Продукція > DMT

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
DMT-09-1-4B-NLRDI ElectronicsDMT-09-1-4B-NL
на замовлення 3998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+34.05 грн
86+8.29 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
DMT-09-1-4B-NLRDI ElectronicsDMT-09-1-4B-NL
на замовлення 3998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1608+7.74 грн
Мінімальне замовлення: 1608
В кошику  од. на суму  грн.
DMT-1-02Adam TechnologiesCONNECTOR, WIRE HOUSING, 3.00MM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT-1-02-GWAdam TechnologiesCONNECTOR, WIRE HOUSING, 3.00MM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT-1-02-SGAdam Technologies3MM LATCHING HSG FEMALE 1*2P BK RoHS 1Kpcs,bag
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT-1-03Adam TechnologiesCONNECTOR, WIRE HOUSING, 3.00MM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT-1-04Adam TechnologiesCONNECTOR, WIRE HOUSING, 3.00MM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT-1-06Adam TechnologiesCONNECTOR, WIRE HOUSING, 3.00MM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT-1-08Adam TechnologiesCONNECTOR, WIRE HOUSING, 3.00MM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT-1206S-NLRDI ElectronicsAudio Alert
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT-1606S-NLRDI ElectronicsAudio 4V 7V 30mA 6V 85dB Through Hole Pin
на замовлення 1942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
155+80.59 грн
Мінімальне замовлення: 155
В кошику  од. на суму  грн.
DMT-1606S-NLRDI ElectronicsAudio 4V 7V 30mA 6V 85dB Through Hole Pin
на замовлення 1942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+86.35 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMT-1612S-NLRDI ElectronicsAUDIO ALERT W/OSCILLATING CIRCUIT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT-1A-02Adam TechDescription: CONN RECEPT 2POS SINGLE 3.0MM
на замовлення 4994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT-1A-03Adam TechDescription: CONN RECEPT 3POS SINGLE 3.0MM
на замовлення 4989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT-1A-04Adam TechDescription: CONN RECEPT 4POS SINGLE 3.0MM
на замовлення 4999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT-1A-05Adam TechDescription: CONN RCPT HSG 5POS 3.00MM
Packaging: Bag
Features: Glow Wire Compliant
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: Black
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 5
Pitch: 0.118" (3.00mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Part Status: Active
Number of Rows: 1
Insulation Material: Polyamide (PA), Nylon
на замовлення 4930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+8.40 грн
47+6.95 грн
50+6.57 грн
52+5.87 грн
100+5.59 грн
250+5.24 грн
500+4.90 грн
1000+4.67 грн
3000+4.32 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
DMT-1A-05Adam TechnologiesHousing F 5 POS 3mm Pitch Crimp Straight Cable Mount
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT-2-10-R-P-PCBAdam TechnologiesDMT-2-10-R-P-PCB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT-2A-04Adam TechnologiesConnector Crimp Housing RCP 4Pos Dual 3.0mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT-2A-04Adam TechDescription: CONN RCPT HSG 4POS 3.00MM
Packaging: Bag
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: Black
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 4
Pitch: 0.118" (3.00mm)
Operating Temperature: -25°C ~ 120°C
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.118" (3.00mm)
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2
на замовлення 6421 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+22.67 грн
20+16.34 грн
25+14.59 грн
50+12.64 грн
100+11.66 грн
250+10.50 грн
500+9.55 грн
1000+8.85 грн
3000+7.86 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
DMT-2A-06Adam TechDescription: CONN RCPT HSG 6POS 3.00MM
Packaging: Bag
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: Black
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 6
Pitch: 0.118" (3.00mm)
Operating Temperature: -25°C ~ 120°C
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.118" (3.00mm)
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2
на замовлення 14051 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+17.64 грн
25+12.94 грн
28+11.64 грн
50+10.08 грн
100+9.30 грн
250+8.38 грн
500+7.62 грн
1000+7.06 грн
2500+6.65 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
DMT-2A-08Adam TechDescription: CONN RCPT HSG 8POS 3.00MM
Packaging: Bag
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: Black
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 8
Pitch: 0.118" (3.00mm)
Operating Temperature: -25°C ~ 120°C
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.118" (3.00mm)
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2
на замовлення 4451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+41.15 грн
11+30.41 грн
25+27.33 грн
50+23.68 грн
100+21.86 грн
250+19.71 грн
500+17.95 грн
1000+16.65 грн
3000+14.83 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMT-2A-10Adam TechDescription: CONN RECEPT 10POS DUAL 3.0MM
на замовлення 4987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT-2A-10Adam TechnologiesConnector Crimp Housing RCP 10Pos Dual 3.0mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT-2A-12Adam TechnologiesConnector Crimp Housing RCP 12Pos Dual 3.0mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT-2A-12Adam TechDescription: CONN RECEPT 12POS DUAL 3.0MM
на замовлення 4976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT-2A-14Adam TechDescription: CONN RECEPT 14POS DUAL 3.0MM
на замовлення 4999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT-2A-14Adam TechnologiesConnector Crimp Housing RCP 14Pos Dual 3.0mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT-2A-16Adam TechnologiesConnector Crimp Housing RCP 16Pos Dual 3.0mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT-2A-16Adam TechDescription: CONN RECEPT 16POS DUAL 3.0MM
на замовлення 4999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT-2A-24Adam TechDescription: CONN RCPT HSG 24POS 3.00MM
Packaging: Bag
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: Black
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 24
Pitch: 0.118" (3.00mm)
Operating Temperature: -25°C ~ 120°C
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.118" (3.00mm)
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2
на замовлення 2933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.83 грн
10+36.63 грн
25+33.48 грн
50+29.57 грн
100+28.32 грн
250+25.86 грн
500+24.23 грн
1000+21.33 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMT-4CCMONACORDescription: MONACOR - DMT-4CC - Messzubehör, Koffer, Schwarz, Digital- und Analogmultimeter
tariffCode: 42021299
productTraceability: No
rohsCompliant: NA
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+671.45 грн
5+627.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DMT-6-12Signal TransformerDescription: XFRMR LAMINATED 6VA CHAS MOUNT
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT-6-12Bel Signal TransformerPower Transformers 5060 Hz, Laminated Transformer
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1667.43 грн
10+1450.77 грн
25+1211.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMT-6-15Bel Signal TransformerPower Transformers 5060 Hz, Laminated Transformer
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1671.05 грн
10+1452.55 грн
25+1211.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMT-6-15Signal TransformerDescription: PWR XFMR LAMINATED 6VA CHAS MT
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1613.22 грн
10+1370.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMT-7-12Signal TransformerDescription: PWR XFMR LAMINATED 7VA CHAS MT
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 93.70mm L x 49.20mm W
Mounting Type: Chassis Mount
Type: Laminated Core
Weight: 1.7 lbs (771.1 g)
Termination Style: Solder, Quick Connect
Primary Winding(s): Dual
Secondary Winding(s): Dual
Power - Max: 7VA
Voltage - Isolation: 2500Vrms
Current - Output (Max): 2.8A, 350mA
Voltage - Primary: 115V, 230V
Height - Seated (Max): 57.80mm
Voltage - Secondary (Full Load): 5V, 12V
Center Tap: Yes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT-7-12Bel Signal TransformerPower Transformers 5060 Hz, Laminated Transformer
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT-7-15Bel Signal TransformerPower Transformers 5060 Hz, Laminated Transformer
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2267.01 грн
10+2091.78 грн
20+1585.26 грн
60+1466.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMT-7-15Signal TransformerDescription: PWR XFMR LAMINATED 7VA CHAS MT
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 93.70mm L x 49.20mm W
Mounting Type: Chassis Mount
Type: Laminated Core
Weight: 1.7 lbs (771.1 g)
Termination Style: Solder, Quick Connect
Primary Winding(s): Dual
Secondary Winding(s): Dual
Power - Max: 7VA
Voltage - Isolation: 2500Vrms
Current - Output (Max): 2.8A, 280mA
Voltage - Primary: 115V, 230V
Height - Seated (Max): 57.80mm
Voltage - Secondary (Full Load): 5V, 15V
Center Tap: Yes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT-8-12Signal TransformerDescription: PWR XFMR LAMINATED 8VA CHAS MT
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 102.40mm L x 58.50mm W
Mounting Type: Chassis Mount
Type: Laminated Core
Weight: 2.8 lbs (1.3 kg)
Termination Style: Solder, Quick Connect
Primary Winding(s): Dual
Secondary Winding(s): Dual
Power - Max: 8VA
Voltage - Isolation: 2500Vrms
Current - Output (Max): 4A, 600mA
Voltage - Primary: 115V, 230V
Height - Seated (Max): 67.70mm
Voltage - Secondary (Full Load): 5V, 12V
Center Tap: Yes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT-8-12Bel Signal TransformerPower Transformers 5060 Hz, Laminated Transformer
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT-8-15Bel Signal TransformerPower Transformers 5060 Hz, Laminated Transformer
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3683.55 грн
10+3265.78 грн
25+2457.08 грн
50+2339.86 грн
100+2328.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMT-8-15Signal TransformerDescription: PWR XFMR LAMINATED 8VA CHAS MT
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 102.40mm L x 58.50mm W
Mounting Type: Chassis Mount
Type: Laminated Core
Weight: 2.8 lbs (1.3 kg)
Termination Style: Solder, Quick Connect
Primary Winding(s): Dual
Secondary Winding(s): Dual
Power - Max: 8VA
Voltage - Isolation: 2500Vrms
Current - Output (Max): 4A, 500mA
Voltage - Primary: 115V, 230V
Height - Seated (Max): 67.70mm
Voltage - Secondary (Full Load): 5V, 15V
Center Tap: Yes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT-A-C-F-T-RAdam TechnologiesConn Contact Stamped Crimp Contact 20-30 AWG
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT-A5-C-F-T-RAdam TechnologiesConn Contact Stamped Crimp Contact 20-30 AWG
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT-B-C-F-T-RAdam TechHeaders & Wire Housings CRIMP CONTACT 20-24AWG
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
44+8.42 грн
60+5.98 грн
71+4.43 грн
84+3.73 грн
86+3.65 грн
100+3.11 грн
500+2.95 грн
Мінімальне замовлення: 44
В кошику  од. на суму  грн.
DMT-B-C-F-T-RAdam TechDescription: CRIMP CONTACT 20-24AWG
Packaging: Cut Tape (CT)
Contact Finish: Tin
Contact Termination: Crimp
Wire Gauge: 20-24 AWG
Type: Stamped
Pin or Socket: Socket
на замовлення 31705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+9.24 грн
48+6.79 грн
54+6.05 грн
58+5.25 грн
100+4.84 грн
250+4.35 грн
500+3.95 грн
1000+3.65 грн
2500+3.29 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
DMT-B-C-F-T-RAdam TechnologiesConn Contact Stamped Crimp Contact 20-30 AWG
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT-B-C-F-T-RAdam TechDescription: CRIMP CONTACT 20-24AWG
Packaging: Tape & Reel (TR)
Contact Finish: Tin
Contact Termination: Crimp
Wire Gauge: 20-24 AWG
Type: Stamped
Pin or Socket: Socket
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.13 грн
20000+1.91 грн
30000+1.83 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT-B5-C-F-T-RAdam TechDescription: CONTACT TIN 20-24 AWG
на замовлення 4859 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+8.40 грн
80+4.04 грн
99+3.30 грн
106+2.88 грн
110+2.78 грн
250+2.40 грн
500+2.26 грн
1000+1.98 грн
2500+1.79 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
DMT-B5-C-F-T-RAdam TechDescription: CONTACT TIN 20-24 AWG
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT-B5-C-F-T-RAdam TechnologiesConn Contact Stamped Crimp Contact 20-30 AWG
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT-D-1-02Adam TechDescription: CONN RECEPT 2POS SINGLE 3.0MM
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT-D-1-03Adam TechDescription: CONN RECEPT 3POS SINGLE 3.0MM
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT-D-1-04Adam TechDescription: CONN RECEPT 4POS SINGLE 3.0MM
на замовлення 3990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT-D-1-05Adam TechDescription: CONN RECEPT 5POS SINGLE 3.0MM
на замовлення 4764 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT-D-2-22-HFAdam Technologies3MM LATCHING HSG 2*11P BK HF RoHS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT1-16-6.7LCoilcraftPower Inductors - Leaded 16uH Unshld 6.7A 20mOhms
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1094.11 грн
270+757.97 грн
510+459.59 грн
1020+427.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMT1-180-1.5LCoilcraftFixed Inductors DMT1 Power Chokes Toroidal Output
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT1-26-5.1LCoilcraftFixed Inductors DMT1 Power Chokes Toroidal Output
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT1-43-3.8LCoilcraftPower Inductors - Leaded 43uH Unshld 3.8A 70mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT1-7-10LCoilcraftPower Inductors - Leaded 7uH Shld 10A 10mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT1-84-2.4LCoilcraftPower Inductors - Leaded 84uH Unshld 2.4A 140mOhms
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+817.86 грн
270+566.02 грн
510+343.91 грн
1020+319.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H003SPSW-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H003SPSW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 152A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type Q)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5542 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H003SPSW-13Diodes Zetex100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+75.26 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H003SPSW-13Diodes IncMOSFET BVDSS: 61V100V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009LCG-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 12.4A 8-Pin VDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009LCG-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H009LCG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 47 A, 0.0072 ohm, VDFN3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: VDFN3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+108.86 грн
11+83.95 грн
100+60.70 грн
500+47.87 грн
1000+42.47 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009LCG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 12.4A/47A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Ta), 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN3333-8 (Type B)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2309 pF @ 50 V
на замовлення 921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+128.49 грн
10+78.68 грн
100+52.81 грн
500+39.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009LCG-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 100V 12.4A 8-Pin VDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009LCG-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V
на замовлення 1882 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+123.18 грн
10+84.72 грн
100+54.19 грн
500+44.10 грн
1000+39.28 грн
2000+36.02 грн
4000+34.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009LCG-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 12.4A 8-Pin VDFN EP T/R
на замовлення 34000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+36.86 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009LCG-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H009LCG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 47 A, 0.0072 ohm, VDFN3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: VDFN3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+60.70 грн
500+47.87 грн
1000+42.47 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009LCG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 12.4A/47A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Ta), 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN3333-8 (Type B)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2309 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009LFG-13Diodes Zetex100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+36.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009LFG-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI3333-8 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009LFG-13Diodes Zetex100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009LFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 13A/50A PWRDI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2361 pF @ 50 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+43.91 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009LFG-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 100V 13A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009LFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 13A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+36.86 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009LFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 13A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009LFG-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI3333-8 T&R 2K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009LH3Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS 61V-100V
на замовлення 128 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+98.72 грн
10+67.67 грн
25+57.68 грн
75+49.06 грн
300+42.47 грн
525+41.69 грн
1050+40.21 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009LH3Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 84A TO251
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2309 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009LH3Diodes IncTrans MOSFET N-CH 100V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009LH3Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009LK3Diodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009LK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1942500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+36.19 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009LK3-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H009LK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 0.0067 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 8935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+107.12 грн
50+92.31 грн
100+77.42 грн
500+51.84 грн
1000+38.89 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009LK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V TO252 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2309 pF @ 50 V
на замовлення 1935000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+37.52 грн
5000+33.70 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009LK3-13Diodes IncN-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009LK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009LK3-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H009LK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 0.0067 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 8935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+77.42 грн
500+51.84 грн
1000+38.89 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009LK3-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V TO252 T&R 2.5K
на замовлення 10220 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+108.69 грн
10+74.55 грн
100+49.76 грн
500+39.98 грн
1000+36.33 грн
2500+30.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009LK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V TO252 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2309 pF @ 50 V
на замовлення 1935612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+136.04 грн
10+83.13 грн
100+55.73 грн
500+41.28 грн
1000+37.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009LPSDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2309 pF @ 50 V
на замовлення 3773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+103.29 грн
10+62.75 грн
100+42.83 грн
500+31.49 грн
1000+28.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2309 pF @ 50 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.73 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009LPS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009LPS-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009LPS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V
на замовлення 3183 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+84.23 грн
10+61.60 грн
100+38.20 грн
500+30.67 грн
1000+28.26 грн
2500+25.85 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009LSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 13A 8-Pin SO T/R
на замовлення 142500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+34.10 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009LSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 13A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009LSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 13A/48A 8SO T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2309 pF @ 50 V
на замовлення 137316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+107.49 грн
10+69.30 грн
100+49.29 грн
500+36.45 грн
1000+33.29 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009LSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 13A 8-Pin SO T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+36.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009LSS-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 100V 13A 8-Pin SO T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+37.59 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009LSS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009LSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 13A 8-Pin SO T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+38.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009LSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 13A/48A 8SO T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2309 pF @ 50 V
на замовлення 135000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+33.16 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009LSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 13A 8-Pin SO T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
222+47.78 грн
1000+44.04 грн
2500+39.96 грн
Мінімальне замовлення: 222
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009LSSQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V SO-8 T&R 2.5K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009LSSQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V SO-8 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2309 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+34.73 грн
5000+31.77 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009SCG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V V-DFN3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN3333-8 (Type B)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2085 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009SCG-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V V-DFN3333-8 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009SCG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V V-DFN3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN3333-8 (Type B)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2085 pF @ 50 V
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+27.74 грн
4000+25.40 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009SCG-7Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+28.49 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009SCG-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V V-DFN3333-8 T&R 2K
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+77.53 грн
10+62.32 грн
100+42.15 грн
500+35.71 грн
1000+30.67 грн
2000+26.08 грн
4000+25.85 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009SK3-13Diodes IncMOSFET BVDSS: 61V100V TO252 T&R 2.5K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009SK3-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H009SK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 91 A, 0.0069 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 91A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0069ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+150.66 грн
10+102.76 грн
100+87.96 грн
500+76.42 грн
1000+63.97 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009SK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V TO252 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 91A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2028 pF @ 50 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+36.09 грн
5000+33.10 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009SK3-13Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+36.19 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009SK3-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H009SK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 91 A, 0.0069 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 91A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0069ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+87.96 грн
500+76.42 грн
1000+63.97 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009SK3-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V TO252 T&R 2.5K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009SPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H009SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 6700 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6700µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+51.03 грн
500+37.52 грн
1000+31.58 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009SPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2085 pF @ 50 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.74 грн
5000+24.76 грн
7500+24.00 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009SPS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009SPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H009SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 6700 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6700µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+116.70 грн
12+74.29 грн
100+51.03 грн
500+37.52 грн
1000+31.58 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009SPS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS 61V-100V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+111.40 грн
10+71.33 грн
25+61.95 грн
100+44.17 грн
500+35.71 грн
1000+30.98 грн
2500+27.17 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009SPS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.49 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009SPS-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 100V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+30.52 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009SPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2085 pF @ 50 V
на замовлення 9339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+106.65 грн
10+64.86 грн
100+43.14 грн
500+31.72 грн
1000+28.90 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009SPS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 282500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.49 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009SPS-13 транзистор
Код товару: 197183
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009SSS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009SSS-13Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009SSS-13Diodes IncN-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009SSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V-100V SO-8 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2085 pF @ 50 V
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+35.17 грн
5000+32.26 грн
12500+30.77 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009SSS-13Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+34.10 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LCTDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 98A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V
на замовлення 9323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+175.51 грн
50+79.91 грн
100+72.51 грн
500+59.69 грн
1000+54.92 грн
2000+54.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LCTDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 98A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
220+56.58 грн
Мінімальне замовлення: 220
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LCTDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 98A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
120+47.13 грн
Мінімальне замовлення: 120
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LCTDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 98A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LCTDiodes IncorporatedMOSFETs 100V N-Ch Enh FET 9.5mOHm 10V 98A
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+145.82 грн
10+84.72 грн
100+66.53 грн
500+56.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LCTDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 98A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 12400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
220+56.58 грн
Мінімальне замовлення: 220
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LCTDiodes IncTrans MOSFET N-CH 100V 98A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LCTDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 98A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LK3Diodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 68.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+42.75 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 68.8A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2592 pF @ 50 V
на замовлення 17811 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+62.14 грн
10+45.29 грн
100+41.53 грн
500+38.95 грн
1000+36.60 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 68.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+73.81 грн
11+64.81 грн
25+64.16 грн
100+53.38 грн
250+37.38 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LK3-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 100V 68.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 68.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
206+60.49 грн
208+59.88 грн
241+51.67 грн
Мінімальне замовлення: 206
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 68.8A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2592 pF @ 50 V
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+37.06 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 68.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+45.77 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LK3-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS 61V-100V
на замовлення 26734 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+66.21 грн
10+49.10 грн
100+39.20 грн
500+38.66 грн
1000+37.57 грн
2500+32.30 грн
5000+31.91 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 68.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LPS-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 100V 9.4A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LPS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+47.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H010LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 98 A, 6900 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6900µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+88.83 грн
14+63.23 грн
100+62.18 грн
500+56.69 грн
1000+51.43 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LPS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 4167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
182+68.51 грн
184+67.82 грн
220+56.56 грн
250+54.00 грн
500+44.50 грн
1000+42.41 грн
3000+42.11 грн
Мінімальне замовлення: 182
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 9.4A PWRDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V
на замовлення 5021 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+79.78 грн
10+54.18 грн
100+49.29 грн
500+45.99 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LPS-13Diodes IncorporatedMOSFETs 100V N-Ch Enh FET Low Rdson
на замовлення 11207 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+96.91 грн
10+76.69 грн
25+66.61 грн
100+55.12 грн
250+55.04 грн
500+50.23 грн
1000+47.90 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LPS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 4167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+83.37 грн
10+73.40 грн
25+72.66 грн
100+58.44 грн
250+53.57 грн
500+45.78 грн
1000+45.44 грн
3000+45.11 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H010LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 98 A, 6900 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6900µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+62.18 грн
500+56.69 грн
1000+51.43 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 9.4A PWRDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+46.57 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LPS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LSSDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 11.5A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LSS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H010LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 29.5 A, 0.008 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+130.63 грн
10+99.28 грн
100+72.63 грн
500+57.17 грн
1000+50.61 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 11.5A 8-Pin SO T/R
на замовлення 245000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+44.07 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 11.5A/29.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta), 29.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V
на замовлення 2599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+120.09 грн
10+87.50 грн
100+65.94 грн
500+50.49 грн
1000+43.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LSS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS
на замовлення 4432 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+136.76 грн
10+99.99 грн
100+62.73 грн
500+51.00 грн
1000+46.89 грн
2500+42.15 грн
5000+40.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LSS-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 100V 11.5A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 11.5A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LSS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H010LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 29.5 A, 0.008 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+72.63 грн
500+57.17 грн
1000+50.61 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 11.5A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 11.5A/29.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta), 29.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+44.48 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LSSQ-13Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LSSQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V SO-8 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4166 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+50.36 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LSSQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V SO-8 T&R 2.5K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010SPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H010SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 113 A, 6600 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 113A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+123.67 грн
11+86.83 грн
100+63.31 грн
500+46.42 грн
1000+39.19 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010SPS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010SPS-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 100V 10.7A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010SPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta), 113A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4468 pF @ 50 V
на замовлення 6674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+129.33 грн
10+78.93 грн
100+52.96 грн
500+39.26 грн
1000+35.90 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010SPS-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 8.6A; Idm: 250A; 1.2W
Case: PowerDI5060-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 250A
Drain current: 8.6A
Gate charge: 56.4nC
On-state resistance: 11.5mΩ
Power dissipation: 1.2W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 13 inch reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010SPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H010SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 113 A, 6600 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 113A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+63.31 грн
500+46.42 грн
1000+39.19 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010SPS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+37.00 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010SPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta), 113A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4468 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+34.64 грн
5000+31.17 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010SPS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V
на замовлення 1924 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+118.65 грн
10+81.96 грн
100+53.02 грн
500+41.84 грн
1000+38.27 грн
2500+33.30 грн
5000+32.37 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H014LSSDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H014LSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 8.9A 8-Pin SO T/R
на замовлення 107500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+37.00 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H014LSS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V
на замовлення 2585 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+119.55 грн
10+82.49 грн
100+54.58 грн
500+44.17 грн
1000+38.58 грн
2500+34.39 грн
5000+34.24 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H014LSS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H014LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 8.9 A, 0.0115 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+59.74 грн
500+47.31 грн
1000+43.59 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H014LSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 8.9A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H014LSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 8.9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 111690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+104.13 грн
10+70.19 грн
100+52.56 грн
500+38.97 грн
1000+35.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H014LSS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H014LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 8.9 A, 0.0115 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+107.12 грн
11+82.65 грн
100+59.74 грн
500+47.31 грн
1000+43.59 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H014LSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 8.9A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H014LSS-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 100V 8.9A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H014LSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 8.9A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 107500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+34.38 грн
5000+30.94 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LCG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 9.4A/34A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LCG-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 9.4A 8-Pin VDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LCG-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 100V 9.4A 8-Pin VDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LCG-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 9.4A 8-Pin VDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LCG-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LCG-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 100V 9.4A 8-Pin VDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LCG-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V
на замовлення 47086 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+96.91 грн
10+64.46 грн
100+36.95 грн
500+31.05 грн
1000+28.96 грн
2000+24.61 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LCG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 9.4A/34A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V
на замовлення 3026 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.70 грн
10+59.44 грн
100+39.11 грн
500+32.23 грн
1000+29.43 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LCG-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 9.4A 8-Pin VDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LCG-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H015LCG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 34 A, 0.0121 ohm, VDFN3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: VDFN3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0121ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+87.09 грн
13+68.28 грн
100+48.86 грн
500+38.41 грн
1000+34.41 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LCG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 9.4A/34A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+27.23 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LCG-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 9.4A 8-Pin VDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LCG-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H015LCG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 34 A, 0.0121 ohm, VDFN3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: VDFN3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0121ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+48.86 грн
500+38.41 грн
1000+34.41 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V
на замовлення 14946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+126.81 грн
10+76.91 грн
100+51.39 грн
500+37.95 грн
1000+34.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LFG-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+32.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LFG-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LFG-13Diodes IncorporatedMOSFETs 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 33.3nC 2.0W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+33.69 грн
6000+30.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LFG-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V
на замовлення 108000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+30.44 грн
4000+27.63 грн
6000+27.14 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
172+72.54 грн
174+71.82 грн
204+61.14 грн
250+58.36 грн
500+46.64 грн
1000+33.38 грн
Мінімальне замовлення: 172
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LFG-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LFG-7Diodes IncorporatedMOSFETs 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 33.3nC 2.0W
на замовлення 6993 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+42.84 грн
10+41.42 грн
100+32.45 грн
500+31.75 грн
1000+30.43 грн
2000+27.87 грн
4000+27.33 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+32.65 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V
на замовлення 108296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+40.31 грн
10+38.01 грн
100+34.17 грн
500+31.93 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 1271 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+60.15 грн
14+52.76 грн
25+52.47 грн
100+42.37 грн
250+38.84 грн
500+33.00 грн
1000+32.19 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 1271 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
355+35.05 грн
Мінімальне замовлення: 355
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LK3-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V
на замовлення 4287 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+86.50 грн
10+69.55 грн
100+42.31 грн
500+35.63 грн
1000+34.39 грн
2500+29.66 грн
5000+29.19 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 52.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LK3-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H015LK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 52.7 A, 0.0107 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 52.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0107ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+52.95 грн
500+38.09 грн
1000+33.89 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CHANNEL 100V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+34.30 грн
5000+32.50 грн
7500+32.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LK3-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H015LK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 52.7 A, 0.0107 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 52.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0107ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+92.31 грн
12+75.68 грн
100+52.95 грн
500+38.09 грн
1000+33.89 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 52.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LK3-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 100V 52.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CHANNEL 100V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.02 грн
10+69.87 грн
100+48.84 грн
500+38.58 грн
1000+35.31 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LPSDiodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 7.3A PWRDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V
на замовлення 108220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+97.41 грн
10+66.23 грн
100+46.72 грн
500+36.91 грн
1000+34.78 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LPS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PowerDI 5060 T/R
на замовлення 65000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.98 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LPS-13Diodes IncorporatedMOSFETs 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 33.3nC 2.0W
на замовлення 1930 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+106.87 грн
10+73.65 грн
100+47.90 грн
500+40.29 грн
1000+34.39 грн
2500+31.05 грн
5000+30.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LPS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 7.3A 8-Pin PowerDI 5060 T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
153+81.37 грн
155+80.57 грн
200+62.30 грн
250+59.47 грн
500+45.22 грн
1000+34.07 грн
Мінімальне замовлення: 153
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H015LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 44 A, 0.011 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+56.52 грн
500+42.37 грн
1000+36.35 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LPS-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 100V 7.3A 8-Pin PowerDI 5060 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 7.3A PWRDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V
на замовлення 107500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.67 грн
5000+31.01 грн
7500+30.67 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LPS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PowerDI 5060 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H015LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 44 A, 0.011 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+120.18 грн
11+79.60 грн
100+56.52 грн
500+42.37 грн
1000+36.35 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LPS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PowerDI 5060 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LSS-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 8.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V
на замовлення 58894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+125.13 грн
10+75.93 грн
100+49.72 грн
500+37.51 грн
1000+34.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SO T/R
на замовлення 1895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+39.97 грн
25+39.34 грн
100+37.34 грн
250+34.01 грн
500+32.12 грн
1000+31.58 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SO T/R
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+33.52 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LSS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H015LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 8.3 A, 0.012 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+76.20 грн
15+62.01 грн
100+46.59 грн
500+42.46 грн
1000+38.37 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 8.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V
на замовлення 57500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+34.01 грн
5000+30.42 грн
7500+30.15 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SO T/R
на замовлення 1895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
362+34.38 грн
Мінімальне замовлення: 362
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LSS-13Diodes IncorporatedMOSFETs 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 33.3nC 2.0W
на замовлення 2305 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+94.19 грн
10+65.08 грн
25+56.44 грн
100+43.63 грн
250+43.47 грн
500+37.96 грн
1000+33.85 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LSS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H015LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 8.3 A, 0.012 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+46.59 грн
500+42.46 грн
1000+38.37 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015SK3-13Diodes Zetex100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
на замовлення 125000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+30.51 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015SK3-13Diodes Zetex100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
на замовлення 112500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+30.51 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015SK3-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS 61V-100V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+82.51 грн
10+66.69 грн
100+45.10 грн
500+38.27 грн
1000+31.21 грн
2500+29.27 грн
5000+27.64 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015SK3-13Diodes Inc100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015SK3-13Diodes Zetex100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015SK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 54A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2343 pF @ 50 V
на замовлення 112500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.75 грн
5000+27.21 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015SK3-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 43A; Idm: 215A; 2.9W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 43A
Pulsed drain current: 215A
Power dissipation: 2.9W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30.1nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+65.32 грн
10+40.43 грн
25+35.02 грн
100+32.02 грн
500+30.41 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015SPS-13Diodes Zetex100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET PowerDI5060-8
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.92 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015SPS-13Diodes Inc100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET PowerDI5060-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015SPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.63 грн
5000+24.90 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015SPS-13Diodes Zetex100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET PowerDI5060-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015SPS-13Diodes Zetex100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET PowerDI5060-8
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.92 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015SPS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H017LPD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 100V 54.7A PWRDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.2W (Ta), 78W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54.7A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1986pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.4mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H017LPD-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H017LPD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 54.7 A, 54.7 A, 0.0137 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 54.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 54.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0137ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 78W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0137ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 78W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+150.66 грн
10+114.96 грн
100+84.56 грн
500+66.55 грн
1000+58.22 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H017LPD-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
на замовлення 1527 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+148.54 грн
10+111.60 грн
100+68.16 грн
500+54.89 грн
1000+52.09 грн
2500+45.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H017LPD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 100V 54.7A PWRDI50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.2W (Ta), 78W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54.7A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1986pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.4mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+173.83 грн
10+108.12 грн
100+73.51 грн
500+55.08 грн
1000+50.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H017LPD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 54.7A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H017LPD-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H017LPD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 54.7 A, 54.7 A, 0.0137 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 54.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 54.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0137ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 78W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0137ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 78W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+84.56 грн
500+66.55 грн
1000+58.22 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H017LPD-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 100V 54.7A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H025LK3-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V
на замовлення 2222 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+74.99 грн
10+50.44 грн
100+30.28 грн
500+24.14 грн
1000+22.13 грн
2500+21.19 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H025LK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 47.2A TO252 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1477 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.98 грн
5000+20.76 грн
7500+20.41 грн
12500+18.59 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H025LK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 47.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H025LK3-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H025LK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 47.2 A, 0.0171 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 47.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0171ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+80.21 грн
15+59.57 грн
100+40.50 грн
500+27.33 грн
1000+22.84 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H025LK3-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 100V 47.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H025LK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 47.2A TO252 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1477 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 27345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.54 грн
10+55.56 грн
100+36.86 грн
500+26.86 грн
1000+24.37 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H025LK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 47.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H025LK3-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H025LK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 47.2 A, 0.0171 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 47.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0171ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+40.50 грн
500+27.33 грн
1000+22.84 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H025LSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V SO-8 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 12.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1639 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H025LSS-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V SO-8 T&R 2.5K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H025LSS-13Diodes IncMOSFET BVDSS: 61V100V SO-8 T&R 2.5K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H025SK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 41.2A TO252 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1544 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.74 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H025SK3-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H025SK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 41.2 A, 0.0178 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 41.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0178ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+29.17 грн
500+22.64 грн
1000+19.63 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H025SK3-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V TO252 T&R 2.5K
на замовлення 4725 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+50.81 грн
10+43.03 грн
100+25.70 грн
500+22.05 грн
1000+18.94 грн
2500+15.91 грн
10000+15.68 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H025SK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 41.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H025SK3-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H025SK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 41.2 A, 0.0178 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 41.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0178ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+55.91 грн
19+46.85 грн
100+29.17 грн
500+22.64 грн
1000+19.63 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H025SK3-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 100V 41.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H025SK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 41.2A TO252 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1544 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.54 грн
10+43.26 грн
100+30.79 грн
500+22.28 грн
1000+20.15 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H025SSSDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H025SSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 7.4A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H025SSS-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 100V 7.4A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H025SSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 7.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1544 pF @ 50 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+16.67 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H025SSS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H025SSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.4 A, 0.017 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.9W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+29.17 грн
500+25.88 грн
1000+22.77 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H025SSS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V
на замовлення 7193 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+51.63 грн
10+43.03 грн
100+25.70 грн
500+20.34 грн
1000+18.55 грн
2500+15.68 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H025SSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 7.4A 8-Pin SO T/R
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+16.87 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H025SSS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H025SSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.4 A, 0.017 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.9W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+55.91 грн
19+46.85 грн
100+29.17 грн
500+25.88 грн
1000+22.77 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H025SSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 7.4A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1544 pF @ 50 V
на замовлення 4772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+47.03 грн
10+38.57 грн
100+26.48 грн
500+20.73 грн
1000+18.77 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H032LDV-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 100V 18A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 683pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXC)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H032LDV-13Diodes IncN-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H032LDV-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI3333-8 T&R 2K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H032LDV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 100V 18A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 683pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXC)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H032LDVW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 100V 6.9A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 683pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) (Type UXD)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H032LDVW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 100V 6.9A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 683pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) (Type UXD)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H032LFDF-13Diodes IncMOSFET BVDSS: 61V100V U-DFN2020-6 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H032LFDF-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 683 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H032LFDF-7Diodes Zetex100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H032LFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 683 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H032LFDF-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H032LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6 A, 0.024 ohm, UDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: UDFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+48.60 грн
500+43.67 грн
1000+20.98 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H032LFDF-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5A; Idm: 40A; 1.1W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 1.1W
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 46mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.9nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H032LFDF-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V U-DFN2020-6 T&R 3K
на замовлення 4260 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+74.99 грн
10+53.48 грн
100+37.26 грн
500+34.62 грн
1000+30.74 грн
3000+19.10 грн
6000+18.86 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H032LFDF-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H032LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6 A, 0.024 ohm, UDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: UDFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+83.26 грн
17+53.99 грн
100+48.60 грн
500+43.67 грн
1000+20.98 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H032LFDF-7Diodes IncMOSFET BVDSS: 61V100V U-DFN2020-6 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H032LFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 683 pF @ 50 V
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.50 грн
10+51.19 грн
100+33.70 грн
500+24.50 грн
1000+22.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H032LFVW-13Diodes IncN-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H032LFVW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 683 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H032LFVW-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H032LFVW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.022 ohm, PowerDI3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: PowerDI3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+63.31 грн
16+54.87 грн
100+44.94 грн
500+39.22 грн
1000+30.31 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H032LFVW-7Diodes IncMOSFET BVDSS: 61V100V PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H032LFVW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 683 pF @ 50 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+26.40 грн
4000+23.97 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H032LFVW-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H032LFVW-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H032LFVW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.022 ohm, PowerDI3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: PowerDI3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+44.94 грн
500+39.22 грн
1000+30.31 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H032LFVW-7Diodes ZetexDMT10H032LFVW-7
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+26.89 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H032LK3-13Diodes Zetex100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H032LK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V TO252 T&R
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 683 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H032LK3-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V TO252 T&R 2.5K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H032LSS-13Diodes Zetex100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H032LSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V SO-8 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 683 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H032SDVW-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H032SFVWDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H032SFVW-13Diodes Zetex100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H032SFVW-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI3333-8/SWP T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H032SFVW-13Diodes Zetex100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H032SFVW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 544 pF @ 50 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.35 грн
6000+14.49 грн
9000+13.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H032SFVW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 544 pF @ 50 V
на замовлення 3874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.78 грн
10+40.19 грн
100+26.45 грн
500+19.08 грн
1000+17.23 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H032SFVW-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
на замовлення 1749 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+66.30 грн
10+47.23 грн
100+27.87 грн
500+21.58 грн
1000+19.02 грн
2000+15.53 грн
4000+14.13 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H032SFVW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 544 pF @ 50 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+16.40 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H032SFVW-7Diodes Zetex100V N-Channel Enhancement Mode Mosfet
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+15.24 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H032SFVW-7
Код товару: 211752
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H032SFVW-7Diodes IncMOSFET BVDSS: 61V100V PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H032SFVW-7Diodes Zetex100V N-Channel Enhancement Mode Mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H052LFDF-13Diodes IncMOSFET BVDSS: 61V100V U-DFN2020-6 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H052LFDF-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 258 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H052LFDF-7Diodes Zetex100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H052LFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 258 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H052LFDF-7Diodes Inc100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H072LDV-13Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H072LDV-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 100V 12A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 228pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXC)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H072LDV-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI3333-8 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H072LDV-7Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H072LDV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 100V 12A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 228pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXC)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+27.12 грн
4000+24.29 грн
6000+23.37 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H072LDV-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI3333-8 T&R 2K
на замовлення 1925 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+97.82 грн
10+60.62 грн
100+34.70 грн
500+27.48 грн
1000+24.45 грн
2000+22.28 грн
4000+20.73 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H072LFDF-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 4A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 266 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H072LFDF-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V U-DFN2020-6 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H072LFDF-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 4A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H072LFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 4A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H072LFDF-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.2A; Idm: 22A; 1.1W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.2A
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 1.1W
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 4.5nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H072LFDF-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H072LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 4 A, 0.047 ohm, UDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 800mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: UDFN2020
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.047ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+28.65 грн
500+20.54 грн
1000+17.17 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H072LFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 4A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 266 pF @ 50 V
на замовлення 142880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.82 грн
10+50.95 грн
100+33.35 грн
500+24.21 грн
1000+21.92 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H072LFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 4A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 291000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H072LFDF-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 100V 4A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H072LFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 4A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 266 pF @ 50 V
на замовлення 141000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.92 грн
6000+11.39 грн
9000+10.85 грн
15000+9.62 грн
21000+9.28 грн
30000+9.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H072LFDF-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V U-DFN2020-6 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H072LFDF-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H072LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 4 A, 0.047 ohm, UDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: UDFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+44.94 грн
22+41.02 грн
100+28.65 грн
500+20.54 грн
1000+17.17 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H072LFDFQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V U-DFN2020-6 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H072LFDFQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 4A 6-Pin UDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+14.97 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H072LFDFQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 4A 6-Pin UDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H072LFDFQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 228 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+13.87 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H072LFDFQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 4A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 228 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 23496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.62 грн
10+43.26 грн
100+28.10 грн
500+20.26 грн
1000+18.29 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H072LFDFQ-7Diodes Inc100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H072LFDFQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 4A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 228 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H072LFDFQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020-6 T&R 3K
на замовлення 11725 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+56.79 грн
10+41.60 грн
100+26.16 грн
500+20.73 грн
1000+16.77 грн
3000+13.82 грн
6000+13.20 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H072LFDFQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 4A 6-Pin UDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H072LFV-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 4.7A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H072LFV-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS 61V-100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H072LFV-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 4.7A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H072LFV-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 228 pF @ 50 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.09 грн
6000+14.39 грн
9000+14.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H072LFV-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 100V 4.7A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H072LFV-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H072LFV-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.0506 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0506ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+23.34 грн
500+16.90 грн
1000+14.03 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H072LFV-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS 61V-100V
на замовлення 2781 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+55.97 грн
11+35.53 грн
100+20.57 грн
500+15.91 грн
1000+14.21 грн
2000+10.79 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H072LFV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 228 pF @ 50 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+13.58 грн
4000+11.93 грн
6000+11.35 грн
10000+10.04 грн
14000+9.68 грн
20000+9.33 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H072LFV-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 4.7A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+12.03 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H072LFV-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 100V 4.7A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H072LFV-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 4.7A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 278000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+15.84 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H072LFV-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H072LFV-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.0506 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0506ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+44.76 грн
24+37.45 грн
100+23.34 грн
500+16.90 грн
1000+14.03 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H072LFV-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 4.7A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 182000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+15.84 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H072LFV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 228 pF @ 50 V
на замовлення 24949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.27 грн
10+33.56 грн
100+21.67 грн
500+15.51 грн
1000+13.96 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H072LFV-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 4.7A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+12.89 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H075LE-13Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H075LE-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V SOT223 T&
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 228 pF @ 50 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+16.52 грн
5000+14.71 грн
7500+14.10 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H075LE-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V SOT223 T&R 2.5K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H4M5LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V-100V POWERDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4843 pF @ 50 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+74.67 грн
5000+69.24 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H4M5LPS-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H4M5LPS-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; Idm: 400A; 2.3W
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 80nC
On-state resistance: 6.2mΩ
Power dissipation: 2.3W
Drain current: 15A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 400A
Kind of package: 13 inch reel; tape
Case: PowerDI5060-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H4M5LPS-13Diodes IncMOSFET BVDSS: 61V100V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H4M9LPSW-13Diodes ZetexMOSFET BVDSS: 61V100V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H4M9SPSW-13Diodes ZetexDMT10H4M9SPSW-13
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H4M9SPSW-13Diodes ZetexDMT10H4M9SPSW-13
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+64.33 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H4M9SPSW-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H9M9LCTDiodes ZetexDMT10H9M9LCT
на замовлення 7300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+41.50 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H9M9LCTDiodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V TO220AB TUBE 50PCS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H9M9LCTDiodes IncN-Channel Enhancement MODE MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H9M9LCTDiodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V TO220AB T
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 101A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2309 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H9M9LCTDIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H9M9LCT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 101 A, 6700 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 101A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6700µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+185.50 грн
12+75.24 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H9M9LCTDiodes ZetexN-Channel Enhancement MODE MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H9M9LK3-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V TO252 T&R 2.5K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H9M9LK3-13Diodes ZetexMOSFET BVDSS: 61V100V TO252 T&R 2.5K
на замовлення 87500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+36.19 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H9M9LK3-13Diodes ZetexMOSFET BVDSS: 61V100V TO252 T&R 2.5K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H9M9LPSW-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H9M9LPSW-13Diodes ZetexDMT10H9M9LPSW-13
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.49 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H9M9LSS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V SO-8 T&R 2.5K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H9M9LSS-13Diodes ZetexMOSFET BVDSS: 61V100V SO-8 T&R 2.5K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H9M9SCTDiodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V TO220AB T
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2085 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H9M9SCTDIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H9M9SCT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 99 A, 7200 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+197.69 грн
10+89.70 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H9M9SCTDiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V TO220AB TUBE 50PCS
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+168.46 грн
10+77.85 грн
100+66.30 грн
500+66.22 грн
1000+66.07 грн
2500+65.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H9M9SCTDiodes ZetexN-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 4700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+41.50 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H9M9SH3Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 61V 100V TO251 TUBE 75PCS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H9M9SH3Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V TO251 TUB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2085 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H9M9SK3-13Diodes ZetexMOSFET BVDSS: 61V100V TO252 T&R 2.5K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H9M9SK3-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V TO252 T&R 2.5K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H9M9SPSW-13Diodes ZetexDMT10H9M9SPSW-13
на замовлення 92500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.49 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H9M9SPSW-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H9M9SSS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V SO-8 T&R 2.5K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H9M9SSS-13Diodes ZetexDMT10H9M9SSS-13
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT12H007LPS-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 120V 90A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT12H007LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 120V 90A PWRDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3224 pF @ 60 V
на замовлення 110000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+49.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT12H007LPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT12H007LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 90 A, 7800 µohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.9W
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7800µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+92.31 грн
500+71.89 грн
1000+63.38 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMT12H007LPS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 101V~250V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
на замовлення 16874 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+143.10 грн
10+103.56 грн
100+62.42 грн
500+52.25 грн
1000+49.61 грн
2500+47.20 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMT12H007LPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT12H007LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 90 A, 7800 µohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.9W
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7800µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+182.01 грн
50+133.24 грн
100+92.31 грн
500+71.89 грн
1000+63.38 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMT12H007LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 120V 90A PWRDI5060-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3224 pF @ 60 V
на замовлення 112116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+125.97 грн
10+93.32 грн
100+65.06 грн
500+50.95 грн
1000+49.20 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMT12H060LCA9-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 101V~250V X4-DSN15
Packaging: Bulk
Package / Case: 9-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DSN1515-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±5.5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 115 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 50 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+26.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT12H060LFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 101V~250V U-DFN202
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 115 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475 pF @ 50 V
на замовлення 2277000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.01 грн
6000+15.09 грн
9000+14.43 грн
15000+12.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT12H060LFDF-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 115V; 4.4A; Idm: 20A; 1.3W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 115V
Drain current: 4.4A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 1.3W
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.8nC
Kind of package: 7 inch reel
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT12H060LFDF-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 101V~250V U-DFN2020-6 T&R 3K
на замовлення 4169 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+59.23 грн
10+41.16 грн
100+24.45 грн
500+20.73 грн
1000+18.17 грн
3000+15.45 грн
6000+15.06 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMT12H060LFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 101V~250V U-DFN202
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 115 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475 pF @ 50 V
на замовлення 2279807 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.22 грн
10+43.02 грн
100+28.04 грн
500+20.27 грн
1000+18.32 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMT12H065LFDF-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT12H065LFDF-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 115 V, 4.3 A, 0.043 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 115V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+47.03 грн
500+34.37 грн
1000+29.11 грн
5000+25.75 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMT12H065LFDF-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 61V~100V U-DFN2020-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT12H065LFDF-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT12H065LFDF-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 115 V, 4.3 A, 0.043 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 115V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+90.57 грн
14+65.75 грн
100+47.03 грн
500+34.37 грн
1000+29.11 грн
5000+25.75 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMT12H065LFDF-13Diodes IncMOSFET BVDSS: 61V100V U-DFN2020-6 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT12H065LFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 115V 4.3A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 115 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 252 pF @ 50 V
на замовлення 249449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.09 грн
10+60.25 грн
100+39.89 грн
500+29.24 грн
1000+26.60 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMT12H065LFDF-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020-6 T&R 3K
на замовлення 2303 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+98.72 грн
10+66.15 грн
100+38.20 грн
500+29.81 грн
1000+27.09 грн
3000+22.98 грн
6000+21.58 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMT12H065LFDF-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 115V; 4.3A; Idm: 25A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 115V
Drain current: 4.3A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 1.2W
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.5nC
Kind of package: 7 inch reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT12H065LFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 115V 4.3A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 115 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 252 pF @ 50 V
на замовлення 249000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+24.95 грн
6000+22.29 грн
9000+21.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT12H090LFDF4-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 115V 3.4A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerXDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN2020-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 115 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 251 pF @ 50 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+24.64 грн
30000+23.49 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT12H090LFDF4-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 101V~250V X2-DFN2020-6 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT12H090LFDF4-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 101V~250V X2-DFN2020-6 T&R 3K
на замовлення 1712 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+105.97 грн
10+66.07 грн
100+38.12 грн
500+29.81 грн
1000+27.09 грн
3000+23.68 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMT12H090LFDF4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 115V 3.4A 6DFN
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT12H7M9SPSW-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 101V~250V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT15H017LPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT15H017LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 58 A, 0.0175 ohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+189.85 грн
50+132.37 грн
100+94.06 грн
500+71.24 грн
1000+62.85 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMT15H017LPS-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 150V 9.4A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT15H017LPS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 101V~250V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
на замовлення 2192 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+157.59 грн
10+117.85 грн
100+70.34 грн
250+70.26 грн
500+57.76 грн
1000+56.44 грн
2500+47.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMT15H017LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 101V~250V POWERDI5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3369 pF @ 75 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+48.82 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT15H017LPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT15H017LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 58 A, 0.0175 ohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+94.06 грн
500+71.24 грн
1000+62.85 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMT15H017LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 101V~250V POWERDI5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3369 pF @ 75 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+152.84 грн
10+100.03 грн
100+68.62 грн
500+50.95 грн
1000+49.20 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMT15H017LPSW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 101V~250V POWERDI5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3369 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT15H017LPSW-13Diodes Inc150V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT15H017LPSW-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 101V~250V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT15H017SK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 101V~250V TO252 T&
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2344 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT15H017SK3-13Diodes IncMOSFET BVDSS: 101V250V TO252 T&R 2.5K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT15H017SK3-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 101V~250V TO252 T&R 2.5K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT15H035SCTDiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 101V~250V TO220AB TUBE 50PCS
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+142.20 грн
10+86.78 грн
100+63.66 грн
500+47.90 грн
1000+42.23 грн
2500+38.89 грн
5000+35.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMT15H035SCTDiodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 101V~250V TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 75 V
на замовлення 5450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+82.30 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
DMT15H053SK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 101V~250V TO252 T&
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 814 pF @ 75 V
на замовлення 12733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+105.81 грн
10+64.05 грн
100+42.42 грн
500+31.09 грн
1000+28.28 грн
2500+25.23 грн
5000+22.97 грн
10000+21.92 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMT15H053SK3-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 101V~250V TO252 T&R 2.5K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT15H053SPSW-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 101V~250V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT15H053SPSW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 101V~250V POWERDI5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 814 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT15H053SPSWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 101V~250V POWERDI5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 814 pF @ 75 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+30.86 грн
5000+27.45 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT15H053SPSWQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 101V~250V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT15H053SSS-13Diodes IncN-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT15H053SSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 150V 5.2A/15A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta), 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 814 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT15H053SSS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 101V~250V SO-8 T&R 2.5K
на замовлення 1356 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+100.53 грн
10+66.78 грн
100+44.02 грн
500+37.34 грн
1000+30.35 грн
2500+27.79 грн
5000+26.94 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMT15H053SSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 150V 5.2A/15A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta), 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 814 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT15H067SSS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 101V~250V SO-8 T&R 2.5K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT15H067SSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 150V 4.5A/13A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT15H067SSS-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 150V 4.5A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT15H067SSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 150V 4.5A/13A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 75 V
на замовлення 2088 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.93 грн
10+60.57 грн
100+40.17 грн
500+29.46 грн
1000+26.81 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMT1D15K-FCornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 1500PF 10% 100VDC RAD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT1D1KCornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 1000PF 10% 100VDC RAD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT1D1K-FKnowles / Cornell Dubilier (CDE)Film Capacitors 0.0010uF 100Vdc
на замовлення 143 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+140.39 грн
10+80.62 грн
100+53.95 грн
500+48.37 грн
1000+41.07 грн
5000+40.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMT1D1K-FCornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 1000PF 10% 100VDC RAD
Tolerance: ±10%
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: General Purpose
Lead Spacing: 0.394" (10.00mm)
Termination: PC Pins
Dielectric Material: Polyester, Metallized
Voltage Rating - AC: 65V
Voltage Rating - DC: 100V
Height - Seated (Max): 0.448" (11.37mm)
Capacitance: 1000 pF
Size / Dimension: 0.512" L x 0.197" W (13.00mm x 5.00mm)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT1D1K-FCornell Dubilier - CDEFilm Capacitors .0010uF 100Vdc
на замовлення 721 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT1D22KCornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 2200PF 10% 100VDC RAD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT1D22K-FCornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 2200PF 10% 100VDC RAD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT1D22K-FCornell Dubilier - CDEFilm Capacitors .0022uF 100Vdc
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT1D33KCornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 3300PF 10% 100VDC RAD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT1D47K-FCornell Dubilier KnowlesDescription: CAP FILM 4700PF 10% 100VDC RAD
Tolerance: ±10%
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: General Purpose
Lead Spacing: 0.394" (10.00mm)
Termination: PC Pins
Dielectric Material: Polyester, Metallized
Voltage Rating - AC: 65V
Voltage Rating - DC: 100V
Height - Seated (Max): 0.448" (11.37mm)
Capacitance: 4700 pF
Size / Dimension: 0.512" L x 0.209" W (13.00mm x 5.30mm)
на замовлення 2998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+180.55 грн
10+122.60 грн
50+99.86 грн
100+86.52 грн
500+73.31 грн
1000+68.82 грн
2500+62.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DMT1D47K-FCornell Dubilier - CDEFilm Capacitors .0047uF 100Vdc
на замовлення 363 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT1D68KCornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 6800PF 10% 100VDC RAD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT1D68K-FCornell Dubilier - CDEFilm Capacitors .0068uF 100Vdc
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT1D68K-FCornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 6800PF 10% 100VDC RAD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT1P15K-FCornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 0.15UF 10% 100VDC RAD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT1P1K-FCornell Dubilier KnowlesDescription: CAP FILM 0.1UF 10% 100VDC RADIAL
Packaging: Bulk
Tolerance: ±10%
Package / Case: Radial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: General Purpose
Lead Spacing: 0.543" (13.80mm)
Termination: PC Pins
Dielectric Material: Polyester, Metallized
Voltage Rating - AC: 65V
Voltage Rating - DC: 100V
Height - Seated (Max): 0.539" (13.68mm)
Capacitance: 0.1 µF
Size / Dimension: 0.681" L x 0.291" W (17.30mm x 7.40mm)
на замовлення 1541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+128.49 грн
10+81.92 грн
50+64.66 грн
100+55.44 грн
500+46.08 грн
1000+43.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMT1P1K-FCornell Dubilier - CDEFilm Capacitors .1UF 100V 10%
на замовлення 313 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT1P22K-FCornell Dubilier - CDEFilm Capacitors .22uF 100Vdc
на замовлення 529 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT1P22K-FCornell Dubilier KnowlesDescription: CAP FILM 0.22UF 10% 100VDC RAD
Tolerance: ±10%
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: General Purpose
Lead Spacing: 0.669" (17.00mm)
Termination: PC Pins
Dielectric Material: Polyester, Metallized
Voltage Rating - AC: 65V
Voltage Rating - DC: 100V
Height - Seated (Max): 0.614" (15.60mm)
Capacitance: 0.22 µF
Size / Dimension: 0.819" L x 0.358" W (20.80mm x 9.10mm)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT1P33KCornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 0.33UF 10% 100VDC RAD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT1P33K-FCornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 0.33UF 10% 100VDC RAD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT1P33K-FCornell Dubilier - CDEFilm Capacitors 100Vdc .33uF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT1P47K-FCornell Dubilier - CDEFilm Capacitors .47uF 100Vdc
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT1P47K-FCornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 0.47UF 10% 100VDC RAD
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT1P68K-FCornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 0.68UF 10% 100VDC RAD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT1S15KCornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 0.015UF 10% 100VDC RAD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT1S15K-FCornell Dubilier - CDEFilm Capacitors 0.015uF 100Vdc
на замовлення 169 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+192.01 грн
10+133.02 грн
100+86.95 грн
500+68.78 грн
1000+57.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DMT1S15K-FCornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 0.015UF 10% 100VDC RAD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT1S1K-FCornell Dubilier KnowlesDescription: CAP FILM 10000PF 10% 100VDC RAD
Tolerance: ±10%
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: General Purpose
Lead Spacing: 0.394" (10.00mm)
Termination: PC Pins
Dielectric Material: Polyester, Metallized
Voltage Rating - AC: 65V
Voltage Rating - DC: 100V
Height - Seated (Max): 0.448" (11.37mm)
Capacitance: 10000 pF
Size / Dimension: 0.512" L x 0.220" W (13.00mm x 5.60mm)
на замовлення 518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+132.69 грн
10+85.80 грн
50+69.08 грн
100+59.99 грн
500+51.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMT1S1K-FCornell Dubilier - CDEFilm Capacitors .01UF 100V 10%
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT1S22KCornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 0.022UF 10% 100VDC RAD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT1S22K-FCornell Dubilier - CDEFilm Capacitors .022uF 100Vdc
на замовлення 755 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT1S22K-FCornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 0.022UF 10% 100VDC RAD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT1S33KCornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 0.033UF 10% 100VDC RAD
Tolerance: ±10%
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: General Purpose
Lead Spacing: 0.402" (10.20mm)
Termination: PC Pins
Dielectric Material: Polyester, Metallized
Voltage Rating - AC: 65V
Voltage Rating - DC: 100V
Height - Seated (Max): 0.444" (11.27mm)
Capacitance: 0.033 µF
Size / Dimension: 0.559" L x 0.248" W (14.20mm x 6.30mm)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT1S33K-FCornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 0.033UF 10% 100VDC RAD
Tolerance: ±10%
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: General Purpose
Lead Spacing: 0.402" (10.20mm)
Termination: PC Pins
Dielectric Material: Polyester, Metallized
Voltage Rating - AC: 65V
Voltage Rating - DC: 100V
Height - Seated (Max): 0.444" (11.27mm)
Capacitance: 0.033 µF
Size / Dimension: 0.559" L x 0.248" W (14.20mm x 6.30mm)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT1S33K-FCornell Dubilier - CDEFilm Capacitors 0.033uF 100Vdc
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT1S47K-FCornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 0.047UF 10% 100VDC RAD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT1S47K-FCornell Dubilier - CDEFilm Capacitors 0.047uF 100V 10%
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT1S68K-FCornell Dubilier KnowlesDescription: CAP FILM 0.068UF 10% 100VDC RAD
Tolerance: ±10%
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: General Purpose
Lead Spacing: 0.421" (10.70mm)
Termination: PC Pins
Dielectric Material: Polyester, Metallized
Voltage Rating - AC: 65V
Voltage Rating - DC: 100V
Height - Seated (Max): 0.554" (14.06mm)
Capacitance: 0.068 µF
Size / Dimension: 0.559" L x 0.276" W (14.20mm x 7.00mm)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+170.48 грн
10+111.19 грн
50+88.50 грн
100+76.16 грн
500+63.84 грн
1000+59.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DMT1S68K-FCornell Dubilier - CDEFilm Capacitors .068uF 100Vdc
на замовлення 473 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT1W1K-FCornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 1UF 10% 100VDC RADIAL
Tolerance: ±10%
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: General Purpose
Lead Spacing: 1.169" (29.70mm)
Termination: PC Pins
Dielectric Material: Polyester, Metallized
Voltage Rating - AC: 65V
Voltage Rating - DC: 100V
Height - Seated (Max): 0.824" (20.92mm)
Capacitance: 1 µF
Size / Dimension: 1.331" L x 0.520" W (33.80mm x 13.20mm)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT1W1K-FCornell Dubilier - CDEFilm Capacitors 1uF 100V 10%
на замовлення 994 шт:
термін постачання 225-234 дні (днів)
1+376.78 грн
10+299.08 грн
50+151.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2-134-4.8LCoilcraftFixed Inductors 134uH Unshld 4.8A 100mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2-149-3.8LCoilcraftPower Inductors - Leaded 149uH Unshld 3.8A 130mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2-20-12LCoilcraftPower Inductors - Leaded 20uH Unshld 12A 20mOhms
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1878.46 грн
252+1300.78 грн
504+789.53 грн
1008+733.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2-200-3.8LCoilcraftPower Inductors - Leaded 200uH Unshld 3.8A 190mOhms
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+855.00 грн
252+592.81 грн
504+359.44 грн
1008+334.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2-26-11LCoilcraftPower Inductors - Leaded 26uH Unshld 11A 20mOhms
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1390.28 грн
252+962.42 грн
504+583.80 грн
1008+542.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2-273-2.4LCoilcraftPower Inductors - Leaded 273uH Unshld 2.4A 260mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2-380-2.4LCoilcraftPower Inductors - Leaded 380uH Shld 2.4A 380mOhms
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2646.51 грн
252+1832.87 грн
504+1112.48 грн
1008+1034.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2-47-8.2LCoilcraftPower Inductors - Leaded 47uH Shld 8.2A 40mOhms
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1382.13 грн
252+957.06 грн
504+580.69 грн
1008+539.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2-49-8LCoilcraftFixed Inductors 49uH Unshld 8A 40mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2-567-1.5LCoilcraftPower Inductors - Leaded 567uH Unshld 1.5A 560mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2-79-6LCoilcraftFixed Inductors 79uH Unshld 6A 70mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2-796-1.5LCoilcraftFixed Inductors 796uH Unshld 1.5A 790mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2-80-6.3LCoilcraftPower Inductors - Leaded 80uH Unshld 6.3A 50mOhms
на замовлення 174 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1581.38 грн
252+1095.44 грн
504+665.31 грн
1008+617.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2004UFDF-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 24V 14.1A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2004UFDF-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 24V 14.1A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.45V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2004UFDF-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2004UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 24V 14.1A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.45V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.02 грн
10+40.84 грн
100+26.60 грн
500+19.19 грн
1000+17.32 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2004UFDF-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT2004UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 24 V, 14.1 A, 0.0048 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 24V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.45V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+26.65 грн
500+19.57 грн
1000+17.47 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2004UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 24V 14.1A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.45V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.06 грн
6000+14.23 грн
9000+13.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2004UFDF-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 3766 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+50.63 грн
10+37.50 грн
100+22.36 грн
500+19.56 грн
1000+17.70 грн
3000+14.05 грн
6000+13.66 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2004UFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 24V 14.1A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2004UFDF-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 24V; 11.2A; Idm: 70A; 1.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 24V
Drain current: 11.2A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 1.8W
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 12.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53.7nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2004UFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 24V 14.1A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2004UFDF-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT2004UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 24 V, 14.1 A, 0.0048 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 24V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.45V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+52.34 грн
23+39.02 грн
100+26.65 грн
500+19.57 грн
1000+17.47 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2004UFG-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2004UFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 24V 70A POWERDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.45V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2004UFG-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 24V; 55A; Idm: 90A; 2.3W
Case: PowerDI3333-8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 24V
Pulsed drain current: 90A
Drain current: 55A
Gate charge: 53.7nC
On-state resistance: 10mΩ
Power dissipation: 2.3W
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2004UFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 24V 70A POWERDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.45V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+18.40 грн
4000+16.26 грн
6000+15.52 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2004UFG-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 740 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+78.71 грн
10+48.48 грн
100+27.48 грн
500+21.19 грн
1000+19.25 грн
2000+16.92 грн
4000+15.53 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2004UFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 24V 70A POWERDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.45V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.06 грн
10+44.07 грн
100+28.76 грн
500+20.81 грн
1000+18.82 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2004UFV-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2004UFV-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 24V 70A POWERDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.45V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2004UFV-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 24V; 55A; Idm: 90A; 2.3W
Case: PowerDI3333-8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 24V
Pulsed drain current: 90A
Drain current: 55A
Gate charge: 53.7nC
On-state resistance: 10mΩ
Power dissipation: 2.3W
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2004UFV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 24V 70A POWERDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.45V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+16.34 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2004UFV-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 24V; 55A; Idm: 90A; 2.3W
Case: PowerDI3333-8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 24V
Pulsed drain current: 90A
Drain current: 55A
Gate charge: 53.7nC
On-state resistance: 10mΩ
Power dissipation: 2.3W
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2004UFV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 24V 70A POWERDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.45V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+66.34 грн
10+39.63 грн
100+25.75 грн
500+18.55 грн
1000+16.74 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2004UFV-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 3160 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+70.92 грн
10+43.57 грн
100+25.62 грн
500+18.86 грн
1000+17.08 грн
2000+15.06 грн
4000+13.51 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2004UPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 24V 80A PWRDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.45V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.36 грн
5000+16.27 грн
7500+15.55 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2004UPS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 1410 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+82.60 грн
10+50.71 грн
100+28.80 грн
500+22.20 грн
1000+20.11 грн
2500+16.85 грн
5000+15.99 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2004UPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 24V 80A PWRDI5060-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.45V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.74 грн
10+45.12 грн
100+29.46 грн
500+21.34 грн
1000+19.31 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2005UDV-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2005UDV-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 24V 50A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2005UDV-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 24V 50A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 24V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2060pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 14A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXC)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2005UDV-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 24V; 40A; Idm: 70A; 1.9W
Case: PowerDI3333-8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 24V
Pulsed drain current: 70A
Drain current: 40A
Gate charge: 46.7nC
On-state resistance: 12mΩ
Power dissipation: 1.9W
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2005UDV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 24V 50A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 24V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2060pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 14A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXC)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2005UDV-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT26M0LDG-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT26M0LDG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 25V 11.6A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.24W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Ta), 33.8A (Tc), 20.1A (Ta), 52.6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010pF @ 13V, 4016pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 13A, 10V, 2mOhm @ 27A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.9nC @ 10V, 57.4nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type F)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT26M0LDG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 25V 11.6A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.24W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Ta), 33.8A (Tc), 20.1A (Ta), 52.6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010pF @ 13V, 4016pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 13A, 10V, 2mOhm @ 27A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.9nC @ 10V, 57.4nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type F)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2D22K-FCornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 2200PF 10% 250VDC RAD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2D22K-FCornell Dubilier - CDEFilm Capacitors 0.0022uF 200/250Vdc
на замовлення 167 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+89.67 грн
10+69.64 грн
100+45.42 грн
500+35.79 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2D47K-FCornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 4700PF 10% 250VDC RAD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2P1K-FCornell Dubilier - CDEFilm Capacitors .1UF 200V 10%
на замовлення 626 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2P1K-FCORNELL DUBILIERDescription: CORNELL DUBILIER - DMT2P1K-F - CAPACITOR POLYESTER FILM 0.1UF, 200V, 10%, RADIAL
tariffCode: 85322500
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2P1K-FCornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 0.1UF 10% 250VDC RADIAL
Tolerance: ±10%
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: General Purpose
Lead Spacing: 0.669" (17.00mm)
Termination: PC Pins
Dielectric Material: Polyester, Metallized
Voltage Rating - AC: 125V
Voltage Rating - DC: 250V
Height - Seated (Max): 0.606" (15.40mm)
Part Status: Active
Capacitance: 0.1 µF
Size / Dimension: 0.819" L x 0.354" W (20.80mm x 9.00mm)
на замовлення 641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+146.96 грн
10+108.36 грн
500+66.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2P22K-FCornell Dubilier - CDEFilm Capacitors 0.22uF 200V 10%
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+265.38 грн
10+183.91 грн
50+132.75 грн
200+116.45 грн
600+108.69 грн
1000+104.80 грн
2600+100.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2P22K-FCornell Dubilier KnowlesDescription: CAP FILM 0.22UF 10% 250VDC RAD
Tolerance: ±10%
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: General Purpose
Lead Spacing: 0.795" (20.20mm)
Termination: PC Pins
Dielectric Material: Polyester, Metallized
Voltage Rating - AC: 125V
Voltage Rating - DC: 250V
Height - Seated (Max): 0.724" (18.38mm)
Part Status: Active
Capacitance: 0.22 µF
Size / Dimension: 0.945" L x 0.413" W (24.00mm x 10.50mm)
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+271.25 грн
10+172.33 грн
50+136.46 грн
100+117.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2P22K-FKnowles / Cornell Dubilier (CDE)Film Capacitors 0.22uF 200V 10%
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+253.60 грн
10+145.52 грн
100+111.79 грн
600+103.25 грн
1000+100.15 грн
2600+95.49 грн
5000+93.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2P33K-FCornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 0.33UF 10% 250VDC RAD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2P47K-FCornell Dubilier - CDEFilm Capacitors 0.47uF 200V 10%
на замовлення 718 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2P47K-FCornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 0.47UF 10% 250VDC RAD
Tolerance: ±10%
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: General Purpose
Lead Spacing: 0.921" (23.40mm)
Termination: PC Pins
Dielectric Material: Polyester, Metallized
Voltage Rating - AC: 125V
Voltage Rating - DC: 250V
Height - Seated (Max): 0.822" (20.87mm)
Capacitance: 0.47 µF
Size / Dimension: 1.110" L x 0.531" W (28.20mm x 13.50mm)
на замовлення 1003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+487.91 грн
10+407.41 грн
100+317.55 грн
1000+249.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2P68KCornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 0.68UF 10% 250VDC RAD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2P68K-FCornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 0.68UF 10% 250VDC RAD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2S1K-FCornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 10000PF 10% 250VDC RAD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2S1K-FCornell Dubilier - CDEFilm Capacitors .01uF 200/250Vdc
на замовлення 651 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2S47K-FCornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 0.047UF 10% 250VDC RAD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2S47K-FCornell Dubilier - CDEFilm Capacitors 0.047uF 200V 10%
на замовлення 2145 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+161.22 грн
10+125.88 грн
100+82.29 грн
500+61.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3-138-6LCoilcraftPower Inductors - Leaded 138uH Unshld 6A 70mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3-1439-1.5LCoilcraftPower Inductors - Leaded 1.439 mH Unshld 1.5A 1.176Ohms
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2834.90 грн
252+1964.11 грн
504+1191.67 грн
1008+1107.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3-257-4.9LCoilcraftPower Inductors - Leaded 257uH Unshld 4.9A 150mOhms
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1496.25 грн
252+1036.52 грн
504+628.83 грн
1008+584.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3-35-12LCoilcraftPower Inductors - Leaded 35uH Unshld 12A 19mOhms
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1362.20 грн
252+942.77 грн
504+572.15 грн
1008+531.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3-402-3.7LCoilcraftPower Inductors - Leaded 402uH Unshld - 3.7A 279mOhms
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2545.97 грн
252+1763.24 грн
504+1069.78 грн
1008+995.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3-695-2.4LCoilcraftPower Inductors - Leaded 695uH Unshld 2.4A 550mOhms
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2434.57 грн
252+1686.46 грн
504+1023.20 грн
1008+951.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3-77-8LCoilcraftPower Inductors - Leaded 77uH Unshld - 8A 40mOhms
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1883.89 грн
252+1305.24 грн
504+791.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3002LPS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3002LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 100A PWRDI5060-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3003LFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 22A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.57 грн
6000+18.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3003LFG-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 18A; Idm: 100A; 2.4W
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PowerDI3333-8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 44nC
On-state resistance: 5.5mΩ
Power dissipation: 2.4W
Drain current: 18A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 100A
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3003LFG-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3003LFG-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 18A; Idm: 100A; 2.4W
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PowerDI3333-8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 44nC
On-state resistance: 5.5mΩ
Power dissipation: 2.4W
Drain current: 18A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 100A
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3003LFG-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V
на замовлення 3773 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+74.00 грн
10+54.82 грн
100+32.61 грн
500+26.01 грн
1000+23.60 грн
2000+20.73 грн
4000+20.03 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3003LFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 22A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+88.18 грн
10+53.13 грн
100+35.00 грн
500+25.52 грн
1000+23.16 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3003LFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 22A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+22.73 грн
4000+20.16 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3003LFGQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 22A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 225000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+24.84 грн
6000+23.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3003LFGQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS 25V-30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3003LFGQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS 25V-30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3003LFGQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 18A; Idm: 100A; 2.4W
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PowerDI3333-8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 44nC
On-state resistance: 5.5mΩ
Power dissipation: 2.4W
Drain current: 18A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 100A
Kind of package: 7 inch reel; tape
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3003LFGQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 22A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1714000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+25.91 грн
4000+23.56 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3004LFG-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3004LFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET NCH 30V 10.4A POWERDI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3004LFG-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3004LFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET NCH 30V 10.4A POWERDI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3004LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 21A PWRDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 15 V
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+106.65 грн
10+64.94 грн
100+43.18 грн
500+31.74 грн
1000+28.92 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3004LPS-13Diodes IncorporatedMOSFETs 30V N-Ch Enh FET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3004LPS-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 17A; Idm: 180A; 2.7W
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PowerDI5060-8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -16...20V
Gate charge: 43.7nC
On-state resistance: 6mΩ
Power dissipation: 2.7W
Drain current: 17A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 180A
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3004LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 21A PWRDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3004LPS-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin PowerDI 5060 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LDK-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT3006LDK-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 46.2 A, 5500 µohm, VDFN3030, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: VDFN3030
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+22.21 грн
500+14.56 грн
1000+12.09 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LDK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 17.1A/46.2A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.1A (Ta), 46.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN3030-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 15 V
на замовлення 2303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+54.59 грн
11+32.27 грн
100+20.78 грн
500+14.86 грн
1000+13.36 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LDK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 17.1A/46.2A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.1A (Ta), 46.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN3030-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LDK-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT3006LDK-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 46.2 A, 5500 µohm, VDFN3030, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: VDFN3030
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+49.03 грн
27+33.27 грн
100+22.21 грн
500+14.56 грн
1000+12.09 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LDK-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 2629 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+51.44 грн
11+34.55 грн
100+19.72 грн
500+15.14 грн
1000+13.59 грн
3000+10.17 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LDV-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LDV-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 25A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1155pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXC)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LDV-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LDV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 25A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1155pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXC)
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+19.93 грн
4000+17.63 грн
6000+16.84 грн
10000+14.96 грн
14000+14.64 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LFDF-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 14.1A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+11.57 грн
20000+10.36 грн
30000+10.26 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LFDF-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 30V 14.1A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LFDF-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LFDF-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12.5A; Idm: 80A; 2.1W
Type of transistor: N-MOSFET
Case: U-DFN2020-6
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 16.7nC
On-state resistance: 15mΩ
Power dissipation: 2.1W
Drain current: 12.5A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 80A
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LFDF-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 30V 14.1A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 14.1A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 59344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.10 грн
10+34.29 грн
100+22.13 грн
500+15.85 грн
1000+14.27 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LFDF-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V
на замовлення 36895 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+45.92 грн
12+31.52 грн
100+20.26 грн
500+16.15 грн
1000+14.13 грн
3000+10.25 грн
6000+10.01 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LFDF-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12.5A; Idm: 80A; 2.1W
Type of transistor: N-MOSFET
Case: U-DFN2020-6
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 16.7nC
On-state resistance: 15mΩ
Power dissipation: 2.1W
Drain current: 12.5A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 80A
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 14.1A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.15 грн
6000+11.61 грн
9000+11.08 грн
15000+9.83 грн
21000+9.50 грн
30000+9.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LFDFQ-13Diodes IncorporatedDescription: LINEAR IC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1155 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LFDFQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-6 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LFDFQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12.5A; Idm: 80A; 2.1W
Type of transistor: N-MOSFET
Case: U-DFN2020-6
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 16.7nC
On-state resistance: 15mΩ
Power dissipation: 2.1W
Drain current: 12.5A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 80A
Kind of package: 7 inch reel; tape
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LFDFQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1155 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LFDFQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V U-DFN2020-6 T&R 3K
на замовлення 845 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+57.60 грн
11+34.91 грн
100+20.03 грн
500+15.76 грн
1000+13.51 грн
3000+10.33 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LFDFQ-7Diodes IncMOSFET BVDSS: 25V30V U-DFN2020-6 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 55.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 27.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.01 грн
6000+19.61 грн
9000+18.80 грн
15000+17.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LFG-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LFG-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LFG-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12.8A; Idm: 80A; 27.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PowerDI3333-8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 16.7nC
On-state resistance: 10mΩ
Power dissipation: 27.8W
Drain current: 12.8A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 80A
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 55.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 27.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 101573 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+88.18 грн
10+53.13 грн
100+34.98 грн
500+25.50 грн
1000+23.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LFG-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12.8A; Idm: 80A; 27.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PowerDI3333-8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 16.7nC
On-state resistance: 10mΩ
Power dissipation: 27.8W
Drain current: 12.8A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 80A
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 55.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 27.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+22.71 грн
4000+20.14 грн
6000+19.27 грн
10000+17.19 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LFG-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 1954 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+77.08 грн
10+55.35 грн
100+32.53 грн
500+26.01 грн
1000+23.60 грн
2000+20.88 грн
4000+20.03 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LFG-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LFV-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 1911 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+70.10 грн
10+47.67 грн
100+28.41 грн
500+23.29 грн
1000+21.12 грн
3000+17.70 грн
6000+17.39 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LFV-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT3006LFV-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 5600 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5600µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+32.05 грн
500+22.48 грн
1000+18.81 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LFV-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 30V 60A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LFV-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1155 pF @ 15 V
на замовлення 35875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+79.78 грн
10+47.95 грн
100+31.43 грн
500+22.82 грн
1000+20.67 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LFV-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1155 pF @ 15 V
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.25 грн
6000+17.12 грн
9000+16.39 грн
15000+14.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LFV-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 45A; Idm: 90A; 2W
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PowerDI3333-8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 16.7nC
On-state resistance: 11mΩ
Power dissipation: 2W
Drain current: 45A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 90A
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LFV-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT3006LFV-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 5600 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5600µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+67.84 грн
19+46.85 грн
100+32.05 грн
500+22.48 грн
1000+18.81 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LFV-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LFV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1155 pF @ 15 V
на замовлення 188000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+20.61 грн
4000+18.24 грн
6000+17.43 грн
10000+15.49 грн
14000+15.24 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LFVQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LFVQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 45A; Idm: 90A; 2W
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PowerDI3333-8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 16.7nC
On-state resistance: 11mΩ
Power dissipation: 2W
Drain current: 45A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 90A
Kind of package: 13 inch reel; tape
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LFVQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1155 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LFVQ-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 30V 60A Automotive T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LFVQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 1739 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+81.79 грн
10+53.92 грн
100+31.44 грн
500+25.00 грн
1000+22.67 грн
2000+19.72 грн
4000+19.02 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LFVQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1155 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 186000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+21.78 грн
4000+19.30 грн
6000+18.45 грн
10000+16.42 грн
14000+16.35 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LFVQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1155 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 186532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.82 грн
10+51.19 грн
100+33.64 грн
500+24.49 грн
1000+22.21 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LPB-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9/11A; Idm: 80÷100A; 1.7W
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PowerDI5060-8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 12.6nC
On-state resistance: 14mΩ
Power dissipation: 1.7W
Drain current: 9/11A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 80...100A
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LPB-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 11A POWERDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 35A (Tc), 14A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 11.5A, 10V, 6mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type S)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.98 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LPB-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 30V 11A/14A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LPB-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS 25V-30V
на замовлення 768 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+86.50 грн
10+52.76 грн
100+29.89 грн
500+23.06 грн
1000+20.81 грн
2500+17.31 грн
5000+16.69 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LPS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+64.67 грн
10+42.41 грн
100+24.61 грн
500+19.10 грн
1000+17.31 грн
2500+13.59 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 16A PWRDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 92458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+66.34 грн
10+40.03 грн
100+26.01 грн
500+18.75 грн
1000+16.92 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 16A PWRDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+16.04 грн
5000+14.18 грн
7500+13.54 грн
12500+12.03 грн
17500+11.70 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3008LFDF-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 12A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 886 pF @ 15 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+19.38 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3008LFDF-13Diodes IncorporatedMOSFETs 30V N-Ch Enh FET 20Vgs 0.5W 70A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3008LFDF-7Diodes IncorporatedMOSFETs 30V N-Ch Enh FET 20Vgs 0.5W 70A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3008LFDF-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3000+23.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3008LFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 12A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 886 pF @ 15 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.03 грн
6000+19.63 грн
9000+18.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3009LDTDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3009LDT-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 30A 8-Pin VDFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3009LDT-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT3009LDT-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 30 A, 30 A, 7200 µohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 7200µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: V-DFN3030
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7200µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+49.81 грн
500+36.71 грн
1000+30.90 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3009LDT-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 30V 30A 8-Pin VDFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3009LDT-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 11A; Idm: 80A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Case: V-DFN3030-8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -16...20V
Gate charge: 20nC
On-state resistance: 22mΩ
Power dissipation: 1.2W
Drain current: 11A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 80A
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3009LDT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 30A 8VDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 14.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN3030-8 (Type K)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3009LDT-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT3009LDT-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 30 A, 30 A, 7200 µohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 7200µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: V-DFN3030
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7200µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+113.21 грн
13+72.54 грн
100+49.81 грн
500+36.71 грн
1000+30.90 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3009LDT-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS
на замовлення 2925 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+107.78 грн
10+66.78 грн
100+39.83 грн
500+31.60 грн
1000+28.80 грн
3000+24.53 грн
6000+23.21 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3009LDT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 30A 8VDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 14.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN3030-8 (Type K)
Part Status: Active
на замовлення 2312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+104.13 грн
10+63.64 грн
100+42.25 грн
500+31.04 грн
1000+28.27 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3009LDV-13Diodes IncorporatedDescription: IC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 823pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 14.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXC)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3009LDV-7Diodes IncorporatedDescription: IC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 823pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 14.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXC)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3009LEVDiodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3009LEV-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 25V-30V POWERDI3333-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3009LEV-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3009LEV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 25V-30V POWERDI3333-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3009LEV-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8 T&R 2K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3009LFVW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 12A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 14.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 823 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3009LFVW-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3009LFVW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 12A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 14.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 823 pF @ 15 V
на замовлення 3231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.22 грн
10+43.35 грн
100+28.30 грн
500+20.46 грн
1000+18.50 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3009LFVW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 12A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 14.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 823 pF @ 15 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+18.08 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3009LFVW-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 1821 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+69.29 грн
10+44.28 грн
100+26.01 грн
500+20.88 грн
1000+18.86 грн
2000+16.38 грн
4000+15.22 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3009LFVW-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3009LFVW-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 10A; Idm: 90A; 2.3W
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PowerDI3333-8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 12nC
On-state resistance: 20mΩ
Power dissipation: 2.3W
Drain current: 10A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 90A
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3009LFVWQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3009LFVWQ-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 30V 12A Automotive 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3009LFVWQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 10A; Idm: 90A; 2.3W
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PowerDI3333-8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 12nC
On-state resistance: 20mΩ
Power dissipation: 2.3W
Drain current: 10A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 90A
Kind of package: 13 inch reel; tape
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3009LFVWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 12A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 14.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 35.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 823 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3009LFVWQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 10A; Idm: 90A; 2.3W
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PowerDI®3333-8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 12nC
On-state resistance: 20mΩ
Power dissipation: 2.3W
Drain current: 10A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 90A
Kind of package: 7 inch reel; tape
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3009LFVWQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 12A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 14.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 35.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 823 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3009LFVWQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 1590 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+69.29 грн
10+47.50 грн
100+28.26 грн
500+23.21 грн
1000+20.96 грн
2000+18.55 грн
4000+17.39 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3009LFVWQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 12A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 14.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 35.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 823 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+78.94 грн
10+47.87 грн
100+31.34 грн
500+22.75 грн
1000+20.60 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3009LFVWQ-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 30V 12A Automotive 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3009LSS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V SO-8 T&R 2.5K
на замовлення 1680 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+53.71 грн
11+32.68 грн
100+18.24 грн
500+13.97 грн
1000+12.73 грн
2500+10.71 грн
5000+9.78 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3009LSSQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V SO-8 T&R 2.5K
на замовлення 1733 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+61.50 грн
10+37.41 грн
100+21.43 грн
500+16.85 грн
1000+14.44 грн
2500+13.04 грн
5000+11.57 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3009UDT-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT3009UDT-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 10.6 A, 10.6 A, 8600 µohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.6A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 8600µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: V-DFN3030
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 8600µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+31.87 грн
500+25.80 грн
1000+18.66 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3009UDT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 10.6A 8VDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta), 16W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta), 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 894pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 11A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN3030-8 (Type KS)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3009UDT-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V 30V V-DFN3030-8 T&R 1.5K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3009UDT-7DIODES INCORPORATEDCategory: Transistors - Unclassified
Description: DMT3009UDT-7
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1500+29.61 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3009UDT-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT3009UDT-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 10.6 A, 10.6 A, 0.0111 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: V-DFN3030
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0111ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+66.88 грн
22+41.19 грн
100+31.87 грн
500+25.80 грн
1000+18.66 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3009UFVW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 10.6A/30A PWRDI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 2.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 894 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3009UFVW-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V 30V PowerDI3333-8 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3009UFVW-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.5A; Idm: 80A; 2.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PowerDI3333-8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±12V
Gate charge: 14.6nC
On-state resistance: 13mΩ
Power dissipation: 2.6W
Drain current: 8.5A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 80A
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3009UFVW-7Diodes Inc30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3009UFVW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 10.6A/30A PWRDI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta), 30A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 2.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 894 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3009UFVW-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V 30V PowerDI3333-8 T&R 2K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3011LDT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 8A/10.7A 8VDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A, 10.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 641pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN3030-8 (Type K)
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3011LDT-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3011LDT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 8A/10.7A 8VDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A, 10.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 641pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN3030-8 (Type K)
Part Status: Active
на замовлення 8052 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.73 грн
10+58.06 грн
100+38.36 грн
500+28.07 грн
1000+25.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LDT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8VDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 670mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 393pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN3030-8 (Type K)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+16.94 грн
3000+14.86 грн
4500+14.13 грн
7500+12.48 грн
10500+12.02 грн
15000+11.57 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LDT-7Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+12.83 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LDT-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V V-DFN3030-8 T&R 1.5K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LDV-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 32A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 393pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXC)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.49 грн
6000+13.69 грн
9000+13.07 грн
15000+11.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LDV-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LDV-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8 T&R 3K
на замовлення 378 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+67.75 грн
10+40.98 грн
100+23.52 грн
500+18.48 грн
1000+15.84 грн
3000+11.88 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LDV-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LDV-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 146000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+12.88 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LDV-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8 T&R 2K
на замовлення 2314 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+49.81 грн
10+36.87 грн
100+22.20 грн
500+18.48 грн
1000+15.84 грн
2000+14.21 грн
4000+11.88 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LDV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 32A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 393pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXC)
Part Status: Active
на замовлення 138116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+60.46 грн
10+36.15 грн
100+23.40 грн
500+16.80 грн
1000+15.13 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LDV-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LDV-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT3020LDV-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 32 A, 32 A, 0.014 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 32A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.9W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerDI3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.9W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+27.08 грн
500+19.81 грн
1000+16.80 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LDV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 32A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 393pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXC)
Part Status: Active
на замовлення 138000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+14.74 грн
4000+12.97 грн
6000+12.35 грн
10000+10.94 грн
14000+10.55 грн
20000+10.18 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LDV-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 25A; Idm: 50A; 1.9W
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PowerDI3333-8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 7nC
On-state resistance: 32mΩ
Power dissipation: 1.9W
Drain current: 25A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 50A
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LDV-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT3020LDV-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 32 A, 32 A, 0.014 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 32A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.9W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerDI3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.9W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+52.25 грн
23+39.10 грн
100+27.08 грн
500+19.81 грн
1000+16.80 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFCL-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 7.6A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFCL-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 7.6A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFCL-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 2880 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+55.34 грн
11+33.21 грн
100+19.02 грн
500+14.98 грн
1000+12.81 грн
3000+10.25 грн
6000+9.70 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFCL-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 7.6A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN1616-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 393 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.03 грн
6000+11.49 грн
9000+10.94 грн
15000+9.70 грн
21000+9.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDB-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDB-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 7.7A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 393pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+15.24 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDB-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.2A; Idm: 50A; 1.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Case: U-DFN2020-6
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 7nC
On-state resistance: 32mΩ
Power dissipation: 1.8W
Drain current: 6.2A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 50A
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDB-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 7.7A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+14.96 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDB-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 7.7A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDB-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 7.7A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDB-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT3020LFDB-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 7.7 A, 7.7 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.02ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 700mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: UDFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 700mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+70.63 грн
20+44.68 грн
100+29.61 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDB-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 7.7A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDB-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 7.7A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 393pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 78311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.18 грн
10+40.27 грн
100+26.22 грн
500+18.90 грн
1000+17.07 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDB-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 7.7A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDB-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT3020LFDB-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 7.7 A, 7.7 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.7A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.02ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 700mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: UDFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 700mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+29.61 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDB-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 4647 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+68.56 грн
10+43.48 грн
100+25.08 грн
500+19.33 грн
1000+17.39 грн
3000+14.44 грн
6000+13.82 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDB-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 7.7A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 393pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.81 грн
6000+14.01 грн
9000+13.39 грн
15000+11.91 грн
21000+11.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDB-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.2A; Idm: 50A; 1.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Case: U-DFN2020-6
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 7nC
On-state resistance: 32mΩ
Power dissipation: 1.8W
Drain current: 6.2A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 50A
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDBQ-13Diodes IncDual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDBQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 7.7A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 393pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDBQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT3020LFDBQ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 7.7 A, 7.7 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.02ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+60.70 грн
23+38.75 грн
100+37.80 грн
500+33.88 грн
1000+26.72 грн
5000+26.20 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDBQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V 30V U-DFN2020-6 T&R 10K
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+77.89 грн
10+51.07 грн
100+43.40 грн
500+38.97 грн
1000+36.88 грн
10000+14.75 грн
20000+11.96 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDBQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.2A; Idm: 50A; 1.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Case: U-DFN2020-6
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 7nC
On-state resistance: 32mΩ
Power dissipation: 1.8W
Drain current: 6.2A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 50A
Kind of package: 13 inch reel; tape
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDBQ-13Diodes ZetexDual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDBQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT3020LFDBQ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 7.7 A, 7.7 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.7A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.02ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+37.80 грн
500+33.88 грн
1000+26.72 грн
5000+26.20 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDBQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V U-DFN2020-6 T&R 3K
на замовлення 5624 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+43.66 грн
13+28.03 грн
100+16.61 грн
500+14.05 грн
1000+13.20 грн
3000+11.96 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDBQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.2A; Idm: 50A; 1.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Case: U-DFN2020-6
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 7nC
On-state resistance: 32mΩ
Power dissipation: 1.8W
Drain current: 6.2A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 50A
Kind of package: 7 inch reel; tape
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDBQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 7.7A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 393pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.30 грн
10+36.31 грн
100+23.49 грн
500+16.87 грн
1000+15.20 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDBQ-7Diodes ZetexDual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDBQ-7Diodes IncDual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDBQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 7.7A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 393pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDF-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 8.4A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDF-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 8.4A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+14.70 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDF-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDF-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.4A; Idm: 40A; 1.1W
Type of transistor: N-MOSFET
Case: U-DFN2020-6
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 7nC
On-state resistance: 28mΩ
Power dissipation: 1.1W
Drain current: 5.4A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 40A
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDF-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 8.4A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 1.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 393 pF @ 15 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+15.01 грн
20000+13.72 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 8.4A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 1.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 393 pF @ 15 V
на замовлення 3838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+66.34 грн
10+39.79 грн
100+25.87 грн
500+18.64 грн
1000+16.83 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 8.4A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDF-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 2969 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+58.42 грн
10+42.67 грн
100+24.45 грн
500+19.02 грн
1000+17.16 грн
3000+13.82 грн
6000+13.59 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDF-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.4A; Idm: 40A; 1.1W
Type of transistor: N-MOSFET
Case: U-DFN2020-6
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 7nC
On-state resistance: 28mΩ
Power dissipation: 1.1W
Drain current: 5.4A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 40A
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 8.4A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 87000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 8.4A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 1.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 393 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 8.4A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDFQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 393 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDFQ-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V U-DFN2020-6 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDFQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.7A; Idm: 40A; 0.4W
Type of transistor: N-MOSFET
Case: U-DFN2020-6
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 7nC
On-state resistance: 28mΩ
Power dissipation: 0.4W
Drain current: 6.7A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 40A
Kind of package: 13 inch reel; tape
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDFQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 8.4A 6-Pin UDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDFQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT3020LFDFQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.4 A, 0.013 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700mW
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+24.21 грн
500+17.31 грн
1000+14.41 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDFQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 393 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDFQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V U-DFN2020-6 T&R 3K
на замовлення 4889 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+45.20 грн
13+27.59 грн
100+15.37 грн
500+11.57 грн
1000+10.25 грн
3000+8.46 грн
6000+7.76 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDFQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT3020LFDFQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.4 A, 0.013 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700mW
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+59.05 грн
24+37.01 грн
100+24.21 грн
500+17.31 грн
1000+14.41 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDFQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.4A; Idm: 40A; 1.1W
Type of transistor: N-MOSFET
Case: U-DFN2020-6
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 7nC
On-state resistance: 28mΩ
Power dissipation: 1.1W
Drain current: 5.4A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 40A
Kind of package: 7 inch reel; tape
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDFQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 8.4A Automotive AEC-Q101 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDFQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 393 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3023 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.99 грн
13+25.07 грн
100+16.01 грн
500+11.34 грн
1000+10.15 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDFW-13Diodes IncorporatedDescription: IC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (SWP) (Type UXG)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 393 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDFW-7Diodes IncorporatedDescription: IC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (SWP) (Type UXG)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 393 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDFWQ-13Diodes IncorporatedDescription: IC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (SWP) (Type UXG)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 393 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDFWQ-7Diodes IncorporatedDescription: IC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (SWP) (Type UXG)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 393 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFVWDiodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFVW-7Diodes Zetex30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET PowerDI3333-8 (SWP) (Type UX)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFVW-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFVW-7Diodes Zetex30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET PowerDI3333-8 (SWP) (Type UX)
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+11.19 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFVW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 38A POWERDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 393 pF @ 15 V
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+14.57 грн
4000+12.79 грн
6000+12.17 грн
10000+10.76 грн
14000+10.37 грн
20000+9.99 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 16A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 393pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
на замовлення 2008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+65.50 грн
10+38.98 грн
100+25.29 грн
500+18.20 грн
1000+16.42 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LSD-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V SO-8 T&R 2.5K
на замовлення 2006 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+61.50 грн
10+40.80 грн
100+23.83 грн
500+18.55 грн
1000+16.77 грн
2500+13.12 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 16A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 393pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin SO T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+14.26 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LSDQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; Idm: 50A; 1.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SO8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 7nC
On-state resistance: 32mΩ
Power dissipation: 1.5W
Drain current: 13A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 50A
Kind of package: 13 inch reel; tape
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LSDQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 16A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R
на замовлення 1244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+18.26 грн
40+17.98 грн
41+17.70 грн
100+16.80 грн
250+15.30 грн
500+14.45 грн
1000+14.21 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LSDQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT3020LSDQ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 16 A, 16 A, 0.014 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 16A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+34.92 грн
34+26.21 грн
100+20.73 грн
500+18.92 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LSDQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 16A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 393pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.18 грн
10+40.60 грн
100+26.39 грн
500+19.03 грн
1000+17.18 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LSDQ-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 30V 16A Automotive 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LSDQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 16A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R
на замовлення 1244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
753+16.52 грн
765+16.26 грн
778+15.99 грн
791+15.17 грн
1000+13.81 грн
Мінімальне замовлення: 753
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LSDQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT3020LSDQ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 16 A, 16 A, 0.014 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 16A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+20.73 грн
500+18.92 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LSDQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 16A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 393pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+16.29 грн
5000+14.41 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LSDQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 16A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LSDQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V SO-8 T&R 2.5K
на замовлення 43052 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+42.03 грн
16+22.86 грн
100+14.67 грн
500+13.97 грн
1000+13.59 грн
2500+12.65 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020UFDB-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V U-DFN2020-6 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020UFDB-13DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 5.2A; Idm: 35A; 1.3W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Case: U-DFN2020-6
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±12V
Gate charge: 8.8nC
On-state resistance: 30mΩ
Power dissipation: 1.3W
Drain current: 5.2A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 35A
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020UFDB-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 860mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 383pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020UFDB-13Diodes IncMOSFET BVDSS: 25V30V U-DFN2020-6 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020UFDB-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V U-DFN2020-6 T&R 3K
на замовлення 2740 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+69.29 грн
10+43.30 грн
100+36.02 грн
500+30.04 грн
1000+28.41 грн
3000+12.19 грн
6000+11.18 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020UFDB-7DIODES INCORPORATEDCategory: Transistors - Unclassified
Description: DMT3020UFDB-7
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3000+13.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020UFDB-7Diodes ZetexDual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 357000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020UFDB-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 860mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 383pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
на замовлення 357000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.74 грн
6000+13.02 грн
9000+12.42 грн
15000+11.03 грн
21000+10.66 грн
30000+10.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3022UEV-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 17A POWERDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 903pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 11A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXD)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3022UEV-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3022UEV-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8 T&R 2K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3022UEV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 17A POWERDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 903pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 11A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXD)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT30M9LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI506
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type K)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12121 pF @ 20 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+82.63 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT30M9LPS-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 30V 320A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT30M9LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI506
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type K)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12121 pF @ 20 V
на замовлення 4987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+255.29 грн
10+160.60 грн
100+112.02 грн
500+91.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DMT30M9LPS-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 400A; 2.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PowerDI5060-8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 160.5nC
On-state resistance: 1.6mΩ
Power dissipation: 2.6W
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 400A
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT30M9LPS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS 25V-30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT31M1LPSW-13Diodes Incorporated MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT31M1LPSWQ-13Diodes Incorporated MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT31M6LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 35.8A PWRDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type K)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7019 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 499945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+120.09 грн
10+78.20 грн
100+55.01 грн
500+41.90 грн
1000+38.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMT31M6LPS-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 30V 35.8A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT31M6LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 35.8A PWRDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type K)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7019 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 497500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+39.92 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT31M6LPS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS 25V-30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT31M7LPS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT31M7LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 30A PWRDI5060
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT31M7LSS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V SO-8 T&R 2.5K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT31M8LFVW-13Diodes Incorporated MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8/SWP T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT31M8LFVW-7Diodes Incorporated MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT31M8LFVWQ-13Diodes Incorporated MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8/SWP T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT31M8LFVWQ-7Diodes Incorporated MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT31M9LFVW-13Diodes Incorporated MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8/SWP T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT31M9LFVW-7Diodes Incorporated MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT32M4LFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4366 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT32M4LFG-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT32M4LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1400 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.6W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+37.80 грн
500+31.54 грн
1000+29.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMT32M4LFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4366 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT32M4LFG-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT32M4LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1400 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.6W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+52.08 грн
20+45.55 грн
100+37.80 грн
500+31.54 грн
1000+29.04 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
DMT32M4LPSW-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT32M4LPSW-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1500 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+35.62 грн
100+35.53 грн
500+32.91 грн
1000+30.31 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
DMT32M4LPSW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI506
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3944 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT32M4LPSW-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT32M4LPSW-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1500 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+35.53 грн
500+32.91 грн
1000+30.31 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMT32M5LFG-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 2768 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+132.23 грн
10+82.94 грн
100+48.21 грн
500+37.88 грн
1000+34.78 грн
3000+29.27 грн
6000+29.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMT32M5LFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 30A POWERDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4066 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 831000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+35.92 грн
6000+32.94 грн
9000+31.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT32M5LFG-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 24A; Idm: 350A; 2.3W
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 67.7nC
On-state resistance: 2.6mΩ
Power dissipation: 2.3W
Drain current: 24A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 350A
Kind of package: 13 inch reel; tape
Case: PowerDI3333-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT32M5LFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 30A POWERDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4066 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 833856 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.50 грн
10+68.41 грн
100+53.22 грн
500+42.33 грн
1000+34.48 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMT32M5LFG-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 24A; Idm: 350A; 2.3W
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 67.7nC
On-state resistance: 2.6mΩ
Power dissipation: 2.3W
Drain current: 24A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 350A
Kind of package: 7 inch reel; tape
Case: PowerDI3333-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT32M5LFG-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT32M5LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1400 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+60.27 грн
500+44.15 грн
1000+39.64 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMT32M5LFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 30A POWERDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4066 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+35.92 грн
6000+32.94 грн
10000+31.42 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT32M5LFG-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 3880 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+132.23 грн
10+82.94 грн
100+48.29 грн
500+38.04 грн
1000+34.78 грн
2000+29.50 грн
4000+29.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMT32M5LFG-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT32M5LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1400 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+141.95 грн
10+89.70 грн
100+60.27 грн
500+44.15 грн
1000+39.64 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMT32M5LFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 30A POWERDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4066 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 29928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.50 грн
10+68.41 грн
100+53.22 грн
500+42.33 грн
1000+34.48 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMT32M5LPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT32M5LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 150 A, 1600 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+31.00 грн
500+25.23 грн
1000+21.95 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMT32M5LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 150A PWRDI5060-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3944 pF @ 25 V
на замовлення 71806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.06 грн
10+49.17 грн
100+34.16 грн
500+27.50 грн
1000+25.00 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMT32M5LPS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFETBVDSS: 25V-30V
на замовлення 3938 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+77.08 грн
10+53.39 грн
100+32.22 грн
500+28.26 грн
1000+25.54 грн
2500+20.96 грн
5000+20.18 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMT32M5LPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT32M5LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 150 A, 1600 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+63.66 грн
20+44.68 грн
100+31.00 грн
500+25.23 грн
1000+21.95 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
DMT32M5LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 150A PWRDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3944 pF @ 25 V
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.06 грн
5000+20.79 грн
7500+20.42 грн
12500+18.92 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT32M5LPS-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 350A; 3.2W
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 68nC
On-state resistance: 3mΩ
Power dissipation: 3.2W
Drain current: 120A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 350A
Kind of package: 13 inch reel; tape
Case: PowerDI5060-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT32M5LPS-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 30V 150A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT32M5LPSW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI506
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4389 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+35.32 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT32M5LPSW-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V~30V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT32M6LDG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 21A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 47A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2101pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 18A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 400µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type G)
Part Status: Active
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+40.98 грн
6000+38.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT32M6LDG-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V~30V PowerDI3333-8 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT32M6LDG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 21A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 47A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2101pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 18A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 400µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type G)
Part Status: Active
на замовлення 23847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+151.16 грн
10+92.92 грн
100+62.89 грн
500+46.97 грн
1000+44.60 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMT32M6LDG-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V~30V PowerDI3333-8 T&R 2K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT32M6LDG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 21A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 47A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2101pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 18A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 400µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type G)
Part Status: Active
на замовлення 3990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+123.45 грн
10+91.22 грн
100+62.89 грн
500+46.97 грн
1000+44.60 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMT32M6LDG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 21A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 47A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2101pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 18A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 400µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type G)
Part Status: Active
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+45.15 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT334R2S474M3DTA0CAP-XXCategory: Supercapacitors
Description: Supercapacitor; SMD; 470mF; 4.2VDC; ±20%; 21x14x3.5mm; -40÷85°C
Type of capacitor: supercapacitor
Mounting: SMD
Capacitance: 0.47F
Operating voltage: 4.2V DC
Body dimensions: 21x14x3.5mm
Tolerance: ±20%
Operating temperature: -40...85°C
Trade name: EDLC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT334R2S474M3DTA0Murata ElectronicsCap Supercap 0.47F 4.2V 20% (21 X 14 X 3.5mm) SMD Gull Wing Flat 0.13 Ohm 2000h 85C Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT334R2S474M3DTA0Murata ElectronicsSupercapacitors / Ultracapacitors EDLC 470mF 4.2V 20% 21x14x3.5mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT334R2S474M3DTA0CAP-XXDescription: CAP-XX - DMT334R2S474M3DTA0 - Superkondensator, Prismatic Ultra Thin, 0.47 F, 4.2 V, Lötanschlüsse, ± 20%
tariffCode: 85322900
Produkthöhe: 3.5mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: SMD
rohsCompliant: YES
Anschlussabstand: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kapazitätstoleranz: ± 20%
Kondensatormontage: Oberflächenmontage
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Lebensdauer bei Temperatur: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Äquivalenter Serienwiderstand (ESR): 0.13ohm
Produktlänge: 21mm
euEccn: NLR
Kapazität: 0.47F
Spannung (DC): 4.2V
Produktpalette: DMT Series
productTraceability: No
Produktdurchmesser: -
Kondensatoranschlüsse: Lötanschlüsse
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Produktbreite: 14mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+542.56 грн
50+391.90 грн
100+374.48 грн
250+332.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DMT334R2S474M3DTA0CAP-XX Ltd SupercapacitorsDescription: CAP 470MF 4.2V -40-+85C
Tolerance: ±20%
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SMD
Size / Dimension: 0.827" L x 0.551" W (21.00mm x 14.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
ESR (Equivalent Series Resistance): 156mOhm @ 1kHz
Height - Seated (Max): 0.150" (3.80mm)
Capacitance: 470 mF
Voltage - Rated: 4.2 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT34M1LPS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFETBVDSS: 25V-30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT34M1LPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT34M1LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 2600 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+75.59 грн
19+47.90 грн
100+31.61 грн
500+21.03 грн
1000+17.32 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMT34M1LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 100A PWRDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2242 pF @ 15 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT34M1LPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT34M1LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 2600 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+31.61 грн
500+21.03 грн
1000+17.32 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMT34M1LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 100A PWRDI5060-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2242 pF @ 15 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15
на замовлення 1495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.90 грн
10+44.80 грн
100+29.28 грн
500+21.21 грн
1000+19.19 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMT34M1LPS-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 80A; 1.3W; PowerDI®5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 80A
Power dissipation: 1.3W
Case: PowerDI®5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT34M1LPS-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT34M1LPS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT34M2LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V 30V POWERDI506
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2242 pF @ 15 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT34M2LPS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT34M2LPS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT34M5LFVW-13Diodes Incorporated MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8/SWP T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT34M5LFVW-7Diodes Incorporated MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT34M8LFDE-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1024 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT34M8LFDE-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-6 T and R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT34M8LFDE-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-6 T and R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT34M8LFDE-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1024 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT35M4LFDF-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V U-DFN2020-6 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT35M4LFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1009 pF @ 15 V
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT35M4LFDF-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V U-DFN2020-6 T&R 3K
на замовлення 9812 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+45.47 грн
12+31.16 грн
100+21.50 грн
500+19.10 грн
1000+16.30 грн
3000+11.96 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMT35M4LFDF-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT35M4LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13 A, 0.0049 ohm, UDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 860mW
Bauform - Transistor: UDFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0049ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+46.33 грн
26+34.31 грн
100+25.17 грн
500+17.95 грн
1000+13.36 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
DMT35M4LFDF-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 11A; Idm: 90A; 1.7W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 1.7W
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14.9nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT35M4LFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1009 pF @ 15 V
на замовлення 67024 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT35M4LFDF-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT35M4LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13 A, 0.0049 ohm, UDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 860mW
Bauform - Transistor: UDFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0049ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+25.17 грн
500+17.95 грн
1000+13.36 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMT35M4LFDF4-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V X2-DFN2020-6 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT35M4LFDF4-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V X2-DFN2020-6 T&R 3K
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+47.64 грн
10+40.00 грн
100+26.01 грн
500+20.42 грн
1000+16.30 грн
3000+13.82 грн
9000+12.50 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMT35M4LFVW-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8 T&R 3K
на замовлення 2997 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+67.02 грн
10+40.71 грн
100+24.14 грн
500+19.02 грн
1000+15.84 грн
3000+12.19 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMT35M4LFVW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 982 pF @ 15 V
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+65.50 грн
10+39.46 грн
100+25.56 грн
500+18.40 грн
1000+16.58 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMT35M4LFVW-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT35M4LFVW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16 A, 0.0046 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+23.95 грн
500+17.55 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMT35M4LFVW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 982 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT35M4LFVW-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT35M4LFVW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16 A, 0.0046 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+52.34 грн
25+35.01 грн
100+23.95 грн
500+17.55 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
DMT35M4LFVW-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8 T&R 2K
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+58.15 грн
10+40.26 грн
100+27.87 грн
500+26.08 грн
1000+21.35 грн
2000+17.16 грн
24000+17.08 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMT35M4LPSW-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V~30V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT35M4LPSW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI506
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.9A (Ta), 71.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1029 pF @ 15 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+16.86 грн
5000+14.93 грн
7500+14.26 грн
12500+12.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT35M4LSS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V 30V SO-8 T&R 2.5K
на замовлення 1968 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+63.13 грн
10+38.39 грн
100+21.97 грн
500+17.31 грн
1000+15.22 грн
2500+12.81 грн
5000+11.80 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMT35M7LFV-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 61A; Idm: 90A; 1.98W
On-state resistance: 8.5mΩ
Power dissipation: 1.98W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PowerDI3333-8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 90A
Drain current: 61A
Drain-source voltage: 30V
Gate charge: 36nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT35M7LFV-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+59.78 грн
10+52.23 грн
100+30.98 грн
500+25.85 грн
1000+22.05 грн
3000+18.63 грн
6000+18.40 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMT35M7LFV-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT35M8LDG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 17A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 980mW (Ta), 2W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 15.3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510pF @ 15V, 1032pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 20A, 10V, 5.8mOhm @ 18A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.7nC @ 10V, 16.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type G)
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+31.43 грн
6000+28.83 грн
9000+27.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT35M8LDG-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V~30V PowerDI3333-8 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT35M8LDG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 17A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 980mW (Ta), 2W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 15.3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510pF @ 15V, 1032pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 20A, 10V, 5.8mOhm @ 18A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.7nC @ 10V, 16.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type G)
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+75.58 грн
10+59.92 грн
100+46.56 грн
500+37.04 грн
1000+30.17 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMT35M8LDG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 17A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 980mW (Ta), 2W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 15.3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510pF @ 15V, 1032pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 20A, 10V, 5.8mOhm @ 18A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.7nC @ 10V, 16.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type G)
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+31.43 грн
6000+28.83 грн
10000+27.50 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT36M1LPSDiodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT36M1LPS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT36M1LPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT36M1LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 65 A, 4800 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+39.97 грн
29+30.83 грн
100+21.08 грн
500+15.04 грн
1000+12.47 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
DMT36M1LPS-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT36M1LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 65A PWRDI5060-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1155 pF @ 15 V
на замовлення 619997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.63 грн
12+28.87 грн
100+19.80 грн
500+16.23 грн
1000+14.51 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMT36M1LPS-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12A; Idm: 100A; 2.6W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PowerDI5060-8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 16.7nC
On-state resistance: 9.8mΩ
Power dissipation: 2.6W
Drain current: 12A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 100A
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT36M1LPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT36M1LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 65 A, 4800 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+21.08 грн
500+15.04 грн
1000+12.47 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMT36M1LPS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFETBVDSS: 25V-30V
на замовлення 4868 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+41.30 грн
12+31.43 грн
100+18.71 грн
500+15.53 грн
1000+13.97 грн
2500+10.40 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMT36M1LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 65A PWRDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1155 pF @ 15 V
на замовлення 617500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+11.38 грн
5000+10.78 грн
7500+10.59 грн
12500+9.77 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT36M4LDT-7ADiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V V-DFN3030-8 T&R 1.5K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3M60LPSW-13Diodes IncorporatedDescription: IC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.55mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.13W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11112 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3M70LPSW-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V~30V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3N4R2U224M3DTA0Murata ElectronicsCap Supercap 0.22F 4.2V 20% (21 X 14 X 2.2mm) SMD Gull Wing Flat 0.3 Ohm 1000h 85C Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3N4R2U224M3DTA0CAP-XXCategory: Supercapacitors
Description: Supercapacitor; SMD; 220mF; 4.2VDC; ±20%; 21x14x2.2mm; 10A; EDLC
Trade name: EDLC
Type of capacitor: supercapacitor
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Tolerance: ±20%
Body dimensions: 21x14x2.2mm
Capacitance: 0.22F
Operating voltage: 4.2V DC
Max. forward impulse current: 10A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3N4R2U224M3DTA0Murata ElectronicsSupercapacitors / Ultracapacitors EDLC 220mF 4.2V 20% 21x14x2.2mm
на замовлення 4406 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3N4R2U224M3DTA0CAP-XX Ltd SupercapacitorsDescription: CAP 220MF 4.2V -40-+85C
Tolerance: ±20%
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SMD
Size / Dimension: 0.827" L x 0.551" W (21.00mm x 14.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
ESR (Equivalent Series Resistance): 360mOhm @ 1kHz
Height - Seated (Max): 0.098" (2.50mm)
Capacitance: 220 mF
Voltage - Rated: 4.2 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3N4R2U224M3DTA0CAP-XXDescription: CAP-XX - DMT3N4R2U224M3DTA0 - Superkondensator, Prismatic Ultra Thin, 0.22 F, 4.2 V, Lötanschlüsse, ± 20%
tariffCode: 85322900
Produkthöhe: 2.2mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: SMD
rohsCompliant: YES
Anschlussabstand: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kapazitätstoleranz: ± 20%
Kondensatormontage: Oberflächenmontage
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Lebensdauer bei Temperatur: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Äquivalenter Serienwiderstand (ESR): 0.3ohm
Produktlänge: 21mm
euEccn: NLR
Kapazität: 0.22F
Spannung (DC): 4.2V
Produktpalette: DMT Series
productTraceability: No
Produktdurchmesser: -
Kondensatoranschlüsse: Lötanschlüsse
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Produktbreite: 14mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+554.75 грн
50+400.61 грн
100+382.32 грн
250+339.64 грн
500+300.83 грн
1000+294.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4001LPS-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 31V~40V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4001LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 100A PWRDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type K)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12121 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4001LPS-13Diodes Inc40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET PowerDI5060-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4002LPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT4002LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1300 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.3W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+70.11 грн
500+47.71 грн
1000+43.97 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4002LPS-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4002LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 100A PWRDI5060-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type K)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6771 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 259780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+157.88 грн
10+97.28 грн
100+65.96 грн
500+49.30 грн
1000+45.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4002LPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT4002LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1300 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.3W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+161.11 грн
10+103.64 грн
100+70.11 грн
500+47.71 грн
1000+43.97 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4002LPS-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 200A; 2.3W
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 116.1nC
On-state resistance: 3.1mΩ
Power dissipation: 2.3W
Drain current: 100A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 200A
Kind of package: 13 inch reel; tape
Case: PowerDI5060-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4002LPS-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS 31V-40V
на замовлення 575 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+138.57 грн
10+109.81 грн
100+75.46 грн
500+68.47 грн
1000+49.76 грн
2500+45.10 грн
5000+42.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4002LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 100A PWRDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type K)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6771 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 257500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+45.20 грн
5000+41.95 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4003SCTDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 205A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 205A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6865 pF @ 20 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+125.13 грн
10+107.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4003SCTDIODES INCORPORATEDCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 164A; Idm: 350A; 156W; TO220AB
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 75.6nC
On-state resistance: 2.4mΩ
Power dissipation: 156W
Drain current: 164A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 350A
Kind of package: tube
Case: TO220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4003SCTDiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+125.89 грн
10+99.99 грн
100+64.75 грн
500+54.81 грн
1000+46.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4003SCTDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 205A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4003SCTDIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT4003SCT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 205 A, 2400 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 205A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4003SCTDiodes IncTrans MOSFET N-CH 40V 205A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4004LPS-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 21A; Idm: 100A; 2.6W
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 82.2nC
On-state resistance: 4mΩ
Power dissipation: 2.6W
Drain current: 21A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 100A
Kind of package: 13 inch reel; tape
Case: PowerDI5060-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4004LPS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V
на замовлення 3404 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+107.78 грн
10+72.67 грн
100+47.98 грн
500+37.88 грн
1000+34.55 грн
2500+31.83 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4004LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 26A PWRDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 138W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4508 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 356008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+102.45 грн
10+66.39 грн
100+46.40 грн
500+35.15 грн
1000+32.41 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4004LPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT4004LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 2500 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 138W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+113.21 грн
12+78.99 грн
100+60.00 грн
500+43.91 грн
1000+37.02 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4004LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 26A PWRDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 138W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4508 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 355000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.54 грн
5000+31.32 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4004LPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT4004LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 0.0025 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 138W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+58.70 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4005SCTDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+65.01 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4005SCTDiodes IncTrans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4005SCTDIODES INCORPORATEDCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 85A; Idm: 160A; 104W; TO220AB
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 49.1nC
On-state resistance: 3.8mΩ
Power dissipation: 104W
Drain current: 85A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 160A
Kind of package: tube
Case: TO220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4005SCTDiodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+126.80 грн
10+114.28 грн
100+86.95 грн
500+79.96 грн
1000+67.23 грн
2500+62.57 грн
5000+60.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4005SCTDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3062 pF @ 20 V
на замовлення 3950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+144.44 грн
10+125.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4008LFDF-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 31V 40V U-DFN2020-6 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4008LFDF-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT4008LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 11.8 A, 7800 µohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85415000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7800µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+83.43 грн
17+51.73 грн
100+47.72 грн
500+35.58 грн
1000+24.78 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4008LFDF-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT4008LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 11.8 A, 7800 µohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85415000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7800µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+47.72 грн
500+35.58 грн
1000+24.78 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4008LFDF-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 31V 40V U-DFN2020-6 T&R 3K
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+56.15 грн
10+48.75 грн
100+32.53 грн
500+25.70 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4008LFV-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 9.7A; Idm: 70A; 1.9W
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 17.1nC
On-state resistance: 12mΩ
Power dissipation: 1.9W
Drain current: 9.7A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 70A
Kind of package: 13 inch reel; tape
Case: PowerDI3333-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4008LFV-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4008LFV-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+95.10 грн
10+58.66 грн
100+33.62 грн
500+26.63 грн
1000+23.68 грн
2000+20.88 грн
4000+20.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4008LSS-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4011LFGDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4011LFG-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 40V 10.8A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4011LFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 30A POWERDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 767 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 20896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.78 грн
10+35.18 грн
100+22.71 грн
500+16.29 грн
1000+14.67 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4011LFG-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT4011LFG-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 30 A, 0.0092 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15.6W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0092ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+27.17 грн
500+19.25 грн
1000+15.68 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4011LFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 30A POWERDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 767 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.15 грн
6000+11.96 грн
9000+11.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4011LFG-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT4011LFG-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 30 A, 0.0092 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15.6W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0092ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+61.22 грн
22+40.67 грн
100+27.17 грн
500+19.25 грн
1000+15.68 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4011LFG-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V
на замовлення 5007 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+63.85 грн
10+38.93 грн
100+21.81 грн
500+16.69 грн
1000+15.06 грн
3000+13.43 грн
6000+11.49 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4011LFG-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 8.6A; Idm: 65A; 2W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: -16...20V
Gate charge: 15.1nC
On-state resistance: 17.8mΩ
Power dissipation: 2W
Drain current: 8.6A
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 65A
Kind of package: 13 inch reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4011LFG-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 10.8A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4011LFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 30A POWERDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 767 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.78 грн
10+35.18 грн
100+22.71 грн
500+16.29 грн
1000+14.67 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4011LFG-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V
на замовлення 9688 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+48.27 грн
10+36.34 грн
100+21.89 грн
500+16.77 грн
1000+14.75 грн
2000+11.41 грн
4000+10.95 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4011LFG-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 8.6A; Idm: 65A; 2W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: -16...20V
Gate charge: 15.1nC
On-state resistance: 17.8mΩ
Power dissipation: 2W
Drain current: 8.6A
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 65A
Kind of package: 7 inch reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4011LFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 10.8A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.