Продукція > DMT
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DMT-09-1-4B-NL | RDI Electronics | DMT-09-1-4B-NL | на замовлення 3998 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMT-09-1-4B-NL | RDI Electronics | DMT-09-1-4B-NL | на замовлення 3998 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMT-1206S-NL | RDI Electronics | Audio Alert | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMT-1606S-NL | RDI Electronics | Audio 4V 7V 30mA 6V 85dB Through Hole Pin | на замовлення 1942 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMT-1606S-NL | RDI Electronics | Audio 4V 7V 30mA 6V 85dB Through Hole Pin | на замовлення 1942 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMT-1612S-NL | RDI Electronics | AUDIO ALERT W/OSCILLATING CIRCUIT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMT-1A-02 | Adam Tech | Description: CONN RECEPT 2POS SINGLE 3.0MM | на замовлення 4994 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMT-1A-03 | Adam Tech | Description: CONN RECEPT 3POS SINGLE 3.0MM | на замовлення 4989 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMT-1A-04 | Adam Tech | Description: CONN RECEPT 4POS SINGLE 3.0MM | на замовлення 4999 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMT-1A-05 | Adam Tech | Description: CONN RCPT HSG 5POS 3.00MM Features: Glow Wire Compliant Packaging: Bag Connector Type: Receptacle Contact Termination: Crimp Color: Black Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Number of Positions: 5 Pitch: 0.118" (3.00mm) Contact Type: Female Socket Fastening Type: Latch Lock Part Status: Active Insulation Material: Polyamide (PA), Nylon Number of Rows: 1 | на замовлення 4930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMT-2A-04 | Adam Tech | Description: CONN RCPT HSG 4POS 3.00MM Number of Rows: 2 Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6 Row Spacing: 0.118" (3.00mm) Fastening Type: Latch Lock Contact Type: Female Socket Operating Temperature: -25°C ~ 120°C Pitch: 0.118" (3.00mm) Number of Positions: 4 Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Color: Black Contact Termination: Crimp Connector Type: Receptacle Packaging: Bag | на замовлення 6421 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMT-2A-06 | Adam Tech | Description: CONN RCPT HSG 6POS 3.00MM Contact Termination: Crimp Connector Type: Receptacle Packaging: Bag Number of Rows: 2 Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6 Row Spacing: 0.118" (3.00mm) Fastening Type: Latch Lock Contact Type: Female Socket Operating Temperature: -25°C ~ 120°C Pitch: 0.118" (3.00mm) Number of Positions: 6 Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Color: Black | на замовлення 14051 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMT-2A-08 | Adam Tech | Description: CONN RCPT HSG 8POS 3.00MM Number of Rows: 2 Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6 Row Spacing: 0.118" (3.00mm) Fastening Type: Latch Lock Contact Type: Female Socket Operating Temperature: -25°C ~ 120°C Pitch: 0.118" (3.00mm) Number of Positions: 8 Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Color: Black Contact Termination: Crimp Connector Type: Receptacle Packaging: Bag | на замовлення 4451 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMT-2A-10 | Adam Tech | Description: CONN RECEPT 10POS DUAL 3.0MM | на замовлення 4987 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMT-2A-12 | Adam Tech | Description: CONN RECEPT 12POS DUAL 3.0MM | на замовлення 4976 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMT-2A-14 | Adam Tech | Description: CONN RECEPT 14POS DUAL 3.0MM | на замовлення 4999 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMT-2A-16 | Adam Tech | Description: CONN RECEPT 16POS DUAL 3.0MM | на замовлення 4999 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMT-2A-24 | Adam Tech | Description: CONN RCPT HSG 24POS 3.00MM Number of Rows: 2 Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6 Row Spacing: 0.118" (3.00mm) Fastening Type: Latch Lock Contact Type: Female Socket Operating Temperature: -25°C ~ 120°C Pitch: 0.118" (3.00mm) Number of Positions: 24 Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Color: Black Contact Termination: Crimp Connector Type: Receptacle Packaging: Bag | на замовлення 2933 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMT-4CC | MONACOR | Description: MONACOR - DMT-4CC - Messzubehör, Koffer, Schwarz, Digital- und Analogmultimeter tariffCode: 42021299 productTraceability: No rohsCompliant: NA euEccn: NLR isCanonical: Y hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (17-Dec-2014) | на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMT-6-12 | Signal Transformer | Description: XFRMR LAMINATED 6VA CHAS MOUNT | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMT-6-12 | Bel Signal Transformer | Power Transformers 5060 Hz, Laminated Transformer | на замовлення 37 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMT-6-15 | Signal Transformer | Description: PWR XFMR LAMINATED 6VA CHAS MT | на замовлення 21 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMT-6-15 | Bel Signal Transformer | Power Transformers 5060 Hz, Laminated Transformer | на замовлення 220 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMT-7-12 | Signal Transformer | Description: PWR XFMR LAMINATED 7VA CHAS MT Voltage - Isolation: 2500Vrms Power - Max: 7VA Secondary Winding(s): Dual Primary Winding(s): Dual Termination Style: Solder, Quick Connect Weight: 1.7 lbs (771.1 g) Type: Laminated Core Mounting Type: Chassis Mount Size / Dimension: 93.70mm L x 49.20mm W Packaging: Bulk Center Tap: Yes Voltage - Secondary (Full Load): 5V, 12V Height - Seated (Max): 57.80mm Voltage - Primary: 115V, 230V Current - Output (Max): 2.8A, 350mA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMT-7-12 | Bel Signal Transformer | Power Transformers 5060 Hz, Laminated Transformer | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMT-7-15 | Signal Transformer | Description: PWR XFMR LAMINATED 7VA CHAS MT Center Tap: Yes Voltage - Secondary (Full Load): 5V, 15V Height - Seated (Max): 57.80mm Voltage - Primary: 115V, 230V Current - Output (Max): 2.8A, 280mA Voltage - Isolation: 2500Vrms Power - Max: 7VA Secondary Winding(s): Dual Primary Winding(s): Dual Termination Style: Solder, Quick Connect Weight: 1.7 lbs (771.1 g) Type: Laminated Core Mounting Type: Chassis Mount Size / Dimension: 93.70mm L x 49.20mm W Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMT-7-15 | Bel Signal Transformer | Power Transformers 5060 Hz, Laminated Transformer | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMT-8-12 | Signal Transformer | Description: PWR XFMR LAMINATED 8VA CHAS MT Packaging: Bulk Size / Dimension: 102.40mm L x 58.50mm W Mounting Type: Chassis Mount Type: Laminated Core Weight: 2.8 lbs (1.3 kg) Termination Style: Solder, Quick Connect Primary Winding(s): Dual Secondary Winding(s): Dual Power - Max: 8VA Voltage - Isolation: 2500Vrms Current - Output (Max): 4A, 600mA Voltage - Primary: 115V, 230V Height - Seated (Max): 67.70mm Voltage - Secondary (Full Load): 5V, 12V Center Tap: Yes | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMT-8-12 | Bel Signal Transformer | Power Transformers 5060 Hz, Laminated Transformer | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 20 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMT-8-15 | Signal Transformer | Description: PWR XFMR LAMINATED 8VA CHAS MT Packaging: Bulk Size / Dimension: 102.40mm L x 58.50mm W Mounting Type: Chassis Mount Type: Laminated Core Weight: 2.8 lbs (1.3 kg) Termination Style: Solder, Quick Connect Primary Winding(s): Dual Secondary Winding(s): Dual Power - Max: 8VA Voltage - Isolation: 2500Vrms Current - Output (Max): 4A, 500mA Voltage - Primary: 115V, 230V Height - Seated (Max): 67.70mm Voltage - Secondary (Full Load): 5V, 15V Center Tap: Yes | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMT-8-15 | Bel Signal Transformer | Power Transformers 5060 Hz, Laminated Transformer | на замовлення 17 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMT-B-C-F-T-R | Adam Tech | Headers & Wire Housings CRIMP CONTACT 20-24AWG | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMT-B-C-F-T-R | Adam Tech | Description: CRIMP CONTACT 20-24AWG Packaging: Cut Tape (CT) Contact Finish: Tin Contact Termination: Crimp Wire Gauge: 20-24 AWG Type: Stamped Pin or Socket: Socket | на замовлення 31705 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMT-B-C-F-T-R | Adam Tech | Description: CRIMP CONTACT 20-24AWG Packaging: Tape & Reel (TR) Contact Finish: Tin Contact Termination: Crimp Wire Gauge: 20-24 AWG Type: Stamped Pin or Socket: Socket | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMT-B5-C-F-T-R | Adam Tech | Description: CONTACT TIN 20-24 AWG | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMT-B5-C-F-T-R | Adam Tech | Description: CONTACT TIN 20-24 AWG | на замовлення 4859 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMT-D-1-02 | Adam Tech | Description: CONN RECEPT 2POS SINGLE 3.0MM | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMT-D-1-03 | Adam Tech | Description: CONN RECEPT 3POS SINGLE 3.0MM | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMT-D-1-04 | Adam Tech | Description: CONN RECEPT 4POS SINGLE 3.0MM | на замовлення 3990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMT-D-1-05 | Adam Tech | Description: CONN RECEPT 5POS SINGLE 3.0MM | на замовлення 4764 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMT1-16-6.7L | Coilcraft | Power Inductors - Leaded 16uH Unshld 6.7A 20mOhms | на замовлення 31 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMT1-180-1.5L | Coilcraft | Fixed Inductors DMT1 Power Chokes Toroidal Output | на замовлення 55 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMT1-26-5.1L | Coilcraft | Fixed Inductors DMT1 Power Chokes Toroidal Output | на замовлення 26 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMT1-43-3.8L | Coilcraft | Power Inductors - Leaded 43uH Unshld 3.8A 70mOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMT1-7-10L | Coilcraft | Power Inductors - Leaded 7uH Shld 10A 10mOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMT1-84-2.4L | Coilcraft | Power Inductors - Leaded 84uH Unshld 2.4A 140mOhms | на замовлення 65 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMT10H003SPSW-13 | Diodes Zetex | 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMT10H003SPSW-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI5060-8 T&R 2.5K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMT10H003SPSW-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5542 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type Q) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 139W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 152A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMT10H009LCG-7 | Diodes | MOSFET N-CH 100V 47A VDFN3333-8 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMT10H009LCG-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMT10H009LCG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 47 A, 0.0072 ohm, VDFN3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 47A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: VDFN3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 1731 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMT10H009LCG-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 12.4A/47A 8DFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2309 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.2 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: V-DFN3333-8 (Type B) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Ta), 47A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMT10H009LCG-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 12.4A 8-Pin VDFN EP T/R | на замовлення 34000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMT10H009LCG-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMT10H009LCG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 47 A, 0.0072 ohm, VDFN3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 47A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: VDFN3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 1731 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMT10H009LCG-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 12.4A 8-Pin VDFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMT10H009LCG-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V | на замовлення 1882 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMT10H009LCG-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 12.4A/47A 8DFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2309 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.2 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: V-DFN3333-8 (Type B) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Ta), 47A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 921 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMT10H009LFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI3333-8 T&R 3K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMT10H009LFG-13 | Diodes Zetex | 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMT10H009LFG-13 | Diodes Zetex | 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMT10H009LFG-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 13A 8-Pin PowerDI EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMT10H009LFG-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 13A/50A PWRDI Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2361 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 30W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 50A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMT10H009LFG-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 13A 8-Pin PowerDI EP T/R | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMT10H009LFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI3333-8 T&R 2K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMT10H009LH3 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 84A TO251 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2309 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.2 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-251 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak Packaging: Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 75 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMT10H009LH3 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 75 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMT10H009LH3 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS 61V-100V | на замовлення 101 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMT10H009LK3 | Diodes Incorporated | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMT10H009LK3-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V TO252 T&R Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2309 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 1523 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMT10H009LK3-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMT10H009LK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 0.0067 ohm, TO-252, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.7W Bauform - Transistor: TO-252 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 8935 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMT10H009LK3-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 1942500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMT10H009LK3-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V TO252 T&R Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2309 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMT10H009LK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V 100V TO252 T&R 2.5K | на замовлення 8294 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMT10H009LK3-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMT10H009LK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 0.0067 ohm, TO-252, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.7W Bauform - Transistor: TO-252 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 8935 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMT10H009LK3-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMT10H009LPS | Diodes Incorporated | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMT10H009LPS-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PowerDI EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMT10H009LPS-13 | Diodes INC. | N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 10 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 2309 @ 50, Qg, нКл = 40,2 @ 10 В, Rds = 8 мОм @ 20 A, 10 В, Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА, Р, Вт = 1,3, Тексп, °C = -55...+150,... Транзистори Корпус: PowerDI5060-8 Од. вим: шт кількість в упаковці: 2500 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMT10H009LPS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V PWRDI5060 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2309 pF @ 50 V | на замовлення 3773 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMT10H009LPS-13 | Diodes INC. | N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 10 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 2309 @ 50, Qg, нКл = 40,2 @ 10 В, Rds = 8 мОм @ 20 A, 10 В, Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА, Р, Вт = 1,3, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd, Id2 = 90 А,... Транзистори Корпус: PowerDI5060-8 Оч кількість в упаковці: 2500 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMT10H009LPS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V PWRDI5060 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2309 pF @ 50 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMT10H009LPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V | на замовлення 3183 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMT10H009LSS-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 13A 8-Pin SO T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMT10H009LSS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 13A/48A 8SO T&R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 48A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2309 pF @ 50 V | на замовлення 135000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMT10H009LSS-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 13A 8-Pin SO T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMT10H009LSS-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 13A 8-Pin SO T/R | на замовлення 142500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMT10H009LSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V | на замовлення 2416 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMT10H009LSS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 13A/48A 8SO T&R Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 48A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2309 pF @ 50 V | на замовлення 137316 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMT10H009LSS-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 13A 8-Pin SO T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMT10H009LSS-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 13A 8-Pin SO T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMT10H009LSSQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V 100V SO-8 T&R 2.5K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMT10H009LSSQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V SO-8 T&R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 48A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2309 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMT10H009SCG-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V V-DFN3333-8 T&R 3K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMT10H009SCG-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V V-DFN3333 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 48A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2085 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: V-DFN3333-8 (Type B) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMT10H009SCG-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V V-DFN3333-8 T&R 2K | на замовлення 1960 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMT10H009SCG-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V V-DFN3333 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2085 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: V-DFN3333-8 (Type B) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 48A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 22000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMT10H009SCG-7 | Diodes Zetex | N-Channel Enhancement Mode MOSFET | на замовлення 22000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMT10H009SK3-13 | Diodes | MOSFET Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMT10H009SK3-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V TO252 T&R Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2028 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 91A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMT10H009SK3-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMT10H009SK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 91 A, 0.0069 ohm, TO-252, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 91A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.7W Bauform - Transistor: TO-252 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0069ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 1196 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

