22.53 грн
500+16.59 грн
1000+15.02 грн
2000+13.25 грн
4000+11.88 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2004UFV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 24V 70A POWERDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.45V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+14.94 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2004UPS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 1410 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+70.57 грн
10+43.66 грн
100+24.78 грн
500+19.12 грн
1000+17.34 грн
2500+14.88 грн
5000+14.06 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2004UPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 24V 80A PWRDI5060-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.45V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.36 грн
10+41.27 грн
100+26.95 грн
500+19.52 грн
1000+17.66 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2004UPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 24V 80A PWRDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.45V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+16.79 грн
5000+14.88 грн
7500+14.23 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2005UDV-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 24V 50A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 24V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2060pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 14A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXC)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2005UDV-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2005UDV-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2005UDV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 24V 50A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 24V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2060pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 14A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXC)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT26M0LDG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 25V 11.6A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.24W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Ta), 33.8A (Tc), 20.1A (Ta), 52.6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010pF @ 13V, 4016pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 13A, 10V, 2mOhm @ 27A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.9nC @ 10V, 57.4nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type F)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT26M0LDG-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT26M0LDG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 25V 11.6A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.24W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Ta), 33.8A (Tc), 20.1A (Ta), 52.6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010pF @ 13V, 4016pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 13A, 10V, 2mOhm @ 27A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.9nC @ 10V, 57.4nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type F)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2D22K-FCornell Dubilier - CDEFilm Capacitors 0.0022uF 200/250Vdc
на замовлення 167 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+78.86 грн
10+61.24 грн
100+39.94 грн
500+31.48 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2D22K-FCornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 2200PF 10% 250VDC RAD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2D47K-FCornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 4700PF 10% 250VDC RAD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2P1K-FCORNELL DUBILIERDescription: CORNELL DUBILIER - DMT2P1K-F - CAPACITOR POLYESTER FILM 0.1UF, 200V, 10%, RADIAL
tariffCode: 85322500
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2P1K-FCornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 0.1UF 10% 250VDC RADIAL
Tolerance: ±10%
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: General Purpose
Lead Spacing: 0.669" (17.00mm)
Termination: PC Pins
Dielectric Material: Polyester, Metallized
Voltage Rating - AC: 125V
Voltage Rating - DC: 250V
Height - Seated (Max): 0.606" (15.40mm)
Part Status: Active
Capacitance: 0.1 µF
Size / Dimension: 0.819" L x 0.354" W (20.80mm x 9.00mm)
на замовлення 641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+134.42 грн
10+99.11 грн
500+60.70 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2P1K-FCornell Dubilier - CDEFilm Capacitors .1UF 200V 10%
на замовлення 626 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2P22K-FKnowles / Cornell Dubilier (CDE)Film Capacitors 0.22uF 200V 10%
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+223.03 грн
10+127.98 грн
100+98.32 грн
600+90.81 грн
1000+88.08 грн
2600+83.98 грн
5000+81.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2P22K-FCornell Dubilier KnowlesDescription: CAP FILM 0.22UF 10% 250VDC RAD
Tolerance: ±10%
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: General Purpose
Lead Spacing: 0.795" (20.20mm)
Termination: PC Pins
Dielectric Material: Polyester, Metallized
Voltage Rating - AC: 125V
Voltage Rating - DC: 250V
Height - Seated (Max): 0.724" (18.38mm)
Part Status: Active
Capacitance: 0.22 µF
Size / Dimension: 0.945" L x 0.413" W (24.00mm x 10.50mm)
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+248.10 грн
10+157.62 грн
50+124.81 грн
100+107.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2P22K-FCornell Dubilier - CDEFilm Capacitors 0.22uF 200V 10%
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+233.39 грн
10+161.75 грн
50+116.75 грн
200+102.41 грн
600+95.59 грн
1000+92.17 грн
2600+88.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2P22K-FKnowles / Illinois CapacitorFilm Capacitors 0.22uF 200V 10%
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+223.03 грн
10+127.98 грн
100+98.32 грн
600+90.81 грн
1000+88.08 грн
2600+83.98 грн
5000+81.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2P33K-FCornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 0.33UF 10% 250VDC RAD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2P47K-FCornell Dubilier - CDEFilm Capacitors 0.47uF 200V 10%
на замовлення 718 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2P47K-FCornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 0.47UF 10% 250VDC RAD
Tolerance: ±10%
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: General Purpose
Lead Spacing: 0.921" (23.40mm)
Termination: PC Pins
Dielectric Material: Polyester, Metallized
Voltage Rating - AC: 125V
Voltage Rating - DC: 250V
Height - Seated (Max): 0.822" (20.87mm)
Capacitance: 0.47 µF
Size / Dimension: 1.110" L x 0.531" W (28.20mm x 13.50mm)
на замовлення 1003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+446.27 грн
10+372.64 грн
100+290.45 грн
1000+228.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2P68KCornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 0.68UF 10% 250VDC RAD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2P68K-FCornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 0.68UF 10% 250VDC RAD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2S1K-FCornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 10000PF 10% 250VDC RAD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2S1K-FCornell Dubilier - CDEFilm Capacitors .01uF 200/250Vdc
на замовлення 651 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2S47K-FCornell Dubilier - CDEFilm Capacitors 0.047uF 200V 10%
на замовлення 2145 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+141.79 грн
10+110.71 грн
100+72.37 грн
500+54.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2S47K-FCornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 0.047UF 10% 250VDC RAD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3-138-6LCoilcraftPower Inductors - Leaded 138uH Unshld 6A 70mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3-1439-1.5LCoilcraftPower Inductors - Leaded 1.439 mH Unshld 1.5A 1.176Ohms
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2493.21 грн
252+1727.38 грн
504+1048.03 грн
1008+974.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3-257-4.9LCoilcraftPower Inductors - Leaded 257uH Unshld 4.9A 150mOhms
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1315.90 грн
252+911.59 грн
504+553.03 грн
1008+514.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3-35-12LCoilcraftPower Inductors - Leaded 35uH Unshld 12A 19mOhms
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1198.01 грн
252+829.14 грн
504+503.19 грн
1008+467.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3-402-3.7LCoilcraftPower Inductors - Leaded 402uH Unshld - 3.7A 279mOhms
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2239.11 грн
252+1550.72 грн
504+940.84 грн
1008+875.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3-695-2.4LCoilcraftPower Inductors - Leaded 695uH Unshld 2.4A 550mOhms
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2141.13 грн
252+1483.19 грн
504+899.88 грн
1008+836.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3-77-8LCoilcraftPower Inductors - Leaded 77uH Unshld - 8A 40mOhms
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1656.83 грн
252+1147.92 грн
504+696.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3002LPS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3002LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 100A PWRDI5060-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3003LFG-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 18A; Idm: 100A; 2.4W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 44nC
On-state resistance: 5.5mΩ
Power dissipation: 2.4W
Drain current: 18A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 100A
Kind of package: 13 inch reel; tape
Case: PowerDI3333-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3003LFG-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3003LFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 22A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.82 грн
6000+17.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3003LFG-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 18A; Idm: 100A; 2.4W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 44nC
On-state resistance: 5.5mΩ
Power dissipation: 2.4W
Drain current: 18A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 100A
Kind of package: 7 inch reel; tape
Case: PowerDI3333-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3003LFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 22A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.88 грн
10+48.23 грн
100+31.74 грн
500+23.14 грн
1000+21.00 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3003LFG-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V
на замовлення 3514 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+82.84 грн
10+51.35 грн
100+29.50 грн
500+22.87 грн
1000+20.76 грн
2000+18.37 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3003LFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 22A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+20.61 грн
4000+18.28 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3003LFGQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS 25V-30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3003LFGQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 22A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 225000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.72 грн
6000+21.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3003LFGQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 22A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1714000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+23.70 грн
4000+21.55 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3003LFGQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS 25V-30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3003LFGQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 18A; Idm: 100A; 2.4W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 44nC
On-state resistance: 5.5mΩ
Power dissipation: 2.4W
Drain current: 18A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 100A
Kind of package: 7 inch reel; tape
Application: automotive industry
Case: PowerDI3333-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3004LFG-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3004LFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET NCH 30V 10.4A POWERDI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3004LFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET NCH 30V 10.4A POWERDI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3004LFG-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3004LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 21A PWRDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3004LPS-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 17A; Idm: 180A; 2.7W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -16...20V
Gate charge: 43.7nC
On-state resistance: 6mΩ
Power dissipation: 2.7W
Drain current: 17A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 180A
Kind of package: 13 inch reel; tape
Case: PowerDI5060-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3004LPS-13Diodes IncorporatedMOSFETs 30V N-Ch Enh FET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3004LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 21A PWRDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 15 V
на замовлення 1840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.78 грн
10+58.88 грн
100+39.15 грн
500+28.78 грн
1000+26.22 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LDK-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 2564 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+50.66 грн
11+30.86 грн
100+17.48 грн
500+13.31 грн
1000+11.95 грн
3000+9.90 грн
6000+9.08 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LDK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 17.1A/46.2A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.1A (Ta), 46.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN3030-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LDK-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT3006LDK-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 46.2 A, 5500 µohm, VDFN3030, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: VDFN3030
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+44.85 грн
27+30.43 грн
100+20.31 грн
500+13.31 грн
1000+11.06 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LDK-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT3006LDK-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 46.2 A, 5500 µohm, VDFN3030, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: VDFN3030
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+20.31 грн
500+13.31 грн
1000+11.06 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LDK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 17.1A/46.2A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.1A (Ta), 46.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN3030-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 15 V
на замовлення 2303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.16 грн
11+29.29 грн
100+18.85 грн
500+13.47 грн
1000+12.11 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LDV-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 25A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1155pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXC)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LDV-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LDV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 25A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1155pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXC)
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+18.23 грн
4000+16.13 грн
6000+15.40 грн
10000+13.69 грн
14000+13.39 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LDV-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LFDF-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 14.1A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 200000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+52.23 грн
10+31.07 грн
100+20.07 грн
500+14.37 грн
1000+12.94 грн
2000+11.73 грн
5000+10.33 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LFDF-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 14.1A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 200000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+10.31 грн
20000+9.23 грн
30000+9.14 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LFDF-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LFDF-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12.5A; Idm: 80A; 2.1W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 16.7nC
On-state resistance: 15mΩ
Power dissipation: 2.1W
Drain current: 12.5A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 80A
Kind of package: 13 inch reel; tape
Case: U-DFN2020-6
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LFDF-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V
на замовлення 28859 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+52.73 грн
11+30.70 грн
100+18.64 грн
500+14.20 грн
1000+12.77 грн
3000+10.17 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 14.1A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+52.23 грн
10+31.07 грн
100+20.07 грн
500+14.37 грн
1000+12.94 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LFDF-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12.5A; Idm: 80A; 2.1W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 16.7nC
On-state resistance: 15mΩ
Power dissipation: 2.1W
Drain current: 12.5A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 80A
Kind of package: 7 inch reel; tape
Case: U-DFN2020-6
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LFDF-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT3006LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14.1 A, 5800 µohm, UDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 800mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: UDFN2020
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0058ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+23.18 грн
500+17.16 грн
1000+13.86 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 14.1A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LFDF-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT3006LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14.1 A, 5800 µohm, UDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: UDFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+45.01 грн
26+31.38 грн
100+23.18 грн
500+17.16 грн
1000+13.86 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LFDFQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-6 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LFDFQ-13Diodes IncorporatedDescription: LINEAR IC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1155 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LFDFQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12.5A; Idm: 80A; 2.1W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 16.7nC
On-state resistance: 15mΩ
Power dissipation: 2.1W
Drain current: 12.5A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 80A
Kind of package: 7 inch reel; tape
Application: automotive industry
Case: U-DFN2020-6
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LFDFQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT3006LFDFQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14.1 A, 5800 µohm, UDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: UDFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+56.00 грн
24+34.41 грн
100+22.70 грн
500+16.57 грн
1000+13.11 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LFDFQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V U-DFN2020-6 T&R 3K
на замовлення 845 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+50.66 грн
11+30.70 грн
100+17.62 грн
500+13.86 грн
1000+11.88 грн
3000+9.08 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LFDFQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1155 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LFDFQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT3006LFDFQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14.1 A, 5800 µohm, UDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 800mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: UDFN2020
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0058ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+22.70 грн
500+16.57 грн
1000+13.11 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LFG-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 55.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 27.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.13 грн
6000+17.94 грн
9000+17.20 грн
15000+16.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LFG-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12.8A; Idm: 80A; 27.8W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 16.7nC
On-state resistance: 10mΩ
Power dissipation: 27.8W
Drain current: 12.8A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 80A
Kind of package: 13 inch reel; tape
Case: PowerDI3333-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LFG-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12.8A; Idm: 80A; 27.8W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 16.7nC
On-state resistance: 10mΩ
Power dissipation: 27.8W
Drain current: 12.8A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 80A
Kind of package: 7 inch reel; tape
Case: PowerDI3333-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 55.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 27.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 81559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.88 грн
10+48.23 грн
100+31.71 грн
500+23.12 грн
1000+20.99 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LFG-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 1940 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+80.45 грн
10+50.57 грн
100+29.02 грн
500+22.87 грн
1000+20.76 грн
2000+18.37 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 55.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 27.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+20.59 грн
4000+18.27 грн
6000+17.47 грн
10000+15.59 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LFV-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1155 pF @ 15 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.46 грн
6000+15.52 грн
9000+14.87 грн
15000+13.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LFV-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT3006LFV-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 5600 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+30.03 грн
500+20.49 грн
1000+17.14 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LFV-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 1385 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+75.35 грн
10+46.40 грн
100+26.42 грн
500+20.48 грн
1000+18.57 грн
3000+15.57 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LFV-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1155 pF @ 15 V
на замовлення 20875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.20 грн
10+43.49 грн
100+28.50 грн
500+20.69 грн
1000+18.74 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LFV-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 45A; Idm: 90A; 2W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 16.7nC
On-state resistance: 11mΩ
Power dissipation: 2W
Drain current: 45A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 90A
Kind of package: 13 inch reel; tape
Case: PowerDI3333-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LFV-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT3006LFV-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 5600 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+68.03 грн
18+44.77 грн
100+30.03 грн
500+20.49 грн
1000+17.14 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LFV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1155 pF @ 15 V
на замовлення 188000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+18.85 грн
4000+16.68 грн
6000+15.94 грн
10000+14.17 грн
14000+13.94 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LFV-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LFVQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 45A; Idm: 90A; 2W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 16.7nC
On-state resistance: 11mΩ
Power dissipation: 2W
Drain current: 45A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 90A
Kind of package: 13 inch reel; tape
Application: automotive industry
Case: PowerDI3333-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LFVQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LFVQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1155 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LFVQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 1739 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+80.45 грн
10+49.47 грн
100+28.33 грн
500+21.98 грн
1000+19.94 грн
2000+17.62 грн
4000+16.73 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LFVQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1155 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+19.75 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LFVQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1155 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+76.81 грн
10+46.45 грн
100+30.50 грн
500+22.21 грн
1000+20.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LPB-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9/11A; Idm: 80÷100A; 1.7W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 12.6nC
On-state resistance: 14mΩ
Power dissipation: 1.7W
Drain current: 9/11A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 80...100A
Kind of package: 13 inch reel; tape
Case: PowerDI5060-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LPB-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 11A POWERDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 35A (Tc), 14A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 11.5A, 10V, 6mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type S)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+17.36 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LPB-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS 25V-30V
на замовлення 757 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+76.07 грн
10+46.40 грн
100+26.29 грн
500+20.28 грн
1000+18.30 грн
2500+15.23 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 16A PWRDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 87500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+14.55 грн
5000+12.86 грн
7500+12.28 грн
12500+10.91 грн
17500+10.61 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LPS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+56.87 грн
10+37.30 грн
100+21.64 грн
500+16.80 грн
1000+15.23 грн
2500+11.95 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 16A PWRDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 89958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+60.68 грн
10+36.32 грн
100+23.59 грн
500+17.00 грн
1000+15.35 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3008LFDF-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 12A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 886 pF @ 15 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+17.73 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3008LFDF-13Diodes IncorporatedMOSFETs 30V N-Ch Enh FET 20Vgs 0.5W 70A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3008LFDF-7Diodes IncorporatedMOSFETs 30V N-Ch Enh FET 20Vgs 0.5W 70A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3008LFDF-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.1W; DFN2020-6
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 5.8nC
On-state resistance: 10mΩ
Power dissipation: 2.1W
Drain-source voltage: 30V
Case: DFN2020-6
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3008LFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 12A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 886 pF @ 15 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.15 грн
6000+17.95 грн
9000+17.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3009LDTDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3009LDT-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT3009LDT-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 30 A, 30 A, 7200 µohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 7200µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: V-DFN3030
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7200µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+45.56 грн
500+33.58 грн
1000+28.27 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3009LDT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 30A 8VDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 14.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN3030-8 (Type K)
Part Status: Active
на замовлення 2212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.48 грн
10+57.69 грн
100+38.31 грн
500+28.15 грн
1000+25.63 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3009LDT-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 11A; Idm: 80A; 1.2W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -16...20V
Gate charge: 20nC
On-state resistance: 22mΩ
Power dissipation: 1.2W
Drain current: 11A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 80A
Kind of package: 7 inch reel; tape
Case: V-DFN3030-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3009LDT-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT3009LDT-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 30 A, 30 A, 7200 µohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 7200µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: V-DFN3030
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7200µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+103.55 грн
13+66.35 грн
100+45.56 грн
500+33.58 грн
1000+28.27 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3009LDT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 30A 8VDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 14.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN3030-8 (Type K)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3009LDT-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 30A 8-Pin VDFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3009LDT-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS
на замовлення 2925 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+98.77 грн
10+56.22 грн
100+34.34 грн
500+27.79 грн
1000+25.33 грн
3000+22.46 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3009LDV-13Diodes IncorporatedDescription: IC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 823pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 14.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXC)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3009LDV-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8 T&R 2K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3009LDV-7Diodes IncorporatedDescription: IC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 823pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 14.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXC)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3009LEVDiodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3009LEV-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3009LEV-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 25V-30V POWERDI3333-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3009LEV-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8 T&R 2K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3009LEV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 25V-30V POWERDI3333-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3009LFVW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 12A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 14.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 823 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3009LFVW-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3009LFVW-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 1789 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+68.50 грн
10+41.93 грн
100+23.83 грн
500+18.37 грн
1000+16.59 грн
2000+14.61 грн
4000+13.38 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3009LFVW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 12A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 14.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 823 pF @ 15 V
на замовлення 2726 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.06 грн
10+39.35 грн
100+25.67 грн
500+18.56 грн
1000+16.78 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3009LFVW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 12A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 14.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 823 pF @ 15 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+16.40 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3009LFVW-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 10A; Idm: 90A; 2.3W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 12nC
On-state resistance: 20mΩ
Power dissipation: 2.3W
Drain current: 10A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 90A
Kind of package: 7 inch reel; tape
Case: PowerDI3333-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3009LFVWQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 10A; Idm: 90A; 2.3W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 12nC
On-state resistance: 20mΩ
Power dissipation: 2.3W
Drain current: 10A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 90A
Kind of package: 13 inch reel; tape
Application: automotive industry
Case: PowerDI3333-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3009LFVWQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3009LFVWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 12A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 14.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 35.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 823 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3009LFVWQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 10A; Idm: 90A; 2.3W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 12nC
On-state resistance: 20mΩ
Power dissipation: 2.3W
Drain current: 10A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 90A
Kind of package: 7 inch reel; tape
Application: automotive industry
Case: PowerDI®3333-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3009LFVWQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 12A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 14.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 35.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 823 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.43 грн
10+43.42 грн
100+28.42 грн
500+20.63 грн
1000+18.68 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3009LFVWQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 1590 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+72.65 грн
10+45.54 грн
100+25.94 грн
500+20.41 грн
1000+18.43 грн
2000+16.32 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3009LFVWQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 12A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 14.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 35.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 823 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3009LSS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V SO-8 T&R 2.5K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3009LSS-13Diodes IncorporatedDescription: IC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 14.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 807 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+10.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3009LSSQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V SO-8 T&R 2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 14.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): 20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 807 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+11.86 грн
5000+10.45 грн
7500+9.96 грн
12500+8.82 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3009LSSQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V 30V SO-8 T&R 2.5K
на замовлення 1964 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+54.09 грн
10+32.90 грн
100+18.84 грн
500+14.82 грн
1000+12.70 грн
2500+10.51 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3009UDT-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V V-DFN3030-8 T&R 1.5K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3009UDT-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT3009UDT-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 10.6 A, 10.6 A, 8600 µohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.6A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 8600µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: V-DFN3030
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 8600µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+29.15 грн
500+23.60 грн
1000+17.07 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3009UDT-7DIODES INCORPORATEDCategory: Transistors - Unclassified
Description: DMT3009UDT-7
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1500+30.27 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3009UDT-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT3009UDT-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 10.6 A, 10.6 A, 0.0111 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: V-DFN3030
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0111ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+61.18 грн
22+37.68 грн
100+29.15 грн
500+23.60 грн
1000+17.07 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3009UDT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 10.6A 8VDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta), 16W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta), 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 894pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 11A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN3030-8 (Type KS)
Part Status: Active
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+20.78 грн
3000+18.37 грн
4500+17.53 грн
7500+15.57 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3009UFVW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 10.6A/30A PWRDI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 2.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 894 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3009UFVW-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3009UFVW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 10.6A/30A PWRDI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta), 30A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 2.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 894 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3009UFVW-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.5A; Idm: 80A; 2.6W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±12V
Gate charge: 14.6nC
On-state resistance: 13mΩ
Power dissipation: 2.6W
Drain current: 8.5A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 80A
Kind of package: 7 inch reel; tape
Case: PowerDI3333-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3009UFVW-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8 T&R 2K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3011LDT-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3011LDT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 8A/10.7A 8VDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A, 10.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 641pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN3030-8 (Type K)
Part Status: Active
на замовлення 8052 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.80 грн
10+52.66 грн
100+34.78 грн
500+25.45 грн
1000+23.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3011LDT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 8A/10.7A 8VDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A, 10.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 641pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN3030-8 (Type K)
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LDT-7Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+13.35 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LDT-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V V-DFN3030-8 T&R 1.5K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LDT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8VDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 670mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 393pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN3030-8 (Type K)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+15.49 грн
3000+13.59 грн
4500+12.92 грн
7500+11.41 грн
10500+10.99 грн
15000+10.58 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LDV-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8 T&R 3K
на замовлення 378 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+59.58 грн
10+36.04 грн
100+20.69 грн
500+16.25 грн
1000+13.93 грн
3000+10.79 грн
6000+10.45 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LDV-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 32A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 393pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXC)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.16 грн
6000+12.52 грн
9000+11.96 грн
15000+10.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LDV-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LDV-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LDV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 32A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 393pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXC)
Part Status: Active
на замовлення 138000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+13.48 грн
4000+11.87 грн
6000+11.30 грн
10000+10.01 грн
14000+9.65 грн
20000+9.32 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LDV-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LDV-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT3020LDV-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 32 A, 32 A, 0.014 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 32A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.9W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerDI3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.9W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+24.77 грн
500+18.12 грн
1000+15.36 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LDV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 32A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 393pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXC)
Part Status: Active
на замовлення 138116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.30 грн
10+33.06 грн
100+21.40 грн
500+15.36 грн
1000+13.84 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LDV-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 146000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+13.40 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LDV-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V 30V PowerDI3333-8 T&R 2K
на замовлення 1006 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+53.45 грн
10+34.23 грн
100+19.53 грн
500+16.25 грн
1000+13.93 грн
2000+11.95 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LDV-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 25A; Idm: 50A; 1.9W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 7nC
On-state resistance: 32mΩ
Power dissipation: 1.9W
Drain current: 25A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 50A
Kind of package: 7 inch reel; tape
Case: PowerDI3333-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LDV-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT3020LDV-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 32 A, 32 A, 0.014 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 32A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.9W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerDI3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.9W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+47.79 грн
23+35.77 грн
100+24.77 грн
500+18.12 грн
1000+15.36 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFCL-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 7.6A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN1616-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 393 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.92 грн
6000+10.51 грн
9000+10.01 грн
15000+8.87 грн
21000+8.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFCL-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 7.6A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFCL-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 2515 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+48.67 грн
11+29.21 грн
100+16.73 грн
500+13.18 грн
1000+11.27 грн
3000+9.35 грн
6000+8.60 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFCL-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 7.6A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDB-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 7.7A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+15.56 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDB-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.2A; Idm: 50A; 1.8W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 7nC
On-state resistance: 32mΩ
Power dissipation: 1.8W
Drain current: 6.2A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 50A
Kind of package: 13 inch reel; tape
Case: U-DFN2020-6
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDB-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 7.7A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDB-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 7.7A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 393pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+12.58 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDB-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDB-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT3020LFDB-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 7.7 A, 7.7 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.02ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 700mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: UDFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 700mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+64.60 грн
20+40.86 грн
100+27.08 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDB-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 7.7A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDB-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 7.7A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 393pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.46 грн
6000+12.81 грн
9000+12.25 грн
15000+10.90 грн
21000+10.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDB-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 3218 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+63.72 грн
10+38.94 грн
100+22.46 грн
500+18.84 грн
1000+15.70 грн
3000+13.11 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDB-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 7.7A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDB-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT3020LFDB-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 7.7 A, 7.7 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.7A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.02ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 700mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: UDFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 700mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+27.08 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDB-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 7.7A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDB-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 7.7A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 393pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 78311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+61.45 грн
10+36.83 грн
100+23.98 грн
500+17.29 грн
1000+15.61 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDB-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.2A; Idm: 50A; 1.8W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 7nC
On-state resistance: 32mΩ
Power dissipation: 1.8W
Drain current: 6.2A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 50A
Kind of package: 7 inch reel; tape
Case: U-DFN2020-6
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDBQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V 30V U-DFN2020-6 T&R 10K
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+68.50 грн
10+44.91 грн
100+38.17 грн
500+34.27 грн
1000+32.43 грн
10000+12.97 грн
20000+10.51 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDBQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT3020LFDBQ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 7.7 A, 7.7 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.02ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+55.52 грн
23+35.45 грн
100+34.57 грн
500+30.99 грн
1000+24.44 грн
5000+23.96 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDBQ-13Diodes ZetexDual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDBQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 7.7A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 393pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDBQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.2A; Idm: 50A; 1.8W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 7nC
On-state resistance: 32mΩ
Power dissipation: 1.8W
Drain current: 6.2A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 50A
Kind of package: 13 inch reel; tape
Application: automotive industry
Case: U-DFN2020-6
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDBQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT3020LFDBQ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 7.7 A, 7.7 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.7A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.02ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+34.57 грн
500+30.99 грн
1000+24.44 грн
5000+23.96 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDBQ-7Diodes ZetexDual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDBQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 7.7A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 393pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDBQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.2A; Idm: 50A; 1.8W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 7nC
On-state resistance: 32mΩ
Power dissipation: 1.8W
Drain current: 6.2A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 50A
Kind of package: 7 inch reel; tape
Application: automotive industry
Case: U-DFN2020-6
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDBQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 7.7A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 393pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1099 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.54 грн
10+32.62 грн
100+21.10 грн
500+15.15 грн
1000+13.65 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDBQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V U-DFN2020-6 T&R 3K
на замовлення 5624 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+38.39 грн
13+24.65 грн
100+14.61 грн
500+12.36 грн
1000+11.61 грн
3000+10.51 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDF-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 8.4A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+15.29 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDF-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 8.4A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 1.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 393 pF @ 15 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+13.73 грн
20000+12.55 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDF-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDF-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 8.4A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDF-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.4A; Idm: 40A; 1.1W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 7nC
On-state resistance: 28mΩ
Power dissipation: 1.1W
Drain current: 5.4A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 40A
Kind of package: 13 inch reel; tape
Case: U-DFN2020-6
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDF-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.4A; Idm: 40A; 1.1W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 7nC
On-state resistance: 28mΩ
Power dissipation: 1.1W
Drain current: 5.4A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 40A
Kind of package: 7 inch reel; tape
Case: U-DFN2020-6
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 8.4A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 8.4A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 1.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 393 pF @ 15 V
на замовлення 2469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+60.68 грн
10+36.10 грн
100+23.46 грн
500+16.91 грн
1000+15.26 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 8.4A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 8.4A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 1.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 393 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDF-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 2969 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+51.38 грн
10+37.53 грн
100+21.51 грн
500+16.73 грн
1000+15.09 грн
3000+12.15 грн
6000+11.95 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 8.4A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 87000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDFQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 393 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDFQ-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V U-DFN2020-6 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDFQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 8.4A 6-Pin UDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDFQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.7A; Idm: 40A; 0.4W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 7nC
On-state resistance: 28mΩ
Power dissipation: 0.4W
Drain current: 6.7A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 40A
Kind of package: 13 inch reel; tape
Application: automotive industry
Case: U-DFN2020-6
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDFQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT3020LFDFQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.4 A, 0.013 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700mW
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+22.14 грн
500+15.83 грн
1000+13.18 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDFQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V 30V U-DFN2020-6 T&R 3K
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+48.67 грн
11+31.09 грн
100+17.21 грн
500+11.95 грн
1000+9.90 грн
3000+7.51 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDFQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 8.4A Automotive AEC-Q101 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDFQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 393 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3023 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+38.41 грн
13+22.93 грн
100+14.65 грн
500+10.37 грн
1000+9.28 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDFQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT3020LFDFQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.4 A, 0.013 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700mW
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+54.01 грн
24+33.85 грн
100+22.14 грн
500+15.83 грн
1000+13.18 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDFQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.4A; Idm: 40A; 1.1W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 7nC
On-state resistance: 28mΩ
Power dissipation: 1.1W
Drain current: 5.4A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 40A
Kind of package: 7 inch reel; tape
Application: automotive industry
Case: U-DFN2020-6
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDFQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 393 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDFW-13Diodes IncorporatedDescription: IC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (SWP) (Type UXG)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 393 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDFW-7Diodes IncorporatedDescription: IC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (SWP) (Type UXG)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 393 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDFWQ-13Diodes IncorporatedDescription: IC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (SWP) (Type UXG)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 393 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDFWQ-7Diodes IncorporatedDescription: IC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (SWP) (Type UXG)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 393 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFVWDiodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFVW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 38A POWERDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 393 pF @ 15 V
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+13.32 грн
4000+11.70 грн
6000+11.13 грн
10000+9.84 грн
14000+9.48 грн
20000+9.13 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFVW-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFVW-7Diodes Zetex30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET PowerDI3333-8 (SWP) (Type UX)
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+11.64 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFVW-7Diodes Zetex30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET PowerDI3333-8 (SWP) (Type UX)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 16A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 393pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
на замовлення 1558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.14 грн
10+35.36 грн
100+22.93 грн
500+16.51 грн
1000+14.89 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin SO T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+14.83 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 16A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 393pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LSD-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V SO-8 T&R 2.5K
на замовлення 1120 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+57.51 грн
10+36.67 грн
100+20.96 грн
500+16.32 грн
1000+14.75 грн
2500+11.54 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LSDQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 16A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 393pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LSDQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; Idm: 50A; 1.5W; SO8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 7nC
On-state resistance: 32mΩ
Power dissipation: 1.5W
Drain current: 13A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 50A
Kind of package: 13 inch reel; tape
Application: automotive industry
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LSDQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 16A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R
на замовлення 1244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
753+17.19 грн
765+16.91 грн
778+16.64 грн
791+15.78 грн
1000+14.37 грн
Мінімальне замовлення: 753
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LSDQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT3020LSDQ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 16 A, 16 A, 0.014 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 16A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+31.94 грн
34+23.98 грн
100+18.96 грн
500+17.31 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LSDQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 16A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LSDQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V SO-8 T&R 2.5K
на замовлення 688 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+63.72 грн
10+39.26 грн
100+22.19 грн
500+17.07 грн
1000+15.43 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LSDQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT3020LSDQ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 16 A, 16 A, 0.014 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 16A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+18.96 грн
500+17.31 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LSDQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 16A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 393pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2037 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+61.45 грн
10+36.83 грн
100+23.93 грн
500+17.26 грн
1000+15.58 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LSDQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 16A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R
на замовлення 1244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+19.00 грн
40+18.70 грн
41+18.42 грн
100+17.47 грн
250+15.91 грн
500+15.03 грн
1000+14.78 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020UFDB-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V U-DFN2020-6 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020UFDB-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 860mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 383pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020UFDB-13DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 5.2A; Idm: 35A; 1.3W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±12V
Gate charge: 8.8nC
On-state resistance: 30mΩ
Power dissipation: 1.3W
Drain current: 5.2A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 35A
Kind of package: 13 inch reel; tape
Case: U-DFN2020-6
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020UFDB-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V 30V U-DFN2020-6 T&R 3K
на замовлення 2699 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+67.15 грн
10+42.40 грн
100+32.91 грн
500+26.42 грн
1000+24.99 грн
3000+10.72 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020UFDB-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 860mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 383pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
на замовлення 357000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.48 грн
6000+11.91 грн
9000+11.36 грн
15000+10.09 грн
21000+9.75 грн
30000+9.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020UFDB-7Diodes ZetexDual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 357000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3022UEV-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3022UEV-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 17A POWERDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 903pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 11A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXD)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3022UEV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 17A POWERDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 903pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 11A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXD)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3022UEV-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8 T&R 2K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT30M9LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI506
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type K)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12121 pF @ 20 V
на замовлення 4987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+231.20 грн
10+145.64 грн
100+101.58 грн
500+82.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DMT30M9LPS-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 400A; 2.6W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 160.5nC
On-state resistance: 1.6mΩ
Power dissipation: 2.6W
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 400A
Kind of package: 13 inch reel; tape
Case: PowerDI5060-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT30M9LPS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS 25V-30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT30M9LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI506
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type K)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12121 pF @ 20 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+74.93 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT31M1LPSW-13Diodes Incorporated MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT31M1LPSWQ-13Diodes Incorporated MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT31M6LPS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS 25V-30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT31M6LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 35.8A PWRDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type K)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7019 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 499945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.84 грн
10+71.52 грн
100+50.32 грн
500+38.32 грн
1000+35.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMT31M6LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 35.8A PWRDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type K)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7019 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 497500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+36.51 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT31M7LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 30A PWRDI5060
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT31M7LPS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT31M7LSS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V SO-8 T&R 2.5K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT31M8LFVW-13Diodes Incorporated MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8/SWP T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT31M8LFVW-7Diodes Incorporated MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT31M8LFVWQ-13Diodes Incorporated MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8/SWP T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT31M8LFVWQ-7Diodes Incorporated MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT31M9LFVW-13Diodes Incorporated MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8/SWP T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT31M9LFVW-7Diodes Incorporated MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT32M4LFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4366 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT32M4LFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4366 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT32M4LFG-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT32M4LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1400 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.6W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+34.57 грн
500+28.85 грн
1000+26.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMT32M4LFG-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT32M4LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1400 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.6W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+47.63 грн
20+41.66 грн
100+34.57 грн
500+28.85 грн
1000+26.56 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
DMT32M4LPSW-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT32M4LPSW-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1500 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+32.58 грн
100+32.50 грн
500+30.10 грн
1000+27.72 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
DMT32M4LPSW-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT32M4LPSW-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1500 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+32.50 грн
500+30.10 грн
1000+27.72 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMT32M4LPSW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI506
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3944 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT32M5LFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 30A POWERDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4066 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 833856 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.11 грн
10+62.57 грн
100+48.68 грн
500+38.72 грн
1000+31.54 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMT32M5LFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 30A POWERDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4066 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 831000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+32.85 грн
6000+30.13 грн
9000+28.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT32M5LFG-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 2768 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+116.30 грн
10+72.94 грн
100+42.40 грн
500+33.32 грн
1000+30.59 грн
3000+25.74 грн
6000+25.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMT32M5LFG-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 3880 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+116.30 грн
10+72.94 грн
100+42.47 грн
500+33.46 грн
1000+30.59 грн
2000+25.94 грн
4000+25.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMT32M5LFG-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT32M5LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1400 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+55.12 грн
500+40.39 грн
1000+36.25 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMT32M5LFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 30A POWERDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4066 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 29928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.11 грн
10+62.57 грн
100+48.68 грн
500+38.72 грн
1000+31.54 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMT32M5LFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 30A POWERDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4066 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+32.85 грн
6000+30.13 грн
10000+28.74 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT32M5LFG-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT32M5LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1400 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+129.84 грн
10+82.04 грн
100+55.12 грн
500+40.39 грн
1000+36.25 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMT32M5LPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT32M5LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 150 A, 1600 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+66.83 грн
19+44.05 грн
100+29.87 грн
500+23.00 грн
1000+20.21 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMT32M5LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 150A PWRDI5060-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3944 pF @ 25 V
на замовлення 71806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.82 грн
10+44.97 грн
100+31.24 грн
500+25.16 грн
1000+22.86 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMT32M5LPS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFETBVDSS: 25V-30V
на замовлення 3938 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+67.79 грн
10+46.95 грн
100+28.33 грн
500+24.85 грн
1000+22.46 грн
2500+18.43 грн
5000+17.75 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMT32M5LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 150A PWRDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3944 pF @ 25 V
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.09 грн
5000+19.02 грн
7500+18.67 грн
12500+17.30 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT32M5LPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT32M5LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 150 A, 1600 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+29.87 грн
500+23.00 грн
1000+20.21 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMT32M5LPSW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI506
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4389 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT32M5LPSW-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V~30V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT32M6LDG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 21A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 47A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2101pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 18A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 400µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type G)
Part Status: Active
на замовлення 23847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+138.26 грн
10+84.99 грн
100+57.52 грн
500+42.96 грн
1000+40.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMT32M6LDG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 21A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 47A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2101pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 18A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 400µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type G)
Part Status: Active
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+37.48 грн
6000+35.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT32M6LDG-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V~30V PowerDI3333-8 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT32M6LDG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 21A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 47A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2101pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 18A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 400µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type G)
Part Status: Active
на замовлення 3990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+112.91 грн
10+83.43 грн
100+57.52 грн
500+42.96 грн
1000+40.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMT32M6LDG-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V~30V PowerDI3333-8 T&R 2K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT32M6LDG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 21A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 47A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2101pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 18A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 400µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type G)
Part Status: Active
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+41.30 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT334R2S474M3DTA0CAP-XX Ltd SupercapacitorsDescription: CAP 470MF 4.2V -40-+85C
Packaging: Bulk
Tolerance: ±20%
Package / Case: 3-SMD
Size / Dimension: 0.827" L x 0.551" W (21.00mm x 14.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
ESR (Equivalent Series Resistance): 156mOhm @ 1kHz
Height - Seated (Max): 0.150" (3.80mm)
Capacitance: 470 mF
Voltage - Rated: 4.2 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT334R2S474M3DTA0Murata ElectronicsSupercapacitors / Ultracapacitors EDLC 470mF 4.2V 20% 21x14x3.5mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT334R2S474M3DTA0CAP-XXDescription: CAP-XX - DMT334R2S474M3DTA0 - Superkondensator, Prismatic Ultra Thin, 0.47 F, 4.2 V, Lötanschlüsse, ± 20%
tariffCode: 85322900
Produkthöhe: 3.5mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: SMD
rohsCompliant: YES
Anschlussabstand: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kapazitätstoleranz: ± 20%
Kondensatormontage: Oberflächenmontage
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Lebensdauer bei Temperatur: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Äquivalenter Serienwiderstand (ESR): 0.13ohm
Produktlänge: 21mm
euEccn: NLR
Kapazität: 0.47F
Spannung (DC): 4.2V
Produktpalette: DMT Series
productTraceability: No
Produktdurchmesser: -
Kondensatoranschlüsse: Lötanschlüsse
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Produktbreite: 14mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+496.25 грн
50+358.45 грн
100+342.52 грн
250+304.00 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DMT334R2S474M3DTA0CAP-XXCategory: Supercapacitors
Description: Supercapacitor; SMD; 470mF; 4.2VDC; ±20%; 21x14x3.5mm; -40÷85°C
Type of capacitor: supercapacitor
Mounting: SMD
Capacitance: 0.47F
Operating voltage: 4.2V DC
Body dimensions: 21x14x3.5mm
Tolerance: ±20%
Operating temperature: -40...85°C
Trade name: EDLC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+715.83 грн
5+584.78 грн
10+546.36 грн
25+531.57 грн
50+523.68 грн
100+510.86 грн
200+504.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMT334R2S474M3DTA0CAP-XXCategory: Supercapacitors
Description: Supercapacitor; SMD; 470mF; 4.2VDC; ±20%; 21x14x3.5mm; -40÷85°C
Type of capacitor: supercapacitor
Mounting: SMD
Capacitance: 0.47F
Operating voltage: 4.2V DC
Body dimensions: 21x14x3.5mm
Tolerance: ±20%
Operating temperature: -40...85°C
Trade name: EDLC
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+596.53 грн
5+469.27 грн
10+455.30 грн
25+442.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMT34M1LPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT34M1LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 2600 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+69.14 грн
19+43.81 грн
100+28.91 грн
500+19.23 грн
1000+15.84 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMT34M1LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 100A PWRDI5060-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2242 pF @ 15 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15
на замовлення 1495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.59 грн
10+40.98 грн
100+26.78 грн
500+19.40 грн
1000+17.55 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMT34M1LPS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT34M1LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 100A PWRDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2242 pF @ 15 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT34M1LPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT34M1LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 2600 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+28.91 грн
500+19.23 грн
1000+15.84 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMT34M1LPS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFETBVDSS: 25V-30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT34M2LPS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT34M2LPS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT34M2LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V 30V POWERDI506
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2242 pF @ 15 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT34M5LFVW-13Diodes Incorporated MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8/SWP T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT34M5LFVW-7Diodes Incorporated MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT34M8LFDE-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-6 T and R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT34M8LFDE-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1024 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT34M8LFDE-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1024 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT34M8LFDE-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-6 T and R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT35M4LFDF-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V U-DFN2020-6 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT35M4LFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1009 pF @ 15 V
на замовлення 67024 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT35M4LFDF-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT35M4LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13 A, 0.0049 ohm, UDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 860mW
Bauform - Transistor: UDFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0049ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+42.38 грн
26+31.38 грн
100+23.02 грн
500+16.42 грн
1000+12.22 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
DMT35M4LFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1009 pF @ 15 V
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT35M4LFDF-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V U-DFN2020-6 T&R 3K
на замовлення 9812 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+39.99 грн
12+27.40 грн
100+18.91 грн
500+16.80 грн
1000+14.34 грн
3000+10.51 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMT35M4LFDF-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT35M4LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13 A, 0.0049 ohm, UDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 860mW
Bauform - Transistor: UDFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0049ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+23.02 грн
500+16.42 грн
1000+12.22 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMT35M4LFDF4-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V X2-DFN2020-6 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT35M4LFDF4-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V X2-DFN2020-6 T&R 3K
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+41.90 грн
10+35.18 грн
100+22.87 грн
500+17.96 грн
1000+14.34 грн
3000+12.15 грн
9000+10.99 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMT35M4LFVW-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8 T&R 3K
на замовлення 2997 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+58.94 грн
10+35.80 грн
100+21.23 грн
500+16.73 грн
1000+13.93 грн
3000+10.72 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMT35M4LFVW-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT35M4LFVW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16 A, 0.0046 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+21.91 грн
500+16.05 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMT35M4LFVW-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8 T&R 2K
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+51.14 грн
10+35.41 грн
100+24.51 грн
500+22.94 грн
1000+18.78 грн
2000+15.09 грн
24000+15.02 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMT35M4LFVW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 982 pF @ 15 V
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.91 грн
10+36.10 грн
100+23.38 грн
500+16.83 грн
1000+15.16 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMT35M4LFVW-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT35M4LFVW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16 A, 0.0046 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+47.87 грн
25+32.02 грн
100+21.91 грн
500+16.05 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
DMT35M4LFVW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 982 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT35M4LPSW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI506
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.9A (Ta), 71.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1029 pF @ 15 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.42 грн
5000+13.65 грн
7500+13.04 грн
12500+11.59 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT35M4LPSW-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V~30V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT35M4LSS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V 30V SO-8 T&R 2.5K
на замовлення 1968 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+55.52 грн
10+33.76 грн
100+19.32 грн
500+15.23 грн
1000+13.38 грн
2500+11.27 грн
5000+10.38 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMT35M7LFV-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+52.57 грн
10+45.93 грн
100+27.24 грн
500+22.74 грн
1000+19.39 грн
3000+16.39 грн
6000+16.18 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMT35M7LFV-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT35M8LDG-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V~30V PowerDI3333-8 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT35M8LDG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 17A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 980mW (Ta), 2W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 15.3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510pF @ 15V, 1032pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 20A, 10V, 5.8mOhm @ 18A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.7nC @ 10V, 16.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type G)
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+28.75 грн
6000+26.37 грн
9000+25.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT35M8LDG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 17A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 980mW (Ta), 2W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 15.3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510pF @ 15V, 1032pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 20A, 10V, 5.8mOhm @ 18A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.7nC @ 10V, 16.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type G)
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+28.75 грн
6000+26.37 грн
10000+25.15 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT35M8LDG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 17A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 980mW (Ta), 2W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 15.3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510pF @ 15V, 1032pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 20A, 10V, 5.8mOhm @ 18A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.7nC @ 10V, 16.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type G)
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.13 грн
10+54.81 грн
100+42.59 грн
500+33.88 грн
1000+27.60 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMT36M1LPSDiodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT36M1LPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT36M1LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 65 A, 4800 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+36.56 грн
29+28.20 грн
100+19.28 грн
500+13.76 грн
1000+11.40 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
DMT36M1LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 65A PWRDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1155 pF @ 15 V
на замовлення 225000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+12.49 грн
5000+11.02 грн
7500+10.50 грн
12500+9.31 грн
17500+8.99 грн
25000+8.84 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT36M1LPS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFETBVDSS: 25V-30V
на замовлення 4868 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+36.32 грн
12+27.64 грн
100+16.45 грн
500+13.66 грн
1000+12.29 грн
2500+9.15 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMT36M1LPS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT36M1LPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT36M1LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 65 A, 4800 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+19.28 грн
500+13.76 грн
1000+11.40 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMT36M1LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 65A PWRDI5060-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1155 pF @ 15 V
на замовлення 227497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.00 грн
10+31.66 грн
100+20.47 грн
500+14.68 грн
1000+13.22 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMT36M4LDT-7ADiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V V-DFN3030-8 T&R 1.5K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT36M4LDT-7ADiodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V V-DFN3030-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.04W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 14.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1092pF @ 15V, 1644pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 10A, 10V, 6.4mOhm @ 16A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V, 23.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN3030-8 (Type K)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3M60LPSW-13Diodes IncorporatedDescription: IC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.55mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.13W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11112 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3M70LPSW-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V~30V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3N4R2U224M3DTA0CAP-XXCategory: Supercapacitors
Description: Supercapacitor; SMD; 220mF; 4.2VDC; ±20%; 21x14x2.2mm; 10A; EDLC
Type of capacitor: supercapacitor
Mounting: SMD
Capacitance: 0.22F
Operating voltage: 4.2V DC
Tolerance: ±20%
Body dimensions: 21x14x2.2mm
Operating temperature: -40...85°C
Trade name: EDLC
Max. forward impulse current: 10A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 549 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+578.83 грн
5+503.88 грн
10+470.42 грн
25+460.56 грн
50+447.74 грн
100+441.82 грн
250+432.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3N4R2U224M3DTA0Murata ElectronicsSupercapacitors / Ultracapacitors EDLC 220mF 4.2V 20% 21x14x2.2mm
на замовлення 4406 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3N4R2U224M3DTA0CAP-XXCategory: Supercapacitors
Description: Supercapacitor; SMD; 220mF; 4.2VDC; ±20%; 21x14x2.2mm; 10A; EDLC
Type of capacitor: supercapacitor
Mounting: SMD
Capacitance: 0.22F
Operating voltage: 4.2V DC
Tolerance: ±20%
Body dimensions: 21x14x2.2mm
Operating temperature: -40...85°C
Trade name: EDLC
Max. forward impulse current: 10A
на замовлення 549 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+482.36 грн
5+404.34 грн
10+392.02 грн
25+383.80 грн
50+373.11 грн
100+368.18 грн
250+360.79 грн
500+358.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3N4R2U224M3DTA0CAP-XX Ltd SupercapacitorsDescription: CAP 220MF 4.2V -40-+85C
Packaging: Bulk
Tolerance: ±20%
Package / Case: 3-SMD
Size / Dimension: 0.827" L x 0.551" W (21.00mm x 14.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
ESR (Equivalent Series Resistance): 360mOhm @ 1kHz
Height - Seated (Max): 0.098" (2.50mm)
Capacitance: 220 mF
Voltage - Rated: 4.2 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3N4R2U224M3DTA0CAP-XXDescription: CAP-XX - DMT3N4R2U224M3DTA0 - Superkondensator, Prismatic Ultra Thin, 0.22 F, 4.2 V, Lötanschlüsse, ± 20%
tariffCode: 85322900
Produkthöhe: 2.2mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: SMD
rohsCompliant: YES
Anschlussabstand: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kapazitätstoleranz: ± 20%
Kondensatormontage: Oberflächenmontage
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Lebensdauer bei Temperatur: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Äquivalenter Serienwiderstand (ESR): 0.3ohm
Produktlänge: 21mm
euEccn: NLR
Kapazität: 0.22F
Spannung (DC): 4.2V
Produktpalette: DMT Series
productTraceability: No
Produktdurchmesser: -
Kondensatoranschlüsse: Lötanschlüsse
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Produktbreite: 14mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+507.40 грн
50+366.41 грн
100+349.69 грн
250+310.66 грн
500+275.15 грн
1000+269.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4001LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 100A PWRDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type K)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12121 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4001LPS-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 31V~40V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4002LPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT4002LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1300 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.3W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+64.12 грн
500+43.64 грн
1000+40.21 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4002LPS-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS 31V-40V
на замовлення 575 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+121.87 грн
10+96.58 грн
100+66.36 грн
500+60.22 грн
1000+43.76 грн
2500+39.67 грн
5000+37.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4002LPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT4002LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1300 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.3W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+147.36 грн
10+94.79 грн
100+64.12 грн
500+43.64 грн
1000+40.21 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4002LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 100A PWRDI5060-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type K)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6771 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 259780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+144.40 грн
10+88.98 грн
100+60.33 грн
500+45.09 грн
1000+41.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4002LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 100A PWRDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type K)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6771 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 257500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+41.34 грн
5000+38.37 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4003SCTDiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+110.72 грн
10+87.94 грн
100+56.94 грн
500+48.20 грн
1000+40.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4003SCTDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 205A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 205A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6865 pF @ 20 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.45 грн
10+98.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4003SCTDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 205A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4003SCTDIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT4003SCT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 205 A, 2400 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 205A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4004LPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT4004LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 2500 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 138W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+115.50 грн
11+76.71 грн
100+54.64 грн
500+40.02 грн
1000+33.66 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4004LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 26A PWRDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 138W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4508 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 356008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.71 грн
10+60.73 грн
100+42.44 грн
500+32.15 грн
1000+29.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4004LPS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V
на замовлення 3404 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+94.79 грн
10+63.91 грн
100+42.19 грн
500+33.32 грн
1000+30.38 грн
2500+27.99 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4004LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 26A PWRDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 138W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4508 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 355000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.76 грн
5000+28.64 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4004LPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT4004LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 0.0025 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 138W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+53.69 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4005SCTDiodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+111.52 грн
10+100.50 грн
100+76.47 грн
500+70.32 грн
1000+59.13 грн
2500+55.03 грн
5000+53.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4005SCTDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+67.62 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4005SCTDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3062 pF @ 20 V
на замовлення 3950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+132.11 грн
10+114.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4008LFDF-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 31V 40V U-DFN2020-6 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4008LFDF-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT4008LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 11.8 A, 7800 µohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85415000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7800µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+76.31 грн
17+47.32 грн
100+43.65 грн
500+32.54 грн
1000+22.67 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4008LFDF-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 31V 40V U-DFN2020-6 T&R 3K
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+49.39 грн
10+42.87 грн
100+28.61 грн
500+22.60 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4008LFDF-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT4008LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 11.8 A, 7800 µohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85415000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7800µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+43.65 грн
500+32.54 грн
1000+22.67 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4008LFV-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4008LFV-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+83.64 грн
10+51.59 грн
100+29.56 грн
500+23.42 грн
1000+20.82 грн
2000+18.37 грн
4000+17.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4008LSS-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4011LFGDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4011LFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 30A POWERDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 767 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 20896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.77 грн
10+32.18 грн
100+20.77 грн
500+14.90 грн
1000+13.42 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4011LFG-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT4011LFG-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 30 A, 9200 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15.6W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9200µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+25.01 грн
500+17.75 грн
1000+14.75 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4011LFG-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V
на замовлення 5007 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+56.16 грн
10+34.23 грн
100+19.19 грн
500+14.68 грн
1000+13.25 грн
3000+11.81 грн
6000+10.10 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4011LFG-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 10.8A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4011LFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 30A POWERDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 767 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.94 грн
6000+10.94 грн
9000+10.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4011LFG-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT4011LFG-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 30 A, 9200 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15.6W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9200µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+62.53 грн
21+38.63 грн
100+25.01 грн
500+17.75 грн
1000+14.75 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4011LFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 10.8A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4011LFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 30A POWERDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 767 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.77 грн
10+32.18 грн
100+20.77 грн
500+14.90 грн
1000+13.42 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4011LFG-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT4011LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 30 A, 9200 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15.6W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9200µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+25.01 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4011LFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 30A POWERDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 767 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+11.94 грн
4000+10.94 грн
6000+10.47 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4011LFG-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT4011LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 30 A, 9200 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15.6W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9200µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+47.32 грн
23+36.08 грн
100+25.01 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4011LFG-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V
на замовлення 9688 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+42.46 грн
10+31.96 грн
100+19.25 грн
500+14.75 грн
1000+12.97 грн
2000+10.04 грн
4000+9.63 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4011LSS-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 31V 40V SO-8 T&R 2.5K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4011LSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 10.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.31W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 829 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4014LDV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 40V 8.5A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 26.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXC)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.67 грн
10+50.96 грн
100+33.63 грн
500+24.58 грн
1000+22.33 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4014LDV-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI3333-8 T&R 2K
на замовлення 1335 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+66.67 грн
10+54.41 грн
100+37.01 грн
500+30.52 грн
1000+25.94 грн
2000+21.98 грн
10000+21.44 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4014LDV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 40V 8.5A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 26.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXC)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+21.93 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4015LDV-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 40V 7.8A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta), 21.2A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 808pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXC)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4015LDV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 40V 7.8A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta), 21.2A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 808pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXC)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+20.25 грн
4000+17.93 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT40M9LPS-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT43M8LFV-13Diodes IncorporatedMOSFETs 40V N-Ch Enhance Mode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT43M8LFV-7Diodes IncorporatedMOSFETs 40V N-Ch Enhance Mode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT47M2LDV-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 31V~40V PowerDI3333-8 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT47M2LDV-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 40V 11.9A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.34W (Ta), 14.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.9A (Ta), 30.2A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 891pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXC)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT47M2LDV-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 31V~40V PowerDI3333-8 T&R 2K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT47M2LDV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 40V 11.9A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.34W (Ta), 14.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.9A (Ta), 30.2A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 891pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXC)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+26.52 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT47M2LDVQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 40V 11.9A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.34W (Ta), 14.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.9A (Ta), 30.2A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 891pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXC)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+32.12 грн
6000+29.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT47M2LDVQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 40V 11.9A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.34W (Ta), 14.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.9A (Ta), 30.2A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 891pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXC)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 20917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.06 грн
10+73.00 грн
100+48.85 грн
500+36.12 грн
1000+33.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMT47M2LDVQ-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 31V~40V PowerDI3333-8 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT47M2LDVQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 40V 11.9A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.34W (Ta), 14.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.9A (Ta), 30.2A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 891pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXC)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+33.16 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT47M2LDVQ-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 31V~40V PowerDI3333-8 T&R 2K
на замовлення 2901 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+81.25 грн
10+65.88 грн
100+44.58 грн
500+37.76 грн
1000+30.79 грн
2000+28.95 грн
4000+28.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMT47M2LDVQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 40V 11.9A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.34W (Ta), 14.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.9A (Ta), 30.2A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 891pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXC)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.88 грн
10+63.17 грн
100+49.12 грн
500+39.07 грн
1000+31.83 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMT47M2SFVW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A (Ta), 49.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.67W (Ta), 27.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 897 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT47M2SFVW-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 31V~40V PowerDI3333-8/SWP T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT47M2SFVW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A (Ta), 49.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.67W (Ta), 27.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 897 pF @ 20 V
на замовлення 112000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+17.68 грн
6000+16.13 грн
10000+14.94 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT47M2SFVW-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
на замовлення 3505 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+57.35 грн
10+39.81 грн
100+23.62 грн
500+19.73 грн
1000+16.86 грн
2000+16.39 грн
4000+14.06 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMT47M2SFVW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A (Ta), 49.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.67W (Ta), 27.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 897 pF @ 20 V
на замовлення 112000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.85 грн
10+38.83 грн
100+26.89 грн
500+21.08 грн
1000+17.94 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMT47M2SFVWQ-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 31V~40V PowerDI3333-8/SWP T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT47M2SFVWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A (Ta), 49.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.67W (Ta), 27.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 897 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT47M2SFVWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A (Ta), 49.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.67W (Ta), 27.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 897 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.14 грн
10+35.50 грн
100+23.08 грн
500+16.63 грн
1000+15.01 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMT47M2SFVWQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A (Ta), 49.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.67W (Ta), 27.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 897 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT47M2SFVWQ-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 31V~40V PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
на замовлення 21502 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+62.21 грн
10+50.49 грн
100+34.14 грн
500+28.95 грн
1000+23.56 грн
2000+22.19 грн
4000+21.58 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMT47M2SFVWQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A (Ta), 49.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.67W (Ta), 27.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 897 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4D47KCornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 4700PF 10% 400VDC RAD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4D68K-FCornell Dubilier - CDEFilm Capacitors .0068UF 400V 10%
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4P1KCornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 0.1UF 10% 400VDC RADIAL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4P1K-FKnowles / Illinois CapacitorFilm Capacitors 0.1uF 400V 10%
на замовлення 2894 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+447.66 грн
10+325.06 грн
50+242.38 грн
100+219.85 грн
600+206.88 грн
1000+202.10 грн
2000+191.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4P1K-FKnowles / Cornell Dubilier (CDE)Film Capacitors 0.1uF 400V 10%
на замовлення 2894 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+447.66 грн
10+278.74 грн
100+220.53 грн
600+206.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4P1K-FCornell Dubilier KnowlesDescription: CAP FILM 0.1UF 10% 400VDC RADIAL
Tolerance: ±10%
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: General Purpose
Lead Spacing: 0.732" (18.60mm)
Termination: PC Pins
Dielectric Material: Polyester, Metallized
Voltage Rating - AC: 200V
Voltage Rating - DC: 400V
Height - Seated (Max): 0.763" (19.37mm)
Part Status: Active
Capacitance: 0.1 µF
Size / Dimension: 0.882" L x 0.472" W (22.40mm x 12.00mm)
на замовлення 1447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+533.83 грн
10+381.07 грн
50+319.90 грн
200+263.78 грн
600+241.26 грн
1000+232.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4P1K-FCornell Dubilier - CDEFilm Capacitors 0.1uF 400V 10%
на замовлення 3030 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+552.01 грн
10+403.58 грн
50+294.27 грн
100+258.77 грн
200+258.08 грн
600+236.23 грн
1000+227.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4P22KCornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 0.22UF 10% 400VDC RAD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4P22K-FKnowles / Cornell Dubilier (CDE)Film Capacitors 0.22uF 400V 10%
на замовлення 141 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+629.28 грн
10+463.25 грн
100+380.30 грн
1000+289.49 грн
2500+269.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4P22K-FCornell Dubilier - CDEFilm Capacitors 0.22uF 400V 10%
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+658.75 грн
10+484.45 грн
50+361.86 грн
100+361.18 грн
1000+291.54 грн
2500+281.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4P22K-FKnowles / Illinois CapacitorFilm Capacitors 0.22uF 400V 10%
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+629.28 грн
10+555.90 грн
100+482.71 грн
1000+269.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4P22K-FCornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 0.22UF 10% 400VDC RAD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4S1K-FCornell Dubilier - CDEFilm Capacitors 0.01uF 400V 10%
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4S1K-FCornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 10000PF 10% 400VDC RAD
Tolerance: ±10%
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: General Purpose
Lead Spacing: 0.402" (10.20mm)
Termination: PC Pins
Dielectric Material: Polyester, Metallized
Voltage Rating - AC: 200V
Voltage Rating - DC: 400V
Height - Seated (Max): 0.551" (14.00mm)
Part Status: Active
Capacitance: 10000 pF
Size / Dimension: 0.567" L x 0.331" W (14.40mm x 8.40mm)
на замовлення 27979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+189.72 грн
10+140.53 грн
500+86.09 грн
1000+70.69 грн
5000+65.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DMT5012LFVW-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 41V~60V PowerDI3333-8/SWP T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT5012LFVW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI333
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT5012LFVW-7Diodes IncorporatedGlenair CIRC MGHTY MSE (80/60) - CIRCULAR MIGHTY MOUSE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT5012LFVW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI333
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT5015LFDF-13Diodes IncorporatedMOSFET 50V N-Ch Enh FET 15mOhm 10Vgs 9.1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT5015LFDF-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 50V 9.1A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 820mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 902.7 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT5015LFDF-7Diodes IncorporatedMOSFET 50V N-Ch Enh FET 15mOhm 10Vgs 9.1A
на замовлення 64141 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+47.95 грн
10+40.83 грн
100+26.49 грн
500+20.89 грн
1000+16.11 грн
3000+14.61 грн
9000+12.70 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMT5015LFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 50V 9.1A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 820mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 902.7 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6002LPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT6002LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2000 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.3W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+212.68 грн
50+137.80 грн
100+94.79 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6002LPS-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 400A; 2.3W
Case: PowerDI5060-8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 130.8nC
On-state resistance: 3mΩ
Power dissipation: 2.3W
Drain current: 100A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6002LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type K)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6555 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 839 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+167.45 грн
10+104.00 грн
100+71.25 грн
500+53.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6002LPS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS 41V-60V
на замовлення 1110 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+176.83 грн
10+113.06 грн
100+67.52 грн
500+53.87 грн
1000+50.93 грн
2500+50.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6002LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type K)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6555 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6002LPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT6002LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2000 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.3W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+94.79 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6004LPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT6004LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2500 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 4660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+106.74 грн
10+82.84 грн
100+57.67 грн
500+50.07 грн
1000+43.01 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6004LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 22A PWRDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4515 pF @ 30 V
на замовлення 13602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+139.03 грн
10+85.58 грн
100+58.04 грн
500+43.39 грн
1000+41.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6004LPS-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 16A; Idm: 400A; 2.5W
Case: PowerDI5060-8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 78.3nC
On-state resistance: 4.5mΩ
Power dissipation: 2.5W
Drain current: 16A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6004LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 22A PWRDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4515 pF @ 30 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+38.61 грн
5000+36.06 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6004LPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT6004LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2500 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0025ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 4660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+57.67 грн
500+50.07 грн
1000+43.01 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6004LPS-13Diodes IncorporatedMOSFETs 60V N-Ch Enh FET 20Vgss 33.3nC 2.0W
на замовлення 54216 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+146.57 грн
10+93.44 грн
100+54.55 грн
500+43.42 грн
1000+40.76 грн
2500+38.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6004SCTDIODES INCORPORATEDCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 180A; 113W; TO220AB
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 95.4nC
On-state resistance: 3.1mΩ
Power dissipation: 113W
Drain current: 100A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 180A
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6004SCTDiodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6004SCTDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6004SCTDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.65mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4556 pF @ 30 V
на замовлення 139737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+175.13 грн
50+83.12 грн
100+74.82 грн
500+56.54 грн
1000+52.15 грн
2000+48.45 грн
5000+47.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6004SPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 23A PWRDI5060-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4556 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1636 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+152.08 грн
10+94.31 грн
100+64.25 грн
500+48.23 грн
1000+47.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6004SPS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFETBVDSS: 41V-60V
на замовлення 1482 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+160.90 грн
10+102.07 грн
100+60.49 грн
500+48.34 грн
1000+44.79 грн
2500+44.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6004SPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 23A PWRDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4556 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6004SPS-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 18A; Idm: 400A; 2.6W
Case: PowerDI5060-8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 95.4nC
On-state resistance: 3.1mΩ
Power dissipation: 2.6W
Drain current: 18A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6005LCTDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6005LCTDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 100A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2962 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+87.76 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6005LCTDiodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6005LCTDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6005LFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.98W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3150 pF @ 30 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+26.82 грн
6000+23.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6005LFG-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6005LFG-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14A; Idm: 400A; 1.98W
Case: PowerDI3333-8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 48.7nC
On-state resistance: 7mΩ
Power dissipation: 1.98W
Drain current: 14A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6005LFG-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14A; Idm: 400A; 1.98W
Case: PowerDI3333-8
Kind of package: 7 inch reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 48.7nC
On-state resistance: 7mΩ
Power dissipation: 1.98W
Drain current: 14A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6005LFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.98W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3150 pF @ 30 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+28.11 грн
4000+25.02 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6005LFG-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6005LPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT6005LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 125 A, 3500 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 125A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+74.16 грн
14+61.10 грн
100+47.32 грн
500+38.31 грн
1000+34.14 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6005LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CHA 60V 17.9A POWERDI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.9A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2962 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+107.53 грн
10+65.83 грн
100+44.02 грн
500+32.54 грн
1000+29.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6005LPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT6005LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 125 A, 3500 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 125A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+45.01 грн
500+38.09 грн
1000+33.86 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6005LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CHA 60V 17.9A POWERDI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.9A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2962 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.62 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6005LPS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 8857 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+113.91 грн
10+66.35 грн
100+39.53 грн
500+32.36 грн
1000+29.15 грн
2500+27.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6005LPS-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14.7A; Idm: 500A; 2.6W
Case: PowerDI5060-8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 47.1nC
On-state resistance: 6.5mΩ
Power dissipation: 2.6W
Drain current: 14.7A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 500A
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6005LSS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 796 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+144.97 грн
10+94.22 грн
100+55.58 грн
500+44.31 грн
1000+41.72 грн
2500+39.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6005LSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 13.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2962 pF @ 30 V
на замовлення 4548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.33 грн
10+87.06 грн
100+59.08 грн
500+44.20 грн
1000+42.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6005LSS-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 13.5A; Idm: 80A; 1.7W; SO8
Case: SO8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 47.1nC
On-state resistance: 6mΩ
Power dissipation: 1.7W
Drain current: 13.5A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 80A
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6005LSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 13.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2962 pF @ 30 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+39.37 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6006LK3-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V TO252 T&R 2.5K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6006LK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V~60V TO252 T&R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6006LK3-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 71A; Idm: 350A; 3.1W; TO252
Case: TO252
Kind of package: 13 inch reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 34.9nC
On-state resistance: 10mΩ
Power dissipation: 3.1W
Drain current: 71A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 350A
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6006LSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V~60V SO-8 T&R 2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2162 pF @ 30 V
на замовлення 4863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.10 грн
10+53.92 грн
100+35.74 грн
500+26.20 грн
1000+23.83 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6006LSS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V SO-8 T&R 2.5K
на замовлення 2384 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+93.99 грн
10+58.34 грн
100+28.61 грн
500+23.21 грн
1000+21.30 грн
2500+20.96 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6006LSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V~60V SO-8 T&R 2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2162 pF @ 30 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.84 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6006LSS-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11.7A; Idm: 110A; 2.08W; SO8
Case: SO8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 34.9nC
On-state resistance: 10mΩ
Power dissipation: 2.08W
Drain current: 11.7A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 110A
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6006SPS-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 13A; Idm: 390A; 2.45W
Case: PowerDI5060-8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 27.9nC
On-state resistance: 6.2mΩ
Power dissipation: 2.45W
Drain current: 13A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 390A
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6006SPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V PWRDI5060
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6006SPS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
на замовлення 1276 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+97.98 грн
10+60.54 грн
100+34.96 грн
500+27.58 грн
1000+24.92 грн
2500+21.92 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6007LFGDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6007LFG-13Diodes IncorporatedMOSFETs 60V N-Ch Enh FET 20Vgss 80A 62.5W
на замовлення 3159 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+113.11 грн
10+70.19 грн
100+40.76 грн
500+31.41 грн
1000+28.74 грн
3000+26.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6007LFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 15A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2090 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6007LFG-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 15A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6007LFG-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; Idm: 80A; 2.2W
Case: PowerDI3333-8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 41.3nC
On-state resistance: 8.5mΩ
Power dissipation: 2.2W
Drain current: 12A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 80A
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6007LFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 15A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2090 pF @ 30 V
на замовлення 1387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+104.46 грн
10+63.54 грн
100+42.46 грн
500+31.34 грн
1000+28.60 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6007LFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 15A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6007LFG-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT6007LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0045 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.2W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0045ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+58.47 грн
500+46.01 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6007LFG-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 70A; 2.2W; PowerDI®3333-8
Case: PowerDI®3333-8
Kind of package: 7 inch reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 8.5mΩ
Power dissipation: 2.2W
Drain current: 70A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1679 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+64.61 грн
8+52.10 грн
10+48.49 грн
50+41.26 грн
100+40.60 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.